KR102581894B1 - 도금 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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미츠아키 이와시타
타카시 타나까
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

알칼리성이며 또한 착화제를 포함하는 무전해 도금액을 이용하여 알루미늄 또는 그 합금으로 이루어지는 Al층 상에 무전해 도금을 실시한다. 도금 처리 방법은, 표면(예를 들면 TSV(12)의 저부 표면)에 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 Al층(22)이 노출되어 있는 기판(10)을 준비하는 공정과, 이 후, 기판에 대하여 진케이트 처리를 실시하여, Al층의 표면에 진케이트 피막(30)을 형성하는 공정과, 이 후, 알칼리성이며 또한 착화제를 포함하는 무전해 도금액(예를 들면 Co계 도금액)을 이용하여, Al층의 표면에 제 1 무전해 도금층(예를 들면 Co 배리어층(14a))을 형성하는 제 1 무전해 도금 공정을 구비한다.

Description

도금 처리 방법 및 기억 매체{PLATING METHOD AND RECORDING MEDIUM}
본 발명은 예를 들면 반도체 장치의 Al 배선층 등의 Al층의 표면 상에 Co 도금층을 형성하는 기술에 관한 것이다.
LSI 등의 반도체 장치의 BEOL에서 이용되는 배선 재료의 상당수는 구리(Cu)이다. Cu 배선층을 형성하기 위해서는, Cu가 절연층 내에 확산되는 것을 방지하기 위한 배리어층의 형성, Cu의 전해 도금을 원활히 행하기 위한 배리어층 상에의 무전해 Cu 도금에 의한 시드층의 형성 등이 필요하며, 코스트가 증가한다. 이 때문에, 배선 재료에 Cu 정도의 저전기 저항이 요구되지 않는 부분에 대해서는, 저비용의 알루미늄(Al) 배선 재료가 이용되고 있다.
Al 배선층에 접속되는 Cu 배선층을 형성하는 경우, Cu 배선층의 주위의 실리콘계 재료로 이루어지는 절연층에 Cu가 확산되지 않도록 배리어층을 형성할 필요가 있다.
Cu 배선층을 TSV 등의 깊은 홀 내에 매립하기 전에 당해 홀의 내표면에 배리어층을 형성하는 방법으로서, PVD법 등의 성막 장치를 이용하는 방법이 알려져 있다(특허 문헌 1을 참조). 깊은 홀의 내표면에 배리어층을 형성하는 다른 방법으로서, 무전해 도금법도 알려져 있다. 무전해 도금법에 의해 형성할 수 있고, 또한 Cu에 대한 높은 배리어성을 가지는 실용 재료 중 하나로서, 코발트 또는 코발트 합금(이하, Co계 재료라고도 함)이 있다(특허 문헌 2를 참조).
Al 배선층에 접속되는 Cu 배선층을 위한 배리어층에 Co계의 무전해 도금을 적용하는 것을 본 발명자가 검토한 바, 이하의 문제점이 밝혀졌다. 즉, Co계 무전해 도금액은 알루미늄을 침범하기 쉬운 알칼리성이며, 또한 알루미늄에 대한 공격성이 매우 높은 착화제를 포함하고 있다. 이 때문에, 알루미늄 배선층 상에 직접 Co계의 무전해 도금을 실시하고자 해도, 도금의 성장보다 하지의 알루미늄의 용해가 우선적으로 발생하여, Co계 도금층을 형성하는 것은 사실상 불가능하다.
일본특허공보 제4,246,706호 일본특허공개공보 2013-194306호
본 발명은 알칼리성이며 또한 착화제를 포함하는 무전해 도금액을 이용하여 알루미늄 또는 그 합금으로 이루어지는 Al층 상에 무전해 도금을 실시하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 일실시 형태에 따르면, 표면에 알루미늄 또는 그 합금으로 이루어지는 알루미늄층이 노출되어 있는 기판을 준비하는 공정과, 이 후, 상기 기판에 대하여 진케이트 처리를 실시하여, 상기 알루미늄층의 표면에 진케이트 피막을 형성하는 공정과, 이 후, 알칼리성이며 또한 착화제를 포함하는 무전해 도금액을 이용하여, 상기 알루미늄층의 상기 표면에 제 1 무전해 도금층을 형성하는 공정을 구비한 도금 처리 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 실시 형태에 따르면, 도금 처리 시스템의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때, 상기 컴퓨터가 상기 도금 처리 시스템을 제어하여 상기의 도금 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체이다.
본 발명에 따르면, 진케이트 피막에 의해 무전해 도금 피막의 성장이 신속하게 진행되므로, 또한 무전해 도금액에 의해 알루미늄층이 데미지를 받았다 하더라도, 알루미늄층 상에 문제 없이 무전해 도금층을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 도금 처리 방법에 의해 처리되는 반도체 장치의 일례의 구성을 간략화하여 나타낸 단면도이다.
도 2는 상기 도금 처리 방법의 공정에 대하여 설명하는 TSV 근방의 개략 단면도이다.
도 3은 상기 도금 처리 방법을 실시하기 위한 도금 처리 시스템의 구성을 개략적으로 나타내는 도이다.
이하에 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 설명한다.
이하에 설명하는 실시 형태는, 기판(10)에 형성된 오목부인 TSV(12)(Through Silicon Via) 내에 무전해 도금법에 의해 형성된 코발트 또는 코발트 합금으로 이루어지는 Co 배리어층(14)과, 도금법에 의해 형성된 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 Cu 배선층(매립 배선)(16)을 형성하는 방법에 관한 것이다.
도 1에 있어서, 좌측 반은 TSV(12) 내에 Co 배리어층(14) 및 Cu 배선층(16)을 형성하기 전의 상태를 나타내고 있고, 우측 반은 Co 배리어층(14) 및 Cu 배선층(16)을 형성한 후의 상태를 나타내고 있다.
도 1은 3 차원 고집적화(3DI) 기술이 적용된 반도체 메모리 장치를 구성하는 복수 층의 칩 중 하나를 큰 폭으로 단순화하여 나타낸 것이다. 이 칩은 FEOL(front end of line)에서 형성된 트랜지스터 등의 회로 소자(18)와, BEOL(back end of line)에 의해 형성된 배선층(20)을 가진다.
배선층(20)에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는(통상은 수% 정도의 Cu를 함유하는 알루미늄 합금임) Al 배선층(22)과 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 Cu 배선층(24)이 포함된다. 실제로는 Cu 배선층(24)의 하층으로서 배리어층, 시드층 등이 존재하는데, 도면의 간략화를 위하여 도 1에는 표시하고 있지 않다. 본 명세서 서두의 배경 기술에서도 설명한 바와 같이, Al 배선층(22)은 비교적 저비용으로 형성할 수 있으므로, 배선 용적이 충분히 있는 등의 이유에 따라, 저전기 저항이지만 고가인 구리를 사용할 필요가 없는 부위에 이용되고 있다.
도 1 좌측 반에 나타낸 디바이스 구조를 제조하는 방법은 당업자에게 잘 알려져 있어, 본 명세서에서는 그 설명을 생략한다. 이하 본 명세서에서는, TSV(12) 내에의 Co 배리어층(14) 및 Cu 배선층(16)에 관련된 기술적 사항에 대해서만 설명한다.
TSV(12)는, 기판(10)을 구성하는 기재로서의 실리콘 기판(실리콘 웨이퍼)(26) 및 실리콘 기판(26)의 하면 상에 형성된 TEOS층(28) 내를 지나 연장되어 있다. 실리콘 기판(26) 및 TEOS층(28)은 모두 실리콘을 함유하는 절연성 재료(유전성 재료)로 이루어진다. TEOS층(28) 대신에 SiO2층 또는 SiOC층이 마련되어 있어도 된다.
이러한 실리콘 함유 절연성 재료 중에는 구리가 확산되기 쉬우므로, TSV(12) 내에 Cu 배선층(16)을 매립하는 경우에는, 구리 확산 방지용의 배리어층을 형성할 필요가 있다. 먼저 배경 기술에서도 설명한 바와 같이, 고애스펙트비의 오목부인 TSV(12) 내에 확실히 형성할 수 있고, 또한 구리 확산 방지 기능을 가지는 배리어층으로서, 무전해 도금법에 의해 형성된 코발트 또는 코발트 합금으로 이루어지는 Co 배리어층(14)을 이용하는 방법이 이미 제안되어 있다(특허 문헌 2(일본특허공개공보 2013-194306호)를 참조).
TSV(12)의 저면에는 Al 배선층(22)이 노출되어 있다. 앞서 배경 기술에서도 설명한 바와 같이, Al 배선층(22) 상에 무전해 도금법에 의해 Co 배리어층(14)을 형성하는 것은 곤란하다. 본 실시 형태는 그 문제를 해결할 수 있는 도금 처리 방법에 관한 것이다.
이하에 도 2를 참조하여, TSV(12) 내에 Co 배리어층(14) 및 Cu 배선층(16)을 형성하는 일련의 공정에 대하여 설명한다. 또한 도 2에는, TSV(12) 근방의 구조가 도 1 보다 더 간략화되어 나타나 있다. 즉, 도 2의 (a)는 도 1의 좌측의 TSV(12) 주위를 더 간략화하여 나타낸 것이다.
[산화 피막 제거 공정]
먼저, 알칼리성 세정액(NaOH를 주성분으로 하는 것)을 기판(10)에 공급하여, TSV(12) 내에 노출되어 있는 Al 배선층(22)의 표면에 있는 산화 피막을 제거한다. 이 후, 순수(DIW)에 의한 린스 처리를 행하고, 알칼리성 세정액 및 반응 부생성물을 기판(10)으로부터 제거한다.
[스멋 제거 공정]
이어서, 기판(10)에 스멋 제거용의 산성 약액을 공급하여, 산화 피막 제거 공정에 의해 Al 배선층(22)의 표면에 발생한 스멋(Al(OH)3)을 제거한다. 이 후, 순수에 의한 린스 처리를 행하고, 산성 약액 및 반응 부생성물을 기판(10)으로부터 제거한다.
또한, 반도체 장치의 Al 배선층(22)(매립 배선층)에는, 통상 수% 정도의 Cu를 함유한 알루미늄 합금이 이용된다. 이 때문에, 스멋에는 Si, Mg 등의 불순물이 포함되지 않기 때문에, 여기서 이용되는 스멋 제거용의 산성 약액은 (일반적인 스멋 제거용의 약액에 통상 포함되어 있는) 불화수소산을 포함하고 있을 필요는 없으며, 질산을 물로 희석한 것이면 된다. 이는 실리콘 기판(26) 및 TEOS층(28)에의 데미지가 저감된다는 의미에서 유리하다. 스멋 제거 공정은, 예를 들면 상온의 농도 30%의 질산(HNO3(aq))에 30 초 정도 동안 기판(10)의 표면이 덮여 있는 상태를 유지함으로써 실시할 수 있다.
[진케이트 처리 공정]
이어서, 기판에 진케이트 처리를 실시하여, Al 배선층(22)의 표면에 아연(Zn) 피막(진케이트 피막)(30)(도 2의 (b) 참조)을 형성한다. 여기서는, 더블 진케이트 처리를 행하는 것으로 한다.
더블 진케이트 처리는,
진케이트 처리액을 기판(10)에 공급하여, Al 배선층(22)의 표면에 Zn 입자를 석출시키는 제 1 진케이트 공정과,
이 후, 순수에 의해 진케이트액 및 반응 부생성물을 기판(10)으로부터 제거하는 제 1 린스 공정과,
이 후, 질산(스멋 제거 공정에서 이용한 것과 동일한 것이어도 됨)을 기판에 공급하여, 제 1 진케이트 공정에서 석출시킨 Zn 입자를 일단 박리시키는 Zn 스트립 공정과,
이 후, 순수에 의해 질산 및 반응 부생성물을 기판(10)으로부터 제거하는 제 2 린스 공정과,
진케이트 처리액을 기판(10)에 공급하여, Al 배선층(22)의 표면에 Zn 입자를 석출시키는 제 2 진케이트 공정과,
이 후, 순수에 의해 진케이트액 및 반응 부생성물을 기판(10)으로부터 제거하는 제3 린스 공정
으로 구성된다.
더블 진케이트 처리를 행함으로써, 싱글 진케이트 처리를 행하는 경우(제 1 린스 공정까지로 진케이트 처리를 종료하는 경우)와 비교하여, 보다 미세한 Zn 입자를 보다 치밀하게 석출시킬 수 있다. 고품질인 Zn 피막을 형성하기 위해서는 더블 진케이트 처리를 행하는 것이 바람직하지만, 싱글 진케이트 처리를 행해도 상관없다.
진케이트 처리는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 하지 상에 니켈 또는 니켈 합금으로 이루어지는 Ni 도금층(전해, 무전해 불문)을 형성할 시, 널리 이용되고 있는 것이다. 발명자의 실험에 의해, Ni 도금의 전처리로서의 진케이트 처리와 실질적으로 동일한 조건으로 산화 피막 제거 공정부터 진케이트 처리 공정까지의 공정(처리 조건은 공지임)을 행함으로써, 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 하지 상에, Co계 무전해 도금층을 양호한 상태로 형성할 수 있는 것이 확인되고 있다.
[Co 배리어층 형성 공정(1 회째)]
이어서, Co계 무전해 도금액을 기판(10)에 공급하여, Al 배선층(22)의 표면에 Co 배리어층(14)의 일부(14a)(도 2의 (c) 참조)를 형성한다. 여기서는, 예를 들면 텅스텐(W) 및 붕소(B)를 포함하는 CoWB계의 도금액에 의해 Co 배리어층(14a)을 형성한다.
이 때, Al 배선층(22)의 표면을 덮는 Zn 피막(30)이 코발트(또는 코발트 합금)로 치환되고, Al 배선층(22)의 표면 상에 코발트(또는 코발트 합금)가 석출된다. 이 때, 알칼리성이며 또한 알루미늄에 대한 공격성이 높은 착화제를 포함하는 Co계 무전해 도금액에 의해 Al 배선층(22)의 표면이 약간의 데미지는 받지만, Co 배리어층(14a)이 충분히 고속으로 석출되어 Al 배선층(22)의 표면을 덮게 되기 때문에, Al 배선층(22)의 표면에 문제 없이 Co 배리어층(14)을 형성할 수 있다. Co 배리어층(14a)을 형성한 후, 이 후, 순수에 의한 린스 처리를 행하여, 도금액 및 반응 부생성물 등의 잔사를 기판(10)으로부터 제거한다.
Co 배리어층 형성 공정에 있어서는, Al 배선층(22)의 표면에만 진케이트 피막(Zn 입자)이 형성되고, 또한 실리콘 기판(26) 및 TEOS층(28)의 표면에는 진케이트 피막이 형성되어 있지 않은 상태에서 무전해 도금이 행해지기 때문에, TSV(12) 내에서 Co 배리어층(14a)은 Al 배선층(22)의 표면만으로부터 성장한다. 실리콘 기판(26) 및 TEOS층(28)의 표면에는 Co 배리어층은 석출되지 않는다.
Co 배리어층 형성 공정(1 회째)이 종료되면, Co계 무전해 도금액에 의해 침범되기 쉬운 Al 배선층(22)의 표면은 이미 TSV(12) 내에 노출되어 있지 않으므로, 이 후의 처리(하기의 촉매층 형성 공정 이후의 공정)는 공지의 통상의 순서로 행할 수 있다.
[촉매층 형성 공정]
이어서, TSV(12) 내에 촉매층(32)(도 2의 (d) 참조)을 형성한다. 촉매층은 예를 들면 기판(10)에 실란 커플링제 또는 티탄 커플링제 등의 적당한 커플링제를 공급함으로써 SAM(자기 조직화 단분자막)을 형성하는 공정과, 이 후, 기판(10)에 염화 팔라듐액 등의 촉매 이온 함유액을 공급하는 공정과, 이 후, DMAB(디메틸 아민보란) 등의 환원제를 기판에 공급하는 공정을 순차 실행함으로써 형성될 수 있다. 이 촉매층 형성 공정에 의해, TSV(12)의 내표면(TSV(12) 내에 노출되어 있는 실리콘 기판(26) 및 TEOS층(28)의 표면을 포함함)을 포함하는 기판(10)의 표면 전체에 촉매층(32)이 형성된다. 촉매층을 형성한 후, 순수에 의한 린스 처리를 행하여, 마지막에 사용한 약액(DMAB) 및 반응 부생성물을 기판(10)으로부터 제거한다. 촉매층(32)의 형성 방법은 상기의 것에 한정되지 않고, 공지의 임의의 방법을 채용할 수 있다. 촉매층(32)에 포함되는 촉매 금속은 팔라듐에 한정되지 않고, 무전해 도금의 환원 석출 반응의 촉매로서 기능할 수 있는 다른 금속, 예를 들면 금(Au), 백금(Pt), 루테늄(Ru) 등이어도 된다.
[Co 배리어층 형성 공정(2 회째)]
이어서, Co계 무전해 도금액을 기판(10)에 공급하여, 무전해 도금법에 의해 TSV(12) 내에 Co 배리어층(14) 중 다른 일부(14b)(도 2의 (e) 참조)를 형성한다. 즉, TSV(12) 내에 노출되어 있는 실리콘 기판(26) 및 TEOS층(28)의 표면에 Co 배리어층(14b)이 석출된다. 또한, 이 때 Al 배선층(22)의 표면에 이미 형성되어 있는 Co 배리어층(14a) 상에도, 또한 Co 배리어층(14b)이 석출된다. 또한, 기판(10)의 표면 전체에 촉매층이 형성되어 있기 때문에, 기판(10)의 표면 전체에 Co 배리어층(14b)이 형성된다. Co 배리어층(14b)을 형성한 후, 순수(DIW)에 의한 린스 처리를 행하여, 도금액 및 반응 부생성물 등의 잔사를 기판(10)으로부터 제거한다.
[Cu 배선층 형성 공정]
이어서, Cu계 무전해 도금액을 기판(10)에 공급하여, Co 배리어층(14) 상에 시드층으로서의 구리 또는 구리 합금(이하, Cu라고 기술함)(도 2의 (f) 참조)을 석출시킨다. 이어서, 전해 도금에 의해 TSV(12) 내를 Cu로 매립하여 Cu 배선층(16)을 형성한다. 기판(10)의 전체 표면에 Co 배리어층(14)이 형성되어 있기 때문에, 기판(10)의 전체 표면에 Cu 배선층(16)이 형성된다. 또한, 홀 또는 오목부(TSV(12))의 사이즈에 따라서는 무전해 도금에 의해서만 Cu 배선층(16)을 형성해도 된다. Cu 배선층(16)을 형성한 후, 순수에 의한 린스 처리를 행하여, 도금액 및 반응 부생성물 등의 잔사를 기판(10)으로부터 제거한다.
이 후, CMP(화학 기계 연마)에 의해 기판(10)의 표면(TSV(12)의 외측)에 있는 불필요한 Cu 도금층을 제거한다. 이상에 의해, 일련의 공정이 종료되고, 도 1의 우측에 나타낸 상태가 된다.
상기 실시 형태에 따르면, 진케이트 처리를 행함으로써, 알루미늄 또는 그 합금의 표면에 형성하는 것이 곤란한 코발트 또는 그 합금으로 이루어지는 도금 피막을 무전해 도금법에 의해 문제 없이 형성할 수 있다.
이 때문에, 반도체 장치의 절연층 내에 형성된 고애스펙트비의 오목부의 내표면에 노출된 Al 배선층을, Co 배리어층(14)을 개재하여, 오목부에 매립된 Cu 배선층(16)에 전기적으로 양호하게 접속할 수 있다.
상기의 산화 피막 제거 공정으로부터 Co 배리어층 형성 공정(1 회째)까지의 공정(즉, Al 배선층(22)이 Co 배리어층(14a)으로 완전하게 덮일 때까지의 공정)을 실행하기 위한 도금 처리 시스템의 구성예에 대하여 간단히 설명한다. 제 1 예로서, 도금 처리 시스템은 배치식 액 처리조를 조합하여 구성할 수 있다. 이 경우, 도 3에 개략적으로 나타내는 바와 같이, 도금 처리 시스템(100)은 산화 피막 제거 공정을 위한 알칼리 세정조(102), 스멋 제거 공정 및 Zn 스트립 공정을 위한 산 세정조(104), 제 1 및 제 2 진케이트 공정을 행하기 위한 진케이트 처리조(106), Co 배리어층 형성 공정(1 회째)을 위한 Co 무전해 도금조(108), 상기 각 약액 처리 공정 후의 린스 공정을 위한 복수의 린스 처리조(110)를 구비한다.
각 조는 반도체 장치 제조, 특히 약액 세정, 웨트 에칭 등의 분야에서 널리 이용되고 있는 배치식 액 처리조와 동일한 구성을 채용할 수 있다. 즉, 각 조에는 복수 매의 기판(10)(반도체 웨이퍼)을 직립 자세로 수평 방향으로 간격을 두고 유지하는 웨이퍼 보트 등이라 불리는 기판 유지구(도시하지 않음)가 마련되고, 기판 유지구에 있어서의 웨이퍼의 배열 상태를 유지한 채로 기판 반송기(112)의 암이 각 조의 기판 유지구 사이에서 기판(10)의 반송 및 전달을 행한다. 기판 유지구에 의해 유지된 상태에서 각 조에 저류된 처리액(약액, 린스액, 도금액 등)에 미리 정해진 시간만큼 순차 침지됨으로써, 기판(10)에 대하여 상술한 각 공정이 실시된다.
상술한 도금 처리 시스템(100)의 전체의 동작은, 컴퓨터로 이루어지는 제어 장치(120)에 의해 제어된다. 제어 장치(120)는 기억 매체(122)에 기록된 각종의 프로그램을 읽어내 실행함으로써, 도금 처리 시스템(100)의 각 부의 동작을 제어하여 전술한 각 공정을 실행시킨다. 기억 매체(122)는, 상술한 일련의 공정을 실행하기 위하여 필요한 프로세스 레시피 및 제어 프로그램 등의 각종의 프로그램을 저장하고 있다. 기억 매체(122)로서는, 컴퓨터로 판독 가능한 ROM 또는 RAM 등의 메모리 장치, 하드 디스크, CD-ROM, DVD-ROM, 플렉시블 디스크 등의 디스크 기억 매체 등 임의의 것을 사용할 수 있다.
상기의 산화 피막 제거 공정부터 Co 배리어층 형성 공정(1 회째)까지의 일련의 처리를 하나 또는 둘 이상의 매엽식의 액 처리 유닛(도시하지 않음)을 이용하여 행해도 된다. 매엽식의 액 처리 유닛은 기판(10)을 수평 자세로 유지하여 회전시키는 스핀 척과, 스핀 척에 의해 유지되어 회전하는 기판(10)에 상술한 약액, 린스액, 도금액 등의 처리액을 공급하는 노즐을 구비하여 구성할 수 있다. 상기의 산화 피막 제거 공정부터 Co 배리어층 형성 공정(1 회째)까지의 일련의 처리를 하나의 액 처리 유닛에 의해 행해도 되고, 복수의 액 처리 유닛에서 분담하여 행하게 해도 된다.
10 : 기판
12 : 오목부(TSV)
22 : Al층(Al 배선층)
30 : 진케이트 피막
14a(14) : 제 1 무전해 도금층(Co 배리어층)
14b(14) : 제 2 무전해 도금층(Co 배리어층)
16 : Cu 도금층(Cu 배선층)
32 : 촉매층
100 : 도금 처리 시스템
120 : 제어 장치
122 : 기억 매체

Claims (6)

  1. 표면에 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 Al층이 노출되어 있는 기판을 준비하는 공정과,
    이 후, 상기 기판에 대하여 진케이트 처리를 실시하여, 상기 Al층의 표면에 진케이트 피막을 형성하는 공정과,
    이 후, 알칼리성이며 또한 착화제를 포함하는 무전해 도금액을 이용하여, 상기 Al층의 상기 표면에 제 1 무전해 도금층을 형성하는 제 1 무전해 도금 공정
    을 구비하고,
    상기 제 1 무전해 도금층은 코발트 또는 코발트 합금으로 이루어지는 Co 도금층이며,
    상기 기판의 상기 표면은 오목부를 가지고, 상기 Al층은 상기 오목부의 저면에 노출되어 있는 표면을 가지는 Al 배선층이며, 제 1 무전해 도금 공정은 상기 오목부의 저면에 노출되어 있는 상기 Al 배선층의 표면에 상기 제 1 무전해 도금층을 형성하며,
    상기 제 1 무전해 도금 공정 후, 상기 오목부 중 적어도 측면에 촉매층을 형성하는 공정과,
    이 후, 상기 오목부의 상기 저면 및 상기 측면에, 제 2 무전해 도금층으로서, 코발트 또는 코발트 합금으로 이루어지는 Co 도금층을 형성하는 제 2 무전해 도금 공정
    을 더 구비한 도금 처리 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 무전해 도금 공정 후에, 상기 오목부의 내부에 구리 또는 구리 합금으로 이루어지는 Cu 도금층을 매립하는 공정을 더 구비한 도금 처리 방법.
  6. 도금 처리 시스템의 동작을 제어하기 위한 컴퓨터에 의해 실행되었을 때, 상기 컴퓨터가 상기 도금 처리 시스템을 제어하여 제 1 항 또는 제 5 항 중에 기재된 도금 처리 방법을 실행시키는 프로그램이 기록된 기억 매체.
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