TW564474B - Substrate processing apparatus - Google Patents

Description

564474 五、發明說明（1) [發明所屬之技術領域] 本發明有關一種基板處理裝置，尤指一種供應特定處 理液至諸如半導體晶圓、玻璃基板或液晶面板之基板以進 行蝕刻製程或其他製程之基板處理裝置。 [先前技術] 在使用諸如半導體晶圓之基板以製造半導體裝置的半 導體製程中，形成薄膜之步驟係於基板上完成，此薄膜係 藉由包括減;鑛、化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition， CVD)及電鍍等之任一不同製程而製造，當薄 膜於基板上之形成係使用上述其中一個製程而進行時，該 薄膜通常會形成於基板的整個表面上。然而，實際上只需 於基板之一側上形成薄膜，尤其是基板之電路形成區域。 當搬運基板時，施加於基板的整個表面之薄膜或施加於基 板不需要薄膜的區域之薄膜可能透過搬運機械手臂之手部 而轉移至另一個基板上，或者可能剝落及散佈各處，導致 所謂的交叉污染，而其中剝落的薄膜碎片將污染其他製程 之處理環境。因此，在半導體製程中，形成薄膜之後尚須 從基板移除不需要的薄膜部份。 藉由供應蝕刻液至基板以選擇性地將不想要的薄膜從 基板移除之蝕刻製程乃為一種廣泛用於移除此等不想要的 薄膜部份之實施方法，尤其，蝕刻製程藉由供應作為處理 液之#刻液至由諸如夾盤之夾具而保持之基板以移除不想 要的薄膜，該蝕刻製程係藉由基板處理裝置而完成，而該 基板處理裝置通常包括由夾盤或類似工具以保持基板之基

314112.ptd 第8頁 564474 五、發明說明（2) 板保持器以及供應處理液至由該基板保持器保持的基板之 處理液供應單元。 在使用上述基板處理裝置而完成蝕刻製程的情況下， 將產生下列問題： 月/ 由於基板保持器藉由諸如夾盤之夾具以夾握基板而保 持，基板’該基板接觸該夾具之區域並未供應蝕刻液，因 此薄膜仍然保留在基板的這些區域上。所以，必須以該夾 具再次夾握基板之其他區域並且再次進行蝕刻。=果了將 增加從該基板移除薄膜所需之處理時間以及施加^基板的 刻液量。 在不使用夾具時，可採用真空夾盤型保持器，藉由 空墊或類似部件以在真空下保持基板。然而，直空^般型 保持器之缺點因在於待處理的基板之背面係在真空下二 及保持，所以無法蝕刻該基板之背面。 此外，還有一種稱為伯努利（Bern〇uUi)夾盤型保 器之裝置，其並未直接保持基板。惟使用伯努利夾盤型、 持器時，其難以在基板上形成電路形成區域之表面2 _ 介於不想移除薄膜之區域與待移除薄膜之區域間的^ 1 線’尤其是在基板之外周部上的邊界線。 根據另一種基板處理裝置，藉由以化學液沖洗美 背面而蝕刻該基板之背面。在此種基板處理裝置中，之 將化學液散佈在基板的整個背面上，必須以一定的高速Z 旋轉該基板，因&，所施加之化學液將散佈各處並^附= 在基板上不需要化學液之區域，因而污染了基板。再者，

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564474 五、發明說明（3) 當回收及再利用該化學液時，因為散佈的化學液易 该裝置用以完成其他W程之壁面，因此將減少回收白勺液量。 著在 化學 [發明内容] 因此，本發明之目的在於提供一種基板處理裝置 可處理基板必須在短時間内處理之所有區域，並可避 學液施加在基板不需進行處理之區域。 為達上述目的，本發明提供一種基板處理裝置， 板處理裝置包括··基板保持器，用於保持及旋轉基板 表面處理單元，其供應處理液至由該基板保持器所保 基板之下表面’以處理該基板之下表面；外周緣處理 元，其供應處理液至由該基板保持器保持的基板之外 緣’以處理該基板之外周緣；以及氣體供應單元，用 應氣體至由該基板保持器所保持的基板之上表面。 根據本發明’該基板處理裝置不僅可處理該基本 下表面，更可處理該基板之外周緣，因此，該基板處 置可確實地處理該基板需要處理之區域。再者，將= 應至該基板之上表面以避免該處理液及汽化之處理^於該基板之上表面，因此，可保護不需處理的^板之 面而使之沒有處理液。 土 該基板處理裝置復包括 理液至該下表面處理單元以 在本發明之較佳態樣中 於接觸該基板之外周面的旋 處理液供應單元，用以供 及该外周緣處理單元。 ’该基板保持器包括複數 轉轉子以及用於旋轉至少 ，其免化 該基 ;下 持的 單 周 以供 ΐ之 理裝 體供 施加 上表 應處 個用 一個

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第10頁 564474 五、發明說明（4) 旋轉轉子之致動器（actuator)。由於基板係藉由該旋轉轉 子所保持並且繞其主軸旋轉，該基板藉由該旋轉轉子所保 持之區域而隨時都在移動，因此，可將該處理液供應至該 基板藉由該基板保持器所保持之區域，而不會為該基板保 持器所阻礙。所以，不需要再度保持及處理該基板，以使 處理基板所需要之時間得以縮短。 在本發明之較佳態樣中，該下表面處理單元包括第一 面構件以及處理液通道，該第一面構件具有面對由該基板 保持器所保持之基板下表面的平面，而該處理液通道形成 於該第一面構件内，以便開通該第一面構件之平面，使該 處理液透過該處理液通道而供應至該第一面構件之平面， 當於表面張力下將該處理液保持與該基板之下表面接觸 時，供應至該平面之處理液係散佈在該基板之整個下表面 上。因此，毋須為了將處理液散佈在基板之整個下表面上 而以高轉速來旋轉基板’進而避免由旋轉的基板將處理液 散佈各處，並可回收高比例之處理液。 在本發明之較佳恶樣中，該外周緣處理單元係可朝由 該基板保持器所保持之基板移動，亦可從由該基板保持哭 所保持之基板移開，尤其是該外周緣處理單元以包括具有 凹槽之可轉動處理轉子為較佳，而該凹槽係形成於該可轉 動處理轉子之外周面，以圍繞藉由該基板保持器所保持之 基板的外周面。 當將該外周緣處理單元移動至靠近或接觸該基板時， 供應至該下表面處理單元之第一面構件的處理液係經由兮

564474 五、發明說明（5) 第一面構件及該基板而傳送至該外周緣處理單元，然後透 過在該處理轉子中之凹槽而供應至該基板之外周緣的整個 周邊，藉此處理該基板之外周緣。換言之，流向該處理轉 子之處理液係藉由在該處理轉子中之凹槽而保留住，然後 藉由該基板之旋轉以將該處理液供應至該基板之外周緣， 因此付以處理该基板之外周緣。在此方式中，由於該其板 之下表面及外周緣可同時以供應至該下表面處理單元之處 理液進行處理，因此可減少處理液之使用量，並可縮短處 理該基板所需之時間。該處理轉子之位置可相對於^r美板 作調整，以於該基板之外周緣上精確地建立基板之待&理 區域以及不處理區域。 在本發明之較佳態樣中，該氣體供應單元包括第_面 構件以及氣體供應裝置，設置該第二面構件以插二丄二 丨丈向向由 該基板保持器所保持之基板的上表面，而該H興 曰 用以供應氣體至形成於藉由該基板保持器所保持 ^、 該第二面構件之下表面之間的空間中。 ' 基板與

當從該下表面處理單元以及該外周緣處理一 處理液試圖進入該基板的上表面時，從該氣體供庫彳二應之 供應之氣體會將該處理液推回，因此，可避=:Z單兀所 應至該基板不需要處理的上表面上。若該氣體^ =理，供 則形成在該基板之上表面與該第二面構件之下^ 3氮氣’ 空間可填滿氮氣，而且該氮氣可作為驅氣氣體^面之間， 化之處理液施加於該基板之上表面。 _ 以避免Ά

564474 五、發明說明（6) 使本發明之上述及其他目的、特徵及優點更為明顯易懂。 [實施方式] 以下將參考圖式來說明根據本發明之實施例的基板處 理裝置。 、 如第1圖所示，本發明之基板處理裝置具有用於保持 基板W之基板保持器1、藉由供應處理液至該基板W之下表 面以處理該基板w之下表面的下表面處理單元2以及一對藉 由供應處理液至該基板W之外周緣以處理該基板W之外周緣 的外周緣處理單元3。該基板處理裝置復包括處理液供應 單元4、氣體供應單元5以及處理液回收單元6，該處理液 供應單元4用以供應處理液至該下表面處理單元2以及該外 周緣處理單元3，該氣體供應單元5用以供應氣體i該基板 W之上表面，而該處理液回收單元6則用以回收已用於處理 該基板W之處理液，並供應所回收的處理液至該處理液供 應單元4。 如第2圖所示，該基板保持器1具有四個用以在水平面 保持及旋轉該基板W之旋轉轉子11，該等旋轉轉子11可藉 由各自的馬達（未圖示）而繞著其主軸旋轉，可移動該等旋 轉轉子11以便使其與該基板w於如箭頭所指示之方向上接 觸或不接觸。當將該基板W裝在該基板處理裝置中時，該 四個旋轉轉子11係朝該基板w移動並且與該基板w之外周面 接觸，藉由與該基板W之外周面接觸或耦合之該等旋轉轉 ^ 11而將該基板W保持在適當的位置，當該等旋轉轉子n 精由相對U Ή 繞其主Μ轉時’藉由該等旋轉轉子

314112.ptd 第13頁 564474 五、發明說明（7) 11保持之基板W亦繞其主軸旋轉。在此情況中，該等旋轉 轉子11可藉由與該等旋轉轉子11連接之個別馬達或與其中 一個旋轉轉子11連接之至少一個馬達而旋轉’而該等旋轉 轉子1 1之轉速係設定為預設值，以使得該基板w以每分鐘 轉數在5至1 0 0的範圍之轉速而旋轉。在以圖說明的實施例 中，以該基板保持器保持該基板界之方式為：將基板W必須 由該處理液處理的表面面向下，而基板W不須由該處理液、 處理的表面面向上，意即其上有電路形成區域之表面面向 上0 如第1圖所示，該下表面處理單元2包括具有平面14a 之第一面構件1 4，而該平面1 4a面對藉由該基板保持器所 保持之基板的下表面；該下表面處理單元2亦具有處理液 通道1 5，該處理液通道丨5之一端大致在該第一面構件丨4之 平面1 4a内對中打開，而其另一端則連接至該處理液供應 單元4 °以此配置，從該處理液供應單元4供應之處理液係 透過該垂直的處理液通道1 5而供應至該第一面構件1 4之上 表面，即該平面 該第一面構件1 4係藉由致動器（未圖示）而可垂直移 動，並且可移動至靠近由該基板保持器丨所保持之基板*的 下表面之位置_，而在這個位置上的第一面構件1 4和該基板 W的下表面相隔〇· 5公釐（随戌4公釐之距離。因此，當升 起該第一面構件14時，於該第一面構件14之平面14a (上表 面）與該基板之^下表面之間產生了小間隙，從該處理液通 迢1 5供應至该第一面構件1 4之平面i 4a的處理液將填滿該

314112.ptd 第14頁 564474 五、發明說明（8) 小間隙，並且因此供應至該基板之下表面上。 延抽該下表面處理單元2亦具有平行於該處理液通道15而 =之純水供應通道2卜該純水供應通道21之 =二面構件14之平面“納對中打開，而其另-端則遠 、、’水供應源（未圖示）。以此配置，從該純水供應、源 中：2 : ί t供應至由第1圖 < 箭頭A指向管# 1 8e的方向 t置22 β亥第一純水贺射裝置22將純水噴射至由哕 板保持态1所保持之基板W的上表篱一 Μ 土 置22係設置於該壁50之内壁面^ Φ I亥弟純水贺射裝 容器管件18C互相連接之處理液 液容器16中：處理液俜過滤器19,儲存在該處理 至該過濾器19，並由Y7透過該管件18c而傳送 然後再將處理液從將ί!液中的雜質去除， 該處理液通道15之力二f;;:傳；接至 處理液藉由該加熱裝置2 一 ==加之 該管”8 d而供應至該處理液通道：後再透過 弟一方向控制間3 初· 55： 處理液通道1 5之管件i 8二二=妾=加熱裝置20以及該 37,可將處理液供應至^ 18^換;:Λ向控制間 該管件18b係連接至該處理液容哭^理通道15,而 路徑，使處理液透過哕 m 口此構成加熱循環 亥處理液容器M、加熱襄置2〇以及過

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564474 ___________^^ 五、發明說明（9) 濾器1 9而循環，該閥i 7、管件1 8 b、管件1 8 c、管件1 8 及第一方向控制閥3 7則作為循環裝置，以將處理液於#碑 理液容器1 6與該加熱裝置2 0之間循環。 如第3 A圖所示，每一個外周緣處理單元3真有處理轉^ 子2 5及可旋轉地支撐該處理轉子2 5於其上端之基座2 7 ’二 處理轉子2 5具有形成於其外周面之環狀凹槽2 6，而該凹續 2 6具有矩形橫斷面以便圍繞該基板W之外周緣，該凹槽2 6 之深度約為1 〇公釐，其係定位為當該處理轉子2 5移動靠政 由該基板保持器1所保持之基板W時使該基板W之外周緣進 入該凹槽2 6之處。該處理轉子2 5可由任何包括合成樹脂’ 不織布、多孔合成樹脂等之不同材質所製成，而如在第^ 圖中由C所指示者，該基板w之外周緣係形成有該基板W之 上下表面以及外周邊，其上下表面係形成於該基板w之外 周邊附近’且該基板W之外周面係徑向而面向外的，該基 板W之區域D則為不須由處理液處理之區域。 可逆之脈衝控制馬達2 8係設置於該基座2 7中並安裝在 該基座之底部’公螺桿構件2 9之一端係與該脈衝控制馬達 28之驅動軸相連接，且該公螺桿構件29係穿入固定至該基 板處理裝置之内壁面的母螺桿構件（未圖示）中。以此配 置’當供給該脈衝控制馬達2 8能量時，由於該公螺桿構 29係穿入固定至該基板處理裝置之内壁面的母螺桿^件， 將該脈衝控制馬達28罩住於其中之外周緣處理單^ y ’ 置將改變。因此，當供給該脈衝控制馬達28能量時，該严 理轉子25可水平地朝該基板W移動或遠離該基板w 了因:$

564474 五、發明說明（ίο) 相對於該基板W之位置而調整該處理轉子2 5，以精確地建 立該基板之待處理區域的邊界線。如第3 A圖所示，在由該 外周緣處理單元3所處理之基板W外周緣上的邊界線可以此 /罙度d作ό周整’而此深度^使該基板撕得以進入該凹槽2 6。 如第1圖所示’用於將純水喷射至該外周緣處理單元3之處 理轉子2 5的第二純水噴射裝置2 3係安裝在該基板處理裝置 之内壁面上。 該氣體供應單元5具有第二面構件3丨，該第二面構件 3 1為圓形，其大致水平地平放在由該基板保持器丨所保持 之基板W的上表面並正對著該基板ψ的上表面，該第二面構 件3 1之直徑略小於該基板W之直徑，如第2圖所示。該氣體 供應單元5具有氣體通道32，該氣體通道3 2之一端在靠近 該第二面構件3 1之外周緣的下表面為打開的，而其另一端 則連接至氣體供應源（未圖示）。 該氣體通道3 2以及該氣體供應源係用於作為氣體供應 設備，以將氣體供應至形成在藉由該基板保持器丨所保持 之基板W的上表面與該第二面構件3 1之下表面之間的空間 中。特別是從該氣體供應源所供應之特定氣體係由箭頭β 所指示之方向供應至該氣體通道32，通過該氣體通道32 後，接著從靠近該第二面構件3 1之外周緣的位置供^至該 基板W。該第二面構件3 1係可藉由致動器（未圖示而^直乂 移動，並可移動至靠近由該基板保持器1所保 上表面之位置，而在這個位置上的第二面構件持二板基： W的上表面相隔0 · 5公釐至5公釐之距離。

564474 五、發明說明（11) 該處理液回收單元6具有複數個傾斜的回收板3 5以及 氣液分離器3 6，該等傾斜的回收板3 5設置在該第一面構件 1 4之下以回收從該第一面構件1 4落下之處理液，該氣液分 離器3 6用於將由該傾斜的回收板3 5所回收之處理液與氣體 分離，該傾斜的回收板3 5以及該氣液分離器3 6係藉由管件 1 8 a而彼此連接，該氣液分離器3 6係透過第二方向控制閥 3 8以及該管件1 8 b而連接至該處理液容器1 6。以此配置， 已處理該基板W之處理液係由該回收板3 5回收並由此傳送 至該氣液分離器3 6，由該氣液分離器3 6將處理液與氣體分 離’然後再將處理液傳送至該處理液容器1 6，而由該氣液 分離器3 6所分離之氣體則從氣體排放埠3 9排放。 δ亥弟一方向控制閥3 8具有排水埠4 0，並且可藉由切換 该第二方向控制閥3 8而將從該氣液分離器3 6排放之液體從 该排水埠4 0排放，而非傳送至該處理液容器1 6。尤其當以 =該純水供應通道2 1所供應的純水來清洗該基板w時，該 第一方向控制閥3 8係以將純水從該排水蟑4 〇排放而操作， 並未將純水傳送至該處理液容器丨6。 若由該處理液回收單元6所回收之處理液的溫度較 低’可操作該第一方向控制閥3 7以透過該加熱裝置2 〇而於 加熱循環路徑内循環該已回收之處理液，從而將處理液加 熱至所欲之溫度。 以此構成之基板處理裝置的操作將說明如下。 當將待處理基板由搬運機械手臂或類似裝置而裝在該 基板處理裝置中時，該基板保持器丨之四個旋轉轉子"係

564474 五、發明說明（12) 朝该基板W移動並且與該基板W之外周面相接觸，因此得以 將该基板W保持於定位。當該基板歸由該等旋轉轉子丨㈣ 保持日守’將该處理液供應單元4之第一面構件丨4升起，然 後停在該基板W之下表面和該第一面構件14之平面14a相隔 範圍在0· 5公釐至4公髮之距離的位置上，在升起該第一面 構件14之同時，下降該氣體供應單元5之第二面構件31， 然後停在該基板w之上表面和該第二面構件31之下表面相 :範圍：0.5公釐至5公董之距離的位置上，接著從該氣體 通這贺射氮氣至該基板W之上表面。 …然後，由個別馬達以每分鐘5至丨嶋數的範圍旋轉， =，轉該基板W，當該基板w旋轉時，由該閥i 7將處理液從 m，液容器16傳送至該加熱裝置2〇，然後由該 =處理：加熱至特定的溫度。之後，透過該處理以 5:已加熱之處理液供應至該第一面構件14之平面“二 域，而供應至該第—面構件14之平面“a之處 液開始填滿在該第一面構件14及該基板w之間 此：始供應至該基板W之下表 ： 至該基板W之下表面的同時，兮老m 狀t、應 ”馬達2 8而朝該基板W移動：二衝 中之凹’26並到達該凹槽26中之特定位置時？ :卜處理：子25停止。，止該處理轉子25之位置可= ί形ΪΪ該基板W之外周緣上待處理的區域。 藉由該旋轉基板之離心力下，d 5域所供f之處理液係 雕。刀卜，通過在該基板W及該第一面

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564474 五、發明說明（14) 除去附者在該處理轉子2 5之處理液，此時，操作該第二方 向控制閥3 8以將該氣液分離器3 6與該排水埠4 〇連接。因 此’已清洗該基板W及該處理轉子2 5之純水可由該傾斜的 回收板3 5回收，通過該氣液分離器3 6後從該排水璋4 〇排 放。之後，停止旋轉該基板W，然後藉由搬運機械手臂將 該基板_該基板處理裝置卸下，於是完成該基板處理裝 置之處理步驟。 因為根據本發明之基板處理裝置可同時處理該基板W 之下表面及外周緣，因此本發明之基板處理裝置可以短時 間處理該基板W。由於可將處理液供應至該旋轉轉子1 1與 該基板W彼此接觸之區域，因而不需要再次保持該基板W並 且再次處理該基板W，進而得以縮短處理時間。由於供應 氮氣以保護該基板W之上表面，使得該基板W不需要處理之 上表面可免於進行處理。再者’由於該基板w係在每分鐘 轉數5至1 0 0的範圍以相當低的轉速旋轉，因此供應至該基 板W之處理液不會散佈各處’並可回收相當高比例之處理 液。 以下將說明根據本發明之結合该基板處理裝置的基板 處理系統。在該基板處理系統中’該基板處理裳置處理有 薄膜形成於其上之半導體晶圓（以下稱為’晶圓”），該基 板處理裝置係以蝕刻液來餘刻該晶圓。然而’本發明並非 侷限於此種基板處理t置。 第4圖顯示根據本發明之結合該基板處理裳置的基板 處理系統之平面圖。如第4圖所不’該基板處理系統具有

314112.ptd 第21頁 564474 五、發明說明（15) 〜 兩個各用以儲存複數個晶圓W之晶圓匣5丨旗5丨b、用於餘 刻晶圓W之基板處理裝置5 2、用於清洗已蝕刻的晶圓w之基 板清洗裝置5 3以及用於乾燥已清洗的晶圓ψ之基板乾燥裝 置5 4，該基板處理系統亦具有用於在上述裝置之間搬運晶 圓W之第一搬運機械手臂55a與第二搬運機械手臂55b以及3曰 用於暫時置放一個晶圓w (或多個晶圓W)以將晶圓W運送至 該等搬運機械手臂5 5 a及5 5 b之間的緩衝搬運台5 6。 每一個晶圓匣5 1 a、5 1 b均具有複數個儲存架（未圖示） 以儲存各別晶圓W，晶圓W係藉由該第一搬運機械手臂5 5 a 而從任何一個晶圓匣5 1 a、5 1 b移開，然後經由該緩衝搬運 台5 6而運送至該第二搬運機械手臂55b，將運送至該第二 搬運機械手臂5 5 b之晶圓W引導入該基板處理裝置5 2中，以 於其中蝕刻該晶圓W，而該基板處理裝置5 2之構造及操作 方式係與上述參考第1圖至第3A及3B圖所述之基板處理裝 置相同。若欲蝕刻附著或沉積在該晶圓W上之銅薄膜，則 使用於該基板處理裝置5 2之蝕刻液可例如為包括酸溶液及 氧化劑溶液之化合液，可同時或交替供應該酸溶液及該氧 化劑溶液以蝕刻銅薄膜。該酸溶液可為例如氫氟酸、鹽 酸、硫酸、檸檬酸、草酸或類似之非氧化酸 (η ο η - ο X i d i z i n g a c i d )，而該氧化劑溶液可為臭氧水、過 氧化氫水、墙酸水、食鹽水或類似之氧化劑溶液。 當在該基板處理裝置5 2中蝕刻該晶圓W後，藉由該第 二搬運機械手臂55b將該晶圓W引導至該基板清洗裝置53 中，該基板清洗裝置5 3具有供應有清洗液之海綿滾件（未

314112.ptd 第22頁 564474 五、發明說明（16) 圖示）’並在保持及旋轉該晶圓W之同時以該海綿滾件接觸 該晶圓W以清洗之，藉由該基板清洗裝置5 3將在蝕刻過程 所產生之產物從該晶圓W除去，然後藉由該第二搬運機械 手臂5 5b將已清洗之晶圓w從該基板清洗裝置5 3搬運至該基 板乾燥裝置5 4，該基板乾燥裝置5 4具有旋轉乾燥器（未圖 示），該旋轉乾燥器以高轉速旋轉該晶圓W而將該晶圓W乾 燥，該旋轉乾燥器可乾燥附著至該晶圓W之清洗液，由該 第一搬運機械手臂5 5 a搬運該晶圓W並將該晶圓W放置於其 中一個晶圓匣5 1 a、5 1 b中，於是完成該基板處理系統之處 理步驟。根據本發明之基板處理裝置可因此與該基板處理 系統結合，而該基板處理系統可完成包括蝕刻製程、清洗 製程以及乾燥製程等不同製程。 根據本發明，因為該基板處理裝置可同時處理該基板 W之下表面及外周緣，因此該基板處理裝置可以短時間處 理該基板W ;由於供應氣體以保護該基板W之上表面，因此 可避免將該處理液及汽化之處理液施加於該基板不需處理 之上表面。 因為該基板係藉由該旋轉轉子所保持，該旋轉轉子與 該基板彼此接觸之區域隨時都在移動，因此，可將該處理 液供應至那些接觸區域，所以，不需要再度保持及處理該 基板，俾使處理時間得以縮短。再者，因為該基板係以相 當低之轉速旋轉，因此供應在該基板之處理液不會散佈各 處，並且相對地可以回收較高比例之處理液。 雖然已詳細表示及說明本發明之某些較佳實施例，惟

314112.pid 第23頁 564474 五、發明說明（17) 應了解的是本發明亦可在不背離由所附之申請專利範圍的 範疇内作不同的改變及修飾。 [產業利用性] 本發明係適用於基板處理裝置，該基板處理裝置用於 供應特定處理液至諸如半導體晶圓、玻璃基板或液晶面板 之基板以進行蝕刻製程或其他製程。

314112.ptd 第24頁 564474 圖式簡單說明 [圖式簡單說明] 第1圖為根據本發明之實施例的基板處理裝置之橫斷 面圖，其中部份以方塊形式表示； 第2圖為根據本發明之實施例的基板處理裝置之平面 圖； 第3 A圖為根據本發明之實施例的處理單元之放大正視 圖，該處理單元用於處理在該基板處理裝置中之外周緣； 第3 B圖為根據本發明之實施例中藉由該基板處理裝置 處理的基板外周緣之放大斷面圖；以及 第4圖為根據本發明之實施例中結合該基板處理裝置 的基板處理系統之平面圖。 1 基 板 保 持 器 2 下 表 面 處 理 單 元 3 外 周 緣 處 理 X3tt — 早兀 4 處 理 液 供 應 單 元 5 氣 體 供 應 單 元 6 處 理 液 回 收 單 元 11 旋 轉 轉 子 14 第 一 面 構 件 14a 平 面 15 處 理 液 通 道 16 處 理 液 容 器 17 閥 18a 、18b、 18c， • 18d、 18e 管件 19 過 濾 器 20 加 熱 裝 置 21 純 水 供 應 通 道 22 第 一 純 水 噴 射 裝置 23 第 二 純 水 喷 射裝置 25 處 理 轉 子 26 凹 槽 27 基 座 28 脈 衝 控 制 馬 達 29 公 螺 桿 構 件

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圖式簡單說明 31 第 二 面 構 件 32 氣 體 通 道 35 傾 斜 的 回 收 板 36 氣 液 分 離 器 37 第 一 方 向 控 制 閥 38 第 二 方 向 控 制 閥 39 氣 體 排 放 埠 40 排 水 埠 50 矩 形 壁 51a Λ J 51b 晶 圓 匣 52 基 板 處 理 裝 置 53 基 板 清 洗 裝 置 54 基 板 乾 燥 裝 置 5 5a 第 一 搬 運 機 械 手臂 55b 第 二 搬 運 機 械 手臂 56 緩 衝 搬 運 台 A、 B、 E 箭 頭 D 區 域 d 距 離 W 基 板 / 晶 圓 314112.ptd 第26頁

Claims (1)

1. 564474 六、申請專利範圍 1 · 一種基板處理裝置 基板保持器， 下表面處理單 持器所保持的基板 面； 外周緣處理單 持器所保持的基板 緣；以及 氣體供應單元 持的基板之上表面 2 ·如申請專利範圍第 處理裝置復包括處 下表面處理單元以 3·如申請專利範圍第 該基板保持器包括 旋轉轉子以及用於 4 ·如申請專利範圍第 面處理單元包括第 面構件具有面對由 的平面，而該處理 開通至第—面構件 5 ·如申請專利範圍第 面構件與由該基板 在0 · 5公釐至4公釐 ，包括： 用於保持及旋轉基板； 元’藉由供應處理液至由該基板保 之下表面’以處理該基板之下表 元’藉由供應處理液至由該基板保 之外周緣’以處理該基板之外周 ’供應氣體至由該基板保持器所保 〇 1項之基板處理裝置，其中，該基板 理液供應單元，以供應處理液至該 及該外周緣處理單元。 1或第2項之基板處理裝置，其中， 複數個用於接觸該基板之外周面的 旋轉至少一個旋轉轉子之致動器。 1項之基板處理裝置，其中，該下表 一面構件以及處理液通道，該第一 3板保持器所保持之基板上表面 液^道形成於該第一面構件内，而 之平面。 4項之基板處理裝置，其中 保持器所保拄夕1 α °亥第 之距離。、持之基板彼此相隔範圍

   564474 六、申請專利範圍 6·如申請專利範圍第1項之基板處理 緣處理單元係可朝由該基板保持器戶 其中，該外周 動，並可從由該基板保持器所保^所保持之基板移 •如申請專利範圍第i項之基板處理之基板移開。 緣處理單元以包括具有凹槽之可 I ’其中，該外周 凹槽係形成於該可轉動處理轉子=:處理轉子，而該 由該基板保持器所保持之基板的外二f面，以圍繞藉 8·如申請專利範圍第2項之基板處理°罟。 液供應單元包括用以儲存1内之〆又’其中，該處理 器、用以加熱從該處理液容器所；處理液容 裝置、以及用以循環於該處理液容ς、^處理液的加熱 間的處理液之循環裝置。 时14該加熱裝置之 9.如申請專利範㈣2m 供應單元包括第二面構 衣置’其中，該氣體 該第二面構件以便面向藉由今；：應裝置，其設置 板的上表面’而該氣體供應裝器所保持之基 *該基板保持器所保持之基板應氣體至形成於 面之間的空間中。 /、Μ弟一面構件之下表 i〇H ^利範圍第9項之基 面構件為圓形並且其直徑 衣置’其中’該第二 η·如申請專利範圍第9或 於:基板之直广 該第二面構件鱼基板處理裝置，其中， 隔範圍在0.5公羞至=所保持之基板彼此相 12·如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，復包括：

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