KR20040053118A - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20040053118A
KR20040053118A KR10-2004-7003166A KR20047003166A KR20040053118A KR 20040053118 A KR20040053118 A KR 20040053118A KR 20047003166 A KR20047003166 A KR 20047003166A KR 20040053118 A KR20040053118 A KR 20040053118A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing liquid
processing
held
outer circumferential
Prior art date
Application number
KR10-2004-7003166A
Other languages
English (en)
Inventor
이토겐야
가메자와마사유키
이노우에유키
기하라사치코
Original Assignee
가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Publication of KR20040053118A publication Critical patent/KR20040053118A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

본 발명의 기판처리장치는 처리액을 공급하여 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 처리한다. 기판처리장치는 기판(W)을 유지 및 회전시키기 위한 기판홀더(1), 기판(W)의 하면에 처리액을 공급하여 기판(W)의 하면을 처리하는 하면처리유닛(2) 및 기판(W)의 외주 에지부에 처리액을 공급하여 기판(W)의 외주 에지부를 처리하는 외주 에지부 처리유닛(3)을 포함한다. 기판처리장치는 기판(W)의 상면에 가스를 공급하기 위한 가스공급유닛을 더 포함한다.

Description

기판처리장치 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
반도체 웨이퍼와 같은 기판을 이용하는 반도체 디바이스를 제조하는 반도체 제조공정에서는, 기판상에 박막을 형성하는 단계가 수행된다. 이러한 박막은 스퍼터링, CVD(화학적 기상성장), 도금 등등을 포함하는 어떤 다양한 처리에 의하여 생성된다. 기판상의 박막 형성이 상기 공정들 중 하나를 이용하여 수행되는 경우에, 박막은 일반적으로 기판의 전체 표면에 형성된다. 그러나, 박막은 실제로는 기판의 한면, 특히 기판의 회로형성영역에만 형성되면 된다. 기판의 전체 표면에 적용된 박막 또는 기판이 불필요한 경우에 기판의 영역에 적용된 박막은 기판이 기판이 이송될 때 이송로봇의 핸드(hand)를 통하여 또 다른 기판으로 전이될 수 있거나 또는 벗겨지고 비산될 수 있어, 벗겨진 박막 파편이 여타의 공정의 처리환경을 오염시키는 소위 교차오염(cross contamination)을 일으킬 수 있다. 따라서, 반도체 제조공정에서는, 박막의 형성 후에, 불필요한 박막부분이 기판으로부터 제거된다.
이러한 불필요한 박막부분을 제거하기 위하여 널리 실시되는 한 방법이, 기판에 에칭액을 공급하여 불필요한 박막을 기판으로부터 선택적으로 제거하는 에칭공정이다. 구체적으로, 에칭공정은 척(chuck)과 같은 그리핑툴(gripping tool)에 의하여 유지되는 기판의 표면에 처리액의 역할을 하는 에칭액을 공급하여 불필요한 박막을 제거한다. 에칭공정은 기판처리장치에 의하여 수행되며, 이는 척 등등에 의하여 기판을 유지하는 기판홀더 및 기판홀더에 의하여 유지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액공급유닛을 포함한다.
상기 기판처리장치를 이용하여 에칭공정이 수행되는 경우에는, 다음과 같은 문제점들이 발생한다:
기판홀더가 척과 같은 그리핑툴에 의하여 기판을 잡음으로써 기판을 유지하기 때문에, 그리핑툴에 의하여 접촉되는 기판의 영역에 에칭액이 공급되지 않고, 이에 따라 이러한 기판의 영역에서 박막이 제거되지 않은채로 남아있게 된다. 따라서, 그리핑툴에 의하여 다시 기판의 또 다른 영역을 잡고, 에칭공정을 다시 수행해야 할 필요가 있다. 따라서, 기판으로부터 박막을 제거하는데 소요되는 처리시간 및 기판에 공급되는 에칭액의 양이 증가된다.
그리핑툴을 이용하지 않고 진공패드 등등에 의하여 진공하에서 기판을 유지하는 진공 척-타입(chuck-type) 홀더가 채택된다. 그러나, 진공 척-타입 홀더, 처리될 기판의 반대면이 진공상태로 흡인되어 유지되기 때문에 기판의 반대면이 에칭될 수 없다는 단점이 있다.
또한, 기판을 직접 유지하지 않는 베르누이 척-타입 홀더(Bernoulli chuck-type holder)라 불리는 또 다른 장치가 있다. 베르누이 척-타입 홀더를 구비하면,회로형성영역이 형성되는 기판상에 특히, 기판의 외주부상에서 박막이 제거되지 않을 영역과 박막이 제거될 영역 사이에 경계선을 제어하는 것이 어렵다.
또 다른 기판처리장치에 따르면, 기판의 반대면이 화학액으로 헹궈져서 에칭된다. 이러한 기판처리장치에서, 기판은 기판의 반대면 전체에 걸쳐 화학액을 퍼지게 하도록 어떠한 고속으로 회전되어야 할 필요가 있다. 따라서, 사용되는 화학액이 주위로 비산되고 기판의 바람직하지 않은 영역들에 부착되어, 기판을 오염시킨다. 또한, 화학액을 회수하고 재사용하는 경우에, 비산된 화학액이 여타의 공정을 수행하는 장치들의 벽면에 부착되기 쉽기 때문에, 회수될 화학액의 양이 감소된다.
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서 특히, 에칭공정 또는 여타의 공정을 수행하기 위하여 반도체 웨이퍼, 유리기판 또는 액정패널과 같은 기판에 주어진 처리액을 공급하기 위한 기판처리장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 블럭형태로 부분적으로 나타내는 횡단면도;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 평면도;
도 3a는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치내의 외주 에지부를 처리하기 위한 처리유닛의 확대 입면도;
도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치에 의하여 처리된 기판의 외주 에지부의 부분적인 확대도;
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치를 포함하는 기판처리장치의 평면도이다.
따라서, 본 발명의 목적은 짧은 시간기간내에 처리되어야 하는 기판의 모든 영역을 처리할 수 있고, 처리될 필요가 없는 기판의 영역에 처리액이 공급되는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위하여, 기판을 유지 및 회전시키기 위한 기판홀더; 기판홀더에 의하여 유지되는 기판의 하면에 처리액을 공급하여 기판의 하면을 처리하는 하면처리유닛; 기판홀더에 의하여 유지되는 기판의 외주 에지부에 처리액을 공급하여 기판의 외주 에지부를 처리하는 외주 에지부처리유닛; 및 기판홀더에 의하여 기판의 상면에 가스를 공급하기 위한 가스공급유닛을 포함하는 기판처리장치가 제공된다.
본 발명에 따르면, 기판처리장치가 기판의 하면 뿐만 아니라, 기판의 외주에지부까지도 처리할 수 있다. 따라서, 기판처리장치가 처리되어야 하는 기판의 영역을 신뢰성있게 처리할 수 있다. 또한, 가스가 기판의 상면에 공급되어, 처리액 및 처리액의 증기가 기판의 상면에 공급되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 처리될 필요가 없는 기판의 상면이 처리액으로부터 보호된다.
기판처리장치는 하면처리유닛 및 외주 에지부처리유닛에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급유닛을 더 포함한다.
본 발명의 바람직한 형태에서, 기판홀더는 기판의 외주면을 접촉시키기 위한 복수의 회전롤러 및 1이상의 회전롤러를 회전시키기 위한 액추에이터를 포함한다. 기판이 회전롤러에 의하여 유지되고, 그 자신의 축선을 중심으로 회전되기 때문에, 회전롤러에 의하여 유지되는 기판의 영역들이 계속 이동한다. 따라서, 기판홀더에 의하여 방해받지 않고, 기판홀더에 의하여 유지되는 기판의 영역들에 처리액이 공급될 수 있다. 따라서, 기판을 다시 유지하고 처리해야할 필요가 없어, 기판을 처리하는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.
본 발명의 바람직한 형태에서, 하면처리유닛은 기판홀더에 의하여 유지되는 기판의 하면을 향하는 평탄한 표면을 갖는 제1대향부재 및 제1대향부재의 평탄한 표면에서 개방되도록 상기 제1대향부재내에 형성된 처리액통로를 포함한다. 처리액은 처리액통로를 통과하여 제1대향부재의 평탄한 표면으로 공급된다. 평탄한 표면에 공급된 처리액은 기판의 전체 하면에 퍼지는 한편, 표면장력을 받아 기판의 하면과 접촉하여 유지된다. 따라서, 기판의 전체 하면상에 처리액을 퍼지게 하기 위하여 기판을 높은 회전속도로 회전시킬 필요가 없다. 따라서, 처리액이 회전하는 기판에 의하여 주변으로 비산되는 것이 방지되며, 높은 비율로 회수될 수 있다.
본 발명의 바람직한 형태에서, 외주 에지부처리유닛은 기판홀더에 의하여 유지되는 기판을 향하여 그리고 그로부터 멀리 이동할 수 있다. 보다 바람직하게는, 외주 에지부처리유닛은 기판홀더에 의하여 유지된 기판의 외주 에지부를 둘러싸기 위하여 그 외주면에 그루브가 형성되어 있는 회전가능한 처리롤러를 포함한다.
외주 에지부처리유닛이 기판에 근접하게 이동하거나 접촉하면, 하면처리유닛의 제1대향부재에 공급된 처리액이 제1대향부재 및 기판을 통하여 외주 에지부처리유닛으로 전달된 다음, 처리롤러내의 그루브를 통하여 기판의 외주 에지부로 공급되어, 기판의 외주 에지부가 처리된다. 즉, 처리롤러로 안내되는 처리액은 처리롤러내의 그루브에 의하여 유지된 다음, 기판의 회전에 의하여 전체 둘레로 공급된다. 따라서, 기판의 외주 에지부가 처리된다. 이러한 방식으로, 기판의 하면 및 외주 에지부가 하면처리유닛에 공급되는 처리액으로 동시에 처리될 수 있기 때문에, 사용되는 처리액의 양이 감소될 수 있고, 기판을 처리하는데 소요되는 시간도 단축될 수 있다. 처리롤러는, 기판의 외주 에지부상에서 처리될 기판의 영역 및 처리되지 않을 기판의 영역을 정확히 확립하도록 기판에 대하여 제 자리에 조정될 수 있다.
본 발명의 바람직한 형태에서, 가스공급유닛은 기판홀더에 의하여 유지되는 기판의 상면을 향하도록 배치된 제2대향부재 및 기판홀더에 의하여 유지된 기판과 제2대향부재의 하면 사이에 형성된 공간으로 가스를 공급하기 위한 가스공급장치를 포함한다.
하면처리유닛 및 외주 에지부처리유닛으로부터 공급된 처리액이 기판의 상면으로 들어가려 하면, 가스공급유닛으로부터 공급되는 가스에 의하여 처리액이 뒤쪽으로 떠밀린다. 따라서, 처리될 필요가 없는 기판의 상면에 처리액이 공급되는 것을 방지할 수 있다. 가스가 질소가스를 포함하면, 기판의 상면과 제2대향부재의 하면 사이에 형성된 공간이 질소가스로 채워질 수 있고, 질소가스는 처리액의 증기로부터 기판의 상면을 보호하기 위한 정화가스로서 작용한다.
본 발명의 상기 및 기타 목적, 특징 및 이점은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 기술하는 첨부된 도면과 함께 취해지는 이하의 설명에서 명확해진다.
본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치가 도면을 참조하여 설명된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 기판처리장치는 기판(W)을 유지하기 위한 기판홀더(1), 기판(W)의 하면에 처리액을 공급하여 기판(W)의 하면을 처리하기 위한 하면처리유닛(2) 및 기판(W)의 외주 에지부에 처리액을 공급하여 기판(W)의 외주 에지를 처리하기 위한 한 쌍의 외주 에지부 처리유닛(3)을 가진다. 기판처리장치는 하면 처리유닛(2) 및 외주 에지부 처리유닛(3)에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급유닛(4), 기판(W)의 상면에 가스를 공급하기 위한 가스공급유닛(5) 및 기판(W)을 처리하는데 사용된 처리액을 회수하고 회수된 처리액을 처리액 공급유닛(4)으로 공급하는 처리액회수유닛(6)을 더 포함한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판홀더(1)는 기판(W)을 유지하고 기판(W)을 수평면으로 회전시키기 위한 4개의 회전롤러(11)를 가진다. 회전롤러들(11)은 개별적인 모터들(도시되지 않음)에 의하여 그 자신의 축선을 중심으로 회전가능하다. 회전롤러(11)는 화살표로 표시된 방향으로 기판(W)과 접촉 및 분리되도록 이동가능하다. 기판(W)이 기판처리장치내에 로딩되면, 4개의 회전롤러(11)가 기판(W)을 향해 이동되고 기판(W)의 외주면과 접촉한다. 기판(W)은 그 외주면과 접촉하거나 맞물리는 회전롤러(11)에 의하여 제자리에 유지된다. 회전롤러(11)가 대응하는 모터에 의하여 그 자신의 축선을 중심으로 회전되면, 회전롤러(11)에 의하여 유지된 기판(W)은 그 자신의 축선을 중심으로 회전된다. 이 경우에, 회전롤러(11)는 회전롤러(11)에 결합된 개별적인 모터들에 의하여 회전되거나 회전롤러들(11) 중 하나에 결합된 1이상의 모터에 의하여 회전될 수도 있다. 회전롤러(11)의 회전속도는 기판(W)이 5 내지 100 rpm(min-1) 범위의 회전속도로 회전되도록 사전설정된 값으로 세팅된다. 예시된 실시예에서, 기판(W)은 처리액으로 처리되어야 할 기판(W)의 표면이 아래쪽으로 향하고, 처리액으로 처리될 필요가 없는 기판(W)의 표면 예를 들어, 그 위에 회로형성영역이 있는 표면이 위쪽으로 향하는 방식으로 기판홀더(1)에 의하여 유지된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 하면 처리유닛(2)은 기판홀더(1)에 의하여 유지된 기판(W)의 하면을 향하는 평탄한 표면(14a)을 갖는 제1대향부재(14)를 가진다. 하면 처리유닛(2)은 한 끝단부가 제1대향부재(14)의 평탄한 표면(14a)내의 실질적으로 중앙부에 개방되고, 다른 단부는 처리액 공급유닛(4)에 연결되는 처리액통로(15)를 또한 가진다. 이러한 배열에 따르면, 처리액 공급유닛(4)으로부터 공급된 처리액이 수직처리액 통로(15)를 통하여 제1대향부재(14)의 상면 즉 평탄한 표면(14a)에 공급된다.
제1대향부재(14)는 액추에이터(도시되지 않음)에 의하여 수직으로 이동가능하고, 기판홀더(1)에 의하여 유지된 기판(W)의 하면에 근접한 위치로 이동할 수 있으며, 제1대향부재(14)의 상기 위치는 기판(W)의 하면으로부터 0.5 내지 4mm의 거리만큼 이격되어 있다. 따라서, 제1대향부재(14)가 들어올려지면, 제1대향부재(14)의 평탄한 표면(14a)상면과 기판(W)의 하면 사이에 작은 갭이 생성된다. 처리액통로(15)로부터 제1대향부재(14)의 평탄한 표면(14a)으로 공급되는 처리액이 작은 갭을 채우고, 이에 따라 기판(W)의 하면에 공급된다.
하면 처리유닛(2)은 처리액통로(15)에 평행하게 연장하는 순수공급통로(21)를 또한 가진다. 순수공급통로(21)는 한 단부가 제2대향부재(14)의 평탄한 표면(14a)내의 실질적으로 중앙부에 개방되어 있고 다른 단부가 순수공급원(도시되지 않음)에 연결되어 있다. 이러한 배열에 따르면, 순수공급원으로부터 공급된 순수가 도 1의 화살표(A)로 표시된 방향으로 파이프(18e)에 공급되고, 그런 다음 순수공급통로(21)를 통하여 제1대향부재(14)의 평탄한 표면(14a)에 공급된다. 기판처리장치는 저장형 벽(receptacle-like wall)을 가지고, 기판홀더(1)에 의하여 유지되는 기판(W)의 상면에 순수를 분사하는 제1순수분사장치(22)는 벽(50)의 내벽면에 제공된다.
처리액공급유닛(4)은 처리액 컨테이너(16), 가열장치(20), 펌프(17) 및 파이프(18c)에 의하여 상호연결되는 필터(19)를 포함한다. 처리액 컨테이너(16)에 저장되는 처리액은 펌프(17)에 의하여 파이프(18c)를 통해 필터(19)로 전달되고, 불순물은 필터(19)에 의하여 처리액으로부터 제거된다. 그런 다음, 처리액은 파이프(18d)에 의하여 필터(19)로부터 처리액통로(15)에 연결된 가열장치(20)로 전달된다. 가열장치(20)로 전달된 처리액은 가열장치(20)에 의하여 필요한 온도로 가열된 후, 파이프(18d)를 통하여 처리액통로(15)로 공급된다.
제1방향절환(directional) 제어밸브(37)는 가열장치(20) 및 처리액통로(15)를 연결하는 파이프(18d)에 제공된다. 제1방향절환 제어밸브(37)를 스위칭하면, 처리액이 처리액통로(15) 보다는 파이프(18b)로 공급된다. 파이프(18b)는 처리액 컨테이너(16)에 연결되고, 이에 따라 처리액 컨테이너(16), 가열장치(20) 및필터(19)를 통해 순환하도록 처리액을 위한 가열순환경로를 형성한다. 펌프(17), 파이프들(18b, 18c, 18d) 및 제1방향절환 제어밸브(37)는 처리액 컨테이너(16)와 가열장치(20) 사이에서 처리액을 순환시키기 위한 순환장치로서 작용한다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 각각의 외부 에지부 처리유닛(3)은 처리롤러(25) 및 그 상단부에서 처리롤러(25)를 회전가능하게 지지하는 베이스(27)를 가진다. 처리롤러(25)는 그 외주면에 형성된 고리모양 그루브(26)를 가진다. 그루브(26)는 기판(W)의 외주 에지부를 둘러싸도록 직사각형 단면적을 가진다. 그루브(26)는 10mm정도의 깊이를 갖고, 처리롤러(25)가 기판홀더(1)에 의하여 유지되는 기판(W)에 근접하게 이동될 때, 기판(W)의 외주 에지부가 그루브(26)로 들어가도록 위치된다. 처리롤러(25)는 합성수지, 부직포, 다공성 합성수지 등등을 포함하는 다양한 재료 중의 하나로 이루어진다. 기판(W)의 외부 에지부는 그 외주부 근방의 기판(W)의 상면 및 하면과 도 3b에 C로 표시되는 바와 같이 반경방향의 외측으로 향하는 기판(W)의 외주면으로 형성된다. 기판(W)의 영역(D)은 처리액으로 처리될 필요가 없는 영역이다.
가역(reversible) 펄스-제어모터(28)는 베이스(27)에 수용되고 베이스(27)의 바닥부에 장착된다. 수나사부재(29)는 그 단부에서 펄스-제어모터(28)의 구동샤프트에 연결된다. 수나사부재(29)는 기판처리장치의 내벽면에 고정된 암나사부재(도시되지 않음)와 나사결합된다. 이러한 배열에 따르면, 펄스-제어모터(28)에 전압이 가해지면, 수나사부재(29)가 기판처리장치의 내벽면에 고정된 암나사부재에 나사결합되기 때문에, 내부에 펄스-제어모터(28)를 수용하는 외주 에지부처리유닛(3)의 위치를 변화시킨다. 따라서, 펄스-제어모터(28)에 전압이 가해지면, 처리롤러(25)가 기판(W)을 향해 또는 그로부터 멀리 수평으로 이동될 수 있다. 따라서, 처리롤러(25)는 처리되어야 할 기판(W)영역의 경계선을 정확히 설정하기 위하여 기판(W)에 대하여 제자리에 조정될 수 있다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 외주 에지부 처리유닛(3)에 의하여 처리되는 기판(W)의 외주 에지부에서의 경계선은 기판(W)이 그루브(26)로 들어갈 수 있는 깊이(d)로 조정될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 외주 에지부 처리유닛(3)의 처리롤러(25)로 순수를 분사하는 제2순수분사장치(23)는 기판처리유닛의 내벽면상에 장착된다.
가스공급유닛(5)은 원형인 제2대향부재(31)를 갖고, 기판홀더(1)에 의하여 유지되는 기판(W)의 상면과 마주하는 관계로 실질적으로 수평하게 놓여진다. 제2대향부재(31)는 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(W)의 직경보다 약간 작은 직경을 가진다. 가스공급유닛(5)은, 한 단부가 그 외주 에지부 근처의 제2대향부재(31)의 하면에서 개방되고, 다른 단부가 가스공급소스(도시되지 않음)에 연결되어 있는 가스통로(32)를 가진다.
가스통로(32) 및 가스공급소스는 기판홀더(1)에 의하여 유지되는 기판(W)의 상면과 제2대향부재(31)의 하면 사이에 형성되는 공간으로 가스를 공급하는 가스공급수단으로서 작용한다. 특히, 가스공급소스로부터 공급된 소정의 가스는 화살표(B)로 표시된 방향으로 가스통로(32)로 공급되고, 가스통로(32)를 통과한 다음 제2대향부재(31)의 외주 에지부에 근접한 위치로부터 기판(W)으로 공급된다. 제2대향부재(31)는 액추에이터(도시되지 않음)에 의하여 수직으로 이동가능하고,기판홀더(1)에 의하여 유지되는 기판(W)의 상면에 근접한 위치로 이동할 수 있으며, 제2대향부재(31)의 상기 위치는 기판(W)의 상면으로부터 0.5 내지 5mm 거리만큼 이격되어 있다.
처리액 회수유닛(6)은 제1대향부재(14)에서 떨어지는 처리액을 회수하기 위하여 제1대향부재(14) 아래에 배치되는 복수의 경사진 회수판(35) 및 경사진 회수판(35)에 의하여 회수되는 처리액을 가스로부터 분리하기 위한 가스-액체분리기(36)를 가진다. 경사진 회수판(35) 및 가스-액체분리기(36)는 파이프(18a)에 의하여 서로 연결된다. 가스-액체분리기(36)는 제2방향절환 제어밸브(38) 및 파이프(18b)를 통하여 처리액컨테이너(16)에 연결된다. 이러한 배열에 따르면, 기판(W)을 처리한 처리액이 경사진 회수판(35)에 의하여 회수되고 그로부터 가스-액체분리기(36)로 전달된다. 처리액은 가스-액체분리기(36)에 의하여 가스로부터 분리된 다음, 처리액컨테이너(16)로 전달된다. 가스-액체분리기(36)에 의하여 분리된 가스는 가스배출포트(39)로부터 배출된다.
제2방향절환 제어밸브(38)는 드레인포트(40)를 가지고, 제2방향절환 제어밸브(38)를 스위칭하면, 가스-액체분리기(36)로부터 배출된 액체가 처리액컨테이너(16)로 전달되기 보다는 드레인포트(40)로부터 배출된다. 특히, 기판(W)이 순수공급통로(21)로부터 공급된 순수에 의하여 세정될 때, 제2방향절환 제어밸브(38)는 처리액컨테이너(16)로 순수를 전달하지 않고, 드레인포트(40)로부터 순수를 배출시키도록 작동된다.
처리액회수유닛(6)에 의하여 회수된 처리액의 온도가 낮으면, 제1방향절환제어밸브(37)가 작동되어, 가열장치(20)를 통하여 가열된 순환통로내에서 회수된 처리액을 순환시켜, 처리액을 필요한 온도로 가열시킨다.
이하에서는 기판처리장치의 작동이 설명된다.
처리될 기판(W)이 이송로봇 등등에 의하여 기판처리장치로 로딩되면, 기판홀더(1)의 4개의 회전롤러(11)가 기판(W)을 향해 이동되고 기판(W)의 외주면과 접촉하게 되어, 기판(W)을 제자리에 유지한다. 기판(W)이 회전롤러(11)에 의하여 유지될 때, 처리액공급유닛(4)의 제1대향부재(14)가 들어 올려진 후, 기판(W)의 하면이 제1대향부재(14)의 평탄한 표면(14a)으로부터 0.5 내지 4mm범위의 거리만큼 이격되어 있는 위치에서 정지된다. 제1대향부재(14)가 들어 올려짐과 동시에, 가스공급유닛(5)의 제2대향부재(31)가 하강된 후, 기판(W)의 상면이 제2대향부재(31)의 하면으로부터 0.5 내지 5mm범위의 거리만큼 이격되어 있는 위치에서 정지된다. 그런 다음, 질소가스가 가스통로(32)로부터 기판(W)의 상면으로 분사된다.
그런 다음, 회전롤러(11)가 개별적인 모터들에 의하여 회전되어, 기판(W)을 5 내지 100 rpm(min-1)범위의 회전속도로 회전시킨다. 기판(W)이 회전될 때, 처리액이 펌프(17)에 의하여 처리액 컨테이너(16)로부터 가열장치(20)로 전달된 후, 가열장치(20)에 의하여 주어진 온도까지 가열된다. 그 후, 가열된 처리액이 처리액통로(15)를 통하여 제1대향부재(14)의 평탄한 표면(14a)의 실질적으로 중심영역으로 공급된다. 제1대향부재(14)의 평탄한 표면(14a)으로 공급된 처리액은 제1대향부재(14)와 기판(W) 사이의 갭을 채우기 시작하고, 이에 따라 기판(W)의 하면으로공급되기 시작한다. 처리액이 기판(W)의 하면으로 공급됨과 동시에, 처리롤러(25)가 펄스-제어모터(28)에 의하여 기판(W)쪽으로 이동된다. 기판(W)의 외주 에지부가 처리롤러(25)내의 그루브(26)로 들어가고 그루브(26)내의 주어진 위치에 도달하면, 처리롤러(25)가 정지된다. 처리롤러(25)가 정지되는 위치는, 기판(W)의 외주 에지부상에서 처리될 영역을 미리 한정하기 위하여 사전설정될 수 있다.
제1대향부재(14)의 실질적인 중심부로부터 공급되는 처리액은 회전하는 기판(W)의 원심력을 받아, 기판(W)과 제1대향부재(14) 사이의 갭을 통하여 반경방향의 바깥쪽으로 퍼진다. 따라서, 처리액이 기판(W)의 전체 하면으로 공급된다. 기판(W)의 하면상에 퍼져있는 처리액이 처리롤러(25)에 도달하면, 도 3a에 화살표 E로 표시되는 바와 같이, 처리액이 롤러(25)와 기판(W) 사이의 작은 갭으로 들어가게 되어, 기판(W)의 외주 에지부를 처리하게 된다. 즉, 처리롤러(25)로 안내되는 처리액은 처리롤러(25)내의 그루브(26)에 의하여 유지된 후, 기판(W)의 회전에 의하여 기판(W)의 외주 에지부의 전체 둘레로 공급된다. 따라서, 기판(W)의 외주 에지부가 처리된다. 기판(W)의 외주 에지부는 외주면으로부터 반경방향으로 내측부까지의 영역에서 거리 "d" 만큼 처리액에 의하여 처리된다. 이 때, 처리액의 일부는 처리되지 않아야 하는 기판(W)의 영역(D)으로 들어가려는 경향이 있다. 그러나, 처리액이 제2대향부재(31)의 하면으로부터 공급되는 질소가스에 의하여 뒤쪽으로 떠밀리기 때문에, 처리액이 기판(W)의 영역(D)으로 들어가는 것이 방지된다.
기판(W)의 하면과 외주 에지부에 공급된 처리액은 기판(W)을 처리한 후, 기판(W)에서 떨어져서 경사진 회수판(35)으로 흘러내려, 가스-액체분리기(36)로 들어간다. 가스-액체분리기(36)에서, 처리액이 가스로부터 분리되고, 가스는 가스배출포트(39)로부터 배출되고, 처리액은 파이프(18b)를 통하여 처리액 컨테이너(16)로 공급된다.
기판(W)이 사전설정된 시간주기동안 처리된 다음, 처리롤러(25)가 기판(W)으로부터 떨어져서 배치되고, 펌프(17)가 처리액의 공급을 중단하기 위하여 턴오프된다. 그런 다음, 제1대향부재(14)가 하강되고, 동시에 제2대향부재(31)가 상승된다. 그 후, 순수가 순수공급유로(17) 및 제1순수분사장치(22)로부터 공급되어, 기판(W)의 상면 및 하면상에 남아있는 처리액을 제거한다. 순수는 또한 제2순수분사장치(23)에서 공급되어 처리롤러(25)에 부착된 처리액을 제거한다. 이 때, 제2방향절환 제어밸브(38)가 동작되어, 가스-액체분리기(36)를 드레인포트(40)에 연결시킨다. 따라서, 기판(W) 및 처리롤러(25)를 세정한 순수가 경사진 회수판(35)에 의하여 회수되고, 가스-액체분리기(36)를 통과한 후, 드레인포트(40)로부터 배출된다. 그 후, 기판(W)의 회전이 정지된 다음, 기판(W)이 기판처리장치로부터 이송로봇에 의하여 언로딩된다. 이제, 기판처리장치의 처리순서가 종료된다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 기판(W)의 하면 및 그 외주 에지부를 동시에 처리할 수 있기 때문에 짧은 시간기간동안 기판(W)을 처리할 수 있다. 회전롤러(11) 및 기판(W)이 서로 접촉하는 영역에 처리액이 공급되기 때문에, 기판(W)을 다시 유지하고 기판(W)을 다시 처리할 필요가 없어, 처리시간이 단축된다. 기판(W)의 상면을 보호하기 위하여 질소가스가 공급되기 때문에, 처리되지 않아야 하는 기판(W)의 상면이 처리되는 것이 방지된다. 또한, 기판(W)이 5 내지100rpm(min-1) 범위의 비교적 낮은 회전속도로 회전되기 때문에, 기판(W)에 공급되는 처리액이 주변으로 비산되지 않고, 비교적 높은 비율로 회수될 수 있다.
이제, 본 발명에 따른 기판처리장치를 포함하는 기판처리시스템이 설명된다. 기판처리시스템에서, 기판처리장치는 에칭액으로 웨이퍼를 에칭하여, 그 위에 박막이 형성되어 있는 반도체웨이퍼(이하, "웨이퍼"라 불림)를 처리한다. 그러나, 본 발명은 이러한 기판처리장치에 제한되지 않는다.
도 4는 본 발명에 따른 기판처리장치를 포함하는 기판처리시스템의 평면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 기판처리시스템은 각각 복수의 웨이퍼(W)를 저장하기 위한 2개의 웨이퍼카세트(51a, 51b), 웨이퍼(W)를 에칭하기 위한 기판처리장치(52), 에칭된 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 기판세정장치(53) 및 세정된 웨이퍼(W)를 건조하기 위한 기판건조장치(54)를 가진다. 기판처리시스템은 또한, 상기 장치들 사이에서 웨이퍼(W)를 이송하기 위한 제1이송로봇(55a) 및 제2이송로봇(55b)과 이송로봇들(55a, 55b) 사이에서 웨이퍼(W)를 이송하도록 웨이퍼(또는 웨이퍼들)(W)을 임시적으로 놓아두기 위한 이송버퍼스테이지(56)를 가진다.
각각의 웨이퍼카세트(51a, 51b)는 개별적인 웨이퍼(W)를 저장하기 위한 복수의 저장선반(도시되지 않음)을 가진다. 웨이퍼(W)는 제1이송로봇(55a)에 의하여 웨이퍼카세트들(51a, 51b) 중 하나로부터 제거된 다음, 이송버퍼스테이지(56)를 거쳐 제2이송로봇(55b)으로 이송된다. 제2이송로봇(55b)에 전달된 웨이퍼(W)는 기판(W)이 에칭되는 기판처리장치(52)로 도입된다. 기판처리장치(52)는 도 1 내지도 3a 및 도 3b를 참조하여 상술된 기판처리장치와 동일한 구조로 이루어지며 동일한 방식으로 동작한다. 웨이퍼(W)에 부착되거나 증착된 구리막이 에칭되는 경우에, 기판처리장치(52)에 사용되는 에칭액은 예를 들어, 구리막을 에칭하기 위하여 동시에 또는 번갈아 공급되는 산성용액 및 산화제용액의 조합을 포함한다. 산성용액은 예를 들어, 플루오르화수소산, 염산, 황산, 술폰산, 시트르산, 옥살산 등등과 같은 비산화성 산(non-oxidizing acid)을 포함하는 용액일 수 있다. 산화제용액은 오존수, 과산화수소수수, 질산수, 하이포아염소산나트륨수 등등일 수 있다.
기판처리장치(52)에서 에칭된 후에, 웨이퍼(W)는 제2이송로봇(55b)에 의하여 기판세정장치(53)로 도입된다. 기판세정장치(53)는 세정액을 공급하는 스폰지롤(도시되지 않음)을 가지고, 웨이퍼(W)를 유지 및 회전시키면서 스폰지롤을 웨이퍼(W)와 접촉시킴으로써, 웨이퍼(W)를 세정한다. 에칭공정에 의하여 생성된 생성물(product)은 기판세정장치(53)에 의하여 웨이퍼(W)에서 제거된다. 그런 다음, 세정된 웨이퍼(W)는 제2이송로봇(55b)에 의하여 기판세정장치(53)로부터 기판건조장치(54)로 이송된다. 기판건조장치(54)는 웨이퍼(W)를 높은 회전속도로 회전시켜(spinning) 웨이퍼(W)를 건조시키기 위한 스핀건조기(도시되지 않음)를 가진다. 스핀건조기는 웨이퍼(W)에 부착된 세정액을 건조시킨다. 건조된 웨이퍼(W)는 제1이송로봇(55a)에 의하여 이송되어, 웨이퍼카세트들(51a, 51b) 중의 하나에 놓여진다. 이제, 기판처리시스템의 처리순서가 종료된다. 따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치는 에칭공정, 세정공정 및 건조공정을 포함하는 다양한 공정을 수행하는 기판처리시스템에 통합될 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판처리장치는 기판의 하면 및 그 외주 에지부를 동시에 처리할 수 있기 때문에 짧은 시간기간동안 기판(W)을 처리할 수 있다. 가스가 기판의 상면을 보호하도록 공급되기 때문에, 처리액 및 처리액의 증기가 처리되지 않아야 하는 기판의 상면에 제공되는 것을 방지할 수 있다.
기판은 회전롤러에 의하여 유지되기 때문에, 회전롤러 및 기판이 서로 접촉하는 영역이 항상 이동하고, 따라서 이들 접촉영역에 처리액을 공급하게 한다. 따라서, 기판을 다시 유지하고, 기판을 다시 처리할 필요가 없어, 처리시간을 단축시킬 수 있다. 또한, 기판이 비교적 낮은 회전속도로 회전되기 때문에, 기판에 공급되는 처리액이 주변으로 비산되지 않고, 비교적 높은 비율로 회수될 수 있다.
본 발명의 특정 바람직한 실시예가 도시되고 상세히 기술되었지만, 첨부된 청구항의 기술적 사상을 벗어나지 않으면서 다양한 변경 및 수정이 이루어질 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 에칭공정 또는 여타의 공정을 수행하기 위하여 반도체웨이퍼, 유리기판 또는 액정패널과 같은 기판으로 정해진 처리액을 공급하기 위한 기판처리장치에 적용가능하다.

Claims (13)

  1. 기판처리장치에 있어서,
    기판을 유지 및 회전시키기 위한 기판홀더;
    상기 기판홀더에 의하여 유지되는 상기 기판의 하면에 처리액을 공급하여 상기 기판의 하면을 처리하는 하면처리유닛;
    상기 기판홀더에 의하여 유지되는 상기 기판의 외주 에지부에 처리액을 공급하여 상기 기판의 외주 에지부를 처리하는 외주 에지부처리유닛; 및
    상기 기판홀더에 의하여 유지되는 상기 기판의 상면에 가스를 공급하기 위한 가스공급유닛을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하면처리유닛 및 상기 외주 에지부처리유닛에 상기 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급유닛을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기판홀더는 상기 기판의 외주면을 접촉시키기 위한 복수의 회전롤러 및 1이상의 상기 회전롤러를 회전시키기 위한 액추에이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하면처리유닛은 상기 기판홀더에 의하여 유지되는 상기 기판의 하면을 향하는 평탄한 표면을 갖는 제1대향부재 및 상기 제1대향부재의 상기 평탄한 표면에서 개방되도록 상기 제1대향부재내에 형성된 처리액통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판홀더에 의하여 유지되는 상기 기판 및 상기 제1대향부재는 0.5 내지 4mm의 거리만큼 서로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외주 에지부처리유닛은 상기 기판홀더에 의하여 유지되는 상기 기판을 향하는 방향 및 그로부터 멀어지는 방향으로 이동할 수 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 외주 에지부처리유닛은 상기 기판홀더에 의하여 유지된 상기 기판의 외주 에지부를 둘러싸기 위하여 그 외주면에 형성된 그루브가 있는 회전가능한 처리롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제2항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액 공급유닛은, 그 안에 상기 처리액을 저장하기 위한 처리액 컨테이너, 상기 처리액 컨테이너로부터 공급된 상기 처리액을 가열하기 위한 가열장치, 상기 처리액 컨테이너와 상기 가열장치 사이에서 상기 처리액을 순환시키기 위한 순환장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스공급유닛은 상기 기판홀더에 의하여 유지되는 상기 기판의 상면을 향하도록 배치된 제2대향부재 및 상기 기판홀더에 의하여 유지된 상기 기판과 상기 제2대향부재의 하면 사이에 형성된 공간으로 가스를 공급하기 위한 가스공급장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2대향부재는 원형이고, 상기 기판의 직경보다 작은 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 제2대향부재 및 상기 기판홀더에 의하여 유지된 상기 기판은 0.5 내지 5mm 범위의 거리만큼 서로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제2항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하면 처리유닛 및 상기 외주 에지부 처리유닛에 공급된 상기 처리액을 회수하고 회수된 상기 처리액을 상기 처리액공급유닛으로 공급하는 처리액회수유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액은 에칭액을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
KR10-2004-7003166A 2001-10-16 2002-10-15 기판처리장치 KR20040053118A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001317865A JP2003124180A (ja) 2001-10-16 2001-10-16 基板処理装置
JPJP-P-2001-00317865 2001-10-16
PCT/JP2002/010655 WO2003034479A1 (en) 2001-10-16 2002-10-15 Substrate processing apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040053118A true KR20040053118A (ko) 2004-06-23

Family

ID=19135668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-7003166A KR20040053118A (ko) 2001-10-16 2002-10-15 기판처리장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20040216841A1 (ko)
EP (1) EP1436832A1 (ko)
JP (1) JP2003124180A (ko)
KR (1) KR20040053118A (ko)
TW (1) TW564474B (ko)
WO (1) WO2003034479A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100777658B1 (ko) * 2006-06-12 2007-11-19 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판을 처리하는 방법

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180089562A (ko) 2003-04-10 2018-08-08 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템
KR101238142B1 (ko) 2003-04-10 2013-02-28 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
US7883739B2 (en) * 2003-06-16 2011-02-08 Lam Research Corporation Method for strengthening adhesion between dielectric layers formed adjacent to metal layers
TW201816844A (zh) 2004-03-25 2018-05-01 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法
US7636234B2 (en) * 2004-08-09 2009-12-22 Lam Research Corporation Apparatus configurations for affecting movement of fluids within a microelectric topography processing chamber
DE102005019330A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-09 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Transportsystem für ein scheibenförmiges Objekt und System zur Inspektion eines scheibenförmigen Objekts
JP4796902B2 (ja) * 2005-07-11 2011-10-19 芝浦メカトロニクス株式会社 基板のスピン処理装置
JP4841376B2 (ja) * 2006-02-07 2011-12-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20080026598A1 (en) * 2006-07-26 2008-01-31 Taek Yong Jang Semiconductor manufacturing device and method
KR100918663B1 (ko) * 2007-08-22 2009-09-22 주식회사 테라세미콘 반도체 제조 장치
JP5270607B2 (ja) 2010-03-30 2013-08-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TWI451519B (zh) * 2010-10-19 2014-09-01 Au Optronics Corp 基板運輸處理方法
JP5513432B2 (ja) * 2011-03-31 2014-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置及び基板周縁処理方法
JP5341939B2 (ja) * 2011-03-31 2013-11-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JP6100487B2 (ja) 2012-08-20 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6985987B2 (ja) * 2018-06-15 2021-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2024065869A (ja) 2022-10-31 2024-05-15 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3027934A1 (de) * 1980-07-23 1982-02-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur einseitigen aetzung von halbleiterscheiben
US4600463A (en) * 1985-01-04 1986-07-15 Seiichiro Aigo Treatment basin for semiconductor material
JPH02130922A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Toshiba Corp 半導体基板エッチング装置
JPH0878378A (ja) * 1994-09-08 1996-03-22 Toshiba Corp 半導体基板の表面処理方法
JPH09213674A (ja) * 1996-01-31 1997-08-15 Sumitomo Sitix Corp 半導体基板のエッチング方法とその装置
US5861066A (en) * 1996-05-01 1999-01-19 Ontrak Systems, Inc. Method and apparatus for cleaning edges of contaminated substrates
DE19622015A1 (de) * 1996-05-31 1997-12-04 Siemens Ag Verfahren zum Ätzen von Zerstörungszonen an einem Halbleitersubstratrand sowie Ätzanlage
US6398975B1 (en) * 1997-09-24 2002-06-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for localized liquid treatment of the surface of a substrate
JP3731634B2 (ja) * 1998-12-16 2006-01-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3395696B2 (ja) * 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100777658B1 (ko) * 2006-06-12 2007-11-19 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판을 처리하는 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW564474B (en) 2003-12-01
WO2003034479A1 (en) 2003-04-24
EP1436832A1 (en) 2004-07-14
JP2003124180A (ja) 2003-04-25
US20040216841A1 (en) 2004-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20040053118A (ko) 기판처리장치
KR100881964B1 (ko) 기판처리장치
US7290948B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR102541745B1 (ko) 습식 에칭 방법, 기판 액처리 장치 및 기억 매체
US20080308131A1 (en) Method and apparatus for cleaning and driving wafers
JP2005191511A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR101866640B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TWI666697B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及記憶媒體
KR20080082846A (ko) 기판 박판화 방법, 기판 박판화 장치 및 이를 포함하는기판 박판화 시스템
JP4787038B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US6946399B1 (en) Cleaning system method and apparatus for the manufacture of integrated cicuits
JP3341727B2 (ja) ウエット装置
JP4781253B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2003197718A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20080009838A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP4091335B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2006202983A (ja) 基板処理装置および処理室内洗浄方法
KR20100060094A (ko) 기판 이면 세정 방법
JP2004055927A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2978806B2 (ja) 基板の処理方法
JP2005175036A (ja) 基板処理装置
KR102583262B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20180134502A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20120077516A (ko) 기판 처리 장치
JP2001267277A (ja) ウェハの洗浄装置及び洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid