KR20070083123A - 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스 - Google Patents

Abstract

본 발명은 절연층의 전하 차징을 억제할 수 있도록 절연층과 전극들의 개구부 형상을 개선한 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 기판과, 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과, 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 상부에서 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 게이트 전극들과, 제2 절연층을 사이에 두고 제1 절연층과 게이트 전극들 상부에 위치하는 집속 전극을 포함한다. 이때 제1 절연층, 게이트 전극들, 제2 절연층 및 집속 전극은 전자 방출부 개방을 위해 서로 연통되는 각자의 개구부를 형성하고, 이 개구부들은 하기 조건을 동시에 만족하도록 형성된다.

W1>W2 ---(1), W3>W4 ---(2)

여기서, W1과 W2는 각각 제1 절연층의 개구부 폭과 게이트 전극의 개구부 폭을 나타내고, W3과 W4는 각각 제2 절연층의 개구부 폭과 집속 전극의 개구부 폭을 나타낸다.

제1절연층, 제2절연층, 캐소드전극, 전자방출부, 게이트전극, 집속전극

Description

전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스 {ELECTRON EMISSION DEVICE AND ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE USING THE SAME}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 3은 본 발명의 첫 번째 변형예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 4는 본 발명의 두 번째 변형예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

본 발명은 전자 방출 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 절연층의 전하 차징을 억제할 수 있도록 절연층과 전극들의 개구부 형상을 개선한 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다.

일반적으로 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.

이 중 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극으로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 구성 물질로 일 함수가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 탄소와 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.

전자 방출 소자는 제1 기판에 어레이를 이루며 배치되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 제2 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.

전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 복수의 구동 전극들을 구비하여 화소 단위로 제2 기판을 향해 의도한 양의 전자들을 방출시키고, 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 하게 된다.

통상의 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스는 제1 기판 위에 캐소드 전극들과 절연층 및 게이트 전극들이 순차적으로 형성되고, 게이트 전극들과 절연층에 개구부가 형성되어 캐소드 전극의 표면 일부를 노출시키며, 개구부 내측으로 캐소드 전극들 위에 전자 방출부가 배치된 구성으로 이루어진다.

또한 전술한 구조에서 전자빔 집속을 위하여 게이트 전극들 상부에 추가 절연층과 집속 전극이 위치할 수 있다. 집속 전극은 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 직류 전압을 인가받으며, 집속 전극의 개구부를 통과하는 전자들에 반발력을 부여하여 이 전자들을 전자빔 다발의 중심부로 집속시킨다.

한편, 전자 방출 표시 디바이스는 밀봉 초기에 대략 10^-6 Torr의 진공도를 유지하지만, 밀봉 후 내부 구조물의 가스 방출 등으로 인해 그 내부에 잔류 가스가 존재하게 된다. 잔류 가스들은 전자 방출부에서 방출된 전자들에 의해 이온화되고, 이온화된 가스는 전자를 방출하며, 이 전자가 다시 잔류 가스를 이온화시키는 과정이 반복되면서 표시 디바이스 내부에 아크 방전이 발생할 수 있다.

아크 방전은 애노드 전극의 고전압 인가를 방해하여 화면의 휘도 향상을 어렵게 하고, 내부 구조물을 파괴시켜 제품 불량을 유발한다. 이러한 아크 방전은 여러 가지 원인에 기인하지만, 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 표시 디바이스의 경우 진공으로 노출된 절연층 표면의 전하 차징이 아크 방전의 주요한 원인으로 보고되고 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 진공으로 노출되는 절연층의 표면적을 최소화하여 디바이스 구동시 아크 방전을 억제할 수 있는 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

기판과, 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과, 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 상부에서 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 게이트 전극들과, 제2 절연층을 사이에 두고 제1 절연층과 게이트 전극들 상부에 위치하는 집속 전극을 포함한다. 이때 제1 절연층, 게이트 전극들, 제2 절연층 및 집속 전극은 전자 방출부 개방을 위해 서로 연통되는 각자의 개구부를 형성하고, 이 개구부들이 하기 조건을 동시에 만족하도록 형성되는 전자 방출 디바이스를 제공한다.

W1>W2 ---(1), W3>W4 ---(2)

여기서, W1과 W2는 각각 제1 절연층의 개구부 폭과 게이트 전극의 개구부 폭을 나타내고, W3과 W4는 각각 제2 절연층의 개구부 폭과 집속 전극의 개구부 폭을 나타낸다.

상기 W1, W2, W3 및 W4는 동일한 방향을 따라 측정된 폭으로서, 일례로 캐소드 전극들과 게이트 전극들 중 어느 한 전극들의 길이 방향을 따라 측정된 폭으로 정의할 수 있다.

상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층은 수직한 측벽의 개구부를 형성할 수 있다.

또한, 제1 절연층과 제2 절연층은 제1 기판으로부터 멀어질수록 폭이 커지거나 작아지는 개구부를 형성할 수 있고, 이때 상기 W1과 W3은 각각 제1 절연층 개구부와 제2 절연층 개구부의 최소 폭을 나타낼 수 있다.

또한, 제2 절연층 개구부와 집속 전극 개구부는 캐소드 전극들과 게이트 전극들의 교차 영역마다 하나씩 형성될 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과, 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과, 제1 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극들 상부에서 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 게이트 전극들과, 제2 절연층을 사이에 두고 제1 절연층과 게이트 전극들 상부에 위치하는 집속 전극과, 제2 기판의 일면에 형성되는 형광층들과, 형광층들의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 제1 절연층, 게이트 전극들, 제2 절연층 및 집속 전극이 전자 방출부 개방을 위해 서로 연통되는 각자의 개구부를 형성하고, 하기 조건을 동시에 만족하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.

W1>W2 ---(1), W3>W4 ---(2)

여기서, W1과 W2는 각각 제1 절연층의 개구부 폭과 게이트 전극의 개구부 폭을 나타내고, W3과 W4는 각각 제2 절연층의 개구부 폭과 집속 전극의 개구부 폭을 나타낸다.

이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이다.

도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 내부 공간이 대략 10^-6 Torr의 진공도로 배기되어 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.

상기 제1 기판(2) 중 제2 기판(4)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되어 제1 기판(2)과 함께 전자 방출 디바이스(100)를 구성하고, 전자 방출 디바이스(100)가 제2 기판(4) 및 제2 기판(4)에 제공된 발광 유닛(110)과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.

먼저, 제1 기판(2) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(6)이 제1 기판(2)의 일 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(8)이 형성된다. 제1 절연층(8) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(10)이 캐소드 전극(6)과 직교하는 방향을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극들(6) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(12)가 형성된다. 그리고 제1 절연층(8)과 게이트 전극(10)에는 각 전자 방출부(12)에 대응하는 개구부(81,101)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(12)가 노출되도록 한다.

전자 방출부(12)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어질 수 있다. 전자 방출부(12)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 탄소, C₆₀, 실리콘 나노와이어 또는 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 전자 방출부(12)의 제조법으로는 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.

다른 한편으로, 전자 방출부는 몰리브덴(Mo) 또는 실리콘(Si) 등을 주 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁 구조물로 이루어질 수 있다.

도면에서는 전자 방출부들(12)이 원형으로 형성되고, 각 화소 영역에서 캐소드 전극(6)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였다. 그러나 전자 방출부(12)의 평면 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.

그리고 게이트 전극들(10)과 제1 절연층(8) 위로 제3 전극인 집속 전극(14)이 형성된다. 집속 전극(14) 하부에는 제2 절연층(16)이 위치하여 게이트 전극(10)과 집속 전극(14)을 절연시키며, 집속 전극(14)과 제2 절연층(16)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(141,161)가 마련된다.

집속 전극은 전자 방출부(12)마다 이에 대응하는 하나의 개구부를 형성하여 각 전자 방출부(12)에서 방출되는 전자들을 개별적으로 집속하거나, 화소 영역마다 하나의 개구부를 형성하여 하나의 화소 영역에서 방출되는 전자들을 포괄적으로 집속할 수 있다. 도 1에서는 두 번째 경우를 도시하였다.

본 실시예에서 제1 절연층(8)과 제2 절연층(16)은 진공으로 노출되는 표면적을 최소화하여 표면의 전하 차징에 의한 아크 방전을 억제하는 구조로 이루어진다. 이를 위해 본 실시예에서 제1 절연층(8)과 게이트 전극(10), 제2 절연층(16)과 집속 전극(14)은 하기 조건을 만족하도록 형성된다.

여기서, W1과 W2는 각각 제1 절연층(8)의 개구부(81) 폭과 게이트 전극(10)의 개구부(101) 폭을 나타내고, W3과 W4는 각각 제2 절연층(16)의 개구부(161) 폭과 집속 전극(14)의 개구부(141) 폭을 나타낸다. 이때 각 개구부들의 폭은 모두가 동일한 방향을 따라 측정된 것이며, 일례로 캐소드 전극(6)의 길이 방향 또는 게이트 전극(10)의 길이 방향을 따라 측정된 폭으로 정의할 수 있다.

이와 같이 게이트 전극(10)이 제1 절연층(8) 위에서 제1 절연층 개구부(81)보다 작은 폭의 개구부(101)를 형성하고, 집속 전극(14)이 제2 절연층(16) 위에서 제2 절연층 개구부(161)보다 작은 폭의 개구부(141)를 형성함에 따라, 제1 절연층(8)과 제2 절연층(161)은 개구부 측벽을 제외하고 그 윗면이 진공으로 노출되지 않는다.

따라서 제1 절연층(8)과 제2 절연층(16)은 표시 디바이스 구동시 제2 기판(4)을 향한 윗면이 전극으로 덮여 전하로 차징되지 않음으로 인해 표면 대전으로 인한 아크 방전을 효과적으로 예방할 수 있다.

다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(18), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(18R,18G,18B)이 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(18) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(20)이 형성된다. 형광층(18)은 제1 기판(2)에 설정되는 화소 영역에 한가지 색의 형광층(18R,18G,18B)이 대응하도록 위치한다.

형광층(18)과 흑색층(20) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(22)이 형성된다. 애노드 전극(22)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(18)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 휘도를 높인다.

한편 애노드 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(4)을 향한 형광층(18)과 흑색층(20)의 일면에 위치한다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 금속막과 투명 도전막을 동시에 형성하는 구조도 가능하다.

그리고 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고 두 기판의 간격을 일정하게 유지시키는 스페이서들(24)이 배치된다. 스페이서들(24)은 형광층(18)을 침범하지 않도록 흑색층(20)에 대응하여 위치한다. 도 1에서는 편의상 하나의 막대형 스페이서를 도시하였다.

전술한 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극들(6), 게이트 전극들(10), 집속 전극(14) 및 애노드 전극(22)에 소정의 전압을 공급하여 구 동한다.

일례로 캐소드 전극들(6)과 게이트 전극들(10) 중 어느 한 전극들이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극들로 기능하고, 다른 한 전극들이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극들로 기능한다. 그리고 집속 전극(14)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(22)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받는다.

그러면 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 전압 차가 임계치 이상인 화소 영역들에서 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극(14)의 개구부(141)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되고, 애노드 전극(22)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 화소 영역의 형광층에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.

전술한 구동 과정에서, 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스는 제2 기판(4)을 향한 제1 절연층(8)의 윗면과 제2 기판(4)을 향한 제2 절연층(16)의 윗면을 진공 중에 노출시키지 않음으로써 그 부위에 전하가 차징되는 것을 방지할 수 있다.

따라서 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스는 제1 및 제2 절연층(8,16)의 전하 차징에 의한 아크 방전 발생을 억제하여 내부 구조물의 손상을 예방할 수 있다.

한편, 도 1과 도 2에서는 제1 절연층(8)의 개구부(81)와 제2 절연층(16)의 개구부(161)가 수직한 측벽을 형성하는 경우를 도시하였으나, 제1 절연층(8)의 개 구부(81)와 제2 절연층(16)의 개구부(161)는 경사진 측벽을 형성할 수 있다.

도 3과 도 4는 각각 본 발명의 첫 번째 변형예와 두 번째 변형예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 3과 도 4를 참고하면, 제1 절연층 개구부(82,83)와 제2 절연층 개구부(162,163)는 제1 기판(2)의 두께 방향을 따라 가변되는 폭을 가지며, 이 경우 전술한 수식의 W1과 W3은 각각 제1 절연층 개구부(82,83)의 최소 폭과 제2 절연층 개구부(162,163)의 최소 폭으로 정의된다.

먼저, 도 3에서는 제1 절연층 개구부(82)와 제2 절연층 개구부(162)가 제1 기판(2)으로부터 멀어질수록 폭이 커지는 경우를 도시하였다. 이때 W1은 제1 절연층 개구부(82)의 하단 폭으로 정의되고, W3은 제2 절연층 개구부(162)의 하단 폭으로 정의된다.

도 4에서는 제1 절연층 개구부(83)와 제2 절연층 개구부(163)가 제1 기판(2)으로부터 멀어질수록 폭이 작아지는 경우를 도시하였다. 이때 W1은 제1 절연층 개구부(83)의 상단 폭으로 정의되고, W3은 제2 절연층 개구부(163)의 상단 폭으로 정의된다.

이와 같이 제1 절연층 개구부(82,83)와 제2 절연층 개구부(162,163)가 경사진 측벽을 형성하는 경우에도 게이트 전극(10)이 제1 절연층(8) 위에서 제1 절연층 개구부(82,83)의 최소 폭보다 작은 폭의 개구부(101)를 형성하고, 집속 전극(14)이 제2 절연층(16) 위에서 제2 절연층 개구부(162,163)의 최소 폭보다 작은 폭의 개구부(141)를 형성함에 따라, 제1 절연층(8)과 제2 절연층(16)은 개구부 측벽을 제외 하고 그 윗면이 진공으로 노출되지 않는다.

특히 도 4에 도시한 전자 방출 표시 디바이스의 경우, 게이트 전극(10)이 전자 방출부(12)와 보다 작은 간격을 두고 위치하므로 전자 방출부(12)의 에미션 효율이 높아지고, 집속 전극(14)이 전자빔 경로와 보다 가깝게 위치하여 집속 전극(14)의 전자빔 집속 효율이 높아지는 장점이 예상된다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 제1 절연층 표면과 제2 절연층 표면의 전하 차징을 방지하고, 전자빔 경로 왜곡과 아크 방전 발생을 억제할 수 있다. 따라서 본 발명에 의한 전자 방출 표시 디바이스는 타색 발광을 방지하고, 진공 용기 내부의 전자 방출 구조물과 구동 회로부 등의 손상을 방지하는 효과가 있다.

Claims (8)

1. 기판과;

   상기 기판 위에 형성되는 캐소드 전극들과;

   상기 캐소드 전극에 전기적으로 연결되는 전자 방출부들과;

   제1 절연층을 사이에 두고 상기 캐소드 전극들 상부에서 캐소드 전극들과 교차하는 방향을 따라 형성되는 게이트 전극들, 및

   제2 절연층을 사이에 두고 상기 제1 절연층과 상기 게이트 전극들 상부에 위치하는 집속 전극을 포함하며,

   상기 제1 절연층, 게이트 전극들, 제2 절연층 및 집속 전극이 상기 전자 방출부 개방을 위해 서로 연통되는 각자의 개구부를 형성하고, 하기 조건을 동시에 만족하는 전자 방출 디바이스.

   W1>W2 ---(1), W3>W4 ---(2)

   여기서, W1과 W2는 각각 상기 제1 절연층의 개구부 폭과 상기 게이트 전극의 개구부 폭을 나타내고, W3와 W4는 각각 상기 제2 절연층의 개구부 폭과 상기 집속 전극의 개구부 폭을 나타낸다.
2. 제1항에 있어서,

   상기 W1, W2, W3 및 W4가 동일한 방향을 따라 측정되는 폭인 전자 방출 디바이스.
3. 제2항에 있어서,

   상기 W1, W2, W3 및 W4가 상기 캐소드 전극들과 게이트 전극들 중 어느 한 전극들의 길이 방향을 따라 측정되는 폭인 전자 방출 디바이스.
4. 제1항에 있어서,

   상기 제1 절연층과 상기 제2 절연층이 수직한 측벽의 개구부를 형성하는 전자 방출 디바이스.
5. 제1항에 있어서,

   상기 제1 절연층과 제2 절연층이 상기 제1 기판으로부터 멀어질수록 폭이 커지는 개구부를 형성하고,

   상기 W1과 W3이 각각 상기 제1 절연층 개구부와 제2 절연층 개구부의 최소 폭을 나타내는 전자 방출 디바이스.
6. 제1항에 있어서,

   상기 제1 절연층과 제2 절연층이 상기 제1 기판으로부터 멀어질수록 폭이 작아지는 개구부를 형성하고,

   상기 W1과 W3이 각각 상기 제1 절연층 개구부와 제2 절연층 개구부의 최소 폭을 나타내는 전자 방출 디바이스.
7. 제1항에 있어서,

   상기 제2 절연층 개구부와 상기 집속 전극 개구부가 상기 캐소드 전극들과 게이트 전극들의 교차 영역마다 하나씩 형성되는 전자 방출 디바이스.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 전자 방출 디바이스와;

   상기 기판에 대향 배치되는 타측 기판과;

   상기 타측 기판의 일면에 형성되는 형광층들; 및

   상기 형광층들의 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하는 전자 방출 표시 디바이스.

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