KR20040065331A - 클램프 회로를 갖는 이미지센서 - Google Patents

클램프 회로를 갖는 이미지센서 Download PDF

Info

Publication number
KR20040065331A
KR20040065331A KR1020030002189A KR20030002189A KR20040065331A KR 20040065331 A KR20040065331 A KR 20040065331A KR 1020030002189 A KR1020030002189 A KR 1020030002189A KR 20030002189 A KR20030002189 A KR 20030002189A KR 20040065331 A KR20040065331 A KR 20040065331A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
clamp
image sensor
voltage
transistor
signal
Prior art date
Application number
KR1020030002189A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100574891B1 (ko
Inventor
배창민
윤광호
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020030002189A priority Critical patent/KR100574891B1/ko
Priority to JP2003433193A priority patent/JP4455874B2/ja
Priority to US10/749,340 priority patent/US7394491B2/en
Publication of KR20040065331A publication Critical patent/KR20040065331A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100574891B1 publication Critical patent/KR100574891B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/616Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H04N25/627Detection or reduction of inverted contrast or eclipsing effects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

본 발명은 이미지센서에 관한 것으로, 특히 출력단에 클램프 회로를 구비하여 태양과 같은 강한 광원에 의한 이미지센서의 성능저하를 방지한 것이다. 이를 위한 본 발명의 이미지센서는 단위화소의 리셋신호와 광신호에 의한 데이타 신호의 차를 이용하여 피사체에 대한 데이타를 출력하는 상관이중샘플링 방식의 이미지센서에 있어서, 상기 리셋신호와 상기 데이타 신호를 각각 출력하는 복수개의 단위화소; 상기 리셋신호를 소정의 전압레벨로 클램핑하기 위하여 상기 복수개의 단위화소의 출력단에 각각 접속된 복수개의 클램핑 트랜지스터: 및 상기 복수개의 클램핑 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 전압조절부를 포함하여 이루어진다.

Description

클램프 회로를 갖는 이미지센서{Image sensor with clamp circuit}
본 발명은 이미지센서에 관한 것으로 특히, 태양과 같은 강한 광원이 입력되었을 경우, 화면상에서 태양주변의 화면이 검게 나타나는 현상을 방지하기에 적합한 이미지센서에 관한 것이다.
일반적으로, 이미지센서라 함은 광학 영상(Optical image)을 전기 신호로 변환시키는 반도체소자로서, 이중 전하결합소자(CCD : Charge Coupled Device)는 개개의 MOS 캐패시터가 서로 매우 근접한 위치에 있으면서 전하 캐리어가 캐패시터에 저장되고 이송되는 소자이며, CMOS(Complementary MOS; 이하 CMOS) 이미지센서는 제어회로(Control circuit) 및 신호처리회로(Signal processing circuit)를 주변회로로 사용하는 CMOS 기술을 이용하여 화소수만큼 MOS트랜지스터를 만들고 이것을 이용하여 차례차례 출력(Output)을 검출하는 스위칭 방식을 채용하는 소자이다.
한편, 이미지센서는 제조 공정 상의 미세한 차이에 의해 오프셋 전압(Offset voltage)에 의한 고정 패턴 잡음(Fixed pattern noise)이 발생한다. 이러한 고정패턴 잡음을 보상하기 위해 이미지센서는 화소 배열부의 각 화소에서 리셋 신호(Reset voltage signal)를 읽고 데이타 신호(Data voltage signal)를 읽은 후 그 차를 출력하는 상관이중샘플링(Correlated Double Sampling; 이하 CDS라 함) 기법을 사용한다.
도 1a는 1개의 포토다이오드(PD)와 4개의 MOS 트랜지스터로 구성된 통상의 CMOS 이미지센서 단위화소(Unit Pixel)를 도시한 회로도로서, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드와, 포토다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 플로팅 노드(FN)로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와, 원하는 값으로 플로팅 노드의 전위를 세팅하고 전하를 배출하여 플로팅 노드를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터 (Rx)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source Follower Buffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Dx), 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Sx)로 구성된다.
이러한 단위 화소로부터 출력을 얻어내는 CDS 방법에 의한 동작원리를 살펴보면 다음과 같다.
가. Tx, Rx, Sx를 턴-오프시킨다. 이때 포토다이오드(PD)는 완전한 공핍 상태이다.
나. 광전하(Photogenerated Charge)를 저전압 포토다이오드(PD)에 모은다.
다. 적정 인터그레이션(Integration) 시간 후에 Rx를 턴-온시켜 플로팅 노드(FN)를 1차 리셋(Reset) 시킨다.
라. Sx를 턴-온시켜 단위화소를 온시킨다.
마. 소스 팔로워 버퍼(Source Follower Buffer)인 Dx의 출력전압(V1)을 측정하는 바, 이 값은 단지 플로팅 노드(FN)의 직류 전위 변화(DC level shift)를 의미한다.
바. Tx를 턴-온 시킨다.
사. 모든 광전하는 플로팅 노드(FN)로 운송된다.
아. Tx를 턴-오프 시킨다.
자. Dx의 출력전압(V2)을 측정한다.
차. 출력신호(V1-V2)는 V1과 V2 사이의 차이에서 얻어진 광전하 운송의 결과이며, 이느 노이즈(Noise)가 배제된 순수 시그날 값이 된다. 이러한 방법이 전술한 CDS이다.
카. '가' ∼ '차' 과정을 반복한다. 단, 포토다이오드(PD)는 '사' 과정에서 완전한 공핍상태로 되어 있다.
도 1b는 도 1a에 도시된 종래의 단위화소에 약한 광원을 비추었을 경우, 단위화소의 출력을 도시한 도면으로, 리셋신호와 데이터 신호와의 차이가 순수한 단위화소의 출력(pure pixel signal)이 되는 것을 도시한 도면이다.
리셋신호(Reset)는 리셋 트랜지스터(Rx)가 턴온된 이후에 플로팅 노드(FN)의 전위를 샘플링한 값이므로, 전원전압에 가까운 큰 전압값을 갖는 반면에, 데이터 신호(Data)는 포토다이오드에서 생성된 광전자가 플로팅 노드로 이송된 이후에 샘플링된 값이므로, 리셋 신호보다 작은 전압값을 갖고 있음을 도 1b를 참조하면 알 수 있다.
도 1c는 도 1a에 도시된 종래의 단위화소에 태양과 같이 강한 광원을 비추었을 경우, 단위화소의 출력을 도시한 도면으로, 리셋신호(Reset)의 레벨과 데이터 (Data)신호와의 차이가 순수한 단위화소의 출력(pure pixel signal)이 되는 것을 도시한 도면인데, 그 차이가 미미한 것을 알 수 있다.
이와같이 리셋신호 레벨과 단위화소의 실제 출력신호 레벨간의 차이를 이용하여 잡음을 제거하는 상관이중샘플링 기법을 사용하는 이미지센서에서는 태양과 같은 광원에 이미지센서가 노출된 경우에, 리셋 신호와 실제 단위화소의 출력신호 간에 별 차이가 없기 때문에 태양주위가 검게보이는 현상이 나타난다.
태양과 같이 강한 광원에 이미지센서가 노출되었을 경우에는 리셋신호(Reset)와 데이터신호(Data)의 차이가 미미한 이유에 대해 설명하면 다음과 같다.
상관이중샘플링 동작에서 먼저 리셋 트랜지스터(Rx)를 턴-온 시켜 플로팅 노드(FN)를 리셋시킨 후, 리셋 신호값을 샘플링하여 이를 버퍼(미도시)에 저장한다. 이때, 플로팅 노드는 전원전압(Vdd)으로 충전되므로 리셋 신호는 큰 전압레벨을 갖게된다.
하지만 태양과 같은 강한 광원하에서는 포토다이오드에서 광전자가 발생하는 것 이외에도 플로팅 노드에서도 상당한 양의 광전자가 발생된다. 왜나햐면 플로팅 노드 역시 PN 접합으로 이루어져 있으므로, 태양과 같은 강한 광원하에서는 플로팅 노드 자체가 포토다이오드화 되어 상당한 양의 광전자를 발생하는 것이다.
이와같이 강한 광원에 의해 플로팅 노드에서 발생한 광전자들은 리셋 트랜지스터(Rx)가 턴온되어 리셋 신호값을 샘플링할 때, 전원전압(Vdd)의 영향을 극복하여 플로팅 노드의 전압을 끌어내리는 역할을 한다.
결국, 리셋신호가 일정전압 이하로 감소하여 리셋 상태에서도 데이터 신호와 거의 유사한 값이 출력되기 때문에, 리셋신호와 데이터 신호와의 차이가 미미하게 되므로 태양과 같은 피사체 주위가 검게 나타나는 현상이 발생한다. 이는 이미지센서의 화질 재현성에 관련된 품질을 떨어드리는 직접적인 원인이 된다.
따라서, CDS를 이용하는 이미지센서에서의 광특성에 관련된 제품의 품질을 보장하기 위해서는 전술한 바와 같은 현상을 방지해야 한다.
상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은, CDS 방식의 읽기 구동시 태양과 같은 강한 광원의 경우에 리셋신호와 데이터신호의 차이가 미미해지는 것을 방지하는데 적합한 이미지센서를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a는 종래의 CMOS 이미지센서의 단위화소 회로도,
도 1b는 종래의 단위화소에 약한 광원을 비추었을때의 단위화소의 출력을 도시한 도면,
도 1c는 종래의 단위화소에 태양과 같이 강한 광원을 비추었을때의 단위화소의 출력을 도시한 도면,
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 회로가 출력단에 연결된 시모스 이미지센서의 단위화소를 도시한 회로도,
도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 회로가 출력단에 연결된 시모스 이미지센서의 단위화소에 태양과 같이 강한 광원을 비추었을때의 단위화소의 출력을 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 클램프회로에서 전압조절수단을 도시한 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
21 : 전압조절부
31 : 디지탈/아날로그 변환기
32 : 인버터
33 : 제1 스위칭 소자
34 : 제2 스위칭 소자
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 단위화소의 리셋신호와 광신호에 의한 데이타 신호의 차를 이용하여 피사체에 대한 데이타를 출력하는 상관이중샘플링 방식의 이미지센서에 있어서, 상기 리셋신호와 상기 데이타 신호를 각각 출력하는 복수개의 단위화소; 상기 리셋신호를 소정의 전압레벨로 클램핑하기 위하여 상기 복수개의 단위화소의 출력단에 각각 접속된 복수개의 클램핑 트랜지스터: 및 상기 복수개의 클램핑 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 전압조절부를 포함하여 이루어진다.
본 발명은 CDS 방식으로 구동되는 이미지센서의 리셋신호를 읽을 때의 화소의 출력이 일정전압 이하로는 내려가지 않도록 고정시킴으로써, 태양과 같은 강한 광원을 가진 피사체가 화면상에 검게 나타나는 현상을 방지하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 회로(20)가 출력단에 구비된 이미지센서의 단위화소를 도시한 회로도이며, 도 2b에서는 본 발명의 일실시예에 따른 이미지센서에서 태양과 같은 강한 광원이 비추었을 때의 리셋신호와 데이터 신호를 도시하고 있다. 도 2b를 참조하면 리셋신호는 일정전압 이하로는 내려가지 않도록 고정되어 있기 때문에, 데이터 신호와의 차이도 일정량을 확보할 수 있어 태양의 주위가 검게 변하는 현상을 방지할 수 있다.
먼저, 도2a를 참조하여 본 발명의 일실시예를 설명하면, 빛을 받아 광전하를 생성하는 포토다이오드(Photo Diode)와, 포토다이오드(PD)에서 모아진 광전하를 플로팅 노드(Floating Node)로 운송하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터(Tx)와, 원하는 값으로 플로팅 노드(FN)의 전위를 세팅하고 전하를 배출하여 플로팅 노드를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터 (Rx)와, 소스 팔로워 버퍼 증폭기(Source FollowerBuffer Amplifier) 역할을 하는 드라이브 트랜지스터(Dx), 및 스위칭(Switching) 역할로 어드레싱(Addressing)을 할 수 있도록 하는 셀렉트 트랜지스터(Sx)로 구성된 단위화소가 도시되어 있다.
또한, 도 2a에는 이와 같이 구성된 단위화소의 출력단에 연결된 클램프 회로(20)가 도시되어 있는데 클램프 회로(20)는 클램프 트랜지스터(Clamp Tr)와 전압조절부(21)로 구성되어 있다. 클램프 트랜지스터의 소오스(Source)는 단위화소의 출력단에 연결되고 드레인(Drain)은 전원전압단에 연결되며 게이트(Gate)는 전압조절부(21)의 출력에 연결되어 있다. 여기서 클램프 트랜지스터는 M ×N 사이즈를 갖는 단위화소 어레이에서 각 컬럼별로 하나씩 구비하게 되며, 전압조절부(21)는 이미지센서 칩에 하나가 장착된다.
본 발명의 일실시예에 따른 클램프 회로는 리셋 신호를 읽을 때에만 동작하면서 리셋신호가 일정전압 이하로 내려가지 않게하는 역할을 하며, 데이터 신호를 읽을 때에는 동작하지 않는다. 왜나하면 데이터 신호를 읽는 경우에는 전압조절부(21)의 출력이 로우레벨이 되어 클램프 트랜지스터가 동작하지 않기 때문이다. 전압조절부(21)의 구성에 대해서는 후술한다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 회로는 리셋 신호를 읽는 경우에도, 이미지센서가 약한 광원에 노출된 경우에는 동작하지 않으며 이미지센서가 강한 광원에 노출된 경우에만 동작한다. 즉, 본 발명의 일실시예에 따른 클램프 회로는 이미지센서가 강한 광원에 노출되어 리셋 신호를 읽는 경우에만 동작한다.
이미지센서가 약한 광원 또는 강한 광원에 노출된 경우를 각각 나누어 리셋신호를 읽을때, 클램프 트랜지스터의 동작을 상세히 설명하면 다음과 같다.
단위화소의 리셋 신호를 읽을 때 클램프 트랜지스터의 게이트에 일정전압이 인가되어 있다고 가정하고, 클램프 트랜지스터의 문턱전압(threshold voltage)이 0.7 volt 라 하면, 클램프 트랜지스터의 소오스 전압은 클램프 트랜지스터의 게이트 전압보다 대략 0.7 volt 정도 낮은 값을 갖는다.
하지만, 이미지센서가 약한 광원에 노출되어 리셋신호를 읽는 경우에는, 셀렉트 트랜지스터(Sx)의 소오스와 클램프 트랜지스터의 소오스가 접속된 노드1(Node 1)의 전압은 클램프 트랜지스터의 게이트 전압보다 0.7 volt 정도 낮은 값을 갖는 것이 아니라, 클램프 트랜지스터가 턴온되지 못할 정도의 높은 전압을 갖는다.
왜나하면, 리셋 트랜지스터(Rx)가 턴온되어 플로팅 노드가 충분한 전압으로 충전되면, 노드1(Node1)은 높은 전압 값을 갖기 때문에 클램프 트랜지스터가 동작하지 않는다.
이와 반면에, 이미지센서가 태양과 같이 강한 광원에 노출된 경우에는 클램프 트랜지스터가 동작하는데 이에 대해 설명하면 다음과 같다. 먼저, 이미지센서가 태양과 같이 강한 광원에 노출된 경우에는 플로팅 노드가 포토다이오드화 되어 많은 광전자을 생성해냄은 전술한 바와 같다.
이와 같이 생성된 광전자에 의해서 플로팅 노드의 전압값은 크게 낮아지게 되고, 셀렉트 트랜지스터(Sx)의 소오스와 클램프 트랜지스터의 소오스가 접속된 노드1(Node 1)의 전압도 역시 크게 낮아진다. 따라서 클램프 트랜지스터의 게이트 전압이 노드1의 전압보다 0.7 volt 이상이 되면 클램프 트랜지스터가 동작을 시작한다.
이때, 클램프 트랜지스터의 게이트 전압의 변화에 따라 클램프 트랜지스터의 소오스 전압도 변화하게 되는데, 클램프 트랜지스터의 게이트 전압은 임의로 조절가능케 할 수 있으며 이는 곧, 화면에서 태양의 모습이 밝게 나타나느냐, 약간 어둡게 나타나느냐를 결정한다. 본 발명의 일실시예에서는 4 bit의 디지탈 코드를 이용하여 클램프 트랜지스터의 게이트 전압을 조절하였다.
즉, 클램프 트랜지스터의 게이트 전압을 낮추면, 리셋 신호도 그 만큼 작아지게 되어 순수한 단위화소의 출력(리셋신호와 데이터 신호와의 차이) 역시 작아지게 되므로 화면상에서 태양이 어둡게 나타나게 된다.
만일, 클램프 트랜지스터의 게이트 전압을 높이면, 리셋 신호도 그 만큼 커지게 되어 순수한 단위화소의 출력(리셋신호와 데이터 신호와의 차이)도 역시 커지게 되므로 화면상에서 태양이 밝게 나타나게 할 수 있다.
도 3은 클램프 트랜지스터의 게이트에 연결된 본 발명의 일실시예에 따른 전압조절부(21)의 구성을 도시하고 있는데, 전압조절부(21)를 이용하면 클램프 트랜지스터의 게이트 전압을 조절하여 클램프 트랜지스터를 턴온 또는 턴오프 시킬 수 있고 또한, 화면에서 태양의 밝기를 조절하여 태양이 자연스럽게 재현될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 전압조절부(21)는 클램프 트랜지스터의 게이트 전압을 조절하기 위해 4 비트의 입력을 받아 아날로그 전압값을 출력하는 D/A 변환기(31)와, 상기 D/A 변환기(31)와 클램프 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되어 리드콘트롤(Read Control) 신호에 따라 개폐되는 제1 스위칭소자(33)와, 리드콘트롤(Read Control) 신호를 입력받아 반전하여 출력하는 인버터(32)와, 접지단과 클램프 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되어 상기 인버터(32)의 출력에 따라 개패되는 제2 스위칭 소자(34)로 구성되어 있다.
본 발명의 일실시예에서는 D/A 변환기에 입력되는 4 비트의 디지탈 코드를 이용하여 클램프 트랜지스터의 게이트 전압을 조절하였으나, 더 많은 비트수를 갖는 D/A 변환기를 이용하여 클램프 트랜지스터의 게이트 전압을 조절할 수도 있다.
이와 같이 구성된 전압조절부의 동작을 살펴보면 다음과 같다. 우선 클램프 트랜지스터는 리셋신호를 읽을 때에만 동작하고 데이터 신호를 읽을 때에는 동작하지 않음은 전술한 바와 같다. 이러한 동작을 리드콘트롤 신호를 이용하여 제어한다.
리셋신호를 읽을 경우에는 리드콘트롤 신호가 활성화 되고, 데이터 신호를 읽을 경우에는 리드콘트롤 신호가 비활성화 된다고 정의하면, 리드콘트롤 신호가 활성화된 경우에는 제1 스위칭 소자(33)는 닫히게 되고 제2 스위칭 소자(34)는 열리게 된다.
따라서, D/A 변환기(31)의 출력이 제1 스위칭 소자(33)에 의해 클램프 트랜지스터의 게이트로 입력되어 클램프 트랜지스터를 동작시킨다.
이와 반면에, 리드콘트롤 신호가 비활성화된 경우에는 제1 스위칭 소자(33)는 열리게 되고 제2 스위칭 소자(34)는 닫히게 되므로, 접지전압이 클램프 트랜지스터의 게이트로 입력되어 클램프 트랜지스터가 동작하지 않는다.
이와같이 본 발명의 일실시예에 따른 클램프회로는 이미지센서의 화질을 향상시킬 수 있으며, 다이(die) 사이즈에 영항을 주지않으면서도 화질의 향상을 얻을 수 있게 하여 제품의 가격경쟁력을 유지할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명을 이미지센서에 적용하면, 태양과 같이 강한 광원에 노출된 경우에도 화면에서 태양주위가 검게 변하는 현상을 방지할 수 있을 뿐만 아니라, 화면에서 태양의 밝기를 임의로 조절할 수 있어 이미지센서의 화질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. M ×N 사이즈의 단위화소 어레이를 갖으며, 상기 단위화소의 리셋신호와 광신호에 의한 데이타 신호의 차를 이용하여 피사체에 대한 데이타를 출력하는 상관이중샘플링 방식의 이미지센서에 있어서,
    상기 리셋신호와 상기 데이타 신호를 각각 출력하는 복수개의 단위화소;
    상기 리셋신호를 소정의 전압레벨로 클램핑하기 위하여 상기 복수개의 단위화소의 출력단에 연결된 복수개의 클램핑 트랜지스터: 및
    상기 복수개의 클램핑 트랜지스터의 게이트 전압을 제어하는 전압조절부
    을 포함하는 이미지센서.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전압조절부는
    디지탈 코드를 입력받아 아날로그 전압값을 출력하는 D/A 변환기;
    상기 D/A 변환기와 클램프 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되어 제1 제어신호에 따라 개폐되는 제1 스위칭 소자;
    제1 제어신호를 입력받아 반전하여 출력하는 인버터; 및
    접지단과 클램프 트랜지스터의 게이트 사이에 접속되어 상기 인버터의 출력에 따라 개패되는 제2 스위칭 소자
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 클램핑 트랜지스터는 상기 M ×N 사이즈의 단위화소 어레이구조에서 각 칼럼마다 구비되어 있으며, 상기 전압조절부는 이미지센서 칩 전체에 하나가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 이미지센서.
KR1020030002189A 2003-01-13 2003-01-13 클램프 회로를 갖는 이미지센서 KR100574891B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030002189A KR100574891B1 (ko) 2003-01-13 2003-01-13 클램프 회로를 갖는 이미지센서
JP2003433193A JP4455874B2 (ja) 2003-01-13 2003-12-26 クランプ回路を有するイメージセンサ
US10/749,340 US7394491B2 (en) 2003-01-13 2003-12-30 Image sensor having clamp circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030002189A KR100574891B1 (ko) 2003-01-13 2003-01-13 클램프 회로를 갖는 이미지센서

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040065331A true KR20040065331A (ko) 2004-07-22
KR100574891B1 KR100574891B1 (ko) 2006-04-27

Family

ID=32822582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030002189A KR100574891B1 (ko) 2003-01-13 2003-01-13 클램프 회로를 갖는 이미지센서

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7394491B2 (ko)
JP (1) JP4455874B2 (ko)
KR (1) KR100574891B1 (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100809680B1 (ko) * 2004-02-04 2008-03-06 삼성전자주식회사 Cmos 이미지 센서의 클램프 회로
CN1981517B (zh) 2004-07-06 2010-05-26 松下电器产业株式会社 固体摄像装置
US7916186B2 (en) 2005-04-07 2011-03-29 Micron Technology, Inc. Anti-eclipse circuitry with tracking of floating diffusion reset level
JP5340374B2 (ja) * 2005-06-09 2013-11-13 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP5247007B2 (ja) 2005-06-09 2013-07-24 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP4834345B2 (ja) * 2005-08-01 2011-12-14 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法及びプログラム及び記憶媒体
US7573519B2 (en) 2005-10-26 2009-08-11 Eastman Kodak Company Method for correcting eclipse or darkle
JP4396655B2 (ja) 2006-03-06 2010-01-13 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4185949B2 (ja) 2006-08-08 2008-11-26 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
JP4194633B2 (ja) 2006-08-08 2008-12-10 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
CN101822041B (zh) 2007-10-09 2012-06-20 株式会社尼康 摄影装置
JP4997137B2 (ja) * 2008-02-20 2012-08-08 オリンパス株式会社 固体撮像装置
JP5531417B2 (ja) 2009-02-12 2014-06-25 株式会社ニコン 固体撮像装置
JP2010251829A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Olympus Corp 固体撮像素子、カメラシステム、及び信号読み出し方法
JP5218309B2 (ja) * 2009-07-14 2013-06-26 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその制御方法、並びにカメラシステム
JP2011176762A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Panasonic Corp 固体撮像装置およびカメラ
TWI527450B (zh) * 2012-05-01 2016-03-21 Sony Corp Image sensor, and image sensor control method
US8618865B1 (en) * 2012-11-02 2013-12-31 Palo Alto Research Center Incorporated Capacitive imaging device with active pixels
KR102178825B1 (ko) 2013-11-15 2020-11-13 삼성전자 주식회사 픽셀 출력 레벨 제어 장치 및 이를 적용하는 이미지 센서
US10101373B2 (en) 2014-04-21 2018-10-16 Palo Alto Research Center Incorporated Capacitive imaging device with active pixels and method
JP6399871B2 (ja) * 2014-09-11 2018-10-03 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
JP2017117828A (ja) * 2015-12-21 2017-06-29 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子装置
EP3510562A1 (en) * 2016-09-07 2019-07-17 Starship Technologies OÜ Method and system for calibrating multiple cameras
US10523885B2 (en) * 2016-12-20 2019-12-31 Foveon, Inc. Column line clamp circuit for imaging array
KR102324224B1 (ko) * 2017-06-28 2021-11-10 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그것에 포함되는 전자 회로
JP7345301B2 (ja) * 2019-07-18 2023-09-15 キヤノン株式会社 光電変換装置および機器
US11430821B2 (en) * 2020-12-07 2022-08-30 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor with active clamp to suppress transfer gate feedthrough
US20220408040A1 (en) * 2021-06-21 2022-12-22 Ams Sensors Belgium Bvba Imaging pixel to mitigate cross-talk effects

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0583645A (ja) * 1991-05-31 1993-04-02 Nec Corp 電荷結合素子の出力信号処理回路
JPH05183913A (ja) 1991-12-27 1993-07-23 Sharp Corp カラ−撮像装置の色分離回路
JPH06217205A (ja) * 1993-01-13 1994-08-05 Sony Corp 固体撮像素子
JPH07264491A (ja) * 1994-03-24 1995-10-13 Sharp Corp 固体撮像装置の出力回路
JPH0879634A (ja) * 1994-08-31 1996-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 相関2重サンプリング装置
US5708482A (en) * 1994-09-08 1998-01-13 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Image-signal clamping circuit for electronic endoscope
US5659355A (en) * 1994-10-31 1997-08-19 Eastman Kodak Company CCD dark mean level correction circuit employing digital processing and analog subtraction requiring no advance knowledge of dark mean level
US5881184A (en) * 1996-05-22 1999-03-09 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with single pixel reset
JP4489850B2 (ja) * 1997-05-28 2010-06-23 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
US5900623A (en) * 1997-08-11 1999-05-04 Chrontel, Inc. Active pixel sensor using CMOS technology with reverse biased photodiodes
JPH11220066A (ja) 1998-01-30 1999-08-10 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体プラスチックパッケージ用金属芯入り両面金属箔張積層板の製造方法
US6031891A (en) * 1998-04-30 2000-02-29 Picker International, Inc. Dual reference blacklevel clamping device and method for video line noise removal
KR100284284B1 (ko) * 1998-11-05 2001-03-02 김영환 디지털 카메라의 아날로그 신호 처리 장치
US6040570A (en) * 1998-05-29 2000-03-21 Sarnoff Corporation Extended dynamic range image sensor system
JP3011196B2 (ja) 1998-07-29 2000-02-21 日本電気株式会社 イメージセンサ
US6396505B1 (en) * 1998-10-07 2002-05-28 Microsoft Corporation Methods and apparatus for detecting and reducing color errors in images
US6587143B1 (en) * 1999-01-19 2003-07-01 National Semiconductor Corporation Correlated double sampler with single amplifier
JP3389949B2 (ja) * 1999-03-16 2003-03-24 日本電気株式会社 固体撮像素子用雑音除去回路
JP2000287135A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Sony Corp 撮像装置並びに固体撮像素子の画素欠陥検出装置及び方法
JP2001036690A (ja) 1999-07-16 2001-02-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd イメージセンサおよび駆動方法
EP1143706A3 (en) * 2000-03-28 2007-08-01 Fujitsu Limited Image sensor with black level control and low power consumption
KR100397663B1 (ko) 2000-06-23 2003-09-13 (주) 픽셀플러스 데이터 입출력선이 리셋 모드의 전압으로 유지되는 씨모스 이미지 센서
JP2002112117A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Sakai Yasue 固体撮像装置およびシステム、相関二重サンプリング回路
JP2002232741A (ja) 2001-02-05 2002-08-16 Sony Corp クランプ装置、クランプ方法及び撮像装置
JP3697172B2 (ja) 2001-03-29 2005-09-21 キヤノン株式会社 信号処理装置及び信号処理方法並びに撮像装置
JP2002330346A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Fujitsu Ltd Cmosセンサ回路
US6927433B2 (en) * 2001-06-28 2005-08-09 Isetec, Inc Active pixel image sensor with two transistor pixel, in-pixel non-uniformity correction, and bootstrapped reset lines
US6909460B2 (en) * 2001-07-25 2005-06-21 Eastman Kodak Company Median-based dark level acquisition for a frame rate clamp
US7397505B2 (en) * 2002-01-17 2008-07-08 Zoran Corporation CMOS sensor with over-saturation abatement
JP4132850B2 (ja) * 2002-02-06 2008-08-13 富士通株式会社 Cmosイメージセンサおよびその制御方法
US6670904B1 (en) * 2002-08-22 2003-12-30 Micron Technology, Inc. Double-ramp ADC for CMOS sensors

Also Published As

Publication number Publication date
JP4455874B2 (ja) 2010-04-21
US20040155973A1 (en) 2004-08-12
KR100574891B1 (ko) 2006-04-27
JP2004222273A (ja) 2004-08-05
US7394491B2 (en) 2008-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100574891B1 (ko) 클램프 회로를 갖는 이미지센서
US11595600B2 (en) Method, apparatus and system providing a storage gate pixel with high dynamic range
EP0957630B1 (en) Column amplifier architecture in an active pixel sensor
US7345269B2 (en) Method and apparatus providing configurable current source device for image sensors with a selective current at an output node
US6215113B1 (en) CMOS active pixel sensor
US8026969B2 (en) Pixel for boosting pixel reset voltage
US6667468B2 (en) MOS-based image sensor and method of forming black-level signal therefor
KR20040069183A (ko) 화상 픽업 장치 및 카메라 시스템
JP2002077733A (ja) 固体撮像装置
CN111147774B (zh) 用于电压稳定的***和方法
KR100775009B1 (ko) 상관 이중 샘플링 회로 및 이를 구비한 시모스 이미지 센서
JP2004349907A (ja) 固体撮像装置
US7372489B2 (en) Signal processing circuit and solid-state image pickup device
KR100975444B1 (ko) 리셋전압 보상부를 구비한 이미지센서
US10785426B2 (en) Apparatus and methods for generating high dynamic range images
KR100623347B1 (ko) 제어 신호의 레벨 변동을 최소화할 수 있는 이미지센서
US20240089623A1 (en) Image sensor with high dynamic range and low noise
KR20070060631A (ko) 시모스 이미지 센서
CN117041752A (zh) 一种兼容三种工作模式的高速大动态范围像素架构
Stoppa et al. A test chip for a novel high-dynamic-range CMOS image sensor
KR20070067349A (ko) Cmos형 이미지 센서의 리셋 전압 클램프 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120329

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130329

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160330

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170330

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180329

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190327

Year of fee payment: 14