TWI235974B - Opto-electronic device and production method thereof and electronic machine - Google Patents

Description

1235974 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係屬於液晶裝置，EL(Electro Lurni 裝置’電子釋放元件（F i e 1 d E m i s s i ο n D i s p 1 a y及

Conduction Electron-Emitter Display)等之光電 該製造方法，以及電子機器之技術領域，另外， 亦屬於電子紙等電泳裝置之技術領域。 【先前技術】 以往’作爲液晶裝置等之光電裝置係例如具 矩陣狀之畫素電極，並接續於該各電極之薄 (Thin Film Transistor;以下稱爲「TFT」），且接 TFT再於各行及列方向平行設置之掃描線及資料 於前述掃描線係由掃描線驅動電路之驅動及對於 線係由資料線驅動電路之驅動則根據各自進行之 進行有源矩陣驅動之構成爲眾所週知。 在此，有源矩陣驅動係指由供給掃描信號 描線之情況來控制前述TFT等之切換元件動作 對於前述資料線係由供給畫像信號之情況，對於 述掃描信號作爲ON之TFT等之切換元件之畫素 行因應該畫像信號之電場的施加之驅動方法。 對於此畫像之供給方法係有提案各種構成， 條1條資料線逐次供給畫像信號之方法或，將畫 換串並行，然後對幾條鄰接之資料線，再每個組 nescence) Surface- 裝置，及 本發明係 備配列爲 膜電晶體 續於該各 線，而對 前述資料 情況，可 於前述掃 之同時， 因應由前 電極，進 例如對1 像信號變 群之同時 1235974 (2) 供給畫像伯號之方法。 【發明內容】 但’關於針對在以往經由資料線之畫像信號的供給係 有以下之問題點’即，在上述所例示之畫像信號的供給之 中，當作爲例子進行對每個組群同時供給畫像信號之方法 來說明時’此情況，針對在目前接受畫像信號之供給的組 群（以下稱爲[供給組群])與，鄰接在此之組群（以下稱爲[ 非供給組群])之間，由幾乎沿著延伸於該位置之資料線的 形狀，於畫像上出現顯示不均之不良狀況。 此係針對在存在於前述供給組群與前述非供給組群之 剛好端邊之畫素電極，根據結果來說沒有對畫像信號正確 對印之電場的情況，而更詳細則係此情況，當資料線週邊 的容量（例如：根據該資料線之配線容量，或者該資料線 與其他配線及對向電極之重疊而產生之容量）小於相程度 時，根據構成抽樣電路之薄膜電晶體之閘極.汲極間的寄 生容量影響，並由寫入至資料線之畫像信號電位之後進先 出量變爲更大之情況，針對在資料線之電位變動則變大， 如此，將招致欲因應該資料線所配列之畫素電極之電位變 動，而其結果，將於畫像上出現如沿著該資料線之顯示不 均的情況。 並且，如此之問題點係當將光電裝置之前述小型化· 局精密化之一般要求作爲前提時，其解決則變爲困難，而 對於爲了實現如此之小型化.高精密化係必須更小型化乃 (3) 1235974 至狹小化構成光電裝置之各種構成要素，即前述之掃描線 ， 資料線，TFT及畫素電極，但將此情況分開，當資料 線進行狹小化時，附加於資料線之容量係會更被會削減， 隨之，針對在資料線之電位的變動係變更大，而如沿著上 述資料線之顯示不均的發生情況係變爲顯著。 本發明係有鑑於上述問題所作之構成，其課題爲提供 可顯示無沿著該資料線之顯示不均的高品質畫像之光電裝 置之情況，另外，本發明之課題亦持續實現如此小型化. 高精密化之光電裝置，並具有依然可顯示如上述無顯示不 均之發生的高品質畫像之構成之光電裝置，更加地，其課 題亦題供如此之光電裝置的製造方法，以及具備該光電裝 置而成之電子機器之情況。 本發明之光電裝置係爲了解決上述課題，於基板上具 備有延伸於一定方向之資料線與，如交差於該資料線地延 伸之掃描線與，因應前述掃描線與前述資料線交差領域所 配置之畫素電極及畫素切換用元件與，將接續或從資料線 所延設於前述資料線之導電層作爲其第1電極所含之電容 器。 如根據本發明之光電裝置，經由掃描線來控制畫素切 換用元件之一例而成之薄膜電晶體等之切換動作之同時， 可由經由資料線來供給畫像信號之情況，藉由薄膜電晶體 來對於畫素電極，因應該畫像信號來施加電壓。 並且，在本發明之中，特別是具備有將接續或從資料 線所延設於資料線之導電層作爲其第1電極所含之電容器 -6 - (4) 1235974 ，即，一般來說，電容器係指想定爲具備一對電極與夾 合於其間之絕緣膜之構成，但針對在本發明係例如想定作 爲構成此一對電極之第1電極，接續或從資料線所延設 於資料線之導電層則符合，而作爲另一方之電極，對向配 置於該導電層之其他導電層則符合等形式，由此，對於例 如根據資料線之配線容量，或者該資料線與其他配線及對 向電極之重疊而產生之容量，由加上該電容器之情況，因 可成爲適當確保該資料線週邊之容量之情況，故可控制對 於該資料線應保有之電位產生變動之情況，隨之，可將因 應其變動而產生畫素電極之電位變動之事態防範於未然。 由以上，如根據本發明，將可極力控制沿著如在背景 技術所述之資料線的顯示不均等之發生，進而顯示更高品 質之畫像。 並且，如此之作用效果係享受得到無關於該光電裝置 之小型畫.高精密化，即，假設，即使爲伴隨光電裝置之 小型化，將資料線狹小化之情況，因針對在本發明係個別 具備有『電容器』，也就是即使資料線變爲多小，如具備 得到爲了塡補此之『電容器』，就可適當確保資料線週邊 之容量，如此，如根據本發明，將可持續實現光電裝置之 小型化·高精密化’亦依然可顯示如上述無顯示不均之發 生的局品質畫像。 然而，針對本發明「『接續』於資料線之…導電層」 係指除例如後述藉由迂迴層來接續資料線及導電層之情況 亦可想定各種構成，而在此『接續』係指，具體而言，例 -7- (5) 1235974 如可想疋利用接觸孔之情況等。 另、「從資料線所『延設』之…導電層」係指例如包 Q與Μ貝料線形成爲同一層，但由其他的構件來形成導電 層之情況’或者根據情況延設該資料線本身來構成導電層 (即’與資料線同一材料而成，外觀上，構成與該資料線 明顯區別之導電層之情況），而後者之情況係可視爲資料 線構成之全部或一部份構成「電容器」之電極。 在本發明之光電裝置的一型態之中係更具備延伸在交 差於前述資料線之方向的電容器電極用配線，而構成前述 電容器之另一方之電極係包含接續在前述電容器電極用配 線或從前述電容器電極用配線所延設之其他的導電層。 如根據此型態，由具備延伸在交差於前述資料線之方 向的電容器電極用配線，且接續在前述電容器電極用配線 或從前述電容器電極用配線所延設之其他的導電層則被包 含在前述電容器之另一方之電極之情況，將可由比較上簡 易之製造·構成來形成信賴性高之電容器。 此係klf於爲了貫現供給必要之電位（例如如後述規定 之「固定電位」等）於成爲配線的一種之電容器電極用配 線係至少將該電容器電極用配線的一部份與供給該電位之 電源的電接續點之一處設置即可，而此點，假設，如因應 各資料線，並設置個別的電容器電極，則有必要對個別進 行如上述之電位供給，並電接續點係一般來說將有必要進 行複數形成，而在如此之型態之中係成爲使製造產率下降 的原因（有關某資料線之電容器係正常動作，但有關其他 (6) 1235974 資料線之此係不動作等），另外，對於每個電容 上的不同，亦成爲眨低作爲全體之信賴性的原因 本型態係不會有蒙受如此不良狀況之虞。 在本發明之光電裝置之其他型態之中係前述 極用配線係亦可作爲固定電位。 如根據此型態，由將構成電容器之成爲另一 電容器電極用配線作爲固定電位之情況，而另一 層亦另外作爲固定電位，該電容器係得到適當之 ，針對在該電容器係將可儲存因應，因應供給至 畫像信號之電壓與該固定電位之電位差之適當電 在此型態之中係更加具備對向配置於前述基 基版與，形成在該對向基板上並欲對向於前述畫 配置之對向電極與，配置在該對向基板及前述基 一方，而爲了驅動前述掃描線及前述資料線，以 素電極之驅動電路與，供給固定電位於前述對向 1電源與，供給固定電位於前述驅動電路之前述 ，並前述電容器電極用配線係根據接續於前述第 前述第2電源之情況，作爲構成爲固定電位即可 如根據如此之構成，因成爲共用爲了將接續 容器之另一方電極之另一方導電層的電容器電極 爲固定電位之電源與，爲了將對向電極作爲固定 源（即’第1電源），·或者爲了供給固定電位至 驅動電路之電源（即，第2電源）之型態，故可 構成之簡單化。 器其特性 ，而針對 電容器電 方電極之 方之導電 機能，即 資料線之 荷量。 板之對向 素電極所 板之任何 及前述畫 電極之第 第2電源 1電源或 〇 於成爲電 用配線作 電位之電 應供給至 時現狀至 -9- (7) 1235974 然而，針對本型態，根據情況亦包含第1電源與第2 電源爲一個共通之電源之情況。 在本發明之光電裝置之其他型態之中係前述電容器電 極用配線係由低電阻材料所構成。 如根據此型態，由電容器電極用配線係由低電阻材料 所構成之情況，不會有配線延遲等之問題，然而在本型態 所指之[低電阻材料]係例如可舉出鋁等之材料。 在本發明之光電裝置之其他型態之中係對於前述資料 線之一端係更加具備爲了驅動該資料線之資料線驅動電路 ，並於前述資料線之另一端係設置前述電容器。 如根據此型態，針對將資料線作爲中心之情況的各種 構成要素之配置關係則爲合適，另外，在本型態之中係因 配置資料線驅動電路於資料線之一端，並於其另一端配置 前述電容器，故畫像信號之流動係流向於資料線驅動電路 ， 資料線（及關聯於此之畫素切換用元件，畫素電極）及 電容器之情況，並實現對於畫像信號無停滯之畫像電極的 傳達之同時，針對電容器之電荷儲存係由利用所爲使用完 之畫像信號之情況來進行，也就是，如根據此型態，雖 設置對資料線是一種障礙物之電容器，但可有效迴避承受 由此所產生之不良影響之事態。 然而，針對本型態，於資料線驅動電路與資料線之間 設置抽樣電路等即可。 在本發明之光電裝置之其他型態之中係對於前述資料 線之一端係更加具備爲了驅動該資料線之資料線驅動電路 -10- (8) 1235974 ，並於前述資料線之另一端測係更加設置爲了檢查該光電 裝置動作之檢查電路。 如根據此型態，可由檢查電路進行該光電裝置之動作 ，作爲分開畫素切換用元件之薄膜電晶體之動作等之檢查 ，並且，在本型態之中係特別是根據該檢查電路設至於資 料線之另一端測，將可適當地實現針對基板上之各種要素 t酉己® 〇 然而，加上於本型態，在擁有合倂設置電容器於資料 線之另一端測之上述型態之型態之中係可特別適當規定各 種要素之配置。 在本發明之光電裝置之其他型態之中係更加具備接續 在前述畫素電極及畫素切換用元件之儲存容量，並構成前 述電容器之構件的至少一部份係與構成前述儲存容量之構 件的至少一部份，針對在製造工程階段形成在同一之機會 〇 如根據此型態，首先，根據具備接續在畫素電極及畫 素切換用元件之儲存容量之情況，將可使針對在畫素電極 之電位維持特性提升，隨之，將可顯示具備高對比特質之 局品質之畫像。 並且在本型態之中係特別構成前述電容器之構件的至 少一部份係與構成前述儲存容量之構件的至少一部份，針 對在製造工程階段形成在同一之機會，而由更具體之例子 來說明此時，則如以下所述。 首先，儲存容量係由與畫素切換用元件及畫素電極所 -11 - (9) 1235974 接續之畫素電位側之容量電極與，對向配置於此，例如作 爲固定電爲之容量電極，並且夾合於這一對電極間之絕緣 月吴所構成，而另一方，關於有關本發明之「電容器」係由 作爲其弟1 %即接續於貨料線或由此所延設之導電層，作 爲另一方之電極例如接續於前述之電容器電極用配線或由 此所延設之其他導電層，更加地夾合於這一對電極間之絕 緣膜所構成，而如此之情況，[構成儲存容量之構件]係指 成爲畫素電位側容量電極，容量電極及絕緣膜之一方，[ 構成電容器之構件]係指資料線，電容器電極用配線及絕 緣膜。 並且，後者係意味前者之[與至少一部份，針對在製 造工程階段形成在同一之機會]係指例如作爲同一膜來形 成導電層及畫素電位側容量電極，或者，作爲同一膜來 形成其他之導電層及畫素電位側容量電極，或者更加地作 爲同一膜來形成「電容器」之絕緣膜及「儲存容量」之絕 緣膜等之情況，然而，作爲同一膜來形成係指形成共通 之前驅膜於電容器及儲存容量之同時，根據進行對此之圖 案化處理之情況，例如導電層與固定電位側容量電極則因 應各個情況，且作爲具有各個固有之圖案形狀之構成所形 成。 如此，如根據此型態，從同一基會製造兩要素（gp， 電容器及儲存容量）之情況，與個別製造這些之情況來做 比較，將可實現製造工程之簡單化，或製造成本之低廉化 ，另外，如根據有關本型態之構造’將可由小面積來形成 -12- 1235974 (10) 有效率之電容器。 關聯於此，在具備前述電容器電極用配線之型態之中 係前述電容器電極用配線及前述資料線係針對在製造工程 階段，作爲在同一機會來形成之構成即可。 如根據如此之構成，因作爲同一膜來形成電容器電極 用配線及電容器，故與個別製造這些之情況來作比較，將 可實現製造工程之簡單化，或製造成本之低廉化等。 然而，如根據擁有合倂如此之構成與，在同一機會形 成前述電容器及儲存容量型態之態樣，當然可得到更有效 之前述之作用效果。 如此，在在同一機會形成電容器或其關聯之構成與畫 像顯示範圍側之構成（例如：儲存容量，資料線）之型態之 中係更加具備接續於前述資料線及前述導電層之迂迴層， 而該迂迴層係針對在前述掃描線與製造工程階段，作爲在 同一機會形成之構成即可。 如根據如此之構成，首先，資料線及導電層間係藉 由廷迴層來接續’即，資料線及導電層係可作爲各自個 別的構件來構成’由此，可將兩者各自作爲由個別材料而 成之情況’例如：資料線係可由鋁，而資料線係可由聚 砂而成等’但，爲了將構成前述儲存容量之一對電極之至 少一方構成之材料係以爲了使作爲該儲存容量之性能充分 發揮等其他固有目的所選定之情況則爲通常情況，例如， 爲了使該一對電極之至少一方，作爲防止對畫素切換用之 搏膜電晶體之光射入的上側遮光膜亦發揮功能，進行由比 -13- (11) 1235974 較來說光吸收性優越之聚矽來構成之情況。 在如以上之情況之中係例如資料線本身之一部 於構成有關本發明之電容器之電極的情況，在同一 形成構成儲存容量之一對電極之至少一方與導電層 則更可容易來實現，即，如設置有關本構成之「迂 ，將更可良好實現前述之，針對在製造工程階段在 會下形成電容器之構成與，構成儲存容量之至少 〇 另一方，針對本型態，特別是針對在製造工程 同一機會下形成迂迴層及掃描線，隨之，如根據本 將可更有效果地實現製造工程之簡單化，或製造成 廉化等。 然而，針對本型態，該掃描線係包含構成作 畫素切換用元件之薄膜電晶體之閘道電極即可。 在此型態之中係對於前述資料線之一端側係具 了驅動該資料線之資料線驅動電路，並對於前述資 另一端側係更加具備有爲了檢查前述電容器及該光 動作之檢查電路，而前述檢查電路係作爲藉由前述 與前述迂迴層所接續之構成即可。 如根據如此之構成，將可適當決定爲了接續資 電容器以及檢查電路之配線等之配置，例如可採用 間絕緣膜於迂迴層上來設置電容器之同時，作爲該 上方或與該電容器同一層來各自形成資料線及檢查 身以及接續於此之配線，而對於迂迴層及資料線間 份比較 機會下 之型態 迴層」 同一機 一部份 階段在 構成， 本之低 爲前述 備有爲 料線之 電裝置 資料線 料線， 夾合層 電容器 電路本 ，以及 -14 - 1235974 (12) 迂迴層及前述配線間係形成爲了接續兩著各自之接觸孔等 之型態，而此情況’關於電容器之之設置，特別不將需要 面積，更可適合實現各種要素之配置。 在本發明之光電裝置之其他型態之中係爲了成爲前述 導電層之前述第1電極之部位係形成比前述資料線還寬幅 度。 如根據如此之構成，將可謀求電容器之容量値之增加 ，隨之，如根據本型態，將可更良好地實現資料線週邊之 容量的確保，並增加於前述所訴，將可減低產生針對畫訴 電及之電位變動之可能性，且可顯示更高畫質之畫像情況 〇 然而，對於爲了更可有效地享受上述之作用效果係加 上於本型態，當然想定爲了成爲前述其他導電層之前述另 一方電極之部位係形成比前述資料線還寬幅度之情況。 在本發明之光電裝置之其他型態之中係前述資料線係 存在有複數條，而這些複數條之資料線係暫時區分爲作爲 畫像信號之供給對象的複數之組群。 如根據如此之構成，例如可將變換串並行一個畫像信 號之結果時之，由複數個而成之畫像信號一舉供給至資料 線，當根據此時，將可有效進行畫像信號之配信，但，針 對此情況係關於安置在暫時區分爲作爲畫像信號之供給對 象的「組群」兩端之資料線係容易出現沿著該資料線之畫 像上之顯示不均，另外，該顯示不均係因以組單位所出現 ，故容易辨識到，也就是，畫像品質地下容易由肉眼所辨 -15- 1235974 (13) 識到之缺點，然而，針對此情況「容易出現」顯示不均之 情況係指對於位置在前述組群兩端之資料線係由於相鄰接 於此，而沒有供給之畫像信號之資料線存在，這兩資料線 與畫素電極之相互關係則作出使顯示不均容易發生之狀況 〇 然而，針對在本發明係如上述，根據對於資料線附設 電容器之狀況，即使採用如上述所述之畫像信號之供給型 態亦不會特別產生問題，換言之，針對在採用如上述所述 之畫像信號之供給型態係比較於並不採用其型態之情況亦 可說是提高有關本發明之電容器的存在意義。 然而，「暫時作爲畫像信號之供給對象的資料線組群 」係指該畫像信號因應由幾個並聯信號而成來決定，例如 ，如想定此畫像信號將串聯信號串並行變換成爲6個並聯 信號之構成，前述資料線之「組群」係可想定由相鄰接之 6條資料線而成之組群。 本發明之光電裝置之製造方法係爲了解決上述課題， 製造於基板上具備延伸於一定方向之資料線，交差於該資 料線地延伸之掃描線，因應該掃描線及前述資料線之交差 範圍地來配置之畫素電極及薄膜電晶體，接續於該畫素電 極及薄膜電晶體之儲存容量，以及接續或延設於前述資料 線之電容器的光電裝置的光電裝置之製造方法，其中包含 作爲同一膜來形成構成前述電容器之構件的至少一部份與 ， 構成前述儲存容量之構件的至少一部份之同時製造工 程。 - 16- (14) 1235974 如根據本發明之光電裝置之製造方法，將可比較容易 形成上述之本發明的光電裝置，並且，在本發明之中，特 別是由包含作爲同一膜來形成構成前述電容器之構件的至 少一部份與，構成前述儲存容量之構件的至少一部份之 同時製造工程，將可謀求製造工程之簡單化，或製造成本 之低廉化等。 在本發明之光電裝置之製造方法的一型態之中，前述 儲存容量係由接續於前述畫素電極及前述薄膜電晶體之畫 素電位側容量電極，對向配置於該畫素電位側容量電極之 固定電位側容量電極，夾合在這兩電極之第1絕緣膜而成 ，而前述電容器係由接續或延設於前述資料線之導電層， 對向配置於該導電層之其他導電層，夾合在這兩層之第 2絕緣膜而成，並前述同時製造工程係至少包含作爲同一 膜來形成前述畫素電位側容量電極及前述導電層之工程， 作爲同一膜來形成前述固定電位側容量電極及前述其他導 電層之工程及作爲同一膜來形成前述第1絕緣膜及前述第 2絕緣膜之工程之中至少一個工程。 如根據此型態，前述同時製造工程則作爲同一膜來形 成畫素電位側容量電極及導電層，固定電位側容量電極 及其他導電層，以及第1絕緣膜及第2絕緣膜之至少一組 之情況，隨之，將可謀求因應此之部分的製造工程之簡單 化，或製造成本之低廉化等。 本發明之光電裝置之製造方法之其他型態之中，於前 述同時製造工程之前，包含作爲同一膜來形成構成前述薄 -17 - 1235974 (15) 膜電晶體之閘道電極與迂迴層之工程，並包 續前述迂迴層與前述資料線之接觸孔之工程 了接續前述迂迴層與前述導電層之接觸孔之 如根據此型態，於前述同時製造工程 迂迴層之同時，該迂迴層係以電接續前述資 電層，將可比較容易製造前述本發明之光電 態之中具備迂迴層之光電裝置，並且，在本 別是由作爲同一膜來形成構成薄膜電晶體之 迴層，將可更有效地得到製造工程之簡單化 之低廉化等之作用效果。 然而，針對在本型態係與形成閘道電極 含該閘道電極地形成掃描線。 另外，針對在本型態，由於閘道電極 成在前述同時製造工程之前，故該閘道電極 爲形成在儲存容量及電容器之下方。 本發明之光電裝置之製造方法之其他3 前述同時製造工程之後，包含作爲同一膜來 線與延伸在交差於該資料線之方向的電容器 工程與，爲了接續前述電容器電極用配線 電層之接觸孔之工程。 如根據此型態，由形成電容器電極用 該電容器電極用配線係以電接續前述其他導 較容易製造前述本發明之光電裝置之各種型 容器電極用配線之光電裝置，並且，在本型 含形成爲了接 :與，形成爲 工程。 之前，由形成 料線及前述導 裝置之各種型 型態之中，特 閘道電極及迂 ，或製造成本 之同時亦可包 及迂迴層係形 及迂迴層係成 !態之中，於 形成前述資料 電極用配線之 與前述其他導 配線之同時， 電層，將可比 態之中具備電 態之中，特別 -18- 1235974 (16) 是由作爲同一膜來形成該電容器電極用配線及前述資料線 ，將可更有效地得到製造工程之簡單化，或製造成本之低 廉化等之作用效果。 然而，針對在本型態，由於資料線及電容器電極用 配線係形成在前述同時製造工程之後，故該資料線及電容 器電極用配線係成爲形成在儲存容量及電容器之上方。 在此型態之中，特別是該光電裝置係更加具備檢查電 路，並作爲包含作爲同一膜來形成接續在前述檢查電路之 配線與前述資料線及前述電容器電極用配線之工程與， 爲了接續前述配線與前述迂迴層之接觸孔之工程即可。 如根據此型態，由於作爲同一膜來形成接續於檢查 電路之配線與資料線及電容器電極用配線之情況，將可更 有效地得到製造工程之簡單化，或製造成本之低廉化等之 作用效果，另外，如根據本構成，迂迴層將可對於與資料 線及前述配線之接續完成很大之作用，並適當實現構成由 有關本發明之製造方法所製造之光電裝置之各種要素之配 置。 本發明之電子機器係爲了解決上述課題，由具備上述 之本發明之光電裝置（但，包含其各種型態）而成。 如根據本發明之電子機器，由於由具備上述之本發明 之光電裝置而成，故根據附設電容器於資料線之情況，將 不會於畫像上發生沿著資料線之顯示不均之情況，將可顯 示高品質畫像之投射型顯示裝置（液晶投影機），液晶電視 ，行動電話，文字處理機，電子手帳，取景型或螢幕直視 -19- (17) 1235974 型之錄影機，工作站’電視電話，P 0 S終端，觸控面板等 之各種電子機器。 本發明之如此之作用及其他益處係從接下來之說明之 實施型態將可了解。 【實施方式】 以下之中，就關於本發明之實施型態來參照圖面進行 說明，而以下之實施型態係本發明之光電裝置適用於液晶 裝置之構成。 首先，關於針對本發明之實施型態之光電裝置的畫 素部之構成，從圖1參照圖3來進行說明，而圖1係爲針 對形成爲構成光電裝置的畫像顯示範圍之矩陣狀之複數畫 素的各種兀件，配線等之等效電路之電路面圖，另外，圖 2係形成資料線，掃描線，畫素電極等之TFT陣列基板之 相鄰接的複數畫素群平面圖，而圖3係爲圖2之A-A’之 剖面圖，然而，針對圖3係爲了在圖面上作爲可辨識各構 件之程度，對於每個該各層.各構件作爲不同尺寸。 針對圖1，對於形成爲構成針對本實施型態之光電裝 置之畫像顯示範圍之矩陣狀的複數畫素係各自形成有畫素 電極9a與爲了切換控制該畫素電極9a之TFT30，並供給 畫素信號之資料線6a則以電氣方式接續於該TFT3 0之源 極，而寫入於資料線6a之畫像信號SI，S2，...Sn係亦可 依此順序線順序地來供給，但在本實施型態之中，特別是 畫像信號S 1，S 2，... S η係被串並行轉換成N個並聯之畫 -20- 1235974 (18) 像信號，再對於從N條並聯之畫像信號1 1 5相鄰接之同 爲N條之資料線6 a，然後可對於每個組群進行供給所構 成著。 對於爲畫像顯示範圍外之週邊範圍係資料線6 a之一 端（在圖1中之下方）則被接續在構成抽樣電路301之切換 用電路元件2 0 2 ’而作爲此切換用電路元件係如圖示，可 爲η通道行之TFT，亦可爲p通道行之TFT，另外可爲相 輔型等之TFT(以下，將圖1所示之該切換用電路元件2〇2 稱作[TFT2 02])，而此情況，對於此TFT2 02之汲極係藉由 引出配線2 0 6來接續前述資料線6 a之圖1中下端，而該 TFT202之源極係藉由引出配線116來接續畫像信號115 之同時，對於該TFT2 02之閘道係接續接續於資料線驅動 電路1 〇 1之抽樣電路驅動信號線1 1 4，並且，畫像信號 1 15上之畫像信號SI，S2，...Sn係因應從資料線驅動電 路1 〇 1經由抽樣電路驅動信號線1 1 4供給抽樣信號之情況 ，再根據抽樣電路3 01所抽樣，然後供給至各資料線6a 地構成著。 如此，寫入於資料線6 a之畫像信號S 1，S 2，…S η係 亦可由此順序線順序地進行供給，而亦可對於同爲相鄰接 之複數資料線6a， 對於每個組群進行供給，而在本實施 型態之中，如圖1所示，將6條資料線6 a作爲1組，然 後對於這些來暫時供給畫像信號。 但在本實施型態之中，特別是對於這些資料線6 a之 另一端（在圖1中之上端）係如圖1所適地附設有電容器 -21 - 1235974 (19) 5 01，而此電容器501係將接續於資料線6a或從該資料線 6 a所延設之導電層（後述之桌1導電層5 1 1及參照圖4)作 爲第1電極，而接續於將延伸於交差在資料線6a之方向 ，並維持爲固定電爲之電容器電極用配線5 0 3或從該電容 器電極用配線5 0 3所延設之其他導電層（後述之第2導電 層5 1 2及參照圖4)作爲另一方電極之同時，夾合絕緣膜 於這些之間所構成，而對於電容器5 0 1係成爲儲存對於各 資料線6 a供給畫像信號S 1，S 2，…S η時，因應對應各 自之電位與電容器電極用配線503之固定電位的差之電荷 ，由此，針對資料線6a週邊的容量係被適當地確保，並 可控制針對該資料線6 a之不定之電壓，進而可控制針對 畫素電極9 a之電位變動，且因而可將於畫面上產生沿著 資料線6 a之顯示不均等之情況防範於未然，然而關於電 容器5 0 1之更實際的構成係在後重新進行敘述。 另外，對於TFT30之閘道以電接續掃描線3a，並以 規定的時機，由脈衝方式將掃描信號G 1，G2，... Gm以此 順序線順序施加於掃描線3 a地構成著，而畫素電極9 a係 以電接續於 TFT30之汲極，並根據將爲切換元件之 TFT3 0只在一定期間關閉其開關之情況，以規定的時機寫 入從資料線6a所供給的畫像信號SI，S2，...Sn。 藉由畫素電極9a來寫入於作爲光電物質之一例的液 晶之規定等級之畫像信號SI，S2，...Sn係被一定期間維 持在與形成在對向基板之對向電極之間，而液晶係根據由 所施加電壓等級，分子集合的配向或秩序產生變化之情況 -22- (20) 1235974 ，進行光的調製，並可進行等級顯示，而如爲正常 ，因應由各畫素之單位所施加之電壓來對於入射光 率則將減少，而如爲正常黑模式，因應由各畫素 所施加之電壓來對於入射光之透過率則將增加，並 全體之光電裝置係擁有因應畫像信號之對比的光貝1」 〇 爲了防止在此所維持之畫像信號產生泄漏之情 與形成在畫素電極9a與對向電極之間的液晶容量 附加儲存容量7 〇，而此儲存容量7 〇係並列設置於 3a，並包含固定電位測容量電極之同時包含固定爲 之容量線3 00。 以下之中，關於根據上述資料線6a， 掃描| TFT30等，實現如上述之電路動作之光電裝置之實 ，參照圖2及圖3來進行說明。 首先，有關本實施型態之光電裝置係如成爲S A-A’之線剖面圖之圖3所示，具備有透明之TFT 板1 〇與，對向配置於此之透明之對向基板2 0，而 列基板1 〇係例如由石英基板，玻璃基板，矽基板 且對向基板2 0係例如由玻璃基板或石英基板而成。 對於TFT陣列基板1 0係如圖3所示，設置有 極 9a，並於其上測係設置有施以平膜處理等之規 處理之配向膜1 6，而這之中畫素電極 9a係> ITO(Indium Tin Oxide)膜等之透明導電性膜而成， ，對於對向基板20係跨過其全面設置對向電極2 1 白模式 之透過 之單位 從作爲 將射出 況，將 並列地 掃描線 定電位 泉3 a， 際構成 S 2之 陣列基 TFT陣 而成， 畫素電 定配向 列如由 另一方 ，並於 -23- (21) 1235974 其下側係施以平膜處理等之規定配向處理之配向膜2 2， 而這之中對向電極2 1係與上述畫素電極9 a相同，例如 由ITO膜等之透明導電性膜而成，另前述配向膜丨6及22 係例如由聚 亞胺膜等之透明之有機膜而成，而如此，對 於所配置之TFT陣列基板1 0與對向基板20之間係封入 液晶等之光電物質至由後述之封合材（參照圖1 4及圖1 5 ) 所包圍之空間，而形成液晶層5 0， 液晶層5 0係在無施 加從畫素電極9 a之電場的狀態，由配向膜1 6及2 2得到 規定之配向狀態，而液晶層5 0係例如由混合一種或複數 種絲狀液晶之光電物質而成，而封合材係爲爲了在這些週 邊貼合TFT陣列基板1 0及對向基板20之例如由光硬化 性樹酯或熱硬化性樹酯而成之接著劑，並混入爲了將兩基 板間之距離作爲規定値之玻璃纖維或玻璃珠等之襯墼。 另一方面，針對圖2，前述畫素電極9a係於TFT陣 列基板1 〇上複數設製成矩陣狀（由點線9 a，表示輪廓），並 各自沿著畫素電極9 a之縱橫邊界來設置資料線6 a及掃描 線3 a，而資料線6 a係如由鋁膜等金屬或合金膜而成，而 掃描線3 a係例如由導電性聚矽膜而成，另外，掃描線 3 a係對向於在半導體層1 a之中圖中右上斜線範圍所示之 通道範圍1 a ’地來配置著，並該掃描線3 a係作爲閘道電極 來發揮機能，即，對於掃描線3a與資料線6a之交差處係 各自設置作爲閘道電極對向配置掃描線3 a主線部於通道 範圍]a’之畫素切換用之TFT30。 TFT30 係如圖 3 所示，具有 LDD(Lightly Doped -24- 1235974 (22)

Drain)構造，並作爲其構成要素係如上述所述，具備作爲 閘道電極來發揮機能之掃描線3 a，例如根據從由聚砂膜 而成之掃描線3 a之電場形成通道之半導體層1 a之通道範 圍1 a’，包含絕緣掃描線3a與半導體層1 a之閘道絕緣膜 之絕緣fe 2，針對半導體層1 a之低濃度源極範圍1 b及低 濃度汲極範圍1 c以及高濃度源極範圍1 d及高濃度汲極範 圍1 e。 然而，理想的TFT30係如圖3所適具有LDD構造 ，但，亦可具有不進行打入不 物於低濃度源極範圍I b 及低濃度汲極範圍1 C之偏移構造，亦可爲自我整合地形 成高濃度源極範圍及高濃度汲極範圍之自調整型之TFT， 另外，在本實施型態之中係將畫素切換用TFT3 0之閘道 電極作爲只配置1個於高濃度源極範圍1 d及高濃度汲極 範圍1 d之間的單閘道構造，但，亦可配置2個以上之閘 道電極於這些之間，如此，如由雙閘或三閘以上來構成 TFT，將可防止通道與，源極及汲極範圍之接合部之泄漏 電流，並可減低關閉時之電流，更加地，構成T F T 3 0之 半導體層1 a係可爲非單結晶層亦可爲單結晶層，而對於 單結晶層之形成係可採用貼合法等之眾知方法，而由將半 導體層1 a作爲單結晶層之情況，特別是可謀求週邊電路 之高性能化。 另一方面，針對圖3，儲存容量7 0則根據藉由誘電 體模75所對向配置之情況行程作爲接續在TFT30之高濃 度汲極範圍I e及畫素電極9a之畫素電位側容量電極的中 - 25- (23) 1235974 繼層7 1與，作爲固定電位側容量電極之容量線3 00的一 部份，而如根據此儲存容量7 Q，講可顯著提昇針對畫素 電極9 a之電位維持特性。 中繼層7 1係例如由導電性聚矽膜而成，並作爲畫素 電位側容量電極來發揮機能，但，中繼層7 1係與後述 之容量線3 00相同地，亦可由包含金屬或合金之單一層膜 ，或者多層膜所構成，而中繼層7 1係除了作爲畫素電位 側容量電極之機能外，亦具有藉由接觸孔8 3及8 5來將畫 素電極9a與TFT30之高濃度汲極範圍le作爲中繼接續之 機能。 容量線300係由包含金屬或合金之導電膜而成，並作 爲固定電位側容量電極來發揮機能，而此容量線3 00係從 平面上來看，如圖2所示重疊行程於掃描線3 a之形成範 圍，更具體來說，容量線3 0 0係具備有沿著掃描線3 a延 伸之主線部與，圖中，從與資料線6 a交差之各處沿著資 料線6a來各自突出於上方之突出部與，僅束住因應接觸 孔8 5各處束部，而此之中，突出部係利用掃描線3 a上 之範圍及資料線6 a下之範圍來貢獻於儲存容量7 0之形成 範圍之增加，另外，理想之容量線3 00係從配置畫素電 極9 a之畫像顯示範圍1 〇 a延設至其周圍，並與定電位以 電接續來作爲固定電位’而作爲如此之定電位源係可爲供 給至資料線驅動電路1 0 1之正電源或負電源之定電位源， 亦可爲供給至對向基板2 0之對向電極2 1的定電位。 誘電體膜75係如圖3所示，例如由膜厚5〜2〇〇 nm程 -26- 1235974 (24) 度之比較來說較薄之 HTO(High Temperature 〇xide)， LTO(Lo w T e m p e ι· a t u r e 0 x i d e )膜等之氧化矽膜，或者氮化 矽膜等所構成，而從使儲存容量70增加之觀點係針對只 要充分得到膜之信賴性，誘電體膜7 5係爲薄程度即可 〇 針對圖2及圖3係除了上述之外，於TFT30之下側 設置有下側遮光膜1 1 a，而下側遮光膜1 1 a係作爲格子狀 圖案，並由此規定各畫素之開口範圍’然而，開口範圍 之規定係亦可根據圖2中之資料線6 a與，欲交差於此所 形成之容量線3 00所構成，另外，關於下側遮光膜〗丨a亦 與前述容量線3 0 0之情況相同地，爲了避免其電位變動對 於TFT30產生不良影響，從畫像顯示範圍延設其周圍接 續於定電位源即可。 另外’對於TFT30下係設置有下地絕緣膜12，而下 地絕緣膜1 2係從下側遮光膜丨丨a，將τ F τ 3 〇作爲層間絕 緣之機能外，亦根據形成在TF Τ陣列基板1 〇之全面的情 況’具有防止由針對T F Τ陣列基板1 〇之表面硏磨時之粗 糙或洗淨後殘留之污垢等所產生之畫素切換用之T F Τ 3 0 之特性變化的機能。 加上’對於掃描線3 a上係形成有各自將通過於高濃 度源極範圍id之接觸孔81及通過於高濃度汲極範圍le 之接觸孔8 3進行開孔之第1層間絕緣膜* 1。 對於第1層間絕緣膜4 1係形成有中繼層7】及容量線 3 0 0 ’並對於追些上方係形成有各自將通過於高濃度源極 -27- (25) 1235974 範圍1 d之接觸孔8 1及通過於中繼層7 1之接觸孔8 5進行 開孔之第2層間絕緣膜4 2。 然而，在本實施型態之中，對於第1層間絕緣膜4 1 係亦可根據進行]0 0 0 □之燒成的情況，謀求注入至構成半 導體層1 a或掃描線3 a之聚矽膜之離子的活性化，另一方 面，對於第2層間絕緣膜4 2係亦可根據沒有進行如此之 燒成狀況，謀求產生於容量線3 0 0之界面附近之應力的緩 和。 又，加上，對於第2層間絕緣膜4 2係形成有資料線 6a，並對於這些上方係形成有形成通過於中繼層7 ；[之接 觸孔8 5的第3層間絕緣膜4 3。 第33層間絕緣膜43之表面係根據CMP(Chemical Mechanical Polishing)處理等所平坦化，並減低因根據存 在於其下方之各種配線或元件等之段差原因之液晶層5 0 之配向不良。 但，如此，替代於對於第3 3層間絕緣膜4 3 3施以平 坦化處理’另外加上，對於第1層間絕緣膜4 1及第2層 間絕緣膜42之中至少一個來掘溝，然後根據埋入資料線 6a等之配線或TFT30之情況，進行平坦化處理也可以。 (關於附設於資料線6 a之電容器之構成） 在以下，針對本實施型態，關於特徵之關於附設於資 料線6 a之電容器5 01之構成，來參照圖4乃至圖6作更 詳細之說明，而在此圖4係爲表示有關本實施型態之電容 -28- (26) 1235974 器平面圖，圖5係爲圖4之B-B’之剖面圖，圖6係槪 念表示圖4及圖5所示之電容器與其周圍其他要素之配置 關係斜視圖，然而，針對圖5及圖係爲了可在圖面上辨識 各層.各構件之程度大小，對於每個各層·各構件做不同之 尺寸，另外，圖6之中係爲了將表示電容器之配置關係 作爲主要目的，例如關於針對誘電體膜7 5或各層間絕緣 膜等圖5所示之幾個要素，省略其圖示。 關於本實施型態，電容器5 0 1係設置在畫像顯示範 圍1 Oa外，且資料線6a之上端側，然而，對於資料線6a 之下端側係接續著抽樣電路3 0 1及資料線驅動電路1 0 1 ( 針對圖4不圖示，參照圖1 )。 更爲詳細係此電容器係將接續於資料線6a之第1導 電層5 1 1作爲第1電極，而將延伸於交差在資料線6a， 並接續於維持爲固定電爲之電容器電極用配線5 03之第2 導電層512作爲另一方之電極之同時，夾合誘電體膜75 於這些之間所構成著。 其中，首先，第1導電層51]係如圖5及圖6所示 ，形成在第1層間絕緣膜4 1上，即，如將圖5與圖3作 對比時可了解到，該第1導電層5 1 1係與構成儲存容量 70之中繼層7 1作爲同一膜所構成。 另外，此第1導電層5 1 1係藉由接觸孔5 8 1極5 82， 並且迂迴層5 2 0來與資料線6 a相互接續，而在此接觸孔 5 8 1係爲貫通第1層間絕緣膜4 1及第2層間絕緣膜42來 進行開孔之構成，而接觸孔5 8 2係開孔在第]層間絕緣膜 -29- (27) 1235974 4 1之構成，另外，迂迴層5 2 0係形成於下地絕緣膜1 2上 之構成，並，如將圖5與圖3作對比時可了解到，與掃描 線3a作爲同一膜所構成著，由此，第1導電層5 20係具 有與資料線6a相同之電位。 更加地，對於此迂迴層係藉由接觸孔5 8 3來接續檢查 電路用配線6 0 a，而此檢查電路用配線6 0 a係與資料線6 a 作爲同一膜所構成著，，而對於檢查電路甩配線60a之前 端係如圖4所示，接續著檢查電路7 01，並該檢查電路 7〇1係成爲包含複數TFT702之構成，另外，對此TFT702 係不同於前述檢查電路用配線60a，接續配線703。 另一方面，第2導電層512係如圖5與圖6所示， 於形成在第1導電層511之誘電體膜75上與該第]導電 層5 1 1對向地形成著，而此第2導電層5 1 2係於形成在第 2導電層512之電容器電極用配線5 0 3，藉由接觸孔584 所接續著。 在此電容器電極用配線5 03係與延伸於交差在資料線 6a之資料線6a作爲同一膜所構成著，，即，資料線6a 如上述所述，針對包含鋁來形成之情況係，電容器電極 用配線5 03亦另外含鋁來形成，如此，電容器電極用配 線5 03如包含鋁等之低電阻材料所形成，將無其配線延遲 等之問題。 然而，這些第1導電層51 1及電容器電極用配線503 與，前述之檢查電路用配線6 0 a三者係如圖5所示，作爲 同一膜所形成。 -30 - (28) 1235974 另外，此電容器電極用配線5 Ο 3係根據接續於爲了 給固定電位至對向電極2 1之定電位源（適合本發明所述 「第1電源」），或爲了供給固定電位至資料線驅動電 1 〇 ]或掃描線驅動電路】〇 4 ζ定電位源（適合本發明所 之「第2電源」）之情況（無圖示），而被作爲固定電位 由此，第2導電層5 1 2亦另外被作爲固定電位。 針對本實施型態’如此’對於爲了將電容器電極用 線5 03乃至第2導電層512作爲固定電位係可利用爲了 向電極2〗作爲固定電位之電源，或者爲了將供給至資 線驅動電路或掃描線驅動電路之固定電位進行供給之電 的任合一項，不管如何’爲了該電容器電極用配線503 至第2導電層5 1 2，因特別無需要設置電源，故可實現 置構成之簡單化。 在最後，成爲該電容器501之絕緣層之誘電體膜 係從其名稱及符號可了解到，與前述之儲存容量7 0之 電體膜7 5爲同一之構成，即，誘電體膜7 5係成爲針 在電容器501及儲存容量70所共用之形式。 針對成爲如此構成的光電裝置係將得到如接下所述 作用效果，第一，根據附設電容器5 0 1於資料線6 a之 況，將可防止沿著針對如以往所看到之畫像上的資料 6 a之顯示不均等之發生，而此係根據電容器5 0 1之存 ，並由可適當地確保資料線6a週邊的容量之情況，將 控制針對該資料線6 a之電位變動，進而可控制因而產 之針對畫素電極9a之電位變動。 供 之 路 述 配 將 料 源 乃 裝 75 誘 對 之 情 線 在 可 生 -31 - (29) 1235974 順帶說明，如此之作用效果係將對於資料線6 a之畫 像信號之供給，對相鄰接之複數資料線6 a，針對同時進 行之情況，將可更有效地享受到效果，但如前述之前述顯 示不均卻針對如此之情況更明顯出現，乃至容易辨識到， 而以下，將如此之情況，參照圖7來進行說明，，在此圖 7係以圖示表示供給畫像信號於資料線樣子之斜視圖，然 而針對圖7係並無圖示本來應所適之接觸孔等，而只表示 成爲爲了說明有關於本實施型態之主要作用效果之需要最 小限構成之資料線6a及畫素電極9a。 針對此圖7，在有關本實施型態之光電裝置之中係供 給至資料線6 a之畫像信號則由根據串並形轉換1條之串 聯信號之情況所得到之6條並聯信號而成，也就是，畫像 信號之供給係對於由6條資料線6 a而成之每個組群同時 進行，而如此之畫像信號之供給方法的情況，關於屬於相 鄰接在目前接受該畫像信號之供給之供給組群60 1 G之非 供給組群6 0 2 G的資料線6 a係當然沒有進行畫像信號之供 給’然而’針對在圖7係表示被塗黑之資料線6 a則爲目 前接受該畫像信號之供給的資料線，而並不是如此之畫素 電極則爲爲沒有接受畫像信號之供給的資料線（針對此圖 接下來之階段係例如供給畫像信號至針對在供給組群 6 0 1 G之右鄰（或左鄰）之非供給組群6 〇 2 G之6條資料線 6a) 〇 在此’當者眼在供給組群6 0 1 G時，對於因應位置在 0中最左端之資料線6 a !與因應位置在圖中最右端之資料 -32- (30) 1235974 線6 a2之畫素電極9a(參照圖7中符號9〗）係一般爲笔 生電位變動之狀況，即，該資料線6a!及6a2週邊容 如由該資料線之配線容量，或者該資料線與其他配結 向電極之重疊，所產生之容量）當爲相當小時，根據 抽樣電路301之TFT2 02之閘道·汲極間的寄生容量之 ’而馬入至該資料線6 a ;及6 a 2之畫像信號電位之指 則由變爲更大之情況，針對這些資料線6ai及6a2之 變動則將變大，如此將招致欲因應這些資料線6ai J 所配列之畫素電極9 a之電位變動，其結果，將於畫 出現沿著該資料線6 a !及6 a 2之顯示不均。 更具體來說，如以下，即，將寫入於資料線6a 像信號電位之推下量，作爲△ V時， 有著成爲△V = Z\Vd*(CGD/(CGD + CST))之關係， 此’ △ V d係表不針封貧料線6 a】及6 a 2之電位變化 CGD係表不構成抽樣電路3〇1之TFT202之聞道汲 的寄生容量，C S T係表示由資料線與其他配線及對 極之重疊，所產生之寄生容量，而從這個式子了解到 小資料線6a]及6k之寬度，即，將縮小容量CST時 寄生容量CGD之影響將變大，故推下量係將會 另外，對於資料線6ai及6^係由存在有欲相鄰 這些地無供給畫像信號之資料線6a(即，位置在圖7 料線6a]左鄰之資料線6a及位置在資料線右鄰之 線6a)之情況，對於該資料線6a與畫素電極9a之間 ^易發 量（例 丨及對 構成 .影響 :下量 電位 ：6 a2 像上 之畫 而在 量， 極間 向電 ，縮 ，因 變大 接於 中資 資料 係將 -33- 1235974 (31) 產生不可忽視之寄生容囊，而即使根據此，針對在表示在 圖7中符號91之畫素戆極亦可發生容易產生電位變動 之狀況。 從如以上之情況，結果，對於該畫素電極9 a係成爲 沒有施加正確因應畫像信號之電場之情況，因此，對於如 圖7之情況係由幾乎沿著資料線6a!及6a2之形式，將於 畫像上出現顯不不均之不良情況，並且，如此例，對於因 應每6條之資料線6a所顯示顯示不均之情況係容易辨識 在畫面上’而可以說是事態更爲嚴重。 然而’針對在本實施型態係如圖4乃至圖所示，對於 資料線6 a係設置有電容器5 0丨，隨之，在圖7之中係將 控制針對在屬於供給組群6 0 1 G之資料線6 a，位置在分爲 兩端之資料線6 a!及6 a2之電位的變動，並因而起因之畫 素電極9 a之電位變動係將幾乎不會發生。 如以上，如根據本實施型態之光電裝置，將可極力控 制如以往所看到之沿著資料線6a之顯示不均的發生。 另外，第二，有關本實施型態之電容器5 0 1係從圖5 及圖3之對比了解到，與構成儲存容量7 0之構件，針對 在製造工程階段，形成於同一機會，具體來說，亦如在上 所述，第1導電層511係與中繼層71，而第2導電層512 係與容量線3 0 0，各自作爲同一膜所形成，並且，誘電體 膜75係由電容器501與儲存容量70所共用，而在本實施 型態之中，更加地，掃描線3 a與迂迴層5 2 0則作爲同一 膜所形成，並資料線6a， 電容器電極用配線5 0 3及檢查 -34- (32) 1235974 電路用配線6 0 a則作爲同一膜所形成。 如此，針對本實施型態’電容器及關連於此之構成係 因與形成在畫像顯示範圍內之構成（掃描線3 a，及資料線 6a， 儲存容量 7 〇 )同時形成，故可謀求製造工程之簡單 化.或者製造成本之低廉化。 另外，第三，針對本實施型態係將資料線6a作爲中 心，由成爲於其一端接續抽樣電路3 Ο 1及資料線驅動電路 101等，而於另一端接續電容器50〗及檢查電路701之型 態之情況，這些各種構成要素之配置關係則爲適合，特別 是此情況，供給電位於構成電容器5 0 1之第1導電層5 1 1 之情況係因爲爲對於連接至資料線6a之畫素電極9a的電 位供給之後，故無蒙受該電容器5 0 1界在於途中之情況所 產生之不良影響之虞，加上，針對本實施型態係資料線 6 a及檢查電路7 0 1之接續係因藉由迂迴層5 2 0所進行， 故可不需勉強切大面積來實現這些與電容器501等之配置 關係之決定（參照圖5)。 然而，針對上述，電容器5 01係如圖4等所示，作 爲一對電極來具備具有與資料線6a略相同之寬度之第1 導電層511係與第2導電層512地構成著，但，本發明並 不限定於如此之型態，例如與圖4相同意思，如圖8所示 5 亦可構成作爲一對電極來具備具有比資料線6 a還寬之 第1導電層511A係與第2導電層512A之電容器501A， 而如根據如此型態，比較於上述之實施型態，其電極面積 則變爲更大，相對其容量値則將大增，或者，因即使 γ -35- 1235974 (33) 方向之距離縮小亦可有效確保容量，故可將光電裝置小型 化，隨之，如根據如此之型態，更可適當地確保資料線 6 a周圍之容量，並加上上述所述，可降低因針對資料線 6a及畫素電極9a之電位變動之危險性而引起之針對沿著 資料線6a之畫像上的顯示不均發生之危險性。 另外，針對上述，電容器5 01係作爲一對電極來具 備第1導電層5 1 1係與第2導電層5 1 2地構成著，但，本 發明並不限定於如此之型態之構成。 例如與圖4相同意思，如圖9所示，亦可由延設資料 線 6 a其本身來形成導電層5 1 1 E之情況，形成電容器 501E，此情況，該導電層51 1E及檢查電路用配線6〇Ae 係與資料線6a相同材料而成，並外觀上，作爲與該資料 線6 a無明顯區別之材料所形成，換言之，該導電層5 1 1 E 係資料線6a —部分可視爲構成有關本發明[電容器]之第1 電極，另外，針對此情況係未必設置迂迴層5 2 0 (參照圖9 之虛線）。 另外’將圖9所不之型態更往前看，如圖1 〇所示， 電容器電極用配線5 03 E其本身亦可作爲擔任作爲前述所 述之第2導電層5 1 2之作用型態，而針對此情況，導電 層5 1 2係與電容器電極用配線5 0 3 E相同材料而成，並外 觀上’作爲與該電容器電極用配線5 0 3 E無明顯區別之材 料所形成，換言之，該導電層512E係電容器電極用配線 5 0 3 E —部分可視爲構成有關本發明[電容器]之另一方電極 -36- (34) 1235974 (光電裝置之製造方法） 在以下之中，關於有關本實施型態之光電裝置製造方 法’參照圖1 1乃至圖1 3來進行說明，在此圖1 1乃至圖 1 3係將針對製造處理之各工程的光電裝置之堆積構造， 就關於圖5之剖面圖（圖中左方）及圖3之剖面圖之中，有 關半導體層la附近部份（圖中右方）依序表示之工程圖。 首先’如圖1 1之工程（1 )所不，準備石英基板，硬玻 璃’矽基板等之TFT陣列基板10，在此，理想係在N2 (氮 素）等之不活性氣體環境下以9 0 0〜1 3 0 0 □之高溫進行退火 處理’並由之後所實施之高溫處理減少對於TFT陣列基 板1 〇產生之偏移地進行前處理，接著，有關如此所處理 之TFT陣列基板1 〇之畫像顯示範圍內，將Ti，Cr，W， Ta ’ Mo等之金屬或金屬矽化物等之金屬合金膜，根據濺 射法形成100〜5 00nm程度，而理想係2 00nm膜厚之遮光 膜’並且，由微縮述及蝕刻法，形成平面形狀爲格子狀之 遮光膜Π a，接著，於下側遮光膜1 1 a上，例如根據常壓 或減壓CVD法等，利用TEOS氣體，TEB氣體，TMOP氣 體等來形成由 NSG，PSG，BSG，BPSG等之矽酸鹽玻璃 膜，氮化矽膜或氧化矽膜等而成之下地絕緣膜1 2，而此 下地絕緣膜12係例如作爲5 00〜2000nm程度，另外該下 地絕緣膜]2係形成於畫像顯示範圍內外雙方。 接著，於針對在晝像顯示範圍內之下地絕緣膜1 2上 ，在約4 5 0〜5 5 0 °C，理想係約5 00 °C之比較低溫環境，根 據採用流量約4 00〜600cC/min之甲硅烷氣體，乙硅烷氣體 -37- (35) 1235974 之減壓c V D (例如’壓力約2 0〜4 〇 p a之c V D )，形成非晶 質矽膜，之後，在氮素環境中，根據在6 Ο 0〜7 Ο 0 °C，施以 1〜1 0小時，理想係4〜6小時之退火處理，使p _ s丨（聚矽）膜 固相成長成爲至50〜20 〇nm之厚度，理想係成爲至約 10 Onm之厚度，而作爲使其固相成長的方法係可爲使用 RTA之退火處理’亦可爲採用準分子雷射之雷射退火，此 時，將畫素切換用TFT30因應作爲^通道型或p通道型 來根據注入少量離子等摻雜V族元素或I Π族元素之摻雜 劑也可以，並由微縮述及蝕刻法， 有規定圖案之半導體 層la，接著，根據約900〜130 (TC之高溫，理想係在約 1 00 0 °C之溫度，熱氧化構成TFT 30之半導體層la，並由 此情況，持續此，然後根據由C V D法等，進行熱氧化來 形成下層閘道絕緣膜之情況，形成由一層或多層之高溫氧 化矽膜（HTO膜）或氮化矽膜而成（包含閘道絕緣膜）之絕緣 膜2，其結果，半導體層1 a係成爲約3 0〜1 5 0 n m C厚度 ， 理想係在約3 5〜5 0 n m厚度，而絕緣膜2之厚度係成爲 約2 0〜1 5 0 n m C厚度，理想係在約3 0〜1 0 0 n m厚度。 接著，爲了控制畫素切換用TFT30之臨界値電壓Vth ，於半導體層la之中η通道範圍或p通道範圍，根據預 先所設定的量之離子注入等，摻雜硼等之摻雜劑。 接著，如圖1 1之工程（2)所示，根據減壓CVD法 等，堆積聚矽膜，並更加地熱擴散磷（Ρ)來熱導電化此聚 矽膜，而代替於此熱擴散，亦可採用與聚矽膜之成膜同時 導入 Ρ磷之摻雜矽膜，而此聚矽膜係成爲約]00〜5 00nm -38- (36) 1235974 厚度，理想係在約3 5 Onm厚度，並且由微縮述及蝕刻法 ，包含TFT30之閘道電極部來形成規定圖案之掃描線3a ，此時，針對在本實施型態，特別是與此掃描線3 a之形 成同時，針對在畫像顯示範圍外矽成爲形成迂迴層5 2 0， 即，根據前述之微縮述及蝕刻法，與形成規定圖案之掃描 線3a之同時，作爲同一膜來形成具有規定圖案（參照圖4) 之迂迴層5 20。 接著，關於前述之半導體層1 a，形成低濃度源極範 圍1 b及低濃度汲極範圍1 c以及高濃度源極範圍1 d及高 濃度汲極範圍1 e，而在此係當作爲擁有LDD構造之η通 道型之TFT之情況說明TFT30時，具體來說，首先，爲 了形成低濃度源極範圍1 b及低濃度汲極範圍1 c，將掃描 線3 a(閘道電極）作爲光罩，以低濃度（例如將p離子爲 1〜3*1 013cm2之摻雜量）摻雜P等之V族元素之摻雜劑，由 此，掃描線3 a下之半導體層1 a係成爲通道範圍1 a ’， 而此時掃描線3 a則根據完成光罩之作用情況來自我整合 地形成低濃度源極範圍I b及低濃度汲極範圍1 c，接著， 爲了形成高濃度源極範圍1 d及高濃度汲極範圍1 e，將具 有比掃描線3 a還寬之平面圖案形成成在掃描線3 a上，之 後，以高濃度（例如將P離子爲1〜3*10 15cm2之摻雜量） 摻雜P等之V族元素之摻雜劑。 然而，如此分爲低濃度與高濃度之2階段，不進行摻 雜也可以，例如不進行低濃度之摻雜而作爲偏移構造之 TFT也可以，將掃描線3a(閘道電極）作爲光罩，根據採 -39> (37) 1235974 用P離子.B離子之離子注入技術’作爲自調整型之TFT 也可以，根據此不純物之摻雜，更加將掃描線3 a作爲低 電阻化。 接著，如圖1 ]之工程（3)所示，於掃描線3 a上，例 如根據採用TEOS氣體，TEB氣體，TMOP氣體之常壓 或減壓CVD法等，形成由NSG，PSG，BSG，BPSG等之 矽酸鹽玻璃膜，氮化矽膜或氧化矽膜等而成之第1層間絕 緣膜4 1，而此第1層間絕緣膜4 1之膜厚係例如作爲 5 0 0〜2 0 0 0 n m程度，而在此理想係以 8 0 0 °C之高溫來進行 退火處理，使第1層間絕緣膜4 1之膜質提升。 接著，根據對於第1層間絕緣膜4 1之反應性離子蝕 刻，反應性離子射束蝕刻等之乾蝕刻法，將接觸孔8 3 進行開孔，此時，針對本實施型態係在畫像顯示範圍外 ，欲通過於前述迂迴層5 2 0地亦將接觸孔5 8 3進行開孔。 接著，如圖1 1之工程（4)所示，於第丨層間絕緣膜 41上，將丁卜^，|，丁&，14(3等之金屬或金屬矽化物 等之金屬合金腠’根據濺射法形成〗〇 〇〜5 〇 〇 η ηι程度，並 且由微縮述及蝕刻法，形成具有規定形狀之中繼層7 1， 此時5針對本實施型態，特別是與此中繼層7 1之形成 同時’針對在畫像顯示範圍外係形成第1導電層5 ;i 1，即 ，根據前述之微縮述及蝕刻法，與形成規定圖案之中繼層 71之同時，作爲同一膜來形成具有規定圖案（參照圖4)之 第1導電層5 ] 1。 接著’如圖1 2之工程（5 )所示，根據減壓c v D或等 ‘40- (38) 1235974 離子CVD法等，將由HTO膜，氮化矽膜，TaOx膜而成 之誘電體膜75，形成在中繼層71上，而此誘電體膜75 係與絕緣膜2之情況相同地，亦可由單層膜或多層膜之任 何一種來構成，而一般可根據使用於形成T F T閘道絕緣 膜之各種眾知技術形成之，並且，越將誘電體膜7 5進行 薄化，儲存容量7 〇係變大，故結果以不發生膜破裂之缺 陷之情況爲條件，形成爲膜厚5 0 n m以下之相當薄之絕緣 膜爲有利，而在本實施型態之中，該誘電體膜7 5係不只 中繼層7 1之上方，亦形成於作爲同一膜形成該中繼層7 1 之前述第1導電層5 1 1之情況。 接著，如圖1 2之工程（6)所示，於誘電體膜7 5上 ’將Al，Ti，Cr，W，Ta ’等之金屬合金膜之金屬膜， 根據濺射法形成約1 0 0〜5 0 0 n m程度之膜厚，並且由微縮 述及蝕刻法，形成具有規定形狀之容量線3 0 0，由此，根 據該容量線300與前述之中繼層7]及誘電體膜75來完成 儲存容量7 〇。 並且，本實施型態之中，特別是與此容量線3 〇〇之 形成同時，針對在畫像顯示範圍外係形成第2導電層5 1 2 ，即’根據前述之微縮述及蝕刻法，與形成規定圖案之容 量線3 0 0之同時，作爲同一膜來形成具有規定圖案（參照 圖4)之第2導電層5〗2，由此，本實施型態之中，與前 述完成儲存容量7〇同時，根據第1導電層511， 第2導 電層512及誘電體膜75，電容器501亦另外同時完成。 接著’如圖1 2之工程（7)所示，根據採用TE0S氣 •41 - 1235974 (39) 體等之常壓或減壓CVD法，形成由NSG，PSG，BSG， BPSG等之矽酸鹽玻璃膜，氮化矽膜或氧化矽膜等而成之 第2層間絕緣膜42，而此第2層間絕緣膜42之膜厚係例 如作爲5 00〜1 50〇nm程度，接著，根據對於第2層間絕 緣膜42之反應性離子蝕刻，反應性離子射束蝕刻等之 乾蝕刻法，將接觸孔.8 1進行開孔，此時，針對本實施 型態係在畫像顯示範圍外，欲通過於前述迂迴層5 2 0地亦 將接觸孔5 8 1及5 8 3進行開孔，另外，關於畫像顯示範圍 外之第2層間絕緣膜4 2係更加欲通過於前述第2導電層 5 1 2地，接觸孔5 8 4亦另外進行開孔。 接著，如圖1 3之工程（8)所示，於第2層間絕緣膜 42上之全面，根據濺射法等’作爲金屬膜將遮光性之A1 等之低電阻金屬或金屬矽化物等，堆積爲約1 0 0〜5 0 0 nm 程度之厚度，而理想係約3 0 0 n m，並且，根據微縮述及蝕 刻法形成擁有規定圖案之資料線 6 a， 此時，針對本實 施型態，特別是與形成此資料線6a之同時，在畫像顯示 範圍外係形成電容器電極用配線5 0 3及持續於檢查電路 7〇]之檢查電路用配線60a，即，根據前述微縮述及蝕刻 法形成規疋圖案之資料線6 a之问時，作爲同一膜來形成 具有規定圖案（參照圖4)之電容器電極用配線5 0 3及檢查 電路用配線60a。 接著，如圖1 3之工程（9)所示，欲包覆資料線6a上 方地，例如根據採用TEOS氣體等之常壓或減壓CVD法 ’ 形成由N S G，P S G，B S G，B P S G等之矽酸鹽玻璃膜， -42- (40) 1235974 氮化矽膜或氧化矽膜等而成之第3層間絕緣膜4 3 , 第3層間絕緣膜4 3之膜厚係例如作爲5 〇 〇〜1 5 0 0 n m ，接著’根據對於第3層間絕緣膜43之反應性離 刻’反應性離子射束蝕刻等之乾蝕刻法，將不圖示 觸孔8 5 (參照圖]至圖3)進行開孔，接著，於第3層 緣膜4 3上方，根據濺射，將IT 0膜等之透明導電 ，堆積成約50〜20〇nm之厚度，並且，根據微縮述 刻法形成畫素電極9 a，然而，對於作爲反射型來採 光電裝置之情況係亦可根據A1等之反射率高之透明 來形成畫素電極9a。 並且，最後，於畫素電極9a之上方，在塗抹聚 胺系之配向膜的塗抹液之後，擁有規定之預傾角地， 據在規定方向施以平膜處理之情況等，形成配向膜i 6 另一方，關於對向電極係首先準備玻璃基板等， 爲額緣之遮光膜則例如在濺射金屬鉻之後，經由微縮 倉虫刻法所形成，然而這些遮光膜係未必爲導電性，亦 了 Cr，Ni，A1等之金屬材料之外，由分散石墨或Ti 阻劑之樹酯炭黑等之材料形成。 之後，對於對向基板2 0根據濺設處理等，由將 膜等之透明導電性膜，堆積成約5 0〜2 00nm之厚度情 形成對向電極2 1，而更加地，於對向電極21之全 在塗抹聚 亞胺系之配向膜的塗抹液之後，擁有規定 傾角地，且根據在規定方向施以平膜處理之情況等， 配向膜2 2。 而此 程度 子蝕 之接 間絕 性膜 及蝕 用該 材料 亞 且根 〇 並作 述及 可除 於光 1TO 況， 面， 之預 形成 -43- (41) 1235974 最後’如上述，形成各層之TFT陣列基板1 0與對向 基板20係配向膜1 6及22則成互相對向地根據封合材所 貝占合’並由真空吸引等，吸引由混合例如複數種之向列狀 液晶而成之液晶於兩基板間之空間，形成規定層後之液晶 層5 0。 根據以上說明之製造處理，將可製造前述之第1實施 型態之光電裝置。 如上述說明’在有關本實施型態之光電裝置之製造方 法之中’構成電谷益501之構件與構成儲存容量70之構 件係針對在製造工程階段，於同一機會下所形形成，而具 體來說係如在上亦說明地，第1導電層5 1 1係與中繼層 7 1，而第2導電層5 1 2係與容量線3 0 0，各自作爲同一膜 來形成，並且，誘電體膜75係由電容器501與儲存容量 7 〇所共用，而本實施型態之中，更加地，掃描線3 a與 迁迴層5 2 0則作爲同一膜來形成，而資料線6 a， 電容器 電極用配線5 0 3及檢查電路用配線60a則作爲同一膜來形 成。 如此，針對本實施型態係電容器5 0 1及關連於此之構 成係因與形成在畫像顯示範圍內之構成（掃描線3 a及資料 線6a， 儲存容量70)同時形成，故可謀求製造工程之簡 單化.或者製造成本之低廉化。 (光電裝置之全體構成） 以下，參照圖1 4及圖1 5來說明針對如以上所構成之 -44- (42) 1235974 本貫施型態之光電裝置全體構成，然而，圖1 4係將針對 本發明之實施型態之光電裝置的TFT陣列基板，與形成 在其上方之各構成要素同時從對向基板側來看之平面圖， 而圖1 5係爲圖1 4之Η - Η ’之剖面圖。 針對圖1 4及圖1 5，在有關本實施型態之光電裝置之 中係對向配置T F Τ陣列基板1 〇與對向基板2 〇，而對於 TFT陣列基板10與對向基板20之間係封入有液晶層5〇 ’並TFT陣列基板1Q與對向基板20係根據設置在位置 於畫像顯示範圍1 0 a之封合範圍之封合材5 2所相互接著 著。 封合材5 2係爲貼合兩基板，例如由紫外線硬化樹酯 ’熱硬化樹酯等而成，並由紫外線，加熱等使其硬化之構 成，另外，對於此封合材5 2係液晶裝置如投影機用途地 將有關本貫施型態之光電裝置適用於以小型進行擴大顯示 之液晶裝置之構成，則散佈爲了將兩基板間之距離（基板 間間隔）作爲規定値之玻璃纖維或玻璃珠等之間隔材（襯墊 )，或者如將該光電裝置適用於，如液晶顯示器或液晶電 視以大型進行等倍顯示之之液晶裝置，則如此之間隔材係 包含於液晶層5 0中即可。 對於封合材5 2之外測的範圍係根據以規定之時機供 給畫像信號於資料線6a之情況，沿著TFT陣列基板之一 邊來設置驅動該資料線6 a之資料線驅動電路1 〇 1及外部 電路接續端子，並根據以規定之時機供給掃描信號於掃描 線3 a之情況，沿著鄰接於此一邊之二邊來設置驅動掃描 -45- 1235974 (43) 線3 a之掃描線驅動電路1 〇 4。 然而’如供給至掃描線3 a之掃描信號延遲不成爲問 題’掃描線驅動電路1 04係當然只有單側也可以，另外 ’沿著畫像顯示範圍1 0 a的邊來配列資料線驅動電路】〇 1 於兩側也可以。 對於TFT陣列基板1 〇之剩餘的一邊係設置爲了連接 設置在畫像顯示範圍1 〇a兩側之掃描線驅動電路1 〇4之複 數的配線1 〇 5，另外，針對對向基板2 0之角部的至少一 處係在T F T陣列基板1 〇與對向基板2 0之間設置爲了得 到以電導通知導通材1 〇 6。 針對圖1 5，對於TFT陣列基板1 0係於形成畫素切換 用之TFT或掃描線，資料線等之配線後之畫素電極9a 上方’形成配向膜，而另一方，對於對向基板2 0係除了 對向電極2 1，於最上層部分形成配向膜，，另外，液晶 層5 0係例如由混合一種或數種之列向狀液晶之液晶而成 ’並在這些一對之配向膜間，成爲規定之配向狀態。 然而，對於TFT陣列基板1 0上係亦可加上於這些資 料線驅動電路1 〇1，掃描線驅動電路1 〇4形成以規定的 時機施加晝像信號於複數之資料線6 a之抽樣電路，先行 於畫像信各自供給規定電壓等級之自由電荷信號於複數之 貧料線6 a之自由電荷電路，爲了檢查製造途中或出貨時 之該光電裝置之品質，缺陷之檢查電路等。 另外’針對上述之各實施型態係替代設置資料線驅動 電路】〇 1及掃描線驅動電路1 0 4於畫素切換用之丁 F τ ] 〇 -46- (44) 1235974 上，例如藉由設置在畫素切換用之TFT 1 0之週邊部之異 方性導電薄膜來以電及機械方式接續於安裝在TAB(Tape A u t 〇 m a t e d Β ο n d i n g )基板之驅動用L S I也可以，另外，對 於射入對向基板 20之投射光側及射出畫素切換用之 T F T 1 0之射出光側係各自因應例如 T N ( T w i s t e d N e m a t i c ) 模式，VA(Vertically Aligned)模式，PDLC(Polymer Dispersdd Liquid Crystal)模式等動作或，正常白模式.正 常黑模式之各自，在規定方向配置偏光薄膜，相位差薄膜 (電子機器） 接著，關於由作爲光閥（valva)採用以上詳細說明之光 電裝置之電子機器一例而成之投射型彩色顯示裝置之實施 型態，關於其全體構成，特別是光學之構成，進行說明， 在此，圖1 6係表示投射型彩色顯示裝置之圖示剖面圖。 針對圖]6，由針對本實施型態投射型彩色顯示裝置 之一例而成的液晶投影機1 1 〇 〇係，準備3個包含搭載於 TFT陣列基板上之液晶組件，並各自作爲 RGB之光閥 (vaWa)lOOR，100G及100B作爲採用之投影機所構成之 驅動電路，而在液晶投影機1 1 〇 0之中係當從金屬鹵素燈 泡等之白色光源之燈單元Π 〇 2，使投射光發射時，根據3 片之反射鏡U06及2片之分色鏡11〇8來分成因應RGB 三原色之光成分 R，G，及 B，並各自引導至光閥 (va]va)l 0 0R，] 00B及1 00B，此時，特別是B光係爲了防 -47- 1235974 (45) 止由長光路徑之光損失’藉由由射入鏡Π 2 2，中繼鏡 1123及射出鏡Π24而成之中繼鏡系ία]所引導，並且 ，根據光閥（valva)lOOR，100Β及100Β，因應各自所調製 之三原色之光成分係由分色錶鏡再次合成後，藉由投射鏡 1114，作爲彩色畫像投射至屏幕1102。 本發明係並不限定於上述之實施型態，而不違反從申 請專利$B圍及明 書全體所述之發明主旨，或想法之範圍 均可作適當的變更，並伴隨如此之變更的光電裝置及其製 造方法，以及電子機器亦另外包含於本發明之技術範圍之 構成。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]表示設置在構成針對本發明之實施型態之光 電裝置的畫像顯示範圍之矩陣狀之複數畫素的各種元件， 配線等之等效電路之電路面圖。 [圖2 ]形成針對本發明之實施型態之光電裝置的資 料線，掃描線，畫素電極等之TFT陣列基板之相鄰接的 複數畫素群平面圖。 [圖3]爲圖2之A-A’之剖面圖。 [圖4 ]形成針對本發明之實施型態之光電裝置的電 谷器平面圖。 [圖5]爲圖4之B-B’之剖面圖。 [圖6]槪念表示圖4及圖5所示之電容器與其周圍 其他要素之配置關係斜視圖。 -48 - (46) 1235974 [圖7 ]以圖示表示供給畫像信號於資料線樣子之斜 視圖。 [圖8 ]與圖4相同意思的圖，針對成爲電容器之電 極的第1導電層及第2導電層形成比資料線還寬幅度情況 之平面圖。 [圖9]與圖6相同意思的圖，關於資料線本身之一 部份構成有關本實施型態之電容器之第1電極情況所示之 構成。 [圖1 0 ]與圖6相同意思的圖，關於電容器電極用配 線本身之一部份構成有關本實施型態之電容器之另一方電 極情況所示之構成。 [圖11]圖5之剖面圖（圖中左方）及圖3之剖面圖之 中，關於有關半導體層1 a附近部份（圖中右方）依序表示 針對製造處理之各工程的光電裝置之堆積構造工程圖（其 ])。 [圖12]圖5之剖面圖（圖中左方）及圖3之剖面圖之 中，關於有關半導體層1 a附近部份（圖中右方）依序表示 針對製造處理之各工程的光電裝置之堆積構造工程圖（其 2)。 [圖1 3 ]圖5之剖面圖（圖中左方）及圖3之剖面圖之 中，關於有關半導體層1 a附近部份（圖中右方）依序表示 針對製造處理之各工程的光電裝置之堆積構造工程圖（其 3)。

[圖1 4 ]將針對本發明之實施型態之光電裝置的T F T -49- (47) 1235974 陣列基板，與形成在其上方之各構成要素同時從對向基板 側來看之平面圖。 [圖1 5 ]爲圖1 4之Η - Η ’之剖面圖。 [圖1 6]表示成爲爲本發明之電子機器之實施型態的 投射型彩色顯示裝置之一例的彩色液晶投影機圖示剖面圖 〇 [符號說明]

3 a :掃描線 6a:資料線 9 a :畫素電擊 30:TFT 1 0:TFT陣歹丨J基板 7 0 :儲存容量 7 1 :中繼層 3 〇 〇 :容量線 7 5 :誘電體膜 501 ， 501A:電容器 5 1 1 :第1導電層 512:第2導電層 5 0 3:電容器電極用配線 5 2 0 :迂迴層 6 〇 a :檢查電路用配線 5 8 1，5 8 2，5 8 3 :接觸孔 -50-

Claims (1)

1. (1) 1235974 拾、申請專利範圍 1 · 一種光電裝置’其特徵係於基板上具備 向一定方向延伸存在之資料線， 和交叉於該資料線而延伸存在的掃描線， 和對應於前述掃描線和前述資料線之交叉範圍加以配置 之畫素電極及畫素開關用元件， 和將連接於前述資料線，或由前述資料線延伸設置之 導電層，做爲第1之電極而含有之電容量。 2.如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，更具備 向交叉於前述資料線之方向延伸之電容量電極用配線。 3·如申請專利範圍第2項之光電裝置，其中，前述電容 器電極用配線爲固定電位。 4·如申請專利範圍第3項之光電裝置，其中，更具備對 向配置於前述基板之對向基板， 和對向於形成於該對向基板上之前述畫素電極而配置之 對向電極， 和爲驅動配置於g亥對向基板及則述基板之任一*方的前述 掃描線及前述資料線以及前述畫素電極的驅動電路， 和於前述對向電極供給固定電位之第1電源， 和於前述驅動電路供給固定電位之第2電源， 前述電容器電極用配線乃經由連接於前述第1電源或前 述第2電源，成爲固定電位者。 5.如申請專利範圍第2項之光電裝置，其中，前述電容 器電極用配線乃由低阻抗材料所構成。 -51 - (2) 1235974 6. 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，於前述資 料線之一端側，更具備爲驅動該資料線之資料線驅動電路， 於前述資料線之另一端側，設置前述電容器。 7. 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，於前述資 料線之一端側，更具備爲驅動該資料線之資料線驅動電路， 於前述資料線之另一端側，更具備爲檢查該光電裝置之動作 的檢查電路。 8. 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，更具備連 接於前述畫素電極及畫素開關用元件之蓄積容量； 構成前述電容器之構件之至少一部分乃與構成前述蓄 積容量之構件之至少一部，和製造工程階段中，於同一機 會加以形成。 9. 如申請專利範圍第2項之光電裝置，其中，前述電容 器電極用配線及前述電容器於製造工程階段中，於同一機會 加以形成。 10. 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，更具備 各連接於前述資料線及前述導電層之迂迴層， 該迂迴層乃與前述掃描線之製造工程階段中，於同一機 會加以形成。 11. 如申請專利範圍第10項之光電裝置，其中，於前述 資料線之一端側，具備爲驅動該資料線之資料線驅動電路， 於前述資料線之另一端側，更具備爲檢查前述電容器和該光 電裝置之動作的檢查電路； 前述檢查電路乃藉由前述資料線和前述迂迴層加以連接 -52- (3) 1235974 1 2.如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，欲成爲 前述導電層之前述第1之電極的部位，較前述資料線形成成 爲寬廣者。 13. 如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，前述資 料線乃存在複數條， 此等複數條之資料線乃區別成暫時成爲畫像信號之供 給對象的複數組。 14. 一種光電裝置之製造方法，屬於製造於基板上具 備向一定方向延伸存在之資料線、交叉於該資料線而延 伸存在的掃描線、對應於前述掃描線和前述資料線之交 叉範圍加以配置之畫素電極及薄膜電晶體、將連接於該 畫素電極及薄膜電晶體之蓄積容量以及延伸設置或連接 於前述資料線之電容器的光電裝置之製造方法，其特徵 係令構成前述電容器之構件之至少一部分，和構成前述 蓄積容量之構件之至少一部分做爲同一膜加以形成的同 時製造工程。 15. 如申請專利範圍第14項之光電裝置之製造方法，其 中，前述蓄積容量乃由連接於前述畫素電極及前述薄膜電晶 體的畫素電位側容量電極、對向配置於該畫素電位側容量電 極之固定電位側容量電極、挾持於此等兩電極之第1絕緣膜 所成； 前述電容器乃由連接或延伸設置於前述資料線之導電層 、對向配置於該導電層之其他之導電層，挾持於此等兩層之 -53- 1235974 (4) 第2絕緣膜所成； 前述同時製造工程乃包含將前述畫素電位側容量電極及 前述導電層做爲同一膜形成之工程、將前述固定電位側容量 電極及前述其他之導電層做爲同一膜形成之工程及將前述第 1絕緣膜及前述第2絕緣膜做爲同一膜形成之工程中的至少 一個工程。 16·如申請專利範圍第14項之光電裝置之製造方法，其 中，前述同時製造工程之前，包含將構成前述薄膜電晶體之 閘極電極和迂迴層做爲同一膜形成之工程； 包含形成爲連接前述迂迴層和前述資料線之連接孔的工 程，和形成爲連接前述迂迴層和前述導電層之連接孔的工程 〇 1 7 ·如申請專利範圍第I 4項之光電裝置之製造方法，其 中，前述同時製造工程之後，包含將前述資料線和向交叉於 前述資料線之方向延伸之電容器電極用配線做爲同一膜形成 之工程， 和形成爲連接前述電容器電極用配線和前述其他之導電 層之連接孔的工程。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項之光電裝置之製造方法，其 中，該光電裝置更具備檢查電路， 包含將連接於前述檢查電路之配線，和資料線及前述電 容器電極用配線做爲同一膜形成之工程， 和形成爲連接前述配線和前述廷迴層之連接孔的工程。 19.一種電子機器，其特徵係具備如申請專利範圍第1 -54- (5) 1235974 項之光電裝置。 -55-