KR102422026B1 - 금속 착체 및 그것을 사용한 발광 소자 - Google Patents
금속 착체 및 그것을 사용한 발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102422026B1 KR102422026B1 KR1020177009876A KR20177009876A KR102422026B1 KR 102422026 B1 KR102422026 B1 KR 102422026B1 KR 1020177009876 A KR1020177009876 A KR 1020177009876A KR 20177009876 A KR20177009876 A KR 20177009876A KR 102422026 B1 KR102422026 B1 KR 102422026B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- substituent
- metal complex
- formula
- represented
- Prior art date
Links
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 title claims abstract description 287
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 115
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract description 63
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract description 40
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical group [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 293
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 187
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 115
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 103
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 102
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 86
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 85
- -1 R 13 and R 14 Chemical compound 0.000 claims description 64
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 57
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 52
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 43
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 40
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 40
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 39
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 39
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 38
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 33
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 28
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 26
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 24
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 23
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 9
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 8
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 7
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 4
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 claims description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 2
- 125000000547 substituted alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 abstract description 66
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 abstract description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 180
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 117
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 83
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 75
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 69
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 66
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 63
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 61
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 60
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 43
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 42
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 38
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 33
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 30
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 29
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 23
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 23
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 22
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 22
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 21
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 17
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 16
- 238000004895 liquid chromatography mass spectrometry Methods 0.000 description 16
- OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC(C)=N1 OISVCGZHLKNMSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000375 direct analysis in real time Methods 0.000 description 15
- 238000012063 dual-affinity re-targeting Methods 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 14
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 13
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 12
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 10
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 10
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 9
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 9
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 9
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 8
- 125000005278 alkyl sulfonyloxy group Chemical group 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000005279 aryl sulfonyloxy group Chemical group 0.000 description 7
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K trichloroiridium Chemical compound Cl[Ir](Cl)Cl DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 7
- KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene Chemical compound [Fe+2].C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=C[C-]1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KZPYGQFFRCFCPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021638 Iridium(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N N-Butyllithium Chemical compound [Li]CCCC MZRVEZGGRBJDDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N bis(pinacolato)diboron Chemical compound O1C(C)(C)C(C)(C)OB1B1OC(C)(C)C(C)(C)O1 IPWKHHSGDUIRAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CZKMPDNXOGQMFW-UHFFFAOYSA-N chloro(triethyl)germane Chemical compound CC[Ge](Cl)(CC)CC CZKMPDNXOGQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 6
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 6
- XWKFPIODWVPXLX-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-5-methylpyridine Natural products CC1=CC=C(C)N=C1 XWKFPIODWVPXLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 5
- AGCOMFFHXJMNLN-UHFFFAOYSA-N dichloromethane;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.ClCCl AGCOMFFHXJMNLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 5
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 8-[3-(1-cyclopropylpyrazol-4-yl)-1H-pyrazolo[4,3-d]pyrimidin-5-yl]-3-methyl-3,8-diazabicyclo[3.2.1]octan-2-one Chemical class C1(CC1)N1N=CC(=C1)C1=NNC2=C1N=C(N=C2)N1C2C(N(CC1CC2)C)=O HBAQYPYDRFILMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 102100022704 Amyloid-beta precursor protein Human genes 0.000 description 3
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101000823051 Homo sapiens Amyloid-beta precursor protein Proteins 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DZHSAHHDTRWUTF-SIQRNXPUSA-N amyloid-beta polypeptide 42 Chemical compound C([C@@H](C(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(=O)N[C@@H](CC(O)=O)C(=O)N[C@H](C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@@H](CC(N)=O)C(=O)N[C@@H](CCCCN)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](C)C(=O)N[C@H](C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)NCC(=O)N[C@@H](CC(C)C)C(=O)N[C@@H](CCSC)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)NCC(=O)NCC(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H](C(C)C)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](C)C(O)=O)[C@@H](C)CC)C(C)C)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CC(C)C)NC(=O)[C@H](CCCCN)NC(=O)[C@H](CCC(N)=O)NC(=O)[C@H](CC=1N=CNC=1)NC(=O)[C@H](CC=1N=CNC=1)NC(=O)[C@@H](NC(=O)[C@H](CCC(O)=O)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC(O)=CC=1)NC(=O)CNC(=O)[C@H](CO)NC(=O)[C@H](CC(O)=O)NC(=O)[C@H](CC=1N=CNC=1)NC(=O)[C@H](CCCNC(N)=N)NC(=O)[C@H](CC=1C=CC=CC=1)NC(=O)[C@H](CCC(O)=O)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O)C(C)C)C(C)C)C1=CC=CC=C1 DZHSAHHDTRWUTF-SIQRNXPUSA-N 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N (1e,4e)-1,5-diphenylpenta-1,4-dien-3-one;palladium Chemical compound [Pd].[Pd].C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1.C=1C=CC=CC=1\C=C\C(=O)\C=C\C1=CC=CC=C1 CYPYTURSJDMMMP-WVCUSYJESA-N 0.000 description 2
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trichloroethane Chemical compound ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHXUWDPHUQHFOV-UHFFFAOYSA-N 2,5-dibromopyridine Chemical compound BrC1=CC=C(Br)N=C1 ZHXUWDPHUQHFOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMRWILPUOVGIMU-UHFFFAOYSA-N 2-bromopyridine Chemical compound BrC1=CC=CC=N1 IMRWILPUOVGIMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRWWWZLJWNIEEJ-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5-tetramethyl-2-propan-2-yloxy-1,3,2-dioxaborolane Chemical compound CC(C)OB1OC(C)(C)C(C)(C)O1 MRWWWZLJWNIEEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTEQMZWBSYACLV-UHFFFAOYSA-N Hexylbenzene Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC=C1 LTEQMZWBSYACLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005577 Kumada cross-coupling reaction Methods 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006619 Stille reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006069 Suzuki reaction reaction Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 2
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine hydrate Chemical compound O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N lithium;butane Chemical compound [Li+].CC[CH-]C WGOPGODQLGJZGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000005948 methanesulfonyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N methoxycyclopentane Chemical compound COC1CCCC1 SKTCDJAMAYNROS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-SVYQBANQSA-N oxolane-d8 Chemical compound [2H]C1([2H])OC([2H])([2H])C([2H])([2H])C1([2H])[2H] WYURNTSHIVDZCO-SVYQBANQSA-N 0.000 description 2
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 2
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005951 trifluoromethanesulfonyloxy group Chemical group 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N tris(2-methylphenyl)phosphane Chemical compound CC1=CC=CC=C1P(C=1C(=CC=CC=1)C)C1=CC=CC=C1C COIOYMYWGDAQPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXJHQQLYKUVLIE-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydroacridine Chemical compound C1=CC=C2N=C(C=CCC3)C3=CC2=C1 UXJHQQLYKUVLIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940015975 1,2-hexanediol Drugs 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical group C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006039 1-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- ANOOTOPTCJRUPK-UHFFFAOYSA-N 1-iodohexane Chemical compound CCCCCCI ANOOTOPTCJRUPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005978 1-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000530 1-propynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C#C* 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJMUYABFXCIYSC-UHFFFAOYSA-N 1H-phosphole Chemical compound C=1C=CPC=1 DJMUYABFXCIYSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDLXTDLGTWNUFM-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]ethanol Chemical compound CC(C)(C)OCCO BDLXTDLGTWNUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000069 2-butynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005979 2-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- NHNSFSHXXANGNG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbut-2-enedinitrile Chemical group N#CC=C(C#N)C1=CC=CC=C1 NHNSFSHXXANGNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 1
- 125000000474 3-butynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006201 3-phenylpropyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFTCSJADUZJTSO-UHFFFAOYSA-N 4-bromooctylbenzene Chemical compound CCCCC(Br)CCCC1=CC=CC=C1 KFTCSJADUZJTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077398 4-methyl anisole Drugs 0.000 description 1
- 125000006043 5-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- IGDNJMOBPOHHRN-UHFFFAOYSA-N 5h-benzo[b]phosphindole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3PC2=C1 IGDNJMOBPOHHRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical group NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYNSBQPICQTCGU-UHFFFAOYSA-N Benzopyrane Chemical compound C1=CC=C2C=CCOC2=C1 KYNSBQPICQTCGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N Boron trifluoride etherate Chemical compound FB(F)F.CCOCC KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRZQGDNQQAALAY-UHFFFAOYSA-N Me ester-Phenylacetic acid Natural products COC(=O)CC1=CC=CC=C1 CRZQGDNQQAALAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 238000006411 Negishi coupling reaction Methods 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L PdCl2(PPh3)2 Substances [Cl-].[Cl-].[Pd+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical class [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000007099 Yamamoto allylation reaction Methods 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- KMGBZBJJOKUPIA-UHFFFAOYSA-N butyl iodide Chemical compound CCCCI KMGBZBJJOKUPIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical compound N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000012230 colorless oil Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004210 cyclohexylmethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- NXQGGXCHGDYOHB-UHFFFAOYSA-L cyclopenta-1,4-dien-1-yl(diphenyl)phosphane;dichloropalladium;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].Cl[Pd]Cl.[CH-]1C=CC(P(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1.[CH-]1C=CC(P(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 NXQGGXCHGDYOHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006612 decyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 1
- YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-N dichloropalladium;triphenylphosphanium Chemical compound Cl[Pd]Cl.C1=CC=CC=C1[PH+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1[PH+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005949 ethanesulfonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- LBAQSKZHMLAFHH-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;hydron;chloride Chemical compound Cl.CCOCC LBAQSKZHMLAFHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005446 heptyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- FHKSXSQHXQEMOK-UHFFFAOYSA-N hexane-1,2-diol Chemical compound CCCCC(O)CO FHKSXSQHXQEMOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000005980 hexynyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N iridium(3+) Chemical compound [Ir+3] MILUBEOXRNEUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZLHPYLCKHJIMM-UHFFFAOYSA-K iridium(3+);triacetate Chemical compound [Ir+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O KZLHPYLCKHJIMM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LNJXVUXPFZKMNF-UHFFFAOYSA-K iridium(3+);trichloride;trihydrate Chemical compound O.O.O.Cl[Ir](Cl)Cl LNJXVUXPFZKMNF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229940094933 n-dodecane Drugs 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 125000006611 nonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004365 octenyl group Chemical group C(=CCCCCCC)* 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N pecazine Chemical compound C1N(C)CCCC1CN1C2=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C21 CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950007538 pecazine Drugs 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000005003 perfluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005005 perfluorohexyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005007 perfluorooctyl group Chemical group FC(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229940049953 phenylacetate Drugs 0.000 description 1
- WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N phenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 description 1
- WCGIGOVLOFXAMG-UHFFFAOYSA-N silver;trifluoromethanesulfonic acid Chemical compound [Ag].OS(=O)(=O)C(F)(F)F WCGIGOVLOFXAMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical class O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SUBJHSREKVAVAR-UHFFFAOYSA-N sodium;methanol;methanolate Chemical compound [Na+].OC.[O-]C SUBJHSREKVAVAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWGXHTXOZKVJDN-UHFFFAOYSA-M sodium;n,n-diethylcarbamodithioate;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Na+].CCN(CC)C([S-])=S WWGXHTXOZKVJDN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N tricyclohexylphosphine Chemical compound C1CCCCC1P(C1CCCCC1)C1CCCCC1 WLPUWLXVBWGYMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N tritert-butylphosphane Chemical compound CC(C)(C)P(C(C)(C)C)C(C)(C)C BWHDROKFUHTORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
- C07F15/0006—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table compounds of the platinum group
- C07F15/0033—Iridium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H01L51/0085—
-
- H01L51/5016—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
- H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
- H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/90—Applications
- C08G2261/95—Use in organic luminescent diodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1074—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing more than three nitrogen atoms as heteroatoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/18—Metal complexes
- C09K2211/185—Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/10—Triplet emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
Abstract
양자 수율이 우수하고, 또한 발광 스펙트럼의 반값 폭이 우수한 금속 착체를 제공한다. 식 (1)로 표현되는 금속 착체.
[식 중, M은 이리듐 원자 등을 나타냄. n1은 1 내지 3의 정수를 나타냄. n2는 0 내지 2의 정수를 나타냄. X1 내지 X8은 탄소 원자 등을 나타냄. R1 내지 R8은 수소 원자 등을 나타냄. Xa 및 Xb의 한쪽은 단결합을 나타내고, 다른 쪽은 -CR11R12-CR13R14-로 표현되는 기를 나타냄. R11 내지 R14는 알킬기 등을 나타냄. 환 A는 방향족 복소환을 나타냄. A1-G1-A2는 음이온성의 2좌 배위자를 나타냄.]
[식 중, M은 이리듐 원자 등을 나타냄. n1은 1 내지 3의 정수를 나타냄. n2는 0 내지 2의 정수를 나타냄. X1 내지 X8은 탄소 원자 등을 나타냄. R1 내지 R8은 수소 원자 등을 나타냄. Xa 및 Xb의 한쪽은 단결합을 나타내고, 다른 쪽은 -CR11R12-CR13R14-로 표현되는 기를 나타냄. R11 내지 R14는 알킬기 등을 나타냄. 환 A는 방향족 복소환을 나타냄. A1-G1-A2는 음이온성의 2좌 배위자를 나타냄.]
Description
본 발명은 금속 착체 및 그것을 사용한 발광 소자에 관한 것이다.
발광 소자의 발광층에 사용하는 발광 재료로서, 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 나타내는 인광 발광성 화합물이 다양하게 검토되어 있다. 이와 같은 인광 발광성 화합물로서는, 중심 금속이 제5 주기 또는 제6 주기에 속하는 전이 금속인 금속 착체가 많이 검토되어 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에서는 덴드론을 갖는 페닐피리딘 구조를 배위자로서 갖는 금속 착체(예를 들어, 하기에서 표현되는 금속 착체)가 제안되어 있다.
그러나, 상기의 특허문헌 1에 기재된 금속 착체의 양자 수율(이하, 「PLQY」라고도 함)은 충분하지 않았다. 또한, 상기의 특허문헌 1에 기재되어 있는 금속 착체의 발광 스펙트럼의 반값 폭은 충분히 좁은 것이 아니었다.
따라서 본 발명은, 양자 수율이 우수하고, 또한 발광 스펙트럼의 반값 폭이 우수한 금속 착체를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 또한, 해당 금속 착체를 함유하는 조성물 및 해당 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 이하의 [1] 내지 [15]를 제공한다.
[1] 하기 식 (1), (2) 또는 (3)으로 표현되는 금속 착체.
[식 중,
M은 이리듐 원자 또는 백금 원자를 나타냄.
n1은 1, 2 또는 3을 나타냄. n2는 0, 1 또는 2를 나타냄. M이 이리듐 원자인 경우, n1+n2는 3이고, M이 백금 원자인 경우, n1+n2는 2임.
X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7 및 X8은 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타냄. 단, X5, X6, X7 및 X8로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2개는 탄소 원자임. X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7 및 X8이 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨. 단, X1이 질소 원자인 경우, R1은 존재하지 않고, X2가 질소 원자인 경우, R2는 존재하지 않고, X3이 질소 원자인 경우, R3은 존재하지 않고, X4가 질소 원자인 경우, R4는 존재하지 않고, X5가 질소 원자인 경우, R5는 존재하지 않고, X6이 질소 원자인 경우, R6은 존재하지 않고, X7이 질소 원자인 경우, R7은 존재하지 않고, X8이 질소 원자인 경우, R8은 존재하지 않음.
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. R1과 R2, R3과 R4, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8은 각각 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨. R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8이 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
Xa 및 Xb는 단결합, 또는 -CR11R12-CR13R14-로 표현되는 기를 나타냄. 단, Xa 및 Xb의 한쪽은 단결합이고, 다른 쪽은 -CR11R12-CR13R14-로 표현되는 기임. R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. R11과 R12, R13과 R14, R11과 R13, R12와 R14는 각각 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨. R11, R12, R13 및 R14가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨. 단, R11, R12, R13 및 R14로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자임.
환 A는 방향족 복소환을 나타내고, 이 방향족 복소환은 치환기를 갖고 있어도 됨. 환 A가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.
A1-G1-A2는 음이온성의 2좌 배위자를 나타냄. A1 및 A2는 각각 독립적으로, 탄소 원자, 산소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 이들 원자는 환을 구성하는 원자여도 됨. G1은 단결합, 또는 A1 및 A2와 함께 2좌 배위자를 구성하는 원자단을 나타냄. A1-G1-A2가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.]
[2] 하기 식 (1-1), (1-2) 또는 (2-1)로 표현되는, [1]에 기재된 금속 착체.
[식 중, M, n1, n2, X1, X3, X4, X5, X6, X7, X8, R1, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R11, R12, R13, R14, 환 A 및 A1-G1-A2는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
[3] 상기 R11, R12, R13 및 R14가 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기인, [1] 또는 [2]에 기재된 금속 착체.
[4] 상기 R11과 R13이 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있고,
상기 R12와 R14가 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있는, [3]에 기재된 금속 착체.
[5] 하기 식 (1-3), (1-4) 또는 (2-3)으로 표현되는, [4]에 기재된 금속 착체.
[식 중,
M, n1, n2, X1, X3, X4, X5, X6, X7, X8, R1, R3, R4, R5, R6, R7, R8, 환 A 및 A1-G1-A2는 상기와 동일한 의미를 나타냄.
m1 및 m2는 각각 독립적으로, 1 내지 5의 정수를 나타냄. m1 및 m2가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
R15, R16, R17 및 R18은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. R15, R16, R17 및 R18이 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.]
[6] 상기 m1 및 m2가 3 또는 4인, [5]에 기재된 금속 착체.
[7] 상기 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7 및 X8이 탄소 원자인, [1] 내지 [6] 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체.
[8] 상기 환 A가, 치환기를 갖고 있어도 되는 피리딘환, 치환기를 갖고 있어도 되는 피리미딘환, 치환기를 갖고 있어도 되는 퀴놀린환, 치환기를 갖고 있어도 되는 이소퀴놀린환, 치환기를 갖고 있어도 되는 이미다졸환 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 트리아졸환인, [1] 내지 [7] 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체.
[9] 하기 조건 (A), (B) 및 (C) 중 적어도 하나를 만족시키는, [1] 내지 [8] 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체.
(A) 상기 환 A가, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 치환기로서 갖는다.
(B) 상기 R1, R2, R3, R4, R5 및 R8이 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이다.
(C) 상기 R6 및 R7이 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자이다.
[10] 상기 환 A가, 하기 식 (D-A) 또는 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는, [1] 내지 [8] 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체.
[식 중,
mDA1, mDA2 및 mDA3은 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타냄.
GDA는 질소 원자, 방향족 탄화수소기 또는 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.
ArDA1, ArDA2 및 ArDA3은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. ArDA1, ArDA2 및 ArDA3이 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
TDA는 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 있는 TDA는 동일해도 되고 상이해도 됨.]
[식 중,
mDA1, mDA2, mDA3, mDA4, mDA5, mDA6 및 mDA7은 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타냄.
GDA는 질소 원자, 방향족 탄화수소기 또는 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 있는 GDA는 동일해도 되고 상이해도 됨.
ArDA1, ArDA2, ArDA3, ArDA4, ArDA5, ArDA6 및 ArDA7은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. ArDA1, ArDA2, ArDA3, ArDA4, ArDA5, ArDA6 및 ArDA7이 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
TDA는 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 있는 TDA는 동일해도 되고 상이해도 됨.]
[11] 상기 식 (D-A)로 표현되는 기가, 하기 식 (D-A1), (D-A2) 또는 (D-A3)으로 표현되는 기인, [10]에 기재된 금속 착체.
[식 중,
Rp1, Rp2 및 Rp3은 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타냄. Rp1 및 Rp2가 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
np1은 0 내지 5의 정수를 나타내고, np2는 0 내지 3의 정수를 나타내고, np3은 0 또는 1을 나타냄. 복수 있는 np1은 동일해도 되고 상이해도 됨.]
[12] 상기 M이 이리듐 원자이고, 상기 n1이 3이고, 상기 n2가 0인, [1] 내지 [11] 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체.
[13] [1] 내지 [12] 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체와,
하기 식 (Y)로 표현되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물을 함유하는 조성물.
[식 중, ArY1은 아릴렌기, 2가의 복소환기, 또는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.]
[14] [1] 내지 [13] 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체와,
정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 발광 재료, 산화 방지제 및 용매로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료를 함유하는 조성물.
[15] [1] 내지 [13] 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자.
본 발명에 따르면, 양자 수율이 우수하고, 또한 발광 스펙트럼의 반값 폭이 우수한 금속 착체를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 해당 금속 착체를 함유하는 조성물 및 해당 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자를 제공할 수 있다. 본 발명의 금속 착체는 양자 수율이 우수하기 때문에, 해당 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자는 외부 양자 효율이 우수한 것이 된다. 또한, 본 발명의 금속 착체는 발광 스펙트럼의 반값 폭이 우수하기 때문에, 해당 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자를 컬러 필터와 병용시킨 경우, 해당 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자의 캐비티가 조정된 경우에는, 그의 외부 양자 효율은 더욱 우수한 것이 된다.
도 1은 금속 착체 M1, 금속 착체 M2 및 금속 착체 CM1의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 2는 금속 착체 M3의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 3은 금속 착체 M4 및 금속 착체 M5의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 4는 금속 착체 M6의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에서 사용한 컬러 필터 A, B 및 C의 투과 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 2는 금속 착체 M3의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 3은 금속 착체 M4 및 금속 착체 M5의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 4는 금속 착체 M6의 발광 스펙트럼을 도시한 도면이다.
도 5는 실시예에서 사용한 컬러 필터 A, B 및 C의 투과 스펙트럼을 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 상세하게 설명한다.
<공통되는 용어의 설명>
이하, 본 명세서에서 공통으로 사용되는 용어는 특기하지 않는 한, 이하의 의미이다.
Me는 메틸기, Et는 에틸기, Bu는 부틸기, i-Pr은 이소프로필기, t-Bu는 tert-부틸기를 나타낸다.
본 명세서에 있어서, 수소 원자는 중수소 원자여도 된다.
본 명세서에 있어서, 금속 착체를 나타내는 구조식 중, 중심 금속과의 결합을 나타내는 실선은 공유 결합 또는 배위 결합을 의미한다.
「고분자 화합물」이란, 분자량 분포를 갖고, 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이 1×103 내지 1×108인 중합체를 의미한다. 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위는 합계 100몰%이다.
고분자 화합물은 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 되고, 그 밖의 형태여도 된다.
고분자 화합물의 말단기는, 중합 활성기가 그대로 남아 있으면, 고분자 화합물을 발광 소자의 제작에 사용한 경우에 발광 특성이나 휘도 수명이 저하될 가능성이 있으므로, 바람직하게는 안정된 기이다. 이 말단기로서는, 주쇄와 공액 결합하고 있는 기가 바람직하고, 탄소-탄소 결합을 통해 아릴기 또는 1가의 복소환기와 결합하고 있는 기를 들 수 있다.
「저분자 화합물」이란, 분자량 분포를 갖지 않고, 분자량이 1×104 이하인 화합물을 의미한다.
「구성 단위」란, 고분자 화합물 중에 1개 이상 존재하는 단위를 의미한다.
「알킬기」는 직쇄 및 분지의 어느 것이든 좋다. 직쇄의 알킬기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 1 내지 50이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 20이다. 분지의 알킬기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 50이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 20이다.
「시클로알킬기」의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 50이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 20이다.
알킬기 및 시클로알킬기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소아밀기, 2-에틸부틸기, 1,1,3,3-테트라메틸부틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 3-프로필헵틸기, 데실기, 3,7-디메틸옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-헥실데실기, 도데실기, 시클로헥실기, 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있고, 치환기를 갖는 알킬기 및 시클로알킬기로서는, 예를 들어 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로부틸기, 퍼플루오로헥실기, 퍼플루오로옥틸기, 3-페닐프로필기, 3-(4-메틸페닐)프로필기, 3-(3,5-디-헥실페닐)프로필기, 6-에틸옥시헥실기, 시클로헥실메틸기, 시클로헥실에틸기를 들 수 있다.
「아릴기」는 방향족 탄화수소에서, 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제외한 나머지의 원자단을 의미한다. 아릴기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 20이고, 보다 바람직하게는 6 내지 10이다.
아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트라세닐기, 2-안트라세닐기, 9-안트라세닐기, 1-피레닐기, 2-피레닐기, 4-피레닐기, 2-플루오레닐기, 3-플루오레닐기, 4-플루오레닐기, 2-페닐페닐기, 3-페닐페닐기, 4-페닐페닐기, 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「알콕시기」는 직쇄 및 분지의 어느 것이든 좋다. 직쇄의 알콕시기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 1 내지 40이고, 바람직하게는 4 내지 10이다. 분지의 알콕시기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 40이고, 바람직하게는 4 내지 10이다.
「시클로알콕시기」의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 40이고, 바람직하게는 4 내지 10이다.
알콕시기 및 시클로알콕시기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 이소프로필옥시기, 부틸옥시기, 이소부틸옥시기, tert-부틸옥시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 시클로헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 3,7-디메틸옥틸옥시기, 라우릴옥시기를 들 수 있다.
「아릴옥시기」의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 7 내지 48이다.
아릴옥시기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 페녹시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 1-안트라세닐옥시기, 9-안트라세닐옥시기, 1-피레닐옥시기, 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「p가의 복소환기」(p는 1 이상의 정수를 나타냄)란, 복소환식 화합물에서, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 중 p개의 수소 원자를 제외한 나머지의 원자단을 의미한다. p가의 복소환기 중에서도, 방향족 복소환식 화합물에서, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 중 p개의 수소 원자를 제외한 나머지의 원자단인 「p가의 방향족 복소환기」가 바람직하다.
「방향족 복소환식 화합물」은 옥사디아졸, 티아디아졸, 티아졸, 옥사졸, 티오펜, 피롤, 포스폴, 푸란, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 트리아진, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 카르바졸, 디벤조포스폴 등의 복소환 자체가 방향족성을 나타내는 화합물, 및 페녹사진, 페노티아진, 디벤조보롤, 디벤조실롤, 벤조피란 등의 복소환 자체는 방향족성을 나타내지 않아도, 복소환에 방향환이 축환되어 있는 화합물을 의미한다.
1가의 복소환기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
1가의 복소환기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 티에닐기, 피롤릴기, 푸릴기, 피리딜기, 피페리디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「할로겐 원자」란, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 나타낸다.
「아미노기」는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환 아미노기가 바람직하다. 아미노기가 갖는 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 바람직하다.
치환 아미노기로서는, 예를 들어 디알킬아미노기, 디시클로알킬아미노기 및 디아릴아미노기를 들 수 있다.
아미노기로서는, 예를 들어 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디페닐아미노기, 비스(4-메틸페닐)아미노기, 비스(4-tert-부틸페닐)아미노기, 비스(3,5-디-tert-부틸페닐)아미노기를 들 수 있다.
「알케닐기」는 직쇄 및 분지의 어느 것이든 좋다. 직쇄의 알케닐기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 2 내지 30이고, 바람직하게는 3 내지 20이다. 분지의 알케닐기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
「시클로알케닐기」의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
알케닐기 및 시클로알케닐기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 3-펜테닐기, 4-펜테닐기, 1-헥세닐기, 5-헥세닐기, 7-옥테닐기, 및 이들 기가 치환기를 갖는 기를 들 수 있다.
「알키닐기」는 직쇄 및 분지의 어느 것이든 좋다. 알키닐기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않고, 통상 2 내지 20이고, 바람직하게는 3 내지 20이다. 분지의 알키닐기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않고, 통상 4 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
「시클로알키닐기」의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않고, 통상 4 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
알키닐기 및 시클로알키닐기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 에티닐기, 1-프로피닐기, 2-프로피닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 3-펜티닐기, 4-펜티닐기, 1-헥시닐기, 5-헥시닐기, 및 이들 기가 치환기를 갖는 기를 들 수 있다.
「아릴렌기」는 방향족 탄화수소에서, 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 2개를 제외한 나머지의 원자단을 의미한다. 아릴렌기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 30이고, 보다 바람직하게는 6 내지 18이다.
아릴렌기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 페닐렌기, 나프탈렌디일기, 안트라센디일기, 페난트렌디일기, 디히드로페난트렌디일기, 나프타센디일기, 플루오렌디일기, 피렌디일기, 페릴렌디일기, 크리센디일기, 및 이들 기가 치환기를 갖는 기를 들 수 있고, 바람직하게는 식 (A-1) 내지 식 (A-20)으로 표현되는 기이다. 아릴렌기는, 이들 기가 복수 결합한 기를 포함한다.
[식 중, R 및 Ra는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타냄. 복수 존재하는 R 및 Ra는 각각, 동일해도 되고 상이해도 되고, Ra끼리는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨.]
2가의 복소환기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 3 내지 20이고, 보다 바람직하게는 4 내지 15이다.
2가의 복소환기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 피리딘, 디아자벤젠, 트리아진, 아자나프탈렌, 디아자나프탈렌, 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 디벤조실롤, 페녹사진, 페노티아진, 아크리딘, 디히드로아크리딘, 푸란, 티오펜, 아졸, 디아졸, 트리아졸에서, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 중 2개의 수소 원자를 제외한 2가의 기를 들 수 있고, 바람직하게는 식 (AA-1) 내지 식 (AA-34)로 표현되는 기이다. 2가의 복소환기는, 이들 기가 복수 결합한 기를 포함한다.
[식 중, R 및 Ra는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
「가교기」란, 가열 처리, 자외선 조사 처리, 라디칼 반응 등에 제공함으로써, 새로운 결합을 생성하는 것이 가능한 기이고, 바람직하게는 식 (B-1), (B-2), (B-3), (B-4), (B-5), (B-6), (B-7), (B-8), (B-9), (B-10), (B-11), (B-12), (B-13), (B-14), (B-15), (B-16) 또는 (B-17)로 표현되는 기이다.
[식 중, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.]
「치환기」란, 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 또는 시클로알키닐기를 나타낸다. 치환기는 가교기여도 된다.
「덴드론」이란, 원자 또는 환을 분지점으로 하는 규칙적인 수지상 분지 구조(덴드리머 구조)를 갖는 기이다. 또한, 덴드론을 부분 구조로서 갖는 화합물(덴드리머라고 칭하는 경우가 있음)로서는, 예를 들어 WO02/067343, 일본 특허 공개 제 2003-231692, WO2003/079736, WO2006/097717 등의 문헌에 기재된 구조를 들 수 있다. 덴드론으로서는, 식 (D-A)로 표현되는 기 또는 식 (D-B)로 표현되는 기가 바람직하다.
mDA1, mDA2, mDA3, mDA4, mDA5, mDA6 및 mDA7은 통상 10 이하의 정수이고, 5 이하의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하고, 0인 것이 더욱 바람직하다. 또한, mDA1, mDA2, mDA3, mDA4, mDA5, mDA6 및 mDA7은 동일한 정수인 것이 바람직하다.
GDA는 바람직하게는 식 (GDA-11) 내지 (GDA-15)로 표현되는 기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
[식 중,
*은 식 (D-A)에 있어서의 ArDA1, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA1, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA2, 또는 식 (D-B)에 있어서의 ArDA3과의 결합을 나타냄.
**은 식 (D-A)에 있어서의 ArDA2, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA2, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA4, 또는 식 (D-B)에 있어서의 ArDA6과의 결합을 나타냄.
***은 식 (D-A)에 있어서의 ArDA3, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA3, 식 (D-B)에 있어서의 ArDA5, 또는 식 (D-B)에 있어서의 ArDA7과의 결합을 나타냄.
RDA는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 됨. RDA가 복수 있는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.]
RDA는 바람직하게는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기 또는 시클로알콕시기이고, 보다 바람직하게는 수소 원자, 알킬기 또는 시클로알킬기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArDA1, ArDA2, ArDA3, ArDA4, ArDA5, ArDA6 및 ArDA7은 바람직하게는 식 (ArDA-1) 내지 (ArDA-3)으로 표현되는 기이다.
[식 중,
RDA는 상기와 동일한 의미를 나타냄.
RDB는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. RDB가 복수 있는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.]
RDB는 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 더욱 바람직하게는 아릴기이다.
TDA는 바람직하게는 식 (TDA-1) 내지 (TDA-3)으로 표현되는 기이다.
[식 중, RDA 및 RDB는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
식 (D-A)로 표현되는 기는 바람직하게는 식 (D-A1) 내지 (D-A3)으로 표현되는 기이다.
식 (D-B)로 표현되는 기는 바람직하게는 식 (D-B1) 내지 (D-B3)으로 표현되는 기이다.
[식 중,
Rp1, Rp2 및 Rp3은 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타냄. Rp1 및 Rp2가 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
np1은 0 내지 5의 정수를 나타내고, np2는 0 내지 3의 정수를 나타내고, np3은 0 또는 1을 나타냄. np1 및 np2가 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.]
np1은 바람직하게는 0 또는 1이고, 보다 바람직하게는 1이다. np2는 바람직하게는 0 또는 1이고, 보다 바람직하게는 0이다. np3은 바람직하게는 0이다.
Rp1, Rp2 및 Rp3은 바람직하게는 알킬기 또는 시클로알킬기이다.
<금속 착체>
이어서, 본 발명의 금속 착체에 대해 설명한다. 본 발명의 금속 착체는 식 (1), 식 (2) 또는 식 (3)으로 표현된다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, M은 본 발명의 금속 착체를 사용한 발광 소자의 휘도 수명이 우수하므로, 이리듐 원자인 것이 바람직하다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, n2는 본 발명의 금속 착체의 양자 수율이 보다 우수하고, 또한 본 발명의 금속 착체의 합성이 용이해지므로, 0인 것이 바람직하다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, A1-G1-A2로 표현되는 음이온성의 2좌 배위자로서는, 예를 들어 하기에서 표현되는 배위자를 들 수 있다.
[식 중, *은 이리듐 원자 또는 백금 원자와 결합하는 부위를 나타냄.]
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, A1-G1-A2로 표현되는 음이온성의 2좌 배위자는, 하기에서 표현되는 배위자여도 된다.
[식 중,
*은 이리듐 원자 또는 백금 원자와 결합하는 부위를 나타냄.
RL1은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 존재하는 RL1은 동일해도 되고 상이해도 됨.
RL2는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. RL2가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.]
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7 및 X8은 본 발명의 금속 착체의 합성이 용이해지므로, 탄소 원자인 것이 바람직하다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, R1, R2, R3, R4, R5 및 R8은 본 발명의 금속 착체의 합성이 용이해지므로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, R6 및 R7은 본 발명의 금속 착체의 용매에 대한 용해성 및 성막성이 우수하므로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 할로겐 원자인 것이 더욱 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 특히 바람직하다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, 본 발명의 금속 착체를 사용한 발광 소자의 휘도 수명이 우수하므로,
R1 및 R8이 수소 원자 또는 알킬기인 것이 바람직하고,
R1, R2 및 R8이 수소 원자 혹은 알킬기이거나, R1, R6 및 R8이 수소 원자 혹은 알킬기이거나, 또는 R1, R7 및 R8이 수소 원자 혹은 알킬기인 것이 보다 바람직하고,
R1, R2, R6 및 R8이 수소 원자 혹은 알킬기이거나, 또는 R1, R2, R7 및 R8이 수소 원자 혹은 알킬기인 것이 더욱 바람직하고,
R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8이 수소 원자 혹은 알킬기인 것이 특히 바람직하다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, 환 A는 본 발명의 금속 착체를 사용한 발광 소자의 휘도 수명이 우수하므로, 치환기를 갖고 있어도 되는 피리딘환, 치환기를 갖고 있어도 되는 피리미딘환, 치환기를 갖고 있어도 되는 퀴놀린환, 치환기를 갖고 있어도 되는 이소퀴놀린환, 치환기를 갖고 있어도 되는 이미다졸환 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 트리아졸환인 것이 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 되는 피리딘환, 치환기를 갖고 있어도 되는 피리미딘환, 치환기를 갖고 있어도 되는 이미다졸환 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 트리아졸환인 것이 보다 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 되는 피리딘환, 치환기를 갖고 있어도 되는 이미다졸환 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 트리아졸환인 것이 더욱 바람직하고, 치환기를 갖고 있어도 되는 피리딘환 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 트리아졸환인 것이 특히 바람직하다. 환 A가 치환기를 복수 갖는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 되고, 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, 환 A가 치환기를 갖는 경우, 해당 치환기로서는, 본 발명의 금속 착체의 용매에 대한 용해성 및 성막성이 우수하므로, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자가 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 보다 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기가 더욱 바람직하다. 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기로서는, 덴드론인 것이 바람직하다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, 환 A가 치환기를 갖는 경우, 해당 치환기 중 적어도 하나는, 본 발명의 금속 착체의 양자 수율이 보다 우수하므로, 덴드론인 것이 바람직하고, 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기인 것이 보다 바람직하고, 식 (D-A)로 표현되는 기인 것이 더욱 바람직하고, 식 (D-A1), (D-A2) 또는 (D-A3)으로 표현되는 기인 것이 특히 바람직하고, 식 (D-A3)으로 표현되는 기인 것이 특히 바람직하다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, 환 A로 표현되는 방향족 복소환으로서는, 예를 들어 하기 식 (E-1) 내지 (E-15) 및 하기 식 (F-1) 내지 (F-15)로 표현되는 방향족 복소환을 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 발명의 금속 착체의 합성이 용이해지므로, 식 (E-1) 내지 (E-4) 또는 식 (F-1) 내지 (F-13)으로 표현되는 방향족 복소환이 바람직하고, 본 발명의 금속 착체를 사용한 발광 소자의 휘도 수명이 우수하므로, 식 (E-1) 내지 (E-3) 또는 식 (F-2) 내지 (F-6)으로 표현되는 방향족 복소환이 보다 바람직하고, 식 (E-2), 식 (E-3) 또는 식 (F-6)으로 표현되는 방향족 복소환이 더욱 바람직하고, 식 (E-2)로 표현되는 것이 특히 바람직하다.
[식 중,
*은 이리듐 원자 또는 백금 원자와 결합하는 부위를 나타냄.
**은, X1 및 X4를 구성 원자로 갖는 방향환, X3 및 X4를 구성 원자로 갖는 방향환, 또는 X1 및 X2를 구성 원자로 갖는 방향환과 결합하는 부위를 나타냄.
RL3은 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. RL3이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.
RL4는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.]
식 (E-1) 내지 (E-15) 및 식 (F-1) 내지 (F-15) 중, RL3은 알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 보다 바람직하다. 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기로서는, 덴드론인 것이 바람직하다.
식 (E-1) 내지 (E-15) 및 식 (F-1) 내지 (F-15) 중, RL4는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, 알킬기 또는 아릴기인 것이 보다 바람직하다. 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기로서는, 덴드론인 것이 바람직하다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3) 중, Xa 및 Xb의 한쪽은 단결합이고, 다른 쪽은 -CR11R12-CR13R14-로 표현되는 기이므로, 식 (1)로 표현되는 금속 착체는 식 (1-1) 또는 식 (1-2)로 표현되는 금속 착체이고, 식 (2)로 표현되는 금속 착체는 식 (2-1) 또는 식 (2-2)로 표현되는 금속 착체이고, 식 (3)으로 표현되는 금속 착체는 식 (3-1) 또는 식 (3-2)로 표현되는 금속 착체이다.
[식 중, M, n1, n2, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R11, R12, R13, R14, 환 A 및 A1-G1-A2는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
식 (1-1), 식 (1-2), 식 (2-1), 식 (2-2), 식 (3-1) 및 식 (3-2)로 표현되는 금속 착체 중에서도, 본 발명의 금속 착체의 합성이 용이해지므로, 식 (1-1), 식 (1-2), 식 (2-1) 또는 식 (3-2)로 표현되는 금속 착체가 바람직하고, 식 (1-1), 식 (1-2) 또는 식 (2-1)로 표현되는 금속 착체가 보다 바람직하고, 식 (1-1) 또는 식 (1-2)로 표현되는 금속 착체가 더욱 바람직하다.
식 (1-1), 식 (1-2), 식 (2-1), 식 (2-2), 식 (3-1) 및 식 (3-2) 중, R11, R12, R13 및 R14로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나는, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자이지만, 본 발명의 금속 착체의 합성이 용이해지므로, 알킬기 또는 알콕시기인 것이 보다 바람직하고, 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 이들 기는 치환기를 갖고 있는 것이 바람직하다.
식 (1-1), 식 (1-2), 식 (2-1), 식 (2-2), 식 (3-1) 및 식 (3-2) 중, R11과 R12, R13과 R14, R11과 R13, R12와 R14는 각각 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 형성된 환 구조는 치환기를 갖고 있어도 되고, 해당 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 및 할로겐 원자를 들 수 있다.
식 (1-1), 식 (1-2), 식 (2-1), 식 (2-2), 식 (3-1) 및 식 (3-2) 중, 본 발명의 금속 착체를 사용한 발광 소자의 휘도 수명이 우수하므로, R11, R12, R13 및 R14가 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기인 것이 바람직하고, R11, R12, R13 및 R14가 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기이고, 또한 R11과 R13이 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고, R12와 R14가 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있는 것이 바람직하다.
식 (1-1)로 표현되는 금속 착체는 식 (1-3)으로 표현되는 금속 착체인 것이 바람직하고, 식 (1-2)로 표현되는 금속 착체는 식 (1-4)로 표현되는 금속 착체인 것이 바람직하고, 식 (2-1)로 표현되는 금속 착체는 식 (2-3)으로 표현되는 금속 착체인 것이 바람직하고, 식 (2-2)로 표현되는 금속 착체는 식 (2-4)로 표현되는 금속 착체인 것이 바람직하고, 식 (3-1)로 표현되는 금속 착체는 식 (3-3)으로 표현되는 금속 착체인 것이 바람직하고, 식 (3-2)로 표현되는 금속 착체는 식 (3-4)로 표현되는 금속 착체인 것이 바람직하다.
[식 중,
M, n1, n2, X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7, X8, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, 환 A 및 A1-G1-A2는 상기와 동일한 의미를 나타냄.
m1 및 m2는 각각 독립적으로, 1 내지 5의 정수를 나타냄. m1 및 m2가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
R15, R16, R17 및 R18은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. R15, R16, R17 및 R18이 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.]
식 (1-3), 식 (1-4), 식 (2-3), 식 (2-4), 식 (3-3) 및 식 (3-4)로 표현되는 금속 착체 중에서도, 본 발명의 금속 착체의 합성이 용이해지므로, 식 (1-3), 식 (1-4), 식 (2-3) 또는 식 (3-4)로 표현되는 금속 착체가 바람직하고, 식 (1-3), 식 (1-4) 또는 식 (2-3)으로 표현되는 금속 착체가 보다 바람직하고, 식 (1-3) 또는 식 (1-4)로 표현되는 금속 착체가 더욱 바람직하다.
식 (1-3), 식 (1-4), 식 (2-3), 식 (2-4), 식 (3-3) 및 식 (3-4) 중, 본 발명의 금속 착체를 사용한 발광 소자의 휘도 수명이 우수하므로, m1 및 m2는 3 내지 5의 정수인 것이 바람직하고, 3 또는 4인 것이 보다 바람직하고, 3인 것이 더욱 바람직하다.
식 (1-3), 식 (1-4), 식 (2-3), 식 (2-4), 식 (3-3) 및 식 (3-4) 중, m1 및 m2는 서로 동일해도 되고 상이해도 되지만, 본 발명의 금속 착체의 합성이 용이해지므로, m1 및 m2는 서로 동일한 것이 바람직하다.
식 (1-3), 식 (1-4), 식 (2-3), 식 (2-4), 식 (3-3) 및 식 (3-4) 중, R15, R16, R17 및 R18은 본 발명의 금속 착체를 사용한 발광 소자의 휘도 수명이 우수하므로, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.
식 (1-3), 식 (1-4), 식 (2-3), 식 (2-4), 식 (3-3) 및 식 (3-4)로 표현되는 금속 착체에 있어서는, 예를 들어 R15 및 R16 중 적어도 한쪽이 수소 원자 이외의 기이고, R17 및 R18 중 적어도 한쪽이 수소 원자일 때, R15 및 R16이 서로 상이할 때, R17 및 R18이 서로 상이할 때에, 입체 이성체가 발생할 수 있다. 식 (1-3), 식 (1-4), 식 (2-3), 식 (2-4), 식 (3-3) 및 식 (3-4)로 표현되는 금속 착체는 동일한 입체 이성체만을 갖는 금속 착체여도 되고, 서로 상이한 복수의 입체 이성체를 갖는 금속 착체여도 된다. 입체 이성으로서는, 디아스테레오머 및 에난티오머를 들 수 있다.
식 (1-3)으로 표현되는 금속 착체가 식 (1-3-Z)로 표현되는 배위자를 갖는 경우, 식 (1-3-Z)로 표현되는 배위자의 입체 이성은, 예를 들어 식 (1-3-a), 식 (1-3-b), 식 (1-3-c) 및 식 (1-3-d)로 표현된다.
[식 중, *은 이리듐 원자 또는 백금 원자와 결합하는 부위를 나타냄. Ra 및 Rb는 각각 독립적으로, 알킬기 또는 시클로알킬기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.]
식 (1-3-a), 식 (1-3-b), 식 (1-3-c) 및 식 (1-3-d)로 표현되는 배위자는 서로 디아스테레오머의 관계에 있다.
식 (1), 식 (2) 및 식 (3)으로 표현되는 금속 착체로서는, 예를 들어 하기 식 (Ir-1) 내지 (Ir-30)으로 표현되는 금속 착체를 들 수 있다. 이들 중에서도, 본 발명의 금속 착체의 양자 수율이 우수하므로, 식 (Ir-1) 내지 식 (Ir-24)로 표현되는 금속 착체가 바람직하고, 식 (Ir-1) 내지 (Ir-3), (Ir-7) 내지 (Ir-11), (Ir-13) 내지 (Ir-18) 또는 (Ir-20) 내지 (Ir-24)로 표현되는 금속 착체가 보다 바람직하고, 본 발명의 금속 착체의 합성이 용이해지므로, 식 (Ir-1), (Ir-7) 내지 (Ir-10), (Ir-13), (Ir-15), (Ir-16), (Ir-18), (Ir-20) 또는 (Ir-21)로 표현되는 금속 착체가 더욱 바람직하고, 식 (Ir-1), (Ir-10), (Ir-13) 또는 (Ir-15)로 표현되는 금속 착체가 특히 바람직하다.
[식 중,
Z1a, RP1, RP2, RP3, RP4, RZ 및 RA는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. Z1a, RP1, RP2, RP3, RP4, RZ 및 RA가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
Z1b는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. Z1b가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
RX는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 존재하는 RX는 동일해도 되고 상이해도 되고, 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨. 단, 복수 존재하는 RX 중 적어도 하나는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자임.]
식 (Ir-1) 내지 (Ir-30)에 있어서, 예를 들어 복수 존재하는 RX가 각각 상이할 때, RP1 및 RP2 중 적어도 한쪽이 수소 원자 이외의 기이고, RP3 및 RP4 중 적어도 한쪽이 수소 원자일 때, RP1 및 RP2가 서로 상이할 때, RP3 및 RP4가 서로 상이할 때에, 식 (Ir-1) 내지 (Ir-30)으로 표현되는 금속 착체에는 입체 이성체(디아스테레오머 및/또는 에난티오머)가 존재할 수 있다. 식 (Ir-1) 내지 (Ir-30)으로 표현되는 금속 착체는 단일의 입체 이성체여도 되고, 상이한 입체 이성체의 혼합물이어도 된다.
식 (Ir-1) 내지 (Ir-30) 중, Z1a는 하기의 군 I에서 선택되는 기 또는 군 II에서 선택되는 기인 것이 바람직하고, 군 II에서 선택되는 기인 것이 보다 바람직하고, 식 (II-1) 내지 (II-15)로 표현되는 기인 것이 더욱 바람직하고, 식 (II-7) 내지 (II-15)로 표현되는 기인 것이 특히 바람직하다.
식 (Ir-1) 내지 (Ir-30) 중, Z1b는 하기의 군 I에서 선택되는 기 또는 군 II에서 선택되는 기인 것이 바람직하고, 군 I에서 선택되는 기 또는 식 (II-1) 내지 (II-6)으로 표현되는 기인 것이 보다 바람직하고, 군 I에서 선택되는 기인 것이 더욱 바람직하고, 식 (I-7) 내지 (I-15)로 표현되는 기인 것이 특히 바람직하다.
식 (Ir-1) 내지 (Ir-30) 중, RP1, RP2, RP3, RP4, RZ, RA 및 RX는 하기의 군 I에서 선택되는 기 또는 군 II에서 선택되는 기인 것이 바람직하고, 군 I에서 선택되는 기인 것이 보다 바람직하고, 식 (I-1) 내지 (I-6)으로 표현되는 기인 것이 더욱 바람직하다.
<군 I>
<군 II>
식 (1) 내지 식 (3)으로 표현되는 금속 착체의 구체예로서는, 하기 식 (Ir-101) 내지 (Ir-130)으로 표현되는 금속 착체를 들 수 있다.
식 (1) 내지 식 (3)으로 표현되는 금속 착체에는 복수의 입체 이성체가 존재할 수 있다. 예를 들어, 에난티오머인 배위자를 갖는 금속 착체, 디아스테레오머인 배위자를 갖는 금속 착체, 복수의 배위자가 에난티오머임으로써 전체적으로 디아스테레오머가 되는 금속 착체 등을 들 수 있다.
식 (1) 내지 식 (3)으로 표현되는 금속 착체 중, M이 이리듐 원자이고, 또한 n2가 0인 금속 착체에는 facial(페이셜)체 또는 meridional(메리디오널)체의 입체 이성체가 존재할 수 있고, 본 발명의 금속 착체의 발광 스펙트럼의 반값 폭이 보다 우수하므로, facial체가 금속 착체 전체에 대해 80몰% 이상인 것이 바람직하고, 90몰% 이상인 것이 보다 바람직하고, 99몰% 이상인 것이 보다 더욱 바람직하고, 100몰%(즉, meridional체를 포함하지 않는 것)가 특히 바람직하다.
본 발명의 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자에는 본 발명의 금속 착체를 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.
<식 (1)로 표현되는 금속 착체의 제조 방법>
[제조 방법 1]
본 발명의 금속 착체인 식 (1)로 표현되는 금속 착체는, 예를 들어 배위자가 되는 화합물과 금속 화합물을 반응시키는 방법에 의해 제조할 수 있다. 필요에 따라, 금속 착체의 배위자의 관능기 변환 반응을 행해도 된다.
식 (1)로 표현되는 금속 착체 중에서, M이 이리듐 원자이고, n1이 3인 것은, 예를 들어
식 (M1-1)로 표현되는 화합물과, 이리듐 화합물 또는 그의 수화물을 반응시킴으로써, 식 (M1-2)로 표현되는 금속 착체를 합성하는 공정 A1 및,
식 (M1-2)로 표현되는 금속 착체와, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물 또는 A1-G1-A2로 표현되는 배위자의 전구체를 반응시키는 공정 B1을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다.
[식 중, X1, X4 내지 X8, R1, R4 내지 R8, Xa, Xb 및 환 A는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
공정 A1에 있어서, 이리듐 화합물로서는, 예를 들어 염화이리듐, 트리스(아세틸아세토네이트)이리듐(III), 클로로(시클로옥타디엔)이리듐(I) 이량체, 아세트산이리듐(III)을 들 수 있고, 이리듐 화합물의 수화물로서는, 예를 들어 염화이리듐ㆍ삼수화물을 들 수 있다.
공정 A1 및 공정 B1은 통상, 용매 중에서 행한다. 용매로서는, 예를 들어 메탄올, 에탄올, 프로판올, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 글리세린, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 2-(2-에톡시에톡시)에탄올, 2-(i-프로폭시)에탄올, 2-(n-부톡시)에탄올, 2-(t-부톡시)에탄올 등의 알코올계 용매; 디에틸에테르, 테트라히드로푸란, 디옥산, 시클로펜틸메틸에테르, 디글라임 등의 에테르계 용매; 염화메틸렌, 클로로포름 등의 할로겐계 용매; 아세토니트릴, 벤조니트릴 등의 니트릴계 용매; 헥산, 데칼린, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌 등의 탄화수소계 용매; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드 등의 아미드계 용매; 아세톤, 디메틸술폭시드, 물을 들 수 있다.
공정 A1 및 공정 B1에 있어서, 반응 시간은 통상 30분 내지 150시간이고, 반응 온도는 통상 반응계에 존재하는 용매의 융점으로부터 비점의 사이이다.
공정 A1에 있어서, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물의 양은 이리듐 화합물 또는 그의 수화물 1몰에 대해, 통상 2 내지 20몰이다.
공정 B1에 있어서, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물 또는 A1-G1-A2로 표현되는 배위자의 전구체의 양은 식 (M1-2)로 표현되는 금속 착체 1몰에 대해, 통상 1 내지 100몰이다.
공정 B1에 있어서, 반응은 트리플루오로메탄술폰산 은 등의 은 화합물의 존재 하에서 행하는 것이 바람직하다. 은 화합물을 사용하는 경우, 그 양은 식 (M1-2)로 표현되는 금속 착체 1몰에 대해, 통상 2 내지 20몰이다.
환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는 경우, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 식 (M1-3)으로 표현되는 화합물과, 식 (M1-4)로 표현되는 화합물을, Suzuki(스즈키) 반응, Kumada(구마다) 반응, Stille(스틸) 반응 등의 커플링 반응시키는 공정에 의해 합성할 수 있다.
[식 중,
X1, X4 내지 X8, R1, R4 내지 R8, Xa 및 Xb는 상기와 동일한 의미를 나타냄.
환 B는, W11로 표현되는 기를 치환기로서 갖는 방향족 복소환을 나타내고, 이 방향족 복소환은 W11로 표현되는 기 이외의 치환기를 갖고 있어도 됨. W11은 -B(ORW1)2로 표현되는 기, 알킬술포닐옥시기, 시클로알킬술포닐옥시기, 아릴술포닐옥시기, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.
Z1은 상기 식 (D-A) 또는 (D-B)로 표현되는 기를 나타냄.
W1은 -B(ORW1)2로 표현되는 기, 알킬술포닐옥시기, 시클로알킬술포닐옥시기, 아릴술포닐옥시기, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.
RW1은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 아미노기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 존재하는 RW1은 동일해도 되고 상이해도 되고, 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환 구조를 형성하고 있어도 됨.]
-B(ORW1)2로 표현되는 기로서는, 예를 들어 하기 식 (W-1) 내지 (W-10)으로 표현되는 기를 들 수 있다.
W1로 표현되는 알킬술포닐옥시기로서는, 예를 들어 메탄술포닐옥시기, 에탄술포닐옥시기, 트리플루오로메탄술포닐옥시기를 들 수 있다.
W1로 표현되는 아릴술포닐옥시기로서는, 예를 들어 p-톨루엔술포닐옥시기를 들 수 있다.
W1로서는, 식 (M1-3)으로 표현되는 화합물과 식 (M1-4)로 표현되는 화합물의 커플링 반응이 용이하게 진행되므로, -B(ORW1)2로 표현되는 기, 트리플루오로메탄술포닐옥시기, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자가 바람직하고, 이들 중에서도, 식 (M1-4)로 표현되는 화합물의 합성이 용이하므로, 염소 원자, 브롬 원자 또는 식 (W-7)로 표현되는 기가 보다 바람직하다.
W11로 표현되는 알킬술포닐옥시기, 시클로알킬술포닐옥시기 및 아릴술포닐옥시기는 각각, W1로 표현되는 알킬술포닐옥시기, 시클로알킬술포닐옥시기 및 아릴술포닐옥시기와 동일한 의미를 나타낸다.
W11로서는, 브롬 원자, 요오드 원자 또는 식 (W-7)로 표현되는 기가 바람직하다.
Z1로서는, 식 (D-A)로 표현되는 기가 바람직하고, 식 (D-A1) 내지 식 (D-A3)으로 표현되는 기가 보다 바람직하다.
식 (M1-3)으로 표현되는 화합물과 식 (M1-4)로 표현되는 화합물의 커플링 반응은 통상 용매 중에서 행한다. 사용되는 용매, 반응 시간 및 반응 온도는 공정 A1 및 공정 B1에 대해 설명한 것과 동일하다.
식 (M1-3)으로 표현되는 화합물과 식 (M1-4)로 표현되는 화합물의 커플링 반응에 있어서, 식 (M1-4)로 표현되는 화합물의 양은 식 (M1-3)으로 표현되는 화합물 1몰에 대해, 통상 0.05 내지 20몰이다.
식 (M1-4)로 표현되는 화합물로서는, 예를 들어 Z1이 식 (D-A1) 내지 (D-A3)으로 표현되는 기이고, 또한 W1이 -B(ORW1)2로 표현되는 기, 트리플루오로메탄술포닐옥시기, 브롬 원자 또는 요오드 원자인 화합물을 들 수 있다.
식 (M1-4)로 표현되는 화합물의 실시 형태의 하나인 식 (M1-4-1)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 하기의 방법으로 합성할 수 있다.
[식 중,
Rp1 및 np1은 상기와 동일한 의미를 나타냄.
W2는 -B(ORW1)2로 표현되는 기, 알킬술포닐옥시기, 시클로알킬술포닐옥시기, 아릴술포닐옥시기, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.]
식 (M1-4-1)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 식 (M1-4-1a)로 표현되는 화합물과, 식 (M1-4-1b)로 표현되는 화합물을 커플링 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 이 커플링 반응은, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물에 대해 설명한 것과 동일하다.
식 (M1-4)로 표현되는 화합물의 실시 형태의 하나인 식 (M1-4-2)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 하기의 방법으로 합성할 수 있다.
[식 중, Rp1, np1 및 W2는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
식 (M1-4-2c)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 식 (M1-4-2a)로 표현되는 화합물과 식 (M1-4-2b)로 표현되는 화합물을 커플링 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 이 커플링 반응은, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물이며, 환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는 화합물에 대해 설명한 것과 동일하다.
식 (M1-4-2)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 식 (M1-4-2c)로 표현되는 화합물과, 식 (M1-4-2d)로 표현되는 화합물을, 이시야마-미야우라-Hartwig(하르트비히) 반응시킴으로써 합성할 수 있다.
식 (M1-3)으로 표현되는 화합물은, 예를 들어 식 (M1-5)로 표현되는 화합물과 식 (M1-6)으로 표현되는 화합물을 커플링 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 이 커플링 반응은, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물이며, 환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는 화합물에 대해 설명한 것과 동일하다.
[식 중,
X1, X4 내지 X8, R1, R4 내지 R8, Xa, Xb, 환 B 및 W11은 상기와 동일한 의미를 나타냄.
W3 및 W4는 각각 독립적으로, -B(ORW1)2로 표현되는 기, 알킬술포닐옥시기, 시클로알킬술포닐옥시기, 아릴술포닐옥시기, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. RW1은 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖지 않는 경우, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 식 (M1-5)로 표현되는 화합물과 식 (M1-7)로 표현되는 화합물을 커플링 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 이 커플링 반응은, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물이며, 환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는 화합물에 대해 설명한 것과 동일하다.
[식 중,
X1, X4 내지 X8, R1, R4 내지 R8, Xa, Xb, W3 및 W4는 상기와 동일한 의미를 나타냄.
환 C는, 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖지 않는 방향족 복소환을 나타내고, 이 방향족 복소환은 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기 이외의 치환기를 갖고 있어도 됨.]
[제조 방법 2]
본 발명의 금속 착체인 식 (1)로 표현되는 금속 착체는, 예를 들어 금속 착체의 전구체와 금속 착체의 배위자의 전구체를 반응시키는 방법에 의해서도 제조할 수 있다.
식 (1)로 표현되는 금속 착체의 실시 형태의 하나인 식 (1')으로 표현되는 금속 착체는, 예를 들어 상기 식 (M1-4)로 표현되는 화합물과 식 (M1-8)로 표현되는 금속 착체(식 (M1-8)로 표현되는 금속 착체는 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 실시 형태의 하나임)를 커플링 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 이 커플링 반응은, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물이며, 환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는 화합물에 대해 설명한 것과 동일하다.
[식 중, n1, n2, X1, X4 내지 X8, R1, R4 내지 R8, Xa, Xb, 환 B, A1-G1-A2, Z1 및 W1은 상기와 동일한 의미를 나타냄. 환 B가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.]
식 (M1-8)로 표현되는 금속 착체는, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 공정 A1 및 공정 B1에 있어서, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물 대신에, 상기 식 (M1-3)으로 표현되는 화합물을 사용함으로써 합성할 수 있다.
<식 (2)로 표현되는 금속 착체의 제조 방법>
[제조 방법 3]
본 발명의 금속 착체인 식 (2)로 표현되는 금속 착체는, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]과 동일한 방법에 의해 제조할 수 있다.
구체적으로는, 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 식 (M1-1)로 표현되는 화합물 대신에, 식 (M2-1)로 표현되는 화합물을 사용함으로써, 식 (M2-2)로 표현되는 금속 착체를 합성하는 공정 A2 및,
식 (M2-2)로 표현되는 금속 착체와, 식 (M2-1)로 표현되는 화합물 또는 A1-G1-A2로 표현되는 배위자의 전구체를 반응시키는 공정 B2를 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 공정 A2 및 공정 B2는 각각, 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 공정 A1 및 공정 B1과 동일한 방법으로 실시할 수 있다.
[식 중, X3 내지 X8, R3 내지 R8, Xa, Xb 및 환 A는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는 경우, 식 (M2-1)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 식 (M1-3)으로 표현되는 화합물 대신에, 식 (M2-3)으로 표현되는 화합물을 사용함으로써 합성할 수 있다.
[식 중, X3 내지 X8, R3 내지 R8, Xa, Xb, 환 B, Z1 및 W1은 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
식 (M2-3)으로 표현되는 화합물은, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 식 (M1-5)로 표현되는 화합물 대신에, 식 (M2-5)로 표현되는 화합물을 사용함으로써 합성할 수 있다.
[식 중, X3 내지 X8, R3 내지 R8, Xa, Xb, W3, W4 및 환 B는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖지 않는 경우, 식 (M2-1)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 식 (M2-5)로 표현되는 화합물과 식 (M1-7)로 표현되는 화합물을 커플링 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 이 커플링 반응은, 식 (M1-1)이며, 환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는 화합물로 표현되는 화합물에 대해 설명한 것과 동일하다.
[식 중, X3 내지 X8, R3 내지 R8, Xa, Xb, W3, W4 및 환 C는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
[제조 방법 4]
식 (2)로 표현되는 금속 착체의 실시 형태의 하나인 식 (2')으로 표현되는 금속 착체는, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 2]와 동일한 방법에 의해 제조할 수 있다.
구체적으로는, 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 2]에 있어서의 식 (M1-8)로 표현되는 금속 착체 대신에, 식 (M2-8)로 표현되는 금속 착체(식 (M2-8)로 표현되는 금속 착체는 식 (2)로 표현되는 금속 착체의 실시 형태의 하나임)를 사용함으로써 제조할 수 있다. 이 반응은 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 2]에 있어서의 반응과 동일한 방법으로 실시할 수 있다.
[식 중, n1, n2, X3 내지 X8, R3 내지 R8, Xa, Xb, 환 B, A1-G1-A2, Z1 및 W1은 상기와 동일한 의미를 나타냄. 환 B가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.]
식 (M2-8)로 표현되는 금속 착체는, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 공정 A1 및 공정 B1에 있어서, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물 대신에, 상기 식 (M2-3)으로 표현되는 화합물을 사용함으로써 합성할 수 있다.
<식 (3)으로 표현되는 금속 착체의 제조 방법>
[제조 방법 5]
본 발명의 금속 착체인 식 (3)으로 표현되는 금속 착체는, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]과 동일한 방법에 의해 제조할 수 있다.
구체적으로는, 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 식 (M1-1)로 표현되는 화합물 대신에, 식 (M3-1)로 표현되는 화합물을 사용함으로써, 식 (M3-2)로 표현되는 금속 착체를 합성하는 공정 A3 및,
식 (M3-2)로 표현되는 금속 착체와, 식 (M3-1)로 표현되는 화합물 또는 A1-G1-A2로 표현되는 배위자의 전구체를 반응시키는 공정 B3을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 공정 A3 및 공정 B3은 각각, 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 공정 A1 및 공정 B1과 동일한 방법으로 실시할 수 있다.
[식 중, X1, X2, X5 내지 X8, R1, R2, R5 내지 R8, Xa, Xb 및 환 A는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는 경우, 식 (M3-1)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 식 (M1-3)으로 표현되는 화합물 대신에, 식 (M3-3)으로 표현되는 화합물을 사용함으로써 합성할 수 있다.
[식 중, X1, X2, X5 내지 X8, R1, R2, R5 내지 R8, Xa, Xb, 환 B, Z1 및 W1은 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
식 (M3-3)으로 표현되는 화합물은, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 식 (M1-5)로 표현되는 화합물 대신에, 식 (M3-5)로 표현되는 화합물을 사용함으로써 합성할 수 있다.
[식 중, X1, X2, X5 내지 X8, R1, R2, R5 내지 R8, Xa, Xb, W3, W4 및 환 B는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖지 않는 경우, 식 (M3-1)로 표현되는 화합물은, 예를 들어 식 (M3-5)로 표현되는 화합물과 식 (M1-7)로 표현되는 화합물을 커플링 반응시킴으로써 제조할 수 있다. 이 커플링 반응은, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물이며, 환 A가 상기 식 (D-A) 또는 식 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는 화합물에 대해 설명한 것과 동일하다.
[식 중, X1, X2, X5 내지 X8, R1, R2, R5 내지 R8, Xa, Xb, W3, W4 및 환 C는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
[제조 방법 6]
식 (3)으로 표현되는 금속 착체의 실시 형태의 하나인 식 (3')으로 표현되는 금속 착체는, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 2]와 동일한 방법에 의해 제조할 수 있다.
구체적으로는, 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 2]에 있어서의 식 (M1-8)로 표현되는 금속 착체 대신에, 식 (M3-8)로 표현되는 금속 착체(식 (M3-8)로 표현되는 금속 착체는 식 (3)으로 표현되는 금속 착체의 실시 형태의 하나임)를 사용함으로써 제조할 수 있다. 이 반응은 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 2]에 있어서의 반응과 동일한 방법으로 실시할 수 있다.
[식 중, n1, n2, X1, X2, X5 내지 X8, R1, R2, R5 내지 R8, Xa, Xb, 환 B, A1-G1-A2, Z1 및 W1은 상기와 동일한 의미를 나타냄. 환 B가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.]
식 (M3-8)로 표현되는 금속 착체는, 예를 들어 상기의 식 (1)로 표현되는 금속 착체의 [제조 방법 1]에 있어서의 공정 A1 및 공정 B1에 있어서, 식 (M1-1)로 표현되는 화합물 대신에, 상기 식 (M3-3)으로 표현되는 화합물을 사용함으로써 합성할 수 있다.
[제조 방법 1 내지 6에 있어서의 커플링 반응]
커플링 반응에 있어서, 반응을 촉진하기 위해, 팔라듐 촉매 등의 촉매를 사용해도 된다. 팔라듐 촉매로서는, 예를 들어 아세트산팔라듐, 비스(트리페닐포스핀)팔라듐(II)디클로라이드, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(II), 트리스(디벤질리덴아세톤)디팔라듐(0)을 들 수 있다.
팔라듐 촉매는 트리페닐포스핀, 트리(o-톨릴)포스핀, 트리(tert-부틸)포스핀, 트리시클로헥실포스핀, 1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센 등의 인 화합물과 병용해도 된다.
커플링 반응에 있어서 팔라듐 촉매를 사용하는 경우, 그 양은 식 (M1-3), 식 (M1-4), 식 (M1-4-1a), 식 (M1-4-1b), 식 (M1-4-2a), 식 (M1-4-2b), 식 (M1-5), 식 (M1-6), 식 (M1-7), 식 (M1-8), 식 (M2-3), 식 (M2-5), 식 (M2-8), 식 (M3-3), 식 (M3-5) 또는 식 (M3-8)로 표현되는 화합물 1몰에 대해, 통상 유효량이고, 바람직하게는 팔라듐 원소 환산으로, 0.00001 내지 10몰이다.
커플링 반응에 있어서, 필요에 따라 염기를 병용해도 된다.
<금속 착체의 제조 방법>에서 설명한 각 반응에 있어서 사용되는 화합물, 촉매 및 용매는 각각, 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
<조성물>
본 발명의 조성물은, 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 발광 재료(본 발명의 금속 착체와는 상이함), 산화 방지제 및 용매로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료와, 본 발명의 금속 착체를 함유한다.
본 발명의 조성물에 있어서, 본 발명의 금속 착체는 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상 함유되어 있어도 된다.
[호스트 재료]
본 발명의 금속 착체는, 정공 주입성, 정공 수송성, 전자 주입성 및 전자 수송성에서 선택되는 적어도 하나의 기능을 갖는 호스트 재료와의 조성물로 함으로써, 본 발명의 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자의 외부 양자 효율이 보다 우수한 것이 된다. 본 발명의 조성물에 있어서, 호스트 재료는 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상 함유되어 있어도 된다.
본 발명의 금속 착체와, 호스트 재료를 함유하는 조성물에 있어서, 본 발명의 금속 착체의 함유량은 본 발명의 금속 착체와 호스트 재료의 합계를 100중량부로 한 경우, 통상 0.01 내지 80중량부이고, 바람직하게는 0.05 내지 50중량부이고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 40중량부이고, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 35중량부이고, 특히 바람직하게는 1 내지 20중량부이다.
호스트 재료가 갖는 최저 여기 삼중항 상태 (T1)은 본 발명의 조성물을 사용하여 얻어지는 발광 소자의 외부 양자 효율이 보다 우수하므로, 본 발명의 금속 착체가 갖는 최저 여기 삼중항 상태 (T1)과 동등한 에너지 준위, 또는 보다 높은 에너지 준위인 것이 바람직하다.
호스트 재료로서는, 본 발명의 조성물을 사용하여 얻어지는 발광 소자를 용액 도포 프로세스로 제작하는 관점에서, 본 발명의 금속 착체를 용해하는 것이 가능한 용매에 대해 용해성을 나타내는 것이 바람직하다.
호스트 재료는 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다.
호스트 재료에 사용되는 저분자 화합물로서는, 예를 들어 카르바졸 구조를 갖는 화합물, 트릴아릴아민 구조를 갖는 화합물, 페난트롤린 구조를 갖는 화합물, 트리아릴트리아진 구조를 갖는 화합물, 아졸 구조를 갖는 화합물, 벤조티오펜 구조를 갖는 화합물, 벤조푸란 구조를 갖는 화합물, 플루오렌 구조를 갖는 화합물, 스피로플루오렌 구조를 갖는 화합물을 들 수 있다. 호스트 재료에 사용되는 저분자 화합물의 구체예로서는, 하기에서 표현되는 화합물을 들 수 있다.
호스트 재료에 사용되는 고분자 화합물로서는, 예를 들어 후술하는 정공 수송 재료인 고분자 화합물, 후술하는 전자 수송 재료인 고분자 화합물을 들 수 있다.
[고분자 호스트]
호스트 화합물로서 바람직한 고분자 화합물(이하, 「고분자 호스트」라고도 함)에 관하여 설명한다.
고분자 호스트로서는, 식 (Y)로 표현되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다.
ArY1로 표현되는 아릴렌기로서는, 보다 바람직하게는 식 (A-1), 식 (A-2), 식 (A-6) 내지 식 (A-10), 식 (A-19) 또는 식 (A-20)으로 표현되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (A-1), 식 (A-2), 식 (A-7), 식 (A-9) 또는 식 (A-19)로 표현되는 기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArY1로 표현되는 2가의 복소환기로서는, 보다 바람직하게는 식 (AA-1) 내지 식 (AA-4), 식 (AA-10) 내지 식 (AA-15), 식 (AA-18) 내지 식 (AA-21), 식 (A-33) 또는 식 (A-34)로 표현되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (AA-4), 식 (AA-10), 식 (AA-12), 식 (AA-14) 또는 식 (AA-33)으로 표현되는 기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArY1로 표현되는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기에 있어서의, 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위는 각각, 전술한 ArY1로 표현되는 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위와 마찬가지이다.
「적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기」로서는, 예를 들어 하기 식으로 표현되는 기를 들 수 있고, 이들은 치환기를 갖고 있어도 된다.
[식 중, RXX는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.]
RXX는 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArY1로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기로서는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (Y-1) 내지 (Y-10)으로 표현되는 구성 단위를 들 수 있고, 고분자 호스트와 본 발명의 금속 착체와의 조성물을 사용한 발광 소자의 휘도 수명의 관점에서는, 바람직하게는 식 (Y-1), (Y-2) 또는 (Y-3)으로 표현되는 구성 단위이고, 전자 수송성의 관점에서는, 바람직하게는 식 (Y-4) 내지 (Y-7)로 표현되는 구성 단위이고, 정공 수송성의 관점에서는, 바람직하게는 식 (Y-8) 내지 (Y-10)으로 표현되는 구성 단위이다.
[식 중, RY1은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 존재하는 RY1은 동일해도 되고 상이해도 되고, 인접하는 RY1끼리는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨.]
RY1은 바람직하게는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (Y-1)로 표현되는 구성 단위는 바람직하게는 식 (Y-1')으로 표현되는 구성 단위이다.
[식 중, RY11은 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 존재하는 RY11은 동일해도 되고 상이해도 됨.]
RY11은 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이고, 보다 바람직하게는 알킬기 또는 시클로알킬기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
[식 중, RY1은 상기와 동일한 의미를 나타냄. XY1은 -C(RY2)2-, -C(RY2)=C(RY2)- 또는 -C(RY2)2-C(RY2)2-로 표현되는 기를 나타냄. RY2는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 존재하는 RY2는 동일해도 되고 상이해도 되고, RY2끼리는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨.]
RY2는 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
XY1에 있어서, -C(RY2)2-로 표현되는 기 중의 2개의 RY2의 조합은 바람직하게는 양쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기, 양쪽이 아릴기, 양쪽이 1가의 복소환기, 또는 한쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기이고 다른 쪽이 아릴기 혹은 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 한쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기이고 다른 쪽이 아릴기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 2개 존재하는 RY2는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 되고, RY2가 환을 형성하는 경우, -C(RY2)2-로 표현되는 기로서는, 바람직하게는 식 (Y-A1) 내지 (Y-A5)로 표현되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (Y-A4)로 표현되는 기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
XY1에 있어서, -C(RY2)=C(RY2)-로 표현되는 기 중의 2개의 RY2의 조합은 바람직하게는 양쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기, 또는 한쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기이고 다른 쪽이 아릴기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
XY1에 있어서, -C(RY2)2-C(RY2)2-로 표현되는 기 중의 4개의 RY2는 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기 또는 시클로알킬기이다. 복수 있는 RY2는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 되고, RY2가 환을 형성하는 경우, -C(RY2)2-C(RY2)2-로 표현되는 기는 바람직하게는 식 (Y-B1) 내지 (Y-B5)로 표현되는 기이고, 보다 바람직하게는 식 (Y-B3)으로 표현되는 기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
[식 중, RY2는 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
식 (Y-2)로 표현되는 구성 단위는 바람직하게는 식 (Y-2')으로 표현되는 구성 단위이다.
[식 중, RY1 및 XY1은 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
[식 중, RY1 및 XY1은 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
식 (Y-3)으로 표현되는 구성 단위는 식 (Y-3')으로 표현되는 구성 단위인 것이 바람직하다.
[식 중, RY11 및 XY1은 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
[식 중, RY1은 상기와 동일한 의미를 나타냄. RY3은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.]
RY3은 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 아릴기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (Y-4)로 표현되는 구성 단위는 바람직하게는 식 (Y-4')으로 표현되는 구성 단위이다. 식 (Y-6)으로 표현되는 구성 단위는 바람직하게는 식 (Y-6')으로 표현되는 구성 단위이다.
[식 중, RY1 및 RY3은 상기와 동일한 의미를 나타냄.]
[식 중, RY1은 상기와 동일한 의미를 나타냄. RY4는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.]
RY4는 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 아릴기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (Y-101) 내지 (Y-121)로 표현되는 아릴렌기를 포함하는 구성 단위, 식 (Y-201) 내지 (Y-206)으로 표현되는 2가의 복소환기를 포함하는 구성 단위, 식 (Y-301) 내지 (Y-304)로 표현되는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기를 포함하는 구성 단위를 들 수 있다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위이며, ArY1이 아릴렌기인 구성 단위는 고분자 호스트와 본 발명의 금속 착체와의 조성물을 사용한 발광 소자의 휘도 수명이 우수하므로, 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대해, 바람직하게는 0.5 내지 100몰%이고, 보다 바람직하게는 60 내지 95몰%이다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위이고, ArY1이 2가의 복소환기, 또는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기인 구성 단위는 고분자 호스트와 본 발명의 금속 착체와의 조성물을 사용한 발광 소자의 전하 수송성이 우수하므로, 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대해, 바람직하게는 0.5 내지 30몰%이고, 보다 바람직하게는 3 내지 20몰%이다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위는 고분자 호스트 중에, 1종만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
고분자 호스트는 정공 수송성이 우수하므로, 하기 식 (X)로 표현되는 구성 단위를 더 포함하는 것이 바람직하다.
[식 중, aX1 및 aX2는 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타냄. ArX1 및 ArX3은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. ArX2 및 ArX4는 각각 독립적으로, 아릴렌기, 2가의 복소환기, 또는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. RX1, RX2 및 RX3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.]
aX1은 고분자 호스트와 본 발명의 금속 착체와의 조성물을 사용한 발광 소자의 휘도 수명이 우수하므로, 바람직하게는 2 이하이고, 보다 바람직하게는 1이다.
aX2는 고분자 호스트와 본 발명의 금속 착체와의 조성물을 사용한 발광 소자의 휘도 수명이 우수하므로, 바람직하게는 2 이하이고, 보다 바람직하게는 0이다.
RX1, RX2 및 RX3은 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 보다 바람직하게는 아릴기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX1 및 ArX3으로 표현되는 아릴렌기로서는, 보다 바람직하게는 식 (A-1) 또는 식 (A-9)로 표현되는 기이고, 더욱 바람직하게는 식 (A-1)로 표현되는 기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX1 및 ArX3으로 표현되는 2가의 복소환기로서는, 보다 바람직하게는 식 (AA-1), 식 (AA-2) 또는 식 (AA-7) 내지 식 (AA-26)으로 표현되는 기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX1 및 ArX3은 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴렌기이다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 아릴렌기로서는, 보다 바람직하게는 식 (A-1), 식 (A-6), 식 (A-7), 식 (A-9) 내지 식 (A-11) 또는 식 (A-19)로 표현되는 기이고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위는 ArX1 및 ArX3으로 표현되는 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위와 동일하다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기에 있어서의, 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위는 각각, ArX1 및 ArX3으로 표현되는 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위와 마찬가지이다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기로서는, 식 (Y)의 ArY1로 표현되는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기와 동일한 것을 들 수 있다.
ArX2 및 ArX4는 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴렌기이다.
ArX1 내지 ArX4 및 RX1 내지 RX3으로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기로서는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이고, 이들 기는 추가로 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (X)로 표현되는 구성 단위로서는, 바람직하게는 식 (X-1) 내지 (X-7)로 표현되는 구성 단위이고, 보다 바람직하게는 식 (X-1) 내지 (X-6)으로 표현되는 구성 단위이고, 더욱 바람직하게는 식 (X-3) 내지 (X-6)으로 표현되는 구성 단위이다.
[식 중, RX4 및 RX5는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 할로겐 원자, 1가의 복소환기 또는 시아노기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 존재하는 RX4는 동일해도 되고 상이해도 됨. 복수 존재하는 RX5는 동일해도 되고 상이해도 되고, 인접하는 RX5끼리는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨.]
식 (X)로 표현되는 구성 단위는 정공 수송성이 우수하므로, 고분자 호스트에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대해, 바람직하게는 0.1 내지 50몰%이고, 보다 바람직하게는 1 내지 40몰%이고, 더욱 바람직하게는 2 내지 30몰%이다.
식 (X)로 표현되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (X1-1) 내지 (X1-11)로 표현되는 구성 단위를 들 수 있고, 바람직하게는 식 (X1-3) 내지 (X1-10)으로 표현되는 구성 단위이다.
고분자 호스트에 있어서, 식 (X)로 표현되는 구성 단위는 1종만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
고분자 호스트로서는, 예를 들어 하기 표 1의 고분자 화합물 P-1 내지 P-7을 들 수 있다.
[표 중, p, q, r, s 및 t는 각 구성 단위의 몰 비율을 나타냄. p+q+r+s+t=100이고, 또한 100≥p+q+r+s≥70임. 기타의 구성 단위란, 식 (Y)로 표현되는 구성 단위, 식 (X)로 표현되는 구성 단위 이외의 구성 단위를 의미함.]
고분자 호스트는 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 되고, 기타의 형태여도 되지만, 상기 관점에서, 복수종의 원료 단량체를 공중합하여 이루어지는 공중합체인 것이 바람직하다.
<고분자 호스트의 제조 방법>
고분자 호스트는 케미컬 리뷰(Chem. Rev.), 제109권, 897-1091페이지(2009년) 등에 기재된 공지의 중합 방법을 사용하여 제조할 수 있고, Suzuki 반응, Yamamoto(야마모토) 반응, Buchwald(부흐발트) 반응, Stille 반응, Negishi(네기시) 반응 및 Kumada 반응 등의 전이 금속 촉매를 사용하는 커플링 반응에 의해 중합시키는 방법이 예시된다.
상기 중합 방법에 있어서, 단량체를 투입하는 방법으로서는, 단량체 전량을 반응계에 일괄하여 투입하는 방법, 단량체의 일부를 투입하여 반응시킨 후, 나머지의 단량체를 일괄, 연속 또는 분할하여 투입하는 방법, 단량체를 연속 또는 분할하여 투입하는 방법 등을 들 수 있다.
전이 금속 촉매로서는, 특별히 한정되지 않지만, 팔라듐 촉매, 니켈 촉매를 들 수 있다.
중합 반응의 후처리는 공지의 방법, 예를 들어 분액에 의해 수용성 불순물을 제거하는 방법, 메탄올 등의 저급 알코올에 중합 반응 후의 반응액을 가하고, 석출시킨 침전을 여과한 후, 건조시키는 방법 등을 단독 또는 조합하여 행한다. 고분자 호스트의 순도가 낮은 경우, 예를 들어 재결정, 재침전, 속슬렛 추출기에 의한 연속 추출, 칼럼 크로마토그래피 등의 통상의 방법으로 정제할 수 있다.
본 발명의 금속 착체 및 용매를 함유하는 조성물(이하, 「잉크」라고 하는 경우가 있음)은 잉크젯 프린트법, 노즐 프린트법 등의 인쇄법을 사용한 발광 소자의 제작에 적합하다.
잉크의 점도는 인쇄법의 종류에 따라 조정하면 되지만, 잉크젯 프린트법 등의 용액이 토출 장치를 경유하는 인쇄법에 적용하는 경우에는, 토출 시의 막힘과 비행 굴곡을 방지하기 위해, 바람직하게는 25℃에서 1 내지 20mPaㆍs이다.
잉크에 포함되는 용매는 해당 잉크 중의 고형분을 용해 또는 균일하게 분산할 수 있는 용매가 바람직하다. 용매로서는, 예를 들어 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산, 아니솔, 4-메틸아니솔 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 에틸벤젠, n-헥실벤젠, 시클로헥실벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸, n-도데칸, 비시클로헥실 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 아세토페논 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 벤조산메틸, 아세트산페닐 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올계 용매; 이소프로필알코올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매; N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매를 들 수 있다. 용매는 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
잉크에 있어서, 용매의 배합량은 본 발명의 금속 착체 100중량부에 대해, 통상 1000 내지 100000중량부이고, 바람직하게는 2000 내지 20000중량부이다.
[정공 수송 재료]
정공 수송 재료는 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류되며, 고분자 화합물이 바람직하고, 가교기를 갖는 고분자 화합물이 보다 바람직하다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리비닐카르바졸 및 그의 유도체; 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민 구조를 갖는 폴리아릴렌 및 그의 유도체를 들 수 있다. 고분자 화합물은 전자 수용성 부위가 결합된 화합물이어도 된다. 전자 수용성 부위로서는, 예를 들어 풀러렌, 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄, 테트라시아노에틸렌, 트리니트로플루오레논 등을 들 수 있고, 바람직하게는 풀러렌이다.
본 발명의 조성물에 있어서, 정공 수송 재료의 배합량은 본 발명의 금속 착체 100중량부에 대해, 통상 1 내지 400중량부이고, 바람직하게는 5 내지 150중량부이다.
정공 수송 재료는 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
[전자 수송 재료]
전자 수송 재료는 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다. 전자 수송 재료는 가교기를 갖고 있어도 된다.
저분자 화합물로서는, 예를 들어 8-히드록시퀴놀린을 배위자로 하는 금속 착체, 옥사디아졸, 안트라퀴노디메탄, 벤조퀴논, 나프토퀴논, 안트라퀴논, 테트라시아노안트라퀴노디메탄, 플루오레논, 디페닐디시아노에틸렌 및 디페노퀴논, 그리고 이들의 유도체를 들 수 있다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리페닐렌, 폴리플루오렌 및 이들의 유도체를 들 수 있다. 고분자 화합물은 금속으로 도프되어 있어도 된다.
본 발명의 조성물에 있어서, 전자 수송 재료의 배합량은 본 발명의 금속 착체 100중량부에 대해, 통상 1 내지 400중량부이고, 바람직하게는 5 내지 150중량부이다.
전자 수송 재료는 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
[정공 주입 재료 및 전자 주입 재료]
정공 주입 재료 및 전자 주입 재료는 각각, 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다. 정공 주입 재료 및 전자 주입 재료는 가교기를 갖고 있어도 된다.
저분자 화합물로서는, 예를 들어 구리 프탈로시아닌 등의 금속 프탈로시아닌; 카본; 몰리브덴, 텅스텐 등의 금속 산화물; 불화리튬, 불화나트륨, 불화세슘, 불화칼륨 등의 금속 불화물을 들 수 있다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리티에닐렌비닐렌, 폴리퀴놀린 및 폴리퀴녹살린, 그리고 이들의 유도체; 식 (X)로 표현되는 기를 주쇄 또는 측쇄에 포함하는 중합체 등의 도전성 고분자를 들 수 있다.
본 발명의 조성물에 있어서, 정공 주입 재료 및 전자 주입 재료의 배합량은 각각, 본 발명의 금속 착체 100중량부에 대해, 통상 1 내지 400중량부이고, 바람직하게는 5 내지 150중량부이다.
정공 주입 재료 및 전자 주입 재료는 각각, 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
[이온 도프]
정공 주입 재료 또는 전자 주입 재료가 도전성 고분자를 포함하는 경우, 도전성 고분자의 전기 전도도는 바람직하게는 1×10-5S/㎝ 내지 1×103S/㎝이다. 도전성 고분자의 전기 전도도를 이러한 범위로 하기 위해, 도전성 고분자에 적량의 이온을 도프할 수 있다.
도프하는 이온의 종류는 정공 주입 재료라면 음이온, 전자 주입 재료라면 양이온이다. 음이온으로서는, 예를 들어 폴리스티렌술폰산 이온, 알킬벤젠술폰산 이온, 캄포술폰산 이온을 들 수 있다. 양이온으로서는, 예를 들어 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온, 테트라부틸암모늄 이온을 들 수 있다.
도프하는 이온은 1종만이어도 되고 2종 이상이어도 된다.
[발광 재료]
발광 재료(본 발명의 금속 착체와는 상이함)는 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다. 발광 재료는 가교기를 갖고 있어도 된다.
저분자 화합물로서는, 예를 들어 나프탈렌 및 그의 유도체, 안트라센 및 그의 유도체, 페릴렌 및 그의 유도체, 그리고 이리듐, 백금 또는 유로퓸을 중심 금속으로 하는 삼중항 발광 착체를 들 수 있다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 페닐렌기, 나프탈렌디일기, 플루오렌디일기, 페난트렌디일기, 디히드로페난트렌디일기, 식 (X)로 표현되는 기, 카르바졸디일기, 페녹사진디일기, 페노티아진디일기, 안트라센디일기, 피렌디일기 등을 포함하는 고분자 화합물을 들 수 있다.
발광 재료는 저분자 화합물 및 고분자 화합물을 포함하고 있어도 되고, 바람직하게는 삼중항 발광 착체 및 고분자 화합물을 포함한다.
삼중항 발광 착체로서는, 예를 들어 이하에 나타내는 금속 착체를 들 수 있다.
본 발명의 조성물에 있어서, 발광 재료의 함유량은 본 발명의 금속 착체 100중량부에 대해, 통상 0.1 내지 400중량부이다.
[산화 방지제]
산화 방지제는 본 발명의 금속 착체와 동일한 용매에 가용이고, 발광 및 전하 수송을 저해하지 않는 화합물이면 되고, 예를 들어 페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제를 들 수 있다.
본 발명의 조성물에 있어서, 산화 방지제의 배합량은 본 발명의 금속 착체 100중량부에 대해, 통상 0.001 내지 10중량부이다.
산화 방지제는 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
<막>
막은 본 발명의 금속 착체를 함유한다.
막에는, 본 발명의 금속 착체를 가교에 의해 용매에 대해 불용화시킨, 불용화 막도 포함된다. 불용화 막은 본 발명의 금속 착체를 가열, 광조사 등의 외부 자극에 의해 가교시켜 얻어지는 막이다. 불용화 막은 용매에 실질적으로 불용이므로, 발광 소자의 적층화에 적합하게 사용할 수 있다.
막을 가교시키기 위한 가열 온도는 통상 25 내지 300℃이고, 외부 양자 효율이 양호해지므로, 바람직하게는 50 내지 250℃이고, 보다 바람직하게는 150 내지 200℃이다.
막을 가교시키기 위한 광조사에 사용되는 광의 종류는, 예를 들어 자외광, 근자외광, 가시광이다.
막은 발광 소자에 있어서의 정공 수송층, 정공 주입층 또는 발광층으로서 적합하고, 발광층으로서 보다 적합하다.
막은 잉크를 사용하여, 예를 들어 스핀 코트법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코트법, 그라비아 코트법, 바 코트법, 롤 코트법, 와이어 바 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 모세관-코트법, 노즐 코트법에 의해 제작할 수 있다.
막의 두께는 통상 1㎚ 내지 10㎛이다.
<발광 소자>
본 발명의 발광 소자는 본 발명의 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자이고, 본 발명의 금속 착체를 함유하는 발광 소자여도 되고, 본 발명의 금속 착체가 분자 내 또는 분자 사이에서 가교된 것(가교체)을 함유하는 발광 소자여도 되고, 본 발명의 금속 착체가 분자 내 및 분자 사이에서 가교된 것(가교체)을 함유하는 발광 소자여도 된다.
본 발명의 발광 소자의 구성으로서는, 예를 들어 양극 및 음극을 포함하는 전극과, 해당 전극 사이에 설치된 본 발명의 금속 착체를 사용하여 얻어지는 층을 갖는다.
[층 구성]
본 발명의 금속 착체를 사용하여 얻어지는 층은 통상, 발광층, 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 수송층, 전자 주입층의 1종 이상의 층이고, 바람직하게는 발광층이다. 이들 층은 각각, 발광 재료, 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료를 포함한다. 이들 층은 각각, 발광 재료, 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료를, 상술한 용매에 용해시켜, 잉크를 제조하여 사용하고, 상술한 막의 제작과 동일한 방법을 사용하여 형성할 수 있다.
발광 소자는 양극과 음극 사이에 발광층을 갖는다. 본 발명의 발광 소자는 정공 주입성 및 정공 수송성의 관점에서는, 양극과 발광층 사이에, 정공 주입층 및 정공 수송층의 적어도 1층을 갖는 것이 바람직하고, 전자 주입성 및 전자 수송성의 관점에서는 음극과 발광층 사이에, 전자 주입층 및 전자 수송층의 적어도 1층을 갖는 것이 바람직하다.
정공 수송층, 전자 수송층, 발광층, 정공 주입층 및 전자 주입층의 재료로서는, 본 발명의 금속 착체 외에, 각각, 상술한 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 발광 재료, 정공 주입 재료 및 전자 주입 재료를 들 수 있다.
정공 수송층의 재료, 전자 수송층의 재료 및 발광층의 재료는 발광 소자의 제작에 있어서, 각각, 정공 수송층, 전자 수송층 및 발광층에 인접하는 층의 형성 시에 사용되는 용매에 용해하는 경우, 해당 용매에 해당 재료가 용해되는 것을 회피하기 위해, 해당 재료가 가교기를 갖는 것이 바람직하다. 가교기를 갖는 재료를 사용하여 각 층을 형성한 후, 해당 가교기를 가교시킴으로써, 해당 층을 불용화시킬 수 있다.
본 발명의 발광 소자에 있어서, 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층, 정공 주입층, 전자 주입층 등의 각 층의 형성 방법으로서는, 저분자 화합물을 사용하는 경우, 예를 들어 분말로부터의 진공 증착법, 용액 또는 용융 상태로부터의 성막에 의한 방법을 들 수 있고, 고분자 화합물을 사용하는 경우, 예를 들어 용액 또는 용융 상태로부터의 성막에 의한 방법을 들 수 있다.
적층하는 층의 순서, 수 및 두께는 외부 양자 효율 및 소자 수명을 감안하여 조정하면 된다.
[기판/전극]
발광 소자에 있어서의 기판은 전극을 형성할 수 있고, 또한 유기층을 형성할 때에 화학적으로 변화하지 않는 기판이면 되고, 예를 들어 유리, 플라스틱, 실리콘 등의 재료를 포함하는 기판이다. 불투명한 기판의 경우에는, 기판으로부터 가장 멀리에 있는 전극이 투명 또는 반투명인 것이 바람직하다.
양극의 재료로서는, 예를 들어 도전성의 금속 산화물, 반투명의 금속을 들 수 있고, 바람직하게는 산화인듐, 산화아연, 산화주석; 인듐ㆍ주석ㆍ옥사이드(ITO), 인듐ㆍ아연ㆍ옥사이드 등의 도전성 화합물; 은과 팔라듐과 구리의 복합체(APC); NESA, 금, 백금, 은, 구리이다.
음극의 재료로서는, 예를 들어 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 아연, 인듐 등의 금속; 그들 중 2종 이상의 합금; 그들 중 1종 이상과, 은, 구리, 망간, 티타늄, 코발트, 니켈, 텅스텐, 주석 중 1종 이상의 합금; 그리고, 그래파이트 및 그래파이트 층간 화합물을 들 수 있다. 합금으로서는, 예를 들어 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 인듐-은 합금, 리튬-알루미늄 합금, 리튬-마그네슘 합금, 리튬-인듐 합금, 칼슘-알루미늄 합금을 들 수 있다.
양극 및 음극은 각각, 2층 이상의 적층 구조로 해도 된다.
[용도]
발광 소자를 사용하여 면상의 발광을 얻기 위해서는, 면상의 양극과 음극이 중첩되도록 배치하면 된다. 패턴상의 발광을 얻기 위해서는, 면상의 발광 소자 표면에 패턴상의 창을 형성한 마스크를 설치하는 방법, 비발광부로 하고 싶은 층을 극단적으로 두껍게 형성하여 실질적으로 비발광으로 하는 방법, 양극 혹은 음극, 또는 양쪽의 전극을 패턴상으로 형성하는 방법이 있다. 이들 중 어느 방법으로 패턴을 형성하고, 몇 가지의 전극을 독립적으로 ON/OFF할 수 있도록 배치함으로써, 숫자, 문자 등을 표시할 수 있는 세그먼트 타입의 표시 장치가 얻어진다. 도트 매트릭스 표시 장치로 하기 위해서는, 양극과 음극을 모두 스트라이프상으로 형성하고 직교하도록 배치하면 된다. 복수 종류의 발광색이 상이한 고분자 화합물을 구분 도포하는 방법, 컬러 필터 또는 형광 변환 필터를 사용하는 방법에 의해, 부분 컬러 표시, 멀티 컬러 표시가 가능해진다. 도트 매트릭스 표시 장치는 패시브 구동도 가능하고, TFT 등과 조합하여 액티브 구동도 가능하다. 이들 표시 장치는 컴퓨터, 텔레비전, 휴대 단말기 등의 디스플레이에 사용할 수 있다. 면상의 발광 소자는 액정 표시 장치의 백라이트용의 면상 광원, 또는 면상의 조명용 광원으로서 적합하게 사용할 수 있다. 플렉시블 기판을 사용하면, 곡면상의 광원 및 표시 장치로서도 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
LC-MS의 측정은 하기의 방법으로 행하였다.
측정 시료를 약 2㎎/mL의 농도가 되도록 클로로포름 또는 테트라히드로푸란에 용해시켜, LC-MS(애질런트 테크놀로지제, 상품명: 1100LCMSD)에 약 1μL 주입했다. LC-MS의 이동상에는 아세토니트릴 및 테트라히드로푸란의 비율을 변화시키면서 사용하여, 0.2mL/분의 유량으로 흘렸다. 칼럼은 L-column 2 ODS(3㎛)(화학 물질 평가 연구 기구제, 내경: 2.1㎜, 길이: 100㎜, 입경 3㎛)를 사용했다.
NMR의 측정은 하기의 방법으로 행하였다.
5 내지 10㎎의 측정 시료를 중클로로포름(CDCl3), 중테트라히드로푸란(THF-d8) 또는 중염화메틸렌(CD2Cl2)에 용해시켜, NMR 장치(바리안(Varian, Inc.)제, 상품명 MERCURY 300, 또는 브루커제, 상품명 AVANCE600)를 사용하여 측정했다.
화합물의 순도의 지표로서, 고속 액체 크로마토그래피(HPLC) 면적 백분율의 값을 사용했다. 이 값은 특별히 기재가 없는 한, 고속 액체 크로마토그래피(HPLC, 시마즈 세이사쿠쇼제, 상품명: LC-20A)에서의 254㎚에 있어서의 값으로 한다. 이때, 측정하는 화합물은 0.01 내지 0.2중량%의 농도가 되도록 테트라히드로푸란 또는 클로로포름에 용해시키고, HPLC에, 농도에 따라 1 내지 10μL 주입했다. HPLC의 이동상에는 아세토니트릴 및 테트라히드로푸란을 사용하여, 1mL/분의 유속으로, 아세토니트릴/테트라히드로푸란=100/0 내지 0/100(용적비)의 구배 분석으로 흘렸다. 칼럼은 Kaseisorb LC ODS 2000(도쿄 가세이 고교제) 또는 동등한 성능을 갖는 ODS 칼럼을 사용했다. 검출기에는 포토다이오드 어레이 검출기(시마즈 세이사쿠쇼제, 상품명: SPD-M20A)를 사용했다.
TLC-MS의 측정은 하기의 방법으로 행하였다.
측정 시료를 톨루엔, 테트라히드로푸란 또는 클로로포름 중 어느 용매에 임의의 농도로 용해시켜, DART용 TLC 플레이트(테크노 어플리케이션즈사제 YSK5-100) 위에 도포하고, TLC-MS(니혼 덴시(JEOL Ltd.)사제, 상품명 JMS-T100TD(The AccuTOF TLC))를 사용하여 측정했다. 측정 시의 헬륨 가스 온도는 200 내지 400℃의 범위에서 조절했다.
PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정은 하기의 방법으로 행하였다.
금속 착체를, 0.0008중량%의 농도가 되도록 크실렌에 용해시켰다. 얻어진 크실렌 용액을 한 변이 1㎝인 정사각형의 석영 셀에 넣은 후, 질소 가스로 버블링하여 산소를 탈기함으로써 측정 시료를 제작했다. 얻어진 측정 시료에 대해, 절대 PL 양자 수율 측정 장치(자동 제어 전동 모노크롬 광원 타입)(C9920-02G 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤제)를 사용하여, PLQY 및 발광 스펙트럼을 측정하고, 얻어진 발광 스펙트럼으로부터, 발광 스펙트럼의 반값 폭(이하, 「FWHM」이라고도 함)을 산출했다. 구체적으로는, FWHM은 금속 착체의 발광 스펙트럼에 있어서의 최대 피크의 발광 강도를 1.0으로 규격화했을 때, 규격화된 발광 강도가 0.5인 파장으로부터 산출한다. 규격화된 발광 강도가 0.5인 파장이 3개 이상 존재하는 경우, 가장 단파장인 파장과, 가장 장파장인 파장으로부터 산출한다. 또한, 여기 파장은 380㎚로 했다.
<합성예 1> 화합물 L1의 합성
(Stage 1: 화합물 L1b의 합성)
화합물 L1a는 국제 공개 제2012/086670호에 기재된 방법에 따라 합성했다.
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L1a(90g) 및 테트라히드로푸란(탈수품, 1.6L)을 가하고, 교반하면서 -68℃까지 냉각했다. 그 후, 거기에, n-부틸리튬의 n-헥산 용액(2.65mol/L, 90mL)을 적하하고, -68℃에서 30분간 교반했다. 그 후, 거기에, 이온 교환수 8mL를 적하하고, 교반하면서 2시간에 걸쳐 실온까지 승온시켰다. 그 후, 거기에, 톨루엔을 가하고, 얻어진 용액을 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 n-헥산/톨루엔=1/1(체적 기준)의 혼합 용매에 용해시켰다. 그 후, 거기에, 활성탄을 가하고, 65℃에서 1시간 교반했다. 얻어진 혼합물을 실리카겔을 사용하여 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 화합물 L1b를 포함하는 백색 고체(71.4g, 수율 98%)를 얻었다. 화합물 L1b의 HPLC 면적 백분율값은 87.8%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=339 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=7.86(dd, 1H), 7.79(d, 1H), 7.54(d, 1H), 7.41-7.20(m, 4H), 2.22-2.12(m, 4H), 2.01-1.90(m, 4H), 1.73-1.58(m, 2H), 1.52-1.39(m, 2H).
(Stage 2: 화합물 L1c의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L1b(71.4g), 비스(피나콜라토)디보론(80.2g), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II)디클로라이드 디클로로메탄 부가물(10.3g), 아세트산칼륨(62.0g) 및 1,2-디메톡시에탄(631mL)을 가하고, 80℃에서 4시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔(950mL)을 가하고, 셀라이트를 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축했다. 그 후, 거기에, 헥산/톨루엔=1:1(체적 기준)의 혼합 용매(630mL) 및 활성탄을 가하고, 70℃에서 1시간 교반했다. 얻어진 혼합물을 셀라이트를 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를, 톨루엔 및 아세토니트릴의 혼합 용매를 사용하여 정석함으로써, 백색 고체로서 화합물 L1c(52.1g, 수율 64%)를 얻었다. 얻어진 화합물 L1c의 HPLC 면적 백분율값은 98.1%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=387 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=7.94-7.88(m, 2H), 7.77(d, 1H), 7.59(dd, 1H), 7.39(dd, 1H), 7.28(dt, 1H), 7.21(dt, 1H), 2.24-2.12(m, 4H), 2.02-1.90(m, 4H), 1.72-1.57(m, 2H), 1.48-1.33(m, 14H).
(Stage 3: 화합물 L1d의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L1c(47.1g), 2,5-디브로모피리딘(30.6g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(2.82g), 톨루엔(731mL), 테트라히드로푸란(366mL), tert-부탄올(488mL), 이온 교환수(244mL) 및 40중량% 테트라부틸암모늄히드록시드 수용액(316g)을 가하고, 50℃에서 21시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔을 가하고, 얻어진 유기층을 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산마그네슘으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를, 톨루엔/클로로포름=1/2(체적 기준)의 혼합 용매에 용해시켜, 60℃에서 교반한 후, 실리카겔을 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를, 클로로포름 및 메탄올의 혼합 용매를 사용하여 정석함으로써, 백색 고체로서 화합물 L1d(44.1g, 수율 87%)를 얻었다. 얻어진 화합물 L1d의 HPLC 면적 백분율값은 97.8%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=416 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=8.72(dd, 1H), 8.03(d, 1H), 7.99(d, 1H), 7.93(dd, 1H), 7.88(dd, 1H), 7.81(dd, 1H), 7.68(dd, 1H), 7.40(dd, 1H), 7.29(dt, 1H), 7.23(dt, 1H), 2.28-2.14(m, 4H), 2.07-1.93(m, 4H), 1.74-1.62(m, 2H), 1.51-1.39(m, 2H).
(Stage 4: 화합물 L1e의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L1d(41.1g), 비스(피나콜라토)디보론(37.6g), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II)디클로라이드 디클로로메탄 부가물(4.8g), 아세트산칼륨(29.0g) 및 1,2-디메톡시에탄(296mL)을 가하고, 80℃에서 3.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔(593mL)을 가하고, 셀라이트를 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축했다. 그 후, 거기에, 헥산/톨루엔=1:2(체적 기준)의 혼합 용매 및 활성탄을 가하고, 70℃에서 2시간 교반했다. 얻어진 혼합물을 셀라이트를 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를, 톨루엔 및 아세토니트릴의 혼합 용매를 사용하여 정석함으로써, 백색 고체로서 화합물 L1e(32.6g, 수율 71%)를 얻었다. 얻어진 화합물 L1e의 HPLC 면적 백분율값은 99.5%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=464 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=8.94(dd, 1H), 8.10-8.07(m, 2H), 8.00(d, 1H), 7.94(dd, 1H), 7.89(dd, 1H), 7.73(dd, 1H), 7.40(dd, 1H), 7.32-7.20(m, 2H), 2.30-2.15(m, 4H), 2.09-1.94(m, 4H), 1.75-1.60(m, 2H), 1.51-1.39(m, 2H), 1.35(s, 12H).
(Stage 5: 화합물 L1의 합성)
화합물 L1f는 일본 특허 공개 제2008-179617호 공보에 기재된 방법에 따라 합성했다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L1e(19.6g), 화합물 L1f(19.28g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(980㎎), 톨루엔(233mL) 및 20중량% 테트라에틸암모늄히드록시드 수용액(124.6g)을 가하고, 70℃에서 3.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔을 가하고, 얻어진 용액을 이온 교환수로 세정한 후, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체에, n-헵탄/톨루엔=1:1(체적 기준)의 혼합 용매 및 활성탄을 가하고, 55℃에서 30분간 교반했다. 얻어진 혼합물을 셀라이트를 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를, 톨루엔 및 에탄올의 혼합 용매를 사용하여 정석한 후, 감압 건조함으로써, 화합물 L1(25.6g, 수율 89%)을 백색 고체로서 얻었다. 화합물 L1의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상을 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=681 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=10.01(d, 1H), 9.09(d, 1H), 8.71(d, 4H), 8.28(s, 1H), 8.10-7.98(m, 4H), 7.64(d, 4H), 7.44(dd, 1H), 7.36-7.24(m, 2H), 2.37-2.30(m, 2H), 2.27-2.19(m, 2H), 2.16-1.97(m, 4H), 1.79-1.63(m, 2H), 1.56-1.42(m, 20H).
<실시예 1> 금속 착체 M1의 합성
(Stage 1: 금속 착체 M1a의 합성)
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L1(11.33g) 및 2-에톡시에탄올(1085mL)을 가하고, 80℃까지 가열했다. 그 후, 거기에, 이온 교환수(362mL)에 용해시킨 염화이리듐(III) n수화물(2.55g)을 적하한 후, 105℃에서 19시간 교반했다. 얻어진 반응액을 가열하고, 반응액이 약 700mL가 될 때까지 용매를 증류 제거했다. 그 후, 거기에, 2-에톡시에탄올(380mL)을 가하고, 133℃에서 64시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 에탄올(1628mL)에 가하고, 1.5시간 교반했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 잔사를 디클로로메탄에 용해시킨 후, 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 50℃에서 밤새 감압 건조함으로써, 금속 착체 M1a를 포함하는 적색 고체(9.57g)를 얻었다. 이 조작을 반복해서 행함으로써, 금속 착체 M1a를 포함하는 적색 고체의 필요량을 얻었다.
(Stage 2: 금속 착체 M1의 합성)
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 금속 착체 M1a를 포함하는 적색 고체(11.48g), 트리플루오로메탄술폰산 은(2.23g), 디클로로메탄(36mL) 및 아세토니트릴(3.6mL)을 가하고, 3.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 알루미나 칼럼 크로마토그래피(아세토니트릴)로 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거함으로써 적색 고체(이하, 「적색 고체 M1b」라고 함)(10.54g)를 얻었다. 이 조작을 반복해서 행함으로써, 적색 고체 M1b의 필요량을 얻었다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 적색 고체 M1b(12.9g), 화합물 L1(9.85g), 2,6-루티딘(7.75g) 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르(109mL)를 가하고, 155℃에서 43시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 에탄올(326mL)에 가하고, 0℃에서 1.5시간 교반했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 고체를 디클로로메탄에 용해시킨 후, 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축하고, 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산 및 디클로로메탄의 혼합 용매)로 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 톨루엔에 용해시킨 후, 활성 백토를 가하고, 65℃에서 30분간 교반했다. 얻어진 혼합물을 셀라이트를 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 아세트산에틸로 세정한 후, 여과하고, 얻어진 고체를 50℃에서 밤새 감압 건조함으로써, 적색 고체로서 금속 착체 M1(5.3g)을 얻었다. 얻어진 금속 착체 M1의 HPLC 면적 백분율값은 99.4%를 나타냈다.
LC-MS(ESI positive): m/z=2270 [M+K]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=9.68(d, 3H), 9.20(dd, 3H), 8.43(d, 12H), 8.29(d, 3H), 7.95(s, 3H), 7.41-7.39(m, 15H), 7.28(d, 3H), 7.22(d, 3H), 7.06(t, 3H), 6.77(t, 3H), 2.32-2.11(m, 15H), 2.05-1.91(m, 9H), 1.84-1.57(m, 9H), 1.48-1.38(m, 3H), 1.20(s, 54H).
<합성예 2> 화합물 L2의 합성
(Stage 1: 화합물 L2b의 합성)
화합물 L1a는 국제 공보 제2012/086670호에 기재된 방법에 따라 합성했다.
반응 용기 내를 아르곤 가스 분위기로 한 후, 화합물 L1a(37g) 및 테트라히드로푸란(탈수품, 657mL)을 가하고, 교반하면서 -68℃까지 냉각했다. 그 후, 거기에, n-부틸리튬의 n-헥산 용액(1.58mol/L, 61mL)을 적하하고, -68℃에서 1시간 교반했다. 그 후, 거기에, 1-요오도부탄(33g)을 적하하고, 교반하면서 실온까지 승온시켰다. 그 후, 거기에, 톨루엔을 가하고, 얻어진 용액을 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체에 메탄올을 가한 후, 교반하고, 발생한 침전을 여과 취출함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산)로 정제하고, 감압 하에서 용매를 제거함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 50℃에서 밤새 감압 건조함으로써, 백색 고체로서 화합물 L2b(14.5g, 수율 41%)를 얻었다. 화합물 L2b의 HPLC 면적 백분율값은 97.4%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=395 [M+H]+
(Stage 2: 화합물 L2c의 합성)
반응 용기 내를 아르곤 가스 분위기로 한 후, 화합물 L2b(14.3g), 비스(피나콜라토)디보론(16.0g), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II)디클로라이드 디클로로메탄 부가물(1.03g), 아세트산칼륨(12.4g) 및 1,2-디메톡시에탄(105mL)을 가하고, 80℃에서 15시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔(160mL)을 가하고, 셀라이트를 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축했다. 그 후, 거기에, 헥산(105mL) 및 활성탄을 가하고, 65℃에서 1시간 교반했다. 얻어진 혼합물을 셀라이트를 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를, 톨루엔 및 아세토니트릴의 혼합 용매를 사용하여 정석함으로써, 백색 고체로서 화합물 L2c(12.5g, 수율 78%)를 얻었다. 얻어진 화합물 L2c의 HPLC 면적 백분율값은 97.1%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=442 [M]+
1H-NMR(CD2Cl2, 600㎒): δ (ppm)=7.85(d, 1H), 7.81(d, 1H), 7.74(d, 1H), 7.56(dd, 1H), 7.18(d, 1H), 7.04(dd, 1H), 2.60(t, 2H), 2.20-2.13(m, 4H), 1.98-1.92(m, 4H), 1.67-1.58(m, 4H), 1.44-1.34(m, 4H), 1.33(s, 12H), 0.94(t, 3H).
(Stage 3: 화합물 L2d의 합성)
반응 용기 내를 아르곤 가스 분위기로 한 후, 화합물 L2c(12.4g), 2,5-디브로모피리딘(8.0g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(650㎎), 톨루엔(167mL), 테트라히드로푸란(84mL), tert-부탄올(112mL), 이온 교환수(56mL) 및 40중량% 테트라부틸암모늄히드록시드 수용액(73g)을 가하고, 50℃에서 19시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔을 가하고, 얻어진 유기층을 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산마그네슘으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 톨루엔에 용해시켜, 실리카겔을 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 메탄올로 세정한 후, 여과 취출함으로써, 백색 고체로서 화합물 L2d(11.4g, 수율 86%)를 얻었다. 얻어진 화합물 L2d의 HPLC 면적 백분율값은 96.2%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=472 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 600㎒): δ (ppm)=8.71(d, 1H), 8.02(d, 1H), 7.95(d, 1H), 7.87(dd, 1H), 7.83(d, 1H), 7.79(dd, 1H), 7.68(d, 1H), 7.21(d, 1H), 7.06(dd, 1H), 2.62(t, 2H), 2.25-2.16(m, 4H), 2.04-1.95(m, 4H), 1.70-1.59(m, 4H), 1.47-1.35(m, 4H), 0.94(t, 3H).
(Stage 4: 화합물 L2e의 합성)
반응 용기 내를 아르곤 가스 분위기로 한 후, 화합물 L2d(11.3g), 비스(피나콜라토)디보론(9.1g), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II)디클로라이드 디클로로메탄 부가물(560㎎), 아세트산칼륨(7.1g) 및 1,2-디메톡시에탄(60mL)을 가하고, 80℃에서 3.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔(90mL)을 가하고, 셀라이트를 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축했다. 그 후, 거기에, 헥산 및 활성탄을 가하고, 70℃에서 2시간 교반했다. 얻어진 혼합물을 셀라이트를 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 무색 유상물로서 화합물 L2e(11.1g, 수율 89%)를 얻었다. 얻어진 화합물 L2e의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상을 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=520 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 600㎒): δ (ppm)=8.93(d, 1H), 8.08-8.07(m, 2H), 7.96(d, 1H), 7.87(dd, 1H), 7.84(d, 1H), 7.77(dd, 1H), 7.21(d, 1H), 7.06(dd, 1H), 2.62(t, 2H), 2.27-2.23(m, 2H), 2.20-2.16(m, 2H), 2.06-1.96(m, 4H), 1.70-1.59(m, 4H), 1.48-1.35(m, 16H), 0.94(t, 3H).
(Stage 5: 화합물 L2의 합성)
화합물 L1f는 일본 특허 공개 제2008-179617호 공보에 기재된 방법에 따라 합성했다.
차광한 반응 용기 내를 아르곤 가스 분위기로 한 후, 화합물 L2e(8.3g), 화합물 L1f(7.29g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(370㎎), 톨루엔(88mL) 및 20중량% 테트라에틸암모늄히드록시드 수용액(47g)을 가하고, 70℃에서 4시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔을 가하고, 얻어진 용액을 이온 교환수로 세정한 후, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산 및 톨루엔의 혼합 용매)로 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 50℃에서 밤새 감압 건조시킴으로써, 화합물 L2(8.2g, 수율 70%)를 박황녹색 고체로서 얻었다. 화합물 L2의 HPLC 면적 백분율값은 99.5%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=737 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=10.00(dd, 1H), 9.07(dd, 1H), 8.71(dt, 4H), 8.25(s, 1H), 8.06-7.99(m, 3H), 7.89(m, 1H), 7.64(dt, 4H), 7.24(dd, 1H), 7.10(dd, 1H), 2.65(t, 2H), 2.36-2.28(m, 2H), 2.26-2.18(m, 2H), 2.15-1.97(m, 4H), 1.79-1.60(m, 4H), 1.56-1.37(m, 22H), 0.97(t, 3H).
<실시예 2> 금속 착체 M2의 합성
(Stage 1: 금속 착체 M2a의 합성)
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L2(5.2g) 및 2-에톡시에탄올(473mL)을 가하고, 80℃까지 가열했다. 그 후, 거기에, 이온 교환수(158mL)에 용해시킨 염화이리듐(III) n수화물(1.11g)을 적하한 후, 105℃에서 8시간 교반했다. 얻어진 반응액을 가열하고, 반응액이 약 300mL가 될 때까지 용매를 증류 제거했다. 그 후, 거기에, 2-에톡시에탄올(150mL)을 가하고, 133℃에서 64시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 에탄올(630mL)에 가하고, 15분간 교반했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 잔사를 디클로로메탄에 용해시킨 후, 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 50℃에서 밤새 감압 건조함으로써, 금속 착체 M2a를 포함하는 적색 고체(4.4g)를 얻었다.
(Stage 2: 금속 착체 M2의 합성)
차광한 반응 용기 내를 아르곤 가스 분위기로 한 후, 금속 착체 M2a를 포함하는 적색 고체(4.1g), 트리플루오로메탄술폰산 은(740㎎), 디클로로메탄(12mL) 및 아세토니트릴(1.2mL)을 가하고, 4시간 교반했다. 얻어진 반응액을 알루미나 칼럼 크로마토그래피(아세토니트릴)로 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거함으로써 적색 고체(이하, 「적색 고체 M2b」라고 함)(3.9g)를 얻었다.
차광한 반응 용기 내를 아르곤 가스 분위기로 한 후, 적색 고체 M2b(1.3g), 화합물 L2(1.0g), 2,6-루티딘(750㎎) 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르(21mL)를 가하고, 155℃에서 43시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 에탄올(60mL)에 가하고, 0℃에서 1.5시간 교반했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 고체를 톨루엔에 용해시킨 후, 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축하고, 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔 및 헥산의 혼합 용매)로 정제하고, 50℃에서 밤새 감압 건조함으로써, 적색 고체로서 금속 착체 M2(630㎎)를 얻었다. 얻어진 금속 착체 M2의 HPLC 면적 백분율값은 98.2%를 나타냈다.
LC-MS(APCI positive): m/z=2400 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=9.67(d, 3H), 9.18(dd, 3H), 8.42(d, 12H), 8.26(d, 3H), 7.92(s, 3H), 7.40(d, 12H), 7.36(s, 3H), 7.13(d, 3H), 7.08(d, 3H), 6.60(dd, 3H), 2.48(t, 6H), 2.34-1.14(m, 102H), 0.87(t, 9H).
<비교예 1> 금속 착체 CM1의 합성
금속 착체 CM1은 일본 특허 공개 제2011-105701호 공보에 기재된 방법에 따라 합성했다.
<측정예 1> 금속 착체 M1의 PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정
금속 착체 M1의 크실렌 용액(0.0008중량%)을 사용하여, PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정을 행하였다. 628㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 45㎚이고, PLQY는 67%였다. 금속 착체 M1의 발광 스펙트럼을 도 1에 나타낸다.
<측정예 2> 금속 착체 M2의 PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정
금속 착체 M2의 크실렌 용액(0.0008중량%)을 사용하여, PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정을 행하였다. 633㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 44㎚이고, PLQY는 68%였다. 금속 착체 M2의 발광 스펙트럼을 도 1에 나타낸다.
<측정예 C1> 금속 착체 CM1의 PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정
금속 착체 CM1의 크실렌 용액(0.0008중량%)을 사용하여, PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정을 행하였다. 615㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 88㎚이고, PLQY는 53%였다. 금속 착체 CM1의 발광 스펙트럼을 도 1에 나타낸다.
이들의 결과로부터, 본 발명의 금속 착체 M1 및 금속 착체 M2는 금속 착체 CM1과 비교하여, 양자 수율 및 발광 스펙트럼의 FWHM이 우수한 것을 알 수 있다.
<합성예 3> 화합물 L3의 합성
(화합물 L3b의 합성)
화합물 L3a는 국제 공개 제2012/086671호에 기재된 방법에 따라 합성했다.
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L3a(2.00g) 및 테트라히드로푸란(22.5mL)을 가하고, 교반하면서 -68℃까지 냉각했다. 그 후, 거기에, n-부틸리튬의 n-헥산 용액(2.65mol/L, 1.3mL)을 적하하고, -68℃에서 3시간 교반했다. 그 후, 거기에, 이온 교환수(0.3g)를 적하하고, 교반하면서 밤새 실온까지 승온시켰다. 그 후, 거기에, 헵탄을 가하고, 얻어진 혼합물을 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 실리카겔을 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축하고, 50℃에서 감압 건조함으로써, 이성체 혼합물로서 화합물 L3b를 무색 액체(1.66g)로서 얻었다. 얻어진 화합물 L3b의 HPLC 면적 백분율값은 88.6%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=510 [M]+
1H-NMR(CDCl3, 300㎒): δ (ppm)=7.65(t, 1H), 7.56(d, 1H), 7.45-7.37(m, 2H), 7.33-7.27(m, 3H), 2.07-1.81(m, 2H), 1.73-0.76(m, 38H).
(화합물 L3c의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L3b(0.84g), 비스(피나콜라토)디보론(0.48g), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II)디클로라이드 디클로로메탄 부가물(0.01g), 아세트산칼륨(0.50g) 및 1,4-디옥산(8.3g)을 가하고, 환류 하에서 7.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔을 가하고, 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 조체 L3c-1을 얻었다.
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L3b(0.80g), 비스(피나콜라토)디보론(0.45g), [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]팔라듐(II)디클로라이드 디클로로메탄 부가물(0.01g), 아세트산칼륨(0.54g) 및 1,4-디옥산(8.1g)을 가하고, 환류 하에서 7시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔을 가하고, 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 조체 L3c-2를 얻었다.
상기에서 얻어진 조체 L3c-1 및 L3c-2, 그리고 헵탄 및 활성탄을 혼합하고, 실온에서 30분간 교반했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 이성체 혼합물로서 화합물 L3c(1.87g)를 무색 액체로서 얻었다. 화합물 L3c의 HPLC 면적 백분율값은 82.9%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=559 [M+H]+
1H-NMR(CDCl3, 300㎒): δ (ppm)=7.82-7.65(m, 4H), 7.34-7.22(m, 3H), 2.05-1.84(m, 2H), 1.76-0.76(m, 50H).
(화합물 L3의 합성)
화합물 L3d는 도쿄 가세이 고교사에서 구입했다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L3c(1.10g), 화합물 L3d(0.61g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.02g), 톨루엔(19.4g) 및 20중량% 테트라에틸암모늄히드록시드 수용액(5.8g)을 가하고, 80℃에서 7.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각함으로써, 반응액 L3-1을 얻었다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L3c(0.60g), 화합물 L3d(0.35g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.01g), 톨루엔(10.7g) 및 20중량% 테트라에틸암모늄히드록시드 수용액(3.2g)을 가하고, 80℃에서 9.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각함으로써, 반응액 L3-2를 얻었다.
상기에서 얻어진 반응액 L3-1과 반응액 L3-2를 혼합하고, 이온 교환수로 세정한 후, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 액체를 얻었다. 얻어진 액체를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산 및 클로로포름의 혼합 용매)로 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거함으로써 액체를 얻었다. 얻어진 액체를 니혼 분세키 고교제 리사이클 분취 장치LC908(GPC 칼럼 JAIGEL-2.5H)에 의해 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거하고, 얻어진 액체를 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 이성체 혼합물로서 화합물 L3(0.84g)을 무색 액체로서 얻었다. 화합물 L3의 HPLC 면적 백분율값은 99.5% 이상을 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=560 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=8.62(d, 1H), 8.21(dd, 1H), 7.93(t, 2H), 7.87-7.80(m, 1H), 7.78-7.53(m, 5H), 7.44-7.29(m, 3H), 2.13-1.90(m, 2H), 1.84-0.47(m, 38H).
<실시예 3> 금속 착체 M3의 합성
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L3(0.43g) 및 2-에톡시에탄올(24.0g)을 가하고, 85℃까지 가열했다. 그 후, 거기에, 이온 교환수(5.0g)에 용해시킨 염화이리듐(III) n수화물(0.12g)을 적하한 후, 105℃에서 16시간 교반했다. 얻어진 반응액을 가열하고, 일부의 용매를 증류 제거한 후, 130℃에서 26.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 톨루엔을 가하고, 이온 교환수로 세정한 후, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체에 메탄올을 가하여 교반하고, 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 고체를 50℃에서 감압 건조함으로써, 적색 고체(0.42g)를 얻었다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 상기에서 얻어진 적색 고체(0.30g), 트리플루오로메탄술폰산 은(0.08g), 화합물 L3(0.14g), 2,6-루티딘(0.04g) 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르(3.0g)를 가하고, 150℃에서 4시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 메탄올을 가하고, 실온에서 교반하고, 얻어진 혼합물을 여과했다. 얻어진 고체를 톨루엔에 용해시킨 후, 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축했다. 얻어진 고체를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔 및 헥산의 혼합 용매)로 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체에 메탄올을 가하여 교반하고, 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 고체를 50℃에서 감압 건조함으로써, 적색 고체로서 이성체 혼합물의 금속 착체 M3(0.18g)을 얻었다. LC-MS로 목적물 상당의 m/z를 확인한 4종류의 피크의 HPLC 면적 백분율값의 합계는 96.7%를 나타냈다.
LC-MS(APCI positive): m/z=1869 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 600㎒): δ (ppm)=9.11-8.88(m, 3H), 8.39-7.98(m, 4H), 7.86-6.65(m, 27H), 6.63-6.19(m, 2H), 2.24-0.05(m, 120H).
<측정예 3> 금속 착체 M3의 PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정
금속 착체 M3의 크실렌 용액(0.0008중량%)을 사용하여, PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정을 행하였다. 650㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 52㎚이고, PLQY는 43%였다. 금속 착체 M3의 발광 스펙트럼을 도 2에 나타낸다.
<합성예 4> 화합물 L4의 합성
화합물 L4a는 일본 특허 공개 제2011-174062호 공보에 기재된 방법에 따라 합성했다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L1e(3.70g), 화합물 L4a(2.60g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.09g), 톨루엔(46.9g) 및 20중량% 테트라에틸암모늄히드록시드 수용액(23.6g)을 가하고, 70℃에서 6시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각함으로써, 반응액 L4-1을 얻었다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L1e(0.92g), 화합물 L4a(0.66g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.02g), 톨루엔(11.8g) 및 20중량% 테트라에틸암모늄히드록시드 수용액(5.9g)을 가하고, 70℃에서 5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각함으로써, 반응액 L4-2를 얻었다.
상기에서 얻어진 반응액 L4-1과 반응액 L4-2를 혼합하고, 이온 교환수로 세정한 후, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 액체를 얻었다. 얻어진 액체를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산 및 톨루엔의 혼합 용매)로 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거함으로써 액체를 얻었다. 얻어진 액체를 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 화합물 L4(4.56g)를 무색 액체로서 얻었다. 화합물 L4의 HPLC 면적 백분율값은 99.5%를 나타냈다.
TLC-MS(DART positive): m/z=582 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=8.94(d, 1H), 8.15(d, 1H), 8.08-7.85(m, 5H), 7.44(dd, 1H), 7.36-7.22(m, 4H), 7.08(s, 1H), 2.75-2.64(m, 4H), 2.35-2.17(m, 4H), 2.16-1.96(m, 4H), 1.80-1.61(m, 6H), 1.59-1.26(m, 14H), 0.97-0.85(m, 6H).
<실시예 4> 금속 착체 M4의 합성
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L4(0.97g) 및 2-에톡시에탄올(49.1g)을 가하고, 85℃까지 가열했다. 그 후, 거기에, 이온 교환수(17.3g)에 용해시킨 염화이리듐(III) n수화물(0.25g)을 적하한 후, 105℃에서 16.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 가열하고, 일부의 용매를 증류 제거한 후, 130℃에서 24.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 메탄올을 가하여 교반했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 고체를 메탄올로 세정하고, 얻어진 고체를 50℃에서 감압 건조함으로써, 주황색 고체(0.84g)를 얻었다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 상기에서 얻어진 주황색 고체(0.25g), 트리플루오로메탄술폰산 은(0.06g), 화합물 L4(0.12g), 2,6-루티딘(0.02g) 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르(2.5g)를 가하고, 150℃에서 6시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 메탄올을 가하고, 0℃로 냉각하여 교반하고, 얻어진 혼합물을 여과했다. 얻어진 고체를 톨루엔에 용해시킨 후, 얻어진 혼합물을 실리카겔을 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축하고, 얻어진 고체를, 톨루엔 및 헵탄의 혼합 용매를 사용하여 정석하고, 50℃에서 감압 건조함으로써, 주황색 고체로서 금속 착체 M4(0.19g)를 얻었다. 얻어진 금속 착체 M4의 HPLC 면적 백분율값은 98.5%를 나타냈다.
LC-MS(APCI positive): m/z=1935 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=8.21(d, 3H), 8.04(d, 3H), 7.95(dd, 3H), 7.79(s, 3H), 7.45(s, 3H), 7.31-7.18(m, 6H), 7.09-7.00(m, 9H), 6.92(s, 3H), 6.74(t, 3H), 2.51-2.39(m, 12H), 2.32-2.10(m, 15H), 2.08-1.91(m, 9H), 1.84-1.55(m, 9H), 1.50-1.35(m, 15H), 1.32-1.12(m, 36H), 0.92-0.83(m, 18H).
<실시예 5> 금속 착체 M5의 합성
화합물 M5a는 Synco Chemie사에서 구입했다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L4(0.97g) 및 2-에톡시에탄올(49.1g)을 가하고, 85℃까지 가열했다. 그 후, 거기에, 이온 교환수(17.3g)에 용해시킨 염화이리듐(III) n수화물(0.25g)을 적하한 후, 105℃에서 16시간 30분 교반했다. 얻어진 반응액을 가열하고, 일부의 용매를 증류 제거한 후, 130℃에서 24.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 메탄올을 가하여 교반했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 고체를 메탄올로 세정하고, 얻어진 고체를 50℃에서 감압 건조함으로써, 주황색 고체(0.84g)를 얻었다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 상기에서 얻어진 주황색 고체(0.20g), 트리플루오로메탄술폰산 은(0.04g), 화합물 M5a(0.03g) 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르(2.0g)를 가하고, 65℃에서 17.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 메탄올을 가하고, 0℃로 냉각하여 교반하고, 얻어진 혼합물을 여과했다. 얻어진 고체를 톨루엔에 용해시킨 후, 얻어진 혼합물을 실리카겔을 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축하고, 얻어진 고체를, 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔 및 헥산의 혼합 용매)로 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거하고, 50℃에서 감압 건조함으로써, 주황색 고체로서 금속 착체 M5(0.05g)를 얻었다. 얻어진 금속 착체 M5의 HPLC 면적 백분율값은 99.5%를 나타냈다.
LC-MS(APCI positive): m/z=1587 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=8.14-7.92(m, 8H), 7.86(s, 1H), 7.80-7.64(m, 3H), 7.56(s, 1H), 7.49-7.40(m, 2H), 7.39-6.94(m, 15H), 6.84(t, 1H), 2.64-2.42(m, 8H), 2.38-1.10(m, 56H), 1.04-0.81(m, 12H).
<측정예 4> 금속 착체 M4의 PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정
금속 착체 M4의 크실렌 용액(0.0008중량%)을 사용하여, PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정을 행하였다. 575㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 34㎚이고, PLQY는 75%였다. 금속 착체 M4의 발광 스펙트럼을 도 3에 나타낸다.
<측정예 5> 금속 착체 M5의 PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정
금속 착체 M5의 크실렌 용액(0.0008중량%)을 사용하여, PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정을 행하였다. 571㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 68㎚이고, PLQY는 61%였다. 금속 착체 M5의 발광 스펙트럼을 도 3에 나타낸다.
<합성예 5> 화합물 L6의 합성
(화합물 L6b의 합성)
화합물 L6a는 Chemlin사에서 구입했다.
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L6a(22.00g), 1,3-아세톤디카르복실산디메틸(20.94g), 28중량% 나트륨메톡시드메탄올 용액(40.32g) 및 메탄올(1049g)을 가하고, 65℃에서 11시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 35중량% 염산(22.8g)을 가하고, 1.5시간 교반했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 고체를 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 화합물 L6b(21.20g)를 갈색 고체로서 얻었다. 화합물 L6b의 HPLC 면적 백분율값은 95.5%를 나타냈다. 이 조작을 반복해서 행함으로써, 화합물 L6b의 필요량을 얻었다.
LC-MS(ESI positive): m/z=715 [M+K]+
1H-NMR(CDCl3, 300㎒): δ (ppm)=11.31(br, 2H), 7.82(s, 2H), 7.59(d, 2H), 7.41(d, 2H), 4.70(s, 2H), 4.04(s, 6H), 3.03(s, 6H).
(화합물 L6c의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L6b(46.54g), 아세트산(375.7g) 및 이온 교환수(46.6g)를 가하고, 98℃에서 7시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 얻어진 혼합물을 여과했다. 얻어진 고체를 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 화합물 L6c(25.76g)를 갈색 고체로서 얻었다. 화합물 L6c의 HPLC 면적 백분율값은 93.6%를 나타냈다.
LC-MS(APPI negative): m/z=443 [M-H]-
1H-NMR(CDCl3, 300㎒): δ (ppm)=8.00(d, 2H), 7.52(dd, 2H), 7.27(d, 2H), 2.89(d, 4H), 2.64(d, 4H).
(화합물 L6d의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L6c(25.00g), 히드라진일수화물(11.29g), 수산화나트륨(13.39g) 및 에틸렌글리콜(779g)을 가하고, 130℃에서 9.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각하고, 톨루엔을 가한 후, 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 톨루엔 및 아세토니트릴의 혼합 용매를 사용하여 정석하고, 50℃에서 감압 건조함으로써, 백색 고체로서 L6d(17.20g)를 얻었다. 화합물 L6d의 HPLC 면적 백분율값은 99.2%를 나타냈다.
LC-MS(APPI positive): m/z=416 [M]+
1H-NMR(CDCl3, 300㎒): δ (ppm)=7.93(d, 2H), 7.42(dd, 2H), 7.24(d, 2H), 2.20-2.08(m, 4H), 2.00-1.86(m, 4H), 1.72-1.55(m, 2H), 1.51-1.36(m, 2H).
(화합물 L6e의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L6d(7.04g) 및 테트라히드로푸란(탈수품, 78mL)을 가하고, 교반하면서 -68℃까지 냉각했다. 그 후, 거기에, sec-부틸리튬과 n-헥산과 시클로헥산의 용액(1.04mol/L, 16.5mL)을 적하하고, -68℃에서 1.5시간 교반했다. 그 후, 거기에, 1-요오도헥산(14.29g)을 적하하고, 교반하면서 밤새 실온까지 승온시켰다. 그 후, 거기에, 이온 교환수를 가하고, 계속해서, 헵탄을 가한 후, 얻어진 혼합물을 이온 교환수로 세정하고, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 실리카겔을 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 화합물 L6e를 무색 액체(6.96g)로서 얻었다. 화합물 L6e의 HPLC 면적 백분율값은 82.9%를 나타냈다. 이 조작을 반복해서 행함으로써, 화합물 L6e의 필요량을 얻었다.
LC-MS(ESI positive): m/z=422 [M]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=8.05(d, 1H), 7.65(d, 1H), 7.38(dd, 1H), 7.34-7.23(m, 2H), 7.15(dd, 1H), 2.71-2.58(m, 2H), 2.23-2.09(m, 4H), 2.01-1.86(m, 4H), 1.74-1.56(m, 4H), 1.50-1.27(m, 8H), 0.97-0.85(m, 3H).
(화합물 L6f의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L6e(8.49g) 및 시클로펜틸메틸에테르(탈수품, 100mL)를 가하고, 교반하면서 -68℃까지 냉각했다. 그 후, 거기에, sec-부틸리튬과 n-헥산과 시클로헥산의 용액(1.04mol/L, 27.0mL)을 적하하고, -68℃에서 2.5시간 교반했다. 그 후, 거기에, 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(5.62g)을 적하하고, 교반하면서 밤새 실온까지 승온시켰다. 얻어진 혼합물을 이온 교환수로 세정한 후, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 실리카겔을 깐 여과기로 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 화합물 L6f를 무색 액체(9.79g)로서 얻었다. 화합물 L6f의 HPLC 면적 백분율값은 83.9%를 나타냈다.
LC-MS(APPI positive): m/z=470 [M]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=8.31(br, 1H), 7.82(d, 1H), 7.66(dd, 1H), 7.40(d, 1H), 7.30(d, 1H), 7.13(dd, 1H), 2.71-2.62(m, 2H), 2.24-2.09(m, 4H), 2.03-1.88(m, 4H), 1.74-1.56(m, 4H), 1.50-1.29(m, 20H), 0.97-0.85(m, 3H).
(화합물 L6의 합성)
2-브로모피리딘은 와코 준야쿠사에서 구입했다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L6f(9.79g), 2-브로모피리딘(4.93g), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(0.24g), 톨루엔(171g) 및 20중량% 테트라에틸암모늄히드록시드 수용액(61.4g)을 가하고, 80℃에서 7시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각하고, 이온 교환수로 세정한 후, 무수 황산나트륨으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 액체를 얻었다. 얻어진 액체를 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산 및 클로로포름의 혼합 용매)로 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거함으로써 액체를 얻었다. 얻어진 액체를 니혼 분세키 고교제 리사이클 분취 장치 LC908(GPC 칼럼 JAIGEL-2.5H)에 의해 정제하고, 용매를 감압 하에서 제거했다. 얻어진 액체를 50℃에서 감압 건조시킴으로써, 무색 액체로서 화합물 L6(4.55g)을 얻었다. 화합물 L6의 HPLC 면적 백분율값은 99.9%를 나타냈다.
LC-MS(APCI positive): m/z=422 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=8.75-8.68(m, 1H), 8.61(d, 1H), 7.93-7.75(m, 4H), 7.50(d, 1H), 7.33(d, 1H), 7.29-7.23(m, 1H), 7.16(dd, 1H), 2.73-2.63(m, 2H), 2.27-2.12(m, 4H)2.09-1.92(m, 4H), 1.77-1.59(m, 4H), 1.53-1.26(m, 8H), 0.97-0.85(m, 3H).
<실시예 6> 금속 착체 M6의 합성
(금속 착체 M6의 합성)
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 L6(2.69g) 및 2-에톡시에탄올(200g)을 가하고, 85℃까지 가열했다. 그 후, 거기에, 이온 교환수(50g)에 용해시킨 염화이리듐(III) n수화물(1.00g)을 적하한 후, 105℃에서 12.5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 가열하고, 일부의 용매를 증류 제거한 후, 130℃에서 19시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각한 후, 메탄올을 가하여 교반했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 고체를 50℃에서 감압 건조함으로써, 황색 고체(2.45g)를 얻었다.
차광한 반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 상기에서 얻어진 황색 고체(1.80g), 트리플루오로메탄술폰산 은(0.59g), 화합물 L6(0.89g), 2,6-루티딘(0.28g) 및 디에틸렌글리콜디메틸에테르(18.0g)를 가하고, 150℃에서 5시간 교반했다. 얻어진 반응액을 실온까지 냉각하고, 메탄올을 가하여 실온에서 교반하고, 얻어진 혼합물을 여과했다. 얻어진 고체를 디클로로메탄에 용해시킨 후, 얻어진 혼합물을 실리카겔을 깐 여과기로 여과했다. 얻어진 여과액을 감압 농축하고, 얻어진 고체를, 디클로로메탄 및 아세토니트릴의 혼합 용매를 사용하여 정석하고, 50℃에서 감압 건조함으로써, 황색 고체로서 금속 착체 M6(1.84g)을 얻었다. 금속 착체 M6의 HPLC 면적 백분율값은 99.6%를 나타냈다.
LC-MS(APCI positive): m/z=1455 [M+H]+
1H-NMR(CD2Cl2, 300㎒): δ (ppm)=8.29(s, 3H), 8.16(d, 3H), 7.87(s, 3H)7.84-7.70(m, 6H), 7.28(d, 3H), 7.16-6.98(m, 9H), 2.79-2.62(m, 6H), 2.22-1.14(m, 60H), 0.97(t, 9H).
<측정예 6> 금속 착체 M6의 PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정
금속 착체 M6의 크실렌 용액(0.0008중량%)을 사용하여, PLQY 및 발광 스펙트럼의 측정을 행하였다. 518㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 57㎚이고, PLQY는 75%였다. 금속 착체 M6의 발광 스펙트럼을 도 4에 나타낸다.
<합성예 6> 고분자 화합물 IP1의 합성
고분자 화합물 IP1은 일본 특허 공개 제2011-174062호 공보에 기재된 방법에 따라 합성한 단량체 PM1과, 국제 공보 제2005/049546호에 기재된 방법에 따라 합성한 단량체 PM2와, 국제 공보 제2002/045184호에 기재된 방법에 따라 합성한 단량체 PM3과, 일본 특허 공개 제2008-106241호 공보에 기재된 방법에 따라 합성한 단량체 PM4를 사용하여, 일본 특허 공개 제2012-144722호 공보에 기재된 방법으로 합성했다.
고분자 화합물 IP1은, 투입 원료의 양으로부터 구한 이론값에서는, 단량체 PM1로부터 유도되는 구성 단위와, 단량체 PM2로부터 유도되는 구성 단위와, 단량체 PM3으로부터 유도되는 구성 단위와, 단량체 PM4로부터 유도되는 구성 단위가 50:30:12.5:7.5의 몰비로 구성되어 이루어지는 공중합체이다.
<합성예 7> 화합물 PM5의 합성
화합물 PM5a는 국제 공보 제2012/086671호에 기재된 방법에 따라 합성했다.
(Stage 1: 화합물 PM5b의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 4-브로모-n-옥틸벤젠(250g) 및 테트라히드로푸란(탈수품, 2.5L)을 가하고, -70℃ 이하로 냉각했다. 그 후, 거기에, 2.5mol/L 농도의 n-부틸리튬-헥산 용액(355mL)을 적하하고, -70℃ 이하에서 3시간 교반했다. 그 후, 거기에, 테트라히드로푸란(탈수품, 400mL)에 화합물 PM5a(148g)를 용해시킨 용액을 적하한 후, 실온까지 승온하고, 실온에서 밤새 교반했다. 얻어진 반응 혼합물을 0℃로 냉각한 후, 물(150mL)을 가하여 교반했다. 얻어진 반응 혼합물을 감압 농축하고, 유기 용매를 제거했다. 얻어진 반응 혼합물에, 헥산(1L) 및 물(200mL)을 가하고, 분액 조작에 의해 수층을 제거했다. 얻어진 유기층을 포화 식염수로 세정한 후, 황산마그네슘을 가하여 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써, 화합물 PM5b(330g)를 황색 유상물로서 얻었다.
(Stage 2: 화합물 PM5c의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 PM5b(330g) 및 디클로로메탄(900mL)을 가하고, 5℃ 이하로 냉각했다. 그 후, 거기에, 2.0mol/L 농도의 삼불소화붕소디에틸에테르 착체(245mL)를 적하했다. 그 후, 실온까지 승온하고, 실온에서 밤새 교반했다. 얻어진 반응 혼합물을, 빙수(2L)가 들어간 용기에 가하고, 30분간 교반한 후, 수층을 제거했다. 얻어진 유기층을, 10중량% 농도의 인산칼륨 수용액(1L)으로 1회, 물(1L)로 2회 세정한 후, 황산마그네슘으로 건조했다. 얻어진 혼합물을 여과하고, 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 유상물을 얻었다. 얻어진 유상물을 톨루엔(200mL)에 용해시킨 후, 실리카겔을 깐 여과기에 통액함으로써 톨루엔 용액 1을 얻었다. 톨루엔 용액 1을 얻은 후, 실리카겔을 깐 여과기에 톨루엔(약 3L)을 더 통액함으로써 톨루엔 용액 2를 얻었다. 톨루엔 용액 1과 톨루엔 용액 2를 합일한 후, 감압 농축함으로써 유상물을 얻었다. 얻어진 유상물에 메탄올(500mL)을 가하고, 교반했다. 얻어진 반응 혼합물을 여과함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체에, 아세트산부틸 및 메탄올의 혼합 용매를 가하고, 재결정을 반복함으로써, 화합물 PM5c(151g)를 백색 고체로서 얻었다. 얻어진 화합물 PM5c의 HPLC 면적 백분율값은 99.0% 이상을 나타냈다.
1H-NMR(400㎒/CDCl3): δ (ppm)=7.56(d, 2H), 7.49(d, 2H), 7.46(dd, 2H), 7.06 내지 7.01(m, 8H), 2.55(t, 4H), 1.61 내지 1.54(m, 4H), 1.30 내지 1.26(m, 20H), 0.87(t, 6H).
(Stage 3: 화합물 PM5의 합성)
반응 용기 내를 질소 가스 분위기로 한 후, 화합물 PM5c(100g) 및 테트라히드로푸란(탈수품, 1000mL)을 가하고, -70℃ 이하로 냉각했다. 그 후, 거기에, 2.5mol/L 농도의 n-부틸리튬-헥산 용액(126mL)을 적하하고, -70℃ 이하에서 5시간 교반했다. 그 후, 거기에, 2-이소프로폭시-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란(81mL)을 적하했다. 그 후, 실온까지 승온하고, 실온에서 밤새 교반했다. 얻어진 반응 혼합물을 -30℃로 냉각하고, 2.0mol/L의 염산-디에틸에테르 용액(143mL)을 적하했다. 그 후, 실온까지 승온하고, 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체에 톨루엔(1.2L)을 가하고, 실온에서 1시간 교반한 후, 실리카겔을 깐 여과기에 통액함으로써 여과액을 얻었다. 얻어진 여과액을 감압 농축함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체에 메탄올을 가하여 교반한 후, 여과함으로써 고체를 얻었다. 얻어진 고체에 대해, 이소프로필알코올을 사용한 재결정을 반복함으로써 정제한 후, 50℃에서 밤새 감압 건조함으로써, 화합물 PM5(72g)를 백색 고체로서 얻었다. 얻어진 화합물 PM5의 HPLC 면적 백분율값은 99.0% 이상을 나타냈다.
1H-NMR(400㎒/CDCl3): δ (ppm)=7.82(d, 2H), 7.81(s, 2H), 7.76(d, 2H), 7.11(d, 4H), 7.00(d, 4H), 2.52(t, 4H), 1.59 내지 1.54(m, 4H), 1.36 내지 1.26(m, 20H), 1.31(s, 24H), 0.87(t, 6H).
<합성예 8> 고분자 화합물 P1의 합성
(Stage 1)
반응 용기 내를 불활성 가스 분위기로 한 후, 단량체 PM5(4.77g)(화합물 PM5와 동일함), 국제 공보 제2012/086671호에 기재된 방법에 따라 합성한 단량체 PM6(0.773g), 단량체 PM3(1.97g), 국제 공보 제2009/131255호에 기재된 방법에 따라 합성한 단량체 PM7(0.331g), 일본 특허 공개 제2004-143419호 공보에 기재된 방법에 따라 합성한 단량체 PM8(0.443g) 및 톨루엔(67mL)을 가하고, 105℃로 가열하면서 교반했다.
(Stage 2)
그 후, 이것에, 비스트리페닐포스핀팔라듐디클로라이드(4.2㎎)를 가하고, 계속해서, 20중량% 테트라에틸암모늄히드록시드 수용액(20mL)을 적하한 후, 환류 하에서 3시간 교반했다.
(Stage 3)
그 후, 이것에, 페닐보론산(0.077g), 비스트리페닐포스핀팔라듐디클로라이드(4.2㎎), 톨루엔(60mL) 및 20중량% 테트라에틸암모늄히드록시드 수용액(20mL)을 가하고, 환류 하에서 24시간 교반했다.
(Stage 4)
유기층을 수층과 분리한 후, 얻어진 유기층에, N,N-디에틸디티오카르밤산나트륨 3수화물(3.33g) 및 이온 교환수(67mL)를 가하고, 85℃에서 2시간 교반했다. 유기층을 수층과 분리한 후, 얻어진 유기층을, 이온 교환수(78mL)로 2회, 3중량% 아세트산 수용액(78mL)으로 2회, 이온 교환수(78mL)로 2회의 순서로 세정했다. 유기층을 수층과 분리한 후, 얻어진 유기층을 메탄올에 적하함으로써 고체를 침전시키고, 여과 취출, 건조시킴으로써, 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 톨루엔에 용해시키고, 미리 톨루엔을 통액한 실리카겔 칼럼 및 알루미나 칼럼에 통액시켰다. 얻어진 용액을 메탄올에 적하함으로써 고체를 침전시키고, 여과 취출, 건조시킴으로써, 고분자 화합물 P1(4.95g)을 얻었다. 고분자 화합물 P1의 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량(Mn) 및 중량 평균 분자량(Mw)은 Mn=1.4×105, Mw=4.1×105였다.
고분자 화합물 P1은, 투입 원료의 양으로부터 구한 이론값에서는, 단량체 PM5로부터 유도되는 구성 단위와, 단량체 PM6으로부터 유도되는 구성 단위와, 단량체 PM3으로부터 유도되는 구성 단위와, 단량체 PM7로부터 유도되는 구성 단위와, 단량체 PM8로부터 유도되는 구성 단위가 50:10:30:5:5의 몰비로 구성되어 이루어지는 공중합체이다.
<합성예 9> 고분자 화합물 P2의 합성
고분자 화합물 P2는 일본 특허 공개 제2010-189630호 공보 기재된 방법에 따라 합성한 단량체 PM9, 단량체 PM6, 일본 특허 공개 제2012-036388호 공보에 기재된 방법에 따라 합성한 단량체 PM10을 사용하여, 일본 특허 공개 제2012-036388호 공보에 기재된 「고분자 화합물 B」의 방법에 따라 합성했다. 고분자 화합물 P2의 Mn은 9.6×104이고, Mw는 2.2×105이었다.
고분자 화합물 P2는, 투입 원료의 양으로부터 구한 이론값에서는, 단량체 PM9로부터 유도되는 구성 단위와, 단량체 PM6으로부터 유도되는 구성 단위와, 단량체 PM10으로부터 유도되는 구성 단위가 50:40:10의 몰비로 구성되어 이루어지는 공중합체이다.
<실시예 D1> 발광 소자 D1의 제작 및 평가
(발광 소자 D1의 제작)
(양극 및 정공 주입층의 형성)
유리 기판에 스퍼터법에 의해 45㎚의 두께로 ITO막을 붙임으로써 양극을 형성했다. 해당 양극 위에, 폴리티오펜ㆍ술폰산계의 정공 주입제인 AQ-1200(Plextronics사제)을 스핀 코트법에 의해 65㎚의 두께로 성막하고, 대기 분위기 하에서, 핫 플레이트 위에서 170℃, 15분간 가열함으로써 정공 주입층을 형성했다.
(정공 수송층의 형성)
크실렌에 고분자 화합물 IP1을 0.70중량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 크실렌 용액을 사용하여, 정공 주입층 위에 스핀 코트법에 의해 20㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 핫 플레이트 위에서 180℃, 60분간 가열시킴으로써 정공 수송층을 형성했다.
(발광층의 형성)
크실렌에, 고분자 화합물 P1 및 금속 착체 M1(고분자 화합물 P1/금속 착체 M1=92.5중량%/7.5중량%)을 1.7중량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 크실렌 용액을 사용하여, 정공 수송층 위에 스핀 코트법에 의해 90㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 150℃, 10분간 가열시킴으로써 발광층을 형성했다.
(음극의 형성)
발광층을 형성한 기판을 증착기 내에서, 1.0×10-4Pa 이하까지 감압한 후, 음극으로서, 발광층 위에 불화나트륨을 약 4㎚, 계속해서, 불화나트륨층 위에 알루미늄을 약 80㎚ 증착했다. 증착 후, 유리 기판을 사용하여 밀봉함으로써, 발광 소자 D1을 제작했다.
(발광 소자 D1의 평가)
발광 소자 D1에 전압을 인가함으로써, 635㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, CIE 색도 좌표 (x, y)=(0.683, 0.314)였다. 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 48㎚였다. 발광 소자 D1을, 도 5에 나타내는 컬러 필터 A와 병용시킨 경우, 1000cd/㎡에 있어서의 외부 양자 효율은 12.2%가 된다. 이들의 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
<실시예 D2> 발광 소자 D2의 제작 및 평가
실시예 D1에 있어서의, 고분자 화합물 P1 및 금속 착체 M1 대신에, 고분자 화합물 P1 및 금속 착체 M2를 사용한 것 이외는 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D2를 제작했다.
발광 소자 D2에 전압을 인가함으로써, 635㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, CIE 색도 좌표 (x, y)=(0.685, 0.312)였다. 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 48㎚였다. 발광 소자 D2를, 도 5에 나타내는 컬러 필터 A와 병용시킨 경우, 1000cd/㎡에 있어서의 외부 양자 효율은 13.4%가 된다. 이들의 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
<비교예 CD1> 발광 소자 CD1의 제작 및 평가
실시예 D1에 있어서의, 고분자 화합물 P1 및 금속 착체 M1 대신에, 고분자 화합물 P1 및 금속 착체 CM1을 사용한 것 이외는 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 CD1을 제작했다.
발광 소자 CD1에 전압을 인가함으로써, 615㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, CIE 색도 좌표 (x, y)=(0.645, 0.352)였다. 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 81㎚였다. 발광 소자 CD1을, 도 5에 나타내는 컬러 필터 A와 병용시킨 경우, 1000cd/㎡에 있어서의 외부 양자 효율은 10.8%가 된다. 이들의 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
이들의 결과로부터, 본 발명의 금속 착체 M1 및 M2를 사용하여 얻어지는 발광 소자를 컬러 필터와 병용시킨 경우, 금속 착체 CM1을 사용하여 얻어지는 발광 소자를 컬러 필터와 병용시킨 경우와 비교하여, 외부 양자 효율이 우수한 것을 알 수 있다.
<실시예 D3> 발광 소자 D3의 제작 및 평가
실시예 D1에 있어서의, 고분자 화합물 P1 및 금속 착체 M1 대신에, 고분자 화합물 P1 및 금속 착체 M3을 사용한 것 이외는 실시예 D1과 마찬가지로 하여, 발광 소자 D3을 제작했다.
발광 소자 D3에 전압을 인가함으로써, 650㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, CIE 색도 좌표 (x, y)=(0.689, 0.298)이었다. 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 54㎚였다. 발광 소자 D3을, 도 5에 나타내는 컬러 필터 A와 병용시킨 경우, 1000cd/㎡에 있어서의 외부 양자 효율은 7.30%가 된다. 이들의 결과를 하기 표 3에 나타낸다.
이들의 결과로부터, 본 발명의 금속 착체 M3을 사용하여 얻어지는 발광 소자를 컬러 필터와 병용시킨 경우, 금속 착체 CM2 및 금속 착체 CM3을 사용하여 얻어지는 발광 소자를 컬러 필터와 병용시킨 경우와 비교하여, 외부 양자 효율이 우수한 것을 알 수 있다.
<실시예 D4> 발광 소자 D4의 제작 및 평가
(발광 소자 D4의 제작)
(양극 및 정공 주입층의 형성)
유리 기판에 스퍼터법에 의해 45㎚의 두께로 ITO막을 붙임으로써 양극을 형성했다. 해당 양극 위에, 폴리티오펜ㆍ술폰산계의 정공 주입제인 AQ-1200(Plextronics사제)을 스핀 코트법에 의해 65㎚의 두께로 성막하고, 대기 분위기 하에서, 핫 플레이트 위에서 170℃, 15분간 가열함으로써 정공 주입층을 형성했다.
(정공 수송층의 형성)
크실렌에 고분자 화합물 IP1을 0.70중량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 크실렌 용액을 사용하여, 정공 주입층 위에 스핀 코트법에 의해 20㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 핫 플레이트 위에서 180℃, 60분간 가열시킴으로써 정공 수송층을 형성했다.
(발광층의 형성)
클로로벤젠에, 고분자 화합물 P2 및 금속 착체 M4(고분자 화합물 P2/금속 착체 M4=70중량%/30중량%)를 1.6중량%의 농도로 용해시켰다. 얻어진 클로로벤젠 용액을 사용하여, 정공 수송층 위에 스핀 코트법에 의해 80㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 150℃, 10분간 가열시킴으로써 발광층을 형성했다.
(음극의 형성)
발광층을 형성한 기판을 증착기 내에서, 1.0×10-4Pa 이하까지 감압한 후, 음극으로서, 발광층 위에 불화나트륨을 약 4㎚, 계속해서, 불화나트륨층 위에 알루미늄을 약 80㎚ 증착했다. 증착 후, 유리 기판을 사용하여 밀봉함으로써, 발광 소자 D4를 제작했다.
(발광 소자 D4의 평가)
발광 소자 D4에 전압을 인가함으로써, 580㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, CIE 색도 좌표 (x, y)=(0.543, 0.455)였다. 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 37㎚였다. 발광 소자 D4를, 도 5에 나타내는 컬러 필터 B와 병용시킨 경우, 1000cd/㎡에 있어서의 외부 양자 효율은 18.1%가 된다. 이들의 결과를 하기 표 4에 나타낸다.
<실시예 D5> 발광 소자 D5의 제작 및 평가
실시예 D4에 있어서의, 고분자 화합물 P2 및 금속 착체 M4 대신에, 고분자 화합물 P2 및 금속 착체 M5를 사용한 것 이외는 실시예 D4와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D5를 제작했다.
발광 소자 D5에 전압을 인가함으로써, 575㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, CIE 색도 좌표 (x, y)=(0.530, 0.467)이었다. 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 43㎚였다. 발광 소자 D5를, 도 5에 나타내는 컬러 필터 B와 병용시킨 경우, 1000cd/㎡에 있어서의 외부 양자 효율은 12.2%가 된다. 이들의 결과를 하기 표 4에 나타낸다.
<실시예 D6> 발광 소자 D6의 제작 및 평가
실시예 D4에 있어서의, 고분자 화합물 P2 및 금속 착체 M4 대신에, 고분자 화합물 P2 및 금속 착체 M6을 사용한 것 이외는 실시예 D4와 마찬가지로 하여, 발광 소자 D6을 제작했다.
발광 소자 D6에 전압을 인가함으로써, 520㎚에 발광 스펙트럼의 최대 피크를 갖는 발광이 관측되고, CIE 색도 좌표 (x, y)=(0.314, 0.640)이었다. 이 발광 스펙트럼의 FWHM은 60㎚였다. 발광 소자 D6을, 도 5에 나타내는 컬러 필터 C와 병용시킨 경우, 1000cd/㎡에 있어서의 외부 양자 효율은 9.33%가 된다. 이들의 결과를 하기 표 5에 나타낸다.
본 발명에 따르면, 양자 수율이 우수하고, 또한 발광 스펙트럼의 반값 폭이 우수한 금속 착체를 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 해당 금속 착체를 함유하는 조성물 및 해당 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자를 제공할 수 있다. 본 발명의 금속 착체는 양자 수율이 우수하기 때문에, 해당 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자는 외부 양자 효율이 우수한 것이 된다. 또한, 본 발명의 금속 착체는 발광 스펙트럼의 반값 폭이 우수하기 때문에, 해당 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자를 컬러 필터와 병용시킨 경우, 해당 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자의 캐비티가 조정된 경우에는, 그의 외부 양자 효율은 더욱 우수한 것이 된다.
Claims (15)
- 하기 식 (1-1), (1-2) 또는 (2-1)로 표현되는 금속 착체.
[식 중,
M은 이리듐 원자 또는 백금 원자를 나타냄.
n1은 1, 2 또는 3을 나타냄. n2는 0, 1 또는 2를 나타냄. M이 이리듐 원자인 경우, n1+n2는 3이고, M이 백금 원자인 경우, n1+n2는 2임.
X1, X3, X4, X5, X6, X7 및 X8은 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타냄. 단, X5, X6, X7 및 X8로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 2개는 탄소 원자임. X1, X3, X4, X5, X6, X7 및 X8이 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨. 단, X1이 질소 원자인 경우, R1은 존재하지 않고, X3이 질소 원자인 경우, R3은 존재하지 않고, X4가 질소 원자인 경우, R4는 존재하지 않고, X5가 질소 원자인 경우, R5는 존재하지 않고, X6이 질소 원자인 경우, R6은 존재하지 않고, X7이 질소 원자인 경우, R7은 존재하지 않고, X8이 질소 원자인 경우, R8은 존재하지 않음.
R1, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. R3과 R4, R5와 R6, R6과 R7, R7과 R8은 각각 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨. R1, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8이 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
R11, R12, R13 및 R14는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. R11과 R12, R13과 R14, R11과 R13, R12와 R14는 각각 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 됨. R11, R12, R13 및 R14가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨. 단, R11, R12, R13 및 R14로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자임.
환 A는 방향족 복소환을 나타내고, 이 방향족 복소환은 치환기를 갖고 있어도 됨. 환 A가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.
A1-G1-A2는 음이온성의 2좌 배위자를 나타냄. A1 및 A2는 각각 독립적으로, 탄소 원자, 산소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 이들 원자는 환을 구성하는 원자여도 됨. G1은 단결합, 또는 A1 및 A2와 함께 2좌 배위자를 구성하는 원자단을 나타냄. A1-G1-A2가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 상이해도 됨.
치환기를 갖고 있어도 되는 기 또는 방향족 복소환의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 또는 시클로알키닐기이고, 상기 치환 아미노기가 갖는 치환기는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기임.] - 제1항에 있어서, 상기 R11, R12, R13 및 R14가 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기이고,
치환기를 갖고 있어도 되는 기의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 또는 시클로알키닐기이고, 상기 치환 아미노기가 갖는 치환기는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기인, 금속 착체. - 제2항에 있어서, 상기 R11과 R13이 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있고,
상기 R12와 R14가 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있는, 금속 착체. - 제3항에 있어서, 하기 식 (1-3), (1-4) 또는 (2-3)으로 표현되는, 금속 착체.
[식 중,
M, n1, n2, X1, X3, X4, X5, X6, X7, X8, R1, R3, R4, R5, R6, R7, R8, 환 A 및 A1-G1-A2는 상기와 동일한 의미를 나타냄.
m1 및 m2는 각각 독립적으로, 1 내지 5의 정수를 나타냄. m1 및 m2가 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
R15, R16, R17 및 R18은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. R15, R16, R17 및 R18이 복수 존재하는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
치환기를 갖고 있어도 되는 기의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 또는 시클로알키닐기이고, 상기 치환 아미노기가 갖는 치환기는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기임.] - 제4항에 있어서, 상기 m1 및 m2가 3 또는 4인, 금속 착체.
- 제1항에 있어서, 상기 X1, X3, X4, X5, X6, X7 및 X8이 탄소 원자인, 금속 착체.
- 제1항에 있어서, 상기 환 A가, 치환기를 갖고 있어도 되는 피리딘환, 치환기를 갖고 있어도 되는 피리미딘환, 치환기를 갖고 있어도 되는 퀴놀린환, 치환기를 갖고 있어도 되는 이소퀴놀린환, 치환기를 갖고 있어도 되는 이미다졸환 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 트리아졸환이고,
치환기를 갖고 있어도 되는 기의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 또는 시클로알키닐기이고, 상기 치환 아미노기가 갖는 치환기는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기인, 금속 착체. - 제1항에 있어서, 하기 조건 (A), (B) 및 (C) 중 적어도 하나를 만족시키는, 금속 착체.
(A) 상기 환 A가, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 치환기로서 갖는다.
(B) 상기 R1, R3, R4, R5 및 R8이 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이다.
(C) 상기 R6 및 R7이 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 할로겐 원자이다. - 제1항에 있어서, 상기 환 A가, 하기 식 (D-A) 또는 (D-B)로 표현되는 기를 치환기로서 갖는, 금속 착체.
[식 중,
mDA1, mDA2 및 mDA3은 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타냄.
GDA는 질소 원자, 방향족 탄화수소기 또는 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.
ArDA1, ArDA2 및 ArDA3은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. ArDA1, ArDA2 및 ArDA3이 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
TDA는 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 있는 TDA는 동일해도 되고 상이해도 됨.
치환기를 갖고 있어도 되는 기의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 또는 시클로알키닐기이고, 상기 치환 아미노기가 갖는 치환기는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기임.]
[식 중,
mDA1, mDA2, mDA3, mDA4, mDA5, mDA6 및 mDA7은 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타냄.
GDA는 질소 원자, 방향족 탄화수소기 또는 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 있는 GDA는 동일해도 되고 상이해도 됨.
ArDA1, ArDA2, ArDA3, ArDA4, ArDA5, ArDA6 및 ArDA7은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. ArDA1, ArDA2, ArDA3, ArDA4, ArDA5, ArDA6 및 ArDA7이 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
TDA는 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨. 복수 있는 TDA는 동일해도 되고 상이해도 됨.
치환기를 갖고 있어도 되는 기의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 또는 시클로알키닐기이고, 상기 치환 아미노기가 갖는 치환기는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기임.] - 제9항에 있어서, 상기 식 (D-A)로 표현되는 기가, 하기 식 (D-A1), (D-A2) 또는 (D-A3)으로 표현되는 기인, 금속 착체.
[식 중,
Rp1, Rp2 및 Rp3은 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타냄. Rp1 및 Rp2가 복수 있는 경우, 그들은 각각 동일해도 되고 상이해도 됨.
np1은 0 내지 5의 정수를 나타내고, np2는 0 내지 3의 정수를 나타내고, np3은 0 또는 1을 나타냄. 복수 있는 np1은 동일해도 되고 상이해도 됨.] - 제1항에 있어서, 상기 M이 이리듐 원자이고, 상기 n1이 3이고, 상기 n2가 0인, 금속 착체.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체와,
하기 식 (Y)로 표현되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물을 함유하는 조성물.
[식 중, ArY1은 아릴렌기, 2가의 복소환기, 또는 적어도 1종의 아릴렌기와 적어도 1종의 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 됨.
치환기를 갖고 있어도 되는 기의 치환기는 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기 또는 시클로알키닐기이고, 상기 치환 아미노기가 갖는 치환기는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기임.] - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체와,
정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 발광 재료, 산화 방지제 및 용매로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료를 함유하는 조성물. - 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 금속 착체를 사용하여 얻어지는 발광 소자.
- 삭제
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2014-188579 | 2014-09-17 | ||
| JP2014188579 | 2014-09-17 | ||
| PCT/JP2015/075542 WO2016043097A1 (ja) | 2014-09-17 | 2015-09-09 | 金属錯体およびそれを用いた発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170060049A KR20170060049A (ko) | 2017-05-31 |
| KR102422026B1 true KR102422026B1 (ko) | 2022-07-18 |
Family
ID=55533136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020177009876A KR102422026B1 (ko) | 2014-09-17 | 2015-09-09 | 금속 착체 및 그것을 사용한 발광 소자 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10529934B2 (ko) |
| EP (1) | EP3222625B1 (ko) |
| JP (1) | JP6747293B2 (ko) |
| KR (1) | KR102422026B1 (ko) |
| CN (1) | CN107074894B (ko) |
| TW (1) | TWI653236B (ko) |
| WO (1) | WO2016043097A1 (ko) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10870668B2 (en) | 2017-05-05 | 2020-12-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
| JP6934967B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2021-09-15 | 住友化学株式会社 | 発光素子及び発光素子用組成物 |
| JP6941711B2 (ja) * | 2019-07-26 | 2021-09-29 | 住友化学株式会社 | 金属錯体及びそれを含有する発光素子 |
| JP6956287B2 (ja) * | 2020-04-21 | 2021-11-02 | 住友化学株式会社 | 金属錯体、組成物及び発光素子 |
| KR20230018028A (ko) | 2021-07-29 | 2023-02-07 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| CN116082404A (zh) * | 2021-11-01 | 2023-05-09 | 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 | 铂配合物发光材料及其应用 |
| CN116102597A (zh) * | 2021-11-10 | 2023-05-12 | 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 | 高色纯度的二价铂配合物 |
| CN116102598A (zh) * | 2021-11-10 | 2023-05-12 | 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 | 高效二价铂配合物磷光OLEDs材料及其应用 |
| CN116199720A (zh) * | 2021-11-29 | 2023-06-02 | 广东阿格蕾雅光电材料有限公司 | Nncn四齿配体的铂配合物发光材料及其应用 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007269734A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Canon Inc | 発光素子用有機化合物、発光素子および画像表示装置 |
| CN103936791A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-07-23 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 一系列有机电致磷光材料 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE337121T1 (de) * | 2003-06-13 | 2006-09-15 | Kuenkel Wagner Sls Swisspour A | Giessroboter mit einer wägezelle |
| TWI316081B (en) * | 2004-10-19 | 2009-10-21 | Ind Tech Res Inst | Phenanthrene derivatives and organic light-emitting diodes containing said phenanthrene derivative |
| JP5030798B2 (ja) | 2005-03-01 | 2012-09-19 | エージェンシー フォー サイエンス、テクノロジー アンド リサーチ | 溶液加工した有機金属錯体および電界発光素子における溶液加工した有機金属錯体の使用 |
| JP5262104B2 (ja) | 2006-12-27 | 2013-08-14 | 住友化学株式会社 | 金属錯体、高分子化合物及びこれらを含む素子 |
| KR20100016243A (ko) | 2007-04-04 | 2010-02-12 | 바스프 에스이 | 적색 내지 녹색 스펙트럼 영역에서 발광하는 신규한 유기금속 착물 및 이의 ｏｌｅｄ에서의 용도 |
| JP5742160B2 (ja) | 2009-10-19 | 2015-07-01 | 住友化学株式会社 | 金属錯体、高分子化合物及びそれを用いた素子 |
| JP5984689B2 (ja) * | 2013-01-21 | 2016-09-06 | キヤノン株式会社 | 有機金属錯体及びこれを用いた有機発光素子 |
| EP3093292B1 (en) | 2014-01-08 | 2021-09-08 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Metal complex and light emitting element using same |
| JP6740643B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2020-08-19 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物及びそれを用いた発光素子 |
| US10870668B2 (en) * | 2017-05-05 | 2020-12-22 | Universal Display Corporation | Organic electroluminescent materials and devices |
-
2015
- 2015-09-09 US US15/511,553 patent/US10529934B2/en active Active
- 2015-09-09 KR KR1020177009876A patent/KR102422026B1/ko active IP Right Grant
- 2015-09-09 CN CN201580049646.1A patent/CN107074894B/zh active Active
- 2015-09-09 WO PCT/JP2015/075542 patent/WO2016043097A1/ja active Application Filing
- 2015-09-09 JP JP2016548848A patent/JP6747293B2/ja active Active
- 2015-09-09 EP EP15841292.4A patent/EP3222625B1/en active Active
- 2015-09-15 TW TW104130414A patent/TWI653236B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007269734A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Canon Inc | 発光素子用有機化合物、発光素子および画像表示装置 |
| CN103936791A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-07-23 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 一系列有机电致磷光材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6747293B2 (ja) | 2020-08-26 |
| US10529934B2 (en) | 2020-01-07 |
| EP3222625A1 (en) | 2017-09-27 |
| EP3222625A4 (en) | 2018-05-02 |
| TW201619175A (zh) | 2016-06-01 |
| TWI653236B (zh) | 2019-03-11 |
| KR20170060049A (ko) | 2017-05-31 |
| CN107074894A (zh) | 2017-08-18 |
| JPWO2016043097A1 (ja) | 2017-07-06 |
| EP3222625B1 (en) | 2019-10-23 |
| WO2016043097A1 (ja) | 2016-03-24 |
| CN107074894B (zh) | 2020-12-29 |
| US20170256726A1 (en) | 2017-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102422026B1 (ko) | 금속 착체 및 그것을 사용한 발광 소자 | |
| KR102326217B1 (ko) | 금속 착체 및 그것을 사용한 발광 소자 | |
| JP6675304B2 (ja) | 発光素子 | |
| KR102373028B1 (ko) | 금속 착체 및 그것을 사용한 발광 소자 | |
| JP5867650B2 (ja) | 組成物およびそれを用いた発光素子 | |
| WO2015156235A1 (ja) | 発光素子およびそれに用いる組成物 | |
| WO2015159744A1 (ja) | 組成物およびそれを用いた発光素子 | |
| JP5880679B2 (ja) | 発光素子の製造方法 | |
| JP6663114B2 (ja) | 組成物およびそれを用いた発光素子 | |
| EP3932927B1 (en) | Metal complex and composition including said metal complex | |
| KR102332743B1 (ko) | 금속 착체 및 그것을 사용한 발광 소자 | |
| JP2015174824A (ja) | 金属錯体およびそれを用いた発光素子 | |
| JP6543902B2 (ja) | 金属錯体およびそれを用いた発光素子 | |
| JP6707909B2 (ja) | 高分子化合物およびそれを用いた発光素子 | |
| CN114174311A (zh) | 金属络合物及含有其的发光元件 | |
| JP6546045B2 (ja) | 金属錯体および該金属錯体を含む発光素子 | |
| JP7124589B2 (ja) | 発光素子 | |
| JP2017155180A (ja) | 高分子化合物及びそれを用いた発光素子 | |
| JP6491420B2 (ja) | 金属錯体及び該金属錯体を用いた発光素子 | |
| JP2016129140A (ja) | 発光素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |