KR102612131B1 - Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 - Google Patents

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Abstract

(과제) 평탄도가 우수하고, 또한, 평탄도에서 기인하는 오버레이 (중첩) 정밀도 악화를 패턴 전사시에 비교적 용이하게 보정할 수 있어, 평탄도에서 기인하는 오버레이 (중첩) 정밀도 악화가 적은 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크의 제공.
(해결 수단) 기판의 주면 상에, EUV 광을 반사시키는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서로 형성되고, 상기 기판의 상기 주면에 대향하는 이면 상에 도전막이 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 상기 주면 및 상기 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정하고, 얻어진 측정치를 2 차 함수 피팅한 경우에, 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이고, 또한, 상기 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 평탄도가 600 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크.

Description

EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크{REFLECTIVE MASK BLANK FOR EUV LITHOGRAPHY}
본 발명은, 반도체 제조 등에 사용되는 EUV (Extreme Ultraviolet：극단 자외) 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 (이하, 본 명세서에 있어서, 「EUV 마스크 블랭크」라고 한다) 에 관한 것이다.
종래, 반도체 산업에 있어서, 실리콘 기판 등에 미세한 패턴으로 이루어지는 집적 회로를 형성하는 데에 있어서 필요한 미세 패턴의 전사 기술로서, 가시광이나 자외광을 사용한 포토 리소그래피법이 사용되어 왔다. 그러나, 반도체 디바이스의 미세화가 가속되고 있는 한편, 종래의 포토 리소그래피법의 한계에 가까워져 왔다. 포토 리소그래피법의 경우, 패턴의 해상 한계는 노광 파장의 1/2 정도이고, 액침법을 사용해도 노광 파장의 1/4 정도로 알려져 있어, ArF 레이저 (193 ㎚) 의 액침법을 사용해도 45 ㎚ 정도가 한계로 예상된다. 그래서 45 ㎚ 이후의 노광 기술로서, ArF 레이저보다 더 단파장인 EUV 광을 사용한 노광 기술인 EUV 리소그래피가 유망시되고 있다. 본 명세서에 있어서, EUV 광이란, 연 X 선 영역 또는 진공 자외선 영역의 파장의 광선을 나타내고, 구체적으로는 파장 10 ∼ 20 ㎚ 정도, 특히 13.5 ㎚ ± 0.3 ㎚ 정도의 광선을 가리킨다.
EUV 광은, 모든 물질에 대해 잘 흡수되고, 또한 이 파장에서 물질의 굴절률이 1 에 가깝기 때문에, 종래의 가시광 또는 자외광을 사용한 포토 리소그래피와 같은 굴절 광학계를 사용할 수 없다. 이 때문에, EUV 리소그래피에서는, 반사 광학계, 즉 반사형 포토마스크와 미러가 사용된다.
마스크 블랭크는, 포토마스크 제조에 사용되는 패터닝 전의 적층체이다. EUV 마스크 블랭크의 경우, 유리제 등의 기판 상에 EUV 광을 반사시키는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서로 형성된 구조를 갖고 있다. 반사층으로는, 저굴절률막과 고굴절률막을 교대로 적층함으로써, EUV 광을 층 표면에 조사했을 때의 광선 반사율이 높아진 다층 반사막이 통상 사용된다. 다층 반사막의 저굴절률막으로는 몰리브덴 (Mo) 층이, 고굴절률막으로는 규소 (Si) 층이 통상 사용된다.
흡수층에는, EUV 광에 대한 흡수 계수가 높은 재료, 구체적으로는 예를 들어, 크롬 (Cr) 이나 탄탈 (Ta) 을 주성분으로 하는 재료가 사용된다.
다층 반사막 및 흡수층의 형성에는, 이온 빔 스퍼터링법, 마그네트론 스퍼터링법과 같은 스퍼터링법이 통상 사용된다.
EUV 리소그래피의 경우, 축소 투영 노광기를 사용하여, 포토마스크 상의 패턴을 웨이퍼 상에 전사한다. 그 축소 투영 노광기의 마스크 스테이지에 포토마스크를 유지하는 수단으로는 정전 척에 의한 흡착 유지가 사용된다. 이 때문에, EUV 마스크 블랭크의 경우, 기판을 사이에 두고 다층 반사막과 반대측에 도전막 (이면 도전막) 이 형성되는 것이 실시되고 있다.
상기 서술한 바와 같이, EUV 마스크 블랭크는 기판 상에 반사층 (다층 반사막), 흡수층, 이면 도전막과 같은 박막을 형성함으로써 제작되지만, 기판 상에 박막을 형성했을 때, 기판 상에 퇴적된 막에 막 응력 (압축 응력이나 인장 응력) 이 발생하는 경우가 있다. 이들 막 응력이 기판에 가해짐으로써, 기판이 변형될 우려가 있다. EUV 마스크 블랭크용의 기판으로서 종래 사용되고 있는 것은, 두께 0.25 인치 (6.3 ㎜) 의 비교적 두꺼운 유리제이고, 또한 기판을 구성하는 유리 재료의 강성률은 약 30 ㎬ 로 비교적 높아, 막 응력이 가해짐으로써 발생하는 기판의 변형은 경미하기 때문에, 종래에는 문제가 되지 않았다.
그러나, 패턴의 미세화의 요청에 의해, 종래 문제시되지 않았던 기판의 미소한 변형 (막 응력이 가해짐으로써 발생하는 기판의 변형) 에 의한 마스크 블랭크의 평탄도의 악화가 문제가 되어 왔다. 구체적으로는, 기판의 변형에 의해 마스크 블랭크의 평탄도가 악화되면, 축소 투영 노광기를 사용하여, 그 EUV 마스크 블랭크로부터 제작한 반사형 마스크의 마스크 패턴을 웨이퍼 상에 전사할 때에, 패턴의 결상 위치가 웨이퍼 표면으로부터 어긋나기 때문에 패턴 전사 정밀도가 열화되고, 웨이퍼 상에 형성되는 회로 패턴의 치수에 편차가 생겨, 기대하는 성능을 갖는 반도체 디바이스가 얻어지지 않으므로 문제이다. 또 기판의 변형에 의해 마스크 블랭크의 평탄도가 악화되면, 그 EUV 마스크 블랭크로부터 제작한 반사형 마스크의 마스크 패턴을 웨이퍼 상에 전사할 때에, 패턴을 형성하는 위치가 원하는 위치로부터 어긋난다. 여기서, 반도체 디바이스는 리소그래피 프로세스에서 형성된 회로 패턴이 층상으로 적층된 구조를 갖고 있고, 상층의 회로 패턴은 하층 패턴의 형성 위치에 따라 원하는 위치에 형성됨으로써, 기대하는 성능을 갖는 반도체 디바이스가 제작된다. 이 때문에, 마스크 블랭크의 평탄도가 악화되어 패턴을 형성하는 위치가 원하는 위치로부터 어긋나면, 트랜지스터의 스위칭 속도나 리크 전류 등의 특성을 기대하는 바와 같이 발휘할 수 있는 반도체 디바이스를 얻을 수 없기 때문에, 문제이다 (특허문헌 1).
패턴 형성 위치의 원하는 위치로부터의 편차량을 오버레이 정밀도 (중첩 정밀도) 라고 부르지만, 반도체 디바이스의 회로 치수가 작아짐에 따라, 보다 작은 중첩 정밀도가 요구된다. EUV 마스크 블랭크의 평탄도가 중첩 정밀도에 미치는 영향은, 마스크 상의 패턴을 웨이퍼 상에 1/4 배로 보정하지 않고 축소 투영하는 경우,
오버레이 정밀도 (중첩 정밀도)
= EUV 마스크 블랭크의 평탄도 × 1/40 식 (1)
에 의해 산출할 수 있고 (비특허문헌 1), EUV 마스크 블랭크의 평탄도가 작을수록 오버레이 정밀도 (중첩 정밀도) 는 작아져 바람직하다. 이 때문에, 반도체 디바이스의 회로 치수가 해마다 작아짐에 따라, EUV 마스크 블랭크의 평탄도 요구치도 작아진다. 예를 들어, 반도체 기술 로드맵 (The International Technology Roadmap for Semiconductors) 2012년판에 의하면, EUV 마스크 블랭크의 평탄도 (Blank Bow) 요구치는, 2015년 400 ㎚ 이하, 2018년 300 ㎚ 이하, 2021년 200 ㎚ 이하로 해마다 엄격해지고 있다. EUV 마스크 블랭크의 평탄도가 이들 요구치인 경우, 마스크 블랭크 평탄도 요구치에서 기인하는 오버레이 정밀도 (중첩 정밀도) 는, 식 (1) 을 이용하여 산출하면, 10 ㎚, 7.5 ㎚, 5 ㎚ 가 되어, 동 로드맵의 Logic 에 있어서의 오버레이 정밀도 (중첩 정밀도) 요구치 (2015년 4.2 ㎚ 이하, 2018년 3.0 ㎚ 이하, 2021년 2.1 ㎚ 이하) 와 비교하여 약 2.4 ∼ 2.5 배 커, 문제이다.
그러나, 축소 투영 노광기를 사용하여 마스크 상의 회로 패턴을 웨이퍼 상에 축소 투영하는 경우, 패턴 전사 위치는 어느 정도 조정하는 것이 가능하고, 특히 현재 주류인 스캔식 축소 투영 노광기를 사용하는 경우, 축소 투영시의 배율을, 스캔 방향과 그것에 수직인 방향에 대해, 각각 독립적으로 보정할 수 있거나 하는 각종 보정 기능을 갖고 있고, 마스크 블랭크 평탄도의 1 차 다항식 성분 및 2 차 다항식 성분에서 기인하는 오버레이 정밀도 (중첩 정밀도) 의 악화를 방지하는 것이 가능하다 (비특허문헌 2, 3). 이 때문에, 마스크 블랭크의 평탄도를 다항식 근사한 경우, 0 ∼ 2 차 다항식 성분 (2 차 함수 성분) 의 비율을 최대한 높이고, 3 차 이상의 고차 다항식 성분의 비율을 최대한 작게 하는 것이 바람직하고, 축소 투영 노광시의 보정에 의해, 마스크 블랭크 평탄도에서 기인하는 오버레이 정밀도 (중첩 정밀도) 의 악화를 방지할 수 있다.
일본 공개특허공보 2002-299228호 일본 공표특허공보 2003-501823호 일본 공개특허공보 2004-128490호
J.Sohn, K.Orvek, R.Engelstad, P.Vukkadala, S.Yoshitake, S.Raghunathan, T.Laursen, J.Zimmerman, B.Connolly, and J.H.Peters, Implementing E-beam Correction Strategies for Compensation of EUVL Mask Non-flatness, Proceeding of 2009 International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography, October 18-21, 2009, Prague, Czech Republic. Harry J.Levinson, Moshe E Preil and Patrick J.Lord, Minimization of Total Overlay Errors on Product wafers Using an Advanced Optimization Sheme, SPIE Vol.3051, pp.362-373. Chun Yen Huang, Chuei Fu Chue, An-Hsiung Liu, Wen Bin Wu, Chiang Lin Shih, Tsann-Bim Chiou, Juno Lee, Owen Chen, Alek Chen, Using Intra-Field High Order Correction to Achieve Overlay Requirement beyond Sub-40 nm Node, Proc. of SPIE Vol.7272 72720l-1
본 발명은, 상기 서술한 종래 기술에 있어서의 문제점을 해결하기 위해, 평탄도가 우수하고, 또한, 평탄도에서 기인하는 오버레이 (중첩) 정밀도 악화를 패턴 전사시에 비교적 용이하게 보정할 수 있고, 평탄도에서 기인하는 오버레이 (중첩) 정밀도 악화가 적은 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 기판의 주면 (主面) 상에, EUV 광을 반사시키는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서로 형성되고, 상기 기판의 상기 주면에 대향하는 이면 상에 도전막이 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 상기 주면 및 상기 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정하고, 얻어진 측정치를 2 차 함수 피팅한 경우에, 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이고, 또한, 상기 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 평탄도가 600 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크 (1) 를 제공한다.
또, 본 발명은, 기판의 주면 상에, EUV 광을 반사시키는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서로 형성되고, 상기 기판의 상기 주면에 대향하는 이면 상에 도전막이 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 상기 주면 및 상기 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정하고, 얻어진 측정치를 2 차 함수 피팅한 경우에 얻어지는 중심 좌표 (F, B) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리가 0.5 ㎜ 이하이고, 또한, 상기 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 평탄도가 600 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크 (2) 를 제공한다.
또, 본 발명은, 기판의 주면 상에, EUV 광을 반사시키는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서로 형성되고, 상기 기판의 상기 주면에 대향하는 이면 상에 도전막이 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서,
상기 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 상기 주면 및 상기 이면의 품질 보증 영역의 형상, 그리고, 상기 반사층, 상기 흡수층 및 상기 도전막을 형성하기 전의 상기 기판의 상기 주면 및 상기 이면의 품질 보증 영역의 형상을 각각 레이저 간섭계로 측정하고, 상기 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 상기 주면 및 상기 이면의 품질 보증 영역의 형상과, 상기 기판의 상기 주면 및 상기 이면의 품질 보증 영역의 형상의 차분을 2 차 함수 피팅한 경우에 얻어지는 중심 좌표 (ΔF, ΔB) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리가 0.5 ㎜ 이하이고, 또한, 상기 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 평탄도가 600 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크 (3) 를 제공한다.
본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크 (2), (3) 는, 추가로 상기 반사층, 상기 흡수층 및 상기 도전막으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 형성 후에 가열 처리가 실시되고 있고, 상기 가열 처리의 실시 전후에, 상기 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 각각 레이저 간섭계로 측정하고, 상기 가열 처리의 실시 전후에서의 상기 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상의 차분을 2 차 함수 피팅한 경우에 얻어지는 중심 좌표 (ΔFh, ΔBh) 와 상기 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리가 0.5 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크 (1) ∼ (3) 에 있어서, 상기 반사층과 상기 흡수층 사이에, 상기 반사층의 보호층이 형성되어 있어도 된다.
본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크 (1) ∼ (3) 에 있어서, 상기 흡수층 상에, 마스크 패턴의 검사에 사용하는 검사광에 있어서의 저반사층이 형성되어 있어도 된다.
본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크는, 평탄도에 관한 요구치 (600 ㎚)를 만족시키고 있고, 또한, 마스크 블랭크 평탄도에서 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상으로 높기 때문에, 마스크 블랭크 평탄도에서 기인하는 오버레이 (중첩) 정밀도의 악화를 패턴 전사시의 축소 투영 노광 장치의 노광 배율 보정 등에 의해 수정 가능하다. 그 때문에, 마스크 상 패턴을 웨이퍼 상에 전사하는 경우에, 웨이퍼 상의 원하는 위치에 패턴을 전사할 수 있어, 오버레이 (중첩) 정밀도 요구치를 만족시킬 수 있다.
도 1 은, 본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다.
도 2 는, 마스크 블랭크 평탄도에서 기인하는 중첩 오차와 마스크 블랭크 평탄도에서 2 차 함수 성분이 차지하는 비율의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 3 은, 마스크 블랭크 평탄도에서 2 차 함수 성분이 차지하는 비율과, 2 차 함수 성분의 중심 좌표와 기판 중심의 거리의 관계를 나타낸 그래프이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.
도 1 은, 본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 일 실시형태를 나타내는 개략 단면도이다. 도 1 에 나타내는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크는, 기판 (1) 의 주면 (도면 중, 기판 (1) 의 상면) 상에 EUV 광을 반사시키는 반사층 (2) 과 EUV 광을 흡수하는 흡수층 (3) 이 이 순서로 형성되어 있다. 기판 (1) 의 주면에 대향하는 이면 (도면 중, 기판 (1) 의 하면) 상에 도전막 (이면 도전막) (4) 이 형성되어 있다.
이하, 본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 각각의 구성 요소에 대해 설명한다.
기판 (1) 은, EUV 마스크 블랭크용의 기판으로서의 특성을 만족시키는 것이 요구된다. 그 때문에, 기판 (1) 은, 저열팽창 계수 (구체적으로는, 20 ℃ 에 있어서의 열팽창 계수가 0 ± 1.0 × 10-7/℃ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0 ± 0.5 × 10-7/℃, 더욱 바람직하게는 0 ± 0.2 × 10-7/℃, 더욱 바람직하게는 0 ± 0.05 × 10-7/℃) 를 갖고, 표면 조도 (Root Mean Square) 가 JIS-B0601-2001 의 규격에 있어서 0.15 ㎚ 이하의 평활성, 100 ㎚ 이하의 평탄도, 및 마스크 블랭크 또는 패턴 형성 후의 포토마스크의 세정 등에 사용하는 산성이나 알칼리성 등 각종 세정액에 대한 내성이 우수한 것이 바람직하다. 기판 (1) 으로는, 구체적으로는 저열팽창 계수를 갖는 유리, 예를 들어 SiO2-TiO2 계 유리 등을 공지된 방법으로 연삭 연마한 것을 사용하지만, 이것에 한정되지 않고, β 석영 고용체를 석출한 결정화 유리나 석영 유리나 실리콘이나 금속 등을 공지된 방법으로 연삭 연마한 기판도 사용할 수 있다. 또, 기판 (1) 상에 응력 보정막이나 표면 평활화막과 같은 막을 형성해도 된다.
기판 (1) 의 크기나 두께 등은 마스크의 설계치 등에 의해 적절히 결정된다. 다음에 나타내는 실시예에서는 외형 가로세로 6 인치 (152 ㎜) 이고, 두께 0.25 인치 (6.3 ㎜) 인 SiO2-TiO2 계 유리를 사용하였다.
기판 (1) 의 반사층 (2) 이 형성되는 측의 표면에는 결점이 존재하지 않는 것이 바람직하다. 그러나, 존재하고 있는 경우라도, 오목 형상 결점 및/또는 볼록 형상 결점에 의해 위상 결점이 발생하지 않도록, 오목 형상 결점 및 볼록 형상 결점의 구 상당 직경 (통칭 SEVD. 정의는, 예를 들어 Proc. SPIE. 7969, Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography II, 796902. 를 참조) 이하인 것이 바람직하다.
반사층 (2) 은, EUV 마스크 블랭크의 반사층으로서 특히 요구되는 특성은, EUV 광의 반사율이 높은 것이다. 구체적으로는, EUV 광을 입사각 6 도로 반사층 (2) 표면에 조사했을 때에, 파장 13.5 ㎚ 부근의 광선 반사율의 최대치는, 60 ％ 이상이 바람직하고, 63 ％ 이상이 보다 바람직하며, 65 ％ 이상이 더욱 바람직하다.
반사층 (2) 은, 높은 EUV 광의 반사율을 달성할 수 있는 점에서, 통상적으로는 EUV 광에 대해 높은 굴절률을 나타내는 고굴절층과, EUV 광에 대해 낮은 굴절률을 나타내는 저굴절률층을 교대로 복수 회 적층시킨 다층 반사막이 반사층 (2) 으로서 사용된다. 반사층 (2) 을 이루는 다층 반사막에 있어서, 고굴절률층에는, Si 가 널리 사용되고, 저굴절률층에는 Mo 가 널리 사용된다. 즉, Mo/Si 다층 반사막이 가장 일반적이다. 단, 다층 반사막은 이것에 한정되지 않고, Ru/Si 다층 반사막, Mo/Be 다층 반사막, Mo 화합물/Si 화합물 다층 반사막, Si/Mo/Ru 다층 반사막, Si/Mo/Ru/Mo 다층 반사막, Si/Ru/Mo/Ru 다층 반사막도 사용할 수 있다.
반사층 (2) 을 이루는 다층 반사막을 구성하는 각 층의 막 두께 및 층의 반복 단위의 수는, 사용하는 막 재료 및 반사층에 요구되는 EUV 광의 반사율에 따라 적절히 선택할 수 있다. Mo/Si 반사막을 예로 들면, EUV 광의 반사율의 최대치가 60 ％ 이상인 반사층 (2) 으로 하기 위해서는, 다층 반사막은 막 두께 2.3 ± 0.1 ㎚ 의 Mo 막과, 막 두께 4.5 ± 0.1 ㎚ 의 Si 막을 반복 단위 수가 30 ∼ 60 이 되도록 적층시키면 된다.
또한, 반사층 (2) 을 이루는 다층 반사막을 구성하는 각 층은, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등, 주지된 성막 방법을 사용하여 원하는 두께가 되도록 성막하면 된다. 예를 들어, 이온 빔 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Si 다층 반사막을 형성하는 경우, 타깃으로서 Si 타깃을 사용하고, 스퍼터링 가스로서 Ar 가스 (가스압 1.3 × 10-2 Pa ∼ 2.7 × 10-2 Pa) 를 사용하여, 이온 가속 전압 300 ∼ 1500 V, 성막 속도 0.03 ∼ 0.30 ㎚/sec 로 두께 4.5 ㎚ 가 되도록 Si 막을 성막하고, 다음으로, 타깃으로서 Mo 타깃을 사용하고, 스퍼터링 가스로서 Ar 가스 (가스압 1.3 × 10-2 Pa ∼ 2.7 × 10-2 Pa) 를 사용하여, 이온 가속 전압 300 ∼ 1500 V, 성막 속도 0.03 ∼ 0.30 ㎚/sec 로 두께 2.3 ㎚ 가 되도록 Mo 막을 성막하는 것이 바람직하다. 이것을 1 주기로 하여, Si 막 및 Mo 막을 30 ∼ 60 주기 적층시킴으로써 Mo/Si 다층 반사막이 성막된다.
흡수층 (3) 에 특히 요구되는 특성은, EUV 광선 반사율이 매우 낮은 것이다. 구체적으로는, EUV 광의 파장 영역의 광선을 흡수층 (3) 표면에 조사했을 때의, 파장 13.5 ㎚ 부근의 최대 광선 반사율은 6 ％ 이하가 바람직하다.
상기의 특성을 달성하기 위해, 흡수층 (3) 은, EUV 광의 흡수 계수가 높은 재료로 구성된다. EUV 광의 흡수 계수가 높은 재료로는, 탄탈 (Ta), 크롬 (Cr), 알루미늄 (Al), 티탄 (Ti), 텅스텐 (W), 팔라듐 (Pd), 니켈 (Ni), 하프늄 (Hf) 을 주성분으로 하는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, 상기 원소를 주성분으로 하는 재료라고 한 경우, 당해 재료 중에 상기 원소를 30 at％ 이상 함유하는 재료를 의미한다.
흡수층 (3) 에 사용하는 재료는, 주성분 이외에 붕소 (B), 수소 (H), 질소 (N), 규소 (Si), 탄소 (C) 중 적어도 1 성분을 함유하는 것이 바람직하다. Ta 이외의 상기의 원소를 함유하는 재료의 구체예로는, 예를 들어, TaN, TaNH, TaBSi, TaBSiN, TaB, TaBN, TaSi, TaSiN, NiSi, NiN, TiN 등을 들 수 있다.
또, 흡수층 (3) 의 두께는, 50 ∼ 100 ㎚ 의 범위가 바람직하다.
상기한 구성의 흡수층 (3) 은, 마그네트론 스퍼터링법이나 이온 빔 스퍼터링법과 같은 스퍼터링법 등의 성막 방법을 사용하여 형성할 수 있다.
예를 들어, 흡수층 (3) 으로서, 마그네트론 스퍼터링법을 사용하여 TaNH 막을 형성하는 경우, 타깃으로서 Ta 타깃을 사용하고, 스퍼터링 가스로서, Ar 과 N2 와 H2 의 혼합 가스 (H2 가스 농도 1 ∼ 30 vol％, N2 가스 농도 5 ∼ 75 vol％, Ar 가스 농도 10 ∼ 94 vol％, 가스압 0.5 × 10-1 Pa ∼ 1.0 Pa), 투입 전력 300 ∼ 2000 W, 성막 속도 0.5 ∼ 60 ㎚/min 이고, 두께 20 ∼ 90 ㎚ 가 되도록 성막하는 것이 바람직하다.
도전막 (이면 도전막) (4) 은, 시트 저항이 100 Ω/□ 이하가 되도록, 구성 재료의 전기 전도율과 두께를 선택한다. 도전막 (이면 도전막) (4) 의 구성 재료로는, 공지된 문헌에 기재되어 있는 것으로부터 광범위하게 선택할 수 있다. 예를 들어, 일본 공표특허공보 2003-501823호에 기재된 고유전율 물질층, 구체적으로는, 실리콘, TiN, 몰리브덴, 크롬, TaSi 로 이루어지는 군에서 선택되는 물질층을 들 수 있다. 또, 일본 재공표특허공보 2008/072706에 기재된 크롬 및 질소를 함유하는 도전막 (CrN 막) 을 들 수 있다. 그 CrN 막은, 건식 성막법, 구체적으로는, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법과 같은 스퍼터링법, CVD 법 및 진공 증착법과 같은 건식 성막법에 의해 형성할 수 있다. 그 CrN 막을 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성하는 경우, 타깃을 Cr 타깃으로 하고, 스퍼터 가스를 Ar 과 N2 의 혼합 가스로 하여, 마그네트론 스퍼터링을 실시하면 되고, 구체적으로는 이하의 성막 조건에서 실시하면 된다.
타깃：Cr 타깃
스퍼터 가스：Ar 과 N2 의 혼합 가스 (N2 가스 농도 3 ∼ 45 vol％, 바람직하게는 5 ∼ 40 vol％, 보다 바람직하게는 10 ∼ 35 vol％. 가스압 1.0 × 10-1 Pa ∼ 50 × 10-1 Pa, 바람직하게는 1.0 × 10-1 Pa ∼ 40 × 10-1 Pa, 보다 바람직하게는 1.0 × 10-1 Pa ∼ 30 × 10-1 Pa)
투입 전력：30 ∼ 1000 W, 바람직하게는 50 ∼ 750 W, 보다 바람직하게는 80 ∼ 500 W
성막 속도：2.0 ∼ 60 ㎚/m
본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크에서는, 반사층 (2) 과 흡수층 (3) 사이에 보호층이 형성되어도 된다. 보호층은, 흡수층 (3) 을 에칭 (통상적으로는 드라이 에칭) 하여, 그 흡수층 (3) 에 마스크 패턴을 형성할 때에, 반사층 (2) 이 에칭에 의한 데미지를 받지 않도록, 반사층 (2) 을 보호하는 것을 목적으로 하여 형성된다. 따라서 보호층의 재질로는, 흡수층 (3) 의 에칭에 의한 영향을 잘 받지 않는, 요컨대 이 에칭 속도가 흡수층 (3) 보다 느리고, 또한 이 에칭에 의한 데미지를 잘 받지 않는 물질이 선택된다. 이 조건을 만족시키는 물질로는, 예를 들어 Cr, Al, Ta 및 이것들의 질화물, Ru 및 Ru 화합물 (RuB, RuSi 등), 그리고 SiO2, Si3N4, Al2O3 이나 이것들의 혼합물이 예시된다. 이들 중에서도, Ru 및 Ru 화합물 (RuB, RuSi 등), CrN 및 SiO2 가 바람직하고, Ru 및 Ru 화합물 (RuB, RuSi 등) 이 특히 바람직하다.
또, 보호층을 형성하는 경우, 그 두께는 1 ∼ 60 ㎚ 가 바람직하고, 1 ∼ 40 ㎚ 가 보다 바람직하다.
보호층을 형성하는 경우, 마그네트론 스퍼터링법, 이온 빔 스퍼터링법 등 주지된 성막 방법을 사용하여 성막한다. 마그네트론 스퍼터링법에 의해 Ru 막을 성막하는 경우, 타깃으로서 Ru 타깃을 사용하고, 스퍼터링 가스로서 Ar 가스 (가스압 1.0 × 10-2 Pa ∼ 10 × 10-1 Pa) 를 사용하여 투입 전력 30 ∼ 1500 V, 성막 속도 1.2 ∼ 60 ㎚/min 로 두께 2 ∼ 5 ㎚ 가 되도록 성막하는 것이 바람직하다.
또한, 반사층 (2) 상에 보호층을 형성한 경우라도, 파장 13.5 ㎚ 부근의 광선 반사율의 최대치는, 60 ％ 이상이 바람직하고, 63 ％ 이상이 보다 바람직하며, 65 ％ 이상이 더욱 바람직하다.
또한, 본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크에서는, 흡수층 (3) 상에 마스크 패턴의 검사에 사용하는 검사광에 있어서의 저반사층이 형성되어 있어도 된다.
저반사층은 마스크 패턴의 검사에 사용하는 검사광에 있어서, 저반사가 되는 막으로 구성된다. EUV 마스크를 제작할 때, 흡수층에 패턴을 형성한 후, 이 패턴이 설계대로 형성되어 있는지 여부를 검사한다. 이 마스크 패턴의 검사에서는, 검사광으로서 통상 257 ㎚ 정도의 광을 사용한 검사기가 사용된다. 요컨대, 이 257 ㎚ 정도의 광의 반사율의 차, 구체적으로는, 흡수층이 패턴 형성에 의해 제거되어 노출된 면과, 패턴 형성에 의해 제거되지 않고 남은 흡수층 표면의 반사율의 차에 의해 검사된다. 여기서, 전자는 반사층 표면 또는 보호층 표면이고, 통상적으로는 보호층 표면이다. 따라서, 검사광의 파장에 대한 반사층 표면 또는 보호층 표면과 흡수층 표면의 반사율의 차가 작으면 검사시의 콘트라스트가 나빠져, 정확한 검사를 할 수 없게 된다. 검사광의 파장에 대한 반사층 표면 또는 보호층 표면과 흡수층 표면의 반사율의 차가 작은 경우에는, 저반사층의 형성에 의해, 검사시의 콘트라스트가 양호해진다. 흡수층 상에 저반사층을 형성하는 경우, 그 저반사층은, 검사광의 파장 영역의 광선을 저반사층 표면에 조사했을 때에, 그 검사광의 파장의 최대 반사율은, 15 ％ 이하가 바람직하고, 10 ％ 이하가 보다 바람직하며, 5 ％ 이하가 더욱 바람직하다.
저반사층은, 상기의 특성을 달성하기 위해, 검사광의 파장의 굴절률이 흡수층보다 낮은 재료로 구성되는 것이 바람직하다.
이 특성을 만족하는 저반사층으로는, 탄탈 (Ta), 크롬 (Cr), 알루미늄 (Al), 티탄 (Ti), 텅스텐 (W), 팔라듐 (Pd), 니켈 (Ni), 하프늄 (Hf), 규소 (Si) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나와, 산소 (O) 및 질소 (N) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 함유하는 것이 있다. 이와 같은 저반사층의 적합예로는, TaO 층, TaON 층, TaBO 층, TaSiO 층, CrO 층, CrON 층, SiO 층, SiON 층, SiN 층, HfO 층, HfON 층을 들 수 있다.
저반사층 중의 Ta, Pd, Cr, Si, Hf 의 합계 함유량은, 10 ∼ 55 at％, 특히 10 ∼ 50 at％ 이면, 패턴 검사광의 파장 영역에 대한 광학 특성을 제어할 수 있다는 이유에서 바람직하다.
또, 저반사층 중에 있어서의 O 및 N 의 합계 함유율이, 45 ∼ 90 at％, 특히 50 ∼ 90 at％ 이면, 패턴 검사광의 파장 영역에 대한 광학 특성을 제어할 수 있다는 이유에서 바람직하다. 또한, 그 저반사층 중의 Ta, Pd, Cr, Si, Hf, O 및 N 의 합계 함유율은 95 ∼ 100 at％ 가 바람직하고, 97 ∼ 100 at％ 가 보다 바람직하며, 99 ∼ 100 at％ 가 더욱 바람직하다.
상기한 구성의 저반사층은, Ta, Pd, Cr, Si 및 Hf 중 적어도 하나를 함유하는 타깃을 사용하여 스퍼터링법을 실시함으로써 형성할 수 있다. 여기서, 타깃으로는, 상기 서술한 2 종류 이상의 금속 타깃 및 화합물 타깃 모두 사용할 수 있다.
또한, 2 종류 이상의 금속 타깃의 사용은, 저반사층의 구성 성분을 조정하는데에 적합하다. 또한, 2 종류 이상의 금속 타깃을 사용하는 경우, 타깃에 대한 투입 전력을 조정함으로써, 흡수층의 구성 성분을 조정할 수 있다. 한편, 화합물 타깃을 사용하는 경우, 형성되는 저반사층이 원하는 조성이 되도록, 타깃 조성을 미리 조정하는 것이 바람직하다.
상기의 타깃을 사용한 스퍼터링법은, 흡수층의 형성을 목적으로 하는 스퍼터링법과 마찬가지로, 불활성 가스 분위기 중에서 실시할 수 있다.
단, 저반사층이 O 를 함유하는 경우, He, Ar, Ne, Kr 및 Xe 중 적어도 하나와, O2 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 스퍼터링법을 실시한다. 저반사층이 N 을 함유하는 경우, He, Ar, Ne, Kr 및 Xe 중 적어도 하나와, N2 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 스퍼터링법을 실시한다. 저반사층이 O 및 N 을 함유하는 경우, He, Ar, Ne, Kr 및 Xe 중 적어도 하나와, O2 및 N2 를 함유하는 불활성 가스 분위기 중에서 스퍼터링법을 실시한다.
구체적인 스퍼터링법의 실시 조건은, 사용하는 타깃이나 스퍼터링법을 실시하는 불활성 가스 분위기의 조성에 따라서도 상이한데, 어느 경우에 있어서도 이하의 조건에서 스퍼터링법을 실시하면 된다.
불활성 가스 분위기가 Ar 과 O2 의 혼합 가스 분위기인 경우를 예로 저반사층의 형성 조건을 이하에 나타낸다.
저반사층의 형성 조건
가스압：1.0 × 10-1 Pa ∼ 50 × 10-1 Pa, 바람직하게는 1.0 × 10-1 Pa ∼ 40 × 10-1 Pa, 보다 바람직하게는 1.0 × 10-1 Pa ∼ 30 × 10-1 Pa.
스퍼터링 가스：Ar 과 O2 의 혼합 가스 (O2 가스 농도：3 ∼ 80 vol％, 바람직하게는 5 ∼ 60 vol％, 보다 바람직하게는 10 ∼ 40 vol％)
투입 전력：30 ∼ 1000 W, 바람직하게는 50 ∼ 750 W, 보다 바람직하게는 80 ∼ 500 W
성막 속도：0.01 ∼ 60 ㎚/min, 바람직하게는 0.05 ∼ 45 ㎚/min, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 30 ㎚/min
또한, Ar 이외의 불활성 가스 혹은 복수의 불활성 가스를 사용하는 경우, 그 불활성 가스의 합계 농도가 상기한 Ar 가스 농도와 동일한 농도 범위로 한다.
또한, 본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크에 있어서, 흡수층 상에 저반사층을 형성하는 것이 바람직한 것은, 패턴의 검사광의 파장과 EUV 광의 파장이 상이하기 때문이다. 따라서, 패턴의 검사광으로서 EUV 광 (13.5 ㎚ 부근) 을 사용하는 경우, 흡수층 상에 저반사층을 형성할 필요는 없을 것으로 생각된다. 검사광의 파장은, 패턴 치수가 작아짐에 수반하여 단파장측으로 시프트되는 경향이 있고, 장래적으로는 193 ㎚, 나아가서는 13.5 ㎚ 로 시프트되는 경우도 생각된다. 검사광의 파장이 13.5 ㎚ 인 경우, 흡수층 상에 저반사층을 형성할 필요는 없을 것으로 생각된다.
상기 서술한 바와 같이, 축소 투영 노광기를 사용하여 마스크 상의 회로 패턴을 웨이퍼 상에 축소 투영하는 경우, 축소 투영시의 배율을, 스캔 방향과 그것에 수직인 방향에 대해 각각 독립적으로 보정함으로써, 마스크 블랭크 평탄도의 1 차 다항식 성분 및 2 차 다항식 성분에서 기인하는 오버레이 정밀도 (중첩 정밀도) 의 악화를 방지하는 것이 가능하다. 이 때문에, 마스크 블랭크의 평탄도를 다항식 근사한 경우, 0 ∼ 2 차 다항식 성분 (2 차 함수 성분) 의 비율을 최대한 높이고, 3 차 이상의 고차 다항식 성분의 비율을 최대한 작게 하는 것이 바람직하고, 축소 투영 노광시의 보정에 의해, 마스크 블랭크 평탄도에서 기인하는 오버레이 정밀도 (중첩 정밀도) 의 악화를 방지할 수 있다.
본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크는, 그 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정하고, 얻어진 측정치를 2 차 함수 피팅한 경우에, 2 차 함수 성분 (이하, 본 명세서에 있어서, 「표면 형상의 2 차 함수 성분」이라고 한다) 이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이다.
또한, 표면 형상의 2 차 함수 성분은, 하기 식으로 나타낼 수 있다.
Z = a ＋ bX ＋ cY ＋ dXY ＋ eX2 ＋ fY2
상기 식 중, a, b, c, d, e, f 는 정수이고, X, Y, Z 는 변수이다. 여기서, X, Y 는, 마스크 블랭크의 주면 혹은 이면의 최소 제곱 평면에 있어서, 기판 중앙을 원점으로 하는 직교 좌표계이다. Z 는, X, Y 축과 직교하는 좌표계에서, 점 (X, Y) 에 있어서의 마스크 블랭크의 주면 혹은 이면을 나타낸다.
도 1 에 나타내는 구성의 경우, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면은, 흡수층 (3) 표면이고, 그 품질 보증 영역은 142 × 142 ㎜ 의 영역이다. EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면은, 이면 도전막 (4) 표면이고, 그 품질 보증 영역은 142 × 142 ㎜ 의 영역이다. 또한, 흡수층 (3) 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면은 흡수층 (3) 표면이며, 그 품질 보증 영역은 146 × 146 ㎜ 의 영역이다. 상기 서술한 품질 보증 영역은, SEMI 스탠다드 P37 에 있어서의 범위이고, 마스크 패턴의 형성 영역이나 축소 투영 노광 장치의 사양에 따라서는, 상기의 범위와는 상이한 경우도 있다. 그 때문에, 품질 보증 영역은 상기의 범위에 한정되지 않는다.
상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이면, 축소 투영 노광 장치의 패턴 전사시의 노광 배율 보정 등에 의해, 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 위치에 대해, 그 원하는 위치로부터의 편차량이 10 ㎚ 이하로 작아져, 기대되는 특성을 갖는 반도체 디바이스를 제작할 수 있다.
본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크는, 그 주면 및 이면의 품질 보증 영역에 있어서, 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 40 ％ 이상인 것이 바람직하고, 45 ％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 55 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 65 ％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또, 본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크는, 그 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정하여 얻어지는 평탄도가 작아, 그 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 평탄도가 600 ㎚ 이하이고, 바람직하게는 500 ㎚ 이하이며, 보다 바람직하게는 400 ㎚ 이하이고, 더욱 바람직하게는 300 ㎚ 이하이며, 더욱 바람직하게는 250 ㎚ 이하이다.
상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이 되는 본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크를 얻기 위해서는, 이하의 순서를 실시하면 된다.
EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정한다. 도 1 에 나타내는 구성의 경우, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면은 흡수층 (3) 표면이다. 흡수층 (3) 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 저반사층 표면이다. 한편, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면은 도전막 (이면 도전막) (4) 표면이다. 흡수층 (3) 표면의 품질 보증 영역 및 저반사층 표면의 품질 보증 영역은 142 × 142 ㎜ 의 영역이다. 한편, 도전막 (이면 도전막) (4) 표면의 품질 보증 영역은 146 × 146 ㎜ 의 영역이다. 측정 결과를 2 차 함수 피팅하여 중심 좌표 (F, B) 를 얻는다. 여기서, 중심 좌표 (F) 는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면측의 중심 좌표이고, 중심 좌표 (B) 는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면측의 중심 좌표이다. 모두 이하에 나타내는 순서에서는 (Xc, Yc) 로 한다.
상기 서술한 바와 같이, 표면 형상의 2 차 함수 성분은, 하기 식으로 나타낼 수 있다.
Z = a ＋ bX ＋ cY ＋ dXY ＋ eX2 ＋ fY2
상기 식 중, a, b, c, d, e, f 는 정수이고, X, Y, Z 는 변수이다. 여기서, X, Y 는, 마스크 블랭크의 주면 혹은 이면의 최소 제곱 평면에 있어서, 기판 중앙을 원점으로 하는 직교 좌표계이다. Z 는, X, Y 축과 직교하는 좌표계이고, 점 (X, Y) 에 있어서의 마스크 블랭크의 주면 혹은 이면을 나타낸다.
측정 결과를 2 차 함수 피팅하여 얻어진 정수 a ∼ f 로부터, 중심 좌표 (Xc, Yc) 를 하기 식으로부터 얻는다.
Xc = b/(2e)
Yc = c/(2f)
또, 기판 중앙 좌표 (C) 를 이하에 나타내는 순서로 구한다. 또한, 기판 중앙 좌표 (C) 는, 모두 이하에 나타내는 순서에서는 (Xm, Ym) 으로 한다. 또, 상기 서술한 중심 좌표 (F) 는, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면측의 중심 좌표이고, 중심 좌표 (B) 는, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면측의 중심 좌표인 데에 반해, 기판 중앙 좌표 (C) 는, 기판 (1) 내부에 있어서의 중심 좌표이다. 기판 중앙 좌표 (C) 를 구하는 순서로는, (1) 반사층 (2), 흡수층 (3) 및 도전막 (이면 도전막) (4) 을 형성하기 전의 기판 (1) 의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상, 혹은, 반사층 (2), 흡수층 (3) 및 도전막 (이면 도전막) (4) 을 형성한 후의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정할 때에, 기판 (1) 의 주면 및 이면, 혹은, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면 및 이면의 외형보다 큰 에어리어를 측정함으로써, 기판의 외형 치수 및 표면 형상을 얻고, 그것으로부터 기판 중앙 좌표 (C) 를 중심 좌표 (F, B) 와 함께 구하는 방법, (2) 반사층 (2), 흡수층 (3) 및 도전막 (이면 도전막) (4) 을 형성하기 전의 기판 (1) 의 주면 및 이면의 품질 보증 영역보다 외측의 영역, 혹은, 반사층 (2), 흡수층 (3) 및 도전막 (이면 도전막) (4) 을 형성한 후의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면 및 이면의 품질 보증 영역보다 외측의 영역에 기준 마크를 형성하고, 기판의 외형 치수 및 기준 마크의 위치를 측장기 등으로 측정하여 기판 중앙 좌표 (C) 및 기준 마크의 위치를 산출하고, 이어서, 반사층 (2), 흡수층 (3) 및 도전막 (이면 도전막) (4) 을 형성하기 전의 기판 (1) 의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상, 혹은, 반사층 (2), 흡수층 (3) 및 도전막 (이면 도전막) (4) 을 형성한 후의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정할 때에, 품질 보증 영역보다 외측에 영역에 형성된 기준 마크를 포함하는 에어리어에서 측정함으로써, 기판 중앙 좌표 (C) 를 기준 마크의 위치를 개재하여, 중심 좌표 (F, B) 와 함께 구하는 방법, 등을 들 수 있다.
또한, 기판 중앙 좌표 (C) 는, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 제작 과정의 어느 단계에서 구해도 된다. 따라서, 반사층 (2), 흡수층 (3) 및 도전막 (이면 도전막) (4) 을 형성하기 전의 기판 (1) 의 단계에서 측정해도 되고, 반사층 (2) 의 형성 후에 측정해도 되며, 흡수층 (3) 의 형성 후에 측정해도 되고, 도전막 (이면 도전막) (4) 의 형성 후에 측정해도 되며, 제작 후의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 단계에서 측정해도 된다.
EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 평탄도는, 100 ㎚ 이하의 평탄도의 기판을 사용하는 경우, 기판 상에 형성하는 각종 막의 응력에 의한 변형에 의해 대체로 정해진다. 이상적으로는, 막 응력에 의한 변형은 2 차 함수 성분만 가지므로, 반사형 마스크 블랭크의 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율은 100 ％ 가까워질 것이다. 그러나, 실제로는, 막 두께의 면내 분포, 막 조성의 면내 분포, 성막 위치의 어긋남 등의 이유에 의해, 막 응력에 의한 변형은 3 차 이상의 고차 함수 성분을 갖게 된다. 이 때문에, 상기의 순서로 얻어지는 중심 좌표 (F, B) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리가 소정의 범위가 되도록, 막 두께의 면내 분포나 막 조성의 면내 분포, 성막 위치 등을 조정하여, 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율을 높일 필요가 있다.
이하에 나타내는 조건 (1) 을 만족시키고 있으면, 상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이 된다.
(1) 상기의 순서로 구해지는 중심 좌표 (F, B) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리가 0.5 ㎜ 이하이다.
조건 (1) 에 관해서, 중심 좌표 (F, B) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리는 0.4 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.35 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이 되는 본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크를 얻기 위해서는, 이하의 순서를 실시해도 된다.
먼저 처음에, 반사층 (2), 흡수층 (3) 및 도전막 (이면 도전막) (4) 을 형성하기 전의 기판 (1) 의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정한다 (측정 1). 기판 (1) 의 주면의 품질 보증 영역은, 142 × 142 ㎜ 의 영역이다. 한편, 기판 (1) 의 이면의 품질 보증 영역은 146 × 146 ㎜ 의 영역이다.
다음으로, 반사층 (2), 흡수층 (3) 및 도전막 (이면 도전막) (4) 을 형성한 후의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정한다 (측정 2). 도 1 에 나타내는 구성의 경우, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면은 흡수층 (3) 표면이다. 흡수층 (3) 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는 저반사층 표면이다. 한편, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면은 도전막 (이면 도전막) (4) 표면이다. 흡수층 (3) 표면의 품질 보증 영역은 및 저반사층 표면의 품질 보증 영역은 142 × 142 ㎜ 의 영역이다. 한편, 도전막 (이면 도전막) (4) 표면의 품질 보증 영역은 146 × 146 ㎜ 의 영역이다.
상기 측정 1, 2 의 결과의 차분을 취하고, 상기 서술한 바와 동일한 순서로 2 차 함수 피팅하여 중심 좌표 (ΔF, ΔB) 를 얻는다. 여기서, 중심 좌표 ΔF 는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면측의 중심 좌표이고, 중심 좌표 ΔB 는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면측의 중심 좌표이다. 또한, 중심 좌표 (ΔF, ΔB) 는 모두 상기 서술한 순서에서는 (Xc, Yc) 로 한다.
이하에 나타내는 조건 (2) 을 만족시키고 있으면, 상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이 된다.
(2) 상기의 순서로 구해지는 중심 좌표 (ΔF, ΔB) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리가 0.5 ㎜ 이하이다.
조건 (2) 에 관해서, 중심 좌표 (ΔF, ΔB) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리는 0.4 ㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.35 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크에 있어서, 조건 (1), (2) 를 만족시키는 방법으로는, 예를 들어, 이하를 들 수 있다.
(a) 반사층 (2) 로서 사용되는 다층 반사막을 구성하는 각 층의 막 두께 분포를 그 층의 평균 막 두께의 0.5 ％ 이하로 하는 방법. 혹은, 다층 반사막을 구성하는 각 층의 막 두께 분포를 누적시킨 것이 관계되는 EUV 반사율의 중심 파장의 면내 분포와 평균 파장을 사용하여, EUV 반사율의 중심 파장의 면내 분포를 평균 중심 파장의 0.5 ％ 이하로 하는 방법.
(b) 흡수층 (3) 의 막 두께 분포를 그 흡수층 (3) 의 평균 막 두께의 1.3 ％ 이하로 하는 방법. 흡수층 (3) 은, 원하는 마스크 패턴을 얻기 위해서 막 응력 (절대치) 은 200 ㎫ 이하로 규정되어 있기 때문에 (예를 들어, SEMI 스탠다드 P38-1102, 표 9), 막 응력에 의한 변형이 비교적 작으므로, 400 ∼ 500 ㎫ 의 막 응력을 갖는 반사층 (다층 반사막) (2) 과 비교하여 큰 막 두께 분포가 허용된다.
(c) 흡수층 (3) 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우, 그 저반사층의 막 두께 분포를 그 저반사층의 평균 막 두께의 1.3 ％ 이하로 하는 방법. 저반사층은, 원하는 마스크 패턴을 얻기 위해서 막 응력 (절대치) 은 200 ㎫ 이하로 규정되어 있기 때문에 (예를 들어, SEMI 스탠다드 P38-1102, 표 9), 막 응력에 의한 변형이 비교적 작으므로, 400 ∼ 500 ㎫ 의 막 응력을 갖는 반사층 (다층 반사막) (2) 과 비교하여 큰 막 두께 분포가 허용된다.
(d) 도전막 (이면 도전막) (4) 에 있어서의 막 두께 분포를 그 도전막 (이면 도전막) (4) 의 평균 막 두께의 0.5 ％ 이하로 하는 방법. 도전막 (이면 도전막 (4)) 은, 표면에 형성되는 막의 응력을 상쇄하여, 작은 블랭크 평탄도를 얻기 위해서, 반사층 (다층 반사막) (2) 과 동일한 정도의 비교적 높은 막 응력을 갖는다.
(e) 공지된 방법 (예를 들어, 일본 특허공보 4862892호에 기재된 방법) 을 사용하여, 반사층 (2), 흡수층 (3), 도전막 (이면 도전막) (4) 을 기판 (1) 의 주면 혹은 이면의 전체면이 아니라 그 일부에만 형성하고, 이 때의 막 형성 에어리어를 기판 중앙에 관해서 회전 대칭을 갖는 형상으로 하고, 또한 막 형성 에어리어의 중심을 기판 중심으로부터 0.5 ㎜ 이하의 위치로 하는 방법.
상기 (a) ∼ (e) 중, 어느 하나를 실시해도 되고, 복수를 실시해도 된다. 또, 상기 (e) 에 대해서는, 반사층 (2), 흡수층 (3), 도전막 (이면 도전막) (4) 중, 어느 하나에 대해서만 이 순서를 채용해도 되고, 이들 중, 2 이상에 대해 이 순서를 채용해도 된다. 또, 반사층 (2) 상에 보호층이 형성되어 있는 경우, 흡수층 (3) 상에 저반사층이 형성되어 있는 경우에는, 이들 형성을 상기와 동일한 순서로 실시해도 된다.
본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크는, 반사층 (2), 흡수층 (3) 및 도전막 (이면 도전막) (4) 으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 형성 후에 가열 처리가 실시되어도 된다. 이 경우, 반사층 (2) 의 형성 후에 가열 처리가 실시되어도 되고, 흡수층 (3) 의 형성 후에 가열 처리가 실시되어도 되며, 도전막 (이면 도전막) (4) 의 형성 후에 가열 처리가 실시되어도 된다. 또, 반사층 (2) 상에 보호층이 형성되는 경우에는, 그 보호층의 형성 후에 가열 처리가 실시되어도 되고, 흡수층 (3) 상에 저반사층이 형성되는 경우에는 그 저반사층의 형성 후에 가열 처리가 실시되어도 된다. 또, 이들 형성 후에, 각각 가열 처리가 실시되어도 된다. 또한, 가열 처리의 실시 조건은 각각 적절히 선택하면 된다. 반사층 (2) 형성 후 (반사층 (2) 상에 보호층이 형성되는 경우에는 그 보호층 형성 후) 혹은 흡수층 (3) 형성 후 (구성 재료에 산소를 함유하지 않는 저반사층이 흡수층 (3) 상에 형성되는 경우에는 그 저반사층 형성 후) 의 가열 처리, 도전막 (이면 도전막) (4) 형성 후의 가열 처리는, 막 표면의 산화를 방지하기 위해, 질소 분위기 하, 희가스 분위기 하 등의 불활성 가스 분위기 하에서 실시되는 것이 바람직하다. 한편, 구성 재료에 산소를 함유하는 저반사층이 흡수층 (3) 상에 형성되는 경우에는, 가열 처리는 대기 분위기 하에서 실시해도 된다.
이 경우, 가열 처리의 실시 전후에, 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정하여, 가열 처리의 형성 전후의 측정 결과의 차분을 취하고, 상기 서술한 바와 동일한 순서로 2 차 함수 피팅하여 중심 좌표 (ΔFh, ΔBh) 를 얻는다.
그리고, 중심 좌표 (ΔFh, ΔBh) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리가 0.5 ㎜ 이하인 것이, 상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이 되는 본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크를 얻는 데에 있어서 바람직하고, 0.4 ㎜ 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.35 ㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
반사층 (2) 의 형성 후에 가열 처리가 실시되는 경우에는, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면은, 반사층 (2) 표면 (반사층 (2) 상에 보호층이 형성되는 경우에는 그 보호층 표면) 이다. 한편, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면은, 기판 (1) 의 이면 또는 도전막 (이면 도전막) (4) 표면이다. 또한, 기판 (1) 의 이면이 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면이 되는 경우에는, 반사층 (2) 형성 후 (보호층 형성 후) 의 가열 처리 실시 후에 도전막 (이면 도전막) (4) 이 형성되는 경우이다. 한편, 도전막 (이면 도전막) (4) 표면이 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면이 되는 경우에는, 반사층 (2) 형성 후 (보호층 형성 후) 의 가열 처리 실시 전에 도전막 (이면 도전막) (4) 이 형성되는 경우이다.
흡수층 (3) 의 형성 후에 가열 처리가 실시되는 경우에는, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면은, 흡수층 (3) 표면 (흡수층 (3) 상에 저반사층이 형성되는 경우에는 그 저반사층 표면) 이다. 한편, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면은, 기판 (1) 의 이면 또는 도전막 (이면 도전막) (4) 표면이다. 또한, 기판 (1) 의 이면이 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면이 되는 경우에는, 흡수층 (3) 형성 후 (저반사층 형성 후) 의 가열 처리 실시 후에 도전막 (이면 도전막) (4) 이 형성되는 경우이다. 한편, 도전막 (이면 도전막) (4) 표면이 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면이 되는 경우에는, 흡수층 (3) 형성 후 (저반사층 형성 후) 의 가열 처리 실시 전에 도전막 (이면 도전막) (4) 이 형성되는 경우이다.
도전막 (이면 도전막) (4) 의 형성 후에 가열 처리가 실시되는 경우에는, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면은, 기판 (1) 의 주면, 반사층 (2) 표면 (반사층 (2) 상에 보호층이 형성되는 경우에는 그 보호층 표면), 또는 흡수층 (3) 표면 (흡수층 (3) 상에 저반사층이 형성되는 경우에는 그 저반사층 표면) 이다. 또한, 기판 (1) 의 주면이 도전막 (이면 도전막) (4) 의 형성 전후의 주면이 되는 경우에는, 도전막 (이면 도전막) (4) 의 형성 후에 반사층 (2) 이 형성되는 경우이다. 한편, 반사층 (2) 표면 (반사층 (2) 상에 보호층이 형성되는 경우에는 그 보호층 표면) 이 도전막 (이면 도전막) (4) 의 형성 전후의 주면이 되는 경우에는, 도전막 (이면 도전막) (4) 의 형성 전에 반사층 (2) 이 형성되는 경우이다. 흡수층 (3) 표면 (흡수층 (3) 상에 저반사층이 형성되는 경우에는 저반사층 표면) 이 도전막 (이면 도전막) (4) 의 형성 전후의 주면이 되는 경우에는, 도전막 (이면 도전막) (4) 의 형성 전에 흡수층 (3) (저반사층) 이 형성되는 경우이다.
기판 (1) 의 주면의 품질 보증 영역, 반사층 (2) 표면 (보호층 표면) 의 품질 보증 영역, 흡수층 (3) 표면 (저반사층 표면) 의 품질 보증 영역, 기판 (1) 의 이면의 품질 보증 영역 및 도전막 (이면 도전막) (4) 의 품질 보증 영역에 대해서는 상기 서술한 바와 같다.
본 발명의 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크에 있어서, 중심 좌표의 차분 (ΔFh, ΔBh) 과 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리를 0.5 ㎜ 이하로 하는 방법으로는, 예를 들어, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 가열 처리시에 있어서의 온도 분포를 그 품질 보증 영역의 가열 처리시의 평균 온도의 20 ％ 이하로 하는 방법을 들 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다.
본 실시예에서는, 성막용의 기판 (1) 으로서, SiO2-TiO2 계의 유리 기판 (외형 가로세로 6 인치 (152 ㎜), 두께가 6.35 ㎜) 을 사용한다. 기판 (1) 의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계 (「Zygo 사 제조 Verifire, MarkIV 나, 후지논사 제조 G310S, Tropel 사 제조 FlatMaster 등」) 로 측정하여, 그 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 평탄도를 구한다. 또, 레이저 간섭계에 의한 측정 결과를 2 차 함수 피팅하여, 2 차 함수 피팅의 중심 좌표 (F0, B0) 를 구한다. 기판 (1) 의 주면의 품질 보증 영역은 142 × 142 ㎜ 의 영역이다. 기판 (1) 의 이면의 품질 보증 영역은 146 × 146 ㎜ 의 영역이다.
다음으로, 스퍼터링법을 사용하여, 기판 (1) 의 이면에 두께 360 ㎚ 의 CrN 막을 도전막 (이면 도전막) (4) 으로서 형성한다. 다음으로, 스퍼터링법을 사용하여, 기판 (1) 의 주면에, Si 막 및 Mo 막을 교대로 성막하는 것을 40 주기 반복함으로써, 합계 막 두께 272 ㎚ ((4.5 ㎚ ＋ 2.3 ㎚) × 40) 의 Mo/Si 다층 반사막을 반사층 (2) 으로서 형성한다. 다음으로, 스퍼터링법을 사용하여, Mo/Si 다층 반사막 (반사층 (2)) 상에 Ru 막 (막 두께 2.5 ㎚) 을 보호층으로서 형성한다. 다음으로, 스퍼터링법을 사용하여, Ru 막 (보호층) 상에 TaN 막 (막 두께 77 ㎚) 을 흡수층 (3) 으로서 형성한다. 다음으로, 스퍼터링법을 사용하여, TaN 막 (흡수층 (3)) 상에 TaON 막 (막 두께 7 ㎚) 을 저반사층으로서 형성한다. 다음으로, TaON 막 (저반사층) 의 형성 후, 대기 분위기 하, 136 ℃ 에서 20 분간 가열 처리하여, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크를 제작한다. 또한, 저반사층이 구성 재료에 산소를 함유하지 않는 경우에는, 그 저반사층의 형성 후, 질소 분위기 하, 혹은, 불활성 가스 분위기 하에서 가열 처리를 실시한다.
다음으로, 가열 처리의 실시 후, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정한다. EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면은 저반사층 (TaON 막) 표면이다. 한편, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 이면은 도전막 (이면 도전막) (CrN 막) (4) 표면이다. 저반사층 (TaON 막) 표면의 품질 보증 영역은 142 × 142 ㎜ 의 영역이다. 한편, 도전막 (이면 도전막) (CrN 막) (4) 표면의 품질 보증 영역은 146 × 146 ㎜ 의 영역이다.
레이저 간섭계에 의한 측정 결과로부터, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 주면 및 이면의 품질 보증 영역의 평탄도를 구한다.
또, 레이저 간섭계에 의한 측정 결과를 2 차 함수 피팅한다. 2 차 함수 피팅의 결과로부터, 상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율 및 2 차 함수 피팅의 중심 좌표 (F, B) 를 얻는다.
상기의 순서로 구해지는 중심 좌표 (F, B) 중, 상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 작은 측의 중심 좌표 (F 또는 B) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리를 구하여, L블랭크 (㎜) 로 한다.
또, 상기의 순서로 구해지는 중심 좌표 (ΔF, ΔB) 중, 상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 작은 측의 중심 좌표 (ΔF 또는 ΔB) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리를 구하여, L변형 (㎜) 으로 한다.
또, 마스크 블랭크의 평탄도를 다항식 근사한 경우에, 축소 투영 노광시에 보정할 수 없는 3 차 이상의 고차 다항식 성분에 의한 중첩 오차를 이하의 순서로 구한다.
비특허문헌 1 에 기재된 순서로 마스크를 제작하여 웨이퍼에 대한 노광 시험을 실시하고, 중첩 정밀도를 구하면, 표 1 에 나타내는 값이 된다. 이 때, 2 차 함수 성분은, 비특허문헌 2 및 3 에 기재된 순서에 따라, 노광시의 배율 보정 등에 의해 보정할 수 있다.
이들 결과를 하기 표에 나타낸다.
Figure 112016052293282-pat00001
또, 블랭크 평탄도에서 기인하는 중첩 오차와 블랭크 평탄도 중, 2 차 함수 성분이 차지하는 비율의 관계를 도 2 에 나타낸다. 도 2 로부터 분명한 바와 같이, 블랭크 평탄도 중, 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이면, 블랭크 평탄도에서 기인하는 중첩 오차가 2.2 ㎚ 이하로 작아진다.
블랭크 평탄도 중, 2 차 함수 성분이 차지하는 비율과 중심 좌표 (F, B) 중, 상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 작은 측의 중심 좌표 (F 또는 B) 와, 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리 (L블랭크) 및 중심 좌표 (ΔF, ΔB) 중, 상기에서 정의한 표면 형상의 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 작은 측의 중심 좌표 (ΔF 또는 ΔB) 와, 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리 L변형 의 관계를 도 3 에 나타낸다. 도 3 으로부터 분명한 바와 같이, L블랭크 또는 L변형 을 0.5 ㎜ 이하로 하면, 블랭크 평탄도에서 차지하는 2 차 함수 성분의 비율을 안정적으로 35 ％ 이상으로 할 수 있어, 축소 투영 노광기에 의한 마스크 상 패턴을 웨이퍼 상에 전사할 때의 중첩 오차를 충분히 작게 할 수 있다.
1：기판
2：반사층 (다층 반사막)
3：흡수층
4：(이면) 도전막

Claims (6)

  1. 기판의 주면 상에, EUV 광을 반사시키는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서로 형성되고, 상기 기판의 상기 주면에 대향하는 이면 상에 도전막이 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정하고, 얻어진 측정치를 2 차 함수 피팅한 경우에, 2 차 함수 성분이 차지하는 비율이 35 ％ 이상이고, 또한, 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 평탄도가 600 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크.
  2. 기판의 주면 상에, EUV 광을 반사시키는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서로 형성되고, 상기 기판의 상기 주면에 대향하는 이면 상에 도전막이 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서, 상기 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 형상을 레이저 간섭계로 측정하고, 얻어진 측정치를 2 차 함수 피팅한 경우에 얻어지는 중심 좌표 (F, B) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리가 0.5 ㎜ 이하이고, 또한, 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 평탄도가 600 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크.
  3. 기판의 주면 상에, EUV 광을 반사시키는 반사층과, EUV 광을 흡수하는 흡수층이 이 순서로 형성되고, 상기 기판의 상기 주면에 대향하는 이면 상에 도전막이 형성된 EUV 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크로서,
    상기 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 형상, 그리고, 상기 반사층, 상기 흡수층 및 상기 도전막을 형성하기 전의 상기 기판의 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 형상을 각각 레이저 간섭계로 측정하고, 상기 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크의 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 형상과, 상기 기판의 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 형상의 차분을 2 차 함수 피팅한 경우에 얻어지는 중심 좌표 (ΔF, ΔB) 와 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리가 0.5 ㎜ 이하이고, 또한, 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 평탄도가 600 ㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 EUVL 용 반사형 마스크 블랭크.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 반사층, 상기 흡수층 및 상기 도전막으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 개의 형성 후에 가열 처리가 실시되고 있고, 상기 가열 처리의 실시 전후에, 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 형상을 각각 레이저 간섭계로 측정하고, 상기 가열 처리의 실시 전후에서의 상기 주면의 142 × 142 ㎜ 의 영역 및 상기 이면의 146 × 146 ㎜ 의 영역의 형상의 차분을 2 차 함수 피팅한 경우에 얻어지는 중심 좌표 (ΔFh, ΔBh) 와 상기 기판 중앙 좌표 (C) 의 거리가 0.5 ㎜ 이하인, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반사층과 상기 흡수층 사이에, 상기 반사층의 보호층이 형성되어 있는, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크.
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 흡수층 상에, 마스크 패턴의 검사에 사용하는 검사광에 있어서의 저반사층이 형성되어 있는, EUVL 용 반사형 마스크 블랭크.
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