CN113871283B - 半导体工艺设备及其工艺腔室 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种半导体工艺设备及其工艺腔室，涉及半导体加工设备技术领域。该工艺腔室包括腔体、盖体和内衬，腔体的进气侧具有开口端，开口端设置有安装台，安装台凸出并环设于腔体的内侧壁；盖体盖合于开口端，且盖体与开口端密封配合；内衬设置于腔体内，内衬与安装台可拆卸连接。该方案能解决工艺腔室内的维护难度大的问题。

Description

半导体工艺设备及其工艺腔室

技术领域

本发明涉及半导体加工设备技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备及其工艺腔室。

背景技术

在半导体工艺工程中，工艺腔室内的工艺腔体电离后具有腐蚀性，容易造成工艺腔室内的内衬腐蚀，进而需要定期维护或更换内衬。相关技术中，内衬设置于腔体与调整支架之间，并通过内衬分别与腔体和调整支架密封配合，使得工艺腔室密封面的数量增加，并且内衬在拆装的过程中需要对密封结构进行拆装，进而造成工艺腔室的维护的难度大。

发明内容

本发明公开一种半导体工艺设备及其工艺腔室，以解决工艺腔室内的维护难度大的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

本申请公开的用于半导体加工的工艺腔室，包括腔体、盖体和内衬，腔体的进气侧具有开口端，开口端设置有安装台，安装台凸出并环设于腔体的内侧壁；盖体盖合于开口端，且盖体与开口端密封配合；

内衬设置于腔体内，内衬与安装台可拆卸连接。

基于本申请公开的工艺腔室，本申请还公开一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括本申请实施例公开的工艺腔室、摆阀和分子泵，工艺腔室具有排气端，分子泵通过摆阀与排气端相连，且分子泵用于将工艺腔室内的气体抽出。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明实施例公开的用于半导体加工的工艺腔室中，开口端设置安装台，且安装台凸出于腔体的内侧壁，进而使得开口端可以形成缩口结构。内衬可拆卸地连接于安装台，在拆卸内衬的过程中，无需拆卸腔体，进而可以减小工艺腔室的维护难度。与相关技术中的工艺腔室相比，本申请所述方案可以减少缩口结构处腔体的密封面，不仅可以提升工艺腔室的密封性能，还可以在工艺腔室维护过程中避免工艺腔室的密封装配误差造成密封性能降低。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例公开的半导体工艺设备的剖面图；

图2为图1中A处的放大图；

图3为本申请第一种实施例公开的腔体的剖面图；

图4为本申请第二种实施例公开的腔体的剖面图；

图5为本申请实施例公开的内衬的主视图；

图6为本申请实施例公开的内衬的俯视图；

图7为本申请实施例公开的内衬块的示意图；

图8为本申请实施例公开的具有传片口的内衬块的示意图；

图9为本申请实施例公开的内衬块的俯视图；

图10为本申请实施例公开的工艺腔室的俯视图；

图11为本申请第三种实施例公开的腔体的剖面图；

图12为相关技术中半导体工艺设备的剖面图；

图13为图12中B处的放大图；

图14为本申请第四种实施例公开的腔体的剖面图。

附图标记说明：

101-腔体；102-上盖；103-调整支架；104-内衬；105-下电极；106-密封圈；

100-腔体；110-开口端；111-安装台；1111-支撑块；112-密封面；113-密封槽；114-密封圈；120-第一传片口；130-排气端；140-第一切口；150-第二切口；

200-盖体；210-加热带；

300-内衬；310-内衬块；311-拼接间隙；312-固定孔；320-主体部；330-安装部；331-定位唇边；3311-豁口；340-下电极安装孔；350-第二传片口；

400-下电极组件；

500-摆阀；

600-分子泵；

700-喷嘴；

800-上电极线圈；

900-加热棒。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施例及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

以下结合图1至图14，详细说明本发明各个实施例公开的技术方案。

参照图12和图13，相关技术中，工艺腔室包括腔体101、内衬104、上盖102、调整支架103和下电极105，其中，腔体101为筒体结构，内衬104设置于调整支架103和腔体101之间。进一步地，内衬104与调整支架103之间设置有密封圈106，以实现内衬104与调整支架103密封配合。示例性地，内衬104与腔体101之间设置密封圈106，以通过密封圈106实现内衬104与腔体101之间密封配合。上盖102设置于调整支架103远离内衬104的一侧，下电极105设置于内衬104，且上盖102、调整支架103、内衬104和下电极105围合形成反应腔室。半导体工艺过程中，反应腔室内的气体具有腐蚀性，容易造成工艺腔室内的内衬104腐蚀，进而需要定期维护或更换内衬104。发明人在完成本申请的过程中发现，相关技术中的工艺腔室的内衬104设置于调整支架103与腔体101之间，进而在维护或更换内衬104的过程中需要拆装调整支架103，不仅使得内衬104拆装难度大，并且调整支架103的拆装还容易损坏调整支架103与内衬104装配处的密封结构，影响工艺腔室的密封性能。

参照图1至图5，本申请实施例公开的用于半导体加工的工艺腔室，包括腔体100、盖体200和内衬300。其中，腔体100为基础结构件，可以为盖体200和内衬300提供安装基础。示例性地，盖体200为介质窗，以通过盖体200向腔体100内加入用于半导体加工工艺的工艺气体。示例性地，用于半导体加工工艺的气体可以为：氩气(Ar)、氦气(He)、氮气(N₂)和/或氢气(H₂)等。参照图1，工艺腔室还包括喷嘴700。喷嘴700用于向工艺腔室内喷射工艺气体。示例性地，喷嘴700设置于盖体200，且与盖体200密封配合。

参照图1和图3，腔体100的进气侧具有开口端110，开口端110设置有安装台111，安装台111凸出并环设于腔体100的内侧壁。盖体200盖合于开口端110，且盖体200与开口端110密封配合，进而形成具有密闭空间的工艺腔室。参照图1，内衬300设置于腔体100内，内衬300与安装台111可拆卸连接。

上述实施例中，内衬300直接与安装台111可拆卸相连，进而在拆卸内衬300的过程中无需拆卸开口端110，进而降低工艺腔室维护难度。示例性地，由于拆卸内衬300的过程中，可以不用拆卸开口端110。腔体100的进气侧直接设置开口端110。具体开口端110与腔体100可以设置为一体结构，进一步减少工艺腔室的密封面，提高工艺腔室密封性能，进而可以在半导体工艺过程中，实现工艺腔室内更高的真空度和降低工艺腔室内压升。并且，开口端110与腔体100为一体结构，还能够便于腔体100检修维护。当然，开口端110还可以与腔体100分体设置，示例性地，开口端110可以与腔体100密封配合，进而可以减少密封面的数量，并且在维护内衬300的过程中，无需拆卸将开口端110从腔体100上拆卸，进而可以避免开口端110与腔体100之间的密封结构被损坏。

参照图1至图4，开口端110设置有安装台111，安装台111凸出并环设于腔体100的内侧壁，开口端110可以形成缩口结构，即开口端110处对应的内部空腔的横截面积小于非开口端110处对应的内部空腔的横截面积。

参照图3和图4，安装台111环绕区域的内径由靠近盖体200的一侧向远离盖体200的一侧逐渐增加。上述实施例中，不仅可以通过安装台111形成缩口结构，还可以增加安装台111的承力性能，提高安装台111的稳固性。

参照图3，安装台111为设置于腔体100内的沿腔体100的轴向延伸的环形凸台，环形凸台呈喇叭口状，以形成缩口结构。参照图1和图3，环形凸台的内径可以由靠近盖体200的一侧向远离盖体200的一侧逐渐增加，以形成开口端110。示例性地，环形凸台的内侧壁相对于腔体100的内侧壁倾斜设置，且环形凸台的内径由靠近主体部320的一端向远离主体部320的一端逐渐减小。参照图11，环形凸台对应的缩口角度为θ，缩口角度的范围为：110°≥θ≥40°。示例性地，环形凸台可以可以与腔体100为一体结构。在腔体100内壁上环形凸台的加工方法有很多。例如，可以通过焊接、铸造、铣削等方式在腔体100内形成环形凸台。为此，本申请实施例不限定在腔体100内形成环形凸台的具体加工方法。

参照图1、图3和图4，腔体100远离进气侧的一侧设置有排气端130。进一步地，排气端130处对应的空腔的横截面小于腔体100中位于排气端130与开口端110之间部分对应横截面，以使排气端130处形成缩口结构。示例性地，排气端130具有排气口，排气口的口径小于腔体100中排气端130与开口端110之间部分对应的内径，以使排气端130形成缩口结构。示例性地，排气端130处设置有环形凸台，环形凸台凸出并环设于腔体100的内侧壁，以通过环形凸台形成排气端130处的缩口结构。进一步地，半导体工艺设备还包括分子泵600，由于分子泵600的口径相对与腔体100的内径较小，进而可以通过在排气端130处形成缩口结构，以使排气端130能够更好的适应设置于腔体100底部的分子泵600，提高排气端130与分子泵600之间连接的可靠性。

参照图4，安装台111可以间隔设置于腔体100内壁上的多个支撑块1111，支撑块1111的内侧壁相对于腔体100的内侧壁倾斜设置，多个支撑块1111位于同一垂直于腔体100的轴向的平面上，以确保内衬300可以水平定位于多个支撑块1111上，确保内衬300的稳定性。示例性地，相邻的两个安装台111之间的间距相等，以使盖体200受力均匀。示例性地，支撑块1111与腔体100可拆卸连接，进而在需要拆装内衬300的情况下，可以先拆卸支撑块1111，以便于内衬300拆卸。具体的，支撑块1111可以通过螺钉固定于腔体100的内侧壁。当然，支撑块1111还可以与腔体100为一体结构。示例性地，可以通过焊接、铸造、铣削等方式在腔体100内形成支撑块1111。为此，本申请实施例不限定在腔体100内形成支撑块1111的具体加工方法。

一种可选的实施例中，安装台111可以与腔体100位一体结构。示例性地，可以通过注塑、焊接或铣削等方式在腔体100的进气侧形成安装台111。

另一种可选的实施例中，安装台111还可以与腔体100分体设置。示例性地，安装台111与腔体100的内侧壁可拆卸相连，以通过安装台111为盖体200和内衬300提供安装基础。示例性地，在拆卸内衬300的过程中，可以将内衬300和安装台111一并拆卸。需要说明的是，该实施例中安装台111设置于腔体100的内壁，进而在对工艺腔室进行密封的过程中，只需在盖体200与腔体100之间设置密封结构即可，而无需在安装台111与腔体100之间无需设置密封结构，进而可以减少工艺腔室密封面的数量。在维护内衬300的过程中，由于安装台111与腔体100内侧无密封结构，进而可以避免密封结构被损坏。

参照图7和图8，内衬300包括主体部320和安装部330，主体部320位于腔体100内，且主体部320的外径大于开口端110处的口径，安装部330与主体部320相连，且安装部330与安装台111可拆卸连接。

需要说明的是，主体部320的外径大于开口端110处的口径是指：主体部320的横截面大于开口端110处对应的内部空腔的横截面。即主体部320凸向安装部330的正下方对应的空间。因此，上述实施例所述方案可以充分利用腔体100的内部空间，进而有利于减小腔体100的尺寸。

一种可选的实施例中，开口端110的口径小于腔体100的内径，以缩小盖体200的直径。进而在工艺腔室内的压力恒定的情况下，盖体200的直径减小，进而可以减小盖体200的厚度，故可降低外部磁场通过盖体200的损耗。参照图1，示例性地，工艺腔室外部还可以设置有上电极线圈800，以通过上电极线圈800为工艺腔室提供磁场，以用于将腔体100内的工艺气体电离。示例性地，上电极线圈800可以设置于盖体200远离腔体100的一侧。

参照图2，一种可选的实施例中，安装部330远离主体部320的一侧设置有定位唇边331，安装部330穿过开口端110，且定位唇边331止抵于安装台111朝向所述盖体200的一侧。示例性地，定位唇边331与安装台111可拆卸相连。

上述实施例中，通过设置安装台111和定位唇边331，不仅可以实现内衬300定位，确保内衬300的安装精度，还可以通过定位唇边331与安装台111可拆卸连接，以便于内衬300的拆装。示例性地，定位唇边331与安装台111可拆卸连接的方式有很多，例如：卡扣连接、销钉连接、螺钉连接等。因此，本实施例不限定定位唇边331与安装台111可拆卸连接的具体方式。

参照图2，开口端110具有密封面112，开口端110通过密封面112与盖体200密封配合。示例性地，密封面112设置有密封槽113，密封槽113为内陷于密封面112的环形凹槽。可选的，密封槽113围绕开口端110的开口设置。进一步的，工艺腔室还包括密封圈114，密封圈114设置于密封槽113，且密封圈114在密封槽113深度方向的尺寸大于密封槽113的深度，以使密封圈114可以与盖体200靠近开口端110的一侧抵触密封。示例性地，密封圈114可以为O-ring型密封圈。

参照图2，安装台111内陷于密封面112，且安装台111内陷于密封面112的深度大于定位唇边331的厚度，以使定位唇边331可以内陷于密封面112。需要说明的是，定位唇边331的厚度是指：定位唇边331在安装台111内陷于密封面112的深度方向的尺寸。示例性地，定位唇边331的厚度的范围为：3mm至10mm。

该实施例中，在盖体200盖合于开口端110的情况下，定位唇边331与盖体200之间具有间隙，进而避免内衬300支撑盖体200，影响盖体200与开口端110之间的密封性能，并且，该实施例所述方案与内衬300分别与开口端110和盖体200密封配合的方案相比，该方案可以进一步减少工艺腔室的密封面的个数，提高工艺腔室密封性能的稳定性。

参照图14，另一种可选的实施例中，腔体100远离进气侧的一侧具有排气端130，开口端110处腔体100的内径为第一内径；腔体100中位于开口端110与排气端130之间的部分的内径为第二内径，第一内径小于所述第二内径，以使腔体100可以在开口端110处形成缩口结构，进而可以有效减小开口端110处的口径，进而可以通过进一步降低盖体200的厚度，以减少盖体200对上电极线圈产生磁场的损耗。

开口端110具有密封面112，安装台111靠近盖体200的一侧具有支撑面和安装面，支撑面与密封面112齐平，定位唇边331止抵于安装面，安装面内陷于密封面112，且安装面内陷于密封面112的深度大于定位唇边331的厚度。示例性地，可以在安装台111靠近盖体200的一侧开设环形凹槽，以通过所述环形凹槽形成安装面。具体的，定位唇边331位于环形凹槽内，以使定位唇边331远离主体部320的一侧不凸出于密封面112。支撑面与密封面112齐平，使得安装台111可以支撑于盖体200，减小盖体200受力，进而可以进一步减小盖体200的厚度，降低外部磁场通过盖体200的损耗。

参照图1，工艺腔室还包括下电极组件400，下电极组件400设置于腔体100内，且下电极组件400位于内衬300远离开口端110的一侧。示例性地，主体部320环设于下电极组件400的外侧，且与下电极组件400可拆卸连接。示例性地，内衬300具有下电极安装孔340，下电极组件400至少部分嵌入下电极安装孔340。示例性地，内衬300通过螺钉与下电极组件400连接。示例性地，内衬块310具有固定孔312，以使螺钉可以穿过固定孔312与安装台111或下电极组件400相连。

参照图1和图3所示，腔体100开设有第一切口140，以用于安装下电极组件400。进一步地，第一切口140贯穿腔体100的腔壁，以使下电极组件400的线缆可以从第一切口140穿出。示例性地，下电极组件400与第一切口140密封配合，以保证工艺腔室的密封性能。

参照图1和图3所示，腔体100还开设有第二切口150，第二切口150沿腔体100的腔壁设置。进一步地，工艺腔室还包括加热棒900，加热棒900至少部分内嵌于第二切口150内，以通过加热棒900对工艺腔室加热，进而实现对工艺腔室内温度的控制。进一步地，参照图1，盖体200上设置有加热带210，以通过加热带210对工艺腔室加热。

参照图1、图5和图6，一种可选的实施例中，内衬300包括多个内衬块310，多个内衬块310围绕腔体100的轴线设置，且多个内衬块310拼接形成内衬300。示例性地，本申请所述的工艺腔室可以用于晶圆加工。进一步的，腔体100可以设置为圆柱状结构。可选的，在晶圆加工过程中，腔体100的轴线可以经过晶圆的中心。

上述实施例中，内衬300通过多个内衬块310拼接形成，进而可以将内衬300拆分为多个内衬块310，使得内衬300可以以内衬块310的形式从开口端110装入或拆除腔体100内，进而在内衬300维护或更换的过程中无需拆装缩口结构，可以降低内衬300维护或更换难度。并且，在缩口结构处具有密封结构的情况下，上述实施例所述的工艺腔室，无需内衬300维护或更换的过程中拆装缩口结构处的密封结构，进而可以避免缩口结构处的密封结构在拆装的过程中损坏。

参照图6，定位唇边331设置有豁口3311，豁口3311位于两个相邻的内衬块310的拼接处，以便于内衬块310拼接拆装。示例性的，两个相邻的内衬块310拼接处设置有倒角，以使两个内衬块310拼接后在拼接处形成豁口3311。

参照图6，一种可选的实施例中，两个相邻的内衬块310之间具有拼接间隙311。可选的，拼接间隙311沿内衬300的径向设置。示例性地，相邻的两个内衬块310之间的拼接间隙311的宽度的范围为：3mm至6mm，以使等离子体可以通过拼接间隙311进行湮灭。相邻的两个内衬块310之间具有拼接间隙311，可以避免两个相邻的内衬块310在拆装的过程中相互摩擦，不仅可以避免内衬块310之间相互摩擦产生颗粒物污染工艺腔室，降低内衬块310安装或拆卸时受到的阻力，以便于内衬块310的安装和拆卸，还可以实现等离子体通过拼接间隙311进行湮灭。

一种可选的实施例中，内衬300的底部设置有排气孔，以使工艺腔室内的气体或等离子体可以从排气孔流通。示例性地，工艺腔室内的等离子体通过内衬300底部的排气孔进行湮灭。示例性地，腔体100还包括排气端130。排气端130位于腔体100远离开口端110的一侧，以使工艺腔室内的气体可以从排气端130排出。示例性地，排气孔可以为长条状，且排气孔的宽度范围：3mm至6mm。进一步地，排气孔沿内衬300的径向均匀分布于内衬300的底部。示例性地，排气端130可以设置有摆阀500和分子泵600，以通过摆阀500和分子泵600抽取工艺腔室内的气体，以使工艺腔室内可以形成适用于半导体加工工艺的低压环境或真空环境。一种可选的实施例中，相邻的两个内衬块310之间的拼接间隙311与排气孔的宽度相等，不仅可以使腔体100内的气流经过内衬300底部的过程中更均匀，还可以更好地实现等离子体湮灭。示例性地，内衬300的壁厚为3mm至10mm。

参照图6，一种可选的实施例中，拼接间隙311沿内衬300的径向设置。拼接间隙311沿内衬300的径向设置，进而使得各内衬块310之间均可以拼接，进而在安装内衬块310的过程中，无需考虑各内衬块310的安装顺序，即任意两块内衬块310对应的拼接边均可以实现拼接，提高各内衬块310的装配边的一致性，以便于各内衬块310相互拼接形成内衬300。进一步地，各内衬块310对应的圆心角的大小相等，提高各内衬块310的一致性，以使各内衬块310之间可以互换，便于检修备料。

一种可选的实施例中，腔体100设置有第一传片口120，内衬300具有第二传片口350，第一传片口120与第二传片口350相对，以使工艺产品可以从第一传片口120和第二传片口350进入或移出工艺腔室。示例性地，工艺产品可以为圆晶。示例性地，第一传片口120设置有门阀，以通过门阀密封第一传片口120。

参照图5和图8，一种可选的实施例中，第二传片口350形成于一块内衬块310上。一种可选的实施例中，无第二传片口350的内衬块310的对应的圆心角等，以使无第二传片口350的内衬块310在结构上相同，在尺寸上相等，不仅可以降低内衬300的维护难度，还可以减少内衬块310备料的种类。当然，第二传片口350还可以通过两个相邻的内衬块310拼接边的凹槽拼接形成。

一种可选的实施例中，安装台111上设置有定位凸起，定位唇边331上设置有定位槽或定位孔，在内衬300安装于安装台111的情况下，定位凸起至少部分内嵌于定位孔，以使通过定位凸起和定位孔使第一传片口120和第二传片口350相对，减小设置有第二传片口350的内衬块310的安装难度。

基于本发明实施例公开的工艺腔室，本申请实施例还公开了一种半导体工艺设备。该半导体工艺设备包括上述任一一项实施例所述的工艺腔室。参照图1，半导体工艺设备还包括摆阀500和分子泵600，工艺腔室具有排气端130，分子泵600通过摆阀500与排气端130相连，且分子泵600用于将工艺腔室内的气体抽出。

本发明上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。

Claims (12)

1.一种用于半导体工艺设备的工艺腔室，其特征在于，包括腔体(100)、盖体(200)和内衬(300)，所述腔体(100)的进气侧具有开口端(110)，所述开口端(110)设置有安装台(111)，所述安装台(111)凸出并环设于所述腔体(100)的内侧壁；所述盖体(200)盖合于所述开口端(110)，且所述盖体(200)与所述开口端(110)密封配合；

所述内衬(300)设置于所述腔体(100)内，所述内衬(300)与所述安装台(111)可拆卸连接；

所述安装台(111)环绕区域的内径由靠近所述盖体(200)的一侧向远离所述盖体(200)的一侧逐渐增加。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述安装台(111)为设置于所述腔体(100)内的沿所述腔体(100)的轴向延伸的环形凸台，所述环形凸台呈喇叭口状。

3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述安装台(111)为间隔凸设于所述腔体(100)内壁上的多个支撑块(1111)，所述支撑块(1111)的内侧壁相对于所述腔体(100)的内侧壁倾斜设置，多个所述支撑块(1111)位于同一垂直于所述腔体(100)的轴向的平面上。

4.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述内衬(300)包括主体部(320)和安装部(330)，所述主体部(320)位于所述腔体(100)内，且所述主体部(320)的外径大于所述安装台(111)形成的口径，

所述安装部(330)与所述主体部(320)相连，且所述安装部(330)与所述安装台(111)可拆卸连接。

5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述安装部(330)远离所述主体部(320)的一侧设置有定位唇边(331)，所述安装部(330)穿过所述开口端(110)，且所述定位唇边(331)止抵于所述安装台(111)朝向所述盖体(200)的一侧。

6.根据权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于，所述开口端(110)具有密封面(112)，所述开口端(110)通过所述密封面(112)与所述盖体(200)密封配合，所述安装台(111)内陷于所述密封面(112)，且所述安装台(111)内陷于所述密封面(112)的深度大于所述定位唇边(331)的厚度。

7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔体(100)远离进气侧的一侧具有排气端(130)，在所述开口端(110)处，所述腔体(100)的内径为第一内径；所述腔体(100)中位于所述开口端(110)与所述排气端(130)之间的部分的内径为第二内径，所述第一内径小于所述第二内径。

8.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括下电极组件(400)，所述下电极组件(400)设置于所述腔体(100)内，且所述下电极组件(400)位于所述内衬(300)远离所述开口端(110)的一侧，

所述主体部(320)环设于所述下电极组件(400)的外侧，且与所述下电极组件(400)可拆卸连接。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述内衬(300)包括多个内衬块(310)，所述多个内衬块(310)围绕所述腔体(100)的轴线设置，且所述多个内衬块(310)拼接形成所述内衬(300)。

10.根据权利要求9所述的工艺腔室，其特征在于，两个相邻的所述内衬块(310)之间具有拼接间隙(311)，所述拼接间隙(311)沿所述内衬(300)的径向设置，所述拼接间隙(311)的宽度为3mm-6mm。

11.根据权利要求10所述的工艺腔室，其特征在于，所述腔体(100)设置有第一传片口(120)，所述内衬(300)具有第二传片口(350)，所述第一传片口(120)与所述第二传片口(350)相对；

所述第二传片口(350)形成于一个所述内衬块(310)的侧壁上。

12.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括权利要求1至11中任意一项所述的工艺腔室，所述半导体工艺设备还包括摆阀(500)和分子泵(600)，所述工艺腔室具有排气端(130)，所述分子泵(600)通过所述摆阀(500)与所述排气端(130)相连，且所述分子泵(600)用于将所述工艺腔室内的气体抽出。