KR102602545B1 - 수지 시트 및 반도체 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵고, 가공 시나 운반 시에 있어서의 핸들링성이 우수한 수지 시트를 제공하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 패널 레벨 패키징에 의한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 전자 부품의 봉지(封止) 또는 절연막의 형성에 사용되는 수지 시트(1)로서, 수지 시트(1)가 제1 지지 시트(11)와 수지 조성물층(10)과 제2 지지 시트(12)를 구비하고, 수지 조성물층(10)이, 열경화성 수지, 30질량% 이하의 열가소성 수지 및 50질량% 이상의 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고, 제1 지지 시트(11)에 있어서의 수지 조성물층(10)과의 접촉면이 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않고, 가스 크로마토그래피 질량 분석법으로 측정되는 수지 조성물층(10)을 120℃에서 30분간 가열했을 때에 발생하는 휘발 성분의 농도가 100∼45000ppm인 수지 시트(1)를 제공한다.

Description

수지 시트 및 반도체 장치{RESIN SHEET AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은, 수지 시트 및 당해 수지 시트를 사용해서 제조된 반도체 장치에 관한 것이다.

최근, 반도체 패키지의 소형·박형화의 요구가 매우 높아지고 있다. 이와 같은 요구를 충족시키기 위하여, 팬아웃형의 반도체 패키지가 제안되고 있다. 팬아웃형의 반도체 패키지의 제조 방법으로서, 300∼700㎜ 정도의 각형(角型)의 기판 사이즈로 제조하는 패널 레벨의 팬아웃 패키징 기술(FOPLP)이 주목되고 있다.

FOPLP의 반도체 장치의 제조 방법에서는, 예를 들면, 지지체 상에 마련된 전자 부품에 대하여, 시트상으로 형성된 수지 조성물층이 적층된 후, 수지 조성물층의 가압에 의해, 전자 부품이 수지 조성물층에 매입된다. 그 후, 당해 수지 조성물층을 경화시킴으로써, 전자 부품이 봉지(封止)되고, 그 후, 재배선층이 형성된다.

상술한 바와 같은 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트로서는, 통상적으로, 그 가공 시나 운반 시에 있어서의 취급성을 향상하기 위하여, 수지 조성물층에 지지 시트가 적층된 구성을 갖는 수지 시트가 사용되는 경우가 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 수지 조성물층과, 당해 수지 조성물층의 양면에 적층된 지지 시트를 구비하는 수지 시트가 개시되어 있다. 당해 지지 시트는, 수지 조성물층과 접하는 면이 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리되어 있다.

또한, 상술한 바와 같은 수지 시트는, 통상적으로, 수지 조성물층에 에폭시 수지 등의 열경화성 수지나 경화촉진제를 함유하기 때문에, 저장안정성이 낮은 것으로 되기 쉽고, 그 때문에 냉장 보관이 필요해지는 경우가 있다.

일본 특개2015-126133호 공보

그런데, 상술한 수지 시트에는, 수지 조성물층의 표면에 있어서의 점착성(택)이 작거나, 거의 없기 때문에, 지지 시트로 보호한 상태로 보관할 경우, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서 들뜸이 발생한다는 문제가 있었다. 또한, 가공 시나 운반 시에 수지 조성물층에 있어서 파편이나 깨짐이 발생하는 등, 핸들링성이 문제가 발생하는 경우가 있었다. 특히, 이들 문제는, 수지 시트를 5℃ 이하에서 냉장 보관했을 경우, 무기 충전재 함유량이 높은 수지 조성물층을 사용할 경우, 조막성(造膜性)을 부여하기 위한 수지 성분으로서 페녹시 수지를 사용하는 경우 등에 현저해진다.

본 발명은, 이와 같은 실상에 감안하여 이루어진 것이고, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵고, 가공 시나 운반 시에 있어서의 핸들링성이 우수한 수지 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 그와 같은 수지 시트를 사용한, 양호한 품질을 갖는 반도체 장치를 제공한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 첫째로 본 발명은, 패널 레벨 패키징에 의한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품의 봉지 또는 절연막의 형성에 사용되는 수지 시트로서, 상기 수지 시트가, 제1 지지 시트와, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 편면에 적층된 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층에 있어서의 상기 제1 지지 시트와는 반대측의 면에 적층된 제2 지지 시트를 구비하고, 상기 수지 조성물층이, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 및 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고, 상기 무기 미립자의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량이, 50질량% 이상이고, 상기 열가소성 수지의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량이, 30질량% 이하이고, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층과의 접촉면이, 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않고, 가스 크로마토그래피 질량 분석법으로 측정되는, 상기 수지 조성물층을 120℃에서 30분간 가열했을 때에 발생하는 휘발 성분의 농도가, 100ppm 이상, 45000ppm 이하인 것을 특징으로 하는 수지 시트를 제공한다(발명 1).

상기 발명(발명 1)에 따른 수지 시트에서는, 수지 조성물층의 양면에 지지 시트를 구비함과 함께, 제1 지지 시트에 있어서의 수지 조성물층과의 접촉면이 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않은 것임에 의해, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵다. 또한, 수지 조성물층 중에 있어서의 휘발 성분의 농도가 상기 범위임에 의해, 수지 조성물층의 표면이 양호한 택을 갖는 것으로 되고, 이에 의해서도, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵다. 또한, 수지 조성물층 중에 있어서의 휘발 성분의 농도가 상기 범위임에 의해, 수지 조성물층의 취약성이 개선된다. 이상과 같이, 들뜸의 발생이 억제됨과 함께, 수지 조성물층의 취약성이 개선됨에 의해, 가공 시나 운반 시에 있어서의 수지 조성물층에 파편이나 깨짐이 발생하기 어려워지고, 우수한 핸들링성이 달성된다.

상기 발명(발명 1)에 있어서, 상기 열가소성 수지는, 아크릴계 수지를 포함하지 않는 것이 바람직하다(발명 2).

상기 발명(발명 1, 2)에 있어서, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층측의 면은, 알키드계 박리제에 의해 박리 처리되어 있는 것이 바람직하다(발명 3).

상기 발명(발명 1∼3)에 있어서, 상기 제1 지지 시트는, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상인 수지제의 지지 기재를 구비하는 것이 바람직하다(발명 4).

상기 발명(발명 1∼4)에 있어서, 상기 제2 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층측의 면은, 박리제에 의해 박리 처리되어 있는 것이 바람직하다(발명 5).

둘째로 본 발명은, 상기 수지 시트(발명 1∼5)에 있어서의 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제공한다(발명 6).

본 발명의 수지 시트에 의하면, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵고, 가공 시나 운반 시에 있어서의 핸들링성이 우수하다. 또한, 본 발명의 제조 방법에 따르면, 그와 같은 수지 시트를 사용해서, 양호한 품질을 갖는 반도체 장치를 제조할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 시트의 단면도.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.

〔수지 시트〕

도 1에는, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)의 단면도가 나타난다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 제1 지지 시트(11)와, 제1 지지 시트(11)에 있어서의 편면에 적층된 수지 조성물층(10)과, 수지 조성물층(10)에 있어서의 제1 지지 시트(11)와는 반대측의 면에 적층된 제2 지지 시트(12)를 구비한다.

또한, 본 실시형태에 있어서의 제1 지지 시트(11)에 있어서의 수지 조성물층(10)과의 접촉면은, 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않은 것이다. 또, 본 명세서에 있어서, 「실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않다」는 것은, 제1 지지 시트(11)가, 실리콘계 박리제 이외의 박리제에 의해서 박리 처리된 것이거나, 또는, 박리제에 의한 박리 처리가 행해져 있지 않은 것임을 의미한다.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 상술한 바와 같이, 수지 조성물층(10)의 양면에 각각 제1 지지 시트(11) 및 제2 지지 시트(12)가 적층된 구성을 가짐에 의해, 수지 조성물층(10)이, 그 양면으로부터 지지 시트에 의해 양호하게 보호되는 것으로 된다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 제1 지지 시트(11)에 있어서의 수지 조성물층과의 접촉면이 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않은 것임에 의해, 수지 조성물층(10)과, 제1 지지 시트(11)와의 계면에 있어서 원하는 밀착성이 달성된다. 이와 같이, 제1 지지 시트(11)에 의해서, 수지 조성물층(10)의 한쪽의 면측을 보호함과 함께, 다른 쪽의 면측도, 제2 지지 시트(12)로 보호함에 의해, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려운 것으로 된다.

또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 가스 크로마토그래피 질량 분석법으로 측정되는, 수지 조성물층(10)을 120℃에서 30분간 가열했을 때에 발생하는 휘발 성분의 농도가, 100ppm 이상, 45000ppm 이하이다. 이것에 의해, 수지 조성물층(10)이 그 표면에 있어서 양호한 택을 갖는 것으로 되고, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려운 것으로 된다. 또한, 휘발 성분의 농도가 상기 범위임에 의해, 수지 조성물층(10)의 취약성도 개선된다.

이상과 같이, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생이 억제됨과 함께, 수지 조성물층(10)의 취약성이 개선됨에 의해, 가공 시나 운반 시에 있어서의 수지 조성물층에 파편이나 깨짐이 발생하기 어려워지고, 우수한 핸들링성이 달성된다.

1. 수지 조성물층

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물층(10)은, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 및 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이다. 수지 조성물층(10)은, 경화성을 갖는 것이고, 수지 조성물층(10)을 경화함으로써 경화층을 형성할 수 있다. 또, 수지 조성물층(10)을 경화해서 이루어지는 경화층은, 절연성을 나타내는 것이 바람직하다. 당해 경화층이 절연성을 나타냄에 의해, 얻어지는 반도체 장치에서는, 단락 등의 불량이 억제되어, 우수한 성능을 얻을 수 있다.

(1) 열경화성 수지

열경화성 수지로서는, 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀 수지, 나프톨계 수지, 활성 에스테르계 수지, 벤조옥사진계 수지, 시아네이트에스테르계 수지 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.

상기 에폭시 수지는, 공지의 각종 에폭시 수지를 사용할 수 있고, 구체적으로는, 비스페놀A, 비스페놀F, 레조르시놀, 페닐노볼락, 크레졸노볼락 등의 페놀류의 글리시딜에테르; 부탄디올, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 알코올류의 글리시딜에테르; 프탈산, 이소프탈산, 테트라히드로프탈산 등의 카르복시산의 글리시딜에테르; 아닐린이소시아누레이트 등의 질소 원자에 결합한 활성 수소를 글리시딜기로 치환한 글리시딜형 혹은 알킬글리시딜형의 에폭시 수지; 비닐시클로헥산디에폭시드, 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-디시클로헥산카복실레이트, 2-(3,4-에폭시)시클로헥실-5,5-스피로(3,4-에폭시)시클로헥산-m-디옥산 등과 같이, 분자 내의 탄소-탄소 이중 결합을 예를 들면 산화함에 의해 에폭시가 도입된, 소위 지환형 에폭시드를 들 수 있다. 그 외에, 비페닐 골격, 트리페닐메탄 골격, 디시클로헥사디엔 골격, 나프탈렌 골격 등을 갖는 에폭시 수지를 사용할 수도 있다. 이들 에폭시 수지는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 상술한 에폭시 수지 중에서도, 비스페놀A의 글리시딜에테르(비스페놀A형 에폭시 수지), 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지(비페닐형 에폭시 수지), 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지(나프탈렌형 에폭시 수지) 또는 이들의 조합을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 페놀 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀A, 테트라메틸비스페놀A, 디알릴비스페놀A, 비페놀, 비스페놀F, 디알릴비스페놀F, 트리페닐메탄형 페놀, 테트라키스페놀, 노볼락형 페놀, 크레졸노볼락 수지, 비페닐아랄킬 골격을 갖는 페놀(비페닐형 페놀) 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 비페닐형 페놀을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 페놀 수지는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 또, 경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우에는, 에폭시 수지와의 반응성 등의 관점에서, 페놀 수지를 병용하는 것이 바람직하다.

수지 조성물 중에 있어서의 열경화성 수지의 함유량은, 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 15질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 또한, 20질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 50질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 10질량% 이상임으로써, 수지 조성물층(10)의 경화가 보다 충분한 것으로 되고, 전자 부품을 보다 강고하게 봉지할 수 있다. 또한, 당해 함유량이 60질량% 이하임으로써, 수지 조성물층(10)의 의도하지 않는 단계에서의 경화를 보다 억제할 수 있고, 보존안정성이 보다 우수한 것으로 된다. 또, 열경화성 수지의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.

(2) 열가소성 수지

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 30질량% 이하로 열가소성 수지를 함유한다. 이것에 의해, 수지 조성물에 우수한 조막성이 부여되고, 얻어지는 수지 시트(1)의 핸들링성이 효과적으로 향상한다. 이와 같은 관점에서, 수지 조성물 중에 있어서의 열가소성 수지의 함유량은, 20질량% 이하인 것이 바람직하고, 10질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 열가소성 수지의 함유량의 하한값에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1.0질량% 이상인 것이 바람직하고, 3.0질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 5.0질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또, 열가소성 수지의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.

열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시계 수지, 올레핀계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 아미드계 수지, 스티렌-이소부틸렌-스티렌 공중합체(SIS) 등의 스티렌계 수지, 실란계 수지, 고무계 수지, 폴리비닐아세탈계 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르설폰계 수지, 폴리설폰계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있고, 이들은, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 또한, 이들 열가소성 수지는, 경화성의 관능기를 갖는 것이어도 된다.

여기에서, 반도체 장치의 소형화나 배선의 미세화를 위하여, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를 사용해서 반도체 장치를 제조할 때에는, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층 상에 전극을 형성함에 의해, 재배선층을 마련하는 경우가 있다. 특히, 후술하는 세미 애디티브법에 의해 재배선층을 마련할 경우, 디스미어 처리의 프로세스에 있어서, 경화층은, 알칼리성 용액에 노출되는 등의 과혹한 조건에서 처리되는 것으로 된다. 이 경우, 열가소성 수지의 종류에 따라서는, 경화층이 용해하고, 도금의 필 강도가 낮아지는 등의 배선형성성이 나쁜 경우가 있다. 그 때문에, 경화층에의 배선형성성의 관점에서, 열가소성 수지는 아크릴계 수지를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 열가소성 수지로서는, 상술한 열가소성 수지 중에서도 페녹시계 수지, 폴리비닐아세탈계 수지, 폴리비닐부티랄 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하다.

페녹시계 수지로서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 비스페놀A/비스페놀F 공중합형, 비스페놀S형, 비스페놀아세토페논형, 노볼락형, 플루오렌형, 디시클로펜타디엔형, 노르보르넨형, 나프탈렌형, 안트라센형, 아다만탄형, 테르펜형, 트리메틸시클로헥산형, 비페놀형, 비페닐형의 페녹시계 수지 등이 예시되고, 이들 중에서도 비스페놀A형 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 페녹시계 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기여도 된다. 페녹시계 수지는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2종 이상을 병용해도 된다.

또, 열가소성 수지로서 페녹시계 수지를 사용한 경우에는, 수지 조성물층(10)의 표면에 있어서의 택이 작아지는 경향이 있다. 그러나, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 열가소성 수지로서 페녹시계 수지를 사용하는 경우에도, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸을 효과적으로 억제할 수 있다.

열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 100 이상인 것이 바람직하고, 1000 이상인 것이 특히 바람직하고, 1만 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 100만 이하인 것이 바람직하고, 80만 이하인 것이 특히 바람직하고, 10만 이하인 것이 더 바람직하다. 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)이 상기 범위이면, 수지 조성물층(10)을 시트상으로 형성하는 것이 보다 용이하게 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography; GPC)법에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값이다.

(3) 무기 미립자

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 50질량% 이상으로 무기 미립자를 함유한다. 이것에 의해, 수지 조성물층(10)이 경화되어 이루어지는 경화층의 열팽창 계수 및 흡수율이, 비교적 작은 것으로 된다. 또한, 수지 조성물층(10)이, 우수한 유연성, 유동성 및 접착성을 발휘하는 것으로 된다. 이와 같은 관점에서, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 미립자의 함유량은, 55질량% 이상인 것이 바람직하고, 60질량% 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 무기 미립자의 함유량의 상한값에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 90질량% 이하인 것이 바람직하고, 85질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 80질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 무기 미립자의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.

무기 미립자로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 산화티타늄, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정성 실리카, 뮬라이트, 코디에라이트 등의 복합 산화물, 몬모릴로나이트, 스멕타이트, 베마이트, 탈크, 산화철, 탄화규소, 산화지르코늄 등을 재료로 하는 미립자를 예시할 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들 중에서도 실리카 미립자, 알루미나 미립자를 사용하는 것이 바람직하고, 실리카 미립자를 사용하는 것이 특히 바람직하다.

상기 무기 미립자는, 표면처리제에 의해 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 미립자의 분산성이나 충전성이 우수한 것으로 된다. 상기 표면처리제로서는, 에폭시실란, 비닐실란, 실라잔 화합물, 알콕시실란, 실란커플링제 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 조합해서 사용해도 된다.

상기 표면처리제의 최소 피복 면적은, 550㎡/g 미만인 것이 바람직하고, 520㎡/g 이하인 것이 특히 바람직하고, 450㎡/g 이하인 것이 더 바람직하다. 한편, 표면처리제의 최소 피복 면적의 하한값에 대해서는, 100㎡/g 이상인 것이 바람직하고, 200㎡/g 이상인 것이 특히 바람직하고, 300㎡/g 이상인 것이 더 바람직하다. 최소 피복 면적이 상기 범위임으로써, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 미립자의 분산성이나 충전성이 향상함과 함께, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층에 대한 전극의 형성성이 향상한다.

또, 표면처리제에 있어서의 최소 피복 면적(㎡/g)이란, 1g의 표면처리제를 사용해서 단분자막을 형성했을 때의 당해 단분자막의 면적(㎡)을 말한다. 최소 피복 면적은, 표면처리제의 구조 등으로부터 이론적으로 산출할 수 있다.

표면처리제의 호적한 예로서는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 에폭시실란 및 비닐트리메톡시실란 등의 비닐실란을 들 수 있다.

상기 무기 미립자의 평균 입경은, 0.01㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.1㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.3㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 상기 무기 미립자의 평균 입경은, 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3.0㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 1.0㎛ 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 무기 미립자의 평균 입경이 이와 같은 범위이면, 수지 조성물층(10)의 가요성 및 유연성이 우수한 것으로 되기 쉬워짐과 함께, 무기 미립자의 함유량을, 상술의 범위와 같은 높은 충전율로 조정하기 쉬워진다. 또한, 상기 무기 미립자의 평균 입경이 1.0㎛ 이하임으로써, 상술한 바와 같이 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층에 재배선층을 형성할 경우에, 전극의 형성성이 향상하기 쉬워진다.

또한, 상기 무기 미립자의 최대 입경은, 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.5㎛ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 최대 입경은, 5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 무기 미립자의 최대 입경이 상기 범위임으로써, 수지 조성물 중에 무기 미립자를 충전하기 숴워지고, 경화 시의 열팽창률을 낮게 억제하기 쉬운 것으로 된다. 또한, 상술한 바와 같이 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층에 재배선층을 형성할 경우에, 미세한 배선을 형성하기 쉬워진다. 또, 본 명세서에 있어서의 무기 미립자의 평균 입경 및 최대 입경은, 입도 분포 측정 장치(닛키소샤제, 제품명 「나노트랙 Wave-UT151」)를 사용해서, 동적 광산란법에 의해 측정한 값으로 한다.

(4) 경화 촉매

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 경화 촉매를 더 함유하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 열경화성 수지의 경화 반응을 효과적으로 진행시키는 것이 가능하게 되고, 수지 조성물층(10)을 양호하게 경화하는 것이 가능하게 된다. 경화 촉매로서는, 예를 들면, 이미다졸계 경화 촉매, 아민계 경화 촉매, 인계 경화 촉매 등을 들 수 있다.

이미다졸계 경화 촉매의 구체예로서는, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디(히드록시메틸)이미다졸 등을 들 수 있다.

아민계 경화 촉매의 구체예로서는, 2,4-디아미노-6-〔2'-메틸이미다졸릴-(1')〕에틸-s-트리아진 등의 트리아진 화합물, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]운데센-7(DBU), 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민 등의 제3급 아민 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 2,4-디아미노-6-〔2'-메틸이미다졸릴-(1')〕에틸-s-트리아진이 바람직하다.

또한, 인계 경화 촉매의 구체예로서는, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀 등을 들 수 있다.

상술한 경화 촉매는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

상술한 경화 촉매는, 경화성의 관점에서, 융점이 180℃ 이하인 것이 바람직하고, 100℃ 이하인 것이 특히 바람직하고, 60℃ 이하인 것이 더 바람직하다. 경화 촉매의 융점이 180℃ 이하이면, 수지 조성물층(10)을 양호하게 경화하는 것이 용이하게 된다. 한편, 경화 촉매의 융점의 하한값에 대해서는, 저장안정성의 관점에서, 상온(23℃) 이상인 것이 바람직하다.

수지 조성물 중에 있어서의 경화 촉매의 함유량은, 0.01질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.05질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 또한, 0.1질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 2.0질량% 이하인 것이 바람직하고, 1.5질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 1.0질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 상기 범위임으로써, 수지 조성물층(10)을 보다 양호하게 경화하는 것이 가능하게 된다. 또, 경화 촉매의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.

(5) 그 밖의 성분

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 또한, 가소제, 안정제, 점착부여제, 착색제, 커플링제, 대전방지제, 산화방지제 등을 함유해도 된다.

(6) 수지 조성물층의 물성 등

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 가스 크로마토그래피 질량 분석(GC-MS)법으로 측정되는, 수지 조성물층(10)을 120℃에서 30분간 가열했을 때에 발생하는 휘발 성분의 농도가, 100ppm 이상이다. 여기에서 휘발 성분이란, 구체적으로는, 수지 조성물층(10)을 형성하기 위한 도공액에 사용된 유기 용매 성분의 잔류분이다.

상기 휘발 성분의 농도가 100ppm 이상임에 의해, 수지 조성물층(10)의 표면이 양호한 택을 갖는 것으로 되고, 수지 조성물층(10)과, 제1 지지 시트(11) 및 제2 지지 시트(12)와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려운 것으로 된다. 또한, 상기 휘발 성분의 농도가 100ppm 이상임에 의해, 수지 조성물층(10)의 취약성이 개선되어, 가공 시나 운반 시에 수지 조성물층(10)에 파편이나 깨짐이 발생하기 어려워지고, 핸들링성이 향상한다. 이와 같은 관점에서, 상기한 휘발 성분의 농도는, 1000ppm 이상인 것이 바람직하고, 5000ppm 이상인 것이 특히 바람직하다.

한편, 상기 휘발 성분의 농도의 상한값에 대해서는, 45000pp 이하이고, 35000pp 이하인 것이 특히 바람직하고, 30000ppm 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 휘발 성분의 농도가 45000ppm을 초과하면, 수지 조성물층(10)의 표면이 과도하게 끈적거리거나, 수지 조성물층(10)의 열경화 시에, 휘발 성분에 기인해서 부풂이 발생하여, 얻어지는 반도체 장치의 신뢰성이 저하하는 것과 같은 문제의 원인으로 된다.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(10) 중에 상술한 유기 용매 성분이 특정의 농도로 잔존함으로써, 수지 조성물층(10)의 표면에 양호한 택이 부여된 것으로 되고, 수지 조성물층(10)과, 제1 지지 시트(11) 및 제2 지지 시트(12)와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생이 억제됨과 함께, 수지 조성물층(10)의 취약성이 개선되어, 가공 시나 운반 시에 있어서의 수지 조성물층(10)에 파편이나 깨짐의 발생이 억제된다.

상술의 휘발 성분의 농도는, 수지 조성물층(10)을 형성하는 조건에 따라서, 조정할 수 있다. 예를 들면, 수지 조성물층(10)을 형성할 때의 건조 온도, 건조 시간, 유기 용매의 종류 등을 조정함으로써, 수지 조성물층(10)의 휘발 성분의 농도를 상기 범위로 조정할 수 있다.

수지 조성물층(10)의 두께는, 용도 등을 고려해서 설정할 수 있다. 예를 들면, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품의 봉지에 사용할 경우, 수지 조성물층(10)의 두께는, 20㎛ 이상인 것이 바람직하고, 50㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 60㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 100㎛ 이상인 것이 특히 더 바람직하다. 또한, 당해 두께는, 1000㎛ 이하인 것이 바람직하고, 500㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 300㎛인 것이 특히 바람직하다. 수지 조성물층(10)의 두께가 상기 범위이면, 전자 부품을 봉지해서 충분히 매입할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 절연막의 형성에 사용할 경우, 수지 조성물층(10)의 두께는, 특히 제한되지 않지만, 5㎛ 이상인 것이 바람직하고, 10㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 15㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 두께는, 80㎛ 이하인 것이 바람직하고, 60㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 40㎛ 이하인 것이 더 바람직하다.

2. 제1 지지 시트

제1 지지 시트(11)는, 수지 조성물층과의 접촉면이 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않은 것을 충족시키는 것인 한, 특히 한정되지 않는다.

제1 지지 시트(11)를 구성하는 지지 기재로서는, 각각, 수지 필름, 부직포, 지(紙) 등을 사용하는 것이 바람직하다. 당해 수지 필름의 예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름; 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등의 폴리올레핀 필름; 폴리이미드 필름 등을 들 수 있다. 상기 부직포의 예로서는, 레이온, 아크릴, 폴리에스테르 등의 섬유를 사용한 부직포를 들 수 있다. 상기 지의 예로서는, 상질지, 글라신지, 함침지, 코트지 등을 들 수 있다. 이들은, 2종 이상의 적층체로 해서 사용해도 된다. 또한, 제1 지지 시트(11)를 구성하는 지지 기재는, 소망에 따라 편면 또는 양면에, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라스마 처리, 산화 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다.

상기 수지 필름을 구성하는 재료는, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상인 것이 바람직하고, 유리 전이 온도(Tg)가 55℃ 이상인 것이 특히 바람직하고, 유리 전이 온도(Tg)가 60℃ 이상인 것이 더 바람직하다. 당해 재료의 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상임으로써, 수지 조성물층(10)에 제1 지지 시트(11)가 적층된 상태에서, 수지 조성물층(10)을 열경화한 경우여도, 제1 지지 시트(11)가 열변형하기 어려운 것으로 되고, 경화층으로부터의 제1 지지 시트(11)의 박리가 용이하게 된다. 또, 상기 유리 전이 온도(Tg)의 상한에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 통상 500℃ 이하인 것이 바람직하고, 400℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 유리 전이 온도(Tg)는, 시차 주사 열량 분석계를 사용해서 측정한 값이다.

제1 지지 시트(11)가, 실리콘계 박리제 이외의 박리제에 의해서 박리 처리된 것일 경우, 당해 박리제로서는, 알키드계 박리제, 불소계 박리제, 장쇄 알킬계 박리제, 올레핀 수지계 박리제, 아크릴계 박리제 및 고무계 박리제에서 선택되는 적어도 1종을 사용되는 것이 바람직하고, 이들 중에서 알키드계 박리제가 사용되는 것이 특히 바람직하다.

제1 지지 시트(11)의 두께는, 통상 10㎛ 이상, 250㎛ 이하이다.

3. 제2 지지 시트

제2 지지 시트(12)를 구성하는 지지 기재로서는, 수지 필름, 부직포, 지 등을 사용하는 것이 바람직하다. 당해 수지 필름의 예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름; 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등의 폴리올레핀 필름; 폴리이미드 필름 등을 들 수 있다. 상기 부직포의 예로서는, 레이온, 아크릴, 폴리에스테르 등의 섬유를 사용한 부직포를 들 수 있다. 상기 지의 예로서는, 상질지, 글라신지, 함침지, 코트지 등을 들 수 있다. 이들은, 2종 이상의 적층체로 해서 사용해도 된다. 또한, 제2 지지 시트(12)를 구성하는 지지 기재는, 소망에 따라 편면 또는 양면에, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라스마 처리, 산화 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다.

제2 지지 시트(12)에 있어서의 수지 조성물층(10)과의 접촉면은, 박리제에 의해서 박리 처리되어 있어도 되고, 박리 처리되어 있지 않아도 된다.

상기 박리제로서는, 실리콘계 박리제, 알키드계 박리제, 불소계 박리제, 장쇄 알킬계 박리제, 올레핀 수지계 박리제, 아크릴계 박리제 및 고무계 박리제에서 선택되는 적어도 1종을 사용되는 것이 바람직하다.

또한, 제2 지지 시트(12)와 수지 조성물층(10)과의 계면에 있어서의 들뜸의 발생을 억제하고, 수지 시트(1)의 보관 시나 취급 시에 있어서의 핸들링성을 향상시킨다는 관점에서, 제2 지지 시트(12)는, 수지 조성물층(10)과의 접촉면이 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않은 것임이 바람직하다.

제2 지지 시트(12)의 두께는, 특히 제한은 없지만, 통상 20㎛ 이상, 250㎛ 이하이다.

4. 수지 시트의 물성

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 제1 지지 시트(11)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리할 때의 박리력을 F1로 하고, 제2 지지 시트(12)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리할 때의 박리력을 F2로 했을 경우, 당해 F1 및 당해 F2가, 하기 식(1)

F1/F2>1 : (1)

을 충족시키는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 제1 지지 시트(11)를 수지 조성물층(10)에 남긴 상태에서, 제2 지지 시트(12)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리하기 쉬운 것으로 된다. 그것에 의해, 당해 박리 조작에 수반하는 수지 조성물층(10)의 파편이나 깨짐의 발생을 효과적으로 억제하는 것이 가능하게 된다.

상술한, 제1 지지 시트(11)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리할 때의 박리력 F1은, 0.05N/100㎜ 이상인 것이 바람직하고, 0.1N/100㎜ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 박리력 F1은, 2.0N/100 이하인 것이 바람직하고, 1.5N/100㎜ 이하인 것이 특히 바람직하다.

또한, 상술한, 제2 지지 시트(12)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리할 때의 박리력 F2는, 0.05N/100㎜ 이상인 것이 바람직하고, 0.1N/100㎜ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 박리력 F2는, 2.0N/100㎜ 이하인 것이 바람직하고, 1.5N/100㎜ 이하인 것이 특히 바람직하다.

상술의 박리력 F1 및 F2가 각각 상기 범위임에 의해, 수지 조성물층(10)과 제1 지지 시트(11)와의 계면, 또는, 수지 조성물층(10)과 제2 지지 시트(12)와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.

또, 상술한 박리력은, 다음과 같이 측정한 것이다. 즉, 수지 시트(1)를 폭 100㎜, 길이 100㎜로 컷해서 이루어지는 시험편에 대하여, JIS K6854-3:1999에 의거해, 23℃ 상대 습도 50%의 환경 하에 있어서, 박리 속도 300㎜/분으로 T형 박리로, 제1 지지 시트(11) 또는 제2 지지 시트(12)를 벗겨서, 그때에 측정되는 박리력(N/100㎜)으로서, 박리력 F1 또는 F2를 얻을 수 있다.

5. 수지 시트의 제조 방법

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 상술한 수지 조성물, 및 소망에 따라 추가로 용매 또는 분산매를 함유하는 도공액을 조제하고, 상술한 제2 지지 시트(12) 상에, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 롤나이프 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등의 공지의 도포 방법에 의해 그 도공액을 도포해서 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조시킴에 의해 수지 조성물층(10)을 형성한다.

여기에서, 수지 조성물층(10) 중에 있어서의 상술한 휘발 성분의 농도를 상술한 범위로 조정하는 관점에서, 당해 도막의 건조 온도는, 50℃ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 60℃ 이상으로 하는 것이 특히 바람직하고, 70℃ 이상으로 하는 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 건조 온도는, 150℃ 이하로 하는 것이 바람직하고, 140℃ 이하로 하는 것이 특히 바람직하고, 130℃ 이하로 하는 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 도막의 건조 시간은, 마찬가지의 관점에서, 30초 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 당해 건조 시간은, 30분 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 도공액의 고형분 농도는, 예를 들면, 30질량% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 35질량% 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 고형분 농도는, 60질량% 이하로 하는 것이 바람직하고, 50질량% 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.

다음으로, 형성된 수지 조성물층(10)에 있어서의 제2 지지 시트(12)와는 반대측의 면과, 제1 지지 시트(11)의 편면(박리제에 의해 처리되어 있는 경우에는, 그 박리 처리면)을 첩함함에 의해, 수지 시트(1)를 제조할 수 있다.

상기 용매로서는, 톨루엔, 아세트산에틸, 메틸에틸케톤, 이소부틸알코올, 메틸이소부틸케톤, n-부탄올, 아세트산부틸, 2-메톡시프로판올, 아세트산이소부틸, 테트라클로로에틸렌, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 메틸부틸케톤, 이소펜틸알코올, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, N,N-디메틸포름아미드(DMF), 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 테레빈유, 시클로헥산온, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 유기 용매 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 휘발 성분의 농도를 상술한 범위로 조정하기 쉽다는 관점에서, 시클로헥산온, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 고비점 용매를 사용하는 것이 바람직하고, 특히, 범용성, 용해성 등의 관점에서 시클로헥산온을 사용하는 것이 바람직하다.

〔반도체 장치〕

본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에 있어서의 수지 조성물층(10)을 경화해서 이루어지는 경화층을 구비한다. 수지 조성물층(10)을 경화하는 조건은, 종래 공지의 조건에서 행할 수 있다. 통상적으로, 가열 온도는 100℃ 이상, 240℃ 이하인 것이 바람직하고, 가열 시간은, 15분 이상, 300분 이하인 것이 바람직하다. 또한, 수지 조성물층(10)의 경화는, 복수 회의 가열 처리에 의해 단계적으로 행해도 된다. 여기에서, 본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 전자 부품을 봉지하는 층으로서 경화층을 구비하고 있어도 되고, 또는, 절연막으로서 경화층을 구비하고 있어도 된다. 본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 패널 레벨 패키징에 의해 제조되는 반도체 장치이고, 그 구체예로서는, 패널 레벨의 팬아웃 패키징 기술(FOPLP)에 의해 제조된 반도체 패키지 등을 들 수 있다.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 상술한 바와 같이, 수지 조성물층(10)과 제1 지지 시트(11)와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려움과 함께, 수지 조성물층의 취약성이 개선된 것으로 되어 있다. 이것에 의해, 당해 수지 시트(1)는, 가공 시나 운반 시에 있어서의 수지 조성물층에 파편이나 깨짐이 발생하기 어려워지고, 우수한 핸들링성이 달성된다. 그 때문에, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를 사용해서 제조되는, 본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 당해 수지 시트(1)를 사용해서 제조된 것임에 의해, 양호한 품질을 갖는 것으로 된다.

또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 패널 레벨 패키징에 의한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품을 봉지하기 위한 시트(봉지용 수지 시트)로서, 또는 절연막을 형성하기 위한 시트(층간 절연층용 수지 시트)로서 호적하게 사용할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 지지 시트로 보호한 상태에서 냉장 보관될 경우에 호적하게 사용할 수 있고, 보다 구체적으로는, 5℃ 이하에서 냉장 보관될 경우에 호적하게 사용할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층 상에 재배선층이 형성되는 반도체 장치의 제조 방법에 호적하게 사용할 수 있다.

또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 팬아웃 패키지 기술(FOPLP)에 의해 반도체 패키지 등을 제조하는 경우와 같이, 수지 시트(1)의 사이즈가 비교적 대면적으로 되는 경우여도, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.

이상과 같은 관점에서도, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를 사용해서 제조되는, 본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 당해 수지 시트(1)를 사용해서 제조된 것임에 의해, 양호한 품질을 갖는 것으로 된다.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위하여 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.

(실시예)

이하, 실시예 및 시험예 등을 나타냄에 의해 본 발명을 더 상세히 설명하지만, 본 발명은 하기의 시험예 등에 하등 한정되는 것은 아니다.

〔실시예 1〕

열가소성 수지로서의 비스페놀A형 페녹시 수지(미쓰비시가가쿠샤제, 제품명 「jER1256」) 5.1질량부(고형분 환산, 이하 같다)와, 열경화성 수지로서의 비스페놀A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠샤제, 제품명 「jER828」) 5.7질량부와, 열경화성 수지로서의 비페닐형 에폭시 수지(니혼가야쿠샤제, 제품명 「NC-3000-L」) 5.7질량부와, 열경화성 수지로서의 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC샤제, 제품명 「HP-4700」) 4.1질량부와, 열경화성 수지로서의 비페닐형 페놀(메이와가세이샤제, 제품명 「MEHC-7851-SS」) 14.1질량부와, 이미다졸계 경화 촉매로서의 2-에틸-4-메틸이미다졸(시코쿠가세이샤제, 제품명 「2E4MZ」, 융점 약 40℃) 0.1질량부와, 무기 미립자로서의 에폭시실란 처리 실리카 필러〔실리카 필러(아드마텍스샤제, 제품명 「SO-C2」, 평균 입경 : 0.5㎛, 최대 입경 : 2㎛, 형상 : 구상)를 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(신에쓰가가쿠샤제, 제품명 「KBM-403」, 최소 피복 면적 : 330㎡/g)을 사용해서 표면 처리한 것〕 65질량부를, 시클로헥산온과 메틸에틸케톤의 1:1의 혼합 용매 중에서 혼합해서, 고형분 농도가 40질량%인 수지 조성물의 도공액을 얻었다.

상술한 바와 같이 얻어진 도공액을, 제1 지지 시트로서의, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(Tg : 67℃)의 한쪽의 면을 알키드계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「PET38AL-5」, 두께 : 38㎛)의 박리 처리면에 도포하여, 얻어진 도막을 100℃에서 90초간 건조함으로써, 두께 50㎛의 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 적층체를 얻었다.

다음으로, 제2 지지 시트로서의, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 알키드계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「PET38X」, 두께 : 38㎛)의 박리 처리면과, 상술한 바와 같이 얻어진 적층체에 있어서의 수지 조성물층측의 면을 첩합함으로써, 제1 지지 시트와, 수지 조성물층과, 제2 지지 시트가 순서대로 적층되어 이루어지는 수지 시트를 얻었다.

또, 얻어진 수지 시트에서는, 제1 지지 시트를 수지 조성물층으로부터 박리할 때의 박리력 F1과, 제2 지지 시트를 수지 조성물층으로부터 박리할 때의 박리력 F2가, 하기 식(1)

F1/F2>1 : (1)

의 관계를 충족시키는 것이었다.

〔실시예 2∼4〕

상술한 도막의 건조 조건을 표 1과 같이 변경하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 수지 시트를 얻었다.

〔비교예 1〕

제1 지지 시트로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「SP-PET382150」, 두께 : 38㎛)을 사용하고, 제2 지지 시트로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「SP-PET381031」, 두께 : 38㎛)을 사용함과 함께, 상술한 도막의 건조 조건을 표 1과 같이 변경하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 수지 시트를 얻었다.

〔비교예 2 및 3〕

상술한 도막의 건조 조건을 표 1과 같이 변경하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 수지 시트를 얻었다.

〔시험예 1〕(휘발 성분의 농도의 측정)

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트를, 10㎜×50㎜의 사이즈로 재단한 후, 제1 지지 시트 및 제2 지지 시트를 박리해서 얻어진 수지 조성물층을 측정 샘플로 했다. 당해 측정 샘플을, 측정용 바이알에 봉입하고, 120℃에서 30분간 가열하고, 발생한 가스를 가스 크로마토그래프 질량 분석계(시마즈세이사쿠죠샤제, 제품명 「GCMS-QP2010」)에 도입하여, 발생한 가스의 양을 측정했다. 당해 양을, 휘발 성분의 농도(ppm)로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

〔시험예 2〕(택성의 평가)

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트로부터 제2 지지 시트를 박리하고, 노출한 수지 조성물층의 노출면을 손가락으로 만지고, 이하의 기준으로, 수지 조성물층의 표면에 있어서의 택성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

택 있음 : 수지 조성물층의 표면이 손가락에 붙는 감촉이 있었음

택 없음 : 수지 조성물층의 표면이 손가락에 붙는 감촉이 없었음

〔시험예 3〕(보관 시의 들뜸의 평가)

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트를, 5℃의 환경 하에서 1주간 보관한 후, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

A : 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면, 및 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 계면의 양쪽에 있어서 들뜸이 발생하지 않았음

B : 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면, 및 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 계면의 어느 한쪽에 있어서 약간의 들뜸이 발생했지만, 실용상 문제 없는 레벨이었음

C : 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면, 및 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 계면의 양쪽에 있어서, 실용상 문제로 되는 들뜸이 발생했음

〔시험예 4〕(핸들링성의 평가)

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트로부터 제2 지지 시트를 박리하고, 노출한 수지 조성물층의 노출면을, 더미 기판(500㎜×400㎜)에 적층한 후, 수지 조성물층으로부터 제1 지지 시트를 박리했다. 다음으로, 당해 수지 조성물층을 100℃에서 60분간 가열한 후, 추가로 170℃에서 60분간 가열함으로써 수지 조성물층을 경화하여, 경화층을 형성했다. 이 일련의 흐름에 있어서의 수지 시트의 핸들링성을, 이하의 기준에 의거해서 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

A : 수지 조성물층에 파편 및 깨짐이 모두 발생하지 않았음

B : 수지 조성물층에 파편 및 깨짐이 약간 발생했음

C : 수지 조성물층에 파편 및 깨짐은 발생하지 않았지만, 수지 조성물층의 표면이 과도하게 끈적거림과 함께, 경화층에 부풂이 발생했음

D : 수지 조성물층에 실용상 문제로 되는 레벨의 파편 및 깨짐의 적어도 한쪽이 발생했음

[표 1]

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예에 따른 수지 시트에서는, 보관 시에 있어서의 들뜸의 발생이 억제되고, 우수한 보관 적성이 달성됨과 함께, 수지 조성물층에 있어서의 파편 및 깨짐의 발생이 억제되고, 핸들링성이 우수했다.

본 발명에 따른 수지 시트는, 패널 레벨 패키징에 의한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품의 봉지하기 위한 시트 또는 절연막을 형성하기 위한 시트로서 호적하게 이용할 수 있다.

1 : 수지 시트
10 : 수지 조성물층
11 : 제1 지지 시트
12 : 제2 지지 시트

Claims (6)

1. 패널 레벨 패키징에 의한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품의 봉지(封止) 또는 절연막의 형성에 사용되는 수지 시트로서,
   상기 수지 시트가, 제1 지지 시트와, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 편면에 적층된 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층에 있어서의 상기 제1 지지 시트와는 반대측의 면에 적층된 제2 지지 시트를 구비하고,
   상기 수지 조성물층이, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 및 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고,
   상기 무기 미립자의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량이, 50질량% 이상이고,
   상기 열가소성 수지의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량이, 30질량% 이하이고,
   상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층과의 접촉면이, 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않고,
   가스 크로마토그래피 질량 분석법으로 측정되는, 상기 수지 조성물층을 120℃에서 30분간 가열했을 때에 발생하는 휘발 성분의 농도가, 100ppm 이상, 45000ppm 이하이고,
   상기 제1 지지 시트를 상기 수지 조성물층으로부터 박리할 때의 박리력을 F1로 하고, 상기 제2 지지 시트를 상기 수지 조성물층으로부터 박리할 때의 박리력을 F2로 했을 경우, 상기 F1 및 상기 F2가, 하기 식(1)
   F1/F2>1 ……(1)
   을 충족하는
   것을 특징으로 하는 수지 시트.
2. 제1항에 있어서,
   상기 열가소성 수지는, 아크릴계 수지를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 수지 시트.
3. 제1항에 있어서,
   상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층측의 면은, 알키드계 박리제에 의해 박리 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트.
4. 제1항에 있어서,
   상기 제1 지지 시트는, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상인 수지제의 지지 기재를 구비하는 것을 특징으로 하는 수지 시트.
5. 제1항에 있어서,
   상기 제2 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층측의 면은, 박리제에 의해 박리 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트에 있어서의 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.

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