KR20070071578A - 전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시디바이스 - Google Patents

Abstract

본 발명은 전자빔 집속 효율을 높이기 위하여 집속 전극의 개구부 크기를 최적화한 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 전자 방출 디바이스는 기판과, 기판 위에 형성되는 제1 전극과, 제1 전극 위에 형성되는 전자 방출부들과, 제1 전극과 절연을 유지하며 제1 전극 상부에 위치하고 전자 방출부들을 노출시키는 개구부를 구비하는 제2 전극과, 제2 전극과 절연을 유지하며 제2 전극 상부에 위치하고 제2 전극 개구부와 연통되는 개구부를 구비하는 제3 전극을 포함한다. 이때 제2 전극과 제3 전극이 하기 조건을 만족한다.

1.5 ≤ W2/W1 ≤ 3.0

여기서, W1은 제2 전극 개구부의 폭을 나타내고, W2는 제3 전극 개구부의 폭을 나타낸다.

전자방출부, 집속전극, 구동전극, 캐소드전극, 게이트전극, 형광층, 애노드전극

Description

전자 방출 디바이스와 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스 {ELECTRON EMISSION DEVICE AND ELECTRON EMISSION DISPLAY DEVICE USING THE SAME}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도이다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 단면도이다.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 부분 평면도이다.

도 4와 도 5는 W2/W1 변화에 따른 전자빔의 집속 정도를 측정하여 나타낸 그래프이다.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 부분 평면도이다.

도 7은 본 발명의 제3 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 부분 평면도이다.

도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 전자 방출 디바이스의 부분 평면도이다.

본 발명은 전자 방출 디바이스에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자빔 집속 효율을 높이기 위하여 집속 전극의 개구부 크기를 최적화한 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스에 관한 것이다.

일반적으로, 전자 방출 소자(electron emission element)는 전자원의 종류에 따라 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식으로 분류할 수 있다.

여기서, 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 전계 방출 어레이(Field Emitter Array; FEA)형, 표면 전도 에미션(Surface-Conduction Emission; SCE)형, 금속-절연층-금속(Metal-Insulator-Metal; MIM)형 및 금속-절연층-반도체(Metal-Insulator-Semiconductor; MIS)형 등이 알려져 있다.

이 중 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 소자는 전자 방출부와 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 구동 전극으로서 하나의 캐소드 전극과 하나의 게이트 전극을 구비하며, 전자 방출부의 구성 물질로 일 함수가 낮거나 종횡비가 큰 물질, 일례로 탄소 나노튜브와 흑연 및 다이아몬드상 탄소와 같은 탄소계 물질을 사용하여 진공 중에서 전계에 의해 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한다.

전자 방출 소자는 일 기판에 어레이를 이루며 배치되어 전자 방출 디바이스(electron emission device)를 구성하고, 전자 방출 디바이스는 형광층과 애노드 전극 등으로 이루어진 발광 유닛이 구비된 다른 기판과 결합하여 전자 방출 표시 디바이스(electron emission display device)를 구성한다.

전자 방출 디바이스는 전자 방출부와 더불어 화소별 전자 방출부들의 방출 전류량을 제어하는 복수의 구동 전극들을 구비하며, 전자 방출 표시 디바이스는 전자 방출부에서 방출된 전자들로 형광층을 여기시켜 소정의 발광 또는 표시 작용을 한다.

상기한 전자 방출 디바이스는 그 작용시 특정 화소의 전자 방출부에서 방출된 전자들이 소정의 직진성을 갖지 못하고 빔퍼짐이 발생하여 디바이스 특성이 저하될 수 있다.

이로써 종래에 전자들의 퍼짐을 억제하기 위한 방안의 하나로 구동 전극들 상부에 집속 전극을 형성한 구조가 개시되어 있다. 집속 전극은 일반적으로 절연층에 의해 구동 전극들과 절연되어 위치하고, 전자빔 통과를 위한 개구부를 구비하여 전자 방출 디바이스 작용시 개구부를 통과하는 전자들을 전자빔 다발의 중심부로 집속시킨다.

그런데 전자빔 경로는 집속 전극 개구부의 형상 특성과 전자 방출부의 위치와 형상 특성 및 전자 방출부와 구동 전극들의 배열 형태 등에 따라 다양하게 변화하므로, 이들 요건이 모두 최적화되지 못하면 의도한 전자빔 집속 효율을 얻기 힘들어진다.

가령 지금까지 알려진 전자 방출 디바이스에서는 전자빔 경로에 대해 집속 전극 개구부의 형상이나 그 폭을 최적으로 확보하지 못하고 있다. 그 결과, 종래의 전자 방출 디바이스에서는 집속 전극이 전자빔 경로에 대해 충분한 집속 성능을 구현하지 못하거나, 전자 방출부에서 방출된 전자들이 집속 전극 개구부를 통과하면 서 오버-포커싱되어 오히려 전자빔이 크게 발산하게 되는 등, 최적의 집속 효율을 얻지 못하고 있다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 전자빔 경로에 대해 집속 전극의 개구부 크기를 최적화하여 전자빔 집속 효율을 높이고, 그 결과 화면의 표시 품질을 높일 수 있는 전자 방출 디바이스 및 이를 이용한 전자 방출 표시 디바이스를 제공하는데 있다.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

기판과, 기판 위에 형성되는 제1 전극과, 제1 전극 위에 형성되는 전자 방출부들과, 제1 전극과 절연을 유지하며 제1 전극 상부에 위치하고 전자 방출부들을 노출시키는 개구부를 구비하는 제2 전극과, 제2 전극과 절연을 유지하며 제2 전극 상부에 위치하고 제2 전극 개구부와 연통되는 개구부를 구비하는 제3 전극을 포함하며, 제2 전극과 제3 전극이 하기 조건을 만족하는 전자 방출 디바이스를 제공한다.

1.5 ≤ W2/W1 ≤ 3.0

여기서, W1은 제2 전극 개구부의 폭을 나타내고, W2는 제3 전극 개구부의 폭을 나타낸다.

상기 제2 전극 개구부와 제3 전극 개구부는 일대일로 대응하여 위치할 수 있다. 이 경우 제2 전극 개구부와 제3 전극 개구부가 원형으로 이루어질 수 있고, 제2 전극 개구부와 제3 전극 개구부가 제1 전극 또는 제2 전극과 평행한 장변을 갖도 록 형성될 수 있다.

다른 한편으로 상기 전자 방출부들과 제2 전극 개구부들이 제1 전극 또는 제2 전극 방향을 따라 일렬로 배열되고, 제3 전극 개구부가 일렬로 배열된 제2 전극 개구부들을 포괄하도록 형성될 수 있다. 이 경우 전자 방출부와 제2 전극 개구부 및 제3 전극 개구부는 원형, 직사각형, 타원형 및 트랙형 중 어느 하나의 평면 형상을 가질 수 있다.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

서로 대향 배치되는 제1 기판 및 제2 기판과, 제1 기판 위에 형성되는 제1 전극과, 제1 전극 위에 형성되는 전자 방출부들과, 제1 전극과 절연을 유지하며 제1 전극 상부에 위치하고 전자 방출부들을 노출시키는 개구부를 구비하는 제2 전극과, 제2 전극과 절연을 유지하며 제2 전극 상부에 위치하고 제2 전극 개구부와 연통되는 개구부를 구비하는 제3 전극과, 제2 기판의 일면에 형성되는 적색과 녹색 및 청색의 형광층과, 형광층들의 어느 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며, 제2 전극과 제3 전극이 하기 조건을 만족하는 전자 방출 표시 디바이스를 제공한다.

1.5 ≤ W2/W1 ≤ 3.0

여기서, W1과 W2는 각각 상기 적색과 녹색 및 청색의 형광층들이 서로 이웃하게 배치되는 방향을 따라 측정된 제2 전극 개구부의 폭과 제3 전극 개구부의 폭을 나타낸다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 1과 도 2는 각각 본 발명의 실시예에 따른 전자 방출 표시 디바이스의 부분 분해 사시도와 부분 단면도이고, 도 3은 도 1에 도시한 전자 방출 디바이스의 부분 평면도이다.

도면을 참고하면, 전자 방출 표시 디바이스는 소정의 간격을 두고 서로 평행하게 대향 배치되는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 포함한다. 제1 기판(2)과 제2 기판(4)의 가장자리에는 밀봉 부재(도시하지 않음)가 배치되어 두 기판을 접합시키며, 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 및 밀봉 부재가 진공 용기를 구성한다.

상기 제1 기판(2) 중 제2 기판(4)과의 대향면에는 전자 방출 소자들이 어레이를 이루며 배치되어 제1 기판(2)과 함께 전자 방출 디바이스를 구성하고, 전자 방출 디바이스가 제2 기판(4) 및 제2 기판(4)에 제공된 발광 유닛과 결합되어 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.

먼저, 제1 기판(2) 위에는 제1 전극인 캐소드 전극들(6)이 제1 기판의 일방향(도면의 y축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 제1 기판(2) 전체에 제1 절연층(8)이 형성된다. 제1 절연층(8) 위에는 제2 전극인 게이트 전극들(10)이 캐소드 전극(6)과 직교하는 방향(도면의 x축 방향)을 따라 스트라이프 패턴으로 형성된다.

본 실시예에서 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 캐소드 전극(6) 위로 각 화소 영역마다 하나 이상의 전자 방출부(12)가 형성되고, 제1 절연층(8)과 게이트 전극(10)에는 각 전자 방출부(12)에 대 응하는 개구부(81,101)가 형성되어 제1 기판(2) 상에 전자 방출부(12)가 노출되도록 한다.

전자 방출부(12)는 진공 중에서 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 가령 탄소계 물질 또는 나노미터 사이즈 물질로 이루어진다. 전자 방출부(12)는 일례로 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C_60, 실리콘 나노와이어 또는 이들의 조합 물질을 포함할 수 있으며, 전자 방출부(12)의 제조법으로는 스크린 인쇄, 직접 성장, 화학기상증착 또는 스퍼터링 등을 적용할 수 있다.

도면에서는 전자 방출부들(12)이 원형으로 형성되고, 각 화소 영역에서 캐소드 전극(6)의 길이 방향을 따라 일렬로 배열되는 구성을 도시하였다. 그러나 전자 방출부(12)의 평면 형상과 화소 영역당 개수 및 배열 형태 등은 도시한 예에 한정되지 않고 다양하게 변형 가능하다.

그리고 게이트 전극(10)과 제1 절연층(8) 위로 제3 전극인 집속 전극(14)이 형성된다. 집속 전극(14) 하부에는 제2 절연층(16)이 위치하여 게이트 전극(10)과 집속 전극(14)을 절연시키며, 제2 절연층(16)과 집속 전극(14)에도 전자빔 통과를 위한 개구부(161,141)가 마련된다. 본 실시예에서 이 개구부(161,141)는 전자 방출부(12)마다 하나씩 구비되어 집속 전극(14)이 각 전자 방출부(12)에서 방출되는 전자들을 개별적으로 집속하도록 한다.

이때, 집속 전극 개구부(141)는 게이트 전극 개구부(101)와 동일한 원형으로 이루어질 수 있다. 또한, 집속 전극(14)은 전자 방출부(12)와의 높이 차이가 클수록 우수한 집속 효과를 발휘하므로, 제2 절연층(16)의 두께를 제1 절연층(8)의 두께보다 크게 형성하는 것이 바람직하다.

다음으로, 제1 기판(2)에 대향하는 제2 기판(4)의 일면에는 형광층(18), 일례로 적색과 녹색 및 청색의 형광층들(18R,18G,18B)이 임의의 간격을 두고 형성되고, 각 형광층(18) 사이로 화면의 콘트라스트 향상을 위한 흑색층(20)이 형성된다. 형광층(18)은 제1 기판(2)에 설정되는 화소 영역에 한가지 색의 형광층(18R,18G,18B)이 대응하도록 형성될 수 있다.

형광층(18)과 흑색층(20) 위로는 알루미늄과 같은 금속막으로 이루어진 애노드 전극(22)이 형성된다. 애노드 전극(22)은 외부로부터 전자빔 가속에 필요한 고전압을 인가받으며, 형광층(18)에서 방사된 가시광 중 제1 기판(2)을 향해 방사된 가시광을 제2 기판(4) 측으로 반사시켜 휘도를 높이는 역할을 한다.

한편, 애노드 전극은 금속막이 아닌 ITO(indium tin oxide)와 같은 투명 도전막으로 이루어질 수 있다. 이 경우 애노드 전극은 제2 기판(4)을 향한 형광층(18)과 흑색층(20)의 일면에 위치하며, 소정의 패턴으로 구분되어 복수개로 형성될 수 있다. 또한 애노드 전극으로서 전술한 투명 도전막과 금속막이 형광층(18)과 흑색층(20)의 양면에 동시에 형성되는 구조도 가능하다.

상기 제1 기판(2)과 제2 기판(4) 사이에는 스페이서들(24, 도 2 참고)이 배치되어 진공 용기에 가해지는 압축력을 지지하고, 두 기판의 간격을 일정하게 유지시킨다. 스페이서들(24)은 형광층(18)을 침범하지 않도록 흑색층(20)에 대응하여 위치한다.

본 실시예에서 제1 기판(2)과 제1 기판(2) 위에 형성되는 구조물들이 전자 방출 디바이스를 구성하며, 전자 방출 디바이스가 제2 기판(4) 및 제2 기판(4)의 일면에 형성되는 구조물들과 조합되어 전자 방출 표시 디바이스를 구성한다.

상기 구성의 전자 방출 표시 디바이스는 외부로부터 캐소드 전극(6), 게이트 전극(10), 집속 전극(14) 및 애노드 전극(22)에 소정의 전압을 공급하여 구동한다. 일례로 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10) 중 어느 하나의 전극이 주사 구동 전압을 인가받아 주사 전극으로 기능하고, 다른 하나의 전극이 데이터 구동 전압을 인가받아 데이터 전극으로 기능한다. 그리고 집속 전극(14)은 전자빔 집속에 필요한 전압, 일례로 0V 또는 수 내지 수십 볼트의 음의 직류 전압을 인가받으며, 애노드 전극(22)은 전자빔 가속에 필요한 전압, 일례로 수백 내지 수천 볼트의 양의 직류 전압을 인가받는다.

그러면 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)간 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자들이 방출된다. 방출된 전자들은 집속 전극 개구부(141)를 통과하면서 전자빔 다발의 중심부로 집속되며, 애노드 전극(22)에 인가된 고전압에 이끌려 대응하는 형광층(18)에 충돌함으로써 이를 발광시킨다.

전술한 구동 과정에서 형광층(18)에 도달하는 전자빔 다발에는 주 전자빔의 외측으로 주 전자빔보다 큰 직경을 가지나 그 세기는 주 전자빔보다 약한 서브 전자빔이 존재한다. 이때 게이트 전극(10)의 개구부(101) 폭에 대한 집속 전극 개구 부(141)의 폭 비율이 주 전자빔과 서브 전자빔의 크기를 결정하는 중요한 요소로 작용한다.

상기에서 게이트 전극(10)의 개구부(101) 폭을 W1이라 하고, 집속 전극(14)의 개구부(141) 폭을 W2라 할 때, 본 실시예에서 게이트 전극(10)과 집속 전극(14)은 하기 조건을 만족하도록 형성된다. 상기 W1과 W2는 특히 다른색의 형광층들(18)이 서로 이웃하게 배치되는 방향, 즉 화면의 수평 방향(도면의 x축 방향)을 따라 측정되는 폭으로 정의할 수 있다.

1.5 ≤ W2/W1 ≤ 3.0

도 4와 도 5는 W2/W1 변화에 따른 전자빔의 집속 정도를 측정하여 나타낸 그래프이다.

도 4의 그래프에서 세로축은 기준 전자빔에 대한 주 전자빔의 폭 비율을 나타내며, 도 5의 그래프에서 세로축은 기준 전자빔에 대한 서브 전자빔의 폭 비율을 나타낸다. 기준 전자빔 폭은 화소의 수평 피치에 1/3을 곱한 값이며, 전자빔이 기준 전자빔보다 큰 폭으로 형성되면 타색 발광을 유발한다. 기준 전자빔과 주 전자빔 및 서브 전자빔의 폭은 화면의 수평 방향을 따라 측정된 폭을 의미한다.

먼저, 도 4에서는 게이트 전극 개구부(101) 폭(W1)이 10㎛, 15㎛, 20㎛인 세 가지 경우로 나눠서 실험을 진행하였고, 각각의 경우에 대하여 집속 전극 개구부(141) 폭(W2)을 변화시켜 기준 전자빔에 대한 주 전자빔의 폭 비율을 측정하여 나타내었다.

도 4의 그래프를 참고하면, 게이트 전극(10)의 개구부(101) 크기에 따라 기준 전자빔에 대한 주 전자빔의 폭 비율이 서로 다른 결과를 나타내지만, 상기 폭 비율이 1 이하인, 다시 말해 주 전자빔이 타색 발광을 일으키지 않는 W2/W1의 최소 범위는 3 이하임을 알 수 있다.

그런데 W2/W1이 3 이하라는 범위는 주 전자빔만을 고려한 범위로서, 실질적으로 주 전자빔 주변에 형성되는 서브 전자빔은 고려하지 않은 범위이다.

통상의 전자 방출 표시 디바이스에서는 주 전자빔의 크기가 작아질수록 서브 전자빔 영역이 증가하는 경향을 보여 타색 발광이나 색순도 저하가 발생할 수 있기 때문에, 보다 정확한 집속 성능을 확인하기 위해서는 서브 전자빔에 의한 영향도 고려하여야 한다.

도 5에서는 게이트 전극 개구부(101) 폭(W1)이 20㎛인 경우에 대하여, 기준 전자빔에 대한 서브 전자빔의 폭 비율을 나타내었다.

도 5의 그래프를 참고하면, 주 전자빔과 서브 전자빔을 함께 고려한 경우, W2/W1이 1.5 이상이고 3이하일 때 기준 전자빔에 대한 서브 전자빔의 폭 비율이 1 이하의 결과를 나타내고, 이에 따라 타색 발광과 색순도 저하가 발생하지 않는 것을 확인할 수 있다.

전술한 결과로부터 W2/W1은 수학식 1의 조건을 만족하도록 설정된다. 이 조건을 만족하는 본 실시예의 전자 방출 표시 디바이스는 집속 전극(14)의 집속 효율을 향상시켜 전자빔 퍼짐에 의한 타색 발광을 억제하며, 그 결과 형광층(18)의 색순도와 색재현율을 개선하여 표시 품질을 높이는 효과를 갖는다.

도 6을 참고하면, 본 발명의 제2 실시예는 전술한 제1 실시예의 구성을 기본으로 하면서 전자 방출부(12)와 게이트 전극 개구부(102) 및 집속 전극 개구부(142)가 캐소드 전극(6) 방향을 따라 장변을 갖는 종장형으로 이루어진 구성을 제공한다. 본 실시예에서 화면의 수평 방향, 즉 집속 전극 개구부(142)의 단축 방향을 따라 측정되는 게이트 전극 개구부(102) 폭과 집속 전극 개구부(142) 폭을 각각 W3과 W4라 할 때, W4/W3은 1.5 내지 3.0 범위로 이루어진다.

도 7을 참고하면, 본 발명의 제3 실시예에서 집속 전극(14)은 화소 영역마다 하나의 개구부(143)를 구비한다. 이 개구부(143)는 일례로 캐소드 전극(6)과 평행한 한 쌍의 장변을 갖는 종장형으로 이루어져 캐소드 전극(6) 방향을 따라 위치하는 다수의 게이트 전극 개구부(103)와 전자 방출부(12)를 포괄한다. 본 실시예에서 화면의 수평 방향, 즉 집속 전극 개구부(143)의 단축 방향을 따라 측정되는 게이트 전극 개구부(103) 폭과 집속 전극 개구부(143) 폭을 각각 W5와 W6이라 할 때, W6/W5는 1.5 내지 3.0 범위로 이루어진다.

도 8을 참고하면, 본 발명의 제4 실시예에는 전술한 제3 실시예의 구성을 기본으로 하면서 전자 방출부(12)와 게이트 전극 개구부(104)가 캐소드 전극(6) 방향을 따라 장변을 갖는 종장형으로 이루어진 구성을 제공한다. 본 실시예에서 화면의 수평 방향, 즉 집속 전극 개구부(144)의 단축 방향을 따라 측정되는 게이트 전극 개구부(104) 폭과 집속 전극 개구부(144) 폭을 각각 W7과 W8이라 할 때, W8/W7은 1.5 내지 3.0 범위로 이루어진다.

전술한 제2 실시예와 제4 실시예에서 전자 방출부(12)와 게이트 전극 개구부 (102,104) 및 집속 전극 개구부(142,144)는 직사각형, 타원형, 트랙형 등 다양한 평면 형상을 가질 수 있다.

상기에서는 전자 방출부가 진공 중에서 전계에 의해 전자를 방출하는 물질들로 이루어진 전계 방출 어레이(FEA)형 전자 방출 디바이스에 대해 설명하였으나, 본 발명은 이러한 FEA형에 한정되지 않고 전자 방출부와 집속 전극을 구비하는 다른 타입의 전자 방출 디바이스에도 용이하게 적용 가능하다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이와 같이 본 발명에 의한 전자 방출 디바이스는 게이트 전극 개구부와 집속 전극 개구부의 폭 비율 최적화를 통해 전자빔 집속 효율을 높인다. 그 결과 타색 발광을 억제하여 화면의 색순도와 색재현율을 높이는 등 표시 특성을 개선하는 효과가 있다. 또한 전자빔 집속으로 인해 각 형광층의 휘도를 높일 수 있으며, 대면적 디바이스 구현시 휘도 균일도가 높아지는 효과가 있다.

Claims (11)

1. 기판과;

   상기 기판 위에 형성되는 제1 전극과;

   상기 제1 전극 위에 형성되는 전자 방출부들과;

   상기 제1 전극과 절연을 유지하며 제1 전극 상부에 위치하고 상기 전자 방출부들을 노출시키는 개구부를 구비하는 제2 전극; 및

   상기 제2 전극과 절연을 유지하며 제2 전극 상부에 위치하고 상기 제2 전극 개구부와 연통되는 개구부를 구비하는 제3 전극을 포함하며,

   상기 제2 전극과 제3 전극이 하기 조건을 만족하는 전자 방출 디바이스.

   1.5 ≤ W2/W1 ≤ 3.0

   여기서, W1은 제2 전극 개구부의 폭을 나타내고, W2는 제3 전극 개구부의 폭을 나타낸다.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제2 전극 개구부와 상기 제3 전극 개구부가 일대일로 대응하여 위치하는 전자 방출 디바이스.
3. 제2항에 있어서,

   상기 제2 전극 개구부와 상기 제3 전극 개구부가 원형으로 이루어지는 전자 방출 디바이스.
4. 제2항에 있어서,

   상기 제2 전극 개구부와 상기 제3 전극 개구부가 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극과 평행한 장변을 갖도록 형성되는 전자 방출 디바이스.
5. 제4항에 있어서,

   상기 W1과 W2가 각각 상기 개구부들의 단축 방향을 따라 측정되는 제2 전극 개구부 폭과 제3 전극 개구부 폭인 전자 방출 디바이스.
6. 제1항에 있어서,

   상기 전자 방출부들과 상기 제2 전극 개구부들이 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극 방향을 따라 일렬로 배열되고, 상기 제3 전극 개구부가 상기 일렬로 배열된 제2 전극 개구부들을 포괄하도록 형성되는 전자 방출 디바이스.
7. 제6항에 있어서,

   상기 W1과 W2가 각각 상기 제2 전극 개구부들의 배열 방향과 직교하는 방향을 따라 측정된 제2 전극 개구부 폭과 제3 전극 개구부 폭인 전자 방출 디바이스.
8. 제6항에 있어서,

   상기 전자 방출부와 상기 제2 전극 개구부가 원형, 직사각형, 타원형 및 트랙형 중 어느 하나의 평면 형상을 가지는 전자 방출 디바이스.
9. 제6항에 있어서,

   상기 제3 전극 개구부가 직사각형, 타원형 및 트랙형 중 어느 하나의 평면 형상을 가지는 전자 방출 디바이스.
10. 제1항에 있어서,

    상기 전자 방출부가 탄소 나노튜브, 흑연, 흑연 나노파이버, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C₆₀ 및 실리콘 나노와이어로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 전자 방출 디바이스.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 전자 방출 디바이스와;

    상기 기판에 대향 배치되는 타측 기판과;

    상기 타측 기판의 일면에 형성되는 적색과 녹색 및 청색의 형광층; 및

    상기 형광층들의 어느 일면에 형성되는 애노드 전극을 포함하며,

    상기 W1과 W2가 상기 적색과 녹색 및 청색의 형광층들이 서로 이웃하게 배치되는 방향을 따라 측정되는 폭인 전자 방출 표시 디바이스.

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