JP2000155329A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】外部から侵入する静電気を効果的に吸収してス
イッチング素子等のダメージを防止する。 【解決手段】表示領域に形成された画素を選択するため
の多数のスイッチング素子に駆動信号を印加するための
多数の走査信号線、多数の映像信号線ＤＬ、画素電極お
よび共通電極接続端子ＣＯＭ１とを有するアクティブマ
トリクス基板ＳＵＢ１と画素を構成する共通電極を有す
るカラーフィルタ基板ＳＵＢ２とを液晶層ＬＣを介して
貼り合わせ、共通電極接続端子と前記共通電極とを導電
層を介して接続すると共に表示領域の外周をシール材Ｓ
Ｌを挟持して固定した液晶表示装置において、アクティ
ブマトリクス基板ＳＵＢ１の側面に切断端縁が露呈した
映像信号線ＤＬの上層に絶縁層を介して形成された多数
の導電層ＩＴＯ３と、この導電層ＩＴＯ３を共通電極接
続端子ＣＯＭ１に接続する配線層ＣＣＬとを具備した。
イッチング素子等のダメージを防止する。 【解決手段】表示領域に形成された画素を選択するため
の多数のスイッチング素子に駆動信号を印加するための
多数の走査信号線、多数の映像信号線ＤＬ、画素電極お
よび共通電極接続端子ＣＯＭ１とを有するアクティブマ
トリクス基板ＳＵＢ１と画素を構成する共通電極を有す
るカラーフィルタ基板ＳＵＢ２とを液晶層ＬＣを介して
貼り合わせ、共通電極接続端子と前記共通電極とを導電
層を介して接続すると共に表示領域の外周をシール材Ｓ
Ｌを挟持して固定した液晶表示装置において、アクティ
ブマトリクス基板ＳＵＢ１の側面に切断端縁が露呈した
映像信号線ＤＬの上層に絶縁層を介して形成された多数
の導電層ＩＴＯ３と、この導電層ＩＴＯ３を共通電極接
続端子ＣＯＭ１に接続する配線層ＣＣＬとを具備した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス基板に形成されたスイッチング素子を静電気から保
護するための構成を備えた液晶表示装置に関する。
クス基板に形成されたスイッチング素子を静電気から保
護するための構成を備えた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】静止画や動画を含めた各種の画像を表示
するデバイスとして液晶表示装置が広く用いられてい
る。
するデバイスとして液晶表示装置が広く用いられてい
る。
【０００３】液晶表示装置は、基本的には少なくとも一
方が透明なガラス等からなる二枚の絶縁基板の間に液晶
組成物の層（液晶層）を挟持し、上記絶縁基板に形成し
た画素形成用の各種電極に選択的に電圧を印加して所定
画素の点灯と消灯を行う形式、上記各種電極と画素選択
用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子
からなるアクティブ素子を形成してこのアクティブ素子
を選択することにより所定画素の点灯と消灯を行う形式
とに分類される。
方が透明なガラス等からなる二枚の絶縁基板の間に液晶
組成物の層（液晶層）を挟持し、上記絶縁基板に形成し
た画素形成用の各種電極に選択的に電圧を印加して所定
画素の点灯と消灯を行う形式、上記各種電極と画素選択
用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子
からなるアクティブ素子を形成してこのアクティブ素子
を選択することにより所定画素の点灯と消灯を行う形式
とに分類される。
【０００４】特に、後者の形式の液晶表示装置はアクテ
ィブマトリクス型と称し、コントラスト性能、高速表示
性能等から液晶表示装置の主流となっている。
ィブマトリクス型と称し、コントラスト性能、高速表示
性能等から液晶表示装置の主流となっている。
【０００５】アクティブマトリクス型の液晶表示装置
は、一方の絶縁基板であるアクティブマトリクス基板に
形成した多数の走査電極や多数の映像信号電極および画
素電極と他方の基板であるカラーフィルタ基板に形成し
た共通電極との間に液晶層の配向方向を変えるための電
界を印加する、所謂縦電界方式が一般的である。
は、一方の絶縁基板であるアクティブマトリクス基板に
形成した多数の走査電極や多数の映像信号電極および画
素電極と他方の基板であるカラーフィルタ基板に形成し
た共通電極との間に液晶層の配向方向を変えるための電
界を印加する、所謂縦電界方式が一般的である。
【０００６】また、アクティブマトリクス型の液晶表示
装置では、そのアクティブマトリクス基板の有効表示領
域の外周には、スイッチング素子である薄膜トランジス
タ等を駆動するための走査信号線（この場合、ゲート信
号線）と映像信号線（同、ドレイン信号線）に上記薄膜
トランジスタ、あるいはその他の電極を外部から侵入す
る静電気から保護するための保護回路が形成されてい
る。
装置では、そのアクティブマトリクス基板の有効表示領
域の外周には、スイッチング素子である薄膜トランジス
タ等を駆動するための走査信号線（この場合、ゲート信
号線）と映像信号線（同、ドレイン信号線）に上記薄膜
トランジスタ、あるいはその他の電極を外部から侵入す
る静電気から保護するための保護回路が形成されてい
る。
【０００７】図１０は従来のアクティブマトリクス型の
液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の要
部電極パターンを説明する上面図であって、ＳＵＢ１は
アクティブマトリクス基板、ＳＵＢ２はカラーフィルタ
基板（同図ではカラーフィルタ基板の貼り合わせ位置を
示す外形線のみ）、ＣＯＭ１は共通電極接続端子、ＳＬ
はアクティブマトリクス基板ＳＵＢ１とカラーフィルタ
基板ＳＵＢ２を貼り合わせ固定するシール材、ＤＬは映
像信号線（以下ではドレイン線と称する）、ＣＨＩは駆
動回路（集積回路）である。
液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の要
部電極パターンを説明する上面図であって、ＳＵＢ１は
アクティブマトリクス基板、ＳＵＢ２はカラーフィルタ
基板（同図ではカラーフィルタ基板の貼り合わせ位置を
示す外形線のみ）、ＣＯＭ１は共通電極接続端子、ＳＬ
はアクティブマトリクス基板ＳＵＢ１とカラーフィルタ
基板ＳＵＢ２を貼り合わせ固定するシール材、ＤＬは映
像信号線（以下ではドレイン線と称する）、ＣＨＩは駆
動回路（集積回路）である。
【０００８】また、図１１は図１０の上辺Ｃの側面Ｃの
一部の構造を説明する要部側面図であって、図１０と同
一符号は同一部分に対応し、ＧＩは絶縁膜、ＰＳＶ１は
透明保護膜である。絶縁膜ＧＩと透明保護膜ＰＳＶ１は
共にＳｉＮ等の絶縁材料で構成される。カラーフィルタ
基板と貼り合わせる前には、保護膜ＰＳＶ１の上面に配
向膜が形成されるが、ここでは図示を省略してある。
一部の構造を説明する要部側面図であって、図１０と同
一符号は同一部分に対応し、ＧＩは絶縁膜、ＰＳＶ１は
透明保護膜である。絶縁膜ＧＩと透明保護膜ＰＳＶ１は
共にＳｉＮ等の絶縁材料で構成される。カラーフィルタ
基板と貼り合わせる前には、保護膜ＰＳＶ１の上面に配
向膜が形成されるが、ここでは図示を省略してある。
【０００９】なお、このアクティブマトリクス基板ＳＵ
Ｂ１には、ドレイン線ＤＬと交差するように、図の左右
方向に走査信号線（ゲート線）と、このゲート線に走査
駆動信号を印加するための駆動回路（集積回路）が形成
されているが図９では図示を省略してある。
Ｂ１には、ドレイン線ＤＬと交差するように、図の左右
方向に走査信号線（ゲート線）と、このゲート線に走査
駆動信号を印加するための駆動回路（集積回路）が形成
されているが図９では図示を省略してある。
【００１０】アクティブマトリクス基板ＳＵＢ１は、そ
の製造過程において、所謂母基板に各信号線、薄膜トラ
ンジスタ、ショートバー、短絡検査端子等を形成し、所
要の成膜を施した後に、上記ショートバーや検査端子の
内側で切断して図９に示したようなパネルサイズの形状
に加工される。
の製造過程において、所謂母基板に各信号線、薄膜トラ
ンジスタ、ショートバー、短絡検査端子等を形成し、所
要の成膜を施した後に、上記ショートバーや検査端子の
内側で切断して図９に示したようなパネルサイズの形状
に加工される。
【００１１】したがって、図１１に示した図１０のＣ部
分の側面には、ドレイン線ＤＬの切断端が露呈してい
る。ドレイン線ＤＬはアクティブマトリクス基板ＳＵＢ
１の面上では保護膜ＰＳＶ１で被覆されているが、当該
基板の切断端の側面には切断面が露呈している。
分の側面には、ドレイン線ＤＬの切断端が露呈してい
る。ドレイン線ＤＬはアクティブマトリクス基板ＳＵＢ
１の面上では保護膜ＰＳＶ１で被覆されているが、当該
基板の切断端の側面には切断面が露呈している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、ドレ
イン線ＤＬはアクティブマトリクス基板ＳＵＢ１の側面
でその切断端が露呈しているため、特に、製造工程中で
のハンドリングにおいてアクティブマトリクス基板ある
いはその外部近傍に静電気が発生すると、この静電気が
上記ドレイン線ＤＬの切断端から当該ドレイン線に入り
込み、このドレイン線に接続している薄膜トランジスタ
等のスイッチング素子を破壊したり、他の配線を断線さ
せるという問題があった。
イン線ＤＬはアクティブマトリクス基板ＳＵＢ１の側面
でその切断端が露呈しているため、特に、製造工程中で
のハンドリングにおいてアクティブマトリクス基板ある
いはその外部近傍に静電気が発生すると、この静電気が
上記ドレイン線ＤＬの切断端から当該ドレイン線に入り
込み、このドレイン線に接続している薄膜トランジスタ
等のスイッチング素子を破壊したり、他の配線を断線さ
せるという問題があった。
【００１３】薄膜トランジスタが破壊したり配線に断線
がある、完成した液晶表示装置の画面上で所謂線欠陥が
起こり、画質を著しく劣化させてしまう。
がある、完成した液晶表示装置の画面上で所謂線欠陥が
起こり、画質を著しく劣化させてしまう。
【００１４】本発明の目的は、ドレイン線に侵入しよう
とする静電気を効果的に吸収することによって、薄膜ト
ランジスタ等のスイッチング素子の破壊やその他の配線
の断線を防止し、高品質の画像表示を可能とした液晶表
示装置を提供することにある。
とする静電気を効果的に吸収することによって、薄膜ト
ランジスタ等のスイッチング素子の破壊やその他の配線
の断線を防止し、高品質の画像表示を可能とした液晶表
示装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ドレイン線の上層に導電層を設け、この
導電層をカラーフィルタ基板の共通電極接続端子に接続
する構成としたことによってドレイン線に侵入しようと
する静電気を効果的に吸収するように構成したことを特
徴とし、典型的な構成は下記に記載のとおりである。
に、本発明は、ドレイン線の上層に導電層を設け、この
導電層をカラーフィルタ基板の共通電極接続端子に接続
する構成としたことによってドレイン線に侵入しようと
する静電気を効果的に吸収するように構成したことを特
徴とし、典型的な構成は下記に記載のとおりである。
【００１６】すなわち、（１）表示領域に形成された画
素を選択するための多数のスイッチング素子と、このス
イッチング素子に駆動信号を印加するための多数の走査
信号線、多数の映像信号線、画素電極および共通電極接
続端子とを有するアクティブマトリクス基板と前記画素
を構成する共通電極を有するカラーフィルタ基板とを液
晶層を介して貼り合わせ、前記共通電極接続端子と前記
共通電極とを導電性ペーストを介して接続すると共に前
記表示領域の外周をシール材を挟持して固定した液晶表
示装置において、前記アクティブマトリクス基板の側面
に切断端縁が露呈した前記映像信号線の上層に絶縁層を
介して形成された多数の導電層と、これらの導電層を前
記共通電極接続端子に接続する配線層とを具備したこと
を特徴とする。
素を選択するための多数のスイッチング素子と、このス
イッチング素子に駆動信号を印加するための多数の走査
信号線、多数の映像信号線、画素電極および共通電極接
続端子とを有するアクティブマトリクス基板と前記画素
を構成する共通電極を有するカラーフィルタ基板とを液
晶層を介して貼り合わせ、前記共通電極接続端子と前記
共通電極とを導電性ペーストを介して接続すると共に前
記表示領域の外周をシール材を挟持して固定した液晶表
示装置において、前記アクティブマトリクス基板の側面
に切断端縁が露呈した前記映像信号線の上層に絶縁層を
介して形成された多数の導電層と、これらの導電層を前
記共通電極接続端子に接続する配線層とを具備したこと
を特徴とする。
【００１７】また、（１）における前記導体層は前記多
数の映像信号線間に相当する位置に、当該映像信号線の
長手方向と平行する如き線状に形成することによって、
ドレイン線に侵入しようとする静電気を効果的に吸収す
るこができる。
数の映像信号線間に相当する位置に、当該映像信号線の
長手方向と平行する如き線状に形成することによって、
ドレイン線に侵入しようとする静電気を効果的に吸収す
るこができる。
【００１８】このように構成した液晶表示装置は、その
製造工程でのスイッチング素子あるいはその他の電極の
静電気破壊が著しく低減し、高品質の画像表示が得られ
ると共に、製造歩留りが大幅に向上する。
製造工程でのスイッチング素子あるいはその他の電極の
静電気破壊が著しく低減し、高品質の画像表示が得られ
ると共に、製造歩留りが大幅に向上する。
【００１９】なお、本発明は、上記の構成に限定される
ものではなく、本発明の技術思想の範囲を逸脱すること
なく、種々の変更が可能である。例えば、上記の構成で
は、ドレイン線の切断端からの静電気の進入を考慮した
ものであるが、このドレイン線と交差するゲート線の切
断縁付近にも同様の導体層を形成することにより、ゲー
ト線に進入しようとする静電気も阻止することができ
る。
ものではなく、本発明の技術思想の範囲を逸脱すること
なく、種々の変更が可能である。例えば、上記の構成で
は、ドレイン線の切断端からの静電気の進入を考慮した
ものであるが、このドレイン線と交差するゲート線の切
断縁付近にも同様の導体層を形成することにより、ゲー
ト線に進入しようとする静電気も阻止することができ
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説
明する。
の実施の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説
明する。
【００２１】図１は本発明による液晶表示装置の第一実
施例を説明するアクティブマトリクス基板の平面図であ
り、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）の右上隅部分の拡
大図である。図１０と同一部分には同一符号を付してあ
り、ＩＴＯ３はインジウム・チン・オキサイドを好適と
する導体層、ＣＯＭ１はカラーフィルタ基板の共通電極
接続端子と接続するための共通電極接続端子、ＣＣＬは
複数の導体層ＩＴＯ３を共通電極接続端子ＣＯＭ１に接
続する接続配線を示す。なお、図１では共通電極接続端
子ＣＯＭ１が４隅にる例を示したが、この共通電極接続
端子ＣＯＭ１は基本的には一個あればよい。また、図１
でも、前記図１０と同様にゲート線は図示を省略してあ
る。
施例を説明するアクティブマトリクス基板の平面図であ
り、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）の右上隅部分の拡
大図である。図１０と同一部分には同一符号を付してあ
り、ＩＴＯ３はインジウム・チン・オキサイドを好適と
する導体層、ＣＯＭ１はカラーフィルタ基板の共通電極
接続端子と接続するための共通電極接続端子、ＣＣＬは
複数の導体層ＩＴＯ３を共通電極接続端子ＣＯＭ１に接
続する接続配線を示す。なお、図１では共通電極接続端
子ＣＯＭ１が４隅にる例を示したが、この共通電極接続
端子ＣＯＭ１は基本的には一個あればよい。また、図１
でも、前記図１０と同様にゲート線は図示を省略してあ
る。
【００２２】導体層ＩＴＯ３はドレイン線のシール材の
外側に延在した部分の間に櫛歯状に形成され、その先端
をアクティブマトリクス基板ＳＵＢ１の側面に位置させ
て避雷針と同様の機能を持たせ、後端を接続配線ＣＣＬ
で共通電極接続端子ＣＯＭ１に接続してある。
外側に延在した部分の間に櫛歯状に形成され、その先端
をアクティブマトリクス基板ＳＵＢ１の側面に位置させ
て避雷針と同様の機能を持たせ、後端を接続配線ＣＣＬ
で共通電極接続端子ＣＯＭ１に接続してある。
【００２３】図２は図１に示したアクティブマトリクス
基板の上辺の側面図であり、（ａ）は図１のＡ部分、
（ｂ）は同Ｂ部分に対応する。図１のＡ部分には（ａ）
に示したように、ドレイン線ＤＬの切断端縁が露呈して
いる。このアクティブマトリクス基板ＳＵＢ１の内面の
最下層にはドレイン線ＤＬの間に位置する如く櫛歯状に
形成された導電層ＩＴＯ３間を接続する配線層ＣＣＬが
形成されている。配線層ＣＣＬは上層に形成される導電
層ＩＴＯ３の下層に形成されて電気的に接続すると共
に、アクティブマトリクス基板の内側方向の端部で共通
電極接続端子ＣＯＭ１方向に延びる配線層ＣＣＬを有し
ている。
基板の上辺の側面図であり、（ａ）は図１のＡ部分、
（ｂ）は同Ｂ部分に対応する。図１のＡ部分には（ａ）
に示したように、ドレイン線ＤＬの切断端縁が露呈して
いる。このアクティブマトリクス基板ＳＵＢ１の内面の
最下層にはドレイン線ＤＬの間に位置する如く櫛歯状に
形成された導電層ＩＴＯ３間を接続する配線層ＣＣＬが
形成されている。配線層ＣＣＬは上層に形成される導電
層ＩＴＯ３の下層に形成されて電気的に接続すると共
に、アクティブマトリクス基板の内側方向の端部で共通
電極接続端子ＣＯＭ１方向に延びる配線層ＣＣＬを有し
ている。
【００２４】すなわち、アクティブマトリクス基板ＳＵ
Ｂ１のシール材ＳＬの外周部には、クロムＣｒを好適と
する導電材料で形成した配線層ＣＣＬが形成されてい
る。この配線層ＣＣＬの枝部分ＣＣＬ’は導電層ＩＴＯ
３が形成される位置の下層に延びている。配線層ＣＣＬ
（および、枝部分ＣＣＬ’）の形成後、絶縁膜ＧＩ、ド
レイン線ＤＬ、透明保護膜ＰＳＶ１が重ねて形成され
る。
Ｂ１のシール材ＳＬの外周部には、クロムＣｒを好適と
する導電材料で形成した配線層ＣＣＬが形成されてい
る。この配線層ＣＣＬの枝部分ＣＣＬ’は導電層ＩＴＯ
３が形成される位置の下層に延びている。配線層ＣＣＬ
（および、枝部分ＣＣＬ’）の形成後、絶縁膜ＧＩ、ド
レイン線ＤＬ、透明保護膜ＰＳＶ１が重ねて形成され
る。
【００２５】導電層ＩＴＯ３は、絶縁膜ＧＩと透明保護
膜ＰＳＶ１をフォトリソグラフィ手法等でエッチング処
理して配線層ＣＣＬの枝部分ＣＣＬ’を露出させて形成
した開口に蒸着あるいはＣＶＤ等で形成される。なお、
この配線層ＣＣＬ（および、枝部分ＣＣＬ’）は共通電
極接続端子ＣＯＭ１の形成と同時に形成するのが好まし
い。
膜ＰＳＶ１をフォトリソグラフィ手法等でエッチング処
理して配線層ＣＣＬの枝部分ＣＣＬ’を露出させて形成
した開口に蒸着あるいはＣＶＤ等で形成される。なお、
この配線層ＣＣＬ（および、枝部分ＣＣＬ’）は共通電
極接続端子ＣＯＭ１の形成と同時に形成するのが好まし
い。
【００２６】本実施例により、アクティブマトリクス基
板の製造工程での薄膜トランジスタあるいはその他の電
極の静電気破壊が著しく低減し、高品質の画像表示が得
られると共に、製造歩留りが大幅に向上する。
板の製造工程での薄膜トランジスタあるいはその他の電
極の静電気破壊が著しく低減し、高品質の画像表示が得
られると共に、製造歩留りが大幅に向上する。
【００２７】図３は本発明による液晶表示装置の第二実
施例を説明するアクティブマトリクス基板の平面図であ
り、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）の右上隅部分の拡
大図である。図１および図２と同一部分には同一符号を
付してあり、ＩＴＯ３はインジウム・チン・オキサイド
を好適とする導体層、ＣＯＭ１はカラーフィルタ基板の
共通電極接続端子と接続するための共通電極接続端子、
ＣＣＬは複数の導体層ＩＴＯ３を共通電極接続端子ＣＯ
Ｍ１に接続する接続配線部分を示す。なお、この実施例
でも共通電極接続端子ＣＯＭ１は基本的には一個あれば
よい。また、図３でもゲート線は図示を省略してある。
施例を説明するアクティブマトリクス基板の平面図であ
り、（ａ）は全体図、（ｂ）は（ａ）の右上隅部分の拡
大図である。図１および図２と同一部分には同一符号を
付してあり、ＩＴＯ３はインジウム・チン・オキサイド
を好適とする導体層、ＣＯＭ１はカラーフィルタ基板の
共通電極接続端子と接続するための共通電極接続端子、
ＣＣＬは複数の導体層ＩＴＯ３を共通電極接続端子ＣＯ
Ｍ１に接続する接続配線部分を示す。なお、この実施例
でも共通電極接続端子ＣＯＭ１は基本的には一個あれば
よい。また、図３でもゲート線は図示を省略してある。
【００２８】導体層ＩＴＯ３はドレイン線のシール材の
外側に延在した部分の間に櫛歯状に形成され、その先端
をアクティブマトリクス基板ＳＵＢ１の側面に位置させ
て避雷針と同様の機能を持たせ、後端を接続配線ＣＣＬ
で共通電極接続端子ＣＯＭ１に接続してある。
外側に延在した部分の間に櫛歯状に形成され、その先端
をアクティブマトリクス基板ＳＵＢ１の側面に位置させ
て避雷針と同様の機能を持たせ、後端を接続配線ＣＣＬ
で共通電極接続端子ＣＯＭ１に接続してある。
【００２９】図４は図３に示したアクティブマトリクス
基板の上辺の側面図であり、（ａ）は図３のＡ部分、
（ｂ）は同Ｂ部分に対応する。図３のＡ部分には（ａ）
に示したように、ドレイン線ＤＬの切断端縁が露呈して
いる。このドレイン線ＤＬの上層に形成された透明保護
膜ＰＳＶ１の上にドレイン線ＤＬの間に位置する如く櫛
歯状に形成された導電層ＩＴＯ３および配線層ＣＣＬが
形成されている。配線層ＣＣＬはアクティブマトリクス
基板の内側方向の端部で共通電極接続端子ＣＯＭ１に電
気的に接続してある。
基板の上辺の側面図であり、（ａ）は図３のＡ部分、
（ｂ）は同Ｂ部分に対応する。図３のＡ部分には（ａ）
に示したように、ドレイン線ＤＬの切断端縁が露呈して
いる。このドレイン線ＤＬの上層に形成された透明保護
膜ＰＳＶ１の上にドレイン線ＤＬの間に位置する如く櫛
歯状に形成された導電層ＩＴＯ３および配線層ＣＣＬが
形成されている。配線層ＣＣＬはアクティブマトリクス
基板の内側方向の端部で共通電極接続端子ＣＯＭ１に電
気的に接続してある。
【００３０】すなわち、本実施例では、避雷針となる導
電層ＩＴＯ３と配線層ＣＣＬが同一面に形成されてい
る。
電層ＩＴＯ３と配線層ＣＣＬが同一面に形成されてい
る。
【００３１】本実施例によっても、アクティブマトリク
ス基板の製造工程での薄膜トランジスタあるいはその他
の電極の静電気破壊が著しく低減し、高品質の画像表示
が得られると共に、製造歩留りが大幅に向上する。
ス基板の製造工程での薄膜トランジスタあるいはその他
の電極の静電気破壊が著しく低減し、高品質の画像表示
が得られると共に、製造歩留りが大幅に向上する。
【００３２】図５は本発明の液晶表示装置を構成するア
クティブマトリクス基板の中間製品すなわち液晶パネル
に切断する前の構成例を説明する平面図である。図中、
ＳＵＢ１−Ｍは一点鎖線で示した切断線ＣＵＴＬＮで切
断されるアクティブマトリクス基板（ＳＵＢ１）を切り
離す前の母基板である。
クティブマトリクス基板の中間製品すなわち液晶パネル
に切断する前の構成例を説明する平面図である。図中、
ＳＵＢ１−Ｍは一点鎖線で示した切断線ＣＵＴＬＮで切
断されるアクティブマトリクス基板（ＳＵＢ１）を切り
離す前の母基板である。
【００３３】この母基板ＳＵＢ１−Ｍの表面には、ｘ方
向（走査方向）に延在し、ｙ方向に併設されたゲート線
ＧＬ（ＧＬ１，ＧＬ２，・・・ＧＬｍ）が形成されてい
る。このゲート線ＧＬの各一端にはゲート端子部ＧＴＭ
を有し、走査駆動信号を供給するゲート駆動回路（ＣＨ
Ｉ）の出力端子が接続される。
向（走査方向）に延在し、ｙ方向に併設されたゲート線
ＧＬ（ＧＬ１，ＧＬ２，・・・ＧＬｍ）が形成されてい
る。このゲート線ＧＬの各一端にはゲート端子部ＧＴＭ
を有し、走査駆動信号を供給するゲート駆動回路（ＣＨ
Ｉ）の出力端子が接続される。
【００３４】上記ゲート線の他端（図中、右側）は、切
断線ＣＵＴＬＭの外側に延在した検査端子２Ｒに接続さ
れている。この検査端子２Ｒと各ゲート端子部ＧＴＭの
間にプローブを順次当接させ、それらの間に流れる電流
を検出することにより、各ゲート線ＧＬ（ＧＬ１，ＧＬ
２，・・・ＧＬｍ）の断線の有無を検査できるようにな
っている。
断線ＣＵＴＬＭの外側に延在した検査端子２Ｒに接続さ
れている。この検査端子２Ｒと各ゲート端子部ＧＴＭの
間にプローブを順次当接させ、それらの間に流れる電流
を検出することにより、各ゲート線ＧＬ（ＧＬ１，ＧＬ
２，・・・ＧＬｍ）の断線の有無を検査できるようにな
っている。
【００３５】なお、各ゲート線ＧＬ（ＧＬ１，ＧＬ２，
・・・ＧＬｍ）のそれぞれの一端側（図中、左側）の切
断線ＣＵＴＬＮの外側に延在された領域にも同様の検査
端子２Ｒと同様の導体パターン２Ｌが形成されている。
この導体パターン２Ｌは検査端子として機能しないが、
これを形成しておくことにより、アクティブマトリクス
基板に形成した薄膜トランジスタ等を静電気から保護す
ることができる。
・・・ＧＬｍ）のそれぞれの一端側（図中、左側）の切
断線ＣＵＴＬＮの外側に延在された領域にも同様の検査
端子２Ｒと同様の導体パターン２Ｌが形成されている。
この導体パターン２Ｌは検査端子として機能しないが、
これを形成しておくことにより、アクティブマトリクス
基板に形成した薄膜トランジスタ等を静電気から保護す
ることができる。
【００３６】上記アクティブマトリクス基板には、ゲー
ト線ＧＬと絶縁されて図中ｙ方向に延在し、ｘ方向に併
設された映像信号線（ドレイン線）ＤＬ（ＤＬ１，ＤＬ
２，・・ＤＬｍ）が形成されている。このドレイン線Ｄ
Ｌの一端（図中の下辺）には、切断線ＣＵＴＬＮの内側
に近接させて端子部ＤＴＭが形成されている。この端子
部ＤＴＭは、映像信号を供給するためのドレイン駆動回
路（ＣＨＩ）の出力端子が接続される。
ト線ＧＬと絶縁されて図中ｙ方向に延在し、ｘ方向に併
設された映像信号線（ドレイン線）ＤＬ（ＤＬ１，ＤＬ
２，・・ＤＬｍ）が形成されている。このドレイン線Ｄ
Ｌの一端（図中の下辺）には、切断線ＣＵＴＬＮの内側
に近接させて端子部ＤＴＭが形成されている。この端子
部ＤＴＭは、映像信号を供給するためのドレイン駆動回
路（ＣＨＩ）の出力端子が接続される。
【００３７】ドレイン線ＤＬのそれぞれの一端側（図
中、上辺）には、各ドレイン線ＤＬのうちの例えば奇数
番目が切断線ＣＵＴＬＮの外側に延在され、切断線ＣＵ
ＴＬＮの外側に形成された検査端子２Ｕに接続されてい
る。また、ドレイン線ＤＬの他端側（図中、下辺）に
は、ドレインＤＬの偶数番目が切断線ＣＵＴＬＮの外側
に延在され、切断線ＣＵＴＬＮの外側に形成された検査
端子２Ｄに接続されている。検査短資２Ｕまたは２Ｄと
の間にプローブを当接させて、その間に流れる電流を検
知することによって隣接するドレイン線間の短絡の有無
を検査することができる。
中、上辺）には、各ドレイン線ＤＬのうちの例えば奇数
番目が切断線ＣＵＴＬＮの外側に延在され、切断線ＣＵ
ＴＬＮの外側に形成された検査端子２Ｕに接続されてい
る。また、ドレイン線ＤＬの他端側（図中、下辺）に
は、ドレインＤＬの偶数番目が切断線ＣＵＴＬＮの外側
に延在され、切断線ＣＵＴＬＮの外側に形成された検査
端子２Ｄに接続されている。検査短資２Ｕまたは２Ｄと
の間にプローブを当接させて、その間に流れる電流を検
知することによって隣接するドレイン線間の短絡の有無
を検査することができる。
【００３８】また、検査端子２Ｒと２ＵあるいはＤにプ
ローブを当接させてその間に流れる電流を検知すること
によって、ドレイン線とゲート線の間の短絡の有無を検
査することができる。
ローブを当接させてその間に流れる電流を検知すること
によって、ドレイン線とゲート線の間の短絡の有無を検
査することができる。
【００３９】切断線ＣＵＴＬＮの四隅にはカラーフィル
タ基板の共通電極と接続するための共通電極接続端子Ｃ
ＯＭ１がそれぞれ形成されている。また、切断線ＣＵＴ
ＬＮの上辺には前記実施例で説明した導体層ＩＴＯ３
と、この導体層ＩＴＯ３を共通電極接続端子ＣＯＭ１に
接続するための配線層ＣＣＬが形成されている。
タ基板の共通電極と接続するための共通電極接続端子Ｃ
ＯＭ１がそれぞれ形成されている。また、切断線ＣＵＴ
ＬＮの上辺には前記実施例で説明した導体層ＩＴＯ３
と、この導体層ＩＴＯ３を共通電極接続端子ＣＯＭ１に
接続するための配線層ＣＣＬが形成されている。
【００４０】図５では、静電気がドレイン線ＤＬに入り
込むのを抑制する導体層ＩＴＯ３を切断線ＣＵＴＬＮの
上辺にのみ形成したが、下辺にも同様に形成でき、ま
た、ゲート線側（図中、左右側の少なくとも一方）にも
形成することもできる。なお、図示していないが、カラ
ーフィルタ基板とを貼り合わせるためのシール材は導体
層ＩＴＯ３の内側に位置するように塗布される。
込むのを抑制する導体層ＩＴＯ３を切断線ＣＵＴＬＮの
上辺にのみ形成したが、下辺にも同様に形成でき、ま
た、ゲート線側（図中、左右側の少なくとも一方）にも
形成することもできる。なお、図示していないが、カラ
ーフィルタ基板とを貼り合わせるためのシール材は導体
層ＩＴＯ３の内側に位置するように塗布される。
【００４１】このように構成したことにより、ドレイン
線とゲート線の交差部に配置された薄膜トランジスタ等
のスイッチング素子ＮＲの破壊や当該ドレイン線等の各
種配線、電極の断線あるいは抵抗増大を防止できる。
線とゲート線の交差部に配置された薄膜トランジスタ等
のスイッチング素子ＮＲの破壊や当該ドレイン線等の各
種配線、電極の断線あるいは抵抗増大を防止できる。
【００４２】次に、本発明によるアクティブマトリクス
基板を用いた液晶パネルで構成した液晶表示装置の詳細
について説明する。
基板を用いた液晶パネルで構成した液晶表示装置の詳細
について説明する。
【００４３】図６は本発明を適用した液晶表示装置の一
画素とその周辺の構成を説明する平面図である。各画素
は隣接する２本のゲート線ＧＬ（図中、ゲートラインＧ
Ｌ（ｇ２））と、隣接する２本のドレイン線ＤＬ（デー
タラインＤＬ（ｄ２，ｄ３））との交差領域内（４本の
信号線で囲まれた領域内）に配置されている。
画素とその周辺の構成を説明する平面図である。各画素
は隣接する２本のゲート線ＧＬ（図中、ゲートラインＧ
Ｌ（ｇ２））と、隣接する２本のドレイン線ＤＬ（デー
タラインＤＬ（ｄ２，ｄ３））との交差領域内（４本の
信号線で囲まれた領域内）に配置されている。
【００４４】各画素はスイッチング素子である薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ（２つの薄膜トランジスタＴＦＴ１とＴ
ＦＴ２で構成されている）、透明画素電極ＩＴＯ１およ
び付加容量（保持容量素子）Ｃａｄｄを含む。ゲート線
ＧＬはｘ方向（列方向）に延在し、ｙ方向（行方向）に
複数本配置されている。ドレイン線ＤＬはｙ方向に延在
し、ｘ方向に複数本配置されている。
ンジスタＴＦＴ（２つの薄膜トランジスタＴＦＴ１とＴ
ＦＴ２で構成されている）、透明画素電極ＩＴＯ１およ
び付加容量（保持容量素子）Ｃａｄｄを含む。ゲート線
ＧＬはｘ方向（列方向）に延在し、ｙ方向（行方向）に
複数本配置されている。ドレイン線ＤＬはｙ方向に延在
し、ｘ方向に複数本配置されている。
【００４５】ゲート線ＧＬにはゲート電極ＧＴ（ｇ２）
が接続され、ドレイン線ＤＬにはドレイン電極（ＳＤ２
（ｄ２，ｄ３）が接続される。また、ＩＴＯ１（ｄ１）
は画素電極で、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
（ＳＤ１（ｄ２，ｄ３）に接続されている。なお、ＡＳ
は非晶質Ｓｉ層を示し、ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｇ２は導体
層を示す。
が接続され、ドレイン線ＤＬにはドレイン電極（ＳＤ２
（ｄ２，ｄ３）が接続される。また、ＩＴＯ１（ｄ１）
は画素電極で、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極
（ＳＤ１（ｄ２，ｄ３）に接続されている。なお、ＡＳ
は非晶質Ｓｉ層を示し、ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｇ２は導体
層を示す。
【００４６】図中、カラーフィルタＦＩＬとブラックマ
トリクスＢＭはカラーフィルタ基板に形成されたもの
で、この図ではその配置位置を示すために示してある。
トリクスＢＭはカラーフィルタ基板に形成されたもの
で、この図ではその配置位置を示すために示してある。
【００４７】図７はアクティブマトリクス基板とカラー
フィルタ基板を貼り合わせて両者の間に液晶を封入した
液晶表示装置の構造例を説明する要部断面図であり、
（ａ）と（ｂ）は端部領域、（ｂ）は薄膜トランジスタ
を有する表示領域の一部分を示す。
フィルタ基板を貼り合わせて両者の間に液晶を封入した
液晶表示装置の構造例を説明する要部断面図であり、
（ａ）と（ｂ）は端部領域、（ｂ）は薄膜トランジスタ
を有する表示領域の一部分を示す。
【００４８】アクティブマトリクス基板ＳＵＢ１の内面
には、前記した薄膜トランジスタＴＦＴおよび各種の配
線、電極、および絶縁膜等が形成され、その最上層の液
晶ＳＬと接する面に下配向膜ＯＲＩ１が形成されてい
る。なお、ＰＯＬ１は下偏光板、ＳＩＯはアクティブマ
トリクス基板ＳＵＢ１であるガラス板の表面を平滑にす
るための酸化シリコン膜である、この酸化シリコン膜Ｓ
ＩＯは必ずしも必要ない。また、ＡＯＦは絶縁膜、ｇ
１，ｇ２，ｄ１，ｄ２，ｄ３は導体層を示す。
には、前記した薄膜トランジスタＴＦＴおよび各種の配
線、電極、および絶縁膜等が形成され、その最上層の液
晶ＳＬと接する面に下配向膜ＯＲＩ１が形成されてい
る。なお、ＰＯＬ１は下偏光板、ＳＩＯはアクティブマ
トリクス基板ＳＵＢ１であるガラス板の表面を平滑にす
るための酸化シリコン膜である、この酸化シリコン膜Ｓ
ＩＯは必ずしも必要ない。また、ＡＯＦは絶縁膜、ｇ
１，ｇ２，ｄ１，ｄ２，ｄ３は導体層を示す。
【００４９】一方、カラーフィルタ基板ＳＵＢ２の内面
には、共通電極ＩＴＯ２（ＣＯＭ）、ブラックマトリク
スＢＭ、３色のカラーフィルタＦＩＬ（図では、緑フィ
ルタＦＩＬ（Ｇ）のみを示す）、透明保護膜ＰＳＶ２が
形成され、最上層に配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
また、その表面には上偏光板ＰＯＬ２が形成されてい
る。アクティブマトリクス基板ＳＵＢ１と同様に、カラ
ーフィルタ基板ＳＵＢ２の表面には酸化シリコン膜ＳＩ
Ｏが形成されているが、この酸化シリコン膜ＳＩＯも必
ずしも必要としない。
には、共通電極ＩＴＯ２（ＣＯＭ）、ブラックマトリク
スＢＭ、３色のカラーフィルタＦＩＬ（図では、緑フィ
ルタＦＩＬ（Ｇ）のみを示す）、透明保護膜ＰＳＶ２が
形成され、最上層に配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
また、その表面には上偏光板ＰＯＬ２が形成されてい
る。アクティブマトリクス基板ＳＵＢ１と同様に、カラ
ーフィルタ基板ＳＵＢ２の表面には酸化シリコン膜ＳＩ
Ｏが形成されているが、この酸化シリコン膜ＳＩＯも必
ずしも必要としない。
【００５０】同図（ａ）と（ｃ）に示したシール材は例
えばエポキシ樹脂からなり、共通電極接続線に共通電極
電圧を供給する配線ＩＮＴに連結する共通電極接続端子
ＣＯＭ１（図示せず）とカラーフィルタ基板ＳＳＵＢ２
のＩＴＯ２（ＣＯＭ）に連結する共通電極接続端子ＣＯ
Ｍ２（図示せず）の間に導電性材としての銀ペーストＡ
ＧＰが介在されている。
えばエポキシ樹脂からなり、共通電極接続線に共通電極
電圧を供給する配線ＩＮＴに連結する共通電極接続端子
ＣＯＭ１（図示せず）とカラーフィルタ基板ＳＳＵＢ２
のＩＴＯ２（ＣＯＭ）に連結する共通電極接続端子ＣＯ
Ｍ２（図示せず）の間に導電性材としての銀ペーストＡ
ＧＰが介在されている。
【００５１】図８は本発明の液晶表示装置を用いた液晶
表示モジュールの各構成部品を示す分解斜視図である。
ＳＨＤは上フレーム、ＷＤはその表示窓、ＰＮＬは液晶
パネル、ＳＰＳは光拡散板、ＧＬＢは導光体、ＲＦＳは
反射板、ＢＬはバックライト、ＭＣＡは下フレーム）で
あり、図に示すような上下の配置関係で各部材が積み重
ねられて所謂液晶表示モジュールＭＤＬが組み立てられ
る。
表示モジュールの各構成部品を示す分解斜視図である。
ＳＨＤは上フレーム、ＷＤはその表示窓、ＰＮＬは液晶
パネル、ＳＰＳは光拡散板、ＧＬＢは導光体、ＲＦＳは
反射板、ＢＬはバックライト、ＭＣＡは下フレーム）で
あり、図に示すような上下の配置関係で各部材が積み重
ねられて所謂液晶表示モジュールＭＤＬが組み立てられ
る。
【００５２】液晶表示モジュールＭＤＬは上フレームＳ
ＨＤに設けられた爪と下フレームに形成したフックによ
って全体が固定されるようになっている。
ＨＤに設けられた爪と下フレームに形成したフックによ
って全体が固定されるようになっている。
【００５３】上フレームＳＨＤの周辺には駆動回路基板
（ゲート側回路基板、ドレイン側回路基板）ＰＣＢ１，
ＰＣＢ２、インタフェース回路基板ＰＣＢ３がテープキ
ャリアパッドＴＣＰ１，ＴＣＰ２、あるいはジョイナＪ
Ｎ１，ＪＮ２，ＪＮ３で液晶パネルＰＭＬおよび回路基
板相互間が接続されている。
（ゲート側回路基板、ドレイン側回路基板）ＰＣＢ１，
ＰＣＢ２、インタフェース回路基板ＰＣＢ３がテープキ
ャリアパッドＴＣＰ１，ＴＣＰ２、あるいはジョイナＪ
Ｎ１，ＪＮ２，ＪＮ３で液晶パネルＰＭＬおよび回路基
板相互間が接続されている。
【００５４】下フレームＭＣＡは、その開口ＭＯにバッ
クライトＢＬを構成する光拡散シートＳＰＳ、導光体Ｇ
ＬＢ、反射板ＲＦＳを収納する形状になっている。な
お、導光体ＧＬＢの側面には線状ランプが配置されるが
図示を省略してある。この線状ランプから出射される光
を導光体ＧＬＢ、反射板ＲＦＳ、光拡散板ＳＰＳにより
表示面で一様な照明光として液晶表示パネルＰＮＬ側に
出射する。なお、ＬＳはバックライト蛍光管ＬＰに備え
た反射シートである。
クライトＢＬを構成する光拡散シートＳＰＳ、導光体Ｇ
ＬＢ、反射板ＲＦＳを収納する形状になっている。な
お、導光体ＧＬＢの側面には線状ランプが配置されるが
図示を省略してある。この線状ランプから出射される光
を導光体ＧＬＢ、反射板ＲＦＳ、光拡散板ＳＰＳにより
表示面で一様な照明光として液晶表示パネルＰＮＬ側に
出射する。なお、ＬＳはバックライト蛍光管ＬＰに備え
た反射シートである。
【００５５】このバックライトＢＬと液晶パネルＰＮＬ
の間には照明光に進路を調整するためのプリズムシート
ＰＲＳが遮光スペーサＩＬＳを介して積層されている。
の間には照明光に進路を調整するためのプリズムシート
ＰＲＳが遮光スペーサＩＬＳを介して積層されている。
【００５６】図９は本発明による液晶表示装置の実装例
を説明するノート型コンピユータの斜視図である。この
ノート型コンピユータ（可搬型パソコン）はキーボード
部（本体部）と、このキーボード部にヒンジで連結した
表示部から構成される。キーボード部にはキーボードと
ホスト（ホストコンピュータ）、ＣＰＵ等の信号生成機
能を収納し、表示部には前記図８で説明した液晶表示モ
ジュールが実装され、その表示面を構成する液晶パネル
ＰＮＬが露出されている。そして、この液晶パネルＰＮ
Ｌの周辺に駆動回路基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２、コントロ
ールチップＴＣＯＮを搭載したＰＣＢ、およびバックラ
イト電源であるインバータ電源基板ＩＶなどが実装され
る。
を説明するノート型コンピユータの斜視図である。この
ノート型コンピユータ（可搬型パソコン）はキーボード
部（本体部）と、このキーボード部にヒンジで連結した
表示部から構成される。キーボード部にはキーボードと
ホスト（ホストコンピュータ）、ＣＰＵ等の信号生成機
能を収納し、表示部には前記図８で説明した液晶表示モ
ジュールが実装され、その表示面を構成する液晶パネル
ＰＮＬが露出されている。そして、この液晶パネルＰＮ
Ｌの周辺に駆動回路基板ＦＰＣ１，ＦＰＣ２、コントロ
ールチップＴＣＯＮを搭載したＰＣＢ、およびバックラ
イト電源であるインバータ電源基板ＩＶなどが実装され
る。
【００５７】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種
々の変更が可能である。
のではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種
々の変更が可能である。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ドレイン線に侵入しようとする静電気を効果的に吸収す
ることによって、薄膜トランジスタ等のスイッチング素
子の破壊やその他の配線の断線を防止し、高品質の画像
表示を可能とした信頼性の高い液晶表示装置を提供でき
る。
ドレイン線に侵入しようとする静電気を効果的に吸収す
ることによって、薄膜トランジスタ等のスイッチング素
子の破壊やその他の配線の断線を防止し、高品質の画像
表示を可能とした信頼性の高い液晶表示装置を提供でき
る。
【図１】本発明による液晶表示装置の第一実施例を説明
するアクティブマトリクス基板の平面図である。
するアクティブマトリクス基板の平面図である。
【図２】図１に示したアクティブマトリクス基板の上辺
の側面図である。
の側面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の第二実施例を説明
するアクティブマトリクス基板の平面図である。
するアクティブマトリクス基板の平面図である。
【図４】図３に示したアクティブマトリクス基板の上辺
の側面図である。
の側面図である。
【図５】本発明の液晶表示装置を構成するアクティブマ
トリクス基板の中間製品すなわち液晶パネルに切断する
前の構成例を説明する平面図である。
トリクス基板の中間製品すなわち液晶パネルに切断する
前の構成例を説明する平面図である。
【図６】本発明を適用した液晶表示装置の一画素とその
周辺の構成を説明する平面図である。
周辺の構成を説明する平面図である。
【図７】アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基
板を貼り合わせて両者の間に液晶を封入した液晶表示装
置の構造例を説明する要部断面図である。
板を貼り合わせて両者の間に液晶を封入した液晶表示装
置の構造例を説明する要部断面図である。
【図８】本発明の液晶表示装置を用いた液晶表示モジュ
ールの各構成部品を示す分解斜視図である。
ールの各構成部品を示す分解斜視図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の実装例を説明する
ノート型コンピユータの斜視図である。
ノート型コンピユータの斜視図である。
【図１０】従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装
置を構成するアクティブマトリクス基板の要部電極パタ
ーンを説明する上面図である。
置を構成するアクティブマトリクス基板の要部電極パタ
ーンを説明する上面図である。
【図１１】図１０の上辺Ｃの側面Ｃの一部の構造を説明
する要部側面図である。
する要部側面図である。
ＳＵＢ１ アクティブマトリクス基板 ＳＵＢ２ カラーフィルタ基板 ＳＬ シール材 ＤＬ ドレイン線 ＩＴＯ３ 導体層 ＣＯＭ１ 共通電極接続端子 ＣＣＬ 接続配線。
Claims (2)
- 【請求項１】表示領域に形成された画素を選択するため
の多数のスイッチング素子と、このスイッチング素子に
駆動信号を印加するための多数の走査信号線、多数の映
像信号線、画素電極および共通電極接続端子とを有する
アクティブマトリクス基板と前記画素を構成する共通電
極を有するカラーフィルタ基板とを液晶層を介して貼り
合わせ、前記共通電極接続端子と前記共通電極とを導電
性ペーストを介して接続すると共に前記表示領域の外周
をシール材を挟持して固定した液晶表示装置であって、 前記アクティブマトリクス基板の側面に切断端縁が露呈
した前記映像信号線の上層に絶縁層を介して形成された
多数の導電層と、これらの導電層を前記共通電極接続端
子に接続する配線層とを具備したことを特徴とする液晶
表示装置。 - 【請求項２】前記導体層を前記多数の映像信号線間に相
当する位置に、当該映像信号線の長手方向と平行する如
き線状に形成したことを特徴とする請求項１に記載の液
晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10329666A JP2000155329A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 液晶表示装置 |
| US09/443,107 US6346976B1 (en) | 1998-11-19 | 1999-11-18 | Liquid crystal display device |
| TW088120175A TW554226B (en) | 1998-11-19 | 1999-11-18 | Liquid crystal display device |
| KR1019990051567A KR20010047373A (ko) | 1998-11-19 | 1999-11-19 | 액정표시장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10329666A JP2000155329A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000155329A true JP2000155329A (ja) | 2000-06-06 |
Family
ID=18223915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10329666A Pending JP2000155329A (ja) | 1998-11-19 | 1998-11-19 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
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