KR20150086362A

KR20150086362A - 방향성 전자 강판의 제조 방법

Info

Publication number: KR20150086362A
Application number: KR1020157016361A
Authority: KR
Inventors: 마코토 와타나베; 타케시 이마무라; 류이치 스에히로; 토시토 다카미야
Original assignee: 제이에프이 스틸 가부시키가이샤
Priority date: 2013-02-14
Filing date: 2014-02-12
Publication date: 2015-07-27
Also published as: US10192662B2; CN104903473A; BR112015017719A2; BR112015017719B1; RU2015138907A; EP2957644B1; CA2897586A1; US20160020006A1; KR101684397B1; WO2014126089A1; RU2621497C2; EP2957644A4; CN104903473B; EP3461920B1; CA2897586C; EP3461920A1; JP2014152392A; EP2957644A1; JP5854233B2

Abstract

mass％로, C: 0.002∼0.10％, Si: 2.0∼8.0％, Mn: 0.005∼1.0％를 함유하는 강 소재를 열간 압연하고, 필요에 따라서 열연판 어닐링을 행한 후, 냉간 압연하여 최종 판두께의 냉연판으로 하고, 탈탄 어닐링을 겸한 1차 재결정 어닐링을 행하고, 강판 표면에 어닐링 분리제를 도포하여, 마무리 어닐링을 행하는 일련의 공정으로 이루어지는 방향성 전자(電磁) 강판의 제조 방법에 있어서, 상기 1차 재결정 어닐링의 가열 과정에 있어서의 200∼700℃의 구간을 50℃/s 이상으로 급속 가열하고, 또한, 상기 구간 내의 250∼600℃ 사이의 어느 온도에서 1∼10초간 보정(保定)함과 함께, 상기 1차 재결정 어닐링의 균열(均熱) 과정에 있어서의 온도를 750∼900℃, 시간을 90∼180초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40의 범위로 제어함으로써, 저철손이고 또한 철손값의 편차가 작은 방향성 전자 강판을 얻는다.

Description

방향성 전자 강판의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING GRAIN-ORIENTED ELECTRICAL STEEL SHEET}

본 발명은, 방향성 전자(電磁) 강판의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는, 철손이 낮고, 또한, 철손의 편차가 작은 방향성 전자 강판의 제조 방법에 관한 것이다.

전자 강판은, 변압기나 모터의 철심 재료로서 널리 이용되고 있는 연자성 재료로서, 그 중에서도, 방향성 전자 강판은, 결정 방위가 Goss 방위라고 불리는 {110}<001> 방위에 고도로 집적되고, 자기 특성이 우수하기 때문에, 주로 대형의 변압기의 철심 등에 사용되고 있다. 변압기에 있어서의 무부하손(에너지 로스)을 저감하기 위해서는, 철손이 낮은 것이 필요하다.

방향성 전자 강판에 있어서의 철손 저감 방법으로서는, Si 함유량의 증가나, 판두께의 저감, 결정 방위의 배향성 향상, 강판 표면으로의 장력 부여, 강판 표면의 평활화, 2차 재결정 조직의 세립화 등이 유효하다는 것이 알려져 있다.

이들 방법 중, 2차 재결정립을 세립화하는 기술로서는, 탈탄 어닐링시에 급속 가열하거나, 탈탄 어닐링 직전에 급속 가열하는 열처리를 행하거나 함으로써, 1차 재결정 집합 조직을 개선하는 방법이 제안되고 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 최종 판두께까지 압연한 냉연판을 탈탄 어닐링할 때, P_H2O/P_H2가 0.2 이하의 비(非)산화성 분위기 중에서, 100℃/s 이상으로 700℃ 이상의 온도로 급속 가열함으로써, 저철손의 방향성 전자 강판을 얻는 기술이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에는, 분위기 중의 산소 농도를 500ppm 이하로 하고, 또한, 가열 속도 100℃/s 이상으로 800∼950℃로 급속 가열하고, 이어서 급속 가열 후의 온도보다 낮은 775∼840℃의 온도로 보정(保定)하고, 추가로, 815∼875℃의 온도로 보정함으로써, 저철손의 방향성 전자 강판을 얻는 기술이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는, 600℃ 이상의 온도역을 95℃/s 이상의 승온 속도로 800℃ 이상으로 가열하고, 또한, 이 온도역의 분위기를 적정하게 제어함으로써, 피막 특성과 자기 특성이 우수한 전자 강판을 얻는 기술이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 4에는, 열연판 중의 AlN으로서의 N량을 25ppm 이하로 제한하고, 또한 탈탄 어닐링시에 가열 속도 80℃/s 이상으로 700℃ 이상까지 가열함으로써, 저철손의 방향성 전자 강판을 얻는 기술이 개시되어 있다.

급속 가열함으로써 1차 재결정 집합 조직을 개선하는 이들 기술은, 급속 가열하는 온도 범위를 실온으로부터 700℃ 이상으로 하고, 승온 속도를 일의적으로 규정하는 것이다. 이 기술 사상은, 재결정 온도 근방까지를 단시간에 승온함으로써, 통상의 가열 속도이면 우선적으로 형성되는 γ파이버({111}<uｖw> 조직)의 발달을 억제하고, 2차 재결정의 핵이 되는 {110}<001> 조직의 발생을 촉진함으로써, 1차 재결정 집합 조직을 개선고자 하는 것이다. 그리고, 이 기술의 적용에 의해, 2차 재결정 후의 결정립(Goss 방위립)이 세립화되고, 철손 특성이 개선된다.

일본공개특허공보 평07-062436호 일본공개특허공보 평10-298653호 일본공개특허공보 2003-027194호 일본공개특허공보 평10-130729호

그러나, 발명자들의 인식에 의하면, 승온 속도를 높게 한 경우, 승온시의 강판 내부의 온도 불균일과 내부 산화층의 불량에 기인한다고 생각되는 철손 특성의 편차가 커진다는 문제가 일어난다. 제품 출하시의 철손 평가에는, 일반적으로, 강판의 전(全)폭의 철손을 평균한 값이 이용되고 있기 때문에, 편차가 크면, 강판 전체의 철손이 낮게 평가되게, 소기의 급속 가열의 효과가 얻어지지 않게 된다.

본 발명은, 종래 기술이 안고 있는 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 종래 기술에 비하여 저철손이고 또한 철손값의 편차가 작은 방향성 전자 강판의 제조 방법을 제안하는 것에 있다.

발명자들은, 상기 과제의 해결을 목표로 예의 검토를 거듭했다. 그 결과, 1차 재결정 어닐링의 가열 과정에 있어서 급속 가열할 때, 회복이 일어나는 온도 영역에서 소정 시간 보정해 줌으로써, 강판 내부의 온도가 균일화되어, 급속 가열의 효과를 강판의 전폭에 걸쳐 향수할 수 있음과 함께, <111>//ND 방위가 우선적으로 회복되고, 재결정의 우선도가 저하되어, 1차 재결정 후의 <111>//ND 방위립이 감소하고, 대신에 Goss핵이 증가하여, 2차 재결정 후의 재결정이 세립화되는 결과, 저철손이고 또한 철손값의 편차가 작은 방향성 전자 강판을 얻을 수 있는 것, 추가로, 탈탄 반응이 일어나는 균열(均熱) 과정의 분위기의 P_H2O/P_H2를 종래보다도 낮은 값으로 하는 것이나, 균열 과정을 복수단(複數段)으로 나누어 각각의 단에서의 온도, 시간, 분위기의 P_H2O/P_H2를 적정화함으로써 철손값은 보다 한층 저감할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 개발하기에 이르렀다.

즉, 본 발명은, C: 0.002∼0.10mass％, Si: 2.0∼8.0mass％, Mn: 0.005∼1.0mass％를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 강 소재를 열간 압연하여 열연판으로 하고, 필요에 따라서 열연판 어닐링을 행한 후, 1회 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회 이상의 냉간 압연에 의해 최종 판두께의 냉연판으로 하고, 탈탄 어닐링을 겸한 1차 재결정 어닐링을 행하고, 강판 표면에 어닐링 분리제를 도포하고, 마무리 어닐링을 행하는 일련의 공정으로 이루어지는 방향성 전자 강판의 제조 방법에 있어서, 상기 1차 재결정 어닐링의 가열 과정에 있어서의 200∼700℃의 구간을 50℃/s 이상으로 급속 가열하고, 또한, 상기 구간 내의 250∼600℃ 사이의 어느 온도에서 1∼10초간 보정함과 함께, 상기 1차 재결정 어닐링의 균열 과정에 있어서의 온도를 750∼900℃, 시간을 90∼180초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 방향성 전자 강판의 제조 방법을 제안한다.

본 발명의 방향성 전자 강판의 제조 방법은, 상기 1차 재결정 어닐링의 균열 과정을 N단(N: 2 이상의 정수)으로 나누고, 제1단∼(N-1)단까지의 온도를 750∼900℃, 시간을 80∼170초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40의 범위로 제어하고, 최종 제N단의 온도를 750∼900℃, 시간을 10∼60초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.20 이하의 범위로 제어하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 방향성 전자 강판의 제조 방법은, 상기 1차 재결정 어닐링을 N단(N: 2 이상의 정수)으로 나누고, 제1단의 온도를 820∼900℃, 시간을 10∼60초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40으로 하고, 제2단 이후의 온도를 750∼900℃, 시간을 80∼170초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40의 범위로 제어하고, 또한, 제1단의 온도를 제2단 이후의 온도 이상으로 하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 방향성 전자 강판의 제조 방법은, 1차 재결정 어닐링을 N단(N: 3 이상의 정수)으로 나누고, 제1단의 온도를 820∼900℃, 시간을 10∼60초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40의 범위로, 제2단∼제(N-1)단까지의 온도를 750∼900℃, 시간을 70∼160초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40으로 하고, 최종의 제N단의 온도를 750∼900℃, 시간을 10∼60초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.20 이하의 범위로 제어하고, 제1단의 온도를 제2단에서 제N-1단까지의 온도 이상으로 하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 방향성 전자 강판의 제조 방법에 있어서의 상기 강 소재는, 상기 성분 조성에 더하여 추가로, Al: 0.010∼0.050mass％ 및 N: 0.003∼0.020mass％를 함유하고, 혹은, Al: 0.010∼0.050mass％, N: 0.003∼0.020mass％, Se: 0.003∼0.030mass％ 및/또는 S: 0.002∼0.03mass％를 함유하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 방향성 전자 강판의 제조 방법은, 상기 1차 재결정 어닐링의 도중, 혹은, 상기 1차 재결정 어닐링 후에 질화 처리를 행하여, 강판 중의 질소량을 50∼1000massppm 증량하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 방향성 전자 강판의 제조 방법에 있어서의 상기 강 소재는, 상기 성분 조성에 더하여 추가로, Ni: 0.010∼1.50mass％, Cr: 0.01∼0.50mass％, Cu: 0.01∼0.50mass％, P: 0.005∼0.50mass％, Sb: 0.005∼0.50mass％, Sn: 0.005∼0.50mass％, Bi: 0.005∼0.50mass％, Mo: 0.005∼0.10mass％, B: 0.0002∼0.0025mass％, Te: 0.0005∼0.010mass％, Nb: 0.0010∼0.010mass％, V: 0.001∼0.010mass％ 및 Ta: 0.001∼0.010mass％ 중으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 1차 재결정 어닐링의 가열 과정에 있어서 급속 가열할 때, 회복이 일어나는 온도 영역에서 소정 시간 보정함과 함께, 탈탄 반응이 일어나는 1차 재결정 어닐링의 균열 과정에 있어서의 조건을 적정화함으로써, 저철손이고 또한 철손값의 편차가 작은 방향성 전자 강판을 안정되게 제공하는 것이 가능해진다.

도 1은 본 발명의 1차 재결정 어닐링의 가열 과정에 있어서의 승온 패턴을 설명하는 도면이다.
도 2는 1차 재결정 어닐링의 가열 도중에 있어서의 보정 시간과 균열 과정의 분위기의 P_H2O/P_H2가 철손 W_17/50에 미치는 영향을 나타내는 그래프이다.
도 3은 1차 재결정 어닐링의 가열 도중에 있어서의 보정 온도와 균열 과정의 처리 조건이 철손 W_17/50에 미치는 영향을 나타내는 그래프이다.

(발명을 실시하기 위한 형태)

우선, 본 발명을 개발하는 계기가 된 실험에 대해서 설명한다.

<실험 1>

C: 0.065mass％, Si: 3.44mass％, Mn: 0.08mass％를 함유하는 강을 용제하고, 연속 주조법으로 강 슬래브로 한 후, 1250℃의 온도로 재가열하고, 열간 압연하여 판두께 2.4㎜의 열연판으로 하고, 1050℃×60초의 열연판 어닐링을 행한 후, 1차 냉간 압연하여 중간 판두께의 1.8㎜로 하고, 1120℃×80초의 중간 어닐링을 행한 후, 판온 200℃에서 온간 압연하여 최종 판두께 0.27㎜의 냉연판으로 했다.

이어서, 상기 냉연판을, 50vol％H₂－50vol％N₂의 습윤 분위기하에서 P_H2O/P_H2를 여러 가지로 바꾸어, 840℃에서 80초간 유지하는 탈탄 어닐링을 겸한 1차 재결정 어닐링을 행했다. 또한, 상기 1차 재결정 어닐링은, 840℃까지의 가열 과정에 있어서의 200∼700℃ 사이의 승온 속도를 100℃/s로 하고, 또한 그 가열 도중의 450℃의 온도에서 0∼30초 보정하는 처리를 행했다. 여기에서, 상기 100℃/s의 승온 속도는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 200℃에서 700℃까지 도달하는 시간으로부터 보정 시간 t₂를 뺀, t₁ 및 t₃에 있어서의 평균 승온 속도((700－200)/(t₁＋t₃))를 말한다(이후, 동일함). 그 후, 상기 1차 재결정 어닐링 후의 강판 표면에 MgO를 주체로 하는 어닐링 분리제를 도포하고, 건조한 후, 2차 재결정 어닐링과 수소 분위기하에서 1200℃×7시간의 순화 처리를 포함하는 마무리 어닐링을 행하여, 제품판으로 했다.

이렇게 하여 얻은 각 제품판으로부터, 판폭 방향으로 폭 100㎜×길이 400㎜의 시험편을 10매씩 채취하고, JIS C2556에 기재된 방법으로 철손 W_17/50을 측정하고, 평균값을 구했다. 이 철손 측정 방법에 의하면, 판폭 방향으로 철손의 편차가 있는 경우에는 평균값이 악화되기 때문에, 편차를 포함하여 철손을 평가할 수 있다고 생각할 수 있기 때문이다.

그 결과를, 도 2에, 450℃에서의 보정 시간과 철손 W_17/50과의 관계로 하여 나타냈다. 이 도면으로부터, 가열 도중의 보정 시간이 1∼10초의 범위에서 철손이 저감하고 있는 것을 알 수 있다. 이 경향은, 균열 과정의 분위기 조건에 상관없이 동일하지만, P_H2O/P_H2가 0.35에서 가장 컸다.

<실험 2>

실험 1에서 얻은 최종 판두께 0.27㎜의 냉연판에, 가열 과정의 200∼700℃의 온도 범위의 임의의 온도에서 1회, 2초간 보정하는 탈탄 어닐링을 겸한 1차 재결정 어닐링을 행했다. 또한, 상기 1차 재결정 어닐링에 있어서의 균열 과정은 하기의 3조건으로 행했다.

1) 850℃×150초에서 P_H2O/P_H2를 0.35로 하는 균일 조건

2) 균열 과정을 전단과 후단의 2개로 나누고, 전단을 850℃×120초에서 P_H2O/P_H2를 0.35로 하고, 후단을, 860℃×30초에서 P_H2O/P_H2를 0.10으로 하는 후단 저노점(low dew point) 조건

3) 균열 과정을 전단과 후단의 2개로 나누고, 전단을 860℃×30초에서 P_H2O/P_H2를 0.35로 하고, 후단을, 850℃×120초에서 P_H2O/P_H2를 0.35로 하는 전단 고온 조건

이어서, 상기 1차 재결정 어닐링을 행한 강판 표면에, MgO를 주체로 하는 어닐링 분리제를 도포하고, 건조한 후, 2차 재결정 어닐링과 수소 분위기하에서 1200℃×7시간의 순화 처리를 포함하는 마무리 어닐링을 행하여, 제품판으로 했다.

이렇게 하여 얻은 제품판으로부터 <실험 1>과 동일하게 하여 시험편을 채취하고, JIS C2556에 기재된 방법으로 철손 W_17/50을 측정했다. 그 결과를 도 3에, 가열 과정에 있어서의 보정 온도와 철손 W_17/50과의 관계로 하여 나타냈다. 이 도면으로부터, 균열 과정의 조건에 상관없이, 급속 가열 도중에서의 보정 온도가 250∼600℃의 사이에서 철손이 저감되어 있는 것을 알 수 있다. 또한, 균열 과정의 조건은, 전단(全段) 일정하게 하는 것보다도, 전단(前段)보다도 후단(後段)을 저노점으로 하는, 혹은, 후단보다도 전단을 고온으로 함으로써, 철손 저감 효과가 더욱 얻어지는 것을 알 수 있다.

상기 <실험 1> 및 <실험 2>의 결과와 같이, 1차 재결정 어닐링의 급속 가열 과정에 있어서의 적정 온도에서 적정 시간 유지하는 보정 처리를 행함과 함께, 균열 과정에 있어서의 탈탄 조건을 적정화함으로써 철손이 개선되는 이유에 대해서는, 아직 충분히 밝혀져 있지 않지만, 발명자들은 다음과 같이 생각하고 있다.

급속 가열 처리는, 전술한 바와 같이, 재결정 집합 조직에 있어서의 <111>//ND 방위의 발달을 억제하는 효과가 있다. 일반적으로, <111>//ND 방위에는, 냉간 압연시에 많은 변형이 도입되기 때문에, 다른 방위와 비교하여 축적되는 변형 에너지가 높은 상태에 있다. 그 때문에, 통상의 승온 속도로 가열하는 1차 재결정 어닐링에서는, 축적된 변형 에너지가 높은 <111>//ND 방위의 압연 조직으로부터 우선적으로 재결정을 일으킨다. 재결정에서는, 통상, <111>//ND 방위의 압연 조직으로부터는 <111>//ND 방위립이 출현하기 때문에, 재결정 후의 조직은 <111>//ND 방위가 주방위가 된다.

그러나, 급속 가열을 행하면, 재결정에 의해 방출되는 에너지보다도 많은 열에너지가 부여되는 점에서, 비교적 축적된 변형 에너지가 낮은 방위에서도 재결정이 일어날 수 있게 되기 때문에, 상대적으로 재결정 후의 <111>//ND 방위립이 감소되고, 자기 특성이 향상된다. 이것이, 종래 기술의 급속 가열을 행하는 이유이다.

여기에서, 급속 가열의 도중에, 회복이 일어나는 온도로 소정 시간 유지하는 보정 처리를 행한 경우에는, 변형 에너지가 높은 <111>//ND 방위가 우선적으로 회복을 일으킨다. 그 때문에, <111>//ND 방위의 압연 조직으로부터 발생하는 <111>//ND 방위의 재결정을 일으키는 구동력이 선택적으로 저하되고, 그 이외의 방위도 재결정을 일으킬 수 있게 된다. 그 결과, 재결정 후의 <111>//ND 방위가 상대적으로 더욱 감소한다.

단, 보정 시간이 10초를 초과하면, 넓은 범위에서 회복이 일어나 버리기 때문에, 회복 조직이 재결정하는 일 없이 그대로 남게 되어, 상기의 기대한 1차 재결정 조직과는 상이한 조직이 되어 버린다. 그 결과, 2차 재결정에 큰 악영향을 주어, 철손 특성의 저하에 연결되는 것이라고 생각할 수 있다.

또한, 상기 생각에 의하면, 가열 도중의 회복이 일어나는 온도에서 단시간의 보정을 행함으로써 자기 특성이 향상되는 것은, 종래의 라디언트 튜브 등을 이용한 승온 속도(10∼20℃/s)보다도 빠른 승온 속도, 구체적으로는 승온 속도가 50℃/s 이상인 경우에 한정된다고 생각할 수 있다. 그래서, 본 발명에 있어서는, 1차 재결정 어닐링의 200∼700℃의 온도 범위에 있어서의 승온 속도를 50℃/s 이상으로 규정한다.

또한, 탈탄 반응이 진행되는 균열 과정에 있어서의 온도, 시간 및 분위기도, 자기 특성에 큰 영향을 준다. 이것은, 급속 가열함으로써, 강판의 표면하에 형성되는 내부 산화층의 형태가 변화하기 때문이라고 생각할 수 있다. 즉, 통상의 승온 속도에서는, 가열 도중의 완전하게 1차 재결정하지 않는 사이에 내부 산화가 진행되기 시작하여, 전위나 아립계(sub-grain)에 SiO₂가 네트워크 형상으로 형성됨으로써 치밀한 내부 산화층이 형성된다. 한편, 급속 가열 처리를 행하면, 완전하게 1차 재결정이 종료하고 나서 내부 산화가 시작된다. 따라서, 아립계나 전위로의 SiO₂의 네트워크 형성이 일어나지 않고, 대신에 불균일한 내부 산화층이 형성된다. 이 내부 산화층은, 마무리 어닐링시의 분위기에 대하여, 강판을 보호하는 기능이 작은 점에서, 인히비터를 이용하는 경우에는, 마무리 어닐링 중에 인히비터가 산화되기 때문에, 급속 가열에 의한 자기 특성 개선 효과가 감쇄되어 버린다. 한편, 인히비터를 이용하지 않는 경우에는, 마무리 어닐링 중에, 산화물 등의 석출물 생성이 일어나, 2차 재결정의 방위가 열화되어 버린다.

이들 문제를 해결하기 위해서는, 탈탄 반응이 일어나는 균열 과정의 분위기의 산화성을 저하시키는 것이 유효하다라고 생각할 수 있다. 즉, 분위기의 산화성을 저하함으로써, 탈탄 어닐링 중의 산소의 강판 내부로의 확산이 억제되고, 강 중으로부터의 Si의 표면으로의 확산이 상대적으로 높아짐으로써, SiO₂의 치밀한 층이 형성된다. 그리고, 이것이, 마무리 어닐링 중의 인히비터의 산화나 과잉한 산화물의 석출을 억제하는 차단물이 되어, 자기 특성의 열화가 방지된다.

또한, 탈탄이 진행되는 균열 과정을 복수단으로 나누고, 균열 종료 전의 분위기의 산화성을 저하시켜 주는 것이나, 균열 개시시의 온도를 높여 주는 것도 유효하다. 균열 종료 전의 분위기 산화성을 저하시키는 것은, 이 시점에서 산소의 공급을 끊고, 생성된 SiO₂의 형태를 라멜라(lamella) 형상으로 변화시켜, 마무리 어닐링 분위기의 차단성을 높이는 효과가 있고, 또한, 균열 개시시의 온도를 높이는 것은, 균열 초기에 내부 산화층을 형성시키고, 이것을 배리어로서 그 후의 산화를 억제함으로써, Si의 표면으로의 확산을 상대적으로 높여, 치밀한 내부 산화층을 형성시키는 효과가 있기 때문에, 철손의 개선에 유효하기 때문이다.

다음으로, 본 발명의 방향성 전자 강판의 소재에 이용하는 강 소재(슬래브)의 성분 조성에 대해서 설명한다.

C: 0.002∼0.10mass％

C는, 0.002mass％에 충족하지 못하면, C에 의한 입계 강화 효과가 상실되어, 슬래브에 균열이 발생하는 등 하여, 제조에 지장을 초래하게 된다. 한편, 0.10mass％를 초과하면, 탈탄 어닐링으로, C를 자기 시효가 일어나지 않는 0.005mass％ 이하로 저감하는 것이 곤란해진다. 따라서, C는 0.002∼0.10mass％의 범위로 한다. 바람직하게는 0.010∼0.080mass％의 범위이다.

Si: 2.0∼8.0mass％

Si는, 강의 비(比)저항을 높여, 철손을 저감하는 데에 필요한 원소이다. 상기 효과는, 2.0mass％ 미만으로는 충분하지 않고, 한편, 8.0mass％를 초과하면, 가공성이 저하되어, 압연하여 제조하는 것이 곤란해진다. 따라서, Si는 2.0∼8.0mass％의 범위로 한다. 바람직하게는 2.5∼4.5mass％의 범위이다.

Mn: 0.005∼1.0mass％

Mn은, 강의 열간 가공성을 개선하기 위해 필요한 원소이다. 상기 효과는, 0.005mass％ 미만으로는 충분하지 않고, 한편, 1.0mass％를 초과하면, 제품판의 자속 밀도가 저하되게 된다. 따라서, Mn은 0.005∼1.0mass％의 범위로 한다. 바람직하게는 0.02∼0.20mass％의 범위이다.

상기 C, Si 및 Mn 이외의 성분에 대해서는, 2차 재결정을 발생시키기 때문에, 인히비터를 이용하는 경우와, 하지 않는 경우로 나눌 수 있다.

우선, 2차 재결정을 발생시키기 위해 인히비터를 이용하는 경우로, 예를 들면, AlN계 인히비터를 이용할 때에는, Al 및 N을, 각각 Al: 0.010∼0.050mass％, N: 0.003∼0.020mass％의 범위에서 함유시키는 것이 바람직하다. 또한, MnS·MnSe계 인히비터를 이용할 때에는, 전술한 양의 Mn과, S: 0.002∼0.030mass％ 및/또는 Se: 0.003∼0.030mass％를 함유시키는 것이 바람직하다. 각각 첨가량이, 상기 하한값보다 적으면, 인히비터 효과가 충분히 얻어지지 않고, 한편, 상한값을 초과하면, 인히비터 성분이 슬래브 가열시에 미고용으로 잔존하고, 인히비터 효과가 저감되어, 충분한 자기 특성이 얻어지지 않게 된다. 또한, AlN계와 MnS·MnSe계의 인히비터를 병용해도 좋은 것은 물론이다.

한편, 2차 재결정을 발생시키기 위해 인히비터를 이용하지 않는 경우에는, 전술한 인히비터 형성 성분인 Al, N, S 및 Se의 함유량을 최대한 저감하고, Al: 0.01mass％ 미만, N: 0.0050mass％ 미만, S: 0.0050mass％ 미만 및 Se: 0.0030mass％ 미만으로 저감한 강 소재를 이용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 방향성 전자 강판에 이용하는 강 소재는, 상기 성분 이외의 잔부는, Fe 및 불가피적 불순물이다.

단, 자기 특성의 개선을 목적으로 하여, Ni: 0.010∼1.50mass％, Cr: 0.01∼0.50mass％, Cu: 0.01∼0.50mass％, P: 0.005∼0.50mass％, Sb: 0.005∼0.50mass％, Sn: 0.005∼0.50mass％, Bi: 0.005∼0.50mass％, Mo: 0.005∼0.10mass％, B: 0.0002∼0.0025mass％, Te: 0.0005∼0.010mass％, Nb: 0.0010∼0.010mass％, V: 0.001∼0.010mass％ 및 Ta: 0.001∼0.010mass％ 중으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 적절하게 첨가해도 좋다.

다음으로, 본 발명의 방향성 전자 강판의 제조 방법에 대해서 설명한다.

전술한 성분 조성을 갖는 강을 일반적인 방법의 정련 프로세스로 용제한 후, 일반적인 방법의 조괴-분괴 압연법 또는 연속 주조법으로 강 소재(슬래브)를 제조해도 좋고, 혹은, 직접 주조법으로 100㎜ 이하의 두께의 박주편을 제조해도 좋다. 상기 슬래브는, 일반적인 방법에 따라, 예를 들면, 인히비터 성분을 함유하는 경우에는, 1400℃ 정도의 온도로 재가열하고, 한편, 인히비터 성분을 포함하지 않는 경우에는, 1250℃ 이하의 온도로 재가열한 후, 열간 압연에 제공한다. 또한, 인히비터 성분을 함유하지 않는 경우에는, 주조 후, 슬래브를 재가열하는 일 없이 바로 열간 압연에 제공해도 좋다. 또한, 박주편의 경우에는, 열간 압연을 생략하고 그대로 이후의 공정으로 진행해도 좋다.

이어서, 열간 압연하여 얻은 열연판은, 필요에 따라서 열연판 어닐링을 행한다. 이 열연판 어닐링의 온도는, 양호한 자기 특성을 얻기 위해서는, 800∼1150℃의 범위로 하는 것이 바람직하다. 800℃ 미만에서는, 열간 압연으로 형성된 밴드 조직이 잔류하고, 정립(整粒)의 1차 재결정 조직을 얻는 것이 어려워져, 2차 재결정립의 성장이 저해된다. 한편, 1150℃를 초과하면, 열연판 어닐링 후의 입경이 지나치게 조대화되어, 역시, 정립의 1차 재결정 조직을 얻는 것이 어려워지기 때문이다. 보다 바람직한 열연판 어닐링 온도는 900∼1100℃의 범위이다.

열연 후 혹은 열연판 어닐링 후의 강판은, 1회의 냉간 압연 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회 이상의 냉간 압연에 의해 최종 판두께의 냉연판으로 한다. 상기 중간 어닐링의 어닐링 온도는, 900∼1200℃의 범위로 하는 것이 바람직하다. 900℃ 미만에서는, 중간 어닐링 후의 재결정립이 세밀해지고, 또한, 1차 재결정 조직에 있어서의 Goss핵이 감소하여 제품판의 자기 특성이 저하되는 경향이 있다. 한편, 1200℃를 초과하면, 열연판 어닐링과 동일하게, 결정립이 지나치게 조대화되어, 정립의 1차 재결정 조직을 얻는 것이 어려워지기 때문이다. 보다 바람직한 중간 어닐링 온도는 950∼1150℃의 범위이다.

또한, 최종 판두께로 하는 냉간 압연(최종 냉간 압연)에 있어서는, 강판 온도를 100∼300℃의 온도로 상승시켜 온간 압연하거나, 냉간 압연의 도중에 100∼300℃의 온도에서 시효 처리를 1회 또는 복수회 행하거나 하는 것이, 1차 재결정 집합 조직을 개선하고, 자기 특성을 향상시키는 데에 유효하다.

최종 판두께로 한 냉연판은, 그 후, 탈탄 어닐링을 겸한 1차 재결정 어닐링을 행한다.

여기에서, 본 발명에 있어서 가장 중요한 것은, 상기 1차 재결정 어닐링의 가열 과정에 있어서, 200∼700℃의 구간을 50℃/s 이상으로 급속 가열함과 함께, 250∼600℃ 사이의 어느 온도에서 1∼10초간의 보정 처리를 행하는 것이다. 또한, 상기 200∼700℃의 구간에 있어서의 승온 속도(50℃/s 이상)는, 전술한 바와 같이, 보정하는 시간을 뺀 시간에 있어서의 평균 승온 속도이다. 보정 처리 온도가 250℃ 미만에서는, 조직의 회복이 충분하지 않고, 한편, 600℃를 초과하면 회복이 지나치게 진행되며, 또한, 보정 시간이 1초 미만에서는 보정 처리의 효과가 작고, 한편, 10초를 초과하면, 역시 회복이 지나치게 진행되어 버리기 때문이다. 또한, 상기 보정 처리의 바람직한 온도는 350∼500℃ 사이의 어느 온도이고, 또한, 바람직한 보정 처리 시간은 1∼5초의 범위이다. 또한, 상기 가열 과정에 있어서의 200∼700℃의 구간의 바람직한 승온 속도는 70℃/s 이상이다. 또한, 승온 속도의 상한은, 설비 비용이나 제조 비용의 면에서, 400℃/s 정도로 하는 것이 바람직하다.

또한, 250∼600℃ 사이에서의 보정 처리는, 상기 온도 범위의 어느 온도에서 행하면 좋지만, 상기 온도는 반드시 일정하지 않아도 좋고, ±10℃/s 이하의 온도 변화이면, 보정과 동일한 효과를 얻을 수 있기 때문에, ±10℃/s의 범위 내에서 승온 또는 강온해도 좋다. 또한, 가열 과정의 분위기의 P_H2O/P_H2에 대해서는 특별히 제한은 없다.

이어지는, 1차 재결정 어닐링의 균열 과정에 있어서의 조건은, 1차 재결정 입경을 특정 범위에 들어가게 하고 싶은 경우나, 소재 C가 0.005mass％를 초과하는 경우에는, 탈탄 반응을 충분히 행하게 하는 관점에서, 어닐링 온도는 750∼900℃, 균열 시간은 90∼180초, 분위기는 P_H2O/P_H2로 0.25∼0.40의 범위로 할 필요가 있다. 어닐링 온도가 750℃ 미만에서는, 1차 재결정 입경이 지나치게 작아지거나, 탈탄 반응이 충분히 진행되지 않게 되거나 한다. 한편, 900℃를 초과하면 1차 재결정 입경이 지나치게 커진다. 또한, 균열 시간이 90초보다 지나치게 짧으면, 내부 산화의 총량이 적고, 한편, 180초를 초과하여 지나치게 길면 내부 산화가 지나치게 진행되어, 오히려 자기 특성이 열화된다. 또한, 분위기의 P_H2O/P_H2가 0.25보다 낮으면 탈탄 불량이 되고, 반대로, 0.40을 초과하면, 조잡한 내부 산화층이 형성되어 자기 특성이 열화된다. 1차 재결정 어닐링의 바람직한 균열 온도는 780∼880℃의 범위이고, 바람직한 균열 시간은 100∼160초의 범위이다. 또한, 1차 재결정 어닐링의 분위기가 바람직한 P_H2O/P_H2는 0.30∼0.40의 범위이다.

또한, 탈탄 반응을 행하는 균열 과정은, 복수의 N단(N은 2 이상의 정수)으로 나누어 행해도 좋고, 이 경우에는, 최종의 제N단의 P_H2O/P_H2를 0.20 이하로 하는 것이, 자기 특성의 편차를 개선하는 데에 유효하다. P_H2O/P_H2가 0.20을 초과하면, 편차 저감 효과가 충분히 얻어지지 않기 때문이다. 또한, 하한에 대해서는 특별히 제한은 없다. 또한, 최종의 제N단의 처리 시간은 10∼60초의 범위로 하는 것이 바람직하다. 10초 미만에서는 효과가 충분하지 않고, 한편, 60초를 초과하면 1차 재결정의 입성장이 지나치게 진행되어 자기 특성이 열화되기 때문이다. 제N단의 보다 바람직한 P_H2O/P_H2는 0.15 이하이고, 보다 바람직한 처리 시간은 20∼40초의 범위이다. 또한, 균열 과정의 종료 전의 온도는, 본 발명의 균열 온도 750∼900℃의 범위 내에서 적절하게 변경해도 좋다.

또한, 탈탄 반응을 행하는 균열 과정을 복수의 N단(N은 2 이상의 정수)으로 나누어 행하는 경우에는, 제1단의 온도를 그 이후의 단의 온도 이상으로 높여 주는, 즉, 제1단의 온도를 820℃∼900℃로 하고, 제2단 이후의 균열 온도 이상으로 하는 것이 바람직하다. 제1단의 온도를 높임으로써, 생성된 초기의 내부 산화층이 그 후의 산화를 억제하여 치밀한 내부 산화층을 형성하기 때문에, 자기 특성의 개선에 유효하다. 이 제1단의 처리 시간은 10∼60초의 범위로 하는 것이 바람직하다. 10초 미만에서는 효과가 충분하지 않고, 한편, 60초를 초과하면, 내부 산화가 지나치게 진행되어 자기 특성이 오히려 열화된다. 제1단의 보다 바람직한 온도는 840∼880℃의 범위이고, 보다 바람직한 처리 시간은 10∼40초의 범위이다. 또한, 이때의 분위기에 대해서는, 그 후의 균열 분위기와 동일해도 상관없지만, 본 발명의 P_H2O/P_H2의 범위 내에서 변경하는 것도 가능하다.

또한, 탈탄 반응을 행하는 균열 과정을 복수의 3단 이상의 복수단으로 하고, 제1단에서의 균열 온도의 상승과, 최종의 제N단에서의 P_H2O/P_H2의 저하를 동시에 행하는 것도 유효하고, 보다 한층의 자기 특성의 개선 효과를 기대할 수 있다.

또한, 상기 1차 재결정 어닐링의 공정 도중, 또는, 1차 재결정 어닐링 후에 질화 처리를 행하여 강 중의 N량을 증량하는 것은, AlN이나 Si₃N₄에 의한 인히비터 효과(억제력)가 보다 강화되기 때문에, 자기 특성의 개선에는 유효하다. 증량하는 N량은 50∼1000massppm의 범위로 하는 것이 바람직하다. 50massppm 미만에서는 질화 처리의 효과가 작고, 한편, 1000massppm을 초과하면, 억제력이 지나치게 커져 2차 재결정 불량을 일으키기 때문이다. 또한, 보다 바람직한 증(增)N량은 200∼800massppm의 범위이다.

1차 재결정 어닐링을 행한 강판은, 그 후, MgO를 주체로 하는 어닐링 분리제를 강판 표면에 도포, 건조한 후, 마무리 어닐링을 행하고, Goss 방위에 고도로 집적한 2차 재결정 조직을 발달시킴과 함께, 포스테라이트 피막을 형성시켜, 순화를 도모한다. 이 마무리 어닐링의 어닐링 온도는, 2차 재결정을 발현시키기 위해서는 800℃ 이상으로 하는 것이, 또한, 2차 재결정을 완료시키기 위해서는 1100℃로 하는 것이 바람직하다. 또한, 포스테라이트 피막을 형성시켜, 순화를 도모하기 위해서는, 이어서 1200℃ 정도의 온도까지 승온하는 것이 바람직하다.

마무리 어닐링 후의 강판은, 그 후, 물세정이나 브러싱, 산세정 등으로 강판 표면에 부착된 미반응의 어닐링 분리제를 제거한 후, 평탄화 어닐링을 행하여 형상 교정하는 것이, 철손의 저감에는 유효하다. 이것은, 마무리 어닐링은, 통상, 코일 상태에서 행하기 때문에, 코일의 말림 습성이 생겨, 이것이 원인으로, 철손 측정시에 특성이 열화되는 경우가 있기 때문이다.

또한, 강판을 적층하여 사용하는 경우에는, 상기 평탄화 어닐링에 있어서, 혹은, 그 전후에서, 강판 표면에 절연 피막을 피성하는 것이 유효하다. 특히, 철손의 저감을 도모하기 위해서는, 절연 피막으로서, 강판에 장력을 부여하는 장력 부여 피막을 적용하는 것이 바람직하다. 장력 부여 피막의 형성에는, 바인더를 통하여 장력 피막을 도포하는 방법이나, 물리 증착법이나 화학 증착법에 의해 무기물을 강판 표층에 증착시키는 방법을 채용하면, 피막 밀착성이 우수하고 또한 현저하게 철손 저감 효과가 큰 절연 피막을 형성할 수 있기 때문에, 보다 바람직하다.

또한, 철손을 보다 저감하기 위해서는, 자구(磁區) 세분화 처리를 행하는 것이 바람직하다. 처리 방법으로서는, 일반적으로 실시되고 있는, 최종 제품판에 홈을 형성하거나, 전자빔 조사나 레이저 조사나 플라즈마 조사 등에 의해 선 형상 또는 점 형상으로 열 변형이나 충격 변형을 도입하는 방법, 최종 판두께로 냉간 압연한 강판이나 중간 공정의 강판 표면에 에칭 가공을 행하여 홈을 형성하거나 하는 방법 등을 이용할 수 있다.

실시예 1

C: 0.070mass％, Si: 3.35mass％, Mn: 0.10mass％, Al: 0.025mass％, Se: 0.025mass％ 및 N: 0.012mass％, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 강 슬래브를 연속 주조법으로 제조하고, 1420℃의 온도로 재가열한 후, 열간 압연하여, 판두께 2.4㎜의 열연판으로 하고, 1000℃×50초의 열연판 어닐링을 행한 후, 1차 냉간 압연으로 1.8㎜의 중간 판두께로 하고, 1100℃×20초의 중간 어닐링을 행한 후, 2차 냉간 압연하여 최종 판두께가 0.27㎜인 냉연판으로 하고, 그 후, 탈탄 어닐링을 겸한 1차 재결정 어닐링을 행했다. 또한, 상기 1차 재결정 어닐링에 있어서는, 하기 1)∼3)의 항목을, 표 1-1 및 표 1-2에 나타낸 바와 같이 변화시켰다.

1) 가열 과정에 있어서의 200∼700℃ 사이의 승온 속도

2) 가열 과정의 가열 도중에 있어서의 보정 처리의 유무와 그 때의 온도, 시간

3) 균열 과정을 3단으로 나누었을 때의, 각 단에 있어서의 온도, 시간, 분위기의 P_H2O/P_H2

(표1-1)

(표1-2)

이어서, 상기 1차 재결정 어닐링 후의 강판 표면에, MgO를 주체로 한 어닐링 분리제를 도포, 건조한 후, 1200℃×10시간의 순화 처리를 수반하는 마무리 어닐링을 행했다. 마무리 어닐링의 분위기 가스는, 순화 처리하는 1200℃ 보정시는 H₂, 승온시 및 강온시는 N₂로 했다.

상기와 같이 하여 얻은 마무리 어닐링 후의 각 강판으로부터, 판폭 방향으로 폭 100㎜×길이 400㎜의 시험편을 10매씩 채취하고, JIS C2556에 기재된 방법으로 철손 W_17/50을 측정하고, 그들의 평균값을 구했다.

상기 측정 결과를 표 1-1 및 표 1-2에 병기했다. 동(同)표로부터, 본 발명을 적용함으로써 철손이 낮은 방향성 전자 강판이 얻어지는 것을 알 수 있다.

실시예 2

표 2에 나타낸 No.1∼17의 성분 조성을 갖고, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 강 슬래브를 연속 주조법으로 제조하고, 1380℃의 온도로 재가열한 후, 열간 압연하여 판두께 2.0㎜의 열연판으로 하고, 1030℃×10초의 열연판 어닐링을 행한 후, 냉간 압연하여 최종 판두께가 0.23㎜의 냉연판으로 했다. 그 후, 탈탄 어닐링을 겸한 1차 재결정 어닐링을 행했다. 이때, 860℃까지의 가열 과정에 있어서의 200∼700℃ 사이의 승온 속도를 75℃/s로 하고, 추가로 그 승온 도중의 450℃의 온도에서 1.5초간의 보정 처리를 행했다. 이어지는 균열 과정은, 3단으로 나누어, 제1단은 860℃×20초, P_H2O/P_H2를 0.40, 제2단은 850℃×100초, P_H2O/P_H2를 0.35, 제3단은 850℃×20초, P_H2O/P_H2를 0.15로 하여 처리했다.

이어서, 상기 1차 재결정 어닐링 후의 강판 표면에, MgO를 주체로 한 어닐링 분리제를 도포, 건조한 후, 1220℃×4시간의 순화 처리를 수반하는 마무리 어닐링을 행했다. 마무리 어닐링의 분위기 가스는, 순화 처리하는 1220℃ 보정시는 H₂, 승온시 및 강온시는 Ar로 했다.

상기 측정 결과를 표 2에 병기했다. 동표로부터, 본 발명을 적용함으로써 철손이 낮은 방향성 전자 강판이 얻어지는 것을 알 수 있다.

본 발명의 기술은, 냉연 강판에 있어서의 집합 조직의 제어가 가능한 점에서, 방향성 전자 강판뿐만 아니라, 무방향성 전자 강판이나, 자동차용 강판 등의 딥 드로잉성이 요구되는 냉연 강판, 표면 처리 강판 등의 집합 조직 제어에도 적용할 수 있다.

Claims

C: 0.002∼0.10mass％, Si: 2.0∼8.0mass％, Mn: 0.005∼1.0mass％를 함유하고, 잔부가 Fe 및 불가피적 불순물로 이루어지는 강 소재를 열간 압연하여 열연판으로 하고, 필요에 따라서 열연판 어닐링을 행한 후, 1회 또는 중간 어닐링을 사이에 두는 2회 이상의 냉간 압연에 의해 최종 판두께의 냉연판으로 하고, 탈탄 어닐링을 겸한 1차 재결정 어닐링을 행하고, 강판 표면에 어닐링 분리제를 도포하고, 마무리 어닐링을 행하는 일련의 공정으로 이루어지는 방향성 전자(電磁) 강판의 제조 방법에 있어서,
상기 1차 재결정 어닐링의 가열 과정에 있어서의 200∼700℃의 구간을 50℃/s 이상으로 급속 가열하고, 또한, 상기 구간 내의 250∼600℃ 사이의 어느 온도에서 1∼10초간 보정(保定)함과 함께,
상기 1차 재결정 어닐링의 균열(均熱) 과정에 있어서의 온도를 750∼900℃, 시간을 90∼180초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 방향성 전자 강판의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 1차 재결정 어닐링의 균열 과정을 N단(N: 2 이상의 정수)으로 나누고, 제1단∼(N-1)단까지의 온도를 750∼900℃, 시간을 80∼170초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40의 범위로 제어하고, 최종 제N단의 온도를 750∼900℃, 시간을 10∼60초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.20 이하의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 방향성 전자 강판의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 1차 재결정 어닐링을 N단(N: 2 이상의 정수)으로 나누고, 제1단의 온도를 820∼900℃, 시간을 10∼60초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40으로 하고, 제2단 이후의 온도를 750∼900℃, 시간을 80∼170초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40의 범위로 제어하고, 또한, 제1단의 온도를 제2단 이후의 온도 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 방향성 전자 강판의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 1차 재결정 어닐링을 N단(N: 3 이상의 정수)으로 나누고, 제1단의 온도를 820∼900℃, 시간을 10∼60초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40의 범위로, 제2단∼제(N-1)단까지의 온도를 750∼900℃, 시간을 70∼160초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.25∼0.40으로 하고, 최종의 제N단의 온도를 750∼900℃, 시간을 10∼60초, 분위기의 P_H2O/P_H2를 0.20 이하의 범위로 제어하고, 제1단의 온도를 제2단에서 제N-1단까지의 온도 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 방향성 전자 강판의 제조 방법.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 강 소재는, 상기 성분 조성에 더하여 추가로, Al: 0.010∼0.050mass％ 및 N: 0.003∼0.020mass％를 함유하고, 혹은, Al: 0.010∼0.050mass％, N: 0.003∼0.020mass％, Se: 0.003∼0.030mass％ 및/또는 S: 0.002∼0.03mass％를 함유하는 것을 특징으로 하는 방향성 전자 강판의 제조 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 1차 재결정 어닐링의 도중, 혹은, 상기 1차 재결정 어닐링 후에 질화 처리를 행하여, 강판 중의 질소량을 50∼1000massppm 증량하는 것을 특징으로 하는 방향성 전자 강판의 제조 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 강소재는, 상기 성분 조성에 더하여 추가로, Ni: 0.010∼1.50mass％, Cr: 0.01∼0.50mass％, Cu: 0.01∼0.50mass％, P: 0.005∼0.50mass％, Sb: 0.005∼0.50mass％, Sn: 0.005∼0.50mass％, Bi: 0.005∼0.50mass％, Mo: 0.005∼0.10mass％, B: 0.0002∼0.0025mass％, Te: 0.0005∼0.010mass％, Nb: 0.0010∼0.010mass％, V: 0.001∼0.010mass％ 및 Ta: 0.001∼0.010mass％ 중으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 함유하는 것을 특징으로 하는 방향성 전자 강판의 제조 방법.