JP2001326459A

JP2001326459A - 配線回路基板とその製造方法

Info

Publication number: JP2001326459A
Application number: JP2000142658A
Authority: JP
Inventors: Asao Iijima; 朝雄飯島; Masayuki Osawa; 正行大沢
Original assignee: North Corp
Current assignee: North Corp
Priority date: 2000-05-16
Filing date: 2000-05-16
Publication date: 2001-11-22

Abstract

(57)【要約】【課題】製造過程で曲がり、折れ、寸法の狂いが生じ
ないようにし、製造過程における寸法の安定性を高める
ことにより上下導体回路間の接続の確実性を高め、上下
導体回路間接続手段のコスト低減を図る。【解決手段】突起形成用銅層２１上に別の金属から成る
エッチングバリア層２２を介して導体回路形成用銅箔２
３を形成したものを用意し、突起形成用銅層２１を、エ
ッチングバリア層２２を侵さないエッチング液により選
択的にエッチングすることにより突起２５を形成し、エ
ッチングバリア層２２を突起２５をマスクとして導体回
路を成す銅箔２３を侵さないエッチング液で除去し、銅
箔２３の突起形成側の面に層間絶縁膜２７を形成して突
起２５を導体回路に接続された層間接続手段とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばＩＣ、ＬＳ
Ｉ等の電子デバイス実装用の配線回路基板、特に高密度
実装を実現できる配線回路基板と、その製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図２３（Ａ）〜（Ｆ）及び図２４（Ｇ）
〜（Ｉ）は高密度実装用配線回路基板に関する一つの従
来例を説明するためのもので、配線回路基板の製造方法
を工程順（Ａ）〜（Ｉ）に示す断面図である。

【０００３】（Ａ）先ず、２５〜１００μｍ程度の厚さ
の絶縁シートからなる絶縁ベース１を用意し、図２３
（Ａ）に示すように、該絶縁シート１に層間接続用の孔
２をパンチング、ドリルにより或いはレーザー加工によ
り形成する。（Ｂ）次に、図２３（Ｂ）に示すように、上記孔２を導
電性ペースト（例えば銀或いは銅等を主材料とする。）
３により例えば印刷法で充填する。これにより、絶縁ベ
ース１は孔２、２、・・・が導電性ペースト３により充
填された半硬化状態のシートＡになる。

【０００４】（Ｃ）、（Ｄ）次に、図２３（Ｃ）に示す
ように、上記シートＡの両面に例えば銅からなる金属箔
４、４を臨ませ、図２３（Ｄ）に示すようにその金属箔
４、４を加圧加熱プレスで積層する。これにより両面に
金属箔４、４が形成され、その間に絶縁シート１が存在
し、孔２、２、・・・にて導電性ペースト３、３、・・
・により上記両面の金属箔４・４間が電気的に接続され
た積層体が構成される。（Ｅ）次に、上記金属箔４、４上に形成すべき導体回路
と同じパターンを有するレジスト膜５、５を形成する。
図２３（Ｅ）はレジスト膜５、５形成後の状態を示す。

【０００５】（Ｆ）次に、上記レジスト膜５、５をマス
クとして上記金属箔４、４をエッチングすることにより
図２３（Ｆ）に示すように導体回路６、６を形成する。
これにより両面に絶縁シート１により層間分離され、孔
２内の導電性ペースト３により層間接続された導体回路
６、６が形成された積層体Ｂが構成される。（Ｇ）次に、図２４（Ｇ）に示すように、上記積層体Ｂ
の両面に、孔２、２、・・・を有し、その孔２、２、・
・・が導電性ペースト３、３、・・・で充填された絶縁
シート１ａ、１ａと金属箔４ａ、４ａを重ね、その後、
加圧プレスでこれらを積層する。この積層により形成さ
れた積層体をＣとする。

【０００６】（Ｈ）次に、図２４（Ｈ）に示すように、
積層体Ｃの両面の金属箔４ａ、４ａ上にレジスト膜５、
５を選択的に形成する。（Ｉ）次に、上記レジスト膜５、５をマスクとして金属
箔４ａ、４ａを選択的にエッチングすることによりパタ
ーニングして、図２４（Ｉ）に示すように配線膜６ａ、
６ａを形成する。これにより、４層の導体回路６、６、
６ａ、６ａを有する配線回路基板７が形成される。

【０００７】図２５（Ａ）〜（Ｇ）は高密度実装用配線
回路基板に関する別の従来例を説明するためのもので、
配線回路基板の製造方法を工程順（Ａ）〜（Ｇ）に示す
断面図である。（Ａ）例えば銅からなる金属箔（厚さ例えば１８μｍ）
１０を用意し、図２５（Ａ）に示すように、該金属箔１
０上に導電性の突起１１、１１、・・・を銅或いは銀等
の導電性ペーストをメタル版を介して印刷により形成
し、加熱硬化する。突起１１、１１、・・・の厚さは例
えば１００〜３００μｍ程度である。

【０００８】（Ｂ）次に、図２５（Ｂ）に示すように、
上記金属箔１０の突起１１、１１、・・・が形成された
面上に絶縁性の接着シート１２を接着する。この接着シ
ート１２として記突起１１、１１、・・・の厚さよりも
適宜薄いものを用いることより、上記突起１１、１１、
・・・の頂部が接着シート１２の表面から突出するよう
にする。この金属箔１０に突起１１、１１、・・・を形
成し、接着シート１２をそれから突起１１、１１、・・
・の頂部が突出するように接着した積層体Ａが出来上が
る。

【０００９】（Ｃ）、（Ｄ）次に、図２５（Ｃ）に示す
ように、上記金属箔１０と同様の金属箔１３を上記接着
シート１０の接着シート１２表面上方に臨ませ、熱加圧
プレス法により、図２４（Ｄ）に示すように、金属箔１
３を接着シート１２及び突起１１、１１、・・・上に積
層する。Ｂはそれによりできた積層体である。（Ｅ）次に、上記積層体Ｂの両面の金属箔１０、１３上
にパターニングした例えばレジスト膜を形成し、該レジ
スト膜をマスクとして上記金属箔１０、１３をエッチン
グすることにより導体回路１４、１５を形成する。図２
５（Ｅ）は導体回路形成後マスクとして用いたレジスト
膜を除去した状態を示す。

【００１０】（Ｆ）次に、上記図２５（Ｂ）に示す積層
体Ａと同じ方法でつくられた積層体ａを二つ用意し、そ
の二つの積層体ａ、ａを、図２５（Ｆ）に示すように、
上記積層体Ｂの両面に臨ませる。（Ｇ）次に、上記積層体Ｂをその両面側から積層体ａ、
ａでサンドイッチ状に挟んで上述した熱加圧プレス法に
より加圧して積層し、図２５（Ｇ）に示すような配線回
路基板１６が出来上がる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図２３、図
２４に示した従来例には、第１に、絶縁シート１の孔２
を銀等の高価な金属を主材料とする導電性ペースト３で
埋めて層間接続に用いるので、コストアップに繋がると
いう問題があった。特に、高密度化に伴い、孔２の配設
密度が増えるので、無視できないコストアップが生じ
る。第２に、孔２を導電性ペースト３で埋める際に、孔
２以外の部分にも導電性材料が微量ながら付着し、特に
高湿下において絶縁抵抗が低下するという問題があっ
た。

【００１２】第３に、絶縁シート１に孔２、２、・・・
を形成した後加圧積層するときに、加わる圧力によりシ
ート１が横方向に伸延され、孔２、２、・・・の位置ず
れが生じ、補正を行って孔明けをしても高密度パターン
においては補正しきれない場合が生じるという問題があ
った。斯かる孔２の位置ずれは層間接続不良の原因にな
り看過できない重大な問題となり、特に高密度実装の配
線回路基板の場合には致命的となる。第４に、銅等から
なる金属箔４、４と導電性ペースト３との接合の信頼性
が不充分であるという問題があった。即ち、孔２を埋め
た導電性ペースト３は半硬化状になるように溶剤分を除
去するが、半硬化後の導電ペーストは溶剤分の除去等に
より収縮し、体積が小さくなり、導電ペースト３の上下
両面が凹状になることが多い。その結果、金属箔４、４
との間に接合不良が生じやすく、歩留まり、信頼性が低
くなると言う問題があったのである。

【００１３】次に、図２５に示す従来例にも問題があっ
た。第１に、突起１１は高価な材料である導電性ペース
トで形成するので、コストアップになるという問題があ
った。第２に、突起１１の導電性ペーストによる形成に
は、スクリーン印刷法を用いる結果、導電性ペーストを
厚くすることに限界があり、その結果、突起１１の形成
にスクリーン印刷を複数回繰り返すことが必要になる場
合が多い。そして、そのように印刷回数が多くなると、
位置ずれによる突起１１の形状の変形が生じ易くなり、
延いては後における金属箔４との接続の信頼度が低くな
ると言う問題があるし、スクリーン印刷するときの位置
合わせ作業が非常に難しく、面倒で、熟練を要すると
か、位置合わせ時間が長くなるという問題が生じる。こ
のような傾向は、突起１１の径が小さくなる程顕著であ
る。因みに、直径が０．３ｍｍの突起の場合、２回印刷
が必要であり、直径０．２ｍｍの突起の場合、４回印刷
する必要がある。これはかなり面倒であり、生産性向上
の障害にもなり、高密度配線回路基板への対応に課題を
残している。

【００１４】第３に、突起１１、１１、・・・の高さに
ばらつきが生じやすいと言う問題があった。即ち、スク
リーン印刷には、形成される膜の厚さを均一にすること
が難しいので、当然にスクリーン印刷により形成した突
起１１、１１、・・・の高さにはばらつきが生じやす
く、その結果、その厚さのばらつきにより、金属箔１３
と突起１１、１１、・・・との接続が不良になるおそれ
が生じ、歩留まり、信頼性が低くなるという問題があっ
たのである。第４に、製造過程において配線回路基板の
ベースとなる金属箔１０が例えば１８μｍと薄く、上記
スクリーン印刷の際に、金属箔１３側にしわ、変形、折
れ曲がり等が生じないように充分な注意が必要であり、
僅かなミスによる歩留まり低下を起こす可能性を有す
る。これは当然のことながら、コストアップの原因とな
り、看過できない問題となる。かといって、その金属箔
１０を厚くしてベースの剛性を強くしようとすると、導
体回路のファインパターン化を妨げることになるという
問題に直面する。

【００１５】また、上記各従来例に共通する問題点とし
ては高密度化、即ち微小な層間接続には限界があり、一
つの従来例には孔径の微細化と導電ペーストの充填の難
しさのため、また、別の従来例ではバンプ印刷で微小径
になればなるほど印刷が難しくなり、２００μｍ以下の
径は実際上作り得なかった。また、導電ペーストと銅箔
の間の接合強度が低く、パットオンビアとして使用しよ
うとした場合、ビア状のパッド強度が充分でなく必要以
上に面積をとる必要があった。

【００１６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、製造過程において曲がり、折れ、変
形等が生じないようにし、製造過程における寸法の安定
性を高めることにより上下導体回路間の接続の確実性を
高め、上下導体回路間接続手段のコスト低減を図ること
を目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１の配線回路基板
は、導体回路となる導体回路形成用金属層上に、該金属
層とは別の金属から成るエッチングバリア層を介して金
属から成る突起が、選択的に形成され、上記導体回路の
上記突起が形成された側の面に層間絶縁層が形成され、
上記突起が上記絶縁層を貫通して上記導体回路となる金
属層と他との層間接続手段を成していることを特徴とす
る。

【００１８】請求項２の配線回路基板は、請求項１記載
の配線回路基板において、上記突起の表面に表面処理剤
として導電性ペースト材料がコーティングされたことを
特徴とする。

【００１９】請求項３の配線回路基板の製造方法は、突
起形成用の金属層上にそれとは別の金属から成るエッチ
ングバリア層を形成し、該エッチングバリア層上に導体
回路となる金属層を形成したものを用意する工程と、上
記突起形成用の金属層を、上記エッチングバリア層を侵
さないエッチング液により選択的にエッチングすること
により突起を形成する工程と、上記エッチングバリア層
のみを上記突起をマスクとして上記導体回路を成す金属
層を侵さないエッチング液で除去する工程と、上記導体
回路を成す金属層の上記突起形成側の面に層間絶縁用の
絶縁層を形成して該突起を上記導体回路に接続された層
間接続手段とする工程と、を有することを特徴とする。

【００２０】請求項４の配線回路基板の製造方法は、突
起形成用の金属層上にそれとは別の金属から成るエッチ
ングバリア層を形成し、該エッチングバリア層上に導体
回路となる金属層を形成したものを用意し、上記突起形
成用の金属層を、上記エッチングバリア層を侵さないエ
ッチング液により選択的にエッチングすることにより突
起を形成し、上記導体回路を成す金属層の上記突起形成
側の面に層間絶縁用の絶縁層を形成して該突起を上記導
体回路に接続された層間接続手段とし、そして、上記導
体回路となる上記エッチングバリア層上の金属層を該エ
ッチングバリア層と共にエッチングマスク層をマスクと
する選択エッチングにより除去することによって導体回
路を形成することを特徴とする。

【００２１】請求項５の配線回路基板の製造方法は、請
求項３又は４記載の配線回路基板の製造方法において、
上記ベースメタルからなる層を選択的にエッチングして
上記突起を形成する際に、エッチングマスクとして例え
ば半田メッキ、銀メッキ、金メッキ或いはパラジウムメ
ッキ等により形成した金属層を用い、上記突起の形成後
においても上記エッチングマスクとして用いた金属層を
残存させてその金属層で突起表面を全面的に覆う状態に
することを特徴とする。

【００２２】請求項６の配線回路基板の製造方法は、請
求項１の配線回路基板の上記突起及び上記層間絶縁膜が
形成された側の面に、上記導体回路とは別の導体回路形
成用の金属箔を積層して加圧することにより一体化し、
その後、導体回路形成用の金属層及び金属箔を選択的に
エッチングすることにより両面に導体回路を形成するこ
とを特徴とする。

【００２３】請求項７の配線回路基板の製造方法は、請
求項６の配線回路基板の製造方法により製造された配線
回路基板の両面に、請求項１の配線回路基板を、この配
線回路基板の突起及び層間絶縁膜の形成された側が内側
を向くようにサンドイッチ状に重ねて積層して加圧する
ことにより一体化し、その一体化をされたものの両面に
位置する２個の金属層を選択的にエッチングすることに
より両面に導体回路を形成することを特徴とする。

【００２４】請求項８の配線回路基板、請求項９の配線
回路基板の製造方法は、一層又は多層の導体回路の一方
の主面に開口を有した絶縁層を介してベースメタルから
なり、上記開口を通じて上記導体回路と電気的に接続さ
れた突起を有し、上記絶縁層の該突起が形成された側に
層間絶縁膜を形成した２個の配線回路基板を、突起及び
層間絶縁膜が形成された側が内側を向くように直接に又
は配線回路基板を介して積層して加圧することにより一
体化してなる、或いは一体化する。

【００２５】請求項１０の配線回路基板は、請求項７の
配線回路基板の両面にＬＳＩチップ若しくはパッケージ
を搭載してなることを特徴とする。

【００２６】請求項１１の配線回路基板は、導体回路を
成す金属層上に、該金属層とは同じ金属から成る上下導
体間接続用突起が、選択的に形成され、上記導体回路の
上記突起が形成された側の面に層間絶縁層が形成され、
上記上下導体間接続用突起が上記絶縁層を貫通して上記
導体回路となる金属層と他との層間接続手段を成してい
ることを特徴とする。

【００２７】請求項１２の配線回路基板は、第１の導体
回路を成す金属層上に、該金属層とは同じ金属から成る
突起が、選択的に形成され、上記導体回路の上記突起が
形成された側の面に層間絶縁層が該突起に貫通された状
態で形成され、上記突起及び上記層間絶縁層の表面に金
属層からなる第２の導体回路が形成され、上記第１と第
２の導体回路が上記突起を介して電気的に接続されたこ
とを特徴とする。

【００２８】請求項１３の配線回路基板は、請求項１２
の配線回路基板において、上記第２の導体回路を成す金
属層の上記上下導体間接続用突起と対応する部分に該突
起の頂部における径よりも小さな径の孔が形成されてな
ることを特徴とする。

【００２９】請求項１４の配線回路基板は、請求項１
１、１２又は１３記載の配線回路基板において、上記突
起が槍状に形成されたことを特徴とする。

【００３０】請求項１５の配線回路基板は、請求項１
１、１２又は１３記載の配線回路基板において、上記突
起がコニーデ状（富士山状）に形成されたことを特徴と
する。

【００３１】請求項１６の配線回路基板は、請求項１
１、１２又は１３記載の配線回路基板において、上記突
起が鼓状に形成されたことを特徴とする。

【００３２】請求項１７の配線回路基板は、請求項１
１、１２、１３、１４、１５又は１６記載の配線回路基
板において、上記突起の表面が粗化或いはつぶメッキさ
れたことを特徴とする。

【００３３】請求項１８の配線回路基板は、請求項１
１、１２、１３、１４、１５、１６又は１７記載の配線
回路基板において、突起が銅からなり、その表面が電解
クロメート処理されてなることを特徴とする。

【００３４】請求項１９の配線回路基板は、導体回路を
成す金属層と突起を形成するための金属板を用意し、そ
の一方の表面に選択的にマスク膜を形成する工程と、該
マスク膜をマスクとして上記金属板をハーフエッチング
することにより導体回路となる金属層とその上記一方の
表面に一体に選択的に形成された突起を形成する工程
と、上記導体回路となる金属層の上記突起が形成された
側の表面に層間絶縁層を該突起により貫通されるように
形成する工程と、上記絶縁層及び突起の表面に金属層を
形成する工程と、上記絶縁層の両方の表面の金属層を同
時又は異時に選択的にパターニングすることにより配線
膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。

【００３５】請求項２０の配線回路基板は、請求項１２
記載の配線回路基板において、上記上下導体間接続用突
起と上記金属層との間に異方性導電膜を介在させたこと
を特徴とする。

【００３６】請求項２１の配線回路基板の製造方法は、
請求項１９記載の配線回路基板の製造方法において、金
属層を積層する前に、上記突起と該金属層との間に異方
性導電膜を介在させる工程を有することを特徴とする。

【００３７】請求項２２の配線回路基板は、金属層の表
面に多数の金属からなる導体間接続用突起を一定の間隔
をおいて配列された格子の各交点上に配置し、上記金属
層の上記導体間接続用突起が形成された表面上に層間絶
縁層を該導体間接続用突起に貫通された状態で設け、上
記層間絶縁層の上記上下導体間接続用突起を含む表面に
金属層を形成してなることを特徴とする。

【００３８】請求項２３の配線回路基板は、金属層の表
面に多数の金属からなる導体間接続用突起を配置し、上
記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上に
層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間
絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上記金属層
とは別の金属層を形成してなる配線回路基板であって、
上記各上下導体間接続用突起を、上記基板両面から加圧
したとき各上下導体間接続用突起が均一な加圧力を受け
るように配置してなることを特徴とする。

【００３９】請求項２４の配線回路基板は、金属層の表
面に多数の金属からなる導体間接続用突起を配置し、上
記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上に
層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間
絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上記金属層
とは別の金属層を形成してなる配線回路基板であって、
上記上下導体間接続用突起の周辺又は上下導体間が密集
した密集領域の周辺に上下導体間接続用突起よりも背の
小さなダミー突起を配置してなることを特徴とする。

【００４０】請求項２５の配線回路基板は、金属層の表
面に多数の金属からなる導体間接続用突起を配置し、上
記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上に
層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間
絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上記金属層
とは別の金属層を形成してなる配線回路基板であって、
上下導体間接続用突起が複数通りの異なる高さを持つよ
うにされたことを特徴とする。

【００４１】請求項２６の配線回路基板は、金属層の表
面に多数の金属からなる導体間接続用突起を配置し、上
記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上に
層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間
絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上記金属層
とは別の金属層を形成してなる配線回路基板であって、
上下導体間接続用突起が複数通りの異なる径を持つよう
にされたことを特徴とする。

【００４２】請求項２７の配線回路基板は、金属層の表
面に多数の金属からなる導体間接続用突起を配置し、上
記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上に
層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間
絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上記金属層
とは別の金属層を形成してなる配線回路基板であって、
上下導体間接続用突起と同じ材料で同じ高さで形成され
たスペーサを有することを特徴とする。

【００４３】請求項２８の配線回路基板の製造方法は、
金属層の表面に多数の金属からなる導体間接続用突起を
配置し、上記金属層の上記導体間接続用突起が形成され
た表面上に層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設
け、上記層間絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面
に上記金属層とは別の金属層を形成してなり、上下導体
間接続用突起と同じ材料で同じ高さで形成されたスペー
サを有する配線回路基板の製造方法であって、上記上下
導体間接続用突起と同じ工程でスペーサを形成すること
を特徴とする。

【００４４】請求項２９の配線回路基板は、金属層の表
面に多数の金属からなる導体間接続用突起を配置し、上
記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上に
層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間
絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上記金属層
とは別の金属層を形成してなり、上記上下導体間接続用
突起と同じ材料で同じ高さに形成された認識マークを有
することを特徴とする。

【００４５】請求項３０の配線回路基板の製造方法は、
金属層の表面に多数の金属からなる導体間接続用突起を
配置し、上記金属層の上記導体間接続用突起が形成され
た表面上に層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設
け、上記層間絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面
に上記金属層とは別の金属層を形成してなり、上記上下
導体間接続用突起と同じ材料で同じ高さに形成された認
識マークを有する配線回路基板の製造方法であって、上
記上下導体間接続用突起と同じ工程で認識マークを形成
することを特徴とする。

【００４６】請求項３１の配線回路基板は、絶縁性樹脂
からなるベースの上下両表面に金属層からなる導体回路
が形成され、上記両表面の配線間を電気的に接続するス
ルーホールが上記ベースを成す絶縁性樹脂に形成された
コアとなる回路基板と、上記回路基板の両表面に、それ
ぞれ、金属層からなり選択的に形成された上下導体間接
続用突起を有する配線回路の突起形成側の面に絶縁層が
該上下導体間接続用突起によって貫通された状態で形成
された別の回路基板を、その上下導体間接続用突起の先
端が上記金属層からなる配線回路に接続される状態で積
層した配線回路基板であって、上記上下導体間接続用突
起と上記配線回路とが導電ペースト又は貴金属層を介し
て接続されたことを特徴とする。

【００４７】請求項３２の配線回路基板の製造方法は、
絶縁性樹脂からなるベースの上下両表面に金属層からな
る配線回路が形成され、上記両表面の配線間を電気的に
接続するスルーホールが上記ベースを成す絶縁性樹脂に
形成されたコアとなる回路基板と、該回路基板の両表面
に、それぞれ、金属層からなり選択的に形成された上下
導体間接続用突起を有する配線回路の突起形成側の面に
絶縁層が該上下導体間接続用突起によって貫通された状
態で形成された別の回路基板を、その上下導体間接続用
突起の先端が上記金属層からなる配線回路に導電ペース
ト又は貴金属層を介して接続された状態で積層された配
線回路基板の製造方法であって、上記コアとなる回路基
板と、その両表面に別の回路基板を積層する前に、予め
該コアとなる回路基板の配線回路を成す金属層の表面
に、導電ペースト又は貴金属層を形成しておくことを特
徴とする。

【００４８】請求項３３の配線回路基板は、導体回路を
成す金属層上に、該金属層とは同じ金属から成る上下導
体間接続用突起が、選択的に形成され、上記導体回路の
上記上下導体間接続用突起が形成された側の面に層間絶
縁層が該上下導体間接続用突起によって貫通された状態
で形成され、上記層間絶縁層上に、上記導体回路とは別
の導体回路を成す金属層の一表面に上記上下導体間接続
用突起と対応して半田、導電ペースト又は貴金属膜が形
成されたものの上記一表面が、その半田、導電ペースト
又は貴金属膜に上記上下導体間接続用突起が接続される
ように積層されてなることを特徴とする。

【００４９】請求項３４の配線回路基板は、請求項３３
記載の配線回路基板において、上記別の導体回路を成す
金属膜の上記上下導体間接続用突起と対応と対応する部
分に大きい孔を有することを特徴とする。

【００５０】請求項３５の配線回路基板は、導体回路を
成す金属層上に、該金属層とは同じ金属から成る上下導
体間接続用突起が、選択的に形成され、上記導体回路の
上記上下導体間接続用突起が形成された側の面に層間絶
縁層が該上下導体間接続用突起によって貫通された状態
で形成され、上記層間絶縁層上に、上記導体回路とは別
の導体回路を成す金属層の一表面に上記上下導体間接続
用突起と対応して半田、導電ペースト又は貴金属膜が形
成されたものの上記一表面が、その半田、導電ペースト
又は貴金属膜に上記上下導体間接続用突起が接続される
ように積層されてなることを特徴とする。

【００５１】請求項３６の配線回路基板の製造方法は、
導体回路を成す金属層上に、該金属層とは同じ金属から
成る上下導体間接続用突起が選択的に形成され、上記導
体回路の上記上下導体間接続用突起が形成された側の面
に層間絶縁層が該上下導体間接続用突起によって貫通さ
れた状態で形成され、上記層間絶縁層上に、上記導体回
路とは別の導体回路を成す金属層の一表面に上記上下導
体間接続用突起と対応して半田、導電ペースト又は貴金
属膜が形成したものの上記一表面が、その半田、導電ペ
ースト又は貴金属膜に上記上下導体間接続用突起が接続
されるように積層されてなる配線回路基板の製造方法に
おいて、導体回路となる金属層上に、該金属層とは同じ
金属から成る上下導体間接続用突起が選択的に形成した
ものの上下導体間接続用突起形成側に、層間絶縁層を介
して、上記導体回路とは別の導体回路となる金属層上に
上記上下導体間接続用突起に対応して半田、導電ペース
ト又は貴金属膜を印刷したものの該半田、導電ペースト
又は貴金属膜形成側を当てて加圧することにより、上記
各上下導体間接続用突起が上記層間絶縁層を突き破って
対応する半田、導電ペースト又は貴金属膜に接続された
状態を形成して積層することを特徴とする。

【００５２】請求項３７の配線回路基板は、金属層に上
下導体間接続用突起を形成したものに層間絶縁膜を介し
て導体回路を成す或いは導体回路となる金属層、又は回
路基板を積層した配線回路基板において、上記層間絶縁
膜として異方性導電膜を用いたことを特徴とする。

【００５３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示実施形態に従
って詳細に説明する。図１（Ａ）〜（Ｇ）及び図２
（Ｈ）〜（Ｋ）は本発明配線回路基板の製造方法の第１
の実施の形態を工程順に示す断面図である。（Ａ）図１（Ａ）に示すように、ベース材（例えばガラ
スエポキシプリプレグ）２０を用意する。該ベース材２
０は厚さ例えば１００μｍの突起形成用の銅層（突起形
成用金属層）２１の一方の主面に例えばニッケルからな
るエッチングバリア層（厚さ例えば２μｍ）２２を例え
ばメッキにより形成し、該エッチングバリア層２２の表
面に導体回路形成用銅箔（導体回路形成用金属箔、厚さ
例えば１８μｍ）２３を形成してなる。

【００５４】（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、上
記突起形成用の銅層２１の表面にレジスト膜２４を選択
的に形成する。このレジスト膜２４は突起を形成すべき
部分を覆うように形成する。（Ｃ）次に、上記レジスト膜２４をマスクとして上記銅
層２１をエッチングすることにより、突起２５、２５、
・・・を形成する。このエッチングはウェットエッチン
グにより行うこととし、使用するエッチング液はニッケ
ルからなるところの上記エッチングバリア層２２を侵し
得ないが、銅層２１を侵食できるエッチング液を用い
る。

【００５５】（Ｄ）次に、上記エッチングにおけるエッ
チングマスクとして用いたレジスト膜２４を除去する。
図１（Ｄ）はエッチングマスク除去後の状態を示す。（Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、上記エッチング
バリア層２２を、上記突起２５、２５、・・・をマスク
としてエッチングする。このエッチングには、突起２
５、２５、・・・を成す金属（本実施の形態では銅）を
侵さないが、エッチングバリア層２２を成す金属（本実
施の形態ではニッケル）を侵すエッチング液（ニッケル
剥離液）を使用する。

【００５６】（Ｆ）次に、図１（Ｅ）に示すように、必
要に応じ上記各突起２５、２５、・・・の頂部（上部）
に薄く導電性ペースト２６を塗布し、硬化させる。この
工程は不可欠ではない。但し、この工程により、突起２
５、２５、・・・と後で形成される銅箔との接続の信頼
度を非常に高めることができる。

【００５７】（Ｇ）次に、絶縁剤シートを、上記銅層２
１の上記突起２５、２５、・・・が形成された側の面に
熱ローラで圧着することにより、図１（Ｇ）に示すよう
に、該絶縁剤シートからなる層間絶縁層２７を形成す
る。この場合、突起２５、２５、・・・の上部が突出す
るように絶縁剤シートとしてその突起２５、２５、・・
・の高さ（導電性ペースト２６を塗布した場合はそのペ
ースト２６をも含めた高さ）よりも適宜薄いものを用い
る。さもないと、突起２５、２５、・・・による層間接
続を確実に行うことができないからである。この工程に
より、銅箔２３上に層間絶縁層２７が形成され、更に、
上記銅箔２３とエッチングバリア層２２、２２、・・・
を介して接続された突起２５、２５、・・・が上記層間
絶縁層２７を貫通してその表面から突出した積層体２８
が構成される。この工程は、エポキシ樹脂が軟化する温
度で行い、すぐに室温にもどし、実質的にエポキシの硬
化反応がないようにする。

【００５８】（Ｈ）、（Ｉ）次に、図２（Ｈ）に示すよ
うに、上記積層体２８の、層間絶縁層２７が形成され、
突起２５、２５、・・・の頂部が突出する側に、例えば
厚さ１８μｍ程度の銅箔（導体形成用の金属層）２９を
臨ませ、図２（Ｉ）に示すように、積層プレスにて熱圧
着することにより積層する。この工程により、層間絶縁
層２７の両主面に形成された金属層２３、２９を上記突
起２５、２５・・・により層間接続した積層体３０が構
成される。

【００５９】（Ｊ）、（Ｋ）次に、図２（Ｊ）に示すよ
うに、上記金属層２３、２９の表面にエッチングマスク
となるレジスト膜２４、２４を形成し、その後、該レジ
スト膜２４、２４をマスクとして上記金属層２３、２９
をエッチングすることにより導体回路３１、３２を形成
する。これにより、両面の導体回路３１、３２が突起２
５、２５、・・・により層間接続された、図１（Ｋ）に
示すような配線回路基板３３が出来上がる。この配線回
路基板３３が本発明配線回路基板の第１の実施の形態で
ある。

【００６０】このような第１の実施の形態によれば、突
起２５を構成し得る厚い（例えば５０〜２００μｍ）突
起形成用金属層である銅層２１を少なくとも含むベース
材２０をベースとして加工を始めるので、変形等の不具
合が生じにくく、且つ、寸法の安定性が高いという利点
がある。そして、寸法の安定性があるが故に、突起形成
後における突起の位置ずれが生じないため、例えば図２
３、図２４に示す従来例における孔２内の導電性ペース
ト３（謂わばスルーホール）が位置ずれして上下導体回
路５・５間のとるべき接続がとれないという類の問題は
生じない。従って、微小径の突起２５を高密度に配設
し、且つ導体回路間の層間接続を確実にとる超高密度配
線回路基板３３を得ることができる。

【００６１】また、突起２５は例えば銅等からなる銅層
２１により形成するので、その形成に要する材料費は安
くて済み、従って、突起２５の配設密度を高め、配設数
を増やしても、従来におけるように銀等貴金属を主材料
とする高価な導電性ペーストを使用するため配線回路基
板が高価になることはなく、配線回路基板の低価格化に
大きく寄与する。

【００６２】また、突起２５は銅層２１の選択的にエッ
チングにより形成するので、突起２５の高さは銅層２１
の厚さにより決まり、この銅層２１の厚さは極めて均一
性を高く製造できるので、突起２５の高さを均一にでき
る。従って、図２５に示す従来例におけるような、導電
性ペーストにより印刷により突起１１を形成するために
突起１１の高さが不均一になって上下導体回路間の接続
が不完全になる虞があるとか、図２３、図２４に示す従
来例におけるような導電性ペースト３の硬化過程での溶
剤成分の揮散により上部が凹部になり、上下導体回路間
の接続が不完全になる虞があると言う問題は生じない。
従って、突起２５の微細化、高密度化が進んでも上下導
体回路間の確実な接続が期待でき、歩留まり、信頼性の
向上を図ることができる。

【００６３】図３（Ａ）〜（Ｆ）は本発明配線回路基板
の製造方法の第２の実施の形態を工程順に示すものであ
る。（Ａ）図１（Ａ）〜（Ｄ）に示すと同じ方法で、突起２
５を形成した状態にする。図３（Ａ）はその突起２５が
形成された状態を示す。

【００６４】（Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、必
要に応じ上記各突起２５、２５、・・・の頂部（上部）
に薄く導電性ペースト２６を塗布し、硬化させる。この
工程は不可欠ではない。但し、この工程により、突起２
５、２５、・・・と後で形成される銅箔との接続の信頼
度を非常に高めることができる。尚、本実施の形態にお
いては、突起２５、２５、・・・をマスクとしてエッチ
ングバリア層２２を除去することはしない。このエッチ
ングバリア層２２は、後の説明で明らかになるが、金属
層２３を選択的にエッチングすることによりパターニン
グして導体回路を形成するときに金属層２３と共に同時
にエッチングすることにより不要部分の除去が為され
る。これが図１、図２に示す第１の実施の形態との大き
な相違である。。

【００６５】（Ｃ）次に、図３（Ｃ）に示すように、層
間絶縁膜２７を形成する。２８はこの形成工程終了後に
おける積層体である。（Ｄ）次に、図３（Ｄ）に示すように、その積層体２８
に銅箔（導体形成用の金属層）２９を積層プレスにて熱
圧着で積層することにより、層間絶縁層２７の両主面に
形成された金属層２３、２９を上記突起２５、２５・・
・により層間接続した積層体３０が構成される。

【００６６】（Ｅ）次に、図３（Ｅ）に示すように、上
記金属層２３、２９の表面にエッチングマスクとなるレ
ジスト膜２４、２４を形成し、その後、該レジスト膜２
４、２４をマスクとして上記金属層２３、２９をエッチ
ングすることにより導体回路３１、３２を形成するが、
更に、そのエッチングにより金属層２３と接するところ
のニッケルからなるエッチングバリア層２２をも同時に
エッチングする。これにより、両面の導体回路３１、３
２が突起２５、２５、・・・により層間接続された配線
回路基板３３が出来上がる。

【００６７】（Ｆ）その後、図３（Ｆ）に示すように、
エッチングマスクとして用いたレジスト膜２４、２４を
除去する。その除去後における配線回路基板３３が本発
明配線回路基板の第２の実施の形態である。尚、この導
体回路３１、３２を形成するところのレジスト膜２４、
２４をマスクとするエッチングは当然のことながら、ニ
ッケル系金属も銅系金属もエッチングできるエッチング
液を使用して行う。すると、ニッケルからなるエッチン
グバリア層２２を金属層２３と共に同じレジスト膜２４
をマスクとする１回の選択的エッチングにより選択的に
除去するので、突起２５形成後これをマスクとしてエッ
チングバリア層２２を選択的に除去する必要がなく、従
って、工程数の低減を図ることができるという利点があ
る。

【００６８】図３に示す第２の実施の形態によれば、図
１、図２に示した第１の実施の形態によると同様の利点
を得ることができるのみならず、エッチングバリア層２
２を金属層２３と共に同じレジスト膜２４をマスクとす
る１回の選択的エッチングにより選択的に除去できるの
で、第１の実施の形態よりも工程数の低減を図ることが
できるという利点もある。

【００６９】図４（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基板
の製造方法の第３の実施の形態を工程順に示すものであ
る。本実施の形態は、第１の実施の形態により製造され
た配線回路基板３３の両面に、第１の実施の形態におけ
る工程（Ａ）から工程（Ｇ）迄の工程でつくられた積層
体２８、２８を積層し、該各積層体２８、２８の金属層
２３、２３を選択的エッチングによりパターニングして
導体回路を形成し、４層の導体回路を得るものである。

【００７０】（Ａ）先ず、図４（Ａ）に示すように上記
配線回路基板３３の両面に上記積層体２８、２８を突起
２５及び層間絶縁層２７が形成された面が配線回路基板
３３側を向くように対向させ位置決めして臨ませる。そ
して、積層プレスにより熱圧着により積層一体化する。（Ｂ）次に、図４（Ｂ）に示すように、上記積層体２
８、２８の金属層２３、２３上にレジスト膜２４、２４
を選択的に形成する。

【００７１】（Ｃ）上記レジスト膜２４、２４をマスク
として上記金属層２３、２３をエッチングすることによ
り導体回路３５、３５を形成する。これにより配線回路
基板３６が出来上がる。この配線回路基板３６が本発明
配線回路基板の第２の実施の形態である。この実施の形
態によれば、導体回路を４層有する配線回路基板３６を
得ることができ、より一層の高密度化を図ることができ
る。

【００７２】図５（Ａ）〜（Ｇ）及び図６（Ｈ）〜
（Ｉ）は本発明配線回路基板の製造方法の第４の実施の
形態を工程順に示す断面図である。（Ａ）図１（Ａ）に示すベース材と同じベース材２０を
用意し、その後、後で突起（２５、２５、・・・）とな
る、銅層２１の表面に、レジスト膜２４を塗布し、その
露光、現像により図５（Ａ）に示すようにパターニング
する。具体的には、各突起（２５、２５、・・・）とな
る部分のみが開口し、突起（２５、２５、・・・）を形
成しない部分を覆うようにレジスト膜２４をパターニン
グする。

【００７３】（Ｂ）次に、図５（Ｂ）に示すように、上
記レジスト膜２４をマスクとして電解メッキ法で半田メ
ッキ層（厚さ例えば２０μｍ）３７、３７、・・・を形
成する。半田メッキ層は例えば錫Ｓｎ／鉛Ｐｂ或いは錫
Ｓｎ／銀Ａｇ／銅Ｃｕ等からなる。尚、金Ａｕ、銀Ａｇ
或いはパラジウムＰｄのメッキ層を形成する場合もあ
る。（Ｃ）次に、図５（Ｃ）に示すように、上記レジスト膜
２４を剥離する。（Ｄ）次に、図５（Ｄ）に示すように、上記半田メッキ
層３７、３７、・・・をマスクとして上記銅からなる金
属層２１を選択的にエッチングすることにより突起２
５、２５、・・・を形成する。（Ｅ）次に、図５（Ｅ）に示すように、ニッケルからな
るエッチングバリア層２２を剥離する。

【００７４】（Ｆ）次に、半田リフロー処理により、図
５（Ｆ）に示すように、上記半田メッキ層３７、３７、
・・・で突起２５、２５、・・・の表面を覆うような状
態にする。（Ｇ）次に、絶縁剤シートを、上記突起２５、２５、・
・・が形成された側の面に熱ローラで圧着することによ
り、図５（Ｇ）に示すように、該絶縁剤シートからなる
層間絶縁層２７を形成する。この場合、突起２５、２
５、・・・の上部が突出するように絶縁剤シートとして
その突起２５、２５、・・・の半田メッキ層３６をも含
めた高さよりも適宜薄いものを用いる。さもないと、突
起２５、２５、・・・の頂部が層間絶縁層２７の表面か
ら突出せず、上下導体回路間を確実に接続することがで
きないからである。この工程でできた積層体を２８ａと
する。

【００７５】（Ｈ）次に、第６図（Ｈ）に示すように、
上記積層体２８の、層間絶縁層２７が形成され、突起２
５、２５、・・・の頂部が突出する側に、例えば厚さ１
８μｍ程度の導体回路形成用の金属層を成す銅箔２９を
臨ませる。（Ｉ）その後、積層プレスにて熱圧着することにより積
層し、上記銅箔２９及び上記金属層２３上にレジスト膜
を選択的に形成し、該レジスト膜をマスクとして上記銅
箔２９及び金属層２３をエッチングすることにより導体
回路３１、３２を形成する。これにより配線回路基板３
３ａができる。この配線回路基板３３ａが本発明配線回
路基板の第３の実施の形態である。

【００７６】本実施の形態は、図１、図２に示した実施
の形態とは、銅層２１を選択的エッチングして突起２
５、２５、・・・を形成する際にエッチングマスクとし
てレジスト膜２４に代えて半田メッキ層３６を用い、そ
の後、その半田メッキ層３６を除去することなく残存さ
せ、絶縁シートからなる層間絶縁層２７を形成する前
に、半田リフローにより突起２５、２５、・・・をその
半田メッキ層３６で覆う状態にするという点で相違す
る。従って、本実施の形態によれば、図１、図２に示し
た実施の形態のように各突起２５、２５、・・・上部に
導電性ペースト２６を塗布すると言うことが必要ではな
くなる。その点でのみ、本実施の形態は図１、図２の実
施の形態と異なり、外には相違点はない。

【００７７】図７（Ａ）〜（Ｈ）及び図８（Ｉ）〜
（Ｋ）は本発明配線回路基板の製造方法の第５の実施の
形態を工程順に示す断面図である。（Ａ）先ず、銅からなり突起形成用の金属層を成すベー
スメタル（厚さ例えば５０〜１５０μｍ）２１ａを用意
し、図７（Ａ）に示すように、その一方の表面に感光性
樹脂膜４０を塗布する。

【００７８】（Ｂ）次に、図７（Ｂ）に示すように、上
記感光性樹脂膜４０を開口４１、４１、・・・を有する
ように形成する。この開口４１、４１、・・・は後で突
起（２５、２５、・・・）を形成する位置と対応すると
ころに形成する。（Ｃ）次に、図７（Ｃ）に示すように、ベースメタル２
１ａの上記感光性樹脂膜４０が形成された側に例えば銅
からなる配線膜４２を形成する。尚、この配線膜４２は
例えば次のようにして形成することができる。

【００７９】先ず、例えばＮｉ−Ｐからなる薄い導電層
を無電解メッキにより形成し、その表面に、形成すべき
配線膜４２に対してネガのパターンのレジスト膜を形成
し、このレジスト膜をマスクとして例えば銅を電解メッ
キすることにより配線膜４２を形成し、その後、その配
線膜４２をマスクとして上記無電解メッキによるＮｉ−
Ｐからなる導電層を除去することにより配線膜４２間の
ショート状態をなくす。

【００８０】（Ｄ）次に、上記ベースメタル２１ａの上
記配線膜４２が形成された側の表面を感光性樹脂膜４３
を塗布し、その後、該感光性樹脂膜４３を露光、現像す
ることにより、端子形成用の開口４４、４４、・・・を
形成する。図７（Ｄ）は該開口４４、４４、・・・形成
後の状態を示す。（Ｅ）次に、図７（Ｅ）に示すように、例えば電解メッ
キにより上記開口４４、４４、・・・に突起状のマイク
ロボール４５、４５、・・・を形成する。

【００８１】（Ｆ）次に、上記各実施の形態におけると
同じ方法で、図７（Ｆ）に示すように、突起２５、２
５、・・・を形成する。（Ｇ）次に、図１、図２に示した実施の形態と同じ方法
で、図７（Ｅ）に示すように、上記各突起２５、２５、
・・・上面に導電性ペースト２６、２６、・・・を塗布
する。

【００８２】（Ｈ）次に、図１、図２に示した実施の形
態と同じ方法で、図７（Ｈ）に示すように、絶縁剤シー
トからなる層間絶縁膜２７を形成する。この形成を終え
たものを便宜上基板４６とする。（Ｉ）次に、本実施の形態の工程（Ｈ）迄進んだ状態の
上記基板４６を２個４６、４６と、図１、図２に示した
実施の形態の配線回路基板３３を１個を用意し、図８
（Ｉ）に示すように、配線回路基板３３の両面側に上記
基板４６、４６を上記突起２５及び層間絶縁膜２７が形
成された側を向く向きで臨ませ、位置決めする。

【００８３】（Ｊ）そして、上記配線回路基板３３とそ
れをサンドイッチ状に挟む基板４６、４６を加圧接着す
ることにより、図８（Ｊ）に示すように配線回路基板４
７を得る。この配線回路基板４７が本発明配線回路基板
の第４の実施の形態である。（Ｋ）その後、図８（Ｋ）に示すように、上記配線回路
基板４７の両面にＬＳＩチップ４８、４８、・・・を搭
載する。この場合、上記マイクロボール４５、４５、・
・・が上記積層体４７の導体回路と、ＬＳＩチップ４
８、４８、・・・とを接続する接続手段として機能す
る。

【００８４】このような配線回路基板４７によれば、極
めて高い集積密度でＬＳＩチップ４８、４８、・・・を
実装することができる。尚、図８に示す実施の形態には
種々の変形例があり得る。先ず、配線回路基板４６、４
６として、反突起形成側にする導体回路の層数が１層の
ものが用いられていたが、必ずしもその層数は１層であ
る必要はなく、２層或いはそれ以上の層数であっても良
い。層数の増加は、例えば感光性絶縁樹脂の選択的形
成、無電解メッキによる薄い導体層の形成、形成しよう
とするパターンに対してネガのパターンを有するレジス
ト膜の形成、上記導体層を下地とし該レジスト膜をマス
クとする電解メッキによる例えば銅等からなる導体回路
の形成、該導体回路をマスクとする上記導体膜の除去の
一連の工程を行うことにより容易に為し得る。

【００８５】また、配線回路基板４６、４６を配線回路
基板３３を介して積層して一体化して配線回路基板４６
を得るようにしていたが、必ずしもそのようにすること
は不可欠ではなく、例えば配線回路基板４６・４６同士
を直接積層し一体化するようにしても良いし、逆に配線
回路基板４６・４６間に介在させる配線回路基板の数を
一個ではなく、複数個にするというようにすることもで
き得る。また、配線回路基板に搭載するものは必ずしも
ベアのＬＳＩチップ４８であることは必要ではなく、パ
ッケージに収納されたＬＳＩであっても良い。

【００８６】図９（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線回路基板
の第７の実施の形態を工程順に示す断面図である。（Ａ）先ず、図９（Ａ）に示すように、例えば銅等の金
属板からなる単層構造のベース材５１を用意し、その一
方の表面にレジスト膜５２を選択的に形成する。

【００８７】（Ｂ）次に、図９（Ｂ）に示すように、上
記レジスト膜５２をマスクとして上記ベース材５１をそ
の上記表面からハーフエッチングすることにより上下導
体間接続用突起５３を形成する。尚、ハーフエッチング
とは、文字通り厚さの２分の１エッチングするというこ
とではなく、回路層となる部分を残してエッチングする
ことを意味します。（Ｃ）次に、図９（Ｃ）に示すように、上記突起５３の
頂部に必要に応じて導電ペースト、半田、或いは金等の
貴金属、或いは異方性導電膜等接続性を向上させる或い
は接続性について信頼度を高める膜５４をコーティング
する。該膜５４は不可欠というわけではないが、接続性
或いは信頼性をより高くする必要のある場合には設ける
と良い。

【００８８】（Ｄ）次に、図９（Ｄ）に示すように、銅
等からなる金属箔５６を上記ベース材５１の上記一方の
表面に層間絶縁膜５５を介して積層する。（Ｅ）次に、図９（Ｅ）に示すように、上記ベース材５
１の他方の表面部と、上記金属箔５６の表面を選択的に
エッチングすることにより導体回路を形成する。これに
より、図１（Ｋ）に示すのと実質的に同じ配線回路基板
が出来上がる。従って、この配線回路基板を図４（Ｃ）
に示す実施の形態の配線回路基板３６、図８の実施の形
態の配線回路基板４７に配線回路基板３３に代えて用い
ることができる。即ち、配線回路基板３３を使用する部
分には総てそれに代えて本配線回路基板を用いることが
できる。

【００８９】また、銅等の金属箔５６を形成する前の状
態の配線回路基板を、図４に示す実施の形態の配線回路
基板２８、図８に示す実施の形態の配線回路基板４６に
代えて用いることができる。更に、上記金属箔５６を形
成する前の状態の配線回路基板を、図８に示す配線回路
基板４６と同様に多層配線化してより集積密度を高める
こともできる。

【００９０】このような配線回路基板の製造方法によれ
ば、ベース材としてエッチングバリア層のある多層構造
のものを用いる必要はなく、且つ、エッチングバリア層
を除去する工程が必要なので、配線回路基板の製造コス
トの低減を図ることができる。

【００９１】尚、突起５３の形成後、その先端部を粗化
して針状の棘が多数できるようにして、金属箔５６から
なる導体回路との接続性を高めるようにしても良い。粗
化はスプレーエッチングや、ＣＺ処理により為し得る。
また、つぶ銅メッキにより粗化することもできる。ま
た、突起５３を含め銅の表面全面を電解クロメート処理
して電解クロメート膜を形成し、以て突起５３、銅表面
の酸化防止性を向上させ、酸化による銅箔の品質低下を
防止するようにしても良い。

【００９２】尚、図９に示した配線回路基板の上下導体
間接続用突起５３はその形状がコニーデ状（富士山状）
であったが、必ずしもこのようにすることは不可欠では
なく、図１０（Ａ）に示すように鼓状にしても良い（５
３ａは鼓状の突起を示す。）。エッチング条件を変える
ことにより突起の形状は変わり、鼓状の突起５３ａを形
成することもできる。この突起５３ａは頂部の面が広い
ので、半田、導電ペースト処理などがやりやすく、ま
た、導体回路との接続性を良好にし易いという利点があ
る。

【００９３】また、図１０（Ｂ）に示すように、槍状の
突起５７を形成するようにしても良い。このように槍状
の突起５７は先が尖っているので層間絶縁膜５５の貫通
性、特にガラスクロス入りのプリプレグに対する貫通性
を向上させ易く、且つ導体回路に食い込み易いので、導
体回路との接続性を高くできるという利点がある。この
ような槍状突起５７は、形成すべき突起よりもレジスト
マスクの径を小さくしてエッチングすることにより形成
できる。或いは、一旦コニーデ状或いは鼓状の突起をレ
ジスト膜等をマスクとする選択的エッチング（勿論ハー
フエッチング）により形成した後、そのマスクを除去
し、再度エッチング（勿論ハーフエッチング）をするこ
とにより形成することができる。

【００９４】図１１は本発明配線回路基板の突起５３、
５７或いは２５（突起２５については図１〜図８参照）
を格子の各交点上に配置したことに特徴のある実施の形
態の要部を示す斜視図である。本実施形態においては、
所定の間隔をおいて縦横に（観念的に）設けたラインか
らなる格子の各交点上に突起例えば５７を配置すること
としたものであり、それ以外の点では他の実施の形態と
異なるところはない。

【００９５】このような配線回路基板によれば、配線回
路基板の機種の如何を問わず、両面の導体回路を選択的
エッチングにより形成するよりも前の段階までは、量産
しておき、その後、機種に応じて異なるパターンの導体
回路を形成することとすることができるので、特定の突
起だけ層間接続用に利用し、その他のものは回路を構成
しないようにすることにより、或いは少しオーバーエッ
チングすることにより不要な突起をエッチングにより取
り除くことができ、他品種の配線回路基板についてその
生産性を高めることができる。

【００９６】図１２は突起例えば５７等を、金属層例え
ば５６等を層間絶縁膜５５を介して積層するときの加圧
力が各突起毎に均一になるように配置した実施形態を示
すもので、このような実施の形態によれば、積層時のプ
レス圧の面内均一性を向上させることができるので、突
起５７のつぶれの度合いの均一性を高めることができ、
また、配線板の板圧の均一度を向上させ、配線回路基板
の信頼度を高めることができる。

【００９７】図１３は上下導体間接続用突起例えば５７
の配置密度が一定でなく、疎の領域と、密の領域がある
場合における密の領域の周りに、上下導体間接続用突起
５７よりも背の低いダミー突起５８を配置し以て上下導
体間接続用突起５７の径、高さの均一性を高めるように
した実施の形態の要部を示す断面図である。即ち、密集
領域においては周辺部と中央部ではエッチング液のスプ
レー後の液の流れが異なるためにエッチングレートが異
なり、液の流れの速い周辺部の突起の方がエッチングレ
ートが高く、径が小さく且つ低くなりがちである。そこ
で、その周囲を回路には直接関与しない（回路を構成し
ない）ダミー突起５８で囲むことにより周辺部の上下導
体間接続用突起５７に対するエッチングレートを低く
し、以て周辺部の上下導体間接続用突起５７も中央部の
上下導体間接続用突起５７と同じ径、同じ高さにしよう
とするのが本実施の形態である。ダミー突起５８がエッ
チング後消失するように他の突起５７よりもマスクとな
るレジスト径を小さくすることも効果的である。

【００９８】また、上下導体間接続用突起間の間隔が大
きい場合には、突起の周辺部と中央とでエッチングレー
トに違いが生じるので、それによる弊害が生じる。そこ
で、各上下導体間接続用突起５７に対してそのまわりに
ダミー突起５８を配置するようにしても良い。図１４
（Ａ）〜（Ｄ）はそのような各別の例を示す平面図であ
る。

【００９９】図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すものは各上下
導体間接続用突起５７の周りにリング状のダミー突起５
８を形成したものであり、そのうち（Ａ）に示すものは
各隣接ダミー突起５８が離間しているもの、（Ｂ）に示
すものは、隣接ダミー突起５８同士が部分的に重なるよ
うにしたものである。

【０１００】図１４（Ｃ）、（Ｄ）に示すものは各上下
導体間接続用突起５７の周りに複数のダミー突起５８を
配置したものであり、（Ｃ）に示すものは各突起５７の
周りの一つの円形ライン上のみに複数のダミー突起５８
を配置したものであり、（Ｄ）に示すものは各突起５７
を取り巻く円形ライン５８ａよりも外側領域に所定間隔
で縦横にダミー突起５８を配置したものである。

【０１０１】図１５は上下導体間接続用突起、例えば５
３として高さの異なるもの５３ｈ、５３ｌを混在させた
実施の形態を示す断面図であり、高さの異なる上下導体
間接続用突起、例えば５３を混在させるのは、段差のあ
る接合面に各上下導体間接続用突起、例えば５３を接合
させることができるようにするためである。図１５にお
いて、６０は段差のある接合面を有するコア基板であ
る。該コア基板６０は通常工法による両面配線板のスル
ーホールに銅ペースト１００を充填し、硬化してなり、
銅ペースト１００と銅配線部５４との高さが異なる。そ
して、このコア基板６０の両面に突起５３を上下導体間
接続手段とする配線回路基板が積層されるのである。そ
して、高い突起５３ｈが銅ペースト１１０に、低い突起
５３ｌが銅配線部５４にそれぞれ接続される。

【０１０２】尚、高さの異なる突起５３ｈ、５３ｌを形
成することは、ベース材５１の表面を選択的エッチング
するときに用いるレジスト膜によるマスクの各マスク部
分の径を異ならせ、高い突起５３ａを形成すべき部分を
覆うマスク部分の径を大きく、低い突起５３ｂを形成す
べき部分を覆うマスク部分の径を小さくすることによ
り、可能である。

【０１０３】ところで、図１５に示す配線回路基板にお
いては、コア基板６０の銅配線膜５４には導電ペース
ト、半田或いは貴金属等の被膜が形成されておらず、こ
れに銅からなる突起、例えば５３（或いは５７）が直接
的に接続されている。このような形態でも本発明は実施
できるのである。このことは、高い突起５３ａと、低い
突起５３ｂを有する形態に対しても、突起５３（或いは
５７）の高さが均一な形態に対しても当てはまる。

【０１０４】そして、銅配線膜５４に導電ペースト、半
田或いは貴金属等の被膜を介することなく銅からなる突
起、例えば５３（或いは５７）を直接的に接続したタイ
プのものにおいては、図１５において破線で示すよう
に、同配線膜５４に突起、例えば５３（或いは５７）の
頂部における径よりも小さな孔５４ａを形成するように
しても良い。このようにすると、突起５３（或いは５
７）が銅配線膜５４と接続されるとき突起５３（或いは
５７）の頂部がその孔５４ａに突き当たってこれを崩
し、突起５３と金属膜５４との接続をより強固にするこ
とができるからである。勿論、孔５４ａを形成すること
は、図１５に示すような高さの異なる突起５３ｈ、５３
ｌを有する実施の形態においてであろうと、均一な高さ
の突起５３を有する実施の形態であろうと極めて有効で
ある。

【０１０５】図１６（Ａ）、（Ｂ）は上下導体間接続用
突起、例えば５７等と同じ材料及び同じ高さのスペーサ
６１を突起を形成する工程の中で形成し、配線回路基板
の銅ベース材５１からなる導体回路と、該配線回路基板
に積層される図１６では図示しないコア基板等との間隔
を所定どおりに一定に保ち絶縁層の厚さを予め設定した
所定位置にさせ、延いては回路板のインピーダンスコン
トロール性を高めるようにした実施の形態の導体回路形
成前における要部を示すもので、（Ａ）は斜視図、
（Ｂ）は断面図である。

【０１０６】即ち、銅ベース材５１の選択的エッチング
により突起を形成し、それを上下導体間の接続用として
用いるが、絶縁シートはもともと厚み公差の良いもので
はなく、また積層時の温度、圧力で出来上がり厚みが変
動するので、絶縁層厚の一定化が難しいものであった。
そのため、それに積層される銅箔、コア基板との間の間
隔が一定にならず、インピーダンスコントロールが難し
かった。そこで、突起と同じ工程でスペーサ６１を適宜
な場所に形成してプレ筋に各スペーサ６１がコア基板に
ぶつかる迄押圧し残余の絶縁材を周辺に押し出すことに
より上下の銅パターン間の間隔を一定にし、インピーダ
ンスコントロール性を高めるようにするのが本実施の形
態なのである。スペーサ６１は例えば格子状に或いは枠
状に形成する等設けるパターンは導体回路の形成に支障
を来さない限りどのように形成しても良い。尚、このス
ペーサ６１を接地ラインとして静電シールドに用いるよ
うにすることもできる。

【０１０７】図１７は上下導体間接続用突起として径の
大きいもの５３ｘと径の小さいもの５３ｙを混在させ
て、径の大きい上下導体間接続用突起５３ｘを大電流を
通す上下導体間接続用として、径の小さい上下導体間接
続用突起５３ｙを小電流を通す上下導体間接続用として
用いるようにした実施の形態の要部を示す断面図であ
る。

【０１０８】本実施の形態によれば、小電流でも大電流
でも同じ小ささの上下導体間接続用突起に通すことによ
り大電流を通す上下導体間接続用突起で無視できない電
圧降下が生じたり、発熱が生じたりするおそれがなくな
り、また、小電流でも大電流でも同じ大きさの比較的大
きな上下導体間接続用突起に通すことにより小電流を通
す突起が無駄に大きな面積を専有して集積度向上の妨げ
になるというおそれもなくなる。

【０１０９】図１８（Ａ）〜（Ｃ）は突起例えば５３、
５７等と同時に位置合わせ用マーク、或いは機種等用の
認識マーク６３を形成するという実施の形態の要部を示
すもので、（Ａ）は突起のある側に銅箔等を層間絶縁膜
を介して積層する前の段階における斜視図、（Ｂ）はマ
ークの一例６３ａである、位置合わせ用マークのパター
ン図、（Ｃ）はマークの別の例６３ｂである、位置合わ
せ用マークのパターン図である。

【０１１０】本実施の形態は、突起、例えば５３、５７
等を形成するとき同時にマーク６３を形成するので、マ
ーク６３は突起、例えば５３、５７等と同じ材料からな
り同じ高さを有する。本実施の形態によれば、マーク６
３を突起、例えば５３、５７等と同時に形成するので、
マーク６３を形成するために特別の工程を有しないとい
う利点があると共に、マーク６３と各突起とは同一工程
で形成するので、マーク６３と各突起との位置関係のず
れは最小に抑えることができる。

【０１１１】図１９（Ａ）〜（Ｄ）は本発明配線回路基
板の製造方法の第９の実施の形態を工程順に示す断面図
である。（Ａ）先ず、図１９（Ａ）に示すように、コア基板７０
を用意する。７１は樹脂からなる絶縁基板、７２はその
両面に形成された導体回路で、銅からなる。７３は上下
導体間接続用スルーホールである。このコア基板２０の
両面に突起５３或いは５７を有する配線回路基板が積層
されるのである。

【０１１２】（Ｂ）次に、上記コア基板２０の上下両面
の導体回路７２のうちの少なくとも積層しようとする配
線回路基板の突起と接続される部分に、図１９（Ａ）に
示すように、導電ペースト、半田或いは貴金属からなる
層７４を形成する。（Ｃ）次に、図１９（Ｃ）に示すように、上記コア基板
２０の上下両面に配線回路基板７５を各突起、例えば５
３が導体回路７２の対応する部分に接するようにして層
間絶縁膜５５を介して積層する。

【０１１３】（Ｄ）次に、図１９（Ｄ）に示すように、
上下両面の配線回路基板７５各々のベース材５１を選択
的エッチングことによりパターニングして導体回路を形
成する。これにより２個の配線回路基板７５及びコア基
板２０によりビルドアップしたより高集積化し、且つ突
起と導体回路との接続に関して信頼度の高い配線回路基
板を得ることができる。

【０１１４】尚、各配線回路基板７５のベース材５１の
選択的エッチングによる導体回路の形成は、配線回路基
板７５のコア基板２０両面への積層の前に行うようにし
ても良い。

【０１１５】図２０（Ａ）、（Ｂ）は上記実施例におい
て、導体回路７２の上記突起、例えば５３或いは５７と
対応する部分に該突起５３の頂部の径よりも大きな孔７
２ａを形成することとした例を示すものであり、（Ａ）
は断面図、（Ｂ）は導体回路７２の突起と接続される部
分の形状を示す平面図である。このような例によれば、
突起５３を孔７２ａに、導電ペースト、半田或いは貴金
属からなる層７４を介して部分的に挿入させることがで
きるので、接続強度をより強めることができ、信頼度を
高めることができる。

【０１１６】図２０（Ｃ）は導電ペースト、半田或いは
貴金属からなる層７４の形成後、表面を研磨して該層７
４の導体回路７２上の部分を除去し、上記孔７２ａ内の
みに導電ペースト、半田或いは貴金属７４が存在するよ
うにした例を示す断面図である。この場合、例えば配線
回路基板７５を積層するとき突起５３或いは５７がその
孔７２ａ内の導電ペースト、半田或いは貴金属７４に突
き刺さった状態で導体回路７２と接続される。

【０１１７】図２１（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基
板の製造方法の第１０の実施の形態を工程順に示す断面
図である。（Ａ）図２１（Ａ）に示すように、配線回路基板の突
起、例えば５３或いは５７等のある側の面に層間絶縁膜
５５を介して積層する銅箔として、上記突起と接続され
るべき部分に予め導電ペースト、半田乃至貴金属（例え
ば金）等の接続性を向上乃至確保する金属膜７６を形成
したもの５６を用意する。

【０１１８】（Ｂ）次に、図２１（Ｂ）に示すように、
上記銅箔５６の上記金属膜７６形成側の面を層間絶縁膜
５５を介してベース材５１の突起５３形成側の面に臨ま
せる。（Ｃ）次に、図２１（Ｃ）に示すように、上記銅箔５６
を層間絶縁膜５５を介して突起、例えば５３のあるベー
ス材５１を積層する。すると、突起、例えば５３が層間
絶縁膜５５を突き破り、金属膜７６に接した状態にな
る。

【０１１９】その後は、図示はしないが、ベース材５１
と銅箔５６を同時乃至異時に選択的エッチングすること
により両面に導体回路を形成する。このような実施の形
態によれば、突起、例えば５３と銅箔５６からなる導体
回路との接続性を良好にすることができる。

【０１２０】図２２は本発明配線回路基板の層間絶縁膜
５５として異方性導電膜５５ａを用いる実施の形態を示
す断面図である。本実施の形態によれば、層間絶縁膜と
して金属粒子を分散させた異方性導電膜５５ａを用いる
ので、突起５３と銅箔５６とにより挟まれている部分に
おいてはその部分における上下方向の加圧力により突起
５３銅箔５６との間に導電粒子が介在し、その粒子が押
圧されることにより両面に突き刺さる等接続の信頼を向
上させ、導電性を帯びるが、それ以外の部分では絶縁性
を保持する。従って、突起５３と銅箔５６との接続性を
異方性導電膜５５ａにより確保することができ、且つ層
間絶縁膜に要求される絶縁性も確保できる。

【０１２１】尚、異方性導電膜を突起上、例えば５３上
のみに形成し、層間絶縁膜は普通の絶縁性樹脂により形
成するようにしても良い。その場合は、突起と例えば銅
箔５６との間の電気的接続はその異方性導電膜によりと
り、絶縁は普通の絶縁性樹脂により確保することにな
る。

【０１２２】

【発明の効果】請求項１の配線回路基板によれば、導体
回路からなる金属層上に、該金属層とは別の金属から成
るエッチングバリア層を介して金属から成る突起が、選
択的に形成されており、上記エッチングバリア層により
導体回路となる上記金属層の侵食を防止しつつ金属層の
選択的エッチングにより上記突起を形成できる。従っ
て、ベース材として少なくとも突起の高さ或いはそれ以
上の厚さを有するものを使用して配線回路基板を得るこ
とができる。依って、製造過程でベース材が折れ曲がっ
たり、変形したりする虞が少なくなる。また、寸法が製
造過程で変動するおそれがなく、突起の位置が横方向に
ずれるおそれがないので、突起を微細に形成し、配設密
度を高めても突起の位置ずれに起因して上下導体回路間
の層間接続不良が生じるおそれがなく、歩留まり、信頼
度が高くなる。

【０１２３】更に、突起を金属層により形成することが
でき、金属層を例えば銅等比較的低価格材料で形成する
ことができるので、従来の孔を埋める或いは印刷により
形成された導電性ペーストを上下導体回路間接続手段と
して用いた場合よりも配線回路基板の低価格化を図るこ
とができる。また、上述したように、突起を金属層の選
択的エッチングにより形成するので、高さを均一にで
き、高さの不均一による上下導体回路間接続不良の発生
するおそれがない。また、突起が導体回路を成す金属層
と一体的であるから、従来よりも突起形成部の機械的強
度を強めることができる。

【０１２４】請求項２の配線回路基板によれば、上記突
起の表面に表面処理剤として導電性ペースト材料がコー
ティングしたので、突起と導体回路の接合性をその導電
性ペーストにより高めることができる。

【０１２５】請求項３の配線回路基板の製造方法によれ
ば、突起形成用の金属層上にエッチングバリア層を形成
し、該エッチングバリア層上に導体回路となる金属層を
形成したものを用意し、上記突起形成用の金属層を、上
記エッチングバリア層を侵さないエッチング液により選
択的にエッチングすることにより突起を形成し、上記エ
ッチングバリア層のみを上記突起をマスクとして上記導
体回路を成す金属層を侵さないエッチング液で除去し、
上記導体回路を成す金属層の上記突起形成側の面に層間
絶縁用の絶縁層を形成して該突起を上記導体回路に接続
された層間接続手段とするので、請求項１の配線回路基
板を得ることができ、請求項１の配線回路基板について
述べたと同様の効果を奏する。

【０１２６】請求項４の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項３の配線回路基板の製造方法における突起を
マスクとするエッチングバリア層の選択的エッチングを
行わないで、導体回路を成す金属層の選択的エッチング
の際にその金属層と共に上記エッチングバリア層をもエ
ッチングすることととするので、エッチングバリア層の
不要部分を除去するためだけの工程をなくすことができ
る。従って、製造工程の低減を図ることができる。

【０１２７】請求項５の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項３又は４記載の配線回路基板の製造方法にお
いて、上記ベースメタルからなる層を選択的にエッチン
グして上記突起を形成する際に、エッチングマスクとし
て金属層を用い、上記突起の形成後においても上記エッ
チングマスクとして用いた金属層を残存させてその金属
層で突起表面を全面的に覆う状態にするので、各突起上
部に導電性ペーストを塗布する面倒な作業をしなくて
も、エッチングマスクとして用いた金属層を該各突起と
導体回路との間の接続性を高める手段として用いること
ができる。

【０１２８】請求項６の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項１の配線回路基板と金属箔を積層し、該配線
回路基板の金属層と該金属箔を共に選択的にエッチング
することにより、層間絶縁膜により層間絶縁された導体
回路を両面に有し、その導体回路間を層間絶縁膜を貫通
する突起で電気的に接続した配線回路基板を得ることが
できる。

【０１２９】請求項７の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項６の配線回路基板の製造方法により製造され
た配線回路基板の両面に、請求項１の配線回路基板を積
層し、加圧して一体化し、その上で一体化されたものの
両面に存在する金属層を選択的にエッチングすることに
より両面に導体回路を形成するので、４層の導体回路を
有する配線回路基板を得ることができる。

【０１３０】請求項８の配線回路基板、請求項９の配線
回路基板の製造方法によれば、一層又は多層の導体回路
の一方の主面に開口を有した絶縁層を介してベースメタ
ルからなり、上記開口を通じて上記導体回路と電気的に
接続された突起を有し、上記絶縁層の該突起が形成され
た側に層間絶縁膜を形成した２個の配線回路基板を、突
起及び層間絶縁膜が形成された側が内側を向くように直
接に又は配線回路基板を介して積層加圧されて一体化す
るので、配線回路基板の導体回路の層数を極めて多くす
ることができ、実装密度を高めることができる。

【０１３１】請求項１０の配線回路基板によれば、請求
項８の配線回路基板の両面にＬＳＩチップ若しくはパッ
ケージを搭載したので、ＬＳＩチップ若しくはパッケー
ジを高密度に実装した配線回路基板を得ることができ
る。そして、パッドが配線膜と一体なので、パットオン
ビアの構造強化が可能であり、配線回路基板の小型化も
容易となる。

【０１３２】請求項１１の配線回路基板によれば、導体
回路を成す金属層上に、該金属層とは同じ金属から成る
上下導体間接続用突起を形成したので、金属層及びそれ
に選択的に形成される突起を成すベース材として単層構
造のものを用いることができるので、材料費を節減でき
る。そして、突起をベース材のハーフエッチングにより
形成することが可能となり、延いてはエッチングバリア
層を除去する工程が必要ではなくなるので、工数の低減
を図ることができる。従って、配線回路基板の低価格化
を図ることができる。

【０１３３】請求項１２の配線回路基板によれば、請求
項１１の配線回路基板と同様に、金属層及びそれに選択
的に形成される突起を成すベース材として単層構造のも
のを用いることができるので、材料費を節減することが
可能となり、工数の低減を図ることができる。従って、
配線回路基板の低価格化を図ることができる。

【０１３４】請求項１３の配線回路基板によれば、金属
膜の突起と対応する部分に、その突起の頂部よりも小さ
い径の孔を形成したので、その突起が金属膜と接続され
るとき突起の頂部がその孔に突き当たってこれを崩し、
突起と金属膜との接続をより強固にすることができる。
従って、接続をより強固にし、接続の信頼性を向上させ
ることができる。

【０１３５】請求項１４の配線回路基板によれば、上下
導体間接続用突起が槍状に形成されているので、突起に
より層間絶縁膜を、通常使用されるガラスクロス入りガ
ラエポプリプレグにおいては効果的且つ確実に突き破
り、更には積層される金属層に突き刺さり、突起と金属
層との接続性をより確実なものにできる。

【０１３６】請求項１５の配線回路基板よれば、上下導
体間接続用がコニーデ状なので、その頂部を平面にで
き、突起高さが不均一になるおそれがなく、また、導体
回路を成すベース材とそれに層間絶縁膜を介して積層さ
れる導体回路を成す金属層との間隔を上下導体間接続用
により一定の値に確保できる。

【０１３７】請求項１６の配線回路基板によれば、上下
導体間接続用突起が鼓状なので、その頂部の平面の面積
をより広くでき、より確実に導体回路を成すベース材・
金属層間の間隔を一定に確保する効果をより確実に得る
ことができる。

【０１３８】請求項１７の配線回路基板によれば、上下
導体間接続用突起の表面が粗化或いはつぶメッキされて
いるので、その頂部と金属層間の接続性をより高めるこ
とができる。

【０１３９】請求項１８の配線回路基板によれば、上下
導体間接続用突起が銅からなり、その表面が電解クロメ
ート処理されているので、金属層の表面が酸化されるこ
とを防止することができ、延いては該突起と金属層との
電気的接続の信頼度を高めることができる。

【０１４０】請求項１９の配線回路基板の製造方法によ
れば、金属板（ベース材）その一方の表面に選択的にマ
スク膜を形成し、これをマスクとして上記金属板をハー
フエッチングすることにより導体回路となる金属層と突
起を形成し、上記導体回路となる金属層の上記突起が形
成された側の表面に層間絶縁層を介して金属層を積層
し、上記層間絶縁層の両方の表面の金属層を同時又は異
時に選択的にパターニングすることにより配線膜を形成
するので、請求項１２の配線回路基板を得ることができ
る。

【０１４１】請求項２０の配線回路基板によれば、上下
導体間接続用突起とそれに接続された金属層との間に異
方性導電膜を介在させたので、該上下導体間接続用突起
と金属層との接続を異方性導電膜中の金属粒子を介する
ことにより確実にとることができる。

【０１４２】請求項２１の配線回路基板の製造方法によ
れば、金属層を積層する前に突起と該金属層との間に異
方性導電膜を介在させる工程を設けたので、請求項２０
の配線回路基板を得ることができる。

【０１４３】請求項２２の配線回路基板によれば、金属
層の表面に多数の金属からなる導体間接続用突起を一定
の間隔をもった格子の交点上に配置したので、配線回路
基板の機種の如何を問わず、両面の導体回路を選択的エ
ッチングにより形成するよりも前の段階までは、標準品
として量産しておき、その後、機種に応じて異なるパタ
ーンの導体回路を形成することとすることができるの
で、他品種の配線回路基板についてその生産性を高める
ことができる。それと共に、マスクも品種により変える
必要がなく、銅エッチング量も少なくて済むことから、
他品種少量生産から少品種大量生産まで対応することが
でき、経済性向上に大きく寄与する。

【０１４４】請求項２３の配線回路基板によれば、各上
下導体間接続用突起を、上記基板両面から加圧したとき
各上下導体間接続用突起が均一な加圧力を受けるように
配置したので、各突起の潰れ具合を均一にすることがで
き、延いては接続性を均一にすることができ、信頼度を
高めることができる。

【０１４５】請求項２４の配線回路基板によれば、各上
下導体間接続用密集領域の周辺部には密集した上下導体
間接続用突起とは別に小さいダミー突起を配置したの
で、密集領域の周辺部の上下導体間接続用のエッチング
レートを中央部の上下導体間接続用並に小さくすること
が可能となり、上下導体間接続用のエッチングレートの
均一化を図ることができ、延いては各上下導体間接続用
の径、高さの均一化を図ることができる。

【０１４６】請求項２５の配線回路基板によれば、導体
間接続用突起が複数通りの異なる高さを持つので、段差
のある接合面、或いは銅ペーストと銅パターン面等、接
合機構の異なる面に支障なく積層することが可能とな
る。

【０１４７】請求項２６の配線回路基板によれば、導体
間接続用突起が複数通りの異なる径を持つようにされた
ので、通る電流に応じて大電流が通る突起は径を大きく
し、小電流が通る突起は径を小さくすることができ、小
さな径の突起に大きな電流が流れて電圧降下が生じた
り、ジュール熱が発生したり、小さな電流しか流れない
のに径が大きいため突起が無駄に面積を専有するという
問題の生じるおそれがない。

【０１４８】請求項２７の配線回路基板は、上下導体間
接続用突起と同じ材料で同じ高さで形成されたスペーサ
を有するので、該スペーサによりベース材と金属層との
間隔を一定にし、インピーダンスコントロール性を高め
ることができる。また、このスペーサを接地して静電シ
ールドに用いるようにすることもできる。

【０１４９】請求項２８の配線回路基板の製造方法は、
上下導体間接続用突起と同じ工程でスペーサを形成する
ので、このスペーサによりベース材と金属層との間隔を
確保することのできる請求項２７の配線回路基板を工程
を増すことなく形成することができる。

【０１５０】請求項２９の配線回路基板は、認識マーク
を有するので、位置合わせや機種の認識を該認識マーク
により為し得る。

【０１５１】請求項３０の配線回路基板の製造方法は、
上記上下導体間接続用突起と同じ工程で認識マークを形
成するので、工程数を増すことなく認識マークを形成し
た請求項２９の配線回路基板を得ることができる。

【０１５２】請求項３１の配線回路基板によれば、絶縁
性ベースの上下両表面の導体回路間を電気的に接続する
スルーホールが形成されコアとなる回路基板の両表面
に、金属層からなり選択的に形成された上下導体間接続
用突起を有する配線回路の突起形成側の面に絶縁層が該
上下導体間接続用突起によって貫通された状態で形成さ
れた別の回路基板を、その上下導体間接続用突起の先端
が上記金属層からなる配線回路に接続される状態で積層
した配線回路基板において、上記上下導体間接続用突起
と上記配線回路とが導電ペースト、半田又は貴金属層を
介して接続したので、ビルドアップにより高集積化しつ
つ、回路基板間の電気的接続性、接続の信頼性を高める
ことができる。

【０１５３】請求項３２の配線回路基板の製造方法によ
れば、上記コアとなる回路基板と、その両表面に別の回
路基板を積層する前に、予め該コアとなる回路基板の配
線回路を成す金属層の表面に、導電ペースト又は貴金属
層を形成しておくので、ビルドアップにより高集積化し
つつ、回路基板間の電気的接続性、接続の信頼性を高め
た請求項３１の配線回路基板を得ることができる。

【０１５４】請求項３３の配線回路基板によれば、導体
回路となる金属層にそれと同じ金属から成る上下導体間
接続用突起が選択的に形成されたものに層間絶縁膜を介
して積層された別の導体回路となる上記金属層とは別の
金属層に、上記上下導体間接続用突起と接する半田、導
電ペースト又は貴金属膜を設けたので、該金属層と突起
とを該半田、導電ペースト又は貴金属膜を介して接続す
ることができ、その間の電気的接続性を良好にできる。

【０１５５】請求項３４の配線回路基板によれば、上記
別の導体回路を成す金属層の上記上下導体間接続用突起
と対応する部分に該突起の頂部における径よりも大きな
孔を設けたので、その突起の頂部が該孔内を埋める半
田、導電ペースト又は貴金属膜内に深く埋まり、接続性
をより良好にすることができる。

【０１５６】請求項３５の配線回路基板によれば、導体
回路を成す金属層にそれと同じ金属から成る上下導体間
接続用突起が選択的に形成されたものに層間絶縁膜を介
して積層された導体回路を成す金属層に、上記上下導体
間接続用突起と接する半田、導電ペースト又は貴金属膜
を設けたので、金属層と突起とを該半田、導電ペースト
又は貴金属膜を介して接続することができ、その間の電
気的接続性を良好にできる。

【０１５７】請求項３６の配線回路基板の製造方法によ
れば、導体回路となる金属層上に該金属層とは同じ金属
から成る上下導体間接続用突起が選択的に形成したもの
の上下導体間接続用突起形成側に、層間絶縁層を介し
て、上記導体回路とは別の導体回路となる金属層上に上
記上下導体間接続用突起に対応して半田、導電ペースト
又は貴金属膜を形成したものを積層するので、請求項３
４、３５の配線回路基板を得ることができる。

【０１５８】請求項３７の配線回路基板は、層間絶縁膜
として異方性導電膜を用いたので、突起と金属層との間
に介在してもその層間絶縁膜が受ける加圧力により導電
性を帯びるので、突起と金属層との間を確実に電気的に
接続することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第１の実施の形態の工程（Ａ）〜（Ｇ）を順に示す
断面図である。

【図２】（Ｈ）〜（Ｋ）は上記第１の実施の形態の工程
（Ｈ）〜（Ｋ）を順に示す断面図である。

【図３】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第２の実施の形態を工程順に示す断面図である。

【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第３の実施の形態を工程順に示す断面図である。

【図５】（Ａ）〜（Ｇ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第４の実施の形態の工程（Ａ）〜（Ｇ）を順に示す
断面図である。

【図６】（Ｈ）、（Ｉ）は上記第５の実施の形態の工程
（Ｈ）〜（Ｉ）を順に示す断面図である。

【図７】（Ａ）〜（Ｈ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第６の実施の形態の工程（Ａ）〜（Ｈ）を順に示す
断面図である。

【図８】（Ｉ）〜（Ｋ）は本発明配線回路基板の製造方
法の第６の実施の形態の工程（Ｉ）〜（Ｋ）を順に示す
断面図である。

【図９】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線回路基板の第７の
実施の形態を工程順に示す断面図である。

【図１０】（Ａ）、（Ｂ）は本発明配線回路基板の上下
導体間接続用突起の各別の例を示す断面図である。

【図１１】本発明配線回路基板の突起を格子の各交点上
に配置した実施の形態の要部を示す斜視図である。

【図１２】本発明配線回路基板の積層時に各突起が受け
る加圧力が各突起毎に均一になるように配置した実施の
形態を示す斜視図である。

【図１３】本発明配線回路基板の上下導体間接続用突起
の高さ、径を均一にするために、エッチングレートを均
一にするためのダミー突起を設けた実施の形態を示す断
面図である。

【図１４】（Ａ）〜（Ｄ）はダミー突起を設けた別の各
別の実施の形態を示す平面図である。

【図１５】本発明配線回路基板の高さの異なる上下導体
間接続用突起を混在させて段差のある接合面に対応させ
た実施の形態を示す断面図である。

【図１６】（Ａ）、（Ｂ）は本発明配線回路基板の突起
と同じ材料、高さのスペーサを設けた実施の形態を示す
もので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図である。

【図１７】本発明配線回路基板の径の異なる上下導体間
接続用突起を混在させた実施の形態を示す断面図であ
る。

【図１８】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基板の突起
と同じ材料からなる認識マークを設けた実施の形態を示
すもので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は認識マークの平面
図、（Ｃ）は（Ｂ）のものとはパターンの異なる別の認
識マークの平面図である。

【図１９】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明配線回路基板の製造
方法の第８の実施の形態を工程順に示す断面図である。

【図２０】（Ａ）〜（Ｃ）は導体回路の突起と対応する
部分に該突起頂部の径よりも大きな孔を形成することと
した例を示すものであり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は導
体回路の突起と接続される部分の形状を示す平面図、
（Ｃ）は導電ペースト、半田或いは貴金属からなる層の
形成後、表面を研磨して該層の導体回路上の部分を除去
し、上記孔内のみに導電ペースト、半田或いは貴金属が
存在するようにした例を示す断面図である。

【図２１】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基板の製造
方法の第９の実施の形態を工程順に示す断面図である。

【図２２】本発明配線回路基板の層間絶縁膜として異方
性導電膜を用いた実施の形態を示す断面図である。

【図２３】（Ａ）〜（Ｆ）は高密度実装用配線回路基板
に関する一つの従来例を説明するためのもので、配線回
路基板の製造方法の工程（Ａ）〜（Ｆ）を順に示す断面
図である。

【図２４】上記従来例の配線回路基板の製造方法の工程
（Ｇ）〜（Ｉ）を順に示す断面図である。

【図２５】（Ａ）〜（Ｇ）は高密度実装用配線回路基板
に関する別の従来例を説明するためのもので、配線回路
基板の製造方法を工程順（Ａ）〜（Ｇ）に示す断面図で
ある。

【符号の説明】

２０・・・ベース材、２１、２１ａ・・・突起形成用金
属層（銅層）、２２・・・エッチングバリア層、２３・
・・導体回路形成用金属層（銅箔）、２５・・・突起、
２６・・・導電性ペースト、２７・・・層間絶縁膜、２
８・・・積層体、２９・・・導体回路形成用金属層（銅
箔）、３０・・・積層体、３１、３２・・・導体回
路、３３、３３ａ・・・配線回路基板、３５・・・導体
回路、３６・・・配線回路基板、３７・・・突起形成用
マスク兼突起被覆半田メッキ膜、４０・・・絶縁膜、４
１・・・開口、４２・・・導体回路、４３・・・絶縁
膜、４４・・・開口、４５・・・突起状端子、４６、４
７・・・配線回路基板、４８・・・ＬＳＩチップ、５１
・・・ベース材（銅からなる金属層）、５３、５７・・
・上下導体間接続用突起、５４・・・導体ペースト、半
田或いは貴金属膜、５５・・・層間絶縁膜、５５ａ・・
・層間絶縁膜を成す異方性導電膜、５６・・・金属層、
５８・・・ダミー突起、６１・・・スペーサ、６３・・
・認識マーク、７０・・・コアの配線回路基板、７２・
・・金属層、７２ａ・・・孔、７３・・・スルーホー
ル、７４・・・導電ペースト、半田或いは貴金属膜。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１３年５月１０日（２００１．５．１
０）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正内容】

【書類名】明細書

【発明の名称】配線回路基板とその製造方法

【特許請求の範囲】

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【０００２】

【従来の技術】図２１（Ａ）〜（Ｆ）及び図２２（Ｇ）
〜（Ｉ）は高密度実装用配線回路基板に関する一つの従
来例を説明するためのもので、配線回路基板の製造方法
を工程順（Ａ）〜（Ｉ）に示す断面図である。

【０００３】（Ａ）先ず、２５〜１００μｍ程度の厚さ
の絶縁シートからなる絶縁ベース１を用意し、図２１
（Ａ）に示すように、該絶縁シート１に層間接続用の孔
２をパンチング、ドリルにより或いはレーザー加工によ
り形成する。（Ｂ）次に、図２１（Ｂ）に示すように、上記孔２を導
電性ペースト（例えば銀或いは銅等を主材料とする。）
３により例えば印刷法で充填する。これにより、絶縁ベ
ース１は孔２、２、・・・が導電性ペースト３により充
填された半硬化状態のシートＡになる。

【０００４】（Ｃ）、（Ｄ）次に、図２１（Ｃ）に示す
ように、上記シートＡの両面に例えば銅からなる金属箔
４、４を臨ませ、図２１（Ｄ）に示すようにその金属箔
４、４を加圧加熱プレスで積層する。これにより両面に
金属箔４、４が形成され、その間に絶縁シート１が存在
し、孔２、２、・・・にて導電性ペースト３、３、・・
・により上記両面の金属箔４・４間が電気的に接続され
た積層体が構成される。（Ｅ）次に、上記金属箔４、４上に形成すべき導体回路
と同じパターンを有するレジスト膜５、５を形成する。
図２１（Ｅ）はレジスト膜５、５形成後の状態を示す。

【０００５】（Ｆ）次に、上記レジスト膜５、５をマス
クとして上記金属箔４、４をエッチングすることにより
図２１（Ｆ）に示すように導体回路６、６を形成する。
これにより両面に絶縁シート１により層間分離され、孔
２内の導電性ペースト３により層間接続された導体回路
６、６が形成された積層体Ｂが構成される。（Ｇ）次に、図２２（Ｇ）に示すように、上記積層体Ｂ
の両面に、孔２、２、・・・を有し、その孔２、２、・
・・が導電性ペースト３、３、・・・で充填された絶縁
シート１ａ、１ａと金属箔４ａ、４ａを重ね、その後、
加圧プレスでこれらを積層する。この積層により形成さ
れた積層体をＣとする。

【０００６】（Ｈ）次に、図２２（Ｈ）に示すように、
積層体Ｃの両面の金属箔４ａ、４ａ上にレジスト膜５、
５を選択的に形成する。（Ｉ）次に、上記レジスト膜５、５をマスクとして金属
箔４ａ、４ａを選択的にエッチングすることによりパタ
ーニングして、図２２（Ｉ）に示すように配線膜６ａ、
６ａを形成する。これにより、４層の導体回路６、６、
６ａ、６ａを有する配線回路基板７が形成される。

【０００７】図２３（Ａ）〜（Ｇ）は高密度実装用配線
回路基板に関する別の従来例を説明するためのもので、
配線回路基板の製造方法を工程順（Ａ）〜（Ｇ）に示す
断面図である。（Ａ）例えば銅からなる金属箔（厚さ例えば１８μｍ）
１０を用意し、図２３（Ａ）に示すように、該金属箔１
０上に導電性の突起１１、１１、・・・を銅或いは銀等
の導電性ペーストをメタル版を介して印刷により形成
し、加熱硬化する。突起１１、１１、・・・の厚さは例
えば１００〜３００μｍ程度である。

【０００８】（Ｂ）次に、図２３（Ｂ）に示すように、
上記金属箔１０の突起１１、１１、・・・が形成された
面上に絶縁性の接着シート１２を接着する。この接着シ
ート１２として記突起１１、１１、・・・の厚さよりも
適宜薄いものを用いることより、上記突起１１、１１、
・・・の頂部が接着シート１２の表面から突出するよう
にする。この金属箔１０に突起１１、１１、・・・を形
成し、接着シート１２をそれから突起１１、１１、・・
・の頂部が突出するように接着した積層体Ａが出来上が
る。

【０００９】（Ｃ）、（Ｄ）次に、図２３（Ｃ）に示す
ように、上記金属箔１０と同様の金属箔１３を上記接着
シート１０の接着シート１２表面上方に臨ませ、熱加圧
プレス法により、図２２（Ｄ）に示すように、金属箔１
３を接着シート１２及び突起１１、１１、・・・上に積
層する。Ｂはそれによりできた積層体である。（Ｅ）次に、上記積層体Ｂの両面の金属箔１０、１３上
にパターニングした例えばレジスト膜を形成し、該レジ
スト膜をマスクとして上記金属箔１０、１３をエッチン
グすることにより導体回路１４、１５を形成する。図２
３（Ｅ）は導体回路形成後マスクとして用いたレジスト
膜を除去した状態を示す。

【００１０】（Ｆ）次に、上記図２３（Ｂ）に示す積層
体Ａと同じ方法でつくられた積層体ａを二つ用意し、そ
の二つの積層体ａ、ａを、図２３（Ｆ）に示すように、
上記積層体Ｂの両面に臨ませる。（Ｇ）次に、上記積層体Ｂをその両面側から積層体ａ、
ａでサンドイッチ状に挟んで上述した熱加圧プレス法に
より加圧して積層し、図２３（Ｇ）に示すような配線回
路基板１６が出来上がる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図２１、図
２２に示した従来例には、第１に、絶縁シート１の孔２
を銀等の高価な金属を主材料とする導電性ペースト３で
埋めて層間接続に用いるので、コストアップに繋がると
いう問題があった。特に、高密度化に伴い、孔２の配設
密度が増えるので、無視できないコストアップが生じ
る。第２に、孔２を導電性ペースト３で埋める際に、孔
２以外の部分にも導電性材料が微量ながら付着し、特に
高湿下において絶縁抵抗が低下するという問題があっ
た。

【００１３】次に、図２３に示す従来例にも問題があっ
た。第１に、突起１１は高価な材料である導電性ペース
トで形成するので、コストアップになるという問題があ
った。第２に、突起１１の導電性ペーストによる形成に
は、スクリーン印刷法を用いる結果、導電性ペーストを
厚くすることに限界があり、その結果、突起１１の形成
にスクリーン印刷を複数回繰り返すことが必要になる場
合が多い。そして、そのように印刷回数が多くなると、
位置ずれによる突起１１の形状の変形が生じ易くなり、
延いては後における金属箔４との接続の信頼度が低くな
ると言う問題があるし、スクリーン印刷するときの位置
合わせ作業が非常に難しく、面倒で、熟練を要すると
か、位置合わせ時間が長くなるという問題が生じる。こ
のような傾向は、突起１１の径が小さくなる程顕著であ
る。因みに、直径が０．３ｍｍの突起の場合、２回印刷
が必要であり、直径０．２ｍｍの突起の場合、４回印刷
する必要がある。これはかなり面倒であり、生産性向上
の障害にもなり、高密度配線回路基板への対応に課題を
残している。

【００１７】

【００４７】請求項３２の配線回路基板は、導体回路を
成す金属層上に、該金属層とは同じ金属から成る上下導
体間接続用突起が、選択的に形成され、上記導体回路の
上記上下導体間接続用突起が形成された側の面に層間絶
縁層が該上下導体間接続用突起によって貫通された状態
で形成され、上記層間絶縁層上に、上記導体回路とは別
の導体回路を成す金属層の一表面に上記上下導体間接続
用突起と対応して半田、導電ペースト又は貴金属膜が形
成されたものの上記一表面が、その半田、導電ペースト
又は貴金属膜に上記上下導体間接続用突起が接続される
ように積層されてなることを特徴とする。

【００４８】請求項３３の配線回路基板の製造方法は、
導体回路を成す金属層上に、該金属層とは同じ金属から
成る上下導体間接続用突起が選択的に形成され、上記導
体回路の上記上下導体間接続用突起が形成された側の面
に層間絶縁層が該上下導体間接続用突起によって貫通さ
れた状態で形成され、上記層間絶縁層上に、上記導体回
路とは別の導体回路を成す金属層の一表面に上記上下導
体間接続用突起と対応して半田、導電ペースト又は貴金
属膜が形成したものの上記一表面が、その半田、導電ペ
ースト又は貴金属膜に上記上下導体間接続用突起が接続
されるように積層されてなる配線回路基板の製造方法に
おいて、導体回路となる金属層上に、該金属層とは同じ
金属から成る上下導体間接続用突起が選択的に形成した
ものの上下導体間接続用突起形成側に、層間絶縁層を介
して、上記導体回路とは別の導体回路となる金属層上に
上記上下導体間接続用突起に対応して半田、導電ペース
ト又は貴金属膜を印刷したものの該半田、導電ペースト
又は貴金属膜形成側を当てて加圧することにより、上記
各上下導体間接続用突起が上記層間絶縁層を突き破って
対応する半田、導電ペースト又は貴金属膜に接続された
状態を形成して積層することを特徴とする。

【００４９】請求項３４の配線回路基板は、金属層に上
下導体間接続用突起を形成したものに層間絶縁膜を介し
て導体回路を成す或いは導体回路となる金属層、又は回
路基板を積層した配線回路基板において、上記層間絶縁
膜として異方性導電膜を用いたことを特徴とする。

【００５０】

【００５１】（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、上
記突起形成用の銅層２１の表面にレジスト膜２４を選択
的に形成する。このレジスト膜２４は突起を形成すべき
部分を覆うように形成する。（Ｃ）次に、上記レジスト膜２４をマスクとして上記銅
層２１をエッチングすることにより、突起２５、２５、
・・・を形成する。このエッチングはウェットエッチン
グにより行うこととし、使用するエッチング液はニッケ
ルからなるところの上記エッチングバリア層２２を侵し
得ないが、銅層２１を侵食できるエッチング液を用い
る。

【００５２】（Ｄ）次に、上記エッチングにおけるエッ
チングマスクとして用いたレジスト膜２４を除去する。
図１（Ｄ）はエッチングマスク除去後の状態を示す。（Ｅ）次に、図１（Ｅ）に示すように、上記エッチング
バリア層２２を、上記突起２５、２５、・・・をマスク
としてエッチングする。このエッチングには、突起２
５、２５、・・・を成す金属（本実施の形態では銅）を
侵さないが、エッチングバリア層２２を成す金属（本実
施の形態ではニッケル）を侵すエッチング液（ニッケル
剥離液）を使用する。

【００５３】（Ｆ）次に、図１（Ｅ）に示すように、必
要に応じ上記各突起２５、２５、・・・の頂部（上部）
に薄く導電性ペースト２６を塗布し、硬化させる。この
工程は不可欠ではない。但し、この工程により、突起２
５、２５、・・・と後で形成される銅箔との接続の信頼
度を非常に高めることができる。

【００５４】（Ｇ）次に、絶縁剤シートを、上記銅層２
１の上記突起２５、２５、・・・が形成された側の面に
熱ローラで圧着することにより、図１（Ｇ）に示すよう
に、該絶縁剤シートからなる層間絶縁層２７を形成す
る。この場合、突起２５、２５、・・・の上部が突出す
るように絶縁剤シートとしてその突起２５、２５、・・
・の高さ（導電性ペースト２６を塗布した場合はそのペ
ースト２６をも含めた高さ）よりも適宜薄いものを用い
る。さもないと、突起２５、２５、・・・による層間接
続を確実に行うことができないからである。この工程に
より、銅箔２３上に層間絶縁層２７が形成され、更に、
上記銅箔２３とエッチングバリア層２２、２２、・・・
を介して接続された突起２５、２５、・・・が上記層間
絶縁層２７を貫通してその表面から突出した積層体２８
が構成される。この工程は、エポキシ樹脂が軟化する温
度で行い、すぐに室温にもどし、実質的にエポキシの硬
化反応がないようにする。

【００５５】（Ｈ）、（Ｉ）次に、図２（Ｈ）に示すよ
うに、上記積層体２８の、層間絶縁層２７が形成され、
突起２５、２５、・・・の頂部が突出する側に、例えば
厚さ１８μｍ程度の銅箔（導体形成用の金属層）２９を
臨ませ、図２（Ｉ）に示すように、積層プレスにて熱圧
着することにより積層する。この工程により、層間絶縁
層２７の両主面に形成された金属層２３、２９を上記突
起２５、２５・・・により層間接続した積層体３０が構
成される。

【００５６】（Ｊ）、（Ｋ）次に、図２（Ｊ）に示すよ
うに、上記金属層２３、２９の表面にエッチングマスク
となるレジスト膜２４、２４を形成し、その後、該レジ
スト膜２４、２４をマスクとして上記金属層２３、２９
をエッチングすることにより導体回路３１、３２を形成
する。これにより、両面の導体回路３１、３２が突起２
５、２５、・・・により層間接続された、図１（Ｋ）に
示すような配線回路基板３３が出来上がる。この配線回
路基板３３が本発明配線回路基板の第１の実施の形態で
ある。

【００５７】このような第１の実施の形態によれば、突
起２５を構成し得る厚い（例えば５０〜２００μｍ）突
起形成用金属層である銅層２１を少なくとも含むベース
材２０をベースとして加工を始めるので、変形等の不具
合が生じにくく、且つ、寸法の安定性が高いという利点
がある。そして、寸法の安定性があるが故に、突起形成
後における突起の位置ずれが生じないため、例えば図２
１、図２２に示す従来例における孔２内の導電性ペース
ト３（謂わばスルーホール）が位置ずれして上下導体回
路５・５間のとるべき接続がとれないという類の問題は
生じない。従って、微小径の突起２５を高密度に配設
し、且つ導体回路間の層間接続を確実にとる超高密度配
線回路基板３３を得ることができる。

【００５８】また、突起２５は例えば銅等からなる銅層
２１により形成するので、その形成に要する材料費は安
くて済み、従って、突起２５の配設密度を高め、配設数
を増やしても、従来におけるように銀等貴金属を主材料
とする高価な導電性ペーストを使用するため配線回路基
板が高価になることはなく、配線回路基板の低価格化に
大きく寄与する。

【００５９】また、突起２５は銅層２１の選択的にエッ
チングにより形成するので、突起２５の高さは銅層２１
の厚さにより決まり、この銅層２１の厚さは極めて均一
性を高く製造できるので、突起２５の高さを均一にでき
る。従って、図２３に示す従来例におけるような、導電
性ペーストにより印刷により突起１１を形成するために
突起１１の高さが不均一になって上下導体回路間の接続
が不完全になる虞があるとか、図２１、図２２に示す従
来例におけるような導電性ペースト３の硬化過程での溶
剤成分の揮散により上部が凹部になり、上下導体回路間
の接続が不完全になる虞があると言う問題は生じない。
従って、突起２５の微細化、高密度化が進んでも上下導
体回路間の確実な接続が期待でき、歩留まり、信頼性の
向上を図ることができる。

【００６０】図３（Ａ）〜（Ｆ）は本発明配線回路基板
の製造方法の第２の実施の形態を工程順に示すものであ
る。（Ａ）図１（Ａ）〜（Ｄ）に示すと同じ方法で、突起２
５を形成した状態にする。図３（Ａ）はその突起２５が
形成された状態を示す。

【００６１】（Ｂ）次に、図３（Ｂ）に示すように、必
要に応じ上記各突起２５、２５、・・・の頂部（上部）
に薄く導電性ペースト２６を塗布し、硬化させる。この
工程は不可欠ではない。但し、この工程により、突起２
５、２５、・・・と後で形成される銅箔との接続の信頼
度を非常に高めることができる。尚、本実施の形態にお
いては、突起２５、２５、・・・をマスクとしてエッチ
ングバリア層２２を除去することはしない。このエッチ
ングバリア層２２は、後の説明で明らかになるが、金属
層２３を選択的にエッチングすることによりパターニン
グして導体回路を形成するときに金属層２３と共に同時
にエッチングすることにより不要部分の除去が為され
る。これが図１、図２に示す第１の実施の形態との大き
な相違である。

【００６２】（Ｃ）次に、図３（Ｃ）に示すように、層
間絶縁膜２７を形成する。２８はこの形成工程終了後に
おける積層体である。（Ｄ）次に、図３（Ｄ）に示すように、その積層体２８
に銅箔（導体形成用の金属層）２９を積層プレスにて熱
圧着で積層することにより、層間絶縁層２７の両主面に
形成された金属層２３、２９を上記突起２５、２５・・
・により層間接続した積層体３０が構成される。

【００６３】（Ｅ）次に、図３（Ｅ）に示すように、上
記金属層２３、２９の表面にエッチングマスクとなるレ
ジスト膜２４、２４を形成し、その後、該レジスト膜２
４、２４をマスクとして上記金属層２３、２９をエッチ
ングすることにより導体回路３１、３２を形成するが、
更に、そのエッチングにより金属層２３と接するところ
のニッケルからなるエッチングバリア層２２をも同時に
エッチングする。これにより、両面の導体回路３１、３
２が突起２５、２５、・・・により層間接続された配線
回路基板３３が出来上がる。

【００６４】（Ｆ）その後、図３（Ｆ）に示すように、
エッチングマスクとして用いたレジスト膜２４、２４を
除去する。その除去後における配線回路基板３３が本発
明配線回路基板の第２の実施の形態である。尚、この導
体回路３１、３２を形成するところのレジスト膜２４、
２４をマスクとするエッチングは当然のことながら、ニ
ッケル系金属も銅系金属もエッチングできるエッチング
液を使用して行う。すると、ニッケルからなるエッチン
グバリア層２２を金属層２３と共に同じレジスト膜２４
をマスクとする１回の選択的エッチングにより選択的に
除去するので、突起２５形成後これをマスクとしてエッ
チングバリア層２２を選択的に除去する必要がなく、従
って、工程数の低減を図ることができるという利点があ
る。

【００６５】図３に示す第２の実施の形態によれば、図
１、図２に示した第１の実施の形態によると同様の利点
を得ることができるのみならず、エッチングバリア層２
２を金属層２３と共に同じレジスト膜２４をマスクとす
る１回の選択的エッチングにより選択的に除去できるの
で、第１の実施の形態よりも工程数の低減を図ることが
できるという利点もある。

【００６６】図４（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基板
の製造方法の第３の実施の形態を工程順に示すものであ
る。本実施の形態は、第１の実施の形態により製造され
た配線回路基板３３の両面に、第１の実施の形態におけ
る工程（Ａ）から工程（Ｇ）迄の工程でつくられた積層
体２８、２８を積層し、該各積層体２８、２８の金属層
２３、２３を選択的エッチングによりパターニングして
導体回路を形成し、４層の導体回路を得るものである。

【００６７】（Ａ）先ず、図４（Ａ）に示すように上記
配線回路基板３３の両面に上記積層体２８、２８を突起
２５及び層間絶縁層２７が形成された面が配線回路基板
３３側を向くように対向させ位置決めして臨ませる。そ
して、積層プレスにより熱圧着により積層一体化する。（Ｂ）次に、図４（Ｂ）に示すように、上記積層体２
８、２８の金属層２３、２３上にレジスト膜２４、２４
を選択的に形成する。

【００６８】（Ｃ）上記レジスト膜２４、２４をマスク
として上記金属層２３、２３をエッチングすることによ
り導体回路３５、３５を形成する。これにより配線回路
基板３６が出来上がる。この配線回路基板３６が本発明
配線回路基板の第２の実施の形態である。この実施の形
態によれば、導体回路を４層有する配線回路基板３６を
得ることができ、より一層の高密度化を図ることができ
る。

【００６９】図５（Ａ）〜（Ｇ）及び図６（Ｈ）〜
（Ｉ）は本発明配線回路基板の製造方法の第４の実施の
形態を工程順に示す断面図である。（Ａ）図１（Ａ）に示すベース材と同じベース材２０を
用意し、その後、後で突起（２５、２５、・・・）とな
る、銅層２１の表面に、レジスト膜２４を塗布し、その
露光、現像により図５（Ａ）に示すようにパターニング
する。具体的には、各突起（２５、２５、・・・）とな
る部分のみが開口し、突起（２５、２５、・・・）を形
成しない部分を覆うようにレジスト膜２４をパターニン
グする。（Ｂ）次に、図５（Ｂ）に示すように、上記レジスト膜
２４をマスクとして電解メッキ法で半田メッキ層（厚さ
例えば２０μｍ）３７、３７、・・・を形成する。半田
メッキ層は例えば錫Ｓｎ／鉛Ｐｂ或いは錫Ｓｎ／銀Ａｇ
／銅Ｃｕ等からなる。尚、金Ａｕ、銀Ａｇ或いはパラジ
ウムＰｄのメッキ層を形成する場合もある。（Ｃ）次に、図５（Ｃ）に示すように、上記レジスト膜
２４を剥離する。（Ｄ）次に、図５（Ｄ）に示すように、上記半田メッキ
層３７、３７、・・・をマスクとして上記銅からなる金
属層２１を選択的にエッチングすることにより突起２
５、２５、・・・を形成する。（Ｅ）次に、図５（Ｅ）に示すように、ニッケルからな
るエッチングバリア層２２を剥離する。

【００７０】（Ｆ）次に、半田リフロー処理により、図
５（Ｆ）に示すように、上記半田メッキ層３７、３７、
・・・で突起２５、２５、・・・の表面を覆うような状
態にする。（Ｇ）次に、絶縁剤シートを、上記突起２５、２５、・
・・が形成された側の面に熱ローラで圧着することによ
り、図５（Ｇ）に示すように、該絶縁剤シートからなる
層間絶縁層２７を形成する。この場合、突起２５、２
５、・・・の上部が突出するように絶縁剤シートとして
その突起２５、２５、・・・の半田メッキ層３６をも含
めた高さよりも適宜薄いものを用いる。さもないと、突
起２５、２５、・・・の頂部が層間絶縁層２７の表面か
ら突出せず、上下導体回路間を確実に接続することがで
きないからである。この工程でできた積層体を２８ａと
する。

【００７１】（Ｈ）次に、第６図（Ｈ）に示すように、
上記積層体２８の、層間絶縁層２７が形成され、突起２
５、２５、・・・の頂部が突出する側に、例えば厚さ１
８μｍ程度の導体回路形成用の金属層を成す銅箔２９を
臨ませる。（Ｉ）その後、積層プレスにて熱圧着することにより積
層し、上記銅箔２９及び上記金属層２３上にレジスト膜
を選択的に形成し、該レジスト膜をマスクとして上記銅
箔２９及び金属層２３をエッチングすることにより導体
回路３１、３２を形成する。これにより配線回路基板３
３ａができる。この配線回路基板３３ａが本発明配線回
路基板の第３の実施の形態である。

【００７２】本実施の形態は、図１、図２に示した実施
の形態とは、銅層２１を選択的エッチングして突起２
５、２５、・・・を形成する際にエッチングマスクとし
てレジスト膜２４に代えて半田メッキ層３６を用い、そ
の後、その半田メッキ層３６を除去することなく残存さ
せ、絶縁シートからなる層間絶縁層２７を形成する前
に、半田リフローにより突起２５、２５、・・・をその
半田メッキ層３６で覆う状態にするという点で相違す
る。従って、本実施の形態によれば、図１、図２に示し
た実施の形態のように各突起２５、２５、・・・上部に
導電性ペースト２６を塗布すると言うことが必要ではな
くなる。その点でのみ、本実施の形態は図１、図２の実
施の形態と異なり、外には相違点はない。

【００７３】図７（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線回路基板
の第６の実施の形態を工程順に示す断面図である。（Ａ）先ず、図７（Ａ）に示すように、例えば銅等の金
属板からなる単層構造のベース材５１を用意し、その一
方の表面にレジスト膜５２を選択的に形成する。

【００７４】（Ｂ）次に、図７（Ｂ）に示すように、上
記レジスト膜５２をマスクとして上記ベース材５１をそ
の上記表面からハーフエッチングすることにより上下導
体間接続用突起５３を形成する。尚、ハーフエッチング
とは、文字通り厚さの２分の１エッチングするというこ
とではなく、回路層となる部分を残してエッチングする
ことを意味します。（Ｃ）次に、図７（Ｃ）に示すように、上記突起５３の
頂部に必要に応じて導電ペースト、半田、或いは金等の
貴金属、或いは異方性導電膜等接続性を向上させる或い
は接続性について信頼度を高める膜５４をコーティング
する。該膜５４は不可欠というわけではないが、接続性
或いは信頼性をより高くする必要のある場合には設ける
と良い。

【００７５】（Ｄ）次に、図７（Ｄ）に示すように、銅
等からなる金属箔５６を上記ベース材５１の上記一方の
表面に層間絶縁膜５５を介して積層する。（Ｅ）次に、図７（Ｅ）に示すように、上記ベース材５
１の他方の表面部と、上記金属箔５６の表面を選択的に
エッチングすることにより導体回路を形成する。これに
より、図１（Ｋ）に示すのと実質的に同じ配線回路基板
が出来上がる。従って、この配線回路基板を図４（Ｃ）
に示す実施の形態の配線回路基板３６に配線回路基板３
３に代えて用いることができる。即ち、配線回路基板３
３を使用する部分には総てそれに代えて本配線回路基板
を用いることができる。

【００７６】また、銅等の金属箔５６を形成する前の状
態の配線回路基板を、図４に示す実施の形態の配線回路
基板２８に代えて用いることができる。更に、上記金属
箔５６を形成する前の状態の配線回路基板を、図８に示
す配線回路基板４６と同様に多層配線化してより集積密
度を高めることもできる。

【００７７】このような配線回路基板の製造方法によれ
ば、ベース材としてエッチングバリア層のある多層構造
のものを用いる必要はなく、且つ、エッチングバリア層
を除去する工程が必要なので、配線回路基板の製造コス
トの低減を図ることができる。

【００７８】尚、突起５３の形成後、その先端部を粗化
して針状の棘が多数できるようにして、金属箔５６から
なる導体回路との接続性を高めるようにしても良い。粗
化はスプレーエッチングや、ＣＺ処理により為し得る。
また、つぶ銅メッキにより粗化することもできる。ま
た、突起５３を含め銅の表面全面を電解クロメート処理
して電解クロメート膜を形成し、以て突起５３、銅表面
の酸化防止性を向上させ、酸化による銅箔の品質低下を
防止するようにしても良い。

【００７９】尚、図７に示した配線回路基板の上下導体
間接続用突起５３はその形状がコニーデ状（富士山状）
であったが、必ずしもこのようにすることは不可欠では
なく、図８（Ａ）に示すように鼓状にしても良い（５３
ａは鼓状の突起を示す。）。エッチング条件を変えるこ
とにより突起の形状は変わり、鼓状の突起５３ａを形成
することもできる。この突起５３ａは頂部の面が広いの
で、半田、導電ペースト処理などがやりやすく、また、
導体回路との接続性を良好にし易いという利点がある。

【００８０】また、図８（Ｂ）に示すように、槍状の突
起５７を形成するようにしても良い。このように槍状の
突起５７は先が尖っているので層間絶縁膜５５の貫通
性、特にガラスクロス入りのプリプレグに対する貫通性
を向上させ易く、且つ導体回路に食い込み易いので、導
体回路との接続性を高くできるという利点がある。この
ような槍状突起５７は、形成すべき突起よりもレジスト
マスクの径を小さくしてエッチングすることにより形成
できる。或いは、一旦コニーデ状或いは鼓状の突起をレ
ジスト膜等をマスクとする選択的エッチング（勿論ハー
フエッチング）により形成した後、そのマスクを除去
し、再度エッチング（勿論ハーフエッチング）をするこ
とにより形成することができる。

【００８１】図９は本発明配線回路基板の突起５３、５
７或いは２５（突起２５については図１〜図６参照）を
格子の各交点上に配置したことに特徴のある実施の形態
の要部を示す斜視図である。本実施形態においては、所
定の間隔をおいて縦横に（観念的に）設けたラインから
なる格子の各交点上に突起例えば５７を配置することと
したものであり、それ以外の点では他の実施の形態と異
なるところはない。

【００８２】このような配線回路基板によれば、配線回
路基板の機種の如何を問わず、両面の導体回路を選択的
エッチングにより形成するよりも前の段階までは、量産
しておき、その後、機種に応じて異なるパターンの導体
回路を形成することとすることができるので、特定の突
起だけ層間接続用に利用し、その他のものは回路を構成
しないようにすることにより、或いは少しオーバーエッ
チングすることにより不要な突起をエッチングにより取
り除くことができ、他品種の配線回路基板についてその
生産性を高めることができる。

【００８３】図１０は突起例えば５７等を、金属層例え
ば５６等を層間絶縁膜５５を介して積層するときの加圧
力が各突起毎に均一になるように配置した実施形態を示
すもので、このような実施の形態によれば、積層時のプ
レス圧の面内均一性を向上させることができるので、突
起５７のつぶれの度合いの均一性を高めることができ、
また、配線板の板圧の均一度を向上させ、配線回路基板
の信頼度を高めることができる。

【００８４】図１１は上下導体間接続用突起例えば５７
の配置密度が一定でなく、疎の領域と、密の領域がある
場合における密の領域の周りに、上下導体間接続用突起
５７よりも背の低いダミー突起５８を配置し以て上下導
体間接続用突起５７の径、高さの均一性を高めるように
した実施の形態の要部を示す断面図である。即ち、密集
領域においては周辺部と中央部ではエッチング液のスプ
レー後の液の流れが異なるためにエッチングレートが異
なり、液の流れの速い周辺部の突起の方がエッチングレ
ートが高く、径が小さく且つ低くなりがちである。そこ
で、その周囲を回路には直接関与しない（回路を構成し
ない）ダミー突起５８で囲むことにより周辺部の上下導
体間接続用突起５７に対するエッチングレートを低く
し、以て周辺部の上下導体間接続用突起５７も中央部の
上下導体間接続用突起５７と同じ径、同じ高さにしよう
とするのが本実施の形態である。ダミー突起５８がエッ
チング後消失するように他の突起５７よりもマスクとな
るレジスト径を小さくすることも効果的である。

【００８５】また、上下導体間接続用突起間の間隔が大
きい場合には、突起の周辺部と中央とでエッチングレー
トに違いが生じるので、それによる弊害が生じる。そこ
で、各上下導体間接続用突起５７に対してそのまわりに
ダミー突起５８を配置するようにしても良い。図１２
（Ａ）〜（Ｄ）はそのような各別の例を示す平面図であ
る。

【００８６】図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すものは各上下
導体間接続用突起５７の周りにリング状のダミー突起５
８を形成したものであり、そのうち（Ａ）に示すものは
各隣接ダミー突起５８が離間しているもの、（Ｂ）に示
すものは、隣接ダミー突起５８同士が部分的に重なるよ
うにしたものである。

【００８７】図１２（Ｃ）、（Ｄ）に示すものは各上下
導体間接続用突起５７の周りに複数のダミー突起５８を
配置したものであり、（Ｃ）に示すものは各突起５７の
周りの一つの円形ライン上のみに複数のダミー突起５８
を配置したものであり、（Ｄ）に示すものは各突起５７
を取り巻く円形ライン５８ａよりも外側領域に所定間隔
で縦横にダミー突起５８を配置したものである。

【００８８】図１３は上下導体間接続用突起、例えば５
３として高さの異なるもの５３ｈ、５３ｌを混在させた
実施の形態を示す断面図であり、高さの異なる上下導体
間接続用突起、例えば５３を混在させるのは、段差のあ
る接合面に各上下導体間接続用突起、例えば５３を接合
させることができるようにするためである。図１３にお
いて、６０は段差のある接合面を有するコア基板であ
る。該コア基板６０は通常工法による両面配線板のスル
ーホールに銅ペースト１００を充填し、硬化してなり、
銅ペースト１００と銅配線部５４との高さが異なる。そ
して、このコア基板６０の両面に突起５３を上下導体間
接続手段とする配線回路基板が積層されるのである。そ
して、高い突起５３ｈが銅ペースト１１０に、低い突起
５３ｌが銅配線部５４にそれぞれ接続される。

【００８９】尚、高さの異なる突起５３ｈ、５３ｌを形
成することは、ベース材５１の表面を選択的エッチング
するときに用いるレジスト膜によるマスクの各マスク部
分の径を異ならせ、高い突起５３ａを形成すべき部分を
覆うマスク部分の径を大きく、低い突起５３ｂを形成す
べき部分を覆うマスク部分の径を小さくすることによ
り、可能である。

【００９０】ところで、図１３に示す配線回路基板にお
いては、コア基板６０の銅配線膜５４には導電ペース
ト、半田或いは貴金属等の被膜が形成されておらず、こ
れに銅からなる突起、例えば５３（或いは５７）が直接
的に接続されている。このような形態でも本発明は実施
できるのである。このことは、高い突起５３ａと、低い
突起５３ｂを有する形態に対しても、突起５３（或いは
５７）の高さが均一な形態に対しても当てはまる。

【００９１】そして、銅配線膜５４に導電ペースト、半
田或いは貴金属等の被膜を介することなく銅からなる突
起、例えば５３（或いは５７）を直接的に接続したタイ
プのものにおいては、図１３において破線で示すよう
に、同配線膜５４に突起、例えば５３（或いは５７）の
頂部における径よりも小さな孔５４ａを形成するように
しても良い。このようにすると、突起５３（或いは５
７）が銅配線膜５４と接続されるとき突起５３（或いは
５７）の頂部がその孔５４ａに突き当たってこれを崩
し、突起５３と金属膜５４との接続をより強固にするこ
とができるからである。勿論、孔５４ａを形成すること
は、図１３に示すような高さの異なる突起５３ｈ、５３
ｌを有する実施の形態においてであろうと、均一な高さ
の突起５３を有する実施の形態であろうと極めて有効で
ある。

【００９２】図１２（Ａ）、（Ｂ）は上下導体間接続用
突起、例えば５７等と同じ材料及び同じ高さのスペーサ
６１を突起を形成する工程の中で形成し、配線回路基板
の銅ベース材５１からなる導体回路と、該配線回路基板
に積層される図１２では図示しないコア基板等との間隔
を所定どおりに一定に保ち絶縁層の厚さを予め設定した
所定位置にさせ、延いては回路板のインピーダンスコン
トロール性を高めるようにした実施の形態の導体回路形
成前における要部を示すもので、（Ａ）は斜視図、
（Ｂ）は断面図である。

【００９３】即ち、銅ベース材５１の選択的エッチング
により突起を形成し、それを上下導体間の接続用として
用いるが、絶縁シートはもともと厚み公差の良いもので
はなく、また積層時の温度、圧力で出来上がり厚みが変
動するので、絶縁層厚の一定化が難しいものであった。
そのため、それに積層される銅箔、コア基板との間の間
隔が一定にならず、インピーダンスコントロールが難し
かった。そこで、突起と同じ工程でスペーサ６１を適宜
な場所に形成してプレ筋に各スペーサ６１がコア基板に
ぶつかる迄押圧し残余の絶縁材を周辺に押し出すことに
より上下の銅パターン間の間隔を一定にし、インピーダ
ンスコントロール性を高めるようにするのが本実施の形
態なのである。スペーサ６１は例えば格子状に或いは枠
状に形成する等設けるパターンは導体回路の形成に支障
を来さない限りどのように形成しても良い。尚、このス
ペーサ６１を接地ラインとして静電シールドに用いるよ
うにすることもできる。

【００９４】図１５は上下導体間接続用突起として径の
大きいもの５３ｘと径の小さいもの５３ｙを混在させ
て、径の大きい上下導体間接続用突起５３ｘを大電流を
通す上下導体間接続用として、径の小さい上下導体間接
続用突起５３ｙを小電流を通す上下導体間接続用として
用いるようにした実施の形態の要部を示す断面図であ
る。

【００９５】本実施の形態によれば、小電流でも大電流
でも同じ小ささの上下導体間接続用突起に通すことによ
り大電流を通す上下導体間接続用突起で無視できない電
圧降下が生じたり、発熱が生じたりするおそれがなくな
り、また、小電流でも大電流でも同じ大きさの比較的大
きな上下導体間接続用突起に通すことにより小電流を通
す突起が無駄に大きな面積を専有して集積度向上の妨げ
になるというおそれもなくなる。

【００９６】図１６（Ａ）〜（Ｃ）は突起例えば５３、
５７等と同時に位置合わせ用マーク、或いは機種等用の
認識マーク６３を形成するという実施の形態の要部を示
すもので、（Ａ）は突起のある側に銅箔等を層間絶縁膜
を介して積層する前の段階における斜視図、（Ｂ）はマ
ークの一例６３ａである、位置合わせ用マークのパター
ン図、（Ｃ）はマークの別の例６３ｂである、位置合わ
せ用マークのパターン図である。

【００９７】本実施の形態は、突起、例えば５３、５７
等を形成するとき同時にマーク６３を形成するので、マ
ーク６３は突起、例えば５３、５７等と同じ材料からな
り同じ高さを有する。本実施の形態によれば、マーク６
３を突起、例えば５３、５７等と同時に形成するので、
マーク６３を形成するために特別の工程を有しないとい
う利点があると共に、マーク６３と各突起とは同一工程
で形成するので、マーク６３と各突起との位置関係のず
れは最小に抑えることができる。

【００９８】図１７（Ａ）〜（Ｄ）は本発明配線回路基
板の製造方法の第８の実施の形態を工程順に示す断面図
である。（Ａ）先ず、図１７（Ａ）に示すように、コア基板７０
を用意する。７１は樹脂からなる絶縁基板、７２はその
両面に形成された導体回路で、銅からなる。７３は上下
導体間接続用スルーホールである。このコア基板２０の
両面に突起５３或いは５７を有する配線回路基板が積層
されるのである。

【００９９】（Ｂ）次に、上記コア基板２０の上下両面
の導体回路７２のうちの少なくとも積層しようとする配
線回路基板の突起と接続される部分に、図１７（Ａ）に
示すように、導電ペースト、半田或いは貴金属からなる
層７４を形成する。（Ｃ）次に、図１７（Ｃ）に示すように、上記コア基板
２０の上下両面に配線回路基板７５を各突起、例えば５
３が導体回路７２の対応する部分に接するようにして層
間絶縁膜５５を介して積層する。

【０１００】（Ｄ）次に、図１７（Ｄ）に示すように、
上下両面の配線回路基板７５各々のベース材５１を選択
的エッチングことによりパターニングして導体回路を形
成する。これにより２個の配線回路基板７５及びコア基
板２０によりビルドアップしたより高集積化し、且つ突
起と導体回路との接続に関して信頼度の高い配線回路基
板を得ることができる。

【０１０１】尚、各配線回路基板７５のベース材５１の
選択的エッチングによる導体回路の形成は、配線回路基
板７５のコア基板２０両面への積層の前に行うようにし
ても良い。

【０１０２】図１８（Ａ）、（Ｂ）は上記実施例におい
て、導体回路７２の上記突起、例えば５３或いは５７と
対応する部分に該突起５３の頂部の径よりも大きな孔７
２ａを形成することとした例を示すものであり、（Ａ）
は断面図、（Ｂ）は導体回路７２の突起と接続される部
分の形状を示す平面図である。このような例によれば、
突起５３を孔７２ａに、導電ペースト、半田或いは貴金
属からなる層７４を介して部分的に挿入させることがで
きるので、接続強度をより強めることができ、信頼度を
高めることができる。

【０１０３】図１８（Ｃ）は導電ペースト、半田或いは
貴金属からなる層７４の形成後、表面を研磨して該層７
４の導体回路７２上の部分を除去し、上記孔７２ａ内の
みに導電ペースト、半田或いは貴金属７４が存在するよ
うにした例を示す断面図である。この場合、例えば配線
回路基板７５を積層するとき突起５３或いは５７がその
孔７２ａ内の導電ペースト、半田或いは貴金属７４に突
き刺さった状態で導体回路７２と接続される。

【０１０４】図１９（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基
板の製造方法の第１０の実施の形態を工程順に示す断面
図である。（Ａ）図１９（Ａ）に示すように、配線回路基板の突
起、例えば５３或いは５７等のある側の面に層間絶縁膜
５５を介して積層する銅箔として、上記突起と接続され
るべき部分に予め導電ペースト、半田乃至貴金属（例え
ば金）等の接続性を向上乃至確保する金属膜７６を形成
したもの５６を用意する。

【０１０５】（Ｂ）次に、図１９（Ｂ）に示すように、
上記銅箔５６の上記金属膜７６形成側の面を層間絶縁膜
５５を介してベース材５１の突起５３形成側の面に臨ま
せる。（Ｃ）次に、図１９（Ｃ）に示すように、上記銅箔５６
を層間絶縁膜５５を介して突起、例えば５３のあるベー
ス材５１を積層する。すると、突起、例えば５３が層間
絶縁膜５５を突き破り、金属膜７６に接した状態にな
る。

【０１０６】その後は、図示はしないが、ベース材５１
と銅箔５６を同時乃至異時に選択的エッチングすること
により両面に導体回路を形成する。このような実施の形
態によれば、突起、例えば５３と銅箔５６からなる導体
回路との接続性を良好にすることができる。

【０１０７】図２０は本発明配線回路基板の層間絶縁膜
５５として異方性導電膜５５ａを用いる実施の形態を示
す断面図である。本実施の形態によれば、層間絶縁膜と
して金属粒子を分散させた異方性導電膜５５ａを用いる
ので、突起５３と銅箔５６とにより挟まれている部分に
おいてはその部分における上下方向の加圧力により突起
５３銅箔５６との間に導電粒子が介在し、その粒子が押
圧されることにより両面に突き刺さる等接続の信頼を向
上させ、導電性を帯びるが、それ以外の部分では絶縁性
を保持する。従って、突起５３と銅箔５６との接続性を
異方性導電膜５５ａにより確保することができ、且つ層
間絶縁膜に要求される絶縁性も確保できる。

【０１０８】尚、異方性導電膜を突起上、例えば５３上
のみに形成し、層間絶縁膜は普通の絶縁性樹脂により形
成するようにしても良い。その場合は、突起と例えば銅
箔５６との間の電気的接続はその異方性導電膜によりと
り、絶縁は普通の絶縁性樹脂により確保することにな
る。

【０１０９】

【０１１０】更に、突起を金属層により形成することが
でき、金属層を例えば銅等比較的低価格材料で形成する
ことができるので、従来の孔を埋める或いは印刷により
形成された導電性ペーストを上下導体回路間接続手段と
して用いた場合よりも配線回路基板の低価格化を図るこ
とができる。また、上述したように、突起を金属層の選
択的エッチングにより形成するので、高さを均一にで
き、高さの不均一による上下導体回路間接続不良の発生
するおそれがない。また、突起が導体回路を成す金属層
と一体的であるから、従来よりも突起形成部の機械的強
度を強めることができる。

【０１１１】請求項２の配線回路基板によれば、上記突
起の表面に表面処理剤として導電性ペースト材料がコー
ティングしたので、突起と導体回路の接合性をその導電
性ペーストにより高めることができる。

【０１１２】請求項３の配線回路基板の製造方法によれ
ば、突起形成用の金属層上にエッチングバリア層を形成
し、該エッチングバリア層上に導体回路となる金属層を
形成したものを用意し、上記突起形成用の金属層を、上
記エッチングバリア層を侵さないエッチング液により選
択的にエッチングすることにより突起を形成し、上記エ
ッチングバリア層のみを上記突起をマスクとして上記導
体回路を成す金属層を侵さないエッチング液で除去し、
上記導体回路を成す金属層の上記突起形成側の面に層間
絶縁用の絶縁層を形成して該突起を上記導体回路に接続
された層間接続手段とするので、請求項１の配線回路基
板を得ることができ、請求項１の配線回路基板について
述べたと同様の効果を奏する。

【０１１３】請求項４の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項３の配線回路基板の製造方法における突起を
マスクとするエッチングバリア層の選択的エッチングを
行わないで、導体回路を成す金属層の選択的エッチング
の際にその金属層と共に上記エッチングバリア層をもエ
ッチングすることととするので、エッチングバリア層の
不要部分を除去するためだけの工程をなくすことができ
る。従って、製造工程の低減を図ることができる。

【０１１４】請求項５の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項３又は４記載の配線回路基板の製造方法にお
いて、上記ベースメタルからなる層を選択的にエッチン
グして上記突起を形成する際に、エッチングマスクとし
て金属層を用い、上記突起の形成後においても上記エッ
チングマスクとして用いた金属層を残存させてその金属
層で突起表面を全面的に覆う状態にするので、各突起上
部に導電性ペーストを塗布する面倒な作業をしなくて
も、エッチングマスクとして用いた金属層を該各突起と
導体回路との間の接続性を高める手段として用いること
ができる。

【０１１５】請求項６の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項１の配線回路基板と金属箔を積層し、該配線
回路基板の金属層と該金属箔を共に選択的にエッチング
することにより、層間絶縁膜により層間絶縁された導体
回路を両面に有し、その導体回路間を層間絶縁膜を貫通
する突起で電気的に接続した配線回路基板を得ることが
できる。

【０１１６】請求項７の配線回路基板の製造方法によれ
ば、請求項６の配線回路基板の製造方法により製造され
た配線回路基板の両面に、請求項１の配線回路基板を積
層し、加圧して一体化し、その上で一体化されたものの
両面に存在する金属層を選択的にエッチングすることに
より両面に導体回路を形成するので、４層の導体回路を
有する配線回路基板を得ることができる。

【０１１７】請求項８の配線回路基板、請求項９の配線
回路基板の製造方法によれば、一層又は多層の導体回路
の一方の主面に開口を有した絶縁層を介してベースメタ
ルからなり、上記開口を通じて上記導体回路と電気的に
接続された突起を有し、上記絶縁層の該突起が形成され
た側に層間絶縁膜を形成した２個の配線回路基板を、突
起及び層間絶縁膜が形成された側が内側を向くように直
接に又は配線回路基板を介して積層加圧されて一体化す
るので、配線回路基板の導体回路の層数を極めて多くす
ることができ、実装密度を高めることができる。

【０１１８】請求項１０の配線回路基板によれば、請求
項８の配線回路基板の両面にＬＳＩチップ若しくはパッ
ケージを搭載したので、ＬＳＩチップ若しくはパッケー
ジを高密度に実装した配線回路基板を得ることができ
る。そして、パッドが配線膜と一体なので、パットオン
ビアの構造強化が可能であり、配線回路基板の小型化も
容易となる。

【０１１９】請求項１１の配線回路基板によれば、導体
回路を成す金属層上に、該金属層とは同じ金属から成る
上下導体間接続用突起を形成したので、金属層及びそれ
に選択的に形成される突起を成すベース材として単層構
造のものを用いることができるので、材料費を節減でき
る。そして、突起をベース材のハーフエッチングにより
形成することが可能となり、延いてはエッチングバリア
層を除去する工程が必要ではなくなるので、工数の低減
を図ることができる。従って、配線回路基板の低価格化
を図ることができる。

【０１２０】請求項１２の配線回路基板によれば、請求
項１１の配線回路基板と同様に、金属層及びそれに選択
的に形成される突起を成すベース材として単層構造のも
のを用いることができるので、材料費を節減することが
可能となり、工数の低減を図ることができる。従って、
配線回路基板の低価格化を図ることができる。

【０１２１】請求項１３の配線回路基板によれば、金属
膜の突起と対応する部分に、その突起の頂部よりも小さ
い径の孔を形成したので、その突起が金属膜と接続され
るとき突起の頂部がその孔に突き当たってこれを崩し、
突起と金属膜との接続をより強固にすることができる。
従って、接続をより強固にし、接続の信頼性を向上させ
ることができる。

【０１２２】請求項１４の配線回路基板によれば、上下
導体間接続用突起が槍状に形成されているので、突起に
より層間絶縁膜を、通常使用されるガラスクロス入りガ
ラエポプリプレグにおいては効果的且つ確実に突き破
り、更には積層される金属層に突き刺さり、突起と金属
層との接続性をより確実なものにできる。

【０１２３】請求項１５の配線回路基板よれば、上下導
体間接続用がコニーデ状なので、その頂部を平面にで
き、突起高さが不均一になるおそれがなく、また、導体
回路を成すベース材とそれに層間絶縁膜を介して積層さ
れる導体回路を成す金属層との間隔を上下導体間接続用
により一定の値に確保できる。

【０１２４】請求項１６の配線回路基板によれば、上下
導体間接続用突起が鼓状なので、その頂部の平面の面積
をより広くでき、より確実に導体回路を成すベース材・
金属層間の間隔を一定に確保する効果をより確実に得る
ことができる。

【０１２５】請求項１７の配線回路基板によれば、上下
導体間接続用突起の表面が粗化或いはつぶメッキされて
いるので、その頂部と金属層間の接続性をより高めるこ
とができる。

【０１２６】請求項１８の配線回路基板によれば、上下
導体間接続用突起が銅からなり、その表面が電解クロメ
ート処理されているので、金属層の表面が酸化されるこ
とを防止することができ、延いては該突起と金属層との
電気的接続の信頼度を高めることができる。

【０１２７】請求項１９の配線回路基板の製造方法によ
れば、金属板（ベース材）その一方の表面に選択的にマ
スク膜を形成し、これをマスクとして上記金属板をハー
フエッチングすることにより導体回路となる金属層と突
起を形成し、上記導体回路となる金属層の上記突起が形
成された側の表面に層間絶縁層を介して金属層を積層
し、上記層間絶縁層の両方の表面の金属層を同時又は異
時に選択的にパターニングすることにより配線膜を形成
するので、請求項１２の配線回路基板を得ることができ
る。

【０１２８】請求項２０の配線回路基板によれば、上下
導体間接続用突起とそれに接続された金属層との間に異
方性導電膜を介在させたので、該上下導体間接続用突起
と金属層との接続を異方性導電膜中の金属粒子を介する
ことにより確実にとることができる。

【０１２９】請求項２１の配線回路基板の製造方法によ
れば、金属層を積層する前に突起と該金属層との間に異
方性導電膜を介在させる工程を設けたので、請求項２０
の配線回路基板を得ることができる。

【０１３０】請求項２２の配線回路基板によれば、金属
層の表面に多数の金属からなる導体間接続用突起を一定
の間隔をもった格子の交点上に配置したので、配線回路
基板の機種の如何を問わず、両面の導体回路を選択的エ
ッチングにより形成するよりも前の段階までは、標準品
として量産しておき、その後、機種に応じて異なるパタ
ーンの導体回路を形成することとすることができるの
で、他品種の配線回路基板についてその生産性を高める
ことができる。それと共に、マスクも品種により変える
必要がなく、銅エッチング量も少なくて済むことから、
他品種少量生産から少品種大量生産まで対応することが
でき、経済性向上に大きく寄与する。

【０１３１】請求項２３の配線回路基板によれば、各上
下導体間接続用突起を、上記基板両面から加圧したとき
各上下導体間接続用突起が均一な加圧力を受けるように
配置したので、各突起の潰れ具合を均一にすることがで
き、延いては接続性を均一にすることができ、信頼度を
高めることができる。

【０１３２】請求項２４の配線回路基板によれば、各上
下導体間接続用密集領域の周辺部には密集した上下導体
間接続用突起とは別に小さいダミー突起を配置したの
で、密集領域の周辺部の上下導体間接続用のエッチング
レートを中央部の上下導体間接続用並に小さくすること
が可能となり、上下導体間接続用のエッチングレートの
均一化を図ることができ、延いては各上下導体間接続用
の径、高さの均一化を図ることができる。

【０１３３】請求項２５の配線回路基板によれば、導体
間接続用突起が複数通りの異なる高さを持つので、段差
のある接合面、或いは銅ペーストと銅パターン面等、接
合機構の異なる面に支障なく積層することが可能とな
る。

【０１３４】請求項２６の配線回路基板によれば、導体
間接続用突起が複数通りの異なる径を持つようにされた
ので、通る電流に応じて大電流が通る突起は径を大きく
し、小電流が通る突起は径を小さくすることができ、小
さな径の突起に大きな電流が流れて電圧降下が生じた
り、ジュール熱が発生したり、小さな電流しか流れない
のに径が大きいため突起が無駄に面積を専有するという
問題の生じるおそれがない。

【０１３５】請求項２７の配線回路基板は、上下導体間
接続用突起と同じ材料で同じ高さで形成されたスペーサ
を有するので、該スペーサによりベース材と金属層との
間隔を一定にし、インピーダンスコントロール性を高め
ることができる。また、このスペーサを接地して静電シ
ールドに用いるようにすることもできる。

【０１３６】請求項２８の配線回路基板の製造方法は、
上下導体間接続用突起と同じ工程でスペーサを形成する
ので、このスペーサによりベース材と金属層との間隔を
確保することのできる請求項２７の配線回路基板を工程
を増すことなく形成することができる。

【０１３７】請求項２９の配線回路基板は、認識マーク
を有するので、位置合わせや機種の認識を該認識マーク
により為し得る。

【０１３８】請求項３０の配線回路基板の製造方法は、
上記上下導体間接続用突起と同じ工程で認識マークを形
成するので、工程数を増すことなく認識マークを形成し
た請求項２９の配線回路基板を得ることができる。

【０１３９】請求項３１の配線回路基板によれば、絶縁
性ベースの上下両表面の導体回路間を電気的に接続する
スルーホールが形成されコアとなる回路基板の両表面
に、金属層からなり選択的に形成された上下導体間接続
用突起を有する配線回路の突起形成側の面に絶縁層が該
上下導体間接続用突起によって貫通された状態で形成さ
れた別の回路基板を、その上下導体間接続用突起の先端
が上記金属層からなる配線回路に接続される状態で積層
した配線回路基板において、上記上下導体間接続用突起
と上記配線回路とが導電ペースト、半田又は貴金属層を
介して接続したので、ビルドアップにより高集積化しつ
つ、回路基板間の電気的接続性、接続の信頼性を高める
ことができる。

【０１４０】請求項３２の配線回路基板によれば、導体
回路を成す金属層にそれと同じ金属から成る上下導体間
接続用突起が選択的に形成されたものに層間絶縁膜を介
して積層された導体回路を成す金属層に、上記上下導体
間接続用突起と接する半田、導電ペースト又は貴金属膜
を設けたので、金属層と突起とを該半田、導電ペースト
又は貴金属膜を介して接続することができ、その間の電
気的接続性を良好にできる。

【０１４１】請求項３３の配線回路基板の製造方法によ
れば、導体回路となる金属層上に該金属層とは同じ金属
から成る上下導体間接続用突起が選択的に形成したもの
の上下導体間接続用突起形成側に、層間絶縁層を介し
て、上記導体回路とは別の導体回路となる金属層上に上
記上下導体間接続用突起に対応して半田、導電ペースト
又は貴金属膜を形成したものを積層するので、請求項３
４、３５の配線回路基板を得ることができる。

【０１４２】請求項３４の配線回路基板は、層間絶縁膜
として異方性導電膜を用いたので、突起と金属層との間
に介在してもその層間絶縁膜が受ける加圧力により導電
性を帯びるので、突起と金属層との間を確実に電気的に
接続することができる。

【図面の簡単な説明】

【図７】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明配線回路基板の第６の
実施の形態を工程順に示す断面図である。

【図８】（Ａ）、（Ｂ）は本発明配線回路基板の上下導
体間接続用突起の各別の例を示す断面図である。

【図９】本発明配線回路基板の突起を格子の各交点上に
配置した実施の形態の要部を示す斜視図である。

【図１０】本発明配線回路基板の積層時に各突起が受け
る加圧力が各突起毎に均一になるように配置した実施の
形態を示す斜視図である。

【図１１】本発明配線回路基板の上下導体間接続用突起
の高さ、径を均一にするために、エッチングレートを均
一にするためのダミー突起を設けた実施の形態を示す断
面図である。

【図１２】（Ａ）〜（Ｄ）はダミー突起を設けた別の各
別の実施の形態を示す平面図である。

【図１３】本発明配線回路基板の高さの異なる上下導体
間接続用突起を混在させて段差のある接合面に対応させ
た実施の形態を示す断面図である。

【図１４】（Ａ）、（Ｂ）は本発明配線回路基板の突起
と同じ材料、高さのスペーサを設けた実施の形態を示す
もので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は断面図である。

【図１５】本発明配線回路基板の径の異なる上下導体間
接続用突起を混在させた実施の形態を示す断面図であ
る。

【図１６】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基板の突起
と同じ材料からなる認識マークを設けた実施の形態を示
すもので、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は認識マークの平面
図、（Ｃ）は（Ｂ）のものとはパターンの異なる別の認
識マークの平面図である。

【図１７】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明配線回路基板の製造
方法の第７の実施の形態を工程順に示す断面図である。

【図１８】（Ａ）〜（Ｃ）は導体回路の突起と対応する
部分に該突起頂部の径よりも大きな孔を形成することと
した例を示すものであり、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は導
体回路の突起と接続される部分の形状を示す平面図、
（Ｃ）は導電ペースト、半田或いは貴金属からなる層の
形成後、表面を研磨して該層の導体回路上の部分を除去
し、上記孔内のみに導電ペースト、半田或いは貴金属が
存在するようにした例を示す断面図である。

【図１９】（Ａ）〜（Ｃ）は本発明配線回路基板の製造
方法の第８の実施の形態を工程順に示す断面図である。

【図２０】本発明配線回路基板の層間絶縁膜として異方
性導電膜を用いた実施の形態を示す断面図である。

【図２１】（Ａ）〜（Ｆ）は高密度実装用配線回路基板
に関する一つの従来例を説明するためのもので、配線回
路基板の製造方法の工程（Ａ）〜（Ｆ）を順に示す断面
図である。

【図２２】上記従来例の配線回路基板の製造方法の工程
（Ｇ）〜（Ｉ）を順に示す断面図である。

【図２３】（Ａ）〜（Ｇ）は高密度実装用配線回路基板
に関する別の従来例を説明するためのもので、配線回路
基板の製造方法を工程順（Ａ）〜（Ｇ）に示す断面図で
ある。

【符号の説明】２０・・・ベース材、２１、２１ａ・・・突起形成用金
属層（銅層）、２２・・・エッチングバリア層、２３・
・・導体回路形成用金属層（銅箔）、２５・・・突起、
２６・・・導電性ペースト、２７・・・層間絶縁膜、２
８・・・積層体、２９・・・導体回路形成用金属層（銅
箔）、３０・・・積層体、３１、３２・・・導体回路、
３３、３３ａ・・・配線回路基板、３５・・・導体回
路、３６・・・配線回路基板、３７・・・突起形成用マ
スク兼突起被覆半田メッキ膜、４０・・・絶縁膜、４１
・・・開口、４２・・・導体回路、４３・・・絶縁膜、
４４・・・開口、４５・・・突起状端子、４６、４７・
・・配線回路基板、４８・・・ＬＳＩチップ、５１・・
・ベース材（銅からなる金属層）、５３、５７・・・上
下導体間接続用突起、５４・・・導体ペースト、半田或
いは貴金属膜、５５・・・層間絶縁膜、５５ａ・・・層
間絶縁膜を成す異方性導電膜、５６・・・金属層、５８
・・・ダミー突起、６１・・・スペーサ、６３・・・認
識マーク、７０・・・コアの配線回路基板、７２・・・
金属層、７２ａ・・・孔、７３・・・スルーホール、７
４・・・導電ペースト、半田或いは貴金属膜。

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図７】

【手続補正３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図８

【補正方法】変更

【補正内容】

【図８】

【手続補正４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図９

【補正方法】変更

【補正内容】

【図９】

【手続補正５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１０】

【手続補正６】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１１】

【手続補正７】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１２】

【手続補正８】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１３】

【手続補正９】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１４】

【手続補正１０】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１５

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１５】

【手続補正１１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１６】

【手続補正１２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１７】

【手続補正１３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１８

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１８】

【手続補正１４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１９

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１９】

【手続補正１５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２０

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２０】

【手続補正１６】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２１】

【手続補正１７】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２２】

【手続補正１８】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２３】

【手続補正１９】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２４

【補正方法】削除

【手続補正２０】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２５

【補正方法】削除

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｈ０５Ｋ 3/06 Ａ 3/06 Ｋ 3/38 Ｂ 3/38 3/40 Ｋ 3/40 Ｈ０１Ｌ 23/12 ＦＦターム(参考） 5E317 AA24 BB02 BB11 CC22 CC25 CC53 CC60 CD23 CD25 GG11 GG14 5E338 AA02 AA03 AA16 AA18 CC01 CD03 DD12 DD22 DD32 EE41 5E339 AB02 AD03 AD05 BC01 BC02 BD03 BD05 BE13 BE15 CD05 CE15 5E343 AA02 AA12 BB08 BB16 BB22 BB24 BB34 BB54 BB67 BB72 DD01 DD75 EE54 EE55 GG01 5E346 AA12 AA15 AA22 AA35 AA43 AA60 BB01 BB16 CC08 CC32 CC40 DD03 DD12 DD32 DD34 EE02 EE06 EE17 EE19 FF24 GG22 GG25 GG27 GG28 HH07 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体回路となる金属層上に、該金属層と
は別の金属から成るエッチングバリア層を介して金属か
ら成る突起が、選択的に形成され、上記導体回路の上記突起が形成された側の面に層間絶縁
層が形成され、上記突起が上記絶縁層を貫通して上記導体回路となる金
属層と他との層間接続手段を成していることを特徴とす
る配線回路基板。
【請求項２】上記突起の表面に表面処理剤として導電
性ペースト材料がコーティングされたことを特徴とする
請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】突起形成用の金属層上にそれとは別の金
属から成るエッチングバリア層を形成し、該エッチング
バリア層上に導体回路となる金属層を形成したものを用
意する工程と、上記突起形成用の金属層を、上記エッチングバリア層を
侵さないエッチング液により選択的にエッチングするこ
とにより突起を形成する工程と、上記エッチングバリア層のみを上記突起をマスクとして
上記導体回路を成す金属層を侵さないエッチング液で除
去する工程と、上記導体回路を成す金属層の上記突起形成側の面に層間
絶縁用の絶縁層を形成して該突起を上記導体回路に接続
された層間接続手段とする工程と、を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項４】突起形成用の金属層上にそれとは別の金
属から成るエッチングバリア層を形成し、該エッチング
バリア層上に導体回路となる金属層を形成したものを用
意する工程と、上記突起形成用の金属層を、上記エッチングバリア層を
侵さないエッチング液により選択的にエッチングするこ
とにより突起を形成する工程と、上記導体回路を成す金属層の上記突起形成側の面に層間
絶縁用の絶縁層を形成して該突起を上記導体回路に接続
された層間接続手段とする工程と、上記導体回路となる上記エッチングバリア層上の金属層
を該エッチングバリア層と共にエッチングマスク層をマ
スクとする選択エッチングにより除去することによって
導体回路を形成する工程と、を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項５】上記突起形成用の金属層を選択的にエッ
チングして上記突起を形成する際に、エッチングマスク
として金属層を用い、上記突起の形成後においても上記エッチングマスクとし
て用いた金属層を残存させてその金属層で突起表面を全
面的に覆う状態にすることを特徴とする請求項３又は４
記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項６】請求項１記載の配線回路基板の上記突起
及び上記層間絶縁膜が形成された側の面に、上記導体回
路とは別の導体回路を形成する導体回路形成用の金属箔
を積層して加圧加熱することにより一体化し、その後、上記導体回路形成用の金属層及び導体回路形成
用の金属箔を選択的にエッチングすることにより両面に
導体回路を形成することを特徴とする配線回路基板の製
造方法。
【請求項７】請求項６の配線回路基板の製造方法によ
り製造された第１の配線回路基板と、導体回路形成用金
属層上に、該金属層とは別の金属から成るエッチングバ
リア層を介して金属から成る突起が、選択的に形成さ
れ、上記導体回路の上記突起が形成された側の面に層間
絶縁層が形成され、上記突起が上記絶縁層を貫通して上
記導体回路となる金属層と他との層間接続手段を成して
いる２個の第２の配線回路基板を用意し、上記第１の配線回路基板の両面に、上記２個の第２の配
線回路基板を、この配線回路基板の突起及び層間絶縁膜
の形成された側の面が内側を向くようにサンドイッチ状
に重ねて積層して加圧加熱することにより一体化し、上記一体化されたものの両面に位置する２つの導体回路
形成用金属層を選択的にエッチングすることにより両面
に導体回路を形成することを特徴とする配線回路基板の
製造方法。
【請求項８】一層又は多層の導体回路の一方の主面に
開口を有した絶縁層を介して導体形成用金属層からなり
上記開口を通じて上記導体回路と電気的に接続された突
起を形成し上記絶縁層の該突起が形成された側に層間絶
縁膜を形成した２個の配線回路基板を、突起及び層間絶
縁膜が形成された側が内側を向くように直接に又は配線
回路基板を介して積層加圧されて一体化されたことを特
徴とする配線回路基板。
【請求項９】一層又は多層の導体回路の一方の主面に
開口を有した絶縁層を介して導体回路形成用金属層から
なり上記開口を通じて上記導体回路と電気的に接続され
た突起を形成し上記絶縁層の該突起が形成された側に層
間絶縁膜を形成した２個の配線回路基板を用意し、上記２個の配線回路基板を上記突起及び層間絶縁膜が形
成された側が内側を向くようにして直接に又は別の配線
回路基板を介して積層加圧して一体化することを特徴と
する配線回路基板の製造方法
【請求項１０】請求項８に記載された配線回路基板の
両面にＬＳＩチップ若しくはパッケージを搭載されてな
ることを特徴とする配線回路基板。
【請求項１１】導体回路を成す金属層上に、該金属層
とは同じ金属から成る上下導体間接続用突起が、選択的
に形成され、上記導体回路の上記突起が形成された側の面に層間絶縁
層が形成され、上記上下導体間接続用突起が上記絶縁層を貫通して上記
導体回路となる金属層と他との層間接続手段を成してい
ることを特徴とする配線回路基板。
【請求項１２】第１の導体回路を成す金属層上に、該
金属層とは同じ金属から成る上下導体間接続用突起が、
選択的に形成され、上記導体回路の上記突起が形成された側の面に層間絶縁
層が該突起に貫通された状態で形成され、上記突起及び上記層間絶縁層の表面に金属層からなる第
２の導体回路が形成され、上記第１と第２の導体回路が上記突起を介して電気的に
接続されたことを特徴とする配線回路基板。
【請求項１３】上記第２の導体回路を成す金属層の上
記上下導体間接続用突起と対応する部分に該突起の頂部
における径よりも小さな径の孔が形成されてなることを
特徴とする請求項１２記載の配線回路基板。
【請求項１４】上記突起が槍状に形成されたことを特
徴とする請求項１１、１２又は１３記載の配線回路基
板。
【請求項１５】上記突起がコニーデ状に形成されたこ
とを特徴とする請求項１１、１２又は１３記載の配線回
路基板。
【請求項１６】上記突起が鼓状に形成されたことを特
徴とする請求項１１、１２又は１３記載の配線回路基
板。
【請求項１７】上記突起の表面が粗化或いはつぶメッ
キされたことを特徴とする請求項１１、１２、１３、１
４、１５又は１６記載の配線回路基板。
【請求項１８】突起が銅からなり、その表面が電解ク
ロメート処理されてなることを特徴とする請求項１１、
１２、１３、１４、１５、１６又は１７記載の配線回路
基板。
【請求項１９】導体回路を成す金属層と突起を形成す
るための金属板を用意し、その一方の表面に選択的にマ
スク膜を形成する工程と、上記マスク膜をマスクとして上記金属板をハーフエッチ
ングすることにより導体回路となる金属層とその上記一
方の表面に一体に選択的に形成された突起を形成する工
程と、上記導体回路となる金属層の上記突起が形成された側の
表面に層間絶縁層を介して金属層を積層する工程と、上記絶縁層の両方の表面の金属層を同時又は異時に選択
的にパターニングすることにより配線膜を形成する工程
と、を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項２０】上記上下導体間接続用突起とそれに接
続される上記金属層との間に異方性導電層を介在させた
ことを特徴とする請求項１２又は１３記載の配線回路基
板の製造方法。
【請求項２１】金属層を積層する前に、上記突起と該
金属層との間に異方性導電膜を介在させる工程を有する
ことを特徴とする請求項１９記載の配線回路基板の製造
方法。
【請求項２２】金属層の表面に多数の金属からなる導
体間接続用突起を一定の間隔をおいて配列された格子の
各交点上に配置し、上記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上
に層間絶縁層を該導体間接続用突起に貫通された状態で
設け、上記層間絶縁層の上記上下導体間接続用突起を含む表面
に金属層を形成してなることを特徴とする配線回路基
板。
【請求項２３】金属層の表面に多数の金属からなる導
体間接続用突起を配置し、上記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上
に層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上
記金属層とは別の金属層を形成してなる配線回路基板で
あって、上記各上下導体間接続用突起を、上記基板両面から加圧
したとき各上下導体間接続用突起が均一な加圧力を受け
るように配置してなることを特徴とする配線回路基板。
【請求項２４】金属層の表面に多数の金属からなる導
体間接続用突起を配置し、上記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上
に層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上
記金属層とは別の金属層を形成してなる配線回路基板で
あって、上記上下導体間接続用突起の周辺又は上下導体間が密集
した密集領域の周辺に上下導体間接続用突起よりも背の
小さなダミー突起を配置してなることを特徴とする配線
回路基板。
【請求項２５】金属層の表面に多数の金属からなる導
体間接続用突起を配置し、上記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上
に層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上
記金属層とは別の金属層を形成してなる配線回路基板で
あって、上下導体間接続用突起が複数通りの異なる高さを持つよ
うにされたことを特徴とする配線回路基板
【請求項２６】金属層の表面に多数の金属からなる導
体間接続用突起を配置し、上記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上
に層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上
記金属層とは別の金属層を形成してなる配線回路基板で
あって、上下導体間接続用突起が複数通りの異なる径を持つよう
にされたことを特徴とする配線回路基板
【請求項２７】金属層の表面に多数の金属からなる導
体間接続用突起を配置し、上記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上
に層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上
記金属層とは別の金属層を形成してなる配線回路基板で
あって、上下導体間接続用突起と同じ材料で同じ高さで形成され
たスペーサを有することを特徴とする配線回路基板
【請求項２８】金属層の表面に多数の金属からなる導
体間接続用突起を配置し、上記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上
に層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上
記金属層とは別の金属層を形成してなり、上下導体間接続用突起と同じ材料で同じ高さで形成され
たスペーサを有する配線回路基板の製造方法であって、上記上下導体間接続用突起と同じ工程でスペーサを形成
することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項２９】金属層の表面に多数の金属からなる導
体間接続用突起を配置し、上記金属層の上記導体間接続用突起が形成された表面上
に層間絶縁層を該突起に貫通された状態で設け、上記層間絶縁層の上記導体間接続用突起を含む表面に上
記金属層とは別の金属層を形成してなる、上記上下導体間接続用突起と同じ材料で同じ高さに形成
された認識マークを有することを特徴とする配線回路基
板。
【請求項３０】金属層の表面に多数の金属からなる導
体間接続用突起を配置し、上記金属層の上記導体間接続
用突起が形成された表面上に層間絶縁層を該突起に貫通
された状態で設け、上記層間絶縁層の上記導体間接続用
突起を含む表面に上記金属層とは別の金属層を形成して
なり、上記上下導体間接続用突起と同じ材料で同じ高さ
に形成された認識マークを有する配線回路基板の製造方
法であって、上記上下導体間接続用突起と同じ工程で認識マークを形
成することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項３１】絶縁性樹脂からなるベースの上下両表
面に金属層からなる配線回路が形成され、上記両表面の
配線間を電気的に接続するスルーホールが上記ベースを
成す絶縁性樹脂に形成されたコアとなる回路基板と、上記回路基板の両表面に、それぞれ、金属層からなり選
択的に形成された上下導体間接続用突起を有する配線回
路の突起形成側の面に絶縁層が該上下導体間接続用突起
によって貫通された状態で形成された別の回路基板を、
その上下導体間接続用突起の先端が上記金属層からなる
配線回路に接続される状態で積層した配線回路基板であ
って、上記上下導体間接続用突起と上記配線回路とが導電ペー
スト又は貴金属層を介して接続されたことを特徴とする
配線回路基板。
【請求項３２】絶縁性樹脂からなるベースの上下両表
面に金属層からなる配線回路が形成され、上記両表面の
配線間を電気的に接続するスルーホールが上記ベースを
成す絶縁性樹脂に形成されたコアとなる回路基板と、該
回路基板の両表面に、それぞれ、金属層からなり選択的
に形成された上下導体間接続用突起を有する配線回路の
突起形成側の面に絶縁層が該上下導体間接続用突起によ
って貫通された状態で形成された別の回路基板を、その
上下導体間接続用突起の先端が上記金属層からなる配線
回路に導電ペースト又は貴金属層を介して接続された状
態で積層された配線回路基板の製造方法であって、上記コアとなる回路基板と、その両表面に別の回路基板
を積層する前に、予め該コアとなる回路基板の配線回路
を成す金属層の表面に、導電ペースト又は貴金属層を形
成しておくことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項３３】導体回路を成す金属層上に、該金属層
とは同じ金属から成る上下導体間接続用突起が、選択的
に形成され、上記導体回路の上記上下導体間接続用突起が形成された
側の面に層間絶縁層が該上下導体間接続用突起によって
貫通された状態で形成され、上記層間絶縁層上に、上記導体回路とは別の導体回路を
成す金属層の一表面に上記上下導体間接続用突起と対応
して半田、導電ペースト又は貴金属膜が形成されたもの
の上記一表面が、その半田、導電ペースト又は貴金属膜
に上記上下導体間接続用突起が接続されるように積層さ
れてなることを特徴とする配線回路基板。
【請求項３４】上記別の導体回路を成す金属膜の上記
上下導体間接続用突起と対応と対応する部分に大きい孔
を有することを特徴とする請求項３３記載の配線回路基
板。
【請求項３５】導体回路を成す金属層上に、該金属層
とは同じ金属から成る上下導体間接続用突起が、選択的
に形成され、上記導体回路の上記上下導体間接続用突起が形成された
側の面に層間絶縁層が該上下導体間接続用突起によって
貫通された状態で形成され、上記層間絶縁層上に、上記導体回路とは別の導体回路を
成す金属層の一表面に上記上下導体間接続用突起と対応
して半田、導電ペースト又は貴金属膜が形成されたもの
の上記一表面が、その半田、導電ペースト又は貴金属膜
に上記上下導体間接続用突起が接続されるように積層さ
れてなることを特徴とする配線回路基板。
【請求項３６】導体回路を成す金属層上に、該金属層
とは同じ金属から成る上下導体間接続用突起が選択的に
形成され、上記導体回路の上記上下導体間接続用突起が
形成された側の面に層間絶縁層が該上下導体間接続用突
起によって貫通された状態で形成され、上記層間絶縁層
上に、上記導体回路とは別の導体回路を成す金属層の一
表面に上記上下導体間接続用突起と対応して半田、導電
ペースト又は貴金属膜が形成したものの上記一表面が、
その半田、導電ペースト又は貴金属膜に上記上下導体間
接続用突起が接続されるように積層されてなる配線回路
基板の製造方法において、導体回路となる金属層上に、該金属層とは同じ金属から
成る上下導体間接続用突起が選択的に形成したものの上
下導体間接続用突起形成側に、層間絶縁層を介して、上
記導体回路とは別の導体回路となる金属層上に上記上下
導体間接続用突起に対応して半田、導電ペースト又は貴
金属膜を印刷したものの該半田、導電ペースト又は貴金
属膜形成側を当てて加圧することにより、上記各上下導
体間接続用突起が上記層間絶縁層を突き破って対応する
半田、導電ペースト又は貴金属膜に接続された状態を形
成して積層することを特徴とする配線回路基板の製造方
法。
【請求項３７】金属層に上下導体間接続用突起を形成
したものに層間絶縁膜を介して導体回路を成す或いは導
体回路となる金属層、又は回路基板を積層した配線回路
基板において、上記層間絶縁膜として異方性導電膜を用いたことを特徴
とする配線回路基板。