KR20070081316A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20070081316A
KR20070081316A KR1020060013206A KR20060013206A KR20070081316A KR 20070081316 A KR20070081316 A KR 20070081316A KR 1020060013206 A KR1020060013206 A KR 1020060013206A KR 20060013206 A KR20060013206 A KR 20060013206A KR 20070081316 A KR20070081316 A KR 20070081316A
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권태경
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 제공되며 공정 진행시 기판을 지지하는 지지 블럭, 상기 공정 챔버 내로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재를 가진다. 또한, 상기 장치는 상기 공정 챔버 내벽 및 그 내부에 위치되어 공정 가스에 노출되는 구조물의 벽을 감싸도록 제공되는 라이너 부재를 가진다. 라이너 부재는 지지 블럭을 감싸는 지지 블럭 라이너 또는 공정 챔버의 하부 챔버를 감싸는 하부 챔버 등을 포함할 수 있다.
식각, 라이너 부재, 지지블럭 라이너, 하부챔버 라이너

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도;
도 2는 도 1의 지지 부재 라이너의 일 예를 보여주는 사시도;
도 3은 도 1의 연결 부재 라이너의 일 예를 보여주는 사시도;
도 4는 도 1의 하부 챔버 라이너 중 받침 라이너의 일 예를 보여주는 사시도;
도 5는 도 1의 하부 챔버 라이너 중 측면 라이너의 일 예를 보여주는 사시도; 그리고
도 6은 도 1의 포트 라이너의 일 예를 보여주는 사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 공정 챔버 120 : 상부 챔버
140 : 하부 챔버 200 : 지지부재
220 : 지지 블럭 240 : 리프트 핀 어셈블리
300 : 공정가스 공급부재 400 : 배기 부재
460 : 배기판 500 : 라이너 부재
520 : 지지 블럭 라이너 540 : 연결 블럭 라이너
560 : 하부 챔버 라이너 560a : 받침 라이너
560b : 측면 라이너 580 : 포트 라이너
본 발명은 반도체 기판을 제조하는 장치에 관한 것이다.
통상, 반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼 (wafer)상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 형성된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트가 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 포토레지스트로 전사된다. 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 포토레지스트 상에 패턴을 형성하는 현상공정을 거친 이후 포토레지스트를 마스크로 하여 웨이퍼 상에 상기 포토레지스트에 형성된 패턴과 동일한 패턴을 형성하는 식각 공정을 거친다.
식각 공정을 수행하는 데 있어서 플라즈마를 이용한 건식 식각 공정이 주로 사용된다. 그러나 건식 식각 방법으로 공정 진행시 발생된 반응 부산물은 공정 챔버 내벽 또는 공정 챔버에 제공된 구조물의 벽에 증착된다. 이들 증착물들은 후속 웨이퍼에 대해 파티클로서 작용하므로 이들을 세정하는 것이 요구된다. 공정 챔버 등의 세정은 공정 챔버 내로 화학 용액을 제공하여 이루어질 수 있다. 그러나 이 경우, 공정 챔버 내에 제공된 오링과 같은 구성물이 열화되는 문제가 있다. 선택적으로 공정 챔버의 세정은 작업자의 물리적인 힘에 의해 이루어질 수 있다. 이 경우, 작업에 많은 시간이 소요되고 세정이 용이하지 않다.
본 발명은 공정 챔버의 세정을 효율적으로 수행할 수 있는 구조를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 제공되며 공정 진행시 기판을 지지하는 지지 블럭, 상기 공정 챔버 내로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재, 그리고 상기 지지 블럭의 측벽 및 하부벽에 반응 부산물이 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 지지 블럭의 측벽 및 하부벽을 감싸도록 제공되는 지지블럭 라이너를 가진다.
일 예에 의하면, 상기 공정 챔버는 기판을 수용하며 공정이 수행되는 공간을 제공하는 상부 챔버와 상기 상부 챔버 하부에 배치되며 상기 상부 챔버 내에서 공정 진행시 발생되는 반응 부산물을 유입되는 하부 챔버를 포함한다. 상기 장치에는 상기 하부 챔버의 측벽 및 하부벽에 반응 부산물이 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 하부 챔버의 측벽 및 하부벽을 감싸도록 제공되는 하부챔버 라이너가 더 제공될 수 있다.
또한, 상기 하부 챔버의 바닥면에는 터보 펌프가 설치된 배기관이 연결되는 제 1 배기구와 드라이 펌프가 설치된 배기관이 연결되는 제 1 배기구가 형성되고, 상기 공정 챔버는 상기 지지부재에 제공된 리프트 핀을 구동하는 구동기가 설치되도록 상기 지지부재 내 공간과 외부 공간을 연결하는 통로를 제공하는 연결 블럭을 가질 수 있다. 상기 하부챔버 라이너는 상기 제 1 배기구 및 상기 제 2 배기구와 대응되는 위치에 이와 상응되는 관통공이 형성된 하부면을 가지며 상기 하부 챔버 내 하부 영역을 감싸는 받침 라이너와 상기 받침 라이너 상에 위치되며 상기 하부 챔버 내 측벽을 감싸도록 배치되며 상기 연결 블럭이 삽입되는 홈이 형성된 측면 라이너를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 지지블럭 라이너에는 상기 연결 블럭이 상기 지지부재에 결합되도록 상기 연결 블럭이 삽입되는 홈이 형성되고, 상기 지지블럭 라이너에는 상기 연결 블럭의 바닥을 감싸는 연장 라이너가 더 제공될 수 있다.
또한, 상기 장치에는 상기 연결 블럭의 상부벽 및 외부로 노출된 양측면을 감싸도록 탈착 가능하게 제공되는 연결블럭 라이너가 더 제공될 수 있다.
상기 지지부재 라이너, 상기 하부챔버 라이너, 그리고 상기 연결블럭 라이너는 탈착 가능하게 상기 장치에 설치되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 상부 챔버에는 기판이 유출입되는 포트가 형성되고, 상기 장치에는 상기 포트의 내벽을 감싸도록 탈착 가능하게 제공되는 포트 라이너가 더 제공될 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 6을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되는 것으로 해석돼서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명 하기 위해서 제공된 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 더욱 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 실시예에서는 기판 처리 장치로서 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 건식 식각 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 아니하고 증착 공정 등과 같이 공정 진행시 반응 부산물이 발생되는 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치(10)의 일 예를 보여주는 사시도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 지지 부재(200), 공정가스 공급 부재(300), 배기 부재(400), 그리고 라이너 부재(500)를 가진다. 공정 챔버(100)는 상부 챔버(120)와 하부 챔버(140)를 가진다. 상부 챔버(120)는 공정 진행시 웨이퍼(W)와 같은 반도체 기판을 수용하고 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 상부 챔버(120)의 일측벽에는 웨이퍼(W)가 유출입되는 포트(122)가 형성된다. 포트(122)는 게이트 밸브(160)에 의해 개폐된다. 하부 챔버(140)는 상부 챔버(120) 아래에 위치되며 배기관들(422, 442)이 연결된다. 하부 챔버(140) 내 공간과 상부 챔버(120) 내 공간은 서로 통한다.
공정 챔버(100) 내에는 지지 부재(200)가 설치된다. 지지 부재(200)는 지지 블럭(220)과 리프트 핀 어셈블리(240)를 가진다. 지지 블럭(220)은 대체로 원형의 상부면을 가지며, 공정 진행시 웨이퍼(W)는 지지 블럭(220)의 상부면 상에 놓여진다. 공정 진행시 웨이퍼(W)는 정전기력에 의해 지지 블럭(220)에 고정될 수 있다. 선택적으로 공정 진행시 웨이퍼(W)는 진공에 의해 지지 블럭(220)에 고정될 수 있 다.
리프트 핀 어셈블리(240)는 웨이퍼(W)를 지지 블럭(220)에 로딩하고 언로딩하는 기능을 수행한다. 리프트 핀 어셈블리(240)는 리프트 핀들(242), 받침판(244), 그리고 이동로드(246)를 가진다. 리프트 핀들(242)은 지지 블럭(220)에 상하방향으로 수직하게 형성된 관통홀들(202)을 통해 삽입된다. 리프트 핀들(242)의 하단은 받침판(244)에 고정결합된다. 받침판(244)에는 이동로드(246)가 결합되며, 이동로드(246)는 수직 구동기(도시되지 않음)에 의해 상하로 이동된다. 이동로드(246)의 상하 이동에 의해 리프트 핀들(242)은 관통홀들(202)을 따라 상하로 이동된다. 리프트 핀들(242)의 상단이 지지 블럭(220)의 상부면 위로 돌출된 상태에서 웨이퍼(W)는 이송아암(도시되지 않음)에 의해 리프트 핀들(242) 상에 놓여진다. 리프트 핀들(242)의 하강에 의해 웨이퍼(W)는 지지 블럭(220) 상으로 로딩된다. 공정완료 후 리프트 핀들(242)의 승강에 의해 웨이퍼(W)는 지지 블럭(220)으로부터 언로딩되고 이송아암에 의해 공정 챔버(100) 외부로 유출된다.
지지 블럭(220) 내에는 상술한 받침대(244) 및 리프트 핀들(242)이 위치되는 공간이 제공된다. 지지 부재(200)의 일측에는 지지 부재(200) 내 공간으로부터 연장되어 공정 챔버(100) 외부와 통하는 공간을 가지는 연결 블럭(180)이 설치된다. 연결 블럭(180)의 일단은 지지 부재(200)와 결합되고 타단은 공정 챔버(100)의 외측벽과 결합된다. 이동아암, 정전기력 또는 진공을 제공하기 위한 케이블(되시되지 않음) 또는 진공라인(도시되지 않음), 웨이퍼(W) 가열을 위한 에너지를 인가하는 전선(도시되지 않음) 등은 연결 블럭(180) 내 공간을 통해 공정 챔버(100) 외부로 부터 지지 블럭(220) 내로 제공된다. 연결 블럭(180)는 대체로 긴 길이의 직육면체 형상으로 제공될 수 있다.
상부 챔버(120)의 상부벽에는 공정가스 공급 부재(300)가 설치된다. 공정가스 공급 부재(300)는 가스 공급관(320)과 분사판(340)을 가진다. 가스 공급관(320)은 상부벽 중앙으로 삽입된다. 분사판(340)은 복수의 분사공들(342)이 형성된 판으로서 제공되며, 가스 공급관(320)의 끝단에 결합된다. 가스 공급관(320)은 배관(322)을 통해 가스 저장부(도시되지 않음)로부터 공정가스를 공급받고, 이를 상부 챔버(120)로 분사한다. 공정 챔버(100)의 상부벽 상에는 공정 챔버(100) 내로 공급된 공정가스로부터 플라즈마를 발생시키는 코일 형상의 안테나(360)가 설치된다. 이와 달리 상부 챔버(120) 내에 상부 전극(도시되지 않음)을 제공하고 지지 블럭(220) 내에 하부 전극(도시되지 않음)을 제공하며, 상부 전극 또는 하부 전극에 고주파 전력 또는 마이크로파를 인가하여 공정가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
배기 부재(400)는 공정 챔버(100) 내 압력을 공정 압력으로 유지하고, 공정 챔버(100) 내 반응 부산물을 강제 배기한다. 배기 부재(400)는 터보 펌프(420)와 드라이 펌프(440)를 가진다. 하부 챔버(140)의 바닥벽 중앙에는 터보 펌프(420)가 설치된 배기관(422)이 연결되는 배기구(142)가 형성되고, 하부 챔버(140)의 바닥벽 일측에는 드라이 펌프(440)가 설치된 배기관(442)이 연결되는 배기구(144)가 형성된다. 각각의 배기관(422, 442)에는 그 내부 통로를 개폐하거나 그 내부 통로를 흐르는 가스의 량을 조절하는 밸브(422a, 442a)가 설치된다. 터보 펌프(420)는 공정 챔버(100) 내부를 고진공으로 유지하기 위해 사용되고, 드라이 펌프(440)는 공정 챔버(100) 내 압력 조절을 위해 사용될 수 있다. 상부 챔버(120)와 하부 챔버(140) 사이에는 배기판(460)이 제공된다. 배기판(460)은 환형의 링 형상을 가지고 지지 블럭(220)을 감싸도록 배치된다. 배기판(460)에는 복수의 배기공들(462)이 형성된다. 상부 챔버(120) 내에서 발생된 반응 부산물들은 배기판(460)을 통해 하부 챔버(140)로 유입된다. 상술한 구조로 인해 지지 블럭(220) 둘레에 대체로 균일하게 진공압이 형성되며, 반응 부산물들은 어느 한쪽으로 치우치지 않고 하부 챔버(140)로 대체로 균일하게 유입된다.
공정 챔버(100) 내에는 라이너 부재(500)가 제공된다. 라이너 부재(500)는 공정 진행시 공정 챔버(100)의 내벽 및 공정 챔버(100) 내에 제공된 구조물의 벽에 반응 부산물이 부착되는 것을 방지한다. 라이너 부재(500)는 공정 진행 중 공정가스에 노출되는 부분을 감싸도록 제공된다.
일 예에 의하면, 라이너 부재(500)는 지지블럭 라이너(520), 연결블럭 라이너(540), 하부챔버 라이너(560), 그리고 포트 라이너(580)를 가진다. 도 2 내지 도 6은 라이너 부재(500)를 구성을 각각 보여주는 사시도들이다. 도 2 내지 도 6에서 체결을 위해 라이너 부재(500)에 제공된 체결홀 등은 도시되지 않았다.
지지블럭 라이너(520)는 공정가스에 노출되는 지지 부재(200)의 벽을 감싸도록 형상지어진다. 도 2는 지지블럭 라이너(520)의 사시도이다. 도 2를 참조하면, 지지블럭 라이너(520)는 지지 부재(200)의 하부벽 및 측벽을 감싸는 형상을 가진다. 지지블럭 라이너(520)는 지지 부재(200)의 하부벽과 상응되는 하부면(522)과 이로부터 상부로 연장되며 지지부의 측벽과 상응되는 측면(524)을 가진다. 지지블럭 라이너(520)는 그 측면 상단에 웨이퍼(W)를 감싸는 링 형상의 상부면을 더 가질 수 있다. 지지블럭 라이너(520)의 측면(524)에는 연결 블럭(180)과 지지 블럭(220)이 결합되도록 연결 블럭(180)의 전면(front face)에 상응하는 형상의 홈(524a)이 형성될 수 있다. 지지블럭 라이너(520)는 연결 블럭(180)의 하부면과 대응되는 형상의 연장 라이너(526)를 가질 수 있다. 연장 라이너(526)는 지지블럭 라이너(520)의 측면으로부터 외측 방향으로 연장되도록 제공되며, 지지블럭 라이너(520)의 하부면과 일체로 제조될 수 있다. 지지블럭 라이너(520)는 일체로 제조되는 것이 바람직하다. 지지블럭 라이너(520)는 지지 부재(200)에 탈착 가능하게 결합된다. 지지블럭 라이너(520)는 스크류 등과 같은 체결수단(도시되지 않음)에 의해 지지 블럭(220)에 고정될 수 있으며, 선택적으로 이와 다른 다양한 방법에 의해 지지 부재(200)에 고정될 수 있다.
연결블럭 라이너(540)는 연결 블럭(180)의 측벽과 상부벽을 감싸도록 형상지어진다. 도 3은 연결블럭 라이너(540)의 사시도이다. 연결블럭 라이너(540)는 연결 블럭(180)의 양측벽과 대응되는 형상의 측면(542)과 연결 블럭(180)의 상부벽과 대응되는 형상의 상부면(544)을 가진다. 또한, 연결블럭 라이너(540)은 그 상부면(544)로부터 연장되어 상부 챔버(120)의 측벽에 결합되는 결합면(546)을 가질 수 있다. 연결블럭 라이너(540)는 일체로 제조되는 것이 바람직하다. 연결블럭 라이너(540)는 스크류 등과 같은 체결 수단(도시되지 않음)에 의해 연결 블럭(180), 상부 챔버(120), 또는 지지블럭 라이너(520)에 고정될 수 있다. 지지블럭 라이너(520)와 연결블럭 라이너(540)는 그들 가장자리가 일부 겹쳐지도록 형상지어질 수 있다. 상술한 예에서는 연결 블럭(180)의 하부면을 감싸는 라이너(연장 라이너)가 지지블럭 라이너(520)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 상술한 연장 라이너(526)는 연결블럭 라이너(540)에 제공될 수 있다.
하부챔버 라이너(560)는 공정가스에 노출되는 하부 챔버(140)의 내벽을 감싸도록 형상지어진다. 하부챔버 라이너(560)는 받침 라이너(560a)와 측면 라이너(560b)를 가진다. 도 4는 받침 라이너(560a)의 사시도이다. 도 4를 참조하면, 받침 라이너(560a)는 대체로 하부 챔버(140)의 바닥벽과 상응되는 형상을 가진다. 받침 라이너(560a)는 배기구들(142, 144)과 상응되는 홀들(568a, 569a이 형성된 하부면(564a) 이로부터 일정길이 상부로 돌출된 링 형상의 측면(566a), 그리고 배기구(142)의 내벽을 감싸도록 하부면(564a)로부터 아래로 연장된 연장면(562a)를 가진다. 도 5를 참조하면, 측면 라이너(560b)는 대체로 하부 챔버(140)의 측벽과 상응되는 형상을 가진다. 측면 라이너(560b)의 일측 일부에는 연결 블럭(180)이 삽입되는 홈(564b)이 형성된다. 측면 라이너(560b)는 스크류와 같은 체결수단(도시되지 않음)에 의해 받침 라이너(560a), 하부 챔버(140), 또는 연장 라이너(526)에 고정될 수 있다. 측면 라이너(560b)와 연장 라이너(526), 또는 측면 라이너(560b)와 받침 라이너(560a)는 이들 간에 일부 영역이 겹쳐지도록 형상지어질 수 있다.
포트 라이너(580)는 웨이퍼(W)가 유출입되는 포트(122)의 내벽을 감싸도록 형상지어진다. 도 6은 포트 라이너(580)의 사시도이다. 포트 라이너(580)는 스크류와 같은 고정 수단에 의해 포트(122)에 고정 설치될 수 있다.
상술한 예에서는 라이너 부재(500)가 지지 블럭(220), 연결 블럭(180), 하부챔버 라이너(560), 그리고 포트(122)를 감싸도록 형상지어진 것으로 설명하였다. 이와 함께, 라이너 부재(500)는 상부 챔버(120)의 내벽을 감싸도록 형상지어진 상부챔버 라이너를 더 포함할 수 있다. 또한, 공정 챔버(100)의 형상 및 지지 블럭(220)이나 연결 블럭(180)과 같은 공정 챔버(100) 내 구조물이 상술한 실시예와 상이한 경우, 라이너 부재(500)의 형상이나 구조는 상술한 실시예와 상이하게 변형될 수 있다.
상술한 구조의 장치를 사용하여 장치를 세정하는 방법을 설명한다. 지지블럭 라이너(520), 연결블럭 라이너(540), 하부챔버 라이너(560), 그리고 포트 라이너(580)를 각각 장착한 상태에서 식각 공정을 수행한다. 공정 진행 중 발생되는 반응 부산물은 공정 챔버(100)의 내벽 또는 공정 챔버(100) 내부에 제공된 구조물의 내벽 대신 라이너 부재(500)에 증착된다. 세정 진행시 라이너 부재(500)를 공정 챔버(100) 등으로부터 분리한다. 공정 챔버(100) 외부에서 화학 약액(chemical)을 사용하여 라이너 부재(500)를 세정한다. 라이너 부재(500)는 복수 개가 구비되어 하나의 라이너 부재(500)에 대해 세정이 이루어지는 동안 다른 라이너 부재(500)를 공정 챔버(100) 등에 장착하여 공정을 진행할 수 있다.
본 발명에 의하면, 공정 챔버의 내벽 및 지지 부재의 외벽을 감싸도록 라이너 부재가 제공되므로, 공정 진행시 발생되는 반응 부산물이 공정 챔버 및 그 내에 제공된 구조물에 부착되는 것을 방지할 수 있으며, 라이너 부재가 공정 챔버 등에 탈착 가능하게 장착되므로 라이너 부재의 세정이 용이하다.

Claims (9)

  1. 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에 제공되며 공정 진행시 기판을 지지하는 지지 블럭과;
    상기 공정 챔버 내로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재와;
    상기 지지 블럭의 측벽 및 하부벽에 반응 부산물이 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 지지 블럭의 측벽 및 하부벽을 감싸도록 제공되는 지지블럭 라이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공정 챔버는,
    기판을 수용하며 공정이 수행되는 공간을 제공하는 상부 챔버와;
    상기 상부 챔버 하부에 배치되며 상기 상부 챔버 내에서 공정 진행시 발생되는 반응 부산물을 유입되는 하부 챔버를 포함하고,
    상기 장치는 상기 하부 챔버의 측벽 및 하부벽에 반응 부산물이 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 하부 챔버의 측벽 및 하부벽을 감싸도록 제공되는 하부챔버 라이너를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 하부 챔버의 바닥면에는 터보 펌프가 설치된 배기관이 연결되는 제 1 배기구와 드라이 펌프가 설치된 배기관이 연결되는 제 1 배기구가 형성되고,
    상기 공정 챔버는 상기 지지부재에 제공된 리프트 핀을 구동하는 구동기가 설치되도록 상기 지지부재 내 공간과 외부 공간을 연결하는 통로를 제공하는 연결 블럭를 가지며,
    상기 하부챔버 라이너는,
    상기 제 1 배기구 및 상기 제 2 배기구와 대응되는 위치에 이와 상응되는 관통공이 형성된 하부면을 가지며, 상기 하부 챔버 내 하부 영역을 감싸는 받침 라이너와;
    상기 받침 라이너 상에 위치되며 상기 하부 챔버 내 측벽을 감싸도록 배치되는, 그리고 상기 연결 블럭이 삽입되는 홈이 형성된 측면 라이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 지지블럭 라이너에는 상기 연결 블럭이 상기 지지부재에 결합되도록 상기 연결 블럭이 삽입되는 홈이 형성되고,
    상기 지지블럭 라이너는 상기 연결 블럭의 바닥을 감싸는 연장 라이너를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 연결 블럭의 상부벽 및 외부로 노출된 양측면을 감싸도록 탈착 가능하게 제공되는 연결블럭 라이너를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 지지부재 라이너, 상기 하부챔버 라이너, 그리고 상기 연결블럭 라이너는 탈착 가능하게 상기 장치에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 챔버에는 기판이 유출입되는 포트가 형성되고,
    상기 장치는 상기 포트의 내벽을 감싸도록 탈착 가능하게 제공되는 포트 라이너를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 장치는 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 장치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 기판을 수용하며 공정이 수행되는 공간을 제공하는 상부 챔버 및 상기 상부 챔버 하부에 배치되며 상기 상부 챔버 내에서 공정 진행시 발생되는 반응 부산물을 유입되는 하부 챔버를 가지는 공정 챔버와;
    상기 공정 챔버 내에 제공되며 공정 진행시 기판을 지지하는 지지 부재와;
    상기 공정 챔버 내로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재와;
    상기 지지부재의 측벽 및 하부벽에 반응 부산물이 부착되는 것을 방지하기 위해 공정 진행시 공정가스에 노출되는 상기 지지부재 및 하부 챔버의 벽들을 감싸는 라이너 부재를 포함하되,
    상기 라이너 부재는,
    공정 진행시 공정가스에 노출되는 상기 지지부재를 감싸는, 그리고 상기 지지부재에 탈착 가능하게 장착되는 지지블럭 라이너와;
    공정 진행시 공정가스에 노출되는 상기 하부 챔버를 감싸는, 그리고 상기 하부 챔버에 탈착 가능하게 장착되는 하부챔버 라이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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