KR102652012B1 - 웨이퍼 프로세싱 시스템들을 위한 열 관리 시스템들 및 방법들 - Google Patents

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드미트리 루보미르스키
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Abstract

작업물 홀더는 원통 축, 원통 축을 중심으로 한 반경, 및 두께를 갖는 퍽을 포함한다. 퍽의 적어도 정상부 표면은 실질적으로 평면이고, 퍽은 하나 또는 그 초과의 열 차단부들을 정의한다. 각각의 열 차단부는, 원통형인 퍽의 정상부 표면 및 바닥부 표면 중 적어도 하나와 교차하는 방사상 리세스이다. 방사상 리세스는, 퍽 두께의 적어도 절반을 통해 연장되는 열 차단부 깊이, 및 퍽 반경의 적어도 1/2인 열 차단부 반경을 갖는다. 웨이퍼를 프로세싱하는 방법은, 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화를 제공하는 제 1 프로세스로 웨이퍼를 프로세싱하는 단계, 그리고 그 이후에, 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화를 실질적으로 보상하는 제 2 중앙-대-에지 프로세스 변화를 제공하는 제 2 프로세스로 웨이퍼를 프로세싱하는 단계를 포함한다.

Description

웨이퍼 프로세싱 시스템들을 위한 열 관리 시스템들 및 방법들
[0001] 본 개시물은 프로세싱 장비 분야에 폭넓게 적용된다. 더 구체적으로, 작업물에 대해 공간적으로 맞춰진(spatially tailored) 프로세싱을 제공하기 위한 시스템들 및 방법들이 개시된다.
[0002] 보통, 집적 회로들 및 다른 반도체 제품들은 "웨이퍼들"로 지칭되는 기판들의 표면 상에 제조된다. 때때로, 프로세싱은 캐리어에 홀딩되는 웨이퍼들의 그룹에 대해 수행되지만, 다른 때에는 프로세싱 및 테스팅이 한 번에 하나의 웨이퍼에 대해 수행된다. 단일 웨이퍼 프로세싱 또는 테스팅이 수행될 때, 웨이퍼는 웨이퍼 척 상에 포지셔닝될 수 있다. 다른 작업물들은 또한, 유사한 척들 상에서 프로세싱될 수 있다. 척들은, 프로세싱을 위해 작업물의 온도를 제어하기 위해서, 온도 제어될 수 있다.
[0003] 실시예에서, 작업물 홀더는 프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝한다. 작업물 홀더는, 원통 축, 원통 축을 중심으로 한 퍽(puck) 반경, 및 퍽 두께에 의해 특징지어지는 실질적으로 원통형인 퍽을 포함한다. 퍽 반경은 퍽 두께의 최소 4배이며, 원통형인 퍽의 적어도 정상부 표면은 실질적으로 평면이고, 원통형인 퍽은 하나 또는 그 초과의 방사상 열 차단부들(radial thermal breaks)을 정의한다. 각각의 열 차단부는, 원통형인 퍽의 정상부 표면 및 바닥부 표면 중 적어도 하나와 교차하는 방사상 리세스(recess)로서 특징지어진다. 방사상 리세스는, 퍽의 바닥부 표면 또는 정상부 표면으로부터 퍽 두께의 적어도 절반을 통해 연장되는 열 차단부 깊이, 및 원통 축을 중심으로 대칭적으로 배치되고 퍽 반경의 적어도 1/2인 열 차단부 반경에 의해 특징지어진다.
[0004] 일 실시예에서, 웨이퍼를 프로세싱하는 방법은, 제 1 중앙-대-에지(center-to-edge) 프로세스 변화(variation)를 제공하는 제 1 프로세스로 웨이퍼를 프로세싱하는 단계, 그리고 이후에, 제 2 중앙-대-에지 프로세스 변화를 제공하는 제 2 프로세스로 웨이퍼를 프로세싱하는 단계를 포함한다. 제 2 중앙-대-에지 프로세스 변화는 실질적으로, 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화를 보상한다.
[0005] 실시예에서, 작업물 홀더는 프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝한다. 작업물 홀더는, 원통 축 및 실질적으로 평면인 정상부 표면에 의해 특징지어지는 실질적으로 원통형인 퍽을 포함한다. 원통형인 퍽은 2개의 방사상 열 차단부들을 정의한다. 열 차단부들 중 제 1 열 차단부는, 제 1 반경에서 원통형인 퍽의 바닥부 표면과 교차하고, 바닥부 표면으로부터 퍽의 두께의 적어도 1/2을 통해 연장되는 방사상 리세스로서 특징지어진다. 열 차단부들 중 제 2 열 차단부는, 제 1 반경보다 더 큰 제 2 반경에서 정상부 표면과 교차하고, 정상부 표면으로부터 퍽의 두께의 적어도 1/2을 통해 연장되는 방사상 리세스로서 특징지어진다. 열 싱크(sink)는 실질적으로 퍽의 바닥부 표면 아래에서 연장되며, 퍽에 대한 기준 온도를 유지하기 위해, 채널들을 통해 열 교환 유체를 유동시키는 금속 플레이트를 포함하고, 채널들은 금속 플레이트 내에 정의된다. 제 1 가열 디바이스가 열 싱크와 퍽 사이에 배치된다. 제 1 가열 디바이스는 제 1 반경 내에서, 퍽의 바닥부 표면과, 그리고 열 싱크와 열적으로 연통(in thermal communication)한다. 제 2 가열 디바이스가 열 싱크와 퍽 사이에 배치된다. 제 2 가열 디바이스는 제 2 반경 밖에서, 퍽의 바닥부 표면과, 그리고 열 싱크와 열적으로 연통한다.
[0006] 도 1은, 실시예에 따른, 작업물 홀더를 갖는 프로세싱 시스템의 주요 엘리먼트들을 개략적으로 예시한다.
[0007] 도 2는, 도 1의 작업물 홀더의 예시적인 구성 세부 사항들을 예시하는 개략적인 단면도이다.
[0008] 도 3은, 실시예와 일치하는, 도 1의 작업물 홀더의 부분을 형성하는 퍽의 내측 및 외측 부분들에 대한 열 싱크 및 가열기들의 적용을 예시하는 개략적인 단면도이다.
[0009] 도 4는, 실시예와 일치하는, 열 싱크, 저항성 가열기, 및 퍽의 피처들을 예시하는 개략적인 단면도이다.
[0010] 도 5는, 실시예와 일치하는, 도 4의 내측 저항성 가열기 내의 가열기 트레이스(trace)의 레이아웃을 개략적으로 예시한다.
[0011] 도 6은, 실시예와 일치하는, 열 차단부 내에 배치된 리프트 핀 메커니즘을 개략적으로 예시한다.
[0012] 도 7은, 실시예와 일치하는, 리프트 핀들이 열 차단부 내에 배치된 3개의 리프트 핀 어레인지먼트를 평면도로 개략적으로 예시한다.
[0013] 도 8은, 실시예와 일치하는, 웨이퍼 또는 다른 작업물을 프로세싱하기 위한 방법의 흐름도이다.
[0014] 도 9는, 도 8의 방법의 하나의 단계(그러나 이에 제한되지는 않음)를 포함하는 방법의 흐름도이다.
[0015] 도 10은, 도 8의 방법의 다른 단계(그러나 이에 제한되지는 않음)를 포함하는 방법의 흐름도이다.
[0016] 본 개시물은, 아래에서 설명되는 도면들과 관련하여 취해진 이하의 상세한 설명을 참조함으로써 이해될 수 있으며, 동일한 컴포넌트들을 지칭하기 위해 여러 도면들에서 동일한 참조 번호들이 사용된다. 예시의 명료성의 목적들을 위해, 도면들에서 특정 엘리먼트들은 실척으로 도시되지 않을 수 있다는 점이 주목된다. 대시 다음에 숫자를 사용하여 아이템의 특정 인스턴스들이 지칭될(예컨대, 가열기들(220-1, 220-2)) 수 있는 반면, 삽입구(parentheses) 없는 숫자들은 임의의 그러한 아이템을 지칭한다(예컨대, 가열기들(220)). 아이템의 다수의 인스턴스들이 도시되는 경우들에서는, 예시의 명확함을 위해 인스턴스들 중 오직 일부만이 레이블링될 수 있다.
[0017] 도 1은, 웨이퍼 프로세싱 시스템(100)의 주요 엘리먼트들을 개략적으로 예시한다. 시스템(100)은 단일 웨이퍼, 반도체 웨이퍼 플라즈마 프로세싱 시스템으로 도시되어 있지만, 본원의 기술들 및 원리들이 임의의 유형의 웨이퍼 프로세싱 시스템들에 적용 가능하다는 것이 당업자에게 명백할 것이다(예컨대, 시스템들은 반드시 웨이퍼들 또는 반도체들을 프로세싱할 필요는 없으며, 프로세싱을 위해 반드시 플라즈마들을 활용할 필요도 없다). 프로세싱 시스템(100)은 웨이퍼 인터페이스(115), 사용자 인터페이스(120), 플라즈마 프로세싱 유닛(130), 제어기(140), 및 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들(150)을 위한 하우징(110)을 포함한다. 프로세싱 시스템(100)은, 가스(들)(155), 외부 전력(170), 진공(160), 및 선택적으로 다른 것들을 포함할 수 있는 다양한 유틸리티들에 의해 지원을 받는다(supported). 예시의 명확함을 위해, 프로세싱 시스템(100) 내의 내부 배관 및 전기 연결들은 도시되지 않는다.
[0018] 프로세싱 시스템(100)은, 플라즈마를 제 1 위치에서 생성하고 플라즈마 및/또는 플라즈마 생성물들(예컨대, 이온들, 분자 조각들, 에너자이징된(energized) 종, 등)을 프로세싱이 일어나는 제 2 위치로 지향시키는 소위 간접 플라즈마 프로세싱 시스템으로 도시된다. 따라서, 도 1에서, 플라즈마 프로세싱 유닛(130)은, 프로세스 챔버(134)를 위해 플라즈마 및/또는 플라즈마 생성물들을 공급하는 플라즈마 소스(132)를 포함한다. 프로세스 챔버(134)는 하나 또는 그 초과의 작업물 홀더들(135)을 포함하고, 웨이퍼 인터페이스(115)는, 프로세싱을 위해 홀딩되어야 할 작업물(50)(예컨대, 반도체 웨이퍼, 그러나 다른 유형의 작업물이 될 수 있음)을 작업물 홀더들(135) 상에 배치시킨다. 작업물(50)이 반도체 웨이퍼인 경우, 작업물 홀더(135)는 보통, 웨이퍼 척으로 지칭된다. 동작 시에, 가스(들)(155)가 플라즈마 소스(132) 내로 도입되고, 무선 주파수 생성기(RF 생성기)(165)가 전력을 공급하여 플라즈마 소스(132) 내에서 플라즈마를 점화한다(ignite). 플라즈마 및/또는 플라즈마 생성물들은 플라즈마 소스(132)로부터 디퓨저 플레이트(137)를 통과하여, 작업물(50)이 프로세싱되는 프로세스 챔버(134)로 이동한다. 플라즈마 소스(132)로부터의 플라즈마에 부가하여 또는 대안적으로, 플라즈마는 또한, 작업물(50)의 직접 플라즈마 프로세싱을 위해 프로세스 챔버(134) 내에서 점화될 수 있다.
[0019] 본원의 실시예들은 웨이퍼 프로세싱 시스템들에 새롭고 유용한 기능을 제공한다. 수 년간 피처 크기들이 현저하게 감소되는 동안 반도체 웨이퍼 크기는 증가되었고, 이로써, 프로세싱된 웨이퍼 당 더 많은 집적 회로들 ― 직접 회로들은 더 많은(greater) 기능을 가짐 ― 을 얻을 수 있다. 웨이퍼들이 더 커지는 동안 더 작은 피처들을 프로세싱하는 것은 프로세싱 균일성의 현저한 개선들을 요구한다. 보통, 화학 반응 레이트들(rates)은 온도에 민감하기 때문에, 프로세싱 동안 웨이퍼들에 걸친 온도 제어가 보통, 균일한 프로세싱의 핵심이다.
[0020] 또한, 일부 유형들의 프로세싱(예컨대, 웨이퍼의 중앙으로부터 에지로 가면서 변하는 프로세싱)은 방사상 효과들을 가질 수 있다. 일부 유형들의 프로세스 장비는 이러한 효과들을 다른 것들보다 더 잘 제어할 수 있는데, 즉, 일부는 높은 방사상 프로세스 균일성을 달성하는 반면, 다른 것들은 달성하지 않는다. 본원의 실시예들은, 방사상 효과들이, 제어에 중요할 뿐만 아니라, 그러한 제어를 달성할 수 없는 프로세싱을 보상하도록 맞춰질 수 있는 방사상 프로세싱 제어를 제공할 수 있게 되는 것이 더 유리할 것이라는 점을 인식한다. 예컨대, 반도체 프로세싱에서 일반적인 것처럼, 층이 웨이퍼 상에 증착되고 그런 다음에 선택적으로 에칭되는 경우를 고려해본다. 증착 단계가 웨이퍼의 중앙에서보다 웨이퍼의 에지에서 더 두꺼운 층을 증착시키는 것으로 알려진다면, 보상 에칭 단계는 유리하게, 웨이퍼의 중앙에서보다 웨이퍼의 에지에서 더 높은 에칭 레이트를 제공할 것이고, 이로써, 증착된 층은 웨이퍼의 모든 부분들에서 동시에 완성되도록 에칭될 것이다. 유사하게, 에칭 프로세스가 중앙-대-에지 변화를 갖는 것으로 알려진다면, 에칭 프로세스 이전의 보상 증착은 대응하는 변화를 제공하도록 조정될 수 있다.
[0021] 방사상 효과들을 갖는 프로세싱의 그러한 많은 경우들에서, 명백한 중앙-대-에지 온도 변화를 제공함으로써 보상 프로세스가 제공될 수 있는데, 이는 보통, 온도가 프로세스들의 반응 레이트들에 실질적으로 영향을 주기 때문이다.
[0022] 도 2는, 도 1의 작업물 홀더(135)의 예시적인 구성 세부 사항들을 예시하는 개략적인 단면이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 작업물 홀더(135)는, 실질적으로 원통형인 퍽(200)을 포함하고, 원통 축(Z)으로부터 반경 방향(R)으로 퍽 반경(r1)을 갖는 것을 특징으로 한다. 사용 시에, 작업물(50)(예컨대, 웨이퍼)은 프로세싱을 위해 퍽(200) 상에 위치될 수 있다. 퍽(200)의 바닥부 표면(204)은 퍽(200)의 중간 바닥부 표면 높이가 되도록 취해지는데; 즉, 퍽(200)이, 다른 하드웨어를 위한 부착점들로서 형성될 수 있는, 에지 링들 또는 다른 돌출부들(206), 또는 만입부들(208)과 같은 피처들을 제외하고, 축(Z)의 방향으로 퍽(200)의 전형적인 바닥부 표면 높이를 정의하는 평면이 되도록 취해진다. 유사하게, 정상부 표면(202)은 작업물(50)을 수용하도록 구성된 평면 표면이 되도록 취해지는데, 그러한 평면 표면에 (도 4 참조, 예컨대, 진공 채널들로서) 형성될 수 있는 그루브들(grooves) 및/또는 작업물(50)을 유지하는 다른 피처들과는 무관하다. 그러한 모든 돌출부들, 만입부들, 그루브들, 링들, 등은 본 명세서의 문맥에서 "실질적으로 원통형"인 퍽(200)의 특성을 손상시키지 않는다. 퍽(200)은 또한, 도시된 바와 같이, 바닥부 표면(204)과 정상부 표면(202) 사이에 두께(t)를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다. 특정 실시예들에서, 퍽 반경(r1)은 퍽 두께(t)의 적어도 4배이지만, 이는 필요 조건은 아니다.
[0023] 퍽(200)은, 도시된 바와 같이, 하나 또는 그 초과의 방사상 열 차단부들(210)을 정의한다. 열 차단부들(210)은, 퍽(200)의 정상부 표면(202) 또는 바닥부 표면(204) 중 적어도 하나와 교차하는, 퍽(200)에 정의된 방사상 리세스들이다. 열 차단부들(210)은 그 용어가 의미하는 바와 같이 작용하는데, 즉, 열 차단부들은 퍽(200)의 방사상 외측 부분(214)과 방사상 내측 부분(212) 사이에 열 저항(thermal resistance)을 제공한다. 이는 퍽(200)의 방사상 내측 및 외측 부분들의 명백한 방사상(예컨대, 중앙-대-에지) 열 제어를 용이하게 하는데, 이는, 내측 및 외측 부분들의 정밀한 열 매칭(matching)을 제공하거나 또는 내측 및 외측 부분들에 걸쳐서 의도적인 온도 변화를 제공하는 측면에서 유리하다. 열 차단부들(210)은 열 차단 깊이 및 열 차단 반경을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다. 열 차단부들(210)의 깊이가 실시예들 사이에서 변할 수 있지만, 열 차단부 깊이는 일반적으로, 두께(t)의 1/2을 초과한다. 열 차단부들(210)의 방사상 포지셔닝이 또한, 실시예들 사이에서 변할 수 있지만, 열 차단부 반경(r2)은 일반적으로, 퍽 반경(r1)의 적어도 1/2이며, 다른 실시예들에서, r2는 퍽 반경(r1)의 3/4, 4/5, 5/6, 또는 그 초과일 수 있다. 특정 실시예들은 단일 열 차단부(210)를 사용할 수 있는 반면, 다른 실시예들은 (도 2에 도시된 바와 같이) 2개의 열 차단부들(210) 또는 그 초과를 사용할 수 있다. 방사상 내측 부분(212)과 방사상 외측 부분(214) 사이의 경계 지점은 2개의 열 차단부들(210) 사이의 방사상 평균 포지션으로 예시되지만, 단일 열 차단부(210)를 갖는 실시예들에서, 그러한 경계 지점은 단일 열 차단부(210)의 방사상 중점이 되는 것으로 고려될 수 있다.
[0024] 도 2에 예시된 바와 같은 열 차단부들이 유리하게 사용될 수 있는 일 방법은, 방사상으로 적용되는 가열 및/또는 냉각을 퍽(200)의 내측 부분(212) 및 외측 부분(214)에 제공하는 것이다. 도 3은, 퍽(200)의 내측 및 외측 부분들에 대한 열 싱크 및 가열기들의 적용을 예시하는 개략적인 단면도이다. 예시의 명확함을 위해, 퍽(200)의 몇몇 기계적 세부 사항들은 도 3에 도시되지 않는다. 도 3은 선택적 열 싱크(230) 및 퍽(200)에 의해 정의된 중앙 채널(201)을 예시한다. 중앙 채널(201)은 도 4와 관련하여 설명된다. 내측 가열기들(220-1) 및 외측 가열기들(220-2)은 퍽(200)에 맞대어(against) 배치되고, 퍽(200)과 열적으로 연통한다. 가열기들(220)이 하부 표면(204)의 큰 부분들에 걸쳐서 퍼지는 것이 유리할 수 있지만, 실시예들에서, 표면(204)에 걸친 가열기들(220)의 분포는 변할 수 있다. 가열기들(220)에 의해 제공되는 열은 실질적으로 퍽(200)의 내측 부분(212) 및 외측 부분(214)의 온도들을 제어할 것이다; 열 차단부들(210)은, 열 제어의 정밀도를 개선하기 위해, 부분들(212 및 214)을 서로로부터 열적으로 격리하는 것을 보조한다. 가열기들(220)은 전형적으로, 저항성 가열기들이지만, 다른 유형들의 가열기들(예컨대, 강제된(forced) 가스 또는 액체를 활용함)이 구현될 수 있다.
[0025] 선택적 열 싱크(230)가 또한 제공될 수 있다. 열 싱크(230)는, 예컨대, 열 교환 유체를 열 싱크를 통하여 유동시키는 것에 의해, 또는 펠티어 냉각기와 같은 냉각 디바이스를 사용하는 것에 의해 전형적인 동작 온도들보다 더 낮은 온도를 제공하도록 제어될 수 있다. 존재하는 경우, 열 싱크(230)는 여러 가지 장점들을 제공한다. 그러한 하나의 장점은, 가열기들(220)에 의해 제공되는 열이 없을 때, 퍽(200)의 모든 부분들이 가질 기준 온도를 제공하는 것이다. 즉, 가열기들(220)이 열을 제공할 수 있더라도, 그러한 열은 통상적으로, 퍽(200) 전체를 통해 모든 방향들로 전파될 것이다. 열 싱크(230)는 퍽(200)이 더 낮은 온도들이 되게 하는 능력을 제공하며, 이로써, 가열기(220)가 퍽(200)의 특정 부분에 로케이팅되면, 가열기에 의해 생성되는 열은 단순히, 퍽(200) 전체를 통해 모든 방향으로 확산되지는 않고, 퍽(200)의 부분을 가열하고, 그러한 퍽의 부분에서는 가열기(220)로부터의 열이, 열을 제거하는 열 싱크(230)의 성향을 국부적으로 초과한다.
[0026] 관련된 장점은, 가열기들(220)의 온도 설정들(예컨대, 저항성 와이어들을 통과하는 전류)이 감소할 때, 퍽(200)의 인접한 부분들이 비교적 신속한 열 감소로 반응하도록, 열 싱크(230)가 신속한 열 싱크 능력을 제공할 수 있다는 점이다. 이는, 예컨대, 퍽(200) 상에 작업물(50)을 로딩하고, 가열기들(220)을 통해 열을 제공하며, 시스템 처리량을 최대화하기 위해 프로세싱이 빨리 시작할 수 있도록 작업물(50) 상의 온도들의 신속한 안정화를 달성할 수 있는 이점을 제공한다. 일부 열이 열 싱크(230)로 소산되는 것을 허용하는 열적 연통이 없다면, 퍽(200)의 부분들에 의해 도달되는 온도들은 오직, 다른 열 소산 경로들이 허용하는 만큼만 빠르게 감소할 것이다.
[0027] 실시예들에서, 가열기들(220)은 전형적으로, 퍽(200)과 직접적으로 열적 연통하게 배치되는 반면, 열 싱크(230)는 가열기들(220)을 통해 퍽(200)과 간접적으로 열적 연통한다. 열 싱크(230)가 퍽(200)과 직접적으로 열적 연통하지 않는 것이 유리한데, 이는, 그러한 직접적인 열적 연통이 퍽(200)의 표면 상의 열 기형들로 이어질 수 있기 때문이다(예컨대, 퍽(200)은, 온도가, 가열기들(220)에 의해 생성되는 여분의 열에 의해 주도되기(dominated) 보다는 열 싱크(230)의 온도에 가까워지는 영역들을 가질 것이다). 또한, 가열기들(220)은, 가열기들(220)에 의해 적용되는 열이 퍽(200)과 열 싱크(230)의 간접적인 열 커플링을 압도할 수 있는 충분한 열 생성 능력을 가지며, 이로써, 가열기들(220)은, 가열기들(220)에 의해 생성되는 열의 일부가 열 싱크(230) 내로 소산될 때에도 퍽(200)의 내측 부분(212) 및 외측 부분(214)의 온도를 상승시킬 수 있다. 따라서, 가열기들(220)에 의해 제공되는 열은 열 싱크(230)를 통해 소산될 수 있지만, 즉시 소산되지는 않는다. 실시예들에서, 퍽(200), 가열기들(220), 및 열 싱크(230) 사이의 열 커플링의 정도는, 중앙 및 에지 부분들 각각에서의 온도 균일성, 열 안정화의 신속성, 제조 복잡성 및 비용, 및 전체 에너지 소비와 같은 고려 사항들을 균형잡기 위해, 본원의 원리들에 따라 조정될 수 있다.
[0028] 열 싱크(230)의 또 다른 장점은, 가열기들(220)에 의해 생성되는 열을 퍽(200)의 부근에 한정한다는 점이다. 즉, 열 싱크(230)는 인접한 시스템 컴포넌트들을 퍽(200)에서 생성되는 높은 온도들로부터 보호하기 위해 그러한 컴포넌트들에 대한 열 상한을 제공할 수 있다. 이는 시스템의 기계적 안정성을 개선할 수 있고 그리고/또는 온도에 민감한 컴포넌트들에 대한 손상을 방지할 수 있다.
[0029] 가열기들(220) 및 열 싱크(230)는 다양한 방식들로 구현될 수 있다. 실시예에서, 가열기들(220)은 하위 조립체들로서 함께 커플링된 여러 개의 층들을 포함하며, 이는 그런 다음에, 웨이퍼 척 조립체를 형성하기 위해, 퍽(200) 및 (선택적으로) 열 싱크(230)와 더 커플링될 수 있다. 본원에서 개시되는 바와 같이 설계되고 조립되며 동작되는 실시예들은 작업물(예컨대, 웨이퍼)의 중앙 영역들에 대한 에지 영역들의 명백한 온도 제어를 허용하며, 전형적으로 종래 기술의 시스템들로는 달성 가능하지 않은 명백한 중앙 대 에지 온도 제어를 이용한 프로세싱을 용이하게 한다.
[0030] 도 4는, 웨이퍼 척의 부분의 개략적인 단면도이며, 퍽(200), 가열기(220-1)로서 작용하는 저항성 가열기, 및 열 싱크(230)의 피처들을 예시한다. 도 4는, 웨이퍼 척의 원통 축(Z) 근처에 있는, 웨이퍼 척의 부분을 도시하고, 더 작은 피처들의 예시적인 명확함을 위해 실척으로 도시되지 않는다. 퍽(200)은 전형적으로, 알루미늄 합금, 예컨대, 잘 알려진 "6061" 합금 유형으로 형성된다. 퍽(200)은, 퍽(200)의 상부 표면(202) 상에서 연결되고, 그리고 축(Z)을 중심으로 센터링된 중앙 채널(201)과 연결되는 표면 그루브들 또는 채널들(205)을 정의하는 것으로 도시된다. 대기압(또는, 약 10-20Torr와 같은, 낮은 압력의 증착 시스템들, 또는 상대적으로 높은 압력의 플라즈마들의 가스 압력)이 작업물(50)(도 1, 2 참고)을 퍽(200)에 대해 강제하여 퍽(200)과 작업물(50) 사이에 양호한 열적 연통을 제공하도록, 진공이 중앙 채널(201)에 공급되어, 채널들(205) 내의 압력을 감소시킬 수 있다.
[0031] 내측 저항성 가열기(220-1)가 도 4에 예시되지만, 내측 저항성 가열기(220-1)의 이하의 설명 및 예시는 외측 저항성 가열기(220-2)에 동등하게 적용된다는 것이 이해되어야 한다. 저항성 가열기(220-1)는 가열기 트레이스(trace)(264) 및 버퍼 층(266)을 포함한다. 가열기 트레이스(264)는 도 4에서 연속 층으로 도시되지만, 그 길이를 따라서 열을 균등하게 분배하기 위해 사행형 패턴(serpentine pattern)을 형성하는 층으로 존재하는 것이 이해된다(즉, 가열기 트레이스(264)는 도 4에 도시된 단면 평면을 따라서 떨어지지만, 다른 단면도들에서는, 단면 평면을 간헐적으로 가로지르는 것으로 보일 것이다 - 도 5 참고). 가열기 트레이스(264)는, 예컨대, 약 0.0005" 내지 0.005" 두께의 Inconel로 형성될 수 있지만, 약 0.0002" 내지 0.02"의 층들이 또한 유용하며, 다른 재료 선택들도 유용하다. 버퍼 층(266)은 전형적으로, 약 0.025" 내지 0.10" 두께의 폴리머 층이지만, 약 0.01" 내지 0.15"의 층들이 또한 유용하다. 버퍼 층(266)은 폴리이미드로 형성될 수 있지만, 다른 폴리머들 및 다른 재료 선택들이 유용할 수 있다. 버퍼 층(266)은 유리하게, (가열기 트레이스(264)를 단락시키는(shorting) 것을 피하기 위해) 열적으로 안정적인 전기 절연체이다. 버퍼 층(266)은 또한 유리하게 압축 가능하며, 이로써, 훨씬 더 얇은 가열기 트레이스(264)와 커플링되었을 때, 버퍼 층(266)의 대향하는 표면은 기계적인 목적들을 위해 대략 평면이다. 또한, 버퍼 층(266)은 가열기 트레이스 층(264)과 열 싱크(230) 사이의 열 저항을 증가시키며, 이로써, 가열기 트레이스 층(264)이 열을 공급할 때, 열 싱크(230) 보다 퍽(200)으로 더 많은 열이 전달된다.
[0032] 실시예들에서, 가열기 트레이스 층(264)과 버퍼 층(266)은, 가열기 트레이스 층(264)으로부터의 열을 가열기(220-1)의 표면들에 걸쳐서 균등하게 퍼뜨리는 것을 돕는 얇은 금속 층들(260, 268) 내에서 커플링된다. 금속 층(260)이 가열기 트레이스 층(264)을 단락시키는 것을 막기 위해 얇은 전기 절연 층(262)이 포함되고; 절연 층(262) 또는 절연 층(266)은 또한, 가열기 트레이스 층(264)의 제조를 위한 기판으로서 작용할 수 있다(도 5 참고). 절연 층(262)은 유리하게 열적으로 안정적인 재료이며, 폴리이미드와 같은 폴리머 또는 세라믹으로 형성될 수 있고, 실시예들에서, 약 0.001" 내지 0.040"의 두께를 갖는다. 금속 층들(260, 268)은, 예컨대, 약 0.005" 내지 0.050"의 Al 6061의 층들일 수 있다. 금속 층들(260, 268)은 또한, 층들(262, 264, 및 266)에 적당한 보호를 제공하며, 이로써, 가열기(220-1)는, 퍽(200) 및 열 싱크(230)와의 나중의 통합을 위해 하위 조립체로서 제조되고 운송될 수 있다. 예컨대, 원하는 치수들로 성형되는 층들(260, 262, 264, 266, 268, 및 270)은, 하위 조립체로서 가열기(220-1)를 형성하기 위해, 서로 정합(registration)되어 스택으로 정렬될 수 있고, 스택을 압축 및/또는 가열하는 것에 의해 본딩 결합될(bonded) 수 있다. 상기 개시 내용을 읽고 이해함에 따라, 본원에서 개시되는 바와 같은 가열기 하위 조립체들은 대략적으로 평면이고 웨이퍼 척 애플리케이션들의 경우 대략적으로 원형일 것이지만, 유사하게 제조된 하위 조립체들은 원형일 필요는 없고, 본원에서 설명되는 원통형인 퍽들의 원형 바닥부 표면들과 상이하게 성형된 표면들(예컨대, 사각형들, 직사각형들, 등)에 맞도록 제조될 수 있음이 당업자에게 명백할 것이다. 유사하게, 원통형인 퍽들을 위한 가열기 트레이스들은 방위각 균일성(azimuthal uniformity) 및 균일한 가열 밀도를 위해 배열될 수 있지만, 그러한 하위 조립체들 내의 가열기 트레이스들은 국부적으로 강하고 덜 강한 가열 패턴들을 형성하도록 배열될 수 있다.
[0033] 도시된 바와 같이, 가열기(220-1)는 선택적 층(250)을 통해 퍽(200)과 커플링되고, 추가적인 선택적 층(270)을 통해 열 싱크(230)와 커플링된다. 층들(250 및 270)은 가열기(220-1)와 퍽(200) 및 열 싱크(230) 양자 모두 사이에서의 열 전달을 촉진한다; 층들(250 및 270)의 재료 선택들은 열적으로 안정적인 폴리머들을 포함한다. 실시예에서, 선택적 층들(250, 270)은 약 0.22W/(m-K)의 벌크 열 전도성을 갖는 폴리머의 층으로 형성된다. 층들(250 및/또는 270)은 또한, 퍽(200) 및 층(260), 및 열 싱크(230) 및 층(268)에 각각 본딩 결합 가능할 수 있고, 이로써, 퍽(200), 열 싱크(230)는 가열기들(220-1 및 220-1)과 함께 본딩 결합될 수 있다. 이를 달성하기 위해, 퍽(200), 층(250), 가열기들(220-1 및 220-2), 층(270), 및 열 싱크(230)는 모두, 서로 정합되어 정렬될 수 있으며, 압축 및/또는 가열에 의해 본딩 결합될 수 있다.
[0034] 실시예들에서, 열 싱크(230)는 퍽(200)에 기준 온도를 제공하면서, 여전히, 내측 및 외측 저항성 가열기들(220-1 및 220-2)이 퍽(200)에 중앙-대-에지 온도 제어를 제공하는 것을 허용한다. 선택적 열 싱크(230)의 온도는 능동적으로(actively) 제어될 수 있다. 예컨대, 도 4는, 유체 채널들(280)을 정의하는 열 싱크(230)를 도시하고, 그러한 유체 채널들을 통해 열 교환 유체가 강제될 수 있다. 열 싱크(230)는 또한, 접촉 지역을 증가시키고 따라서 채널들(280) 내의 유체들의 열 교환 효율을 증가시키기 위해 열 핀들(fins)(290)을 형성할 수 있다. 본원에서, "열 교환 유체"는 혼합물이 항상 열 싱크(230)를 냉각시키는 것을 요구하지 않는다; 열 교환 유체는 열을 부가하거나 뺄 수 있다. 열 교환 유체는 제어된 온도로 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 열 싱크(230)는 "6061" 유형과 같은 알루미늄 합금으로 형성되고, 열 교환 유체는 50% 에틸렌 글리콜과 50% 물의 혼합물이지만, 열 싱크(230) 및/또는 열 교환 유체를 위해 다른 재료들이 사용될 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 선택적 열 싱크(230)는 수동적(passive) 열 싱크일 수 있는데, 예컨대, 열 싱크(230)는 열을 주위 환경으로 소산시키기 위해, 수동적 라디에이터일 수 있고, 열 핀들 등을 가질 수 있다.
[0035] 도 5는, 절연 층(262) 상의 가열기 트레이스(264)의 레이아웃을 개략적으로 예시한다. 가열기 트레이스(264)의 정확한 레이아웃은 중요하지 않지만, 레이아웃은 조밀하고 방위각으로 균일한 것이 바람직하다. 도시된 바와 같이, 가열기 트레이스(264)는, 전력을 전달하는 와이어들과의 이후의 연결을 위해, 본딩 패드들(274)의 쌍으로 종결될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 가열기 트레이스(264)는 내측 저항성 가열기(220-1)의 중앙 영역(269) 내로 연장될 필요가 없다. 이에 대한 하나의 이유는, 퍽(200) 내에서 영역(269)을 둘러싸는 지역에서 도달되는 온도가 퍽(200)의 대응하는 영역에 걸쳐서 신속하게 퍼질 것이라는 점이다. 다른 이유는, 진공 채널(201)(도 3, 4 참고), 열 교환 유체를 위한 유체 연결들, 가열기 트레이스(264)를 위한 전기 접촉들, 및/또는 다른 피처들을 제공하기 위한 것과 같이, 다른 쓰임새들을 위해 영역(269)을 개방된 상태로 두는 것이 바람직할 수 있다는 점이다.
[0036] 퍽(200)의 정상부 표면을 교차하는 적어도 하나의 열 차단부(210)를 제공하는 것의 추가적인 장점은, 기계식 피처들이 열 기형을 생성하지 않도록, 그 기계적 피처들이 적어도 부분적으로 열 차단부 내에 배치될 수 있다는 점이다. 예컨대, 웨이퍼 척은 일반적으로, 웨이퍼 핸들링 툴들(전형적으로 패들, 또는 웨이퍼가 상승된 후에 웨이퍼와 척 사이에 삽입되는 다른 디바이스를 사용함)에 의한 액세스를 용이하게 하기 위해 웨이퍼를 척으로부터 작은 거리로 상승시키는 데에 사용될 수 있는 리프트 핀들을 제공한다. 그러나, 리프트 핀들은 전형적으로, 척의 홀들 내로 후퇴하며, 그러한 홀들은 프로세싱 동안 국부적으로 웨이퍼 온도에 영향을 미칠 수 있다. 열 차단부가 퍽(200)의 정상부 표면을 교차할 때, 열 기형을 도입하지 않고 그러한 메커니즘이 배치되는 위치가 이미 존재한다.
[0037] 도 6은, 열 차단부(210) 내에 배치된, 리프트 핀(310)을 제어하는 리프트 핀 메커니즘(300)을 갖는 웨이퍼 척의 부분을 개략적으로 예시한다. 가열기들(220)의 부분들 및 선택적 열 싱크(230)가 또한 도시된다. 도 6에 예시된 단면 평면은, 메커니즘(300)의 컴포넌트들이 하나의 열 차단부(210)의 하부 부분 내에 있도록, 메커니즘(300)의 중앙을 통과한다. 도시된 평면의 안과 밖에서, 퍽(200), 열 차단부(210), 및 열 싱크(230)는 도 3 및 4에 도시된 것들과 같은 프로파일들을 가질 수 있으며, 이로써, 메커니즘(300)이 배치되는 열 차단부(210)는 자신의 원호를 따라 퍽(200)을 통해 연속될 것이다(도 7 참고). 또한, 리프트 핀 메커니즘(300)은 퍽(200)의 중심 축에 대해 상당히 작은 방위각으로 제한된다(다시, 도 7 참고). 즉, 도 6에 도시된 평면의 안으로 또는 밖으로의 거리에서 단면 평면이 취해진다면, 퍽(200)의 바닥부 표면은, 바닥부 표면(204)이 도 6에 표시된 동일한 평면을 따라서 연속될 것이고, 열 싱크(230)는 퍽(200) 아래에서 연속될 것이다. 리프트 핀 메커니즘(300)의 작은 크기는 리프트 핀 메커니즘(300)의 지역에서 퍽(200)의 열 편차를 제한한다. 도 6은, 퍽(200)의 표면 상에서 열 기형을 생성하지 않는, 후퇴된 포지션에 있는 리프트 핀(310)을 도시한다.
[0038] 도 7은, 리프트 핀들(310)이 열 차단부(210) 내에 배치된 3개의 리프트 핀 어레인지먼트를 평면도로 개략적으로 예시한다. 도 7은 실척으로 도시되지 않았으며, 특히, 열 차단부(210)는 리프트 핀 메커니즘들(300) 및 리프트 핀들(310)이 명확하게 보이도록 과장되었다. 리프트 핀들(310)이 퍽(200)의 평균 표면 아래에서 열 차단부(210) 내로 잘 후퇴하기 때문에, 리프트 핀들(310)은 프로세싱 동안 공간적인 열 기형을 생성하지 않고, 이로써, 리프트 핀들(310)의 위치들에서 프로세싱되는, 작업물의 부분들(예컨대, 반도체 웨이퍼의 대응하는 위치들에 로케이팅된 특정 집적 회로들)은 작업물 상의 어느 곳에서의 프로세싱과도 일치하는 프로세싱을 겪는다.
[0039] 도 8은, 웨이퍼 또는 다른 작업물(개념들이 웨이퍼들 이외의 작업물들에 적용될 수 있다는 것을 이해하면서, 이하에서 편의상 간단히 "제품 웨이퍼"로 지칭됨)을 프로세싱하기 위한 방법(400)의 흐름도이다. 방법(400)은, 명백한 중앙-대-에지 열 제어를 제공하는 데에 사용될 수 있는, 도 2-8과 관련하여 설명된 열 관리 장치에 의해 고유하게 가능해질 수 있으며, 명백한 중앙-대-에지 열 제어는 결과적으로, 명백한 중앙-대-에지 프로세스 제어를 가능하게 한다. 방법(400)의 제 1 단계(420)는 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화를 이용하여 제품 웨이퍼를 프로세싱한다. 방법(400)의 제 2 단계(440)는, 제 1 중앙-대-에지 변화를 보상하는 제 2 중앙-대-에지 프로세스 변화를 이용하여 제품 웨이퍼를 프로세싱한다. 전형적으로, 420 또는 440 중 하나 또는 다른 하나는, 연관된 중앙-대-에지 프로세스 변화(이하에서, "제어되지 않은 변화")를 의도하지 않게 또는 제어 가능하지 않게 생성하는 장비에서 또는 프로세스 환경에서 수행될 것이지만, 이는 필수적인 것은 아니다. 또한, 전형적으로, 다른 하나는 본원에서 설명되는 바와 같은 장비에서 수행되며, 이로써, 대응하는 역(inverse) 프로세스 변화를 제공하기 위해 제품 웨이퍼의 중앙 및 에지 부분들이 명백하게 제어되는 것을 허용하는 열 관리 기술들을 통해 다른 중앙-대-에지 프로세스 변화(이하에서, "제어된 변화")가 도입된다. 그러나, 제어되지 않은 변화 및 제어된 변화는 어느 순서로도 발생할 수 있다. 즉, 420은 제어되지 않은 또는 제어된 변화를 도입할 수 있고, 440은 제어되지 않은 변화 및 제어된 변화 중 다른 하나를 도입할 수 있다. 도 9 및 10은 방법(400)의 유용한 실행을 가능하게 하기 위해 당업자에게 부가적인 안내를 제공한다.
[0040] 도 9는, 방법(400)의 단계(420)를 포함하는(그러나 이에 제한되지는 않음) 방법(401)의 흐름도이다. 도 9에 도시된 410-418 및 422 전부는 선택적인 것으로 고려되지만, 실시예들에서, 유용한 웨이퍼 프로세싱 결과들을 달성하기 위해 방법(400)을 실행할 때 유용할 수 있다.
[0041] 단계(410)는, 420에서 생성될 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화와 관련된 장비 특성들을 설정한다. 예컨대, 420이, 제어된 변화를 도입할 것으로 예상되는 경우, 410은, 제어된 중앙-대-에지 온도 변화를 제공할, 가열기 설정들과 같은 장비 파라미터들을 제공하는 것을 수반할 수 있다. 본원에서 도 2-7에 설명된 바와 같은 장비는 제어된 중앙-대-에지 온도 변화를 제공하는 데에 유용하다. 단계(412)는 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화와 관련된 장비 특성들을 측정한다. 어떤 장비 설정들 또는 측정된 장비 특성들이, 알려진 중앙-대-에지 프로세스 변화를 생성하는(또는 의도하지 않았음에도 불구하고, 적어도, 안정적인 프로세스 변화를 제공하는) 데에 성공했는지에 관한 프로세스 지식이 시간에 걸쳐서 습득될 수 있다. 이러한 프로세스 지식을 고려하여, 412에서 측정된 장비 특성들이 개선될 가능성이 있다면, 방법(401)은 선택적으로, 장비 특성들을 조정하기 위해 412에서 410으로 복귀할 수 있다. 단계(414)는 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화를 수용하는 하나 또는 그 초과의 테스트 웨이퍼들을 프로세싱한다. 단계(416)는, 단계(414)에서 프로세싱된 테스트 웨이퍼(들) 상의 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화의 하나 또는 그 초과의 특성들을 측정한다. 방법(401)은 선택적으로, 416에서 측정된 중앙-대-에지 프로세스 특성들을 고려하여 장비 특성들을 조정하기 위해 416에서 410으로 복귀할 수 있다. 414에서 프로세싱된 임의의 테스트 웨이퍼들은, 제 2 프로세스(예컨대, 이후에, 440에서 실행될 프로세스)에서의 테스팅을 위해, 418에서 선택적으로 저장될 수 있다. 또한, 414는 420과 병행하여 수행될 수 있다. 즉, 프로세스 장비가 적절하게 구성될 때, 테스트 웨이퍼들은 제품 웨이퍼들과 동시에 프로세싱될 수 있다(예컨대, 제 1 프로세스가, 웨이퍼들의 카세트를 액체 욕조 내에 담그거나, 앰풀(ampoule), 확산 노(diffusion furnace) 또는 증착 챔버에서 웨이퍼들의 세트를 함께 프로세싱하는 것, 등과 같이, 소위 "배치(batch)" 프로세스인 경우).
[0042] 단계(420)는 제 1 중앙-대-에지 프로세스 변화를 이용하여 제품 웨이퍼를 프로세싱한다. 아래에서 추가로 설명되는 바와 같이, 단계(422)는, 장비 프로세스 제어 목적들을 위한, 제품 웨이퍼의 수율 또는 성능에 대한 상관관계를 위한, 그리고/또는 단계(440)와 관련된 정보를 상관시키는 데에 사용하기 위한 데이터를 생성하기 위해, 제품 웨이퍼 상의 하나 또는 그 초과의 제 1 중앙-대-에지 특성들을 측정한다.
[0043] 도 10은, 방법(400)의 단계(440)를 포함하는(그러나 이에 제한되지는 않음) 방법(402)의 흐름도이다. 도 10에 도시된 430-436 및 442 전부는 선택적인 것으로 고려되지만, 실시예들에서, 유용한 웨이퍼 프로세싱 결과들을 달성하기 위해 방법(400)을 실행할 때 유용할 수 있다.
[0044] 단계(430)는, 단계(440)에서 생성될 제 2 중앙-대-에지 프로세스 변화와 관련된 장비 특성들을 설정한다. 예컨대, 440이, 제어된 변화를 도입할 것으로 예상되는 경우, 430은, 제어된 중앙-대-에지 온도 변화를 제공할, 가열기 설정들과 같은 장비 파라미터들을 제공하는 것을 수반할 수 있다. 본원에서 도 2-7에 설명된 바와 같은 장비는 제어된 중앙-대-에지 온도 변화를 제공하는 데에 유용하다. 단계(432)는 제 2 중앙-대-에지 프로세스 변화와 관련된 장비 특성들을 측정한다. 프로세스 지식을 고려하여, 상기 논의된 바와 같이, 방법(402)은 선택적으로, 432에서 측정된 장비 특성들을 고려하여 장비 특성들을 조정하기 위해 432에서 430으로 복귀할 수 있다. 단계(434)는 제 2 중앙-대-에지 프로세스 변화를 수용한 하나 또는 그 초과의 테스트 웨이퍼들을 프로세싱한다; 434에서 프로세싱된 테스트 웨이퍼(들)은, 전술한 내용에서 418에서의 제 1 프로세스 단계에서 저장된 하나 또는 그 초과의 테스트 웨이퍼들을 포함할 수 있다. 단계(436)는, 434에서 프로세싱된 테스트 웨이퍼(들) 상의 제 2 중앙-대-에지 프로세스 변화의 하나 또는 그 초과의 특성들을 측정한다. 이전에 습득된 프로세스 지식을 고려하여, 방법(402)은 선택적으로, 436에서 측정된 중앙-대-에지 프로세스 특성들을 고려하여 장비 특성들을 조정하기 위해 436에서 430으로 복귀할 수 있다.
[0045] 단계(440)는 제 2 중앙-대-에지 프로세스 변화를 이용하여 제품 웨이퍼를 프로세싱한다. 또한, 방법(402)에 도시되지는 않았지만, 부가적인 테스트 웨이퍼들이 제품 웨이퍼과 병행하여 확실히 프로세싱될 수 있다. 상기 설명된 바와 같이, 단계(442)는, 장비 프로세스 제어 목적들을 위한, 제품 웨이퍼의 수율 또는 성능에 대한 상관관계를 위한, 그리고/또는 단계(420)와 관련된 정보를 상관시키는 데에 사용하기 위한 데이터를 생성하기 위해, 제품 웨이퍼 상의 하나 또는 그 초과의 제 1 중앙-대-에지 특성들을 측정한다. 그러한 측정들은 또한, 제품 웨이퍼와 병행하여 프로세싱된 임의의 테스트 웨이퍼에 대해 수행될 수 있지만, 어떠한 경우에도, 442는 일반적으로, 제품 웨이퍼 상에 존재하는 어떠한 조건도 추가적으로 변경하지 않을 것이다. 즉, 420 및 440의 결과들은 임의의 추가적인 테스팅이 이루어지는 것과 무관하게 440의 결론에서 제품 웨이퍼에 고정될 것이다.
[0046] 몇몇 실시예들을 설명하였지만, 당업자는, 발명의 사상으로부터 벗어나지 않고도, 여러 가지 변경들, 대안적인 구성들, 및 균등물들이 이용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 아울러, 본 발명이 불필요하게 불명료해지는 것을 방지하기 위해서, 많은 주지의 프로세스들 및 엘리먼트들은 설명하지 않았다. 따라서, 상기 설명은 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 취해져서는 안된다.
[0047] 웨이퍼들 이외의 작업물들의 프로세싱이 또한, 개선된 프로세싱 균일성으로부터 이익을 향유할 수 있으며, 본 개시 내용의 범위 내에서 고려된다. 따라서, "웨이퍼들"을 홀딩하기 위한 "웨이퍼 척들"로서의 본원에서 척들의 특성화는, 임의의 종류의 작업물들을 홀딩하기 위한 척들에 대해 동등한 것으로 이해되어야 하며, 유사하게 "웨이퍼 프로세싱 시스템들"은 프로세싱 시스템들과 동등한 것으로 이해되어야 한다.
[0048] 수치들의 범위가 주어진 경우, 그러한 수치 범위의 상한들과 하한들 사이에 존재하는 각각의 사이 값(intervening value)은, 문맥에서 명백하게 달리 지시되어 있지 않는 한, 하한의 단위의 소수점 이하 추가 한 자리까지(to the tenth) 또한 구체적으로 기재된 것으로 해석된다. 기술된 범위 내의 임의의 기술된 값 또는 개재 값과 기술된 범위 내의 임의의 다른 기술된 값 또는 개재 값 사이의 각각의 보다 작은 범위가 포함된다. 이러한 보다 작은 범위들의 상한선과 하한선은 상기 범위 내에 독립적으로 포함되거나 배제될 수 있을 것이고, 두 한계선들 중 어느 하나가 보다 작은 범위들에 포함되거나, 어느 것도 포함되지 않거나, 둘 모두가 포함되는 각각의 범위는, 기술된 범위 내의 임의의 구체적으로 배제된 한계를 조건으로, 또한 발명에 포함된다. 기술된 범위가 한계들 중 하나 또는 모두를 포함하는 경우에, 그러한 포함된 한계들 중 어느 하나 또는 모두를 배제하는 범위들이 또한 포함된다.
[0049] 본 명세서 및 첨부되는 청구항들에서 사용되는 바와 같이, 단수 형태들은 문맥상 명백히 달리 지시되지 않는 한, 복수의 지시대상들을 포함한다. 따라서, 예컨대, "프로세스"라는 언급은 복수의 그러한 프로세스들을 포함하고, "전극"이라는 언급은 당업자에게 알려진 하나 또는 그 초과의 전극들 및 그 등가물들에 대한 언급을 포함하며, 기타의 경우도 마찬가지이다. 또한, "포함한다"("comprise", "comprising", "include", "including", 및 "includes")는 단어들은, 본 명세서 및 이하의 청구항들에서 사용되는 경우에, 언급된 특징들, 정수들, 컴포넌트들, 또는 단계들의 존재를 특정하도록 의도되지만, 이들은 하나 또는 그 초과의 다른 특징들, 정수들, 컴포넌트들, 단계들, 작용들, 또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것은 아니다.

Claims (14)

  1. 프로세싱을 위해 작업물(workpiece)을 포지셔닝하는 작업물 홀더(holder)로서, 상기 작업물 홀더는,
    원통 축, 상기 원통 축을 중심으로 한 퍽(puck) 반경, 및 퍽 두께에 의해 특징지어지는 실질적으로 원통형인 퍽을 포함하고,
    상기 퍽 반경은 상기 퍽 두께의 적어도 4배이며,
    상기 원통형인 퍽의 적어도 정상부 표면은 실질적으로 평면이고,
    상기 원통형인 퍽은 하나 또는 그 초과의 방사상 열 차단부들(radial thermal breaks)을 정의하고,
    각각의 열 차단부는, 상기 원통형인 퍽의 정상부 표면 및 바닥부 표면 중 적어도 하나와 교차하는 방사상 리세스(recess)로서 특징지어지고,
    상기 방사상 리세스는, 상기 퍽 두께의 적어도 절반을 통해 상기 퍽의 정상부 표면 또는 바닥부 표면으로부터 연장되는 열 차단부 깊이, 및 상기 원통 축을 중심으로 대칭적으로 배치되고, 상기 퍽 반경의 적어도 1/2인 열 차단부 반경에 의해 특징지어지고,
    상기 작업물 홀더는,
    상기 퍽의 바닥부 표면에 인접하여 그리고 상기 원통 축에 대해 상기 하나 또는 그 초과의 방사상 열 차단부들로부터 방사상 내측으로 배치되는 제 1 가열 디바이스 ― 상기 제 1 가열 디바이스는 상기 열 차단부 반경 내에서 상기 퍽의 바닥부 표면과 열 접촉함 ―,
    상기 퍽의 바닥부 표면에 인접하여 그리고 상기 원통 축에 대해 상기 하나 또는 그 초과의 방사상 열 차단부들로부터 방사상 외측으로 배치되는 제 2 가열 디바이스 ― 상기 제 2 가열 디바이스는 상기 열 차단부 반경 밖에서 상기 퍽의 바닥부 표면과 열 접촉함 ―, 및
    상기 원통형인 퍽의 바닥부 표면의 실질적으로 전체에 걸쳐서 연장되는 열 싱크(thermal sink)를 더 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 가열 디바이스들은 상기 원통형인 퍽의 바닥부 표면과 상기 열 싱크 사이에 배치되는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방사상 리세스는 상기 정상부 표면과 교차하고, 상기 작업물 홀더는 적어도 3개의 리프팅(lifting) 엘리먼트들을 더 포함하며, 상기 적어도 3개의 리프팅 엘리먼트들은, 상기 정상부 표면으로부터 상기 작업물을 리프팅하기 위해, 연장된 상태에서 상기 정상부 표면 위로 연장되고, 상기 작업물을 상기 정상부 표면 상으로 하강시키기 위해, 후퇴된 상태에서 상기 방사상 리세스들 내로 후퇴하는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 가열 디바이스들 중 적어도 하나는 복수의 전기 절연 층들 내에 배치된 가열기 엘리먼트 트레이스(trace)를 포함하고;
    상기 가열기 엘리먼트 트레이스는 저항성 재료를 포함하며; 그리고
    상기 전기 절연 층들 중 적어도 하나는 폴리이미드를 포함하는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트 트레이스 및 상기 전기 절연 층들은 복수의 금속 층들 내에 배치되는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 열 싱크는 하나 또는 그 초과의 유체 채널들을 정의하는 금속 플레이트를 포함하는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 가열 디바이스들은 제 1 및 제 2 전기 절연 층들 사이에 배치된 제 1 및 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스들을 각각 포함하고;
    상기 제 1 전기 절연 층은 상기 제 1 및 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스들과 상기 열 싱크 사이에 배치되며;
    상기 제 2 전기 절연 층은 상기 제 1 및 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스들과 상기 원통형인 퍽의 바닥부 표면 사이에 배치되고; 그리고
    상기 제 1 전기 절연 층은 상기 제 2 전기 절연 층보다 두꺼워서, 상기 제 1 전기 절연 층이 상기 가열기 엘리먼트 트레이스들과 상기 열 싱크 사이의 열 저항을 증가시켜, 상기 가열기 엘리먼트 트레이스가 열을 공급할 때 더 많은 열이 상기 열 싱크보다 상기 퍽으로 전달되도록 하는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 전기 절연 층은 세라믹을 포함하는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  8. 제 1 항에 있어서,
    제 1 및 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스들;
    제 1 및 제 2 전기 절연 층들;
    제 1 및 제 2 금속 층들; 및
    열적으로 안정적인 제 1 및 제 2 폴리머 층들을 더 포함하고,
    상기 작업물 홀더는, 바닥부로부터 정상부까지,
    상기 열 싱크;
    상기 열적으로 안정적인 제 1 폴리머 층;
    상기 제 1 금속 층;
    상기 제 1 전기 절연 층;
    동일한 레벨에 있는 상기 제 1 및 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스들 ― 상기 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스는 상기 제 1 가열기 엘리먼트 트레이스로부터 방사상 외측에 있음 ―;
    상기 제 2 전기 절연 층;
    상기 제 2 금속 층;
    상기 열적으로 안정적인 제 2 폴리머 층; 및
    상기 퍽
    의 물리적 순서로 엘리먼트들 및 층들이 배치된 채로 본딩되는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  9. 프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더로서, 상기 작업물 홀더는,
    원통 축 및 실질적으로 평면인 정상부 표면에 의해 특징지어지는 실질적으로 원통형인 퍽 ― 상기 원통형인 퍽은 2개의 방사상 열 차단부들을 정의하며,
    상기 방사상 열 차단부들 중 제 1 열 차단부는, 제 1 반경에서 상기 원통형인 퍽의 바닥부 표면과 교차하고, 상기 바닥부 표면으로부터 상기 퍽의 두께의 적어도 1/2을 통해 연장되는 방사상 리세스로서 특징지어지며;
    상기 방사상 열 차단부들 중 제 2 열 차단부는, 상기 제 1 반경보다 더 큰 제 2 반경에서 상기 정상부 표면과 교차하고, 상기 정상부 표면으로부터 상기 퍽의 두께의 적어도 1/2을 통해 연장되는 방사상 리세스로서 특징지어짐 ―;
    실질적으로 상기 퍽의 바닥부 표면 아래에서 연장되는 열 싱크 ― 상기 열 싱크는, 상기 퍽에 대한 기준 온도를 유지하기 위해, 채널들을 통해 열 교환 유체를 유동시키는 금속 플레이트를 포함하며, 상기 채널들은 상기 금속 플레이트 내에 정의됨 ―;
    상기 열 싱크와 상기 퍽 사이에 배치된 제 1 가열 디바이스 ― 상기 제 1 가열 디바이스는, 상기 제 1 반경 내에서, 상기 퍽의 바닥부 표면과, 그리고 상기 열 싱크와 열적으로 연통함 ―; 및
    상기 열 싱크와 상기 퍽 사이에 배치된 제 2 가열 디바이스 ― 상기 제 2 가열 디바이스는, 상기 제 2 반경 밖에서, 상기 퍽의 바닥부 표면과, 그리고 상기 열 싱크와 열적으로 연통함 ― 를 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 가열 디바이스들은 제 1 및 제 2 전기 절연 층들 사이에 배치된 제 1 및 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스들을 각각 포함하는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 전기 절연 층은 상기 제 1 및 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스들과 상기 열 싱크 사이에 배치되고;
    상기 제 2 전기 절연 층은 상기 제 1 및 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스들과 상기 원통형인 퍽의 바닥부 표면 사이에 배치되며; 그리고
    상기 제 1 전기 절연 층은 상기 제 2 전기 절연 층보다 두꺼워서, 상기 제 1 전기 절연 층이 상기 가열기 엘리먼트 트레이스들과 상기 열 싱크 사이의 열 저항을 증가시켜, 상기 가열기 엘리먼트 트레이스가 열을 공급할 때 더 많은 열이 상기 열 싱크보다 상기 퍽으로 전달되도록 하는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 전기 절연 층들 중 제 1 전기 절연 층은 세라믹을 포함하는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  12. 제 9 항에 있어서,
    제 1 및 제 2 금속 층들; 및
    열적으로 안정적인 제 1 및 제 2 폴리머 층들을 더 포함하고,
    상기 작업물 홀더는, 바닥부로부터 정상부까지,
    상기 열 싱크;
    상기 열적으로 안정적인 제 1 폴리머 층;
    상기 제 1 금속 층;
    상기 제 1 전기 절연 층;
    동일한 레벨에 있는 상기 제 1 및 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스들 ― 상기 제 2 가열기 엘리먼트 트레이스는 상기 제 1 가열기 엘리먼트 트레이스로부터 방사상 외측에 있음 ―;
    상기 제 2 전기 절연 층;
    상기 제 2 금속 층;
    상기 열적으로 안정적인 제 2 폴리머 층; 및
    상기 퍽
    의 물리적 순서로 엘리먼트들 및 층들이 배치된 채로 본딩되는,
    프로세싱을 위해 작업물을 포지셔닝하는 작업물 홀더.
  13. 삭제
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