JP5030798B2

JP5030798B2 - 溶液加工した有機金属錯体および電界発光素子における溶液加工した有機金属錯体の使用

Info

Publication number: JP5030798B2
Application number: JP2007557978A
Authority: JP
Inventors: チェン、ツィークァン; ヒュアン、チュン; ツェン、チャングア; ヤオ、ジュンホン
Original assignee: エージェンシーフォーサイエンス、テクノロジーアンドリサーチ
Priority date: 2005-03-01
Filing date: 2005-03-01
Publication date: 2012-09-19
Anticipated expiration: 2025-03-01
Also published as: US20090123720A1; CN101146814B; TW200704745A; EP1858906A1; WO2006093466A1; EP1858906A4; JP2008531684A; CN101146814A

Description

本発明は、りん光性有機金属錯体およびこのような有機金属錯体を含む電界発光（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）素子に関する。

有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、電圧が層に印加された場合には発光し得る、少なくとも一の有機層を備える。特定のＯＬＥＤは、十分な発光、色彩特性および寿命を有し、従来の無機ベースの液晶ディスプレー（ＬＣＤ）パネルの、実行可能な（ｖｉａｂｌｅ）代替品と見なされている。伝統的なＬＣＤパネルと比較して、ＯＬＥＤは一般的に、より明るく、消費エネルギーがより少なく、そしてフレキシブルな基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）上に作製され得、手で握れる大きさの多くの電池作動性素子に対して明らかに有益である特性である。１９９８年に最初に商業的に自動車のステレオに導入されて以来、ＯＬＥＤは、現在、市販の製品（携帯電話、電気カミソリ、ＰＤＡ、デジタルカメラ等が挙げられる）の領域内で登場し始めている。

ＯＬＥＤを開発する際の最初の注意点は、蛍光発光に焦点が当てられた。電界発光素子における注入正孔（ｉｎｊｃｅｃｔｅｄｈｏｌｅ）および電子の再結合が生じるとき、一重項状態にあってそして蛍光発光をすることができる生成励起子はほぼ四分の一しかない。残りの四分の三の励起子は、三重項状態にあり、そして一般的に、室温付近では有機分子の放射メカニズムによる緩和（ｒｅｌａｘｉｎｇ）から除外される。結果として、電子蛍光素子（ｅｌｅｃｔｒｏｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔｄｅｖｉｃｅ）において生成されたおよそ７５％の励起子に含まれるエネルギーが失われ、そして上記励起三重項状態は、非放射経路を介して基底状態に戻る。これは、望ましくないことに、上記素子の作動温度を上昇させ得る。

最近の研究により、量子効率がより高い素子が、りん光エミッター（ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔｅｍｉｔｔｅｒ）より作製され得、この素子では、一重項励起子および三重項励起子の両方が発光のために使用され得ることが実証された（Ｂａｌｄｏら、１９９８，Ｎａｔｕｒｅ３９５：１５１）。重金属と有機配位子との間の、スピン−軌道カップリングは、励起一重項状態と励起三重項状態とを混ぜ、迅速な項間交差及びりん光による、励起三重項状態の発光減衰（ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔｄｅｃａｙ）を可能にする（Ｂａｌｄｏら、１９９８，Ｎａｔｕｒｅ３９５：１５４）。結果として、りん光性物質に基づく電界発光ＯＬＥＤは、理論上、１００％に近い内部量子効率を有する。

りん光は、蛍光よりもずっと緩徐な過程であり、そして結果として、励起状態は、蛍光発光とは関係のない経路を介して減衰し得る。りん光発光（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）の顕著な特徴は、より高い電流密度での、効率の「転がり落ち（ｒｏｌｌ−ｏｆｆ）」である（Ｂａｌｄｏら、２０００，Ｐｈｙｓ．ＲｅｖＢ．６２（１６）：１０９６７）。この転がり落ちは、三重項−三重項消滅（ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）（Ｔ−Ｔ消滅）が主因であり、Ｔ−Ｔ消滅ほど主要な原因ではないが、発光状態の飽和もその原因である（Ａｄａｃｈｉら、２０００，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．８９７（１１）：８０４９）。この発光部位の飽和は、発光層のアクセプター（ａｃｃｅｐｔｏｒ）／ゲスト（ｇｕｅｓｔ）の濃度を上昇させることにより、ある程度緩和され得るが、高濃度のアクセプター／ゲストは、一般的に、三重項状態励起子の二分子消光の増加につながる。

りん光性物質がＯＬＥＤ素子適用に用いられ得るという知見（Ｂａｌｄｏら、１９９８，Ｎａｔｕｒｅ３９５：１５１）以来、より高い効率を有し、かつ調節可能な発光色を有する新規な電界発光物質を開発するための、ならびに溶液加工を介して素子へと加工され得る新規な物質を探すための膨大な努力が捧げられてきた。具体的な目的は、イリジウム（ＩＩＩ）ベースの錯体（例えば、ファク−トリス（フェニルピリジン）イリジウム（ｆａｃ−ｔｒｉｓ（ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（“Ｉｒ（ｐｐｙ）_３”）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ２’）ｉｒｉｄｉｕｍ（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）（“（ｐｐｙ）_２Ｉｒ（ａｃａｃ）”）およびこれらの誘導体）に焦点が当てられている。

Ｔ−Ｔ消滅を減少させ、そして濃度自己消光を減少させる一のアプローチは、励起三重項の寿命がより短いアクセプターを用いることである（Ｃｈｅｎら、２００２，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８０（１３）：２３０８；Ｂａｌｄｏら、２０００，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ．６２（１６）１０９６７）。この理由のために、イリジウム錯体は、一般的に、寿命が約１オーダー大きい白金ポルフィリンよりも好ましい（Ｃｈｅｎら、２００２，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ８０（１３）：２３０８）。

Ｔｈｏｍｐｓｏｎらは、イリジウム錯体に基づく青色りん光エミッターを開示した（ＵＳ２００２／０１８２４４１Ａ１；ＷＯ０２／１５６４５Ａ１）。（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）およびビス（２−（２’−ベンゾ［４，５−ａ］チエニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^３）イリジウム（アセチルアセトン）（ｂｉｓ（２−（２’−ｂｅｎｚｏ［４，５−ａ］ｔｈｉｅｎｙｌｐｙｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ，Ｃ^３）ｉｒｉｄｉｕｍ（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎｅ））［Ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）］に基づく、高効率の緑色および赤色エミッターもまた、開発された（Ａｄａｃｈｉら、２００１，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８：１６２２；Ｌａｍａｎｓｋｙら、２００１、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２３：４３０４）。

最近、溶液加工可能なりん光性物質を開発するための進歩があった。ここで、りん光性ゲストは、溶液加工技術（例えば、スピンコーティングまたはインクジェットプリンティング）を介して均一な薄いフィルムを形成し得る、ホストポリマー又は低分子マトリックス中に分散される（Ｇｏｎｇら、２００２，Ｊ．Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１４：５８１；Ｚｈｕら、２００２，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８０：２０４５；Ｇｏｎｇら、２００２，Ｊ．Ａｐｐｌ．ＰｈｙｓＬｅｔｔ．８１：３７１１；Ｇｏｎｇら、２００３，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１５：４５；Ｃｈｅｎら、２００３，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８２：１００６）。ゲスト濃度がより高いと、相分離が生じ得、素子の量子効率および寿命に好ましくない方向に影響し得る（Ｃｈｅｎら、２００２，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２５：６３６；Ｌｅｅら、２００２，ＯｐｔｉｃａｌＭａｔｅｒｉａｌｓ２１：１１９；ＷＯ０３／０７９７３６）。

側鎖としてポリマー鎖にグラフトされたりん光発光錯体もまた開発された（Ｌｅｅら、２００２，ＯｐｔｉｃａｌＭａｔｅｒｉａｌｓ２１：１１９）。このポリマーにより生成された励起子は、りん光発光中心に移され得、そして効率的な緑色、赤色および白色光の発光が実証された（Ｃｈｅｎら、２００３，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２５：６３６）。これらのポリマーにおいて、電子移動は主として分子間である（Ｌｅｅら、２００２，ＯｐｔｉｃａｌＭａｔｅｒｉａｌｓ２１：１１９）。

デンドライト構造をりん光性錯体に導入することで、溶液加工能が促進され得、そして上記錯体の濃度依存性自己消光およびＴ−Ｔ消滅を防止し得る。Ｔ−Ｔ消滅は、上記素子が、高い輝度のために、より高い電流密度で作動される場合により深刻となり、三重項励起状態の集団（ｐｏｐｕｌａｔｉｏｎ）の飽和が始まり得る（Ｂａｌｄｏら、１９９９，ＰｕｒｅＡｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．７１（１１）２０９５）。デンドライト配位子のより高い生成により、金属錯体がお互いからより有効に分離し得、これにより、自己消光および三重項−三重項消滅を引き起こし得る二分子相互作用を抑制し得る（Ｍａｒｋｈａｍら、２００２，Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.Ｌｅｔｔ.８０(１５)：２６４５）。これらの非放射性減衰経路の抑制は、より高い素子効率を与える。

りん光性有機金属デンドリマーは、スピンコーティングを介して、ホスト物質と一緒に、質の高い薄型フィルムへと加工され得る。例えば、国際公開パンフレット第０２／０６６５５２号明細書は、金属イオンをコアの一部として有するデンドリマーを開示している。金属発色団がデンドリマーのコアに位置する場合、この金属発色団は、隣接分子のコア発色団から比較的離れており、濃度消光および／またはＴ−Ｔ消滅を最小化すると提唱されている。

国際公開パンフレット第０３／０７９７３６号明細書には、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３ベースのデンドリマーを含有する溶液加工可能な層を備えた発光素子が開示されている。ここで、少なくとも一のデンドロンは、少なくとも二の芳香族基に直接的に結合された窒素ヘテロアリール基または窒素原子を有する。

国際公開パンフレット第２００４／０２０４４８号明細書には、量子効率を減少させる分子間りん光体相互作用を克服するように設計された、多くのＩｒ（ｐｐｙ）_３ベースのデンドリマーが開示され、そしてそのデンドライト構成によりコアが離れたままになり、そして三重項−三重項消光を減少させると提案されている。

米国特許出願公開第２００４／０１３７２６３号明細書には、少なくとも一のデンドライトが十分に結合されている（ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ）、多くの第一世代Ｉｒ（ｐｐｙ）_３デンドリマーおよび第二世代Ｉｒ（ｐｐｙ）_３デンドリマーが開示されている。これらのデンドライトの表面の基は、デンドリマーが適切な溶媒中で可溶性となるように修飾され得る。あるいは、これらのデンドライトは、りん光性ゲストの電気的特性を変化させるように選択され得る。

Ｍａｒｋｈａｍら（２００２，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８０（１５）：２６４５）は、第一世代および第二世代のＩｒ（ｐｐｙ）_３デンドリマーのフォトルミネセンス量子収率（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅｑｕａｎｔｕｍｙｉｅｌｄ）（ＰＬＱＹ）を開示する。第二世代デンドロンのＰＬＱＹの増加の原因は、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３コアの分離がより大きくなり、その結果、濃度依存性二分子消光効果が低減したことにあった。電子輸送ホスト物質中でドープ処理されたＩｒ（ｐｐｙ）_３とは異なり、デンドリマーの同一の電子輸送ホスト物質中の溶液をスピンコーティングすることにより、良質のフィルムが調製され得る。

他の嵩高い非デンドライト配位子は、素子の性能に関して同一の効果を有し得る。Ｘｉｅら（Ａｄｖ．Ｍａｔ２００１，１３：１２４５）は、（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３）、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３のピネン誘導体を開示している。Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３を含む電界発光素子は、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３を含む素子ほど、量子効率の転がり落ちが顕著でない。これは、一部には、励起されたＩｒ（ｍｐｐｙ）_３三重項状態の寿命の減少およびゲスト／ドーパントの飽和の低減に起因する。Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３を含む素子の外部量子効率は、高いドーピングレベル（例えば、２６重量％）においてでさえ、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３濃度の増加とともに増加する。より高い濃度でのＩｒ（ｍｐｐｙ）_３りん光性物質の自己消光の減少の原因は、二分子りん光性物質相互作用を最小化すると考えられる、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３中の立体障害の大きいピネンスペーサーにあった。

デンドリマーアプローチは、効率的なＯＬＥＤ素子に対して溶液加工可能なりん光性物質を提供し得るが、この配位子および得られた金属錯体の合成および精製は、非常に長ったらしく退屈（ｔｅｄｉｏｕｓ）であり、特により高いデンドロンの生成が用いられる場合にそうである。

単座、二座または三座配位子を有する、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、ＲｈおよびＺｎベースの有機金属錯体は、発光素子用のエミッターとして使用され得、そして、発光層において生成される一重項および三重項の両方の励起子を利用する能力のために、蛍光発光物質と比較してずっと高い量子効率を有し得る。しかし、現在までのところ、有機金属錯体に基づくＯＬＥＤ素子のほとんどは、真空蒸着を介してのみ調製され得る。真空蒸着は、低分子を堆積するのに魅力的な方法であり、そしてこれに加えて、この堆積された有機分子をさらに精製し得るが、この方法は、一般的に、高額の設備が必要とされるために、費用がかかる。

溶液加工は、より低コストの技術であり、そして大量で迅速な生産に、より適切である。溶液加工はまた、大きなディスプレーに必要とされる、より大きなフィルムを調製することにもより適切であり得る。

本発明は、上記の問題点を解決しようとするものであり、Ｔ−Ｔ消滅を減少させた、効率の高いりん光発光物質を提供しようとするものである。これらの物質は、容易に調製され得、そして、溶液加工を介して、ポリマー性または低分子のホスト物質と共に、均一な薄型フィルムへと容易に製作され得る。

（発明の要旨）
一局面では、本発明は、式（Ｉ）：

（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；
Ｒ_１〜Ｒ_８は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ（ｓｕｌｆｉｎｏ）、チオアミド、ヒドロキシ、ハロまたはシアノであり、そしてＲ_１〜Ｒ_８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得るが、但し、
Ｒ_１〜Ｒ_４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ_５〜Ｒ_８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ_５〜Ｒ_８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ_１〜Ｒ_４のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ_１〜Ｒ_８のうち少なくとも一が、スピロ基を含み；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；
ｙは、（ｚ−２ｘ）／２であり；
そしてＲ _２は、フッ素ではない）
の有機金属化合物を提供する。
別の局面では、本発明は、式（Ｉ）：

（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；Ｒ _１およびＲ _３〜Ｒ _８は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、ハロまたはシアノであり、そしてＲ _１〜Ｒ _８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得、
Ｒ _２は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、またはシアノであり、そしてＲ _１〜Ｒ _８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得、
Ｒ _１〜Ｒ _４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ _５〜Ｒ _８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ _５〜Ｒ _８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ _１〜Ｒ _４のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ _１〜Ｒ _８のうち少なくとも一が、スピロ基を含み；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；そして
ｙは、（ｚ−２ｘ）／２である）
の有機金属化合物を提供する。

別の局面では、本発明は、本発明の種々の実施形態に従う有機金属錯体を含有するフィルムを提供する。

さらに別の局面において、本発明は、本発明の種々の実施形態に従う有機化合物を含む電界発光素子を提供する。

本発明の他の局面および特徴は、添付の図面と一緒に以下の本発明の特定の実施形態の説明を概観するやいなや、当業者にとって明らかになる。

図は、本発明の実施形態を例としてのみ例示する。

（発明の詳細な説明）

式（Ｉ）：

（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；
Ｒ_１〜Ｒ_８は、独立して、Ｈ、ハロ、必要に応じて置換されたアルキル、必要に応じて置換されたアルケニル、必要に応じて置換されたアルキニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキル、必要に応じて置換されたヘテロアルケニル、必要に応じて置換されたヘテロアルキニル、必要に応じて置換されたアリール、必要に応じて置換されたヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、ハロもしくはシアノであり、そしてＲ_１〜Ｒ_８のうち二以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、環を形成し得るが、但し、
Ｒ_１〜Ｒ_４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ_５〜Ｒ_８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ_５〜Ｒ_８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ_１〜Ｒ_４のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ_１〜Ｒ_８のうち少なくとも一が、スピロ基を含み；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；
そしてｙは、（ｚ−２ｘ）／２である）
の有機金属化合物が開示される。

上記ラジカル基は、当業者に公知であるように、通常受け入れられている意味に従って定義されるが、適切な場合には、以下の定義に従って修正して、定義される。

本明細書中で用いられる場合、アルキルおよびヘテロアルキルラジカルは、直鎖状の場合には１〜約３０の炭素を、そして分枝または環式の場合には、約３〜約６０の炭素を有する。アルケニル、アルキニル、ヘテロアルケニルおよびヘテロアルキニルラジカルは、直鎖状の場合には２〜約３０の炭素原子を、そして分枝または環式の場合には、約３〜約６０の炭素原子を有する。アリールおよびヘテロアリールのラジカルは、約３〜約６０の炭素原子を有する。

本明細書中で用いられる場合、「アルキル」とは、直鎖、分枝または環式の飽和ヒドロカルビル鎖ラジカルをいう。用語「アルケニル」および「アルキニル（ａｌｋｙｎｌ）」とは、それぞれ、少なくとも一の炭素−炭素二重結合、および一の炭素−炭素三重結合を有する、直鎖または分枝鎖、環式もしくは非環式の不飽和ヒドロカルビル鎖ラジカルをいう。

用語「ヘテロアルキル」、へテロアルケニル」および「ヘテロアルキニル」とは、少なくとも一の炭素原子が、ヘテロ原子（例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、ＰもしくはＳｉ）により置き換えられた「アルキル」、「アルケニル」および「アルキニル」ラジカル（上記へテロ原子が接続炭素（ｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇｃａｒｂｏｎ）に取って代わったラジカルも含む）をいう。例えば、式Ｉに関して、上記へテロ原子が酸素である場合、「ヘテロアルキル」は、内部エーテル（−Ｒ−Ｏ−Ｒ）基を有するラジカルおよび酸素が２−フェニルピリジン環の炭素原子の一に接続されているアルコキシラジカル（−Ｏ−Ｒ）を包含する。

本明細書中で用いられる場合、「アリール」とは、炭素原子から水素原子を取り去ることによりアレーンから誘導される、モノシクリルおよびポリシクリル基の部類をいい、この「アリール」としては、フェニル、ナフチル、ビフェニル、フルオレニル、アントラセニル、フェナントラセニル、ピレニル、インデニル、アズレニルおよびアセナフチレニルが挙げられるが、これらに限定されない。本明細書中で用いられる場合、「アリール」は、上記アリール基が、ヘテロ原子を介して結合されているラジカルをも包含し、このアリールとしては、例えば、「アリールオキシ」「アリールチオ」および「アリールアミノ」基が挙げられる。本明細書中で用いられる場合、「アリールアミノ」は、ジアリールアミノおよびトリアリールアミノ基を包含する。

本明細書中で用いられる場合、用語「ヘテロアリール」とは、水素原子を取り去ることによりヘテロアレーンから誘導されるヘテロシクリル基の部類をいう。このヘテロシクリル基のへテロ原子としては、独立して、Ｏ、Ｓ、Ｎ、ＳｉまたはＰであり得る。このヘテロ環基は、モノシクリルまたはポリシクリルであり得る。「ヘテロアリール」としては、ピリジニル、ピリル（ｐｙｒｒｙｌ）、フラニル、チオフェニル、インドリル、ベンゾフラニル、キノリル、カルバゾリル、シロリル（ｓｉｌｏｌｙｌ）およびホスホリルが挙げられるが、これらに限定されない。「ヘテロアリール」はまた、ヘテロアリール基がヘテロ原子を介して結合されたラジカル（例えば、「ヘテロアリールオキシ」、「ヘテロアリールチオ」および「ヘテロアリールアミノ」）をも包含する。ヘテロアリールアミノは、ジヘテロアリールアミノおよびトリヘテロアリールアミノ基を包含する。

上述のラジカル（「アルキル」、「アルケニル」、「アルキニル」、「ヘテロアルキル」、「ヘテロアルケニル」、「ヘテロアルキニル」、「アリール」および「ヘテロアリール」）の各々は、必要に応じて、置換され得る。本明細書中で用いられる場合、「置換ラジカル」とは、一以上の置換基（例えば、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヘテロアルキル、ヘテロアルケニル、ヘテロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボニル、スルホニル、チオアミド、ハロ、ヒドロキシ、オキシ、シリルまたはシロキシ）を含む上述のラジカルの一をいう。「ハロ」または「ハロゲン」とは、Ｃｌ、Ｂｒ、ＦまたはＩをいう。上述の置換基（ハロ、およびヒドロキシを除く）のうち一部はまた、それ自体置換され得る。

本明細書中で用いられる場合、「ｄ−ブロック金属」とは、周期表の３族から１２族の元素をいい、このｄ−ブロック金属としては、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＡｕおよびＺｎが挙げられるが、これらに限定されない。

本明細書中で用いられる場合、「スピロ」とは、一の原子のみを共有する二の環から部分的になる、化合物の基（例えば、スピロビフルオレン）をいう。このスピロ原子は、例えば、炭素またはケイ素であり得る。

本明細書中で用いられる場合、「バンドギャップ」とは、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）と最低空軌道（ＬＵＭＯ）との間のエネルギー差をいう。

本明細書中で用いられる場合、「環」は、単環式であってもよいし多環式であってもよい。「環」は、二の原子が二の隣接環で共通である縮合系を包含する。

別個の実施形態において、式Ｉの置換２−フェニルピリジン基は、以下：

（式中、Ｒ_１１〜Ｒ_２６は、独立して上記Ｒ_１と同様に定義される）
であり得る。当業者に理解されるように、アリール環もしくはヘテロアリール環の中へと延びている任意のＲ基を描いた結合は、このＲ基が上記アリール環もしくはヘテロアリール環のいずれの利用可能な（ａｖａｉｌａｂｌｅ）位置にあってもよいことを示す。例えば、構造

は、２／６−クロロピリジン、３／５−クロロピリジン（ｃｈｌｏｒｏｐｙｒｉｎｄｉｎｅ）および４−クロロピリジンを包含することが理解される。

分枝した置換２−フェニルピリジン基（本明細書中では、後に「分枝配位子」とも呼ばれる）は、穏やかな条件下で、Ｄｉｅｌｓ−Ａｌｄｅｒ反応を介して調製され得る。収率の高さは、８０％〜９０％もあり得る。例えば、２−（２’、３’，４’，５’−テトラフェニル）−５−フェニル−フェニルピリジン（Ｂ）の調製のための反応スキームは、図１２に示されている。簡潔にいえば、２，５−ジブロモピリジンが、ジイソプロイルアミンおよびＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２中で、（トリメチルシリル）アセチレンに添加され、２−トリメチルシリル−５−ブロモピリジン（２）を生成する。化合物２を、ＴＨＦ／メタノール／ＮａＯＨ中でｏ−キシレンと反応させ、２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）−フェニル−５−ブロモ−ピリジン（３）を生成した。次いで、化合物３を、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）中のフェニルボロン酸と炭酸ナトリウム／トルエン溶液中で反応させ、Ｂを生成した。あるいは、上記分枝配位子は、遷移金属触媒性［２＋２＋２］環式三量化（ｃｙｃｌｏｔｒｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）により調製され得る（Ｓ．Ｓａｉｔｏ及びＹ．Ｙａｍａｍｏｔｏ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２０００，１００：２９０１−２９１５；Ｍ．Ｌａｕｔｅｎｓ，Ｗ．Ｋｌｕｔｅ，ａｎｄＷ．Ｔａｍ，Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．１９９６，９６：４９−９２］。

本発明の分枝配位子のイリジウム錯体（式ＩにおけるＭ＝Ｉｒ）は、当該分野において公知の方法により調製され得る（例えば、国際公開パンフレット第２００４／０８４３２６号明細書およびその中の参考文献を参照のこと）。例えば、上記分枝配位子は、塩化イリジウム水和物と反応し、塩素架橋二量体（ｃｈｌｏｒｏ−ｂｒｉｄｇｅｄｄｉｍｅｒ）を高収率で形成し得る。次いで、この塩素架橋二量体は、一以上のさらなる配位子（Ｌ）（これは、同一のものでも別個のものでも良い）とさらに反応し、本発明の最終的な新規なりん光性錯体を得ることができる（国際公開パンフレット第０２／１５６４５号明細書、米国特許出願公開第２００２／０３４６５６号明細書を参照のこと）。この開示された分枝配位子はまた、塩素架橋Ｌ二量体（例えば、Ｌ_２Ｉｒ（Ｃｌ）_２ＩｒＬ_２）と反応し、本発明の新規なりん光性物質を形成し得る。

式ＩのＬは、単座配位（ｍｏｎｏｄｅｎｔａｔｅ）、二座配位（ｂｉｄｅｎｔａｔｅ）または三座配位（ｔｒｉｄｅｎｔａｔｅ）であり得る。従って、当業者は、式Ｉに描かれるＭ−Ｌ結合は、単一のＭ−Ｌ結合に限定されるのではなく、ＭとＬとの間の、一、二または三の結合が包含され得ることを理解する。式ＩのＬは、有機金属錯体の発光特性を調整するように選択され得る。例えば、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）（“ＦＩｒ（ｐｉｃ）”）における２−カルボキシピリジル基は、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）錯体と比較して、発光スペクトルをブルーシフトさせる。適切な二座配位Ｌ基は、当業者に公知であり、適切な二座配位Ｌ基としては、ヘキサフルオロアセトネート、サリチリデン、８−ヒドロキシキノレートおよび

（式中、Ｒ_１１〜Ｒ_１３は、独立して上記Ｒ_１と同様に定義され、そして有機金属錯体のｄ−ブロック金属との二の結合は、参照のためにのみ示される）が挙げられるが、これらに限定されない。特定の実施形態において、Ｌは、アセチルアセトン（“ａｃａｃ”）である。

適切な単座配位Ｌ基もまた、当業者に公知であり、そして適切な一座配位Ｌ基としては、以下：

（式中、Ｒ_１１〜Ｒ_１３は、独立して上記Ｒ_１と同様に定義され、そして金属原子との結合は、参照のためにのみ示される）
が挙げられるが、これらに限定されない。

適切な三座配位Ｌ基もまた、当業者に公知であり、そして適切な三座配位Ｌ基としては、以下：

（式中、Ｒ_１１〜Ｒ_１４は、独立して上記Ｒ_１と同様に定義され、そして金属原子との結合は、描かれていない）
が挙げられるが、これらに限定されない。

当業者は、他の金属（例えば、Ｒｈ、ＰｄまたはＰｔ）の錯体が、同様の方法（国際公開パンフレット第２００４／０８４３２６号明細書）により作製され得ることを理解する。

他の実施形態では、式ＩのＲ_１〜Ｒ_８のうち一以上は、スピロ基（例えば、スピロビフルオレニル基）を含む置換基であり得る。特定の実施形態では、この置換２−フェニルピリジン基は、以下の構造：

（式中、Ｒ_１１〜Ｒ_２０は、独立して上記Ｒ_１と同様に定義され、そしてｘは、１〜約３であり得る）
を有し得る。

スピロ置換２−フェニルピリジン基は、当該分野で公知の方法により、十分な（ｓａｔｉｓｆａｃｔｏｒｙ）収率で調製され得る。例えば、スピロビフルオレニルを含む配位子は、フルオレノンを、２−ブロモビフェニルのグリニャール試薬またはリチウム試薬と反応させ、続いて酸処理をすることにより、調製され得る（Ｙｕら、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．２０００，１２，８２８−８３１；Ｋａｔｓｉｓら、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００２，１４，１３３２−１３３９）。このスピロ−ビフルオレニル基がさらなる官能基（例えば、ハロゲン基）を含む場合、このスピロ−ビフルオレニル基は、他の試薬で、グリニャール反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応または亜鉛カップリング反応を介して、さらにカップリングされ、所望の配位子を取得し得る。スピロケイ素置換基は、当該分野において公知の方法に従って（例えば、米国特許第６，４６１，７４８号明細書に記載の通りにして）、調製され得、そして公知の方法により、２−フェニルピリジンにカップリングされ得る。

上記記載のものと同一の手順に従い、スピロ置換２−フェニルピリジン基を、塩化イリジウムと反応させ、塩素架橋二量体を取得し得、次いで、この塩素架橋二量体を、別の配位子（Ｌ）と反応させ、本発明のりん光性錯体を取得し得る。あるいは、上記スピロ置換２−フェニルピリジン基を、塩素架橋Ｌ二量体（例えば、Ｌ_２Ｉｒ（Ｃｌ）_２ＩｒＬ_２）と反応させ、本発明のりん光性錯体を取得し得る。

当業者に理解されているように、Ｒ_１〜Ｒ_８の正体は、電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）に影響し得、そして従って、有機金属錯体の特性である、発光に影響し得る。非結合型置換基（ｎｏｎ−ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄｓｕｂｓｔｉｔｕｅｎｔ）は、結合型置換基（ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄｓｕｂｓｔｉｔｕｅｎｔ）と比較して、結合長さ（ｃｏｎｊｕｇａｔｉｏｎｌｅｎｇｔｈ）が異なるために、発光に影響し得る。例えば、Ｉｒ（ｐｐｙ）ベースのりん光性物質の発光スペクトルは、電子供与性または電子吸引性の置換基を取り込むことにより、修飾され得る。米国特許出願公開第２００２／０１８２４４１号明細書には、フォトルミネセンス発光がｐｐｙ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）と比較してブルーシフトされた（ｐｐｙ）_２Ｉｒ（ａｃａｃ）のビス４−６フルオロ誘導体が開示されている。パーフルオロフェニル基を（ｐｐｙ）_２Ｉｒ（ａｃａｃ）へと導入することで、発光極大（ｅｍｉｓｓｉｏｎｍａｘｉｍｕｍ）が、置換の位置に依って、レッドシフトまたはブルーシフトし得る（Ｏｓｔｒｏｗｓｋｉら、２００２，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，７：７８４−７８５．Ｎａｚｅｅｒｕｄｄｉｎら、２００３，Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２５：８７９０−８７９７；Ｌａｍａｎｓｋｙら、２００１，Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２３：４３０４−４３１２；ＮＨＫＬａｂｏｒａｔｏｒｉｅｓＮｏｔｅＮｏ．４８４（これは、オンラインで、ｗｗｗ．ｎｈｋ．ｏｒ．ｊｐ／ｓｔｒｌ／ｐｕｂｌｉｃａ／ｌａｂｎｏｔｅ／ｌａｂ４８４．ｈｔｍｌにて利用できる））。

式Ｉの有機金属錯体の溶液は、適切な溶媒中に当該錯体を溶解することにより作製し得る。いくつかの実施形態では、この溶液は、電荷運搬ホスト物質（ｃｈａｒｇｅ−ｃａｒｒｙｉｎｇｈｏｓｔｍａｔｅｒｉａｌ）をさらに含有する。この溶媒は、好ましくは、有機金属錯体および上記ホストの両方が、十分に溶解性の溶媒である。いくつかの実施形態では、この溶媒は、溶液加工技術（例えば、スピンコーティング）においてなじみやすい、揮発性の有機物である。

分枝置換２−フェニルピリジンベースの配位子を含むりん光性錯体は、（例えば、国際公開パンフレット第０３／０７９７３６号明細書、米国特許出願公開第２００４／０１３７２６３号明細書、国際公開パンフレット第２００４／０２０４４８号明細書および国際公開パンフレット第０２／０６６５５２号明細書において）開示されたりん光性デンドリマー錯体とは、後者のデンドロンが一般的に２−フェニルピリジン環の一または二の位置においてしか結合されていない点で異なる。

式Ｉの有機金属錯体のフィルムは、従来の溶液加工技術（例えば、スピンコーティングまたはインクジェットプリンティング）により調製し得る。いくつかの実施形態では、式Ｉの有機金属錯体は、有機またはポリマーの電荷運搬ホスト化合物と合わされ、そしてホスト物質およびゲスト物質を含有する溶液が、溶液加工技術によりフィルムへと加工され得る（Ｌｅｅら、２０００，ＡｐｐｌＰｈｙｓＬｅｔｔ．８１（１）：１５０９）。

当業者に理解されているように、電荷運搬ホスト物質は、有機金属錯体への効率的な励起子移動（ｅｘｃｉｔｉｏｎｔｒａｎｓｆｅｒ）を可能にし、りん光発光中心の三重項状態から上記ホストの三重項への逆向き移動（ｂａｃｋｔｒａｎｓｆｅｒ）がほとんどないかまたは全くないように、選択され得る。当業者は、多くの公知のホスト物質（３−フェニル−４（１’ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（“ＴＡＺ”）、４，４’−Ｎ，Ｎ−ジカルバゾール−ビフェニル（“ＣＢＰ”）、ポリ−９−ビニルカルバゾール（“ＰＶＫ”）、２−（４−ビフェニル）−５（４−ｔｅｒｔブチル−フェニル）−１，３，４，オキサジアゾール（“ＰＢＤ”）、４，４’，４”−トリ−Ｎ−カルバゾリル−（トリフェニルアミン）（“ＴＣＴＡ”）、１，３，４−オキサジアゾール，２，２’−（１，３−フェニレン）ビス［５−［４−（１，１−ジメチルエチル）フェニル］］（“ＯＸＤ−７”）またはポリ［２−（６−シアノ−６−メチル）ヘプチルオキシ−１，４−フェニレン（“ＣＮＰＰ”）が挙げられるが、これらに限定されない）を知っている。

多くのホスト物質のＨＯＭＯエネルギーおよびＬＵＭＯエネルギーは公知である（Ａｎｄｅｒｓｏｎら、１９９８，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２０：９４９６；Ｇｏｎｇら、２００３，Ａｄｖ．Ｍａｔ．１５：４５）。あるいは、物質のＨＯＭＯエネルギーおよびＬＵＭＯエネルギーは、当該分野で公知の方法により決定され得る（Ａｎｄｅｒｓｏｎら１９９８，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２０：９４９６；Ｌｏら、２００２，Ａｄｖ．Ｍａｔ．１４：９７５）。

一実施形態では、有機金属錯体は、約１％〜約５０％のモル比で、ホストに添加され得る。フィルムの所望の特性に依って、当業者は、ホスト物質の中に含めるべき有機金属錯体の量を知っている。一般的に、フィルムの吸収スペクトルは、主にりん光性物質からの発光を示しているのであって、ホスト物質からの発光はほとんどないかまたは全くないはずである。有機金属錯体の濃度がより高いと、二分子錯体−錯体相互作用が、高励起子密度で発光を消光し得る（Ｂａｌｄｏら、１９９８，Ｎａｔｕｒｅ３９５：１５１）。所望の発光特性に依って、有機金属錯体の濃度は、適切に変動され得る。例えば、有機金属錯体の濃度は、発光極大を示し、より高い電流密度で転がり落ちがほとんどないかまたは全くないように選択され得る。Ｉｒ（ｐｐｙ）_３錯体に関して、ＣＢＰおよびＰＶＫホストのピーク効率は、錯体濃度がそれぞれ約６重量％および約８重量％である場合に得られる（Ｂａｌｄｏら（１９９９）ＰｕｒｅＡｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．７１（１１）：２０９５；Ｌｅｅら、ＡｐｐｌＰｈｙｓＬｅｔｔ２０００，７７（１５）：２２８０）。

りん光性有機金属錯体をホストの中へブレンドすることで、発光中心を分離することによりりん光エミッターの量子効率が改善され得ると考えられている。Ｉｒ（ｐｐｙ）_３−デンドリマーフィルムは、固体状態では２２％のフォトルミネセント量子収率（ＰＬＱＹ）しかなかったが、その一方で、２０％の重量比でＣＢＰ中へとドープ処理した同一のデンドリマーは、７９±６％のＰＬＱＹを有しており、このことは、上記ＣＢＰホストから上記Ｉｒ（ｐｐｙ）_３ベースのデンドリマーへの効率的なエネルギー移動が生じ、そしてりん光発色団の分離が増強されることによりＴ−Ｔ消滅が最小化されることを示している（Ｌｏら、２００２，ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ１４：９７５）。

式Ｉの有機金属錯体を含有するフィルムは、電界発光素子中で有利に使用され得る。当業者に理解されるように、一般的に、そして図１Ａ（これは、一定の縮尺で描かれていない）を参照して、電界発光素子は、一以上の電界発光物質を含有する発光層（３００）を備え、この発光層は、電子注入カソード（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｎｊｅｃｔｉｎｇｃａｔｈｏｄｅ）（３１０）と正孔注入アノード（ｈｏｌｅｉｎｊｅｃｔｉｎｇａｎｏｄｅ）（３２０）との間に配置されている。特定の実施形態では、アノードおよびカソードのうち一以上が支持体（３３０）の上に配置され得る。この支持体は、透明であっても、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）であっても、半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であってもよい。当業者に理解されているように、アノードまたはカソードは、透明であっても、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）であっても、半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であってもよく、そして透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な電極は、透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な支持体の上に配置され得る。特定の実施形態では、上記アノードは、透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であり、そして透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）の支持体上に配置される。

アノード（３２０）は、金もしくは銀、またはより好ましくは、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）の薄型フィルムであり得る。一般的に、アノードは、仕事関数の大きな金属を含む（米国特許出願公開第２００２／０１９７５１１号明細書）。ＩＴＯは、透明度および導電率が高いために、アノードとして特に適切である。種々の実施形態では、アノード（３２０）は、透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な支持体（３３０）の上に提供され得る。

特定の実施形態では、アノードおよびカソードの一以上が、支持体（３３０）の上に堆積され得、この支持体は、透明であっても、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）であっても、半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であってもよい。この透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な支持体（３３０）は、硬くてもよく（例えば、石英もしくはガラス）、または、フレキシブルなポリマー基板であってもよい。フレキシブルで、透明、半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）または半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）な基板の例としては、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリオレフィン（例えば、ポリプロピレンおよびポリエチレン）、ポリアミド、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスチレン、ポリビニルクロライド、ならびにフッ化ポリマー（例えば、ポリテトラフルオロエチレン）が挙げられるが、これらに限定されない。

式Ｉの有機金属錯体（これはまた、本明細書中で後に「ゲスト」または「アクセプター」とも呼ばれる）を含有する発光層（３００）は、公知の溶液加工技術（例えば、スピンコーティング、キャスティング、マイクログラビアコーティング、グラビアコーティング、バーコーティング、ロールコーティング、ワイヤバーコーティング、ディップコーティング、スプレーコーティング、スクリーンプリンティング、フレキソプリンティング、オフセットプリンティングまたはインクジェットプリンティング）によりアノード上にフィルムとして提供され得る。特定の実施形態では、上記発光層は、有機電荷運搬ホスト物質をさらに含有する。電荷運搬ホスト物質は、電荷の輸送に重要な役割を果たし、そして三重項供給源として作用し、発光のために励起三重項を金属に移す（国際公開パンフレット第０３／０７９７３６号明細書）。

電荷運搬ホスト物質は、大部分は、電子輸送物質（例えば、Ａｌｑ３、ＴＡＺ、ＢＣＰ、ＰＢＤ、ＯＸＤ−７）であり得るか、または、大部分は、正孔輸送物質（例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン（“ＴＰＤ”）、ＰＶＫ、ＴＣＴＡ、またはＮ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン（“ＮＰＢ”）であり得る。さらなる正孔輸送物質は、米国特許第６，０９７，１４７号明細書において見出され得る。

特定の実施形態において、電界発光ポリマーフィルムは、約５０〜２００ｎｍの厚さを有し得る。当業者は、得られたフィルムの厚さを、例えば、当該電界発光ポリマーのコーティングの持続期間および量を制御することにより制御する方法を、容易に理解する。特定の実施形態では、電荷運搬ホスト物質は、電荷運搬体の組み合わせ（例えば、ＰＶＫとＰＢＤとのブレンド）を含み得る（Ｌｉｍら、２００３，ＣｈｅｍＰｈｙｓＬｅｔｔ３７６：５５）。当業者により理解されるように、発光層は、均一な組成のものである必要はなく、そしてそれ自体、多くの別個の層で構成され得る（米国特許出願公開第２００３／０１７８６１９号明細書）。

いくつかの実施形態では、上記発光層（３００）はまた、蛍光発光物質（例えば、［２−メチル−６−［２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル］エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン］プロパン−ジニトリル（“ＤＣＭ２”）（米国特許出願公開第２００３／０１７８６１９号明細書）またはナイルレッド（ＮｉｌｅＲｅｄ）（Ｈｅら、２００２，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ８１（８）：１５０９））を含有し得る。ＰＶＫ：ＰＢＤ中１％の（ｐｐｙ）_２Ｉｒ（ａｃａｃ）および１％のナイルレッドの発光層を備える電界発光素子は、ナイルレッドの発蛍光団からのほぼ排他的（ｅｘｃｌｕｓｉｖｅ）な発光を示す。特定の如何なる理論に制限されることなく、式Ｉの有機金属錯体は、項間交差剤として作用し、励起子の再結合の間に形成された三重項状態が、フェルスター移動を介して、一重項状態として蛍光発光物質に移されることを可能にし得ると考えられている。この実施形態において、上記項間交差剤および蛍光発光物質は、発光層内の別個の層の内部に存在し得る。好ましくは、上記項間交差剤および蛍光発光物質は、蛍光エミッターと項間交差剤との間に、およびホスト物質の発光スペクトルと項間交差剤の吸収スペクトルとの間に、実質的なスペクトルのオーバーラップがあるように選択される（米国特許出願公開第２００３／０１７８６１９号明細書）。実質的なスペクトルのオーバーラップは、例えば、米国特許出願公開第２００３／０１７８６１９号に記載の通りにして、計算され得る。

上記発光層（３００）の内部の電荷運搬ホスト物質の内部のゲスト物質の相対濃度は、約０．５重量％〜約２０重量％であり得る。当業者は、所定のホスト中のゲストの最適濃度が、公知の方法により、例えば、りん光性ゲストの濃度のみが異なる素子の発光特性を比較することにより、決定され得ることを理解する。一般的に、りん光性ゲストの最適濃度は、所望のレベルの発光を、所定の電流密度で、量子効率の顕著な転がり落ちなしに与える濃度である。

カソード（３１０）は、電極を導電し、そして電極を有機層中に注入し得る、任意の物質であり得る。このカソードは、仕事関数の小さな金属または金属合金であり得、これらとしては、例えば、バリウム、カルシウム、マグネシウム、インジウム、アルミニウム、イッテルビウム、アルミニウム：リチウム合金、またはマグネシウム：銀合金（例えば、マグネシウム対銀の原子比が約１０：１である合金（米国特許第６，７９１，１２９号明細書））、またはリチウム対アルミニウムの原子比が約０．１：１００〜約０．３：１００である合金（Ｋｉｍら、（２００２）Ｃｕｒｒ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２（４）：３３５−３３８；Ｃｈａら、（２００４）Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１４３（１）：９７；Ｋｉｍら、（２００４）Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１４５（２−３）：２２９）が挙げられる。カソード（３１０）は、単一の層であっても、複合の構造を有していてもよい。カソード（３１０）は、反射性であっても、透明であっても、半透明（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ）であってもよい。

図１Ｂに関して、上記電界発光素子は、一以上の正孔注入層（ＨＩＬ）（３４０）をさらに備え得、この正孔注入層（ＨＩＬ）（３４０）は、アノード（３２０）と発光層（３００）との間に配置され、正孔ブロッキング層（３６０）は、上記発光層とカソード（３１０）との間に配置され、そして電子輸送層（ＥＴＬ）（３５０）は、正孔ブロッキング層（３６０）とカソード（３１０）との間に配置されている。当業者に理解されるように、上記電界発光素子は、種々の層を様々な方法で組み合わせることにより、調製され得、そして図１Ｂにおいて具体的に記載されても描かれてもいない他の層もまた、存在し得る。図１Ｂの層の厚さもまた、一定の縮尺で描かれていない。

上記ＥＴＬ（３５０）は、電子輸送物質を含有する。本明細書中で用いられる場合、電子輸送物質は、カソード（３１０）から、電子輸送層物質のＬＵＭＯへの電子の効率的な注入を可能にする、任意の物質である。このＥＴＬは、固有の電子輸送物質（例えば、Ａｌｑ３）またはドープ処理された物質（例えば、米国特許出願公開第２００３０２３０９８０号において開示された、Ｌｉドープ処理されたＢＰｈｅｎ）を含有し得る。好ましくは、カソードの仕事関数は、約０．７５ｅＶ以下であり、これは、電子輸送物質のＬＵＭＯレベルよりも大きく、より好ましくは、約０．５ｅＶ以下、または、より一層好ましくは、約０．５ｅＶであり、これは、電子輸送物質のＬＵＭＯレベルよりも小さい（米国特許出願公開第２００３／０１９７４６７号明細書）。特定の実施形態では、電子輸送層は、約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚さを有し得る。

上記ＨＩＬ（３４０）は、正孔注入物質を含有する。正孔注入物質は、アノードを湿らせ得るかまたは平坦化（ｐｌａｎａｒｉｚｅ）し、カソードから正孔注入層への正孔の効率的な注入を可能にし得る物質である（米国特許出願公開第２００３／０１９７４６７号明細書）。正孔注入物質は、一般的に、正孔輸送物質であるが、正孔注入物質が一般的に、従来の正孔輸送物質よりもかなり小さな正孔移動度（ｈｏｌｅｍｏｂｉｌｉｔｙ）を有するという点で区別される。正孔注入物質としては、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｔｈｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）（“ｍ−ＭＴ−ＤＡＴＡ”）（米国特許出願公開第２００３／０１９７６４７号明細書）、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホン酸）（“ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ”）またはポリアナリン（“ＰＡＮＩ”）が挙げられる。特定の実施形態では、正孔注入層は、約２０ｎｍ〜約１００ｎｍの厚さを有し得る。

特定の実施形態では、ＯＬＥＤ素子の効率は、正孔ブロッキング層（３６０）を導入することにより、改善され得る。特定の如何なる理論に制限されることなく、正孔ブロッキング物質のＨＯＭＯレベルは、電荷が発光層から拡散するのを防止するが、正孔ブロッキング物質は、電子を上記正孔ブロッキング層（３６０）を通過させ、そして発光層（３００）に入らせるのに十分に低い電子障壁（ｅｌｅｃｔｒｏｎｂａｒｒｉｅｒ）を有していると考えられている（例えば、米国特許第６，０９７，１４７号明細書、同第６，７８４，１０６号明細書および米国特許出願公開第２００３０２３０９８０号明細書を参照のこと）。正孔ブロッキング物質は、当業者に公知であり、この正孔ブロッキング物質としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（“ＢＣＰ”）が挙げられる。一般的に、上記正孔ブロッキング層（３６０）は、電荷運搬層（例えば、ＥＴＬ（３５０））よりも薄い（２００４／０２０９１１５）。いくつかの実施形態では、この正孔ブロッキング層は、約５ｎｍ〜約３０ｎｍの厚さを有し得る。

発光層（３００）中のホスト物質は、励起子ブロッキング物質であり得る。りん光性素子において、励起子は、最初にホスト上にあり、そして最終的にりん光性ゲスト部位に移され、その後発光されると考えられている（米国特許出願公開第２００２／０１８２４４１号明細書）。励起子ブロッキング物質は、一般的に、隣接層中の物質より大きなバンドギャップを有する。一般的に、励起子は、より低いバンドギャップを有する物質からより高いバンドギャップを有する物質へは拡散せず、そして励起子ブロッキング物質は、励起子を発光層内に閉じ込めるために使用され得る（米国特許第６，７８４，０１６号明細書）。例えば、ＣＢＰの深いＨＯＭＯレベルは、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３上での正孔トラッピングを促進すると考えられる（米国特許出願公開第２００２／０１８２４４１号明細書）。りん光性ゲストは、それ自体、正孔トラッピング物質として作用し得、ここで、このりん光性ゲストのイオン化ポテンシャルは、ホスト物質のイオン化ポテンシャルよりも大きい。

図１Ｂに記載される層に加えて、上記電界発光素子はまた、以下の一以上の層：カソード上に配置された電子注入層を備え得る。本明細書中で用いられる場合、電子注入物質は、電子をカソードから電子輸送層へと効率的に移し得る任意の物質である。電子注入物質は、当業者に公知であり、電子注入物質としては、例えば、ＬｉＦまたはＬｉＦ／Ａｌが挙げられる。電子注入層は、一般的に、カソードまたは隣接電子輸送層の厚さよりもずっと小さい厚さを有し得、そして約０．５ｎｍ〜約５．０ｎｍの厚さを有し得る。

上記から理解されるように、ある物質は、電界発光素子においては、一つより多くの機能を果たし得る。例えば、十分に大きなバンドギャップを有する電子輸送物質は、正孔ブロッキング層としてもまた役立ち得る。二機能物質（ｄｕａｌ−ｆｕｎｃｔｉｏｎｍａｔｅｒｉａｌ）は、当業者に公知であり、そしてこの二機能物質としては、例えば、ＴＡＺ、ＰＢＤ等が挙げられる。

当業者は、適切なホスト物質の選択の仕方を知っている。例えば、ホスト物質のＬＵＭＯレベルは、りん光性ゲストのＬＵＭＯレベルよりも十分に大きく、励起三重項状態が上記ホストに逆向き移動（ｂａｃｋ−ｔｒａｎｓｆｅｒ）するのを防止すべきであることが理解される。さらに、このホストの発光スペクトルが上記りん光性ゲストの吸収スペクトルとオーバーラップすべきであることもまた理解される。

上述の層は、当該分野において公知の方法により調製され得る。特定の実施形態では、発光層（３００）は、溶液加工技術（例えば、スピンコーティングもしくはインクジェットプリンティング）により調製される（米国特許第６０１３９８２号明細書；同第６０８７１９６号明細書）。溶液コーティング段階は、不活性雰囲気中で（例えば、窒素気体下で）実行され得る。あるいは、層は、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）または真空蒸着（ｖａｃｕｕｍｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により、調製され得る。金属層は、公知の技術（例えば、熱蒸着もしくは電子ビーム蒸着（ｔｈｅｒｍａｌｏｒｅｌｅｃｔｒｏｎ −ｂｅａｍｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、化学気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ−ｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ））により調製され得る。

本発明の化合物の、Ｔ−Ｔ消滅または濃度消光を防止する能力は、当該分野において公知の方法により決定され得る。上述のように、より高電流密度での電界発光素子の量子効率の転がり落ちは、Ｔ−Ｔ消滅の特徴である。あるいは、りん光性ゲストを含有するフィルムの定常状態フォトルミネセンスは、溶液における上記ゲストのフォトルミネセンスと比較され得る。

本明細書中で言及された全ての文書は、参考文献として全体が援用される。

本発明の種々の実施形態が、本明細書中に開示されるが、多くの改作および変更が、当業者の有する共通の一般的な知識に従って、本発明の範囲内でなされ得る。このような変更は、実質的に同一の方法で同一の結果を達成するために、本発明の任意の局面を、公知の均等物で置換することを包含する。本明細書中で用いられる全ての技術用語および科学用語は、違うように定義されない限り、本発明の分野の当業者により一般に理解されるのと同一の意味を有する。

単語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、オープンエンドの用語として用いられ、実質的に、語句「が挙げられるが、これ（ら）に限定されない」と等価である。本明細書において、単数冠詞（例えば、「一の（ａ）」および「この（ｔｈｅ）」）は、文脈が別に指図しない限り、単数および複数の両方を包含する。

以下の実施例は、本発明の種々の局面を例示するものであり、本発明の広範な局面を本明細書中に開示されたものに限定するものではない。

［実施例１］

２−（トリメチルシリル）ピリジン（化合物１）の合成

ジイソプロピルアミン（１００ｍｌ）中の２−ブロモピリジン（４．７４ｇ，０．０３０ｍｏｌ）、ＣｕＩ（０．１４ｇ，０．７４ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２（０．５２ｇ，０．７４ｍｍｏｌ）の溶液に、（トリメチルシリル）アセチレン（３．０ｇ，０．０３０ｍｏｌ）を添加した。この混合物を、窒素雰囲気下で室温で一晩撹拌した。減圧下で溶媒を除去した後、残渣を減圧蒸留により精製し、純粋な２−（トリメチルシリル）ピリジン（化合物１）を５．０ｇ得た（収率９５％）。

［実施例２］

２−（トリメチルシリル）−５−ブロモピリジン（化合物２）の合成

ジイソプロピルアミン（１００ｍｌ）中の２，５−ジブロモピリジン（３．５６ｇ，０．０１５ｍｏｌ）、ＣｕＩ（０．０７ｇ，０．３７ｍｍｏｌ）およびＰｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２（０．２６ｇ，０．３７ｍｍｏｌ）の溶液に、（トリメチルシリル）アセチレン（１．４７ｇ，０．０１５ｍｏｌ）を添加した。この混合物を、窒素雰囲気下で室温で一晩撹拌した。減圧下で溶媒を除去した後、残渣をフラッシュカラムにより精製し、２−（トリメチルシリル）−５−ブロモピリジン（化合物２）を３．４５ｇ得た（収率９０％）。

［実施例３］

２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）フェニル−５−ブロモピリジン（化合物３）の合成

ＴＨＦとメタノールとの混合物中の２−（トリメチルシリル）−５−ブロモピリジン（１．２７ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に、ＮａＯＨ（５Ｎ、１ｍｌ）を添加した。この反応混合物を、室温で一時間撹拌した。次いで、酢酸エチル（５０ｍｌ）を添加し、この混合物を水およびブラインで洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を除去した後、残渣をｏ−キシレン（５０ｍｌ）中のテトラフェニルシクロペンタジエノン（２ｇ，５．２ｍｍｏｌ）と一緒に一晩還流した。室温にまで冷却した後、溶媒をフラッシュカラムにより除去し、そして残渣を、２回〜３回エタノール中で再結晶することにより精製し、純粋な２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）フェニル−５−ブロモピリジン（化合物３）（２．１７ｇ）を得た（収率８１％）。

［実施例４］

化合物４の合成

ＴＨＦとメタノールとの混合物中の２−（トリメチルシリル）−５−ブロモピリジン（１．２７ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に、ＮａＯＨ（５Ｎ、１ｍｌ）を添加した。この反応混合物を、室温で一時間撹拌した。次いで、酢酸エチル（５０ｍｌ）を添加し、この混合物を水およびブラインで洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を除去した後、残渣をｏ−キシレン（５０ｍｌ）中のシクロトン（ｃｙｃｌｏｔｏｎｅ）（２ｇ，５．２ｍｍｏｌ）と一緒に一晩還流した。室温にまで冷却した後、溶媒をフラッシュカラムにより除去し、そして残渣を、２回〜３回エタノール中で再結晶することにより精製し、純粋な化合物４（２．００ｇ）を得た（収率７５％）。

［実施例５］

２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）フェニルピリジン（Ａ）の合成

ＴＨＦとメタノールとの混合物中の２−（トリメチルシリル）ピリジン（０．８８ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に、ＮａＯＨ（５Ｎ、１ｍｌ）を添加した。この反応混合物を、室温で一時間撹拌した。酢酸エチル（５０ｍｌ）を添加し、この混合物を水およびブラインで洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を除去した後、残渣をｏ−キシレン（５０ｍｌ）中のテトラフェニルシクロペンタジエノン（２ｇ，５．２ｍｍｏｌ）と一緒に一晩還流した。室温にまで冷却した後、溶媒をフラッシュカラムにより除去し、そして粗生成物を、２回〜３回エタノール中で再結晶することにより精製し、純粋な２−（２’，３’，４’，５’−テトラフェニル）フェニルピリジン（Ａ）（１．９５ｇ）を得た（収率８５％）。

［実施例６］

Ｂの合成

アルゴンフラッシュした（ａｒｇｏｎｆｌｕｓｈｅｄ）二頸丸底フラスコ中に、化合物３（１．６０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（０．５ｇ，４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６ｍｇ，１ｍｏｌ％）、２Ｍの炭酸ナトリウム（１５ｍｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして二時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、そして有機層を、ブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘキサン／ＣＨ_２Ｃｌ_２（３：１）で溶出してフラッシュカラムにより精製し、続いてエタノール中で再結晶することにより精製し、１．４８ｇのＢを得た（収率９２％）。

［実施例７］

Ｃの合成

アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、化合物３（１．６０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、化合物２−（９，９−ジヘキシル）−フルオレニルボロン酸（１．５１ｇ，４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６ｍｇ，１ｍｏｌ％）、２Ｍの炭酸ナトリウム（１５ｍｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして二時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、そして有機層を、ブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘキサン／ＣＨ_２Ｃｌ_２（４：１）で溶出してフラッシュカラムにより精製し、続いてエタノール中で再結晶することにより精製し、１．９９ｇのＣを得た（収率８４％）。

［実施例８］

Ｄの合成

ＴＨＦとメタノールとの混合物中の２−（トリメチルシリル）ピリジン（０．８８ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に、ＮａＯＨ（５Ｎ，１ｍｌ）を添加した。この反応混合物を、室温で一時間撹拌した。次いで、酢酸エチル（５０ｍｌ）を添加し、この混合物を水およびブラインで洗浄し、そして無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を除去した後、残渣をｏ−キシレン（５０ｍｌ）中のシクロトン（２ｇ，５．２ｍｍｏｌ）と一緒に一晩還流した。室温にまで冷却した後、溶媒をフラッシュカラムにより除去し、そして残渣を、２回〜３回エタノール中で再結晶することにより精製し、１．９５ｇのＤを得た（収率８５％）。

［実施例９］

Ｅの合成

アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、化合物４（１．６０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸（０．５ｇ，４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６ｍｇ，１ｍｏｌ％）、２Ｍの炭酸ナトリウム（１５ｍｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして二時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、そして有機層を、ブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘキサン／ＣＨ_２Ｃｌ_２（３：１）で溶出してフラッシュカラムにより精製し、続いてエタノール中で再結晶することにより精製し、１．４３ｇのＥを得た（収率９２％）。

［実施例１０］

Ｆの合成

アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコに、化合物４（１．６０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、２−（９，９−ジヘキシル）−フルオレニルボロン酸（１．５１ｇ，４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（３６ｍｇ，１ｍｏｌ％）、２Ｍの炭酸ナトリウム（１５ｍｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして二時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物を酢酸エチルで抽出し、そして有機層を、ブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘキサン／ＣＨ_２Ｃｌ_２（４：１）で溶出してフラッシュカラムにより精製し、続いてエタノール中で再結晶することにより精製し、２．０ｇのＦを得た（収率８５％）。

［実施例１１］

Ａ_２ＩｒＣｌ_２ＩｒＡ_２の合成

２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ_３・ｎＨ_２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＡ（０．６７ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を、一晩還流した。次いで、室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、淡黄色（ｐａｌｅｙｅｌｌｏｗ）の固形物の架橋化合物Ａ（０．５１ｇ）を得た（収率７８％）。

［実施例１２］

Ｂ_２ＩｒＣｌ_２ＩｒＢ_２の合成

２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ_３・ｎＨ_２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＢ（０．７７ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応混合物を、一晩還流した。室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、橙色の粉末の架橋化合物Ｂ（０．５０ｇ）を得た（収率６８％）。

［実施例１３］

Ｃ_２ＩｒＣｌ_２ＩｒＣ_２の合成

２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ_３・ｎＨ_２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＣ（１．１５ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応系を、一晩還流した。次いで、室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、橙色の固形物の架橋化合物Ｃ（０．７３ｇ）を得た（収率７１％）。

［実施例１４］

Ｄ_２ＩｒＣｌ_２ＩｒＤ_２の合成

２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ_３・ｎＨ_２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＤ（０．６７ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応系を、一晩還流した。次いで、室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、淡黄色の固形物の架橋化合物Ｄ（０．４４ｇ）を得た（収率６８％）。

［実施例１５］

Ｅ_２ＩｒＣｌ_２ＩｒＥ_２の合成

２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ_３・ｎＨ_２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＥ（０．７７ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応系を、一晩還流した。次いで、室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、橙色の固形物の架橋化合物Ｅ（０．５２ｇ）を得た（収率７１％）。

［実施例１６］

Ｆ_２ＩｒＣｌ_２ＩｒＦ_２の合成

２−エトキシエタノールと水との混合物（３：１，３０ｍｌ）中に、ＩｒＣｌ_３・ｎＨ_２Ｏ（０．２ｇ，０．５７ｍｍｏｌ）およびＦ（１．１５ｇ，１．４５ｍｍｏｌ）を添加した。この反応系を、一晩還流した。次いで、室温にまで冷えた時、この混合物を濾過し、そして水およびエタノールで洗浄した。真空下で乾燥させた後、橙色の固形物の架橋化合物Ｆ（０．７７ｇ）を得た（収率７５％）。

［実施例１７］

Ａ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成

アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ａ（０．２３ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ_２Ｃｌ_２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、１９０ｍｇのＡ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率７９％）。

［実施例１８］

Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成

アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ｂ（０．２６ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ_２Ｃｌ_２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、１９２ｍｇのＢ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率７１％）。

［実施例１９］

Ｃ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成

アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ｃ（０．３６ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍｈｙｄｒｏｘｉｄ）（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ_２Ｃｌ_２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、２７４ｍｇのＣ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率７３％）。

［実施例２０］

Ｄ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成

アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ａ（０．２３ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ_２Ｃｌ_２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、１５８ｍｇのＤ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率６６％）。

［実施例２１］

Ｅ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成

アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ｅ（０．２６ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ_２Ｃｌ_２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、２２０ｍｇのＥ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率８１％）。

［実施例２２］

Ｆ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成

アルゴンフラッシュした二頸丸底フラスコ中に、架橋化合物Ｆ（０．３６ｇ，０．１ｍｍｏｌ）、エタノール（１ｍｌ）中の２，４−ペンタンジオン（０．１ｇ，１ｍｍｏｌ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．５ｍｌ，メタノール中２５％）およびＣＨ_２Ｃｌ_２（３０ｍｌ）の混合物を添加し、そして５時間加熱還流した。冷却後、この反応混合物をブラインで洗浄し、そして硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒をロータリーエバポレーターで除去した後、残渣を、ヘプタン中で再結晶することにより精製し、２６２ｍｇのＦ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率７０％）。

［実施例２３］

４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル（５）の合成

ジクロロメタン（１００ｍｌ）中のビフェニル（１５．４ｇ，１００ｍｍｏｌ）および無水塩化鉄（ＩＩＩ）（８０ｍｇ）の撹拌溶液に、室温で、ｔｅｒｔ−ブチルクロライド（２３．２ｍｌ，２１６ｍｍｏｌ）を緩徐に添加した。この反応系を、一晩撹拌した。生成物を水で洗浄し、そしてヘキサン（１００ｍｌ）で３回抽出した。合わせた有機層を、ブラインで洗浄し、無水ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、そして減圧下で（ｉｎｖａｃｕｏ）濃縮し、そして２６．６ｇの化合物５を得た（収率１００％）。^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，クロロホルム−ｄ）：δ，ｐｐｍ７．５４２（ｄ，４Ｈ），７．４４４（ｄ，４Ｈ），１．３６５（ｓ，１８Ｈ）。

［実施例２４］

２−ブロモ−４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル（６）の合成

クロロホルム（３０ｍｌ）中の４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニル（３．９９ｇ，１５ｍｍｏｌ）および無水塩化鉄（ＩＩＩ）（２０ｍｇ）の溶液に、０℃で、クロロホルム（１０ｍｌ）中に溶解した臭素（２．４ｇ，１５ｍｍｏｌ）を滴下した。この反応系を、一晩撹拌した。この反応混合物を橙色が消えるまで炭酸ナトリウムでクエンチした。次いで、水で洗浄し、そしてヘキサン（５０ｍｌ）で３回抽出した。合わせた有機層を、ブラインで洗浄し、無水ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、そして減圧下で濃縮した。^１ＨＮＭＲの測定により、変換率が約５０％であることが示された。この粗生成物は、さらなる反応にそのまま使用した。

［実施例２５］

２−ブロモ−９−フルオレノン（７）の合成

ピリジン（１００ｍｌ）中の２−ブロモフルオレン（９．８ｇ，４０ｍｍｏｌ）の溶液に、メタノール中の２５％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（１ｍｌ）を室温で添加した。次いで、空気をこの系に通気し、そしてこの反応系を一晩撹拌し続けた。次いで、Ｈ_２ＳＯ_４を添加し、そして濾過した。この固形物をエタノール中で再結晶し、８．８５ｇの黄色針状物（ｎｅｅｄｌｅ）を得た（８５％）。

［実施例２６］

２−ブロモ−（２’，７’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−９，９’―スピロ−ビフルオレン（８）の合成

無水ＴＨＦ（５０ｍｌ）中の２−ブロモ−４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニルの粗生成物（３．０６ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に、ヘキサン中のｎ−ＢｕＬｉ（６ｍｌ，７．５ｍｍｏｌ）を−７８℃にて滴下し、１時間撹拌し、次いで、この混合物を、ＴＨＦ（２０ｍｌ）中の２−ブロモフルオレノン（１．３ｇ，５ｍｍｏｌ）の溶液に−７８℃にて移し、そして一晩撹拌した。次いで、この反応を、水でクエンチし、そして酢酸エチル（５０ｍｌ）で３回抽出した。有機層を合わせ、そしてブラインで洗浄し、そして無水ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、そして減圧下で濃縮した。この混合物を、氷酢酸（１５ｍｌ）中で溶解して還流し、そして次いで、濃ＨＣｌを一滴添加し、１時間還流した。この反応系が室温にまで冷えた後、沈殿物を濾過し、そして水で洗浄した。２−ブロモ−（２’，７’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−９，９’−スピロ−ビフルオレンと４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルビフェニルとの混合物を、カラムクロマトグラフィーにより分離し（ヘキサンで溶出した）、固形生成物１．３７ｇ（５４％）を得た。^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、クロロホルム−ｄ）：δ．ｐｐｍ．７．８４（ｄ，１Ｈ），７．７４２（ｄ，３Ｈ），７．５（ｄ，１Ｈ），７．４２（ｍ，４Ｈ），７．１４（ｔ，１Ｈ），６．８７（ｓ，１Ｈ）６．７５（ｄ，１Ｈ），６．６５（ｓ，２Ｈ），１．１８（ｓ，１８Ｈ）。

［実施例２７］

２−（４’−ブロモフェニル）ピリジン（９）の合成

濃ＨＣｌ（４ｍｌ）中の４−ブロモアニリン（２ｇ，１２ｍｍｏｌ）の溶液に、Ｈ_２Ｏ（３ｍｌ）中のＮａＮＯ_２（１．６６ｇ，２４ｍｍｏｌ）の溶液を０℃で緩徐に添加した。この混合物を、１時間０℃で撹拌し、そしてピリジン（５０ｍｌ）中に注いだ。この混合物を、４０℃で４時間撹拌し、そして次いで、炭酸ナトリウム（２０ｇ）を添加し、そしてこのスラリーを、一晩撹拌した。室温にまで冷却した後、この混合物を、水で洗浄し、そして酢酸エチルで抽出した。有機層を合わせ、そしてブラインで洗浄し、そして無水ＭｇＳＯ_４で乾燥させ、そして減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル：ヘキサン＝１：１０）の後、生成物１．０３ｇ（３８％）を得た。

［実施例２８］

化合物１０の合成

無水ＴＨＦ（１０ｍｌ）中の２−（４’−ブロモフェニル）ピリジン（０．４６８ｇ，２ｍｍｏｌ）の溶液に、ｎ−ＢｕＬｉ（３ｍｌ，３．６ｍｍｏｌ）を−７８℃で滴下した。この反応系を、１時間撹拌し、次いで、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（０．５２ｍｌ，２．５ｍｍｏｌ）を添加した。この混合物を一晩撹拌した。次いで、この反応系を、水でクエンチし、そしてジクロロメタン（３０ｍｌ）で３回抽出した。有機層をブラインで洗浄し、そしてＭｇＳＯ_４で乾燥させ、そして減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル：ヘキサン＝１：２０）の後、生成物０．２２ｇ（３９％）を得た。

［実施例２９］

Ｇの合成

２−ブロモ−（２’，７’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル）−９，９’−スピロ−ビフルオレン（０．３５ｇ，０．７ｍｍｏｌ）、化合物１０（０．２２ｇ，０．７８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．０３６ｇ，０．０３ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム水溶液（２Ｍ，０．５ｍｌ）、エタノール（０．５ｍｌ）、トルエン（４ｍｌ）の混合物を、脱酸素し（ｄｅｏｘｙｇｅｎａｔｅｄ）、そして次いで、一晩撹拌しながら窒素下で加熱還流した。室温にまで冷却した後、この混合物を水で洗浄し、そして酢酸エチル（２０ｍｌ）で３回抽出した。次いで、有機層をブラインで洗浄し、そしてＭｇＳＯ_４で乾燥させ、減圧下で濃縮した。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル、酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）の後、Ｇ０．２６ｇを得た（６４％）。^１ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ，クロロホルム−ｄ）：δ，ｐｐｍ８．７（ｓ，１Ｈ），７．９６６（ｔ，３Ｈ），７．９２（ｄ，１Ｈ），７．７６２（ｍ，５Ｈ），７．５９（ｄ，２Ｈ），７．４２（ｄ，３Ｈ），７．２７８（ｄ，１Ｈ），７．１３（ｔ，１Ｈ），７．０４４（ｓ，１Ｈ），６．７２４（ｄ，３Ｈ），１．１７（ｓ，１８Ｈ）。

［実施例３０］

Ｇ_２ＩｒＣｌ_２ＩｒＧ_２の合成

Ｇ（０．８１３ｇ，１．４ｍｍｏｌ）、ＩｒＣｌ_３・ｎＨ_２Ｏ（０．２４７ｇ，０．７ｍｍｏｌ）、水（７．５ｍｌ）、２−エトキシエタノール（２−ｅｔｈｏｘｙｌｅｔｈｏｎａｌ）（２２．５ｍｌ）の混合物を、脱酸素し、そして次いで、窒素下で２４時間加熱還流した。室温にまで冷却した後、この混合物を濾過し、そしてメタノールで洗浄して０．７１ｇの生成物を得た（７３％）。

［実施例３１］

Ｇ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成

クロライド二量体（０．１００ｇ，０．０３６ｍｍｏｌ）、２，４−ペンタンジオン（５０ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）、エタノール（０．１ｍｌ）、ジクロロメタン（３ｍｌ）およびメタノール中２５％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（０．０５ｍｌ）の混合物を、脱酸素し、そして次いで、窒素下で２時間加熱還流した。室温にまで冷却した後、この混合物を減圧下で蒸発させた。溶媒をエロータリーエバポレーターで除去した後、残渣をヘプタン中で再結晶することにより精製し、７３ｍｇのＧ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）を得た（収率７０％）。

［実施例３２］

Ａ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製

ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＡ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ_３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０^−４Ｐａの真空下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで５７０１ｃｄ／ｍ^２に達し得、そして電流効率の最大値は、４．３ｃｄ／Ａである。

［実施例３３］

Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製

ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、および３．３ｍｇのＢ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ_３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０^−４Ｐａの真空下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで５０８６６ｃｄ／ｍ^２に達し得、そして電流効率の最大値は、３４ｃｄ／Ａである。

［実施例３４］

Ｃ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製

ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＣ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ_３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０^−４Ｐａの真空下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで３０５４３ｃｄ／ｍ^２に達し得、そして電流効率の最大値は、３１ｃｄ／Ａである。

［実施例３５］

Ｄ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製

ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＤ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ_３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０^−４Ｐａの真空下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで３１７７ｃｄ／ｍ^２に達し得、そして電流効率の最大値は、２．７ｃｄ／Ａである。

［実施例３６］

Ｅ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製

ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＥ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ_３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０^−４Ｐａの減圧下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで６１７７ｃｄ／ｍ^２に達し得、そして電流効率の最大値は、５．１ｃｄ／Ａである。

［実施例３７］

Ｆ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの電界発光素子の調製

ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＦ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ_３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０^−４Ｐａの減圧下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、１９．５Ｖで５６９７ｃｄ／ｍ^２に達し得、そして電流効率の最大値は、４．８ｃｄ／Ａである。

［実施例３８］

Ｇ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）からの有機電界発光素子の調製

ポリ（スチレンスルホン酸）でドープ処理したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の第一の層を、ガラスのＩＴＯパターン基板上にスピンコーティングし、厚さが約５０ｎｍの正孔注入層を形成した。オーブン中で１２０℃にて５分間乾燥させた後、トルエン（４ｍｌ）、ＰＶＫ（４０ｍｇ）、ＰＢＤ（１５ｍｇ）、およびＧ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（３．３ｍｇ）を含有する溶液を、第一の層の上にスピンコーティングし、厚さ約７０ｎｍの発光層を形成した。このポリマー層の上に、１２ｎｍのＢＣＰ、２０ｎｍのＡｌｑ_３、１５０ｎｍのＭｇ：Ａｇ、および１０ｎｍのＡｇを、３×１０^−４Ｐａの減圧下で、逐次的に熱的蒸着した。得られた有機電界発光素子を、空気中で試験した。輝度は、２０Ｖで２０６２０ｃｄ／ｍ^２に達し得、そして電流効率の最大値は、１２ｃｄ／Ａである。

図１は、単一の層および複数の層の電界発光素子の模式図を示す。図２は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ_３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇの素子の１−Ｖ−Ｌ曲線を示す。図３は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ_３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子の電流密度に対する電流効率の依存性を示す。図４は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ_３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子の電流密度に対する外部量子効率の依存性を示す。図５は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ_３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子の、素子のＥＬスペクトルを示す。図６は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｅ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ_３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子のＩ−Ｖ−Ｌプロットを示す。図７は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｅ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ_３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子の、素子の電流密度に対する電流効率の依存性を示す。図８は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｅ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ_３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子の電流密度に対する外部量子密度の依存性を示す。図９は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｅ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ_３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子のＥＬスペクトルを示す。図１０は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｇ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ_３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子のＩ−Ｖ−Ｌプロットを示す。図１１は、ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／ＰＶＫ：ＰＢＤ：Ｇ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（７０ｎｍ）／ＢＣＰ（１２ｎｍ）／Ａｌｑ_３（２０ｎｍ）／Ｍｇ：Ａｇ素子のＥＬスペクトルを示す。図１２は、Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成スキームを示す。図１３は、Ｇ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）の合成スキームを示す。図１４は、Ａ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｃ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｄ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｅ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｆ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｇ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）を含む素子の電流効率を電流密度の関数として示す。図１５は、Ｃ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｆ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）およびＧ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）を含む素子の電界発光スペクトルを示す。図１６は、Ａ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｃ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｄ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｅ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）およびＦ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）の吸収スペクトルを示す。図１７は、Ａ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｃ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｄ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｅ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）およびＦ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）のフォトルミネセンススペクトルを示す。図１８は、Ａ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｂ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｃ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｄ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｅ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）およびＦ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）のサイクリックボルタンメトリートレース（ｃｙｃｌｉｃｖｏｌｔａｍｍｅｔｒｙｔｒａｃｅｓ）（図１８Ａ）ならびに上記錯体の誘導された電子パラメータ（図１８Ｂ）を示す。

Claims

有機金属化合物であって、式（Ｉ）：

（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；
Ｒ_１〜Ｒ_８は、独立して、Ｈ、ハロ、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヘテロアルキル、ヘテロアルケニル、ヘテロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、またはシアノであり、但し、
Ｒ_１〜Ｒ_４のうち少なくとも一および／またはＲ_５〜Ｒ_８のうち少なくとも一がアリールまたはヘテロアリールであり、縮合環系の一部である場合を含み；
Ｒ_１〜Ｒ_４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ_５〜Ｒ_８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ_５〜Ｒ_８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ_１〜Ｒ_４のうちＨであるものは存在しない；および
以下の置換基の組み合わせのうち一以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、縮合環系を形成し得る：Ｒ_１とＲ_２、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_１とＲ_２およびＲ_４とＲ_５、Ｒ_６とＲ_７、Ｒ_６とＲ_７とＲ_８、Ｒ_２とＲ_３およびＲ_６とＲ_７とＲ_８；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；
ｙは、（ｚ−２ｘ）／２であり；
そしてＲ_２は、フッ素ではない）
の有機金属化合物。
請求項１に記載の有機金属化合物であって、Ｒ_１〜Ｒ_４のいずれか一が、Ｈであり、かつ、Ｒ_５〜Ｒ_８のうち、Ｈであるものがない、有機金属化合物。
請求項２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ_５〜Ｒ_８の各々が、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である、有機金属化合物。
請求項１に記載の有機金属化合物であって、Ｒ_５〜Ｒ_８のうち、いずれか一がＨであり、かつ、Ｒ_１〜Ｒ_４のうち、Ｈであるものがない、有機金属化合物。
請求項４に記載の有機金属化合物であって、Ｒ_１〜Ｒ_４の各々が、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である、有機金属化合物。
請求項１に記載の有機金属化合物であって、以下の置換基の組み合わせのうち一以上が、これらが結合する炭素原子と一緒になって、縮合環系を形成し得る：Ｒ_１とＲ_２、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_１とＲ_２およびＲ_４とＲ_５、Ｒ_６とＲ_７、Ｒ_６とＲ_７とＲ_８、Ｒ_２とＲ_３およびＲ_６とＲ_７とＲ_８、有機金属化合物。
請求項１に記載の有機金属化合物であって、前記置換２−フェニルピリジン基が、

である、有機金属化合物。
請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の有機金属化合物であって、Ｍが、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＡｕまたはＺｎである、有機金属化合物。
請求項８に記載の有機金属化合物であって、Ｍが、イリジウムである、有機金属化合物。
請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の有機金属化合物であって、ｙ＝１である、有機金属化合物。
請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の有機金属化合物であって、Ｌが、アセチルアセトンである、有機金属化合物。
請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の有機金属化合物を含有する、溶液。
請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の有機金属化合物を含有する、フィルム。
請求項１３に記載のフィルムであって、電荷運搬ホスト物質をさらに含有する、フィルム。
請求項１４に記載のフィルムであって、前記電荷運搬ホスト物質が、ポリ−９−ビニルカルバゾールまたはポリ−９−ビニルカルバゾール／２−（４−ビフェニル）−５（４−ｔｅｒｔブチル−フェニル）−１，３，４，オキサジアゾールブレンドである、フィルム。
請求項１４または請求項１５に記載のフィルムであって、前記電荷運搬ホスト物質に対する前記有機金属化合物の重量比が、約０．５％〜約５０％である、フィルム。
請求項１３〜請求項１６のいずれか１項に記載のフィルムであって、該フィルムが、約２０ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さを有する、フィルム。
請求項１３〜請求項１７に記載のフィルムであって、該フィルムが、溶液加工技術により調製される、フィルム。
請求項１８に記載のフィルムであって、前記溶液加工技術が、スピンコーティングである、フィルム。
発光層を有する電界発光素子であって、該発光層が、請求項１〜請求項１１のいずれか１項に記載の有機金属化合物を含有する、電界発光素子。
請求項２０に記載の電界発光素子であって、前記層が、電荷運搬ホスト物質をさらに含有する、電界発光素子。
請求項２１に記載の電界発光素子であって、前記ホスト物質に対する前記有機金属化合物の重量比が、約５％である、電界発光素子。
請求項２１または請求項２２に記載の電界発光素子であって、前記ホスト物質がポリ−９−ビニルカルバゾールまたはポリ−９−ビニルカルバゾール／２−（４−ビフェニル）−５（４−ｔｅｒｔブチル−フェニル）−１，３，４，オキサジアゾールブレンドである、電界発光素子。
請求項２０〜請求項２３のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、前記発光層が、溶液加工技術により堆積される、電界発光素子。
請求項２４に記載の電界発光素子であって、前記溶液加工技術が、スピンコーティングである、電界発光素子。
請求項２０〜請求項２５のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、正孔注入層をさらに備える、電界発光素子。
請求項２６に記載の電界発光素子であって、前記正孔注入層が、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホン酸）を含有する、電界発光素子。
請求項２０〜請求項２７のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、電子輸送層をさらに備える、電界発光素子。
請求項２８に記載の電界発光素子であって、前記電子輸送層が、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウムを含有する、電界発光素子。
請求項２０〜請求項２９のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、正孔ブロッキング層をさらに備える、電界発光素子。
請求項３０に記載の電界発光素子であって、前記正孔ブロッキング層が、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンまたは１，３，５−トリス（フェニル−ベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼンを含有する、電界発光素子。
有機金属化合物であって、式（Ｉ）：

（式中、
Ｍは、配位数ｚを有するｄ−ブロック金属であり（ここで、ｚ＝６もしくは４である）；
Ｒ_１およびＲ_３〜Ｒ_８は、独立して、Ｈ、ハロ、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヘテロアルキル、ヘテロアルケニル、ヘテロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、またはシアノであり、
Ｒ_２は、独立して、Ｈ、アルキル、アルケニル、アルキニル、ヘテロアルキル、ヘテロアルケニル、ヘテロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、アミノ、アミド、カルボキシ、ホルミル、スルホ、スルフィノ、チオアミド、ヒドロキシ、またはシアノであり、但し、
Ｒ_１〜Ｒ_４のうち少なくとも一および／またはＲ_５〜Ｒ_８のうち少なくとも一がアリールまたはヘテロアリールであり、縮合環系の一部である場合を含み；
Ｒ_１〜Ｒ_４のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ_５〜Ｒ_８のうちＨであるものは存在しない、または
Ｒ_５〜Ｒ_８のうちいずれか一が、Ｈである場合、Ｒ_１〜Ｒ_４のうちＨであるものは存在しない；および
以下の置換基の組み合わせのうち一以上は、これらが結合する炭素原子と一緒になって、縮合環系を形成し得る：Ｒ_１とＲ_２、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_１とＲ_２およびＲ_４とＲ_５、Ｒ_６とＲ_７、Ｒ_６とＲ_７とＲ_８、Ｒ_２とＲ_３およびＲ_６とＲ_７とＲ_８；
ｘは、１〜ｚ／２であり；
Ｌは、中性またはアニオン性の配位子であり；そして
ｙは、（ｚ−２ｘ）／２である）
の有機金属化合物。
請求項３２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ_１〜Ｒ_４のいずれか一が、Ｈであり、かつ、Ｒ_５〜Ｒ_８のうち、Ｈであるものがない、有機金属化合物。
請求項３３に記載の有機金属化合物であって、Ｒ_５〜Ｒ_８の各々が、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である、有機金属化合物。
請求項３２に記載の有機金属化合物であって、Ｒ_５〜Ｒ_８のうち、いずれか一がＨであり、かつ、Ｒ_１〜Ｒ_４のうち、Ｈであるものがない、有機金属化合物。
請求項３５に記載の有機金属化合物であって、Ｒ_１〜Ｒ_４の各々が、置換もしくは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のヘテロアリール基である、有機金属化合物。
請求項３２に記載の有機金属化合物であって、以下の置換基の組み合わせのうち一以上が、これらが結合する炭素原子と一緒になって、縮合環系を形成し得る：Ｒ_１とＲ_２、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_１とＲ_２およびＲ_４とＲ_５、Ｒ_６とＲ_７、Ｒ_６とＲ_７とＲ_８、Ｒ_２とＲ_３およびＲ_６とＲ_７とＲ_８、有機金属化合物。
請求項３２に記載の有機金属化合物であって、前記置換２−フェニルピリジン基が、

である、有機金属化合物。
請求項３２〜請求項３８のいずれか１項に記載の有機金属化合物であって、Ｍが、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｏｓ、ＡｕまたはＺｎである、有機金属化合物。
請求項３９に記載の有機金属化合物であって、Ｍが、イリジウムである、有機金属化合物。
請求項３２〜請求項４０のいずれか１項に記載の有機金属化合物であって、ｙ＝１である、有機金属化合物。
請求項３２〜請求項４１のいずれか１項に記載の有機金属化合物であって、Ｌが、アセチルアセトンである、有機金属化合物。
請求項３２〜請求項４２のいずれか１項に記載の有機金属化合物を含有する、溶液。
請求項３２〜請求項４２のいずれか１項に記載の有機金属化合物を含有する、フィルム。
請求項４４に記載のフィルムであって、電荷運搬ホスト物質をさらに含有する、フィルム。
請求項４５に記載のフィルムであって、前記電荷運搬ホスト物質が、ポリ−９−ビニルカルバゾールまたはポリ−９−ビニルカルバゾール／２−（４−ビフェニル）−５（４−ｔｅｒｔブチル−フェニル）−１，３，４，オキサジアゾールブレンドである、フィルム。
請求項４５または請求項４６に記載のフィルムであって、前記電荷運搬ホスト物質に対する前記有機金属化合物の重量比が、約０．５％〜約５０％である、フィルム。
請求項４４〜請求項４７のいずれか１項に記載のフィルムであって、該フィルムが、約２０ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さを有する、フィルム。
請求項４４〜請求項４８に記載のフィルムであって、該フィルムが、溶液加工技術により調製される、フィルム。
請求項４９に記載のフィルムであって、前記溶液加工技術が、スピンコーティングである、フィルム。
発光層を有する電界発光素子であって、該発光層が、請求項３２〜請求項４２のいずれか１項に記載の有機金属化合物を含有する、電界発光素子。
請求項５１に記載の電界発光素子であって、前記層が、電荷運搬ホスト物質をさらに含有する、電界発光素子。
請求項５２に記載の電界発光素子であって、前記ホスト物質に対する前記有機金属化合物の重量比が、約５％である、電界発光素子。
請求項５２または請求項５３に記載の電界発光素子であって、前記ホスト物質がポリ−９−ビニルカルバゾールまたはポリ−９−ビニルカルバゾール／２−（４−ビフェニル）−５（４−ｔｅｒｔブチル−フェニル）−１，３，４，オキサジアゾールブレンドである、電界発光素子。
請求項５１〜請求項５４のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、前記発光層が、溶液加工技術により堆積される、電界発光素子。
請求項５５に記載の電界発光素子であって、前記溶液加工技術が、スピンコーティングである、電界発光素子。
請求項５１〜請求項５６のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、正孔注入層をさらに備える、電界発光素子。
請求項５７に記載の電界発光素子であって、前記正孔注入層が、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホン酸）を含有する、電界発光素子。
請求項５１〜請求項５８のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、電子輸送層をさらに備える、電界発光素子。
請求項５９に記載の電界発光素子であって、前記電子輸送層が、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウムを含有する、電界発光素子。
請求項５１〜請求項６０のいずれか１項に記載の電界発光素子であって、正孔ブロッキング層をさらに備える、電界発光素子。
請求項６１に記載の電界発光素子であって、前記正孔ブロッキング層が、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンまたは１，３，５−トリス（フェニル−ベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼンを含有する、電界発光素子。