KR20100003051A - 반도체 메모리 소자 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (18)
- 컬럼 커맨드 신호를 동작 주파수에 대응하는 만큼 지연시켜 리셋 제어신호로서 생성하기 위한 리셋신호 생성수단;상기 컬럼 커맨드 신호와 상기 리셋 제어신호에 의하여 활성화 구간이 정의되고, 컬럼선택신호의 펄스 폭을 결정하는 출력신호를 생성하기 위한 펄스 폭 결정수단; 및상기 펄스 폭 결정수단의 출력신호에 응답하고, 해당하는 컬럼 어드레스에 대응하는 상기 컬럼선택신호를 생성하기 위한 어드레스 디코딩수단을 구비하는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,상기 리셋신호 생성수단은,상기 컬럼 커맨드 신호를 입력받기 위한 커맨드신호 입력부와,상기 커맨드신호 입력부의 출력신호를 클럭신호 따라 쉬프팅하여 리셋 제어신호로서 생성하기 위한 쉬프팅부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제2항에 있어서,상기 클럭신호는 상기 동작 주파수에 대응하는 외부클럭신호인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제3항에 있어서,상기 쉬프팅부는 입력되는 신호를 상기 외부클럭신호의 2 tCK 만큼 지연하여 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제2항에 있어서,상기 쉬프팅부는,각각에 입력되는 신호를 상기 클럭신호에 응답하여 출력하기 위한 다수의 동기화부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,상기 펄스 폭 결정수단의 출력신호는 상기 컬럼 커맨드 신호에 응답하여 활성화되고, 상기 리셋 제어신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,상기 펄스 폭 결정수단은,상기 컬럼 커맨드 신호에 응답하여 셋 제어신호를 생성하기 위한 셋 제어신호 생성부;상기 셋 제어신호에 응답하여 예정된 펄스 폭을 갖는 셋 펄스신호를 생성하기 위한 셋 펄스 생성부;상기 리셋신호에 응답하여 예정된 펄스 폭을 갖는 리셋 펄스신호를 생성하기 위한 리셋 펄스 생성부; 및상기 셋 펄스신호와 상기 리셋 펄스신호에 응답하여 펄스 결정신호를 출력하기 위한 펄스 결정신호 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제7항에 있어서,상기 펄스 결정신호는 상기 셋 펄스신호에 응답하여 활성화되고, 상기 리셋 펄스신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제7항에 있어서,상기 펄스 결정신호 출력부는 외부전원전압을 감지하여 활성화되는 파워업신호에 응답하여 초기화되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제7항에 있어서,상기 컬럼선택신호는 상기 펄스 결정신호와 동일한 펄스 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제7항에 있어서,상기 컬럼선택신호는 상기 펄스 결정신호에 해당하는 컬럼 어드레스가 반영된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 컬럼 커맨드 신호에 응답하여 제1 제어신호를 생성하기 위한 제1 제어신호 생성수단;상기 제1 제어신호를 동작 주파수에 대응하는 만큼 지연시켜 제2 제어신호로서 생성하기 위한 제2 제어신호 생성수단;상기 제1 및 제2 제어신호에 의하여 활성화 구간이 정의되고, 컬럼선택신호 의 펄스 폭을 결정하는 펄스 결정신호를 출력하기 위한 펄스 결정신호 출력수단; 및상기 펄스 폭 결정수단의 출력신호에 응답하고, 해당하는 컬럼 어드레스에 대응하는 상기 컬럼선택신호를 생성하기 위한 컬럼선택신호 생성수단을 구비하는 반도체 메모리 소자.
- 제12항에 있어서,상기 제2 제어신호 생성수단은,상기 제1 제어신호를 클럭신호 따라 쉬프팅하여 상기 제2 제어신호로서 생성하기 위한 다수의 동기화부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제13항에 있어서,상기 클럭신호는 상기 동작 주파수에 대응하는 외부클럭신호인 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제14항에 있어서,상기 제2 제어신호 생성수단은 제1 제어신호를 상기 외부클럭신호의 2 tCK 만큼 지연하여 출력하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제12항에 있어서,상기 펄스 결정신호는 상기 제1 제어신호에 응답하여 활성화되고, 상기 제2 제어신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제12항에 있어서,상기 컬럼선택신호는 상기 펄스 결정신호와 동일한 펄스 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
- 제12항에 있어서,상기 컬럼선택신호는 상기 펄스 결정신호에 해당하는 컬럼 어드레스가 반영된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자.
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