KR20140039140A

KR20140039140A - 보호 디바이스

Info

Publication number: KR20140039140A
Application number: KR1020137017502A
Authority: KR
Inventors: 마사유키 오오히라; 가츠아키 스즈키; 아라타 다나카
Original assignee: 타이코 일렉트로닉스 저팬 지.케이.
Priority date: 2010-12-16
Filing date: 2011-12-15
Publication date: 2014-04-01
Also published as: TWI543487B; US20150022311A1; JP6021645B2; EP2654158A1; CN103380555A; EP2654158A4; WO2012081659A1; JPWO2012081659A1; US9960000B2; CN103380555B; TW201232979A

Abstract

바이메탈 스위치의 배치에 의해 큰 자유도를 부여함과 함께, 바이메탈 스위치의 바이메탈 소자의 동작을 보다 정확하게 제어할 수 있는 보호 디바이스를 제공한다. 보호 디바이스는, 제1 PTC 소자(14)와 바이메탈 소자(16)가 서로 전기적으로 병렬로 접속된 바이메탈 스위치(12) 및 제2 PTC 소자(18)를 갖고, 바이메탈 소자는, 제2 PTC 소자가 트립함으로써 동작하도록 배치되어 있다.

Description

보호 디바이스{PROTECTIVE DEVICE}

본 발명은 보호 디바이스, 상세하게는 전기 회로 내에 배치되어, 그 회로를 포함하는 전기 장치를 구성하는 요소가 과열되는 것을 방지하고, 및/또는 그와 같은 회로에 과전류가 흐르는 것을 방지하는 보호 디바이스, 보다 상세하게는 회로 보호 디바이스에 관한 것이다.

전기 회로 내에서 닫혀 있는 접점 사이를 개방하는 소자로서, 바이메탈(bimetal) 소자와 PTC 소자를 근접시켜서 일체로 조합한 바이메탈 스위치가 알려져 있다. 이 소자에서는, 바이메탈 소자와 PTC 소자가 병렬로 접속되어 있다. 이러한 바이메탈 스위치는, 그 주변 환경의 온도가 이상하게 높은 경우, 바이메탈 소자가 동작하여 접점을 열도록 구성되고, 그와 동시에, 바이메탈 소자를 경유하여 흐르고 있는 전류는 PTC 소자를 경유하여 흐르도록 전류(轉流)된다.

예를 들어, 회로를 흐르는 전류가 과잉으로 되어 회로를 구성하는 요소가 이상하게 높은 온도가 되면, 그 고온에 의해 바이메탈 스위치의 주위의 온도가 상승하여 바이메탈 소자가 동작하여 접점이 열린다. 그와 같이 접점이 열려도, 전류에 의해, 개방된 접점 사이에서 큰 전위차가 즉시 발생하는 일이 없게 되어, 접점 사이에서 용착하는 것이 가급적 방지된다. 이러한 바이메탈 스위치의 바이메탈 소자를 동작시키는 것은, 전술한 바와 같이 바이메탈 스위치의 주위의 고온이다.

국제 공개 제2008/114650호 공보

전술한 바와 같은 바이메탈 스위치를 사용하는 경우, 그 주위, 특히 바이메탈 소자의 주위가 고온이 될 필요가 있다. 바꾸어 말하면, 바이메탈 스위치는 이상 시에 소정의 온도를 초과하는 온도가 될 개소에 배치할 필요가 있다. 그와 같은 개소 이외의 개소에는 바이메탈 스위치를 배치할 수 없다.

예를 들어, 전지 팩과 같은 2차 전지에 충전하는 과정에 있어서, 과충전 상태가 된 경우, 바이메탈 소자가 전지 팩의 이상한 고온에 기초하여 동작하여 과충전 상태를 해소하기 위해서는, 바이메탈 스위치는 전지 팩의 고온을 검지할 수 있을 정도로 근접하여 배치할 필요가 있다.

또한, 바이메탈 스위치의 주위 온도는 다른 원인에 의해 영향을 받는 경우가 있으며, 그 결과 소정의 온도를 초과해도 바이메탈 소자가 동작하지 않는 경우가 있다. 예를 들어, 보호해야 할 요소가 과잉 고온이 된 경우에도, 그 열이 빠르게 산일하는 경우에는, 바이메탈 스위치의 주위의 온도가 고온이 되지 않고, 그 때문에, 바이메탈 소자가 동작하지 않게 된다.

또한, 전술한 바와 같은 바이메탈 스위치를 사용하는 경우, 소정의 과잉 전류값에 기인하는 발열에 의해 생기는 이상 온도에 바이메탈 소자가 도달한 경우에 회로가 열려서 흐르고 있는 전류를 전류시킬 수 있을 뿐이며, 그와 같은 과잉 전류값은 사용하는 바이메탈 소자에 고유한 값이다. 따라서, 그와 같은 고유한 값보다 작은 전류값에서는, 바이메탈 스위치의 바이메탈 소자는 동작하지 않는다.

따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 전술한 바와 같은 바이메탈 스위치의 배치에, 보다 큰 자유도를 부여함과 함께, 바이메탈 스위치의 바이메탈 소자의 동작을 보다 정확하게 제어할 수 있는 보호 디바이스를 제공하는 데 있다.

전술한 과제는, 전술한 바이메탈 스위치를 사용해서, 즉 PTC 소자와 바이메탈 소자가 전기적으로 병렬로 접속된 바이메탈 스위치를 사용해서, 별도의 PTC 소자에 의해 바이메탈 소자를 동작시키는 구성을 채용함으로써 해결되는 것을 알아내었다.

즉, 제1 요지에 있어서, 본 발명은,

제1 PTC 소자와 바이메탈 소자가 서로 전기적으로 병렬로 접속된 바이메탈 스위치 및

제2 PTC 소자

를 갖고 이루어지고,

바이메탈 소자는, 제2 PTC 소자가 트립(trip)함으로써 동작하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 보호 디바이스, 보다 상세하게는 회로 보호 디바이스를 제공한다.

또한, 「회로 보호 디바이스」라는 용어는, 그것을 내장하는 회로 자체 및/또는 회로에 내장된 전기 요소(예를 들어 전지 팩과 같은 2차 전지)를 보호하기 위해 사용할 수 있다는 것을 의도하여 본 명세서에서는 사용한다.

본 발명의 회로 보호 디바이스가 갖는 PTC 소자는, 모두 공지된 PTC 소자, 바람직하게는 중합체 PTC 소자이다. 그와 같은 중합체 PTC 소자는 도전성 필러가 분산되어 있는 중합체에 의해 구성된 도전성 중합체 조성물의 층상의 PTC 요소 및 그 양측에 배치된 금속 전극, 바람직하게는 금속박 전극을 갖고 이루어진다. 이 금속 전극에는 도전성 리드가 접속(예를 들어 납땜 접속)되어 있어도 된다.

또한, 본 발명의 회로 보호 디바이스가 갖는 바이메탈 소자는, 소정의 온도에 도달하면 그 형상이 다른 형상이 되도록 구성되고, 그에 의해 닫혀 있는 회로가 열리거나, 또는 열려 있는 회로가 닫히도록 구성된 주지의 소자이며, 따라서 본 발명의 회로 보호 디바이스 중 하나의 바람직한 형태에서는, 바이메탈 스위치는 전술한 공지된 바이메탈 스위치여도 된다. 이 경우, 바이메탈 소자 및 제1 PTC 소자는 통상 서로 근접되며 일체형이다. 또한, 본 명세서에 있어서, 바이메탈 소자가 회로를 열어 바이메탈 소자를 경유하여 전류가 흐르지 않도록 하는, 바이메탈 소자의 움직임을 「동작」이라고 칭한다.

본 발명의 회로 보호 디바이스에서는, 바이메탈 소자는 제2 PTC 소자가 트립함으로써 동작하도록 배치되어 있다. 이는 트립된 제2 PTC 소자가 발하는 열에 의해 바이메탈 소자가 가열되고, 그 열이 바이메탈 소자에 전해지는 결과, 바이메탈 소자가 그 동작하는 온도, 즉 동작 온도보다 높은 온도가 되고, 그에 의해 바이메탈 소자가 동작하도록 배치되어 있는 것을 의미한다. 트립된 제2 PTC 소자로부터 바이메탈 소자에 열이 전해져서 동작하기 위해서는, 제2 PTC 소자의 트립 온도는 바이메탈 소자의 동작 온도와 동일하거나, 그보다 높은 것을 필요로 한다. 제2 PTC 소자의 트립 온도는 바이메탈 소자의 동작 온도보다, 적어도 10℃, 바람직하게는 적어도 20℃, 보다 바람직하게는 적어도 30℃ 높다. 특히 적어도 40℃ 높으며, 예를 들어 60℃ 높다. 또한, 본 명세서에서는, 트립 온도란, PTC 소자가 전류를 차단하기 시작해서 그 저항값이 증가한 후에 실질적으로 전류를 차단했을 때에 도달하는 PTC 소자의 온도를 의미한다.

제1 바람직한 형태에 있어서, 본 발명의 회로 보호 디바이스에 있어서, 바이메탈 스위치는, 서로 병렬로 접속된 제1 PTC 소자와 바이메탈 소자에 공통되는 단자를 양단에 제1 단자 및 제2 단자로서 갖고, 제2 PTC 소자는, 그 양단에 제3 단자 및 제4 단자를 갖고, 바이메탈 스위치와 제2 PTC 소자와는 전기적으로 독립되어 있다.

이 형태의 회로 보호 디바이스를 사용해서, 소정의 제1 전기 요소(예를 들어2차 전지의 전지 팩) 및 소정의 제2 전기 요소(예를 들어 소정의 제1 전기 요소에 인가하는 기전력원(또는 전원)으로서 기능하는 충전기)에 바이메탈 스위치를, 각각 제1 단자 및 제2 단자를 통해서 전기적으로 직렬로 접속하여, 주 회로를 구성한다. 또한, 제2 PTC 소자를, 그것이 트립함으로써 바이메탈 소자를 동작할 수 있을 정도로, 바이메탈 소자에 근접시킨 상태에서, 스위치 및 기전력원(또는 전원)에 각각 제3 단자 및 제4 단자를 통해서 전기적으로 직렬로 접속하여, 부 회로를 구성한다. 이 형태에서는, 주 회로와 부 회로는 전기적으로 독립되어 있다. 즉, 주 회로는 바이메탈 스위치, 제1 전기 요소 및 제2 전기 요소에 의해 구성되고, 또한 부 회로는 제2 PTC 소자, 스위치 및 기전력원(또는 전원)에 의해 구성되고, 이들은 독립하여 폐회로를 구성한다. 하나의 보다 바람직한 형태에서는, 이러한 본 발명의 회로 보호 디바이스는, 이들 4개의 단자만이 돌출되도록, 소정의 케이싱 내에 삽입되어 있다. 필요에 따라서, 삽입에 사용되는 케이싱의 개구부는 적당한 접착제에 의해 밀봉되어 있어도 된다. 또한, 소정의 제1 전기 요소 및 소정의 제2 전기 요소 중 적어도 한쪽은 기전력원으로서 작용한다.

또한, 「소정의(제1 또는 제2) 전기 요소」란, 회로 보호 디바이스와 함께 사용해서 주 회로를 구성함과 함께, 특정한 의도된 전기적 기능(충전 기능, 방전 기능 등)을 완수하는, 어느 하나의 적절한 요소(예를 들어 전기 장치, 전기 부품, 단자, 패드, 배선 등)로서, 회로에 이상 전류가 흐른 경우 및/또는 회로 내에서 이상한 전위차(또는 전압, 이하 이들을 총칭하여 「전위차」라고도 칭함)가 발생한 경우에 보호해야 할 요소를 의미하며, 다른 형태에서는 이들 요소 중 어느 하나의 조합이여도 된다. 예를 들어, 소정의 제1 전기 요소가 축전 기능을 완수하는 2차 전지의 전지 팩이며, 소정의 제2 전기 요소가 충전기이다.

또한, 「주 회로」란, 소정의 제1 전기 요소 및 소정의 제2 전기 요소가 포함됨으로써 이들 전기 요소가 의도하는 전기적 기능을 완수하도록 구성된 회로(예를 들어 소정의 제1 전기 요소가 2차 전지의 전지 팩이며, 소정의 제2 전기 요소가 충전기인 경우의 충전 회로)를 의미한다. 또한, 「부 회로」란, 제2 PTC 소자에 전류를 흘려서 그것을 트립시킬 수 있도록 구성된 회로이며, 제2 PTC 소자, 스위치 및 기전력원(또는 전원)이 전기적으로 직렬로 접속되어 있다.

전술한 부 회로를 구성하는 스위치는, 보호해야 할 전기 요소(예를 들어 소정의 제1 전기 요소)의 소정의 개소의 전위차가 소정의 값을 초과(예를 들어 충전 중인 2차 전지의 전지 팩의 전위차가 있는 임계값을 초과)하면, 열린 상태의 회로를 닫아 제2 PTC 소자에 전류가 흐르게 작용하는 스위치를 의미한다. 또한, 소정의 제1 전기 요소를 흐르는 전류가 소정의 값보다 커져서 과잉으로 되는 경우에는, 종래대로, 바이메탈 소자 부근의 온도가 고온이 되어 바이메탈 소자가 동작하여 실질적으로 전류가 차단된다. 즉, 과잉 전류가 제1 PTC 소자에 전류되고, 그 후 제1 PTC 소자가 트립하여 전류가 실질적으로 차단된다.

이러한 스위치는 여러가지 알려져 있고, 전술한 바와 같이 전위차가 소정의 값을 초과하면(즉, 이상 상태가 되면), 그것을 검지하여 스위치가 닫혀서 제2 PTC 소자에 전류를 흘릴 수 있다. 이러한 스위치는, 적당한 기전력원(또는 전원)과 제2 PTC 소자에 대해서 직렬로 접속되고, 이상 상태에 따라서 고정밀도로 전류를 흘릴 수 있다. 예를 들어 전자 릴레이, FET 등을 이러한 스위치로서 사용할 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 도 3에, 전지 팩(36)의 단부에 위치하는 단위 셀(36-1)의 양단간의 전위차를 검지하는 IC 및 그것이 이상인 경우에 부 회로를 닫을 수 있는 FET에 의해 구성되는 스위치(44)를 모식적으로 도시하고 있다.

전술한 제1 바람직한 형태의 회로 보호 디바이스를 사용해서 부 회로를 구성할 때에 있어서, 스위치에 대해 제3 단자를 전기적으로 직렬로 접속함과 함께, 소정의 제1 전기 요소에 인가되어 있는 전위차를 이용하도록, 또는 소정의 제1 전기 요소 자체가 갖는 전위차를 이용하도록, 소정의 제1 전기 요소의 단자에 제4 단자를 전기적으로 직렬로 접속해도 된다. 이 경우, 부 회로는 제2 PTC 소자, 스위치 및 소정의 제1 전기 요소 또는 그 일부가 전기적으로 직렬로 접속되도록 구성된다. 따라서, 이 부 회로는, 제1 전기 요소 또는 그 일부분에 대해서는, 주 회로와 공유하게 된다.

제2 바람직한 형태에 있어서, 본 발명의 회로 보호 디바이스의 제2 PTC 소자는 바이메탈 스위치에 대해 전기적으로 직렬로 접속되어 있다. 이 회로 보호 디바이스에 있어서, 바이메탈 스위치는 서로 병렬로 접속된 제1 PTC 소자와 바이메탈 소자에 공통되는 단자를 양단에 제1 단자 및 제2 단자로서 갖고, 또한 제2 PTC 소자의 한쪽 전극은, 이들 단자의 한쪽에 접속되고, 바이메탈 스위치의 단자에는 접속되어 있지 않은, 제2 PTC 소자의 다른 쪽 전극은 제3 단자에 접속되어 있는 것이 바람직하다. 1개의 보다 바람직한 형태에서는, 이러한 본 발명의 회로 보호 디바이스는, 이들 3개의 단자만이 돌출되도록, 소정의 케이싱 내에 삽입되어 있다. 필요에 따라서, 삽입에 사용되는 케이싱의 개구부는, 적당한 접착제에 의해 밀봉되어 있어도 된다. 또한, 이 형태는 전술한 제1 바람직한 형태에 있어서, 제4 단자가, 회로 보호 디바이스 내에서 바이메탈 스위치의 단자와 제1 단자 사이에 접속되어 있는 경우에 상당한다.

구체적인 하나의 형태에서는, 소정의 제1 전기 요소에 대해 바이메탈 스위치가 직렬로 접속되도록 제1 단자를 소정의 제1 전기 요소의 한쪽 단자에 접속하고, 소정의 제1 전기 요소의 다른 쪽 단자에 스위치를 통해서 제3 단자를 전기적으로 직렬로 접속한다. 이 형태에서는, 제1 소정의 전기 요소 중 적어도 일부분을 주 회로 및 부 회로가 공유한다.

용이하게 이해할 수 있도록, 본 발명은 전술한 바와 같이 본 발명의 회로 보호 디바이스를 갖는 전기 회로를 더 제공하고, 또한 그와 같은 전기 회로는 주 회로 및 부 회로를 갖고 이루어진다. 이에 더해, 본 발명은 그와 같은 전기 회로를 갖는 전기 장치도 제공한다.

본 발명의 회로 보호 디바이스를 내장한 전기 회로에서는, 보호해야 할 소정의 전기 요소에 있어서의 소정의 개소의 전위차가 소정의 값을 초과하는, 즉 이상 상태가 되면, 그것을 검지한 스위치가 부 회로를 닫아 제2 PTC 소자에 전류를 흘리고, 그 결과, 제2 PTC 소자를 트립시킬 수 있으며, 그에 의해 바이메탈 소자를 동작시킬 수 있다.

바꾸어 말하면, 소정의 전위차를 검지하면, 이상 상태라고 감지하여 닫히도록 구성된 스위치를 사용함으로써, 제2 PTC 소자가 확실하게 트립하고, 그 결과, 바이메탈 소자가 동작한다. 따라서, 소정의 전위차에 도달하면, 회로를 닫는 스위치를 선택함으로써, 주 회로를 흐르는 전류와는 무관하게, 제2 PTC 소자를 트립시켜서 바이메탈 소자를 동작시킬 수 있다. 즉, 제2 PTC 소자에 의해 바이메탈 소자가 동작하여, 회로 보호 디바이스를 흐르는 전류를 차단할 수 있다.

종래의 회로 보호 디바이스에서는, 이상 고온 상태가 발생할 수 있는 개소에 근접하여 배치할 필요가 있지만, 본 발명의 회로 보호 디바이스를 사용하는 경우, 스위치가 소정의 개소의 전위차를 검지하여 제2 PTC 소자에 전류를 흘리도록 구성하면 되므로, 바이메탈 소자를, 따라서 그것을 갖는 회로 보호 디바이스를, 보호해야 할 전기 요소로부터 열적으로 영향을 받지 않을 정도로 이격하여 배치할 수 있으며, 회로 보호 디바이스의 내장 개소에 관해서 자유도가 대폭 향상된다.

또한, 이상 고온 상태의 경우에 회로 보호 디바이스가 주 회로의 전류의 차단을 개시하는 기능은, 스위치가 이상 전위차를 검지하는 기능에 의해 트리거되게 된다. 따라서, 제1 PTC 소자가 트립하지 않은 작은 전류가 주 회로를 흐르는 경우라도, 예를 들어 제1 전기 요소의 원하는 개소의 전위차가 이상하다고 스위치가 검지하면, 제2 PTC 소자가 트립하여 바이메탈 소자가 동작한다. 따라서, 고감도로 전위차를 검지하는 스위치를 사용함으로써, 고정밀도로 본 발명의 회로 보호 디바이스를 사용할 수 있다.

도 1은 본 발명의 회로 보호 디바이스 및 그것을 내장한 2차 전지 충전 회로를 모식적으로 회로도로 도시한다.
도 2는 본 발명의 다른 형태의 회로 보호 디바이스 및 그것을 내장한 2차 전지 충전 회로를 모식적으로 회로도로 도시한다.
도 3은 본 발명의 또 다른 형태의 회로 보호 디바이스 및 그것을 내장한 2차 전지 충전 회로를 모식적으로 회로도로 도시한다.
도 4는 본 발명의 다른 형태의 회로 보호 디바이스를 모식적으로 회로도로 도시한다.
도 5는 본 발명의 회로 보호 디바이스의 모식적 단면도(바이메탈 소자가 접점 사이를 접속하고 있는 상태, 즉 회로를 닫은 상태)를 모식적으로 도시한다.
도 6은 본 발명의 회로 보호 디바이스의 모식적 단면도(바이메탈 소자가 접점에서 이격되어 있는 상태, 즉 회로를 연 상태)를 모식적으로 도시한다.
도 7은 실시예에서 제조한 본 발명의 회로 보호 디바이스를 시험하기 위해 사용한 회로도를 모식적으로 도시한다.
도 8은 실시예에서 제조한 본 발명의 회로 보호 디바이스를 사용해서, 제2 PTC 소자에 의해 제1 PTC 소자가 트립될 때까지의 시간의 측정 결과를 나타낸다.

이어서, 도면을 참조하여 본 발명의 회로 보호 디바이스를 더욱 상세하게 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 회로 보호 디바이스(10)(점선으로 둘러싸는 부분)는, 바이메탈 스위치(12)를 갖고 이루어지고, 바이메탈 스위치(12)는 전기적으로 병렬로 접속된 제1 PTC 소자(14) 및 바이메탈 소자(16)를 갖고 이루어진다. 도시한 형태에 있어서, 본 발명의 회로 보호 디바이스의 바이메탈 스위치는, 서로 병렬로 접속된 제1 PTC 소자(14)와 바이메탈 소자(16)에 공통되는 단자를 양단에 제1 단자(24) 및 제2 단자(26)로서 갖고, 제2 PTC 소자는, 그 양단에, 소자의 한쪽 금속 전극(30)에 접속된 제3 단자(32) 및 소자의 다른 쪽 금속 전극(28)에 접속된 제4 단자(33)를 갖고, 바이메탈 스위치(12)와 제2 PTC 소자(18)와는 전기적으로 독립되어 있다.

이 형태의 회로 보호 디바이스를 사용해서 보호 회로를 형성하는 경우, 소정의 제1 전기 요소(36)(예를 들어 2차 전지의 전지 팩) 및 소정의 제2 전기 요소(38)(예를 들어 소정의 제1 전기 요소에 인가하는, 기전력원(또는 전원)으로서 기능하는 충전기)에 바이메탈 스위치를, 각각 제1 단자(24) 및 제2 단자(26)를 통해서 전기적으로 접속하여, 주 회로(75)을 구성한다. 또한, 제2 PTC 소자(18)를, 그것이 트립함으로써 바이메탈 소자(16)를 동작시킬 수 있을 정도로, 바이메탈 소자(16)에 근접시킨 상태에서, 스위치(44)(SW) 및 기전력원(또는 전원)(35)에 각각 제3 단자(32) 및 제4 단자(33)를 통해서 전기적으로 직렬로 접속하여, 부 회로(85)를 구성한다.

이 형태에서는 주 회로(75)와 부 회로(85)는 전기적으로 독립되어 있다. 즉, 주 회로(75)는 바이메탈 스위치(12), 제1 전기 요소(36) 및 제2 전기 요소(38)에 의해 구성되고, 또한 부 회로(85)는, 제2 PTC 소자(18), 스위치(44) 및 기전력원(또는 전원)(35)에 의해 구성되고, 이들은 독립하여 폐회로를 구성한다. 1개의 보다 바람직한 형태에서는, 이러한 본 발명의 회로 보호 디바이스는, 이들 4개의 단자(24, 26, 32 및 33)만이 돌출되도록, 소정의 케이싱(34) 내에 삽입되어 있다. 필요에 따라서, 삽입에 사용되는 케이싱의 개구부는, 적당한 접착제에 의해 밀봉되어 있어도 된다.

또한, 바이메탈 소자(16)는, 이격되어 있는 접점(20 및 22)에 대향하여, 바이메탈 소자가 변형함으로써, 양방향 화살표 A로 나타낸 바와 같이, 이들 접점(20 및 22)을 접속하거나(즉, 회로를 닫거나), 또는 그와 같이 접속한 상태로부터 이격됨(즉, 바이메탈 소자와 접점이 접촉한 상태로부터 이들이 이격함)으로써 회로를 열 수 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 본 발명에서는, 이와 같이 회로가 닫힌 상태로부터 열리는 바이메탈 소자의 기능을 특별히 동작이라 칭한다. 도 1에 도시하는 상태에서는, 바이메탈 소자(16)는, 접점(20 및 22)으로부터 떨어져 있는 상태이며, 그 결과, 이들 접점을 연결하는 회로는 열린 상태, 즉 동작한 상태에 있다.

본 발명의 회로 보호 디바이스에서는, 바이메탈 소자(16)는 제2 PTC 소자(18)가 트립함으로써 동작하도록 배치되어 있다. 이는 트립된 제2 PTC 소자는, 고온 상태에 있으므로, 그것이 발하는 열이, 화살표 B로 나타낸 바와 같이, 바이메탈 소자에 전해짐으로써, 바이메탈 소자가 가열되고, 그 결과, 바이메탈 소자가 그 동작하는 온도(즉, 동작 온도) 이상의 온도가 되고, 그에 의해 바이메탈 소자가 동작하도록 배치되는 것을 의미한다. 바이메탈 소자와 제2 PTC 소자는, 열적으로 직접적 또는 간접적으로 접촉 상태 또는 인접 상태에 있는 것이 바람직하지만, 전술한 바와 같이 바이메탈 소자가 동작하는 한, 바이메탈 소자와 제2 PTC 소자 사이에 공간부가 존재해도 된다.

트립된 제2 PTC 소자(18)로부터 바이메탈 소자(16)에 열이 전해지기 위해서는, 즉 열적 영향을 미치기 위해서는, 제2 PTC 소자의 트립 온도는 바이메탈 소자의 동작 온도와 동일하거나, 그보다 높은 것을 특징으로 한다. 제2 PTC 소자의 트립 온도는 바이메탈 소자의 동작 온도보다, 적어도 10℃, 바람직하게는 적어도 20℃, 보다 바람직하게는 적어도 30℃ 높다. 이와 같이 바이메탈 소자(16)가 동작하기 위해서는, 바이메탈 소자(16)가 제2 PTC 소자(18)에 열적 영향을 미칠 수 있을 정도로, 근접해 있을 필요가 있고, 바람직하게는 이들은 서로 직접 접촉하고 있을 필요가 있다. 다른 형태에서는, 열전도율이 높은 재료, 예를 들어 금속 재료를 통해 간접적으로 접촉하고 있어도 된다.

전술한 바와 같은 본 발명의 회로 보호 디바이스(10)는, 소정의 제1 전기 요소(36)를 포함하는 소정의 전기 회로에 바이메탈 스위치(12)가 내장되어 주 회로(75)를 형성할 수 있으며, 그와 같이 내장된 상태도 도 1에 도시한다. 도 1에 있어서, 소정의 제1 전기 요소(36)로서 복수의 단위 셀이 직렬 접속된 구조의 2차 전지의 전지 팩을 도시한다. 주 회로(75)는 전지 팩(36)을 충전하는 충전 회로로서 기능하고, 그 회로를 구성하기 위해서, 충전기(38)(소정의 제2 전기 요소에 상당)도 포함한다. 이는 소정의 제1 전기 요소를 기능시키기 위한 기전력원(또는 전원)으로서도 기능한다.

보다 상세하게는, 도시한 형태에서는, 소정의 제1 전기 요소(36)에 대하여 바이메탈 스위치(12)가 직렬로 접속되도록 제1 단자(24)를 소정의 전기 요소의 한쪽 단자(40)에 접속하고, 소정의 제1 전기 요소(36)의 다른 쪽 단자(42)에 소정의 제2 전기 요소(38)를 접속한다. 또한, 제2 PTC 소자의 제3 단자(32)는 스위치(SW)(44)에 접속되고, 제4 단자(33)는 기전력원(또는 전원)(35)에 접속되어 있고, 이들은 부 회로(85)를 구성하고 있다. 이 스위치(44)는 소정의 제1 전기 요소(36)의 소정의 개소(예를 들어 전지 팩의 한쪽 단자(40)와 다른 쪽 단자(42) 사이의 단위 셀) 또는 단자(40와 42) 사이의 전위차를 검지함과 함께, 그 전위차가 소정의 값보다 커지면(예를 들어 충전 중인 2차 전지의 단위 셀 또는 전지 팩의 전위차가 있는 임계값을 초과하면), 스위치(44)의 접점 사이를 닫아 제2 PTC 소자(18)에 전류가 흐르게 작용하는 스위치이다. 따라서, 그와 같은 소정의 개소와 스위치(44) 사이는 그 개소의 전위차를 검지하여 전달하기 위한 전위차 검지 수단(예를 들어 IC) 및 배선(도시하지 않음)이 존재한다.

도 1에 도시하는 상태는, 예를 들어 소정의 요소(36)의 전위차가 과잉이 된 것을 스위치(44)가 검지함으로써, 스위치(44)가 회로(85)를 닫아 전류가 흘러서 제2 PTC 소자(18)가 트립하여 그 열이 바이메탈 소자(16)에 전해지고, 그 결과, 바이메탈 소자(16)가 동작한 직후의 상태를 나타낸다. 이 경우, 바이메탈 소자(16)가 동작한 순간에, 바이메탈 스위치(12)의 접점(20과 22) 사이를 흐르고 있었던 전류가, 제1 PTC 소자(14)에 전류된다. 그 후, 제1 PTC 소자(14)가 트립하고, 그 결과, 제1 PTC 소자(14)를 흐르는 전류가 실질적으로 차단되고, 따라서 주 회로를 전류가 흐르는 것이 회피된다. 제2 PTC 소자(18)는, 기전력원(또는 전원)(35)에 의해 인가된 그대로의 상태이므로, 그 트립 상태 그대로 유지되고, 따라서 바이메탈 소자(16)는 동작한 상태 그대로 유지되어, 접점(20과 22)은 열린 상태 그대로 된다.

도 2에 다른 형태의 본 발명의 회로 보호 디바이스(10)(점선으로 둘러싸는 부분)를 나타낸다. 이 형태에서는, 회로 보호 디바이스(10)는 바이메탈 스위치(12)를 갖고 이루어지고, 바이메탈 스위치(12)는 전기적으로 병렬로 접속된 제1 PTC 소자(14) 및 바이메탈 소자(16)를 갖고 이루어진다. 도시한 형태에 있어서, 본 발명의 회로 보호 디바이스의 바이메탈 스위치는, 서로 병렬로 접속된 제1 PTC 소자(14)와 바이메탈 소자(16)에 공통되는 단자를 양단에 제1 단자(24) 및 제2 단자(26)로서 갖고, 제2 PTC 소자(18)는 그 양단에 소자(18)의 한쪽 금속 전극(30)에 접속된 제3 단자(32) 및 소자(18)의 다른 쪽 금속 전극(28)에 접속된 제4 단자(33)를 갖는다.

도 2에 도시하는 형태에서는, 제4 단자(33)가 소정의 제1 전기 요소(36)의 단자(40)와 단자(42) 사이의 개소(점 C)에 접속되고, 소정의 제1 전기 요소의 일부를 이용해서, 상세하게는 소정의 제1 전기 요소에 인가되는 전압의 일부를 기전력원(또는 전원)으로서 이용할 수 있도록 구성되어 있는 점에 있어서, 도 1에 도시하는 형태와는 다르며, 그 밖의 점에 관해서는 도 1에 도시하는 형태와 실질적으로 동일하다. 그 결과, 도시한 형태에서는, 부 회로(85)는 제2 PTC 소자(18), 제1 전기 요소(36)의 일부, 스위치(44)가 직렬로 접속됨으로써 구성되어 있다. 따라서, 주 회로(75) 및 부 회로(85)는 제1 전기 요소(36)의 일부 및 그것으로부터 스위치(44)의 앞까지의 부분을 공유하게 된다.

도 3에 또 다른 형태의 본 발명의 회로 보호 디바이스(10)(점선으로 둘러싸는 부분)를 나타낸다. 이 형태에서는, 바이메탈 스위치(12)는 서로 병렬로 접속된 제1 PTC 소자(14)와 바이메탈 소자(16)에 공통되는 단자를 양단에 제1 단자(24) 및 제2 단자(26)로서 갖고, 또한 제2 PTC 소자(18)의 한쪽 금속 전극(28)은 이들 단자의 한쪽(도시한 형태에서는 제1 단자(24))에 실질적으로 접속되고, 그 결과, 바이메탈 스위치(12)와 제2 PTC 소자(18)는 직렬로 접속되어 있다. 제2 PTC 소자(18)의 다른 쪽 금속 전극(30)은 제3 단자(32)에 접속되어 있다. 따라서, 이 형태에 있어서는, 따라서 주 회로(75) 및 부 회로(85)는 제1 전기 요소(36)의 전부 및 그것으로부터 스위치(FET)(44)의 앞까지의 부분을 공유하게 된다. 하나의 바람직한 형태에서는, 이러한 본 발명의 회로 보호 디바이스는, 이들 3개의 단자(24, 26 및 32)만이 돌출되도록, 소정의 케이싱 내에 삽입되어 있다. 전술과 마찬가지로, 도 3에 도시하는 형태에서는, 점선이 케이싱(34)에 대응한다고 생각할 수 있다. 삽입에 사용되는 케이싱의 개구부는, 적당한 접착제에 의해 밀봉되어 있어도 된다.

전술한 바와 같은 본 발명의 회로 보호 디바이스(10)를, 본 발명의 소정의 전기 요소가 내장된 소정의 전기 회로에 내장할 수 있으며, 그와 같이 내장된 상태도 도 3에 도시한다. 도 3에 있어서, 소정의 제1 전기 요소(36)로서 2차 전지의 전지 팩을 도시하고, 또한 이 2차 전지의 전지 팩을 충전하는 충전 회로를 소정의 전기 회로(주 회로에 상당)로서 나타낸다. 이러한 전기 회로를 구성하기 위해서, 충전기(38)도 도시하고, 이는 소정의 제1 전기 요소를 기능시키기 위한 소정의 제2 전기 요소로서의 기전력원(또는 전원)으로서 기능한다. 도 3에서 알 수 있듯이, 바이메탈 스위치(12)는 소정의 제1 전기 요소(36)에 대해 전기적으로 직렬로 접속되고, 또한 제2 PTC 소자(18)는 소정의 제1 전기 요소(36)와 함께 제2 전기 요소에 대해 병렬로 접속되어 있다.

보다 상세하게는, 도시한 형태에서는, 소정의 제1 전기 요소(36)에 대해 바이메탈 스위치(12)가 직렬로 접속되도록 제1 단자(24)를 소정의 전기 요소의 한쪽 단자(40)에 접속하고, 소정의 전기 요소(36)의 다른 쪽 단자(42)에 스위치(FET)(44)를 통해서 제3 단자(32)를 접속한다. 이 스위치(44)는, 예를 들어 도시한 바와 같이, 소정의 제1 전기 요소(36)의 소정의 개소(45)의 전위차(엄밀하게는 도시한 형태에서는, 전지 팩(36)을 구성하는 단위 셀 중, 가장 단부의 단위 셀(36-1)에 걸치는 전위차)가 소정의 값보다 커지면(예를 들어 충전 중인 2차 전지의 전위차가 어느 임계값을 초과하면), 스위치(FET)(44)의 접점 사이를 닫아 제2 PTC 소자(18)에 전류가 흐르게 작용한다. 도시한 형태에서는, 소정의 제1 전기 요소(36)에 인가되는 전압을 제2 PTC 소자(18)를 트립하기 위한 전류원으로서도 이용하도록 구성되어 있다.

도 3에 도시하는 상태는, 소정의 개소(45)에 있어서의 전위차가 과잉이 된 것을 스위치(44)가 검지함으로써, 스위치(44)가 부 회로(85)를 닫아 제2 PTC 소자(18)가 트립하여 그 열이 바이메탈 소자(16)에 전해지고, 그 결과, 바이메탈 소자(16)가 동작한 직후의 상태를 나타낸다. 이 경우, 바이메탈 소자(16)가 동작한 순간에, 바이메탈 스위치(12)의 접점(20과 22) 사이를 흐르고 있었던 전류가, 제1 PTC 소자(14)에 전류된다. 그 후, 제1 PTC 소자(14)가 트립하고, 그 결과, 제1 PTC 소자(14)를 흐르는 전류가 실질적으로 차단되며, 따라서, 충전 회로를 전류가 흐르는 것이 회피된다. 제2 PTC 소자(18)는 전기 요소(36)와 실질적으로 동일한 전압이 인가되어 있으므로, 트립 상태 그대로 유지되고, 따라서 바이메탈 소자(16)는 동작한 상태 그대로 유지되고, 접점(20과 22)은 열린 상태 그대로 된다.

또한, 본 명세서에 있어서, 전기적으로 병렬 또는 직렬로 접속되어 있다고 하는 경우에는, 접속되어 있는 요소끼리가 직접 접속되어 있는 경우여도 되고, 혹은 접속되어 있는 요소끼리의 사이에 별도의 요소가 존재함으로써 간접적으로 접속되어 있는 경우여도 된다. 예를 들어, 표준 저항기가 접속되어 있는 요소끼리의 사이에 존재해도 된다.

도 4에 본 발명의 회로 보호 디바이스의 다른 형태를 모식적으로 회로도로 도시한다. 이 회로 보호 디바이스(50)는 병렬로 접속된 바이메탈 소자(52) 및 제1 PTC 소자(54)에 의해 구성되는 바이메탈 스위치 및 그에 직렬로 접속된 제2 PTC 소자(56)를 갖고 이루어진다. 이 회로 보호 디바이스(50)는 다른 바이메탈 스위치를 더 갖고 이루어지며, 이는 다른 바이메탈 소자(58) 및 그것에 직렬로 접속된, 다른 제2 PTC 소자(60)에 의해 더 구성되어 있다. 후자의 바이메탈 소자(58)는 제1 PTC 소자(54)에 대해 병렬로 접속되어 있다. 그 결과, 2개의 바이메탈 소자(52 및 58)가 1개의 제1 PTC 소자(54)를 병렬 접속으로 공유하고 있다. 즉, 도시한 회로 보호 디바이스(50)에는, 병렬로 접속된 2개의 바이메탈 스위치가 존재하지만, 유일한 제1 PTC를 갖는다.

도시한 형태에서는, 2개의 바이메탈 스위치 각각 일단부가 제1 단자(62)에 접속되고, 다른 쪽 단부가 제2 단자(64)에 접속되고, 제2 PTC 소자(56 및 60)의 각각의 한쪽 전극이 바이메탈 스위치의 한쪽 단자에 접속되고, 각각의 다른 쪽 전극이 제3 단자(66)에 접속되어 있다. 이와 같이 바이메탈 스위치가 병렬로 접속되어 있으면, 제1 단자(62)와 제2 단자(64) 사이를 흐르는 전류의 양, 따라서 소정의 전기 회로를 흐를 수 있는 전류량을 크게 할 수 있는 이점이 있다. 즉, 회로 보호 디바이스의 전류 용량을 크게 할 수 있다. 이 경우, 바이메탈 소자(52 및 58)가 동작한 경우에는, 그것을 흐르는 전류를 제1 PTC 소자(54)에 전류할 수 있다. 또한, 바이메탈 소자(52 및 58)가 실질적으로 동시에 동작하도록 회로 보호 디바이스를 구성하는 것이 바람직하다.

전술한 바와 같이, 바이메탈 스위치를 복수 병렬로 접속함으로써, 회로 보호 디바이스의 전류 용량을 크게 할 수 있다. 용이하게 이해할 수 있도록, 바이메탈 소자의 접점 사이를 흐르는 전류를 전류해야 할 제1 PTC 디바이스의 수는, 전류되는 전류량에 따라, 1개이여도 되고, 바이메탈 소자의 수와 동일한 수여도 되고, 또는 이들 사이의 수여도 된다. 도 4에 도시하는 형태에서는, 각 바이메탈 소자에 대응하여 제2 PTC 소자를 배치하고 있지만, 1개의 제2 PTC 소자가 2개의 바이메탈 소자를 동작시키도록 배치해도 된다. 예를 들어, 1개의 제2 PTC 소자에 근접해서 2개의 바이메탈 소자를 배치해도 된다.

도 5에 본 발명의 회로 보호 디바이스의 하나의 형태를 단면도를 모식적으로 도시한다. 또한, 이 형태는 도 3에 도시하는 디바이스에 대응한다. 도시한 회로 보호 디바이스(70)는 바이메탈 스위치(72)를 갖고 이루어지고, 이는 바이메탈 소자(74) 및 제1 PTC 소자(76)에 의해 구성되어 있다. 회로 보호 디바이스는 제2 PTC 소자(78)를 더 갖고 이루어지고, 또한 제1 단자(80), 제2 단자(82) 및 제3 단자(84)를 갖는다.

이 회로 보호 디바이스를 소정의 전기 회로에 배치하여, 회로가 정상적으로 기능하고 있는 경우, 화살표로 나타낸 바와 같이, 제2 단자(82)로부터 전류가 들어오고, 바이메탈 소자(74)를 경유하여 제1 단자(80)로부터 나오도록 접속한다. 도 5에 도시한 상태는, 회로가 정상적으로 기능하고 있는 상태이다.

전기 회로에 배치된 소정의 전기 요소에 이상이 발생한 경우, 그것을 검지한 스위치(도시하지 않음)가, 화살표(도 5의 상방의 화살표)로 나타낸 바와 같이, 제3 단자(84)를 경유하여 제2 PTC 소자(78)에 전류를 흘려서 트립시킨다. 도시한 형태에서는, 바이메탈 소자(74)에 인접하여 제2 PTC 소자(78)를 배치하고 있다. 단, 이들 사이에는, 제2 단자에 연결되는 리드 부분이 존재한다. 즉, 바이메탈 소자(74)는 리드 부분(86)을 통해 간접적으로 제2 PTC 소자(78)에 접촉하고 있다. 리드 부분 및 단자는 도전성 금속 재료로 구성되고, 이는 열적으로도 양호한 도전성을 갖는다.

그 결과, 트립된 제2 PTC 소자(78)가 고온이 되고, 그 열에 의해 바이메탈 소자(74)가 변형되어 동작하여, 회로를 연다. 이와 같이 회로가 열린 상태를 도 6에 모식적으로 도시한다. 열린 순간에, 화살표로 나타낸 바와 같이, 바이메탈 소자(74)를 흐르고 있던 전류는, 제1 PTC 소자(76)를 거쳐서 흐르도록 전류된다.

도시한 형태에서는, 바이메탈 소자(74), 제1 PTC 소자(76) 및 제2 PTC 소자(78)는 리드로서 기능하는 도전성 재료로 접속되어 있고, 이들 단부분이 단자를 구성한다. 또한, 도 5 및 도 6에 있어서 파선(88)은 바이메탈 스위치 및 제2 PTC 소자를 수용하는, 회로 보호 디바이스의 케이싱에 대응한다. 또한, 바이메탈 소자는 그 선단부에 접점(90)을 갖는다.

실시예 1

하기 시판되고 있는 바이메탈 소자 및 PTC 소자를 사용해서, 도 3에 도시하는 회로 보호 디바이스(10)를 제조하였다:

바이메탈 소자 : 스냅 액션형(Cu-Ni-Mn 합금과 Ni-Fe 합금의 클래드 시트로 작성, 동작 온도 100℃)

제1 PTC 소자 : 폴리에틸렌계 PTC 소자(타이코일렉트로닉스 재팬 제조, 트립 온도 : 120℃)

제2 PTC 소자 : PVDF계 PTC 소자(타이코일렉트로닉스 재팬 제조, 트립 온도 : 160℃)

상기 소자를 도 3에 도시한 바와 같이 접속한 후, 수지제 케이싱 내에 배치하고, 제1 단자, 제2 단자 및 제3 단자만이 케이싱의 단부로부터 돌출되도록 해서, 도 1의 본 발명의 보호 회로 디바이스(10)를 얻었다.

얻어진 회로 보호 디바이스를 도 7의 시험 회로에 내장하여, 제1 단자(24)와 제2 단자(26) 사이에 1.0 내지 60A의 전류를 주 회로(75)의 전류로서 180초간 흘렸이다. 그 후, 스위치(44)를 닫아 제2 PTC 소자에(100A)의 전류를 부 회로(85)의 전류로서 흘려서 트립시켰다. 또한, 시험 환경의 온도를 실온(25℃), 0℃ 및 -40℃로 하였다.

스위치(44)를 닫은 시간을 제로로 하여, 제1 단자(24)와 제2 단자(26) 사이를 흐르는 전류값이 실질적으로 차단될 때까지의 시간(즉, 강제 차단 시간), 즉 제1 PTC 소자가 트립될 때까지의 시간을 측정하였다. 측정 결과를 도 8에 도시한다.

이 결과로부터, 주 회로 전류가 작을수록, 또한 저온 환경일수록 차단 시간은 길어진다. 예를 들어, 과충전 보호의 경우의 목표 차단 시간은 20초 이하라고 할 수 있으며 본 발명의 회로 보호 디바이스는 저온 환경이라도, 그 목표값을 충분히 달성하고 있다.

10 : 회로 보호 디바이스
12 : 바이메탈 스위치
14 : 제1 PTC 소자
16 : 바이메탈 소자
18 : 제2 PTC 소자
20, 22 : 접점
24 : 제1 단자
26 : 제2 단자
28, 30 : 전극
32 : 제3 단자
33 : 제4 단자
35 : 기전력원(또는 전원)
36 : 제1 전기 요소
38 : 제2 전기 요소
40, 42 : 단자
44 : 스위치
50 : 회로 보호 디바이스
52 : 바이메탈 소자
54 : 제1 PTC 소자
56 : 제2 PTC 소자
58 : 바이메탈 소자
60 : 제2 PTC 소자
62 : 제1 단자
64 : 제2 단자
66 : 제3 단자
70 : 회로 보호 디바이스
74 : 바이메탈 소자
75 : 주 회로
76 : 제1 PTC 소자
78 : 제2 PTC 소자
80 : 제1 단자
82 : 제2 단자
84 : 제3 단자
85 : 부 회로
88 : 케이싱
90 : 접점

Claims

회로 보호 디바이스로서,
제1 PTC 소자와 바이메탈 소자가 서로 전기적으로 병렬로 접속된 바이메탈 스위치 및
제2 PTC 소자
를 갖고 이루어지고,
상기 바이메탈 소자는, 상기 제2 PTC 소자가 트립함으로써 동작하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 회로 보호 디바이스.
제1항에 있어서,
상기 바이메탈 스위치는, 서로 병렬로 접속된 상기 제1 PTC 소자와 상기 바이메탈 소자에 공통되는 단자를 양단에 제1 단자 및 제2 단자로서 갖고, 상기 제2 PTC 소자는, 그 양단에 제3 단자 및 제4 단자를 갖고, 상기 바이메탈 스위치와 상기 제2 PTC 소자는 전기적으로 독립되어 있는 것을 특징으로 하는 회로 보호 디바이스.
제2항에 있어서,
상기 제1 단자 및 상기 제2 단자는, 소정의 제1 전기 요소 및 소정의 제2 전기 요소에 상기 바이메탈 스위치를 각각 전기적으로 직렬로 접속하여 주 회로를 구성하고, 상기 제3 단자 및 상기 제4 단자는, 스위치 및 기전력원에 각각 전기적으로 직렬로 접속하여 부 회로를 구성하도록 이들 단자를 접속할 수 있으며, 그와 같이 접속한 회로는 전기적으로 독립되며, 상기 소정의 제1 전기 요소 및 상기 소정의 제2 전기 요소 중 적어도 한쪽은 기전력원으로서 작용하는 것을 특징으로 하는 회로 보호 디바이스.
제2항에 있어서,
상기 제1 단자 및 상기 제2 단자는, 소정의 제1 전기 요소 및 소정의 제2 전기 요소에 상기 바이메탈 스위치를 각각 전기적으로 직렬로 접속하여 주 회로를 구성하고, 상기 제3 단자 및 상기 제4 단자는, 스위치 및 상기 소정의 제1 전기 요소에 각각 전기적으로 직렬로 접속하여 부 회로를 구성하도록 이들 단자에 접속할 수 있고, 소정의 제1 전기 요소를 기전력원으로서 이용하는 것을 특징으로 하는 회로 보호 디바이스.
제1항에 있어서,
상기 제2 PTC 소자는 상기 바이메탈 스위치에 대해 전기적으로 직렬로 접속되고, 상기 바이메탈 스위치는, 서로 병렬로 접속된 상기 제1 PTC 소자와 상기 바이메탈 소자에 공통되는 단자를 양단에 제1 단자 및 제2 단자로서 갖고, 또한 상기 제2 PTC 소자의 한쪽 전극은, 이들 단자의 한쪽에 접속되고, 상기 바이메탈 스위치의 단자에 접속되어 있지 않은, 상기 제2 PTC 소자의 다른 쪽 전극은 제3 단자에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 회로 보호 디바이스.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제2 PTC 소자의 트립 온도는, 상기 바이메탈 소자의 동작 온도보다 적어도 10℃ 높은 것을 특징으로 하는 회로 보호 디바이스.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 회로 보호 디바이스 및 그에 의해 보호해야 할 소정의 전기 요소를 갖고 이루어지는 전기 회로.
제7항에 기재된 전기 회로를 갖는 전기 장치.