JP2004349907A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】キャパシタC2とMOSトランジスタT4のゲートとの接続ノードの電圧をリセットするMOSトランジスタT6のソースに与えられるリセット電圧として、2値以上の電圧値に変化する信号φVRSが与えられる。そして、キャパシタC2に映像信号となる電圧がサンプルホールドされるとき、信号φVRSの電圧値をリセット時の電圧値と異なる値とすることで、キャパシタC2からのリーク電流を抑制する。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、全画素が同一タイミングで撮像動作を行うことができる固体撮像装置に関するもので、特に、電子シャッタ機能を備える固体撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より使用されている固体撮像装置には、光電変換素子で発生した光電荷を読み出す手段によってCCD型とMOS型に大きく分けられる。CCD型は光電荷をポテンシャルの井戸に蓄積しつつ、転送するようになっており、又、MOS型はフォトダイオードのpn接合容量に蓄積した電荷をMOSトランジスタを通して読み出すようになっている。
【0003】
このMOS型の固体撮像装置において、垂直走査及び水平走査を行うことによって、各画素毎に撮像動作を行った後、各画素より出力される映像信号がシリアルに固体撮像装置より出力される。よって、各画素毎に撮像動作を行うタイミングが異なるため、刻一刻と変化する被写体を撮像する場合、各画素において同一条件で撮像することが不可能となり、結果的に、画像歪みが発生することがある。
【0004】
そこで、従来の固体撮像装置として、積分回路を2つ備えることで全画素が同一タイミングで撮像動作を行うものが提案されている(特許文献1参照)。この従来の固体撮像装置における画素の構成を、図22に示す。図22の画素は、入射光に応じた電気信号を生成する光電変換回路100と、光電変換回路100からの電気信号を積分するキャパシタC1と、キャパシタC1で積分された電気信号をサンプルホールドするキャパシタC2と、キャパシタC2でサンプルホールドされた電気信号を電流増幅するMOSトランジスタT4と、キャパシタC1,C2間の電気的な接離を行うMOSトランジスタT5と、キャパシタC2をリセットするためのスイッチとして働くMOSトランジスタT6と、MOSトランジスタT4からの電気信号を映像信号として出力するためのスイッチとして働くMOSトランジスタT3とを有する。
【0005】
図22のような構成の画素を備えた固体撮像装置において、固体撮像装置に備えられた全画素における光電変換回路100及びMOSトランジスタT5が同一のタイミングで動作することで、キャパシタC1に同一時間に撮像動作が行われて得られた電気信号が積分された後、キャパシタC2にサンプルホールドされる。そして、MOSトランジスタT5をOFFにした後、水平方向及び垂直方向に走査して各画素毎に、キャパシタC2でサンプルホールドされた電気信号に応じた映像信号が増幅されて出力される。
【0006】
【特許文献1】
特開2002−77733号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
図22のように構成された上述の固体撮像装置において、MOSトランジスタT6のソースには、変化することのない直流電圧VRSが常に印加された状態である。このことが原因となり、MOSトランジスタT6をOFFの状態であっても、キャパシタC2からMOSトランジスタT6のソース・ドレイン間を介して直流電圧VRSを供給する電圧供給ラインにリーク電流が流れる。又、このキャパシタC2からのリーク電流は、固体撮像装置の環境温度が高温になるほど多くなる。このリーク電流は、MOSトランジスタT6のソース・ドレイン間の電位差とMOSトランジスタT6のON抵抗の大きさにより決定する。
【0008】
そのため、固体撮像装置に備えられた全画素に対して同一タイミングで光電変換回路100のリセットを行うとともにMOSトランジスタT5をONする電子シャッタ機能を用いたとしても、キャパシタC2にサンプルホールドした後、各画素毎に順次読み出しを行うので、各画素毎のキャパシタC2からのリーク電流量が読み出し時間により異なるという問題が発生する。この各画素毎に、キャパシタC2からのリーク電流が異なることが原因となり、結果的に、固体撮像装置より得られた画像データを再生したときに画像歪みとなるシェーディングノイズが発生する。又、環境温度の変化によってリーク電流量も変化するため、出力される映像信号の大きさについても環境温度の影響を受けることとなる。
【0009】
このような問題を鑑みて、本発明は、全画素が同一のタイミングで撮像可能であるとともに、各画素におけるリーク電流を抑制することができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に記載の固体撮像装置は、入射光量に応じた電気信号を出力する光電変換部と該光電変換部からの該電気信号をサンプルホールドするとともにサンプルホールドした該電気信号を映像信号として出力するサンプルホールド回路とを備えた1つ又は複数の画素を有する固体撮像装置において、前記サンプルホールド回路をリセットするリセット電圧が2値以上の電圧値よりなることを特徴とする。
【0011】
この構成によると、前記電気信号が電圧信号であり、前記サンプルホールド回路において前記電気信号をサンプルホールドしているとき、前記リセット電圧を前記サンプルホールド回路をリセットするための電圧値と異なる電圧値とすることによって、前記サンプルホールド回路からのリーク電流を低減させる。
【0012】
又、請求項2に記載するように、前記画素が、前記光電変換部と前記サンプルホールド回路とを電気的に接離するスイッチを備える。このとき、前記画素が複数備えられるとき、前記画素全てに対して、前記光電変換部と前記スイッチとが同一のタイミングで動作し、同一タイミングで撮像されて得られた電気信号が前記各画素の前記サンプルホールド回路にサンプルホールドされる。又、前記サンプルホールド回路がリセットされた後、前記スイッチがONとされて、前記光電変換部からの前記電気信号が前記サンプルホールド回路に与えられる。
【0013】
請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置において、請求項3に記載するように、前記画素をリセットする画素リセット期間においては前記リセット電圧を第1電圧とし、該画素リセット期間以外の期間においては前記リセット電圧を第2電圧とするようにしても構わない。当該画素リセット期間が、前記サンプルホールド回路のリセットの開始から前記サンプルホールド回路からの映像信号の出力前までの期間を含む。
【0014】
請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置において、請求項4に記載するように、前記サンプルホールド回路をリセットするサンプルホールド回路リセット期間においては前記リセット電圧を第1電圧とし、該サンプルホールド回路リセット期間以外の期間においては前記リセット電圧を第2電圧とするようにしても構わない。
【0015】
請求項5に記載の固体撮像装置は、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の固体撮像装置において、前記光電変換部が、入射光量に応じた量の電荷を発生する光電変換回路と、前記光電変換回路からの電荷を蓄積して得られた電圧値を前記電気信号として出力する積分回路と、を備えることを特徴とする。このとき、前記積分回路が、前記光電変換回路から出力される電荷を蓄積するキャパシタを備えるものとしても構わない。
【0016】
請求項5に記載の固体撮像装置において、前記積分回路に前記サンプルホールド回路に与えられる前記リセット電圧が与えられるようにしても構わない。このとき、請求項3に記載の固体撮像装置のように前記リセット電圧を変化させる場合、前記画素リセット期間中に、前記積分回路がリセットされる。又、請求項4に記載の固体撮像装置のように前記リセット電圧を変化される場合、前記積分回路をリセットさせる積分回路リセット期間においても前記リセット電圧が第1電圧とされる。
【0017】
又、請求項5に記載の固体撮像装置において、前記積分回路に前記サンプルホールド回路に与えられる前記リセット電圧と異なる電圧値の変化しない直流のリセット電圧が与えられるようにしても構わない。
【0018】
又、請求項5の構成によると、前記積分回路に前記光電変換回路から出力される電荷が蓄積されることで、前記積分回路には、入射光量の積分値に応じた電圧値が得られる。その後、前記積分回路で得られた電圧値が前記電気信号として前記サンプリングホールド回路に出力されてサンプリングホールドされた後、入射光量の積分値に応じた電圧値を映像信号として出力する。
【0019】
又、前記サンプリングホールド回路が、前記電気信号をサンプリングホールドするキャパシタを備えるようにしても構わない。又、前記サンプリングホールド回路が、第1電極及び第2電極及び制御電極を備えるとともに、前記第1積分回路からの電圧値が制御電極に入力されるトランジスタと、該トランジスタの第2電極に一端が接続されたキャパシタとを備え、該トランジスタの第2電極とキャパシタとの接続ノードに現れる電圧値を映像信号とする。更に、これらの固体撮像装置において、前記サンプリングホールド回路が、前記電気信号を前記映像信号として出力する出力信号線と前記キャパシタとを電気的に接離する出力スイッチと、を備えるようにしても構わない。
【0020】
又、上述の固体撮像装置において、前記光電変換部が入射光量に対して線形変換した電気信号を出力するようにしても構わないし、又、前記光電変換部が入射光量に対して対数変換した電気信号を出力するようにしても構わない。
【0021】
請求項5の固体撮像装置において、前記積分回路内の第1キャパシタの一端と接続して該第1キャパシタをリセットする第1リセットスイッチと、前記サンプリングホールド回路内の前記トランジスタの制御電極に接続された第2リセットスイッチと、前記サンプリングホールド回路内の第2キャパシタの一端と接続して該第2キャパシタをリセットする第3リセットスイッチとを備えるようにしても構わない。又、前記トランジスタの制御電極に接続された第2リセットスイッチと、前記第2キャパシタの一端と接続して該第2キャパシタをリセットする第3リセットスイッチとを備え、前記スイッチと前記第2リセットスイッチとをONとすることによって、前記第1キャパシタと前記トランジスタの制御電極とを同時にリセットするようにしても構わない。
【0022】
上述の各固体撮像装置において、前記サンプリングホールド回路から出力される電圧値を増幅して映像信号を出力する出力回路を備えるようにしても構わない。又、前記光電変換回路が入射光量に対して自然対数的に変化する電気信号を出力するようにしても構わない。又、前記光電変換回路が、入射光量に対して線形的に変化する電気信号を出力する線形変換動作と入射光量に対して自然対数的に変化する電気信号を出力する対数変換動作とを切換可能としても構わない。このとき、前記光電変換回路は、所定の入射光量に達するまで前記線形変換動作を行い、当該所定の入射光量を超えたとき前記対数変換動作に切り替わる。
【0023】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について、以下に、図面を参照して説明する。
【0024】
<固体撮像装置の構成の概略>
まず、以下の各実施形態で共通となる固体撮像装置の構成について、図1を参照して説明する。図1は、固体撮像装置の構成を示すブロック図である。
【0025】
図1において、G11〜Gmnは行列配置(マトリクス配置)された画素を示している。1は垂直走査回路であり、各画素に信号φVを与える行(ライン)3−1,3−2,・・・,3−nを順次走査する。2は水平走査回路であり、画素から出力信号線4−1,4−2,・・・,4−mに導出された光電変換信号を画素ごとに水平方向に順次読み出す。5は電源ラインである。各画素に対し、上記ライン3−1〜3−nや出力信号線4−1〜4−m、電源ライン5だけでなく、他のライン(例えば、クロックラインやバイアス供給ライン等)も接続されるが、図1ではこれらについて省略する。
【0026】
出力信号線4−1,4−2,・・・,4−mごとにPチャネルのMOSトランジスタQ1,Q2が図示の如く1組ずつ設けられている。出力信号線4−1を例にとって説明すると、MOSトランジスタQ1のゲートは直流電圧線6に接続され、ドレインは出力信号線4−1に接続され、ソースは直流電圧VPS’のライン7に接続されている。一方、MOSトランジスタQ2のドレインは出力信号線4−1に接続され、ソースは最終的な信号線8に接続され、ゲートは水平走査回路2に接続されている。
【0027】
画素G11〜Gmnには、後述するように、それらの画素で発生した光電荷に基づく信号を出力するPチャネルのMOSトランジスタT4と、出力信号線4−1〜4−mとの電気的な接離を行うスイッチとして働くPチャネルのMOSトランジスタT3とが設けられている。このMOSトランジスタT3,T4,Q1,Q2との関係が、図2のように表される。このとき、MOSトランジスタQ1のゲートには直流電圧DCが常時印加されるため、MOSトランジスタQ1は抵抗又は定電流源と等価となる。よって、MOSトランジスタT4,Q1によって、ソースフォロワ型の増幅回路が構成される。この場合、MOSトランジスタT4から増幅出力されるのは電流であると考えてよい。又、MOSトランジスタT3は行の選択を行うスイッチとして動作し、MOSトランジスタQ2は列の選択を行うスイッチとして動作する。
【0028】
このように構成することにより信号を大きく出力することができる。よって、画素がダイナミックレンジ拡大のために感光素子から発生する光電流を自然対数的に変換しているような場合は、そのままでは出力信号が小さいが、本増幅回路により充分大きな信号に増幅されるため、後続の信号処理回路(図示せず)での処理が容易になる。又、増幅回路の負荷抵抗部分を構成するMOSトランジスタQ1を画素内に設けずに、列方向に配置された複数の画素が接続される出力信号線4−1〜4−m毎に設けることにより、負荷抵抗又は定電流源の数を低減でき、半導体チップ上で増幅回路が占める面積を小さくできる。
【0029】
尚、垂直走査回路1及び水平走査回路2はそれぞれ、タイミングジェネレータ9及び電圧レギュレータ10と接続されており、垂直及び水平走査が実現される。詳しくは、垂直走査回路1及び水平走査回路2は、タイミングジェネレータ9よりクロック信号が入力される。そして、このクロック信号に基づいて電圧レギュレータ10より供給される各種電圧を走査回路内のドライバを介して定められたタイミングで各画素G11〜Gmnに供給することで、垂直及び水平走査を実現している。
【0030】
又、本実施の形態の固体撮像装置は、電子シャッタ機能を備えており、垂直ブランク期間中に全画素を同時に制御する。この同時制御を行うために、垂直走査回路1及び水平走査回路2とは別にドライバ11が設けられる。このドライバ11は、画素G11〜Gmn全てと接続されている。このドライバ11もタイミングジェネレータ9よりクロック信号が入力され、電圧レギュレータ10より供給される各種電圧を定められたタイミングで画素G11〜Gmn全てに同時供給することができる。
【0031】
<第1の実施形態>
図1に示した画素構成の各画素に適用される第1の実施形態について、図面を参照して説明する。図3は、本実施形態に使用する固体撮像装置に設けられた画素の構成を示す回路図である。図3の回路において、電圧信号φVは、垂直走査回路1内のドライバより供給され、信号φV以外の電圧信号はドライバ11より供給される。
【0032】
図3において、pnフォトダイオードPDが感光素子として働く。そのフォトダイオードPDのアノードが、MOSトランジスタT7のドレインと接続され、MOSトランジスタT7のソースが、MOSトランジスタT1のゲート及びドレイン、MOSトランジスタT2のゲートに接続されている。MOSトランジスタT2のソースに、一端に直流電圧VPSが印加されたキャパシタC1の他端が接続される。キャパシタC1とMOSトランジスタT2のソースとの接続ノードに、MOSトランジスタT5のドレイン及びMOSトランジスタT8のドレインが接続される。
【0033】
又、MOSトランジスタT5のソースは、一端に直流電圧VPSが印加されたキャパシタC2の他端と、MOSトランジスタT4のゲート及びMOSトランジスタT6のドレインとが接続される。このMOSトランジスタT4のソースにMOSトランジスタT3のドレインが接続され、MOSトランジスタT3のソースは出力信号線4(この出力信号線4は図1の4−1,4−2,・・・,4−mに対応する)へ接続されている。尚、MOSトランジスタT1〜T8は、それぞれ、PチャネルのMOSトランジスタである。
【0034】
又、フォトダイオードPDのカソード及びMOSトランジスタT2,T4のドレインには直流電圧VPDが印加され、MOSトランジスタT6,T8のソースには信号φVRSが与えられる。一方、MOSトランジスタT1のソースには信号φVPSが入力される。又、MOSトランジスタT3,T5,T7,T8,T6のゲートに、信号φV,φSW,φS,φRSa,φRSbがそれぞれ入力される。このとき、MOSトランジスタT1,T2,T7及びフォトダイオードPDによって光電変換回路100が構成される。
【0035】
尚、信号φVPSは2値の電圧信号で、入射光量が所定値を超えたときにMOSトランジスタT1をサブスレッショルド領域で動作させるための電圧をVLとし、又、この電圧よりも高くMOSトランジスタT1を導通状態にする電圧をVHとする。又、信号φVRSも2値の電圧信号で、キャパシタC1,C2のリセットを行う際の電圧を直流電圧VPSに近い値となるVhとし、又、直流電圧VPS,VPDの中間的電位をVlとする。更に、この中間電位となるVlは、映像信号が黒レベル(最小値)となるときのキャパシタC2の電位と映像信号が白レベル(最大値)となるときのキャパシタC2の電位の中間値としても構わない。
【0036】
1.画素の動作の第1例
図3のような構成の画素の動作の第1例について、図4のタイミングチャートを参照して以下に説明する。信号φSをローとしてMOSトランジスタT7をONとするとともに信号φVPSをVLとすると、フォトダイオードPDより入射光量に応じた光電荷がMOSトランジスタT1に流れ込む。よって、MOSトランジスタT1,T2のゲートに入射光量に応じた電圧が現れ、MOSトランジスタT2を入射光量に応じた電流が流れる。そして、キャパシタC1にMOSトランジスタT2を通じて負の電荷が流れ込み、積分動作が行われる。このとき、信号φVRSの値がVlとされる。
【0037】
このとき、被写体の輝度が低いと、MOSトランジスタT1がカットオフ状態であるために、MOSトランジスタT1のゲートに光電荷が蓄積され、MOSトランジスタT1,T2のゲートに入射光量に対して線形的に比例した電圧が現れる。そして、キャパシタC1とMOSトランジスタT2との接続ノードに現れる電圧が、入射光量の積分値に線形的に比例した値となる。
【0038】
又、被写体の輝度が高く、MOSトランジスタT1のゲートに蓄積された光電荷量に応じた電圧が低くなると、MOSトランジスタT1がサブスレッショルド領域で動作を行うため、入射光量に対して自然対数的に比例した電圧がMOSトランジスタT1のゲートに現れる。そして、キャパシタC1とMOSトランジスタT2との接続ノードに現れる電圧が、入射光量の積分値に自然対数的に比例した値となる。
【0039】
その後、まず、信号φVRSの値をVhとして、MOSトランジスタT6,T8のソースにかかる電圧を高くして、MOSトランジスタT6,T8によるキャパシタC2,C1のリセットが可能な状態とする。そして、信号φRSbをローとしてMOSトランジスタT6をONとすることで、MOSトランジスタT4のゲートとキャパシタC2との接続ノードの電圧をリセットする。このローとなるパルス信号φRSbを与えた後、ローのパルス信号φSWを与える。
【0040】
信号φSWがローとなることで、MOSトランジスタT5がONとなり、MOSトランジスタT2のソースとキャパシタC1との接続ノードに現れる電圧がキャパシタC2にサンプルホールドされる。そして、信号φSWをハイとした後、信号φSをハイとして、MOSトランジスタT7をOFFとすることで、フォトダイオードPDとMOSトランジスタT1,T2との間を電気的に切断する。このとき、MOSトランジスタT1のソース側より正の電荷が流れ込み、MOSトランジスタT1のゲート及びドレイン、そしてMOSトランジスタT2のゲートに蓄積された負の電荷が再結合され、ある程度まで、MOSトランジスタT1のゲート及びドレインのポテンシャルが上がる。
【0041】
そして、次に、信号φVPSをVHにし、MOSトランジスタT1のソース電圧を高くすることで、MOSトランジスタT1のソース側から流入する正の電荷の量が増加し、MOSトランジスタT1のゲート及びドレイン、そしてMOSトランジスタT2のゲートに蓄積された負の電荷が速やかに再結合される。このとき、信号φRSaをローとして、MOSトランジスタT8をONにして、キャパシタC1とMOSトランジスタT2のゲートとの接続ノードの電圧を初期化する。
【0042】
そして、信号φVPSをVLとして、MOSトランジスタT1のポテンシャルを初期化するとともに信号φRSaをハイとしてMOSトランジスタT8をOFFとした後、信号φSをローとしてMOSトランジスタT7をONとし、MOSトランジスタT1,T2とフォトダイオードPDとの間を電気的に接続する。その後、再び、信号φVPSをVHとすることによって、フォトダイオードPDに残留している負の電荷が再結合されて、フォトダイオードPD及びMOSトランジスタT1,T2のポテンシャルを初期化した後、信号φVPSをVLとする。このとき同時に、ローのパルス信号φRSaをMOSトランジスタT8のゲートに与えてキャパシタC1を初期化する。このように、各素子のリセットが終了すると、信号φVRSの値をVlとして、MOSトランジスタT6,T8のソースにかかる電圧を低くして、MOSトランジスタT6,T8のソース・ドレイン間の電圧差を低くした状態とする。
【0043】
この信号φS,φSW,φVPS,φRSa,φRSb,φVRSについては、垂直ブランク期間において、固体撮像装置を構成する画素G11〜Gmn全てを同時に動作させる。よって、同一タイミングで撮像されて得られた電気信号を映像信号としてキャパシタC2に蓄積させることができる。即ち、キャパシタC2とMOSトランジスタT4のゲートとの接続ノードには、入射光量の積分値に線形的に又は自然対数的に比例した電圧値が現れる。
【0044】
その後、行毎に、ローのパルス信号φVを与えて、MOSトランジスタT3をONとすることで、MOSトランジスタT4において、キャパシタC2で積分された入射光量の積分値に応じた電圧に対する電流が流れて、信号線4に、積分された入射光量の積分値に応じた電圧値となる映像信号が現れる。このとき、信号φVRSの値がVlとされ、MOSトランジスタT6,T8のソース・ドレイン間の電圧差を低いため、MOSトランジスタT6,T8を介して発生するキャパシタC2,C1からのリーク電流を抑制することができる。
【0045】
このように行毎に動作して画素G11〜Gmn全てから映像信号が出力された後、再び、画素G11〜Gmn全てに対して、同一のタイミングで、信号φS,φSW,φVPS,φRSa,φRSb,φVRSが上述した動作を行う。又、本動作例においては、垂直ブランク期間とほぼ同一となる期間の間、信号φVRSの値をVhとする。
【0046】
2.画素の動作の第2例
又、図3のような構成の画素の動作の第2例について、図5のタイミングチャートを参照して以下に説明する。尚、本動作例において、図4のタイミングチャートによる第1例と同一の動作については、詳細な説明は省略する。まず、第1例と同様、信号φSをローとしてMOSトランジスタT7をONとするとともに信号φVPSをVLとすることで、フォトダイオードPDより入射光量に応じた光電荷がMOSトランジスタT1に流れ込み、キャパシタC1において積分動作が行われる。このとき、信号φVRSの値をVlとしてMOSトランジスタT6,T8のソース・ドレイン間の電圧差を低くする。
【0047】
その後、まず、信号φVRSの値をVhとするとともに信号φRSbをローとして、MOSトランジスタT6をONとするとともにMOSトランジスタT6のソース電圧を高くすることで、MOSトランジスタT6によってMOSトランジスタT4のゲートとキャパシタC2との接続ノードの電圧をリセットする。そして、信号φVRSをVlとするとともに信号φRSbをハイとすることで、MOSトランジスタT6をOFFとするとともに、MOSトランジスタT6,T8のソース・ドレイン間の電圧差を再び低くする。
【0048】
その後、第1例と同様、ローとなるパルス信号φSWをMOSトランジスタT5に与えて、キャパシタC1に現れる電圧をキャパシタC2にサンプルホールドした後、信号φSをハイとして、MOSトランジスタT1,T2のリセットを開始する。このとき、信号φVPSを一時的にVHとすることによって、MOSトランジスタT1,T2のゲートに蓄積された負の電荷の再結合を速やかに行う。又、信号φVPSを一時的にVHとするとき、信号φVRSの値をVhとするとともに信号φRSaをローとして、MOSトランジスタT8をONとするとともにMOSトランジスタT8のソース電圧を高くすることで、キャパシタC1をリセットする。そして、信号φSをローとしてフォトダイオードPDとMOSトランジスタT1,T2とをMOSトランジスタT7を介して電気的に接続する。
【0049】
その後、再び、信号φVPSを一時的にVHとすることで、フォトダイオードPDに残留している負の電荷を再結合して、フォトダイオードPD及びMOSトランジスタT1,T2のポテンシャルを初期化した後、信号φVPSをVLとする。このとき、同時に、信号φVRSの値をVhとするとともに信号φRSaをローとして、MOSトランジスタT8をONとするとともにMOSトランジスタT8のソース電圧を高くすることで、キャパシタC1をリセットする。その後、信号φRSaをハイとしてMOSトランジスタT8をOFFとするとともに、信号φVPSをローとする。そして、信号φVRSの値をVlとして、MOSトランジスタT6,T8のソース・ドレイン間の電圧差を低くする。
【0050】
この信号φS,φSW,φVPS,φRSa,φRSb,φVRSについては、第1例と同様、垂直ブランク期間において、固体撮像装置を構成する画素G11〜Gmn全てを同時に動作させる。その後、第1例と同様、行毎に、ローのパルス信号φVを与えて、MOSトランジスタT3をONとすることで、画素G11〜Gmn全てから映像信号が出力される。このように、本動作例では、キャパシタC1,C2をリセットするときにのみ、信号φVRSをVhとするため、第1例に比べて、垂直ブランク期間においても、リーク電流を低減させることができる。
【0051】
3.画素の別の構成
本実施形態の画素の構成を、図6のように、MOSトランジスタT8のソースに直流電圧VRSが印加されるようにしても構わない。このように構成したとき、MOSトランジスタT8のソースには、常に値がVhとなる直流電圧VRSが印加されるため、信号φVRSの値にかかわらず、キャパシタC1のリセット動作を行うことができる。よって、図7のように、ローのパルス信号φRSbが与えられてキャパシタC2をリセットするときにのみ、信号φVRSをVhとすればよい。
【0052】
<第2の実施形態>
又、図1に示した画素構成の各画素に適用される第2の実施形態について、図面を参照して説明する。図8は、本実施形態に使用する固体撮像装置に設けられた画素の構成を示す回路図である。図8の回路において、電圧信号φV,φVDbは、垂直走査回路1内のドライバより供給され、電圧信号φV,φVDb以外の電圧信号はドライバ11より供給される。
【0053】
図8に示す画素は、先の実施形態で適用された図3に示す画素構成に対して、MOSトランジスタT5のソースにドレインが接続されたMOSトランジスタT9と、MOSトランジスタT5のソースにゲートが接続されるとともにMOSトランジスタT4のゲートとキャパシタC2との接続ノードにソースが接続されたMOSトランジスタT10とを付加した構成となる。尚、MOSトランジスタT9,T10はそれぞれ、MOSトランジスタT1〜T8と同様、PチャネルのMOSトランジスタである。
【0054】
又、MOSトランジスタT10のドレインには直流電圧VPDが印加され、MOSトランジスタT9のソースには信号φVRSが入力される。又、MOSトランジスタT9のゲートに、信号φRScが入力される。更に、キャパシタC1,C2の他端にはそれぞれ、信号φVDa,VDbが与えられる。
【0055】
尚、信号φVDa、φVDbも2値の電圧信号で、キャパシタC1,C2が積分動作を行う際の電圧をそれぞれVha、Vhbとし、又、MOSトランジスタT10,T4それぞれの動作範囲で有効にするためにオフセット電圧を与える電圧をVla,Vlbとする。
【0056】
1.画素の動作の第1例
図8のような構成の画素の動作の第1例について、図9のタイミングチャートを参照して以下に説明する。尚、本動作例において、図4のタイミングチャートによる第1の実施形態における画素の動作の第1例と同一の動作については、詳細な説明は省略する。まず、信号φSをローとするとともに信号φVPSをVLとすることで、フォトダイオードPDより入射光量に応じた光電荷がMOSトランジスタT1に流れ込む。このとき、信号φVDa,φVDbについては、その値をVha,Vhbとすることによって、キャパシタC1,C2が積分動作を行える状態としているため、キャパシタC1において積分動作が行われる。又、信号φVRSの値をVlとしてMOSトランジスタT6,T8,T9のソース・ドレイン間の電圧差を低くする。
【0057】
その後、まず、信号φRSb,φRScをローとしてMOSトランジスタT6,T9をONとするとともに信号φVRSをVhとしてMOSトランジスタT6,T9のソース電圧を高くすることで、MOSトランジスタT10のソースとキャパシタC2との接続ノードにおける電圧及びMOSトランジスタT10のゲート電圧をリセットする。そして、信号φRSb,φRScをハイとすると、信号φVDaをVhaからVlaとした後、ローのパルス信号φSWを与える。
【0058】
このとき、信号φSWがローとなることで、MOSトランジスタT5がONとなり、MOSトランジスタT2のソースとキャパシタC1との接続ノードに現れる電圧がMOSトランジスタT10のゲートにサンプルホールドされる。よって、MOSトランジスタT10のソースに、ゲートにサンプルホールドされた電圧に応じた電流が流れるため、キャパシタC2にMOSトランジスタT10を通じて負の電荷が流れ込み、積分動作が行われる。尚、信号φVDaをVlaとしてオフセット電圧を与えることによって、MOSトランジスタT10のゲートに与える電圧を、MOSトランジスタT10の動作範囲で有効なものとすることができる。
【0059】
その後、信号φSWをハイとした後に、信号φVDaをVhaとする。又、信号φSWをハイとした後、信号φSをハイとして、MOSトランジスタT1のゲート及びドレインとMOSトランジスタT2のゲートのリセットを開始する。このとき、信号φVPSを一時的にVHとすることによって、MOSトランジスタT2のゲートに蓄積された負の電荷の再結合を速やかに行う。このように、信号φVPSをVHにしている間、信号φRSaをローとして、MOSトランジスタT8をONにして、キャパシタC1とMOSトランジスタT2のゲートとの接続ノードの電圧を初期化する。
【0060】
そして、信号φVPSをVLとしてMOSトランジスタT1のポテンシャルを初期化し、又、信号φRSaをハイとしてMOSトランジスタT8をOFFとする。その後、信号φSをローとして、MOSトランジスタT7をONとし、MOSトランジスタT1,T2とフォトダイオードPDとの間を電気的に接続する。そして、再び、信号φVPSをVHとすることによって、フォトダイオードPDに残留している負の電荷が再結合した後、信号φVPSをVLとする。このとき同時に、信号φRSa,φRScをローとして、キャパシタC1及びMOSトランジスタT10のゲートを初期化する。そして、信号φVRSの値をVlとして、MOSトランジスタT6,T8,T9のソース・ドレイン間の電圧差を低くする。
【0061】
この信号φS,φSW,φVPS,φRSa〜RSc,φVDa,φVRSについては、固体撮像装置を構成する画素G11〜Gmn全てにおいて同時に動作させる。よって、同一タイミングで撮像されて得られた電気信号を映像信号としてキャパシタC2に蓄積させることができる。即ち、キャパシタC2とMOSトランジスタT10のソースとの接続ノードには、入射光量の積分値に線形的に又は自然対数的に比例した電圧値が現れる。
【0062】
その後、行毎に、信号φVDbをVlbとした後、ローのパルス信号φVを与えて、MOSトランジスタT3をONとする。よって、MOSトランジスタT4において、キャパシタC2で積分された入射光量の積分値に応じた電圧に対する電流が流れて、信号線4に、積分された入射光量の積分値に応じた電圧値となる映像信号が現れる。尚、信号φVDbをVlbとしてオフセット電圧を与えることによって、MOSトランジスタT4のゲートに与える電圧を、MOSトランジスタT4の動作範囲で有効なものとすることができる。そして、信号φVをハイとした後、信号φVDbをVhbとする。
【0063】
このように行毎に動作して画素G11〜Gmn全てから映像信号が出力された後、再び、画素G11〜Gmn全てに対して、同一のタイミングで、信号φS,φSW,φVPS,φRSa〜RSc,φVDa,φVRSが上述した動作を行う。又、本動作例においては、第1の実施形態における第1例と同様、垂直ブランク期間とほぼ同一となる期間の間、信号φVRSの値をVhとする。
【0064】
2.画素の動作の第2例
又、図8のような構成の画素の動作の第2例について、図10のタイミングチャートを参照して以下に説明する。尚、本動作例と上述の第1例との関係は、第1の実施形態における画素の動作の第2例と第1例との関係とほぼ等しい。よって、図10のタイミングチャートにおいて、図5及び図9のタイミングチャートと同一の動作については、詳細な説明は省略する。
【0065】
本動作例において、信号φS,φSW,φVPS,φRSa〜RSc,φVDa,φVDbが、本実施形態の第1例と同様のタイミングで動作する。そして、第1の実施形態の第2例と同様、信号φRSa〜φRScのいずれか一つがローとなるときに、MOSトランジスタT6,T8,T9のソース電圧を高くするために、信号φVRSの値がVhとされる。このように、本動作例では、キャパシタC1,C2及びMOSトランジスタT10のゲートをリセットするときにのみ、信号φVRSをVhとするため、第1例に比べて、垂直ブランク期間においても、リーク電流を低減させることができる。
【0066】
又、本実施形態では、第1の実施形態と異なり、MOSトランジスタT5をONとしたとき、キャパシタC1によって積分された電圧値がMOSトランジスタT10で増幅されてキャパシタC2で再び積分される。このとき、キャパシタC1に蓄積された電荷がMOSトランジスタT10のゲート容量と容量分割されるが、このゲート容量はキャパシタC1の容量に比べて非常に小さいので、MOSトランジスタT10においてサンプルホールドされたときの感度の低下はほとんど起こらない。
【0067】
3.画素の別の構成
本実施形態の画素の構成を、図11のように、MOSトランジスタT8,T9のソースに直流電圧VRSが印加されるようにしても構わない。図11の回路においても、電圧信号φV,φVDbは、垂直走査回路1内のドライバより供給され、電圧信号φV,φVDb以外の電圧信号はドライバ11より供給される。このように構成したとき、MOSトランジスタT8,T9のソースには、常に値がVhとなる直流電圧VRSが印加されるため、信号φVRSの値にかかわらず、キャパシタC1及びMOSトランジスタT10のゲートのリセット動作を行うことができる。よって、図12のように、ローのパルス信号φRSbが与えられてキャパシタC2をリセットするときにのみ、信号φVRSをVhとすればよい。
【0068】
又、本実施形態において、各画素の構成を、図13のように、図8の構成からMOSトランジスタT8を削除した構成としても構わない。図13の回路においても、電圧信号φV,φVDbは、垂直走査回路1内のドライバより供給され、電圧信号φV,φVDb以外の電圧信号はドライバ11より供給される。このとき、各画素の動作の第1例のように、垂直ブランク期間に相当する期間において信号φVRSをVhとする場合、図14のようなタイミングチャートに従った動作を行い、又、MOSトランジスタT6,T9をONする期間において信号φVRSをVhとする場合、図15のようなタイミングチャートに従った動作を行う。
【0069】
このとき、図8のような構成の画素と異なり、信号φVPSをVHとするとともに信号φRScをローとするとき、信号φSWをローとすることで、キャパシタC1及びMOSトランジスタT10のゲートをリセットする。又、図14のようなタイミングチャートに従った動作を行うとき、信号φVRSの値がVhとされるとともに信号φRSb,φRScがともにローとされ、信号φRSc,φSWがともにハイとされるとともに信号φVRSの値がVlとされる。又、図15のようなタイミングチャートに従った動作を行うとき、信号φRSb,φRScの少なくともいずれか一方がローとされるときに信号φVRSの値がVhとされる。更に、このとき、図11の構成と同様、MOSトランジスタT9のソースに直流電圧VRSが印加されるようにしても構わない。
【0070】
又、第1の実施形態において、第2の実施形態と同様、図16のように、キャパシタC1,C2の他端に信号φVDa,VDbが与えられ、ローのパルス信号φSWが与えられるとき信号φVDaの値をVlaとするとともに、ローのパルス信号φVが与えられるとき信号φVDbの値をVlbとするようにしても構わない。図16の回路においても、電圧信号φV,φVDbは、垂直走査回路1内のドライバより供給され、電圧信号φV,φVDb以外の電圧信号はドライバ11より供給される。
【0071】
尚、第1及び第2の実施形態において、光電変換回路100がMOSトランジスタT1,T2,T7及びフォトダイオードPDで構成されるものとしたが、図17に示すように、アノードがMOSトランジスタT5のドレインに接続されたフォトダイオードPDによって構成されるとともに線形変換動作を行う光電変換回路100aを用いても構わない。このとき、MOSトランジスタT8のドレインがフォトダイオードPDのアノードとMOSトランジスタT5のドレインとの接続ノードに接続されて、MOSトランジスタT8がフォトダイオードPDのアノードとMOSトランジスタT5のドレインとの接続ノードの電圧をリセットするために動作する。又、キャパシタC1を除いた構成となる。
【0072】
図17のように構成されるとき、この画素の動作は、図18又は図19のタイミングチャートに従った動作となる。図18及び図19のタイミングチャートにおいて、信号信号φSW,φRSa,φRSbは同様の動作を行う。即ち、まず、ローとなるパルス信号φRSbが与えられてキャパシタC2がリセットされた後、ローとなるパルス信号φSWが与えられてフォトダイオードPDのアノードに現れる電圧がキャパシタC2にサンプルホールドされる。そして、ローとなるパルス信号φRSaが与えられてフォトダイオードPDのアノード側がリセットされて、垂直ブランク期間が終了する。その後、各行毎にローとなるパルス信号φVが与えられて各行の画素からの出力信号が出力される。
【0073】
このとき、図18のタイミングチャートでは、信号φVRSがVhとなるとともに信号φRSbがローとなり、又、信号φRSaがハイとなるとともに信号φVRSがVlとなることで、ほぼ垂直ブランク期間と等しい期間の間、信号φVRSの値がVhとされる。又、図19のタイミングチャートでは、信号φRSa,φRSbそれぞれがローとなっている間、信号φVRSがVhとなることで、MOSトランジスタT6,T8がリセット動作を行っている間のみ、信号φVRSがVhとされる。図18の回路においても、電圧信号φVは、垂直走査回路1内のドライバより供給され、電圧信号φV以外の電圧信号はドライバ11より供給される。
【0074】
尚、線形変換動作を行う光電変換回路100aの構成については、図17の構成に限らず、他の構成としても構わない。又、第2の実施形態のように、MOSトランジスタT10を備えた構成としても構わないし、キャパシタC1を設けた構成としても構わない。又、図6又は図11のように、MOSトランジスタT8に直流電圧VRSを印加した構成としても構わない。
【0075】
又、第1及び第2の実施形態において、所定の輝度値で線形変換動作から対数変換動作に切り替わるように各画素をリセットするものとしたが、全輝度範囲で対数変換動作を行うようにしても構わない。更に、上述の各画素において、PチャネルのMOSトランジスタで構成されるようにしたが、NチャネルのMOSトランジスタで構成されるようにしても構わない。尚、このとき、第1及び第2の実施形態における画素構成はそれぞれ、図20、図21のように、各素子の極性が逆になるのみで、その接続関係は同様である。
【0076】
【発明の効果】
本発明によると、リセット電圧を2値以上とすることで、サンプルホールド回路において電気信号をサンプルホールドしているときのリセット電圧の電圧値と、サンプルホールド回路をリセットするときのリセット電圧の電圧値とを変化させることができる。このように、サンプルホールド回路において電気信号をサンプルホールドしているときのリセット電圧をサンプルホールド回路をリセットするときの電圧値と異なる電圧値とすることによって、サンプルホールド回路からのリーク電流を低減させることができる。よって、環境温度により変化するリーク電流による影響を低減させることができ、映像信号に対して環境温度の変化による影響を低減させることができる。又、複数の画素を備えるとき、各画素の出力タイミングが異なることより発生するシェーディングノイズを、リーク電流を抑制することにより低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】固体撮像装置の構成を示すブロック回路図。
【図2】図1の一部を示す図。
【図3】第1の実施形態における固体撮像装置内の画素の構成を示す回路図。
【図4】図3の画素の動作の第1例を示すタイミングチャート。
【図5】図3の画素の動作の第2例を示すタイミングチャート。
【図6】第1の実施形態における固体撮像装置内の画素の別の構成を示す回路図。
【図7】図6の画素の動作を示すタイミングチャート。
【図8】第2の実施形態における固体撮像装置内の画素の構成を示す回路図。
【図9】図8の画素の動作の第1例を示すタイミングチャート。
【図10】図8の画素の動作の第2例を示すタイミングチャート。
【図11】第2の実施形態における固体撮像装置内の画素の別の構成を示す回路図。
【図12】図11の画素の動作を示すタイミングチャート。
【図13】第2の実施形態における固体撮像装置内の画素の別の構成を示す回路図。
【図14】図13の画素の動作の第1例を示すタイミングチャート。
【図15】図13の画素の動作の第2例を示すタイミングチャート。
【図16】本発明の固体撮像装置内の画素の別の構成を示す回路図。
【図17】線形変換動作を行う本発明の固体撮像装置内の画素の構成を示す回路図。
【図18】図17の画素の動作の第1例を示すタイミングチャート。
【図19】図17の画素の動作の第2例を示すタイミングチャート。
【図20】本発明の固体撮像装置内の画素の構成を示す回路図。
【図21】本発明の固体撮像装置内の画素の構成を示す回路図。
【図22】従来の固体撮像装置内の画素の構成を示す回路図。
【符号の説明】
1 垂直走査回路
2 水平走査回路
3−1〜3−n ライン
4−1〜4−m 出力信号線
5 電源ライン
G11〜Gmn 画素
PD フォトダイオード
T1〜T10,Q1,Q2 MOSトランジスタ
C1,C2 キャパシタ
Claims (5)
- 入射光量に応じた電気信号を出力する光電変換部と該光電変換部からの該電気信号をサンプルホールドするとともにサンプルホールドした該電気信号を映像信号として出力するサンプルホールド回路とを備えた1つ又は複数の画素を有する固体撮像装置において、
前記サンプルホールド回路をリセットするリセット電圧が2値以上の電圧値よりなることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記画素が、前記光電変換部と前記サンプルホールド回路とを電気的に接離するスイッチを備えることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記画素をリセットする画素リセット期間においては前記リセット電圧を第1電圧とし、
該画素リセット期間以外の期間においては前記リセット電圧を第2電圧とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記サンプルホールド回路をリセットするサンプルホールド回路リセット期間においては前記リセット電圧を第1電圧とし、
該サンプルホールド回路リセット期間以外の期間においては前記リセット電圧を第2電圧とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置。 - 前記光電変換部が、
入射光量に応じた量の電荷を発生する光電変換回路と、
前記光電変換回路からの電荷を蓄積して得られた電圧値を前記電気信号として出力する積分回路と、
を備えることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の固体撮像装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100278002A1 (en) * | 2009-05-01 | 2010-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Circuit and method of providing current compensation |
WO2013021577A1 (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-14 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
WO2020049398A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7385166B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-06-10 | Micron Technology, Inc. | In-pixel kTC noise suppression using circuit techniques |
US7714928B2 (en) * | 2004-05-28 | 2010-05-11 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Image sensing apparatus and an image sensing method comprising a logarithmic characteristic area and a linear characteristic area |
JP2006033631A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びサンプリング回路 |
JP4455215B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2010-04-21 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
KR101230200B1 (ko) * | 2005-03-29 | 2013-02-05 | 코니카 미놀타 포토 이미징 가부시끼가이샤 | 촬상 장치 |
JP5012188B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2012-08-29 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 固体撮像装置 |
US9825189B2 (en) * | 2015-04-10 | 2017-11-21 | Sensors Unlimited, Inc. | Dual-mode photosensitive pixel with gain stage |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6836291B1 (en) * | 1998-04-30 | 2004-12-28 | Minolta Co., Ltd. | Image pickup device with integral amplification |
JP3724188B2 (ja) * | 1998-04-30 | 2005-12-07 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 固体撮像装置 |
US7012645B1 (en) * | 1999-08-26 | 2006-03-14 | Micron Technology, Inc. | Image sensor with p-type circuitry and n-type photosensor |
US6727946B1 (en) * | 1999-12-14 | 2004-04-27 | Omnivision Technologies, Inc. | APS soft reset circuit for reducing image lag |
US7030921B2 (en) * | 2000-02-01 | 2006-04-18 | Minolta Co., Ltd. | Solid-state image-sensing device |
US6882367B1 (en) * | 2000-02-29 | 2005-04-19 | Foveon, Inc. | High-sensitivity storage pixel sensor having auto-exposure detection |
JP3750502B2 (ja) * | 2000-08-03 | 2006-03-01 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラシステム |
JP3493405B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2004-02-03 | ミノルタ株式会社 | 固体撮像装置 |
US7064313B1 (en) * | 2000-10-05 | 2006-06-20 | Ess Technology, Inc. | Gradual reset voltage reduction for resetting an image sensor |
US6847400B2 (en) * | 2001-03-22 | 2005-01-25 | Xerox Corporation | Photosensitive apparatus wherein an initial charge on a photodiode is sampled and substracted during readout |
JP2004112438A (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Minolta Co Ltd | 固体撮像装置 |
WO2004064025A2 (en) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Smal Camera Technologies | Cmos active pixel with hard and soft reset |
-
2003
- 2003-05-21 JP JP2003142880A patent/JP3948433B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-30 US US10/630,984 patent/US7280144B2/en active Active
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100278002A1 (en) * | 2009-05-01 | 2010-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Circuit and method of providing current compensation |
US8295116B2 (en) * | 2009-05-01 | 2012-10-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Circuit and method of providing current compensation |
WO2013021577A1 (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-14 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
JPWO2013021577A1 (ja) * | 2011-08-08 | 2015-03-05 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
US9197830B2 (en) | 2011-08-08 | 2015-11-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid-state imaging device and driving method of solid-state imaging device |
WO2020049398A1 (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置および電子機器 |
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