KR20020071437A - 고분자 소재 표면의 금속피막 도금방법 및 이를 이용한전자파 차폐방법 - Google Patents

고분자 소재 표면의 금속피막 도금방법 및 이를 이용한전자파 차폐방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고분자 소재에 금속 박막을 부착시키기 위해 시행하는 표면처리와 무전해 도금방법에 관한 것으로, 본 발명은 고분자 소재의 표면에 친수성 관능기를 도입하는 제1 단계; 및 금속촉매를 사용한 무전해 도금법을 사용하여, 상기 친수성 관능기가 도입된 고분자 소재의 표면을 금속피막으로 도금하는 제2 단계를 포함하는 고분자 소재의 표면의 금속피막 도금 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 도금방법은 매우 안정하고 용이하여, 고분자 소재에 외관의 품질향상, 기계적 성질의 개선, 내열성 및 내구성의 개선, 흡수율의 감소, 열과 전기의 전도성 및 납땜성과 전자파 차폐성의 부여 등 고분자 재료에는 없는 새로운 특성을 부여할 수가 있으며, 본 발명에 따른 도금방법에 의하여 도금된 고분자 재료는 그 성능이 향상되어, 정보처리관련 기기의 전자파 차단, 인쇄회로기판 제조, 반도체의 회로형성 및 패키징, 다양한 형태의 전극과 대전방지판 제조 등 여러 분야에 사용할 수 있다.

Description

고분자 소재 표면의 금속피막 도금방법 및 이를 이용한 전자파 차폐방법{PLATING METHOD OF METAL FILM ON THE SURFACE OF POLYMER}
본 발명은 고분자 소재에 금속 박막을 부착시키기 위해 시행하는 표면처리와 무전해 도금방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고분자 소재의 표면에 친수성 관능기를 형성시킨 후 무전해 도금법을 사용하여 금속피막을 도금하는 방법에 관한 것이다.
고분자 재료는 금속 재료에 비하여 저가이면서도 가볍고, 강도와 가공성이 우수하며, 화학적으로 안정하여 내식성이 뛰어나는 등 장점이 많아 근래에 금속의 대체 재료로서 다양하게 이용되고 있다. 특히 고분자 재료의 표면에 금속막을 부착시키면 금속의 기능이 더해지므로, 고분자 재료의 사용 용도가 획기적으로 넓어진다. 경도, 강도, 전기전도도 등의 금속의 장점과 경량, 가공성, 생산성 등의 고분자 재료의 장점을 같이 가지게 되어 황동 등 금속 가공품의 대체재료로서 매우 유망하다. 그러나 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS)수지의 표면에 금속을 도금하여 상용화한 제품은 개발되었으나 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 테프론 등 범용으로 많이 쓰이는 고분자 소재 표면에 금속을 도금하여 제조한 제품예는 거의 없다. 이는 고분자 재료가 부도체이기 때문에 도금하기 어렵기 때문이다.
고분자 소재에 금속의 전도성과 기능성을 부여하기 위하여, 금속 박막을 입히는 방법은 크게 습식도금과 건식도금의 두 가지 방법으로 나눌 수 있다. 고분자 재료는 부도체이므로 직접 전기도금 방법으로 금속 박막을 소재 표면에 부착시킬 수는 없다.
습식도금법에서는 고분자 표면을 산으로 처리하여 요철을 발생시키고 극성 관능기를 형성시켜 도금층의 접착력을 향상시킨다. 그러나 습식도금법은 산으로 표면을 부식시킬 수 있는 ABS 등 일부 고분자 재료에만 적용이 가능하며, 기능성 고분자인 폴리카보네이트, 폴리이미드, 테프론 등 많은 고분자재료에는 습식도금법으로 금속 박막을 도금하지 못한다. 최근에는 무기질 충진제를 수 내지 수십% 정도 혼합하여 산으로 처리할 때 무기질 충전제가 부식되어 다량의 요철이 발생하고남아있는 충진제의 전도성을 이용하여 습식도금법으로 도금할 수 있는 고분자 재료도 생산되고 있으나, 과도한 무기질 충진제 첨가는 고분자 소재의 물성과 도금박막의 접착력을 저하시켜 활용예가 많지 않다. 또한 도금층의 접착강도를 향상시키려면 요철이 남게되어 외관품격이 저하되는 문제점이 있다. 수용액에서 전기를 흘려 도금시키는 방법에 비하면 표면의 빈틈에 환원된 금속이 채워지므로 접착강도 자체가 낮을 수밖에 없다는 단점도 있으며, 뿐만 아니라 과도한 금속의 석출이 필요하기 때문에 금속이나 환원제 사용량이 많아 폐수 발생량도 매우 많아 환경적으로도 문제점이 있다.
건식도금법은 진공중에서 금속을 고분자 재료 표면에 증착시키는 방법으로 스퍼터링법, 기상도금법, 진공증착법 등이 있다. 건식도금법은 전기를 사용하여 환원시키지 않기 때문에 전기가 통하지 않는 고분자 소재 표면에도 도금이 가능하며, 전해액을 사용하지 않으므로 폐수가 발생되지 않고 도금 두께를 제어하기 용이하다는 점 등 여러 장점이 있다. 그러나, 도금된 피막의 내식성과 내마모성이 나쁘며, 증발원이나 타켓금속에 직접 노출되지 않은 부분은 균일하게 도금되지 않고, 두터운 도금피막을 제조하기 힘들다는 문제점이 있다. 뿐만 아니라, 금속의 증발을 촉진하기 위해 진공도를 아주 높게 유지하는데 비용이 많이 들어 특수한 제품 이외에는 적용이 어렵다.
또한 종래의 전자기기의 전자파 차폐 코팅법으로는, 1) 진공중에서 금속을 피코팅물에 증착시키는 진공 금속증착법(Vacuum Metalizing), 2) 금속분말이 함유된 용액을 피코팅물에 분사하는 전도성 페인트 도장법(Conductive Paint Spray),3) 도금욕 내부에 피코팅물을 넣고 도금하는 무전해도금법(Electroless Plating) 등의 3종류의 방법이 있다. 현재 국내 제조업체에서는 전도성 페인트 도장법이 주로 사용되고 있으며, Nokia등의 외국계 회사에서는 무전해 도금법이 일부 사용되고 있다.
이 중 진공 금속증착법은 휴대용 전화기의 생산초기에 많이 사용되었던 방법으로, 생산성이 낮고, 가격이 높으며, 소재와의 밀착성등에 문제가 있는 관계로 현재는 거의 사용되고 있지 않으며, 주로 전도성 페인트 도장법 및 무전해 도금법이 사용되고 있다.
현재 국내 많은 업체에서는 은 또는 구리의 전도성 페인트를 사용하고 있으며, 이는 주로 미국에서 수입하여 사용하고 있다. 이 방법은 소재의 재질에 영향을 덜 받으며, 양호한 밀착력을 나타내나, 은 전도성 페인트의 경우 유기용제가 사용되기 때문에 건조시 공해물질이 배출되며, 가격이 높다는 문제가 있다.
또한 유럽계의 회사에서 일부 사용하고 있는 무전해 도금법은 고강도 폴리카보네이트 소재에 도금이 가능하도록 필러로서 ABS수지를 혼합한 특수한 종류의 소재를 사용하여야 한다. 이러한 소재는 산에 의하여 ABS의 부분이 용해되어 도금피막의 형성이 용이하도록 하므로 강도 등 물성저하가 발생하기 쉽우며, 또한 유해물질의 발생, 생산성의 저하, 부분도금 곤란 및 적용 가능한 소재의 한정이라는 많은 단점이 있다. 일부 국내회사에서 폴리카보네이트(PC) 소재의 전자파 차폐 도금법이 개발된 바 있으나, 개발된 생산성이 낮고, 비도금영역의 차폐에 문제가 생기는 등의 공정상의 문제로 실용화되지 못하였다.
상기와 같은 문제점으로 인하여, 고분자 소재 표면에 금속피막을 부착시켜 이루어진 도금처리물은 전자기기 부품에서 전자파 차폐 등의 목적을 위한 다양한 형태로 사용될 수 있음에도 불구하고, 현재에는 특별한 제품에만 고가의 건식도금법으로 제조한 재료를 사용하거나 금속박막을 고분자 재료에 접착제로 부착시켜 사용하고 있는 실정이다. 따라서, 안정하고 가벼운 고분자 재료의 장점과 금속의 전도성을 갖는 금속성 재료가 함께 이용되는 복합재료로서 다양한 용도로 이용될 수 있도록, 고분자 소재에 금속피막을 도금하는 새로운 방법의 개발이 요청되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결할 수 있도록, 기존의 습식도금 방법으로는 도금하기 어려운 고분자 소재 표면에, 건식도금법에 비해 적은 비용으로 피막을 형성시킬 수 있는 효과적인 고분자 소재상의 금속피막 도금방법을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
또한 본 발명은 고분자 소재상의 새로운 도금방법을 적용한 전자파 차폐용 피도금물을 제공하는 데에 그 목적이 있다.
도 1은 구리 분말을 스프레이 페인팅하여 제조된 전자파 차폐막의 표면을 100배로 확대한 주사전자현미경 사진.
도 2는 은 분말을 스프레이 페인팅하여 제조된 전자파 차폐막의 표면을 2000배로 확대한 주사현미경 사진.
도 3은 본 발명에 의하여 제조된 전자파 차폐막을 2000배로 확대한 주사현미경 사진.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과 고분자 소재 상에 친수성 관능기를 도입하고, 이후 무전해 도금법에 의한 도금을 실시하는 방법으로 상기 문제점을 해결할 수 있다는 데에 착안하여 본 발명을완성하게 되었다.
본 발명은 고분자 소재의 표면에 친수성 관능기를 도입하는 제1 단계; 및 금속촉매를 사용한 무전해 도금법을 사용하여, 상기 친수성 관능기가 도입된 고분자 소재의 표면을 금속피막으로 도금하는 제2 단계를 포함하는 고분자 소재의 표면의 금속피막 도금 방법을 제공한다. 본 발명의 금속피막 도금 방법에 있어서, 상기 친수성 관능기의 도입은 저온 플라즈마를 발생시켜 행하는 것이 바람직하지만, 이온 조사에 의하거나, 또는 저온 플라즈마의 발생과 이온 조사를 병행하여 행하는 방법을 취할 수도 있다.
본 발명에 따른 도금 방법에 있어서, 저온 플라즈마를 사용할 경우, 저온 플라즈마 발생은 100 ~ 5 ×10-4torr의 압력 및 사용되는 고분자의 5 ~ 70℃의 온도가 유지되는 진공조 내에서 이루어지는 것이 바람직하며, 상기 저온 플라즈마의 발생은아세톤, 아세트 알데히드, 포르말린, 아크릴산, 산소, 아르곤 및 수소로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 플라즈마 발생관 내로 주입시켜 발생시킬 수도 있으며, 또한 별도의 기체를 첨가하지 아니하고 진공관내에 남아있는 공기에 의하여 발생시킬 수도 있다.
본 발명에 따른 상기 저온 플라즈마 발생에 의한 친수성 관능기 도입 단계 이후, 유기용제에 0.1 내지 5분 동안 침지시키거나 또는 초음파 세척기로 세척하는 단계를 부가적으로 포함하는 것이 바람직하며, 상기 유기용제는 테트라플루오로에틸렌 또는 테트라클로로에틸렌인 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 도금 방법에 있어서, 그 대상이 되는 고분자 소재는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 폴리이미드, 아크릴수지, 불소수지 및 고무로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 사용할 수 있으며, 사용되는 금속촉매는 통상의 금속촉매를 사용할 수 있으나, 특히 팔라듐, 백금, 금, 은, 주석으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 또는 2종이상을 사용하는 것이 바람직하며, 또한 도금되는 금속피막은 구리피막, 니켈피막, 금피막, 은피막, 주석피막 및 코발트피막 으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 또는 이들 중 1종 이상을 포함하는 합금 피막인 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 상기 제2 단계의 금속피막의 도금단계 이후, 재도금하는 단계를 부가적으로 포함하는 금속 피막의 도금방법을 제공한다. 상기 재도금은 습식 전기도금법인 것이 바람직하며, 또한 자성재료 분말을 혼합한 습식 전기 도금액을 사용하여, 자성재료 분말이 혼합된 금속층이 고분자 소재의 표면에 도금되는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에 따른 상기 도금 방법에 있어서, 금속피막을 도금하는 상기 제2 단계 이후, 고분자 소재의 연화점 이하 온도로 5분 내지 200분간 가열하는 단계를 부가적으로 포함할 수 있으며, 이러한 가열에 의하여 상기 고분자 소재와 상기 금속피막층의 접착력을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 도금방법에 있어서, 상기 제1 단계는 염화팔라듐(PdCl2) 0.1내지 100g/l, 염화제일주석(SnCl2)이 0.1 내지 100g/l, 염산(HCl) 50 내지 400g/l 가 함유된 용액 내에서 15 내지 50℃의 온도로 1 내지 20분간 침지시킨 후 수세하는 단계를 포함하는 것이 바람직하며, 또한 상기 제2 단계는 20 내지 150ml/l의 황산 혹은 염산이 함유된 수용액에서 15 내지 40℃의 온도로 1 내지 15분간 침지시킨 후, 무전해 도금을 실시하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 도금방법에 있어서, 상기 제1 단계의 친수성 관능기를 도입함에 따라 물의 접촉각을 낮추되, 그 처리하지 않은 고분자 소재보다 접촉각이 5 내지 60도가 작게 조절하는 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 도금 방법을 사용하여 피도금물을 도금처리한 전자파 차폐용 도금처리물을 제공하며, 특히, 상기 도금처리물로서 휴대폰 케이스를 도금 처리할 수 있다. 또한 본 발명에 따른 도금 방법은 인쇄 회로 기판의 제조방법에 공정 일부로 포함시킬 수 있다. 인쇄회로 기판의 제조시, 드릴링 공정에 의하여 홀을 형성한 후 본 발명에 따른 도금방법에 의하여 도금을 실시할 수 있으며, 또한 회로 형성시, 스루홀, 비어홀 또는 브라인드 비어홀의 형성시에도 사용할 수 있다.
본 발명은 저온 플라즈마 또는 이온주입의 방법을 사용하여 친수성 관능기을 발생시킨 후, 극성을 띈 고분자 소재 표면에 도금하려는 금속 이온을 농축시킨 상태에서 전기를 흘리지 아니하고 환원제로 금속을 석출시켜 피막을 제조하게 되는것을 그 원리로 한다.
본 발명은 특히 전자파 차폐용으로 유용하게 사용될 수 있는 금속피막의 형성방법에 관한 것으로, 피도금물의 극표면만을 플라즈마 등을 사용하여 도금이 가능하도록 물성을 변화시킨 후, 팔라듐 등의 금속 촉매를 이용한 무전해 도금법에 의하여 고분자 소재의 표면에 금속피막을 형성시키는 방법으로, 본 발명에 따라 도금된 금속피막은 치밀한 피막 구조를 가져 전자파 차폐능이 우수하고, 도금방법의 생산성과 경제성이 뛰어난 것을 특징으로 한다.
플라스틱으로 통칭되는 고분자 물질은 단량체의 구성원소에 따라 차이가 있긴 하지만, 대체로 소수성이 강한 재료이다. 셀룰로오즈와 같이 히드록시기가 많은 천연 고분자물질을 제외하고, 생활용품이나 기계부품으로 많이 사용되는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 불화수지(teflon, PTFE)등은 모두 소수성이다. 이러한 고분자 물질은 전기를 통하지 않고 매우 안정하여 쉽게 산화 환원되지 않으므로 전기도금이나 화학적 환원방법인 무전해 도금 방법으로 고분자 소재 표면에 금속박막을 형성시킬 수 없다. 그러나, 고분자 물질 표면에 금속이온을 축적시킬 수 있는 관능기가 많으면 환원제를 이용하는 무전해 도금법으로 금속박막을 제조할 수 있다는 것이 본 발명을 완성하게 된 주요한 아이디어이다.
산소 등의 이온 비임으로 고분자 재료를 처리하여도 표면에 관능기를 생성시킬 수 있으나, 고도의 진공 하에서 조작하여야 하므로 처리비용이 비싸다는 점을 고려하여야 한다. 따라서, 특히 10 Torr 근처의 낮은 진공하에서 조작되는 저온 플라즈마(cold plasma)를 이용하면 훨씬 저렴한 비용으로 표면에 극성 관능기를 발생시킬 수 있다. 아세톤이나 초산 등 산소가 있어 표면에 극성기를 발현시킬 수 있는 물질을 플라즈마로 활성화시켜 PE나 PP 등 고분자 물질과 반응시키면 표면에 C=O 나 O-H 등 극성 관능기가 생성된다. 극성 관능기의 생성은 처리한 고분자 소재 표면에서 물의 접촉각을 측정하거나 적외선 흡수 분광기로 히드록시기나 카르보닐기를 조사하므로 바로 확인할 수 있다. 또한 처리시간과 플라즈마 발생장치의 조작조건을 조절하므로, 도금할 금속 종류나 요구되는 피막 두께에 적절하게 관능기 발생 정도를 조절할 수 있다.
무전해 도금 방법에서는 환원제의 활성화를 위해 가열하나 고분자 물질은 가열하기 곤란하므로, 촉매를 사용한다. 이 때 사용될 수 있는 촉매로는 여러 가지가 있으나, 본 발명의 실시예에서는 Pd와 Sn의 혼합액을 가해 표면의 극성 관능기 주위에 팔라듐 이온을 고착시켰다. 팔라듐 이온은 환원제에 의해 쉽게 금속 상태로 환원되어 구리 등 박막형성 물질의 환원에 필요한 활성화된 수소를 제공한다는 장점이 있다. 팔라듐 이온이 잘 노출되도록 같이 첨가한 Sn을 약한 산성 용액으로 세척하여 제거한다. 이어 금속 박막 특히, 구리나 니켈 등 박막을 형성하려는 원소의 용액을 가하여 표면에 이들 금속이온을 농축시킨다. 이 상태에서 환원제를 가하면 팔라듐 이온이 먼저 환원되어 환원제의 환원반응을 촉진시키는 촉매로서 작용한다. 즉, 고분자 재료 표면에 고착되어 있는 팔라듐 금속에서 환원제가 활성화되어 금속 이온을 환원시켜 고분자 물질 표면에 금속을 석출시키므로, 치밀하고 접착성이 우수한 금속 박막이 제조된다.
금속박막을 치밀하게 제조하고 고분자 물질 표면과 강하게 접착시키려면 일차적으로는 팔라듐 촉매가 고분자 물질 표면에 잘 부착되어야 하며, 이를 위하여 저온 플라즈마로 처리한 고분자 물질 표면을 적당한 용매로 세척하여 플라즈마 처리과정에서 발생되는 표면 플라즈마 중합(surface plasma polymerization) 생성물 등 방해물질이나 오염물질을 제거하는 것이 바람직하다. 표면의 극성 관능기가 많이 노출되어야 팔라듐 이온의 표면 농도가 높아지고 이들이 환원된 후 금속 표면에서 활발하게 환원반응을 촉진시키므로 금속의 환원이 용이해져서, 치밀한 금속 박막을 형성시킬 수 있다.
촉매제재를 고분자 재료 표면에 밀착시킨 후 피막을 형성시킬 금속 원소를 양이온 상태로 고분자 재료 표면에 가한다. 표면에는 음이온 극성 관능기가 많아서 양이온 금속 이온이 표면에 농축된다. 환원제를 가하면, 환원제가 Pd 촉매에서 활성화되어 전자를 발생시켜 금속이온에 제공하므로 금속 이온이 금속으로 환원되어 고분자재료 표면에 석출된다.
도금용액에서 금속이 석츨되는 과정을, 구리를 예를 들어 설명하면, 다음 반응식으로 나타낼 수 있다.
Cu2++ 2HCHO + 4OH-⇒ Cu + 2HCOO-+ 2H2O + H2↑
Cu2++ HCHO + 3OH-⇒ Cu + HCOO-+ 2H2O
니켈의 석출반응을 예로 들면 다음과 같다.
Ni2++ H2PO2 -+ H2O ⇒ Ni + H2PO3 -+ 2H+
상기 반응에 의하여 금속이온은 금속으로 환원되어 고분자소재 표면에 도금 피막이 형성된다. 고분자 소재의 표면에 밀착성이 좋은 금속 박막층이 형성되므로 고분자재료 표면은 전기 전도성을 가지게 된다. 금속 박막이 도금되어 고분자 재료의 표면에 전기가 흐르게 되면 표면피막의 평활성을 향상시키고 내구성, 전기전도성 및 전자파 차단성을 증진시키기 위하여, 구리와 니켈을 추가로 전기도금하여 금속 피막층의 두께를 아주 두텁게 만들어 사용하기도 한다.
특히 전자파(電磁波)의 차폐에 있어서, 추가적인 구리의 도금에 의하여 전계(電界)의 차폐 효율을 증가시킬 수 있으며, 구리피막의 상부에 강도가 높은 자성체인 니켈을 도금하여 자계(磁界)의 차폐 및 구리피막의 보호층으로 사용할수 있다.
본 발명의 폴리카보네이트 수지로 이루어진 입체구조의 휴대폰용 플라스틱 케이스를 적용한 것으로 그 요지를 본 발명에서 적용한 제조공정에 따라 실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.
(1) 사출품 검사 및 초음파 세정 단계: 사출품의 외형불량을 검사한 후 지문, 먼지, 유기물 등의 오염물을 육안으로 검사하고, 초음파 세정기에서 초음파 세척을 실시한다.
(2) 열풍건조 단계: 오븐속에서 열풍에 의하여 피코팅물 표면의 세척제를 제거하여 가스로 인한 후공정의 공정압력 저하를 제거한다.
(3) 플라즈마 처리: 진공챔버에 피코팅물을 넣은후 플라즈마에 의하여 피코팅물의 표면을 도금이 가능한 구조로 변화시킨다.
(4) 촉매처리 단계: 촉매부여액(예를 들면, PdCl2)과 염화제일주석(SnCl2)의 혼합액속에 피코팅물을 5분간 침적 시킨다.
(5) 활성화 처리 단계: 50-60%의 염산 용액에서 3분간 활성화 처리후 3회 수세 한다.
(6) 무전해 도금(구리의 경우)의 단계: 황산동, 포르말린, 가성소다, EDTA, 중탄산소다등이 혼합된 무전해 동도금액에 20분간 침적하여 도금을 실시한후 3회 수세한다.
(7) 건조단계: 65℃의 열탕에서 수세후 60℃의 건조로에서 건조한다.
이와같은 공정에 의하여 얻은 도금물은 동 약 1미크론 이상의 치밀한 석출이 이루어 졌다.
첨부한 도면에 종래의 스프레이 도금 방식에 의하여 전자파 차폐막을 형성한 경우와 본 발명의 전자파차폐 방법으로 전자파 차폐막을 형성한 경우의 구조를 비교하여 보인 주사전자현미경 사진을 나타내었다. 우선 도 1은 종래에 사용하던 구리분말을 스프레이 페인팅하여 제조된 전자파 차폐막의 표면을 100배로 확대한 사진으로, 코팅층 표면에 코팅된 입자는 후레이크의 형상을 하고 있으며, 크기가 50㎛정도로 조대하고, 치밀하지 못하다. 도 2는 현재 주로 사용되고 있는 은분말을 스프레이 페인팅하여 제조된 전자파 차폐막의 표면을 2000배로 확대한 사진으로, 코팅입자의 크기가 0.5㎛이하로 비교적 미세하고, 치밀하다. 도 3은 본 발명의도금방법에 의하여 제조된 전자파 차폐막을 2000배로 확대한 사진으로, 도금입자는 대단히 미세하고 치밀하게 도금이 된 관계로 입자의 관찰을 불가능하며, 또한 두께 균일성이 대단히 우수하여 피코팅물 표면의 요철이 그대로 나타나 있는 것을 확인할 수 있다.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명은 고분자 소재를 저온 플라즈마 또는 이온 주입방법을 사용하여 상기 표면에 친수성 관능기를 형성한 후, 이를 세척하여 안정화시킨 후 고분자 소재를 저온 플라즈마로 처리하여 표면에 친수성 관능기를 형성하고, 이를 세척하여 안정화시킨 후, Pd/Sn 혼합촉매제제를 흡착시킨다. 산으로 Sn을 제거하여 Pd를 표면에 노출시킨다. 구리이온을 표면의 극성 관능기 주변에 농축시킨 후, Pd 촉매에서 HCHO 등 환원제를 활성화시키는 무전해 환원반응으로 구리나 니켈 이온을 금속 구리나 니켈로 환원시켜 표면에 금속피막을 형성한다. 즉, 습식도금법의 제한 사항과 건식도금법의 비용 문제를 같이 해결할 수 있도록 저온 플라즈마에 의한 표면처리, 표면 안정화, 무전해 도금 등을 효과적으로 연계하여, 효과적이면서도 저렴하게 고분자 소재 표면에 금속피막을 도금하는 방법을 제공하는 것이다.
종래의 방법과 본 발명에 따른 방법에 의한 경우의 각종 특성 및 전자파 차폐와 관련된 특성을 비교한 결과를 하기 표 1 및 표 2에 나타내었다.
표에서 ⊙ 은 탁월하게 우수함을, ○은 우수함을, △은 보통임을, ×는 열등함을 각각 나타낸다.
비교항목 본 발명의도금방법 진공금속증착법 전도성금속도포법 무전해도금법
원소재가격 △ ⊙ × △
인건비 ⊙ × ○ ×
공해처리비용 △ ○ △ ×
생산성 ○ × ⊙ ○
전자파차폐성 ⊙ △ △ ⊙
경제성 ○ × △ △
평균 ⊙ × △ △
코팅기술 본 발명의 방법 진공금속증착 전도성 금속증착
니켈 페인트 구리 페인트 은 페인트
차폐효과 (dB) 80-110 60-60 40-60 50-70 70-80
접점 충전 ○ △ × △ △
요철부 균일성 ⊙ × △ △ △
두께 차폐효과 ⊙ △ △ △ △
두께 균일성 ⊙ △ △ △ △
내식성 및 내구성 ⊙ ○ ○ △ △
밀착성 ○ × ○ ○ ○
상기 표 1 및 표 2에서 비교된 바와 같이 본 발명에 따른 방법을 사용한 경우 비교항목의 특성이 다른 방법을 사용한 경우에 비하여 우수함을 알 수 있었다.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하나, 본 발명이 하기 실시예에 의하여 제한되는 것은 아니다.
실시예 1: 친수성 관능기의 도입
PP 고분자물질의 표면을 저온 플라즈마로 처리하였다. 처리 조건은 다음과 같았다.
처리온도: 15℃
진공도: 0.098 Torr
처리물질: 아크릴산, 산소가스, 메탄가스
처리시간: 3분
기화된 아크릴산이 플라즈마 발생장치를 통과하면서 여기되어 일부는 플라즈마 상태가 되었다. 이들 중 일부는 강한 에너지를 가지고 있어 서로 반응하여 탄소와 산소를 가진 분자조각을 만들거나 고분자 소재 표면과 반응하여 음이온인 극성 관능기를 표면에 발생시켰다. 이로 인해 소수성인 고분자 물질의 표면은 친수성으로 변환되어 접촉각이 크게 달라진다. 물의 접촉각 변화로부터 고분자 물질 표면에서 극성 관능기의 생성여부를 확인할 수 있다.
저온에서 아크릴산 플라즈마로 처리한 고분자 소재의 친수성 증진으로 물의 접촉각이 달라지는 현상을 하기 표 3에 정리하였다.
아크릴산 플라즈마로 처리한 고분자 물질 표면에서 물의 접촉각 변화
고분자 물질 PP PE
처리전 90° 93°
처리후 8.5° 8.5°
표 1에 나타난 바와 같이, 아크릴산 플라즈마로 처리한 경우 고분자 물질 표면에서 물의 접촉각이 현저히 낮아졌다. 이는 고분자 소재의 표면에 친수성 관능기가 많이 형성되어 물의 접촉이 용이해지기 때문에 일어나는 현상이다.
실시예 2: 무전해 도금법에 의한 금속피막의 도금
이어서, 상기 플라즈마 처리된 고분자 소재를 Pd/Sn이 함유된 도금조액에 침지시켰다. 아크릴산 플라즈마로 처리하지 않은 고분자 물질의 표면은 매끄럽고 소수성이어서, Pd/Sn의 도금조액이 젖어들지 않았으나, 플라즈마로 처리한 고분자 물질의 표면에는 극성 관능기가 많이 생성되어 무전해 도금 과정에서 촉매로 작용하는 팔라듐이 들어 있는 도금조액이 잘 젖어들었다.
이어 산으로 처리하였다. 이때 주석은 쉽게 용해되어 제거되나, 팔라듐이 표면에 남아 있어 무전해 도금에서 환원제로 작용하는 HCHO를 활성화하는데 기여한다.
팔라듐이 침적된 고분자 물질 표면에 구리 이온이 들어있는 용액을 가하면, 고분자 물질 표면에 구리이온이 축적된다. 이어 HCHO나 HCOOH등 환원제를 가하면 자기 촉매 환원반응을 거쳐 구리가 석출된다. 환원제에 의해 환원된 팔라듐이 구리 환원반응에 필요한 환원제를 활성화시키는 촉매 활성점으로 작용하여 고분자 물질 표면에 농축된 구리 이온을 금속 구리로 환원시킨다.
플라즈마 처리한 고분자 소재를 하기 공정순서에 맞춰 도금시켰다.
제1 공정: 플라즈마 처리한 고분자 소재를 21℃의 테트라플루오로에틸렌액에 1분간 담구어둔 후 건조시킨다.
제2 공정: 염화팔라듐(PdCl2)이 0.2 g/ℓ, 염화제일주석(SnCl2)이 20 g/ℓ농도로 들어있는 도금조액 100㎖/ℓ와 염산 150 ㎖/ℓ를 섞어만든 27~35℃의 용액에 도금시킬 고분자 재료를 5분간 넣어둔 후 3회 수세한다.
제3 공정: 50℃, 100㎖/ℓ황산(H2SO4) 수용액중에 도금할 고분자 재료를 5분간 담구어둔 후 3회 수세한다.
제4 공정: 21℃에서 황산구리(CuSO4) 7 g/ℓ, 포름알데히드(CH2O)가 7㎖/ℓ, 가성소다(NaOH)가 5 g/ℓ, 롯셀염이 7 g/ℓ 농도로 혼합된 수용액에 5분간 담그어 무전해 구리도금을 실시한다.
제5 공정: 상기 제4 공정에서 도금된 고분자 재료를 증류수로 세척한 후, 도금접착력을 높이기 위하여 70℃에서 100분간 건조한다.
시험예 1: 친수성 관능기 도입에 따른 접촉각의 변화
고분자 소재상에 금속도금이 일어나기 위하여는 우선적으로 무전해 도금반응의 촉매활성점인 Pd가 고분자소재의 표면에 안정하고 고르게 흡착·분산되어야만 무전해 도금이 균일하게 진행될 수 있다. 고분자 표면이 소수성이면 물이 표면에 젖지 않으므로 물에 녹아있는 Pd 와 Sn이 고분자 소재 표면에 흡착될 수 없다.
여러 가지 고분자 재료의 표면을 저온 플라즈마로 처리한 후 고분자 소재의 표면에서 물의 접촉각의 변화를 비교하여 하기 표 4에 정리하였다.
고분자 물질의 플라즈마 처리에 따른 물과의 접촉각의 변화 (단위: 도(°))
PC PVC PET PP PS PE PTFE 폴리이미드 실리콘 고무
처리전 89 83 70 90 91 93 110 95 95
처리후 56 46 45 51 65 81 95 68 70
고분자 소재의 종류에 관계없이 표면은 플라즈마로 처리하면 친수성이 증가하며, 플라즈마 처리로 친수성의 부여가 가능하였다.
시험예 2: 도금된 금속 박막의 접착상태 평가
고분자 물질 표면에 도금된 금속박막의 접착 상태를 접착테이프를 이용한 뜯어내기 시험으로 평가하였다. 뜯어내기 시험에서는 힘보다는 접착테이프에 구리 박막이 붙어있는 상태와 뜯어내기 시험 후 표면에 남아 있는 금속의 분율로부터 접착상태를 평가한다.
길이가 3cm인 3M사 제조의 투명 접착 테이프(폭 10mm)를 도금된 고분자 소재의 표면에 붙인 후 소재면과 직각 방향으로 당겨 테이프를 뜯어낸 후 소재 표면에 남아있는 도금 피막의 상태를 평가한 결과를 하기 표 5에 나타내었다. (도금 피복율은 박리 시험후 표면에 남아있는 금속 피막의 분율을 퍼센트로 나타낸 값이다.)
도금된 구리박막의 접착상태 평가
고분자물질 PE PP PC PTFE
플라즈마 처리시의출력(W)시간(분)반응기체 2010산소 405산소 405미사용 505미사용
무전해 도금시의환원제 농도(㎖/ℓ)시간(분) 75 75 75 75
도금 상태 양호 매우 양호 극히 양호 극히 양호
도금 피복율(%) 85 90 100 100
시험예 3: 고분자 표면의 접촉각에 따른 도금 상태의 비교
고분자 소재에 금속을 도금하기 위하여는 플라즈마로 처리하여 소재의 표면에 친수성을 부여하여 Pd가 표면에 흡착될 수 있어야 한다. 그러나 플라즈마 처리가 과도하여 표면의 친수성이 지나치게 높아지면 도리어 무전해 도금 상태가 나빠진다. 친수성 관능기에 물이 먼저 흡착되어 구리 이온이나 환원제와의 표면 접촉이 용이하지 않기 때문이다. 도금 후에도 고분자 소재와 도금층 사이에 물이 아주 얇게 층으로 남아있게 되어 도금층이 아주 쉽게 떨어진다. 도금피복율은 상기 시험예 2에서 사용한 것과 동일한 뜯어내기 시험에 의하여 구한 값이다.
PTFE 표면의 저온 플라즈마 처리 정도를 바꾸어 친수성이 다른 표면에 무전해 도금하여 결과를 표 6에 정리하였다.
PTFE 표면의 접촉각 차이가 도금 상태에 미치는 영향
플라즈마 처리안함 플라즈마 처리 후
접촉각(°) 110 95 33
도금 피복율(%)* 0 98 3
표 6으로부터 알 수 있듯이 친수성이 과도하게 높아지면 도금상태가 도리어 나쁘다. 지나치게 친수성이 강하면 고분자 소재의 표면이 도금과정의 촉매인 Pd나 도금 성분인 구리 이온보다 물에 대한 친화력이 커서 도금이 저하된다. 친수성 관능기가 많아지면 고분자 소재 표면에 물이 아주 얇더라도 막을 이루면 도금된 금속 박막의 접착 세기도 약해진다.
시험예 4: 세척에 따른 도금 상태의 비교
플라즈마로 처리한 고분자 물질 표면은 매우 불안정한 상태로 표면 원소의 배열이 교란되어 있을 뿐 아니라, 유기물 덩어리도 표면에 부착되어 있다. 이런 상태에서 무전해 도금법으로 도금하여 고분자 물질 표면에 금속이 양호하게 접착되기를 기대하기 어렵다. 따라서 저온 플라즈마로 처리한 고분자 물질의 표면을 유기용매로 처리하여 표면상태를 안정화시킨 후 금속을 도금하면 외관이나 접착 상태가 매우 우수한 도금 피막을 얻을 수 있다.
저온 플라즈마로 처리한 폴리프로필렌 표면을 테트라플루오로에틸렌으로 1분 동안 세척한 후, 무전해 도금하여 세척하지 않고 도금한 표면과 비교한 결과 표 7에 정리하였다. 피복율은 상기 시험예 2에서 사용한 것과 동일한 뜯어내기 시험에 의하여 구한 값이다.
세척에 따른 구리의 도금상태 차이 비교
금속도금상태 도금피복율(%)
세척하지 않음 불량 34
테트라플루오로에틸렌으로 세척 양호 95
플라즈마 처리 후 고분자 소재를 세척하여 도금함으로, 표면상태가 안정화되어 금속의 도금 상태가 현저히 향상됨을 알 수 있었다.
시험예 5: 열처리에 따른 도금 피복율의 비교
저온 플라즈마로 처리한 고분자 소재 표면에 무전해 방법으로 도금할 수 있으나, 공업적으로 사용되기 위해서는 접착력이 매우 우수해야만 한다. 도금피막을 적절하게 열처리하여, 도금된 금속피막과 고분자 소재의 결합력을 향상시킬 수 있다.
도금된 고분자 소재를 60 ℃ 건조로에서 1시간 열처리하여 고분자 소재의 도금상태 향상 정도를 도금 피복율로 비교한 결과를 하기 표 8에 나타내었다. 도금피복율은 상기 시험예 2에서와 동일한 뜯어내기 시험에 의하여 구한 값이다.
도금한 PE 고분자 소재의 열처리로 인한 도금 피복율 향상
열처리 안함 열처리 후
도금 피복율(%) 60 98
무전해 도금 후 적절하게 열처리하면 고분자 소재와 도금 피막의 접착강도가 현저히 향상됨을 알 수 있었다.
상기한 바와 같이 본 발명에 따른 도금방법에 의할 경우, 안정하고 용이한 방법으로 고분자 재료의 표면에 금속을 피복시키는 것이 가능하여, 고분자 소재에 외관의 품질향상, 기계적 성질의 개선, 내열성 및 내구성의 개선, 흡수율의 감소, 전도성 및 납땜성의 부여 등 고분자 재료에는 없는 새로운 특성을 부여할 수가 있다. 본 발명에 따른 도금방법에 의하여 도금된 고분자 재료는 그 성능이 향상되어, 정보처리관련 기기의 전자파 차단, 인쇄회로기판 제조, 다양한 형태의 전극과 대전방지판 제조 등 여러 분야에 사용할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면, 종래의 습식도급법이나 건식도금법과 달리 저렴하고 간편하게 또 다양한 고분자 재료에 금속피막을 도금할 수 있다. 또한 저온 플라즈마의 처리조건과 환원제의 농도를 조절하므로 도금되는 금속 박막의 두께도 폭 넓게 조절할 수 있으며, 저온 플라즈마를 이용할 경우, 극성 관능기 도입을 위하여 아세톤, 아크릴레이트 등 산소가 들어있는 유기 물질과 에틸렌, 등 유기 기체, 산소나 알곤 등 무기기체 등을 사용할 수 있기 때문에, 원하는 금속 박막의 두께, 상태, 접착 세기에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 또한 저온 플라즈마 처리나 무전해 도금은 소재를 회전시키거나 교반하면서 진행할 수 있기 때문에, 복잡한 구조의 물체에도 적용할 수 있다.
본 발명에 따른 도금방법은 특히 전자파 차폐막의 코팅시에 유용하게 사용될 수 있으며, 종래의 방법보다 코팅피막이 치밀하며 피코팅물의 형상에 관계없이 균일한 전자파 차폐막의 제조가 가능할 뿐만 아니라, 생산성과 경제성이 뛰어나다.

Claims (20)

  1. 고분자 소재의 표면에 친수성 관능기를 도입하는 제1 단계; 및
    금속촉매를 사용한 무전해 도금법을 사용하여, 상기 친수성 관능기가 도입된 고분자 소재의 표면을 금속피막으로 도금하는 제2 단계;
    를 포함하는 고분자 소재의 표면의 금속피막 도금 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 친수성 관능기의 도입은 저온 플라즈마를 발생시켜 행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 저온 플라즈마 발생은 100 ~ 5 ×10-4Torr의 압력 및 5 ~ 70℃의 온도가 유지되는 진공조 내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 저온 플라즈마 발생에 의한 친수성 관능기 도입 후,
    유기용제에 0.1 내지 5분 동안 침지시키거나 또는 초음파 세척기로 세척하는 단계를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 유기용제는 테트라플루오로에틸렌 또는 테트라클로로에틸렌인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 저온 플라즈마의 발생은 진공관내에 남아있는 공기에 의하여 발생시키거나, 또는 아세톤, 아세트 알데히드, 포르말린, 아크릴산, 산소, 아르곤 및 수소로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 플라즈마 발생관 내로 주입시켜 발생시키는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 친수성 관능기의 도입은 이온 조사에 의하거나, 또는 저온 플라즈마의 발생과 이온 조사를 병행하여 행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 금속촉매는 팔라듐, 백금, 금, 은, 주석으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용하는 것을 특징으로
    하는 방법.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 고분자 소재는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS), 폴리이미드, 아크릴수지, 불소수지 및 고무로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 금속피막은 니켈, 구리, 금, 은, 주석 및 코발트로 이루어진 그룹에서 선택된 1종의 금속의 피막이거나, 또는 이들 중 1종 이상을 금속을 포함하는 합금의 피막인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 단계 이후, 재도금하는 단계를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 재도금은 습식 전기도금법으로 행하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 습식 전기도금법은, 자성재료 분말을 혼합한 습식 전기 도금액을 사용하여, 자성재료 분말이 혼합된 금속층이 고분자 소재의 표면에 도금되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 단계 이후, 사용된 고분자 소재의 연화점 이하 온도로 5분 내지 200분간 가열하는 단계를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 단계는
    염화팔라듐(PdCl2) 0.1 내지 100g/l, 염화제일주석(SnCl2)이 0.1 내지 100g/l, 염산(HCl) 50 내지 400g/l 가 함유된 용액 내에서 15 내지 50℃의 온도로 1 내지 20분간 침지시킨 후 수세하는 것을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  16. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 단계는
    20 내지 150ml/l의 황산 혹은 염산이 함유된 수용액에서 15 내지 40℃의 온도로 1 내지 15분간 침지시킨 후, 무전해 도금을 실시하는 것으로 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  17. 제1 항에 있어서,
    제1 단계의 친수성 관능기를 도입하는 단계에 의하여, 친수성 관능기를 도입하지 않은 고분자 소재에 비하여 물의 접촉각이 5 내지 60도가 작게 되는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제1 항 내지 제17 항중 어느 한 항의 방법을 사용하여 피도금물을 도금처리한 전자파 차폐용 도금처리물.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 피도금물은 휴대폰 케이스인 도금처리물.
  20. 제1 항 내지 제17 항 중 어느 한 항의 도금 방법을 공정의 일부로 포함하는 인쇄회로 기판의 제조방법.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100514953B1 (ko) * 2003-03-05 2005-09-14 주식회사 피앤아이 전자기기용 플라스틱 하우징 제조방법
KR100668258B1 (ko) * 2005-05-24 2007-01-12 (주) 태양기전 플라스틱성형품의 표면코팅방법 및 이를 이용한 코팅층
KR100974441B1 (ko) * 2008-04-30 2010-08-06 정의산업(주) 도전성 입자의 제조방법
KR101317667B1 (ko) * 2005-12-06 2013-10-15 가부시끼가이샤 제이씨유 팔라듐 착체 및 이것을 이용하는 촉매 부여 처리액
KR101411821B1 (ko) * 2012-10-18 2014-06-24 한국과학기술연구원 플랙서블 패턴 형성 방법
KR20160061730A (ko) 2014-11-24 2016-06-01 부산대학교 산학협력단 전도성 고분자를 이용한 금속 구조물 및 그 제조 방법
KR20170007498A (ko) 2017-01-06 2017-01-18 부산대학교 산학협력단 전도성 고분자를 이용한 금속 구조물 및 그 제조 방법
WO2020145424A1 (ko) * 2019-01-08 2020-07-16 주식회사 아이엠기술 강건성이 요구되는 플라스틱 외형의 금속코팅방법
WO2020145425A1 (ko) * 2019-01-08 2020-07-16 주식회사 아이엠기술 수지재 항공우주 부품의 디개싱을 방지하기 위한 코팅방법

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005223167A (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Shinko Electric Ind Co Ltd 親水性処理方法及び配線パターンの形成方法
JP4544913B2 (ja) * 2004-03-24 2010-09-15 富士フイルム株式会社 表面グラフト形成方法、導電性膜の形成方法、金属パターン形成方法、多層配線板の形成方法、表面グラフト材料、及び導電性材料
US7297397B2 (en) * 2004-07-26 2007-11-20 Npa Coatings, Inc. Method for applying a decorative metal layer
JP2006183125A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Toyoda Gosei Co Ltd めっき膜付き樹脂製品及びその製造方法
TW200635085A (en) * 2005-01-20 2006-10-01 Barnes Group Inc LED assembly having overmolded lens on treated leadframe and method therefor
KR100626827B1 (ko) 2005-07-07 2006-11-23 디엠아이텍 주식회사 전도성 금속 도금 폴리이미드필름 제조시스템
CN101313010B (zh) * 2005-11-22 2011-10-26 林汉邦 一种无需粘合剂的金属化聚酰亚胺膜的制造方法
US20070178222A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Storey Daniel M Radiopaque coatings for polymer substrates
US20100057179A1 (en) * 2006-01-30 2010-03-04 Chameleon Scientific Corporation Conductive metal thin coatings for implantable medical sensing devices
US9422622B2 (en) 2006-01-30 2016-08-23 Surfatek Llc Flexible conductive single wire
US20070207310A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-06 Storey Daniel M Chrome coated surfaces and deposition methods therefor
CN100411734C (zh) * 2006-07-28 2008-08-20 华南理工大学 超声－等离子体联合制备CuO/CeO2/γ－Al2O3催化剂的方法
JP5364237B2 (ja) * 2006-08-28 2013-12-11 ダイセルポリマー株式会社 めっき樹脂成形体
US20080175986A1 (en) * 2007-01-24 2008-07-24 Kenneth Crouse Second surface metallization
JP2008308762A (ja) * 2007-05-17 2008-12-25 Kimoto & Co Ltd 無電解メッキ形成材料、および無電解メッキされた非導電性基材の製造方法
CN101374386B (zh) * 2007-08-24 2011-03-23 富葵精密组件(深圳)有限公司 印刷电路板的制作方法
JP2009057518A (ja) * 2007-09-03 2009-03-19 Institute Of Physical & Chemical Research 異方性フィルムおよび異方性フィルムの製造方法
KR100992569B1 (ko) 2008-04-29 2010-11-05 두성산업 주식회사 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프 및 그 제조 방법
US8178120B2 (en) * 2008-06-20 2012-05-15 Baxter International Inc. Methods for processing substrates having an antimicrobial coating
US8753561B2 (en) 2008-06-20 2014-06-17 Baxter International Inc. Methods for processing substrates comprising metallic nanoparticles
US8277826B2 (en) * 2008-06-25 2012-10-02 Baxter International Inc. Methods for making antimicrobial resins
US20090324738A1 (en) * 2008-06-30 2009-12-31 Baxter International Inc. Methods for making antimicrobial coatings
FR2934609B1 (fr) * 2008-07-30 2011-07-22 Jet Metal Technologies Procede non eletrolytique de metallisation en ligne de substrats par projection avec traitement de surface prealable et dispositif pour la mise en oeuvre du procede.
US7891091B2 (en) * 2008-11-25 2011-02-22 Yonggang Li Method of enabling selective area plating on a substrate
US20100227052A1 (en) * 2009-03-09 2010-09-09 Baxter International Inc. Methods for processing substrates having an antimicrobial coating
KR101044970B1 (ko) * 2009-09-15 2011-06-29 한서대학교 산학협력단 메조포러스 고분자 나노중합 합성체 소재 제조방법
US8952919B2 (en) 2011-02-25 2015-02-10 Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. Capacitive touch sensitive housing and method for making the same
US20120273261A1 (en) 2010-10-20 2012-11-01 Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd. Circuit substrate having a circuit pattern and method for making the same
US8621749B2 (en) 2010-03-12 2014-01-07 Taiwan Green Point Enterprises Co., Ltd Non-deleterious technique for creating continuous conductive circuits
DK2640868T3 (en) * 2010-11-16 2018-12-10 Cuptronic Tech Ltd METAL COATING OF ARTICLES USING A PLASMA POLYMERIZATION PRESERVATION
JP5893917B2 (ja) * 2011-12-28 2016-03-23 日東電工株式会社 電子部品用樹脂シート、電子部品用樹脂シートの製造方法、及び、半導体装置の製造方法
CN106519740B (zh) 2012-10-26 2019-01-11 比亚迪股份有限公司 白色涂料组合物、绝缘基材表面选择性金属化的方法及复合制品
CN103313523B (zh) * 2013-05-28 2016-06-08 上海安费诺永亿通讯电子有限公司 一种电子线路的制作方法
KR101548801B1 (ko) 2013-08-28 2015-08-31 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법
KR20150053592A (ko) 2013-11-08 2015-05-18 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법
KR101540583B1 (ko) * 2013-12-05 2015-07-31 에스피텍 주식회사 반도체 패키지용 전자파 차폐층 제조방법
JP2015115334A (ja) * 2013-12-09 2015-06-22 イビデン株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
EP3087619A1 (en) * 2013-12-23 2016-11-02 Solvay Specialty Polymers Italy S.p.A. Display devices
CN103789716B (zh) * 2014-01-19 2015-10-28 大连理工大学 一种大气压冷等离子体射流对金属材料表面改性的方法
WO2015110089A1 (en) * 2014-01-27 2015-07-30 Byd Company Limited Method for metalizing polymer substrate and polymer article prepared thereof
CN103987208B (zh) * 2014-06-06 2017-11-24 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种印刷线路板及其制作方法
US11085125B2 (en) * 2014-12-02 2021-08-10 Oceanit Laboratories, Inc. Controlled method for applying coating materials to complex heat transfer surfaces
US10822703B2 (en) * 2015-07-30 2020-11-03 Basf Se Process for pretreatment of plastic surfaces for metallization
CN105200669B (zh) * 2015-10-27 2017-11-24 上海锦湖日丽塑料有限公司 一种电镀用塑料制件电镀前处理方法
CN105671526B (zh) * 2016-01-22 2018-05-22 卓达新材料科技集团有限公司 一种镀金属膜的聚合物材料
CN105887464B (zh) * 2016-05-04 2018-04-20 盐城工学院 一种多功能自清洁纺织品的整理方法
WO2018018161A1 (en) * 2016-07-29 2018-02-01 Simon Fraser University Methods of electrochemical deposition
CN106350843B (zh) * 2016-10-11 2018-07-10 上海瑞尔实业有限公司 一种用于塑料电镀的前处理方法
CN106544675A (zh) * 2016-10-26 2017-03-29 昆明理工大学 一种磁性薄膜复合有机薄膜的多层膜材料的制备方法
CN110769944B (zh) * 2017-02-03 2022-03-25 印可得株式会社 电磁波屏蔽涂覆方法
WO2019059933A1 (en) * 2017-09-22 2019-03-28 Intel Corporation APPARATUS WITH SUBSTRATE PROVIDED WITH PLASMA TREATMENT
CN107903435B (zh) * 2017-11-07 2021-06-04 东莞市富颖电子材料有限公司 一种防电磁辐射防水透气薄膜材料及其制备方法及应用
CN109778152A (zh) * 2017-11-10 2019-05-21 中国科学院大连化学物理研究所 一种高比表面积钯/聚合物复合膜的改进化学镀方法
WO2019221299A1 (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 国立大学法人大阪大学 表面処理ポリマーの製造方法、ポリマー、金属メッキポリマーおよび接着積層体並びにそれらの製造方法
CN110105668A (zh) * 2019-05-29 2019-08-09 江林（贵州）高科发展股份有限公司 一种电镀聚丙烯材料及其电镀方法
CN110306166B (zh) * 2019-08-15 2022-07-12 佛山市思博睿科技有限公司 一种等离子化学气相沉积金属基材表面纳米膜的制备方法
CN111962111A (zh) * 2020-08-04 2020-11-20 深圳市生利科技有限公司 含钴合金镀层的手机材料及其制备方法
AU2021414197A1 (en) * 2020-12-30 2023-07-06 Convatec Technologies, Inc. Functionalisation of medical devices
CN113145180B (zh) * 2021-05-17 2022-01-21 暨南大学 一种磁性离子交换树脂马达的制备方法及其产品和应用
CN114023512A (zh) * 2021-10-29 2022-02-08 西北工业大学 一种导体的制备方法、柔性金属导体、应用和导电材料
CN114150263B (zh) * 2021-12-08 2023-07-18 安徽工业大学 一种改善有机基体上金属化薄膜形核均匀性的方法
CN115282789B (zh) * 2022-01-24 2023-09-29 浙江师范大学 一种ABS-Ni复合分离膜及其制备方法与应用
WO2024050693A1 (zh) * 2022-09-06 2024-03-14 扬州纳力新材料科技有限公司 改性聚合物膜的制备方法、改性聚合物膜及其用途
CN115746371A (zh) * 2022-10-31 2023-03-07 北京星驰恒动科技发展有限公司 聚酰亚胺的表面处理方法及聚酰亚胺
KR102572581B1 (ko) * 2023-05-12 2023-08-30 주식회사 성진로지스 레이져 및 uv코팅 활용한 도금방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4017265A (en) * 1972-02-15 1977-04-12 Taylor David W Ferromagnetic memory layer, methods of making and adhering it to substrates, magnetic tapes, and other products
JPS5517507B2 (ko) * 1972-06-29 1980-05-12
US4070224A (en) * 1974-04-01 1978-01-24 Allied Resin Corporation Polymer backed silicone rubber molds and means for forming bonds with polyorganosiloxanes
US4003768A (en) * 1975-02-12 1977-01-18 International Business Machines Corporation Method for treating magnetic alloy to increase the magnetic permeability
JPS586781B2 (ja) * 1975-10-21 1983-02-07 富士写真フイルム株式会社 キンゾクハクマクケイセイホウ
US4422907A (en) * 1981-12-30 1983-12-27 Allied Corporation Pretreatment of plastic materials for metal plating
JPS5912943A (ja) * 1982-07-14 1984-01-23 Teijin Ltd 金属表面を有するポリアミド成型物の製造方法
US4956197A (en) * 1986-10-27 1990-09-11 International Business Machines Corporation Plasma conditioning of a substrate for electroless plating
US4731156A (en) * 1987-02-25 1988-03-15 Itt Avionics, A Division Of Itt Corporation Plasma processes for surface modification of fluoropolymers using ammonia
JPS63247376A (ja) * 1987-04-03 1988-10-14 Citizen Watch Co Ltd プラスチツク成形品への無電解メツキの前処理方法
US5340451A (en) * 1990-10-04 1994-08-23 International Business Machines Corporation Process for producing a metal organic polymer combination
US5178914A (en) * 1990-10-30 1993-01-12 International Business Machines Corp. Means of seeding and metallizing polymide
JPH05202483A (ja) * 1991-04-25 1993-08-10 Shipley Co Inc 無電解金属化方法と組成物
JPH0760821B2 (ja) * 1991-05-17 1995-06-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ポリマー基材の状態調整方法
US5357005A (en) * 1991-12-11 1994-10-18 International Business Machines Corporation Reactive surface functionalization
US5696207A (en) * 1994-12-09 1997-12-09 Geo-Centers, Inc. Fluroropolymeric substrates with metallized surfaces and methods for producing the same
KR19980024945A (ko) * 1996-09-26 1998-07-06 야마모토 히데키 범프 접점을 갖는 회로 기판의 제조 방법 및 그 방법에 사용되는 제트 분사형 도금 장치
IL124903A0 (en) * 1998-06-15 1999-01-26 Bauer Alan Josef An enzyme biosensor
US6060181A (en) * 1998-08-17 2000-05-09 Mcdonnell Douglas Corporation Low loss magnetic alloy

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100514953B1 (ko) * 2003-03-05 2005-09-14 주식회사 피앤아이 전자기기용 플라스틱 하우징 제조방법
KR100668258B1 (ko) * 2005-05-24 2007-01-12 (주) 태양기전 플라스틱성형품의 표면코팅방법 및 이를 이용한 코팅층
KR101317667B1 (ko) * 2005-12-06 2013-10-15 가부시끼가이샤 제이씨유 팔라듐 착체 및 이것을 이용하는 촉매 부여 처리액
KR100974441B1 (ko) * 2008-04-30 2010-08-06 정의산업(주) 도전성 입자의 제조방법
KR101411821B1 (ko) * 2012-10-18 2014-06-24 한국과학기술연구원 플랙서블 패턴 형성 방법
KR20160061730A (ko) 2014-11-24 2016-06-01 부산대학교 산학협력단 전도성 고분자를 이용한 금속 구조물 및 그 제조 방법
KR20170007498A (ko) 2017-01-06 2017-01-18 부산대학교 산학협력단 전도성 고분자를 이용한 금속 구조물 및 그 제조 방법
WO2020145424A1 (ko) * 2019-01-08 2020-07-16 주식회사 아이엠기술 강건성이 요구되는 플라스틱 외형의 금속코팅방법
WO2020145425A1 (ko) * 2019-01-08 2020-07-16 주식회사 아이엠기술 수지재 항공우주 부품의 디개싱을 방지하기 위한 코팅방법
KR20200093092A (ko) * 2019-01-08 2020-08-05 주식회사 아이엠기술 강건성이 요구되는 플라스틱 외형의 금속코팅방법

Also Published As

Publication number Publication date
ATE431860T1 (de) 2009-06-15
EP1366207B1 (en) 2009-05-20
EP1366207A1 (en) 2003-12-03
JP2004519559A (ja) 2004-07-02
KR100494050B1 (ko) 2005-06-10
US20030165633A1 (en) 2003-09-04
CN1481448A (zh) 2004-03-10
CN1223702C (zh) 2005-10-19
US20070059449A1 (en) 2007-03-15
JP3741688B2 (ja) 2006-02-01
EP1366207A4 (en) 2008-01-02
WO2002075020A1 (en) 2002-09-26
DE60232404D1 (de) 2009-07-02
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