KR20040111342A

KR20040111342A - 이형 필름

Info

Publication number: KR20040111342A
Application number: KR10-2004-7010442A
Authority: KR
Inventors: 니시야마마사노리
Original assignee: 데이진 듀폰 필름 가부시키가이샤
Priority date: 2002-05-27
Filing date: 2003-05-23
Publication date: 2004-12-31
Also published as: AU2003242434A1; JP3950462B2; CN100379553C; TW200400879A; WO2003099556A1; JPWO2003099556A1; CN1655927A; TWI319750B; KR100919440B1

Abstract

본 발명은 표면에 적당한 요철을 갖는 폴리에스테르 베이스 필름에 실리콘 이형층을 갖던가 혹은 표면이 평탄한 폴리에스테르 베이스 필름에 적당한 요철을 갖는 실리콘 이형층을 갖는 이형 필름에 관한 것이다.

이형 필름 표면의 요철이 성형 시트에 전사되지 않는 우수한 표면 특성을 갖는 동시에, 가공 적성이 우수하고, 이형 특성도 양호한 이형 필름이다.

Description

이형 필름{RELEASING FILM}

이형 필름은 예를 들어, 수지 시트의 성형용, 점착제 이형용, 의료용, 전기·전자 부품 제조용의 용도에 사용되고 있다. 이형 필름으로부터 성형되는 수지 시트 등의 성형체에서, 성형체의 표면의 평탄화가 중요한 과제이다. 필름으로 성형되는 성형체의 품질은 그 표면의 정밀도나 품질에 달려 있고, 즉 이형 필름의 표면의 정밀도나 품질에 달려있다고 말해도 과언이 아니다.

이형 필름 그 자체는 폴리에스테르 필름에 이형성이 있는 수지의 층, 예를 들어 실리콘 수지층을 설치하여 형성된다. 통상, 폴리에스테르 필름 중에는 가공 적성, 예를 들어 미끄러짐성, 감김 특성을 좋게 하기 위해서, 입자가 배합되어 있지만, 일반적으로, 입자 첨가를 행하면 핸들링성이 개선되는 반면, 필름 표면이 거칠게 된다. 이것을 피하여 평탄한 표면성을 만들기 위해서 입자의 배합을 하지 않으면, 얻어지는 필름은 미끄러짐성이나 공기 빠짐성이 매우 악화되어, 가공 중에 주름이 생기거나, 롤상으로 감기지 않게 된다. 또한, 필름이 실리콘 도포층을 수반하면, 실리콘층이 폴리에스테르 필름의 표면의 돌기를 덮어 가리기 때문에, 가공 적성이 저하하게 된다.

종래, 이형 필름으로부터 성형되는 성형체 또는 성형 시트에서는, 그 표면 특성의 요구가 엄격하지 않아, 어느 정도의 조면이라도 품질상의 문제로 되지 않았지만, 근년, 이형 필름을 사용한 성형 시트의 표면 특성의 요구는 매우 엄격게 되어 왔다. 예를 들어, 염화비닐 수지나 우레탄 수지의 시트는, 이들의 수지 용액을 이형 필름상에 흘려 퍼트려서 시트를 성형한다. 이들 시트에서는 성형면에 특히 높은 광택성이 요구되는 경우가 있다. 또한, 점착 테이프용의 이형 필름에서는, 이형 필름 표면의 요철이 점착 테이프의 점착제층의 표면에 형상 전사하기 때문에, 예를 들어 유리면에 점착 테이프를 붙였을 때에, 유리면으로부터 점착 테이프로 형상 전사한 오목부에 공기가 들어가서, 깨끗한 외관을 얻을 수 없게 된다. 그 때문에, 표면의 엄격한 평탄성이 요구된다.

전자 부품의 공정 재료 등에 사용되는 이형 필름에서는 특히 표면 특성의 요구가 높다. 예를 들어, 세라믹 콘덴서의 박층 시트를 제조하는 경우, 이형 필름상에 세라믹 분체와 바인더제를 액상 매체에 분산시킨 세라믹 슬러리를 도포하여, 3㎛이하의 매우 얇은 시트를 제조한다. 시트가 박층화 하면 할수록, 이형 필름의 표면 요철이 직접 성형 시트의 불량율 증가로 연결되므로, 이형 필름의 표면 특성의 요구가 높아진다. 또한, 디스플레이 용도의 공정 재료로서 사용되는 경우도 성형 시트의 박층화에 따라 이형 필름 표면의 평활화가 요구되고 있다.

발명의 개시

본 발명의 목적은, 이러한 종래 기술의 결점을 해소하여, 이형 필름 표면의 큰 요철이 성형 시트에 전사되지 않는 우수한 표면 특성을 갖는 동시에, 가공 적성이 우수하고, 이형 특성도 양호한 이형 필름을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 다른 목적 및 이점은 이하의 설명으로부터 분명하게 될 것이다.

본 발명에 의하면, 본 발명의 상기 목적 및 이점은 제1로,

(a) 중심선 평균 조도(Ra)가 15nm이하이고 또한 10점 평균 조도(Rz)가 30~500nm인 표면을 갖는 폴리에스테르 필름, 및

(b) 상기 폴리에스테르 필름의 상기 표면상에 형성되고 또한 두께가 상기 표면의 Rz의 0.8배 이하인 실리콘 이형층

으로 되는 것을 특징으로 하는 이형 필름(이하, 본 발명의 제1 이형 필름이라고 함)에 의해서 달성된다.

또한, 본 발명에 의하면, 본 발명의 상기 목적 및 이점은 제2로,

(a') 중심선 평균 조도(Ra)가 5nm 이하이고 또한 10점 평균 조도(Rz)가 30nm 이하인 표면을 갖는 폴리에스테르 필름, 및

(b') 상기 폴리에스테르 필름의 상기 표면상에 형성되고 또한 하기식(1)

0.3d≤t≤2.5d …(1)

(여기서, d는 불활성 입자의 평균 입경(nm)이고 또 t는 실리콘 이형층의 두께(nm)이다)

을 만족하는 불활성 입자를 함유하고 또한 두께 300nm 이하의 실리콘 이형층

으로 되는 것을 특징으로 하는 이형 필름(이하, 본 발명의 제2 이형 필름이라고 함)에 의해서 달성된다.

발명의 바람직한 실시 형태

이하, 본 발명에 대해서 상술한다. 제1 이형 필름에 대해서 먼저 설명한다.

제1 이형 필름은 폴리에스테르 필름(a)과 그 표면상에 형성된 실리콘 이형층(b)으로 이루어진다.

폴리에스테르 필름(a)의 폴리에스테르로는 방향족 디카본산을 주된 산성분으로 하고 또한 지방족 글리콜을 주된 글리콜 성분으로 하는 폴리에스테르가 바람직하게 사용된다. 이러한 폴리에스테르는 실질적으로 선상이고, 또 필름 성형성, 특히 용융 성형에 의한 필름 성형성을 갖는다.

방향족 디카본산의 예로는, 테레프탈산, 나프탈렌 디카본산, 이소프탈산, 디페녹시에탄 디카본산, 디페닐 디카본산, 디페닐 에테르 디카본산, 디페닐설폰 디카본산, 디페닐케톤 디카본산 및 안트라센 디카본산을 들 수 있다.

지방족 글리콜의 예로는, 에틸렌글리콜, 트리메틸렌글리콜, 테트라메틸렌글리콜, 펜타메틸렌글리콜, 헥사메틸렌글리콜 및 데카메틸렌글리콜과 같은 탄소수 2~10의 폴리메틸렌글리콜과 시클로헥산디메탄올과 같은 지환족 디올을 들 수 있다.

본 발명에서, 폴리에스테르로는, 알킬렌 테레프탈레이트 또는 알킬렌 나프탈레이트를 주된 구성 성분으로 하는 것이 바람직하게 사용된다.

이러한 폴리에스테르로는, 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트가 바람직하다. 이 폴리에틸렌 테레프탈레이트에는 전체 디카본산 성분의 예를 들어 80몰％ 이상이 테레프탈산이고 또 전체 글리콜 성분의예를 들어 80몰％ 이상이 에틸렌글리콜인 공중합체가 포함된다고 이해하여야 한다. 마찬가지로, 이 폴리에틸렌-2,6-나프탈레이트에는 전체 디카본산 성분의 예를 들어 80몰％ 이상이 2,6-나프탈렌 디카본산이고 또 전체 글리콜 성분의 예를 들어 80몰％ 이상이 에틸렌글리콜인 공중합체가 포함된다고 이해하여야 한다.

이러한 공중합체인 경우, 20몰％ 이하는 테레프탈산 또는 2,6-나프탈렌 디카본산과는 다른 디카본산 성분인 것으로 할 수 있다. 이러한 다른 디카본산 성분의 예로는, 상기한 바와 같은 방향족 디카본산; 예를 들어 아디핀산, 세바틴산과 같은 지환족 디카본산 혹은 시클로헥산-1, 4-디카본산과 같은 지환족 디카본산 등을 들 수 있다.

또한, 전체 글리콜 성분의 20몰％ 이하는 에틸렌글리콜과는 다른 글리콜 성분인 것으로 할 수 있다. 이러한 다른 글리콜 성분은, 예를 들어 상기한 바와 같은 글리콜; 예를 들어, 하이드로퀴논, 레졸신, 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판과 같은 방향족 디올; 1,4-디하이드록시디메틸벤젠과 같은 방향환을 갖는 지방족 디올 혹은 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜과 같은 폴리알킬렌글리콜(폴리옥시알킬렌글리콜) 등을 들 수 있다.

또한, 본 발명에서의 폴리에스테르에는, 예를 들어 하이드록시벤조산과 같은 방향족 옥시산, ω-하이드록시카프로산과 같은 지방족 옥시산 등의 옥시 카본산에서 유래하는 성분을, 디카본산 성분 및 옥시 카본산 성분의 총량에 대해 20몰％ 이하로 공중합 혹은 결합하는 것도 포함된다.

또한 폴리에스테르에는, 실질적으로 선상인 범위의 양, 예를 들어 전체 산성분에 대해 2몰％ 이하의 양으로, 3관능 이상의 폴리카본산 또는 폴리하이드록시 화합물, 예를 들어 트리멜리트산, 펜타에리트리톨을 공중합한 것도 포함된다.

상기 폴리에스테르는 그 자체 공지이고, 그 자체 공지 방법으로 제조할 수 있다. 상기 폴리에스테르로는 o-클로로페놀 중의 용액으로 35℃에서 측정하여 구한 고유 점도가 0.4~0.9의 것이 바람직하다.

본 발명에서 폴리에스테르 필름(a)은 불활성 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 불활성 입자의 평균 입경은 바람직하게는 1㎛ 미만, 더 바람직하게는 0.01㎛ 이상 1㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 0.03㎛ 이상 1㎛ 미만이다. 이 불활성 입자는 유기 입자, 무기 입자의 어느 것이라도 좋고, 또 유기 입자와 무기 입자의 혼합 입자라도 좋다. 또한, 불활성 입자의 장경과 단경의 비(장경/단경)은 1.0~1.2인 것이 바람직하다. 이들 불활성 입자를 배합함으로써, 필름 표면에 적절한 요철을 형성할 수 있다. 이러한 불활성 입자의 구체적인 예로는, 탄산칼슘, 카올린, 산화규소, 황산바륨, 산화티탄, 알루미나 등의 무기 입자; 가교 폴리스티렌, 가교 실리콘 수지 입자, 가교 아크릴 수지 입자, 가교 폴리스티렌 수지 입자 등의 유기 수지 입자 및 무기 소재와 유기 소재가 쉘 코어 구조의 형태를 취하는 입자를 들 수 있다.

이들 불활성 입자는 단독으로 혹은 2종 이상 예를 들어 3종 혹은 4종 조합하여 사용할 수 있다.

이러한 불활성 입자의 첨가량은 폴리에스테르에 대해 0.01~0.3중량％이다.

또한, 폴리에스테르 필름(a)은 그것에 함유되는 불활성 입자의 평균 입경의 0.1~30배의 두께를 갖는 것이 바람직하다.

폴리에스테르의 층의 두께가 평균 입경의 0.1배 미만에서는 함유되는 불활성 입자가 탈락하기 쉬워 바람직하지 않다. 또한, 평균 입경의 30배를 넘으면 폴리에스테르층에 함유되는 불활성 입자의 겹침이 생기기 쉬워, 필름의 표면에 요철이 형성되기 쉬워져서 바람직하지 않다.

폴리에스테르 필름(a)은 중심선 평균 조도(Ra)가 15nm 이하이고 10점 평균 조도(Rz)가 30~500nm인 표면을 갖는다. Ra가 15nm를 넘으면, 성형체 표면에 형상 전사를 발생하게 된다. Ra는 바람직하게는 1~13nm이다.

또한, Rz가 30nm 미만이면, 롤 형태로의 권취나 패스 롤과의 미끄러짐이 나쁘게 되어 가공 공정의 핸들링성이 불량하게 되고, 한편 500nm를 넘으면, 성형체 표면에 형상 전사를 발생하게 된다.

Rz는 바람직하게는 50~300nm이다.

폴리에스테르 필름(a)의 두께는 10~100㎛이 바람직하고, 25~50㎛이 더욱 바람직하다.

본 발명의 제1 이형 필름은 폴리에스테르 필름(a)의 상기 Ra 및 Rz를 갖는 표면상에, 후술하는 실리콘 이형층(b)을 형성한 것이지만, 이 이형층(b)을 형성하는 면과는 반대측의 표면상에, 다른 폴리에스테르층을 가져도 좋다.

이러한 다른 폴리에스테르층은 폴리에스테르 필름(a)과 함께 적층 필름으로서 형성할 수 있다. 적층 필름은 적어도 2개의 층으로 이루어질 수 있으며, 공압출에 의해 제조된 것이 바람직하다. 이 경우, 층을 구성하는 폴리에스테르는 같아도 달라도 좋지만, 같은 것이 바람직하다.

적층 필름은, 예를 들어 다른 폴리에스테르층을 B층, C층으로 나타내면, 예를 들어, 폴리에스테르 필름(a)층/B 층, 폴리에스테르 필름(a)층/B 층/폴리에스테르 필름(a)층 혹은 폴리에스테르 필름(a)층/B 층/C 층과 같은 적층 구조를 취할 수 있다.

적층 필름의 경우, 이형층(b)을 형성하는 폴리에스테르 필름(a)층과 반대측의 최외층 예를 들어 상기예에서는 B층이나 C층에는 불활성 입자가 함유되는 것이 바람직하다. 이 경우, 불활성 입자는 바람직하게는 0.1~1.0㎛의 평균 입경을 갖는다.

상기 적층 필름은 폴리에스테르 필름(a)층을 포함하는 전체의 총두께로서, 10~100㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하고, 25~50㎛의 두께를 갖는 것이 더욱 바람직하다.

폴리에스테르 필름(a) 및 적층 폴리에스테르 필름 자체는 종래부터 알려져 있는, 혹은 당업계에 축적되어 있는 방법으로 얻을 수 있다. 2축 배향필름을 얻기 위해서는, 예를 들어, 융점(Tm:℃) 내지 (Tm+70)℃의 온도에서 폴리에스테르를 용융·공압출하여 고유 점도 0.4~0.8dl/g의 미연신 필름을 얻는다. 그 다음에 그 미연신 필름을 1축 방향(종방향 또는 횡방향)으로 (Tg-10)~(Tg+70)℃의 온도(단, Tg: 폴리에스테르의 유리 전이 온도)에서 2.5배 이상, 바람직하게는 3배 이상의 배율로 연신하고, 그 다음에 상기 연신 방향과 직각 방향으로 Tg~(Tg+70)℃의 온도에서 2.5배 이상, 바람직하게는 3배 이상의 배율로 연신한다. 또한 필요에 따라서 종방향 및/또는 횡방향으로 재차 연신해도 좋다. 이와 같이 하여 전체 연신 배율은 면적 연신 배율로서 9배 이상이 바람직하고, 12~35배가 더욱 바람직하고, 15~25배가 특히 바람직하다. 또한, 2축 배향필름은 (Tg+70)℃~(Tm-10)℃의 온도(단, Tm: 폴리에스테르의 융점)에서 열고정할 수 있고, 예를 들어, 180~250℃가 바람직하다. 열고정 시간은 1~60초가 바람직하다.

또한, 상기에서, 필름이 다른 폴리에스테르로 각층이 형성된 적층 필름인 때에는, 융점 및 유리 전이 온도는, 보다 높은 온도의 융점 및 유리 전이 온도를 갖는 폴리에스테르의 당해 융점 및 유리 전이 온도를 의미하는 것으로 이해하여야 한다.

본 발명의 제1 이형 필름은 상기한 바와 같이, 폴리에스테르 필름(a)의 표면상에 실리콘 이형층(b)을 형성한 것이다. 실리콘 이형층(b)은 폴리에스테르 필름(a)의 한쪽면 혹은 양면상에 형성해도 좋다.

본 발명에서, 이형층은 바람직하게는 폴리디메틸실록산, 혹은 이것을 주성분으로 하고, 이것에 하기(1) 또는 (2)의 성분을 배합한 것, 하기 (3) 또는 (4)의 변성 폴리디메틸실록산 혹은 하기(5)의 부가형 실리콘 수지로 이루어진다.

(1) 폴리디메틸실록산 중합체 중에 하기의 D단위, T단위 및/또는 Q단위의 구조를 갖는 실리콘 레진.

이 실리콘 레진을 폴리디메틸실록산에 배합하여 이형층 중의 메틸기의 농도를 조정하여 표면 장력을 증가시킬 수 있다. 또한, 이 실리콘 레진의 배합 비율은 고형분 농도로 10~60중량％인 것이 바람직하다. 레진 배합량이 10중량％ 이하에서는 성형 시트를 형성할 때에 젖음성이 나빠서, 튀어버리는 경우가 있다. 또 60중량％ 이상에서는 박리력이 커서, 성형체를 박리할 수 없게 된다.

여기서, R은 알킬기, 바람직하게는 메틸기, 또는 방향족 탄화수소기, 바람직하게는 페닐기를 나타낸다.

(2) 실리카 필러.

폴리디메틸실록산 중합체 중에 실리카 필러를 배합함으로써 이형층 중의 -Si-OH 기의 농도가 높게 되도록 조정할 수 있다. 또한, 이 실리카 필러는 평균 입경이 1㎛ 이하의 것이 바람직하다. 평균 입경이 1㎛를 넘으면 필름이 헤이즈가 커져서, 투명성이 요구되는 용도에 사용할 때에 지장이 되는 경우가 있거나, 가공 공정에서 필름을 주행시킬 때에 이형층의 깎임이 발생하는 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다. 실리카 필러의 배합 비율은 고형분 농도로 0.01~1중량％인 것이 바람직하다. 배합 비율이 0.01중량％ 보다도 적으면 실리콘면과의 롤의 미끄러짐성이 나빠지고, 1중량％을 넘으면 실리카 필러 이형층으로부터 깎여 탈락하는 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다.

(3) 폴리디메틸실록산 중합체 중의 메틸기의 일부를 페닐기로 치환한 변성 폴리디메틸실록산.

페닐기의 입체 장해에 의해, 예를 들어 중합체 중의 -Si-O-Si-결합의 주위의 회전 운동이 억제되어, 그 결과 이형층 표면의 메틸기의 농도가 감소하기 때문에 표면 장력을 증가시킬 수 있다. 또한, 이 페닐기의 치환 비율은 10~60몰％인 것이 바람직하다. 이 치환 비율이 10몰％ 보다도 적으면 성형층이 튀기기 쉬워, 도포할 수 없는 경우가 있고, 60몰％을 넘으면 이형층과 각종 점착제나 각종 시트와의 이형성이 불량하게 되는 경우가 있기 때문에 바람직하지 않다.

(4) 실라놀기나 메톡시기 등의 반응 활성기를 비교적 고농도로 갖는 폴리디메틸실록산 중합체와, 분자내에 수산기를 갖는 유기 수지(예를 들어 알키드 수지, 폴리에스테르 수지, 아크릴 수지)를 반응시켜 얻을 수 있는 변성 폴리디메틸실록산.

이 변성 폴리디메틸실록산 중의 디메틸실록산 성분의 비율은 10~30중량％인 것이 바람직하다. 이 비율이 10중량％ 보다도 적으면 이형성이 불량하게 되는 경우가 있고, 30중량％을 넘으면 실리콘의 전사가 일어나서 바람직하지 않다.

(5) 부가 반응형의 실리콘 수지, 예를 들어, 비닐기를 도입한 폴리디메틸실록산과 하이드로젠 실란으로 이루어지는, 부가 반응형의 실리콘 수지.

비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산과 하이드로젠 실란과의 비율은 하이드로젠 실란 중의 -SiH기 1.0몰에 대해서 폴리디메틸실록산 중의 비닐기가 1.0-2.0몰로 되는 비율이 바람직하다.

이형층 중의 메틸기의 농도를 조정하면, 표면 장력을 증가시킬 수 있다. 그 때문에, 이 실리콘 수지에, 상기(1)의 실리콘 레진을 배합해도 좋다. 이 실리콘 레진의 배합 비율은 적당한 박리력을 얻는 관점에서, 고형분 농도로, 바람직하게는 60중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 0.1~30중량％이다.

비닐기를 갖는 상기 폴리디메틸실록산은 -Si(CH₃)₂-기 외에, -SiAr₂-, -SiAr(R)-기를 함유해도 좋다. 여기서, Ar기는 방향족 탄화수소기이고, 바람직하게는 페닐기이다. R기는 알킬기, 바람직하게는 메틸기이다. 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산이 -SiPh(CH₃)-기 또는 -Si(Ph)₂-를 함유하는 경우, 실리콘의 분자 구조의 흐트러짐을 억제하고, 적당한 박리력과 충분한 경도를 확보하는 관점에서, -Si(CH₃)₂-기의 1몰에 대해서, 이들 기는 0.5몰 이하인 것이 바람직하다. 여기서, Ph는 페닐기이다.

부가 반응형의 실리콘 수지는 3차원 가교 구조로 한 것이라도 좋고, 3차원 가교 구조는 백금 촉매를 사용하여 반응시킴으로써 얻을 수 있다.

또한, 실리콘의 경화 타입으로서, 상기 열경화 타입 외에, 자외선에 의한 경화 타입이나, 전자선에 의한 경화 타입의 실리콘을 사용하여도 좋다.

실리콘 이형층의 두께는, 그 위에 실리콘 이형층이 형성된 폴리에스테르 필름(a)의 표면의 10점 평균 조도(Rz)의 0.8배 이하인 것이 중요하다. Rz의 0.8배를 넘으면 필름내 입자에 의한 약간의 요철 부분의 오목부에 실리콘 수지가 들어가서, 결과적으로 이형층의 표면의 중심선 평균 조도(Ra)와 10점 평균 조도(Rz)가 낮아져서, 공정내의 핸들링성 불량이나 이형층의 블로킹(배면 전사)에 의한 불편을 일으킨다.

실리콘 이형층은 평균 입경 5~80nm의 불활성 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 이 불활성 입자를 함유함으로써 양호한 공정내의 핸들링 특성과 블로킹의 개선 효과를 얻을 수 있다.

본 발명의 제1 이형 필름은 바람직하게는 실리콘 이형층(b)의 노출 표면의 중심선 평균 조도(Ra)가 15nm 이하이고 또한 10점 평균 조도(Rz)가 100~500nm이다.

본 발명의 제1 이형 필름은 양쪽 모두의 노출 표면의 중심선 평균 조도(Ra)의 합이 12nm 이상인 것이 바람직하다. 12nm 미만이면 롤 형태로의 권취나 패스 롤과의 미끄러짐이 나빠서 공정의 핸들링성 불량이나, 이형층의 블로킹(배면 전사)이 발생한다.

이형층에는 본 발명의 목적을 방해하지 않은 범위에서 공지의 각종 첨가제를 배합할 수 있다. 이 첨가제로는 예를 들어 자외선 흡수제, 안료, 소포제, 대전 방지제를 필요에 따라서 첨가하여도 좋다.

본 발명에서는, 폴리에스테르 필름(a)과 이형층(b)의 밀착성을 높이기 위해서 폴리에스테르 필름(a)과 이형층(b) 사이에 접착층을 설치하여도 좋다. 이 접착층에는 예를 들어 실란 커플링제를 바람직하게 사용할 수 있다. 이 실란 커플링제로는, 식 Y-Si-X₃로 표시되는 것을 들 수 있다. 여기서, Y는 예를 들어 아미노기, 에폭시기, 비닐기, 메타크릴기, 머캅토기 등으로 대표되는 관능기, X는 알콕시기로대표되는 가수 분해성의 관능기를 나타낸다. 상기의 접착층의 바람직한 두께는 0.005~1㎛ 정도이고, 특히 0.02~0.5㎛이 바람직하다. 접착층의 두께가 상기의 범위이면 폴리에스테르 필름(a)과 이형층(b)의 밀착성이 양호해지고, 또 접착층(b)을 설치한 폴리에스테르 필름이 블로킹하기 어렵기 때문에 취급할 때에 지장이 생기기 어렵다.

본 발명에서, 이형층은, 예를 들어 이형층의 성분을 함유하는 도포액을 필름에 도포하고, 가열 건조시킴으로써 도포 설치할 수 있다. 이 도포액의 도포 방법으로는 공지의 임의 도공법을 적용할 수 있다. 적용 도포 방법으로서, 예를 들어 롤코터법, 블레이드 코터법을 들 수 있지만, 이들 방법에 한정되는 것이 아니다. 도포층 형성을 위한 가열 건조는 바람직하게는 70~170℃에서 20~60초 행한다.

다음에, 본 발명의 제2 이형 필름에 대해서 설명한다.

제2 이형 필름은 폴리에스테르 필름(a')과 그 표면상에 형성된 이형 필름(b')으로 이루어진다.

폴리에스테르 필름(a')의 폴리에스테르로는 제1 이형 필름에 관하여 기재한 폴리에스테르와 동일한 것을 사용할 수 있다.

폴리에스테르 필름(a')은 불활성 입자를 함유하고 있어도 함유하고 있지 않아도 좋다. 함유할 때, 불활성 입자로는 제1 이형 필름의 폴리에스테르 필름(a)에 대해서 기재한 불활성 입자와 동일한 것을 사용할 수 있다. 이들 불활성 입자는 단독으로 혹은 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 이러한 불활성 입자는 폴리에스테르에 대해 0.2중량％ 이하로 배합할 수 있다.

폴리에스테르 필름(a')은, 중심선 평균 조도(Ra)가 5nm 이하 또 10점 평균 표면 조도(Rz)가 30nm 이하의 표면을 갖는다. 중심선 평균 조도(Ra)가 5nm를 넘으면 박층 성형 시트에서는 표면의 평활성이 손상되며, 10점 평균 표면 조도(Rz)가 30nm를 넘으면 성형 시트에 두께 불일치를 일으켜, 전자 재료 용도에서는 전기 특성 불량을 일으킨다. Ra는 바람직하게는 0~5nm이고, Rz는 바람직하게는 3~30nm이다.

폴리에스테르 필름(a')의 두께는 바람직하게는 10~100㎛이고, 더욱 바람직하게는 15~50㎛이다.

본 발명의 제2 이형 필름은, 폴리에스테르 필름(a')의 상기 Ra 및 Rz를 갖는 표면상에, 후술하는 실리콘 이형층(b')을 형성한 것이지만, 이 이형층(b')을 형성하는 면과는 반대측의 표면상에, 다른 폴리에스테르층을 가져도 좋다. 이러한 다른 폴리에스테르층은 폴리에스테르 필름(a')과 함께, 적층 필름으로서 형성할 수 있다. 이러한 적층 필름에 대해서는 제1 이형 필름에 대해서 기재한 설명이, 폴리에스테르 필름(a)을 폴리에스테르 필름(a')으로 대체함으로써 그대로 적용된다고 이해된다.

또한, 폴리에스테르 필름(a') 및 상기 적층 필름은 제1 이형 필름에 대해서 기재한 제조 방법과 동일하게 하여 제조할 수 있다.

본 발명의 제2 이형 필름은 상기한 바와 같이, 폴리에스테르 필름(a')의 표면상에 실리콘 이형층(b')을 형성한 것이다.

실리콘 이형층(b')는 폴리에스테르 필름(a')의 한쪽면 혹은 양면상에 형성해도 좋다.

이형층은 바람직하게는 폴리디메틸실록산 혹은 이것을 주성분으로 하고, 이것에 제1 이형 필름의 이형층에 대해서 상기한 (1) 또는 (2)의 성분을 배합한 것, 상기한 (3) 또는 (4)의 변성 폴리디메틸실록산 혹은 상기한 (5)의 부가형 실리콘 수지로 이루어진다. 이들 중 부가형 실리콘 수지가 바람직하다.

제2 이형 필름에서, 실리콘 이형층은 미소 경도 측정에서 100mgf/㎛²이상의 경도를 갖는 것이 바람직하다. 경도를 100mgf/㎛²이상으로 함으로써, 블로킹을 방지하고, 필름이 롤상으로 권취될 때의 접촉 면적을 충분히 좁게 할 수 있어, 박리 대전을 억제할 수 있다.

실리콘 이형층의 두께는 300nm 이하이고, 바람직하게는 30~300nm, 더욱 바람직하게는 50~200nm이다. 300nm를 넘으면 블로킹을 일으키기 쉽게 된다. 30nm 미만이면 박리 특성이 안정화되지 않아, 박리가 힘들게 되는 경우가 있어 바람직하지 않다.

본 발명에서, 실리콘 이형층은 불활성 입자를 함유한다. 불활성 입자는 평탄한 이형층면에 많은 미세한 요철을 부여한다. 이 요철은 매우 미세하기 때문에, 요철의 형상이 이형 필름으로부터 성형 시트에 전사하여도 불편을 일으키는 레벨로는 되지 않는다. 이 불활성 입자의 첨가에 의해, 이형층의 배면으로의 전사(블로킹)이 개선되어, 공정 적성이 개선된다.

이 목적을 위해서, 불활성 입자의 평균 입경은 바람직하게는 1~100nm, 더욱바람직하게는 3~80nm, 특히 바람직하게는 3~50nm이다. 또한, 불활성 입자의 장경과 단경의 비(장경/단경)은 바람직하게는 1.0~1.2이다.

이러한 불활성 입자는 유기 입자, 무기 입자의 어느 것이라도 좋고, 유기 입자와 무기 입자의 혼합 입자라도 좋다. 이러한 불활성 입자의 구체적인 예로는 탄산칼슘, 카올린, 산화규소, 황산바륨, 산화티탄, 알루미나, 산화마그네슘, 산화지르코늄 등의 무기 입자; 가교 폴리스티렌 수지 입자, 가교 실리콘 수지 입자, 가교 아크릴 수지 입자, 가교 폴리스티렌 수지 입자 등의 유기 수지 입자 및 무기 소재와 유기 소재가 쉘 코어 구조의 형태를 취하는 입자를 들 수 있다. 특히 미세 입자의 경우는 무기 입자가 바람직하다.

실리콘 이형층으로의 불활성 입자의 배합량은 바람직하게는 0.1~25중량％, 더욱 바람직하게는 0.3~5중량％이다. 첨가량이 0.1미만이면 미끄러짐성이나 이형층의 블로킹이 일어나고, 이형층의 박리 특성이 안정되지 않게 되어 바람직하지 않다. 25중량％을 넘으면 투명성이 떨어지고, 응집이 일어나기 쉬워서 큰 응집물이 발생하므로 바람직하지 않다.

실리콘 이형층은 하기식(1):

0.3d≤t≤2.5d …(1)

"여기서, t(nm)는 실리콘 이형층의 두께이고 또 d(nm)는 불활성성 입자의 평균 입경이다,"

을 만족함이 필요하다.

실리콘의 이형층의 두께 t(nm)가 0.3d 미만이면 불활성 입자의 탈락이 일어나서, 이물 발생의 원인으로 되며, 2.5d를 넘으면 표면의 미세한 요철이 형성되지 않아 미끄러짐성 불량으로 되어, 핸들링이나 권취성, 박리 대전 불량을 일으킨다.

본 발명의 제2 이형 필름에서는 이형층의 노출 표면의 돌기에 대해서, 하기식 (2) 및 (3)의 관계가 만족되는 것이 바람직하다.

HD5≥500개/mm²…(2)

HD10≤100개/mm²…(3)

(여기서, HD5는 높이 5nm 이상의 돌기의 개수이고 또 HD10은 높이 10nm 이상의 돌기의 개수이다)

HD5가 500 미만이면, 미끄러짐성 불량으로 되어, 핸들링이나 권취성, 박리 대전 불량을 일으키므로 바람직하지 않다. HD10이 100을 넘으면 성형 시트 표면에 형상이 전사하여, 시트의 두께 불균일의 원인으로 되므로 바람직하지 않다.

또한, HD5 및 HD10은 하기 관계(2') 및 (3'):

10,000≥HD5≥1,000 …(2')

10≤HD10≤70 …(3')

을 만족하는 것이 더욱 바람직하다.

본 발명의 제2 이형 필름은 바람직하게는 실리콘 이형층(b')의 노출 표면의 중심선 평균 조도(Ra)가 5nm 이하이고 또한 10점 평균 조도(Rz)가 30nm 이하이다.

본 발명에서의 이형층에는 본 발명의 목적을 방해하지 않은 범위에서, 첨가제를 첨가하여도 좋다. 이 첨가제로는 예를 들어 자외선 흡수제, 안료, 소포제,대전 방지제를 예시할 수 있다. 또한, 이형층과는 별도로, 이러한 첨가제를 수지에 배합하고, 그 수지를 폴리에스테르 필름(a')의 표면에 도포 설치해도 좋다.

본 발명에서는 폴리에스테르 필름(a')과 이형층과의 밀착성을 높이기 위해서 폴리에스테르 필름(a')을 코로나 처리하거나 혹은 폴리에스테르 필름(a')과 이형층 사이에 접착층을 설치하여도 좋다. 접착층에는 실란 커플링제를 사용하는 것이 바람직하다. 이 실란 커플링제로는 제1 이형 필름에 대해서 기재한 것과 동일한 것이 사용된다. 상기의 접착층의 바람직한 두께는 0.005~0.1㎛정도이고, 특히 0.01~0.1㎛이 바람직하다. 접착층의 두께가 상기의 범위이면 폴리에스테르 필름(a')과 이형층의 밀착성이 양호해진다.

이형층의 형성은 제1 이형 필름에 대해서 기재한 방법과 동일하게 행할 수 있다. 또한, 제2 이형 필름에 대해서 기재가 없는 사항은 제1 이형 필름에 대해서 기재한 사항이 그대로 혹은 당업자에게 자명한 변경을 하여 적용된다고 이해하여야 한다.

본 발명은 이형 필름에 관한 것이다. 보다 상세하게는 표면의 요철이 성형 시트에 전사되지 않는 우수한 표면 특성을 갖는 동시에, 가공 적성 및 이형성이 우수한 이형 필름에 관한 것이다.

이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 자세히 설명한다.

또한, 필름의 각 특성치는 하기와 같은 방법으로 측정했다.

(1) 불활성 입자의 평균 입경(d)

시마즈세이사쿠쇼제 CP-50 형 센트리퓨걸 파티클 사이즈 애널라이저 (Centrifugal Particle Size Analyzer)를 사용하여 측정한다. 얻어지는 원심 침강 곡선을 기초로 산출한 각 입경의 입자와 그 존재량의 적산 곡선으로부터, 50매스퍼센트에 상당하는 입경을 판독하고, 이 값을 상기 평균 입경으로 한다. (Book "입도 측정 기술" 일간 공업 신문 발행, 1975년, 페이지 242~247 참조).

(2) 필름 중의 불활성 입자의 평균 입경과 장경/단경비

필름 샘플을 에폭시 수지로 싸서 메우고, 50㎛의 두께로 단면을 잘라내서, TEM(투과 전자현미경)으로 단면 중의 입자 형상을 측정한다.

(3) 중심선 평균 조도(Ra(nm)), HD5 및 HD10

접촉식 측정법

중심선 평균 조도(Ra)는 JIS-B0601로 정의되는 값으로, (주)고사카세이사쿠쇼의 촉침식 표면 조도계(SURFCORDER SE-30C)를 사용하여 측정했다. 측정 조건은 다음과 같다.

(a) 촉침 선단 반경: 2㎛

(b) 측정 압력: 30mg

(c) 컷오프: 0.25mm

(d) 측정 길이: 1.0 mm

(2) 중심선 평균 조도(Ra(nm))

비접촉식 측정법

중심선 평균 조도(Ra)는 WYKO CORPORATION NT-2000의 비접촉식 표면 조도계를 사용하여 측정한다. 측정 조건은 다음과 같다.

(a) 측정 에리어: 0.0462㎛

(b) 측정 배율: 25배

또한, HD5, HD10는 WYKO 측정 데이터에 의해, 입경과 돌기 분포를 구하여 5nm의 입경시의 돌기수를 HD5으로 하고, 10nm의 입경시의 돌기수를 HD10으로 한다.

(4) 10점 평균 조도(Rz(nm))

접촉식 측정법

10점 평균 조도(Rz)는 JIS-B0601로 정의되는 값으로, 본 발명에서는 (주)코사카세이사쿠쇼의 촉침식 표면 조도계(SURFCORDER SE-30C)를 사용하여, 얻어진 데이터의 단면 곡선으로부터 기준 길이만큼 빼낸 부분에서, 5번째까지의 산정(山頂)의 표고(標高)의 평균치와 가장 깊은 곳으로부터 5번째까지의 곡저(谷底)의 표고의 평균치의 차의 값을 나타낸다.

비접촉식 측정법

10점 평균 표면 조도(Rz)는 WYKO CORPORATION NT-2000의 비접촉식 표면 조도계를 사용하여 측정한다. 측정 조건은 다음과 같다.

(a) 측정 에리어: 0.0462㎛

(b) 측정 배율: 25배

어느 측정법에서도, 얻어진 데이터의 단면 곡선으로부터 기준 길이만큼 빼낸 부분에서, 5번째까지의 산정의 표고의 평균치와 가장 깊은 곳으로부터 5번째까지의 곡저의 표고의 평균치의 차의 값을 나타낸다.

(5) 실리콘의 막두께 측정(Tsi(nm))

이형 필름의 단면을 마이크로톰으로 할단(割斷)하여, 얻어진 시료를 TEM으로 관찰함으로써, 실리콘층의 두께를 측정한다.

(6) 핸들링성

동마찰 계수(S):

이형 필름을 2매 중첩하여 유리판상에 놓고, 중첩하여 맞춘 필름의 하측(유리판과 접하고 있는 필름)의 필름을 정속(定速) 롤에 인취하고, 상측의 필름의 일단에 검출기를 고정하여 필름/필름간의 인장력(F)을 검출한다. 또한, 필름에는 200g/50cm²의 하중(P)을 건다.

μS=F(g)/P(g)

μS = 1 이하는 핸들링성 양호 ◎

μS = 1 이상 2 이하는 핸들링 가능 Ｏ

μS = 2 이상은 핸들링 불가 ×

블로킹:

이형 필름을 롤 형상으로 1000번 감고, 60℃X1개월간 에이징한 후, 필름의 이형면과 그 배면에서의 들러붙는 현상을 육안으로 관찰하여 하기 기준으로 평가한다.

Ｏ: 블로킹 없음

×: 블로킹 있음

깎임성:

필름 표면을 흑색 도화지로 마모하여, 백분의 발생을 육안으로 관찰하여 하기 기준으로 평가한다.

Ｏ: 백분 없음

×: 백분 있음

(7) 경도의 측정

경도의 측정은 (주)에리오니크스 사제 ENT-1100a를 사용하여, 이형층막의 경도를 직접 측정했다. 측정은 삼각추 압자로 하중 2mgf를 걸어, 이형층의 변형양으로부터, 경도를 산출한다.

실시예 1

폴리에틸렌 테레프탈레이트 A 및 B를 준비하고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 A를 이형층을 설치하는 측의 층에 사용하고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 B를 다른 쪽의 층에 사용하여, 2층으로 이루어지는 적층 폴리에스테르 필름을 제조했다.

우선, 디메틸테레프탈레이트와 에틸렌글리콜을, 에스테르 교환 촉매로서 초산망간을 사용하고, 중합 촉매로서 삼산화 안티몬을 사용하여, 안정제로서 아인산을 사용하고, 윤활제의 불활성 입자로서 평균 입자경 0.1㎛의 산화규소를 0.3wt％ 배합하여, 통상의 방법에 의해 중합하여, 고유 점도(o-클로로페놀, 35℃) 0.62의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 A를 얻었다.

또한, 윤활제의 불활성 입자로서 산화규소 대신에, 평균 입자경 0.5㎛의 가교 실리콘 입자(장경/단경=1.05)을 0.05중량％과, 평균 입자경 0.2㎛의 산화알루미늄 입자를 0.4중량％을 배합한 것 이외는 상기 폴리에틸렌 테레프탈레이트 A와 동일한 방법으로, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 B를 얻었다.

이들 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 펠렛을 170℃에서 3시간 건조 후 2대의압출기 호퍼에 공급하고, 용융 온도 280~300℃로 용융하여, 멀티 매니폴드형 압출 다이를 사용하여 적층시키고, 표면 마무리 0.3s정도, 표면 온도 20℃의 회전 냉각 드럼상에 압출하여, 두께 540㎛의 미연신 2층 적층 필름을 얻었다.

이와 같이 하여 얻어진 미연신 적층 필름을 75℃로 예열하고, 또한 저속, 고속의 롤간에서 15mm 상방으로부터 900℃의 표면 온도의 IR 히터 1개에 의해 가열하여 3.6배로 연신하고, 급냉하고, 이어서 스텐터에 공급하여, 105℃에서 횡방향으로 3.9배로 연신했다. 얻어진 2축 배향필름을 205℃의 온도에서 5초간 열고정하여, 두께 38㎛(이형층을 설치하는 측의 폴리에스테르 A층의 두께 36㎛, 이것과는 반대측의 폴리에스테르 B층의 두께 2㎛)의 열고정 2축배향 적층 폴리에스테르 필름을 얻었다.

또한 이 필름상에, 폴리디메틸실록산과 디메틸하이드로젠실란의 혼합 용액에 백금 촉매를 가하여 부가 반응시키는 타입의 경화형 실리콘(신에츠실리콘(주)제 KS-847(H))을, 메틸에틸케톤, 이소부틸케톤 및 톨루엔의 혼합 용제중에 용해시켜, 전체 고형분 농도가 3중량％로 되는 용액을 제조하고, 통상 방법의 롤 코팅법에 의해, 건조 막두께가 55nm가 되도록 도포한 이형 필름을 얻었다. 가열 건조는 160℃에서 30초 행하였다. 이 이형 필름의 특성을 표 1에 나타낸다.

실시예 2

실시예 1에서의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 A에 배합하는 불활성 입자를 평균 입경 0.3㎛의 가교 실리콘 입자를 0.12중량％으로 변경하고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 B는 불활성 입자를 배합하지 않는 것으로 변경했다. 이 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 A/B/A의 구성으로 되도록, 멀티 매니폴드 다이에서 공압출하여, 두께 구성이 A/B/A=2㎛/34㎛/2㎛로 되도록, 압출량을 조정했다. 또 이형층은 77nm로 되도록했다. 이들 이외는 실시예 1과 같은 방법으로, 이형 필름을 얻었다.

실시예 3

실시예 2에서 사용한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 A만을 사용하여, 38㎛의 필름을 제조하고, 이형층은 77nm가 되도록 했다. 이들 이외는 실시예 2와 같은 방법으로, 이형 필름을 얻었다.

비교예 1

디메틸테레프탈레이트와 에틸렌글리콜을, 에스테르 교환 촉매로서 초산 망간을 사용하고, 중합 촉매로서 삼산화 안티몬을 사용하고, 안정제로서 아인산을 사용하여, 통상의 방법에 의해 중합하여, 고유 점도(o-클로로페놀, 35℃) 0.62의 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 얻었다. 폴리에틸렌 테레프탈레이트중에 윤활제의 불활성 미립자로서 평균 입경 1.7㎛의 산화규소를 0.05중량％ 배합하여, 단층의 필름을 얻고, 이형층의 두께를 98nm로 한 것 이외는 실시예 1과 같은 방법으로, 이형 필름을 얻었다.

비교예 2

비교예 1의 불활성 입자를 평균 입경 0.1㎛의 입자로 바꾸는 것 이외는 비교예 1과 같은 방법에서, 이형 필름을 얻었다.

비교예 3

실시예 1에서 얻어진 필름상에 실리콘이형 층 막두께를 200nm로 되도록 도포하는 것 이외는 같은 방법으로, 이형 필름을 얻었다.

<표 1>

실시예 4

우선, 디메틸테레프탈레이트와 에틸렌글리콜을, 에스테르 교환 촉매로서 초산 망간을 사용하고, 중합 촉매로서 삼산화 안티몬을 사용하고, 안정제로서 아인산을 사용하여, 통상의 방법에 의해 중합하여, 고유 점도(o-클로로페놀, 35℃) 0.62의 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 얻었다.

이 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 펠렛을, 170℃에서 3시간 건조한 후에 압출기 호퍼에 공급하고, 용융 온도 280~300℃에서 용융하여, 압출 다이를 사용하여, 표면 마무리 0.3s 정도, 표면 온도 20℃의 회전 냉각 드럼상에 압출하여, 두께 540㎛의 미연신 필름을 얻었다.

이 미연신 필름을, 75℃로 예열하고, 저속 롤과 고속의 롤의 사이에서, 15mm 상방으로부터 900℃의 표면 온도의 IR 히터 1개로 가열하면서, 종방향으로 3.6배로 1축연신하고, 그 후 급냉하고, 이어서 스텐터에 공급하여, 105℃에서 횡방향으로 3.9배로 연신하여 2축배향 필름을 얻었다. 이 2축배향 필름을, 205℃의 온도에서 5초간 열고정하여, 두께 38㎛의 열고정 2축배향 필름을 얻었다. 또한, 1축연신 후에 실리콘의 엥커 처리로서, 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란 수용액을 키스 코트법에 의해 도포했다.

이 열고정 2축배향 필름상에, 페닐기가 1.0몰％ 이하인 폴리디메틸실록산과 디메틸하이드로젠실란의 혼합 용액에 백금 촉매를 가하여 부가 반응시키는 타입의 경화형 실리콘 수지(신에츠실리콘 사제 KS-774)를, 메틸에틸케톤, 이소부틸 케톤 및 톨루엔의 혼합 용제에 용해하고, 무기 입자로서 산화규소 입자(니뽄에어로질 사제 R972 평균 입경 30nm)를 실리콘 수지 성분당 0.5중량％첨가하여, 전체 고형분 농도가 1중량％로 되는 용액을 제조하여, 통상의 롤 코팅법에 의해, 건조 막두께가 45nm로 되도록 도포한 이형 필름을 얻었다. 롤 코팅법에서의 가열 건조는 150℃에서 20초 행했다. 이 이형 필름의 특성을 표 2에 나타낸다.

실시예 5

디메틸테레프탈레이트와 에틸렌글리콜을, 에스테르 교환 촉매로서 초산 망간을 사용하고, 중합 촉매로서 삼산화 안티몬을 사용하고, 안정제로서 아인산을 사용하고, 윤활제의 불활성 입자로서 평균 입자경 0.1㎛의 산화규소를 0.12중량％ 배합하여, 통상의 방법에 의해 중합하여, 고유 점도(o-클로로페놀, 35℃) 0.62의 폴리에틸렌 테레프탈레이트를 얻었다.

이 폴리에틸렌 테레프탈레이트의 펠렛을, 170℃에서 3시간 건조한 후 압출기 호퍼에 공급하여, 용융 온도 280~300℃에서 용융하여, 압출 다이를 사용하여, 표면 마무리 0.3s정도, 표면 온도 20℃의 회전 냉각 드럼상에 압출하여, 두께 540㎛의 미연신 필름을 얻었다.

이 미연신 필름을, 75℃로 예열하고, 저속 롤과 고속 롤의 사이에서, 15mm 상방으로부터 900℃의 표면 온도의 IR 히터 1개로 가열하면서, 종방향으로 3.6배로 1축연신하고, 그 후 급냉하고, 이어서 스텐터에 공급하여, 105℃에서 횡방향으로 3.9배로 연신하여 2축배향 필름을 얻었다. 이 2축배향 필름을, 205℃의 온도에서 5초간 열고정하여, 두께 38㎛의 열고정 2축배향 필름을 얻었다. 또한, 1축연신 후에 실리콘의 엥커 처리로서, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 수용액을 키스 코트법에 의해 도포했다.

이 열고정 2축배향 필름상에, 폴리디메틸실록산과 디메틸하이드로젠실란의 혼합 용액에 백금 촉매를 가하여 부가반응시키는 타입의 경화형 실리콘 수지(신에츠실리콘 사제 KS-774)를, 메틸에틸케톤, 이소부틸 케톤 및 톨루엔의 혼합 용제에 용해하고, 무기 입자로서 산화규소 입자(니뽄에어로질 사제 R972 평균 입경 30nm)를 실리콘 수지 성분당 0.2중량％ 첨가하여, 전체 고형분 농도가 1중량％로 되는 용액을 제조한 후, 통상의 롤 코팅법에 의해, 건조 막두께가 45nm로 되도록 도포하여, 이형 필름을 얻었다. 롤 코팅법에서의 가열 건조는 150℃에서 20초간 행했다. 이 이형 필름의 특성을 표 2에 나타낸다.

실시예 6

실시예 4에서 제조한 폴리에틸렌 테레프탈레이트와 실시예 2에서 제조한 폴리에틸렌 테레프탈레이트 A를 사용하여, 구성이 폴리에틸렌 테레프탈레이트/폴리에틸렌 테레프탈레이트 A=36㎛/2㎛인 필름을 제조한 것 이외는 실시예 4와 같은 방법으로 이형 필름을 얻었다.

비교예 4

실시예 1의 실리콘 이형층에 무기 입자를 배합하지 않은 것 이외는 실시예 4와 동일한 방법으로 이형 필름을 얻었다. 이 이형 필름의 특성을 표 2에 나타낸다.

비교예 5

실시예 4의 실리콘 이형층의 두께를 1000nm로 한 것 이외는 실시예 4와 동일한 방법으로 이형 필름을 얻었다. 이 이형 필름의 특성을 표 2에 나타낸다.

비교예 6

실시예 4의 실리콘 이형층에 첨가하는 입자를 30중량％로 하는 것 이외는 실시예 4와 같은 방법으로 이형 필름을 얻었다. 이 이형 필름의 특성을 표 2에 나타낸다.

비교예 7

이형층중의 디페닐 실록산 함유량이 5몰％로 되도록 디페닐실록산을 첨가한 것 이외는 실시예 4와 같은 방법으로 이형 필름을 얻었다. 이 이형 필름의 특성을 표 2에 나타낸다.

<표2>

Claims

(a) 중심선 평균 조도(Ra)가 15nm 이하이고 또한 10점 평균 조도(Rz)가 30~500nm인 표면을 갖는 폴리에스테르 필름, 및

(b) 상기 폴리에스테르 필름의 상기 표면상에 형성되고 또한 두께가 상기 표면의 Rz의 0.8배 이하인 실리콘 이형층

으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이형 필름.
제1항에 있어서,

실리콘 이형층(b)의 노출 표면의 중심선 평균 조도(Ra)가 15nm 이하이고 또한 10점 평균 조도(Rz)가 100~500nm인 이형 필름.
제1항에 있어서,

양노출 표면의 중심선 평균 조도(Ra)의 합이 12nm이상인 이형 필름.
제1항에 있어서,

폴리에스테르 필름(a)이 평균 입경이 1㎛미만의 불활성 입자를 함유하는 이형 필름.
제3항 또는 제4항에 있어서,

불활성 입자의 평균 입경이 0.01㎛이상 1㎛미만이고 또 장경/단경의 비가 1.0~1.2인 이형 필름.
제1항에 있어서,

실리콘 이형층(b)이 폴리디메틸실록산으로 이루어지는 이형 필름.
제1항 또는 제6항에 있어서,

실리콘 이형층(b)이 평균 입경 5~80nm의 불활성 입자를 함유하는 이형 필름.
제1항에 있어서,

폴리에스테르 필름(a)의 실리콘 이형층(b)이 존재하는 면의 반대면 상에, 다른 폴리에스테르층이 더 존재하는 이형 필름.
(a') 중심선 평균 조도(Ra)가 5nm 이하이고 또한 10점 평균 조도(Rz)가 30nm 이하인 표면을 갖는 폴리에스테르 필름, 및

(b') 상기 폴리에스테르 필름의 상기 표면상에 형성되고 또한 하기식(1)

0.3d≤t≤2.5d …(1)

(여기서, d는 불활성 입자의 평균 입경(nm)이고 또 t는 실리콘 이형층의 두께(nm)임)

을 만족하는 불활성 입자를 함유하고 또한 두께 300nm 이하의 실리콘 이형층

으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이형 필름.
제9항에 있어서,

실리콘 이형층(b')의 노출 표면의 중심선 평균 조도(Ra)가 5nm 이하이고 또한 10점 평균 조도(Rz)가 30nm 이하인 이형 필름.
제9항에 있어서,

실리콘 이형층(b')의 노출 표면상에 존재하는 돌기가 하기식(2) 및 (3)

HD5 ≥500개/mm²… (2)

HD10 ≤100개/mm²… (3)

(여기서, HD5는 높이가 5nm 이상의 돌기의 수이고 또 HD10은 높이가 10nm 이상의 돌기의 수임)

을 만족하는 이형 필름.
제9항에 있어서,

실리콘 이형층(b')이 비닐기를 갖는 폴리디메틸실록산과 하이드로젠실란으로 이루어지는 부가 반응형의 실리콘 수지로 이루어지는 이형 필름.
제9항 또는 제12항에 있어서,

실리콘 이형층(b')의 미소 경도가 100mgf/㎛²이상인 이형 필름.
제12항에 있어서,

비닐기를 갖는 폴리디메틸 실록산이 -Si(CH₃)₂- 1몰당 -Si(C₆H₅)₂- 0.5몰 이하로 함유하는 이형 필름.
제9항에 있어서,

실리콘 이형층(b')중의 불활성 입자가 평균 입경 3~80nm의 무기 입자인 이형 필름.
제9항에 있어서,

폴리에스테르 필름(a')의 실리콘 이형층(b')이 존재하는 면의 반대면 상에, 다른 폴리에스테르층이 더 존재하는 이형 필름.