KR20040086122A - 패턴데이터 생성방법, 패턴데이터 생성프로그램,노광마스크 제조방법 및 패턴형성방법 - Google Patents

패턴데이터 생성방법, 패턴데이터 생성프로그램,노광마스크 제조방법 및 패턴형성방법 Download PDF

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KR20040086122A
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Abstract

웨트에칭 후의 범프의 지름을 동일하게 하기 위해서, 주위의 범프의 수, 각 범프간의 거리에 따라서 노광마스크의 패턴데이터를 보정하는 것을 목적으로 한다.
패턴추출수단(2)에 의해서 패턴데이터로부터 유효범위내의 원형패턴데이터가 추출된다. 입력수단(3)에 의해서, 미리 필요한 설정치가 입력된다. 보정처리수단 (5)은 설정치 및 유효범위내에 있는 원형패턴의 수 및 각 원형패턴간의 거리에 따라서, 각 원형패턴에 대한 보정량을 산출한다. 기준레지스트지름으로부터 보정량을 감산하는 것에 의해, 보정처리 후의 원형패턴의 지름을 얻을 수 있다. 그 패턴데이터를 사용하여 노광마스크를 작성하여, 그 노광마스크를 사용하여 패턴을 형성하면, 범프 개개의 패턴지름을 일정하게 하는 것이 가능하게 된다.

Description

패턴데이터 생성방법, 패턴데이터 생성프로그램, 노광마스크 제조방법 및 패턴형성방법{A method for generating pattern data, a program for generating pattern data, a method for manufacturing a exposure mask and a method for forming a pattern}
본 발명은 반도체분야에 있어서의 패턴데이터 생성방법, 패턴데이터생성프로그램, 노광마스크 제조방법 및 패턴형성방법에 관한 것으로, 특히 설계패턴의 형상을 보정하는 기술에 관한 것이다.
최근의 반도체 제조기술의 진보는 대단히 눈부시고, 반도체소자의 미세화는 마스크프로세스 기술 및 에칭기술 등의 미세패턴 형성기술의 비약적인 진보에 의해 실현되고 있다. 패턴크기가 충분히 큰 경우에는, 웨이퍼 상에 형성하고 싶은 LSI패턴의 평면형상을 그대로 설계패턴으로서 그려, 그 설계패턴에 충실한 마스크패턴을 작성하여, 그 마스크패턴을 투영광학계에 의해서 웨이퍼상에 전사하고, 에칭하는 것에 의해 거의 설계패턴대로의 패턴을 기판상에 형성할 수가 있다.
또한, 배선기판을 고집적화하기 위해서는, 배선기판을 다층화하고, 또한 상하배선간 접속을 고신뢰도로 미세하게 형성해야 한다. 그렇게 하기 위해, 예를 들면 얇은 동판(동박) 등을 한쪽의 표면측에서 에칭함에 의해 침(針)형상의 범프를 형성하여, 상하 배선사이를 도통하는 층간도통수단으로서 사용되고 있다(예를 들면 특허문헌 1).
여기서, 도 5에 웨트에칭에 의해 동의 범프를 형성하기 위한 일반적인 순서를 나타낸다. 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 기판(71)상에 동박(72)을 성막한다. 다음에, 동박(72)상에 레지스트를 도포하여, 포토리소그래피기술에 의해서 노광 및현상함에 의해, 도 5(b)에 나타내는 레지스트패턴(73)을 형성한다. 이 때 사용하는 노광마스크에는, 도 5 (e)에 나타내는 바와 같이, 노광마스크(75)내에 동일한 지름을 갖는 원형패턴(76)이 동일한 피치로 형성되어 있다. 그리고, 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 동박(72)을 웨트에칭하여, 그 후 레지스트를 박리함에 의해 도 5(d)에 나타내는 바와 같은 범프(74)를 형성해 간다.
<특허문헌 1>
일본 특허공개 2002-141629호 공보(단락 [0018], [0019])
그러나, 패턴크기가 큰 경우에 있어서는, 거의 설계패턴대로의 패턴을 기판상에 형성할 수가 있었지만, 패턴이 미세화 및 집적화가 진행됨에 따라서, 각 프로세스로 패턴을 충실히 형성하는 것이 곤란하게 되어 오고 있고, 최종적인 마무리크기가 설계패턴대로 안되는 문제가 생기고 있었다.
특히, 웨트에칭에서는, 레지스트패턴의 두께 및 인접하는 레지스트패턴의 간격이 에칭용액의 흐름을 저해하는 원인이 되어, 설계대로의 패턴을 형성할 수가 없었다. 배선기반의 상하 배선사이를 도통하는 층간도통수단으로서 사용되고 있는 범프를 형성하기 위해서는 웨트에칭이 행하여지지만, 상기와 같이 패턴이 미세화 및 집적화되면 설계대로의 범프를 형성할 수가 없었다.
예를 들면, 상술한 도 5(e)의 마스크패턴의 경우, 주위의 범프의 수 및 각 범프사이의 거리가, 웨트에칭 후의 범프의 패턴크기에 영향을 준다. 여기서, 도 6을 참조하면서, 그 영향에 대해서 설명한다. 도 6은 주위의 원형패턴수 및 각 원형패턴사이의 거리가 웨트에칭 후의 각 범프의 지름에 주는 영향을 나타낸 범프의 상면도이다. 여기서는 지름이 일정한 원형패턴이 사용되고 있다.
도 6(a)∼(c)는 주위에 존재하는 범프의 수가 각 범프의 지름에 주는 영향을 나타낸 범프의 상면도이다. 예를 들면, 도 6의 (a)에 나타내는 바와 같이, 범프의 주위에 다른 범프가 존재하지 않으면, 범프의 에칭속도는 빨라지고, 웨트에칭 후의 범프의 지름은 작아진다. 한편, (b)에 나타내는 바와 같이, 일정한 영역내에 범프가 2개 존재하는 경우는, 에칭속도는 (a)보다 늦어지고, 웨트에칭 후의 각 범프의 지름은 (a)의 지름보다 커진다. 또한, (c)에 나타내는 바와 같이, 일정한 영역내에 범프가 4개 존재하는 경우는 에칭속도는 (b)보다 늦어지고, 웨트에칭 후의 각 범프의 지름은 (b)보다 더욱 커진다. 따라서, 레지스트지름 및 에칭시간이 동일하면, 범프의 주위에 많은 다른 범프가 존재할수록, 각 범프의 에칭속도는 늦어지고, 웨트에칭 후의 범프의 지름은 커진다.
도 6(d)∼(f)는 각 범프사이의 거리가 범프의 지름에 주는 영향을 나타낸 범프의 평면도이다. (f)에 나타내는 바와 같이, 범프사이의 거리가 멀면 에칭속도는 빨라지고, 웨트에칭 후의 범프의 지름은 작아진다. 한편, (e)에 나타내는 바와 같이, 각 범프사이의 거리가 (f)보다 가까워지면, 에칭속도는 (f)보다 늦어지고, 범프의 마무리지름은 (f)보다 커진다. 또한, (d)에 나타내는 바와 같이, 각 범프사이의 거리가 (e)보다 가까워지면, 에칭속도는 (e)보다 늦어지고, 더욱 웨트에칭 후의 범프의 지름은 커진다. 따라서, 레지스트지름 및 에칭시간이 동일하면, 주위에 존재하는 범프의 수가 동일하더라도, 각 범프사이의 거리가 가까울수록 에칭속도는늦어지고, 웨트에칭 후의 범프의 지름은 커진다.
따라서, 웨트에칭 후의 범프의 지름을 동일하게 하기 위해서는, 주위의 패턴의 수, 각 범프사이의 거리에 따라서 노광마스크의 패턴데이터를 변경할 필요가 있다.
본 발명은 상기의 문제를 해결하는 것으로, 미리 범프의 수 및 각 범프사이의 거리에 따라서 설계패턴의 형상을 보정함에 의해, 원하는 범프를 형성하기 위한 노광마스크의 패턴데이터 생성방법 및 그 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한 프로그램을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 패턴데이터 작성방법을 사용하는 것에 의해, 원하는 범프를 형성할 수가 있는 노광마스크를 작성하는 방법 및 그 노광마스크를 사용하여 원하는 범프를 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시형태의 패턴데이터 작성시스템을 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 실시형태에 있어서의 보정치를 산출하여, 노광마스크 및 패턴을 형성하기까지의 흐름을 나타내는 플로챠트이다.
도 3은 본 발명의 실시형태에 있어서의 영향계수를 산출하기 위해서 사용되는 원형패턴이 나타나 있는 상면도이다.
도 4는 본 발명의 실시형태에서 사용되는 보정함수가 나타낸 그래프를 나타내는 도면이다.
도 5는 웨트에칭에 의해 범프를 형성하기 위한 순서를 나타낸 도면이다.
도 6은 주위의 원형패턴의 수 및 각 원형패턴간의 거리가 에칭 후의 범프의 지름에 주는 영향을 나타낸 범프의 상면도이다.
도 7은 본 발명의 실시형태에 있어서의 범프전극구조 제조방법의 공정을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시형태에 있어서의 다층배선기판 제조방법의 공정을 나타내는 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
2 : 패턴추출수단 3 : 입력수단
4 : 기억수단 5 : 보정처리수단
51 : 영향계수산출수단 52 : 보정계수산출수단
53 : 보정량산출수단 54 : 특수보정수단
61 : 기준패턴 61a, 61b, 61c, 61d : 접선
62 : 기준패턴에 의해 가까운 원형패턴
63, 64, 65, 66 : 원형패턴 71 : 기판
72, 703 : 동박 73, 704 : 레지스트
74 : 에칭 후의 패턴형상(범프) 75 : 노광마스크
76 : 원형패턴 701, 804 : 하부동박
702, 807 : 에칭스톱퍼층 705, 805 : 동범프
706, 806 : 절연수지 707 : 보호시트
708 : 상부동박 709 : 범프전극
801 : 범프부착동박 803 : 배선층
810 : 동배선 812 : 스루홀
813 : 다층배선기판
청구항 1에 기재된 발명은, 복수의 원형패턴을 포함하는 원하는 노광마스크를 형성하기 위한 패턴데이터를 작성하는 패턴데이터 작성방법으로서, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴에 대하여, 상기 제 1 원형패턴 이외의 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과, 해당 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하는 연산스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 2에 기재된 발명은, 복수의 원형패턴을 포함하는 원하는 노광마스크를 형성하기 위한 패턴데이터 작성방법으로서, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴과, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의의 방향의 1개에서선택된 상기 제 1 원형패턴에 가장 근접하여 배치되는 제 2 원형패턴과의 양쪽에 접하고, 또한, 해당 양쪽의 사이에서 교차하는 한 쌍의 접선을 형성하는 접선형성스텝과, 상기 한 쌍의 접선에 끼워지고, 또한, 상기 제 2 원형패턴을 포함하는 영역의 부분영역을 제외하는 전체영역에 있는 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과, 상기 접선형성스텝과 계수산출스텝을, 상기 방향의 전부에 대해서 행하여 구한 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하는 연산스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 3에 기재된 발명은, 복수의 원형패턴을 포함하는 원하는 노광마스크를 형성하기 위한 패턴데이터를 작성하기 위해서, 컴퓨터에, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴에 대하여, 상기 제 1 원형패턴 이외의 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출기능과, 해당 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하는 연산기능을 실현시키기 위한 프로그램인 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 4에 기재된 발명은, 복수의 원형패턴을 포함하는 원하는 노광마스크를 형성하기 위한 패턴데이터를 작성하기 위해서, 컴퓨터에, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴과, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의의 방향의 1개에서 선택된 상기 제 1 원형패턴에 가장 근접하여 배치되는 제 2 원형패턴과의 양쪽에 접하고, 또한, 해당 양쪽의 사이에서 교차하는 한 쌍의 접선을 형성하는 접선형성기능과, 상기 한 쌍의 접선에 끼워지고, 또한, 상기 제 2 원형패턴을 포함하는 영역의 부분영역을 제외하는 전체영역에 있는 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출기능과, 상기 접선형성기능과 계수산출기능을, 상기방향의 전부에 대해서 행하여 구한 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하는 연산기능을 실현시키기 위한 프로그램인 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 3 및 청구항 4에 기재된 프로그램을 기재한 컴퓨터 읽기 가능한 기억매체인 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 6에 기재된 발명은, 원하는 복수의 원형패턴이 형성된 노광마스크를 제조하기 위한 마스크제조방법으로서, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴에 대하여, 상기 제 1 원형패턴 이외의 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과, 해당 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하여, 노광마스크의 패턴데이터를 취득하는 스텝과, 상기 패턴데이터에 따라서, 마스크기판상에 상기 제 1 원형패턴을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 7에 기재된 발명은, 원하는 복수의 원형패턴이 형성된 노광마스크를 제조하기 위한 마스크제조방법으로서, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴과, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의의 방향의 1개에서 선택된 상기 제 1 원형패턴에 가장 접근하여 배치되는 제 2 원형패턴과의 양쪽에 접하고, 또한, 해당 양쪽의 사이에서 교차하는 한 쌍의 접선을 형성하는 접선형성스텝과, 상기 한 쌍의 접선에 끼워지고, 또한, 상기 제 2 원형패턴을 포함하는 영역의 부분영역을 제외하는 전체영역에 있는 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과, 상기 접선형성스텝과 계수산출스텝을, 상기 방향의 전부에 대해서 행하여 구한 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하여, 노광마스크의 패턴데이터를 취득하는 스텝과, 상기 패턴데이터에 따라서, 마스크기판상에 상기 제 1 원형패턴을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 8에 기재된 발명은, 원하는 복수의 원형패턴을 형성하기 위한 패턴형성방법으로서, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴에 대하여, 상기 제 1 원형패턴 이외의 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과, 해당 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하여, 노광마스크의 패턴데이터를 취득하는 스텝과, 상기 패턴데이터에 따라서, 마스크기판상에 상기 제 1 원형패턴을 형성하여 노광마스크를 제조하는 스텝과, 상기 노광마스크를 사용하여 레지스트패턴을 형성하는 스텝과, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 레지스트패턴의 하지(下地)를 에칭하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 9에 기재된 발명은, 원하는 복수의 원형패턴을 형성하기 위한 패턴형성방법으로서, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴과, 상기 복수의 원형패턴으로부터 임의의 방향의 1개에서 선택된 상기 제 1 원형패턴에 가장 근접하여 배치되는 제 2 원형패턴과의 양쪽에 접하고, 또한, 해당 양쪽의 사이에서 교차하는 한 쌍의 접선을 형성하는 접선형성스텝과, 상기 한 쌍의 접선에 끼워지고, 또한, 상기 제 2 원형패턴을 포함하는 영역의 부분영역을 제외하는 전체영역에 있는 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과, 상기 접선형성스텝과 계수산출스텝을, 상기 방향의 전부에 대해서 행하여 구한 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하여 노광마스크의 패턴데이터를 취득하는 스텝과, 상기 패턴데이터에 따라서, 마스크기판상에 상기 제 1 원형패턴을 형성하여 노광마스크를 제조하는 스텝과, 상기 노광마스크를 사용하여 레지스트패턴을 형성하는 스텝과, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 레지스트패턴의 하지를 에칭하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
청구항 10에 기재된 발명은, 청구항 6에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하여, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하여 제작하는 범프부착동박인 것을 특징으로 한다.
청구항 11에 기재된 발명은, 청구항 6에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박의 위에 레지스트패턴을 형성하고, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하여 복수의 동 범프를 형성하여 제작하는 범프부착동박인 것을 특징으로 한다.
청구항 12에 기재된 발명은, 청구항 7에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박의 위에 레지스트패턴을 형성하여, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하여 제작하는 범프부착동박인 것을 특징으로 한다.
청구항 13에 기재된 발명은 청구항 7에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하여, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하여 복수의 동 범프를 형성하여 만들어 제작하는 범프부착동박인 것을 특징으로 한다.
청구항 14에 기재된 발명은 청구항 6에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하는 스텝을 포함하는 범프부착동박의 제조방법인 것을 특징으로 한다.
청구항 15에 기재된 발명은 청구항 6에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭함에 의해, 복수의 동범프를 형성하는 스텝을 포함하는 범프부착동박의 제조방법인 것을 특징으로 한다.
청구항 16에 기재된 발명은 청구항 7에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하는 스텝을 포함하는 범프부착동박의 제조방법인 것을 특징으로 한다.
청구항 17에 기재된 발명은 청구항 7에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의 동범프를 형성하는 스텝을 포함하는 범프부착동박의 제조방법인 것을 특징으로 한다.
청구항 18에 기재된 발명은 청구항 10 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 범프부착동박으로서, 상기 동박상에 에칭스톱퍼층을 갖는 것을 특징으로 한다.
청구항 19에 기재된 발명은, 청구항 14 내지 청구항 17중 어느 한 항에 기재된 범프부착동박의 제조방법으로서, 상기 동박상에, 에칭스톱퍼층을 성막하는 스텝과, 상기 에칭스톱퍼층상에 동박을 더욱 성막하여, 그 동박을 에칭하는 것에 의해 동범프를 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 한다.
청구항 20에 기재된 발명은, 청구항 6에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 하부동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 하부동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의 동범프를 형성하여 범프부착동박을 제작하는 스텝과, 상기 범프부착동박상에 상부동박을 눌러 붙여 설치하는 스텝을 포함하는 범프전극구조 제조방법인 것을 특징으로 한다.
청구항 21에 기재된 발명은, 청구항 7에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 하부동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 하부동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의 동범프를 형성하여 범프부착동박을 제작하는 스텝과, 상기 범프부착동박상에 상부동박을 눌러 붙여 설치하는 스텝을 포함하는 범프전극구조 제조방법인 것을 특징으로 한다.
청구항 22에 기재된 발명은, 청구항 6에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 하부동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 하부동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의동범프를 형성하여 범프부착동박을 제작하는 스텝과, 상기 범프부착동박에 의해서 배선층을 끼워 눌러 붙이는 스텝을 포함하는 다층배선기판 제조방법인 것을 특징으로 한다.
청구항 23에 기재된 발명은, 청구항 7에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 하부동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과, 상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 하부동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의 동범프를 형성하여 범프부착동박을 제작하는 스텝과, 상기 범프부착동박에 의해서 배선층을 끼워 눌러 붙이는 스텝을 포함하는 다층배선기판 제조방법인 것을 특징으로 한다.
[발명의 실시의 형태]
이하, 본 발명의 실시의 형태의 일례에 대해서, 도 1 내지 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시형태의 패턴데이터 작성시스템의 블록도이다. 또한, 도 2는 본 발명의 실시형태에 있어서 보정량을 산출하여, 노광마스크 및 패턴을 형성하기까지의 흐름을 나타내는 플로챠트이다. 또한, 도 3은 본 발명의 실시형태에 있어서의 영향계수를 산출하기 위해서 사용되는 원형패턴이 나타나 있는 상면도이다. 또한, 도 4는 보정계수를 산출하기 위해서 사용되는 보정함수가 나타난 그래프이다.
(구성)
도 1의 블록도에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 마스크데이터 작성시스템 (1)은 패턴추출수단(2)과, 입력수단(3)과, 기억수단(4)과, 보정처리수단 (5)과, 출력수단(6)을 구비하고 있다. 또한, 보정처리수단(5)은 영향계수산출수단 (51)과, 보정계수산출수단(52)과, 보정량산출수단(53)과, 특수보정수단(54)을 구비하고 있다. 패턴데이터 작성시스템(1)은 예를 들면 퍼스널컴퓨터로 구성되어 있고, 컴퓨터본체, 키보드, 및 모니터 등을 구비하고 있다.
패턴추출수단(2)은 보정처리를 하는 패턴데이터를 집어넣고, 그 패턴데이터내의 범프형성용의 원형패턴데이터를 추출하는 수단이다. 또한, 그 원형패턴데이터로부터 1개의 기준이 되는 기준패턴을 선택하여, 유효범위내의 원형패턴을 추출하는 수단이다. 여기서, 유효범위란, 복수의 범프형성용의 원형패턴 중에서 기준이 되는 1개의 원형패턴을 선택하여, 그 원형패턴을 기준패턴으로 하여 취급한 경우에, 그 기준패턴을 중심으로 한 범위의 것을 말한다.
입력수단(3)은 노광마스크의 기준레지스트지름, 최대보정치, 보정함수 및 보정함수에 주는 파라미터치를 입력하는 수단이다. 여기서, 기준레지스트지름이란, 유효범위내에 기준패턴 이외의 원형패턴이 1개도 없는 상태의 원형패턴의 지름인 것이고, 웨트에칭후에 제조되는 각 범프간의 거리, 범프의 높이 및 목적으로 하는 범프의 지름 등으로부터 결정한다. 또한, 최대보정치란, 유효범위내에 있는 원형패턴 1개당의 최대의 영향량이고, 범프높이 및 목적의 범프의 지름 등으로부터 결정한다. 또한, 보정함수란, 기준패턴으로부터 기준패턴 이외의 각 원형패턴까지의 거리에 따라서, 에칭후의 범프의 지름에 주는 영향을 나타내는 보정계수를 산출하기 위한 함수이다. 이 입력수단(3)은 키보드 등의 인력기기로 구성되어 있다.
기억수단(4)은 예를 들면 ROM 등의 메모리나 HDD 등의 기억장치로 구성되어있고, 입력수단(2)에 의해서 입력된 설정치, 패턴추출수단(3)에 의해서 집어 넣어진 패턴데이터나 범프형성용의 원형패턴데이터 및 후술하는 보상처리수단(5)에 의해서 보정된 패턴데이터를 기억하는 수단이다.
보정처리수단(5)은 원형패턴지름의 최적치를 구하기 위해서 사용되는 보정치를 산출하는 수단이다. 영향계수산출수단(51)은 기준패턴의 주위에 존재하는 원형패턴의 수가, 기준패턴에 주는 영향을 나타내는 영향계수를 산출하는 수단이다. 보정계수산출수단(52)은 기준패턴으로부터 기준패턴 이외의 원형패턴까지의 거리에 의해, 보정함수를 사용하여 보정계수를 산출하는 수단이다. 또한, 보정량산출수단 (53)은 최대보정치, 보정계수 및 영향계수를 적산하는 것에 의해 보정량을 산출하는 수단이다. 특수보정수단(54)은 목적의 지름이 다른 범프를 형성하기 위한 보정을 하는 수단이다.
출력수단(6)은 보정처리수단(5)에 의해서 보정된 패턴데이터를 외부의 장치, 예를 들면, 노광마스크 작성장치 등에 출력하는 수단이다.
(작용)
이상과 같은 보정처리수단(5)을 구비한 패턴데이터 작성시스템(1)에 의하면, 다음과 같은 작용을 이룰 수 있다.
패턴추출수단(2)에 의해서 패턴데이터로부터 범프형성용의 원형패턴데이터가 추출되고, 또한, 유효범위내의 원형패턴데이터가 추출된다. 패턴데이터가 추출된 원형패턴데이터 등은 기억수단(4)에 기억된다. 입력수단(3)에 의해서, 미리 필요한 설정치가 입력되어, 그것들의 입력된 파라미터는 기억수단(4)에 기억된다. 보정처리수단(5)은 기억수단(4)에 기억된 설정치 및 유효범위내에 있는 원형패턴의 수 및 각 원형패턴간의 거리에 따라서, 각 원형패턴에 대한 보정량을 산출한다. 그리고, 기준레지스트지름으로부터 보정량을 감산하는 것에 의해, 보정처리 후의 원형패턴의 지름을 얻을 수 있다. 그리고, 그 패턴데이터를 사용하여 노광마스크를 작성하여, 그 노광마스크를 사용하여 패턴을 형성하면, 범프 개개의 범프지름을 일정하게 하는 것이 가능하게 된다.
다음에, 도 2 내지 도 4를 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 있어서의 패턴데이터작성, 노광마스크의 작성 및 패턴형성까지의 흐름에 대해서 설명한다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 패턴추출수단(2)에 의해서 패턴데이터 작성시스템(1)에 패턴데이터를 집어 넣는다(S01). 그리고, 패턴데이터내의 범프형성용의 원형패턴데이터를 추출하고, 또한, 그것들의 원형패턴데이터로부터 기준패턴을 선택하는 동시에 유효범위내의 원형패턴을 추출한다(S02). 또, 본 실시형태에 있어서의 유효범위는 1.500mm로 하고 있다.
다음에, 입력수단(3)에 의해 기준레지스트지름 및 최대보정치로 이루어지는 기준설정치와, 보정함수와, 함수하한치와, 역치 1, 역치 2 및 함수상한치로 이루어지는 함수설정치를 입력한다(S03). 보정함수 및 함수설정치에 대해서는 후술한다.
그리고, 보정량은 유효범위내의 원형패턴에 대하여 기준패턴으로부터의 거리가 가까운 원형패턴순서로, 이하의 S04로부터 S14의 처리를 하는 것에 의해 구해진다. 우선, 영향계수산출수단(51)이 영향계수를 산출하여, 다음에 보정계수산출수단이 보정계수를 산출한다. 그리고, 최대보정량, 영향계수 및 보정계수를 적산하는 것에 의해 보정량을 산출한다. 이하에 보정량의 상세한 산출방법의 흐름에 대해서 설명한다.
우선, 영향계수산출수단(51)이 영향계수를 산출한다(S04∼S09). 여기서, 도 3을 참조하면서 영향계수의 산출방법에 대해서 설명한다. 상술한 바와 같이 기준이 되는 1개의 원형패턴을 선택하여, 그 원형패턴을 기준패턴으로서 취급하여, 기준패턴의 주위에 존재하는 원형패턴의 수가 기준패턴에 주는 영향을 영향계수로서 산출한다.
여기서는, 패턴(61)을 기준패턴으로 한 경우에, 기준패턴 이외의 각 패턴의 존재가 기준패턴(61)에 주는 영향을 나타내는 영향계수의 산출방법에 대해서 설명한다. 예를 들면, 패턴(63)이 기준패턴(61)에 주는 영향에 대해서 설명한다. 우선, 기준패턴(61)에 접하는 접선(61a)과 접선(61b)이 그어진다. 이것들의 2개의 접선은 패턴(63)보다 가까운 패턴(62)의 접선이 되는 동시에, 기준패턴(61)과 패턴 (62)과의 사이에서 교차하도록 그어진다. 이러한 접선을 긋는 것에 의해, 유효범위는 패턴(62)이 포함되고 있는 영역과, 그 이외의 영역으로 나누어진다. 그리고, 패턴(63)과 같이 패턴(62)이 포함되어 있는 경우는 기준패턴(61)의 지름에 영향을 주지 않기 때문에, 영향계수는 '0'으로 산출된다(S05).
다음에, 패턴(65)이 기준패턴(61)에 주는 영향을 구한다. 상술한 방법과 마찬가지로, 기준패턴(61)에 접하는 동시에, 패턴(65)보다 가까운 패턴(62)의 접선이 되는 접선(61a)과 접선(61b)이 그어지고, 유효범위는 패턴(62)이 포함되고 있는 영역과, 그 이외의 영역으로 나누어진다. 패턴(65)과 같이 패턴(62)이 포함되고 있는 영역내에 포함되어 있지 않은 경우는, 패턴(61)의 지름에 영향을 주기 때문에, 영향계수는 '1'로 산출된다(S06).
다음에 패턴(64)이 기준패턴(61)에 주는 영향을 구한다. 상술한 패턴(63) 및 패턴(65)의 경우와 마찬가지로, 기준패턴(61)에 접하는 동시에, 패턴(64)보다 가까운 패턴(62)의 접선이 되는 접선(61a)과 접선(61b)이 그어져서, 유효범위는 패턴(62)이 포함되고 있는 영역과, 그 이외의 영역으로 나뉘어진다. 이 경우, 패턴(64)의 1부분이, 패턴(62)이 포함되고 있는 영역내에 포함되어 있기 때문에, 패턴(64)의 면적으로부터 그 포함되어 있는 1부분의 면적을 감산한다(S07). 또한, 상술한 방법과 마찬가지로, 패턴(64)보다 가까운 패턴(66)에 접하는 접선(61c) 및 접선(61d)을 그어, 유효범위는 패턴(62)이 포함되어 있는 영역과, 그 이외의 영역으로 나뉘어진다. 그리고, 패턴(66)이 포함되어 있는 영역내에 패턴(64)이 포함되고 있는지 판단한다. 1부분이 존재하는 경우는 패턴(64)의 면적으로부터 그 포함되어 있는 1부분의 면적을 감산한다(S07). 전부 포함되어 있는 부분을 감산한 결과, 값이 마이너스값이 된 경우는 영향계수는 '0'으로 산출된다. 감산한 결과, 값이 플러스값이면, 감산한 값과 패턴(64)과의 면적비가 영향계수로서 산출된다 (S09).
다음에, 보정계수산출수단(52)이 기준패턴(61)으로부터 기준패턴 이외의 각 원형패턴까지의 거리와 보정함수를 사용하여 보정계수를 구한다 (Sl0). 이 보정계수의 산출방법에 대해서는, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4에는, 보정계수를 산출하기 위해 사용되는 보정함수의 그래프가 나타나 있다. 여기서, 도 4의 x축은기준패턴으로부터 각 원형패턴까지의 거리를 나타내고 있고, y축은 그 거리에 대한 보정계수를 나타내고 있다. 보정계수의 최소값은 '0'이고, 최대값은 '1'이다. 여기서는, 보정함수로서 4종류의 함수가 사용되고 있다.
보정함수(1)는 함수하한치로부터 함수상한치까지 직선을 그리는 함수이다. 또한, 보정함수(2)는 함수하한치로부터 함수상한치까지 cosX 곡선(X는 0∼90)을 그리는 함수이다. 또한, 보정함수(3)는 함수하한치로부터 함수상한치까지 cosX 곡선(X는 90∼180)을 그리지만, 역치 1로부터 역치2까지는 cosX 곡선이 아니라 직선을 그리는 복합함수이다. 또한, 보정함수(4)는 함수하한치로부터 함수상한치까지 cosX 곡선(X는 0∼180)을 그리는 함수이다.
본 발명의 실시형태에 있어서는, 보정함수(3)를 사용함으로써, 웨트에칭 후의 범프의 지름을 일정하게 할 수 있는 패턴데이터를 작성하는 것이 가능하게 된다. 또한, 함수하한치, 역치 1, 역치 2, 및 함수상한치로 이루어지는 함수설정치는 상술한 S03의 단계에서 입력수단(3)에 의해서 입력된다. S03의 입력수단(3)에 의해서, '함수하한치'에는 보정계수가 '1'이 되는 원형패턴의 거리가 지정되고, 역치 1에는 직선함수의 시점이 되는 원형패턴의 거리가 지정되고, 역치 2에는 직선함수와 곡선함수가 바뀌는 경계치가 지정되고, 함수상한치에는 보정계수가 '0'이 되는 기준패턴으로부터의 거리가 지정된다. 그리고, 기준패턴(61)으로부터 유효범위내에 있는 각 원형패턴까지의 거리에 대한 보정계수를 산출한다.
다음에, 보정량산출수단(53)이 임의로 설정한 최대보정치, 영향계수산출수단 (51)이 구한 영향계수 및 보정계수산출수단(52)이 산출한 보정계수를 적산하는 것에 의해 보정치를 산출한다(S11). 그리고, S01에 있어서 임의로 설정된 기준레지스트지름으로부터 보정량을 감산하여, 범프의 지름을 일정하게 하기 위한 원형패턴의 지름을 산출한다(S12).
또한, 에칭 후의 지름이 다른 범프를 형성하는 경우는, 특수보정수단(54)에 의해서 보정 후의 원형패턴의 지름에 특수보정치가 가산된다(S13). 여기서, 특수보정치는 목적의 범프의 높이 또는 지름 등으로부터 결정되어, 입력수단(3)에 의해서 입력된다. 그리고, 보정 후의 원형패턴의 지름에 특수보정치를 가산한 결과가 실제로 사용되는 원형패턴의 지름이 된다.
상기의 S04∼S13에서의 처리에 의해서, 어느 1개의 원형패턴을 기준패턴으로서 취급한 경우에, 그 기준패턴의 보정후의 지름의 값이 산출된다. 여기서, 원형패턴데이터중의 모든 원형패턴에 대하여 보정처리가 완료하고 있는지가 판단된다 (S14). 그리고, 모든 원형패턴에 대하여 보정처리가 종료하고 있는 경우는, 출력수단(6)에 의해서 보정후의 패턴데이터가 출력되고(S15) 보정처리는 종료한다. 한편, 모든 원형패턴에 대하여 보정처리가 종료하지 않는 경우는, 보정처리가 종료하지 않는 원형패턴을 기준패턴으로서 취급하여, 상술한 S04∼S13의 처리를 그 기준패턴에 대하여 행한다.
모든 원형패턴에 대하여 보정처리가 종료하여 보정처리 후의 원형패턴데이터가 출력된 경우, 그 데이터를 노광장치에 입력한다. 그리고, 마스크기판상의 차광막을 가공하여, 노광마스크를 작성한다(S16). 그리고, 그 노광마스크를 사용하여, 예를 들면 동박상에 노광프로세스 및 현상프로세스에 의해서 레지스트패턴을 형성하여, 이 레지스트패턴을 마스크로서 동박을 웨트에칭하는 것에 의해 원하는 범프를 형성한다(S17).
다음에, 본 발명의 범프부착동박의 제조방법 및 범프전극구조의 제조방법의 실시형태에 대해서, 도 7을 참조하면서 설명한다. 우선, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 하부동박(701)상에 에칭스톱퍼층(702)을 성막하여, 또한, 그 위에 범프를 형성하기 위한 동박(703)을 성막한다. 이 에칭스톱퍼층(702)은 동박(703)을 에칭할 때에 하부동박(701)까지 에칭되는 것을 방지한다. 다음에, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 동박(703)상에 레지스트막을 성막하고, 또한, 본 발명의 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여, 포토리소그래피기술에 의해 노광 및 현상하여 레지스트패턴(704)을 형성한다. 이 레지스트패턴(704)의 형상은 본 발명의 패턴데이터 작성방법에 의해서 보정된 원형상의 형상을 하고 있다.
그리고, 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 웨트에칭에 의해 동박(703)을 에칭하여, 동범프(705)를 형성한다. 또, 본 발명의 노광마스크를 사용하는 것에 의해, 에칭에 의해서 제작된 동범프(705)의 범프지름은 전부 동일하게 된다. 또한, 에칭스톱퍼층(702)이 존재하기 때문에, 하부동박(701)까지 에칭되는 일은 없다. 그리고, 도 7(d)에 나타내는 바와 같이 레지스트(704)를 박리하고, 또한 도 7(e)에 나타내는 바와 같이 에칭스톱퍼층(702)을 박리한다.
다음에, 도 7(f)에 나타내는 바와 같이, 동범프(705)를 덮도록 절연수지 (706)를 성막하고, 또한 그 위에 보호시트(707)를 성막하여, 그것들을 하부동박 (701) 및 동범프(705)에 밀착시킨다. 그리고, 동범프(705)의 일정한 높이가 남도록, 절연수지(706) 및 보호시트(707)를 연마한다. 그 후, 도 7(g)에 나타내는 바와 같이 보호시트(707)를 박리한다.
그리고, 도 7(h)에 나타낸 바와 같이, 상부동박(708)을 동범프(705)의 위에 배치하여, 하부동박(701)과 상부동박(708)을 가열하면서 프레스하는 것에 의해, 그것들을 밀착시킨다. 그리고, 도 7(i)에 나타내는 바와 같이, 동범프(705)와 접촉하지 않는 하부동박(701)과 상부동박(708)을 에칭에 의해 깎아, 동범프(705)를 층간접속수단으로 하는 범프전극구조(709)를 형성한다.
다음에, 본 발명의 다층배선기판 제조방법의 실시형태에 대해서, 도 8을 참조하면서 설명한다. 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면, 동배선(810)이 형성된 배선층(803)의 상하에, 동범프(805)가 형성된 범프부착동박(801)을 설치한다. 본 실시형태에 사용되는 배선층(803)에는, 스루홀(812)이 형성되어 있다. 또한, 범프부착동박(801)은 도 7(g)에 나타나 있는 동범프(705)가 형성된 동박에 대응한다. 이 때, 동범프(805)의 위치와 동배선(810)의 위치가 일치하도록 위치를 맞춘다. 그리고, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 배선층(803)과 범프부착동박(801)을 가열하면서 눌러 붙이는 것에 의해, 다층배선기판(813)을 형성한다. 또, 본 실시형태에 사용되는 배선층(803)에는 스루홀(812)이 형성되어 있지만, 본 발명은 이러한 배선층에 한정되지 않고, 당연히 스루홀이 존재하지 않는 것과 같은 배선층을 사용하더라도 상관없다.
본 발명은 상기의 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 그 요지의 범위내에서 여러 가지의 변형이 가능하다.
청구항 1 및 청구항 2에 기재된 패턴데이터 작성방법 및 청구항 3 및 청구항 4에 기재된 프로그램에 의하면, 웨트에칭을 할 때의 주변의 원형패턴의 수 및 각 원형패턴사이의 거리에 따라서, 에칭후의 범프개개의 범프지름을 균일화시키기 위한 마스크데이터를 작성하는 것이 가능하게 된다.
또한, 청구항 6 및 청구항 7에 기재된 마스크제조방법에 의하면, 웨트에칭을 할 때의 주변의 원형패턴의 수 및 각 원형패턴사이의 거리에 따라서, 에칭 후의 범프개개의 범프지름을 균일화시키기 위한 노광마스크를 제조하는 것이 가능하게 된다.
또한, 청구항 8 및 청구항 9에 기재된 패턴형성방법에 의하면, 에칭 후의 범프 개개의 범프지름을 균일화시킬 수 있다.
또한, 청구항 10 내지 청구항 19에 기재된 발명은 범프개개의 범프지름이 균일한 범프부착동박을 제공하는 것이 가능하게 된다.
또한, 청구항 20 및 청구항 21에 기재된 범프전극구조 제조방법에 의하면, 범프지름이 균일한 동범프의 전극을 제조할 수가 있다. 또한, 청구항 22 및 청구항 23에 기재된 다층배선기판 제조방법에 의하면, 범프지름이 균일한 동범프를 층간접속수단으로 하는 다층배선기판을 제조하는 것이 가능하게 된다.

Claims (23)

  1. 복수의 원형패턴을 포함하는 원하는 노광마스크를 형성하기 위한 패턴데이터를 작성하는 패턴데이터 작성방법으로서,
    상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴에 대하여, 상기 제 1 원형패턴 이외의 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과,
    해당 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하는 연산스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴데이터 작성방법.
  2. 복수의 원형패턴을 포함하는 원하는 노광마스크를 형성하기 위한 패턴데이터 작성방법으로서,
    상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴과, 상기복수의 원형패턴으로부터 임의의 방향의 1개에서 선택된 상기 제 1 원형패턴에 가장 접근하여 배치되는 제 2 원형패턴과의 양쪽에 접하고, 또한, 해당 양쪽사이에서 교차하는 한 쌍의 접선을 형성하는 접선형성스텝과,
    상기 한 쌍의 접선에 끼워지고, 또한, 상기 제 2 원형패턴을 포함하는 영역의 부분영역을 제외하는 전체영역에 있는 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과,
    상기 접선형성스텝과 계수산출스텝을, 상기 방향의 전부에 대해서 행하여 구한 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하는 연산 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴데이터 작성방법.
  3. 복수의 원형패턴을 포함하는 원하는 노광마스크를 형성하기 위한 패턴데이터를 작성하기 위해서, 컴퓨터에,
    상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴에 대하여, 상기 제 1 원형패턴 이외의 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출기능과,
    해당 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하는 연산기능을 실현시키기 위한 프로그램.
  4. 복수의 원형패턴을 포함하는 원하는 노광마스크를 형성하기 위한 패턴데이터를 작성하기 위해서, 컴퓨터에,
    상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴과, 상기복수의 원형패턴으로부터 임의의 방향의 1개에서 선택된 상기 제 1 원형패턴에 가장 접근하여 배치되는 제 2 원형패턴과의 양쪽에 접하고, 또한, 해당 양쪽의 사이에서 교차하는 한 쌍의 접선을 형성하는 접선형성기능과,
    상기 한 쌍의 접선에 끼워지고, 또한, 상기 제 2 원형패턴을 포함하는 영역의 부분영역을 제외하는 전체영역에 있는 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출기능과,
    상기 접선형성기능과 계수산출기능을, 상기 방향의 전부에 대해서 행하여 구한 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하는 연산기능을 실현시키기 위한 프로그램.
  5. 제 3 항 및 제 4 항에 기재된 프로그램을 기억한 컴퓨터 읽기 가능한 기억매체.
  6. 원하는 복수의 원형패턴이 형성된 노광마스크를 제조하기 위한 마스크제조방법으로서,
    상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴에 대하여, 상기 제 1 원형패턴 이외의 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과,
    해당 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하여, 노광마스크의 패턴데이터를 취득하는 스텝과,
    상기 패턴데이터에 따라서, 마스크기판상에 상기 제 1 원형패턴을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광마스크 제조방법.
  7. 원하는 복수의 원형패턴이 형성된 노광마스크를 제조하기 위한 마스크제조방법으로서,
    상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴과, 상기복수의원형패턴으로부터 임의의 방향의 1개에서 선택된 상기 제 1 원형패턴에 가장 접근하여 배치되는 제 2 원형패턴과의 양쪽에 접하고, 또한, 해당 양쪽 사이에서 교차하는 한 쌍의 접선을 형성하는 접선형성스텝과,
    상기 한 쌍의 접선에 끼워지고, 또한, 상기 제 2 원형패턴을 포함하는 영역의 부분영역을 제외하는 전체영역에 있는 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과,
    상기 접선형성스텝과 계수산출스텝을, 상기 방향의 전부에 대해서 행하여 구한 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하여, 노광마스크의 패턴데이터를 취득하는 스텝과,
    상기 패턴데이터에 따라서, 마스크기판상에 상기 제 1 원형패턴을 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광마스크 제조방법.
  8. 원하는 복수의 원형패턴을 형성하기 위한 패턴형성방법으로서,
    상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴에 대하여, 상기 제 1 원형패턴 이외의 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과,
    해당 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하여, 노광마스크의 패턴데이터를 취득하는 스텝과,
    상기 패턴데이터에 따라서, 마스크기판상에 상기 제 1 원형패턴을 형성하여 노광마스크를 제조하는 스텝과,
    상기 노광마스크를 사용하여 레지스트패턴을 형성하는 스텝과,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 레지스트패턴의 하지를 에칭하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  9. 원하는 복수의 원형패턴을 형성하기 위한 패턴형성방법으로서,
    상기 복수의 원형패턴으로부터 임의로 선택된 제 1 원형패턴과, 상기복수의 원형패턴으로부터 임의의 방향의 1개에서 선택된 상기 제 1 원형패턴에 가장 근접하여 배치되는 제 2 원형패턴과의 양쪽에 접하고, 또한, 해당 양쪽의 사이에서 교차하는 한 쌍의 접선을 형성하는 접선형성스텝과,
    상기 한 쌍의 접선에 끼워지고, 또한, 상기 제 2 원형패턴을 포함하는 영역의 부분영역을 제외하는 전체영역에 있는 원형패턴의 면적과 그것들의 위치에 따라서, 계수를 산출하는 계수산출스텝과,
    상기 접선형성스텝과 계수산출스텝을, 상기 방향의 전부에 대해서 행하여 구한 계수에 따라서, 상기 제 1 원형패턴의 지름을 연산하여 노광마스크의 패턴데이터를 취득하는 스텝과,
    상기 패턴데이터에 따라서, 마스크기판상에 상기 제 1 원형패턴을 형성하여 노광마스크를 제조하는 스텝과,
    상기 노광마스크를 사용하여 레지스트패턴을 형성하는 스텝과,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 레지스트패턴의 하지를 에칭하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
  10. 제 6 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하여,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하여 제작하는 것을 특징으로 하는 범프부착동박.
  11. 제 6 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하고,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하여 복수의 동범프를 형성하여 제작하는 것을 특징으로 하는 범프부착동박.
  12. 제 7 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하고,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하여 제작하는 것을 특징으로 하는 범프부착동박.
  13. 제 7 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하고,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하여 복수의 동범프를 형성하여 제작하는 것을 특징으로 하는 범프부착동박.
  14. 제 6 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 범프부착동박의 제조방법.
  15. 제 6 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의 동범프를 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 범프부착동박의 제조방법.
  16. 제 7 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 범프부착동박의 제조방법.
  17. 제 7 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의 동범프를 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 범프부착동박의 제조방법.
  18. 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 동박상에, 에칭스톱퍼층을 갖는 것을 특징으로 하는 범프부착동박.
  19. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 동박상에, 에칭스톱퍼층을 성막하는 스텝과,
    상기 에칭스톱퍼층의 위에, 동박을 더욱 성막하여, 그 동박을 에칭하는 것에 의해 동범프를 형성하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 범프부착동박의 제조방법.
  20. 제 6 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 하부동박 상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 하부동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의 동범프를 형성하여 범프부착동박을 제작하는 스텝과,
    상기 범프부착동박 상에 상부동박을 눌러 붙여 설치하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 범프전극구조 제조방법.
  21. 제 7 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 하부동박상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 하부동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의 동범프를 형성하여 범프부착동박을 제작하는 스텝과,
    상기 범프부착동박 상에 상부동박을 눌러 붙여 설치하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 범프전극구조 제조방법.
  22. 제 6 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 하부동박 상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 하부동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의 동범프를 형성하여 범프부착동박을 제작하는 스텝과,
    상기 범프부착동박에 의해서 배선층을 끼워 눌러 붙이는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층배선기판 제조방법.
  23. 제 7 항에 기재된 노광마스크 제조방법에 의해서 제조된 노광마스크를 사용하여 하부동박 상에 레지스트패턴을 형성하는 스텝과,
    상기 레지스트패턴을 마스크로 하여 상기 하부동박을 에칭하는 것에 의해, 복수의 동범프를 형성하여 범프부착동박을 제작하는 스텝과,
    상기 범프부착동박에 의해서 배선층을 끼워 눌러 붙이는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층배선기판 제조방법.
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JP2001326459A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 North:Kk 配線回路基板とその製造方法
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