KR20070081316A - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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KR20070081316A
KR20070081316A KR1020060013206A KR20060013206A KR20070081316A KR 20070081316 A KR20070081316 A KR 20070081316A KR 1020060013206 A KR1020060013206 A KR 1020060013206A KR 20060013206 A KR20060013206 A KR 20060013206A KR 20070081316 A KR20070081316 A KR 20070081316A
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권태경
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Abstract

An apparatus for treating substrates is provided to clean easily a liner member which encloses an inner wall of a process chamber and an outer wall of a support member, by detachably attaching the liner member on the process chamber. An apparatus for treating substrates includes a process chamber(100), a support block(220), a process gas supply member(300), and a support block liner(520). The support block is provided in the process chamber and supports the substrate during a treating process. The process gas supply member supplies a process gas into the process chamber. The support block liner encloses a sidewall and a lower wall of the support block, such that reaction particles are prevented from attaching to the sidewall and lower wall of the support block. The process chamber further includes an upper chamber(120) and a lower chamber(140). A lower chamber liner(560) encloses a sidewall and a lower wall of the lower chamber.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}Substrate Processing Unit {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도;1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 지지 부재 라이너의 일 예를 보여주는 사시도;FIG. 2 is a perspective view showing an example of the support member liner of FIG. 1; FIG.

도 3은 도 1의 연결 부재 라이너의 일 예를 보여주는 사시도;3 is a perspective view illustrating an example of the connecting member liner of FIG. 1;

도 4는 도 1의 하부 챔버 라이너 중 받침 라이너의 일 예를 보여주는 사시도;4 is a perspective view showing an example of the support liner of the lower chamber liner of FIG.

도 5는 도 1의 하부 챔버 라이너 중 측면 라이너의 일 예를 보여주는 사시도; 그리고5 is a perspective view illustrating an example of a side liner of the lower chamber liner of FIG. 1; And

도 6은 도 1의 포트 라이너의 일 예를 보여주는 사시도이다.6 is a perspective view illustrating an example of the port liner of FIG. 1.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 공정 챔버 120 : 상부 챔버100: process chamber 120: upper chamber

140 : 하부 챔버 200 : 지지부재140: lower chamber 200: support member

220 : 지지 블럭 240 : 리프트 핀 어셈블리220: support block 240: lift pin assembly

300 : 공정가스 공급부재 400 : 배기 부재300: process gas supply member 400: exhaust member

460 : 배기판 500 : 라이너 부재460: exhaust plate 500: liner member

520 : 지지 블럭 라이너 540 : 연결 블럭 라이너520: support block liner 540: connection block liner

560 : 하부 챔버 라이너 560a : 받침 라이너560: lower chamber liner 560a: support liner

560b : 측면 라이너 580 : 포트 라이너560b: side liner 580: port liner

본 발명은 반도체 기판을 제조하는 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for manufacturing a semiconductor substrate.

통상, 반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼 (wafer)상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 형성된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트가 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 포토레지스트로 전사된다. 포토레지스트를 선택적으로 제거하여 포토레지스트 상에 패턴을 형성하는 현상공정을 거친 이후 포토레지스트를 마스크로 하여 웨이퍼 상에 상기 포토레지스트에 형성된 패턴과 동일한 패턴을 형성하는 식각 공정을 거친다.In general, a plurality of films such as a polycrystalline film, an oxide film, a nitride film, a metal film, and the like are formed on a wafer used as a semiconductor substrate in a semiconductor device manufacturing process. A photoresist is coated on the film and the pattern drawn on the photomask is transferred to the photoresist by the exposure process. After the photoresist is selectively removed to form a pattern on the photoresist, the photoresist is used as a mask, followed by an etching process to form the same pattern as the pattern formed on the photoresist on the wafer.

식각 공정을 수행하는 데 있어서 플라즈마를 이용한 건식 식각 공정이 주로 사용된다. 그러나 건식 식각 방법으로 공정 진행시 발생된 반응 부산물은 공정 챔버 내벽 또는 공정 챔버에 제공된 구조물의 벽에 증착된다. 이들 증착물들은 후속 웨이퍼에 대해 파티클로서 작용하므로 이들을 세정하는 것이 요구된다. 공정 챔버 등의 세정은 공정 챔버 내로 화학 용액을 제공하여 이루어질 수 있다. 그러나 이 경우, 공정 챔버 내에 제공된 오링과 같은 구성물이 열화되는 문제가 있다. 선택적으로 공정 챔버의 세정은 작업자의 물리적인 힘에 의해 이루어질 수 있다. 이 경우, 작업에 많은 시간이 소요되고 세정이 용이하지 않다.In performing the etching process, a dry etching process using plasma is mainly used. However, reaction by-products generated during the process by the dry etching method are deposited on the inner wall of the process chamber or on the wall of the structure provided in the process chamber. These deposits act as particles on subsequent wafers and therefore require cleaning of them. Cleaning of the process chamber or the like may be accomplished by providing a chemical solution into the process chamber. In this case, however, there is a problem in that a component such as an O-ring provided in the process chamber is deteriorated. Optionally, cleaning of the process chamber may be accomplished by physical force of the operator. In this case, the operation takes a long time and the cleaning is not easy.

본 발명은 공정 챔버의 세정을 효율적으로 수행할 수 있는 구조를 가지는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus having a structure capable of efficiently cleaning a process chamber.

본 발명은 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내에 제공되며 공정 진행시 기판을 지지하는 지지 블럭, 상기 공정 챔버 내로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재, 그리고 상기 지지 블럭의 측벽 및 하부벽에 반응 부산물이 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 지지 블럭의 측벽 및 하부벽을 감싸도록 제공되는 지지블럭 라이너를 가진다. The present invention provides a substrate processing apparatus that performs a predetermined process on a substrate. The substrate processing apparatus includes a process chamber, a support block provided in the process chamber and supporting a substrate during a process, a process gas supply member supplying a process gas into the process chamber, and reaction by-products on sidewalls and bottom walls of the support block. It has a support block liner provided to surround the side wall and the bottom wall of the support block to prevent it from being deposited.

일 예에 의하면, 상기 공정 챔버는 기판을 수용하며 공정이 수행되는 공간을 제공하는 상부 챔버와 상기 상부 챔버 하부에 배치되며 상기 상부 챔버 내에서 공정 진행시 발생되는 반응 부산물을 유입되는 하부 챔버를 포함한다. 상기 장치에는 상기 하부 챔버의 측벽 및 하부벽에 반응 부산물이 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 하부 챔버의 측벽 및 하부벽을 감싸도록 제공되는 하부챔버 라이너가 더 제공될 수 있다. In an embodiment, the process chamber may include an upper chamber that accommodates a substrate and provides a space where a process is performed, and a lower chamber that is disposed below the upper chamber and receives reaction by-products generated during a process in the upper chamber. do. The apparatus may further be provided with a lower chamber liner provided to surround the side walls and the lower wall of the lower chamber to prevent deposition of reaction byproducts on the side walls and the lower wall of the lower chamber.

또한, 상기 하부 챔버의 바닥면에는 터보 펌프가 설치된 배기관이 연결되는 제 1 배기구와 드라이 펌프가 설치된 배기관이 연결되는 제 1 배기구가 형성되고, 상기 공정 챔버는 상기 지지부재에 제공된 리프트 핀을 구동하는 구동기가 설치되도록 상기 지지부재 내 공간과 외부 공간을 연결하는 통로를 제공하는 연결 블럭을 가질 수 있다. 상기 하부챔버 라이너는 상기 제 1 배기구 및 상기 제 2 배기구와 대응되는 위치에 이와 상응되는 관통공이 형성된 하부면을 가지며 상기 하부 챔버 내 하부 영역을 감싸는 받침 라이너와 상기 받침 라이너 상에 위치되며 상기 하부 챔버 내 측벽을 감싸도록 배치되며 상기 연결 블럭이 삽입되는 홈이 형성된 측면 라이너를 포함할 수 있다. In addition, the bottom surface of the lower chamber is formed with a first exhaust port to which the exhaust pipe is installed, the exhaust pipe is connected to the exhaust pipe is installed, the first exhaust port is connected to the exhaust chamber, the process chamber is driven to drive the lift pins provided to the support member It may have a connection block for providing a passage for connecting the space in the support member and the external space so that the driver is installed. The lower chamber liner has a lower surface having a through hole corresponding thereto at a position corresponding to the first exhaust port and the second exhaust port, and is provided on the support liner and the support liner surrounding the lower area in the lower chamber. It may include a side liner formed to surround the inner side wall and formed with a groove into which the connection block is inserted.

일 예에 의하면, 상기 지지블럭 라이너에는 상기 연결 블럭이 상기 지지부재에 결합되도록 상기 연결 블럭이 삽입되는 홈이 형성되고, 상기 지지블럭 라이너에는 상기 연결 블럭의 바닥을 감싸는 연장 라이너가 더 제공될 수 있다. In one embodiment, the support block liner is formed with a groove into which the connection block is inserted such that the connection block is coupled to the support member, and the support block liner may further be provided with an extension liner surrounding the bottom of the connection block. have.

또한, 상기 장치에는 상기 연결 블럭의 상부벽 및 외부로 노출된 양측면을 감싸도록 탈착 가능하게 제공되는 연결블럭 라이너가 더 제공될 수 있다. In addition, the apparatus may further be provided with a connection block liner detachably provided to surround the upper wall of the connection block and both sides exposed to the outside.

상기 지지부재 라이너, 상기 하부챔버 라이너, 그리고 상기 연결블럭 라이너는 탈착 가능하게 상기 장치에 설치되는 것이 바람직하다. Preferably, the support member liner, the lower chamber liner, and the connecting block liner are detachably mounted to the apparatus.

또한, 상기 상부 챔버에는 기판이 유출입되는 포트가 형성되고, 상기 장치에는 상기 포트의 내벽을 감싸도록 탈착 가능하게 제공되는 포트 라이너가 더 제공될 수 있다. In addition, a port through which the substrate flows in and out is formed in the upper chamber, and the device may further be provided with a port liner detachably provided to surround the inner wall of the port.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 6을 참조하여 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되는 것으로 해석돼서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명 하기 위해서 제공된 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 더욱 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 6. Embodiment of the present invention may be modified in various forms, the scope of the present invention should not be construed as limited by the embodiments described below. This example is provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shape of the elements in the drawings are exaggerated to emphasize a more clear description.

본 실시예에서는 기판 처리 장치로서 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 건식 식각 장치를 예로 들어 설명한다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 아니하고 증착 공정 등과 같이 공정 진행시 반응 부산물이 발생되는 공정을 수행하는 다양한 종류의 장치에 적용 가능하다.In the present embodiment, a dry etching apparatus that performs an etching process using plasma as a substrate processing apparatus will be described as an example. However, the technical idea of the present invention is not limited thereto, and the present invention may be applied to various kinds of apparatuses for performing a process in which reaction by-products are generated during the process.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치(10)의 일 예를 보여주는 사시도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 지지 부재(200), 공정가스 공급 부재(300), 배기 부재(400), 그리고 라이너 부재(500)를 가진다. 공정 챔버(100)는 상부 챔버(120)와 하부 챔버(140)를 가진다. 상부 챔버(120)는 공정 진행시 웨이퍼(W)와 같은 반도체 기판을 수용하고 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 상부 챔버(120)의 일측벽에는 웨이퍼(W)가 유출입되는 포트(122)가 형성된다. 포트(122)는 게이트 밸브(160)에 의해 개폐된다. 하부 챔버(140)는 상부 챔버(120) 아래에 위치되며 배기관들(422, 442)이 연결된다. 하부 챔버(140) 내 공간과 상부 챔버(120) 내 공간은 서로 통한다. 1 is a perspective view showing an example of a substrate processing apparatus 10 of the present invention. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a support member 200, a process gas supply member 300, an exhaust member 400, and a liner member 500. The process chamber 100 has an upper chamber 120 and a lower chamber 140. The upper chamber 120 accommodates a semiconductor substrate such as a wafer W during the process and provides a space in which the process is performed. A port 122 through which the wafer W flows in and out is formed on one side wall of the upper chamber 120. The port 122 is opened and closed by the gate valve 160. The lower chamber 140 is located below the upper chamber 120 and the exhaust pipes 422 and 442 are connected. The space in the lower chamber 140 and the space in the upper chamber 120 communicate with each other.

공정 챔버(100) 내에는 지지 부재(200)가 설치된다. 지지 부재(200)는 지지 블럭(220)과 리프트 핀 어셈블리(240)를 가진다. 지지 블럭(220)은 대체로 원형의 상부면을 가지며, 공정 진행시 웨이퍼(W)는 지지 블럭(220)의 상부면 상에 놓여진다. 공정 진행시 웨이퍼(W)는 정전기력에 의해 지지 블럭(220)에 고정될 수 있다. 선택적으로 공정 진행시 웨이퍼(W)는 진공에 의해 지지 블럭(220)에 고정될 수 있 다.The support member 200 is installed in the process chamber 100. The support member 200 has a support block 220 and a lift pin assembly 240. The support block 220 has a generally circular top surface, and the wafer W is placed on the top surface of the support block 220 during the process. During the process, the wafer W may be fixed to the support block 220 by electrostatic force. In some embodiments, the wafer W may be fixed to the support block 220 by vacuum.

리프트 핀 어셈블리(240)는 웨이퍼(W)를 지지 블럭(220)에 로딩하고 언로딩하는 기능을 수행한다. 리프트 핀 어셈블리(240)는 리프트 핀들(242), 받침판(244), 그리고 이동로드(246)를 가진다. 리프트 핀들(242)은 지지 블럭(220)에 상하방향으로 수직하게 형성된 관통홀들(202)을 통해 삽입된다. 리프트 핀들(242)의 하단은 받침판(244)에 고정결합된다. 받침판(244)에는 이동로드(246)가 결합되며, 이동로드(246)는 수직 구동기(도시되지 않음)에 의해 상하로 이동된다. 이동로드(246)의 상하 이동에 의해 리프트 핀들(242)은 관통홀들(202)을 따라 상하로 이동된다. 리프트 핀들(242)의 상단이 지지 블럭(220)의 상부면 위로 돌출된 상태에서 웨이퍼(W)는 이송아암(도시되지 않음)에 의해 리프트 핀들(242) 상에 놓여진다. 리프트 핀들(242)의 하강에 의해 웨이퍼(W)는 지지 블럭(220) 상으로 로딩된다. 공정완료 후 리프트 핀들(242)의 승강에 의해 웨이퍼(W)는 지지 블럭(220)으로부터 언로딩되고 이송아암에 의해 공정 챔버(100) 외부로 유출된다. The lift pin assembly 240 performs a function of loading and unloading the wafer W into the support block 220. Lift pin assembly 240 has lift pins 242, support plate 244, and moving rod 246. The lift pins 242 are inserted through the through holes 202 formed perpendicular to the support block 220 in the vertical direction. Lower ends of the lift pins 242 are fixedly coupled to the backing plate 244. Moving plate 246 is coupled to the support plate 244, the moving rod 246 is moved up and down by a vertical driver (not shown). The lift pins 242 are moved up and down along the through holes 202 by the vertical movement of the movable rod 246. With the top of the lift pins 242 projecting over the top surface of the support block 220, the wafer W is placed on the lift pins 242 by a transfer arm (not shown). The lowering of the lift pins 242 causes the wafer W to be loaded onto the support block 220. After completion of the process, the wafer W is unloaded from the support block 220 by the lifting and lowering of the lift pins 242 and flows out of the process chamber 100 by the transfer arm.

지지 블럭(220) 내에는 상술한 받침대(244) 및 리프트 핀들(242)이 위치되는 공간이 제공된다. 지지 부재(200)의 일측에는 지지 부재(200) 내 공간으로부터 연장되어 공정 챔버(100) 외부와 통하는 공간을 가지는 연결 블럭(180)이 설치된다. 연결 블럭(180)의 일단은 지지 부재(200)와 결합되고 타단은 공정 챔버(100)의 외측벽과 결합된다. 이동아암, 정전기력 또는 진공을 제공하기 위한 케이블(되시되지 않음) 또는 진공라인(도시되지 않음), 웨이퍼(W) 가열을 위한 에너지를 인가하는 전선(도시되지 않음) 등은 연결 블럭(180) 내 공간을 통해 공정 챔버(100) 외부로 부터 지지 블럭(220) 내로 제공된다. 연결 블럭(180)는 대체로 긴 길이의 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. The support block 220 is provided with a space in which the pedestal 244 and the lift pins 242 described above are located. One side of the support member 200 is provided with a connection block 180 having a space extending from the space in the support member 200 to communicate with the outside of the process chamber 100. One end of the connection block 180 is coupled to the support member 200 and the other end is coupled to the outer wall of the process chamber 100. A moving arm, a cable (not shown) or vacuum line (not shown) for providing electrostatic force or vacuum, a wire (not shown) for applying energy for heating the wafer W, and the like are connected in the connection block 180. It is provided through the space into the support block 220 from the outside of the process chamber 100. The connection block 180 may be provided in a generally long rectangular parallelepiped shape.

상부 챔버(120)의 상부벽에는 공정가스 공급 부재(300)가 설치된다. 공정가스 공급 부재(300)는 가스 공급관(320)과 분사판(340)을 가진다. 가스 공급관(320)은 상부벽 중앙으로 삽입된다. 분사판(340)은 복수의 분사공들(342)이 형성된 판으로서 제공되며, 가스 공급관(320)의 끝단에 결합된다. 가스 공급관(320)은 배관(322)을 통해 가스 저장부(도시되지 않음)로부터 공정가스를 공급받고, 이를 상부 챔버(120)로 분사한다. 공정 챔버(100)의 상부벽 상에는 공정 챔버(100) 내로 공급된 공정가스로부터 플라즈마를 발생시키는 코일 형상의 안테나(360)가 설치된다. 이와 달리 상부 챔버(120) 내에 상부 전극(도시되지 않음)을 제공하고 지지 블럭(220) 내에 하부 전극(도시되지 않음)을 제공하며, 상부 전극 또는 하부 전극에 고주파 전력 또는 마이크로파를 인가하여 공정가스로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다.The process gas supply member 300 is installed on the upper wall of the upper chamber 120. The process gas supply member 300 has a gas supply pipe 320 and a jet plate 340. The gas supply pipe 320 is inserted into the center of the upper wall. The injection plate 340 is provided as a plate in which a plurality of injection holes 342 are formed, and is coupled to an end of the gas supply pipe 320. The gas supply pipe 320 receives a process gas from a gas storage unit (not shown) through the pipe 322, and injects it into the upper chamber 120. On the upper wall of the process chamber 100, a coil-shaped antenna 360 for generating a plasma from the process gas supplied into the process chamber 100 is installed. Alternatively, a process gas is provided by providing an upper electrode (not shown) in the upper chamber 120 and a lower electrode (not shown) in the support block 220, and applying high frequency power or microwave to the upper electrode or the lower electrode. Plasma can be generated.

배기 부재(400)는 공정 챔버(100) 내 압력을 공정 압력으로 유지하고, 공정 챔버(100) 내 반응 부산물을 강제 배기한다. 배기 부재(400)는 터보 펌프(420)와 드라이 펌프(440)를 가진다. 하부 챔버(140)의 바닥벽 중앙에는 터보 펌프(420)가 설치된 배기관(422)이 연결되는 배기구(142)가 형성되고, 하부 챔버(140)의 바닥벽 일측에는 드라이 펌프(440)가 설치된 배기관(442)이 연결되는 배기구(144)가 형성된다. 각각의 배기관(422, 442)에는 그 내부 통로를 개폐하거나 그 내부 통로를 흐르는 가스의 량을 조절하는 밸브(422a, 442a)가 설치된다. 터보 펌프(420)는 공정 챔버(100) 내부를 고진공으로 유지하기 위해 사용되고, 드라이 펌프(440)는 공정 챔버(100) 내 압력 조절을 위해 사용될 수 있다. 상부 챔버(120)와 하부 챔버(140) 사이에는 배기판(460)이 제공된다. 배기판(460)은 환형의 링 형상을 가지고 지지 블럭(220)을 감싸도록 배치된다. 배기판(460)에는 복수의 배기공들(462)이 형성된다. 상부 챔버(120) 내에서 발생된 반응 부산물들은 배기판(460)을 통해 하부 챔버(140)로 유입된다. 상술한 구조로 인해 지지 블럭(220) 둘레에 대체로 균일하게 진공압이 형성되며, 반응 부산물들은 어느 한쪽으로 치우치지 않고 하부 챔버(140)로 대체로 균일하게 유입된다.The exhaust member 400 maintains the pressure in the process chamber 100 at the process pressure and forcibly evacuates reaction byproducts in the process chamber 100. The exhaust member 400 has a turbo pump 420 and a dry pump 440. An exhaust port 142 is formed in the center of the bottom wall of the lower chamber 140 to which an exhaust pipe 422 provided with the turbo pump 420 is connected, and an exhaust pipe having a dry pump 440 installed at one side of the bottom wall of the lower chamber 140. An exhaust port 144 is formed to which 442 is connected. Each of the exhaust pipes 422 and 442 is provided with valves 422a and 442a for opening and closing the inner passage and adjusting the amount of gas flowing through the inner passage. The turbo pump 420 may be used to maintain the inside of the process chamber 100 at a high vacuum, and the dry pump 440 may be used to adjust the pressure in the process chamber 100. An exhaust plate 460 is provided between the upper chamber 120 and the lower chamber 140. The exhaust plate 460 has an annular ring shape and is arranged to surround the support block 220. A plurality of exhaust holes 462 are formed in the exhaust plate 460. Reaction by-products generated in the upper chamber 120 are introduced into the lower chamber 140 through the exhaust plate 460. Due to the structure described above, a vacuum pressure is formed substantially uniformly around the support block 220, and reaction by-products are generally uniformly introduced into the lower chamber 140 without being biased to either side.

공정 챔버(100) 내에는 라이너 부재(500)가 제공된다. 라이너 부재(500)는 공정 진행시 공정 챔버(100)의 내벽 및 공정 챔버(100) 내에 제공된 구조물의 벽에 반응 부산물이 부착되는 것을 방지한다. 라이너 부재(500)는 공정 진행 중 공정가스에 노출되는 부분을 감싸도록 제공된다. The liner member 500 is provided in the process chamber 100. The liner member 500 prevents reaction by-products from adhering to the inner wall of the process chamber 100 and the wall of the structure provided in the process chamber 100 during the process. The liner member 500 is provided to surround a portion exposed to the process gas during the process.

일 예에 의하면, 라이너 부재(500)는 지지블럭 라이너(520), 연결블럭 라이너(540), 하부챔버 라이너(560), 그리고 포트 라이너(580)를 가진다. 도 2 내지 도 6은 라이너 부재(500)를 구성을 각각 보여주는 사시도들이다. 도 2 내지 도 6에서 체결을 위해 라이너 부재(500)에 제공된 체결홀 등은 도시되지 않았다.In one example, the liner member 500 includes a support block liner 520, a connection block liner 540, a lower chamber liner 560, and a port liner 580. 2 to 6 are perspective views showing the structure of the liner member 500, respectively. 2 to 6, fastening holes and the like provided in the liner member 500 for fastening are not shown.

지지블럭 라이너(520)는 공정가스에 노출되는 지지 부재(200)의 벽을 감싸도록 형상지어진다. 도 2는 지지블럭 라이너(520)의 사시도이다. 도 2를 참조하면, 지지블럭 라이너(520)는 지지 부재(200)의 하부벽 및 측벽을 감싸는 형상을 가진다. 지지블럭 라이너(520)는 지지 부재(200)의 하부벽과 상응되는 하부면(522)과 이로부터 상부로 연장되며 지지부의 측벽과 상응되는 측면(524)을 가진다. 지지블럭 라이너(520)는 그 측면 상단에 웨이퍼(W)를 감싸는 링 형상의 상부면을 더 가질 수 있다. 지지블럭 라이너(520)의 측면(524)에는 연결 블럭(180)과 지지 블럭(220)이 결합되도록 연결 블럭(180)의 전면(front face)에 상응하는 형상의 홈(524a)이 형성될 수 있다. 지지블럭 라이너(520)는 연결 블럭(180)의 하부면과 대응되는 형상의 연장 라이너(526)를 가질 수 있다. 연장 라이너(526)는 지지블럭 라이너(520)의 측면으로부터 외측 방향으로 연장되도록 제공되며, 지지블럭 라이너(520)의 하부면과 일체로 제조될 수 있다. 지지블럭 라이너(520)는 일체로 제조되는 것이 바람직하다. 지지블럭 라이너(520)는 지지 부재(200)에 탈착 가능하게 결합된다. 지지블럭 라이너(520)는 스크류 등과 같은 체결수단(도시되지 않음)에 의해 지지 블럭(220)에 고정될 수 있으며, 선택적으로 이와 다른 다양한 방법에 의해 지지 부재(200)에 고정될 수 있다.The support block liner 520 is shaped to surround a wall of the support member 200 exposed to the process gas. 2 is a perspective view of the support block liner 520. Referring to FIG. 2, the support block liner 520 has a shape surrounding the lower wall and the sidewall of the support member 200. The support block liner 520 has a bottom surface 522 corresponding to the bottom wall of the support member 200 and a side 524 extending upwardly therefrom and corresponding to the side wall of the support. The support block liner 520 may further have a ring-shaped upper surface surrounding the wafer W on the upper side of the support block liner 520. A groove 524a having a shape corresponding to the front face of the connection block 180 may be formed at the side surface 524 of the support block liner 520 such that the connection block 180 and the support block 220 are coupled to each other. have. The support block liner 520 may have an extension liner 526 having a shape corresponding to the bottom surface of the connection block 180. The extension liner 526 may be provided to extend outwardly from the side of the support block liner 520 and may be manufactured integrally with the bottom surface of the support block liner 520. The support block liner 520 is preferably manufactured integrally. The support block liner 520 is detachably coupled to the support member 200. The support block liner 520 may be fixed to the support block 220 by fastening means (not shown), such as a screw, and optionally may be fixed to the support member 200 by various other methods.

연결블럭 라이너(540)는 연결 블럭(180)의 측벽과 상부벽을 감싸도록 형상지어진다. 도 3은 연결블럭 라이너(540)의 사시도이다. 연결블럭 라이너(540)는 연결 블럭(180)의 양측벽과 대응되는 형상의 측면(542)과 연결 블럭(180)의 상부벽과 대응되는 형상의 상부면(544)을 가진다. 또한, 연결블럭 라이너(540)은 그 상부면(544)로부터 연장되어 상부 챔버(120)의 측벽에 결합되는 결합면(546)을 가질 수 있다. 연결블럭 라이너(540)는 일체로 제조되는 것이 바람직하다. 연결블럭 라이너(540)는 스크류 등과 같은 체결 수단(도시되지 않음)에 의해 연결 블럭(180), 상부 챔버(120), 또는 지지블럭 라이너(520)에 고정될 수 있다. 지지블럭 라이너(520)와 연결블럭 라이너(540)는 그들 가장자리가 일부 겹쳐지도록 형상지어질 수 있다. 상술한 예에서는 연결 블럭(180)의 하부면을 감싸는 라이너(연장 라이너)가 지지블럭 라이너(520)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 상술한 연장 라이너(526)는 연결블럭 라이너(540)에 제공될 수 있다.The connection block liner 540 is shaped to surround the side wall and the top wall of the connection block 180. 3 is a perspective view of the connection block liner 540. The connection block liner 540 has side surfaces 542 corresponding to both side walls of the connection block 180 and an upper surface 544 corresponding to the top wall of the connection block 180. In addition, the connection block liner 540 may have a coupling surface 546 extending from the upper surface 544 and coupled to the sidewall of the upper chamber 120. The connection block liner 540 is preferably manufactured integrally. The connection block liner 540 may be fixed to the connection block 180, the upper chamber 120, or the support block liner 520 by fastening means (not shown) such as a screw. The support block liner 520 and the connection block liner 540 may be shaped so that their edges partially overlap. In the above example, it has been described that a liner (extension liner) surrounding the lower surface of the connection block 180 is provided to the support block liner 520. Alternatively, the above-described extension liner 526 may be provided to the connection block liner 540.

하부챔버 라이너(560)는 공정가스에 노출되는 하부 챔버(140)의 내벽을 감싸도록 형상지어진다. 하부챔버 라이너(560)는 받침 라이너(560a)와 측면 라이너(560b)를 가진다. 도 4는 받침 라이너(560a)의 사시도이다. 도 4를 참조하면, 받침 라이너(560a)는 대체로 하부 챔버(140)의 바닥벽과 상응되는 형상을 가진다. 받침 라이너(560a)는 배기구들(142, 144)과 상응되는 홀들(568a, 569a이 형성된 하부면(564a) 이로부터 일정길이 상부로 돌출된 링 형상의 측면(566a), 그리고 배기구(142)의 내벽을 감싸도록 하부면(564a)로부터 아래로 연장된 연장면(562a)를 가진다. 도 5를 참조하면, 측면 라이너(560b)는 대체로 하부 챔버(140)의 측벽과 상응되는 형상을 가진다. 측면 라이너(560b)의 일측 일부에는 연결 블럭(180)이 삽입되는 홈(564b)이 형성된다. 측면 라이너(560b)는 스크류와 같은 체결수단(도시되지 않음)에 의해 받침 라이너(560a), 하부 챔버(140), 또는 연장 라이너(526)에 고정될 수 있다. 측면 라이너(560b)와 연장 라이너(526), 또는 측면 라이너(560b)와 받침 라이너(560a)는 이들 간에 일부 영역이 겹쳐지도록 형상지어질 수 있다.The lower chamber liner 560 is shaped to surround the inner wall of the lower chamber 140 exposed to the process gas. The lower chamber liner 560 has a backing liner 560a and a side liner 560b. 4 is a perspective view of the backing liner 560a. Referring to FIG. 4, the backing liner 560a generally has a shape corresponding to the bottom wall of the lower chamber 140. The backing liner 560a has a ring-shaped side surface 566a protruding a predetermined length upward from the lower surface 564a in which the holes 568a and 569a are formed corresponding to the exhaust ports 142 and 144, and the exhaust port 142. It has an extending surface 562a extending downward from the lower surface 564a to surround the inner wall, referring to Fig. 5, the side liner 560b generally has a shape corresponding to the sidewall of the lower chamber 140. A portion of one side of the liner 560b is formed with a groove 564b into which the connection block 180 is inserted, and the side liner 560b is formed by the supporting liner 560a and the lower chamber by a fastening means (not shown) such as a screw. 140, or secured to the extension liner 526. The side liner 560b and the extension liner 526, or the side liner 560b and the support liner 560a, are shaped so that some areas overlap between them. Can lose.

포트 라이너(580)는 웨이퍼(W)가 유출입되는 포트(122)의 내벽을 감싸도록 형상지어진다. 도 6은 포트 라이너(580)의 사시도이다. 포트 라이너(580)는 스크류와 같은 고정 수단에 의해 포트(122)에 고정 설치될 수 있다.The port liner 580 is shaped to surround the inner wall of the port 122 through which the wafer W flows in and out. 6 is a perspective view of the port liner 580. The port liner 580 may be fixedly installed in the port 122 by fixing means such as a screw.

상술한 예에서는 라이너 부재(500)가 지지 블럭(220), 연결 블럭(180), 하부챔버 라이너(560), 그리고 포트(122)를 감싸도록 형상지어진 것으로 설명하였다. 이와 함께, 라이너 부재(500)는 상부 챔버(120)의 내벽을 감싸도록 형상지어진 상부챔버 라이너를 더 포함할 수 있다. 또한, 공정 챔버(100)의 형상 및 지지 블럭(220)이나 연결 블럭(180)과 같은 공정 챔버(100) 내 구조물이 상술한 실시예와 상이한 경우, 라이너 부재(500)의 형상이나 구조는 상술한 실시예와 상이하게 변형될 수 있다.In the above-described example, the liner member 500 is described as being shaped to surround the support block 220, the connection block 180, the lower chamber liner 560, and the port 122. In addition, the liner member 500 may further include an upper chamber liner shaped to surround the inner wall of the upper chamber 120. In addition, when the shape of the process chamber 100 and the structure in the process chamber 100 such as the support block 220 or the connection block 180 are different from the above-described embodiment, the shape or structure of the liner member 500 may be described in detail. It may be modified differently from one embodiment.

상술한 구조의 장치를 사용하여 장치를 세정하는 방법을 설명한다. 지지블럭 라이너(520), 연결블럭 라이너(540), 하부챔버 라이너(560), 그리고 포트 라이너(580)를 각각 장착한 상태에서 식각 공정을 수행한다. 공정 진행 중 발생되는 반응 부산물은 공정 챔버(100)의 내벽 또는 공정 챔버(100) 내부에 제공된 구조물의 내벽 대신 라이너 부재(500)에 증착된다. 세정 진행시 라이너 부재(500)를 공정 챔버(100) 등으로부터 분리한다. 공정 챔버(100) 외부에서 화학 약액(chemical)을 사용하여 라이너 부재(500)를 세정한다. 라이너 부재(500)는 복수 개가 구비되어 하나의 라이너 부재(500)에 대해 세정이 이루어지는 동안 다른 라이너 부재(500)를 공정 챔버(100) 등에 장착하여 공정을 진행할 수 있다.A method of cleaning the device using the device of the above-described structure will be described. An etching process is performed while the support block liner 520, the connection block liner 540, the lower chamber liner 560, and the port liner 580 are mounted. Reaction by-products generated during the process are deposited on the liner member 500 instead of the inner wall of the process chamber 100 or the inner wall of the structure provided inside the process chamber 100. The liner member 500 is separated from the process chamber 100 or the like during the cleaning process. The liner member 500 is cleaned using a chemical outside the process chamber 100. The liner member 500 may be provided in plural and the other liner member 500 may be mounted on the process chamber 100 or the like while the single liner member 500 is cleaned.

본 발명에 의하면, 공정 챔버의 내벽 및 지지 부재의 외벽을 감싸도록 라이너 부재가 제공되므로, 공정 진행시 발생되는 반응 부산물이 공정 챔버 및 그 내에 제공된 구조물에 부착되는 것을 방지할 수 있으며, 라이너 부재가 공정 챔버 등에 탈착 가능하게 장착되므로 라이너 부재의 세정이 용이하다.According to the present invention, since the liner member is provided to surround the inner wall of the process chamber and the outer wall of the support member, the reaction by-products generated during the process can be prevented from being attached to the process chamber and the structure provided therein, and the liner member is Since it is detachably mounted in a process chamber etc., cleaning of a liner member is easy.

Claims (9)

공정 챔버와;A process chamber; 상기 공정 챔버 내에 제공되며 공정 진행시 기판을 지지하는 지지 블럭과;A support block provided in the process chamber and supporting the substrate during the process; 상기 공정 챔버 내로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재와;A process gas supply member supplying a process gas into the process chamber; 상기 지지 블럭의 측벽 및 하부벽에 반응 부산물이 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 지지 블럭의 측벽 및 하부벽을 감싸도록 제공되는 지지블럭 라이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a support block liner provided to surround sidewalls and bottom walls of the support blocks to prevent deposition of reaction by-products on the sidewalls and bottom walls of the support blocks. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공정 챔버는,The process chamber, 기판을 수용하며 공정이 수행되는 공간을 제공하는 상부 챔버와;An upper chamber accommodating the substrate and providing a space in which the process is performed; 상기 상부 챔버 하부에 배치되며 상기 상부 챔버 내에서 공정 진행시 발생되는 반응 부산물을 유입되는 하부 챔버를 포함하고,A lower chamber disposed below the upper chamber and receiving a reaction by-product generated during a process in the upper chamber; 상기 장치는 상기 하부 챔버의 측벽 및 하부벽에 반응 부산물이 증착되는 것을 방지하기 위해 상기 하부 챔버의 측벽 및 하부벽을 감싸도록 제공되는 하부챔버 라이너를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the apparatus further comprises a lower chamber liner provided to surround the side walls and the bottom wall of the lower chamber to prevent deposition of reaction byproducts on the side walls and the bottom wall of the lower chamber. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 하부 챔버의 바닥면에는 터보 펌프가 설치된 배기관이 연결되는 제 1 배기구와 드라이 펌프가 설치된 배기관이 연결되는 제 1 배기구가 형성되고,On the bottom surface of the lower chamber is formed a first exhaust port to which the exhaust pipe is installed, the exhaust pipe is installed and the first exhaust port is connected to the exhaust pipe is installed, 상기 공정 챔버는 상기 지지부재에 제공된 리프트 핀을 구동하는 구동기가 설치되도록 상기 지지부재 내 공간과 외부 공간을 연결하는 통로를 제공하는 연결 블럭를 가지며,The process chamber has a connection block that provides a passage for connecting the space in the support member and the external space so that a driver for driving a lift pin provided in the support member is installed. 상기 하부챔버 라이너는,The lower chamber liner, 상기 제 1 배기구 및 상기 제 2 배기구와 대응되는 위치에 이와 상응되는 관통공이 형성된 하부면을 가지며, 상기 하부 챔버 내 하부 영역을 감싸는 받침 라이너와;A support liner having a lower surface having a through hole corresponding thereto at a position corresponding to the first exhaust port and the second exhaust port and surrounding the lower area of the lower chamber; 상기 받침 라이너 상에 위치되며 상기 하부 챔버 내 측벽을 감싸도록 배치되는, 그리고 상기 연결 블럭이 삽입되는 홈이 형성된 측면 라이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a grooved side liner positioned on the backing liner and disposed to enclose a side wall in the lower chamber and into which the connection block is inserted. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 지지블럭 라이너에는 상기 연결 블럭이 상기 지지부재에 결합되도록 상기 연결 블럭이 삽입되는 홈이 형성되고, The support block liner is formed with a groove into which the connection block is inserted such that the connection block is coupled to the support member. 상기 지지블럭 라이너는 상기 연결 블럭의 바닥을 감싸는 연장 라이너를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The support block liner further comprises an extension liner surrounding the bottom of the connection block. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 장치는 상기 연결 블럭의 상부벽 및 외부로 노출된 양측면을 감싸도록 탈착 가능하게 제공되는 연결블럭 라이너를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus further comprises a connection block liner detachably provided to surround the top wall of the connection block and both sides exposed to the outside. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 지지부재 라이너, 상기 하부챔버 라이너, 그리고 상기 연결블럭 라이너는 탈착 가능하게 상기 장치에 설치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the support member liner, the lower chamber liner, and the connection block liner are detachably mounted to the apparatus. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 상부 챔버에는 기판이 유출입되는 포트가 형성되고, A port through which the substrate flows in and out is formed in the upper chamber, 상기 장치는 상기 포트의 내벽을 감싸도록 탈착 가능하게 제공되는 포트 라이너를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus further comprises a port liner detachably provided to surround the inner wall of the port. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 장치는 플라즈마를 이용하여 식각 공정을 수행하는 장치인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The apparatus is a substrate processing apparatus, characterized in that for performing an etching process using a plasma. 기판을 수용하며 공정이 수행되는 공간을 제공하는 상부 챔버 및 상기 상부 챔버 하부에 배치되며 상기 상부 챔버 내에서 공정 진행시 발생되는 반응 부산물을 유입되는 하부 챔버를 가지는 공정 챔버와;A process chamber having a top chamber accommodating a substrate and providing a space in which a process is performed, and a lower chamber disposed below the upper chamber and receiving reaction by-products generated during a process in the upper chamber; 상기 공정 챔버 내에 제공되며 공정 진행시 기판을 지지하는 지지 부재와;A support member provided in the process chamber and supporting the substrate during the process; 상기 공정 챔버 내로 공정가스를 공급하는 공정가스 공급부재와;A process gas supply member supplying a process gas into the process chamber; 상기 지지부재의 측벽 및 하부벽에 반응 부산물이 부착되는 것을 방지하기 위해 공정 진행시 공정가스에 노출되는 상기 지지부재 및 하부 챔버의 벽들을 감싸는 라이너 부재를 포함하되,Including a liner member surrounding the walls of the support member and the lower chamber exposed to the process gas during the process in order to prevent the reaction by-products attached to the side wall and the bottom wall of the support member, 상기 라이너 부재는,The liner member, 공정 진행시 공정가스에 노출되는 상기 지지부재를 감싸는, 그리고 상기 지지부재에 탈착 가능하게 장착되는 지지블럭 라이너와;A support block liner surrounding the support member exposed to the process gas during the process and detachably mounted to the support member; 공정 진행시 공정가스에 노출되는 상기 하부 챔버를 감싸는, 그리고 상기 하부 챔버에 탈착 가능하게 장착되는 하부챔버 라이너를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a lower chamber liner surrounding the lower chamber exposed to the process gas and being detachably mounted to the lower chamber during the process.
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