KR20020087515A - 강유전체 메모리소자의 제조 방법 - Google Patents
강유전체 메모리소자의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020087515A KR20020087515A KR1020010025726A KR20010025726A KR20020087515A KR 20020087515 A KR20020087515 A KR 20020087515A KR 1020010025726 A KR1020010025726 A KR 1020010025726A KR 20010025726 A KR20010025726 A KR 20010025726A KR 20020087515 A KR20020087515 A KR 20020087515A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- thin film
- ferroelectric thin
- forming
- ferroelectric
- insulating film
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 64
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 18
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 39
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/30—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B53/00—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors
- H10B53/40—Ferroelectric RAM [FeRAM] devices comprising ferroelectric memory capacitors characterised by the peripheral circuit region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
Claims (7)
- 강유전체 메모리 소자의 제조 방법에 있어서,반도체기판상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막을 선택적으로 패터닝하여 캐패시터의 영역을 오픈시키는 단계;상기 오픈된 캐패시터 영역에 선택적 화학기상증착법으로 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극을 포함한 절연막상에 강유전체 박막을 형성하는 단계;상기 절연막의 표면과 동일한 높이로 상기 캐패시터 영역에 상기 강유전체 박막을 매립시키는 단계; 및상기 강유전체 박막상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 하부전극 영역에 강유전체 박막을 매립시키는 단계는,상기 강유전체 박막을 에치백하거나, 또는 화학적기계적연마하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 상부전극을 형성하는 단계는,상기 강유전체 박막을 포함한 전면에 상부전극 물질을 형성하는 단계; 및상기 상부전극 물질을 선택적으로 식각하여 상기 강유전체 박막이 모두 덮이는 큰 폭으로 상기 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 절연막은 플라즈마증착법으로 3000Å∼10000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법.
- 강유전체 메모리 소자의 제조 방법에 있어서,반도체기판상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막을 선택적으로 패터닝하여 캐패시터의 영역을 오픈시키는 단계;상기 오픈된 캐패시터 영역에 선택적 화학기상증착법으로 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극상에 선택적 화학기상증착법을 이용하여 상기 캐패시터 영역을 부분 매립시키는 강유전체 박막을 형성하는 단계; 및상기 강유전체박막상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 상부전극을 형성하는 단계는,상기 부분 매립된 강유전체 박막을 포함한 전면에 상기 상부전극을 형성한 후 선택적으로 패터닝하거나, 또는 상기 부분 매립된 강유전체 박막상에만 선택적 화학기상증착법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법.
- 제 1 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 절연막 형성전에,상기 반도체기판과 상기 하부전극을 접속시키는 전도막콘택을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 소자의 제조 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0025726A KR100414873B1 (ko) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 강유전체 메모리소자의 제조 방법 |
US09/975,086 US6410345B1 (en) | 2001-05-11 | 2001-10-12 | Method for manufacturing a ferroelectric memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0025726A KR100414873B1 (ko) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 강유전체 메모리소자의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020087515A true KR20020087515A (ko) | 2002-11-23 |
KR100414873B1 KR100414873B1 (ko) | 2004-01-13 |
Family
ID=19709347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0025726A KR100414873B1 (ko) | 2001-05-11 | 2001-05-11 | 강유전체 메모리소자의 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6410345B1 (ko) |
KR (1) | KR100414873B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4357076B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 強誘電体メモリ及びその製造方法 |
JP2004079924A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-11 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
US7029924B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-04-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Buffered-layer memory cell |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09135007A (ja) * | 1995-09-05 | 1997-05-20 | Nippon Steel Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US5864932A (en) * | 1996-08-20 | 1999-02-02 | Ramtron International Corporation | Partially or completely encapsulated top electrode of a ferroelectric capacitor |
JP3478945B2 (ja) * | 1997-06-20 | 2003-12-15 | シャープ株式会社 | Mimキャパシタの製造方法 |
JP3569112B2 (ja) * | 1997-07-17 | 2004-09-22 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路およびその製造方法 |
TW410402B (en) * | 1998-02-06 | 2000-11-01 | Sony Corp | Dielectric capacitor and method of manufacturing same, and dielectric memeory using same |
KR100309818B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2002-01-17 | 박종섭 | 페로일렉트릭램소자의축전기제조방법 |
US6750495B1 (en) * | 1999-05-12 | 2004-06-15 | Agere Systems Inc. | Damascene capacitors for integrated circuits |
JP2000349249A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置の製造方法 |
KR20010009037A (ko) * | 1999-07-07 | 2001-02-05 | 김영환 | 반도체장치의 캐패시터 제조방법 |
JP2001308287A (ja) * | 2000-04-26 | 2001-11-02 | Sharp Corp | 半導体装置、及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-05-11 KR KR10-2001-0025726A patent/KR100414873B1/ko active IP Right Grant
- 2001-10-12 US US09/975,086 patent/US6410345B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100414873B1 (ko) | 2004-01-13 |
US6410345B1 (en) | 2002-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7173301B2 (en) | Ferroelectric memory device with merged-top-plate structure and method for fabricating the same | |
KR19990072456A (ko) | 유전체캐패시터및그제조방법,및그를이용하는유전체메모리 | |
US20020004248A1 (en) | Ferroelectric memory devices including patterned conductive layers | |
KR100399072B1 (ko) | 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 | |
US6812042B2 (en) | Capacitor and method for fabricating ferroelectric memory device with the same | |
KR100414873B1 (ko) | 강유전체 메모리소자의 제조 방법 | |
KR100448237B1 (ko) | 강유전체 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
KR20040008614A (ko) | 강유전체 메모리소자 및 그의 제조 방법 | |
KR100470166B1 (ko) | 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR100427040B1 (ko) | 강유전체 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100465832B1 (ko) | 강유전체 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
KR20030057704A (ko) | 강유전체 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
KR100531462B1 (ko) | 엠티피 구조의 캐패시터를 구비하는 강유전체 메모리소자의 제조 방법 | |
KR100846365B1 (ko) | 노블계 하드마스크를 이용한 강유전체 메모리소자의캐패시터 제조 방법 | |
KR100968428B1 (ko) | 강유전체 캐패시터의 면적감소를 방지한 캐패시터 제조방법 | |
KR100427031B1 (ko) | 강유전체 소자의 커패시터 제조 방법 | |
KR20020055105A (ko) | 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR100846364B1 (ko) | 수소확산방지막을 구비한 내장형 강유전체 메모리 소자의제조방법 | |
KR20040001878A (ko) | 강유전체 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
KR20020044681A (ko) | 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR20030057595A (ko) | 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 | |
KR20040008638A (ko) | 하부전극이 절연막에 고립된 구조를 갖는 강유전체 메모리소자의 제조방법 | |
KR20020002613A (ko) | 접촉 저항 증가 및 막의 들림을 효과적으로 방지할 수있는 반도체 메모리 소자 및 그 제조 방법 | |
KR20050002028A (ko) | 배리어메탈의 산화를 방지하기 위한 하부전극을 구비한강유전체 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
KR20040001869A (ko) | 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121121 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131118 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141119 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151118 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161118 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171117 Year of fee payment: 15 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181129 Year of fee payment: 16 |