KR101935957B1 - 기판처리장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 실시예에서는 공정챔버에 가스를 공급하여 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 제1공간이 형성되며, 개구을 가지는 제1챔버, 상기 제1공간에 배치되며, 기판을 지지하는 지지부재, 기판을 처리하는 공정가스를 상기 제1공간으로 공급하는 가스공급유닛, 상기 제1챔버의 일측에 위치하고, 내부에는 상기 개구를 통해 상기 제1공간과 직접 통하는 제2공간을 형성하는 제2챔버, 히터가 제공된 가열플레이트, 그리고 상기 제2공간에 위치하며 상기 가열플레이트를 상기 제1공간과 상기 제2공간 간에 이동시키는 이송부재를 포함한다. 이로 인해 공정 처리 후 기판의 표면에 생성된 생성물질을 효과적으로 제거할 수 있다.

Description

기판처리장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 기판처리장치 및 방법에 관한 것으로, 상세하게는 공정챔버에 가스를 공급하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

반도체소자를 제조하기 위해서, 기판을 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막증착, 그리고 세정 등 다양한 공정으로 처리하여 기판 상에 원하는 패턴을 형성한다. 이 중 식각 공정은 기판 상에 형성된 불필요한 막을 제거하는 공정으로 습식 식각과 건식 식각이 사용된다.

건식식각은 습식식각에 비해 불필요한 막을 고선택비로 제거할 수 있다. 일반적으로 건식식각으로는 플라즈마 방식의 식각 장치가 사용된다. 식각 장치는 기판 처리 단계와 어닐링 단계를 통해 공정을 수행한다. 기판 처리 단계는 샤워헤드를 통해 라디칼이 형성된 공정가스를 기판 상으로 공급한다. 공정가스는 기판의 표면에 형성된 산화막과 반응하여 산화막을 식각한다. 라디칼과 반응하여 생성된 물질은 기판 상에서 들뜬 상태(excited state)로 잔존한다. 어닐링 단계는 기판 상에 생성된 물질을 제거하기 위한 단계로서, 기판처리단계를 수행하는 공정챔버와 다른 챔버에서 수행된다. 그러나 상술한 방식은 각각의 단계를 서로 상이한 공간에서 진행함에 따라 기판이 이송되는 시간으로 인해 많은 시간이 소요되었다.

이를 해결하고자 공정 챔버 내에서 척 또는 샤워헤드에 제공된 히터를 이용하여 어닐링 공정을 수행하는 방법이 제안되었다. 이 경우 기판처리단계에서 히터와 어닐링 단계에서 히터는 서로 상이한 온도를 가진다. 이로 인해 히터를 적정 온도로 변화시키기 위해 많은 시간이 소요된다.

본 발명은 기판 상의 산화막을 효과적으로 제거할 수 있는 기판처리장치 및 방법을 제공한다.

또한 본 발명은 기판처리단계 및 어닐링 단계를 수행 시 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있는 기판처리장치 및 방법을 제공한다.

본 발명의 실시예에서는 공정챔버에 가스를 공급하여 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판처리장치는 내부에 제1공간이 형성되며, 개구을 가지는 제1챔버, 상기 제1공간에 배치되며, 기판을 지지하는 지지부재, 기판을 처리하는 공정가스를 상기 제1공간으로 공급하는 가스공급유닛, 상기 제1챔버의 일측에 위치하고, 내부에는 상기 개구를 통해 상기 제1공간과 직접 통하는 제2공간을 형성하는 제2챔버, 히터가 제공된 가열플레이트, 그리고 상기 제2공간에 위치하며 상기 가열플레이트를 상기 제1공간과 상기 제2공간 간에 이동시키는 이송부재를 포함한다.

상기 개구를 개폐하는 도어를 더 포함할 수 있다. 상기 이송부재에는 상기 가열플레이트가 고정 설치될 수 있다. 상기 지지부재는 기판이 놓이는 상면을 가지는 스테이지를 포함하되; 상기 가열플레이트는 상기 제1공간에서 상기 스테이지의 상면과 대향되게 위치될 수 있다. 상기 가스공급유닛은 상기 스테이지의 상부에 위치되며, 저면에 복수의 홀들이 형성된 샤워헤드를 포함하되; 상기 가열플레이트는 상기 제1공간에서 상기 스테이지와 상기 샤워헤드 사이에 위치될 수 있다. 상기 가열플레이트는 상기 제1공간에서 상기 가스공급유닛과 상기 지지부재 사이에 위치되고, 상기 가열플레이트에는 그 상면 및 하면을 관통하는 관통홀이 복수 개로 형성될 수 있다. 상기 가열플레이트는 상기 기판에 비해 큰 면적을 가질 수 있다.

또한 기판처리방법은 제1챔버 내에 위치되는 스테이지에 기판을 안착시키는 로딩 단계, 공정가스를 상기 기판의 처리면으로 공급하는 기판 처리 단계, 가열플레이트를 상기 제1챔버의 외부로부터 상기 기판의 상부에 위치시키고, 상기 가열플레이트로 상기 기판의 처리면을 가열하는 어닐링 단계를 포함한다.

상기 어닐링 단계에서, 상기 제1챔버 내에 퍼지가스를 공급하고. 상기 퍼지가스는 상기 가열플레이트에 형성된 관통홀을 통해 상기 기판의 처리면으로 공급되어 상기 처리면에 형성된 부산물을 퍼지할 수 있다. 상기 어닐링 단계에서는 상기 스테이지 내에 제공된 리프트 핀이 상기 스테이지의 상부로 이동되어 상기 기판을 상기 스테이지의 상면으로부터 이격시키고, 상기 기판과 상기 가열플레이트와의 간격을 조절할 수 있다.

본 발명의 실시예에 의하면, 공정 처리 후 기판의 표면에 생성된 생성물질을 효과적으로 제거할 수 있다.

또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기판처리단계 및 어닐링 단계를 수행 시 공정에 소요되는 시간을 줄일 수 있다.

도 1은 본 발명의 기판처리설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판처리설비의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 기판처리장치에서 기판을 식각처리하는 과정을 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 3의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 6은 도 4의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.

본 발명의 실시예에서는 기판(W) 상에 산화막을 식각하는 기판처리장치 및 방법에 대해 설명한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판의 표면에 형성된 막을 제거하는 애싱공정 등 다양하게 적용될 수 있다.

이하, 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.

도 1은 본 발명의 기판처리설비를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판처리설비(1)는 설비전방단부모듈(10)과 공정모듈(20)을 포함한다. 설비전방단부모듈(10)은 공정모듈(20)의 전방에 배치된다. 설비전방단부모듈(10)은 복수 개의 로드포트들(100)과 인덱스부(200)를 가진다. 인덱스부(200)는 로드포트(100)와 공정모듈(20) 사이에 배치된다. 인덱스부(200)는 로드포트(100)와 공정모듈(20) 간에 기판(W)을 이송한다. 각각의 로드포트(100)는 기판(W)이 수납된 용기(FOUP)가 놓여지는 공간을 제공한다. 인덱스부(200)는 인덱스로봇(210)을 가진다. 인덱스로봇(210)은 로드포트(100)에 놓여진 용기(FOUP)로부터 공정 처리 전의 기판(W)을 반출하여 공정모듈(20)이 이송하거나 공정모듈(20)로부터 공정 처리된 기판(W)을 용기(FOUP)에 반입한다.

공정모듈(20)은 이송챔버(300), 로드락챔버(400), 그리고 복수개의 기판처리장치(500)들을 포함한다. 이송챔버(300)는 상부에서 바라볼 때 대체로 다각형의 형상을 가진다. 이송챔버(300)의 각 측면들에는 로드락챔버(400) 및 복수 개의 기판처리장치(500)들이 배치된다. 로드락챔버(400)는 이송챔버(300)의 각 측면들 중 설비전방단부모듈(10)과 인접한 위치에 배치된다. 이송챔버(300)의 내부에는 이송로봇(310)이 배치된다. 이송로봇(310)은 로드락챔버(400)와 기판처리장치들(500) 간에 기판(W)을 이송한다.

로드락챔버(400)는 공정모듈(20)로 반입되거나 반출된 기판(W)들을 임시 저장되는 공간을 제공한다. 로드락챔버(400)의 내부는 진공 및 대기압으로 전환 가능하여 이송챔버(300) 및 기판처리장치(500)의 내부를 진공으로 유지하고, 설비전방단부모듈(10)의 내부는 대기압으로 유지할 수 있다. 로드락챔버(400)와 이송챔버(300) 사이, 그리고 로드락챔버(400)와 설비전방단부모듈(10) 사이 각각에는 게이트 밸브(250,350)가 설치된다. 각각의 게이트 밸브(250,350)를 이송챔버(300) 및 기판처리장치(500)의 내부가 진공을 유지할 수 있도록 어느 하나의 게이트 밸브(250,350)만이 오픈될 수 있다.

각각의 기판처리장치(500)는 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 기판처리장치(500) 각각은 제1챔버(520), 지지부재(550), 가스공급유닛, 제2챔버(620), 이송부재(630), 그리고 가열플레이트(640)를 포함한다.

제1챔버(520)는 내부에 제1공간(510)이 형성된다. 제1챔버(520)의 일측벽에는 기판(W)이 반입되는 입구(371)가 제공된다. 입구(371)는 이송챔버(300)와 인접하게 배치된다. 입구(371)에는 게이트 밸브(370)가 설치되고, 게이트 밸브(370)는 입구(371)를 개폐한다. 제1챔버(520)의 타측벽에는 개구(701)가 형성된다. 개구(701)에는 도어(700)가 설치되고, 도어(700)는 개구(701)를 개폐한다. 제1챔버(520)의 하부벽에는 배기라인(560)이 연결되고, 배기라인(560)은 감압부재(562)에 연결된다. 배기라인(560)은 감압부재(562)에 의해 제1챔버(520)의 내부가 진공상태를 유지하도록 감압한다. 또한 배기라인(560)은 제1챔버(520) 내에서 발생된 이물들을 외부로 배기시킨다.

지지부재(550)는 제1챔버(520) 내에서 기판(W)을 지지한다. 지지부재(550)는 스테이지(552), 냉각부재(556), 그리고 리프트핀(도5,6의 555)을 포함한다. 스테이지(552)는 제1챔버(520)의 바닥면에 배치된다. 스테이지(552)의 상면에는 기판(W)이 놓인다. 스테이지(552)는 그 상면이 평평한 면으로 제공된다. 스테이지(552)는 정전기력에 의해 기판(W)을 고정하는 정전척을 포함한다. 스테이지(552)의 내부에는 냉각부재(556)가 제공된다. 냉각부재(556)는 스테이지(552)의 내부에 형성된 유로를 포함하며, 유로를 통해 흐르는 냉각수는 스테이지(552) 및 기판(W)을 냉각한다. 스테이지(552)의 상면에는 핀홀(554)이 복수 개로 제공된다. 각각의 핀홀(554)에는 리프트핀(555)이 설치된다. 리프트핀(555)은 구동부재(미도시)와 연결된다. 리프트핀(555)은 그 상단이 스테이지(552)의 상면으로부터 돌출되도록 스테이지(552)의 상부방향으로 이동 가능하다.

가스공급유닛은 지지부재(550)에 지지된 기판(W) 상으로 공정가스 및 퍼지가스를 선택적으로 공급한다. 가스공급유닛은 플라즈마 챔버(530), 공정가스 공급부(574), 퍼지가스 공급부(572), 그리고 샤워헤드(540)를 가진다.

플라즈마 챔버(530)는 제1챔버(520)의 상부에 위치된다. 플라즈마 챔버(530)는 제1챔버(520)의 상부벽과 연결된다. 플라즈마 챔버(530)는 내부에 방전공간이 형성된다. 플라즈마 챔버(530)의 외부에는 코일(532)이 제공된다. 코일(532)은 플라즈마 챔버(530)을 복수 회 감기도록 제공되며, 외부 전원(534)과 연결된다. 코일(532)에는 외부 전원(534)의 온(on)/오프(off)에 따라 전류가 인가된다. 코일(532)에 인가된 전류에 의해 방전공간에는 전계가 형성된다. 전계는 방전공간에 공급된 가스를 플라즈마 상태로 여기시킨다.

공정가스 공급부(574)는 플라즈마 챔버(530)와 연결되며, 방전공간에 공정가스를 공급한다. 방전공간에 공정가스가 공급되면, 외부 전원(534)이 온(on)되며 공정가스가 여기된다.

퍼지가스 공급부(572)는 제1챔버(530)에 연결되며, 방전공간에 퍼지가스를 공급한다. 방전공간에 퍼지가스가 공급되면, 외부 전원(534)은 오프(off)된다.

샤워헤드(540)는 제1챔버(520)의 내부에 설치된다. 샤워헤드(540)는 스테이지(552)의 상면과 대향되게 설치된다. 샤워헤드(540)의 저면에는 분사홀(541)들이 복수 개로 형성된다. 제1챔버(520)의 내부에 공급된 가스는 샤워헤드(540)의 분사홀(541)들을 통과하며 기판(W)으로 균일하게 공급된다.

제2챔버(620)는 제1챔버(520)의 타측벽과 인접하게 위치된다. 제2챔버(620)의 내부에는 제2공간(610)이 형성된다. 제2챔버(620)의 제2공간(610)은 개구(701)를 통해 제1공간(510)과 연통된다.

이송부재(630)는 제2공간(610)에 고정설치된다. 이송부재(630)는 가열플레이트(640)를 제1공간(510)과 제2공간(610) 간에 이동시킨다. 이송부재(630)의 일단에는 가열플레이트(640)가 고정설치된다. 일 예에 의하면, 이송부재(630)는 제1공간(510)에서 가열플레이트(640)를 기판(W)과 인접하게 배치되도록 위치시킬 수 있다. 기판(W)과 인접하게 배치되는 위치는 스테이지(552)의 상면과 대향되는 위치일 수 있다. 스테이지(552)의 상면과 대향되는 위치는 스테이지(552)와 샤워헤드(540)의 사이 공간일 수 있다.

선택적으로 이송부재(630)는 가열플레이트(640)가 분리 및 장착 가능하도록 제공될 수 있다. 이 경우, 제2공간(610)에는 버퍼부재(미도시)가 제공될 수 있다. 버퍼부재(미도시)는 가열플레이트(640)를 임시로 저장하는 공간을 제공할 수 있다.

가열플레이트(640)의 내부에는 히터(미도시)가 제공된다. 히터(미도시)에서 발생된 열은 가열플레이트(640)에 전달되며, 가열플레이트(640)를 통해 기판(W)을 가열한다. 예컨대, 가열플레이트(640)의 온도는 100℃ 내지 150℃일 수 있다. 가열플레이트(640)는 다각의 판 또는 원판 형상을 가진다. 가열플레이트(640)는 그 일면의 넓이가 기판(W)과 동일하거나 이보다 크게 제공될 수 있다. 가열플레이트(640)에는 그 상면과 하면을 관통하는 관통홀(641)들이 복수 개로 형성된다. 관통홀(641)들은 샤워헤드(540)로부터 공급되는 퍼지가스가 가열플레이트(640)의 아래로 통과되도록 한다

다음은 상술한 기판처리장치(500)를 이용하여 기판(W)을 처리하는 방법에 대해 설명한다. 인덱스로봇(210)은 용기(FOUP) 내에 적재된 기판(W)을 반출한다. 인덱스로봇(210)은 반출된 기판(W)을 로드락챔버(400)로 이동시킨다. 로드락챔버(400) 내에 기판(W)이 놓여지면, 로드락챔버(400)와 인덱스부 간의 공간은 게이트 밸브(250)에 의해 차단되고, 로드락챔버(400)의 내부를 대기압에서 진공상태로 전환한다. 로드락챔버(400)의 내부가 진공상태를 유지하면, 로드락챔버(400)와 이송챔버(300) 간의 공간은 게이트 밸브(350)에 의해 개방된다. 이송로봇(310)은 로드락챔버(400) 내에 놓여진 기판(W)을 기판처리장치(500)의 제1챔버(520)로 이송한다.

도 3 및 도 4는 기판처리장치에서 기판을 식각 처리하는 과정을 보여주는 단면도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 기판(W)을 식각 처리하는 방법으로는 기판처리단계와 어닐링 단계를 포함한다. 기판처리단계와 어닐링 단계는 순차적으로 진행된다. 기판처리 단계로는 스테이지(552)의 상면에 기판(W)이 놓여지면, 게이트밸브(370)는 제1챔버(520)의 입구(371)를 닫는다. 스테이지(552)는 기판(W)을 고정시킨다. 플라즈마 챔버(530) 내에는 공정가스가 공급된다. 외부 전원(534)은 오프 상태에서 온 상태로 전환되며 플라즈마 챔버(530)의 내부에는 전계가 형성된다. 공정가스는 전계에 의해 라디칼을 형성한다. 라디칼이 형성된 공정가스는 샤워헤드(540)를 통해 기판(W) 상으로 공급된다. 라디칼이 형성된 공정가스는 기판(W)의 표면에 형성된 산화막을 선택적으로 제거할 수 있다. 기판(W) 상에 산화막은 라디칼과 반응하여 들뜬상태의 생성물질로 잔존한다.

공정가스를 공급하는 기판처리단계과 완료되면, 어닐링 단계가 진행된다. 어닐링 단계로는 공정가스의 공급이 중단되고, 외부 전원(534)은 오프된다. 개구(701)는 도어(700)에 의해 개방되고, 이송부재(630)는 가열플레이트(640)를 제1공간(510)에서 스테이지(552)와 샤워헤드(540)의 사이 공간으로 이동시킨다. 가열플레이트(640)의 내부에 제공된 히터는 열을 발생하여 기판(W)의 처리면을 가열한다. 퍼지가스는 제1공간(510)으로 공급된다. 퍼지가스는 샤워헤드(540)의 분사홀들(541)과 가열플레이트(640)의 관통홀(641)들을 순차적으로 통과하며 기판(W) 상으로 공급된다. 기판(W) 상에 잔존하는 생성물질은 가열됨과 동시에 퍼지가스에 의해 퍼지되어 제거된다. 제거된 생성물질은 배기라인(560)을 통해 외부로 배기된다.

기판(W)을 가열하는 어닐링 단계가 완료되면, 이송부재(630)는 가열플레이트(640)를 제2공간(610)으로 이동시킨다. 도어(700)는 개구(701)를 차단하고, 게이트밸브는 제1챔버(520)의 입구를 개방한다. 이송로봇(310)은 기판(W)을 제1챔버(520)에서 로드락챔버(400)로 이송한다. 로드락챔버(400) 내에 기판(W)이 놓여지면, 양측에 설치된 게이트밸브(350,3530)는 차단되고, 그 내부를 진공에서 대기압으로 전환한다. 이후 게이트밸브(250)는 개방되고, 인덱스로봇(210)은 기판(W)을 용기의 내부로 수납한다.

상술한 바와 달리 공정가스를 공급하는 기판처리단계에서는 도 5와 같이 리프트핀(555)의 이동에 따라 기판(W)의 높이는 조절될 수 있다. 이 경우, 기판(W)과 샤워헤드(540)와의 간격을 조절할 수 있다.

또한 어닐링 단계에서 도 6과 같이 기판(W)은 가열플레이트(640)와의 간격을 조절할 수 있다.

또한 상술한 실시예에서는 플라즈마가 제1챔버(520)의 외부에서 발생된 후 제1챔버(520) 내에 공급되는 예를 들어 설명하였다. 그러나 플라즈마가 제1챔버(520) 내에서 발생되도록 제1챔버(520)에는 플라즈마를 발생시키는 전극이 제공될 수 있다.

또한 상술한 실시예에서는 샤워헤드(540)를 통해 공정가스 및 퍼지가스를 공급하는 예를 들어 설명하였다. 그러나 공정가스 및 퍼지가스는 하나 또는 복수 개의 노즐들을 통해 제1챔버(520) 내에 공급될 수 있다.

500: 기판처리장치 520: 제1챔버
550: 지지부재 620: 제2챔버
630: 가열플레이트

Claims (10)

1. 내부에 제1공간이 형성되며, 개구를 가지는 제1챔버와;
   상기 제1공간에 배치되며, 기판을 지지하는 지지부재와;
   기판을 처리하는 가스를 상기 제1공간으로 공급하는 가스공급유닛과;
   상기 제1챔버의 일측에 위치하고, 내부에는 상기 개구를 통해 상기 제1공간과 직접 통하는 제2공간을 형성하는 제2챔버와;
   히터가 제공되며, 상면 및 하면을 관통하는 관통홀이 복수 개로 형성되는 가열플레이트와;
   상기 제2공간에 위치하며, 상기 가열플레이트를 상기 제1공간과 상기 제2공간 간에 이동시키는 이송부재를 포함하고,
   상기 가스공급유닛은,
   상기 제1공간에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급부와;
   상기 제1공간에 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급부와;
   상기 지지부재의 상부에 위치되며, 저면에 공정가스 또는 퍼지가스가 공급되는 복수의 홀들이 형성된 샤워헤드를 포함하되;
   상기 이송 부재는 상기 제1공간에 공정 가스가 공급될 때 상기 가열 플레이트를 상기 제2공간에 위치시키고, 상기 제1공간에 퍼지 가스가 공급될 때 상기 가열 플레이트를 상기 제1공간에 위치시키며,
   상기 가열플레이트는 상기 제1공간에서 상기 지지부재와 상기 샤워헤드 사이에 위치되는 기판처리장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 개구를 개폐하는 도어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
3. 제1항에 있어서,
   상기 이송부재에는 상기 가열플레이트가 고정 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 지지부재는,
   기판이 놓이는 상면을 가지는 스테이지를 포함하되;
   상기 가열플레이트는 상기 제1공간에서 상기 스테이지의 상면과 대향되게 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
5. 삭제
6. 삭제
7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 가열플레이트는 상기 기판에 비해 큰 면적을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
8. 제1챔버 내에 위치되는 스테이지에 기판을 안착시키는 로딩 단계와;
   공정가스를 상기 기판의 처리면으로 공급하는 기판 처리 단계와;
   가열플레이트로 상기 기판의 처리면을 가열하는 어닐링 단계를 포함하되,
   상기 기판 처리 단계에는 상기 가열 플레이트를 상기 제1챔버의 외측에 위치된 제2챔버에 위치시키고,
   상기 어닐링 단계에는 상기 제1챔버 내에 퍼지 가스를 공급하고, 상기 퍼지 가스가 상기 가열 플레이트에 형성된 관통홀을 통과하여 상기 기판의 처리면에 공급되어 상기 처리면에 형성된 부산물을 퍼지하도록 상기 기판의 상부에 위치되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
9. 삭제
10. 제8항에 있어서,
    상기 어닐링 단계에서는,
    상기 스테이지 내에 제공된 리프트 핀이 상기 스테이지의 상부로 이동되어 상기 기판을 상기 스테이지의 상면으로부터 이격시키고, 상기 기판과 상기 가열플레이트와의 간격을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.

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