KR200336100Y1 - 전기 광학 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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KR200336100Y1
KR200336100Y1 KR20-2003-0030753U KR20030030753U KR200336100Y1 KR 200336100 Y1 KR200336100 Y1 KR 200336100Y1 KR 20030030753 U KR20030030753 U KR 20030030753U KR 200336100 Y1 KR200336100 Y1 KR 200336100Y1
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KR20-2003-0030753U
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무라데마사오
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

전기 광학 장치는, 기판상에, 일정 방향으로 연장되는 데이터선과, 해당 데이터선에 교차하도록 연장되는 주사선과, 상기 주사선 및 상기 데이터선의 교차 영역에 대응하도록 배치된 화소 전극 및 화소 스위칭용 소자와, 상기 데이터선에 접속 또는 해당 데이터선으로부터 연장되어 마련된 도전층을 제 1 전극으로서 포함하는 콘덴서를 구비하고 있다.

Description

전기 광학 장치 및 전자 기기{ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 고안은, 액정 장치, EL(Electro Luminescence) 장치, 전자 방출 소자(Field Emission Display 및 Surface-Conduction Electron-Emitter Display) 등의 전기 광학 장치 및 그 제조 방법, 및 전자 기기의 기술분야에 속한다. 또한, 본 고안은 전자 페이퍼 등의 전기 영동 장치의 기술분야에도 속한다.
종래, 액정 장치 등의 전기 광학 장치로서는, 예컨대, 매트릭스 형상으로 배열된 화소 전극, 해당 전극의 각각에 접속된 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하 적절히,「TFT」라고 함), 해당 TFT의 각각에 접속되어, 행 및 열방향 각각 평행하게 마련된 주사선 및 데이터선 등을 구비하고, 상기 주사선에 대해서는 주사선 구동 회로에 의한 구동이, 상기 데이터선에 대해서는 데이터선 구동 회로에 의한 구동이, 각각 행해지는 것에 의해, 이른바 액티브 매트릭스 구동이 가능한 것이 알려져 있다.
여기서, 액티브 매트릭스 구동이란, 상기 주사선에 주사 신호를 공급하는 것에 의해 상기 TFT 등의 스위칭 소자의 동작을 제어하고, 또한 상기 데이터선에는, 화상 신호를 공급하는 것에 의해, 상기 주사 신호에 의해서 ON으로 된 TFT 등의 스위칭 소자에 대응하는 화소 전극에 대하여, 당해 화상 신호에 대응한 전계의 인가를 행하는 구동 방법이다.
이 화상 신호의 공급 방법에는, 여러 가지의 것이 제안되어 있고, 예컨대, 데이터선 하나 하나에 순서대로 화상 신호를 공급하는 방법이나, 화상 신호를 시리얼-패러랠 변환하여 인접하는 데이터선 중 몇 개에 대하여, 그룹마다 동시에 화상 신호를 공급하는 방법도 있다.
그러나, 종래에 있어서의 데이터선을 통한 화상 신호의 공급에 대해서는, 다음과 같은 문제점이 있었다. 즉, 위에서 예시한 화상 신호의 공급 방법 중, 그룹마다 동시에 화상 신호의 공급을 행하는 방법을 예로서 설명하면, 이 경우, 화상 신호의 공급을 실제로 받고 있는 그룹(이하, 「공급 그룹」이라고 함)과, 그것에 인접하는 그룹(이하, 「비공급 그룹」이라고 함)과의 사이에 있어서, 당해 위치로연장되는 데이터선을 대략 따르는 형태로, 화상상에 표시 불균일이 나타난다고 하는 문제점이 있었던 것이다.
이것은, 상기 공급 그룹과 상기 비공급 그룹의 정확히 단부 경계에 존재하는 화소 전극에 있어서, 화상 신호에 정확히 대응한 전계가 결과적으로 인가되지 않기 때문이다. 보다 상세하게는, 이 경우, 데이터선 주위의 용량(예컨대, 해당 데이터선의 배선 용량, 혹은 해당 데이터선과 다른 배선 및 대향 전극의 중첩에 의하여 발생하는 용량)이 상당 정도로 작으면, 샘플링 회로를 구성하는 박막 트랜지스터의 게이트·드레인간의 기생 용량의 영향에 의해, 데이터선에 기입되는 화상 신호 전위의 푸쉬다운량이 보다 커져 버리는 것에 의해, 데이터선에 있어서의 전위 변동이 커져 버린다. 그렇게 되면, 해당 데이터선에 대응하도록 배열되어 있는 화소 전극의 전위 변동이 초래되고, 그 결과, 해당 데이터선을 따르는 것 같은 표시 불균일이 화상상에 나타나게 되어 버리는 것이다.
그리고, 이러한 문제점은, 전기 광학 장치의 전술의 소형화·고정밀화라는 일반적인 요구를 전제로 한다면, 그 해결이 더 곤란해진다. 그도 그럴것이, 이러한 소형화·고정밀화를 실현하기 위해서는, 전기 광학 장치를 구성하는 각종 구성 요소, 즉 상술한 주사선, 데이터선, TFT 및 화소 전극 등의 한층 더 소형화 내지는 협소화를 실현해야만 한지만, 이 경우 특히, 데이터선이 협소화되면, 데이터선에 부가되는 용량은 더 삭감되게 되기 때문이다. 따라서, 데이터선에 있어서의 전위의 변동은 보다 커져서, 상술한 바와 같은 데이터선을 따르는 것 같은 표시 불균일의 발생은 보다 현저해진다.
본 고안은, 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 데이터선을 따른 표시 불균일 등이 없는 고품질의 화상을 표시하는 것이 가능한 전기 광학 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 또한, 본 고안은, 이러한 전기 광학 장치의 소형화·고정밀화를 실현하면서도, 전술한 바와 같은 표시 불균일 등의 발생이 없는 고품질의 화상을 여전히 표시 가능한 구성을 구비하는 전기 광학 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 또한, 본 고안은, 이러한 전기 광학 장치의 제조 방법, 및, 해당 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공하는 것도 과제로 한다.
본 고안의 전기 광학 장치는, 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판상에, 일정 방향으로 연장되는 데이터선과, 해당 데이터선에 교차하도록 연장되는 주사선과, 상기 주사선과 상기 데이터선과의 교차 영역에 대응하도록 배치된 화소 전극 및 화소 스위칭용 소자와, 상기 데이터선에 접속 또는 데이터선으로부터 연장되어 마련된 도전층을 그의 제 1 전극으로서 포함하는 콘덴서를 구비하고 있다.
본 고안의 전기 광학 장치에 의하면, 주사선을 통하여, 화소 스위칭용 소자의 일례인 박막 트랜지스터 등의 스위칭 동작을 제어하고, 또한 데이터선을 통하여 화상 신호를 공급하는 것에 의해, 박막 트랜지스터를 거쳐서 화소 전극에 대하여, 해당 화상 신호에 따라 전압을 인가하는 것이 가능하다.
그리고, 본 고안에서는 특히, 데이터선에 접속 또는 데이터선으로부터 연장되어 마련된 도전층을 그의 제 1 전극으로서 포함하는 콘덴서가 구비되어 있다. 즉, 일반적으로 콘덴서란, 한 쌍의 전극과 이들 사이에 유지된 절연막을 구비하는 것이 상정되지만, 본 고안에 있어서는, 예컨대, 이 한 쌍의 전극을 구성하는 제 1전극으로서, 데이터선에 접속 또는 데이터선으로부터 연장되어 마련된 도전층이 해당되고, 다른쪽 전극으로서 해당 도전층에 대향 배치된 다른 도전층이 해당되는 등의 형태가 상정되게 된다. 이에 따라, 예컨대 데이터선의 배선 용량, 혹은 데이터선과 다른 배선 및 대향 전극과의 중첩에 의하여 발생하는 용량에 대하여, 해당 콘덴서가 가해지는 것에 의해, 해당 데이터선 주위의 용량의 적절한 확보를 할 수 있으므로, 해당 데이터선이 보유해야 할 전위에 변동이 발생한다는 것을 억제할 수 있고, 따라서, 그 변동에 따라 화소 전극의 전위 변동이 발생한다고 하는 사태를 미연에 방지하는 것이 가능해진다.
이상에 의해, 본 고안에 의하면, 배경 기술의 항에서 서술한 바와 같은 데이터선을 따른 표시 불균일 등의 발생을 극력 억제하는 것이 가능해져, 좀 더 고품질의 화상을 표시하는 것이 가능해진다.
더구나, 이러한 작용 효과는, 당해 전기 광학 장치의 소형화·고정밀화와는 관계없이 향수할 수 있다. 즉, 가령, 전기 광학 장치의 소형화 등에 따라, 데이터선이 협소화되는 것 같은 일이 있더라도, 본 고안에 있어서는, 그것과는 별개로 「콘덴서」가 구비되기 때문이다. 즉, 데이터선이 아무리 좁고 작아졌다고 해도, 그것을 보충하는 것 같은 「콘덴서」를 구비할 수 있으면, 데이터선 주위의 용량의 적절한 확보는 가능하다. 이와 같이, 본 고안에 의하면, 전기 광학 장치의 소형화·고정밀화가 실현 가능하면서도, 전술한 바와 같은 표시 불균일 등이 없는 고품질의 화상을 여전히 표시 가능해진다.
또, 본 고안에 있어서, 「데이터선에 『접속』된 … 도전층」이란, 예컨대,후술하는 바와 같이 우회층을 거쳐서 데이터선 및 도전층이 접속되어 있는 것 같은 경우 외에, 여러 가지의 것을 상정할 수 있다. 여기서「접속」이란, 구체적으로는 예컨대, 콘택트 홀을 이용한 경우 등을 상정할 수 있다.
또한, 「데이터선으로부터 『연장되어 마련』된 도전층」이란, 예컨대, 해당 데이터선과 동일층에 형성되어 있기는 하지만 별도의 부재에 의해서 도전층이 구성되어 있는 경우나, 혹은 경우에 따라, 해당 데이터선 그 자체가 연장되어 마련되어 도전층이 구성되어 있는 경우(즉, 데이터선과 동일 재료로 이루어져, 외관상, 해당 데이터선과 명료한 구별이 없는 도전층이 구성되어 있는 경우) 등을 포함한다. 후자의 경우는, 데이터선 그 자체의 전부 또는 일부가, 「콘덴서」의 전극을 구성한다고 볼 수 있다.
본 고안의 전기 광학 장치의 일형태에서는, 상기 데이터선에 교차하는 방향으로 연장되는 콘덴서 전극용 배선을 더 구비하여 이루어지고, 상기 콘덴서를 구성하는 다른쪽 전극은, 상기 콘덴서 전극용 배선에 접속되거나 또는 상기 콘덴서 전극용 배선으로부터 연장되어 마련된 다른 도전층을 포함한다.
이 형태에 의하면, 데이터선에 교차하는 방향으로 연장되는 콘덴서 전극용 배선이 구비되고, 또한, 해당 콘덴서 전극용 배선에 접속되거나 또는 해당 콘덴서 전극용 배선으로부터 연장되어 마련된 다른 도전층이 상기 콘덴서의 다른쪽 전극에 포함되기 때문에, 그 제조·구성이 비교적 간단하고, 또한 신뢰성이 높은 콘덴서를 형성할 수 있다.
이것은, 배선의 일종인 콘덴서 전극용 배선에, 필요한 전위(예컨대, 후술하는 바와 같이 소정의「고정 전위」등)의 공급을 실현하기 위해서는, 당해 콘덴서 전극용 배선의 일부와 해당 전위를 공급하는 전원의 전기적 접속점을 적어도 1개소만 마련하면 되기 때문이다. 이 점, 가령, 각 데이터선에 대응하여, 개별의 콘덴서 전극을 마련한다면, 상기와 같은 전위 공급은 각각 개별적으로 행할 필요가 있어, 전기적 접속점은 일반적으로 복수 형성할 필요가 있게 된다. 이러한 형태에서는, 제조 양품율을 저하시키는 원인으로 되고(예컨대, 소정의 데이터선에 관한 콘덴서는 정상으로 동작하지만, 다른 데이터선에 관한 그것은 동작하지 않는 등), 또한, 콘덴서마다 그 특성이 상위하여, 전체로서의 신뢰성을 결핍시키는 원인으로도 된다. 본 형태에 있어서는, 이러한 문제점이 발생될 우려가 없는 것이다.
본 고안의 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 콘덴서 전극용 배선은 고정 전위로 되어 있더라도 좋다.
이 형태에 의하면, 콘덴서를 구성하는 다른쪽 전극인 콘덴서 전극용 배선이 고정 전위로 되어 있기 때문에, 다른 도전층도 또한 고정 전위로 되게 되어, 해당 콘덴서는 적합하게 기능할 수 있다. 즉, 해당 콘덴서에 있어서는, 데이터선에 공급되는 화상 신호에 따른 전압과 해당 고정 전위의 전위차에 따른 적당한 전하량을 축적하는 것이 가능해진다.
이 형태에서는, 상기 기판에 대향 배치된 대향 기판과, 해당 대향 기판상에 형성되어 상기 화소 전극에 대향하도록 배치된 대향 전극과, 해당 대향 기판 및 상기 기판 중 어느 한쪽에 배치되어 상기 주사선과 상기 데이터선 및 상기 화소 전극을 구동하기 위한 구동 회로와, 상기 대향 전극에 고정 전위를 공급하는 제 1 전원과, 상기 구동 회로에 고정 전위를 공급하는 제 2 전원을 더 구비하고, 상기 콘덴서 전극용 배선은, 상기 제 1 전원 또는 상기 제 2 전원에 접속되는 것에 의해, 고정 전위로 되어 있도록 구성하면 좋다.
이러한 구성에 의하면, 콘덴서의 다른쪽 전극인 다른 도전층에 접속된 콘덴서 전극용 배선을 고정 전위로 하기 위한 전원과, 대향 전극을 고정 전위로 하기 위한 전원(즉, 제 1 전원), 혹은 구동 회로에 공급해야 할 고정 전위를 공급하기 위한 전원(즉, 제 2 전원)이 공용되는 형태로 되므로, 장치 구성의 간략화를 실현할 수 있다.
또, 본 형태에 있어서, 경우에 따라, 제 1 전원과 제 2 전원이, 하나의 공통의 전원이라고 하는 경우도 포함한다.
본 고안의 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 콘덴서 전극용 배선은, 저저항 재료로 구성된다.
이 형태에 의하면, 콘덴서 전극용 배선이 저저항 재료로 구성되기 때문에, 배선 지연 등이 문제로 되지 않는다. 또, 본 형태에서 말하는 「저저항 재료」로는, 예컨대, 알루미늄 등을 들 수 있다.
본 고안의 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 데이터선의 한쪽 단부에는, 해당 데이터선을 구동하기 위한 데이터선 구동 회로가 더 구비되어 이루어지고, 상기 데이터선의 다른쪽 단부측에는, 상기 콘덴서가 마련되어 있다.
이 형태에 의하면, 데이터선을 중심으로 한 경우에 있어서의 각종 구성 요소의 배치 관계가 바람직해진다. 또한, 본 형태에서는, 데이터선의 한쪽 단부에 데이터선 구동 회로가, 그 다른쪽 단부에 상기 콘덴서가 배치되게 되므로, 화상 신호의 흐름은, 데이터선 구동 회로, 데이터선(및 그것에 이어지는 화소 스위칭용 소자, 화소 전극) 및 콘덴서라는 것으로 되어, 화상 신호의 화소 전극으로의 지체없는 전달을 실현하고, 또한 콘덴서에 있어서의 전하 축적은, 말하자면 사용 완료의 화상 신호를 이용하는 것에 의해 행해지게 된다. 즉, 본 형태에 의하면, 데이터선에 일종의 장해물로도 될 수 있는 콘덴서를 마련함에도 불구하고, 그것에 의하여 발생될 수 있는 악영향을 고스란히 정면으로 받는 것과 같은 사태를 효율적으로 방지할 수 있다.
또, 본 형태에 있어서, 데이터선 구동 회로와 데이터선 사이에 샘플링 회로 등을 마련하여도 좋다.
본 고안의 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 데이터선의 한쪽 단부에는, 해당 데이터선을 구동하기 위한 데이터선 구동 회로가 더 구비되어 이루어지고, 상기 데이터선의 다른쪽 단부측에는, 당해 전기 광학 장치의 동작을 검사하기 위한 검사 회로가 더 구비되어 있다.
이 형태에 의하면, 검사 회로에 의해서, 당해 전기 광학 장치의 동작, 특히 화소 스위칭용 소자로서의 박막 트랜지스터의 동작 등의 검사를 행할 수 있다. 그리고, 본 형태에서는 특히, 해당 검사 회로가, 데이터선의 다른쪽 단부측에 마련되는 것에 의해, 기판상에 있어서의 각종 요소의 레이아웃을 적합하게 실현할 수 있다.
또, 본 형태에 부가하여, 데이터선의 다른쪽 단부측에 콘덴서가 마련되는 상술의 형태를 더불어 갖는 형태에서는, 특히 각종 요소의 레이아웃이 적합하게 정해진다고 할 수 있다.
본 고안의 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 화소 전극 및 화소 스위칭용 소자에 접속된 축적 용량을 더 구비하고, 상기 콘덴서를 구성하는 부재의 적어도 일부는, 상기 축적 용량을 구성하는 부재의 적어도 일부와, 제조 공정 단계에 있어서 동일한 기회에 형성되어 있다.
이 형태에 의하면, 우선, 화소 전극 및 화소 스위칭용 소자에 접속된 축적 용량이 구비되어 있는 것에 의해, 화소 전극에 있어서의 전위 유지 특성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 높은 콘트라스트 등의 특질을 구비한 고품질인 화상을 표시하는 것이 가능해진다.
그리고 본 형태에서는 특히, 상기 콘덴서를 구성하는 부재의 적어도 일부는, 상기 축적 용량을 구성하는 부재의 적어도 일부와, 제조 공정 단계에 있어서 동일한 기회에 형성되어 있다. 이것을 보다 구체적인 예로 설명하면, 다음과 같이 된다.
우선, 축적 용량은, 화소 스위칭용 소자 및 화소 전극과 접속되는 화소 전위측 용량 전극과, 이것에 대향 배치되어, 예컨대 고정 전위로 되는 용량 전극, 그리고 이들 한 쌍의 전극간에 유지되는 절연막으로 구성된다. 한편, 본 고안에 따른 「콘덴서」에 대해서는, 그 제 1 전극으로서 데이터선에 접속 또는 이제부터 연장되어 마련된 도전층, 그 다른쪽의 전극으로서 예컨대 전술한 콘덴서 전극용 배선에 접속 또는 이것으로부터 연장되어 마련된 다른 도전층, 또한 이들 한 쌍의 전극간에 유지되는 절연막으로 구성되게 된다. 이러한 경우, 「축적 용량을 구성하는 부재」는, 화소 전위측 용량 전극, 용량 전극 및 절연막으로 되는 한편,「콘덴서를 구성하는 부재」는, 데이터선, 콘덴서 전극용 배선 및 절연막이라는 것으로 된다.
그리고, 후자는, 전자의 「적어도 일부와, 제조 공정 단계에 있어서 동일한 기회에 형성되어 있다」는 것은, 예컨대, 도전층 및 화소 전위측 용량 전극이 동일막으로서 형성되어 있거나, 혹은, 다른 도전층 및 고정 전위측 용량 전극이 동일막으로서 형성되어 있거나, 혹은 또한, 「 콘덴서」의 절연막 및 「축적 용량」의 절연막이 동일막으로서 형성되어 있는 등이라는 것을 의미한다. 또, 동일막으로서 형성되어 있다는 것은, 콘덴서 및 축적 용량에 공통의 전구막(前驅膜)을 형성하고, 또한 이것에 대한 패터닝 처리를 행하는 것에 의해, 예컨대 도전층과 고정 전위측 용량 전극이, 각각의 장소에 대응하여, 또한, 각각 고유의 패턴 형상을 갖는 것으로 하여 형성된다는 것이다.
이와 같이, 본 형태에 의하면, 양 요소(즉, 콘덴서 및 축적 용량)를, 동일한 기회에 제조함으로써, 이들 각각을 따로따로 제조하는 경우와 비교하여, 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등을 실현할 수 있게 된다. 또한, 본 형태에 따른 구조에 의하면, 적은 면적에서 효율적으로 콘덴서를 형성할 수 있다.
이것에 관련하여, 전술한 콘덴서 전극용 배선을 구비하는 형태에서는, 상기 콘덴서 전극용 배선 및 상기 데이터선은 제조 공정 단계에 있어서 동일한 기회에 형성되어 있도록 구성하면 좋다.
이러한 구성에 의하면, 콘덴서 전극 배선 및 데이터선이 동일막으로서 형성되어 있게 되므로, 이들 각각을 따로따로 제조하는 경우와 비교하여, 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등을 실현할 수 있다.
또, 이러한 구성과, 전술한 콘덴서 및 축적 용량을 동일 기회에 형성하는 형태를 더불어 갖는 형태에 의하면, 전술한 작용 효과가 보다 효과적으로 연주되게 되는 것은 말할 필요도 없다.
이와 같이, 콘덴서 또는 그 관련의 구성과 화상 표시 영역측의 구성(예컨대, 축적 용량, 데이터선)을 동일 기회에 형성하는 형태에서는, 상기 데이터선 및 상기 도전층 각각에 접속된 우회층을 더 구비하여 이루어지고, 해당 우회층은, 상기 주사선과 제조 공정 단계에 있어서 동일한 기회에 형성되어 있도록 구성하면 좋다.
이러한 구성에 의하면, 우선, 데이터선 및 도전층 사이는 우회층을 거쳐서 접속되게 된다. 즉, 데이터선 및 도전층은 각각 별도의 부재로서 구성 가능하고, 이것에 의해, 양자 각각을 각각의 재료로 이루어지는 것으로 할 수 있다. 예컨대, 데이터선은 알루미늄으로, 도전층은 폴리 실리콘으로 이루어진다고 말할 수 있다. 그런데, 상기 축적 용량을 구성하는 한 쌍의 전극 중 적어도 한쪽을 구성하기 위한 재료는, 해당 축적 용량으로서의 성능을 충분히 발휘시키기 위해서 등 기타 고유의 목적을 갖고 선정되는 것이 통상이다. 예컨대, 해당 한 쌍의 전극 중 적어도 한쪽을, 화소 스위칭용의 박막 트랜지스터에 대한 광입사를 방지하는 상측 차광막으로서도 기능시키기 때문에, 비교적 광흡수성이 우수한 폴리실리콘으로 구성하는 등의 것이 행해진다.
이상과 같은 경우에서는, 예컨대, 데이터선 그 자체의 일부가 본 고안에 따른 콘덴서의 전극을 구성하고 있는 등의 경우에 비해서, 축적 용량을 구성하는 한 쌍의 전극 중 적어도 한쪽과 도전층을 동일 기회에 형성한다고 하는 형태가, 보다 실현하기 쉽게 되어 있다고 말할 수 있다. 즉, 본 구성에 따른 「우회층」을 마련하면, 상술한, 콘덴서의 구성과, 축적 용량의 구성의 적어도 일부를 제조 공정 단계에 있어서 동일 기회에 형성한다고 하는 형태를, 보다 잘 실현할 수 있다.
한편, 본 형태에 있어서는 특히, 우회층 및 주사선이 제조 공정 단계에 있어서 동일 기회에 형성되어 있다. 따라서, 본 구성에 의하면, 상술한 것에 부가하여, 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등을 더 효과적으로 실현할 수 있다.
또, 본 형태에 있어서는, 해당 주사선은, 상기 화소 스위칭용 소자로서의 박막 트랜지스터를 구성하는 게이트 전극을 포함하여도 좋다.
이 형태에서는, 상기 데이터선의 한쪽 단부측에는, 해당 데이터선을 구동하기 위한 데이터선 구동 회로가 구비되어 있고, 상기 데이터선의 다른쪽 단부측에는, 상기 콘덴서 및 당해 전기 광학 장치의 동작을 검사하기 위한 검사 회로가 더 구비되어 있으며, 상기 검사 회로는, 상기 데이터선과 상기 우회층을 거쳐서 접속되어 있도록 구성하면 좋다.
이러한 구성에 의하면, 데이터선, 콘덴서 및 데이터선 및 검사 회로를 접속하기 위한 배선 등의 레이아웃을 적합하게 정할 수 있다. 예컨대, 우회층상에 층간 절연막을 사이에 두고 콘덴서를 마련하고, 또한 해당 콘덴서 위 또는 해당 콘덴서와 동일층으로서, 데이터선 및 검사 회로 그 자체 및 이들로 계속되는 배선을 각각 형성하고, 우회층 및 데이터선간 및 우회층 및 상기 배선간에는, 양자 각각을 접속하기 위한 콘택트 홀을 형성하는 등의 형태를 채용할 수 있다. 이 경우, 콘덴서의 설치에 대하여 특히 면적을 필요로 하지 않게 되는 등, 각종 요소의 레이아웃이 보다 적합하게 실현되게 된다.
본 고안의 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 도전층의 상기 제 1 전극으로 될 부위는, 상기 데이터선에 비해서 폭이 넓게 형성되어 있다.
이 형태에 의하면, 콘덴서의 용량값의 증대를 도모할 수 있다. 따라서, 본 형태에 의하면, 데이터선 주위의 용량의 확보는 보다 양호하게 실현되게 되고, 상술한 것에 부가하여, 화소 전극에 있어서의 전위 변동이 발생할 가능성을 저감하여, 보다 고품질의 화상을 표시하는 것이 가능해진다.
또, 상술한 작용 효과를 보다 효과적으로 향수하기 위해서는, 본 형태에 부가하여, 상기 다른 도전층의 상기 다른쪽 전극으로 될 부위가, 상기 데이터선에 비해서 폭이 넓게 형성되어 있는 경우가 당연히 상정되게 된다.
본 고안의 전기 광학 장치의 다른 형태에서는, 상기 데이터선은 복수개 존재하고 있고, 이들 복수개의 데이터선은, 일시에 화상 신호의 공급 대상으로 되는 복수의 조로 구별된다.
이 형태에 의하면, 예컨대, 하나의 화상 신호를 시리얼-패러랠 변환한 결과의 것인, 복수개로 이루어지는 화상 신호를, 일거에 데이터선에 공급하는 것이 가능해진다. 이것에 의하면, 효율적인 화상 신호의 배신(配信)이 가능해진다. 그러나, 이 경우에 있어서는, 일시에 화상 신호의 공급 대상으로 되는 「조」의 양단에위치하는 데이터선에 관해서는, 당해 데이터선을 따른 화상상의 표시 불균일이 나타나기 쉽게 되고, 또한, 해당 표시 불균일은 조단위로 나타나게 되므로, 보다 시인하기 쉬운 것으로 되어 버린다. 즉, 화상의 품질 저하가「눈에 띄게」현저하게 될 수 있다고 하는 결점이 있다. 또, 이 경우에 있어서, 표시 불균일이 「나타나기 쉽다」고 하는 것은, 상기 조의 양단에 위치하는 데이터선에는, 그것에 서로 인접하여, 화상 신호가 공급되지 않는 데이터선이 존재하기 때문에, 이들 양 데이터선과 화소 전극의 상호 관계가, 보다 표시 불균일을 발생시키기 쉬운 상황을 만들어내기 때문이다.
그런데, 본 고안에 있어서는, 상술한 바와 같이 데이터선에 대하여 콘덴서가 부설되어 있는 것에 의해, 상술한 바와 같은 화상 신호의 공급 형태를 채용했다고 해도, 특히 문제로 되는 것은 없다. 바꾸어 말하면, 상술한 바와 같은 화상 신호의 공급 형태를 채용하는 경우에 있어서는, 그렇지 않은 경우에 비해서, 본 고안에 따른 콘덴서의 존재 의의가 높아진다고 말할 수 있다.
또, 「일시에 화상 신호의 공급 대상으로 되는 데이터선의 조」는, 당해 화상 신호가 몇 개의 패러랠 신호로 이루어지는가에 따라 결정된다. 예컨대, 이 화상 신호가, 시리얼 신호를 6개의 패러랠 신호로 시리얼-패러랠 변환된 것으로 상정하면, 상기 데이터선의「조」는, 서로 인접하는 6개의 데이터선으로 이루어지는 조이다, 라는 것 같은 상정이 가능하다.
본 고안의 전기 광학 장치의 제조 방법은, 상기 과제를 해결하기 위해서, 기판상에 일정 방향으로 연장되는 데이터선, 해당 데이터선에 교차하도록 연장되는주사선, 해당 주사선 및 상기 데이터선의 교차 영역에 대응하도록 배치된 화소 전극 및 박막 트랜지스터, 해당 화소 전극 및 박막 트랜지스터에 접속되는 축적 용량 및 상기 데이터선에 접속 또는 연장되어 마련된 콘덴서를 구비한 전기 광학 장치를 제조하는 전기 광학 장치의 제조 방법으로서, 상기 콘덴서를 구성하는 부재의 적어도 일부와, 상기 축적 용량을 구성하는 부재의 적어도 일부를 동일막으로서 형성하는 동시 제조 공정을 포함한다.
본 고안의 전기 광학 장치의 제조 방법에 의하면, 상술한 본 고안의 전기 광학 장치를 비교적 용이하게 형성할 수 있다. 그리고, 본 고안에서는 특히, 콘덴서를 구성하는 부재의 적어도 일부와, 축적 용량을 구성하는 부재의 적어도 일부를 동일막으로서 형성하는 동시 제조 공정을 포함하므로, 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등을 도모할 수 있다.
본 고안의 전기 광학 장치의 제조 방법의 일형태에서는, 상기 축적 용량은, 상기 화소 전극 및 상기 박막 트랜지스터에 접속되는 화소 전위측 용량 전극, 해당 화소 전위측 용량 전극에 대향 배치되는 고정 전위측 용량 전극, 이들 양 전극 사이에 유지되는 제 1 절연막으로 이루어지고, 상기 콘덴서는, 상기 데이터선에 접속 또는 연장되어 마련된 도전층, 해당 도전층에 대향 배치되는 다른 도전층, 이들 양층 사이에 유지되는 제 2 절연막으로 이루어지며, 상기 동시 제조 공정은, 상기 화소 전위측 용량 전극 및 상기 도전층을 동일막으로서 형성하는 공정, 상기 고정 전위측 용량 전극 및 상기 다른 도전층을 동일막으로서 형성하는 공정 및 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막을 동일막으로서 형성하는 공정 중, 적어도 하나의 공정을 포함한다.
이 형태에 의하면, 상기 동시 제조 공정이, 화소 전위측 용량 전극 및 도전층, 고정 전위측 용량 전극 및 다른 도전층 및 제 1 절연막 및 제 2 절연막의 적어도 한 조를 동일막으로서 형성하는 것으로 된다. 따라서, 그것에 따른 만큼의 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등을 도모할 수 있다.
본 고안의 전기 광학 장치의 제조 방법의 다른 형태에서는, 상기 동시 제조 공정 전에, 상기 박막 트랜지스터를 구성하는 게이트 전극과 우회층을 동일막으로서 형성하는 공정을 포함하고, 상기 우회층과 상기 데이터선을 접속하기 위한 콘택트 홀을 형성하는 공정과, 상기 우회층과 상기 도전층을 접속하기 위한 콘택트 홀을 형성하는 공정을 포함한다.
이 형태에 의하면, 동시 제조 공정 전에, 우회층이 형성되고, 또한 해당 우회층은 상기 데이터선 및 상기 도전층과 전기적으로 접속되는 것으로 되므로, 전술한 본 고안의 전기 광학 장치의 각종 형태 중 우회층을 구비하는 전기 광학 장치를 비교적 용이하게 제조할 수 있다. 그리고, 본 형태에서는 특히, 박막 트랜지스터를 구성하는 게이트 전극 및 우회층이 동일막으로서 형성되기 때문에, 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등의 작용 효과는, 보다 효과적으로 연주되게 된다.
또, 본 형태에 있어서는, 게이트 전극의 형성과 동시에 해당 게이트 전극을 포함하도록 주사선을 형성하도록 하더라도 좋다.
또한, 본 형태에 있어서, 게이트 전극 및 우회층은 상기 동시 제조 공정 전에 형성되기 때문에, 해당 게이트 전극 및 우회층은, 축적 용량 및 콘덴서의 아래에 형성되게 된다.
본 고안의 전기 광학 장치의 제조 방법의 다른 형태에서는, 상기 동시 제조 공정 후에, 상기 데이터선과 해당 데이터선에 교차하는 방향으로 연장되는 콘덴서 전극용 배선을 동일막으로서 형성하는 공정과, 상기 콘덴서 전극용 배선과 상기 다른 도전층을 접속하기 위한 콘택트 홀을 형성하는 공정을 포함한다.
이 형태에 의하면, 콘덴서 전극용 배선이 형성되고, 또한 해당 콘덴서 전극용 배선은 상기 다른 도전층과 전기적으로 접속되는 것으로 되므로, 전술한 본 고안의 전기 광학 장치의 각종 형태 중 콘덴서 전극용 배선을 구비하는 전기 광학 장치를 비교적 용이하게 제조할 수 있다. 그리고, 본 형태에서는 특히, 해당 콘덴서 전극용 배선 및 상기 데이터선이 동일막으로서 형성되기 때문에, 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등의 작용 효과는, 보다 효과적으로 연주되게 된다.
또, 본 형태에 있어서, 데이터선 및 콘덴서 전극용 배선은 상기 동시 제조 공정 후에 형성되기 때문에, 해당 데이터선 및 콘덴서 전극용 배선은, 축적 용량 및 콘덴서의 위에 형성되게 된다.
이 형태에서는 특히, 당해 전기 광학 장치는 검사 회로를 더 구비하여 이루어지고, 상기 검사 회로에 접속되는 배선과, 상기 데이터선 및 상기 콘덴서 전극용 배선을 동일막으로서 형성하는 공정과, 상기 배선 및 상기 우회층을 접속하기 위한 콘택트 홀을 형성하는 공정을 포함하도록 하면 좋다.
이러한 구성에 의하면, 검사 회로에 접속되는 배선과, 데이터선 및 콘덴서전극용 배선이 동일막으로서 형성되기 때문에, 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등의 작용 효과는, 더욱 효과적으로 연주되게 된다. 또한, 본 구성에 의하면, 우회층이 데이터선 및 상기 배선과의 접속에 큰 역할을 수행하여, 본 고안에 따른 제조 방법에 의해 제조되는 전기 광학 장치를 구성하는 각종 요소의 레이아웃을 적합하게 실현할 수 있다.
본 고안의 전자 기기는, 상기 과제를 해결하기 위해서, 상술한 본 고안의 전기 광학 장치(단, 그 각종 형태를 포함함)를 구비하여 이루어진다.
본 고안의 전자 기기에 의하면, 상술한 본 고안의 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지므로, 데이터선에 콘덴서가 부설되어 있는 것에 의해, 화상상에 데이터선을 따른 표시 불균일 등이 발생하는 등의 일 없이, 고품질의 화상을 표시 가능한, 투사형 표시 장치(액정 프로젝터), 액정 텔레비젼, 휴대 전화, 전자 수첩, 워드 프로세서, 뷰 파인더형 또는 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 워크스테이션, 화상 전화, POS 단말, 터치 패널 등의 각종 전자 기기를 실현할 수 있다.
본 고안의 이러한 작용 및 다른 이득은 다음에 설명하는 실시예로부터 분명해진다.
도 1은 본 고안의 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상의 복수의 화소에 마련된 각종 소자, 배선 등의 등가 회로를 나타내는 회로도,
도 2는 본 고안의 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도,
도 3은 도 2의 A-A' 단면도,
도 4는 본 고안의 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 콘덴서가 형성된 평면도,
도 5는 도 4의 B-B' 단면도,
도 6은 도 4 및 도 5에 나타내는 콘덴서와 그 주위의 다른 요소와의 배치 관계를 개념적으로 나타내는 사시도,
도 7은 데이터선에 화상 신호가 공급되는 모양을 도식적으로 나타낸 사시도,
도 8은 도 4와 동일 취지의 도면으로서, 콘덴서의 전극인 제 1 도전층 및 제 2 도전층이 데이터선보다도 폭이 넓게 형성되어 있는 경우에 있어서의 평면도,
도 9는 도 6과 동일 취지의 도면으로서, 데이터 그 자체의 일부가 본 실시예에 따른 콘덴서의 제 1 전극을 구성하는 경우에 대하여 나타내는 도면,
도 10은 도 6과 동일 취지의 도면으로서, 콘덴서 전극용 배선 그 자체의 일 부가 본 실시예에 따른 콘덴서의 다른쪽 전극을 구성하는 경우에 대하여 나타내는 도면,
도 11은 제조 프로세스의 각 공정에 있어서의 전기 광학 장치의 적층 구조를, 도 5의 단면도(도면중 왼쪽) 및 도 3의 단면도중 반도체층(1a) 부근에 관한 부분(도면중 오른쪽)에 관해서, 순서에 따라 나타내는 공정도(그 1),
도 12는 제조 프로세스의 각 공정에 있어서의 전기 광학 장치의 적층 구조를, 도 5의 단면도(도면중 왼쪽) 및 도 3의 단면도중 반도체층(1a) 부근에 관한 부분(도면중 오른쪽)에 관해서, 순서에 따라 나타내는 공정도(그 2),
도 13은 제조 프로세스의 각 공정에 있어서의 전기 광학 장치의 적층 구조를, 도 5의 단면도(도면중 왼쪽) 및 도 3의 단면도중 반도체층(1a) 부근에 관한 부분(도면중 오른쪽)에 관해서, 순서에 따라 나타내는 공정도(그 3),
도 14는 본 고안의 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 TFT 어레이 기판을, 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판측에서 본 평면도,
도 15는 도 14의 H-H' 단면도,
도 16은 본 고안의 전자 기기의 실시예인 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 컬러 액정 프로젝터를 나타내는 도식적 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
3a : 주사선 6a : 데이터선
9a : 화소 전극 30 : TFT
10 : TFT 어레이 기판 70 : 축적 용량
71 : 중계층 300 : 용량선
75 : 유전체막 501, 501A : 콘덴서
511 : 제 1 도전층 512 : 제 2 도전층
503 : 콘덴서 전극용 배선 520 : 우회층
60a : 검사 회로용 배선 581, 582, 583 : 콘택트 홀
이하에서는, 본 고안의 실시예에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 이하의 실시예는, 본 고안의 전기 광학 장치를 액정 장치에 적용한 것이다.
우선, 본 고안의 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 화소부에서의 구성에대하여, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 도 1은, 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에 있어서의 각종 소자, 배선 등의 등가 회로이다. 또한 도 2는, 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판의 서로 인접하는 복수의 화소군의 평면도이며, 도 3은 도 2의 A-A' 단면도이다. 또, 도 3에 있어서는, 각 층·각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 해당 각 층·각 부재마다 축척을 달리하고 있다.
도 1에 있어서, 본 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에는, 각각, 화소 전극(9a)과 당해 화소 전극(9a)을 스위칭 제어하기 위한 TFT(30)가 형성되어 있고, 화상 신호가 공급되는 데이터선(6a)이 당해 TFT(30)의 소스에 전기적으로 접속되어 있다. 데이터선(6a)에 기입되는 화상 신호 S1, S2,…, Sn은, 이 순서대로 선순차적으로 공급되더라도 상관없지만, 본 실시예에서는 특히, 화상 신호 S1, S2,…, Sn은, N 개의 패러랠인 화상 신호에 시리얼-패러랠 전개되어, N 개의 화상 신호선(115)으로부터 서로 인접하는 N 개의 데이터선(6a) 끼리에 대하여, 그룹마다 공급 가능하게 구성되어 있다.
화상 표시 영역외인 주변 영역에는, 데이터선(6a)의 한쪽 단부(도 1중에서 하단)가, 샘플링 회로(301)를 구성하는 스위칭용 회로 소자(202)에 접속되어 있다. 이 스위칭용 회로 소자로서는, 도면에 도시하는 바와 같이 n 채널형의 TFT라도 좋고, p 채널형의 TFT라도 좋다. 또한, 상보형 등의 TFT 등을 적용할 수 있다(이하, 도 1에 나타내는 해당 스위칭용 회로 소자(202)를「TFT202」라고 호칭함). 이 경우, 이 TFT(202)의 드레인에는, 인출 배선(206)을 거쳐서 상기 데이터선(6a)의 도 1중 하단이 접속되며, 해당 TFT(202)의 소스에는, 인출 배선(116)을 거쳐서 화상 신호선(115)이 접속되고, 또한 해당 TFT(202)의 게이트에는, 데이터선 구동 회로(101)에 접속된 샘플링 회로 구동 신호선(114)이 접속되어 있다. 그리고, 화상 신호선(115)상의 화상 신호 S1, S2,…, Sn은, 데이터선 구동 회로(101)로부터 샘플링 회로 구동 신호선(114)을 통하여 샘플링 신호가 공급되는 것에 따라, 샘플링 회로(301)에 의해 샘플링되어, 각 데이터선(6a)에 공급되도록 구성되어 있다.
이와 같이 데이터선(6a)에 기입되는 화상 신호 S1, S2,…, Sn은, 이 순서대로 선순차적으로 공급되더라도 상관없고, 서로 인접하는 복수의 데이터선(6a) 끼리에 대하여, 그룹마다 공급되도록 하더라도 좋다. 본 실시예에서는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 6개의 데이터선(6a)을 1조로 하여, 이것에 대하여 일시에 화상 신호가 공급되도록 되어 있다.
그리고, 본 실시예에 있어서는 특히, 이들 데이터선(6a)의 다른쪽 단부(도 1중에서 상단)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이, 콘덴서(501)가 부설되어 있다. 이 콘덴서(501)는, 데이터선(6a)에 접속 또는 해당 데이터선(6a)으로부터 연장되어 마련된 도전층(후술하는 제 1 도전층(511) 및 도 4 참조)을 제 1 전극으로 하고, 데이터선(6a)에 교차하는 방향으로 연장되는 고정 전위에 유지된 콘덴서 전극용 배선(503)에 접속 또는 해당 콘덴서 전극용 배선(503)으로부터 연장되어 마련된 다른 도전층(후술하는 제 2 도전층(512) 및 도 4 참조)을 다른쪽 전극으로 하고, 또한 이들 사이에 절연막을 유지하여 구성되어 있다. 이 콘덴서(501)에는, 각 데이터선(6a)에 대하여 화상 신호 S1, S2,…, Sn을 공급하면, 그 각각에 대응한 전위와, 콘덴서 전극용 배선(503)의 고정 전위와의 차에 따른 전하가 축적되게 된다. 이것에 의해, 데이터선(6a) 주위에 있어서의 용량은 적절히 확보되게 되고, 해당 데이터선(6a)에 있어서의 일정하지 않은 전압 변동, 나아가서는 화소 전극(9a)에 있어서의 전위 변동을 억제할 수 있어, 이로써 화상상에 데이터선(6a)을 따른 표시 불균일 등이 발생하는 것을 미연에 방지하는 것이 가능해진다. 또, 이 콘덴서(501)의, 보다 실제적인 구성에 대해서는, 이후에 서술하는 것으로 한다.
또한, TFT(30)의 게이트에 주사선(3a)이 전기적으로 접속되어 있고, 소정의 타이밍으로, 주사선(3a)에 펄스식으로 주사 신호 G1, G2,…, Gm을, 이 순서대로 선순차적으로 전압을 가하도록 구성되어 있다. 화소 전극(9a)은, TFT(30)의 드레인에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 TFT(30)를 일정 기간 동안 그 스위치를 닫는 것에 의해, 데이터선(6a)으로부터 공급되는 화상 신호 S1, S2,…, Sn을 소정의 타이밍으로 기입한다.
화소 전극(9a)을 거쳐서 전기 광학 물질의 일례로서의 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호 S1, S2,…, Sn은, 대향 기판에 형성된 대향 전극 사이에서 일정 기간 유지된다. 액정은, 인가되는 전압 레벨에 따라 분자 집합의 배향이나 질서가 변화됨으로써, 광을 변조하여, 계조 표시를 가능하게 한다. 노멀리 화이트 모드이면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 감소되고, 노멀리 블랙 모드이면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 증가되어, 전체로서 전기 광학 장치로부터는 화상 신호에 따른 콘트라스트를 갖는광이 출사된다.
여기서 유지된 화상 신호가 리크되는 것을 막기 위해서, 화소 전극(9a)과 대향 전극 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(70)을 부가한다. 이 축적 용량(70)은, 주사선(3a)에 병렬로 마련되며, 고정 전위측 용량 전극을 포함하고, 또한 정전위에 고정된 용량선(300)을 포함하고 있다.
이하에서는, 상기 데이터선(6a), 주사선(3a), TFT(30) 등에 의한, 상술한 바와 같은 회로 동작이 실현되는 전기 광학 장치의, 실제 구성에 대하여, 도 2 및 도 3을 참조하여 설명한다.
우선, 본 실시예에 따른 전기 광학 장치는, 도 2의 A-A'선 단면도인 도 3에 나타내는 바와 같이, 투명한 TFT 어레이 기판(10)과, 이것에 대향 배치되는 투명한 대향 기판(20)을 구비하고 있다. TFT 어레이 기판(10)은, 예컨대, 석영 기판, 유리 기판, 실리콘 기판으로 이루어지고, 대향 기판(20)은, 예컨대 유리 기판이나 석영 기판으로 이루어진다.
TFT 어레이 기판(10)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 화소 전극(9a)이 마련되어 있고, 그 상측에는, 러빙(rubbing) 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(16)이 마련되어 있다. 이 중 화소 전극(9a)은, 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 한편, 대향 기판(20)에는, 그 전면에 걸쳐 대향 전극(21)이 마련되어 있고, 그 하측에는, 러빙 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(22)이 마련되어 있다. 이 중 대향 전극(21)은, 상술한 화소 전극(9a)과 마찬가지로, 예컨대 ITO 막 등의 투명 도전성막으로 이루어지고,상기 배향막(16, 22)은, 예컨대, 폴리이미드막 등이 투명한 유기막으로 이루어진다. 이와 같이 대향 배치된 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)간에는, 후술의 밀봉재(도 14 및 도 15 참조)에 의해 둘러싸인 공간에 액정 등의 전기 광학 물질이 봉입되어, 액정층(50)이 형성된다. 액정층(50)은, 화소 전극(9a)으로부터의 전계가 인가되어 있지 않은 상태에서 배향막(16, 22)에 의해 소정의 배향 상태를 취한다. 액정층(50)은, 예컨대 한 가지 종류 또는 수 종류의 네마틱 액정을 혼합한 전기 광학 물질로 이루어진다. 밀봉재는, TFT 기판(10) 및 대향 기판(20)을 그들의 주변에서 접합하기 위한, 예컨대 광경화성 수지나 열경화성 수지로 이루어지는 접착제이며, 양 기판간의 거리를 소정값으로 하기 위한 유리 섬유 혹은 유리 비즈 등의 스페이서가 혼입되어 있다.
한편, 도 2에 있어서, 상기 화소 전극(9a)은, TFT 어레이 기판(10)상에, 매트릭스 형상으로 복수 마련되어 있고(점선부(9a')에 의해 윤곽이 표시되고 있음), 화소 전극(9a)의 종횡의 경계를 각각 따라 데이터선(6a) 및 주사선(3a)이 마련되어 있다. 데이터선(6a)은, 예컨대 알루미늄막 등의 금속막 혹은 합금막으로 이루어지고, 주사선(3a)은, 예컨대 도전성의 폴리실리콘막 등으로 이루어진다. 또한, 주사선(3a)은, 반도체층(1a) 중 도면중 오른쪽 상방향으로의 사선 영역에서 나타낸 채널 영역(1a')에 대향하도록 배치되어 있고, 해당 주사선(3a)은 게이트 전극으로서 기능한다. 즉, 주사선(3a)과 데이터선(6a)이 교차하는 개소에는 각각, 채널 영역(1a')에 주사선(3a)의 본선부가 게이트 전극으로서 대향 배치된 화소 스위칭용의 TFT(30)가 마련되어 있다.
TFT(30)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖고 있고, 그 구성 요소로서는, 상술한 바와 같이 게이트 전극으로서 기능하는 주사선(3a), 예컨대 폴리실리콘막으로 이루어지고 주사선(3a)으로부터의 전계에 의해 채널이 형성되는 반도체층(1a)의 채널 영역(1a'), 주사선(3a)과 반도체층(1a)을 절연하는 게이트 절연막을 포함하는 절연막(2), 반도체층(1a)에 있어서의 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c) 및 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 구비하고 있다.
또, TFT(30)는, 바람직하게는 도 3에 나타낸 바와 같이 LDD 구조를 갖지만, 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)에 불순물의 주입을 행하지 않는 오프셋 구조를 가져도 좋고, 주사선(3a)의 일부로 이루어지는 게이트 전극을 마스크로서 고농도로 불순물을 주입하여, 자기 정합적으로 고농도 소스 영역 및 고농도 드레인 영역을 형성하는 셀프 얼라인형의 TFT이더라도 좋다. 또한, 본 실시예에서는, 화소 스위칭용 TFT(30)의 게이트 전극을, 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e) 사이에 1개만 배치한 싱글 게이트 구조로 했지만, 이들의 사이에 2개 이상의 게이트 전극을 배치하더라도 좋다. 이와 같이 듀얼 게이트, 혹은 트리플 게이트 이상으로 TFT를 구성하면, 채널과 소스 및 드레인 영역과의 접합부의 리크 전류를 방지할 수 있어, 오프시의 전류를 저감할 수 있다. 더욱이, TFT(30)를 구성하는 반도체층(1a)은 비단결정층이더라도 단결정층이라도 상관없다. 단결정층의 형성에는, 접합법 등의 공지의 방법을 이용할 수 있다. 반도체층(1a)을 단결정층으로 함으로써, 특히 주변 회로의 고성능화를 도모할 수 있다.
한편, 도 3에 있어서는, 축적 용량(70)이, TFT(30)의 고농도 드레인 영역(1e) 및 화소 전극(9a)에 접속된 화소 전위측 용량 전극으로서의 중계층(71)과, 고정 전위측 용량 전극으로서의 용량선(300)의 일부가, 유전체막(75)을 거쳐서 대향 배치되는 것에 의해 형성되어 있다. 이 축적 용량(70)에 의하면, 화소 전극(9a)에서의 전위 유지 특성을 현저히 높일 수 있다.
중계층(71)은, 예컨대 도전성의 폴리실리콘막으로 이루어지며 화소 전위측 용량 전극으로서 기능한다. 단, 중계층(71)은, 이후에 서술하는 용량선(300)과 마찬가지로, 금속 또는 합금을 포함하는 단일층막 또는 다층막으로 구성하더라도 좋다. 중계층(71)은, 화소 전위측 용량 전극으로서의 기능 외에, 콘택트 홀(83, 85)을 거쳐서, 화소 전극(9a)과 TFT(30)의 고농도 드레인 영역(1e)을 중계 접속하는 기능을 갖는다.
용량선(300)은, 예컨대 금속 또는 합금을 포함하는 도전막으로 이루어지고 고정 전위측 용량 전극으로서 기능한다. 이 용량선(300)은, 평면적으로 보면, 도 2에 나타내는 바와 같이, 주사선(3a)의 형성 영역에 겹쳐져 형성되어 있다. 보다 구체적으로는 용량선(300)은, 주사선(3a)을 따라 연장하는 본선부와, 도면중, 데이터선(6a)과 교차하는 각 개소로부터 데이터선(6a)을 따라 위쪽으로 각기 돌출한 돌출부와, 콘택트 홀(85)에 대응하는 개소가 약간 잘록하게 들어간 오목부를 구비하고 있다. 이 중 돌출부는, 주사선(3a)상의 영역 및 데이터선(6a) 아래의 영역을 이용하여, 축적 용량(70)의 형성 영역의 증대에 공헌한다. 또한, 용량선(300)은, 바람직하게는, 화소 전극(9a)이 배치된 화상 표시 영역(10a)으로부터 그 주위로 연장되어 마련되며, 정전위원과 전기적으로 접속되어, 고정 전위로 된다. 이러한 정전위원으로서는, 데이터선 구동 회로(101)에 공급되는 정(正) 전원이나 부(負) 전원의 정전위원이더라도 좋고, 대향 기판(20)의 대향 전극(21)에 공급되는 정전위이더라도 상관없다.
유전체막(75)은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 예컨대 막두께 5∼200nm 정도의 비교적 얇은 HTO(High Temperature Oxide)막, LTO(Low Temperature Oxide)막 등의 산화 실리콘막, 혹은 질화 실리콘막 등으로 구성된다. 축적 용량(70)을 증대시키는 관점에서는, 막의 신뢰성이 충분히 얻어지는 한에 있어서, 유전체막(75)은 얇을수록 좋다.
도 2 및 도 3에 있어서는, 상기 외에, TFT(30)의 하측에, 하측 차광막(11a)이 마련되어 있다. 하측 차광막(11a)은, 격자 형상으로 패터닝되어 있고, 이것에 의해 각 화소의 개구 영역을 규정하고 있다. 또, 개구 영역의 규정은, 도 2중의 데이터선(6a)과, 이것에 교차하도록 형성된 용량선(300)에 의해서도, 이루어지고 있다. 또한, 하측 차광막(11a)에 관해서도, 전술의 용량선(300)의 경우와 마찬가지로, 그 전위 변동이 TFT(30)에 대하여 악영향을 미치게 하는 것을 피하기 위해서, 화상 표시 영역으로부터 그 주위로 연장하여 마련해서 정전위원에 접속하면 좋다.
또한, TFT(30) 아래에는, 하지 절연막(12)이 마련되어 있다. 하지 절연막(12)은, 하측 차광막(11a)으로부터 TFT(30)를 층간 절연하는 기능 외에, TFT 어레이 기판(10)의 전(全)면에 형성되는 것에 의해, TFT 어레이 기판(10)의 표면연마시에 있어서의 거칠거칠함이나, 세정후에 남는 오염 등에 의한 화소 스위칭용의 TFT(30)의 특성 변화를 방지하는 기능을 갖는다.
부가하여, 주사선(3a)상에는, 고농도 소스 영역(1d)으로 통하는 콘택트 홀(81) 및 고농도 드레인 영역(1e)으로 통하는 콘택트 홀(83)이 각각 개공된 제 1 층간 절연막(41)이 형성되어 있다.
제 1 층간 절연막(41)상에는, 중계층(71), 및 용량선(300)이 형성되어 있고, 이들의 위에는 고농도 소스 영역(1d)으로 통하는 콘택트 홀(81) 및 중계층(71)으로 통하는 콘택트 홀(85)이 각각 개공된 제 2 층간 절연막(42)이 형성되어 있다.
또, 본 실시예에서는, 제 1 층간 절연막(41)에 대해서는, 약 1000℃의 소성을 행하는 것에 의해, 반도체층(1a)이나 주사선(3a)을 구성하는 폴리실리콘막에 주입된 이온의 활성화를 도모하더라도 좋다. 한편, 제 2 층간 절연막(42)에 대해서는, 이러한 소성을 하지 않는 것에 의해, 용량선(300)의 계면 부근에 발생하는 스트레스의 완화를 도모하도록 하더라도 좋다.
부가하여 또한, 제 2 층간 절연막(42)상에는, 데이터선(6a)이 형성되어 있고, 이들의 위에는 중계층(71)으로 통하는 콘택트 홀(85)이 형성된 제 3 층간 절연막(43)이 형성되어 있다.
제 3 층간 절연막(43)의 표면은, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 처리 등에 의해 평탄화되어 있고, 그 아래쪽으로 존재하는 각종 배선이나 소자 등에 의한 단차에 기인하는 액정층(50)의 배향 불량을 저감한다.
단, 이와 같이 제 3 층간 절연막(43)에 평탄화 처리를 실시하는 대신에, 또는 부가하여, TFT 어레이 기판(10), 하지 절연막(12), 제 1 층간 절연막(41) 및 제 2 층간 절연막(42) 중 적어도 하나에 홈을 파서, 데이터선(6a) 등의 배선이나 TFT(30) 등을 매립하는 것에 의해, 평탄화 처리를 행하더라도 좋다.
(데이터선에 부설된 콘덴서에 대한 구성)
이하에서는, 본 실시예에 있어서 특징적인, 데이터선(6a)에 부설된 콘덴서(501)의 구성에 대하여, 도 4 내지 도 6을 참조하면서, 보다 상세히 설명한다. 여기서 도 4는, 본 실시예에 따른 콘덴서를 나타내는 평면도이며, 도 5는 도 4의 B-B' 단면도이다. 또한, 도 6은, 본 실시예에 따른 콘덴서와 그 주위의 다른 요소와의 배치 관계를 개념적으로 나타내는 사시도이다. 또, 도 5 및 도 6에 있어서는, 각 층·각 부재를 도면상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 해당 각 층·각 부재마다 축척을 달리하고 있다. 또, 도 6에서는, 콘덴서의 배치 관계를 나타내는 것을 주된 목적으로 하고 있기 때문에, 예컨대 유전체막(75)이나 각 층간 절연막 등 도 5에 있어서 도시되어 있는 요소 중 몇 가지에 대해서, 그 도시를 생략하고 있다.
본 실시예에 있어서, 콘덴서(501)는, 화상 표시 영역(10a) 외부, 또한, 데이터선(6a)의 상단측에 마련되어 있다. 또, 데이터선(6a)의 하단측에는 샘플링 회로(301) 및 데이터선 구동 회로(101)가 접속되어 있다(도 4에 있어서 도시하지 않음, 도 1 참조).
보다 자세하게는, 이 콘덴서(501)는, 데이터선(6a)에 접속된 제 1도전층(511)을 제 1 전극으로 하고, 데이터선(6a)에 교차하는 방향으로 연장되며, 고정 전위에 유지된 콘덴서 전극용 배선(503)에 접속된 제 2 도전층(512)을 다른쪽 전극으로 하며, 또한 이들 사이에 유전체막(75)을 유지하여 구성되어 있다.
이 중, 우선, 제 1 도전층(511)은, 도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 제 1 층간 절연막(41)상에 형성되어 있다. 즉, 도 5와 도 3을 대비하면 알 수 있듯이, 해당 제 1 도전층(511)은, 축적 용량(70)을 구성하는 중계층(71)과 동일막으로서 형성되어 있다.
또한, 이 제 1 도전층(511)은, 콘택트 홀(581, 582), 그리고 우회층(520)을 거쳐서 데이터선(6a)과 서로 접속되어 있다. 여기서 콘택트 홀(581)은, 제 1 층간 절연막(41) 및 제 2 층간 절연막(42)을 관통하여 개공된 것이고, 콘택트 홀(582)은, 제 1 층간 절연막(41)에 개공된 것이다. 또한, 우회층(520)은, 하지 절연막(12)상에 형성된 것이며, 도 5와 도 3을 대비하면 알 수 있듯이, 주사선(3a)과 동일막으로서 형성되어 있다. 이것에 의해, 제 1 도전층(520)은, 데이터선(6a)과 동일한 전위를 갖는다.
또한, 이 우회층(520)에는, 콘택트 홀(583)을 거쳐서, 검사 회로용 배선(60a)이 접속되어 있다. 이 검사 회로용 배선(60a)은, 데이터선(6a)과 동일막으로서 형성되어 있다. 검사 회로용 배선(60a)의 끝에는, 도 4에 나타내는 바와 같이, 검사 회로(701)가 접속되어 있고, 해당 검사 회로는 복수의 TFT(702)를 포함하는 것으로 되어 있다. 또한, 이 TFT(702)에는, 전술의 검사 회로용 배선(60a)과는 별도로, 배선(703)이 접속되어 있다.
한편, 제 2 도전층(512)은, 도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 제 1 도전층(511)상에 형성된 유전체막(75) 위에, 해당 제 1 도전층(511)과 대향하도록 형성되어 있다. 이 제 2 도전층(512)은, 제 2 층간 절연막(42)상에 형성된 콘덴서 전극용 배선(503)에, 콘택트 홀(584)을 거쳐서 접속되어 있다.
여기서 콘덴서 전극용 배선(503)은, 데이터선(6a)에 교차하는 방향으로 연장되고 데이터선(6a)과 동일막으로서 형성되어 있다. 즉, 데이터선(6a)이 상술한 바와 같이 알루미늄을 포함하여 형성되는 경우에 있어서는, 콘덴서 전극용 배선(503)도 또한, 알루미늄을 포함하여 형성되는 것으로 된다. 이와 같이, 콘덴서 전극용 배선(503)이, 알루미늄 등의 저저항인 재료를 포함하여 형성되면, 그 배선 지연 등이 문제가 되지 않는다.
또, 이들 제 1 도전층(511) 및 콘덴서용 전극 배선(503)과, 전술의 검사 회로용 배선(60a)의 3개는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 동일막으로서 형성되도록 되어 있다.
또한, 이 콘덴서 전극용 배선(503)은, 대향 전극(21)에 고정 전위를 공급하기 위한 정전위원(본 고안에 말하는 「제 1 전원」에 해당함), 혹은 데이터선 구동 회로(101)나 주사선 구동 회로(104) 등에 고정 전위를 공급하기 위한 정전위원(본 고안에 말하는 「제 2 전원」에 해당함)에 접속되는 것에 의해(도시하지 않음), 고정 전위로 되어 있고, 이에 따라, 제 2 도전층(512)도 또한, 고정 전위로 되어 있다.
본 실시예에 있어서는, 이와 같이 콘덴서 전극용 배선(503) 내지 제 2 도전층(512)을 고정 전위로 하기 위해서는, 대향 전극(21)을 고정 전위로 하기 위한 전원, 또는 데이터선 구동 회로 또는 주사선 구동 회로에 공급되는 고정 전위를 공급하기 위한 전원 중 어느 하나를 이용 가능하고, 어떻든, 해당 콘덴서 전극용 배선(503) 내지 제 2 도전층(512)을 위해, 특별히 전원을 마련할 필요가 없으므로, 그 만큼, 장치 구성의 간략화를 실현할 수 있다.
마지막으로, 당해 콘덴서(501)의 절연층인 유전체막(75)은, 그 명칭 및 부호로부터 분명한 바와 같이, 상술한 축적 용량(70)의 유전체막(75)과 동일한 것이다. 즉, 유전체막(75)은, 콘덴서(501) 및 축적 용량(70)에 있어서 공용되는 형태로 되어 있다.
이러한 구성으로 이루어지는 전기 광학 장치에 있어서는, 다음과 같은 작용 효과가 연주되게 된다. 첫째로, 데이터선(6a)에 콘덴서(501)가 부설되어 있는 것에 의해, 종래에 볼 수 있었던 바와 같은, 화상상에 있어서의 데이터선(6a)를 따른 표시 불균일 등의 발생을 억제할 수 있다. 이것은, 콘덴서(501)의 존재에 의해, 데이터선(6a) 주위의 용량을 적절히 확보할 수 있는 것에 의해, 해당 데이터선(6a)에 있어서의 전위의 변동, 나아가서는 이것에 기인하는 화소 전극(9a)에 있어서의 전위 변동이 억제되는 것으로 되는 때문이다.
덧붙여서 말하면, 이러한 작용 효과는, 데이터선(6a)에 대한 화상 신호의 공급을, 서로 인접하는 복수의 데이터선(6a)에 대하여 동시에 실시하는 경우에 있어서, 보다 효과적으로 향수하는 것이 가능해진다. 왜냐 하면, 전술한 바와 같은 표시 불균일은, 이러한 경우에 있어서 보다 현저히 나타나거나, 또는 시인되기 쉽게되기 때문이다. 이하, 이러한 사정을, 도 7을 참조하면서 설명하는 것으로 한다. 여기서 도 7은, 데이터선에 화상 신호가 공급되는 모양을 도식적으로 나타낸 사시도이다. 또, 도 7에 있어서는, 본래 표시되어야 할 콘택트 홀 등은 도시되어 있지 않고, 본 실시예에 따른 주요한 작용 효과를 설명하기 위한 필요 최소한의 구성인 데이터선(6a) 및 화소 전극(9a)만이 표시되어 있다.
이 도 7에 있어서, 본 실시예에 따른 전기 광학 장치에서는, 데이터선(6a)에 공급되는 화상 신호가, 1개의 시리얼 신호를, 시리얼-패러랠 변환함으로써 얻어지는 6개의 패러랠 신호로 이루어져 있다. 즉, 화상 신호의 공급은, 6개의 데이터선(6a)으로 이루어지는 그룹마다 동시에 행해지게 된다. 이러한 화상 신호의 공급 방법의 경우, 해당 화상 신호의 공급을 실제로 받고 있는 공급 그룹(601G)에 서로 인접하는 비공급 그룹(602G)에 속하는 데이터선(6a)에 대해서는, 당연히 화상 신호가 공급되지 않게 된다. 또, 도 7에 있어서는, 검게 전부 칠해진 데이터선(6a)이, 화상 신호의 공급을 실제로 받고 있는 데이터선인 것을 나타내고 있고, 그렇지 않은 데이터선(6a)이, 화상 신호의 공급을 받고 있지 않은 데이터선인 것을 나타내고 있다(이 도면의 다음 단계에 있어서는, 예컨대 공급 그룹(601G)의 오른쪽 옆(또는 왼쪽 옆)의 비공급 그룹(602G)에 있어서의 6개의 데이터선(6a)에 화상 신호가 공급되게 됨).
여기서, 공급 그룹(601G)에 주목하면, 도면중 가장 좌측단에 위치하는 데이터선(6a1)과 도면중 가장 우측단에 위치하는 데이터선(6a2)에 대응하는 화소전극(9a)(도면중 부호(91) 참조)에는, 일반적으로 전위의 변동이 발생하기 쉬운 상황에 있다. 즉, 해당 데이터선(6a1, 6a2) 주위의 용량(예컨대, 해당 데이터선의 배선 용량, 혹은 해당 데이터선과 다른 배선 및 대향 전극과의 중첩에 의하여 발생하는 용량)이 상당 정도 작으면, 샘플링 회로(301)를 구성하는 TFT(202)의 게이트·드레인간의 기생 용량의 영향에 의해, 해당 데이터선(6a1, 6a2)에 기입되는 화상 신호 전위의 푸쉬다운량이 보다 커져 버리는 것에 의해, 이들 데이터선(6a1, 6a2)에 있어서의 전위 변동이 커져 버린다. 그렇게 되면, 이들 데이터선(6a1, 6a2)에 대응하도록 배열되어 있는 화소 전극(9a)의 전위 변동이 초래되어, 그 결과, 해당 데이터선(6a1, 6a2)을 따르는 표시 불균일이 화상상에 나타나게 되어 버리는 것이다.
보다 구체적으로는, 다음과 같다. 즉, 데이터선(6a)에 기입되는 화상 신호 전위의 푸쉬다운량을 △V라고 하면,
로 되는 관계가 있다. 여기서 △Vd는, 데이터선(6a1, 6a2)에 있어서의 전위 변화량, CGD는 샘플링 회로(301)를 구성하는 TFT(202)의 게이트·드레인간의 기생 용량, CST은 데이터선과 다른 배선 및 대향 전극(21)과의 중첩으로 발생하는 기생 용량을, 각각 표시하고 있다. 이 식로부터 알 수 있는 바와 같이, 데이터선(6a1, 6a2)의 폭을 좁게 하면, 즉 용량 CST를 작게 하면, 기생 용량 CGD의 영향이 커지기 때문에, 푸쉬다운량 △V는 커져 버리는 것이다.
또한, 데이터선(6a1, 6a2)에는, 이들에 서로 인접하도록 화상 신호가 공급되어 있지 않은 데이터선(6a)(즉, 도 7중 데이터선(6a1)의 왼쪽 옆에 위치하는 데이터선(6a) 및 데이터선(6a2)의 오른쪽 옆에 위치하는 데이터선(6a))이 존재하고 있기 때문에, 해당 데이터선(6a)과 화소 전극(9a) 사이에는 무시할 수 없는 기생 용량이 발생하게 된다. 이것에 의해서도, 도 7중 부호(91)내에 표시되는 화소 전극(9a)에 있어서, 전위 변동이 발생하기 쉬운 상황이 발생되고 있다고 할 수 있다.
이상과 같은 것으로부터 결국, 해당 화소 전극(9a)에는, 화상 신호에 정확히 대응한 전계가 인가되지 않게 된다. 따라서, 도 7과 같은 경우에는, 데이터선(6a1, 6a2)을 대략 따르는 형태로, 화상상에 표시 불균일이 나타난다고 하는 문제점이 발생하게 된다. 더구나, 이 예와 같이, 6개 마다의 데이터선(6a)에 따라 표시 불균일이 나타내는 경우에는, 화상상에 있어서의 시인되기 쉽게 되어, 사태는 보다 심각하다고 할 수 있다.
그런데, 본 실시예에 있어서는, 도 1, 도 4 내지 도 6에 나타낸 바와 같이, 데이터선(6a)에는, 콘덴서(501)가 마련되어 있다. 따라서, 도 7에서는, 공급 그룹(601G)에 속하는 데이터선(6a), 특히 그 양단에 위치하는 데이터선(6a1, 6a2)에 있어서의 전위의 변동은 억제되게 되고, 이것에 기인하는 화소 전극(9a)의 전위 변동은 거의 발생하지 않게 된다.
이상과 같이, 본 실시예의 전기 광학 장치에 의하면, 종래에 볼 수 있었던바와 같은, 데이터선(6a)을 따른 표시 불균일의 발생을 극력 억제하는 것이 가능해지는 것이다.
또한 둘째로, 본 실시예에 따른 콘덴서(501)는, 도 5와 도 3의 대비로부터 분명한 바와 같이, 축적 용량(70)을 구성하는 부재와, 제조 공정 단계에 있어서 동일 기회에 형성되게 되어 있다. 구체적으로는, 위에서도 서술한 바와 같이, 제 1 도전층(511)은 중계층(71)과, 제 2 도전층(512)은 용량선(300)과, 각각 동일막으로서 형성되어 있다. 그리고, 유전체막(75)은, 콘덴서(501)와 축적 용량(70)에서 공용으로 되어 있다. 본 실시예에서는 또한, 주사선(3a)과 우회층(520)이 동일막으로서 형성되고, 데이터선(6a), 콘덴서 전극용 배선(503) 및 검사 회로용 배선(60a)이 동일막으로서 형성되어 있다.
이와 같이, 본 실시예에 있어서는, 콘덴서 및 이것에 관련된 구성은, 화상 표시 영역내에 형성되는 구성(주사선(3a) 및 데이터선(6a), 축적 용량(70) 등)과 동시에 형성되도록 되어 있기 때문에, 그 만큼, 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등을 도모할 수 있다.
또한 셋째로, 본 실시예에 있어서는, 데이터선(6a)을 중심으로 하여, 그 한쪽 단부에 샘플링 회로(301) 및 데이터선 구동 회로(101) 등이, 다른쪽 단부에 콘덴서(501) 및 검사 회로(701)가 접속되는 형태로 되어 있기 때문에, 이들 각종 구성 요소의 배치 관계가 바람직해진다. 특히, 이 경우, 콘덴서(501)를 구성하는 제 1 도전층(511)에 전위가 공급되는 것은, 데이터선(6a)에 이어지는 화소 전극(9a)으로의 전위 공급후이므로, 해당 콘덴서(501)가 도중에 개재하고 있는 경우에 발생할수 있는 악영향을 받을 우려가 없다. 부가하여, 본 실시예에 있어서는, 데이터선(6a) 및 검사 회로(701)의 접속은, 우회층(520)을 거쳐서 행해져 있기 때문에, 이들과 콘덴서(501) 등의 배치 관계의 결정을, 무리없이, 또한, 큰 면적을 필요로 하는 일없이 실현할 수 있다(도 5 참조).
또, 상술에 있어서, 콘덴서(501)는, 도 4 등에 나타낸 바와 같이, 데이터선(6a)과 대략 동일한 폭을 갖는 제 1 도전층(511) 및 제 2 도전층(512)을 한 쌍의 전극으로서 구비하도록 구성되어 있지만, 본 고안은, 이러한 형태에 한정되는 것이 아니다. 예컨대, 도 4와 동일 취지로 되는 도 8에 나타내는 바와 같이, 데이터선(6a)의 폭보다도 큰 폭을 갖는 제 1 도전층(511A) 및 제 2 도전층(512A)을 한 쌍의 전극으로서 구비한 콘덴서(501A)를 구성하더라도 좋다. 이러한 형태에 의하면, 상술한 실시예에 비해서, 그 전극 면적이 보다 넓게 되어 있고, 그 용량값이 상대적으로 증대하게 된다. 혹은, Y 방향의 거리가 작더라도 효율적으로 용량을 확보할 수 있기 때문에, 전기 광학 장치를 소형화할 수 있다. 따라서, 이러한 형태에 의하면, 데이터선(6a) 주위의 용량을 보다 적절히 확보하는 것이 가능해져, 상술한 것에 부가하여, 데이터선(6a) 및 화소 전극(9a)에 있어서의 전위 변동의 위험성, 이것에 기인하는 데이터선(6a)을 따른 화상상에 있어서의 표시 불균일 발생의 위험성을 저감할 수 있다.
또한, 상술에 있어서, 콘덴서(501)는, 제 1 도전층(511) 및 제 2 도전층(512)을 한 쌍의 전극으로서 구비하도록 구성되어 있지만, 본 고안은, 이러한 형태에 한정되는 것이 아니다.
예컨대, 도 6과 동일 취지로 되는 도 9에 나타내는 바와 같이, 데이터선(6a) 그 자체가 연장되어 마련되어 도전층(511E)이 형성됨으로써, 콘덴서(501E)가 형성되는 것 같은 형태이더라도 좋다. 이 경우, 해당 도전층(511E) 및 검사 회로용 배선(60aE)은, 데이터선(6a)와 동일 재료로 이루어지고, 외관상, 해당 데이터선(6a)과 명료한 구별이 없는 것으로서 형성되게 된다. 바꾸어 말하면, 해당 도전층(511E)은, 데이터선(6a) 그 자체의 일부가, 본 고안에 따른 「콘덴서」의 제 1 전극을 구성한다고 볼 수 있다. 또한, 이 경우에 있어서는, 우회층(520)을 반드시 마련할 필요는 없다(도 9에 있어서의 파선 참조).
또한, 도 9에 나타내는 형태를 더욱 진행시켜, 도 10에 나타내는 바와 같이, 콘덴서 전극용 배선(503E) 그 자체가, 전술한 제 2 도전층(512)으로서의 역할을 수행하는 것 같은 형태로 하여도 좋다. 이 경우에 있어서는, 도전층(512E)은, 콘덴서 전극용 배선(503E)과 동일 재료로 이루어지고, 외관상, 해당 콘덴서 전극용 배선(503E)과 명료한 구별이 없는 것으로서 형성되게 된다. 바꾸어 말하면, 해당 도전층(512E)은, 콘덴서 전극용 배선(503E) 그 자체의 일부가, 본 고안에 따른 「콘덴서」의 다른쪽 전극을 구성한다고 볼 수 있다.
(전기 광학 장치의 제조 방법)
이하에서는, 본 실시예에 따른 전기 광학 장치의 제조 방법에 대하여, 도 11 내지 도 13을 참조하면서 설명한다. 여기서 도 11 내지 도 13은, 제조 프로세스의 각 공정에 있어서의 전기 광학 장치의 적층 구조를, 도 5의 단면도(도면중 왼쪽)및 도 3의 단면도중 반도체층(1a) 부근에 관한 부분(도면중 오른쪽)에 관해서, 순서에 따라 나타내는 공정도이다.
우선, 도 11의 공정(1)에 나타내는 바와 같이, 석영 기판, 하드 유리(hard glass), 실리콘 기판 등의 TFT 어레이 기판(10)을 준비한다. 여기서, 바람직하게는 N2(질소) 등의 불활성 가스 분위기에서 약 900∼1300℃의 고온으로 어닐링 처리하고, 후에 실시되는 고온 프로세스로 TFT 어레이 기판(10)에 발생하는 왜곡이 적어지도록 전처리해 놓는다. 계속해서, 이와 같이 처리된 TFT 어레이 기판(10)의 화상 표시 영역내에 관하여, Ti, Cr, W, Ta, Mo 등의 금속이나 금속 실리사이드 등의 금속 합금막을, 스퍼터링에 의해, 100∼500nm 정도의 막두께, 바람직하게는 200nm의 막두께의 차광막을 형성한다. 그리고, 포토리소그래피 및 에칭에 의해, 평면 형상이 격자 형상의 하측 차광막(11a)을 형성한다. 계속해서, 하측 차광막(11a)상에, 예컨대, 상압(常壓) 또는 감압 CVD 법 등에 의해 TEOS(tetra ethyl ortho silicate) 가스, TEB(tetra ethyl borate) 가스, TMOP(tetra methyl oxy phosphate) 가스 등을 이용하여, NSG(non-silicate glass), PSG(phosphor silicate glass), BSG(boron silicate glass), BPSG(boron phosphor silicate glass) 등의 실리케이트 유리막, 질화 실리콘막이나 산화 실리콘막 등으로 이루어지는 하지 절연막(12)을 형성한다. 이 하지 절연막(12)의 막두께는, 예컨대 약 500∼2000nm 정도로 한다. 또한, 해당 하지 차광막(12)은, 화상 표시 영역 내외 쌍방에 형성된다.
계속해서, 화상 표시 영역내에 있어서의 하지 절연막(12)상에, 약 450∼550℃, 바람직하게는 약 500℃의 비교적 저온 환경중에서, 유량 약 400∼600cc/min의 모노실란 가스(mono-silane gas), 디실란 가스(disilane gas) 등을 이용한 감압 CVD(예컨대, 압력 약 20∼40Pa의 CVD)에 의해, 아모포스 실리콘(amorphous silicon)막을 형성한다. 그 후, 질소 분위기 속에서, 약 600∼700℃에서 약 1∼10 시간, 바람직하게는 4∼6 시간의 어닐링 처리를 실시함으로써, p-Si(폴리실리콘)막을 약 50∼200nm의 두께, 바람직하게는 약 100nm의 두께가 될 때까지 고상 성장시킨다. 고상 성장시키는 방법으로서는, RTA를 사용한 어닐링 처리이더라도 좋고, 엑시머(excimer) 레이저 등을 이용한 레이저 어닐링이더라도 좋다. 이 때, 화소 스위칭용의 TFT(30)를, n 채널형으로 하는지 p 채널형으로 하는지에 따라서, V족 원소나 Ⅲ족 원소의 도펀트를 약간 이온 주입 등에 의해 도핑하더라도 좋다. 그리고, 포토리소그래피 및 에칭에 의해, 소정 패턴을 갖는 반도체층(1a)을 형성한다. 계속해서, TFT(30)를 구성하는 반도체층(1a)을 약 900∼1300℃의 온도, 바람직하게는 약 1000℃의 온도에 의해 열산화하여 하층 게이트 절연막을 형성하고, 경우에 따라, 이것에 계속하여 감압 CVD 법 등에 의해 상층 게이트 절연막을 형성함으로써, 일층 또는 다층의 고온 산화 실리콘막(HTO 막)이나 질화 실리콘막으로 이루어지는(게이트 절연막을 포함함) 절연막(2)을 형성한다. 이 결과, 반도체층(1a)은, 약 30∼150nm의 두께, 바람직하게는 약 35∼50nm의 두께로 되고, 절연막(2)의 두께는, 약 20∼150nm의 두께, 바람직하게는 약 30∼100nm의 두께로 된다.
계속해서, 화소 스위칭용의 TFT(30)의 임계 전압 Vth를 제어하기 위해서, 반도체층(1a) 중 n 채널 영역 혹은 p 채널 영역에, 붕소 등의 도펀트를 미리 설정된 소정량만 이온 주입 등에 의해 도핑한다.
다음에, 도 11의 공정(2)에 나타내는 바와 같이, 감압 CVD 법 등에 의해 폴리실리콘막을 퇴적하고, 또한 인(P)을 열확산하여, 이 폴리실리콘막을 도전화한다. 이 열확산 대신에, P 이온을 폴리실리콘막의 성막과 동시에 도입한 도프된(doped) 실리콘막을 이용하여도 좋다. 이 폴리실리콘막의 막두께는, 약 100∼500nm의 두께, 바람직하게는 약 350nm 정도이다. 그리고, 포토리소그래피 및 에칭에 의해, TFT(30)의 게이트 전극부를 포함해서 소정의 패턴의 주사선(3a)을 형성한다. 이 때, 본 실시예에 있어서는 특히, 이 주사선(3a)의 형성과 동시에, 화상 표시 영역밖에 있어서는, 우회층(520)이 형성되게 된다. 즉, 전술의 포토리소그래피 및 에칭에 의해 소정 패턴의 주사선(3a)이 형성되는 것과 동시에, 역시 소정 패턴(도 4 참조)을 갖는 우회층(520)이 동일막으로서 형성되게 된다.
다음에, 상기 반도체층(1a)에 대하여, 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c), 및, 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 형성한다. 여기에서는, TFT(30)를 LDD 구조를 갖는 n 채널형의 TFT로 하는 경우를 설명하면, 구체적으로 우선, 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)을 형성하기 위해서, 주사선(3a)(게이트 전극)을 마스크로 하여, P 등의 V족 원소의 도펀트를 저농도로(예컨대, P 이온을 1∼3 ×1013cm2의 도우즈량에 의해) 도핑한다. 이것에 의해 주사선(3a) 아래의 반도체층(1a)은 채널 영역(1a')으로 된다. 이 때주사선(3a)이 마스크의 역활을 수행하는 것에 의해, 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)은 자기 정합적으로 형성되게 된다. 다음에, 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 형성하기 위해서, 주사선(3a)보다도 폭이 넓은 평면 패턴을 갖는 레지스트층을 주사선(3a)상에 형성한다. 그 후, P 등의 V족 원소의 도펀트를 고농도로(예컨대, P 이온을 1∼3 ×1015/cm2의 도우즈량에 의해) 도핑한다.
또, 이와 같이 저농도와 고농도의 2단계로 나누어, 도핑을 행하지 않더라도 좋다. 예컨대, 저농도의 도핑을 행하지 않고서, 오프셋 구조의 TFT로 하여도 좋고, 주사선(3a)(게이트 전극)을 마스크로 하여, P 이온·B 이온 등을 이용한 이온 주입 기술에 의해 셀프 얼라인형의 TFT로 하여도 좋다. 이 불순물의 도핑에 의해, 주사선(3a)은 더욱 저저항화된다.
다음에, 도 11의 공정(3)에 나타내는 바와 같이, 주사선(3a)상에, 예컨대, TEOS 가스, TEB 가스, TMOP 가스 등을 이용한 상압 또는 감압 CVD 법 등에 의해, NSG, PSG, BSG, BPSG 등의 실리케이트 유리막, 질화 실리콘막이나 산화 실리콘막으로 이루어지는 제 1 층간 절연막(41)을 형성한다. 이 제 1 층간 절연막(41)의 막두께는, 예컨대 약 500∼2000nm 정도로 한다. 여기서 바람직하게는, 800℃ 정도의 고온으로 어닐링 처리하여, 제 1 층간 절연막(41)의 막질을 향상시켜 놓는다.
계속해서, 제 1 층간 절연막(41)에 대한 반응성 이온 에칭, 반응성 이온 빔 에칭 등의 드라이 에칭에 의해, 콘택트 홀(83)을 개공한다. 이 때, 본 실시예에있어서는, 화상 표시 영역밖에 있어서, 전술의 우회층(520)으로 통하도록 콘택트 홀(582)도 동시에 개공한다.
다음에, 도 11의 공정(4)에 나타내는 바와 같이, 제 1 층간 절연막(41)상에, 폴리실리콘막이나, 혹은 Ti, Cr, W, Ta, Mo 등의 금속이나 금속 실리사이드 등의 금속 합금막을, 스퍼터링에 의해, 100∼500nm 정도의 막두께로 형성한다. 그리고, 포토리소그래피 및 에칭에 의해, 소정 패턴을 갖는 중계층(71)을 형성한다. 이 때, 본 실시예에 있어서는 특히, 이 중계층(71)의 형성과 동시에, 화상 표시 영역밖에 있어서는, 제 1 도전층(511)이 형성되게 된다. 즉, 전술의 포토리소그래피 및 에칭에 의해 소정 패턴의 중계층(71)이 형성되는 것과 동시에, 역시 소정 패턴(도 4 참조)을 갖는 제 1 도전층(511)이 동일막으로서 형성되게 된다.
다음에, 도 12의 공정(5)에 나타내는 바와 같이, 감압 CVD 법이나 플라즈마 CVD 법 등에 의해, HTO 막, 질화 실리콘막, TaOx 막 등으로 이루어지는 유전체막(75)을, 중계층(71)상에 형성한다. 이 유전체막(75)은, 절연막(2)의 경우와 마찬가지로, 단층막 또는 다층막 중 어느 것으로 구성하더라도 좋고, 일반적으로 TFT 게이트 절연막을 형성하는데 이용되는 각종 공지 기술에 의해 형성 가능하다. 그리고, 유전체막(75)을 얇게 하는 만큼, 축적 용량(70)은 커지기 때문에, 결국, 막 파괴 등의 결함이 발생하지 않는 것을 조건으로, 막두께 50nm 이하의 극히 얇은 절연막이 되도록 형성하면 유리하다. 본 실시예에서는, 해당 유전체막(75)은, 화상 표시 영역밖에 있어서도 형성된다. 이것에 의해, 해당 유전체막(75)은, 중계층(71) 위 뿐만 아니라, 해당 중계층(71)과 동일막으로서 형성된 상기 제 1 도전층(511)의 위에도 형성되게 된다.
다음에, 도 12의 공정(6)에 나타내는 바와 같이, 유전체막(75)상에, Al, Ti, Cr, W, Ta 등의 금속 합금막의 금속막을, 스퍼터링에 의해, 약 100∼500nm 정도의 막두께로 형성한다. 그리고, 포토리소그래피 및 에칭에 의해, 소정 패턴을 갖는 용량선(300)을 형성한다. 이것에 의해, 해당 용량선(300)과 전술의 중계층(71) 및 유전체막(75)에 의해서, 축적 용량(70)이 완성된다.
그리고, 본 실시예에서는 특히, 이 용량선(300)의 형성과 동시에, 화상 표시 영역밖에 있어서는, 제 2 도전층(512)이 형성되게 된다. 즉, 전술의 포토리소그래피 및 에칭에 의해 소정 패턴의 용량선(300)이 형성되는 것과 동시에, 역시 소정 패턴(도 4 참조)을 갖는 제 2 도전층(512)이 동일막으로서 형성되게 된다. 이것에 의해, 본 실시예에서는, 전술의 축적 용량(70)의 완성과 동시에, 제 1 도전층(511), 제 2 도전층(512) 및 유전체막(75)에 의해서, 콘덴서(501)도 또한 동시에 완성되게 된다.
다음에, 도 12의 공정(7)에 나타내는 바와 같이, 예컨대, TEOS 가스 등을 이용한 상압 또는 감압 CVD 법에 의해, NSG, PSG, BSG, BPSG 등의 실리케이트 유리막, 질화 실리콘막이나 산화 실리콘막 등으로 이루어지는 제 2 층간 절연막(42)을 형성한다. 이 제 2 층간 절연막(42)의 막두께는, 예컨대 약 500∼1500nm 정도로 한다. 계속해서, 제 2 층간 절연막(42)에 대한 반응성 이온 에칭, 반응성 이온 빔 에칭 등의 드라이 에칭에 의해, 콘택트 홀(81)을 개공한다. 이 때, 본 실시예에 있어서는, 화상 표시 영역밖에 있어서, 전술의 우회층(520)으로 통하도록 콘택트홀(581, 583)도 동시에 개공한다. 또한, 화상 표시 영역외의 제 2 층간 절연막(42)에 대해서는 또한, 상기 한 제 2 도전층(512)으로 통하도록, 콘택트 홀(584)도 또한 개공해 놓는다.
다음에, 도 13의 공정(8)에 나타내는 바와 같이, 제 2 층간 절연막(42)상의 전(全)면에, 스퍼터링 등에 의해, 차광성의 Al 등의 저저항 금속이나 금속 실리사이드 등을 금속막으로서, 약 100∼500nm 정도의 두께, 바람직하게는 약 300nm로 퇴적한다. 그리고, 포토리소그래피 및 에칭에 의해, 소정 패턴을 갖는 데이터선(6a)을 형성한다. 이 때, 본 실시예에 있어서는 특히, 이 데이터선(6a)의 형성과 동시에, 화상 표시 영역밖에 있어서는, 콘덴서 전극용 배선(503) 및 검사 회로(701)로 계속되는 검사 회로용 배선(60a)이 형성되게 된다. 즉, 전술의 포토리소그래피 및 에칭에 의해 소정 패턴의 데이터선(6a)이 형성되는 것과 동시에, 역시 소정 패턴(도 4 참조)을 갖는 콘덴서 전극용 배선(503) 및 검사 회로용 배선(60a)이 동일막으로서 형성되게 된다.
다음에, 도 13의 공정(9)에 나타내는 바와 같이, 데이터선(6a)상을 덮도록, 예컨대, TEOS 가스 등을 이용한 상압 또는 감압 CVD 법에 의해, NSG, PSG, BSG, BPSG 등의 실리케이트 유리막, 질화 실리콘막이나 산화 실리콘막 등으로 이루어지는 제 3 층간 절연막(43)을 형성한다. 이 제 3 층간 절연막(43)의 막두께는, 예컨대 약 500∼1500nm 정도로 한다. 계속해서, 제 3 층간 절연막(43)에 대한 반응성 이온 에칭, 반응성 이온 빔 에칭 등의 드라이 에칭에 의해, 도시하지 않은 콘택트 홀(85)(도 1 내지 도 3 참조)을 개공한다. 계속해서, 제 3 층간 절연막(43)상에,스퍼터링 처리 등에 의해, ITO 막 등의 투명 도전성막을, 약 50∼200nm의 두께로 퇴적한다. 그리고, 포토리소그래피 및 에칭에 의해, 화소 전극(9a)을 형성한다. 또, 당해 전기 광학 장치를, 반사형으로서 이용하는 경우에는, Al 등의 반사율이 높은 불투명한 재료에 의해서 화소 전극(9a)을 형성하더라도 좋다.
그리고 마지막으로, 화소 전극(9a) 위에, 폴리이미드계의 배향막의 도포액을 도포한 후, 소정의 프리틸트각(pre-tilt angle)을 갖도록, 또한 소정 방향에서 러빙 처리를 실시하는 것 등에 의해, 배향막(16)이 형성된다.
한편, 대향 기판(20)에 있어서는, 유리 기판 등이 우선 준비되고, 프레임으로서의 차광막이, 예컨대 금속 크롬을 스퍼터링한 후, 포토리소그래피 및 에칭을 통해 형성된다. 또, 이들 차광막은, 도전성일 필요는 없고, Cr, Ni, Al 등의 금속 재료 외에, 카본이나 Ti를 포토 레지스트에 분산시킨 수지 블랙(resin black) 등의 재료로 형성하더라도 좋다.
그 후, 대향 기판(20)의 전(全)면에 스퍼터링 처리 등에 의해, ITO 등의 투명 도전성막을, 약 50∼200nm의 두께로 퇴적함으로써, 대향 전극(21)을 형성한다. 또한, 대향 전극(21)의 전(全)면에 폴리이미드계의 배향막의 도포액을 도포한 후, 소정의 프리틸트각을 갖도록, 또한 소정 방향에서 러빙 처리를 실시하는 것 등에 의해, 배향막(22)이 형성된다.
마지막으로, 상술한 바와 같이, 각 층이 형성된 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)은, 배향막(16, 22)이 대면하도록 밀봉재에 의해 접합되고, 진공 흡인 등에 의해, 양 기판간의 공간에, 예컨대 복수 종류의 네마틱 액정을 혼합하여 이루어지는 액정이 흡인되어, 소정 층두께의 액정층(50)이 형성된다.
이상 설명한 제조 프로세스에 의해, 상술한 제 1 실시예의 전기 광학 장치를 제조할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에 따른 전기 광학 장치의 제조 방법에서는, 콘덴서(501)를 구성하는 부재와 축적 용량(70)을 구성하는 부재는, 제조 공정 단계에서 동일 기회에 형성되도록 되어 있다. 구체적으로는, 위에서도 서술한 바와 같이, 제 1 도전층(511)은 중계층(71)과, 제 2 도전층(512)은 용량선(300)과, 각각 동일막으로서 형성되어 있다. 그리고, 유전체막(75)은, 콘덴서(501)와 축적 용량(70)에서 공용으로 되어 있다. 본 실시예에서는 또한, 주사선(3a)과 우회층(520)이 동일막으로서 형성되고, 데이터선(6a), 콘덴서 전극용 배선(503) 및 검사 회로용 배선(60a)이 동일막으로서 형성되어 있다.
이와 같이, 본 실시예에 있어서는, 콘덴서(501) 및 이것에 관련된 구성은, 화상 표시 영역내에 형성되는 구성(주사선(3a) 및 데이터선(6a), 축적 용량(70) 등)과 동시에 형성되도록 되어 있기 때문에, 그 만큼, 제조 공정의 간략화, 혹은 제조 비용의 저렴화 등을 도모할 수 있다.
(전기 광학 장치의 전체 구성)
이하에서는, 이상과 같이 구성된 본 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 전체 구성을 도 14 및 도 15를 참조하여 설명한다. 또, 도 14는, TFT 어레이 기판을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판(20)의 측으로부터 본 평면도이며,도 15는 도 14의 H-H' 단면도이다.
도 14 및 도 15에 있어서, 본 실시예에 따른 전기 광학 장치에서는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)이 대향 배치되어 있다. TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에는, 액정층(50)이 봉입되어 있고, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)은, 화상 표시 영역(10a)의 주위에 위치하는 밀봉 영역에 마련된 밀봉재(52)에 의해 서로 접착되어 있다.
밀봉재(52)는, 양 기판을 접합하기 위해서, 예컨대 자외선 경화 수지, 열경화 수지 등으로 이루어지며, 자외선, 가열 등에 의해 경화시켜진 것이다. 또한, 이 밀봉재(52)중에는, 본 실시예에 있어서의 전기 광학 장치를, 액정 장치가 프로젝터 용도와 같이 소형으로 확대 표시를 행하는 액정 장치에 적용하는 것이면, 양 기판간의 거리(기판간 갭)를 소정값으로 하기 위한 유리 섬유, 혹은 유리 비즈 등의 갭 재료(스페이서)가 산포되어 있다. 혹은, 당해 전기 광학 장치를 액정 모니터나 액정 텔레비젼과 같이 대형으로 등배 표시를 행하는 액정 장치에 적용하는 것이면, 이러한 갭 재료는, 액정층(50)중에 포함되어도 좋다.
밀봉재(52)의 외측의 영역에는, 데이터선(6a)에 화상 신호를 소정의 타이밍으로 공급함으로써 해당 데이터선(6a)을 구동하는 데이터선 구동 회로(101) 및 외부 회로 접속 단자(102)가 TFT 어레이 기판(10)의 한 변을 따라 마련되어 있고, 주사선(3a)에 주사 신호를 소정의 타이밍으로 공급함으로써, 주사선(3a)을 구동하는 주사선 구동 회로(104)가, 이 한 변에 인접하는 두 변을 따라 마련되어 있다.
또, 주사선(3a)에 공급되는 주사 신호 지연이 문제가 되지 않는 것이라면,주사선 구동 회로(104)는 한 쪽만로도 좋은 것은 말할 필요도 없다. 또한, 데이터선 구동 회로(101)를 화상 표시 영역(10a)의 변을 따라 양측에 배열하더라도 좋다.
TFT 어레이 기판(10)의 남는 한 변에는, 화상 표시 영역(10a)의 양측에 마련된 주사선 구동 회로(104) 사이를 잇기 위한 복수의 배선(105)이 마련되어 있다. 또한, 대향 기판(20)의 코너부의 적어도 1개소에서는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에서 전기적으로 도통을 취하기 위한 도통재(106)가 마련되어 있다.
도 15에 있어서, TFT 어레이 기판(10)상에는, 화소 스위칭용의 TFT나 주사선, 데이터선 등의 배선이 형성된 후의 화소 전극(9a)상에, 배향막이 형성되어 있다. 한편, 대향 기판(20)상에는, 대향 전극(21) 외에, 최상층 부분에 배향막이 형성되어 있다. 또한, 액정층(50)은, 예컨대 한 가지 종류 또는 수 종류의 네마틱 액정을 혼합한 액정으로 이루어지고, 이들 한 쌍의 배향막 사이에서, 소정의 배향 상태를 취한다.
또, TFT 어레이 기판(10)상에는, 이들 데이터선 구동 회로(101), 주사선 구동 회로(104) 등에 부가하여, 복수의 데이터선(6a)에 화상 신호를 소정의 타이밍으로 인가하는 샘플링 회로, 복수의 데이터선(6a)에 소정 전압 레벨의 프리차지 신호를 화상 신호에 선행하여 각각 공급하는 프리차지 회로, 제조 도중이나 출하시의 당해 전기 광학 장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사 회로 등을 형성하더라도 좋다.
또한, 상술한 각 실시예에 있어서는, 데이터선 구동 회로(101) 및 주사선 구동 회로(104)를 TFT 어레이 기판(10)상에 마련하는 대신에, 예컨대 TAB(TapeAutomated Bonding) 기판상에 실장된 구동용 LSI에, TFT 어레이 기판(10)의 주변부에 마련된 이방성 도전 필름을 거쳐서 전기적 및 기계적으로 접속되도록 하더라도 좋다. 또한, 대향 기판(20)의 투사광이 입사되는 측 및 TFT 어레이 기판(10)의 출사광이 출사되는 측에는, 각각, 예컨대 TN(Twisted Nematic) 모드, VA(Vertically Aligned) 모드, PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal) 모드 등의 동작 모드나, 노멀리 화이트 모드·노멀리 블랙 모드의 별로 그에 따라서, 편광 필름, 위상차 필름, 편광판 등이 소정의 방향으로 배치된다.
(전자 기기)
다음에, 이상 상세히 설명한 전기 광학 장치를 광밸브(valve)로서 이용한 전자 기기의 일례인 투사형 컬러 표시 장치의 실시예에 대하여, 그 전체 구성, 특히 광학적인 구성에 대하여 설명한다. 여기서, 도 16은, 투사형 컬러 표시 장치의 도식적 단면도이다.
도 16에 있어서, 본 실시예에 있어서의 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 액정 프로젝터(1100)는, 구동 회로가 TFT 어레이 기판상에 탑재된 액정 장치를 포함하는 액정 모듈을 3개 준비하고, 각각 RGB 용의 광밸브(100R, 100G, 100B)로서 이용한 프로젝터로서 구성되어 있다. 액정 프로젝터(1100)에서는, 메탈 할라이드(metal halide) 램프 등의 백색 광원의 램프 유닛(1102)으로부터 투사광이 발생하면, 3장의 미러(1106) 및 2장의 다이클로익 미러(1108)에 의해서, RGB의 삼원색에 대응하는 광성분 R, G 및 B로 나누어지고, 각 색에 대응하는 광밸브(100R,100G, 100B)에 각각 인도된다. 이 때 특히, B 광은, 긴 광로에 의한 광손실을 방지하기 위해서, 입사 렌즈(1122), 릴레이 렌즈(1123) 및 출사 렌즈(1124)로 이루어지는 릴레이 렌즈계(1121)를 거쳐서 인도된다. 그리고, 광밸브(100R, 100G, 100B)에 의해 각각 변조된 삼원색에 대응하는 광성분은, 다이클로익 프리즘(1112)에 의해 재차 합성된 후, 투사 렌즈(1114)를 거쳐서 스크린(1120)에 컬러 화상으로서 투사된다.
본 고안은, 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구의 범위 및 명세서 전체로부터 판독할 수 있는 고안의 요지, 혹은 사상에 반하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하고, 그와 같은 변경을 수반하는 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 및 전자 기기도 또한, 본 고안의 기술적 범위에 포함되는 것이다.
본 고안에 의하면, 데이터선을 따른 표시 불균일 등이 없는 고품질의 화상을 표시하는 것이 가능한 전기 광학 장치를 제공할 수 있고, 또한, 이러한 전기 광학 장치의 소형화·고정밀화를 실현하면서도, 표시 불균일 등의 발생이 없는 고품질의 화상을 여전히 표시 가능한 구성을 구비하는 전기 광학 장치를 제공할 수 있다. 또한 본 고안은, 이러한 전기 광학 장치의 제조 방법, 및, 해당 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 전자 기기를 제공할 수 있다.

Claims (14)

  1. 기판상에,
    일정 방향으로 연장되는 데이터선과,
    해당 데이터선에 교차하도록 연장되는 주사선과,
    상기 주사선과 상기 데이터선과의 교차 영역에 대응하도록 배치된 화소 전극 및 화소 스위칭용 소자와,
    상기 데이터선에 접속 또는 상기 데이터선으로부터 연장되어 마련된 도전층을 그의 제 1 전극으로서 포함하는 콘덴서
    를 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터선에 교차하는 방향으로 연장되는 콘덴서 전극용 배선을 더 구비하여 이루어지고,
    상기 콘덴서를 구성하는 제 2 전극은, 상기 콘덴서 전극용 배선에 접속되거나 또는 상기 콘덴서 전극용 배선으로부터 연장되어 마련된 다른 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 콘덴서 전극용 배선은 고정 전위로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 기판에 대향 배치된 대향 기판과, 해당 대향 기판상에 형성되어 상기 화소 전극에 대향하도록 배치된 대향 전극과,
    해당 대향 기판 및 상기 기판 중 어느 한쪽에 배치되어 상기 주사선과 상기 데이터선 및 상기 화소 전극을 구동하기 위한 구동 회로와,
    상기 대향 전극에 고정 전위를 공급하는 제 1 전원과,
    상기 구동 회로에 고정 전위를 공급하는 제 2 전원을 더 구비하고,
    상기 콘덴서 전극용 배선은, 상기 제 1 전원 또는 상기 제 2 전원에 접속되는 것에 의해, 고정 전위로 되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 콘덴서 전극용 배선은, 저저항 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터선의 한쪽 단부측에는, 해당 데이터선을 구동하기 위한 데이터선 구동 회로가 더 구비되어 이루어지고,
    상기 데이터선의 다른쪽 단부측에는, 상기 콘덴서가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터선의 한쪽 단부측에는, 해당 데이터선을 구동하기 위한 데이터선 구동 회로가 더 구비되어 이루어지고,
    상기 데이터선의 다른쪽 단부측에는, 당해 전기 광학 장치의 동작을 검사하기 위한 검사 회로가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 전극 및 화소 스위칭용 소자에 접속된 축적 용량을 더 구비하고,
    상기 콘덴서를 구성하는 부재의 적어도 일부는, 상기 축적 용량을 구성하는 부재의 적어도 일부와, 제조 공정 단계에 있어서 동일한 기회에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 콘덴서 전극용 배선 및 상기 콘덴서는, 제조 공정 단계에 있어서 동일한 기회에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터선 및 상기 도전층 각각에 접속된 우회층을 더 구비하여 이루어지고,
    해당 우회층은, 상기 주사선과 제조 공정 단계에 있어서 동일한 기회에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 데이터선의 한쪽 단부측에는, 해당 데이터선을 구동하기 위한 데이터선 구동 회로가 구비되어 있고,
    상기 데이터선의 다른쪽 단부측에는, 상기 콘덴서 및 당해 전기 광학 장치의 동작을 검사하기 위한 검사 회로가 더 구비되어 있으며,
    상기 검사 회로는, 상기 데이터선과 상기 우회층을 거쳐서 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 도전층의 상기 제 1 전극으로 될 부위는, 상기 데이터선에 비해서 폭이 넓게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 데이터선은 복수개 존재하고 있고,
    이들 복수개의 데이터선은, 일시에 화상 신호의 공급 대상으로 되는 복수의 조로 구별되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  14. 청구항 1에 기재된 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3700714B2 (ja) * 2002-06-21 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100662978B1 (ko) * 2004-08-25 2006-12-28 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치와 그의 구동방법
KR20060019845A (ko) * 2004-08-30 2006-03-06 삼성에스디아이 주식회사 전자 방출 소자
KR100840116B1 (ko) * 2005-04-28 2008-06-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
JP4978012B2 (ja) * 2006-01-24 2012-07-18 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP4957190B2 (ja) * 2006-02-21 2012-06-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4946203B2 (ja) * 2006-06-27 2012-06-06 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
KR101236726B1 (ko) * 2006-06-30 2013-02-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
US8259248B2 (en) * 2006-12-15 2012-09-04 Seiko Epson Corporation Electrooptic device and electronic device
KR20080101242A (ko) * 2007-05-16 2008-11-21 팅크웨어(주) 측위 오차를 이용한 내비게이션 맵매칭 방법 및 시스템
JP5119875B2 (ja) * 2007-11-13 2013-01-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2010039229A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Hitachi Displays Ltd 表示装置
TWI401494B (zh) * 2009-03-06 2013-07-11 Hannstar Display Corp 接地結構
KR101605435B1 (ko) * 2009-12-14 2016-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
JP5724531B2 (ja) 2010-04-12 2015-05-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US9478183B2 (en) 2011-04-15 2016-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and display method
CN103035734A (zh) 2011-10-07 2013-04-10 元太科技工业股份有限公司 金属氧化物薄膜晶体管
WO2014174764A1 (ja) * 2013-04-24 2014-10-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 タッチパネル
JP2015004910A (ja) * 2013-06-24 2015-01-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学パネル及び電子機器
CN103700669A (zh) * 2013-12-19 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105206601B (zh) * 2015-10-19 2019-03-12 京东方科技集团股份有限公司 测试组件单元、阵列基板、显示面板、显示装置以及制造测试组件单元的方法
CN105679765A (zh) * 2016-01-12 2016-06-15 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板结构
US10527899B2 (en) * 2016-05-31 2020-01-07 E Ink Corporation Backplanes for electro-optic displays
TWI652815B (zh) * 2017-12-18 2019-03-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
CN108205228A (zh) * 2018-01-03 2018-06-26 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板和显示装置
US11011315B2 (en) * 2018-06-20 2021-05-18 Tdk Corporation Thin film capacitor, manufacturing method therefor, and multilayer circuit board embedded with thin film capacitor

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH032731A (ja) 1989-05-31 1991-01-09 Toshiba Corp アクティブマトリクス型液晶表示素子
JPH055866A (ja) 1991-06-28 1993-01-14 Sharp Corp アクテイブマトリクス基板の検査方法
JPH0728090A (ja) 1993-07-14 1995-01-31 Toshiba Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JPH09265110A (ja) * 1996-03-28 1997-10-07 Toshiba Corp アクティブマトリックスパネル
TW374852B (en) * 1996-06-10 1999-11-21 Toshiba Corp Display device
CN1111754C (zh) 1997-03-26 2003-06-18 精工爱普生株式会社 液晶装置、电光装置及使用了这种装置的投影型显示装置
EP2189839A1 (en) * 1997-10-31 2010-05-26 Seiko Epson Corporation Electrooptical apparatus and electronic device
JP3900714B2 (ja) 1997-10-31 2007-04-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR100685942B1 (ko) * 2000-08-30 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 구동방법
JP2001352072A (ja) 2001-03-26 2001-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ
JP4306142B2 (ja) * 2001-04-24 2009-07-29 株式会社日立製作所 画像表示装置及びその製造方法

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Publication number Publication date
TW200415543A (en) 2004-08-16
US7164408B2 (en) 2007-01-16
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CN100378553C (zh) 2008-04-02
CN2687713Y (zh) 2005-03-23
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US20040119075A1 (en) 2004-06-24
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TWI235974B (en) 2005-07-11
CN1494050A (zh) 2004-05-05

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