KR20060023982A - 박막형성장치 및 박막형성방법 - Google Patents

박막형성장치 및 박막형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20060023982A
KR20060023982A KR1020057023033A KR20057023033A KR20060023982A KR 20060023982 A KR20060023982 A KR 20060023982A KR 1020057023033 A KR1020057023033 A KR 1020057023033A KR 20057023033 A KR20057023033 A KR 20057023033A KR 20060023982 A KR20060023982 A KR 20060023982A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
antenna
plasma
gas
thin film
vacuum vessel
Prior art date
Application number
KR1020057023033A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100926867B1 (ko
Inventor
이조 송
타케시 사쿠라이
타카노리 무라타
Original Assignee
신크론 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신크론 컴퍼니 리미티드 filed Critical 신크론 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20060023982A publication Critical patent/KR20060023982A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100926867B1 publication Critical patent/KR100926867B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C23C14/0073—Reactive sputtering by exposing the substrates to reactive gases intermittently
    • C23C14/0078—Reactive sputtering by exposing the substrates to reactive gases intermittently by moving the substrates between spatially separate sputtering and reaction stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/354—Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • C23C14/358—Inductive energy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment
    • C23C14/5853—Oxidation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32467—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/318—Inorganic layers composed of nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

본 발명의 박막형성장치(1)는 진공용기(11)내에 반응성가스를 도입하는 가스도입수단과 진공용기(11)내에 반응성가스의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단(61)을 구비한다. 플라즈마 발생수단(61)은 유전체벽(63)과 소용돌이형의 안테나(65a, 65b)를 구비하여 구성된다. 안테나(65a, 65b)는 고주파전원(69)에 대하여 병렬로 접속되며 안테나(65a, 65b)의 소용돌이를 형성하는 면에 대한 수선에 수직인 방향에 마주보는 형태로 설계된다.
박막형성, 진공용기, 플라즈마, 안테나, 라디컬, 스펙터

Description

박막형성장치 및 박막형성방법{THIN FILM FORMING DEVICE AND THIN FILM FORMMING METHOD}
본 발명은 광학 박막이나 디바이스(device), 옵트일렉트로닉스(opt electronics)용 디바이스 등에 이용하는 박막을 제조하기 위해 박막형성장치 및 박막형성방법에 관한 것으로 특히 플라즈마 발생수단이나 진공용기를 개량하여 박막과 화학반응 하는 활성종의 밀도를 향상시키는 박막형성장치 및 상기 박막형성장치를 이용한 박막형성방법에 관한 것이다.
종래로부터 진공용기 내에서 플라즈마화 시킨 반응성 가스를 이용하여 기판상에 박막을 형성하고 형성한 박막의 표면개질, 에칭등의 플라즈마 처리가 실시되고 있다. 예를 들면, 스퍼터(sputter) 기술을 이용하여 기판상에 금속 불완전 반응물로 이뤄지는 박막을 형성하고 상기 불완전 반응물로부터 박막을 형성하는 기술이 알려져 있다(참조, 특개2001-234338호 공보).
상기 기술에서는 박막형성장치가 구비되는 진공용기 내에서 반응성 가스를 플라즈마화 하기 위하여 플라즈마 발생수단이 이용된다. 플라즈마 발생수단으로 플라즈마화 한 가스에는 이온, 라디컬등의 활성종이 포함된다. 라디컬화한 가스에 포함된 전자, 이온은 박막에 손상을 입힐 우려가 많다. 플라즈마화한 가스에 포함되 는 전자, 이온은 박막에 손상을 입힐 우려가 있는 반면에 전기적으로 중성인 반응성 가스의 라디컬은 박막의 형성에 기여하는 경우가 많다. 이를 위해 상기한 종래기술에서는 전자, 이온이 기판상의 박막을 향하여 저지하여 라디컬을 선택적으로 박막에 접촉시키기 위하여 그릿트(grits)가 이용된다. 상기와 같이 그릿트를 이용하는 것으로, 박막의 형성에 기여하는 라디컬의 플라즈마 가스 내에 있어서 상대적인 밀도를 향상시키며, 플라즈마 처리의 효율화가 서술되어있다.
하지만 라디컬의 상대적인 밀도를 향상시키기 위해 그릿트를 이용하면 박막형성장치의 구조가 복잡해진다는 문제점이나 진공용기 내 라디컬의 분포영역이 그릿트의 수법, 형태, 배치에 의해 제한을 받는 문제점이 있었다. 상기한 문제점은 광범위한 플라즈마 처리를 실행하는 것을 방해하고 플라즈마 처리의 비효율화 요인이 되며 결과적으로 박막의 생산효율의 향상을 저해하게 된다. 또한, 라디컬 분포영역을 넓히기 위해서 그릿트를 크게 하면 비용이 높아지는 문제점이 있다.
그런데, 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생수단으로서, 종래의 평행평판형, ECR형, 유도결합형 등의 장치가 알려져 있다. 유도결합형 장치로서는 원통형과 평판형 장치가 알려져 있다.
도 12는 종래의 평판형 플라즈마 발생장치(161)를 도시한 것이다. 도 12의 A는 박막형성장치의 일부를 도시한 단면도이다. 도 12의 A에 도시한 것처럼 종래의 평판형 플라즈마 발생수단은 진공용기(111)의 일부를 석영 등의 유전체로부터 유전판(163)이 형성되며 유전판(163)의 대기측에 위치하는 외벽을 따라 안테나(165)를배치한다.
도 12의 B에 안테나(165)의 형태를 도시하였다. 안테나(165)는 동일 평면 내에서 소용돌이형으로 되어 있다. 종래의 평판형의 플라즈마 발생장치(161)에서는 안테나(165)에 매칭(matching)회로를 구비한 매칭박스(167)를 사이에 두고 고주파전원(169)에 의해 100kHz~50MHz의 주파수의 전력을 인가하여 진공용기(111)내의 플라즈마를 발생시킨다.
안테나(165)에 대한 고주파 전력의 인가는 도 12의 매칭박스(167)에서 도시되어 있는 것처럼 임피던스(impedence) 매칭을 하기 위해 매칭 회로를 사이에 둔다. 도 12에 도시된 바와 같이 안테나(165)와 고주파전원(169)의 사이에 접속되는 매칭회로는 가변콘덴서(167a,167b)와 매칭박스용 코일(167c)을 구비한다.
종래의 플라즈마 발생수단으로 진공용기 내 광범위하게 플라즈마 처리를 한는 경우에 안테나(165)를 크게 하는 경우가 있지만 그러면 안테나(165)나 매칭용 코일(167c)로 전력 손실이 크게 되며, 임피던스의 매칭을 얻기 힘들게 되는 문제가 있다. 또한 광범위한 플라즈마 처리를 하는 경우에는 장소에 따라 플라즈마의 밀도에 얼룩이 생기는 등의 문제가 일어난다.
상기한 문제점에 있어서, 본 발명의 목적은 효율보다 광범위한 플라즈마 처리 하는 것이 가능한 박막형성장치 및 박막형성방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 관한 박막형성장치는 진공용기와, 상기 진공용기 내에 반응성가스를 도입하는 가스도입수단과, 상기 진공용기 내에 상기 반응성가스의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단을 구비하는 박막형성장치이며 상기 플라즈마 발생수단이 상기 진공용기의 외벽에 설치한 유전체벽과 소용돌이형의 제 1 안테나 및 제 2 안테나와 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나를 고주파전원과 접속하기 위한 도선을 구비하여 구성되며 상기 진공용기의 외측에서 상기 유전체벽에 대응하는 위치에 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나를 고정하는 안테나 고정수단을 구비하고 상기 제 1 안테나와 상기 제 2 안테나는 상기 고주파전원에 대하여 병렬로 접속되며 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나의 소용돌이를 이루는 수선에 수직방향으로 서로 마주보는 형태로 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 본 발명은 제 1 안테나 및 제 2 안테나를 구비하기 때문에 제 1 안테나 및 제 2 안테나의 두께,형상, 크기 또는 직경 등을 독립적으로 조정하는 것으로 플라즈마의 분포를 용이하게 조정할 수 있다. 또한 제 1 안테나 및 제 2 안테나를 병렬로 접속하는 것으로 제 1 안테나 및 제 2 안테나에 매칭회로를 접속하는 경우에도 매칭회로에서의 임피던스매칭을 얻기 쉽게 하며 매칭회로에 있어서 전력손실을 저감시키며 전력을 플라즈마의 발생을 위해 유효하게 활용하는 것이 가능하다. 또한 제 1 안테나 및 제 2 안테나가 설치되는 것으로 광범위하게 플라즈마 처리를 실시할 수 있다.
이때 상기 도선에 접속되는 부분에서 상기 제 1 안테나 및 제 2 안테나를 연결하는 부분에 상기 제 1 안테나와 제 2 안테나의 간격을 조정하기 위한 위치조정수단을 설치하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 구성으로 제 1 안테나 및 제 2 안테나의 간격을 조정하고 플라즈마의 분포를 용이하게 조정할 수 있다.
또한 상기 진공용기 내에 기판을 반송하기 위한 기판반송수단을 구비하고 상기 기판반송수단이 기판을 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나의 소용돌이를 이루는 면과 마주보도록 반송하고 상기 기판반송수단에 의해 기판이 반송되는 방향과 교차하는 방향에 서로 이웃한 형태로 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나가 고정되는 것이 바람직하다.
상기와 같은 구성으로 기판의 반송방향에 수직하는 방향의 플라즈마 밀도분포를 용이하게 조정할 수 있다. 따라서, 기판의 반송방향에 수직하는 방향으로 광범위한 플라즈마 처리를 실시할 수 있다.
또한 상기 제 1 안테나 및 제 2 안테나가 제 1의 재료로 형성한 원관형 본체부와, 상기 본체부의 표면을 상기 제 1 재료 보다도 전기저항이 낮은 제 2재료로 피복한 피복층으로 구성되는 것이 바람직하다.
상기와 같이 구성되는 것으로 제 1 안테나 및 제 2 안테나의 본체부를 저렴한 가격으로 가공하기 쉽게 제 1 재료로 형성하고 전류가 집중하는 피복층을 전기저항이 낮은 제 2재료로 형성하는 것으로 안테나의 고주파 임피던스를 저하할 수 있으며 효율적인 박막형성을 실시할 수 있다.
또한 상기 가스도입수단은 상기 플라즈마 발생수단에 의해 플라즈마가 발생하는 영역에 반응성가스와 불활성가스를 도입하는 수단인 것이 바람직하다.
상기와 같은 구성으로 플라즈마가 발생하는 영역에 반응성가스와 불활성가스를 도입하는 것이 가능하다.
또한 상기 진공용기 내의 벽면에 절연체가 피복되어 있는 것이 바람직하다.
상기와 같은 구성으로 플라즈마 발생수단으로 발생시킨 플라즈마 내의 라디컬 또는 여기 상태의 라디컬등의 활성종이 진공용기 내의 벽면과 반응하여 소멸하는것을 억제하는 것이 가능하다.
본 발명에 관한 박막형성장치는 내부를 진공으로 유지하는 진공용기와, 상기 진공용기 내에 반응성가스를 도입하는 가스도입수단과, 상기 진공용기 내에 상기 반응성가스의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단을 구비하는 박막형성장치에 이며 상기 진공용기 내의 벽면에 절연체가 피복되고 상기 가스도입수단은 상기 플라즈마발생수단에 의해 플라즈마가 발생하는 영역에 반응성가스를 도입하는 수단인 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 진공용기 내의 벽면에 절연체가 피복된 구성을 하는 것으로 플라즈마 발생수단으로 발생시킨 플라즈마 내의 라디컬 또는 여기상태의 라디컬등의 활성종이 진공용기 벽내의 벽면과 반응하여 소멸하는 것을 억제하는 것이 가능하다. 또한 반응가스와 불활성가스를 도입하는 가스도입수단을 구비하는 것으로 플라즈마가 발생하는 영역에 반응성가스와 불활성가스를 도입하는 도입수단을 구비하는 것으로 플라즈마가 발생하는 영역에 반응성가스와 불활성가스를 도입하는 것이 가능하다.
이때 상기 플라즈마 발생수단은 고주파전원에 접속되어 동일평면상에서 소용돌이를 이루는 안테나를 구비하여 구성되는 것이 바람직하다.
또한 상기 불활성 가스가 아르곤가스, 헬륨가스, 네온가스, 크립톤가스, 키세논가스로 이뤄지는 군으로부터 선택되는 가스인 것이 바람직하다.
또한 절연체가 피복되는 상기 진공용기 내의 벽면이 상기 플라즈마 발생수단에 의해 플라즈마가 발생하는 영역에 면한 진공용기의 내벽면에 절연체가 피복되는 것으로 플라즈마 내의 플라즈마 또는 여기상태의 라디컬 등의 활성종이 진공용기와 반응하여 소멸하는 것을 억제하는 것이 가능하다.
또한 상기 플라즈마 발생수단에 의해 플라즈마가 발생하는 영역에 면하여 상기 진공용기의 내벽면에서 세워 설치하는 플라즈마 수속벽의 벽면인 것이 바람직하다.
이와 같이 절연체가 플라즈마 수속벽에 피복되어있는 것에 의해 플라즈마 발생수단으로 발생시킨 플라즈마 내의 라디컬 또는 여기상태의 라디컬등의 활성종이 플라즈마 수속벽의 벽면과 반응하여 소멸하는 것을 억제하는 것이 가능하다. 또한 플라즈마 수속벽을 구비하기 위해 플라즈마 수속벽으로 플라즈마 분포를 제어하는 것이 가능하다.
또한 상기 절연체가 열분해 질화붕소, 산화알루미늄 및 산화규소로 이뤄지는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명에 관한 박막형성방법은 진공용기 내의 플라즈마를 발생시킨 영역에 마주하는 벽면에 절연체를 피복한 박막형성장치를 이용하여 박막에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 박막형성방법이며 상기 플라즈마를 발생시키는 영역에 반응성 가스와 불활성가스를 혼합하여 도입하는 공정과, 상기 반응성가스의 플라즈마를 발생시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 때 상기 절연체가 열분해 질화붕소, 산화 알루미늄 및 산화규소로 이뤄지는 군으로부터 선택되는 절연인 것이 바람직하다.
게다가 상기 불활성가스가 아르곤가스, 헬륨가스, 네온가스, 크립톤가스, 키세논가스로 로 이뤄지는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
또한 상기 플라즈마를 발생시키는 공정은 동일평면상에서 소용돌이를 이루는 안테나에 고주파전원으로 전력을 공급하여 상기 진공용기 내의 플라즈마를 발생시키는 영역에 플라즈마를 발생시키는 공정인 것이 바람직하다.
상기와 같이 플라즈마를 발생시키는 영역에 마주하는 벽면에 절연체를 피복한 진공용기를 이용하는 것으로 발생시키는 플라즈마 내의 라디컬 또는 여기상태의 라디컬 등의 활성종이 진공용기의 내벽면과 반응하여 소멸하는 것을 억제하여 고주파 플라즈마 고효율의 플라즈마 처리를 실시하는 것이 가능하다. 또한 플라즈마가 발생하는 영역에 반응성가스와 불활성가스를 혼합하여 도입하는 것으로 플라즈마 내에 반응성가스의 라디컬의 밀도를 향상시킬 수 있고 고효율의 플라즈마 처리를 실시하는 것이 가능하다.
본 발명의 다른 이점 등은 이하의 기술에 의해 명백해진다.
도 1은 본 발명에 의한 박막형성장치의 일부 단면의 상단면을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 의한 박막형성장치의 일부 단면의 측단면을 도시한 것이다.
도 3은 플라즈마 발생수단을 도시한 것이다.
도 4는 안테나의 단면도이다.
도 5는 플라즈마 내의 산소원자와 산소이온의 비율을 측정한 실험결과의 일예이다.
도 6은 플라즈마 내에 존재하는 여기상태의 산소라디컬과 산소이온의 발생강도를 측정한 실험결과의 일예이다.
도 7은 플라즈마 내에 존재하는 여기상태의 산소라디컬과 산소이온의 발생강도를 측정한 실험결과의 일예이다.
도 8은 라디컬 내에 존재하는 여기상태의 산소라디컬의 발생강도를 측정한 실험결과의 일예이다.
도 9는 플라즈마 내의 산소 라디컬의 유량밀도를 측정한 실험결과의 일예를 도시한 것이다.
도 10은 종래의 플라즈마 발생수단을 이용하여 산화규소와 산화니오브의 다층박막을 형성한 경우의 박막의 투과율을 측정한 실험결과의 일예를 도시한 것이다.
도 11은 본발명의 플라즈마 발생수단을 이용하여 산화 니오브와 산화규소의 다층박막을 형성한 경우의 박막의 투과율을 측정한 실험결과의 일예를 도시한 것이다.
도 12는 평판형의 종래의 플라즈마 발생수단을 도시한 것이다.
이하 본 발명의 일실시예를 도면에 기초하여 설명한다. 또한 이하에 설명하 는 부재, 배치등은 본 발명을 한정하는 것은 아니고 본 발명의 취지내에서 다양하게 개변될 수 있다.
도 1, 도 2는 스퍼터(sputter)장치(1)에 관해 도시한 것이다. 도 1은 이해를 용이하게 하기위해 상단면을 도시한 것이며 도 2는 선 A-B-C에 연하여 일부단면을 잡은 상면도이다. 스퍼터 장치(1)는 본 발명의 박막형성장치의 일예이다.
본 실시예에서는 스퍼터의 일예인 마그네트론스퍼터(magnetron sputter)를 실시하는 스퍼터 장치(1)를 이용하고 있지만 이것에 한정되는 것은 아니며 마그네트론 방전을 이용하지 않은 양극스퍼터 등 다른 공지의 스퍼터를 실시하는 스퍼터 장치를 이용하는 것이 가능하다.
본 실시예의 스퍼터 장치(1)에 의하면 목적하는 막 두께 보다도 훨씬 얇은 박막을 스퍼터로 작성하고 플라즈마 처리하는 것을 반복하는 것으로 목적하는 막두께를 기판상에 형성할 수 있다. 본 실시예에서는 스퍼터와 플라즈마 처리에 의해 평균 0.01∼1.5nm의 막 두께의 박막을 형성하는 공정을 반복하는 것으로 목적한 수∼수백nm정도의 박막을 형성한다.
본 실시예의 스퍼터 장치(1)는 진공용기(11)와 박막을 형성시키는 기판을 진공용기(11)내에서 유지하기 위한 기판홀더(13), 기판홀더(13)를 구동하기 위한 모터(17), 사절벽(12, 16), 마그네트론스퍼터 전극(21a, 21b), 중주파교류전원(23), 플라즈마를 발생하기 위한 플라즈마 발생장치(61)을 주요한 구성요소로 한다. 사절판(16)은 본 발명의 플라즈마 수속벽에 상당하고 플라즈마 발생장치(61)는 본 발명의 플라즈마 발생수단에 상당하며 기판홀더(13)및 모터(17)는 본 발명의 기판반송 수단에 상당한다.
진공용기(11)는 공지의 스퍼터장치로 통상적으로 이용되는 스테인리스 스틸제이며 직방체형상을 구비하는 중공체이다. 진공용기(11)는 접지되어있다. 진공용기(11)의 형상은 중공의 원주형인 것도 좋다.
기판홀더(13)는 진공용기(11)내의 중앙에 배치된다. 기판홀더(13)의 형상은 원통형이며 그 외주면에 복수의 기판(도면에는 도시되어 있지 않음)을 유지한다. 또한 기판홀더(13)의 형상은 원통형뿐만 아니라 중공의 다각주상이나 원주형인 것도 좋다. 기판홀더(13)는 진공용기(11)로 부터 전기적으로 절연되며 전위적으로 플로팅(floating)된 형태가 된다. 기판홀더(13)는 원통의 통 방향의 중심축선(Z)(도2참조)이 진공용기(11)의 상하방향이 되도록 진공용기(11)내에 배설된다. 기판홀더(13)는 진공용기(11)내의 진공상태를 유지한 상태에서 진공용기(11)의 상부에 설치된 모터(17)에 의해 중심축선(Z)이 중심회전구동된다.
기판홀더(13)의 외주면에는 다수의 기판(도면에는 도시되어 있지 않음)이 기판홀더(13)의 중심축선(Z)에 연한 방향(상하방향)에 소정간격을 유지하면서 정렬시킨 상태로 유지된다.
사절판(12, 16)은 진공용기(11)의 내벽면으로 부터 기판홀더(13)에 향하여 세워 설치하여 설계된다. 본 실시예에 있어서 사절벽(12, 16)은 서로 마주 보는 한면이 개구한 통형의 직방체로 하며, 스테인리스제의 부재이다. 사절벽(12, 16)은 진공용기(11)의 측내벽과 기판홀더(13)의 사이에 진공용기(11)의 측벽으로부터 기판홀더(13)방향으로 세워 설치한 형태로 고정된다. 이때 사절벽(12, 16)의 개구한 일방측이 진공용기(11)의 측내벽측에 타방측이 기판홀더(13)에 접하는 방향에서 사절벽(12, 16)은 고정된다. 또한, 사절벽(12, 16)의 기판홀더(13)측에 위치하는 단부는 기판홀더(13)의 외주형상에 연한 형태가 된다.
진공용기(11)의 내벽면, 후술한 플라즈마 발생장치(61), 사절판(16), 기판홀더(13)의 외주면에 위요되며 플라즈마를 발생시켜 기판상의 박막에 대하여 플라즈마 처리를 실시하기 위한 반응프로세스존(60)이 형성된다. 본 실시예 에는 진공용기(11)의 사절벽(12)이 고정되는 위치로 부터 기판홀더(13)의 중심축선(Z)을 중심으로 하여 약 90도 회전시킨 위치에 사절벽(16)이 고정된다. 이를 위해 막형성 프로세스존(20)과 반응프로세스존(60)이 기판홀더(13)의 중심축선(Z)에 대하여 약 90도 어긋난 위치에 형성된다. 따라서 모터(17)에 의해 기판홀더(13)가 회전구동되면 기판홀더(13)의 외주면에 유지된 기판이 막형성 프로세스존(20)에 마주하는 위치와 반응프로세스존(60)에 마주하는 위치의 사이에서 반송된다.
진공용기(11)의 막형성프로세스존(20)과 반응프로세스존(60) 사이의 위치에는 배기용 배관이 접속되며 상기 배관에는 진공용기(11)내를 배기하기위한 진공펌프(15)가 접속된다. 상기 진공펌프(15)와 도시되지 않은 제어에 의해 진공용기(11)내의 진공도가 조정할 수 있도록 구성된다.
사절벽(16)의 반응프로세스존(60)에 마주하는 벽면에는 절연체로부터 이뤄지는 보호벽(P)이 피복된다. 게다가 진공용기(11)의 내벽면의 반응프로세스존(60)에 마주하는 부분에도 절연체로부터 이뤄지는 보호벽(P)이 피복된다. 예를 들면 열분 해 질화붕소(PBN: Pyrolytic Boron Nitride)나 산화알루미늄(Al2O3)이나 산화규소(SiO2), 질화붕소(BN)를 이용하는 것이 가능하다. 보호층(P)은 화학적 기상성장법(Chemical Vapor Deposition)이나 증착법, 용사법 등에 의해 사절벽(16)이나 진공용기(11)의 내벽면에 피복된다. 열분해 질화붕소의 경우에는 화학적 기상성장법을 이용한 열분해법에의해 사절벽(16)이나 진공용기(11)의 내벽면에 피복 하는 것도 좋다.
막형성 프로세스존(20)에는 기판홀더(13)의 외주면에 마주보도록 진공용기(11)의 벽면에 마그네트론스퍼터 전극(21a, 21b)이 배치된다. 상기 마그네트론스퍼터전극(21a, 21b)는 도시되지는 않았지만 절연부재를 사이에 두고 접지전위에 있는 진공용기(11)에 고정된다. 마그네트론스퍼터전극(21a, 21b)은 트랜스(24)를 사이에 두고 중주파교류전원(23)에 접속되고 교반전계가 인가 가능하게 구성된다. 본 실시예의 중주파교류전원(23)은 1k∼100kHz의 교반전계를 인가한다. 마그네트론스퍼터전극(21a, 21b)에는 타겟(29a, 29b)이 유지된다. 타겟(29a, 29b)의 형태는 평판형이며 타겟(29a, 29b)의 기판홀더(13)의 외주면과 마주보는 면이 기판홀더(13)의 중심축선(Z)과 수직방향으로 향하도록 유지된다.
또한 스퍼터를 실시하는 막형성 프로세스존을 한 부분뿐만 아니라 복수부분 설치하는 것이 가능하다. 즉 도 1의 파선으로 도시된 것처럼 진공용기(11)에 막형성 프로세스존(20)과 동일한 막형성 프로세스존(40)을 설치하는 것이 가능하다. 예를들면 진공용기(11)에 사절벽(14)를 설치하고 막형성프로세스존(20)에 대하여 기 판홀더(13)를 사이에두고 대상위치에 막형성프로세스존(40)을 설치하는 것이 가능하다. 막형성 프로세스존(40)에는 막형성 프로세스존(20)과 동일하게 마그네트론스퍼터전극(41a, 41b)가 배치된다. 마그네트론스퍼터 전극(41a, 41b)은 트랜스(44)를 사이에 두고 중주파교류전원(43)에 접속되며 교반전계가 인가가능하게 구성된다. 마그네트론스퍼터전극(41a, 41b)에는 타겟(target)(49a, 49b)이 유지된다. 막형성 프로세스존(40)에는 매스플로우컨트롤러(45, 46)가 배관을 사이에 두고 연결된다. 매스플로우컨트롤러(45)는 불활성가스를 저류하는 스퍼터가스봄베(47)에 매스플로우 컨트롤러(46)는 반응성가스를 저류하는 반응성가스봄베(48)에 접속된다. 진공용기(11)의 막형성 프로세스존(40)과 반응프로세스존(60) 사이의 위치에는 배기용 배관이 접속되고 상기 배관에는 진공용기(11)내를 배기하기 위한 진공펌프(15')가 접속된다. 진공봄베(15')를 진공펌프(15)와 공통으로 사용해도 좋다.
반응프로세스존(60)에 대응하는 진공용기(11)의 내벽면에는 개구가 형성되고 상기 개구에는 플라즈마 발생수단으로서 플라즈마 발생장치(61)가 연결된다. 또한 반응프로세스존(60)에는 본 발명의 가스도입수단으로서 매스플로우컨트롤러(75)를 사이에 두고 불활성가스봄베(77)내의 불활성가스를 도입하기 위한 배관이나 매스플로우컨트롤러(76)를 사이에 두고 반응성가스봄베(78) 내의 반응성가스를 도입하기 위한 배관이 접속된다. 반응프로세스존(60)에 도입하는 불활성가스로서 예를 들면아르곤가스, 헬륨가스, 네온가스, 크립톤가스, 키세논가스를 이용할 수 있다. 또한 반응성 프로세스존(60)에 도입하는 반응성가스 로서 예를들면 산소가스, 질소가스, 불소가스, 오존가스등을 이용할 수 있다.
도 3은 플라즈마 발생장치(61)는 유전체로 판상에 형성된 유전체벽(63)과 동일평면상에서 소용돌이를 이루는 안테나(65a, 65b)와 안테나(65a, 65b)를 고주파전원(69)과 접속하기위한 도선(66)과 안테나(65a, 65b)를 유전체벽(63)에 대하여 고정하기 위한 고정구(68)를 구비하여 구성된다. 안테나(65a)는 본발명의 제 1 안테나에 상당하고 안테나(65b)는 본발명의 제 2 안테나에 상당하며, 고정구(68)는 본 발명의 안테나 고정수단에 상당한다.
본 실시예의 유전체벽(63)은 석영으로 형성된다. 또한 유전체벽(63)은 석영이 아닌 Al2O3등의 다른 세라믹 재료로 형성될 수 있다. 유전체벽(63)은 진공용기(11)에 형성된 플랜지(flange)(11a)와 직사각형인 한 개체(11b)에 의해 사이에 끼도록하며 반응프로세스존(60)에 대응하여 진공용기(11)의 내벽에 형성된 개구를 위치에 설치된다. 안테나(65a)와 안테나(65b)는 진공용기(11)의 외측에서 유전체벽(63)에 대응하는 위치에 소용돌이를 이루는 면이 진공용기(11)의 내측을 향하도록 상하(중심축선(Z)과 평행한 방향)에 마주보는 형태로 고정구(68)에 의해 고정된다 (도 2, 도 3참조). 즉 도 2, 도 3에 도시한 바에 의해 안테나(65a)와 안테나(65b)의 소용돌이를 이루는 면(유전체벽(63))에 대한 수선에 수직하는 방향으로 소정의 간격(D)을 유지하여 안테나(65a)와 안테나(65b)가 고정된다.
따라서, 모터(17)이 기판홀더(13)를 중심축선(Z) 주변으로 회전되는 것에 의해 기판홀더(13)의 외주에 유지된 기판은 기판의 막형성면이 안테나(65a, 65b)의 소용돌이를 이루는 면과 마주보도록 반송된다. 즉 안테나(65a)와 안테나(65b)가 상 하로 마주보는 형태로 고정되기 위해 안테나(65a)와 안테나(65b)는 기판이 반송되는 방향과 교차하는 방향(중심축선(Z)와 평행한 방향 본 실시예는 상하방향)에 마주보는 형태로 고정된다.
본 실시예의 고정구(68)는 고정판(68a, 68b)과 볼트(68c, 68d)로 구성된다. 고정판(68a)과 유전체벽(63)으로 안테나(65a)를 사이에 두고 고정판(68d)과 유전체벽(63)으로 안테나(65b)를 사이에 두며 고정판(68a, 68b)을 개체(11b)에 대하여 볼트(68c, 68d)를 단단히 조이는 것에 의해 안테나(65a, 65b)는 고정된다.
안테나(65a)와 안테나(65b)는 고주파전원에서 안테나(65a, 65b)에 이르는 도선(66)의 앞에 고주파전원(69)에 대하여 병렬로 접속된다. 안테나(65a, 65b)는 매칭회로를 수용하는 매치박스(67)를 사이에 두고 고주파전원(69)에 접속된다. 매칭박스(67)내에는 도 3에 도시된 바와 같이 가변컨덴서(67a, 67b)가 설치되어 있다. 본 실시예에서는 안테나(65a)에 대하여 안테나(65b)가 병렬로 접속되기 위해 종래의 매칭회로(도 12 참조)에서 매칭용코일(167c)이 완수하는 설목(設目)의 전부 또는 일부를 안테나(65b)가 완수한다. 따라서 매칭박스 내에서의 전력손실을 경감하고 고주파전원(69)으로부터 공급되는 전력을 안테나(65a, 65b)에서 플라즈마 발생에 효과적으로 활용할 수 있다. 또한 임피던스 매칭도 얻기 쉽다.
도선(66)의 앞에 접속된 부분에서 안테나(65a)와 안테나(65b)의 사이를 잇는 부분에는 안테나(65a)와 안테나(65b)의 간격(D)을 조정할 수 있도록 느슨한부(66a, 66b)를 설치한다. 느슨한부(66a, 66b)는 본 발명의 위치조정수단에 상당한다. 본 실시예의 스퍼터장치(1)에서는 안테나(65a, 65b)를 고정구(68)에 의해 고정할 때에 느슨한부(66a, 66b)를 신축시키는 것으로 안테나(65a)와 안테나(65b)의 상하방향의 간격(D)을 조정할 수 있다. 즉 고정판(68a, 68b)과 유전체벽(63)에 의해 안테나(65a, 65b)를 사이에 두는 위치를 바꿀 수 있는 것으로 간격(D)을 조정할 수 있다.
도 4는 안테나(65a)의 단면도이다. 본 실시예의 안테나(65a)는 동으로 형성된 원관형 본체부(65a1)와 본체부의 표면을 피복하는 은으로 형성된 피복층(65a2)으로 구성된다. 안테나(65a)의 임피던스를 저하하기 위해서는 전기저항이 낮은 재료로 안테나(65a)를 형성하는 것이 바람직하다. 그래서 고주파 전류가 안테나의 표면에 집중하는 특성을 이용하여 본체부(65a1)를 저렴한 가격으로 가공할 수 있으며 전기저항도 낮은 동으로 원관형을 형성하고 본체부(65a1)의 외측표면을 동보다도 전기저항이 낮은 은으로 피복한 피복층(65a2)를 구비하는 구성으로 한다. 상기와 같은 구성으로 고주파전원에 대한 안테나(65a, 65b)의 임피던스를 저감하여 안테나(65a)에 전류를 효율이 좋게 하기 위해 플라즈마를 발생시키는 효율을 높인다. 안테나(65b)의 구성도 안테나(65a)와 동일하게 동제의 본체부(65b1)와 은으로 형성된 피복층(65b2)를 구비한다. 물론 안테나(65a)와 안테나(65b)의 단면 크기(두께)를 바꿀 수도 있다. 또한 본 실시예에서는 느슨한부(66a, 66b)도 동으로 원관형이 형성되고 표면에 은을 피복한다.
본 실시예의 플라즈마 발생장치(61)에서는 안테나(65a)와 안테나(65b)의 상하방향의 간격(D)이나 안테나(65a)의 경Ra, 안테나(65b)의 경Rb등을 조정하여 안테 나(65a, 65b)를 고정하고 반응성가스봄베(78)내의 반응성가스를 매스플로우 컨트롤러(75)사이에 두고 0.1Pa∼10Pa정도의 진공에 보관한 반응프로세스존(60)에 도입한다. 그리고 고주파전원(69)로 부터 안테나(65a, 65b)에 13.56MHz의 전압을 인가하는 것으로 반응프로세스존(60)에 반응성가스의 플라즈마를 원하는 분포로 발생시키고 기판홀더(13)에 배치되는 기판에 대하여 플라즈마 처리를 실시할 수 있다.
본 실시예에서는 병렬로 접속한 두개의 안테나(65a, 65b)와 느슨한부(66a, 66b)를 구비하는 구성에 의해 한개의 안테나를 크게 하는 경우에 비교하여 매칭박스(67)내의 매칭회로에서의 전력손실을 저감할 수 있으며 임피던스 매칭을 얻기 쉽고 효율적인 플라즈마 처리를 광범위하게 실시할 수 있다.
또한 안테나(65a, 65b)의 본체부(65a1,65a2)를 저렴한 가격으로 가공하기 용이하며 전기저항도 낮은 동으로 원관형에 형성하며 또한 피복층(65a2, 65b2)를 동보다도 전기저항이 낮은 재료인 은으로 형성하는 것으로 안테나(65a, 65b)의 고주파 임피던스를 저하할 수 있고 전력손실을 저감한 효율적인 플라즈마 처리를 할 수 있다.
또한 본 실시예에서는 안테나(65a)와 안테나(65b)의 상하방향의 간격(D)을 조정하는 것으로 기판홀더(13)에 배치되는 기판에 대한 플라즈마의 분포를 조정할 수 있다. 또한 안테나(65a)의 경Ra나 안테나(65b)의 경Rb 또는 안테나(65a, 65b)의 두께등을 독립적으로 변경하는 것을 가능하게 하기위해 안테나(65a)의 경 Ra나 안테나(65b)의 경Rb 또는 두께 등을 조정하는 것으로도 플라즈마 분포를 조정할 수 있다. 또한 본 실시예에서는 도 3에 도시된 바와같이 안테나(65a)나 안테나(65b)의 전체형태를 구형 패널(panel)상 등의 형태로 변경하여 플라즈마 분포를 조정할 수 있다.
특히 기판의 반송방향에 교차하는 방향(중심축선(Z)와 평행한 방향)에 안테나(65a)와 안테나(65b)를 배열하고 각각의 간격도 조정하는 것을 가능하게 하기 위하여 기판의 반송방향에 교차하는 방향(중심축선(Z)과 평행한 방향)에서 광범위한 플라즈마 처리를 할 필요가 있는 경우에 플라즈마의 밀도분포를 용이하게 조정할 수 있다. 예를 들어 본 실시예와 같이 카아셀(carsel)형의 스퍼터장치(1)를 이용하여 플라즈마 처리를 하는 경우에는 기판홀더(13)에서의 기판의 배치, 스퍼터조건등에 의해 기판홀더(13)의 상방에 위치하는 박막과 중간에 위치하는 박막의 막 두께와 다르게 되지 않는 경우가 있다. 상기와 같은 경우에도 본 실시예의 플라즈마 발생장치(61)을 이용하면 막 두께의 차이에 대응하여 플라즈마의 밀도분포를 적절한 구조로 조정 할 수 있는 이점이 있다.
그리고 본 실시예 에서는 상술한 바와 같이 사절벽(16)의 반응프로세스존(60)에 마주하는 벽면이나 진공용기(11)의 내벽면의 반응프로세스존(60)에 마주하는 부분에 열분해 질화붕소가 피복하는 것으로 반응프로세스존(60)의 라디컬 밀도를 높게 유지하여 보다 많은 라디컬을 기판상의 박막과 접촉시켜 플라즈마 처리의 효율화를 도시하고 있다. 즉 사절벽(16)이나 진공용기(11)의 내벽면에 화학적으로 안정한 열분해 질화붕소를 피복하는 것으로 플라즈마 발생장치(61)에 의해 반응프로세스존(60)에 발생한 라디컬 또는 여기상태의 라디컬이 사절벽(16)이나 진공용기 (11)의 내벽면과 반응하여 소멸하는 것을 억제한다. 또한 사절벽(16)에서 반응프로세스존(60)에 발생하는 라디컬이 기판홀더(13)의 방향으로 향하도록 제어할 수 있다.
이하에 상술한 스퍼터 장치(1)를 이용한 플라즈마 처리의 방법으로 기판상에 스퍼터로 형성한 불완전산화규소(SiOx1(x1＜2))의 박막에 대하여 플라즈마 처리를 실시하고 상기 불완전화규소 보다도 산화가 진행된 산화규소(SiOx2)(x1＜x2≤2)의 박막을 형성하는 방법에 관하여 예시한다. 또한 불완전 산화규소 와는 산화규소(SiO2)의 구성원소인 산소가 흠핍한 불완전한 산화규소(SiOx(x＜2)이다.
우선 기판 및 타겟(29a, 29b)을 스퍼터장치(1)에 배치한다. 기판은 기판홀더(13)에 유지시킨다. 타겟(29a, 29b)는 각각 마그네트론스퍼터전극(21a, 21b)에 유지시킨다. 타겟(29a, 21b)의 재료로 규소(Si)를 이용한다.
다음으로 진공용기(11)내를 소정의 압력에 감압하고 모터(17)을 작동시키며 기판홀더(13)를 회전시킨다. 그 후 진공용기(11)내의 압력이 안정한 후에 막형성프로세스존(20)내의 압력을 0.1Pa∼1.3Pa로 조정한다.
다음으로 막형성 프로세스존(20)내에 스퍼터용 불활성가스인 아르곤가스와 반응성가스인 산소가스를 스퍼터가스봄베(27) 반응성가스봄베(28)로부터 매스플로우컨트롤러(25, 26)에서 유량을 조정하면서 범위가 넓어지고 막형성 프로세스존(20)내의 스퍼터를 실시하기 위한 분위기를 조정한다.
다음으로 중주파교류전원(23)으로 부터 트랜스(24)를 사이에 두고 마그네트 론스퍼터전극(21a, 21b)에 주파수 1∼100KHz의 교류전압을 인가하고 타겟(29a, 29b)에 교반전계가 걸리도록 한다. 상기에 의해 어떤 지점에서 타겟(29a)이 캐소드(음극)가 되고 그 때 타겟(29b)는 반드시 애노드(양극)가 된다. 다음의 시점에서 교류의 방향이 변화하면 이번에는 타겟(29b)이 캐소드(음극)가 되고 타겟(29a)이 애노드(양극)가 된다. 이처럼 일대의 타겟(29a, 29b)이 교호에 애노드와 캐소드가 되는 것에 의해 플라즈마가 형성되고 캐소드상의 타겟에 대하여 스퍼터를 실시한다.
스퍼터를 실시하는 한중간에 애노드 상에는 비도전체성 또는 도전성이 낮은 산화규소(SiOx(x≤2))가 부착하는 경우도 있지만 상기 애노드가 교반전계에 의해 캐소드로 변환된 때에 산화규소(SiOx(x≤2))가 스퍼터되고 타겟 표면은 원래 청정한 상태로 된다.
그리고 일대의 타겟(29a, 29b)이 교호에 애노드와 캐소드가 되는 것을 반복하는 것에 의해 안정한 애노드 전위상태가 얻어지며 플라즈마전위(통상 애노드 전위와 대체적으로 동일하다)의 변화가 방지되며 기판의 막형성면에 안정하여 규소 또는 불완전산화규소(SiOx1(x1〈2))로 이뤄지는 박막이 형성된다.
또한 막형성 프로세스존(20)에서 형성하는 박막의 조성은 막형성 프로세스존(20)에 도입하는 산소가스의 유량을 조정하는 것이나 기판홀더(13)의 회전속도를 제어하는것으로 규소(Si)로 하거나 산화규소(SiO2)로 하거나 또는 불완전 산화규소 (SiOx1(x1＜2)로 하는것이 가능하다.
막형성 프로세스존(20)에서 기판의 막형성면에 규소 또는 불완전산화규소(SiOx1(x1＜2)로 박막을 형성시킨 후에는 기판홀더(13)의 회전구동에 의해 기판을 막형성 프로세스존(20)에 마주하는 위치부터 반응프로세스존(60)에 마주하는 위치에 반송한다.
막형성 프로세스존(60)에는 반응성가스봄베(78)로 부터 반응성가스로서 산화가스를 도입하는것과 불활성가스봄베(77)로 부터 불활성가스(예를 들면 아르곤가스)를 도입한다. 다음에 안테나(65a, 65b)에 13.56MHz의 고주파전압을 인가하여 플라즈마 발생장치(61)에 의해 반응프로세스존(60)에 플라즈마를 발생시킨다. 반응 플로세스존(60)의 압력은 0.7Pa∼1Pa로 유지한다.
다음에 기판홀더(13)가 회전하여 규소 또는 불완전산화규소(SiOx1(x1〈2))로 되는 박막이 형성된 기판이 반응프로세스존(60)에 마주하는 위치에 반송되어 오면 반응프로세스존(60)에서는 규소 또는 불완전산화규소(SiOx1(x1〈2))를 산화반응시켜 원하는 구성의 불완전산화규소(SiOx2(x1〈x2〈2))또는 산화규소로 변환시킨다.
이상의 공정에 의해 본 실시예에서는 원하는 조성의 산화규소(SiOx(x≤2)) 박막을 작성하는 것이 가능하다. 게다가 이상의 공정을 반복하는 것으로 박막을 적층시켜 원하는 막 두께의 박막을 만들 수 있다.
특히 본 실시예에서는 반응프로세스존(60)에 반응성가스 뿐만 아니라 불활성 가스를 도입하고 있다. 반응프로세스존(60)에 도입하는 불활성가스의 비율은 반응프로세스존(60)의 형상, 반응프로세스존(60)의 압력, 안테나(65a, 65b)에 의한 방전조건, 불활성가스, 반응성가스의 종류에 의해 최적의 비율이 결정된다. 예를 들면 반응성가스의 유량과 불활성가스 유량의 합계 유량에 대하여 불활성가스를 27%정도 의 유량으로 도입한다.
상기와 같이 반응프로세스존(60)에 반응성가스 뿐만 아니라 불활성가스를 도입하는것으로 플라즈마 내에 있어서 반응성가스 라디컬의 상대적인 밀도를 향상시킬 수 있다. 이 효과를 도 5 내지 도 7에 도시했다. 도 5 내지 도 7은 반응성가스로서 산소를 불활성 가스로서 아르곤가스를 도입하여 실험한 경우의 실험결과를 도시한 것이다.
도 5는 반응프로세스존(60)에 발생한 플라즈마 내의 산소원자와 산소 이온의 비율을 도시한 것이며 반응프로세스존(60)에 산소가스만을 도입한 경우와 산소가스와 아르곤가스를 혼합하여 도입한 경우를 비교한 실험결과를 도시한 것이다. 도 5의 횡축이 고주파전원(69)에서 인가하는 전력을 종축이 발생강도비를 도시하고 있다. 또한 발광강도비는 발생분광법(Optical Emission Spectroscopy)으로 플라즈마 내에 존재하는 여기상태의 산소 라디컬과 산소 이온의 발광강도를 측정하는 것으로 구하고 있다. 도 5 부터 반응프로세스존(60)에 산소가스만을 150sccm을 도입한 경우보다도 산소가스와 아르곤가스를 혼합하여 도입한 경우(산소가스를 110sccm, 아르곤가스를 40sccm을 혼입한 경우 즉 산소가스의 유량과 아르곤가스의 유량의 합계의 유량에 대해서 아르곤가스를 27%정도의 유량을 혼입한 경우)에 여기상태의 산소 라디컬의 밀도가 높은것을 알 수 있다. 또한 유량의 단위로서 sccm은 0℃, 1atm에서 1분간 정도 유량을 나타내는 것으로 cm3/min과 동일하다.
도 6은 반응프로세스존(60)에 산소가스와 아르곤가스를 혼합하여 도입(산소가스를 110sccm, 아르곤가스를 40sccm 혼입)한 경우에서 플라즈마 내에 존재하는 여기상태의 산소 라디컬과 산소 이온의 발광강도를 발광분광법으로 측정한 실험결과를 나타낸다. 도 7은 도 6의 결과와 비교예를 나타낸 것이며 반응프로세스존(60)에 아르곤가스를 혼입시키지 않고 산소가스를 도입(산소가스를 150sccm 혼입)한 경우에서 플라즈마 내에 존재하는 여기상태의 산소 라디컬과 산소 이온의 발광강도를 발광분광법으로 측정한 실험결과를 나타낸다.
도 6, 도 7의 횡축이 고주파전원(69)에서 인가하는 전력을 종축이 발광강도비를 나타낸다. 도 6, 도 7의 결과를 비교하면 아르곤가스를 도입시키지 않고 산소가스를 도입한 경우에 비교하여 산소가스와 아르곤가스를 혼합하여 도입한 경우에 산소라디컬의 발생강도가 강하고 산소 라디컬의 밀도가 높은 것을 알 수 있다.
게다가 본 실시예에서는 상술한 것처럼 사절벽(16)이나 진공용기(11)의 내벽면의 반응프로세스존(60)에 마주하는 부분에 절연체가 피복되어 있기 위해 반응프로세스존(60)에 있어서 플라즈마 내의 산소라디컬의 밀도를 높게 유지할 수 있다.
도 8은 사절벽(16)이나 진공용기(11)의 내벽면의 반응프로세스존(60)에 마주하는 부분을 피복하는 보호층(P)의 구성성분을 바꾼 경우에 있어서 플라즈마 내에 존재하는 여기상태의 산소 라디컬의 발생강도를 발광분광법으로 측정한 실험결과를 도시한다. 도 8의 횡축이 고주파전원(69)에서 인가하는 전력을 종축이 발생강도비를 도시한다.
도 8에 도시된 바와 같이 보호층(P)을 설치하지 않은 경우(도8에서 '스테인리스'라고 표기되어 있는 실험결과)에 비교하여 열분해 질화붕소(PBN)이나 산화 알루미늄(Al2O3)이나 산화규소(SiO2)로 이뤄지는 보호층(P)에서 사절벽(16)을 피복한 경우에 산소 라디컬의 발생강도가 강하고 산소 라디컬의 밀도가 높은 것을 알 수 있다. 특히 열분해질화붕소(PBN)으로 부터 이루어지는 보호층(P)에서 사절벽(16)을 피복한 경우에 산소라디컬의 발광강도가 강한 것을 알 수 있다.
도 9는 반응프로세스존(60)에 발생한 플라즈마 내의 산소 라디컬의 유량밀도를 도시한 도이며 사절벽(16)이나 진공용기(11)에 열분해질화붕소(PBN)을 피복한 경우와 피복하지 않은 경우를 비교한 실혐결과의 일예를 도시한 것이다. 본 실험예에서는 사절벽(16)이나 진공용기(11)에 열분해질화붕소를 피복한 경우로서 사절벽(16)의 반응프로세스존(60)측에 마주하는 측이나 진공용기(11)의 내벽면에서 사절벽(16)에 의해 위요되는 반응프로세스존(60)에 마주하는 부분에 열분해질화붕소를 피복한다.
도 9의 횡축이 반응프로세스존(60)에 도입하는 산소가스의 유량을 종축이 반응프로세스존(60)에 발생한 플라즈마 내의 산소 라디컬의 유량밀도를 도시하고 있다. 또한 도 9의 종축에 도시한 산소 라디컬의 유량밀도의 값은 절대유량밀도의 값을 도시하고 있다. 절대유량밀도의 값은 은박막의 산화도로부터 정해진다. 즉 기판 홀더(13)에 은박막을 형성시킨 기판을 유지시켜두어 반응프로세스존(60)에서의 플라즈마 처리전후의 박막의 중량변화로 부터 은의 산화도를 계측하고 상기 산화도로 부터 절대유량밀도의 값을 계산한다. 도 9로부터 사절벽(16)이나 진공용기(11)에 열분해 질화붕소를 피복한 경우에 산소라디컬의 유량밀도가 높은 것을 알 수 있다.
이상 원하는 조성의 산화규소(SiOx(x≤2))박막을 작성하는 경우를 나타내지만 스퍼터를 실시하는 막형성 프로세스존을 한 부분뿐만 아니라 복수부분 설치하여 스퍼터를 실시하는 것으로 다른 조성의 박막을 반복하여 적층 시킨 박막을 형성할 수 있다. 예를 들면 상술한 것처럼 스퍼터장치(1)에 막형성 프로세스존(40)을 설치하여 타겟(49a, 49b)으로 니오브(Nb)를 이용한다. 그리고 산화규소 박막을 작성한 경우와 동일한 방법으로 산화규소 박막상에 원하는 조성의 산화니오브(NbOy(y〈2.5)) 박막을 작성한다. 그리고 막형성프로세스존(20)에서의 스퍼터, 반응프로세스존(60)에서의 플라즈마처리에 의한 산화, 막형성프로세스존(40)에서의 스퍼터, 반응프로세스존(60)에서의 플라즈마처리에 의한 산화공정을 반복하여 원하는 조성의 산화규소(SiOx(x≤2)박막과 산화니오브(NbOy(y≤2.5))박막을 반복하여 적층 시킨 박막을 형성할 수 있다.
특히 본 실시예에서는 플라즈마 발생장치(61)를 구비한 스퍼터장치(1)를 이용하는 것으로 치밀하고 막질이 좋은 고기능 박막을 만들 수 있다. 상기 효과를 도 10, 도 11에 도시하였다.
도 10, 도 11은 산화규소(SiO2)와 산화니오브(Nb2O5)의 다층박막을 형성한 경 우의 박막의 투과율을 도시한 것이다. 도 10이 스퍼터장치(1)의 플라즈마 발생장치(61)에 대신하여 도 12에 도시한 종래의 플라즈마 발생장치(161)을 이용하여 산화니오브와 산화규소의 다층박막을 형성한 경우의 실험결과이며 도 11이 본 실시예의 플라즈마 발생장치(61)를 이용하여 산화 니오브와 산화규소의 다층박막을 형성한 경우의 실험결과이다. 도 10, 도 11의 횡축이 측정파장, 종축이 투과율을 나타낸다.
종래형태의 플라즈마 발생장치(161)을 이용한 경우에서는 고주파전원(169)에서 5.5kW의 전압을 인가하고 SiO2를 0.3nm/s, Nb2O5를 0.2nm/s의 비율로 막형성한다. 그리고 SiO2층과 Nb2O5층을 차례로 17회 반복하여 적층하고 총물리막 두께 940nm의 박막을 작성한다. 그 결과 측정파장을 650nm로 하면 감쇠계수 k가 100×10-5인 박막이 작성된다(도 10).
한편 본 실시예의 플라즈마 발생장치(61)를 구비한 스퍼터장치(1)를 이용한 경우에는 고주파전원(69)에서 4.0kW의 전압을 인가하고 SiO2fmf 0.5nm/s, Nb2O5를 0.4nm/s의 비율로 막형성한다. 그리고 SiO2층과 Nb2O5층을 차례로 38회 반복하여 적층하고 총물리막 두께 3242nm의 박막을 작성한다. 그 결과 측정파장을 650nm로 하면 감쇠계수 k가 5×10-5인 박막이 작성된다(도 11).
상기와 같이 본 실시예의 플라즈마 발생장치(61)을 구비한 스퍼터장치(1)을 이용하여 산화규소와 산화니오브의 다층박막을 형성한 결과를 봐도 알듯이 본 실시 예의 스퍼터장치(1)를 이용하여 플라즈마 처리를 실시하는것으로 박막을 작성하면 감쇠계수(흡수계수)의 작은 양호한 박막을 만들 수 있다.
또한 감쇠계수 k는 광학상수(복소굴절율)을 N, 굴절율을 n으로 한 경우에 N=n+ik의 관계로 나타내진다.
이상에 설명한 실험형태는 예를 들어 다음의 (a)∼(i)와 같이 개변할 수 있다. 또한 (a)∼(i)를 적구조합시켜 개변할 수 있다.
(a) 상기 실험형태에서는 플라즈마 발생에서는 플라즈마 발생수단으로 도 1 내지 도 3에 도시한 바와 같이 판상의 유전체벽(63)에 대하여 안테나(65a, 65b)를 고정한 유도결합형(평판형)의 플라즈마 발생수단을 이용하고 있지만 본 발명은 다른 타입의 플라즈마 발생수단을 구비한 박막형성장치에도 적용된다. 즉 유도결합형(평판형) 이외 타입의 플라즈마 발생수단을 구비한 박막형성장치를 이용한 경우에서도 열분해 질화붕소를 진공용기의 내벽면이나 플라즈마 수속벽에 피복하는 것으로 상기의 실시형태와 동일하게 플라즈마 발생수단에서 발생시킨 플라즈마 내의 라디컬 또는 여기상태의 라디컬이 진공용기의 내벽면이나 플라즈마 수속벽의 벽면과 반응하여 소멸하는 것을 억제할 수 있다. 유도결합형(평판형) 이외 타입의 플라즈마 발생수단으로서는 예를 들어 평형평판형(양극방전형)이나 ECR(Electron Cyclotron Resonance)형, 마그네트론형, 헬리콘(helicon)파형, 유도결합형(원통형)등의 여러가지가 생각되어진다.
(b) 상기 실시형태에서는 박막형성장치의 일실시예로서 스퍼터장치에 관해 설명을 했지만 본발명은 다른 타입의 박막형성장치에도 적용할 수 있다. 박막형성 장치로서는 예를 들어 플라즈마를 이용한 에칭을 실시하는 에칭장치, 플라즈마를 이용한 CVD(Chemical Vapor Deposition)를 실시하는 CVD장치등도 좋다. 또한 라디컬의 표면처리를 플라즈마를 이용하여 실시하는 표면처리장치에도 적용할 수 있다.
(c) 상기 실시형태에서는 소위 카아셀형의 스퍼터 장치를 이용하고 있지만 이것에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 기판이 플라즈마를 발생시키는 영역에 면하여 반송되는 다른 스퍼터장치에도 적용될 수 있다.
(d) 상기 실시형태에서는 사절벽(16)의 반응프로세스존(60)에 마주하는 벽면이나 진공용기(11)의 내벽면의 반응프로세스존(60)에 면하여 절연체로 이뤄지는 보호층(P)를 형성했지만 다른 부분에도 절연체로 이뤄지는 보호층(P)를 형성하여도 좋다. 예를 들면 사절벽(16)의 반응프로세스존(60)에 마주하는 벽면뿐만 아니라 사절벽(16)의 다른 부분에도 절연체를 피복하여도 좋다. 이것에 의해 라디컬이 사절벽(16)과 반응하여 라디컬이 감소하는것을 최대한 회피할 수 있다. 또한 에를 들면 진공용기(11)의 내벽면의 반응프로세스존(60)에 마주하는 부분뿐만 아니라 진공용기(11)의 내벽면에 있어서 다른 부분 예를 들면 내벽면의 전체에 절연체를 피복하여도 좋다. 이것에 의해 라디컬이 진공용기(11)의 내벽면과 반응하여 라디컬이 감소하는 것을 최대한 회피할 수 있다. 사절벽(12)에 절연체를 피복하여도 좋다.
(e) 상기 실험형태에서는 고정판(68a, 68b)와 유전체벽(63)에서 안테나(65a, 65b)를 사이에 두고 볼트(68c, 68d)에서 고정판(68a, 68b)을 개체(11b)에 고정하는것으로 안테나(65a, 65b)를 고정하지만 요는 간격(D)을 조정하여 안테나(65a, 65b)를 고정할 수 있다면 다른 방법도 좋다. 예를 들면 고정판(68a)에 대하여 안테나 (65a)를 고정판(68b)에 대하여 안테나(65b)를 미리 고정해두며 개체(11b)에 볼트(68c, 68d)를 상하로 슬라이드 시키는 긴구멍을 설치해둔다. 그리고 고정판(68a, 68b)을 상하방향으로 슬라이드 시켜 간격(D)을 선택하고 원하는 간격(D)에서 볼트(68c, 68d)를 단단히 조이는 것으로 개체(11b)에 대한 고정판(68a, 68d)의 상하방향의 고정위치를 결정해도 좋다.
(f) 상기 실시형태에서는 안테나(65a)의 본체부(65a1)을 동으로 피복층(65a2)를 은으로 형성했지만 본체부(65a1)를 저렴한 가격으로 가공이 용이하며 전기저항도 낮은 재료로 형성하며 전류가 집중하는 피복층(65a2)을 본체부(65a1)보다도 전기저항이 낮은 재료로 형성해도 좋기 때문에 다른 재료로 조합하는 것도 좋다. 예를 들면 본체부(65a1)를 알루미늄 또는 알루미늄 동합금으로 형성하거나 피복층(65a2)을 동, 금으로 형성하여도 좋다. 안테나(65b)의 본체부(65b1), 피복층(65b2)도 동일하게 개변할 수 있다. 또한 안테나(65a)와 안테나(65b)를 다른 재료로 형성하여도 좋다.
(g) 상기 실험형태에서는 반응프로세스존(60)에 반응성가스로서 산소를 도입하였지만 그 외에 일산화이질소(N2O)등의 산화성가스, 질소등의 질화성가스, 메탄등의 탄화성가스, 불소, 사불화탄소(CF4)등의 불활성가스등을 도입하는 것으로 본 발명을 산화처리 이외의 플라즈마 처리도 적용할 수 있다.
(h) 상기 실시형태에서는 타겟(29a, 29b)의 재료로서 규소를 타겟(49a, 49b) 의 재료로서 니오브를 이용하였지만 이것에 한정되는 것은 아니며 이것들의 산화물을 이용하는 것도 가능하다. 또한 알루미늄(Al), 티탄(Ti), 지르코늄(Zr), 주석(Sn), 크롬(Cr), 탄탄(Ta), 테르르(Te), 철(Fe), 마그네슘(Mg), 불산(Hf), 니켈·크롬(Ni-Cr), 인듐·주석(In-Sn)등의 금속을 이용할 수 있다. 또한 이것들의 금속 화합물 예를 들면 Al2O3, TiO2, ZrO2, Ta2O5, HfO2등을 이용할 수 있다. 물론 타겟(29a, 29b, 49a, 49b)의 재료를 전부 같게 하여도 좋다.
이것들의 타겟을 이용한 경우 반응프로세스존(60)에 있어서 플라즈마 처리에 의해 Al2O3, TiO2, ZrO2, Ta2O5, SiO2, Nb2O5, HfO2, MgF2 등의 광학막없이 절연막 ITO등의 도전막, Fe2O3등의 자성막형성, TiN, CrN, TiC등의 초경막을 만들 수 있다. TiO2, ZrO2, SiO2, Nb2O5, Ta2O5, 같은 절연성의 금속화합물은 금속(Ti, Zr, Si)에 비하여 스퍼터 속도가 극단적으로 늦어 생산성이 나쁘기 때문에 특히 본 발명의 박막형성장치를 이용하여 플라즈마 처리를 하는 것이 유효하다.
(i) 상기 실시 형태에서는 타겟(29a)과 타겟(49b)은 동일한 재료로 구성되어 있지만 다른 종류의 재료로 구성하여도 좋다. 동일한 금속 타겟을 이용한 경우는 상술한 바와 같이 스퍼터를 실시하는 것에 의해 단일금속의 불완전 반응물이 기판에 형성되고 다른종류의 금속 타겟을 이용한 경우는 합금의 불완전 반응물이 기판에 형성된다.
상기와 같이 본 발명의 박막형성장치 및 박막형성방법에 의해 효율이 좋고 광범위한 플라즈마 처리를 하는 것이 가능하다.

Claims (16)

  1. 진공용기와;
    상기 진공용기 내에 반응성 가스를 도입하는 가스 도입수단과;
    상기 진공용기 내의 상기 반응성 가스의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단을 구비하는 박막형성장치에 있어서,
    상기 플라즈마 발생수단이 상기 진공용기의 외벽에 설치된 유전체벽과 소용돌이형의 제 1 안테나 및 제 2 안테나, 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나를 고주파전원과 접속시키기 위한 도선을 포함하여 구성되며,
    상기 진공용기의 외측에서 상기 유전체벽에 대응하는 위치에 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나를 고정하는 안테나 고정수단을 구비하고,
    상기 제 1 안테나와 상기 제 2 안테나는 상기 고주파전원에 대하여 병렬로 접속되고 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나의 소용돌이를 이루는 면에 대하는 수선에 수직방향으로 서로 인접하는 형태로 설치되는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 도선에 접속되는 부분에서 상기 제 1 안테나와 상기 제 2 안테나를 연결하는 부분에 상기 제 1 안테나와 상기 제 2 안테나의 간격을 조정하기 위한 위치조정수단을 설치한 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 진공용기에 기판을 반송하기 위한 기판반송수단을 구비하고, 상기 기판반송수단은 상기 기판을 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나의 소용돌이를 이루는 면과 마주보도록 반송하고 상기 기판반송수단에 의해 기판이 반송되는 방향과 교차하는 방향에 서로 마주보는 형태로 상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나가 고정되는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 적어도 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 안테나 및 상기 제 2 안테나가 제 1 재료로 형성한 원관형 본체부와 상기 본체부의 표면을 상기 제 1 재료보다도 전기저항이 낮은 제 2 재료로 피복한 피복층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 적어도 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스도입수단은 상기 플라즈마 발생수단에 의해 플라즈마가 발생하는 영역에 반응성 가스와 불활성 가스를 도입하는 수단인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  6. 제 1항 내지 제 5항 중 적어도 어느 한 항에 있어서,
    상기 진공용기 내의 벽면에 절연체가 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 박 막형성장치.
  7. 내부를 진공으로 유지하는 진공용기와;
    상기 진공용기 내에 반응성 가스를 도입하는 가스도입수단과;
    상기 진공용기 내에 상기 반응성 가스의 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생수단을 구비하는 박막형성장치에 있어서,
    상기 진공용기 내의 벽면에 절연체가 피복되고,
    상기 가스도입수단은 상기 플라즈마 발생수단에 의해 플라즈마가 발생하는 영역으로 반응성 가스와 불활성 가스를 도입하는 수단인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생수단은 고주파전원에 접속되고 동일평면상에서 소용돌이를 형성하는 안테나를 구비하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  9. 제 5항 내지 제 8항 중 적어도 어느 한 항에 있어서,
    상기 불활성 가스가 아르곤가스, 헬륨가스, 네온가스, 클립톤가스, 키세논가스로로 이뤄지는 군으로부터 선택되는 가스인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  10. 제 6항 내지 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    절연체가 피복된 상기 진공용기 내의 벽면이 상기 진공용기의 내벽면인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  11. 제 6항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마 발생수단에 의해 플라즈마가 발생하는 영역에 면하여 상기 진공용기의 내벽면에서 세워 설치하는 플라즈마 수속벽(收束壁)을 구비하고,
    절연체가 피복되는 상기 진공용기 내의 벽면은 상기 플라즈마 수속벽의 벽면인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  12. 제 6항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연체가 열분해 질화붕소, 산화 알루미늄 및 산화규소로부터 이뤄지는 군으로부터 선택되는 절연체인 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  13. 진공용기 내의 프라즈마를 발생시키는 영역에 마주하는 벽면에 절연체를 피복한 박막형성장치를 이용하여 박막에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 박막형성방법에 있어서,
    상기 플라즈마를 발생시키는 영역에 반응성 가스와 불활성 가스를 혼합하여 도입하는 공정과;
    상기 반응성 가스의 플라즈마를 발생시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막형성장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 절연체가 열분해 질화붕소, 산화알루미늄 및 산화규소로부터 이뤄지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  15. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    상기 불활성가스가 아르곤가스, 헬륨가스, 네온가스, 크립톤가스, 키세논가스로 이뤄지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
  16. 제 13항 내지 15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플라즈마를 발생시키는 공정은 동일평면상에서 소용돌이를 이루는 안테나에 플라즈마를 발생시키는 공정인 것을 특징으로 하는 박막형성방법.
KR1020057023033A 2003-06-02 2004-05-31 박막형성장치 및 박막형성방법 KR100926867B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2003/006951 WO2004108979A1 (ja) 2003-06-02 2003-06-02 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JPJP-P-2003-00006951 2003-06-02
PCT/JP2004/007483 WO2004108980A1 (ja) 2003-06-02 2004-05-31 薄膜形成装置及び薄膜形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060023982A true KR20060023982A (ko) 2006-03-15
KR100926867B1 KR100926867B1 (ko) 2009-11-16

Family

ID=33495899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020057023033A KR100926867B1 (ko) 2003-06-02 2004-05-31 박막형성장치 및 박막형성방법

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20060124455A1 (ko)
EP (2) EP1637624B1 (ko)
JP (2) JP3839038B2 (ko)
KR (1) KR100926867B1 (ko)
CN (2) CN100513632C (ko)
HK (2) HK1088046A1 (ko)
TW (1) TWI318242B (ko)
WO (2) WO2004108979A1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR200481146Y1 (ko) 2016-02-01 2016-08-19 홍기철 대걸레 세척기
KR20160108487A (ko) * 2014-01-15 2016-09-19 갈리움 엔터프라이지즈 피티와이 엘티디 필름 내의 불순물의 감소를 위한 장치 및 방법

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004108979A1 (ja) * 2003-06-02 2004-12-16 Shincron Co., Ltd. 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
CN100359040C (zh) * 2006-01-06 2008-01-02 浙江大学 贴片电感骨架的筒体型镀膜装置
CN100359041C (zh) * 2006-01-20 2008-01-02 浙江大学 电子陶瓷连续式溅射镀膜设备
JP4725848B2 (ja) * 2006-02-06 2011-07-13 鹿島建設株式会社 固化体の強度測定方法及び装置
US20090056877A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
KR101115273B1 (ko) * 2007-12-20 2012-03-05 가부시키가이샤 알박 플라즈마 소스 기구 및 성막 장치
JP5374980B2 (ja) * 2008-09-10 2013-12-25 ソニー株式会社 固体撮像装置
TWI498053B (zh) 2008-12-23 2015-08-21 Ind Tech Res Inst 電漿激發模組
JP5099101B2 (ja) * 2009-01-23 2012-12-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JPWO2012035603A1 (ja) 2010-09-13 2014-01-20 株式会社シンクロン 磁場発生装置、マグネトロンカソード及びスパッタ装置
JP2013182966A (ja) * 2012-03-01 2013-09-12 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5592035B1 (ja) * 2012-10-23 2014-09-17 株式会社シンクロン 薄膜形成装置，スパッタリングカソード及び薄膜形成方法
JP6163064B2 (ja) * 2013-09-18 2017-07-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法
WO2017077106A1 (de) 2015-11-05 2017-05-11 Bühler Alzenau Gmbh Vorrichtung und verfahren zur vakuumbeschichtung
TW201827633A (zh) * 2016-09-27 2018-08-01 美商康寧公司 用於減少電弧之濺射的裝置及方法
CN110318028A (zh) * 2018-03-28 2019-10-11 株式会社新柯隆 等离子体源机构及薄膜形成装置
US20220199365A1 (en) * 2019-04-30 2022-06-23 Lam Research Corporation Dual-frequency, direct-drive inductively coupled plasma source
WO2021153697A1 (ja) * 2020-01-28 2021-08-05 京セラ株式会社 平面コイルおよびこれを備える半導体製造装置
CN113337809A (zh) * 2020-02-14 2021-09-03 株式会社新柯隆 薄膜形成装置
JP7112768B2 (ja) * 2020-12-23 2022-08-04 株式会社クリエイティブコーティングス 金属膜のａｌｄ装置
WO2023172227A2 (en) * 2022-03-09 2023-09-14 Atilim Universitesi A boron nitride coating method with inductively coupled plasma

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4851095A (en) * 1988-02-08 1989-07-25 Optical Coating Laboratory, Inc. Magnetron sputtering apparatus and process
US5421891A (en) * 1989-06-13 1995-06-06 Plasma & Materials Technologies, Inc. High density plasma deposition and etching apparatus
JPH05185247A (ja) * 1992-01-13 1993-07-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 抵抗溶接電極用材料
GB9321489D0 (en) * 1993-10-19 1993-12-08 Central Research Lab Ltd Plasma processing
US5525159A (en) * 1993-12-17 1996-06-11 Tokyo Electron Limited Plasma process apparatus
JPH0831358A (ja) * 1994-07-12 1996-02-02 Nissin Electric Co Ltd Ｅｃｒイオンラジカル源
JP2770753B2 (ja) * 1994-09-16 1998-07-02 日本電気株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP3122601B2 (ja) * 1995-06-15 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ成膜方法及びその装置
JPH0982495A (ja) * 1995-09-18 1997-03-28 Toshiba Corp プラズマ生成装置およびプラズマ生成方法
JPH09245997A (ja) * 1996-03-05 1997-09-19 Nissin Electric Co Ltd カバーで覆われた内壁とアンテナを持つプラズマ室
GB2311299B (en) * 1996-03-18 2000-03-29 Hyundai Electronics Ind Inductively coupled plasma chemical vapor deposition technology
JP2845199B2 (ja) * 1996-06-14 1999-01-13 日本電気株式会社 ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
JP2929275B2 (ja) * 1996-10-16 1999-08-03 株式会社アドテック 透磁コアを有する誘導結合型−平面状プラズマの発生装置
JP3077623B2 (ja) * 1997-04-02 2000-08-14 日本電気株式会社 プラズマ化学気相成長装置
JP3730754B2 (ja) * 1997-07-04 2006-01-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JPH11209875A (ja) * 1998-01-23 1999-08-03 Shin Etsu Chem Co Ltd カーボン製反応炉および熱分解窒化ホウ素成形体の製造方法
JPH11219937A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Toshiba Corp プロセス装置
US6254738B1 (en) * 1998-03-31 2001-07-03 Applied Materials, Inc. Use of variable impedance having rotating core to control coil sputter distribution
US6164241A (en) * 1998-06-30 2000-12-26 Lam Research Corporation Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems
JP2000017457A (ja) * 1998-07-03 2000-01-18 Shincron:Kk 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JP2000124137A (ja) * 1998-10-13 2000-04-28 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2000208298A (ja) * 1999-01-14 2000-07-28 Kokusai Electric Co Ltd 誘導結合型プラズマ生成装置
US6229264B1 (en) * 1999-03-31 2001-05-08 Lam Research Corporation Plasma processor with coil having variable rf coupling
TW477009B (en) * 1999-05-26 2002-02-21 Tadahiro Ohmi Plasma process device
US6528752B1 (en) * 1999-06-18 2003-03-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR100338057B1 (ko) * 1999-08-26 2002-05-24 황 철 주 유도 결합형 플라즈마 발생용 안테나 장치
US6664881B1 (en) * 1999-11-30 2003-12-16 Ameritherm, Inc. Efficient, low leakage inductance, multi-tap, RF transformer and method of making same
KR20010062209A (ko) * 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
JP3774353B2 (ja) * 2000-02-25 2006-05-10 株式会社シンクロン 金属化合物薄膜の形成方法およびその形成装置
JP4790896B2 (ja) * 2000-05-26 2011-10-12 エーユー オプトロニクス コーポレイション トップゲート型ｔｆｔを含むアクティブマトリックスデバイスの製造方法および製造装置
JP4093704B2 (ja) * 2000-06-14 2008-06-04 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
JP3650025B2 (ja) * 2000-12-04 2005-05-18 シャープ株式会社 プラズマプロセス装置
JP3888077B2 (ja) * 2001-04-20 2007-02-28 株式会社日立製作所 金属接合用電極及びその製造方法、並びに金属接合用電極を備えた溶接設備及びそれにより溶接された製品
US6783629B2 (en) * 2002-03-11 2004-08-31 Yuri Glukhoy Plasma treatment apparatus with improved uniformity of treatment and method for improving uniformity of plasma treatment
US7097782B2 (en) * 2002-11-12 2006-08-29 Micron Technology, Inc. Method of exposing a substrate to a surface microwave plasma, etching method, deposition method, surface microwave plasma generating apparatus, semiconductor substrate etching apparatus, semiconductor substrate deposition apparatus, and microwave plasma generating antenna assembly
WO2004108979A1 (ja) * 2003-06-02 2004-12-16 Shincron Co., Ltd. 薄膜形成装置及び薄膜形成方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160108487A (ko) * 2014-01-15 2016-09-19 갈리움 엔터프라이지즈 피티와이 엘티디 필름 내의 불순물의 감소를 위한 장치 및 방법
US11001926B2 (en) 2014-01-15 2021-05-11 Gallium Enterprises Pty Ltd Apparatus and method for the reduction of impurities in films
KR200481146Y1 (ko) 2016-02-01 2016-08-19 홍기철 대걸레 세척기

Also Published As

Publication number Publication date
HK1088365A1 (en) 2006-11-03
JP3874787B2 (ja) 2007-01-31
EP1637624B1 (en) 2012-05-30
US20060124455A1 (en) 2006-06-15
HK1088046A1 (en) 2006-10-27
JP3839038B2 (ja) 2006-11-01
CN100513632C (zh) 2009-07-15
EP1637624A4 (en) 2007-12-26
CN1795287B (zh) 2012-07-04
EP1640474A1 (en) 2006-03-29
JPWO2004108980A1 (ja) 2006-07-20
TWI318242B (en) 2009-12-11
WO2004108980A1 (ja) 2004-12-16
EP1640474B1 (en) 2013-08-28
US20060266291A1 (en) 2006-11-30
EP1640474A4 (en) 2011-06-22
CN1788104A (zh) 2006-06-14
EP1637624A1 (en) 2006-03-22
WO2004108979A1 (ja) 2004-12-16
JPWO2004108979A1 (ja) 2006-07-20
TW200510565A (en) 2005-03-16
KR100926867B1 (ko) 2009-11-16
CN1795287A (zh) 2006-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100926867B1 (ko) 박막형성장치 및 박막형성방법
US20190284685A1 (en) Thin film formation apparatus, sputtering cathode, and method of forming thin film
JP3774353B2 (ja) 金属化合物薄膜の形成方法およびその形成装置
WO2006013968A1 (ja) 薄膜形成装置
KR100729031B1 (ko) 박막형성방법 및 형성장치
JP4993368B2 (ja) 成膜方法及び成膜装置
JP2007092095A (ja) 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP5156041B2 (ja) 薄膜形成方法
JPH11279758A (ja) 金属化合物薄膜の形成方法および成膜装置
KR20060031611A (ko) 박막형성장치 및 박막형성 방법
TWI298355B (en) Thin film deposition method and thin film deposition apparatus
JP2005187836A (ja) スパッタ用ターゲット，薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2010202890A (ja) 成膜方法及び成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20070927

Effective date: 20080530

J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

J302 Written judgement (patent court)

Free format text: JUDGMENT (PATENT COURT) FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20080801

Effective date: 20090612

J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20090709

Effective date: 20090825

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121010

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131008

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141021

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151026

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161025

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171012

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180828

Year of fee payment: 10