JP2000056319A - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マトリクス駆動方式の電気光学装置におい
て、シール領域にギャップ材を入れてギャップを精度良
く制御しつつ、シール領域下の引き出し配線の配線不良
を低減する。 【解決手段】 液晶装置（１００）は、一対の基板間に
挟持された液晶層（５０）と、ＴＦＴアレイ基板（１
０）に配列された走査線（３ａ）及びデータ線（６ａ）
とを備える。両基板を接着するシール材（５２）中に
は、基板間ギャップを制御するギャップ材（３００）が
混入されており、層間絶縁膜（１２’）は、シール領域
において、走査線やデータ線の引き出し配線（４０１）
に対向する部分が凹状に窪んで形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）駆動、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）駆動等によ
るアクティブマトリクス駆動方式やパッシブマトリクス
駆動方式の液晶装置等の電気光学装置及びその製造方
法、並びにこれを用いた電子機器の技術分野に属する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の電気光学装置は、一対の
基板間に電気光学物質が封入されてなり、基板上には、
複数の走査線及びデータ線が相交差するように配列され
ている。例えばＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス
駆動方式の場合には、一方の基板上において、これらの
走査線及びデータ線の各交点に対応して複数のＴＦＴ及
び複数の画素電極が設けられ、走査線がＴＦＴのゲート
電極に接続され、データ線がＴＦＴのソース電極に接続
され、画素電極がＴＦＴのドレイン電極に接続される。
他方の基板には、対向電極（共通電極）がその全面に形
成される。

【０００３】このように走査線、データ線、画素電極、
対向電極等が形成された両基板間には、シール材により
囲まれた空間に電気光学物質が封入され、液晶層が形成
される。シール材は、両基板をそれらの周辺で貼り合わ
せるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からな
る接着剤である。ここで封入される電気光学物質は、例
えば一種又は数種類のネマティック電気光学物質を混合
したものであり両基板表面に形成された配向膜の間で９
０度等の所定角度だけ捩じれた配向状態をとる。仮に、
電気光学物質層の厚みが電気光学物質の性質に応じて予
め設定された適当な値範囲に入っていなければ、安定し
て所定角度だけ捩じれた配向状態をとることはできず、
電気光学物質の配向不良の原因、即ち画質低下の原因と
なる。従って、電気光学物質層の厚みを規定する基板間
ギャップを制御することが、電気光学装置を製造する上
で重要課題となる。

【０００４】そこで従来は、次のように基板間ギャップ
を制御している。

【０００５】先ず、例えば、直視型の液晶ディスプレイ
用の１０インチ程度の比較的大型の電気光学装置の場合
には、画面表示領域に表示される画像はそのまま視認さ
れるので、電気光学物質である液晶中に微少な不純物を
混入しても、液晶の配向不良による視認できる程度の白
抜けの原因とはならない。このため、液晶中に数μｍ程
度の所定径を持つグラスファイバ或いはガラスビーズ等
のギャップ材（スペーサ）を入れて、基板間ギャップを
制御している。

【０００６】また、例えば液晶プロジェクタに用いられ
る液晶ライトバルブ用の１インチ程度の比較的小型の電
気光学装置の場合には、画像が拡大投影される。従っ
て、上述のように液晶中にギャップ材を入れてしまう
と、ギャップ材による液晶の配向不良箇所も拡大投影さ
れて、拡大後の表示画面において白抜けとして視認され
てしまう。このため、液晶中ではなく前述したシール材
中にギャップ材を入れて、基板間ギャップを制御してい
る。逆に、このような小型の電気光学装置であれば、画
面表示領域の周囲に位置するシール材により接着された
領域（以下、“シール領域”という）において基板間ギ
ャップを制御すれば、画面表示領域における基板間ギャ
ップを制御することも可能となるのである。

【０００７】ところで、前述の走査線に走査信号を供給
する走査線駆動回路やデータ線に画像信号を供給するデ
ータ線駆動回路は、シール材により囲まれた液晶封入領
域の外側に設けられるのが一般的である。従って、シー
ル領域下には、走査線やデータ線から延設された引き出
し配線が通されることになる。より具体的には、シール
領域下にある基板上、層間絶縁膜上などにＡｌ（アルミ
ニウム）等の金属層や低抵抗のポリシリコン層などから
なるデータ線や走査線の引き出し配線が設けられる。

【０００８】従って、シール領域下では、シール材に接
する最上層の表面（例えば、画素電極形成用の第３層間
絶縁膜の表面や配向膜の表面）において、各引き出し配
線が通る箇所のが凸状に突出している。更に、このシー
ル領域の表面は、引き出し配線の厚みに応じて、各画素
領域において液晶に接する最上層の表面（例えば、配向
膜の表面）と比較して高くなっており、シール領域の表
面と各画素領域の表面との間には段差が発生している。
例えば、Ａｌ等からなるデータ線は３０００〜４０００
オングストローム程度の厚みがあり、ポリシリコン等か
らなる走査線も、３０００〜４０００オングストローム
程度の厚みがあり、画素領域における層構成は基本的に
これらの配線がなく且つ画素電極を構成するＩＴＯ（In
dium TinOxide）膜がある点で主に相違するので、この
段差は、これらの配線の合計厚である約６０００〜８０
００オングストローム程度にもなる。

【０００９】この結果、前述のようにシール材にギャッ
プ材を混入する場合、基板間ギャップを例えば４μｍ程
度にするためには、ギャップ材の径は、これよりも段差
の分だけ小さい例えば３μｍ程度とする必要がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】電気光学装置では、高
画質化や小型化という一般的要請に沿うように、基板上
において配線を微細化すると共に相隣接する画素電極間
の間隔を狭くしつつ、画素開口率（画面表示領域におい
て全体面積に対する、有効に画像が表示される領域の比
率）を高めることが望まれている。

【００１１】しかしながら、このように配線の微細化が
進むに連れて、各引き出し配線の機械的強度は低下す
る。しかるに、基板間ギャップを制御するためのギャッ
プ材は前述のようにファイバ状やビーズ状であり、シー
ル材により両基板を一体に保とうとする力は、シール領
域下における基板面全体に均等に係るのではなく、線状
領域（ファイバ状の場合）や点状領域（ビーズ状の場
合）に対してギャップ材による応力が集中してかかるこ
とになる。

【００１２】より具体的には、図２４（ａ）の平面図及
び図２４（ｂ）のＡ−Ａ’断面図に示すように円柱状
（棒状）のグラスファイバからなるギャップ材３００
を、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の間のシー
ル材５２に混入させてギャップ制御を行うとする。この
場合、上述の如く微細化されて幅Ｌ１を持つ引き出し配
線３０１に層間絶縁膜を介して、幅Ｌ２（但し、Ｌ２＞
Ｌ１）を持つギャップ材３００が載ることになる。する
と、個々のギャップ材３００の載り方によっては、図２
４（ｂ）のように、ギャップ材３００が１本の引き出し
配線３０１を跨いだり、これに近い状態となったりす
る。すると、ギャップ材３００の側線に沿った線状領域
に応力集中が起こるので、引き出し配線３０１は比較的
容易に断線してしまうのである。

【００１３】また、図２５（ａ）の平面図及び図２５
（ｂ）のＢ−Ｂ’断面図に示すように球状のガラスビー
ズ（シリカボール）からなるギャップ材３００’を、シ
ール材５２に混入させてギャップ制御を行うとする。こ
の場合、上述の如く微細化されて幅Ｌ１を持つ引き出し
配線３０１に層間絶縁膜を介して、球状のギャップ材３
００’が載ることになる。すると、図２５（ｂ）のよう
に、ギャップ材３００’の接点における点状領域に応力
集中が起こるので、引き出し配線３０１は比較的容易に
突き破られたり、特に引き出し配線３０１下に絶縁膜を
介して他の引き出し配線が存在している場合などには、
断線せずとも当該絶縁膜を局所的に突き破ってショート
する可能性が高くなってしまうのである。

【００１４】以上のように配線の微細化に伴って、シー
ル領域下において凸状に突出した箇所をなす引き出し配
線部分は、その上に載せられたファイバ状やビーズ状の
ギャップ材による応力集中に耐え切れなくなり、断線や
ショートなどの配線不良を引き起こす可能性が高くなる
という問題点がある。

【００１５】他方、相隣接する画素電極間の間隔が狭く
なると、横方向電界（基板の面に沿った方向の電界）の
増加による液晶の配向不良（ディスクリネーション）が
発生するようになる。これを防ぐには、基板間ギャップ
を狭めて縦方向電界（基板面に垂直な方向の電界）を相
対的に強めれば良い。しかしながら、前述のシール領域
と各画素領域との段差により、画素領域における基板間
ギャップを、例えば４μｍ程度から３μｍ程度に狭める
ためには、ギャップ材の径を３μｍ程度から２μｍ程度
に小さくする必要性が生じる。ところが、このように小
さな径のギャップ材を精度良く作成することは現在の当
該技術分野では極めて困難である。また、ギャップが狭
まると、シール材に含まれる光硬化性樹脂の接着力が低
下してしまう。この結果、仮に基板間ギャップをこのよ
うに狭めると、ギャップ制御が困難となると共にギャッ
プ材のコスト増加や接着強度の低下を招くという問題点
が生じる。更に、画素領域における基板間ギャップを、
例えば４μｍ程度から１μｍ程度に狭めると、ギャップ
材の径を３μｍ程度から０μｍ程度に小さくする必要性
が生じ、即ち、シール材にギャップ材を混入する技術そ
のものが成り立たなくなるという問題点も生じる。

【００１６】本発明は上述した問題点に鑑みなされたも
のであり、シール領域下における配線不良を低減すると
共に、基板間ギャップを精度良く制御できる電気光学装
置及びその製造方法並びに当該電気光学装置を備えた電
子機器を提供することを課題とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の電気光
学装置は上記課題を解決するために、一対の基板間に液
晶が封入され、該基板の該液晶に面する側に相交差して
配列された複数のデータ線及び走査線と、前記基板を相
互に接着するギャップ材混入のシール材と、前記シール
材の形成領域に前記データ線及び走査線の少なくとも一
方から前記シール材の形成領域に各々延設された複数の
引き出し配線と、前記基板と前記引き出し配線との間に
配置された凹状に窪んだ領域を有する層間絶縁膜とを備
えており、前記引き出し配線は、前記シール材の形成領
域において前記層間絶縁膜の凹状に窪んだ領域に形成さ
れていることを特徴とする。

【００１８】請求項１に記載の電気光学装置によれば、
一対の基板は相互に接着されており、シール材に混入さ
れたギャップ材により、基板間のギャップは制御されて
いる。従って、データ線及び走査線によりマトリクス駆
動される所定層厚の液晶を備えた、例えばＴＦＴ（薄膜
トランジスタ）駆動、ＴＦＤ（薄膜ダイオード）駆動等
のアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置或いは
パッシブマトリクス駆動方式の電気光学装置として構成
される。ここで、層間絶縁膜は、シール領域において引
き出し配線に対向する部分が凹状に窪んで形成されてい
る。従って、データ線や走査線が形成された基板側のシ
ール領域においてシール材に接する層間絶縁膜等の最上
層の表面（以下、単に“シール領域の表面”という）に
おいて引き出し配線上に形成される当該引き出し配線の
厚みによる凸状の突出の高さは、当該凹状に窪んだ部分
の深さに応じて低められることになる。即ち、シール領
域の表面における平坦化が図られる。従って、平坦化さ
れたシール領域上でシール材に混入されたギャップ材を
介してかかる応力は面上に一様に分散される。従って、
前述の図２４及び図２５に示したような引き出し配線が
断線したりショートしたりする可能性は大きく低減され
る。また、このシール領域の表面における高さの差を実
質的に零にせずに、多少なりとも小さくすれば、同様の
作用により、引き出し配線が断線したりショートしたり
する可能性は多少なりとも低減される。

【００１９】更に、データ線や走査線が形成された基板
側の各画素領域において電気光学物質に接する配向膜等
の最上層の表面（以下、単に“画素領域の表面”とい
う）は、前述のようにシール領域の表面のうち引き出し
配線上に位置しない部分と殆ど同じ高さを持つので、こ
のようにシール領域の表面を平坦化すると、画素領域の
表面とシール領域の表面の高さの差も小さくなる。この
ため、従来のように、基板間ギャップよりも１μｍ程度
小さい径を持つギャップ材を使用する必要が無くなり、
基板間ギャップと同程度の径を持つギャップ材を使用す
ることが可能となる。このことは、前述のように、画素
の微細化による液晶の配向不良を防ぐべく基板間ギャッ
プを狭める場合に、大きな効果が期待できる。

【００２０】請求項２に記載の電気光学装置は上記課題
を解決するために請求項１に記載の電気光学装置におい
て、前記複数のデータ線及び走査線は、前記基板のうち
の一方に設けられており、該一方の基板上に、前記複数
のデータ線及び走査線に各々接続された複数の薄膜トラ
ンジスタと、 該複数の薄膜トランジスタに接続された
複数の画素電極と、前記複数の薄膜トランジスタの少な
くともチャネル形成用領域を前記一方の基板の側から見
て各々重なる位置に設けられた遮光膜と、前記複数の走
査線に平行に各々配設され前記複数の画素電極に所定容
量を各々付与する複数の容量線とを更に備えており、前
記層間絶縁膜は、前記一方の基板上の前記遮光膜が形成
されている領域においては前記遮光膜上に且つ前記遮光
膜が形成されていない領域においては前記一方の基板上
に設けられており、前記薄膜トランジスタ、前記データ
線、前記走査線及び前記容量線のうち少なくとも一つに
対向する部分が前記基板のうちの他方の側から見て凹状
に窪んで形成された第１層間絶縁膜を含み、該第１層間
絶縁膜は、前記シール領域において前記引き出し配線に
対向する部分が凹状に窪んで形成されたことを特徴とす
る。

【００２１】請求項２に記載の電気光学装置によれば、
遮光膜は、複数のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の少なく
ともチャネル形成用領域を一方の基板の側から見て各々
覆う位置において一方の基板に設けられている。従っ
て、一方の基板の側からの戻り光等が当該チャネル形成
用領域に入射する事態を未然に防ぐことができ、光電流
の発生によりＴＦＴの特性が劣化することはない。そし
て、第１層間絶縁膜は、一方の基板上の遮光膜が形成さ
れている領域においては遮光膜上に設けられており、遮
光膜が形成されていない領域においては一方の基板上に
設けられている。従って、遮光膜からＴＦＴ等を電気的
絶縁し得ると共に遮光膜がＴＦＴ等を汚染する事態を未
然に防げる。ここで特に、第１層間絶縁膜は、ＴＦＴ、
データ線、走査線及び容量線のうち少なくとも一つに対
向する部分が他方の基板の側から見て凹状に窪んで形成
されているので、従来のように第１層間絶縁膜を平らに
形成してその上にこれらのＴＦＴ等を形成する場合と比
較すると、凹状に窪んだ部分の深さに応じて、これらの
ＴＦＴ等が形成された領域と形成されていない領域との
合計層厚の差が減少し、画素部における平坦化が促進さ
れる。即ち、従来のように、画素領域における平坦化膜
のスピンコート等による塗布、平坦化された絶縁膜の形
成等の工程を、省略又は簡略化できる。

【００２２】請求項３に記載の電気光学装置は上記課題
を解決するために請求項２に記載の電気光学装置におい
て、前記シール領域において、前記データ線から延設さ
れた引き出し配線をなす導電層としての導電性金属層に
対しては、前記走査線をなす導電層としての導電性ポリ
シリコン層及び前記遮光膜としての導電性遮光膜の少な
くとも一方が前記層間絶縁膜を介して積層形成されてい
ると共に、前記走査線から延設された引き出し配線をな
す前記導電性ポリシリコン層に対しては、前記導電性金
属層及び前記導電性遮光膜の少なくとも一方が前記層間
絶縁膜を介して積層形成されていることを特徴とする。

【００２３】請求項３に記載の電気光学装置によれば、
シール領域において、データ線の引き出し配線は、例え
ばＡｌ（アルミニウム）等の導電性金属層から構成され
ており、走査線の引き出し配線は、導電性ポリシリコン
層から構成されており、遮光膜は、Ｗ（タングステン）
等の導電性金属膜から構成されている。ここで、シール
領域において、データ線の引き出し配線は、一般に画面
表示領域のＸ方向に沿った上下の辺から引き出されてお
り、走査線の引き出し配線は、一般に画面表示領域のＹ
方向に沿った左右の辺から引き出されている。従って、
仮にデータ線の引き出し配線をなす導電性金属層と、走
査線の引き出し配線をなす導電性ポリシリコン層との厚
みが相異なれば、画面表示領域の上下の辺におけるシー
ル領域の表面の高さと左右の辺におけるシール領域の表
面の高さとが相異なるので、シール材の全体に混入され
るギャップ材による基板間ギャップの制御が不安定なも
のとなってしまう。そこで、本発明では、データ線の引
き出し配線に対しては、走査線の引き出し配線をなす導
電性ポリシリコン層を積層し、他方、走査線の引き出し
配線に対しては、データ線の引き出し配線をなす導電性
金属層を積層する。すると、画面表示領域の上下の辺に
おけるシール領域の表面の高さと左右の辺におけるシー
ル領域の表面の高さとは一致するので、シール材の全体
に混入されるギャップ材による基板間ギャップの制御が
安定なものとなる。

【００２４】更に、本発明では、遮光膜から延設された
引き出し配線が画面表示領域の左右の辺又は上下の辺に
おけるシール領域下で、走査線又はデータ線の引き出し
配線に積層された形で設けられる場合には、当該遮光膜
の引き出し配線が設けられていない辺側のシール領域下
にも遮光膜を積層する。すると、遮光膜の引き出し配線
がある場合にも、画面表示領域の上下の辺におけるシー
ル領域の表面の高さと左右の辺におけるシール領域の表
面の高さとは一致するので、シール材の全体に混入され
るギャップ材による基板間ギャップの制御が安定なもの
となる。

【００２５】請求項４に記載の電気光学装置は上記課題
を解決するために請求項３に記載の電気光学装置におい
て、前記データ線から延設された引き出し配線をなす前
記導電性金属層は、前記積層形成された導電性ポリシリ
コン層及び導電性遮光膜の少なくとも一方とコンタクト
ホールを介して電気的接続されており、前記データ線か
ら延設された引き出し配線の少なくとも一部は、前記導
電性金属層と共に前記導電性ポリシリコン層及び導電性
遮光膜の少なくとも一方からなる冗長構造を有すること
を特徴とする。

【００２６】請求項４に記載の電気光学装置によれば、
データ線の引き出し配線をなす導電性金属層に積層形成
された導電性ポリシリコン層及び導電性遮光膜の少なく
とも一方は、コンタクトホールを介してデータ線の引き
出し配線に電気的接続されており、データ線は、積層さ
れた２つ又は３つの導電層からなる冗長構造を有する。
従って、例えば、シール領域下においてギャップ材によ
る応力を受けて配線が断線しても、或いは、基板に垂直
な方向に一つの導電層が層間絶縁膜を破って他の導電層
にショートしてもデータ線の配線不良となる可能性は非
常に低くなる。

【００２７】請求項５に記載の電気光学装置は上記課題
を解決するために請求項３又は４に記載の電気光学装置
において、前記走査線から延設された引き出し配線をな
す前記導電性ポリシリコン層は、前記積層形成された導
電性金属層及び導電性遮光膜の少なくとも一方とコンタ
クトホールを介して電気的接続されており、前記走査線
から延設された引き出し配線の少なくとも一部は、前記
導電性ポリシリコン層と共に前記導電性金属層及び導電
性遮光膜の少なくとも一方からなる冗長構造を有するこ
とを特徴とする。

【００２８】請求項５に記載の電気光学装置によれば、
走査線の引き出し配線をなす導電性ポリシリコン層に積
層形成された導電性金属層及び導電性遮光膜の少なくと
も一方は、コンタクトホールを介して走査線の引き出し
配線に電気的接続されており、走査線は、積層された２
つ又は３つの導電層からなる冗長構造を有する。

【００２９】請求項６に記載の電気光学装置は上記課題
を解決するために請求項３から５のいずれか一項に記載
の電気光学装置において、前記データ線から延設された
引き出し配線をなす前記導電性金属層に対して積層形成
された導電性ポリシリコン層及び導電性遮光膜の少なく
とも一方は、前記シール領域において前記基板を介して
入射される光がシール材に透過可能なように網目状又は
ストライプ状の平面パターンを備えており、前記走査線
から延設された引き出し配線をなす前記導電性ポリシリ
コン層に対して積層形成された導電性金属層及び導電性
遮光膜の少なくとも一方は、前記シール領域において前
記基板を介して入射される光がシール材に透過可能なよ
うに網目状又はストライプ状の平面パターンを備えたこ
とを特徴とする。

【００３０】請求項６に記載の電気光学装置によれば、
シール領域において、データ線の引き出し配線に対して
積層形成された導電性ポリシリコン層及び導電性遮光膜
の少なくとも一方は、網目状又はストライプ状の平面パ
ターンを備えているので、当該電気光学装置の製造工程
において、光硬化性樹脂等の光硬化性材料からなるシー
ル材を用いた場合に、基板を介して光を入射すれば、こ
の積層構造における網目の間或いはストライプの間を通
ってシール材に光を照射することが出来る。従って、光
硬化性樹脂等からなるシール材を良好に光硬化させるこ
とが出来る。

【００３１】請求項７に記載の電気光学装置は上記課題
を解決するために請求項２から６のいずれか一項に記載
の電気光学装置において、前記遮光膜は、定電位源に接
続されていることを特徴とする。

【００３２】請求項７に記載の電気光学装置によれば、
遮光膜は定電位源に接続されているので、遮光膜は定電
位とされる。従って、遮光膜に対向配置されるＴＦＴに
対し遮光膜の電位変動が悪影響を及ぼすことはない。

【００３３】請求項８に記載の電気光学装置は上記課題
を解決するために請求項１から７のいずれか一項に記載
の電気光学装置において、前記層間絶縁膜は、単層から
構成されていることを特徴とする。

【００３４】請求項８に記載の電気光学装置によれば、
層間絶縁膜を単層から構成すればよいので、従来の場合
と比較しても層の数を増加させる必要が無く、凹状に窪
んだ部分とそうでない部分との層厚を制御すれば、当該
層間絶縁膜が得られる。

【００３５】請求項９に記載の電気光学装置は上記課題
を解決するために請求項１から７のいずれか一項に記載
の電気光学装置において、前記層間絶縁膜は、単層部分
と多層部分とから構成されており、前記単層部分が前記
凹状に窪んだ部分とされており、前記多層部分が前記凹
状に窪んでいない部分とされていることを特徴とする。

【００３６】請求項９に記載の電気光学装置によれば、
単層部分が凹状に窪んだ部分とされているので、凹状に
窪んだ部分における層間絶縁膜の層厚を、単層部分の層
厚として、比較的容易にして確実且つ高精度に制御でき
る。従って、この凹状に窪んだ部分における層間絶縁膜
の層厚を非常に薄くすることも可能となる。

【００３７】請求項１０に記載の電気光学装置は上記課
題を解決するために請求項１から９のいずれか一項に記
載の電気光学装置において、前記層間絶縁膜は、酸化シ
リコン膜又は窒化シリコン膜から構成されていることを
特徴とする。

【００３８】請求項１０に記載の電気光学装置によれ
ば、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜からなる層間絶
縁膜により、遮光膜からＴＦＴ等を電気的絶縁できると
共に遮光膜からの汚染を防止できる。しかも、このよう
に構成された層間絶縁膜は、ＴＦＴの下地層に適してい
る。

【００３９】請求項１１に記載の電気光学装置は上記課
題を解決するために請求項２から１０のいずれか一項に
記載の電気光学装置において、前記遮光膜は、Ｔｉ（チ
タン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ
（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）及びＰｄ（鉛）のう
ちの少なくとも一つを含むことを特徴とする。

【００４０】請求項１１に記載の電気光学装置によれ
ば、遮光膜は、不透明な高融点金属であるＴｉ、Ｃｒ、
Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄのうちの少なくとも一つを含
む、例えば、金属単体、合金、金属シリサイド等から構
成されるため、ＴＦＴアレイ基板上の遮光膜形成工程の
後に行われるＴＦＴ形成工程における高温処理により、
遮光膜が破壊されたり溶融しないようにできる。

【００４１】請求項１２に記載の電気光学装置は上記課
題を解決するために請求項１から１１のいずれか一項に
記載の電気光学装置において、前記ギャップ材は、前記
基板間のギャップに対応する所定径を持つグラスファイ
バ及びガラスビーズのいずれか一方からなることを特徴
とする。

【００４２】請求項１２に記載の電気光学装置によれ
ば、グラスファイバ或いはガラスビーズがギャップ材と
してシール材中に混入されているので、シール領域の表
面に対して、線状領域や点状領域の応力集中が起きる。
しかし、シール領域の表面における引き出し配線の厚み
に起因した凸状の突出は、層間絶縁膜の凹状に窪んだ部
分の深さに応じて平坦化されている。このため、当該応
力集中により引き出し配線が断線したりショートしたり
する可能性は低減される。

【００４３】請求項１３に記載の電気光学装置は上記課
題を解決するために請求項１から１２のいずれか一項に
記載の電気光学装置において、前記層間絶縁膜の凹状に
窪んだ側壁部分はテーパ状に形成されていることを特徴
とする。

【００４４】請求項１３に記載の電気光学装置によれ
ば、層間絶縁膜の凹状に窪んだ側壁部分はテーパ状に形
成されているので、電気光学装置の製造工程において、
この凹状に窪んだ部分内に引き出し配線をフォトリソグ
ラフィ工程、エッチング工程等により形成し、更にその
上に絶縁膜や導電膜等の他の膜を積層する際に、この凹
状に窪んだ部分内に残る電極残り等のエッチング後の残
留物を低減することが出来る。このため、所定パターン
の引き出し配線を的確に凹状に窪んだ部分内に形成する
ことできる。

【００４５】請求項１４に記載の電気光学装置の製造方
法は上記課題を解決するために請求項８に記載の電気光
学装置の製造方法であって、前記一方の基板上の所定領
域に前記遮光膜を形成する工程と、前記一方の基板及び
遮光膜上に絶縁膜を堆積する工程と、該絶縁膜に前記凹
状に窪んだ部分に対応するレジストパターンをフォトリ
ソグラフィで形成する工程と、該レジストパターンを介
して所定時間のエッチングを行い前記凹状に窪んだ部分
を形成する工程とを備えたことを特徴とする。

【００４６】請求項１４に記載の電気光学装置の製造方
法によれば、先ず、一方の基板上の所定領域に遮光膜が
形成され、一方の基板及びこの遮光膜上に絶縁膜が堆積
される。次に、該絶縁膜に凹状に窪んだ部分に対応する
レジストパターンが、フォトリソグラフィで形成され、
その後、ドライエッチング又はウエットエッチングが、
このレジストパターンを介して所定時間だけ行われて、
凹状に窪んだ部分が形成される。従って、ドライエッチ
ング又はウエットエッチングの時間管理により、凹状に
窪んだ部分の深さや層厚を制御できる。特にウエットエ
ッチングを行えば、凹状に窪んだ側壁部分にテーパ形状
を設けることが出来るので便利である。

【００４７】請求項１５に記載の電気光学装置の製造方
法は上記課題を解決するために請求項９に記載の電気光
学装置の製造方法であって、前記一方の基板上の所定領
域に前記遮光膜を形成する工程と、前記一方の基板及び
遮光膜上に第１絶縁膜を堆積する工程と、該第１絶縁膜
に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジストパターンを
フォトリソグラフィで形成する工程と、該レジストパタ
ーンを介してエッチングを行い前記凹状に窪んだ部分に
対応する前記第１絶縁膜を除去する工程と、前記一方の
基板及び第１絶縁膜上に第２絶縁膜を堆積する工程とを
備えたことを特徴とする。

【００４８】請求項１５に記載の電気光学装置の製造方
法によれば、先ず、一方の基板上の所定領域に遮光膜が
形成され、一方の基板及びこの遮光膜上に第１絶縁膜が
堆積される。次に、この第１絶縁膜に、凹状に窪んだ部
分に対応するレジストパターンが、フォトリソグラフィ
で形成され、その後、ドライエッチング又はウエットエ
ッチングが、このレジストパターンを介して行われて、
凹状に窪んだ部分に対応する第１絶縁膜が除去される。
その後、一方の基板及びこの第１絶縁膜上に第２絶縁膜
が堆積される。この結果、凹状に窪んだ部分における第
１層間絶縁膜の層厚を、第２絶縁膜の層厚の管理によ
り、比較的容易にして確実且つ高精度に制御できる。こ
の場合にもウエットエッチングを行えば、凹状に窪んだ
部分にテーパを設けることが出来るので便利である。

【００４９】請求項１６に記載の電子機器は上記課題を
解決するために請求項１から１３に記載の電気光学装置
を備えたことを特徴とする。

【００５０】請求項１６に記載の電子機器によれば、電
子機器は、上述した本願発明の電気光学装置を備えてお
り、配線不良が低減され、基板間のギャップ制御が精度
良く行われた信頼性の高い電気光学装置により高品位の
画像表示が可能となる。

【００５１】本発明のこのような作用及び他の利得は次
に説明する実施の形態から明らかにされよう。

【００５２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。尚、本発明の実施の形態では、電
気光学装置として液晶装置を例として説明する。

【００５３】（液晶装置）本発明による液晶装置の実施
の形態の構成及び動作について図１から図１１に基づい
て説明する。

【００５４】先ず、液晶装置の全体構成を図１及び図２
を参照して説明する。尚、図１は、ＴＦＴアレイ基板を
その上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から
見た平面図であり、図２は、対向基板を含めて示す図１
のＨ−Ｈ’断面図である。

【００５５】図１において、ＴＦＴアレイ基板１０の上
には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、
その内側に並行して、遮光性の周辺見切り５３が設けら
れている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆
動回路１０１及び実装端子１０２がＴＦＴアレイ基板１
０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０
４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられてい
る。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画面表
示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつ
なぐための複数の配線１０５が設けられている。尚、後
述の走査線の信号遅延が問題にならない場合は、走査線
駆動回路１０４は一辺のみに形成しても良い。また、デ
ータ線駆動回路１０１を画面表示領域の両側に設けても
よいことは言うまでもない。また、対向基板２０のコー
ナー部の少なくとも一個所において、ＴＦＴアレイ基板
１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上
下導通材（銀点）１０６が設けられている。そして、図
２に示すように、図１に示したシール材５２とほぼ同じ
輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦ
Ｔアレイ基板１０に固着されている。

【００５６】データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回
路１０４は配線により後述のデータ線（ソース電極）及
び走査線（ゲート電極）に各々電気的接続されている。
データ線駆動回路１０１には、図示しない制御回路から
即時表示可能な形式に変換された画像信号が入力され、
走査線駆動回路１０４がパルス的に走査線に順番にゲー
ト電圧を送るのに合わせて、データ線駆動回路１０１は
画像信号に応じた信号電圧をデータ線に送る。そして、
データ線及び走査線の交点に対応する各画素部には、液
晶駆動用のＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０
は、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）タイプのＴＦＴであるの
で、ＴＦＴ３０の形成時に同一工程で、データ線駆動回
路１０１及び走査線駆動回路１０４を形成することも可
能であり、製造上有利である。

【００５７】図２において、液晶層５０は、例えば一種
又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からな
る。シール材５２は、二つの基板１０及び２０をそれら
の周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱
硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離（基
板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー
或いはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が混入
されている。また、対向基板２０の液晶５０に面する側
には、ブラックマトリクス等の第２遮光膜２３等が設け
られている。

【００５８】次に、液晶装置の画素領域における構成に
ついて、図３から図５を参照して説明する。図３は、デ
ータ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成されたＴＦ
Ｔアレイ基板の隣接した画素群の平面図である。図４
は、図３のＡ−Ａ’断面を対向基板等と共に示す液晶装
置の一実施の形態の断面図であり、図５は、図３のＣ−
Ｃ’断面を対向基板等と共に示す液晶装置の断面図であ
る。尚、図４及び図５においては、各層や各部材を図面
上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を異ならしめてある。

【００５９】図３において、液晶装置のＴＦＴアレイ基
板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ
（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられ
ており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ
線６ａ（ソース電極）、走査線３ａ（ゲート電極）及び
容量線３ｂが設けられている。データ線６ａは、コンタ
クトホール５ａを介してポリシリコン膜からなる半導体
層１ａのうち後述のソース領域に電気的接続されてお
り、画素電極９ａは、コンタクトホール８を介して半導
体層１ａのうち後述のドレイン領域に電気的接続されて
いる。また、半導体層１ａのうち後述のチャネル形成用
領域１ａ’（図中右下りの斜線の領域）に対向するよう
に走査線３ａ（ゲート電極）が配置されている。そし
て、図中右上がりの斜線で示した領域に画素部における
遮光膜１１ａが設けられている。即ち遮光膜１１ａは、
画素部において、半導体層１ａのチャネル形成用領域１
ａ’を含むＴＦＴ、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量
線３ｂをＴＦＴアレイ基板の側から見て各々重なる位置
に設けられている。

【００６０】図３において特に、データ線６ａ、走査線
３ａ及び容量線３ｂを含む太線で囲まれた網目状の（マ
トリクス状の）領域においては、後述の第１層間絶縁膜
が凹状に窪んで形成されており、それ以外の画素電極９
ａにほぼ対応する領域においては、当該第１層間絶縁膜
が相対的に凸状に（平面状に）形成されている。尚、第
１層間絶縁膜を凹状に窪んで形成するのは、少なくとも
データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂの領域下に重
なる一部分、或いは全ての領域を含むようにする。

【００６１】図４及び図５に示すように、液晶装置１０
０は、透明な一方の基板の一例を構成するＴＦＴアレイ
基板１０と、これに対向配置される透明な他方の基板の
一例を構成する対向基板２０とを備えている。ＴＦＴア
レイ基板１０は、例えば石英基板からなり、対向基板２
０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴア
レイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、そ
の上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施され
た配向膜１９が設けられている。画素電極９ａは例え
ば、ＩＴＯ膜（インジウム・ティン・オキサイド膜）な
どの透明導電性薄膜からなる。また配向膜１９は例え
ば、ポリイミド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００６２】他方、対向基板２０には、その全面に渡っ
て対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビ
ング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設
けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの
透明導電性薄膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミ
ド薄膜などの有機薄膜からなる。

【００６３】ＴＦＴアレイ基板１０には、図４に示すよ
うに、各画素電極９ａに隣接する位置に、各画素電極９
ａをスイッチング制御するＴＦＴ３０が設けられてい
る。

【００６４】対向基板２０には、更に図３及び図４に示
すように、各画素の開口領域以外の領域に第２遮光膜２
３が設けられている。このため、対向基板２０の側から
投射光がＴＦＴ３０の半導体層１ａのチャネル形成用領
域１ａ’やＬＤＤ（LightlyDoped Drain）領域１ｂ及び
１ｃに侵入することはない。更に、第２遮光膜２３は、
コントラストの向上、色材の混色防止などの機能を有す
る。尚、第２遮光膜２３は、対向基板２０の側ではな
く、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成してもよい。

【００６５】このように構成され、画素電極９ａと対向
電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基
板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図１
及び図２参照）により囲まれた空間に液晶が封入され、
液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａ
からの電界が印加されていない状態で配向膜１９及び２
２により所定の配向状態を採る。

【００６６】図４に示すように、ＴＦＴ３０に各々対向
する位置においてＴＦＴアレイ基板１０と各ＴＦＴ３０
との間には、遮光膜１１ａが各々設けられている。遮光
膜１１ａは、好ましくは不透明な高融点金属であるＴ
ｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄのうちの少なくとも
一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等から構
成される。このような材料から構成すれば、ＴＦＴアレ
イ基板１０上の遮光膜１１ａの形成工程の後に行われる
ＴＦＴ３０の形成工程における高温処理により、遮光膜
１１ａが破壊されたり溶融しないようにできる。遮光膜
１１ａが形成されているので、ＴＦＴアレイ基板１０の
側からの戻り光等がＴＦＴ３０のチャネル形成用領域１
ａ’やＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに入射する事態を未然に防
ぐことができ、光電流の発生によりＴＦＴ３０の特性が
劣化することはない。

【００６７】更に、遮光膜１１ａと複数のＴＦＴ３０と
の間には、第１絶縁膜１２及び第２絶縁膜１３から構成
された第１層間絶縁膜１２’が設けられている。第１層
間絶縁膜１２’は、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａ
を遮光膜１１ａから電気的絶縁するために設けられるも
のである。更に、第１層間絶縁膜１２’は、ＴＦＴアレ
イ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴ３０
のための下地膜としての機能をも有する。即ち、ＴＦＴ
アレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後
に残る汚れ等でＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能
を有する。

【００６８】ここで特に図３及び図４に示すように、第
１層間絶縁膜１２’は、ＴＦＴアレイ基板上の遮光膜１
１ａが形成されている領域においては遮光膜１１ａ上に
形成されており、遮光膜１１ａが形成されていない領域
においてはＴＦＴアレイ基板１０上に設けられている。
そして、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、走査線３ａ及び容
量線３ｂに対向する部分が対向基板２０の側から見て凹
状に窪んで形成されている。

【００６９】本実施の形態では特に、第１層間絶縁膜１
２’は、単層部分と２層部分とから構成されており、第
２絶縁膜１３の単層部分が薄くなって凹状に窪んだ部分
とされており、第１及び第２絶縁膜１２及び１３の２層
部分が厚くなって凹状に窪んでいない部分とされてい
る。このように、第１層間絶縁膜１２’を構成すると、
凹状に窪んだ部分における第１層間絶縁膜１２’の層厚
を、第２絶縁膜１３の層厚として、比較的容易にして確
実且つ高精度に制御できる。従って、この凹状に窪んだ
部分における第１層間絶縁膜１２’の層厚（即ち、第２
絶縁膜１３の層厚）を非常に薄くすることも可能とな
る。

【００７０】以上の如く構成された第１層間絶縁膜１
２’により、遮光膜１１ａからＴＦＴ３０等を電気的絶
縁し得ると共に遮光膜１１ａがＴＦＴ３０等を汚染する
事態を未然に防げる。ここで特に、第１層間絶縁膜１
２’は、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、走査線３ａ及び容
量線３ｂに対向する部分が凹状に窪んで形成されている
ので、従来のように第１層間絶縁膜を平らに形成してそ
の上にこれらのＴＦＴ等を形成する場合と比較すると、
凹状に窪んだ部分の深さに応じて、これらのＴＦＴ等が
形成された領域と形成されていない領域との合計層厚の
差が減少し、画素部における平坦化が促進される。

【００７１】例えば、この合計層厚の差を実質的に零に
するように凹状に窪んだ部分の深さを設定すれば、その
後の平坦化処理を省略できる。或いは、この合計層厚の
差を多少なりとも減少させるように凹状に窪んだ部分の
深さを設定すれば、その後の平坦化処理の負担を軽減で
きる。より好ましくは、第１層間絶縁膜１２’は、遮光
膜１１ａ、半導体層１ａ、容量線３ｂ及びデータ線３ａ
の合計層厚に対応した深さで凹状に窪んで形成される。
このように第１層間絶縁膜１２’を構成すれば、データ
線６ａの上面とこれに隣接した第２層間絶縁膜４の上面
とをほぼ合わせることが出来、画素電極９ａを形成する
前の画素部における平坦化が促進される。

【００７２】但し、第１層間絶縁膜１２’は、遮光膜１
１ａ、半導体層１ａ及び容量線３ｂの合計層厚に対応し
た深さで凹状に窪んで形成されてもよい。このように第
１層間絶縁膜１２’を構成すれば、第２層間絶縁膜４の
上面をほぼ平坦に出来、画素電極９ａを形成する前の画
素部における平坦化が促進される。或いは、第１層間絶
縁膜１２’は、遮光膜１１ａ、半導体層１ａ及び容量線
３ｂのうちの一つ又は２つに対向する領域のみが凹状に
窪んで形成されてもよく、画素部における各種の平坦化
方式が採用可能である。

【００７３】尚、第１層間絶縁膜１２’を２層から構成
せずに、単層から構成してもよい。このように単層から
構成すれば、従来の場合と比較しても層の数を増加させ
る必要が無い。凹状に窪んだ部分とそうでない部分との
層厚を後述の製造プロセス中の説明にあるように、例え
ばエッチング時間管理により制御すれば、このような単
層からなる第１層間絶縁膜が得られる。

【００７４】再び図４において、第１層間絶縁膜１２’
は、例えば、ＮＳＧ（ノンドープトシリケートガラ
ス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロ
ンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケー
トガラス）などの高絶縁性ガラス又は、酸化シリコン
膜、窒化シリコン膜等からなる。

【００７５】本実施の形態では図３に示したように、半
導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅは、データ線６ａ
に沿って延設されており、遮光膜１１ａは、データ線６
ａの下にも設けられているので、データ線６ａに沿って
延設された第１蓄積容量電極（ポリシリコン層）１ｆと
遮光膜１１ａとの間で、第２絶縁膜１３を介して容量が
形成される。この結果、データ線６ａの下という開口領
域を外れたスペースを有効に利用して、画素電極９ａの
蓄積容量を増やすことが出来る。

【００７６】本実施の形態では図３及び図５に示すよう
に、第１層間絶縁膜１２’は、容量線３ｂ（第２蓄積容
量電極）に対向する部分も凹状に窪んで形成されている
ので、第１層間絶縁膜１２’の上方に容量線３ｂが配線
されても、当該容量線３ｂが配線された領域における平
坦化を図ることが出来る。そして、容量線３ｂに対向す
る部分における第１層間絶縁膜１２’の層厚は非常に薄
く（例えば、１０００〜２０００オングストローム程度
に）構成されており、且つ、遮光膜１１ａが容量線３ｂ
の下にも設けられているので、容量線３ｂの表面積を増
やすことなく第２絶縁膜１３を介して対向配置された遮
光膜１１ａと半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅか
ら延設された第１蓄積容量電極１ｆとの間における容量
を増やすことが出来る。即ち、全体として画素電極９ａ
の蓄積容量を増やすことが出来る。このように、特に画
面表示領域中の限られた領域において各画素の開口領域
を狭めないように蓄積容量を増加させることができるの
で大変有利である。

【００７７】本実施の形態では、好ましくは遮光膜１１
ａは定電位線に電気的接続されており、定電位とされ
る。従って、遮光膜１１ａに対向配置されるＴＦＴ３０
に対し遮光膜１１ａの電位変動が悪影響を及ぼすことは
ない。この場合、定電位線の定電位としては、接地電位
に等しくてもよいし、対向電極２１の電位に等しくても
よい。また、定電位線は、液晶装置１００を駆動するた
めの周辺駆動回路（図１のデータ線駆動回路１０１、走
査線駆動回路１０４等）の負電源、正電源等の定電位源
に接続されてもよい。

【００７８】再び、図４において、ＴＦＴ３０は、ＬＤ
Ｄ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線
３ａ（ゲート電極）、走査線３ａからの電界によりチャ
ネルが形成される半導体層１ａのチャネル形成用領域１
ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶
縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域（ソース側Ｌ
ＤＤ領域）１ｂ、データ線６ａ（ソース電極）、半導体
層１ａの低濃度ドレイン領域（ドレイン側ＬＤＤ領域）
１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｅ及び高濃度
ドレイン領域１ｅを備えている。高濃度ドレイン領域１
ｅには、複数の画素電極９ａのうちの対応する一つが接
続されている。ソース領域１ｂ及び１ｄ並びにドレイン
領域１ｃ及び１ｅは後述のように、半導体層１ａに対
し、ｎ型又はｐ型のチャネルを形成するかに応じて所定
濃度のｎ型用又はｐ型用のドーパントをドープすること
により形成されている。ｎ型チャネルのＴＦＴは、動作
速度が速いという利点があり、画素のスイッチング素子
であるＴＦＴ３０として用いられることが多い。本実施
の形態では特にデータ線６ａ（ソース電極）は、Ａｌ等
の金属膜や金属シリサイド等の合金膜などの遮光性の薄
膜から構成されている。また、走査線３ａ（ゲート電
極）、ゲート絶縁膜２及び第１層間絶縁膜１２’の上に
は、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５
ａ及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホー
ル８が各々形成された第２層間絶縁膜４が形成されてい
る。この高濃度ソース領域１ｄへのコンタクトホール５
ａを介して、データ線６ａ（ソース電極）は高濃度ソー
ス領域１ｄに電気的接続されている。更に、データ線６
ａ（ソース電極）及び第２層間絶縁膜４の上には、高濃
度ドレイン領域１ｅへのコンタクトホール８が形成され
た第３層間絶縁膜７が形成されている。この高濃度ドレ
イン領域１ｅへのコンタクトホール８を介して、画素電
極９ａは高濃度ドレイン領域１ｅに電気的接続されてい
る。前述の画素電極９ａは、このように構成された第３
層間絶縁膜７の上面に設けられている。

【００７９】ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬ
ＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ド
レイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを行わないオ
フセット構造を持ってよいし、ゲート電極３ａをマスク
として高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に
高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライ
ン型のＴＦＴであってもよい。

【００８０】また、図４に示すＴＦＴ３０の構造におい
て、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと高濃度ドレイ
ン領域１ｅとの間に、絶縁膜２を介して同一の走査信号
が供給される２つのゲート電極３ａを直列抵抗となるよ
うに設けて、デユアルゲート（ダブルゲート）構造のＴ
ＦＴとしてもよい。これにより、ＴＦＴ３０のリーク電
流を低減することができる。また、デユアルゲート構造
のＴＦＴを、上述のＬＤＤ構造、或いはオフセット構造
を持つようにすれば、更にＴＦＴ３０のリーク電流を低
減することができ、高いコントラスト比を実現すること
ができる。また、デユアルゲート構造により、冗長性を
持たすことができ、大幅に画素欠陥を低減できるだけで
なく、高温動作時でも、リーク電流が低いため、高コン
トラスト比の画質を実現することができる。尚、ＴＦＴ
３０の高濃度ソース領域１ｄと高濃度ドレイン領域１ｅ
との間に設けるゲート電極３ａは３つ以上でもよいこと
は言うまでもない。

【００８１】ここで、一般には、半導体層１ａのチャネ
ル形成用領域、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイ
ン領域１ｃ等のポリシリコン層は、光が入射するとポリ
シリコンが有する光電変換効果により光電流が発生して
しまいＴＦＴ３０のトランジスタ特性が劣化するが、本
実施の形態では、走査線３ａ（ゲート電極）を上側から
覆うようにデータ線６ａ（ソース電極）がＡｌ等の遮光
性の金属薄膜から形成されているので、少なくとも半導
体層１ａのチャネル形成用領域１ａ’及びＬＤＤ領域１
ｂ、１ｃへの投射光（即ち、図４で上側からの光）の入
射を効果的に防ぐことが出来る。また、前述のように、
ＴＦＴ３０の下側には、遮光膜１１ａが設けられている
ので、少なくとも半導体層１ａのチャネル形成用領域１
ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃへの戻り光（即ち、図４
で下側からの光）の入射を効果的に防ぐことが出来る。

【００８２】また図５に示すように、画素電極９ａには
蓄積容量７０が各々設けられている。この蓄積容量７０
は、より具体的には、半導体層１ａの高濃度ドレイン領
域１ｅから延設されたポリシリコン膜からなる第１蓄積
容量電極１ｆ、ゲート絶縁膜２と同一工程により形成さ
れる絶縁膜２’、走査線３ａ（ゲート電極）と同一工程
により形成される容量線３ｂ（第２蓄積容量電極）、第
２及び第３層間絶縁膜４及び７、並びに第２及び第３層
間絶縁膜４及び７を介して容量線３ｂに対向する画素電
極９ａの一部から構成されている。このように蓄積容量
７０が設けられているため、デューティー比が小さくて
も高精細な表示が可能とされる。容量線３ｂ（第２蓄積
容量電極）は、図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１
０の面上において走査線３ａ（ゲート電極）と平行に設
けられている。更に、本実施の形態では、第１蓄積容量
電極１ｆ下の第１層間絶縁膜１２’を薄膜化できるの
で、蓄積容量の増大を図ることが出来、画質品位の高い
液晶装置が実現できる。

【００８３】尚、図５に示すように、遮光膜１１ａを蓄
積容量７０の配線（第３蓄積容量電極）として利用する
ことも可能である。この場合、第１蓄積容量電極１ｆを
容量線３ｂ（第２蓄積容量電極）と遮光膜１１ａ（第３
蓄積容量電極）とで各々絶縁膜を介して上下から挟み込
む構造とすることにより、少ない面積で効率良く容量を
付加することが可能となる。

【００８４】次に、液晶装置のシール領域における構成
について、図６から図９を参照して説明する。図６は、
引き出し配線が設けられたシール領域におけるＴＦＴア
レイ基板の平面図であり、図７は、図６の引き出し配線
部を拡大して示す拡大平面図であり、図８は、引き出し
配線部の断面図である。また、図９は、画像信号線を横
切って形成されるデータ線用の各種の中継配線部の断面
図である。

【００８５】図６において、ＴＦＴ基板アレイ基板１０
の周辺部に設けられた実装端子１０２からは、走査線駆
動回路１０４に走査線駆動信号線１０５ａが配線されて
おり、データ線駆動回路１０１とシール領域との間の領
域に、Ｘ方向に複数の画像信号線１１５が配線されてい
る。そして、データ線６ａの延長線上におけるシール領
域下には、データ線駆動回路１０１からのサンプリング
回路駆動信号線１１４の引き出し配線３０１ａ及び画像
信号線１１５からの引き出し配線３０１ｂからなる引き
出し配線（以下、“データ線の引き出し線”と称する）
３０１が設けられている。他方、走査線３ａの延長線上
におけるシール領域下には、走査線駆動回路１０４から
の走査線の引き出し配線４０２が設けられている。引き
出し配線４０２は、その端部に対向電極（共通電極）電
位配線１１２を含んでいる。この対向電極電位配線１１
２は、上下導通端子１０６ａ及び上下導通材（銀点）１
０６を介して対向基板２０に形成された対向電極２１
（図４及び図５参照）に接続されている。また、データ
線駆動回路１０１に所定検査用の信号を入力するための
検査端子１１１が、データ線駆動回路１０１に隣接して
設けられている。

【００８６】図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上に
は、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで印加
するサンプリング回路１０３が設けられている。サンプ
リング回路１０３は、データ線６ａ毎に設けられた複数
のスイッチング素子（例えば、ＴＦＴ）を備えており、
複数（例えば、６本）の相展開された画像信号が複数の
画像信号線１１５から引き出し配線３０１ｂを介して各
々入力されると、これを、走査線駆動回路１０１からサ
ンプリング回路駆動信号線１１４及び引き出し配線３０
１ａを介して供給されるサンプリング回路駆動信号のタ
イミングで各スイッチング素子によりサンプリングし、
各データ線６ａに印加するように構成されている。尚、
サンプリング回路１０３に加えて、ＴＦＴアレイ基板１
０上に、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチ
ャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャ
ージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠
陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

【００８７】図７に示すように、データ線の引き出し配
線３０１は各々、Ｙ方向に延びており、幅Ｌを有し、相
隣接する配線同士は間隔Ｓをおいて配列されている。そ
して、引き出し配線３０１は、データ線６ａと同じＡｌ
膜から構成されており、図８（１）に示すように、各引
き出し配線３０１の下には、走査線３ａと同じポリシリ
コン膜から構成されたダミー配線３０２が設けられてい
る。

【００８８】尚、図６及び図７において、周辺見切り５
３下には画面表示領域を構成する画素と同一構成を持つ
ダミー画素が形成されている。液晶の配向不良領域等を
隠すように設けられた周辺見切り５３下に表示用の画素
を構成する必要は無いが、画面表示領域の縁付近の画素
の特性安定化のために、このように画面表示領域の縁よ
りも外に所定幅だけダミー画素が設けられる。

【００８９】他方、図６に示した走査線の引き出し配線
４０２は各々、Ｘ方向に延びており、相隣接する配線同
士は間隔をおいて配列されている。そして、引き出し配
線４０２は、走査線６ａと同じポリシリコン膜から構成
されており、図８（２）に示すように、各引き出し配線
４０２の上には、データ線６ａと同じＡｌ膜から構成さ
れたダミー配線４０１が設けられている。

【００９０】図８（１）及び図８（２）に示すように、
本実施の形態では特に、第１層間絶縁膜１２’は、シー
ル領域において引き出し配線３０１及び４０２に対向す
る部分が凹状に窪んで形成されている。従って、ＴＦＴ
アレイ基板側のシール領域においてシール材５２に接す
る第３層間絶縁膜７の表面において引き出し配線３０１
及び４０２上に形成される凸状の突出の高さは、当該凹
状に窪んだ部分の深さに応じて低められており、同図に
各々示したように、第３層間絶縁膜７の表面はほぼ平坦
にされている。この結果、シール領域において、シール
材５２に混入されたグラスファイバやガラスビーズ等の
ギャップ材３００を介してかかる応力は第３層間絶縁膜
７の面上に一様に分散される。従って、前述の図２４及
び図２５に示したように、ギャップ材３００により、引
き出し配線が断線したりショートしたりする可能性は大
きく低減される。

【００９１】更に、液晶５０に面する画素領域の表面と
シール材５２に面するシール領域の表面の高さの差も小
さくなる。このため、従来のように、基板間ギャップよ
りも１μｍ程度小さい径を持つギャップ材を使用する必
要が無くなり、基板間ギャップと同程度の径を持つギャ
ップ材３００を使用することが可能となる。このこと
は、前述のように、画素の微細化による液晶５０の配向
不良を防ぐべく基板間ギャップを狭める場合に、大きな
効果が期待できる。

【００９２】そして、本実施の形態では特に、シール領
域において、データ線の引き出し配線３０１に対して
は、ポリシリコン膜からなるダミー配線３０２が、第２
層間絶縁膜４を介して積層形成されている（図８（１）
参照）。他方、走査線の引き出し配線４０２に対して
は、Ａｌ膜からなるダミー配線４０１が第２層間絶縁膜
４を介して積層形成されている。従って、画面表示領域
の上下の辺におけるシール領域における第３層間絶縁膜
７の表面の高さと、画面表示領域の左右の辺における第
３層間絶縁膜７の表面の高さとは一致するので、シール
材５２の全体に混入されるギャップ材３００による基板
間ギャップの制御が安定なものとなる。

【００９３】ここで、シール領域における合計膜厚の調
整用のダミー配線３０２及び４０１は、電気的に接続し
ていてもよい。このような構成を採れば、配線の冗長が
可能となる。また、電気的に浮遊していても問題はない
し、他の容量線３ｂや遮光膜１１ａ用の引き出し配線等
として利用してもよい。

【００９４】本実施の形態では、図７に示すように、第
２層間絶縁膜４（図８（１）及び（２）参照）に開孔さ
れたコンタクトホール３０５を介して更に、ダミー配線
３０２は、引き出し配線３０１に電気的接続されてい
る。同様に、ダミー配線４０１は、引き出し配線４０２
に電気的接続されている。この結果、各引き出し配線３
０１及び４０２は各々２つの導電層（Ａｌ膜及びポリシ
リコン膜）からなる冗長構造を有する。従って、例え
ば、シール領域下においてギャップ材３００による応力
を受けて引き出し配線３０１又は４０２が断線しても、
或いは、ＴＦＴアレイ基板１０に垂直な方向にＡｌ膜が
導電層が第２層間絶縁膜４を破ってポリシリコン膜にシ
ョートしても配線不良とならないで済むので有利であ
る。

【００９５】更に、図８（３）に示すように、図８
（１）の構成に加えて、ダミー配線３０２の下に、遮光
膜１１ａと同一のＷ（タングステン）等からなる遮光膜
配線３０３を積層形成してもよい。この場合にも、遮光
膜配線３０３を、第１層間絶縁膜１２’に設けられたコ
ンタクトホールを介してダミー配線３０２及び引き出し
配線３０１に電気的接続すれば、３つの導電層からなる
冗長構造が得られ、配線不良の可能性は、更に低減され
る。同時に、シール領域と画素領域との表面の高さの差
を調整するために遮光膜配線３０３を利用することも出
来る。従って、遮光膜配線３０３を引き出し配線３０１
の冗長配線としてでなく、専ら層厚調節用の膜として電
気的に浮遊させてもよいし、データ線６ａ以外の容量線
３ｂや遮光膜１１ａ用の配線として用いることも出来
る。

【００９６】尚、本実施の形態では、図８（１）及び
（２）に示したように、画素領域における凹状の窪みを
形成する場合と同様に、凹状の窪みが形成される第１層
間絶縁膜１２’を単層から構成してもよい。或いは、図
８（３）に示したように、第１層間絶縁膜１２’を、第
１絶縁膜１２のみの単層部分と第１及び第２絶縁膜１３
の多層部分とから構成してもよい。

【００９７】本実施の形態では、図７に示すように、シ
ール領域において、データ線の引き出し配線３０１及び
これに積層形成されたダミー配線３０２は、ストライプ
状の平面パターンを備えており、相隣接する配線間に配
線間隔Ｓに対応する光透過用の隙間が設けられている。
従って、後述の液晶装置１００の製造工程において、光
硬化性樹脂からなるシール材５２を用いた場合に、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０を介して光を入射すれば、この積層構
造における光透過用の隙間を通ってシール材５２に光を
十分に照射することが出来る。従って、光硬化性樹脂か
らなるシール材５２を、両方の基板の側からの光により
良好に光硬化させることが出来る。特に、このように光
硬化できれば、熱硬化の場合と比べて余分な熱を液晶装
置１００に与えなくて済むので、液晶装置１００の各構
成要素の熱劣化を防いだり、熱歪みによる装置欠陥の発
生を防いだり出来るので有利である。また、光照射の時
間が少なくて済むため、配向膜にダメージを与えること
がない。従って、液晶のティルト角が高いまま維持され
るので、液晶の配向不良（ディスクリネーション）によ
る画質劣化を防ぐことが出来る。

【００９８】ところで、図６において、画像信号線１１
５は、第２層間絶縁膜４上に形成されたＡｌ膜から構成
されているため、これと交差するデータ線駆動回路１０
１から引き出し配線３０１（３０１ａ）に至るサンプリ
ング回路駆動信号線１１４は、Ａｌ膜から構成すること
はできない。このため、画像信号線１１５の下層又は上
層等を通る図９の如き立体的な中継配線が必要となる。
また、中継配線はできる限り時定数を下げる工夫が必要
である。そこで以下に述べるような方式が考えられる。

【００９９】図９（１）において、中継配線１１６ａ
は、走査線３ａと同一のポリシリコン膜から構成されて
おり、画像信号線１１５と交差するように第２層間絶縁
膜４の下を通されている。そして、図で画像信号線１１
５の両側において第２層間絶縁膜４に開孔されたコンタ
クトホールを介してデータ線駆動回路１０１側のサンプ
リング回路駆動信号線１１４とシール領域側の引き出し
配線３０１とを各々電気的接続するように構成されてい
る。

【０１００】図９（２）において、中継配線１１６ｂ
は、遮光膜１１ａと同一のＷ（タングステン）等の高融
点金属膜から構成されており、画像信号線１１５と交差
するように第１層間絶縁膜１２’の下を通されている。
そして、図で画像信号線１１５の両側において第１層間
絶縁膜１２’及び第２層間絶縁膜４に開孔されたコンタ
クトホールを介して、データ線駆動回路１０１側のサン
プリング回路駆動信号線１１４とシール領域側の引き出
し配線３０１とを各々電気的接続するように構成されて
いる。このような構成を採れば、中継配線を低抵抗な高
融点金属等で形成できるため、配線抵抗を下げることが
可能となり、画像信号の遅延を招かない。

【０１０１】図９（３）において、中継配線は、走査線
３ａと同一のポリシリコン膜からなる中継配線１１６ａ
と遮光膜１１ａと同一のＷ（タングステン）等の高融点
金属膜からなる中継配線１１６ｂとから構成されてお
り、画像信号線１１５と交差するように第２層間絶縁膜
４及び第１層間絶縁膜１２’の下を各々通されている。
そして、図で画像信号線１１５の両側において第１層間
絶縁膜１２’及び第２層間絶縁膜４に各々開孔されたコ
ンタクトホールを介して、データ線駆動回路１０１側の
サンプリング回路駆動信号線１１４とシール領域側の引
き出し配線３０１とを各々電気的接続するように構成さ
れている。このような構成を採れば、画像信号線１１５
との上下層に第１層間絶縁膜１２’及び第２層間絶縁膜
４を介して中継配線を１１６ａ及び１１６ｂを形成する
ため、冗長構造が実現できる。また、中継配線１１６ｂ
は、低抵抗な高融点金属からなるため、配線抵抗を下げ
ることが可能となり、画像信号の信号遅延を招かない。
尚、中継配線１１６ａと１１６ｂとを直接に電気的接続
するようにしたが、中継配線１１６ｂとサンプリング回
路駆動信号線１１４或いはシール領域側の引き出し配線
３０１と直接に電気的接続するようにしてもよい。

【０１０２】図９（４）において、中継配線は、図９
（３）の構成に加えて、第３層間絶縁膜７上に更に、少
なくとも画素開口領域の一部を規定するための高融点金
属等からなる遮光膜と同一の導電性遮光膜からなる遮光
膜配線１１６ｃが、画像信号線１１５と交差するように
通されており、その上に第４層間絶縁膜１１７が形成さ
れている。そして、図で画像信号線１１５の両側におい
て第３層間絶縁膜７に開孔されたコンタクトホールを介
して、データ線駆動回路１０１側のサンプリング回路駆
動信号線１１４とシール領域側の引き出し配線３０１と
を中継配線１１６ａと共に各々電気的接続するように構
成されている。このような構成を採れば、画像信号線１
１５との上下層に第１層間絶縁膜１２’、第２層間絶縁
膜４及び第３層間絶縁膜７を介して中継配線を１１６
ａ、１１６ｂ、１１６ｃからなる３層で形成するため、
更なる冗長構造が実現できる。また、中継配線１１６
ｂ、１１６ｃは、低抵抗な高融点金属からなるため、配
線抵抗をなお一層下げることが可能となり、画像信号の
信号遅延を招かない。

【０１０３】次に、図１０を参照して、図６から図９に
示したシール領域における基板間ギャップ（即ち、シー
ル材５２の厚み）と、図３から図５に示した画素領域に
おける基板間ギャップ（即ち、液晶５０の厚み）とを、
各種の形態について比較して説明する。尚、図１０で
は、走査線の引き出し配線４０１が通されたシール領域
を画素領域と比較するが、図８（１）及び（２）に示し
たように、データ線の引き出し配線３０１が通されたシ
ール領域の場合にも、同様である。

【０１０４】先ず、図１０（１）に示すように、従来は
シール領域下に、主にデータ線を構成するＡｌ膜並びに
主に走査線及び容量線を構成するポリシリコン膜とから
冗長構造を持つ引き出し配線を設け、遮光膜を設けず、
且つ引き出し配線を層間絶縁膜の凹状の窪みに埋め込ま
ない場合を考える。この場合、シール領域の表面は、画
素領域の表面と比較して、Ａｌ膜及びポリシリコン膜の
分だけ高くなり且つ画素電極を構成するＩＴＯ膜の分だ
け低くなるので、シール領域における基板間ギャップＬ
１は、画素領域における基板間ギャップＬ３よりも（例
えば、６０００〜８０００オングストローム程度）小さ
くなる。他方、この場合、シール領域の表面は、ＴＦＴ
形成領域と比較して、遮光膜、半導体層及びゲート絶縁
膜の分だけ低くなるので、シール領域における基板間ギ
ャップＬ１は、ＴＦＴ形成領域における基板間ギャップ
Ｌ２よりも大きくなる（Ｌ２＜Ｌ１＜Ｌ３）。

【０１０５】次に、図１０（２）に示すように、本実施
の形態ではシール領域下に、Ａｌ膜及びポリシリコン膜
とから冗長構造を持つ引き出し配線を設け、遮光膜を設
けず、且つ引き出し配線を層間絶縁膜の凹状の窪みに埋
め込んだ場合を考える。この場合、シール領域の表面
は、図１０（１）の場合と比べて、凹状の窪みの深さの
分だけ低くなるので、シール領域における基板間ギャッ
プＬ１は、画素領域における基板間ギャップＬ３と等し
くなる。そして、シール領域における基板間ギャップＬ
１は、ＴＦＴ形成領域における基板間ギャップＬ２より
も大きくなる（Ｌ２＜Ｌ１＝Ｌ３）。

【０１０６】次に、図１０（３）に示すように、更に本
実施の形態ではシール領域下に、Ａｌ膜及びポリシリコ
ン膜とから冗長構造を持つ引き出し配線を設け、遮光膜
を設け、且つ引き出し配線を層間絶縁膜の凹状の窪みに
埋め込んだ場合を考える。この場合、シール領域の表面
は、図１０（２）の場合と比べて、遮光膜の分だけ高く
なるのが、その分だけ凹状の窪みの深さを深くしてある
ので、シール領域における基板間ギャップＬ１は、画素
領域における基板間ギャップＬ３と等しくなる。そし
て、シール領域における基板間ギャップＬ１は、ＴＦＴ
形成領域における基板間ギャップＬ２ともほぼ等しくな
る（Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ３）。

【０１０７】以上図１０（２）、（３）に示したよう
に、本実施の形態では、層間絶縁膜に形成した凹状の窪
みに引き出し配線３０１及び４０１を埋め込むことによ
り、画素領域とシール領域とにおける基板間ギャップを
ほぼ等しく出来るので、図１０（１）に示す従来例のよ
うに、画素領域における基板間ギャップよりも１μｍ程
度小さい径を持つギャップ材を使用する必要が無くな
り、画素領域における基板間ギャップと同程度の径を持
つギャップ材３００を使用することが可能となる。この
ことは、前述のように、画素の微細化による液晶の配向
不良を防ぐべく基板間ギャップを狭める場合に、大きな
効果が期待できる。即ち、基板間ギャップを４μｍから
３μｍ或いは２μｍに狭めた場合に、従来のように、シ
ール領域の表面が平坦化されていない場合には、２μｍ
或いは１μｍの径を持つ非常に微少なギャップ材が必要
となり、精度の高いギャップ制御は実際上極めて困難と
なるが、本実施の形態のように、シール領域の表面が平
坦化されていれば、基板間ギャップに等しい３μｍ或い
は２μｍ程度の径を持つギャップ材で足りる。従って、
比較的大きい径のギャップ材を用いて、精度の高いギャ
ップ制御を行える。また、ギャップが狭まると、シール
材に含有される光硬化性樹脂の接着力が著しく低下し、
信頼性の低下を招くが、本実施の形態では、シール領域
下でも同程度のギャップが確保できるため、液晶装置の
基板間の接着強度に支障をきたすことがない。

【０１０８】尚、この観点からは、図１１に示すよう
に、第１層間絶縁膜１２’において、引き出し配線３０
１に対向する部分に加えて引き出し配線３０１に対向し
ない部分をも含めてシール領域全体を凹状に窪めて形成
してもよい。このように構成しても、シール領域の表面
の高さ（即ち、全体として凹状に窪んだシール領域内で
複数の引き出し配線３０１上に各々位置し、凸状に突出
した部分の表面の高さ）と画素領域の高さの差は小さく
なるので、基板間ギャップ（Ｌ３）と同程度の径（Ｌ
１）を持つギャップ材３００を用いて、精度の高いギャ
ップ制御を行える。

【０１０９】次に図１２を参照して、以上の実施の形態
における定電位線と遮光膜（遮光配線）との電気接続に
ついて説明を加える。尚、図１２は、定電位線と遮光膜
との接続の一例を示すＴＦＴアレイ基板上における配線
の平面図である。

【０１１０】図１２に示すように本例では、走査線駆動
回路１０４は画面表示領域の両側に設けられており、例
えば定電位の電源ＶＳＳＹが外部電源装置から外部入力
端子及び定電位線５００を介して供給される。定電位線
５００は、例えばデータ線６ａと同じＡｌ膜から形成さ
れており、特に周辺見切り５３下において周辺見切り５
３に沿って配線された部分を含む。他方、遮光膜１１ａ
は、前述のように画面表示領域内において走査線３ａ、
容量線３ｂ及びデータ線６ａに沿って引き回されてお
り、周辺見切り５３下において定電位線５００とコンタ
クトホール５０２を介して接続されている。このよう
に、周辺見切り５３下のデッドスペースを有効に使うこ
とにより、他の配線（データ線６ａ、走査線３ａ等）を
妨害しないように、定電位線５００と遮光膜１１ａとを
周辺見切り５３下でコンタクトホール５０２を介して接
続することができる。尚、定電位線５００は、データ線
駆動回路１０１の定電位の電源等を使用しても、何ら問
題の無いことは言うまでもない。

【０１１１】尚、以上の実施の形態において、データ線
駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレ
イ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（テー
プオートメイテッドボンディング基板）上に実装された
駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設け
られた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に
接続するようにしてもよい。

【０１１２】また、図１から図１１には示されていない
が、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレ
イ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、Ｔ
Ｎ（ツイステッドネマティック）モード、 ＳＴＮ（ス
ーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モ
ード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノ
ーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、
位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置され
る。

【０１１３】次に以上のように構成された本実施の形態
の動作について図１及び図４を参照して説明する。

【０１１４】先ず、制御回路から画像信号を受けたデー
タ線駆動回路１０１は、この画像信号に応じたタイミン
グ及び大きさで信号電圧をデータ線６ａ（ソース電極）
に印加し、これと並行して、走査線駆動回路１０４は、
所定タイミングで走査線３ａ（ゲート電極）にゲート電
圧をパルス的に順次印加し、ＴＦＴ３０は駆動される。
これにより、ゲート電圧がオンとされた時点でソース電
圧が印加されたＴＦＴ３０においては、ソース領域１ｄ
及び１ｂ、半導体層１ａのチャネル形成用領域１ａ’に
形成されたチャネル並びにドレイン領域１ｃ及び１ｅを
介して画素電極９ａに電圧が印加される。そして、この
画素電極９ａの電圧は、ソース電圧が印加された時間よ
りも例えば３桁も長い時間だけ蓄積容量７０（図５参
照）により保持される。以上のように、画素電極９ａに
電圧が印加されると、液晶層５０におけるこの画素電極
９ａと対向電極２１とに挟まれた部分における液晶の配
向状態が変化し、ノーマリーホワイトモードであれば、
印加された電圧に応じて投射光がこの液晶部分を通過不
可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加
された電圧に応じて投射光がこの液晶部分を通過可能と
され、全体として液晶装置１００からは画像信号に応じ
たコントラストを持つ光が出射する。

【０１１５】特に本実施の形態では、第１層間絶縁膜１
２’はＴＦＴ３０や各種配線に対向する位置において凹
状に窪んで形成されているので、液晶の配向不良が低減
されている。そして、第１層間絶縁膜１２’はシール領
域内の引き出し配線３０１に対向する位置においても、
凹状に窪んで形成されているので、精度の良い基板間ギ
ャップ制御により、液晶の配向不良が低減されている。
これらの結果、最終的には、液晶装置１００により、高
解像度且つ高コントラストで高画質の画像を表示するこ
とが可能となる。

【０１１６】以上説明した液晶装置１００は、カラー液
晶プロジェクタに適用されるため、３つの液晶装置１０
０がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各パ
ネルには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを
介して分解された各色の光が投射光として各々入射され
ることになる。従って、各実施の形態では、対向基板２
０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしなが
ら、液晶装置１００においても第２遮光膜２３の形成さ
れていない画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢの
カラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に
形成してもよい。このようにすれば、液晶プロジェクタ
以外の直視型や反射型のカラー液晶テレビなどのカラー
液晶装置に本実施の形態の液晶装置を適用できる。更
に、対向基板２０上に１画素1個対応するようにマイク
ロレンズを形成してもよい。このようにすれば、入射光
の集光効率を向上することで、明るい液晶装置が実現で
きる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の
相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用し
て、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成
してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板
によれば、より明るいカラー液晶装置が実現できる。

【０１１７】液晶装置１００では、従来と同様に投射光
を対向基板２０の側から入射することとしたが、遮光膜
１１ａが存在するので、ＴＦＴアレイ基板１０の側から
投射光を入射し、対向基板２０の側から出射するように
しても良い。即ち、このように液晶装置１００を液晶プ
ロジェクタに取り付けても、半導体層１ａのチャネル形
成用領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃに光が入射す
ることを防ぐことが出来、高画質の画像を表示すること
が可能である。ここで、従来は、ＴＦＴアレイ基板１０
の裏面側での反射を防止するために、反射防止用のＡＲ
被膜された偏光板を別途配置したり、ＡＲフィルムを貼
り付ける必要があった。しかし、本実施の形態では、Ｔ
ＦＴアレイ基板１０の表面と半導体層１ａの少なくとも
チャネル形成用領域１ａ’及びＬＤＤ領域１ｂ、１ｃと
の間に遮光膜１１ａが形成されているため、このような
ＡＲ被膜された偏光板やＡＲフィルムを用いたり、ＴＦ
Ｔアレイ基板１０そのものをＡＲ処理した基板を使用す
る必要が無くなる。従って、本実施の形態によれば、材
料コストを削減でき、また偏光板貼り付け時に、ごみ、
傷等により、歩留まりを落とすことがなく大変有利であ
る。また、耐光性が優れているため、明るい光源を使用
したり、偏光ビームスプリッタにより偏光変換して、光
利用効率を向上させても、光によるクロストーク等の画
質劣化を生じない。

【０１１８】尚、液晶装置１００において、ＴＦＴアレ
イ基板１０側における液晶分子の配向不良を更に抑制す
るために、第３層間絶縁膜７の上に更に平坦化膜をスピ
ンコート等で塗布してもよく、又はＣＭＰ処理を施して
もよい。或いは、第３層間絶縁膜７を平坦化膜で形成し
てもよい。本実施の形態では、図８から図１０等に示し
たように、第１層間絶縁膜１２’の凹状の窪みによりＴ
ＦＴ３０や各種配線が形成された部分とそれ以外の部分
とが殆ど同じ高さとされるため、このような平坦化処理
は一般に必要でないが、より高品位の画像を表示するた
めに、このように最上層部において更なる平坦化を行う
場合にも、平坦化膜を非常に薄くできたり、平坦化処理
を僅かに加えるだけで済むので本実施の形態は、大変有
利である。

【０１１９】また、液晶装置１００の各画素のスイッチ
ング素子は、正スタガ型又はコプラナー型のポリシリコ
ンＴＦＴであるとして説明したが、逆スタガ型のＴＦＴ
やアモルファスシリコンＴＦＴ等の他の形式のＴＦＴに
対しても、本実施の形態は有効である。

【０１２０】更に、液晶装置１００の各画素のスイッチ
ング素子として、ＴＦＴに変えて、ＴＦＤ（Thin Film
Diode：薄膜ダイオード）素子等の２端子型非線形素子
を用いてもよい。この場合には、走査線及びデータ線の
うちの一方を対向基板に設けてストライプ状の対向電極
とし、他方を素子アレイ基板に設けて、各ＴＦＤ素子等
を介して各画素電極に接続するように構成すればよい。
或いは、液晶装置１００の各画素にスイッチング素子を
設けることなく、パッシブマトリクス型の液晶装置とし
て構成してもよい。あるいは、液晶装置に限らず、エレ
クトロルミネッセンス等さまざまな電気光学装置として
構成してもよい。これらの場合にも、シール領域下にお
ける引き出し配線部を平坦化する構成を採れば、配線不
良を防ぐことができると共に基板間ギャップを精度良く
制御できる。

【０１２１】更に、液晶装置１００においては、一例と
して液晶層５０をネマティック液晶から構成したが、液
晶を高分子中に微小粒として分散させた高分子分散型液
晶を用いれば、配向膜１９及び２２、並びに前述の偏光
フィルム、偏光板等が不要となり、光利用効率が高まる
ことによる液晶装置の高輝度化や低消費電力化の利点が
得られる。更に、画素電極９ａをＡｌ等の反射率の高い
金属膜から構成することにより、液晶装置１０を反射型
液晶装置に適用する場合には、電圧無印加状態で液晶分
子がほぼ垂直配向されたＳＨ（スーパーホメオトロピッ
ク）型液晶などを用いても良い。更にまた、液晶装置１
００においては、液晶層５０に対し垂直な電界（縦電
界）を印加するように対向基板２０の側に対向電極２１
を設けているが、液晶層５０に平行な電界（横電界）を
印加するように一対の横電界発生用の電極から画素電極
９ａを各々構成する（即ち、対向基板２０の側には縦電
界発生用の電極を設けることなく、ＴＦＴアレイ基板１
０の側に横電界発生用の電極を設ける）ことも可能であ
る。このように横電界を用いると、縦電界を用いた場合
よりも視野角を広げる上で有利である。その他、各種の
液晶材料（液晶相）、動作モード、液晶配列、駆動方法
等に本実施の形態を適用することが可能である。

【０１２２】（液晶装置の製造プロセス）次に、以上の
ような構成を持つ液晶装置１００の製造プロセスについ
て図１３から図１９を参照して説明する。尚、図１３か
ら図１６は各工程におけるＴＦＴアレイ基板側の各層を
図４のＡ−Ａ’断面に対応させて示す工程図であり、図
１７から図１９は各工程におけるシール領域下のデータ
線の引き出し配線部に積層される各層を示す工程図であ
る。そして、両図に記された工程（１）〜工程（１７）
は、ＴＦＴアレイ基板１上の相異なる部分における同一
の工程として各々一括して行われるものである。

【０１２３】先ず、図１３から図１６を参照して、図４
のＡ−Ａ’断面に対応するＴＦＴ３０を含む部分の製造
プロセスについて説明する。

【０１２４】図１３の工程（１）に示すように、石英基
板、ハードガラス等のＴＦＴアレイ基板１０を用意す
る。ここで、好ましくはＮ_２（窒素）等の不活性ガス雰
囲気且つ約９００〜１３００℃の高温でアニール処理
し、後に実施される高温プロセスにおけるＴＦＴアレイ
基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理してお
く。即ち、製造プロセスにおける最高温で高温処理され
る温度に合わせて、事前にＴＦＴアレイ基板１０を同じ
温度かそれ以上の温度で熱処理しておく。

【０１２５】このように処理されたＴＦＴアレイ基板１
０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｄ等の
金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタによ
り、１０００〜５０００オングストローム程度の層厚、
好ましくは約２０００オングストロームの層厚の遮光膜
１１を形成する。

【０１２６】続いて、工程（２）に示すように、該形成
された遮光膜１１上にフォトリソグラフィにより遮光膜
１１ａのパターンに対応するマスクを形成し、該マスク
を介して遮光膜１１に対しエッチングを行うことによ
り、遮光膜１１ａを形成する。

【０１２７】次に工程（３）に示すように、遮光膜１１
ａの上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥ
ＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、Ｔ
ＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ
（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用
いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケ
ートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から
なる第１絶縁膜１２（２層の第１層間絶縁膜１２’の下
層）を形成する。この第１絶縁膜１２の層厚は、例え
ば、約８０００〜１２０００オングストロームとする。

【０１２８】次に工程（４）に示すように、ＴＦＴ３
０、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂを上方に
形成する予定の領域に対して、エッチングを行い、この
領域における第１絶縁膜１２を除去する。ここで、エッ
チングを反応性エッチング、反応性イオンビームエッチ
ング等のドライエッチングで処理した場合、フォトリソ
グラフィにより形成したレジストマスクとほぼ同じサイ
ズで異方的に第１層間絶縁膜１２が除去できるため、設
計寸法通りに容易に制御できる利点がある。一方、少な
くもとウエットエッチングを用いた場合には、等方性の
ため、第１層間絶縁膜１２の開孔領域が広がるが、開孔
部の側壁面をテーパー状に形成できるため、後工程の例
えば走査線３ａを形成するためのポリシリコン膜やレジ
ストが、開孔部の側壁周囲にエッチングや剥離されずに
残ってしまうことがなく、歩留まりの低下を招かない。
尚、第１層間絶縁膜１２の開孔部の即壁面をテーパー状
に形成する方法としては、ドライエッチングで一度エッ
チングしてから、レジストパターンを後退させて、再度
ドライエッチングを行ってもよい。

【０１２９】また、ＴＦＴ３０、データ線６ａ、走査線
３ａ及び容量線３ｂのうちの全部でなく一部（例えば、
容量線３ｂ部分）のみを凹状に窪んだ部分に埋め込むの
であれば、当該埋め込む配線等に対応するマスクを用い
て第１絶縁膜１２に対してエッチングを行うようにす
る。

【０１３０】次に工程（５）に示すように、遮光膜１１
ａ及び第１絶縁膜１２の上に、第１絶縁膜１２と同様
に、シリケートガラス膜、又は窒化シリコン膜や酸化シ
リコン膜等からなる第２絶縁膜１３（２層の第１層間絶
縁膜１２’の上層）を形成する。この第２絶縁膜１３の
層厚は、例えば、約１０００〜２０００オングストロー
ムとする。第２絶縁膜１３に対し、約９００℃のアニー
ル処理を施すことにより、汚染を防ぐと共に平坦化して
もよい。

【０１３１】本実施の形態では特に、第１層間絶縁膜を
形成する第１絶縁膜１２及び第２絶縁膜１３の層厚は、
後に画素電極９ａが形成される前に画素領域がほぼ平坦
になるように設定される。

【０１３２】次に工程（６）に示すように、第２絶縁膜
１３の上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００
℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／
ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧
ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）によ
り、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素
雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、
好ましくは、４〜６時間のアニール処理を施することに
より、ポリシリコン膜１を約５００〜２０００オングス
トロームの厚さ、好ましくは約１０００オングストロー
ムの厚さとなるまで固相成長させる。この際、ｎチャネ
ル型のＴＦＴ３０を作成する場合には、Ｓｂ（アンチモ
ン）、Ａｓ（砒素）、Ｐ（リン）などのＶ族元素のドー
パントを僅かにイオン注入等によりドープする。また、
ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合には、Ｂ（ボロ
ン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）などのII
I族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドー
プする。尚、アモルファスシリコン膜を経ないで、減圧
ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜１を直接形成しても良
い。或いは、減圧ＣＶＤ法等により堆積したポリシリコ
ン膜にシリコンイオンを打ち込んで一旦非晶質化（アモ
ルファス化）し、その後アニール処理等により再結晶化
させてポリシリコン膜１を形成しても良い。

【０１３３】次に図１４の工程（７）に示すように、フ
ォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、図８
に示した如き所定パターンの半導体層１ａを形成する。

【０１３４】次に工程（８）に示すように、半導体層１
ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１００
０℃の温度により熱酸化することにより、約３００オン
グストロームの比較的薄い厚さの熱酸化膜を形成し、更
に減圧ＣＶＤ法等により高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ
膜）や窒化シリコン膜を約５００オングストロームの比
較的薄い厚さに堆積し、多層構造を持つゲート絶縁膜２
を形成する。この結果、半導体層１ａの厚さは、約３０
０〜１５００オングストロームの厚さ、好ましくは約３
５０〜５００オングストロームの厚さとなり、ゲート絶
縁膜２の厚さは、約２００〜１５００オングストローム
の厚さ、好ましくは約３００〜１０００オングストロー
ムの厚さとなる。このように高温熱酸化時間を短くする
ことにより、特に８インチ程度の大型基板を使用する場
合に熱によるそりを防止することができる。但し、ポリ
シリコン層１を熱酸化することのみにより、単一層構造
を持つゲート絶縁膜２を形成してもよい。

【０１３５】次に工程（９）に示すように、減圧ＣＶＤ
法等によりポリシリコン層３を堆積した後、リン（Ｐ）
を熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化する。又は、Ｐ
イオンをポリシリコン膜３の成膜と同時に導入したドー
プトシリコン膜を用いてもよい。工程（１０）に示すよ
うに、マスクを用いたフォトリソグラフィ工程、エッチ
ング工程等により、図８に示した如き所定パターンの走
査線３ａ（ゲート電極）を形成する。走査線３ａ（ゲー
ト電極）の層厚は、例えば、約３５００オングストロー
ムとされる。

【０１３６】但し、走査線３ａ（ゲート電極）を、ポリ
シリコン層ではなく、ＷやＭｏ等の高融点金属膜又は金
属シリサイド膜から形成してもよいし、若しくはこれら
の金属膜又は金属シリサイド膜とポリシリコン膜を組み
合わせて多層に形成してもよい。この場合、走査線３ａ
（ゲート電極）を、第２遮光膜２３が覆う領域の一部又
は全部に対応する遮光膜として配置すれば、金属膜や金
属シリサイド膜の持つ遮光性により、第２遮光膜２３の
一部或いは全部を省略することも可能となる。この場合
特に、対向基板２０とＴＦＴアレイ基板１０との貼り合
わせずれによる画素開口率の低下を防ぐことが出来る利
点がある。

【０１３７】次に工程（１１）に示すように、ＴＦＴ３
０をＬＤＤ構造を持つｎチャネル型のＴＦＴとする場
合、ｐ型の半導体層１ａに、先ず低濃度ソース領域１ｂ
及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線
３ａ（ゲート電極）を拡散マスクとして、ＰなどのＶ族
元素のドーパント２００を低濃度で（例えば、Ｐイオン
を１〜３×１０^１３／ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープす
る。これにより走査線３ａ（ゲート電極）下の半導体層
１ａはチャネル形成用領域１ａ’となる。

【０１３８】続いて、図１５の工程（１２）に示すよう
に、高濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ドレイン領域１ｃ
を形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）よりも幅
の広いマスクでレジスト層２０２を走査線３ａ（ゲート
電極）上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素のドー
パント２０１を高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×
１０^１５／ｃｍ^２のドーズ量にて）ドープする。また、
ＴＦＴ３０をｐチャネル型とする場合、ｎ型の半導体層
１ａに、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域
１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領
域１ｅを形成するために、ＢなどのIII族元素のドーパ
ントを用いてドープする。このようにＬＤＤ構造とした
場合、ショートチャネル効果を低減できる利点が得られ
る。尚、例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセッ
ト構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａ（ゲート電
極）をマスクとして、Ｐイオン、Ｂイオン等を用いたイ
オン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしても
よい。

【０１３９】これらの工程と並行して、ｎチャネル型ポ
リシリコンＴＦＴ及びｐチャネル型ポリシリコンＴＦＴ
から構成される相補型構造を持つデータ線駆動回路１０
１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上
の周辺部に形成する。このように、ＴＦＴ３０はポリシ
リコンＴＦＴであるので、ＴＦＴ３０の形成時に同一工
程で、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０
４を形成することができ、製造上有利である。

【０１４０】次に工程（１３）に示すように、走査線３
ａ（ゲート電極）を覆うように、例えば、常圧又は減圧
ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、
ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリ
コン膜や酸化シリコン膜等からなる第２層間絶縁膜４を
形成する。第２層間絶縁膜４の層厚は、約５０００〜１
５０００オングストロームが好ましい。

【０１４１】次に工程（１４）に示すように、高濃度ソ
ース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを活性化する
ために約１０００℃のアニール処理を２０分程度行った
後、データ線３１（ソース電極）に対するコンタクトホ
ール５ａを、反応性エッチング、反応性イオンビームエ
ッチング等のドライエッチングにより形成する。この
際、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング
のような異方性エッチングにより、コンタクトホール５
ａを開孔した方が、開孔形状をマスク形状とほぼ同じに
できるという利点がある。但し、ドライエッチングとウ
エットエッチングとを組み合わせて開孔すれば、コンタ
クトホール５ａをテーパ状にできるので、配線接続時の
断線を防止できるという利点が得られる。また、走査線
３ａ（ゲート電極）を図示しない配線と接続するための
コンタクトホールも、コンタクトホール５ａと同一の工
程により第２層間絶縁膜４に開ける。

【０１４２】次に工程（１５）に示すように、第２層間
絶縁膜４の上に、スパッタ処理等により、遮光性のＡｌ
等の低抵抗金属や金属シリサイド等を金属膜６として、
約１０００〜５０００オングストロームの厚さ、好まし
くは約３０００オングストロームに堆積し、更に工程
（１６）に示すように、フォトリソグラフィ工程、エッ
チング工程等により、データ線６ａ（ソース電極）を形
成する。

【０１４３】次に図１６の工程（１７）に示すように、
データ線６ａ（ソース電極）上を覆うように、例えば、
常圧又は減圧ＣＶＤ法やＴＥＯＳガス等を用いて、ＮＳ
Ｇ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス
膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる第３層
間絶縁膜７を形成する。第３層間絶縁膜７の層厚は、約
５０００〜１５０００オングストロームが好ましい。

【０１４４】本実施の形態では、特に図１３の工程
（４）及び（５）により、ＴＦＴ３０や各種配線部分に
おいて、第１層間絶縁膜が凹状に窪んで形成されている
ため、この工程（１７）を終えた段階で、画素領域の表
面はほぼ平坦となる。尚、より平坦にするためには、第
３層間絶縁膜７を構成するシリケートガラス膜に代えて
又は重ねて、有機膜やＳＯＧ（スピンオンガラス）をス
ピンコートして、若しくは又はＣＭＰ処理を施して、平
坦な膜を形成してもよい。

【０１４５】次に工程（１８）に示すように、画素電極
９ａと高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的接続するため
のコンタクトホール８を、反応性エッチング、反応性イ
オンビームエッチング等のドライエッチングにより形成
する。この際、反応性エッチング、反応性イオンビーム
エッチングのような異方性エッチングにより、コンタク
トホール８を開孔した方が、開孔形状をマスク形状とほ
ぼ同じにできるという利点が得られる。但し、ドライエ
ッチングとウエットエッチングとを組み合わせて開孔す
れば、コンタクトホール８をテーパ状にできるので、配
線接続時の断線を防止できるという利点が得られる。

【０１４６】次に工程（１９）に示すように、第３層間
絶縁膜７の上に、スパッタ処理等により、ＩＴＯ膜等の
透明導電性薄膜９を、約５００〜２０００オングストロ
ームの厚さに堆積し、更に工程（２０）に示すように、
フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、画
素電極９ａを形成する。尚、当該液晶装置１００を反射
型の液晶装置に用いる場合には、Ａｌ等の反射率の高い
不透明な材料から画素電極９ａを形成してもよい。

【０１４７】続いて、画素電極９ａの上にポリイミド系
の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角
を持つように且つ所定方向でラビング処理を施すこと等
により、図４に示した配向膜１９が形成される。

【０１４８】他方、図４に示した対向基板２０について
は、ガラス基板等が先ず用意され、第２遮光膜２３及び
遮光性の周辺見切り５３が、例えば金属クロムをスパッ
タした後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を
経て形成される。尚、第２遮光膜２３及び周辺見切り５
３は、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌなどの金属材料の他、カーボン
やＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラックなどの
材料から形成してもよい。

【０１４９】また、第３層間絶縁膜７上に高融点金属等
からなる遮光膜を形成し、前記第２遮光膜２３及び周辺
見切り５３をＴＦＴアレイ基板１０上に設けてもよい。
このような構成を採れば、ＴＦＴアレイ基板１０上で開
口領域が規定されるため、ＴＦＴアレイ基板１０と対向
基板２０との貼り合わせ精度を無視することができる。
従って、液晶装置の透過率がばらつかないため、歩留ま
りの低下を招かない。

【０１５０】その後、対向基板２０の全面にスパッタ処
理等により、ＩＴＯ等の透明導電性薄膜を、約５００〜
２０００オングストロームの厚さに堆積することによ
り、対向電極２１を形成する。更に、対向電極２１の全
面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定
のプレティルト角を持つように且つ所定方向でラビング
処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される。

【０１５１】最後に、上述のように各層が形成されたＴ
ＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１９及
び２２が対面するように、所定径（例えば、３μｍ程度
の径）を持つグラスファイバ又はガラスビーズ等からな
るギャップ材３００が所定量だけ混入されたシール材５
２により貼り合わされ、真空吸引等により、両基板間の
空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混合して
なる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成さ
れる。

【０１５２】次に、図１７から図１９を参照して、シー
ル領域下のデータ線の引き出し配線部に積層される各層
（図８（３）参照）の製造プロセスについて説明する。
尚、走査線の引き出し配線部は、シール領域の画面表示
領域に近い側で走査線或いはデータ線のどちらに接続さ
れるかの違いさえ除けば、データ線の引き出し配線部と
同様に構成されており、従って以下に説明する製造プロ
セスと同様の製造プロセスにより製造される。

【０１５３】図１７の工程（１）から図１９の工程（１
７）は、前述した図１３の工程（１）から図１６の工程
（１７）と同一の製造プロセスとして行われる。

【０１５４】即ち、図１７の工程（１）に示すように、
ＴＦＴアレイ基板１０の全面に遮光膜１１を形成した
後、工程（２）に示すように、フォトリソグラフィ工
程、エッチング工程等により遮光膜からなる遮光配線３
０３を形成する。

【０１５５】次に工程（３）に示すように、遮光配線３
０３の上に、第１絶縁膜１２（２層の第１層間絶縁膜１
２’の下層）を形成し、工程（４）に示すように、デー
タ線の引き出し配線３０１を上方に形成する予定の領域
に対して、エッチングを行い、この領域における第１絶
縁膜１２を除去する。ここで、前記エッチングを反応性
エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライ
エッチングで処理した場合、フォトリソグラフィにより
形成したレジストマスクとほぼ同じサイズで異方的に第
１絶縁膜１２が除去できるため、設計寸法通りに容易に
制御できる利点がある。一方、少なくもとウエットエッ
チングを用いた場合には、等方性のため、第１絶縁膜１
２の開孔領域が広がるが、開孔部の側壁面をテーパー状
に形成できるため、後工程の例えば走査線３ａを形成す
るためのポリシリコン膜３やレジストが、開孔部の側壁
周囲にエッチングや剥離されずに残ってしまうことがな
く、歩留まりの低下を招かない。尚、第１絶縁膜１２の
開孔部の側壁面をテーパー状に形成する方法としては、
ドライエッチングで一度エッチングしてから、レジスト
パターンを後退させて、再度ドライエッチングを行って
もよい。また、ドライエッチングとウェットエッチング
を組み合わせてもよいことは言うまでもない。

【０１５６】その後、工程（５）に示すように、遮光配
線３０３及び第１絶縁膜１２の上に、第２絶縁膜１３
（２層の第１層間絶縁膜１２’の上層）を形成する。

【０１５７】次に工程（６）に示すように、薄膜トラン
ジスタを生成するために第２絶縁膜１３上にアモルファ
スシリコン膜を形成した後、ポリシリコン膜１を固相成
長させるが、このシール領域には、半導体層は不要であ
るので、図１７の工程（７）に示すように、エッチング
工程等により、ポリシリコン膜１はこのシール領域では
全て除去される。尚、上記工程（５）から（７）の間
に、遮光配線３０３を、データ線の引き出し配線３０１
用の冗長配線とする場合には、遮光配線３０３の上方に
おいてコンタクトホールを第２絶縁膜１３に開ける。
尚、引き出し配線３０１をデータ線６ａから延設したＡ
ｌ膜等から直接形成してもよい。

【０１５８】次に、画素部に対する工程（８）の熱酸化
が終了するのを待って、工程（９）に示すように、ポリ
シリコン層３を堆積した後、工程（１０）に示すよう
に、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等によ
り、所定パターンのダミー引き出し配線３０２を走査線
３ａと同一層から形成する。従って、ダミー引き出し配
線３０２の層厚は、走査線３ａ（ゲート電極）と同じ
く、例えば、約３５００Åとされる。

【０１５９】次に図１７の工程（１１）及び図１８の工
程（１２）に示すように、不純物イオンをドープしてダ
ミー引き出し配線３０２を低抵抗化する。

【０１６０】次に工程（１３）に示すように、ダミー引
き出し配線３０２を覆うように、第２層間絶縁膜４を形
成する。尚、工程（１４）のエッチング工程において
は、ダミー引き出し配線３０２を、データ線の引き出し
配線３０１用の冗長配線とする場合には、ダミー引き出
し配線３０２の上方においてコンタクトホールを第２層
間絶縁膜４に開孔する。

【０１６１】次に工程（１５）に示すように、第２層間
絶縁膜４の上に、スパッタ処理等により、Ａｌ等を金属
膜６として堆積した後に、工程（１６）に示すように、
フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、デ
ータ線の引き出し配線３０１を形成する。

【０１６２】次に工程（１７）に示すように、データ線
の引き出し配線３０１上を覆うように、第３層間絶縁膜
７を形成する。

【０１６３】本実施の形態では、特に図１６の工程
（４）及び（５）により、データ線の引き出し配線３０
１部分において、第１層間絶縁膜が凹状に窪んで形成さ
れているため、この工程（１７）を終えた段階で、画素
領域の表面はほぼ平坦となる。

【０１６４】尚、以上の本実施の形態における液晶装置
の製造方法によれば、遮光膜１１ｂと定電位線とを接続
するためのコンタクトホールとして、遮光膜１１ｂに至
るまで第２層間絶縁膜４及び第１絶縁膜１３（第１層間
絶縁膜の上層）が開孔され、同時に、ＴＦＴ３０とデー
タ線６ａとを接続するためのコンタクトホール５ａとし
て、半導体層１ａに至るまで第２層間絶縁膜４が開孔さ
れる。従って、これら２種類のコンタクトホールを一括
して開孔できるので、製造上有利である。例えば、選択
比を適当な値に設定してのウエットエッチングにより、
このような２種類のコンタクトホールを各々所定の深さ
となるように一括して開孔することが可能となる。特
に、第１層間絶縁膜の凹状に窪んだ部分の深さに応じ
て、これらのコンタクトホールを開孔する工程が容易と
なる。遮光膜と定電位線を接続するためのコンタクトホ
ール開孔工程（フォトリソグラフィ工程、エッチング工
程等）が削除できるので、工程増による製造コストの増
大や歩留まりの低下を招かない。

【０１６５】以上説明したように本実施の形態における
製造プロセスによれば、凹状に窪んだ部分における第１
層間絶縁膜１２’の層厚を、第２絶縁膜１３の層厚の管
理により、比較的容易にして確実且つ高精度に制御でき
る。従って、この凹状に窪んだ部分における第１層間絶
縁膜１２’の層厚を非常に薄くすることも可能となる。

【０１６６】尚、第１層間絶縁膜を単層から構成する場
合には、図１３及び図１７に各々示した工程（３）、
（４）及び（５）に若干の変更を加えて、各工程を行え
ばよい。即ち、工程（３）において、遮光膜１１ａ或い
は遮光配線３０３の上に、例えば、約１００００〜１５
０００オングストロームといったように若干厚めの単層
の第１層間絶縁膜を堆積し、工程（４）において、ＴＦ
Ｔ３０、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂ並び
にデータ線の引き出し線等を上方に形成する予定の領域
に対して、エッチングを行い、この領域における第１層
間絶縁膜を１０００〜２０００オングストローム程度の
厚みを残すようにする。そして、工程（５）を省略す
る。このように第１層間絶縁膜１２”を単層から構成す
れば、従来の場合と比較しても層の数を増加させる必要
が無く、凹状に窪んだ部分とそうでない部分との層厚を
エッチング時間管理により制御すれば平坦化を図れるの
で便利である。

【０１６７】（電子機器）次に、以上詳細に説明した液
晶装置１００を備えた電子機器の実施の形態について図
２０から図２３を参照して説明する。

【０１６８】先ず図２０に、このように液晶装置１００
を備えた電子機器の概略構成を示す。

【０１６９】図２０において、電子機器は、表示情報出
力源１０００、表示情報処理回路１００２、駆動回路１
００４、液晶装置１００、クロック発生回路１００８並
びに電源回路１０１０を備えて構成されている。表示情
報出力源１０００は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、Ｒ
ＡＭ（Random Access Memory）、光ディスク装置などの
メモリ、画像信号を同調して出力する同調回路等を含
み、クロック発生回路１００８からのクロック信号に基
づいて、所定フォーマットの画像信号などの表示情報を
表示情報処理回路１００２に出力する。表示情報処理回
路１００２は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ロー
テーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周
知の各種処理回路を含んで構成されており、クロック信
号に基づいて入力された表示情報からデジタル信号を順
次生成し、クロック信号CLKと共に駆動回路１００４に
出力する。駆動回路１００４は、液晶装置１００を駆動
する。電源回路１０１０は、上述の各回路に所定電源を
供給する。尚、液晶装置１００を構成するＴＦＴアレイ
基板の上に、駆動回路１００４を搭載してもよく、これ
に加えて表示情報処理回路１００２を搭載してもよい。

【０１７０】次に図２１から図２３に、このように構成
された電子機器の具体例を各々示す。

【０１７１】図２１において、電子機器の一例たる液晶
プロジェクタ１１００は、上述した駆動回路１００４が
ＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む
液晶表示モジュールを３個用意し、各々ＲＧＢ用のライ
トバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いた
プロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ
１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のラ
ンプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚
のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１
０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、
Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００
Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに各々導かれる。この際特に
Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レン
ズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１
２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれ
る。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１０
０Ｂにより各々変調された３原色に対応する光成分は、
ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された
後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０に
カラー画像として投射される。

【０１７２】本実施の形態では特に、遮光膜がＴＦＴの
下側にも設けられているため、当該液晶装置１００から
の投射光に基づく液晶プロジェクタ内の投射光学系によ
る反射光、投射光が通過する際のＴＦＴアレイ基板の表
面からの反射光、他の液晶装置から出射した後にダイク
ロイックプリズム１１１２を突き抜けてくる投射光の一
部等が、戻り光としてＴＦＴアレイ基板の側から入射し
ても、画素電極のスイッチング用のＴＦＴ等のチャネル
領域に対する遮光を十分に行うことができる。このた
め、小型化に適したプリズムを投射光学系に用いても、
各液晶装置のＴＦＴアレイ基板とプリズムとの間におい
て、戻り光防止用のＡＲフィルムを貼り付けたり、偏光
板にＡＲ被膜処理を施したりすることが不要となるの
で、構成を小型且つ簡易化する上で大変有利である。

【０１７３】図２２において、電子機器の他の例たるマ
ルチメディア対応のラップトップ型のパーソナルコンピ
ュータ（ＰＣ）１２００は、上述した液晶装置１００が
トップカバーケース内に備えられており、更にＣＰＵ、
メモリ、モデム等を収容すると共にキーボード１２０２
が組み込まれた本体１２０４を備えている。

【０１７４】また図２３に示すように、駆動回路１００
４や表示情報処理回路１００２を搭載しない液晶装置１
００の場合には、駆動回路１００４や表示情報処理回路
１００２を含むＩＣ１３２４がポリイミドテープ１３２
２上に実装されたＴＣＰ（Tape Carrier Package）１
３２０に、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた
異方性導電フィルムを介して物理的且つ電気的に接続し
て、液晶装置として、生産、販売、使用等することも可
能である。

【０１７５】以上図２１から図２３を参照して説明した
電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又
はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲー
ション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、エン
ジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、携帯電
話、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装
置等などが図２０に示した電子機器の例として挙げられ
る。

【０１７６】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、製造効率が高く高品位の画像表示が可能な液晶装置
１００を備えた各種の電子機器を実現できる。

【０１７７】

【発明の効果】本発明の電気光学装置によれば、シール
領域の表面が平坦化されているので、シール材に混入し
たギャップ材による引き出し配線の断線やショートなど
の配線不良を低減できる。しかも、シール領域の表面と
画素領域の表面との間でも平坦化が図られているので、
比較的大きいギャップ材をシール材に混入して基板間ギ
ャップの制御を高精度で行える。これらの結果、画素や
配線の微細化及び画素の高開口率化を図りつつ、信頼性
が高く、しかも液晶の配向状態が良好で高品位の画像表
示を行える電気光学装置を実現できる。

【０１７８】本発明の電子機器によれば、電子機器は、
上述した本願発明の電気光学装置を備えているので、信
頼性が高いと共に液晶の配向状態が良く、高品位の画像
表示が可能な液晶プロジェクタ、パーソナルコンピュー
タ、ページャ等の様々な電子機器を実現可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による液晶装置の全体構成を示す平面
図である。

【図２】 図１のＨ−Ｈ’断面図である。

【図３】 本発明による液晶装置の実施の形態に備えら
れる、データ線、走査線、画素電極、遮光膜等が形成さ
れたＴＦＴアレイ基板上の隣接する画素群の平面図であ
る。

【図４】 図1のＡ−Ａ’断面を対向基板等と共に示す
液晶装置の実施の形態の断面図である。

【図５】 図1のＣ−Ｃ’断面を対向基板等と共に示す
液晶装置の断面図である。

【図６】 シール領域に形成されたデータ線及び走査線
の引き出し配線部分を拡大して示す拡大平面図である。

【図７】 シール領域に形成されたデータ線の引き出し
配線部分を更に拡大して示す拡大平面図である。

【図８】 シール領域下に形成された引き出し配線部に
おける液晶装置のＴＦＴアレイ基板側の断面図である。

【図９】 画像信号線を横切ってサンプリング回路駆動
信号線から引き出し配線へ至る中継配線部における液晶
装置のＴＦＴアレイ基板側の断面図である。

【図１０】 シール領域と画素領域における基板間ギャ
ップを各種の層構造の場合について比較する、液晶装置
のシール領域及び画素領域における断面図である。

【図１１】 本実施の形態の変形例でのシール領域と画
素領域における基板間ギャップを比較する、液晶装置の
シール領域及び画素領域における断面図である。

【図１２】 本実施の形態の定電位線と遮光膜との接続
の一例を示すＴＦＴアレイ基板上における配線の平面図
である。

【図１３】 液晶装置の実施の形態の製造プロセスを図
４に示した部分について順を追って示す工程図（その
１）である。

【図１４】 液晶装置の実施の形態の製造プロセスを図
４に示した部分について順を追って示す工程図（その
２）である。

【図１５】 液晶装置の実施の形態の製造プロセスを図
４に示した部分について順を追って示す工程図（その
３）である。

【図１６】 液晶装置の実施の形態の製造プロセスを図
４に示した部分について順を追って示す工程図（その
４）である。

【図１７】 液晶装置の実施の形態の製造プロセスを図
８（３）に示した部分について順を追って示す工程図
（その１）である。

【図１８】 液晶装置の実施の形態の製造プロセスを図
８（３）に示した部分について順を追って示す工程図
（その２）である。

【図１９】 液晶装置の実施の形態の製造プロセスを図
８（３）に示した部分について順を追って示す工程図
（その３）である。

【図２０】 本発明による電子機器の実施の形態の概略
構成を示すブロック図である。

【図２１】 電子機器の一例としての液晶プロジェクタ
を示す断面図である。

【図２２】 電子機器の他の例としてのパーソナルコン
ピュータを示す正面図である。

【図２３】 電子機器の一例としてのＴＣＰを用いた液
晶装置を示す斜視図である。

【図２４】 ギャップ材（グラスファイバ）による、従
来の基板間ギャップの制御を示す液晶装置のシール領域
の平面図及び断面図である。

【図２５】 ギャップ材（ガラスビーズ）による、従来
の基板間ギャップの制御を示す液晶装置のシール領域の
平面図及び断面図である。

【符号の説明】

１ａ…半導体層 ３ａ…走査線（ゲート電極） ３ｂ…容量線（第２蓄積容量電極） ４…第２層間絶縁膜 ５ａ…コンタクトホール ６ａ…データ線（ソース電極） ７…第３層間絶縁膜 ８…コンタクトホール ９ａ…画素電極 １０…ＴＦＴアレイ基板 １１ａ…遮光膜 １２’…第１層間絶縁膜 １９…配向膜 ２０…対向基板 ２１…対向電極 ２２…配向膜 ２３…第２遮光膜 ３０…ＴＦＴ ５０…液晶層 ５２…シール材 ５３…周辺見切り ７０…蓄積容量 １００…液晶装置 １０１…データ線駆動回路 １０３…サンプリング回路 １０４…走査線駆動回路 １１６ａ、１１６ｂ、１１６ｃ…中継配線 ３００…ギャップ材 ３０１…データ線の引き出し配線 ３０２…ダミー配線 ４０１…ダミー配線 ４０２…走査線の引き出し配線

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H089 LA07 LA15 LA47 NA06 NA24 NA25 NA39 NA44 NA60 PA06 QA02 QA12 QA14 RA05 RA06 RA10 SA01 TA02 TA04 TA09 TA13 UA05 2H090 HA04 HA06 HB03X HC03 HC11 HC12 HC17 HC18 HD03 HD05 HD06 KA05 KA06 KA08 LA02 LA04 2H092 JA25 JA29 JA38 JA46 JB13 JB23 JB32 JB54 JB57 JB63 JB69 KA04 KA07 KB14 KB25 MA05 MA07 MA13 MA17 MA27 MA35 MA37 MA41 NA01 NA13 NA15 NA17 NA18 NA19 NA25 NA27 NA28 NA29 PA03 PA09 QA07 QA08 QA10 RA05

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の基板間に電気光学物質が封入され、
   該基板の該電気光学物質に面する側に相交差して配列さ
   れた複数のデータ線及び走査線と、前記基板を相互に接
   着するギャップ材混入のシール材と、前記シール材の形
   成領域に前記データ線及び走査線の少なくとも一方から
   前記シール材の形成領域に各々延設された複数の引き出
   し配線と、前記基板と前記引き出し配線との間に配置さ
   れた凹状に窪んだ領域を有する層間絶縁膜とを備えてお
   り、前記引き出し配線は、前記シール材の形成領域にお
   いて前記層間絶縁膜の凹状に窪んだ領域に形成されてい
   ることを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 前記複数のデータ線及び走査線は、前記
   基板のうちの一方に設けられており、該一方の基板上
   に、 前記複数のデータ線及び走査線に各々接続された複数の
   薄膜トランジスタと、 該複数の薄膜トランジスタに接続された複数の画素電極
   と、 前記複数の薄膜トランジスタの少なくともチャネル形成
   用領域を前記一方の基板の側から見て各々重なる位置に
   設けられた遮光膜と、 前記複数の走査線に平行に各々配設され前記複数の画素
   電極に所定容量を各々付与する複数の容量線とを更に備
   えており、 前記層間絶縁膜は、前記一方の基板上の前記遮光膜が形
   成されている領域においては前記遮光膜上に且つ前記遮
   光膜が形成されていない領域においては前記一方の基板
   上に設けられており、前記薄膜トランジスタ、前記デー
   タ線、前記走査線及び前記容量線のうち少なくとも一つ
   に対向する部分が前記基板のうちの他方の側から見て凹
   状に窪んで形成された第１層間絶縁膜を含み、該第１層
   間絶縁膜は、前記シール領域において前記引き出し配線
   に対向する部分が凹状に窪んで形成されたことを特徴と
   する請求項１に記載の電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記シール領域において、前記データ線
   から延設された引き出し配線をなす導電層としての導電
   性金属層に対しては、前記走査線をなす導電層としての
   導電性ポリシリコン層及び前記遮光膜としての導電性遮
   光膜の少なくとも一方が前記層間絶縁膜を介して積層形
   成されていると共に、前記走査線から延設された引き出
   し配線をなす前記導電性ポリシリコン層に対しては、前
   記導電性金属層及び前記導電性遮光膜の少なくとも一方
   が前記層間絶縁膜を介して積層形成されていることを特
   徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記データ線から延設された引き出し配
   線をなす前記導電性金属層は、前記積層形成された導電
   性ポリシリコン層及び導電性遮光膜の少なくとも一方と
   コンタクトホールを介して電気的接続されており、前記
   データ線から延設された引き出し配線の少なくとも一部
   は、前記導電性金属層と共に前記導電性ポリシリコン層
   及び導電性遮光膜の少なくとも一方からなる冗長構造を
   有することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装
   置。
5. 【請求項５】 前記走査線から延設された引き出し配線
   をなす前記導電性ポリシリコン層は、前記積層形成され
   た導電性金属層及び導電性遮光膜の少なくとも一方とコ
   ンタクトホールを介して電気的接続されており、前記走
   査線から延設された引き出し配線の少なくとも一部は、
   前記導電性ポリシリコン層と共に前記導電性金属層及び
   導電性遮光膜の少なくとも一方からなる冗長構造を有す
   ることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装
   置。
6. 【請求項６】 前記データ線から延設された引き出し配
   線をなす前記導電性金属層に対して積層形成された導電
   性ポリシリコン層及び導電性遮光膜の少なくとも一方
   は、前記シール領域において前記基板を介して入射され
   る光がシール材に透過可能なように網目状又はストライ
   プ状の平面パターンを備えており、前記走査線から延設
   された引き出し配線をなす前記導電性ポリシリコン層に
   対して積層形成された導電性金属層及び導電性遮光膜の
   少なくとも一方は、前記シール領域において前記基板を
   介して入射される光がシール材に透過可能なように網目
   状又はストライプ状の平面パターンを備えたことを特徴
   とする請求項３から５のいずれか一項に記載の電気光学
   装置。
7. 【請求項７】 前記遮光膜は、定電位源に接続されてい
   ることを特徴とする請求項２から６のいずれか一項に記
   載の電気光学装置。
8. 【請求項８】 前記層間絶縁膜は、単層から構成されて
   いることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に
   記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記層間絶縁膜は、単層部分と多層部分
   とから構成されており、 前記単層部分が前記凹状に窪んだ部分とされており、前
   記多層部分が前記凹状に窪んでいない部分とされている
   ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載
   の電気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記層間絶縁膜は、酸化シリコン膜又
    は窒化シリコン膜から構成されていることを特徴とする
    請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記遮光膜は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔ
    ａ、Ｍｏ及びＰｄのうちの少なくとも一つを含むことを
    特徴とする請求項２から９のいずれか一項に記載の電気
    光学装置。
12. 【請求項１２】 前記ギャップ材は、前記基板間のギャ
    ップに対応する所定径を持つグラスファイバ及びガラス
    ビーズのいずれか一方からなることを特徴とする請求項
    １から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 前記層間絶縁膜の凹状に窪んだ側壁部
    分はテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項
    １から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
14. 【請求項１４】 請求項８に記載の電気光学装置の製造
    方法であって、 前記一方の基板上の所定領域に前記遮光膜を形成する工
    程と、 前記一方の基板及び遮光膜上に絶縁膜を堆積する工程
    と、 該絶縁膜に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジストパ
    ターンをフォトリソグラフィで形成する工程と、 該レジストパターンを介して所定時間のエッチングを行
    い前記凹状に窪んだ部分を形成する工程とを備えたこと
    を特徴とする電気光学装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 請求項９に記載の電気光学装置の製造
    方法であって、 前記一方の基板上の所定領域に前記遮光膜を形成する工
    程と、 前記一方の基板及び遮光膜上に第１絶縁膜を堆積する工
    程と、 該第１絶縁膜に前記凹状に窪んだ部分に対応するレジス
    トパターンをフォトリソグラフィで形成する工程と、 該レジストパターンを介してエッチングを行い前記凹状
    に窪んだ部分に対応する前記第１絶縁膜を除去する工程
    と、 前記一方の基板及び第１絶縁膜上に第２絶縁膜を堆積す
    る工程とを備えたことを特徴とする電気光学装置の製造
    方法。
16. 【請求項１６】 請求項１から１５に記載の電気光学装
    置を備えたことを特徴とする電子機器。