TWI525743B - 靜電夾持裝置 - Google Patents

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住友大阪水泥股份有限公司
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Description

靜電夾持裝置
本發明係關於靜電夾持裝置。更詳細來說，本發明係關於半導體製造程序之電漿蝕刻等蝕刻處理中，將半導體晶圓等板狀試料藉由靜電力吸著固定時所適用，不會有因使用氣體而腐蝕之虞的靜電夾持裝置。
本發明係根據2011年3月23日於日本提出申請之日本特願2011-064311號而主張優先權，並援用其內容。
近年來半導體製造程序中，隨著元件之高積體化及高性能化，要求更提升之微細加工技術。該半導體製造程序中之蝕刻技術係微細加工技術之重要的一環，近年來，蝕刻技術中以可達成高效率且大面積之微細加工的電漿蝕刻技術為主流。
該電漿蝕刻技術係乾式蝕刻技術的一種。電漿蝕刻技術中，在成為加工對象之固體材料上以光阻劑形成遮罩圖形，並將該固體材料支撐於真空中，在該狀態下於真空中導入反應性氣體，並於該反應性氣體中施加高頻電場，藉此使加速之電子與氣體分子衝突而產生電漿狀態，藉由使該電漿所產生之自由基(free radical)及離子與固體材料反應，藉此將固體材料作為反應生成物而除去。藉由該等程序，電漿蝕刻技術於固體材料上形成微細圖形。
電漿蝕刻裝置等使用電漿之半導體製造裝置中，以往係使用靜電夾持裝置，在試料台上簡單地裝設晶圓並加以固 定，同時作為維持該晶圓柱所求溫度之裝置使用。
另外，以往之電漿蝕刻裝置中，若在靜電夾持裝置所固定之晶圓上照射電漿，則該晶圓之表面溫度會上昇。為了抑制該表面溫度之上昇，在靜電夾持裝置之冷卻基底部循環水等冷卻媒體而由晶圓下側開始冷卻。此時，晶圓面內產生溫度分佈差。例如晶圓之中心部溫度變高，邊緣部之溫度變低。此外，因電漿蝕刻裝置之構造及方式不同等，會使晶圓之面內溫度分佈產生差異。
因此提出在靜電夾持部與冷卻基底部之間裝設加熱器構件的附有加熱器機能之靜電夾持裝置(例如參照專利文獻1)。該附有加熱器機能之靜電夾持裝置，係可在晶圓內製作局部的溫度分佈，因此可使晶圓之面內溫度分佈，配合膜堆積速度或電漿蝕刻速度而設定溫度，可更有效率地進行晶圓上之圖形形成等之局部的膜形成或局部的電漿蝕刻。
在靜電夾持部裝設加熱器之方法，有在陶瓷製靜電夾持部內藏加熱器之方法；在靜電夾持部之吸著面的裏側，即陶瓷板狀體之裏面以網版印刷法而將加熱器材料塗佈預定之圖形並加熱硬化之方法；或是在該陶瓷板狀體之裏面貼附金屬箔或薄片狀導電材料之方法等。將該內藏加熱器之靜電夾持部或裝設加熱器之靜電夾持部，與冷卻該靜電夾持部之冷卻基底部，透過有機系接著劑層接著而一體化，可獲得附有加熱器機能之靜電夾持裝置。
[先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2008-300491號公報
然而，上述以往的靜電夾持裝置中，將靜電夾持部與冷卻基底部接著使一體化之有機系接著劑，係使用聚矽氧系接著劑。將該靜電夾持裝置適用於多結晶矽(polysilicon)薄膜之蝕刻時，會有聚矽氧系接著劑與蝕刻所使用氣體反應之問題。
在此考慮使用丙烯酸系接著劑取代聚矽氧系接著劑，但以往之丙烯酸系接著劑，蕭氏硬度(shore hardness)為D70以上之硬度，靜電夾持部與冷卻基底部之間的應力有難以緩和之問題。再者，以往之丙烯酸系接著劑在硬化時收縮大，隨著該硬化收縮會在所得丙烯酸系接著劑層中產生空洞(void)，會產生該丙烯酸系接著劑層之絕緣性降低之問題。
本發明係鑑於上述情事而研究者，目的為提供一靜電夾持裝置，其可緩和靜電夾持部與冷卻基底部間之應力，此外即使有硬化收縮也不會有在接著劑層中產生空洞之虞，且無該接著劑層之絕緣性降低之虞。
本案發明者等為解決上述課題而進行銳意檢討，結果發現若將靜電夾持部、及與其接著之加熱構件、以及冷卻基底部，透過具有柔軟性及絕緣性之丙烯酸系接著劑層接 著並一體化，則可緩和靜電夾持部與冷卻基底部間之應力，此外，即使有硬化收縮也無在接著劑層中產生空洞之虞，且無該接著劑層之絕緣性降低之虞，從而完成本發明。
亦即，本發明之靜電夾持裝置係具備：具有作為載置板狀試料之載置面的一主面，且內藏有靜電吸著用內部電極而成之靜電夾持部，與冷卻前述靜電夾持部之冷卻基底部，且在與前述靜電夾持部之前述載置面為相反側之主面係透過第1接著材層接著加熱構件，前述靜電夾持部及前述加熱構件與前述冷卻基底部係透過具有柔軟性及絕緣性之丙烯酸系接著劑層接著並一體化。
該靜電夾持裝置中，冷卻基底部與靜電夾持部及接著於與該靜電夾持部之載置面為相反側的主面之加熱構件係透過具有柔軟性及絕緣性之丙烯酸系接著劑層接著並一體化。因該丙烯酸系接著劑層成為柔軟層，該柔軟層緩和靜電夾持部及加熱構件與冷卻基底部之間的應力及熱膨脹差。
本發明之靜電夾持裝置中，前述丙烯酸系接著劑層較佳為含有1體積%以上且50體積%以下之醋酸乙烯酯或酪酸乙烯酯。
該靜電夾持裝置中，因丙烯酸系接著劑層含有1體積%以上且50體積%以下之醋酸乙烯酯或酪酸乙烯酯，故不會降低耐電漿性且可賦予柔軟性。此外，與丙烯酸單體單獨相比，藉由抑制該丙烯酸系接著劑層之硬化收縮，更緩和靜電夾持部及加熱構件與冷卻基底部間之應力。
本發明之靜電夾持裝置中，使前述丙烯酸系接著劑層之厚度為250μm以下，設置於前述加熱構件與前述冷卻基底部間之間隔物之楊氏模數(young’s modulus)為5MPa以上且5GPa以下，該間隔物與前述丙烯酸系接著劑層之熱膨脹差為±200%以下為佳。
該靜電夾持裝置中，因丙烯酸系接著劑層之厚度為250μm以下，且設置於加熱構件與冷卻基底部間之間隔物之楊氏模數為5MPa以上且5GPa以下，故該丙烯酸系接著劑層可迴避因丙烯酸系接著劑之硬化收縮而使應力集中於間隔物。此外，因使該間隔物與丙烯酸系接著劑層之熱膨脹差為±200%以下，故可迴避因重複之熱應力而於間隔物產生應力。
本發明之靜電夾持裝置中，前述丙烯酸系接著劑層之蕭氏硬度較佳為D40以下。
該靜電夾持裝置中，因丙烯酸系接著劑層之蕭氏硬度為D40以下，故可使靜電夾持部及加熱構件與冷卻基底部之間的應力及熱膨脹差更為緩和。
本發明之靜電夾持裝置中，前述靜電吸著用內部電極連接有對該靜電吸著用內部電極施加電壓的給電用端子，以圍住該給電用端子之方式設置絕緣礙子，該絕緣礙子與前述靜電夾持部間的前述丙烯酸系接著劑層之厚度，較佳為50μm以上且150μm以下。
該靜電夾持裝置中，絕緣礙子係以圍住對靜電吸著用內部電極施加電壓之給電用端子之方式設置，因該絕緣礙 子與靜電夾持部之間的丙烯酸系接著劑層之厚度為50μm以上且150μm以下，故可充分確保絕緣礙子與靜電夾持部之間之絕緣性。
本發明之靜電夾持裝置中，在前述冷卻基底部之前述靜電夾持部側之主面係透過第2接著材層設置絕緣材層，較佳為將前述絕緣材層透過前述丙烯酸系接著劑層與前述靜電夾持部接著並一體化。
該靜電夾持裝置中，因將絕緣材層透過丙烯酸系接著劑層與靜電夾持部接著並一體化，故使該絕緣材層可在靜電夾持部與冷卻基底部間維持良好地絕緣，並防止絕緣破壞。藉此可提升靜電夾持部與冷卻基底部間的耐電壓性。
根據本發明之靜電夾持裝置，靜電夾持部及加熱構件與冷卻基底部係透過具有柔軟性及絕緣性之丙烯酸系接著劑層接著並一體化，因此藉由該丙烯酸系接著劑層可緩和靜電夾持部及加熱構件與冷卻基底部間之應力及熱膨脹差。
此外，丙烯酸系接著劑層含有1體積%以上且50體積%以下之醋酸乙烯酯或酪酸乙烯酯時，可提升對於氟自由基之耐蝕性。該丙烯酸系接著劑層係柔軟性優異，故藉由該丙烯酸系接著劑層可更緩和靜電夾持部及加熱構件與冷卻基底部之間的應力。
此外，使丙烯酸系接著劑層之厚度為250μm以下，使設置於加熱構件與冷卻基底部間的間隔物之楊氏模數為 5MPa以上且5GPa以下，並使該間隔物與前述丙烯酸系接著劑層之熱膨脹差為±200%以下時，藉由該丙烯酸系接著劑層，可緩和因丙烯酸系接著劑之硬化收縮而使應力集中於間隔物，可減輕間隔物近旁之空洞的產生及接著劑層之剝離。因此，藉由該丙烯酸系接著劑層更可緩和靜電夾持部及加熱構件與冷卻基底部間之應力及熱膨脹差。
此外，使圍著對靜電吸著用內部電極施加電壓之給電用端子之方式設置的絕緣礙子與靜電夾持部之間之丙烯酸系接著劑層之厚度為50μm以上且150μm以下，可充分確保絕緣礙子與靜電夾持部之間之絕緣性。
再者，將絕緣材層透過丙烯酸系接著劑層與靜電夾持部接著並一體化時，藉由該絕緣材層可維持靜電夾持部與冷卻基底部之間的絕緣良好，並可防止絕緣破壞。因此，可提升靜電夾持部與冷卻基底部之間之耐電壓性。
以圖式說明本發明之靜電夾持裝置之實施形態，然而，該形態係為了更理解本發明之旨趣而具體說明者，若未特別指定，則不對本發明有所限定。
第1圖係表示本發明一實施形態之靜電夾持裝置的截面圖，該靜電夾持裝置1係由以下構成：圓板狀之靜電夾持部2、將該靜電夾持部2冷卻至所求溫度之具有厚度的圓板狀冷卻基底部3、接著於靜電夾持部2下面之具有預定圖形之第1接著材層4、接著於該第1接著材層4下面之具有與該第1接著材層4同形狀之圖形之加熱器元件(加 熱構件)5、在冷卻基底部3之上面透過第2接著材層6接著之絕緣構件7、設置在加熱器元件5與絕緣構件7之間的間隔物8、以及使靜電夾持部2下面之加熱器元件5與冷卻基底部3上之絕緣構件7以相對向狀態將該等接著並一體化之具有柔軟性及絕緣性之丙烯酸系接著劑層9。
靜電夾持部2係由以下構成：上面為載置半導體晶圓等板狀試料W的載置面之載置板11、與該載置板11一體化並支撐載置板11之支撐板12、設置在該等載置板11與支撐板12之間之靜電吸著用內部電極13、設置於該靜電吸著用內部電極13周圍並使靜電吸著用內部電極13絕緣之絕緣材層14、以及對以貫通支撐板12之方式設置之靜電吸著用內部電極13施加直流電壓的給電用端子15。該載置板11之載置面中形成有複數個直徑較板狀試料厚度小之突起部16，該等突起部16支撐著板狀試料W。
該等載置板11及支撐板12為圓板狀，兩者之疊合面的形狀相同。載置板11及支撐板12係由氧化鋁-碳化矽(Al2O3-SiC)複合燒結體、氧化鋁(Al2O3)燒結體、氮化鋁(AlN)燒結體等具有機械強度且對於腐蝕性氣體及其電漿具有耐久性之絕緣性陶瓷燒結體所形成。
靜電吸著用內部電極13係使用作為用以產生電荷並以靜電吸著力固定板狀試料W之靜電夾持用電極。靜電吸著用內部電極13之形狀及大小，可依照其用途而適宜調整。該靜電吸著用內部電極13係由氧化鋁-碳化鉭(Al2O3-Ta4C5)導電性複合燒結體、氧化鋁-鎢(Al2O3-W)導電 性複合燒結體、氧化鋁-碳化矽(Al2O3-SiC)導電性複合燒結體、氮化鋁-鎢(AlN-W)導電性複合燒結體、氮化鋁-鉭(AlN-Ta)導電性複合燒結體等導電性陶瓷或鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈦(Ti)等高融點金屬所形成。
該靜電吸著用內部電極13之厚度並無特別限定，但較佳為0.1μm以上且100μm以下，特佳為5μm以上且20μm以下。厚度若低於0.1μm，則面積電阻變得過大而無法確保充分之導電性。另一方面，若厚度超過100μm，則因該靜電吸著用內部電極13與載置板11及支撐板12之間的熱膨脹率差，而造成該靜電吸著用內部電極13與載置板11及支撐板12之接合界面容易產生裂縫。
如此厚度之靜電吸著用內部電極13係藉由濺鍍法及蒸鍍法等成膜法、或網版印刷法等塗佈法而可容易地形成。
絕緣材層14係圍繞(surround)靜電吸著用內部電極13，在腐蝕性氣體及其電漿下保護靜電吸著用內部電極13，同時將載置板11與支撐板12之境界部，即靜電吸著用內部電極13之外側之外周部領域接合並一體化。絕緣材層14係藉由與構成載置板11及支撐板12之材料相同組成或主成分相同之絕緣材料構成。
給電用端子15為棒狀，係為了對靜電吸著用內部電極13施加直流電壓而設置。給電用端子15係由固定於靜電夾持部2內之給電用端子15a，以及與該給電用端子15a接合並一體化而電氣連接、同時固定於冷卻基底部3及丙烯酸系接著劑層9之給電用端子15b構成。
該給電用端子15之材料只要是耐熱性優異之導電性材料即可，並無特限制。給電用端子15a之材料較佳為熱膨脹係數與靜電吸著用內部電極13及支撐板12之熱膨脹係數相近似者，例如適合使用與靜電吸著用內部電極13相同組成或類似組成者。具體的來說適合使用導電性陶瓷或鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈮(Nb)、科伐(Kovar)合金等金屬材料。
另一方面，給電用端子15b之材料較佳為熱膨脹係數與後述冷卻基底部3及丙烯酸系接著劑層9之熱膨脹係數相近似者，例如適合使用與冷卻基底部3同一組成或類似組成之金屬材料。具體來說適合使用鋁(Al)、鋁合金、銅(Cu)、銅合金、不鏽鋼(SUS)、鈦(Ti)等。
該給電用端子15係藉由絕緣礙子17而對於冷卻基底部3絕緣。該給電用端子15係接合於支撐板12並一體化，再者，載置板11與支撐板12係藉由靜電吸著用內部電極13及絕緣材層14而接合並一體化，藉此而構成靜電夾持部2。
靜電夾持部2之厚度，即該等載置板11、支撐板12、靜電吸著用內部電極13及絕緣材層14之合計厚度，較佳為0.7mm以上且3.0mm以下。若靜電夾持部2之厚度低於0.7mm，則無法確保靜電夾持部2之機械強度。另一方面，靜電夾持部2之厚度若高於3.0mm，則靜電夾持部2之熱容量變得過大，結果使得載置之板狀試料W之熱反應性劣化，再者，藉由靜電夾持部2之横方向熱傳達增加，會使 得板狀試料W之面內溫度難以維持所求之溫度圖形。
冷卻基底部3係設置於靜電夾持部2之下側，藉由將該靜電夾持部2冷卻而可控制載置板11之載置面為所求溫度，同時，兼具有高頻產生用電極者。在該冷卻基底部3內形成將水及有機溶媒等冷卻用媒體循環之流路18，而可使上述載置板11上所載置之板狀試料W之溫度維持在所求溫度。
構成該冷卻基底部3之材料只要是熱傳導性、導電性、加工性優異的金屬或含有該等金屬之複合材即無特限制，例如適合使用鋁(Al)、鋁合金、銅(Cu)、銅合金、不鏽鋼(SUS)等。該冷卻基底部3較佳為至少在暴露於電漿的面實施防蝕鋁(alumite)處理，或使生成氧化鋁等之絕緣膜。
第1接著材層4係薄片狀或薄膜狀，並具有與加熱器元件5相同之圖形形狀。第1接著材層4之材料只要為可將加熱器元件5接著於支撐板12之下面者即可，可舉出具有耐熱性及絕緣性之接著性樹脂，例如聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、環氧樹脂、丙烯酸系樹脂等。
該第1接著材層4之厚度較佳為5μm至100μm，更佳為10μm至50μm。該第1接著材層4之面內之厚度的不均勻較佳為10μm以內。第1接著材層4之面內之厚度的不均勻若超過10μm，則靜電夾持部2與加熱器元件5之面內間隔會產生超過10μm之不均勻。結果使得由加熱器元件5傳導至靜電夾持部2的熱之面內均一性降低，並 使靜電夾持部2之載置面之面內溫度變得不均一。結果降低板狀試料W之面內溫度的均一性，因此較為不佳。
加熱器元件5係於支撐板12之下面透過第1接著材層4而配置，具有寬度狹窄之帶狀金屬材料如蛇行般的圖形。該加熱器元件5之兩端部連接給電用端子21，該給電用端子21係藉由絕緣礙子22而對冷卻基底部3絕緣。該加熱器元件5中，藉由控制所施加的電壓，而可精確度佳地控制藉由靜電吸著而固定在載置板11之突起部16上之板狀試料W之面內溫度分佈。
該加熱器元件5的厚度為0.2mm以下，較佳為具有0.1mm以下之一定厚度。加熱器元件5之材料較佳為非磁性金屬薄板，例如鈦(Ti)薄板、鎢(W)薄板、鉬(Mo)薄板等。如此材料藉由光微影法蝕刻加工成為所求加熱器圖形，藉此形成加熱器元件5。
若加熱器元件5之厚度超過0.2mm，則加熱器元件5之圖形形狀會反映板狀試料W之溫度分佈，難以將板狀試料W之面內溫度維持在所求之溫度圖形。
此外，若以非磁性金屬形成加熱器元件5，則將靜電夾持裝置1在高頻氛圍中使用，加熱器元件也不會因高頻而自體發熱。因此，容易將板狀試料W之面內溫度維持在所求之一定溫度或一定之溫度圖形，故為較佳。
此外，若使用一定厚度之非磁性金屬薄板形成加熱器元件5，則加熱器元件5之厚度在加熱面全域為固定的，且發熱量在加熱面全域也為固定的，因此可使靜電夾持部 2之載置面之溫度分佈均一化。
第2接著材層6係為了將絕緣構件7接著/固定於冷卻基底部3上面者，故與第1接著材層4同樣地，由薄片狀或薄膜狀之具有耐熱性及絕緣性之接著性樹脂形成。該接著性樹脂可舉出例如丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、環氧樹脂等。尤其若考慮適用於蝕刻多結晶矽(聚矽)薄膜之蝕刻裝置，則較佳為丙烯酸系樹脂。
該第2接著材層6之厚度較佳為10μm至100μm，更佳為25μm至50μm。該第2接著材層6之面內厚度的不均勻較佳為10μm以內。第2接著材層6之面內厚度的不均勻若超過10μm，則冷卻基底部3與絕緣構件7之間隔會產生超過10μm之不均勻。結果，因冷卻基底部3而使靜電夾持部2之溫度控度之面內均一性降低，使得靜電夾持部2之載置面之面內溫度變得不均。結果使得板狀試料W之面內溫度之均一性降低，故較為不佳。
絕緣構件7係由薄片狀或薄膜狀之具有耐熱性及絕緣性之樹脂所形成。該絕緣性樹脂可舉出例如丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、環氧樹脂等。尤其若考慮適用於蝕刻多結晶矽(聚矽)薄膜之蝕刻裝置，則較佳為丙烯酸系樹脂。
該絕緣構件7之面內厚度的不均勻較佳為10μm以內。若絕緣構件7之面內厚度的不均勻超過10μm，則因厚度大小不同使得溫度分佈產生高低差，結果，因絕緣構件7之厚度調整而會對溫度控制造成不良影響，故較為不 佳。
該絕緣構件7之熱傳導率較佳為0.05W/mk以上且0.5W/mk以下，更佳為0.1W/mk以上且0.25W/mk以下。熱傳導率若低於0.1W/mk，則熱難以由靜電夾持部2透過絕緣構件7傳達至冷卻基底部3，因使冷卻速度降低故較為不佳。另一方面，熱傳導率若超過1W/mk，則熱由加熱器元件5透過絕緣構件7傳達至冷卻基底部3會增加，因使昇溫速度降低故較為不佳。
間隔物8係設置於加熱器元件5與絕緣構件7之間，並將該等之間隔維持為預定之間隔者。藉由間隔物8可使加熱器元件5與絕緣構件7之間隔，即靜電夾持部2與冷卻基底部3之間隔維持為預定間隔。
該間隔物8之楊氏模數較佳為5MPa以上且5GPa以下，更佳為50MPa以上3GPa以下。間隔物8之楊氏模數若未滿5MPa，則因接著時之荷重所造成之變形會變大，而使接著層無法維持預定厚度，故較為不佳。另一方面，若超過5GPa，則形成丙烯酸系接著劑層9時，丙烯酸系接著劑之硬化收縮時，在間隔物8硬化收縮時的應力會集中，並產生空洞及接著劑層之剝離，故較為不佳。
丙烯酸系接著劑層9係具有柔軟性及絕緣性之接著劑層，靜電夾持部2及加熱器元件5與冷卻基底部3及絕緣構件7，係以相對向之狀態將該等接著並一體化。
該丙烯酸系接著劑層9之厚度較佳為250μm以下，更佳為200μm以下。丙烯酸系接著劑層9之厚度若超過250 μm，則隨著丙烯酸系接著劑之硬化收縮其厚度的變化會變得過大，於所得丙烯酸系接著劑層9會產生因硬化收縮造成的空洞，復有產生裂縫及破裂等之虞。結果有降低丙烯酸系接著劑層9之絕緣性之虞。
該丙烯酸系接著劑層9之蕭氏硬度較佳為D40以下，更佳為D25以下。丙烯酸系接著劑層9之蕭氏硬度若超過D40則會變得過硬，難以緩和靜電夾持部2與冷卻基底部3之間的應力。蕭氏硬度之下限值較佳為D5，更佳為D10。丙烯酸系接著劑層9之蕭氏硬度若未滿D5，則接著劑層之厚度會產生不均勻並使載置面之面內溫度分佈之均一性降低。
構成該丙烯酸系接著劑層9之丙烯酸系接著劑可舉出丙烯酸及其酯類、甲基丙烯酸及其酯類、丙烯醯胺、丙烯腈以及該等之聚合物或共聚合物。該等當中尤其適合使用聚丙烯酸甲酯等聚丙烯酸酯，聚甲基丙烯酸甲酯等聚甲基丙烯酸酯等。
該丙烯酸系接著劑較佳為含有1體積%以上50體積%以下之醋酸乙烯酯或酪酸乙烯酯，較佳為10體積%以上40體積%以下，更佳為20體積%以上30體積%以下。藉由使該丙烯酸系接著劑中含有1體積%以上50體積%以下之醋酸乙烯酯或酪酸乙烯酯，可使丙烯酸系接著劑對於氟自由基之耐蝕性提升。此外，因含有1體積%以上50體積%以下之醋酸乙烯酯或酪酸乙烯酯，而提升丙烯酸系接著劑之柔軟性，結果可更為緩和靜電夾持部2及加熱器元件 5與冷卻基底部3之間的應力。
該丙烯酸系接著劑層9中，靜電夾持部2與絕緣礙子17之間所夾領域之厚度較佳為50μm以上且150μm以下，更佳為70μm以上且120μm以下，又更佳為80μm以上且120μm以下。上述領域之厚度若在50μm以上且150μm以下，則可確保靜電夾持部2與絕緣礙子17之間的充分絕緣性。上述領域之厚度若低於50μm，則靜電夾持部2與絕緣礙子17之間的絕緣性不充分，故較為不佳。另一方面，若厚度超過150μm，則雖然可確保靜電夾持部2與絕緣礙子17之間的絕緣性，但接著劑層整體厚度變厚，會使得冷卻特性及接著劑層之外周部因電漿造成之損傷增加，故較為不佳。
接著說明該靜電夾持裝置1之製造方法。
首先，以氧化鋁-碳化矽(Al2O3-SiC)複合燒結體製作板狀之載置板11及支撐板12。此時，將含有碳化矽粉體及氧化鋁粉體之混合粉體成形為所求形狀，之後例如在1600℃至2000℃之溫度且非氧化性氛圍、較佳為不活性氛圍下燒成預定時間，藉此可得載置板11及支撐板12。
接著，在支撐板12上形成複數個為了崁入並維持給電用端子15a之固定孔。
接著，以可密著固定於支撐板12之固定孔的尺寸、形狀製作給電用端子15a。使用導電性複合燒結體作為該給電用端子15a時，給電用端子15a之製作方法可舉出將導電性陶瓷粉體成形為所求形狀並加壓燒成之方法等。該導 電性陶瓷粉體較佳為與靜電吸著用內部電極13同樣之材料。此外，使用金屬作為給電用端子15a時，給電用端子15a之製作方法可舉出將高融點金屬藉由研削法、粉體治金等金屬加工法等成形之方法等。
接著，在崁入給電用端子15a之支撐板12之表面的預定領域上，以接觸給電用端子15a之方式塗佈將上述導電性陶瓷粉體等導電材料分散於有機溶媒之靜電吸著用內部電極形成用塗佈液，並乾燥而作為靜電吸著用內部電極形成層。由可以均一厚度塗佈之點來看，該塗佈法較佳為網版印刷法、旋轉塗佈法等。此外，其他方法有藉由蒸鍍法或濺鍍法而形成上述高融點金屬之薄膜之方法、配設由上述導電性陶瓷或高融點金屬構成之薄板作為靜電吸著用內部電極形成層之方法等。
此外，為了提升絕緣性、耐腐蝕性、耐電漿性，在支撐板12上形成靜電吸著用內部電極形成層之領域以外的領域上，形成含有與載置板11及支撐板12相同組成或主成分相同之粉體材料之絕緣材層14。例如將與載置板11及支撐板12相同組成之絕緣材料粉體或主成分相同之絕緣材料粉體分散於有機溶媒之塗佈液，於上述預定領域上以網版印刷等塗佈並乾燥，藉此可形成該絕緣材層14。
接著，在支撐板12上之靜電吸著用內部電極形成層及絕緣材層14上疊合載置板11，接著將該等在高溫、高壓下進行熱壓出而使一體化。該熱壓出中氛圍較佳為真空或Ar、He、N2等惰性氛圍。此外，壓力較佳為5至10MPa， 溫度較佳為1600℃至1850℃。
藉由該熱壓出，靜電吸著用內部電極形成層被燒成為由導電性複合燒結體所構成之靜電吸著用內部電極13。同時，支撐板12及載置板11係透過絕緣材層14而接合並一體化。此外，給電用端子15a係在高溫、高壓下以熱壓出使再度燒成，而使其密著固定於支撐板12之固定孔。將該等接合體之上下面、外周及氣體穴等機械加工，並作為靜電夾持部2。
接著，在該靜電夾持部2之支撐板12之表面(下面)之預定領域上，貼著丙烯酸系樹脂等具有耐熱性及絕緣性之接著性樹脂，作為第1接著材層4。該第1接著材層4之接著性樹脂係薄片狀或薄膜狀，使用具有與加熱器元件5相同之圖形形狀之樹脂。該第1接著材層4係於支撐板12之表面(下面)上，貼著丙烯酸系樹脂等具有耐熱性及絕緣性之接著性樹脂薄片或接著性樹脂薄膜，並在該薄片或薄膜上形成與加熱器元件5相同之圖形而製成。
接著在該第1接著材層4上貼著例如鈦(Ti)薄板、鎢(W)薄板、鉬(Mo)薄板等非磁性金屬薄板，將該非磁性金屬薄板藉由光微影法蝕刻加工為所求加熱器圖形，作為加熱器元件5。藉此可得在支撐板12之表面(下面)透過第1接著材層4形成具有所求之加熱器圖形之加熱器元件5的附有加熱器元件之靜電夾持部。
接著製作預定尺寸及形狀之給電用端子21。該給電用端子21之材料較佳為與加熱器元件5相同材質之材料，給 電用端子21與加熱器元件5係電氣連接。連接方法可舉出藉由螺絲或溶接之方法。
另一方面於鋁(Al)、鋁合金、銅(Cu)、銅合金、不鏽鋼(SUS)等所構成之金屬材料實施機械加工，並視需要在該金屬材料內部形成水循環之流路等。再者，在該金屬材料上形成用以崁入並維持給電用端子15b及絕緣礙子17之固定孔、以及用以崁入並維持給電用端子21及絕緣礙子22之固定孔，作為冷卻基底部3。該冷卻基底部3較佳為至少於暴露於電漿的面實施防蝕鋁處理，或形成氧化鋁等絕緣膜。
接著將冷卻基底部3與靜電夾持部2之接合面，例如使用丙酮進行脫脂、洗淨，並在該接合面上之預定位置貼著丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、環氧樹脂等具有耐熱性及絕緣性之薄片狀或薄膜狀之接著性樹脂，作為第2接著材層6。
接著在該第2接著材層6上貼著丙烯酸系樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚矽氧樹脂、環氧樹脂等具有絕緣性及耐電壓性之樹脂，並作為絕緣構件7。該絕緣構件7之樹脂係薄片狀或薄膜狀，使用具有與第2接著材層6相同之平面形狀之樹脂。
接著，在積層第2接著材層6及絕緣構件7之冷卻基底部3上之預定領域上塗佈丙烯酸系接著劑。該丙烯酸系接著劑係例如藉由在聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系樹脂中添加1體積%以上且50體積%以下之醋酸 乙烯酯或酪酸乙烯酯而可獲得。該丙烯酸系接著劑之塗佈量，係以可使靜電夾持部2與冷卻基底部3在藉由間隔物8等維持固定間隔之狀態下接合並一體化之方式，設定預定量之範圍。
該丙烯酸系接著劑之塗佈方法除了使用刮勺等手動塗佈以外，可舉出棒式塗佈法、網版印刷法等，但因在冷卻基底部3上之預定領域必須以良好精度形成，故較佳為網版印刷法。
塗布後，透過丙烯酸系接著劑使靜電夾持部2與冷卻基底部3疊合。此時，給電用端子15b及絕緣礙子17與給電用端子21及絕緣礙子22嵌入在冷卻基底部穿孔之給電用端子收納孔(未圖示)。
接著，使靜電夾持部2下面之加熱器元件5與冷卻基底部3上面之絕緣構件7之間隔，成為間隔物8之厚度，並去除擠出之多餘丙烯酸系接著劑。
藉由以上，使靜電夾持部2及加熱器元件5、與冷卻基底部3及絕緣構件7透過丙烯酸系接著劑層9接合並一體化，獲得本實施形態之靜電夾持裝置1。
如此所得之靜電夾持裝置1，由於靜電夾持部2及加熱器元件5與冷卻基底部3及絕緣構件7係透過具有柔軟性及絕緣性之丙烯酸系接著劑層9接著並一體化，因此該丙烯酸系接著劑層9可緩和靜電夾持部2與冷卻基底部3之間的應力及熱膨脹差。
此外，由於丙烯酸系接著劑層9含有1體積%以上且 50體積%以下之醋酸乙烯酯或酪酸乙烯酯，故可提升對於氟自由基之耐蝕性。因該丙烯酸系接著劑層9柔軟性優異，故藉由該該丙烯酸系接著劑層9更可緩和靜電夾持部2及加熱器元件5與冷卻基底部3及絕緣構件7之間的應力。
(實施例)
以下藉由實施例及比較例更具體說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
{實施例}
(製作靜電夾持裝置)
以公知方法製作在內部埋設厚度為15μm之靜電吸著用內部電極13的靜電夾持部2。該靜電夾持部2之載置板11係含有8質量%碳化矽之氧化鋁-碳化矽複合燒結體，並為直徑320mm、厚度4mm之圓板狀。
此外，支撐板12也與載置板11同樣為含有8質量%碳化矽之氧化鋁-碳化矽複合燒結體，並為直徑320mm、厚度4mm之圓板狀。藉由使該等載置板11及支撐板12接合並一體化，使靜電夾持部2整體之厚度為8mm。
於該接合體實施機械加工，使其直徑為298mm、厚度為4mm之後，使該載置板11之靜電吸著面因形成高度40μm之多數突起部16而作成凹凸面。此外將該等突起部16之頂面作為板狀試料W之維持面，並使凹部與靜電吸著之板狀試料W之間所形成的溝可流通冷卻氣體。
另一方面，藉由機械加工製作直徑350mm、高度30mm 之鋁製冷卻基底部3。在該冷卻基底部3內部形成循環冷媒之流路18。此外以聚醯亞胺薄片製作寬2mm、長2μm、高75μm之長方形間隔物。
接著使用丙酮將該靜電夾持部2之支撐板12之表面(下面)脫脂並洗淨，並在該表面之預定領域上貼著由厚度25μm之丙烯酸系樹脂所構成之薄片接著劑，作為第1接著材層4。
接著在該第1接著材層4上載置厚度為100μm之鈦(Ti)薄板。接著在真空中、150℃下並維持加壓，將靜電夾持部2與鈦(Ti)薄板接著固定。
接著將鈦(Ti)薄板藉由光微影法蝕刻加工成為預定之加熱器圖形，作為加熱器元件5。此外，該加熱器元件5上，使用熔接法設置鈦製之給電用端子21，並將給電用端子15a崁入固定於靜電夾持部2之固定孔。藉此而得附有加熱器元件之靜電夾持部。
接著使用丙酮將冷卻基底部3與靜電夾持部2之接合面脫脂、洗淨，並在該接合面上之預定位置貼著厚度為50μm之丙烯酸系樹脂所構成之薄片接著劑，作為第2接著材層6，接著在該薄片接著劑上，貼著厚度50μm之醯亞胺薄膜，作為絕緣構件7。
接著藉由網版印刷法在積層有薄片接著劑及聚醯亞胺薄膜之冷卻基底部3上塗佈丙烯酸系接著劑，接著將靜電夾持部2與冷卻基底部3透過丙烯酸系接著劑使疊合。
接著使靜電夾持部2下面之加熱器元件5與冷卻基底 部3上面之絕緣構件7的間隔成為間隔物8的厚度之後，在110℃下維持5小時。之後將丙烯酸系接著劑硬化使接合靜電夾持部2與冷卻基底部3，再者，於給電用端子15a使用導電性矽接著劑將鈦製之給電用端子15b接著固定，製作實施例之靜電夾持裝置。另外，丙烯酸系接著劑層9之蕭氏硬度為D20。
(評價)
將該靜電夾持裝置裝設於真空室，在藉由氯氟烴系冷媒使冷卻基底部固定維持在20℃之狀態下，將矽晶圓配置在載置面。之後在對給電用端子15施加2500V直流電壓之狀態下，藉由加熱器元件5對矽晶圓進行不連續的加熱。藉由如此程序使矽晶圓之表面溫度在100℃與20℃之間來回，實施重複加熱試驗共計1000次。
結果，在1000次重複加熱後使用超音波探查損傷裝置觀察，藉此而確認接著劑層有無剝離等。此外，藉由三次元測定而知加熱前後之平面度變化為3μm，給電用端子15與冷卻基底部之間具有4000V以上之耐電壓。
{比較例}
(製作靜電夾持裝置)
除了使靜電夾持部2與冷卻基底部3透過D50之丙烯酸系接著劑疊合以外，依據實施例製作比較例之靜電夾持裝置。
(評價)
將該靜電夾持裝置裝設於真空室，並在藉由氯氟烴系 冷媒使冷卻基底部固定維持在20℃之狀態下，將矽晶圓配置在載置面。之後在對給電用端子15施加2500V直流電壓之狀態下，藉由加熱器元件5對矽晶圓進行不連續的加熱。藉由如此程序使矽晶圓之表面溫度在100℃與20℃之間來回，實施重複加熱試驗共計1000次。
結果，在第120次降溫時，給電用端子15與冷卻基底部3之間發生放電，因渦電流而使電源停止。該試驗後，使用超音波探査損傷裝置觀察，確認到丙烯酸接著劑層之剝離。。
1‧‧‧靜電夾持裝置
2‧‧‧靜電夾持部
3‧‧‧冷卻基底部
4‧‧‧第1接著材層
5‧‧‧加熱器元件
6‧‧‧第2接著材層
7‧‧‧絕緣構件
8‧‧‧間隔物
9‧‧‧丙烯酸系接著劑層
11‧‧‧載置板
12‧‧‧支撐板
13‧‧‧靜電吸著用內部電極
14‧‧‧絕緣材層
15、15a、15b‧‧‧給電用端子
16‧‧‧突起部
17、22‧‧‧絕緣礙子
21‧‧‧給電用端子
W‧‧‧板狀試料
第1圖係表示本發明一實施形態之靜電夾持裝置的截面圖。
1‧‧‧靜電夾持裝置
2‧‧‧靜電夾持部
3‧‧‧冷卻基底部
4‧‧‧第1接著材層
5‧‧‧加熱器元件
6‧‧‧第2接著材層
7‧‧‧絕緣構件
8‧‧‧間隔物
9‧‧‧丙烯酸系接著劑層
11‧‧‧載置板
12‧‧‧支撐板
13‧‧‧靜電吸著用內部電極
14‧‧‧絕緣材層
15、15a、15b‧‧‧給電用端子
16‧‧‧突起部
17、22‧‧‧絕緣礙子
21‧‧‧給電用端子
W‧‧‧板狀試料

Claims (5)

  1. 一種靜電夾持裝置，具備：靜電夾持部，係具有作為載置板狀試料之載置面的一主面，且內藏有靜電吸著用內部電極而成，與冷卻基底部，係冷卻前述靜電夾持部；且在與前述靜電夾持部之前述載置面為相反側之主面係透過第1接著材層與加熱構件接著，前述靜電夾持部及前述加熱構件與前述冷卻基底部係透過具有柔軟性及絕緣性之丙烯酸系接著劑層接著並一體化，前述丙烯酸系接著劑層之厚度為250μm以下，前述加熱構件與前述冷卻基底部間設置之間隔物的楊氏模數為5MPa以上且5GPa以下，該間隔物與前述丙烯酸系接著劑層之熱膨脹差為±200%以下者。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之靜電夾持裝置，其中，前述丙烯酸系接著劑層係含有1體積%以上且50體積%以下之醋酸乙烯酯或酪酸乙烯酯者。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之靜電夾持裝置，其中，前述丙烯酸系接著劑層之蕭氏硬度為D40以下者。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之靜電夾持裝置，其中，前述靜電吸著用內部電極連接有對該靜電吸著用內部電極施加電壓之給電用端子，以圍著該給電用端子之方式設置絕緣礙子，該絕緣礙子與前述靜電夾持部間之前述丙烯酸系接著劑層之厚度為50μm以上且150μm以下 者。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之靜電夾持裝置，其中，在前述冷卻基底部之前述靜電夾持部側之主面係透過第2接著材層設置絕緣材層，且將前述絕緣材層透過前述丙烯酸系接著劑層與前述靜電夾持部及前述加熱構件接著並一體化者。
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Families Citing this family (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
JP5915026B2 (ja) * 2011-08-26 2016-05-11 住友大阪セメント株式会社 温度測定用板状体及びそれを備えた温度測定装置
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
JP6165452B2 (ja) * 2013-02-01 2017-07-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
JP6244804B2 (ja) * 2013-10-15 2017-12-13 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
DE102014008030A1 (de) * 2014-05-28 2015-12-03 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co Verfahren zur Herstellung einer elektrostatischen Haltevorrichtung
DE102014007903A1 (de) 2014-05-28 2015-12-03 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung mit Noppen-Elektroden und Verfahren zu deren Herstellung
DE102014008031B4 (de) 2014-05-28 2020-06-25 Berliner Glas Kgaa Herbert Kubatz Gmbh & Co. Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Keramik-Elektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Haltevorrichtung
DE102014008029B4 (de) 2014-05-28 2023-05-17 Asml Netherlands B.V. Elektrostatische Haltevorrichtung mit einer Elektroden-Trägerscheibe und Verfahren zur Herstellung der Haltevorrichtung
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
KR101733367B1 (ko) * 2014-09-04 2017-05-08 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 유지대 및 그 제조 방법
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
JP6380177B2 (ja) * 2015-03-12 2018-08-29 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US10008399B2 (en) * 2015-05-19 2018-06-26 Applied Materials, Inc. Electrostatic puck assembly with metal bonded backing plate for high temperature processes
TWI703671B (zh) * 2015-08-06 2020-09-01 美商應用材料股份有限公司 螺接式晶圓夾具熱管理系統及用於晶圓處理系統的方法
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US9623679B1 (en) * 2015-11-18 2017-04-18 Xerox Corporation Electrostatic platen for conductive pet film printing
US10499461B2 (en) * 2015-12-21 2019-12-03 Intel Corporation Thermal head with a thermal barrier for integrated circuit die processing
KR20180103912A (ko) * 2016-01-19 2018-09-19 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 정전 척 장치
JP6572788B2 (ja) * 2016-01-29 2019-09-11 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
KR101871067B1 (ko) * 2016-11-30 2018-06-25 세메스 주식회사 기판을 지지하는 척 모듈 및 이를 구비하는 프로브 스테이션
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
KR102427974B1 (ko) * 2018-03-13 2022-08-02 엔지케이 인슐레이터 엘티디 웨이퍼 유지대
CN111919288B (zh) * 2018-03-30 2023-11-07 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置及其制造方法
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
WO2020004309A1 (ja) * 2018-06-26 2020-01-02 京セラ株式会社 試料保持具
US11367597B2 (en) * 2018-07-05 2022-06-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Electrostatic chuck and plasma processing apparatus including the same
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
KR102123677B1 (ko) * 2018-08-21 2020-06-17 엘지전자 주식회사 전기 히터
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
CN110943023B (zh) * 2018-09-25 2022-04-26 北京华卓精科科技股份有限公司 静电卡盘功能孔防堵装置
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
JP7328018B2 (ja) * 2019-06-13 2023-08-16 新光電気工業株式会社 基板固定装置及びその製造方法
CN112992634B (zh) * 2019-12-12 2023-10-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备
JP7465338B2 (ja) * 2020-03-26 2024-04-10 株式会社巴川コーポレーション 静電チャック装置
KR20230088492A (ko) * 2020-10-20 2023-06-19 램 리써치 코포레이션 콜드 에지 (Cold Edge) 저온 정전 척
KR20220128163A (ko) * 2021-03-12 2022-09-20 주식회사 아모센스 정전 척 시트 및 이를 포함하는 정전 척

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5875180A (ja) * 1981-10-29 1983-05-06 Toray Silicone Co Ltd 加熱定着ロ−ル
US5276084A (en) * 1988-04-27 1994-01-04 Air Products And Chemicals, Inc. High performance pressure sensitive adhesive emulsion
US5089856A (en) * 1989-02-06 1992-02-18 Spectrum Sciences B.V. Image transfer apparatus incorporating an internal heater
US6256187B1 (en) * 1998-08-03 2001-07-03 Tomoegawa Paper Co., Ltd. Electrostatic chuck device
JP2000100916A (ja) 1998-09-18 2000-04-07 Tomoegawa Paper Co Ltd 静電チャック装置
JP2001332525A (ja) 2000-05-25 2001-11-30 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd セラミックスヒータ
US20050211385A1 (en) * 2001-04-30 2005-09-29 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution
JP4097435B2 (ja) * 2002-02-21 2008-06-11 日東電工株式会社 粘着剤組成物及び粘着シート
JP4003932B2 (ja) * 2002-03-07 2007-11-07 日本碍子株式会社 セラミックス−金属接合体
US20030185480A1 (en) * 2002-03-28 2003-10-02 Antao Chen Device package with reduced bonding stresses
JP4398306B2 (ja) * 2004-06-03 2010-01-13 日本特殊陶業株式会社 静電チャック及びセラミック製の静電チャックの製造方法
US8038796B2 (en) * 2004-12-30 2011-10-18 Lam Research Corporation Apparatus for spatial and temporal control of temperature on a substrate
US7838800B2 (en) * 2006-09-25 2010-11-23 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder having erosion resistant insulating layer for a substrate processing system
JP5018244B2 (ja) * 2007-05-30 2012-09-05 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
JP4948337B2 (ja) * 2007-09-13 2012-06-06 株式会社巴川製紙所 静電チャック装置用接着シート、および静電チャック装置
JP2009290071A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミックス接合体およびその製造方法
JP5163349B2 (ja) * 2008-08-01 2013-03-13 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP2011049425A (ja) 2009-08-28 2011-03-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 半導体製造装置用部品
US8637794B2 (en) * 2009-10-21 2014-01-28 Lam Research Corporation Heating plate with planar heating zones for semiconductor processing
JP5423632B2 (ja) * 2010-01-29 2014-02-19 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置

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