JP4372178B2 - 光反射型マスクと光反射型マスクの作製方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
光反射型マスクと光反射型マスクの作製方法及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係わる光反射型マスクの製造手順を示すフローチャートである。
・基板が静電チャックされた際の、基板自重による撓み
・基板が静電チャックされた際の、基板裏面導電性膜が不均一であることに伴う静電気力の不均一性による平坦度変動
これらの効果を考慮して、前記平坦度測定結果から、裏面Cr膜の加工後に静電チャックを行った際の平坦度が、最適となる加工形状を決定する。
図7は、本発明の第2の実施形態に係わる光反射型マスクの概略構成を示す断面図である。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。また、図中の701は分割静電チャックの電極を示している。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、基板表面の平坦度の測定を、露光装置のマスクステージにマスク基板を静電チャックにより保持した状態で行ったが、静電チャックによる基板平坦度の低下が問題とならない場合、必ずしも静電チャックした状態ではなく、フリーの状態で基板表面の平坦度の測定を行うようにしても良い。
102…多層膜反射層
103…Siキャップ層
104…Crバッファー層
105…吸収層
106…反射防止膜
107…裏面導電性膜
108…EBレジスト
401…マスクステージ
701…分割型静電チャックの電極
Claims (5)
- 表面側に反射型のマスクパターンが形成され、裏面側に静電チャックのための導電性膜が形成された基板に対し、表面側の平坦度を測定する工程と、
前記測定された平坦度に基づき、該平坦度が所望の値となるように、前記導電性膜を選択的に除去して開口を形成し、前記裏面内で前記導電性膜の開口率を変化させる工程と、
を含むことを特徴とする光反射型マスクの作製方法。 - 表面側に反射型のマスクパターンが形成され、裏面側に静電チャックのための導電性膜が形成された基板を、露光装置のマスクステージに静電チャックにより保持した状態で、基板表面側の平坦度を測定する工程と、
前記測定された平坦度に基づき、該平坦度が所望の値となるように、前記導電性膜を選択的に除去して開口を形成し、前記裏面内で前記導電性膜の開口率を変化させる工程と、
を含むことを特徴とする光反射型マスクの作製方法。 - 前記導電性膜はクロム又は窒化クロムであり、前記導電性膜を選択的に除去する際に、塩素若しくは弗素を含むガスを利用したプラズマプロセスを用いる、前記導電性膜を溶解する溶液を用いる、エネルギー線を用いる、又はSPM探針を用いることを特徴とする請求項1又は2記載の光反射型マスクの作製方法。
- 基板と、前記基板の表面側に形成され、光反射層と光吸収層を有して光反射パターンが形成されたマスクパターン層と、前記基板の裏面側に形成された静電チャック用の導電性膜とを具備し、
前記導電性膜は、選択的に除去されて開口が形成され、前記基板のフリーの状態、又は前記基板を露光装置のマスクステージに静電チャックにより保持した状態における基板表面側の平坦度が所望の値となるように、前記裏面内で開口率を変化させてなることを特徴とする光反射型マスク。 - 請求項4記載の光反射型マスクを用いて、半導体基板上にLSIパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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