JPH09213674A - 半導体基板のエッチング方法とその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スプレーエッチング法でエッチング工程から
リンス工程へ切り替える時、ウェーハ表面の液切れを防
止する。 【解決手段】 エッチング液制御バルブ４を開くと同時
にタイムカウントを開始し、エッチング加工時間が終了
すると、エッチング液制御バルブ４を開いたままリンス
液制御バルブ７を開きリンス液供給装置から一定圧で圧
送されるリンス液をリンス液供給配管６に導入してノズ
ル５よりリンス液を噴射し、リンス液噴射開始１秒以内
にエッチング液制御バルブ４を閉じてエッチング液の噴
射を完了し、ウェーハ１の表面に噴射されるエッチング
液をリンス液へと１秒以内に切り替える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、シリコンウェー
ハ等の半導体基板のエッチング方法の改良に係り、エッ
チング液をウェーハ表面に噴射しつつリンス液を同時に
噴射する工程を取り入れた半導体基板のエッチング方法
とその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体基板の製造プロセスにおいて、前
加工で表面に残留した加工歪み層と重金属等の不純物を
除去することを目的に、半導体基板の表面を薬液でエッ
チングする工程がある。

【０００３】エッチング工程は、弗酸、硝酸、酢酸、水
等を所定の配合比で混合したエッチング液に、ウェーハ
を多数枚収納した専用キャリアを浸漬してエッチングを
行う方法（以下バッチ式浸漬エッチング法と記述）が実
施されている。

【０００４】バッチ式浸漬エッチング法はエッチング液
組成比、液温、撹拌方法などによりエッチング液の反応
速度が支配され、エッチング精度を安定させるためには
エッチング液の液組成、液温を精密に制御する必要があ
る。さらに、シリコンウェーハがエッチングされる過程
で発生する反応熱が、エッチング液の液温を上昇させ反
応速度が加速し、エッチング液の反応速度の制御が困難
となっていた。

【０００５】近年ウェーハ径は８インチが主流となり、
今後は１２インチ以上の大口径ウェーハが主流になると
考えられ、エッチング時の反応熱はウェーハの表面積す
なわちウェーハ径に比例し、今後ウェーハ径の大口径化
に伴い、ますますエッチング液の反応速度の制御が困難
になってくる。

【０００６】そこで、前記バッチ式浸漬エッチング法の
問題点である反応熱による反応速度変動を解決する手段
として、ウェーハ表面にエッチング液をスプレーノズル
にて直接噴射しエッチングを行う方法（以下スプレーエ
ッチング法と記述）が提案（特開平４−３４０２２６
号）されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】スプレーエッチング法
のエッチング処理工程は、スプレーノズルからウェーハ
にエッチング液を直接噴射し、ウェーハをエッチングす
るエッチング工程と、スプレーノズルからウェーハにリ
ンス液を直接噴射しエッチング反応を停止し、ウェーハ
表面のエッチング液を洗い流すリンス工程から構成され
る。

【０００８】スプレーエッチング法は、加工中のウェー
ハ表面に液切れが発生してウェーハ表面が露出すると、
エッチング反応過程で硝酸が反応して発生したＮＯｘと
ウェーハ表面とが反応し、窒化膜が形成され外観不良の
原因となる。そこで、エッチング工程からリンス工程へ
切り替える時、ウェーハ表面の液切れを防止する目的で
エッチング液をウェーハ表面に噴射しつつリンス液を同
時に噴射する工程（以下オーバラップ工程と記述）が行
われている。

【０００９】オーバラップ工程ではエッチング液とリン
ス液が同時にウェーハ表面に噴射され、ウェーハ表面上
でエッチング液とリンス液が不規則に混合される。つま
りエッチングの最終段階で非常に反応が不安定なエッチ
ング液でウェーハ表面がエッチングされることになり、
エッチング後のウェーハ表面性状を悪化させていた。特
に、比抵抗値０．１Ω・ｃｍ以下のウェーハでは、ウェ
ーハ表面性状の悪化が懸念されていた。

【００１０】この発明は、スプレーエッチング法のエッ
チング処理工程において、エッチング後のウェーハ表面
性状を良好にできるオーバラップ工程の提供を目的と
し、最適化を図ったオーバラップ工程を有する半導体基
板のエッチング方法とその装置の提供を目的としてい
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】発明者は、スプレーエッ
チング法におけるオーバラップ工程の最適化を目的に種
々検討した結果、エッチング加工終了時エッチング液を
噴射しながらリンス液を噴射し１秒以内にエッチング液
の供給を停止する、すなわち、エッチング液とリンス液
が同時に被加工物に噴射される時間を１秒以内とするこ
とで、ウェーハ表面がエッチング液とリンス液が不規則
に混合されたエッチング液でエッチングされるのが防止
され、良好な表面性状を安定的に得られること、さらに
はオーバラップ時間を０．５〜１秒に設定することによ
り、特に、比抵抗値０．１Ω・ｃｍ以下である半導体基
板においても良好な表面性状を安定的に得られることを
知見し、この発明を完成した。

【００１２】また、発明者はオーバラップ時間を１秒以
内に設定可能なエッチング装置を目的にエッチング液と
リンス液の供給系について種々検討した結果、エッチン
グ用ノズルとリンス用ノズルが装置内に個別に配置され
た構成において、エッチング液供給配管とリンス液供給
配管が、スプレーノズルと液制御バルブとの間でリンス
液配管からエッチング液配管方向のみ液が流れる逆流防
止弁を介して配管で連結した液供給手段を有することに
より、エッチング液の制御バルブを開きウェーハに所要
時間エッチング液を噴射しエッチングを行うに際し、エ
ッチング液のみを供給する時は逆流防止弁が作用しエッ
チング液がリンス液配管に流入することを防止でき、エ
ッチング設定時間完了直前にリンス液の制御バルブを開
きリンス液の供給を開始しすると、エッチング液より液
圧が高いリンス液は逆流防止弁を介してエッチング液供
給配管に流入し、エッチング液供給配管内が瞬時にリン
ス液へと切り替えられ、ウェーハ表面に供給される液も
瞬時にエッチング液からリンス液に切替えられることを
知見し、この発明を完成した。

【００１３】さらに、発明者は、エッチング用とリンス
用を兼用するスプレーノズルが装置内に配置されたエッ
チング装置について種々検討した結果、兼用ノズルに液
を供給する主配管にエッチング液を供給する配管とリン
ス液を供給する配管が各々制御バルブを介し併合接続し
た構成とすることにより、エッチング液の制御バルブを
開きウェーハに設定時間エッチング液を噴射しエッチン
グを行い、エッチング設定時間完了直前にリンス液の制
御バルブの開きリンス液の供給を開始し、１秒以内にエ
ッチング液の制御バルブを閉じエッチング液の供給を停
止すると、エッチング液からリンス液への切替を１秒以
内に完了できることを知見し、この発明を完成した。

【００１４】

【発明の実施の形態】

構成１ この発明によるエッチング方法を図１及び図４に基づい
て説明する。図１に示すエッチング装置は、前述した出
願人の提案（特開平４−３４０２２６号）によるエッチ
ング装置と基本的構成は同等であり、ウェーハ１がウェ
ーハ自転用ローラー１１にて自立保持されている。その
両側にエッチング用ノズル２及びリンス用ノズル５が取
付られたノズルチャンバー８が揺動アーム９にて保持さ
れ配置されている。ノズルチャンバー８にはエッチング
液制御バルブ４を具備したエッチング液供給配管３と、
リンス液制御バルブ７を具備したリンス液供給配管６が
接続されている。

【００１５】ウェーハ自転用ローラー１１をモータ（図
示せず）にて回転させることにより、該ローラー１１に
て自立保持されたウェーハ１を自転させる。ウェーハ１
の自転回転数が設定回転数に達すると、ノズルチャンバ
ー８を保持する揺動アーム９を駆動装置（図示せず）に
て揺動中心１０を中心に揺動させる。揺動開始後、エッ
チング液制御バルブ４を開き、エッチング液供給装置
（図示せず）から一定圧で圧送されるエッチング液をエ
ッチング液供給配管３に導入し、エッチング用ノズル２
よりウェーハ１に向かってエッチング液を噴射しエッチ
ングを行う。

【００１６】エッチング液制御バルブ４を開くと同時に
タイムカウントを開始し、エッチング加工時間として設
定した時間のカウントが終了すると、エッチング液制御
バルブ４を開いたままで、リンス液制御バルブ７を開き
リンス液供給装置（図示せず）から一定圧で圧送される
リンス液をリンス液供給配管６に導入し、リンス用ノズ
ル５よりウェーハ１に向かってリンス液を噴射しリンス
を開始する。

【００１７】次いで、リンス液噴射開始１秒以内にエッ
チング液制御バルブ４を閉じてエッチング液の噴射を完
了し、ウェーハ１の表面に噴射されるエッチング液をリ
ンス液へと１秒以内に切り替える。リンス液によるウェ
ーハ１のリンスを設定時間行った後リンス液制御バルブ
７を閉じて、リンス用ノズル５からのリンス液の噴射を
停止する。リンス液の噴射停止後揺動アーム９の揺動を
停止し、一定時間ウェーハ１の自転を継続しウェーハ表
面に付着したリンス液を遠心力にて吹き飛ばし乾燥す
る。その後、ウェーハ自転ローラーの回転を停止しウェ
ーハ１の自転を止めエッチング加工を完了する。

【００１８】構成２ この発明によるエッチング方法を図２及び図４に基づい
て説明する。図２に示すエッチング装置は、前述のエッ
チング装置と基本的構成は同等であり、ウェーハ１がウ
ェーハ自転用ローラー１１にて自立保持されているが、
その両側にエッチング用ノズル２が取り付けられたエッ
チング液用ノズルチャンバー１２が揺動アーム９にて保
持され配置されている。エッチング液用ノズルチャンバ
ー１２にはエッチング液制御バルブ４を具備したエッチ
ング液供給配管３が接続されている。また、ウェーハ１
上方にはリンス用ノズル５が取り付けられたリンス液用
ノズルチャンバー１３が配置されている。リンス液用ノ
ズルチャンバー１３にはリンス液制御バルブ７を具備し
たリンス液供給配管６が接続されている。

【００１９】図示しないモータにて回転するウェーハ自
転用ローラー１１にて自立保持されたウェーハ１は自転
し、ウェーハ１の自転回転数が設定回転数に達すると、
エッチング液用ノズルチャンバー１２を保持する揺動ア
ーム９を駆動装置にて揺動中心１０を中心に揺動させ
る。揺動開始後、エッチング液制御バルブ４を開きエッ
チング液供給装（図示せず）から一定圧で圧送されるエ
ッチング液をエッチング液供給配管３に導入し、エッチ
ング用ノズル２よりウェーハ１に向かってエッチング液
を噴射しエッチングを行う。

【００２０】エッチング液制御バルブ４を開くと同時に
タイムカウントを開始し、エッチング加工時間として設
定した時間のカウントが終了後、エッチング液制御バル
ブ４を開いたままで、リンス液制御バルブ７を開きリン
ス液供給装置（図示せず）から一定圧で圧送されるリン
ス液をリンス液供給配管６に導入し、リンス用ノズル５
よりウェーハ１に向かってリンス液を噴射しリンスを開
始する。

【００２１】次いで、リンス液噴射開始１秒以内にエッ
チング液制御バルブ４を閉じてエッチング液の噴射を完
了し、ウェーハ１の表面に噴射されるエッチング液をリ
ンス液へと１秒以内で切り替える。リンス液によるウェ
ーハ１のリンスを設定時間行った後リンス液制御バルブ
７を閉じて、リンス用ノズル５からのリンス液の噴射を
停止する。さらに、リンス液の噴射停止後揺動アーム９
の揺動を停止し、一定時間ウェーハ１の自転を継続しウ
ェーハ表面に付着したリンス液を遠心力にて吹き飛ばし
乾燥する。その後、ウェーハ自転ローラーの回転を停止
しウェーハ１の自転を止めエッチング加工を完了する。

【００２２】構成３ この発明によるエッチング方法を図３及び図４に基づい
て説明する。図３のエッチング装置は、ウェーハ１をウ
ェーハチャック１４にて水平に保持する構成で、その上
方にエッチング用ノズル２及びリンス用ノズル５が配置
されている。エッチング用ノズル２にはエッチング液制
御バルブ４を具備したエッチング液供給配管３が、リン
ス用ノズル５にはリンス液制御バルブ７を具備したリン
ス液供給配管６が各々接続されている。

【００２３】ウェーハチャック１４を図示しないモータ
にて回転させてウェーハ１を自転させ、自転回転数が設
定回転数に達したら、エッチング液制御バルブ４を開き
エッチング液供給装置から一定圧で圧送されるエッチン
グ液をエッチング液供給配管３に導入し、エッチング用
ノズル２よりウェーハ１に向かってエッチング液を噴射
しエッチングを行う。

【００２４】また、エッチング液制御バルブ４を開くと
同時にタイムカウントを開始し、エッチング加工時間と
して設定した時間のカウントが終了後、エッチング液制
御バルブ４を開いたままで、リンス液制御バルブ７を開
きリンス液供給装置から一定圧で圧送されるリンス液を
リンス液供給配管６に導入し、リンス用ノズル５よりウ
ェーハ１に向かってリンス液を噴射しリンスを開始す
る。

【００２５】次いで、リンス液噴射開始１秒以内にエッ
チング液制御バルブ４を閉じてエッチング液の噴射を完
了し、ウェーハ１の表面に噴射されるエッチング液をリ
ンス液へと１秒以内に切り替える。リンス液によるウェ
ーハ１のリンスを設定時間行った後リンス液制御バルブ
７を閉じて、リンス用ノズル５からのリンス液の噴射を
停止する。リンス液の噴射停止後一定時間ウェーハ１の
自転を継続し、ウェーハ表面に付着したリンス液を遠心
力にて吹き飛ばし乾燥する。その後ウェーハチャック１
４の回転を停止し、ウェーハ１の自転を止めエッチング
加工を完了する。

【００２６】構成４ ウェーハ自転用ローラー１１にてウェーハ１を自立保持
する図１または図２のエッチング装置、あるいはウェー
ハ１をウェーハチャック１４にて水平に保持する図３に
示すエッチング装置のいずれの構成においても、液供給
手段に図５に示すようなエッチング液供給配管３とリン
ス液供給配管６が途中でバルブを介して連結された構成
を用いることにより、簡単な制御でこの発明のエッチン
グ方法を容易に実施できる。

【００２７】図５に示すようにエッチング液供給配管３
とリンス液供給配管６が、エッチング用ノズル２とエッ
チング液制御バルブ４の間とリンス用ノズル５とリンス
液制御バルブ７の間で、エッチング液供給配管３からリ
ンス液供給配管６への流れを防止する逆流防止弁１５を
介して連結されている。なお、エッチング液供給配管３
及びリンス液供給配管６は、各々の液が異なる液供給元
へ逆流することを防止するため逆流防止弁１６を介して
各々の供給源に接続されている。

【００２８】図１、図２に示す装置で、それぞれウェー
ハ１を自転させ、揺動アーム９を揺動させ、また、図３
に示す装置でウェーハ１を自転させ、エッチング開始準
備を行う。次いで図５において、エッチング液制御バル
ブ４を開きエッチング液供給装置（図示せず）から一定
圧で圧送されるエッチング液をエッチング液供給配管３
に導入し、エッチング用ノズル２よりウェーハ１に向か
ってエッチング液を噴射しエッチングを行う。なお、連
結されているリンス液供給配管６には逆流防止弁１５の
作用でエッチング液は流入しない。

【００２９】エッチング液制御バルブ４を開くと同時に
タイムカウントを開始し、エッチング加工時間として設
定した時間のカウントが終了すると、エッチング液制御
バルブ４を開いたままで、リンス液制御バルブ７を開き
リンス液供給装置（図示せず）からエッチング供給液圧
より高圧のリンス液をリンス液供給配管６に導入し、リ
ンス用ノズル５よりウェーハ１に向かってリンス液を噴
射しリンスを開始する。

【００３０】ここで、リンス液の液圧がエッチング液圧
より高圧に設定してあり、リンス液は逆流防止弁１５を
通過しエッチング液供給配管３に流入し、エッチング液
供給配管３内が隣時にエッチング液からリンス液へと置
換され、エッチング用ノズル２から噴射されるエッチン
グ液は瞬時にリンス液へと切替られる。そして、リンス
液への切替が完了するとエッチング液制御バルブ４を閉
じる。リンス液によるウェーハ１のリンスを所定時間行
った後、リンス液制御バルブ７を閉じて、リンス用ノズ
ル５からのリンス液の噴射を停止する。

【００３１】リンス液の噴射停止後、図１及び図２の装
置では揺動アーム９の揺動を停止し、一定時間ウェーハ
１の自転を継続しウェーハ表面に付着したリンス液を遠
心力にて吹き飛ばし乾燥する。その後、図１及び図２の
装置ではウェーハ自転ローラー１１の回転を停止し、図
３の装置ではウェーハチャック１４の回転を停止しウェ
ーハ１の自転を止めエッチング加工を完了する。

【００３２】構成５ ウェーハ自転用ローラー１１にてウェーハ１を自立保持
する図１または図２のエッチング装置、あるいはウェー
ハ１をウェーハチャック１４にて水平に保持する図３に
示すエッチング装置のいずれの構成においても、液供給
手段に図６に示すようなエッチング液供給配管３とリン
ス液供給配管６がエッチング及びリンス兼用ノズル２０
に接続された構成を用いることにより、簡単な制御でこ
の発明のエッチング方法を容易に実施できる。

【００３３】すなわち、図１、図２又は図３に示す装置
において、薬液供給手段が図６に示すようにエッチング
液供給配管３とリンス液供給配管６がエッチング及びリ
ンス兼用ノズル２０に併合接続されている構成に変更し
てある。なお、エッチング液供給配管３及びリンス液供
給配管６は各々の液が異なる液供給元へ逆流するのを防
止するためにそれぞれ逆流防止弁１６を介して各々の供
給源に接続されている。前述のごとく図１、図２及び図
３装置に示す各々の手段でウェーハ１を自転させ、図
１、図２の装置では揺動アーム９を揺動させる。

【００３４】エッチング液制御バルブ４を開きエッチン
グ液供給装置（図示せず）から一定圧で圧送されるエッ
チング液をエッチング液供給配管３に導入し、兼用ノズ
ル２０よりウェーハ１に向かってエッチング液を噴射し
エッチングを行う。エッチング液制御バルブ４を開くと
同時にタイムカウントを開始し、エッチング加工時間と
して設定した時間のカウントが終了すると、エッチング
液制御バルブ４を開いたままで、リンス液制御バルブ７
を開きリンス液供給装置（図示せず）からエッチング供
給液圧より高圧のリンス液をリンス液供給配管６に導入
し兼用ノズル２０よりウェーハ１に向かってリンス液を
噴射しリンスを開始する。

【００３５】ここでは、リンス液の液圧がエッチング液
圧より高圧に設定してあり、リンス液の液圧によりエッ
チング液の供給が抑制され、兼用ノズル２０から噴射さ
れるエッチング液は瞬時にリンス液へと切替られる。そ
して、リンス液への切替が完了するとエッチング液制御
バルブ４を閉じる。リンス液によるウェーハ１のリンス
を所定時間行った後、リンス液制御バルブ７を閉じて、
リンス用ノズル５からのリンス液の噴射を停止する。

【００３６】リンス液の噴射停止後、図１及び図２の装
置では揺動アーム９の揺動を停止し、一定時間ウェーハ
１の自転を継続しウェーハ表面に付着したリンス液を遠
心力にて吹き飛ばし乾燥する。その後、図１及び図２の
装置ではウェーハ自転用ローラーの回転を停止し、図３
の装置ではウェーハチャック１４の回転を停止しウェー
ハ１の自転を止めエッチング加工を完了する。

【００３７】以上に説明したこの発明の各制御プログラ
ムは、コンピュータに工程を予めプログラムしておき、
各モーター、駆動装置、液供給装置並びにバルブ４，７
はコンピュータにて作動を制御される構成により、容易
に実現できる。

【００３８】

【実施例】図１に示すエッチング装置を用いてエッチン
グ液制御バルブ４とリンス液制御バルブ７の開閉を制御
してオーバラップ時間を、０秒から４．５秒の間で０．
５秒刻みで変化させてエッチング加工し、エッチング後
の外観良品率を測定し、図７のグラフに示す。図７より
明らかなように、オーバラップ時間が１秒を越えると、
エッチング液とリンス液が不規則に混合された液でウェ
ーハの表面がエッチングされるため良品率が著しく低下
しているのに対して、オーバラップ時間を１秒以内、特
に０．５〜１秒に設定したこの発明ではエッチング後の
外観良品率が著しく向上していることが分かる。

【００３９】また、エッチング液制御バルブ４及びリン
ス液制御バルブ７は、開閉指令信号入力に対しバルブを
開閉するまでに幾分のタイムロスが生じるので、オーバ
ラップ時間を０秒に設定すると、バルブ動作タイムロス
の影響でウェーハ１表面に液が瞬間噴射されない場合が
あり、ウェーハ１表面が液切れにより露出して表面がエ
ッチング反応で生じたＮＯｘと反応し、チッ化膜を形成
し良品率を低下させる危険がある。

【００４０】また、液切れによる不良発生防止には、エ
ッチング液からリンス液への切替を配管内で行う前述の
図５の液供給手段を有する構成４と図６の液供給手段を
有する構成５のエッチング装置が特に効果的であること
を確認した。

【００４１】

【発明の効果】この発明は、従来のバッチ式浸漬エッチ
ング法に比較して良好な半導体基板の表面性状が安定的
に得られるスプレーエッチング法のオーバラップ工程に
おいて、エッチング加工終了時エッチング液を噴射しな
がらリンス液を噴射し１秒以内にエッチング液の供給を
停止する、すなわち、エッチング液とリンス液が同時に
被加工物に噴射されるオーバラップ時間を１秒以内とす
ることで、ウェーハ表面がエッチング液とリンス液が不
規則に混合されたエッチング液でエッチングされるのが
防止され、さらに良好な表面性状が安定的に得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明によるエッチング装置の構成を示す斜
視説明図である。

【図２】この発明によるエッチング装置の他の構成を示
す斜視説明図である。

【図３】この発明によるエッチング装置の他の構成を示
す斜視説明図である。

【図４】この発明によるエッチング装置の薬液供給系を
示す説明図である。

【図５】この発明によるエッチング装置の他の薬液供給
系を示す説明図である。

【図６】この発明によるエッチング装置の他の薬液供給
系を示す説明図である。

【図７】オーバラップ時間と良品率との関係を示すグラ
フである。

【符号の説明】

１ ウェーハ ２ エッチング用ノズル ３ エッチング液供給配管 ４ エッチング液制御バルブ ５ リンス用ノズル ６ リンス液供給配管 ７ リンス液制御バルブ ８ ノズルチャンバー ９ 揺動アーム １０ 揺動中心 １１ ウェーハ自転用ローラー １２ エッチング液用ノズルチャンバー １３ リンス液用ノズルチャンバー １４ ウェーハチャック １５ 逆流防止弁 １６ 逆流防止弁 ２０ 兼用ノズル

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板表面にエッチング液を噴射し
   て所定時間エッチングを行い、その後、基板表面にリン
   ス液を噴射、洗浄する半導体基板のエッチング方法にお
   いて、エッチングの完了直前からエッチング液とリンス
   液を同時噴射を行いながらリンス液のみの噴射に切り替
   える工程を行い、このオーバラップ時間を１秒以内とし
   た半導体基板のエッチング方法。
2. 【請求項２】 請求項１において、半導体基板が比抵抗
   値０．１Ω・ｃｍ以下であり、オーバラップ時間が０．
   ５〜１秒である半導体基板のエッチング方法。
3. 【請求項３】 半導体基板を自転可能に支持する保持回
   転手段と、基板表面にエッチング液をスプレーノズルよ
   り噴射するエッチング液供給手段と、基板表面にリンス
   液をスプレーノズルより噴射するリンス液供給手段を有
   する半導体基板のエッチング装置において、エッチング
   液供給配管とエッチング液圧より液圧が高いリンス液供
   給配管各々を、スプレーノズルと液制御バルブとの間
   で、リンス液配管からエッチング液配管方向へのみ液が
   流れる逆流防止弁を介して配管で連結した請求項１の半
   導体基板のエッチング装置。
4. 【請求項４】 半導体基板を自転可能に支持する保持回
   転手段と、基板表面にエッチング液をスプレーノズルよ
   り噴射するエッチング液供給手段と、基板表面にリンス
   液をスプレーノズルより噴射するリンス液供給手段を有
   する半導体基板のエッチング装置において、スプレーノ
   ズルに液を供給する配管に、エッチング液を供給する配
   管とリンス液を供給する配管が制御バルブを介して併合
   接続され、リンス液圧がエッチング液圧より高圧に設定
   されている請求項１の半導体基板のエッチング装置。