KR102602545B1 - Resin sheet and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵고, 가공 시나 운반 시에 있어서의 핸들링성이 우수한 수지 시트를 제공하는 것을 과제로 한다.
이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 패널 레벨 패키징에 의한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 전자 부품의 봉지(封止) 또는 절연막의 형성에 사용되는 수지 시트(1)로서, 수지 시트(1)가 제1 지지 시트(11)와 수지 조성물층(10)과 제2 지지 시트(12)를 구비하고, 수지 조성물층(10)이, 열경화성 수지, 30질량% 이하의 열가소성 수지 및 50질량% 이상의 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고, 제1 지지 시트(11)에 있어서의 수지 조성물층(10)과의 접촉면이 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않고, 가스 크로마토그래피 질량 분석법으로 측정되는 수지 조성물층(10)을 120℃에서 30분간 가열했을 때에 발생하는 휘발 성분의 농도가 100∼45000ppm인 수지 시트(1)를 제공한다.The object of the present invention is to provide a resin sheet that is less likely to float at the interface between the resin composition layer and the support sheet and has excellent handling properties during processing and transportation.
As a means to solve this problem, the resin sheet 1 is used for encapsulating electronic components or forming an insulating film in a method of manufacturing a semiconductor device by panel level packaging. 1 Equipped with a support sheet 11, a resin composition layer 10, and a second support sheet 12, wherein the resin composition layer 10 includes a thermosetting resin, 30% by mass or less of a thermoplastic resin, and 50% by mass or more of inorganic fine particles. It is formed from a resin composition containing, the contact surface with the resin composition layer 10 of the first support sheet 11 is not subjected to a peeling treatment with a silicone-based release agent, and the resin composition layer is measured by gas chromatography mass spectrometry. A resin sheet (1) is provided in which the concentration of volatile components generated when (10) is heated at 120° C. for 30 minutes is 100 to 45,000 ppm.

Description

수지 시트 및 반도체 장치{RESIN SHEET AND SEMICONDUCTOR DEVICE}Resin sheet and semiconductor device {RESIN SHEET AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은, 수지 시트 및 당해 수지 시트를 사용해서 제조된 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin sheet and a semiconductor device manufactured using the resin sheet.

최근, 반도체 패키지의 소형·박형화의 요구가 매우 높아지고 있다. 이와 같은 요구를 충족시키기 위하여, 팬아웃형의 반도체 패키지가 제안되고 있다. 팬아웃형의 반도체 패키지의 제조 방법으로서, 300∼700㎜ 정도의 각형(角型)의 기판 사이즈로 제조하는 패널 레벨의 팬아웃 패키징 기술(FOPLP)이 주목되고 있다.Recently, the demand for smaller and thinner semiconductor packages has increased significantly. To meet these demands, a fan-out type semiconductor package is being proposed. As a method of manufacturing a fan-out type semiconductor package, panel-level fan-out packaging technology (FOPLP), which manufactures a rectangular substrate size of about 300 to 700 mm, is attracting attention.

FOPLP의 반도체 장치의 제조 방법에서는, 예를 들면, 지지체 상에 마련된 전자 부품에 대하여, 시트상으로 형성된 수지 조성물층이 적층된 후, 수지 조성물층의 가압에 의해, 전자 부품이 수지 조성물층에 매입된다. 그 후, 당해 수지 조성물층을 경화시킴으로써, 전자 부품이 봉지(封止)되고, 그 후, 재배선층이 형성된다.In the FOPLP semiconductor device manufacturing method, for example, after a resin composition layer formed in a sheet is laminated on an electronic component provided on a support, the electronic component is embedded in the resin composition layer by pressing the resin composition layer. do. After that, the electronic component is sealed by curing the resin composition layer, and then a rewiring layer is formed.

상술한 바와 같은 수지 조성물층을 구비하는 수지 시트로서는, 통상적으로, 그 가공 시나 운반 시에 있어서의 취급성을 향상하기 위하여, 수지 조성물층에 지지 시트가 적층된 구성을 갖는 수지 시트가 사용되는 경우가 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 수지 조성물층과, 당해 수지 조성물층의 양면에 적층된 지지 시트를 구비하는 수지 시트가 개시되어 있다. 당해 지지 시트는, 수지 조성물층과 접하는 면이 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리되어 있다.As a resin sheet provided with the above-mentioned resin composition layer, a resin sheet having a structure in which a support sheet is laminated on the resin composition layer is usually used in order to improve handling during processing and transportation. There is. For example, Patent Document 1 discloses a resin sheet including a resin composition layer and a support sheet laminated on both sides of the resin composition layer. The surface of the support sheet in contact with the resin composition layer is subjected to a peeling treatment with a silicone-based release agent.

또한, 상술한 바와 같은 수지 시트는, 통상적으로, 수지 조성물층에 에폭시 수지 등의 열경화성 수지나 경화촉진제를 함유하기 때문에, 저장안정성이 낮은 것으로 되기 쉽고, 그 때문에 냉장 보관이 필요해지는 경우가 있다.In addition, since the resin sheet as described above usually contains a thermosetting resin such as an epoxy resin or a curing accelerator in the resin composition layer, storage stability is likely to be low, and therefore, refrigerated storage may be necessary.

일본 특개2015-126133호 공보Japanese Patent Application Publication No. 2015-126133

그런데, 상술한 수지 시트에는, 수지 조성물층의 표면에 있어서의 점착성(택)이 작거나, 거의 없기 때문에, 지지 시트로 보호한 상태로 보관할 경우, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서 들뜸이 발생한다는 문제가 있었다. 또한, 가공 시나 운반 시에 수지 조성물층에 있어서 파편이나 깨짐이 발생하는 등, 핸들링성이 문제가 발생하는 경우가 있었다. 특히, 이들 문제는, 수지 시트를 5℃ 이하에서 냉장 보관했을 경우, 무기 충전재 함유량이 높은 수지 조성물층을 사용할 경우, 조막성(造膜性)을 부여하기 위한 수지 성분으로서 페녹시 수지를 사용하는 경우 등에 현저해진다.However, since the above-mentioned resin sheet has little or almost no adhesiveness (tack) on the surface of the resin composition layer, when stored in a state protected by a support sheet, the interface between the resin composition layer and the support sheet is prone to lifting. There was a problem that occurred. Additionally, there were cases where handling problems occurred, such as fragments or cracks occurring in the resin composition layer during processing or transportation. In particular, these problems arise when the resin sheet is refrigerated and stored at 5°C or lower, when a resin composition layer with a high inorganic filler content is used, and when a phenoxy resin is used as a resin component for imparting film-forming properties. It becomes noticeable in some cases, etc.

본 발명은, 이와 같은 실상에 감안하여 이루어진 것이고, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵고, 가공 시나 운반 시에 있어서의 핸들링성이 우수한 수지 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은, 그와 같은 수지 시트를 사용한, 양호한 품질을 갖는 반도체 장치를 제공한다.The present invention was made in view of such actual conditions, and its purpose is to provide a resin sheet that is less likely to float at the interface between the resin composition layer and the support sheet and has excellent handling properties during processing and transportation. do. Additionally, the present invention provides a semiconductor device with good quality using such a resin sheet.

상기 목적을 달성하기 위하여, 첫째로 본 발명은, 패널 레벨 패키징에 의한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품의 봉지 또는 절연막의 형성에 사용되는 수지 시트로서, 상기 수지 시트가, 제1 지지 시트와, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 편면에 적층된 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층에 있어서의 상기 제1 지지 시트와는 반대측의 면에 적층된 제2 지지 시트를 구비하고, 상기 수지 조성물층이, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 및 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고, 상기 무기 미립자의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량이, 50질량% 이상이고, 상기 열가소성 수지의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량이, 30질량% 이하이고, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층과의 접촉면이, 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않고, 가스 크로마토그래피 질량 분석법으로 측정되는, 상기 수지 조성물층을 120℃에서 30분간 가열했을 때에 발생하는 휘발 성분의 농도가, 100ppm 이상, 45000ppm 이하인 것을 특징으로 하는 수지 시트를 제공한다(발명 1).In order to achieve the above object, firstly, the present invention provides a resin sheet used for encapsulating electronic components or forming an insulating film in a method of manufacturing a semiconductor device by panel level packaging, wherein the resin sheet is a first support sheet. and a resin composition layer laminated on one side of the first support sheet, and a second support sheet laminated on a side of the resin composition layer opposite to the first support sheet, the resin composition The layer is formed from a resin composition containing a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and inorganic fine particles, the content of the inorganic fine particles in the resin composition is 50% by mass or more, and the content of the thermoplastic resin in the resin composition is The resin composition layer has a content of 30% by mass or less, the contact surface with the resin composition layer in the first support sheet is not subjected to a peeling treatment with a silicone-based release agent, and is measured by gas chromatography mass spectrometry. A resin sheet is provided, characterized in that the concentration of volatile components generated when heated at 120°C for 30 minutes is 100 ppm or more and 45,000 ppm or less (invention 1).

상기 발명(발명 1)에 따른 수지 시트에서는, 수지 조성물층의 양면에 지지 시트를 구비함과 함께, 제1 지지 시트에 있어서의 수지 조성물층과의 접촉면이 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않은 것임에 의해, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵다. 또한, 수지 조성물층 중에 있어서의 휘발 성분의 농도가 상기 범위임에 의해, 수지 조성물층의 표면이 양호한 택을 갖는 것으로 되고, 이에 의해서도, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵다. 또한, 수지 조성물층 중에 있어서의 휘발 성분의 농도가 상기 범위임에 의해, 수지 조성물층의 취약성이 개선된다. 이상과 같이, 들뜸의 발생이 억제됨과 함께, 수지 조성물층의 취약성이 개선됨에 의해, 가공 시나 운반 시에 있어서의 수지 조성물층에 파편이나 깨짐이 발생하기 어려워지고, 우수한 핸들링성이 달성된다.In the resin sheet according to the invention (invention 1), a support sheet is provided on both sides of the resin composition layer, and the contact surface of the first support sheet with the resin composition layer is not subjected to a peeling treatment with a silicone-based release agent. As a result, lifting at the interface between the resin composition layer and the support sheet is unlikely to occur. In addition, when the concentration of the volatile component in the resin composition layer is within the above range, the surface of the resin composition layer has good tack, and this also prevents the occurrence of lifting at the interface between the resin composition layer and the support sheet. It's difficult to do. Additionally, when the concentration of the volatile component in the resin composition layer is within the above range, the vulnerability of the resin composition layer is improved. As described above, the occurrence of lifting is suppressed and the fragility of the resin composition layer is improved, making it difficult for chips or cracks to occur in the resin composition layer during processing or transportation, and excellent handling properties are achieved.

상기 발명(발명 1)에 있어서, 상기 열가소성 수지는, 아크릴계 수지를 포함하지 않는 것이 바람직하다(발명 2).In the above invention (invention 1), it is preferable that the thermoplastic resin does not contain an acrylic resin (invention 2).

상기 발명(발명 1, 2)에 있어서, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층측의 면은, 알키드계 박리제에 의해 박리 처리되어 있는 것이 바람직하다(발명 3).In the above inventions (inventions 1 and 2), it is preferable that the surface of the first support sheet on the resin composition layer side is subjected to a release treatment with an alkyd-based release agent (invention 3).

상기 발명(발명 1∼3)에 있어서, 상기 제1 지지 시트는, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상인 수지제의 지지 기재를 구비하는 것이 바람직하다(발명 4).In the above inventions (inventions 1 to 3), the first support sheet is preferably provided with a resin support substrate having a glass transition temperature (Tg) of 50°C or higher (invention 4).

상기 발명(발명 1∼4)에 있어서, 상기 제2 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층측의 면은, 박리제에 의해 박리 처리되어 있는 것이 바람직하다(발명 5).In the above inventions (inventions 1 to 4), it is preferable that the surface of the second support sheet on the resin composition layer side is subjected to a release treatment with a release agent (invention 5).

둘째로 본 발명은, 상기 수지 시트(발명 1∼5)에 있어서의 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치를 제공한다(발명 6).Second, the present invention provides a semiconductor device characterized by comprising a cured layer formed by curing the resin composition layer in the resin sheet (inventions 1 to 5) (invention 6).

본 발명의 수지 시트에 의하면, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어렵고, 가공 시나 운반 시에 있어서의 핸들링성이 우수하다. 또한, 본 발명의 제조 방법에 따르면, 그와 같은 수지 시트를 사용해서, 양호한 품질을 갖는 반도체 장치를 제조할 수 있다.According to the resin sheet of the present invention, lifting at the interface between the resin composition layer and the support sheet is unlikely to occur, and handling properties during processing and transportation are excellent. Furthermore, according to the manufacturing method of the present invention, a semiconductor device with good quality can be manufactured using such a resin sheet.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 시트의 단면도.1 is a cross-sectional view of a resin sheet according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.

〔수지 시트〕[Resin sheet]

도 1에는, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)의 단면도가 나타난다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 제1 지지 시트(11)와, 제1 지지 시트(11)에 있어서의 편면에 적층된 수지 조성물층(10)과, 수지 조성물층(10)에 있어서의 제1 지지 시트(11)와는 반대측의 면에 적층된 제2 지지 시트(12)를 구비한다.1 shows a cross-sectional view of the resin sheet 1 according to this embodiment. As shown in FIG. 1, the resin sheet 1 according to the present embodiment includes a first support sheet 11, a resin composition layer 10 laminated on one side of the first support sheet 11, and It is provided with a second support sheet (12) laminated on a surface of the resin composition layer (10) opposite to the first support sheet (11).

또한, 본 실시형태에 있어서의 제1 지지 시트(11)에 있어서의 수지 조성물층(10)과의 접촉면은, 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않은 것이다. 또, 본 명세서에 있어서, 「실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않다」는 것은, 제1 지지 시트(11)가, 실리콘계 박리제 이외의 박리제에 의해서 박리 처리된 것이거나, 또는, 박리제에 의한 박리 처리가 행해져 있지 않은 것임을 의미한다.In addition, the contact surface of the first support sheet 11 in this embodiment with the resin composition layer 10 has not been subjected to a peeling treatment with a silicone-based release agent. In addition, in this specification, "not subjected to a peeling treatment using a silicone-based release agent" means that the first support sheet 11 has been subjected to a peeling treatment using a release agent other than a silicone-based release agent, or has been subjected to a peeling treatment using a release agent. It means that has not been done.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 상술한 바와 같이, 수지 조성물층(10)의 양면에 각각 제1 지지 시트(11) 및 제2 지지 시트(12)가 적층된 구성을 가짐에 의해, 수지 조성물층(10)이, 그 양면으로부터 지지 시트에 의해 양호하게 보호되는 것으로 된다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 제1 지지 시트(11)에 있어서의 수지 조성물층과의 접촉면이 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않은 것임에 의해, 수지 조성물층(10)과, 제1 지지 시트(11)와의 계면에 있어서 원하는 밀착성이 달성된다. 이와 같이, 제1 지지 시트(11)에 의해서, 수지 조성물층(10)의 한쪽의 면측을 보호함과 함께, 다른 쪽의 면측도, 제2 지지 시트(12)로 보호함에 의해, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려운 것으로 된다.As described above, the resin sheet 1 according to the present embodiment has a configuration in which the first support sheet 11 and the second support sheet 12 are laminated on both sides of the resin composition layer 10, respectively. , the resin composition layer 10 is well protected from both sides by the support sheet. In addition, in the resin sheet 1 according to the present embodiment, the contact surface with the resin composition layer in the first support sheet 11 is not subjected to a peeling treatment with a silicone-based release agent, so that the resin composition layer 10 and the desired adhesion is achieved at the interface with the first support sheet 11. In this way, one surface side of the resin composition layer 10 is protected by the first support sheet 11, and the other surface side is also protected by the second support sheet 12, according to the present embodiment. In the resin sheet 1 according to this, it is difficult for lifting to occur at the interface between the resin composition layer 10 and the support sheet.

또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 가스 크로마토그래피 질량 분석법으로 측정되는, 수지 조성물층(10)을 120℃에서 30분간 가열했을 때에 발생하는 휘발 성분의 농도가, 100ppm 이상, 45000ppm 이하이다. 이것에 의해, 수지 조성물층(10)이 그 표면에 있어서 양호한 택을 갖는 것으로 되고, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려운 것으로 된다. 또한, 휘발 성분의 농도가 상기 범위임에 의해, 수지 조성물층(10)의 취약성도 개선된다.In addition, in the resin sheet 1 according to the present embodiment, the concentration of volatile components generated when the resin composition layer 10 is heated at 120 ° C. for 30 minutes, measured by gas chromatography mass spectrometry, is 100 ppm or more, 45000 ppm. It is as follows. As a result, the resin composition layer 10 has good tack on its surface, and lifting at the interface between the resin composition layer 10 and the support sheet is unlikely to occur. Additionally, when the concentration of the volatile component is within the above range, the vulnerability of the resin composition layer 10 is also improved.

이상과 같이, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생이 억제됨과 함께, 수지 조성물층(10)의 취약성이 개선됨에 의해, 가공 시나 운반 시에 있어서의 수지 조성물층에 파편이나 깨짐이 발생하기 어려워지고, 우수한 핸들링성이 달성된다.As described above, in the resin sheet 1 according to the present embodiment, the occurrence of lifting at the interface between the resin composition layer 10 and the support sheet is suppressed, and the fragility of the resin composition layer 10 is improved. As a result, it becomes difficult for chips or cracks to occur in the resin composition layer during processing or transportation, and excellent handling properties are achieved.

1. 수지 조성물층1. Resin composition layer

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물층(10)은, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 및 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이다. 수지 조성물층(10)은, 경화성을 갖는 것이고, 수지 조성물층(10)을 경화함으로써 경화층을 형성할 수 있다. 또, 수지 조성물층(10)을 경화해서 이루어지는 경화층은, 절연성을 나타내는 것이 바람직하다. 당해 경화층이 절연성을 나타냄에 의해, 얻어지는 반도체 장치에서는, 단락 등의 불량이 억제되어, 우수한 성능을 얻을 수 있다.The resin composition layer 10 in this embodiment is formed from a resin composition containing a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and inorganic fine particles. The resin composition layer 10 has curability, and a cured layer can be formed by curing the resin composition layer 10. In addition, the cured layer formed by curing the resin composition layer 10 preferably exhibits insulating properties. Since the cured layer exhibits insulating properties, defects such as short circuits are suppressed in the resulting semiconductor device, and excellent performance can be obtained.

(1) 열경화성 수지(1) Thermosetting resin

열경화성 수지로서는, 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 에폭시 수지, 페놀 수지, 나프톨계 수지, 활성 에스테르계 수지, 벤조옥사진계 수지, 시아네이트에스테르계 수지 등을 들 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.The thermosetting resin is not particularly limited and includes, for example, epoxy resin, phenol resin, naphthol-based resin, activated ester-based resin, benzoxazine-based resin, cyanate ester-based resin, etc., and these can be used alone. Or, two or more types can be used in combination.

상기 에폭시 수지는, 공지의 각종 에폭시 수지를 사용할 수 있고, 구체적으로는, 비스페놀A, 비스페놀F, 레조르시놀, 페닐노볼락, 크레졸노볼락 등의 페놀류의 글리시딜에테르; 부탄디올, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 알코올류의 글리시딜에테르; 프탈산, 이소프탈산, 테트라히드로프탈산 등의 카르복시산의 글리시딜에테르; 아닐린이소시아누레이트 등의 질소 원자에 결합한 활성 수소를 글리시딜기로 치환한 글리시딜형 혹은 알킬글리시딜형의 에폭시 수지; 비닐시클로헥산디에폭시드, 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3,4-디시클로헥산카복실레이트, 2-(3,4-에폭시)시클로헥실-5,5-스피로(3,4-에폭시)시클로헥산-m-디옥산 등과 같이, 분자 내의 탄소-탄소 이중 결합을 예를 들면 산화함에 의해 에폭시가 도입된, 소위 지환형 에폭시드를 들 수 있다. 그 외에, 비페닐 골격, 트리페닐메탄 골격, 디시클로헥사디엔 골격, 나프탈렌 골격 등을 갖는 에폭시 수지를 사용할 수도 있다. 이들 에폭시 수지는, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 상술한 에폭시 수지 중에서도, 비스페놀A의 글리시딜에테르(비스페놀A형 에폭시 수지), 비페닐 골격을 갖는 에폭시 수지(비페닐형 에폭시 수지), 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지(나프탈렌형 에폭시 수지) 또는 이들의 조합을 사용하는 것이 바람직하다.As the epoxy resin, various known epoxy resins can be used, and specifically, glycidyl ethers of phenols such as bisphenol A, bisphenol F, resorcinol, phenyl novolak, and cresol novolac; Glycidyl ethers of alcohols such as butanediol, polyethylene glycol, and polypropylene glycol; Glycidyl ethers of carboxylic acids such as phthalic acid, isophthalic acid, and tetrahydrophthalic acid; Glycidyl-type or alkylglycidyl-type epoxy resins in which the active hydrogen bonded to the nitrogen atom, such as aniline isocyanurate, is replaced with a glycidyl group; Vinylcyclohexanediepoxide, 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-dicyclohexanecarboxylate, 2-(3,4-epoxy)cyclohexyl-5,5-spiro(3,4-epoxy) So-called alicyclic epoxides, such as cyclohexane-m-dioxane, in which epoxy is introduced by oxidizing the carbon-carbon double bond in the molecule, for example. In addition, epoxy resins having a biphenyl skeleton, triphenylmethane skeleton, dicyclohexadiene skeleton, naphthalene skeleton, etc. can also be used. These epoxy resins can be used individually or in combination of two or more types. Among the above-mentioned epoxy resins, glycidyl ether of bisphenol A (bisphenol A type epoxy resin), an epoxy resin having a biphenyl skeleton (biphenyl type epoxy resin), an epoxy resin having a naphthalene skeleton (naphthalene type epoxy resin) or these. It is desirable to use a combination of.

상기 페놀 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀A, 테트라메틸비스페놀A, 디알릴비스페놀A, 비페놀, 비스페놀F, 디알릴비스페놀F, 트리페닐메탄형 페놀, 테트라키스페놀, 노볼락형 페놀, 크레졸노볼락 수지, 비페닐아랄킬 골격을 갖는 페놀(비페닐형 페놀) 등을 들 수 있고, 이들 중에서도, 비페닐형 페놀을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 페놀 수지는, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 또, 경화성 수지로서 에폭시 수지를 사용하는 경우에는, 에폭시 수지와의 반응성 등의 관점에서, 페놀 수지를 병용하는 것이 바람직하다.Examples of the phenol resin include bisphenol A, tetramethylbisphenol A, diallylbisphenol A, biphenol, bisphenol F, diallylbisphenol F, triphenylmethane type phenol, tetrakisphenol, novolac type phenol, and cresolano. Examples include rockfish resin and phenol (biphenyl-type phenol) having a biphenyl aralkyl skeleton, and among these, it is preferable to use biphenyl-type phenol. These phenol resins can be used individually or in combination of two or more types. Moreover, when using an epoxy resin as a curable resin, it is preferable to use a phenol resin together from the viewpoint of reactivity with the epoxy resin, etc.

수지 조성물 중에 있어서의 열경화성 수지의 함유량은, 10질량% 이상인 것이 바람직하고, 15질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 또한, 20질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 50질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 10질량% 이상임으로써, 수지 조성물층(10)의 경화가 보다 충분한 것으로 되고, 전자 부품을 보다 강고하게 봉지할 수 있다. 또한, 당해 함유량이 60질량% 이하임으로써, 수지 조성물층(10)의 의도하지 않는 단계에서의 경화를 보다 억제할 수 있고, 보존안정성이 보다 우수한 것으로 된다. 또, 열경화성 수지의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.The content of the thermosetting resin in the resin composition is preferably 10 mass% or more, particularly preferably 15 mass% or more, and further preferably 20 mass% or more. Moreover, the content is preferably 60 mass% or less, particularly preferably 50 mass% or less, and more preferably 40 mass% or less. When the content is 10% by mass or more, the curing of the resin composition layer 10 becomes more sufficient, and the electronic component can be sealed more firmly. In addition, when the content is 60% by mass or less, hardening of the resin composition layer 10 at an unintended stage can be further suppressed, and storage stability becomes more excellent. In addition, the above content of thermosetting resin is a solid content conversion value.

(2) 열가소성 수지(2) Thermoplastic resin

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 30질량% 이하로 열가소성 수지를 함유한다. 이것에 의해, 수지 조성물에 우수한 조막성이 부여되고, 얻어지는 수지 시트(1)의 핸들링성이 효과적으로 향상한다. 이와 같은 관점에서, 수지 조성물 중에 있어서의 열가소성 수지의 함유량은, 20질량% 이하인 것이 바람직하고, 10질량% 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 열가소성 수지의 함유량의 하한값에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1.0질량% 이상인 것이 바람직하고, 3.0질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 5.0질량% 이상인 것이 더 바람직하다. 또, 열가소성 수지의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.The resin composition in this embodiment contains 30 mass% or less of thermoplastic resin. This provides excellent film-forming properties to the resin composition, and effectively improves the handling properties of the resulting resin sheet 1. From this viewpoint, the content of the thermoplastic resin in the resin composition is preferably 20% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less. Moreover, the lower limit of the content of the thermoplastic resin is not particularly limited, but for example, it is preferably 1.0 mass% or more, particularly preferably 3.0 mass% or more, and more preferably 5.0 mass% or more. In addition, the above content of thermoplastic resin is a solid content conversion value.

열가소성 수지로서는, 예를 들면, 페녹시계 수지, 올레핀계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 아미드계 수지, 스티렌-이소부틸렌-스티렌 공중합체(SIS) 등의 스티렌계 수지, 실란계 수지, 고무계 수지, 폴리비닐아세탈계 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드이미드계 수지, 폴리에테르설폰계 수지, 폴리설폰계 수지, 불소계 수지 등을 들 수 있고, 이들은, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 또한, 이들 열가소성 수지는, 경화성의 관능기를 갖는 것이어도 된다.Thermoplastic resins include, for example, phenoxy resin, olefin resin, polyester resin, polyurethane resin, polyester urethane resin, acrylic resin, amide resin, styrene-isobutylene-styrene copolymer (SIS), etc. styrene-based resin, silane-based resin, rubber-based resin, polyvinyl acetal-based resin, polyvinyl butyral resin, polyimide-based resin, polyamidoimide-based resin, polyethersulfone-based resin, polysulfone-based resin, fluorine-based resin, etc. These can be mentioned, and these can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Additionally, these thermoplastic resins may have a curable functional group.

여기에서, 반도체 장치의 소형화나 배선의 미세화를 위하여, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를 사용해서 반도체 장치를 제조할 때에는, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층 상에 전극을 형성함에 의해, 재배선층을 마련하는 경우가 있다. 특히, 후술하는 세미 애디티브법에 의해 재배선층을 마련할 경우, 디스미어 처리의 프로세스에 있어서, 경화층은, 알칼리성 용액에 노출되는 등의 과혹한 조건에서 처리되는 것으로 된다. 이 경우, 열가소성 수지의 종류에 따라서는, 경화층이 용해하고, 도금의 필 강도가 낮아지는 등의 배선형성성이 나쁜 경우가 있다. 그 때문에, 경화층에의 배선형성성의 관점에서, 열가소성 수지는 아크릴계 수지를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 열가소성 수지로서는, 상술한 열가소성 수지 중에서도 페녹시계 수지, 폴리비닐아세탈계 수지, 폴리비닐부티랄 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 사용하는 것이 바람직하다.Here, when manufacturing a semiconductor device using the resin sheet 1 according to this embodiment in order to miniaturize the semiconductor device or refine the wiring, an electrode is placed on the cured layer formed by curing the resin composition layer 10. By forming, a redistribution layer may be provided. In particular, when providing a redistribution layer by the semi-additive method described later, in the desmear treatment process, the hardened layer is treated under harsh conditions such as exposure to an alkaline solution. In this case, depending on the type of thermoplastic resin, wiring formability may be poor, such as the cured layer dissolving and the peeling strength of the plating being lowered. Therefore, from the viewpoint of wiring formation in the hardened layer, it is preferable that the thermoplastic resin does not contain an acrylic resin. As the thermoplastic resin, it is preferable to use at least one selected from the group consisting of phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, and polyvinyl butyral resin among the thermoplastic resins described above.

페녹시계 수지로서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 비스페놀A/비스페놀F 공중합형, 비스페놀S형, 비스페놀아세토페논형, 노볼락형, 플루오렌형, 디시클로펜타디엔형, 노르보르넨형, 나프탈렌형, 안트라센형, 아다만탄형, 테르펜형, 트리메틸시클로헥산형, 비페놀형, 비페닐형의 페녹시계 수지 등이 예시되고, 이들 중에서도 비스페놀A형 페녹시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 페녹시계 수지의 말단은, 페놀성 수산기, 에폭시기 등의 어느 관능기여도 된다. 페녹시계 수지는 1종을 단독으로 사용해도 되고, 또는 2종 이상을 병용해도 된다.The phenoxy resin is not particularly limited, but examples include bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol A/bisphenol F copolymerization type, bisphenol S type, bisphenol acetophenone type, novolac type, fluorene type, and dicyclopenta. Phenoxy resins of diene type, norbornene type, naphthalene type, anthracene type, adamantane type, terpene type, trimethylcyclohexane type, biphenol type, and biphenyl type are exemplified, and among these, bisphenol A type phenoxy resin is used. It is desirable to use The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as a phenolic hydroxyl group or an epoxy group. Phenoxy-based resins may be used individually, or two or more types may be used together.

또, 열가소성 수지로서 페녹시계 수지를 사용한 경우에는, 수지 조성물층(10)의 표면에 있어서의 택이 작아지는 경향이 있다. 그러나, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 열가소성 수지로서 페녹시계 수지를 사용하는 경우에도, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸을 효과적으로 억제할 수 있다.Additionally, when a phenoxy resin is used as the thermoplastic resin, the tack on the surface of the resin composition layer 10 tends to become small. However, the resin sheet 1 according to the present embodiment can effectively suppress lifting at the interface between the resin composition layer 10 and the support sheet even when a phenoxy-based resin is used as the thermoplastic resin.

열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 100 이상인 것이 바람직하고, 1000 이상인 것이 특히 바람직하고, 1만 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 100만 이하인 것이 바람직하고, 80만 이하인 것이 특히 바람직하고, 10만 이하인 것이 더 바람직하다. 열가소성 수지의 중량 평균 분자량(Mw)이 상기 범위이면, 수지 조성물층(10)을 시트상으로 형성하는 것이 보다 용이하게 된다. 또, 본 명세서에 있어서의 중량 평균 분자량은, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography; GPC)법에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값이다.The weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin is preferably 100 or more, particularly preferably 1,000 or more, and more preferably 10,000 or more. Additionally, the weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin is preferably 1 million or less, particularly preferably 800,000 or less, and more preferably 100,000 or less. If the weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin is within the above range, it becomes easier to form the resin composition layer 10 into a sheet shape. In addition, the weight average molecular weight in this specification is a standard polystyrene conversion value measured by Gel Permeation Chromatography (GPC) method.

(3) 무기 미립자(3) Inorganic fine particles

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 50질량% 이상으로 무기 미립자를 함유한다. 이것에 의해, 수지 조성물층(10)이 경화되어 이루어지는 경화층의 열팽창 계수 및 흡수율이, 비교적 작은 것으로 된다. 또한, 수지 조성물층(10)이, 우수한 유연성, 유동성 및 접착성을 발휘하는 것으로 된다. 이와 같은 관점에서, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 미립자의 함유량은, 55질량% 이상인 것이 바람직하고, 60질량% 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 무기 미립자의 함유량의 상한값에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 90질량% 이하인 것이 바람직하고, 85질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 80질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 무기 미립자의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.The resin composition in this embodiment contains inorganic fine particles in an amount of 50% by mass or more. As a result, the thermal expansion coefficient and water absorption of the cured layer formed by curing the resin composition layer 10 become relatively small. Additionally, the resin composition layer 10 exhibits excellent flexibility, fluidity, and adhesiveness. From this viewpoint, the content of inorganic fine particles in the resin composition is preferably 55% by mass or more, and particularly preferably 60% by mass or more. The upper limit of the content of inorganic fine particles is not particularly limited, but for example, it is preferably 90% by mass or less, particularly preferably 85% by mass or less, and more preferably 80% by mass or less. In addition, the above content of inorganic fine particles is a solid content conversion value.

무기 미립자로서는, 예를 들면, 실리카, 알루미나, 유리, 산화티타늄, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정성 실리카, 비정성 실리카, 뮬라이트, 코디에라이트 등의 복합 산화물, 몬모릴로나이트, 스멕타이트, 베마이트, 탈크, 산화철, 탄화규소, 산화지르코늄 등을 재료로 하는 미립자를 예시할 수 있고, 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들 중에서도 실리카 미립자, 알루미나 미립자를 사용하는 것이 바람직하고, 실리카 미립자를 사용하는 것이 특히 바람직하다.Inorganic fine particles include, for example, silica, alumina, glass, titanium oxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, and aluminum borate whisker. , complex oxides such as boron nitride, crystalline silica, amorphous silica, mullite, cordierite, montmorillonite, smectite, boehmite, talc, iron oxide, silicon carbide, zirconium oxide, etc. can be exemplified, These can be used individually or in combination of two or more types. Among these, it is preferable to use silica fine particles and alumina fine particles, and it is especially preferable to use silica fine particles.

상기 무기 미립자는, 표면처리제에 의해 표면 처리되어 있는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 미립자의 분산성이나 충전성이 우수한 것으로 된다. 상기 표면처리제로서는, 에폭시실란, 비닐실란, 실라잔 화합물, 알콕시실란, 실란커플링제 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용해도 되고, 조합해서 사용해도 된다.The inorganic fine particles are preferably surface treated with a surface treatment agent. This results in excellent dispersibility and filling properties of the inorganic fine particles in the resin composition. Examples of the surface treatment agent include epoxy silane, vinyl silane, silazane compounds, alkoxy silanes, and silane coupling agents. These may be used individually or in combination.

상기 표면처리제의 최소 피복 면적은, 550㎡/g 미만인 것이 바람직하고, 520㎡/g 이하인 것이 특히 바람직하고, 450㎡/g 이하인 것이 더 바람직하다. 한편, 표면처리제의 최소 피복 면적의 하한값에 대해서는, 100㎡/g 이상인 것이 바람직하고, 200㎡/g 이상인 것이 특히 바람직하고, 300㎡/g 이상인 것이 더 바람직하다. 최소 피복 면적이 상기 범위임으로써, 수지 조성물 중에 있어서의 무기 미립자의 분산성이나 충전성이 향상함과 함께, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층에 대한 전극의 형성성이 향상한다.The minimum coverage area of the surface treatment agent is preferably less than 550 m2/g, particularly preferably 520 m2/g or less, and more preferably 450 m2/g or less. On the other hand, the lower limit of the minimum coverage area of the surface treatment agent is preferably 100 m2/g or more, particularly preferably 200 m2/g or more, and more preferably 300 m2/g or more. When the minimum coverage area is within the above range, the dispersibility and filling properties of the inorganic fine particles in the resin composition are improved, and the formation of an electrode for the cured layer formed by curing the resin composition layer 10 is improved.

또, 표면처리제에 있어서의 최소 피복 면적(㎡/g)이란, 1g의 표면처리제를 사용해서 단분자막을 형성했을 때의 당해 단분자막의 면적(㎡)을 말한다. 최소 피복 면적은, 표면처리제의 구조 등으로부터 이론적으로 산출할 수 있다.In addition, the minimum coverage area (m 2 /g) in the surface treatment agent refers to the area (m 2 ) of the monomolecular film when the monomolecular film is formed using 1 g of the surface treatment agent. The minimum coverage area can be theoretically calculated from the structure of the surface treatment agent, etc.

표면처리제의 호적한 예로서는, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 에폭시실란 및 비닐트리메톡시실란 등의 비닐실란을 들 수 있다.Suitable examples of surface treatment agents include epoxysilanes such as 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane and vinylsilanes such as vinyltrimethoxysilane.

상기 무기 미립자의 평균 입경은, 0.01㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.1㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 0.3㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 상기 무기 미립자의 평균 입경은, 100㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3.0㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 1.0㎛ 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 무기 미립자의 평균 입경이 이와 같은 범위이면, 수지 조성물층(10)의 가요성 및 유연성이 우수한 것으로 되기 쉬워짐과 함께, 무기 미립자의 함유량을, 상술의 범위와 같은 높은 충전율로 조정하기 쉬워진다. 또한, 상기 무기 미립자의 평균 입경이 1.0㎛ 이하임으로써, 상술한 바와 같이 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층에 재배선층을 형성할 경우에, 전극의 형성성이 향상하기 쉬워진다.The average particle diameter of the inorganic fine particles is preferably 0.01 μm or more, particularly preferably 0.1 μm or more, and more preferably 0.3 μm or more. Additionally, the average particle diameter of the inorganic fine particles is preferably 100 μm or less, particularly preferably 3.0 μm or less, and more preferably 1.0 μm or less. If the average particle diameter of the inorganic fine particles is in this range, the flexibility and softness of the resin composition layer 10 will easily be excellent, and the content of the inorganic fine particles can be easily adjusted to a high filling rate such as the above-mentioned range. . In addition, when the average particle diameter of the inorganic fine particles is 1.0 μm or less, when forming a redistribution layer on the cured layer formed by curing the resin composition layer 10 as described above, the formation of the electrode becomes easy to improve.

또한, 상기 무기 미립자의 최대 입경은, 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.5㎛ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 최대 입경은, 5㎛ 이하인 것이 바람직하고, 3㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 무기 미립자의 최대 입경이 상기 범위임으로써, 수지 조성물 중에 무기 미립자를 충전하기 숴워지고, 경화 시의 열팽창률을 낮게 억제하기 쉬운 것으로 된다. 또한, 상술한 바와 같이 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층에 재배선층을 형성할 경우에, 미세한 배선을 형성하기 쉬워진다. 또, 본 명세서에 있어서의 무기 미립자의 평균 입경 및 최대 입경은, 입도 분포 측정 장치(닛키소샤제, 제품명 「나노트랙 Wave-UT151」)를 사용해서, 동적 광산란법에 의해 측정한 값으로 한다.Additionally, the maximum particle size of the inorganic fine particles is preferably 0.05 μm or more, and particularly preferably 0.5 μm or more. Additionally, the maximum particle diameter is preferably 5 μm or less, and particularly preferably 3 μm or less. When the maximum particle size of the inorganic fine particles is within the above range, it becomes easy to fill the resin composition with the inorganic fine particles, and the coefficient of thermal expansion during curing is easily suppressed low. In addition, when forming a rewiring layer on the hardened layer formed by curing the resin composition layer 10 as described above, it becomes easy to form fine wiring. In addition, the average particle diameter and maximum particle diameter of the inorganic fine particles in this specification are the values measured by the dynamic light scattering method using a particle size distribution measuring device (product name "Nanotrack Wave-UT151" manufactured by Nikkiso Co., Ltd.).

(4) 경화 촉매(4) Curing catalyst

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 경화 촉매를 더 함유하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 열경화성 수지의 경화 반응을 효과적으로 진행시키는 것이 가능하게 되고, 수지 조성물층(10)을 양호하게 경화하는 것이 가능하게 된다. 경화 촉매로서는, 예를 들면, 이미다졸계 경화 촉매, 아민계 경화 촉매, 인계 경화 촉매 등을 들 수 있다.It is preferable that the resin composition in this embodiment further contains a curing catalyst. As a result, it becomes possible to effectively advance the curing reaction of the thermosetting resin, and it becomes possible to satisfactorily cure the resin composition layer 10. Examples of the curing catalyst include an imidazole-based curing catalyst, an amine-based curing catalyst, and a phosphorus-based curing catalyst.

이미다졸계 경화 촉매의 구체예로서는, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디(히드록시메틸)이미다졸 등을 들 수 있다.Specific examples of imidazole-based curing catalysts include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, and 1-benzyl-2-methyl. Imidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 2 -Phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4,5-di(hydroxymethyl)imidazole, etc. are mentioned.

아민계 경화 촉매의 구체예로서는, 2,4-디아미노-6-〔2'-메틸이미다졸릴-(1')〕에틸-s-트리아진 등의 트리아진 화합물, 1,8-디아자비시클로[5,4,0]운데센-7(DBU), 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민 등의 제3급 아민 화합물을 들 수 있다. 그 중에서도, 2,4-디아미노-6-〔2'-메틸이미다졸릴-(1')〕에틸-s-트리아진이 바람직하다.Specific examples of amine-based curing catalysts include triazine compounds such as 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]ethyl-s-triazine, and 1,8-diazabicyclo. Tertiary amine compounds such as [5,4,0]undecen-7 (DBU), triethylenediamine, benzyldimethylamine, and triethanolamine can be mentioned. Among them, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]ethyl-s-triazine is preferable.

또한, 인계 경화 촉매의 구체예로서는, 트리페닐포스핀, 트리부틸포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀, 트리(노닐페닐)포스핀 등을 들 수 있다.Additionally, specific examples of the phosphorus-based curing catalyst include triphenylphosphine, tributylphosphine, tri(p-methylphenyl)phosphine, and tri(nonylphenyl)phosphine.

상술한 경화 촉매는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.The curing catalyst mentioned above may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

상술한 경화 촉매는, 경화성의 관점에서, 융점이 180℃ 이하인 것이 바람직하고, 100℃ 이하인 것이 특히 바람직하고, 60℃ 이하인 것이 더 바람직하다. 경화 촉매의 융점이 180℃ 이하이면, 수지 조성물층(10)을 양호하게 경화하는 것이 용이하게 된다. 한편, 경화 촉매의 융점의 하한값에 대해서는, 저장안정성의 관점에서, 상온(23℃) 이상인 것이 바람직하다.From the viewpoint of curing properties, the curing catalyst described above preferably has a melting point of 180°C or lower, particularly preferably 100°C or lower, and more preferably 60°C or lower. If the melting point of the curing catalyst is 180°C or lower, it becomes easy to satisfactorily cure the resin composition layer 10. On the other hand, the lower limit of the melting point of the curing catalyst is preferably at least room temperature (23°C) from the viewpoint of storage stability.

수지 조성물 중에 있어서의 경화 촉매의 함유량은, 0.01질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.05질량% 이상인 것이 특히 바람직하고, 또한, 0.1질량% 이상인 것이 바람직하다. 또한, 당해 함유량은, 2.0질량% 이하인 것이 바람직하고, 1.5질량% 이하인 것이 특히 바람직하고, 1.0질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 당해 함유량이 상기 범위임으로써, 수지 조성물층(10)을 보다 양호하게 경화하는 것이 가능하게 된다. 또, 경화 촉매의 상기 함유량은, 고형분 환산값이다.The content of the curing catalyst in the resin composition is preferably 0.01 mass% or more, particularly preferably 0.05 mass% or more, and further preferably 0.1 mass% or more. Moreover, the content is preferably 2.0 mass% or less, particularly preferably 1.5 mass% or less, and more preferably 1.0 mass% or less. When the content is within the above range, it becomes possible to cure the resin composition layer 10 more satisfactorily. In addition, the above content of the curing catalyst is a solid content conversion value.

(5) 그 밖의 성분(5) Other ingredients

본 실시형태에 있어서의 수지 조성물은, 또한, 가소제, 안정제, 점착부여제, 착색제, 커플링제, 대전방지제, 산화방지제 등을 함유해도 된다.The resin composition in this embodiment may further contain a plasticizer, stabilizer, tackifier, colorant, coupling agent, antistatic agent, antioxidant, etc.

(6) 수지 조성물층의 물성 등(6) Physical properties of the resin composition layer, etc.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 가스 크로마토그래피 질량 분석(GC-MS)법으로 측정되는, 수지 조성물층(10)을 120℃에서 30분간 가열했을 때에 발생하는 휘발 성분의 농도가, 100ppm 이상이다. 여기에서 휘발 성분이란, 구체적으로는, 수지 조성물층(10)을 형성하기 위한 도공액에 사용된 유기 용매 성분의 잔류분이다.In the resin sheet 1 according to the present embodiment, the concentration of volatile components generated when the resin composition layer 10 is heated at 120° C. for 30 minutes, measured by gas chromatography mass spectrometry (GC-MS), is: It is more than 100ppm. Here, the volatile component specifically refers to the residual content of the organic solvent component used in the coating liquid for forming the resin composition layer 10.

상기 휘발 성분의 농도가 100ppm 이상임에 의해, 수지 조성물층(10)의 표면이 양호한 택을 갖는 것으로 되고, 수지 조성물층(10)과, 제1 지지 시트(11) 및 제2 지지 시트(12)와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려운 것으로 된다. 또한, 상기 휘발 성분의 농도가 100ppm 이상임에 의해, 수지 조성물층(10)의 취약성이 개선되어, 가공 시나 운반 시에 수지 조성물층(10)에 파편이나 깨짐이 발생하기 어려워지고, 핸들링성이 향상한다. 이와 같은 관점에서, 상기한 휘발 성분의 농도는, 1000ppm 이상인 것이 바람직하고, 5000ppm 이상인 것이 특히 바람직하다.When the concentration of the volatile component is 100 ppm or more, the surface of the resin composition layer 10 has good tack, and the resin composition layer 10, the first support sheet 11, and the second support sheet 12 It becomes difficult for lifting at the interface to occur. In addition, when the concentration of the volatile component is 100 ppm or more, the vulnerability of the resin composition layer 10 is improved, it becomes difficult for chips or cracks to occur in the resin composition layer 10 during processing or transportation, and handling properties are improved. do. From this viewpoint, the concentration of the above-mentioned volatile components is preferably 1000 ppm or more, and particularly preferably 5000 ppm or more.

한편, 상기 휘발 성분의 농도의 상한값에 대해서는, 45000pp 이하이고, 35000pp 이하인 것이 특히 바람직하고, 30000ppm 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 휘발 성분의 농도가 45000ppm을 초과하면, 수지 조성물층(10)의 표면이 과도하게 끈적거리거나, 수지 조성물층(10)의 열경화 시에, 휘발 성분에 기인해서 부풂이 발생하여, 얻어지는 반도체 장치의 신뢰성이 저하하는 것과 같은 문제의 원인으로 된다.On the other hand, regarding the upper limit of the concentration of the volatile component, it is 45,000 pp or less, especially preferably 35,000 pp or less, and more preferably 30,000 ppm or less. If the concentration of the volatile component exceeds 45000 ppm, the surface of the resin composition layer 10 may become excessively sticky, or swelling may occur due to the volatile component during heat curing of the resin composition layer 10, resulting in the resulting semiconductor This can cause problems such as lowering the reliability of the device.

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 수지 조성물층(10) 중에 상술한 유기 용매 성분이 특정의 농도로 잔존함으로써, 수지 조성물층(10)의 표면에 양호한 택이 부여된 것으로 되고, 수지 조성물층(10)과, 제1 지지 시트(11) 및 제2 지지 시트(12)와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생이 억제됨과 함께, 수지 조성물층(10)의 취약성이 개선되어, 가공 시나 운반 시에 있어서의 수지 조성물층(10)에 파편이나 깨짐의 발생이 억제된다.In the resin sheet 1 according to the present embodiment, the above-mentioned organic solvent component remains at a specific concentration in the resin composition layer 10, so that a good tack is provided to the surface of the resin composition layer 10, and the resin The occurrence of lifting at the interface between the composition layer 10 and the first support sheet 11 and the second support sheet 12 is suppressed, and the vulnerability of the resin composition layer 10 is improved during processing and transportation. The occurrence of fragments and cracks in the resin composition layer 10 during application is suppressed.

상술의 휘발 성분의 농도는, 수지 조성물층(10)을 형성하는 조건에 따라서, 조정할 수 있다. 예를 들면, 수지 조성물층(10)을 형성할 때의 건조 온도, 건조 시간, 유기 용매의 종류 등을 조정함으로써, 수지 조성물층(10)의 휘발 성분의 농도를 상기 범위로 조정할 수 있다.The concentration of the above-mentioned volatile components can be adjusted according to the conditions for forming the resin composition layer 10. For example, by adjusting the drying temperature, drying time, type of organic solvent, etc. when forming the resin composition layer 10, the concentration of volatile components in the resin composition layer 10 can be adjusted to the above range.

수지 조성물층(10)의 두께는, 용도 등을 고려해서 설정할 수 있다. 예를 들면, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품의 봉지에 사용할 경우, 수지 조성물층(10)의 두께는, 20㎛ 이상인 것이 바람직하고, 50㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 60㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 100㎛ 이상인 것이 특히 더 바람직하다. 또한, 당해 두께는, 1000㎛ 이하인 것이 바람직하고, 500㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 300㎛인 것이 특히 바람직하다. 수지 조성물층(10)의 두께가 상기 범위이면, 전자 부품을 봉지해서 충분히 매입할 수 있다.The thickness of the resin composition layer 10 can be set in consideration of uses, etc. For example, when the resin sheet 1 according to this embodiment is used for encapsulation of electronic components in the semiconductor device manufacturing method, the thickness of the resin composition layer 10 is preferably 20 μm or more, and 50 μm or more. It is more preferable that it is ㎛ or more, it is especially preferable that it is 60 ㎛ or more, and it is especially more preferable that it is 100 ㎛ or more. Moreover, the thickness is preferably 1000 μm or less, more preferably 500 μm or less, and particularly preferably 300 μm. If the thickness of the resin composition layer 10 is within the above range, electronic components can be sealed and sufficiently embedded.

또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 절연막의 형성에 사용할 경우, 수지 조성물층(10)의 두께는, 특히 제한되지 않지만, 5㎛ 이상인 것이 바람직하고, 10㎛ 이상인 것이 특히 바람직하고, 15㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 두께는, 80㎛ 이하인 것이 바람직하고, 60㎛ 이하인 것이 특히 바람직하고, 40㎛ 이하인 것이 더 바람직하다.In addition, when the resin sheet 1 according to the present embodiment is used to form an insulating film in a semiconductor device manufacturing method, the thickness of the resin composition layer 10 is not particularly limited, but is preferably 5 μm or more. , it is particularly preferable that it is 10 μm or more, and it is more preferable that it is 15 μm or more. Additionally, the thickness is preferably 80 μm or less, particularly preferably 60 μm or less, and more preferably 40 μm or less.

2. 제1 지지 시트2. First support sheet

제1 지지 시트(11)는, 수지 조성물층과의 접촉면이 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않은 것을 충족시키는 것인 한, 특히 한정되지 않는다.The first support sheet 11 is not particularly limited as long as the contact surface with the resin composition layer is not subjected to a peeling treatment with a silicone-based release agent.

제1 지지 시트(11)를 구성하는 지지 기재로서는, 각각, 수지 필름, 부직포, 지(紙) 등을 사용하는 것이 바람직하다. 당해 수지 필름의 예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름; 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등의 폴리올레핀 필름; 폴리이미드 필름 등을 들 수 있다. 상기 부직포의 예로서는, 레이온, 아크릴, 폴리에스테르 등의 섬유를 사용한 부직포를 들 수 있다. 상기 지의 예로서는, 상질지, 글라신지, 함침지, 코트지 등을 들 수 있다. 이들은, 2종 이상의 적층체로 해서 사용해도 된다. 또한, 제1 지지 시트(11)를 구성하는 지지 기재는, 소망에 따라 편면 또는 양면에, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라스마 처리, 산화 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다.As the support base material constituting the first support sheet 11, it is preferable to use a resin film, non-woven fabric, paper, etc., respectively. Examples of the resin film include polyester films such as polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, and polyethylene naphthalate film; Polyolefin films such as polyethylene film and polypropylene film; Polyimide films, etc. can be mentioned. Examples of the non-woven fabric include non-woven fabric using fibers such as rayon, acrylic, and polyester. Examples of the above paper include fine paper, glassine paper, impregnated paper, and coated paper. These may be used as a laminate of two or more types. Additionally, the support base material constituting the first support sheet 11 may be subjected to surface treatment such as primer treatment, corona treatment, plasma treatment, or oxidation treatment on one or both sides as desired.

상기 수지 필름을 구성하는 재료는, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상인 것이 바람직하고, 유리 전이 온도(Tg)가 55℃ 이상인 것이 특히 바람직하고, 유리 전이 온도(Tg)가 60℃ 이상인 것이 더 바람직하다. 당해 재료의 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상임으로써, 수지 조성물층(10)에 제1 지지 시트(11)가 적층된 상태에서, 수지 조성물층(10)을 열경화한 경우여도, 제1 지지 시트(11)가 열변형하기 어려운 것으로 되고, 경화층으로부터의 제1 지지 시트(11)의 박리가 용이하게 된다. 또, 상기 유리 전이 온도(Tg)의 상한에 대해서는, 특히 한정되지 않지만, 통상 500℃ 이하인 것이 바람직하고, 400℃ 이하인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 유리 전이 온도(Tg)는, 시차 주사 열량 분석계를 사용해서 측정한 값이다.The material constituting the resin film preferably has a glass transition temperature (Tg) of 50°C or higher, particularly preferably has a glass transition temperature (Tg) of 55°C or higher, and further preferably has a glass transition temperature (Tg) of 60°C or higher. desirable. Since the glass transition temperature (Tg) of the material is 50°C or higher, even if the resin composition layer 10 is heat-cured in a state in which the first support sheet 11 is laminated on the resin composition layer 10, the first The support sheet 11 becomes less susceptible to thermal deformation, and peeling of the first support sheet 11 from the hardened layer becomes easy. Moreover, the upper limit of the glass transition temperature (Tg) is not particularly limited, but is usually preferably 500°C or lower, and particularly preferably 400°C or lower. In addition, the glass transition temperature (Tg) is a value measured using a differential scanning calorimeter.

제1 지지 시트(11)가, 실리콘계 박리제 이외의 박리제에 의해서 박리 처리된 것일 경우, 당해 박리제로서는, 알키드계 박리제, 불소계 박리제, 장쇄 알킬계 박리제, 올레핀 수지계 박리제, 아크릴계 박리제 및 고무계 박리제에서 선택되는 적어도 1종을 사용되는 것이 바람직하고, 이들 중에서 알키드계 박리제가 사용되는 것이 특히 바람직하다.When the first support sheet 11 has been subjected to a release treatment using a release agent other than a silicone release agent, the release agent may be selected from alkyd release agents, fluorine release agents, long-chain alkyl release agents, olefin resin release agents, acrylic release agents, and rubber release agents. It is preferable that at least one type is used, and among these, it is particularly preferable to use an alkyd-based release agent.

제1 지지 시트(11)의 두께는, 통상 10㎛ 이상, 250㎛ 이하이다.The thickness of the first support sheet 11 is usually 10 μm or more and 250 μm or less.

3. 제2 지지 시트3. Second support sheet

제2 지지 시트(12)를 구성하는 지지 기재로서는, 수지 필름, 부직포, 지 등을 사용하는 것이 바람직하다. 당해 수지 필름의 예로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름 등의 폴리에스테르 필름; 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름 등의 폴리올레핀 필름; 폴리이미드 필름 등을 들 수 있다. 상기 부직포의 예로서는, 레이온, 아크릴, 폴리에스테르 등의 섬유를 사용한 부직포를 들 수 있다. 상기 지의 예로서는, 상질지, 글라신지, 함침지, 코트지 등을 들 수 있다. 이들은, 2종 이상의 적층체로 해서 사용해도 된다. 또한, 제2 지지 시트(12)를 구성하는 지지 기재는, 소망에 따라 편면 또는 양면에, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라스마 처리, 산화 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다.As a support base material constituting the second support sheet 12, it is preferable to use a resin film, non-woven fabric, paper, etc. Examples of the resin film include polyester films such as polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film, and polyethylene naphthalate film; Polyolefin films such as polyethylene film and polypropylene film; Polyimide films, etc. can be mentioned. Examples of the non-woven fabric include non-woven fabric using fibers such as rayon, acrylic, and polyester. Examples of the above paper include fine paper, glassine paper, impregnated paper, and coated paper. These may be used as a laminate of two or more types. Additionally, the support base material constituting the second support sheet 12 may be subjected to surface treatment such as primer treatment, corona treatment, plasma treatment, or oxidation treatment on one or both sides as desired.

제2 지지 시트(12)에 있어서의 수지 조성물층(10)과의 접촉면은, 박리제에 의해서 박리 처리되어 있어도 되고, 박리 처리되어 있지 않아도 된다.The contact surface of the second support sheet 12 with the resin composition layer 10 may or may not be subjected to a peeling treatment with a release agent.

상기 박리제로서는, 실리콘계 박리제, 알키드계 박리제, 불소계 박리제, 장쇄 알킬계 박리제, 올레핀 수지계 박리제, 아크릴계 박리제 및 고무계 박리제에서 선택되는 적어도 1종을 사용되는 것이 바람직하다.As the release agent, it is preferable to use at least one selected from silicone-based release agents, alkyd-based release agents, fluorine-based release agents, long-chain alkyl-based release agents, olefin resin-based release agents, acrylic-based release agents, and rubber-based release agents.

또한, 제2 지지 시트(12)와 수지 조성물층(10)과의 계면에 있어서의 들뜸의 발생을 억제하고, 수지 시트(1)의 보관 시나 취급 시에 있어서의 핸들링성을 향상시킨다는 관점에서, 제2 지지 시트(12)는, 수지 조성물층(10)과의 접촉면이 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않은 것임이 바람직하다.In addition, from the viewpoint of suppressing the occurrence of lifting at the interface between the second support sheet 12 and the resin composition layer 10 and improving the handling properties during storage and handling of the resin sheet 1, It is preferable that the contact surface of the second support sheet 12 with the resin composition layer 10 is not subjected to a peeling treatment with a silicone-based release agent.

제2 지지 시트(12)의 두께는, 특히 제한은 없지만, 통상 20㎛ 이상, 250㎛ 이하이다.The thickness of the second support sheet 12 is not particularly limited, but is usually 20 μm or more and 250 μm or less.

4. 수지 시트의 물성4. Physical properties of resin sheet

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에서는, 제1 지지 시트(11)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리할 때의 박리력을 F1로 하고, 제2 지지 시트(12)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리할 때의 박리력을 F2로 했을 경우, 당해 F1 및 당해 F2가, 하기 식(1)In the resin sheet 1 according to this embodiment, the peeling force when peeling the first support sheet 11 from the resin composition layer 10 is set to F1, and the second support sheet 12 is set to the resin composition layer ( 10), when the peeling force at the time of peeling is F2, the F1 and the F2 are expressed in the following equation (1)

F1/F2>1 : (1) F1/F2>1 : (1)

을 충족시키는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 제1 지지 시트(11)를 수지 조성물층(10)에 남긴 상태에서, 제2 지지 시트(12)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리하기 쉬운 것으로 된다. 그것에 의해, 당해 박리 조작에 수반하는 수지 조성물층(10)의 파편이나 깨짐의 발생을 효과적으로 억제하는 것이 가능하게 된다.It is desirable to satisfy. As a result, the second support sheet 12 can be easily peeled off from the resin composition layer 10 while the first support sheet 11 remains in the resin composition layer 10. Thereby, it becomes possible to effectively suppress the occurrence of fragments or cracks in the resin composition layer 10 accompanying the peeling operation.

상술한, 제1 지지 시트(11)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리할 때의 박리력 F1은, 0.05N/100㎜ 이상인 것이 바람직하고, 0.1N/100㎜ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 박리력 F1은, 2.0N/100 이하인 것이 바람직하고, 1.5N/100㎜ 이하인 것이 특히 바람직하다.The peeling force F1 when peeling the above-mentioned first support sheet 11 from the resin composition layer 10 is preferably 0.05 N/100 mm or more, and particularly preferably 0.1 N/100 mm or more. Additionally, the peeling force F1 is preferably 2.0 N/100 or less, and is particularly preferably 1.5 N/100 mm or less.

또한, 상술한, 제2 지지 시트(12)를 수지 조성물층(10)으로부터 박리할 때의 박리력 F2는, 0.05N/100㎜ 이상인 것이 바람직하고, 0.1N/100㎜ 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 박리력 F2는, 2.0N/100㎜ 이하인 것이 바람직하고, 1.5N/100㎜ 이하인 것이 특히 바람직하다.Moreover, the peeling force F2 when peeling the above-mentioned second support sheet 12 from the resin composition layer 10 is preferably 0.05 N/100 mm or more, and particularly preferably 0.1 N/100 mm or more. In addition, the peeling force F2 is preferably 2.0 N/100 mm or less, and particularly preferably 1.5 N/100 mm or less.

상술의 박리력 F1 및 F2가 각각 상기 범위임에 의해, 수지 조성물층(10)과 제1 지지 시트(11)와의 계면, 또는, 수지 조성물층(10)과 제2 지지 시트(12)와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.Since the above-mentioned peeling forces F1 and F2 are each in the above range, the interface between the resin composition layer 10 and the first support sheet 11, or the interface between the resin composition layer 10 and the second support sheet 12 The occurrence of lifting can be effectively suppressed.

또, 상술한 박리력은, 다음과 같이 측정한 것이다. 즉, 수지 시트(1)를 폭 100㎜, 길이 100㎜로 컷해서 이루어지는 시험편에 대하여, JIS K6854-3:1999에 의거해, 23℃ 상대 습도 50%의 환경 하에 있어서, 박리 속도 300㎜/분으로 T형 박리로, 제1 지지 시트(11) 또는 제2 지지 시트(12)를 벗겨서, 그때에 측정되는 박리력(N/100㎜)으로서, 박리력 F1 또는 F2를 얻을 수 있다.In addition, the peeling force mentioned above was measured as follows. That is, for a test piece made by cutting the resin sheet 1 to 100 mm in width and 100 mm in length, in an environment of 23°C and 50% relative humidity, based on JIS K6854-3:1999, the peeling rate was 300 mm/min. By T-shaped peeling, the first support sheet 11 or the second support sheet 12 is peeled off, and the peeling force F1 or F2 can be obtained as the peeling force (N/100 mm) measured at that time.

5. 수지 시트의 제조 방법5. Manufacturing method of resin sheet

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 특히 한정되지 않으며, 예를 들면, 상술한 수지 조성물, 및 소망에 따라 추가로 용매 또는 분산매를 함유하는 도공액을 조제하고, 상술한 제2 지지 시트(12) 상에, 스핀 코트법, 스프레이 코트법, 바 코트법, 나이프 코트법, 롤 코트법, 롤나이프 코트법, 블레이드 코트법, 다이 코트법, 그라비어 코트법 등의 공지의 도포 방법에 의해 그 도공액을 도포해서 도막을 형성하고, 당해 도막을 건조시킴에 의해 수지 조성물층(10)을 형성한다.The resin sheet 1 according to the present embodiment is not particularly limited, and for example, a coating solution containing the above-described resin composition and, if desired, additionally a solvent or dispersion medium is prepared, and the above-described second support sheet is prepared. (12) On top, by known application methods such as spin coat method, spray coat method, bar coat method, knife coat method, roll coat method, roll knife coat method, blade coat method, die coat method, and gravure coat method. The coating liquid is applied to form a coating film, and the coating film is dried to form the resin composition layer 10.

여기에서, 수지 조성물층(10) 중에 있어서의 상술한 휘발 성분의 농도를 상술한 범위로 조정하는 관점에서, 당해 도막의 건조 온도는, 50℃ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 60℃ 이상으로 하는 것이 특히 바람직하고, 70℃ 이상으로 하는 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 건조 온도는, 150℃ 이하로 하는 것이 바람직하고, 140℃ 이하로 하는 것이 특히 바람직하고, 130℃ 이하로 하는 것이 더 바람직하다. 또한, 당해 도막의 건조 시간은, 마찬가지의 관점에서, 30초 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 당해 건조 시간은, 30분 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 도공액의 고형분 농도는, 예를 들면, 30질량% 이상으로 하는 것이 바람직하고, 35질량% 이상으로 하는 것이 특히 바람직하다. 또한, 당해 고형분 농도는, 60질량% 이하로 하는 것이 바람직하고, 50질량% 이하로 하는 것이 특히 바람직하다.Here, from the viewpoint of adjusting the concentration of the above-mentioned volatile components in the resin composition layer 10 to the above-mentioned range, the drying temperature of the coating film is preferably set to 50°C or higher, and is preferably set to 60°C or higher. It is particularly preferable, and it is more preferable to set it to 70°C or higher. Additionally, the drying temperature is preferably 150°C or lower, particularly preferably 140°C or lower, and more preferably 130°C or lower. In addition, the drying time of the coating film is preferably 30 seconds or more from the same viewpoint. Additionally, the drying time is preferably 30 minutes or less. In addition, the solid content concentration of the coating liquid is preferably, for example, 30% by mass or more, and particularly preferably 35% by mass or more. Additionally, the solid content concentration is preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or less.

다음으로, 형성된 수지 조성물층(10)에 있어서의 제2 지지 시트(12)와는 반대측의 면과, 제1 지지 시트(11)의 편면(박리제에 의해 처리되어 있는 경우에는, 그 박리 처리면)을 첩함함에 의해, 수지 시트(1)를 제조할 수 있다.Next, the surface of the formed resin composition layer 10 opposite to the second support sheet 12 and one side of the first support sheet 11 (if treated with a release agent, the peeling-treated surface). By laminating, the resin sheet 1 can be manufactured.

상기 용매로서는, 톨루엔, 아세트산에틸, 메틸에틸케톤, 이소부틸알코올, 메틸이소부틸케톤, n-부탄올, 아세트산부틸, 2-메톡시프로판올, 아세트산이소부틸, 테트라클로로에틸렌, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 메틸부틸케톤, 이소펜틸알코올, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, N,N-디메틸포름아미드(DMF), 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 테레빈유, 시클로헥산온, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 유기 용매 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 휘발 성분의 농도를 상술한 범위로 조정하기 쉽다는 관점에서, 시클로헥산온, 에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 고비점 용매를 사용하는 것이 바람직하고, 특히, 범용성, 용해성 등의 관점에서 시클로헥산온을 사용하는 것이 바람직하다.Examples of the solvent include toluene, ethyl acetate, methyl ethyl ketone, isobutyl alcohol, methyl isobutyl ketone, n-butanol, butyl acetate, 2-methoxypropanol, isobutyl acetate, tetrachloroethylene, ethylene glycol monomethyl ether, and methyl. Organic solvents such as butyl ketone, isopentyl alcohol, ethylene glycol monoethyl ether, N,N-dimethylformamide (DMF), ethylene glycol monoethyl ether acetate, turpentine oil, cyclohexanone, and ethylene glycol monobutyl ether. You can. Among these, it is preferable to use high boiling point solvents such as cyclohexanone and ethylene glycol monobutyl ether from the viewpoint of easy adjustment of the concentration of volatile components to the above-mentioned range, and especially from the viewpoint of versatility, solubility, etc. It is preferred to use hexanone.

〔반도체 장치〕[Semiconductor device]

본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)에 있어서의 수지 조성물층(10)을 경화해서 이루어지는 경화층을 구비한다. 수지 조성물층(10)을 경화하는 조건은, 종래 공지의 조건에서 행할 수 있다. 통상적으로, 가열 온도는 100℃ 이상, 240℃ 이하인 것이 바람직하고, 가열 시간은, 15분 이상, 300분 이하인 것이 바람직하다. 또한, 수지 조성물층(10)의 경화는, 복수 회의 가열 처리에 의해 단계적으로 행해도 된다. 여기에서, 본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 전자 부품을 봉지하는 층으로서 경화층을 구비하고 있어도 되고, 또는, 절연막으로서 경화층을 구비하고 있어도 된다. 본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 패널 레벨 패키징에 의해 제조되는 반도체 장치이고, 그 구체예로서는, 패널 레벨의 팬아웃 패키징 기술(FOPLP)에 의해 제조된 반도체 패키지 등을 들 수 있다.The semiconductor device according to the present embodiment includes a cured layer formed by curing the resin composition layer 10 in the resin sheet 1 according to the present embodiment. The conditions for curing the resin composition layer 10 can be performed under conventionally known conditions. Typically, the heating temperature is preferably 100°C or more and 240°C or less, and the heating time is preferably 15 minutes or more and 300 minutes or less. In addition, curing of the resin composition layer 10 may be carried out stepwise by heat treatment multiple times. Here, the semiconductor device according to this embodiment may be provided with a hardened layer as a layer for sealing the electronic component, or may be provided with a hardened layer as an insulating film. The semiconductor device according to this embodiment is a semiconductor device manufactured by panel-level packaging, and specific examples thereof include a semiconductor package manufactured by panel-level fan-out packaging technology (FOPLP).

본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 상술한 바와 같이, 수지 조성물층(10)과 제1 지지 시트(11)와의 계면에 있어서의 들뜸이 발생하기 어려움과 함께, 수지 조성물층의 취약성이 개선된 것으로 되어 있다. 이것에 의해, 당해 수지 시트(1)는, 가공 시나 운반 시에 있어서의 수지 조성물층에 파편이나 깨짐이 발생하기 어려워지고, 우수한 핸들링성이 달성된다. 그 때문에, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를 사용해서 제조되는, 본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 당해 수지 시트(1)를 사용해서 제조된 것임에 의해, 양호한 품질을 갖는 것으로 된다.As described above, the resin sheet 1 according to the present embodiment has difficulty in causing lifting at the interface between the resin composition layer 10 and the first support sheet 11, and the resin composition layer has high vulnerability. It is said to have been improved. As a result, the resin sheet 1 becomes less likely to cause fragments or cracks in the resin composition layer during processing or transportation, and excellent handling properties are achieved. Therefore, the semiconductor device according to the present embodiment manufactured using the resin sheet 1 according to the present embodiment has good quality because it is manufactured using the resin sheet 1.

또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 패널 레벨 패키징에 의한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품을 봉지하기 위한 시트(봉지용 수지 시트)로서, 또는 절연막을 형성하기 위한 시트(층간 절연층용 수지 시트)로서 호적하게 사용할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 지지 시트로 보호한 상태에서 냉장 보관될 경우에 호적하게 사용할 수 있고, 보다 구체적으로는, 5℃ 이하에서 냉장 보관될 경우에 호적하게 사용할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 수지 조성물층(10)이 경화해서 이루어지는 경화층 상에 재배선층이 형성되는 반도체 장치의 제조 방법에 호적하게 사용할 수 있다.In addition, the resin sheet 1 according to the present embodiment is used as a sheet for encapsulating electronic components (resin sheet for encapsulation) or as a sheet for forming an insulating film in a method of manufacturing a semiconductor device by panel level packaging. It can be suitably used as a resin sheet for an interlayer insulating layer. In addition, the resin sheet 1 according to the present embodiment can be suitably used when refrigerated while protected by a support sheet, and more specifically, when refrigerated at 5°C or lower. there is. In addition, the resin sheet 1 according to the present embodiment can be suitably used in a semiconductor device manufacturing method in which a rewiring layer is formed on a cured layer formed by curing the resin composition layer 10.

또한, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)는, 팬아웃 패키지 기술(FOPLP)에 의해 반도체 패키지 등을 제조하는 경우와 같이, 수지 시트(1)의 사이즈가 비교적 대면적으로 되는 경우여도, 수지 조성물층(10)과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생을 효과적으로 억제할 수 있다.In addition, the resin sheet 1 according to the present embodiment can be used even when the size of the resin sheet 1 is relatively large, such as when manufacturing a semiconductor package or the like by fan-out package technology (FOPLP). The occurrence of lifting at the interface between the composition layer 10 and the support sheet can be effectively suppressed.

이상과 같은 관점에서도, 본 실시형태에 따른 수지 시트(1)를 사용해서 제조되는, 본 실시형태에 따른 반도체 장치는, 당해 수지 시트(1)를 사용해서 제조된 것임에 의해, 양호한 품질을 갖는 것으로 된다.Also from the above viewpoint, the semiconductor device according to the present embodiment manufactured using the resin sheet 1 according to the present embodiment has good quality due to being manufactured using the resin sheet 1. It becomes.

이상 설명한 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위하여 기재된 것이며, 본 발명을 한정하기 위하여 기재된 것은 아니다. 따라서, 상기 실시형태에 개시된 각 요소는, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 모든 설계 변경이나 균등물도 포함하는 취지이다.The embodiments described above are described to facilitate understanding of the present invention, and are not intended to limit the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents that fall within the technical scope of the present invention.

(실시예)(Example)

이하, 실시예 및 시험예 등을 나타냄에 의해 본 발명을 더 상세히 설명하지만, 본 발명은 하기의 시험예 등에 하등 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by showing examples, test examples, etc., but the present invention is not limited in any way to the following test examples.

〔실시예 1〕[Example 1]

열가소성 수지로서의 비스페놀A형 페녹시 수지(미쓰비시가가쿠샤제, 제품명 「jER1256」) 5.1질량부(고형분 환산, 이하 같다)와, 열경화성 수지로서의 비스페놀A형 에폭시 수지(미쓰비시가가쿠샤제, 제품명 「jER828」) 5.7질량부와, 열경화성 수지로서의 비페닐형 에폭시 수지(니혼가야쿠샤제, 제품명 「NC-3000-L」) 5.7질량부와, 열경화성 수지로서의 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC샤제, 제품명 「HP-4700」) 4.1질량부와, 열경화성 수지로서의 비페닐형 페놀(메이와가세이샤제, 제품명 「MEHC-7851-SS」) 14.1질량부와, 이미다졸계 경화 촉매로서의 2-에틸-4-메틸이미다졸(시코쿠가세이샤제, 제품명 「2E4MZ」, 융점 약 40℃) 0.1질량부와, 무기 미립자로서의 에폭시실란 처리 실리카 필러〔실리카 필러(아드마텍스샤제, 제품명 「SO-C2」, 평균 입경 : 0.5㎛, 최대 입경 : 2㎛, 형상 : 구상)를 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(신에쓰가가쿠샤제, 제품명 「KBM-403」, 최소 피복 면적 : 330㎡/g)을 사용해서 표면 처리한 것〕 65질량부를, 시클로헥산온과 메틸에틸케톤의 1:1의 혼합 용매 중에서 혼합해서, 고형분 농도가 40질량%인 수지 조성물의 도공액을 얻었다.5.1 parts by mass of bisphenol A-type phenoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name “jER1256”) as a thermoplastic resin (converted to solid content, the same applies hereinafter), and bisphenol A-type epoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name “jER828”) as a thermosetting resin. ) 5.7 parts by mass, a biphenyl-type epoxy resin as a thermosetting resin (manufactured by Nippon Kayakusha, product name “NC-3000-L”), 5.7 parts by mass of a naphthalene-type epoxy resin as a thermosetting resin (manufactured by DIC Corporation, product name “HP-4700”) ") 4.1 parts by mass, 14.1 parts by mass of biphenyl type phenol (manufactured by Maywa Chemical Co., Ltd., product name "MEHC-7851-SS") as a thermosetting resin, and 2-ethyl-4-methylimida as an imidazole-based curing catalyst. 0.1 part by mass of sol (manufactured by Shikoku Chemicals, product name "2E4MZ", melting point about 40°C), and epoxysilane-treated silica filler as inorganic fine particles [silica filler (manufactured by Admatex Corporation, product name "SO-C2"), average particle size: 0.5 ㎛, maximum particle diameter: 2㎛, shape: spherical) on the surface using 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (manufactured by Shin-Etsu Chemical, product name “KBM-403”, minimum coverage area: 330㎡/g). [Processed product] 65 parts by mass were mixed in a 1:1 mixed solvent of cyclohexanone and methyl ethyl ketone to obtain a coating liquid of a resin composition with a solid content concentration of 40 mass%.

상술한 바와 같이 얻어진 도공액을, 제1 지지 시트로서의, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(Tg : 67℃)의 한쪽의 면을 알키드계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「PET38AL-5」, 두께 : 38㎛)의 박리 처리면에 도포하여, 얻어진 도막을 100℃에서 90초간 건조함으로써, 두께 50㎛의 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 적층체를 얻었다.The coating solution obtained as described above was applied to a release film (manufactured by Lintec, product name "PET38AL-5") obtained by peeling one side of a polyethylene terephthalate film (Tg: 67°C) as the first support sheet with an alkyd-based release agent. , thickness: 38 μm) was applied to the peeling treated surface, and the obtained coating film was dried at 100° C. for 90 seconds to obtain a laminate of a resin composition layer with a thickness of 50 μm and the first support sheet.

다음으로, 제2 지지 시트로서의, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 알키드계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「PET38X」, 두께 : 38㎛)의 박리 처리면과, 상술한 바와 같이 얻어진 적층체에 있어서의 수지 조성물층측의 면을 첩합함으로써, 제1 지지 시트와, 수지 조성물층과, 제2 지지 시트가 순서대로 적층되어 이루어지는 수지 시트를 얻었다.Next, as the second support sheet, one side of the polyethylene terephthalate film was peeled off with an alkyd-based release agent, and the peeled surface of the release film (manufactured by Lintecha, product name “PET38X”, thickness: 38 μm) was treated with the above-mentioned peeling surface. By bonding the surfaces on the resin composition layer side of the laminate obtained as described above, a resin sheet in which the first support sheet, the resin composition layer, and the second support sheet are laminated in that order was obtained.

또, 얻어진 수지 시트에서는, 제1 지지 시트를 수지 조성물층으로부터 박리할 때의 박리력 F1과, 제2 지지 시트를 수지 조성물층으로부터 박리할 때의 박리력 F2가, 하기 식(1)In addition, in the obtained resin sheet, the peeling force F1 when peeling the first support sheet from the resin composition layer and the peeling force F2 when peeling the second support sheet from the resin composition layer are expressed by the following formula (1)

F1/F2>1 : (1) F1/F2>1 : (1)

의 관계를 충족시키는 것이었다.It was to satisfy the relationship.

〔실시예 2∼4〕[Examples 2 to 4]

상술한 도막의 건조 조건을 표 1과 같이 변경하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 수지 시트를 얻었다.A resin sheet was obtained in the same manner as in Example 1, except that the drying conditions for the coating film described above were changed as shown in Table 1.

〔비교예 1〕[Comparative Example 1]

제1 지지 시트로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「SP-PET382150」, 두께 : 38㎛)을 사용하고, 제2 지지 시트로서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 한쪽의 면을 실리콘계 박리제에 의해 박리 처리한 박리 필름(린텍샤제, 제품명 「SP-PET381031」, 두께 : 38㎛)을 사용함과 함께, 상술한 도막의 건조 조건을 표 1과 같이 변경하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 수지 시트를 얻었다.As a first support sheet, a release film (manufactured by Lintecha, product name “SP-PET382150”, thickness: 38 μm) obtained by peeling one side of a polyethylene terephthalate film with a silicone-based release agent was used, and as a second support sheet, A release film (manufactured by Lintec, product name "SP-PET381031", thickness: 38 ㎛) was used, in which one side of the polyethylene terephthalate film was treated with a silicone-based release agent, and the drying conditions for the above-mentioned coating film were as shown in Table 1. Except for the changes, a resin sheet was obtained in the same manner as in Example 1.

〔비교예 2 및 3〕[Comparative Examples 2 and 3]

상술한 도막의 건조 조건을 표 1과 같이 변경하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 수지 시트를 얻었다.A resin sheet was obtained in the same manner as in Example 1, except that the drying conditions for the coating film described above were changed as shown in Table 1.

〔시험예 1〕(휘발 성분의 농도의 측정)[Test Example 1] (Measurement of concentration of volatile components)

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트를, 10㎜×50㎜의 사이즈로 재단한 후, 제1 지지 시트 및 제2 지지 시트를 박리해서 얻어진 수지 조성물층을 측정 샘플로 했다. 당해 측정 샘플을, 측정용 바이알에 봉입하고, 120℃에서 30분간 가열하고, 발생한 가스를 가스 크로마토그래프 질량 분석계(시마즈세이사쿠죠샤제, 제품명 「GCMS-QP2010」)에 도입하여, 발생한 가스의 양을 측정했다. 당해 양을, 휘발 성분의 농도(ppm)로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The resin sheets manufactured in the examples and comparative examples were cut into a size of 10 mm x 50 mm, and then the first support sheet and the second support sheet were peeled, and the resulting resin composition layer was used as a measurement sample. The measurement sample was sealed in a measurement vial, heated at 120°C for 30 minutes, and the generated gas was introduced into a gas chromatograph mass spectrometer (Shimadzu Seisakujo Co., Ltd., product name “GCMS-QP2010”), and the amount of generated gas was measured. was measured. This amount was taken as the concentration (ppm) of the volatile component. The results are shown in Table 1.

〔시험예 2〕(택성의 평가)[Test Example 2] (Evaluation of tackiness)

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트로부터 제2 지지 시트를 박리하고, 노출한 수지 조성물층의 노출면을 손가락으로 만지고, 이하의 기준으로, 수지 조성물층의 표면에 있어서의 택성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The second support sheet was peeled from the resin sheet prepared in the examples and comparative examples, the exposed surface of the resin composition layer was touched with a finger, and the tackiness on the surface of the resin composition layer was evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 1.

택 있음 : 수지 조성물층의 표면이 손가락에 붙는 감촉이 있었음 Tag: The surface of the resin composition layer had a feeling of sticking to the finger.

택 없음 : 수지 조성물층의 표면이 손가락에 붙는 감촉이 없었음 No tag: The surface of the resin composition layer did not feel sticky to the finger.

〔시험예 3〕(보관 시의 들뜸의 평가)[Test Example 3] (Evaluation of lifting during storage)

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트를, 5℃의 환경 하에서 1주간 보관한 후, 수지 조성물층과 지지 시트와의 계면에 있어서의 들뜸의 발생을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The resin sheets manufactured in Examples and Comparative Examples were stored in an environment at 5°C for one week, and then the occurrence of lifting at the interface between the resin composition layer and the support sheet was evaluated. The results are shown in Table 1.

A : 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면, 및 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 계면의 양쪽에 있어서 들뜸이 발생하지 않았음 A: No lifting occurred on both the interface between the resin composition layer and the first support sheet and the interface between the resin composition layer and the second support sheet.

B : 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면, 및 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 계면의 어느 한쪽에 있어서 약간의 들뜸이 발생했지만, 실용상 문제 없는 레벨이었음 B: Slight lifting occurred at either the interface between the resin composition layer and the first support sheet and the interface between the resin composition layer and the second support sheet, but the level was no problem in practical terms.

C : 수지 조성물층과 제1 지지 시트와의 계면, 및 수지 조성물층과 제2 지지 시트와의 계면의 양쪽에 있어서, 실용상 문제로 되는 들뜸이 발생했음 C: Lifting, which is a practical problem, occurred at both the interface between the resin composition layer and the first support sheet and the interface between the resin composition layer and the second support sheet.

〔시험예 4〕(핸들링성의 평가)[Test Example 4] (Evaluation of handling properties)

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트로부터 제2 지지 시트를 박리하고, 노출한 수지 조성물층의 노출면을, 더미 기판(500㎜×400㎜)에 적층한 후, 수지 조성물층으로부터 제1 지지 시트를 박리했다. 다음으로, 당해 수지 조성물층을 100℃에서 60분간 가열한 후, 추가로 170℃에서 60분간 가열함으로써 수지 조성물층을 경화하여, 경화층을 형성했다. 이 일련의 흐름에 있어서의 수지 시트의 핸들링성을, 이하의 기준에 의거해서 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The second support sheet is peeled from the resin sheet prepared in the examples and comparative examples, and the exposed surface of the resin composition layer is laminated on a dummy substrate (500 mm × 400 mm), and then the first support sheet is formed from the resin composition layer. The sheet was peeled off. Next, after heating the resin composition layer at 100°C for 60 minutes, the resin composition layer was cured by further heating at 170°C for 60 minutes to form a cured layer. The handling properties of the resin sheet in this series of flows were evaluated based on the following standards. The results are shown in Table 1.

A : 수지 조성물층에 파편 및 깨짐이 모두 발생하지 않았음 A: No fragments or cracks occurred in the resin composition layer.

B : 수지 조성물층에 파편 및 깨짐이 약간 발생했음 B: Some fragments and cracks occurred in the resin composition layer.

C : 수지 조성물층에 파편 및 깨짐은 발생하지 않았지만, 수지 조성물층의 표면이 과도하게 끈적거림과 함께, 경화층에 부풂이 발생했음 C: No fragments or cracks occurred in the resin composition layer, but the surface of the resin composition layer became excessively sticky and swelling occurred in the cured layer.

D : 수지 조성물층에 실용상 문제로 되는 레벨의 파편 및 깨짐의 적어도 한쪽이 발생했음 D: At least one of the fragments and cracks at a level that poses a practical problem has occurred in the resin composition layer.

[표 1][Table 1]

Figure 112018067316691-pat00001
Figure 112018067316691-pat00001

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예에 따른 수지 시트에서는, 보관 시에 있어서의 들뜸의 발생이 억제되고, 우수한 보관 적성이 달성됨과 함께, 수지 조성물층에 있어서의 파편 및 깨짐의 발생이 억제되고, 핸들링성이 우수했다.As shown in Table 1, in the resin sheet according to the example, the occurrence of lifting during storage is suppressed, excellent storage suitability is achieved, and the occurrence of fragments and cracks in the resin composition layer is suppressed, Handling was excellent.

본 발명에 따른 수지 시트는, 패널 레벨 패키징에 의한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품의 봉지하기 위한 시트 또는 절연막을 형성하기 위한 시트로서 호적하게 이용할 수 있다.The resin sheet according to the present invention can be suitably used as a sheet for encapsulating electronic components or a sheet for forming an insulating film in a method of manufacturing a semiconductor device by panel level packaging.

1 : 수지 시트
10 : 수지 조성물층
11 : 제1 지지 시트
12 : 제2 지지 시트1: Resin sheet
10: Resin composition layer
11: first support sheet
12: second support sheet

Claims (6)

패널 레벨 패키징에 의한 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 전자 부품의 봉지(封止) 또는 절연막의 형성에 사용되는 수지 시트로서,
상기 수지 시트가, 제1 지지 시트와, 상기 제1 지지 시트에 있어서의 편면에 적층된 수지 조성물층과, 상기 수지 조성물층에 있어서의 상기 제1 지지 시트와는 반대측의 면에 적층된 제2 지지 시트를 구비하고,
상기 수지 조성물층이, 열경화성 수지, 열가소성 수지, 및 무기 미립자를 함유하는 수지 조성물로부터 형성된 것이고,
상기 무기 미립자의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량이, 50질량% 이상이고,
상기 열가소성 수지의 상기 수지 조성물 중에 있어서의 함유량이, 30질량% 이하이고,
상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층과의 접촉면이, 실리콘계 박리제에 의해서 박리 처리되어 있지 않고,
가스 크로마토그래피 질량 분석법으로 측정되는, 상기 수지 조성물층을 120℃에서 30분간 가열했을 때에 발생하는 휘발 성분의 농도가, 100ppm 이상, 45000ppm 이하이고,
상기 제1 지지 시트를 상기 수지 조성물층으로부터 박리할 때의 박리력을 F1로 하고, 상기 제2 지지 시트를 상기 수지 조성물층으로부터 박리할 때의 박리력을 F2로 했을 경우, 상기 F1 및 상기 F2가, 하기 식(1)
F1/F2>1 ……(1)
을 충족하는
것을 특징으로 하는 수지 시트.In a method of manufacturing a semiconductor device by panel level packaging, a resin sheet used to encapsulate electronic components or form an insulating film, comprising:
The resin sheet includes a first support sheet, a resin composition layer laminated on one side of the first support sheet, and a second layer of the resin composition layer laminated on a side opposite to the first support sheet. Provided with a support sheet,
The resin composition layer is formed from a resin composition containing a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and inorganic fine particles,
The content of the inorganic fine particles in the resin composition is 50% by mass or more,
The content of the thermoplastic resin in the resin composition is 30% by mass or less,
The contact surface of the first support sheet with the resin composition layer is not subjected to a peeling treatment with a silicone-based release agent,
The concentration of volatile components generated when the resin composition layer is heated at 120°C for 30 minutes, measured by gas chromatography mass spectrometry, is 100 ppm or more and 45,000 ppm or less,
When the peeling force when peeling the first support sheet from the resin composition layer is F1 and the peeling force when peeling the second support sheet from the resin composition layer is F2, the F1 and the F2 A, the following equation (1)
F1/F2>1 … … (One)
to meet
A resin sheet characterized in that. 제1항에 있어서,
상기 열가소성 수지는, 아크릴계 수지를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 수지 시트.According to paragraph 1,
A resin sheet characterized in that the thermoplastic resin does not contain an acrylic resin. 제1항에 있어서,
상기 제1 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층측의 면은, 알키드계 박리제에 의해 박리 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트.According to paragraph 1,
A resin sheet, characterized in that the surface of the first support sheet on the resin composition layer side is subjected to a peeling treatment with an alkyd-based release agent. 제1항에 있어서,
상기 제1 지지 시트는, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이상인 수지제의 지지 기재를 구비하는 것을 특징으로 하는 수지 시트.According to paragraph 1,
A resin sheet characterized in that the first support sheet is provided with a support base material made of a resin having a glass transition temperature (Tg) of 50°C or higher. 제1항에 있어서,
상기 제2 지지 시트에 있어서의 상기 수지 조성물층측의 면은, 박리제에 의해 박리 처리되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트.According to paragraph 1,
A resin sheet, wherein the surface of the second support sheet on the resin composition layer side is subjected to a release treatment with a release agent. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 수지 시트에 있어서의 수지 조성물층을 경화해서 이루어지는 경화층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising a cured layer formed by curing the resin composition layer in the resin sheet according to any one of claims 1 to 5.
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