KR102329197B1 - 도포막 제거 장치 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

도포액을 낭비 없이 균일하게 기판 상에 도포한 후에, 웨이퍼 단부의 도포막을 제거할 수 있는 도포막 제거 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판(W)에 도포된 도포막의 단부를 제거하는 도포막 제거 장치(41)에 있어서, 상기 기판(W)을 보유 지지하는 기판 보유 지지 기구(440)와, 상기 기판(W)의 단부면을 검출하는 단부면 검출 기구(450)와, 상기 기판(W)에 도포된 도포막의 단부를 제거하는 단부 제거 기구(460)와, 상기 기판 보유 지지 기구(440)또는 단부 제거 기구(460)를 이동시키는 이동 기구(445)를 구비하고, 상기 단부면 검출 기구(450)에서 검출한 기판(W)의 단부면에 따라서 상기 이동 기구(445)에 의해 상기 기판 보유 지지 기구(440)와 상기 단부 제거 기구(460)를 상대적으로 이동시키면서, 상기 단부 제거 기구(460)에서 기판(W)에 도포된 도포막의 단부를 제거하는 것으로 했다.

Description

도포막 제거 장치{APPARATUS FOR REMOVING A COATING FILM }
본 발명은, 기판 상에 형성된 도포막 중, 그 단부에 형성된 도포막을 제거하는 도포막 제거 장치에 관한 것이다.
최근, 예를 들어 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함)의 대구경화가 진행되고 있다. 또한, 실장 등의 특정 공정에 있어서, 웨이퍼의 박형화가 요구되고 있다. 예를 들어 대구경으로 얇은 웨이퍼를, 그대로 반송하거나, 연마 처리하거나 하면, 웨이퍼에 휨이나 깨짐이 생길 우려가 있다. 이로 인해, 예를 들어 웨이퍼를 보강하기 위해, 지지 기판인 웨이퍼나 유리 기판에 웨이퍼를 부착하는 것이 행해지고 있다.
이러한 웨이퍼와 지지 기판의 접합은, 예를 들어 접합 장치를 사용해서, 웨이퍼와 지지 기판 사이에 접착제를 개재시킴으로써 행해지고 있다. 접합 장치는, 예를 들어 웨이퍼를 보유 지지하는 제1 보유 지지 부재와, 지지 기판을 보유 지지하는 제2 보유 지지 부재와, 웨이퍼와 지지 기판 사이에 배치되는 접착제를 가열하는 가열 기구와, 적어도 제1 보유 지지 부재 또는 제2 보유 지지 부재를 상하 방향으로 이동시키는 이동 기구를 갖고 있다. 그리고, 이 접합 장치에서는, 웨이퍼와 지지 기판 사이에 접착제를 공급하여, 당해 접착제를 가열한 후, 웨이퍼와 지지 기판을 가압하여 접합하고 있다(특허문헌 1).
특허문헌 1의 장치를 사용해서 웨이퍼와 지지 기판을 가압하여 접합을 행하면, 당해 웨이퍼와 지지 기판 사이로부터 접착제가 밀려나온다. 따라서, 웨이퍼 단부면부에 있어서의 접착제의 제거가 요구되고 있다. 접착제 등 웨이퍼 상에 도포된 도포액이 형성하는 도포막의 단부면부의 제거 방법으로서는, 웨이퍼에의 도포액 도포 후에, 웨이퍼를 회전하면서 웨이퍼 단부면부에 용제(제거액)를 토출함으로써 웨이퍼 단부면부의 도포막(처리막) 제거를 행하는 방법이 알려져 있다(특허문헌 2).
일본 특허 공개 제2008-182016호 공보 일본 특허 공개 제2003-100704호 공보
그러나, 웨이퍼에 도포하는 도포액의 종류나 막 두께 등의 영향에 의해, 특허문헌 2에 기재된 방법에서는 미세한 가공이 곤란했다. 또한, 웨이퍼 단부면부에 토출한 용제가 웨이퍼 중심부에 튀어 올라 부착되는 문제나, 웨이퍼에 도포액을 도포한 후에, 웨이퍼를 이동하지 않고 그대로 웨이퍼 단부면부의 도포막 제거를 행하는, 즉 도포액의 도포와 단부면 제거를 동일한 장치로 행하기 때문에, 처리에 시간이 걸리는 등의 문제도 있었다.
본 발명은, 기판에 도포된 도포막의 단부를 제거하는 도포막 제거 장치에 있어서, 상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지 기구와, 상기 기판의 단부면을 검출하는 단부면 검출 기구와, 상기 기판에 도포된 도포막의 단부를 제거하는 단부 제거 기구와, 상기 기판 보유 지지 기구 또는 단부 제거 기구를 이동시키는 이동 기구를 구비하고, 검출 위치에서는 상기 단부면 검출 기구에서 기판의 단부면을 검출하고, 상기 이동기구로 기판을 상기 검출 위치로부터 제거 위치로 이동시킨 후, 상기 단부면 검출 기구에서 검출한 기판의 단부면에 따라서 상기 이동 기구에 의해 상기 기판 보유 지지 기구와 상기 단부 제거 기구를 상대적으로 이동시키면서, 상기 단부 제거 기구에서 기판에 도포된 도포막의 단부를 제거하는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 이동 기구는, 상기 기판 보유 지지 기구에서 기판의 전달을 행하는 전달 위치와, 상기 단부면 검출 기구에서 기판의 단부면을 검출하는 검출 위치와, 상기 단부 제거 기구에서 도포막의 단부를 제거하는 제거 위치에 상기 기판 보유 지지 기구를 직선 형상으로 이동시키는 구성으로 하고 있어도 좋다.
상기 단부 제거 기구의 기판 회전 방향 하류측에는, 상기 기판의 단부면 건조를 행하는 단부 건조 기구가 배치되어 있어도 좋다.
상기 단부 제거 기구는, 기판 단부의 상면 및 하면을 향해서 제거액을 토출하는 노즐 형상의 약액 토출부와 상기 기판 단부의 상면 및 하면을 향해서 건조 가스를 토출하는 제1 기체 토출부와 토출된 상기 제거액과 건조 가스를 흡인하기 위한 제1 흡인부를 갖고 상기 약액 토출부보다도 기판 중심 방향측에 상기 제1 기체 토출부가 배치되어 있어도 좋다.
상기 제1 기체 토출부는, 슬릿 형상의 토출구를 갖고 있어도 좋다.
상기 단부 건조 기구는, 상기 기판 단부의 상면 및 하면을 향해서 건조 가스를 토출하는 제2 기체 토출부와, 토출된 건조 가스를 흡인하기 위한 제2 흡인부를 갖고, 상기 제2 기체 토출부는, 슬릿 형상의 토출구이어도 좋다.
본 발명에 따르면, 기판에 도포된 도포막의 단부를 양호하게 제거할 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 접합 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 접합 시스템의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
도 3은 피처리 웨이퍼와 지지 웨이퍼의 측면도이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 도포막 제거 장치의 구성의 개략을 도시하는 상면도이다.
도 5는 본 실시 형태에 따른 도포막 제거 장치의 구성의 개략을 도시하는 사시도이다.
도 6은 기판 단부면 검출 시의 개략을 도시하는 사시도이다.
도 7은 기판 단부면 검출 시의 상태를 도시하는 상면도이다.
도 8은 기판 단부면 검출 시의 상태를 도시하는 측면도이다.
도 9는 도포막 단부 제거 시의 개략을 도시하는 사시도이다.
도 10은 도포막 단부 제거 시의 상태를 도시하는 상면도이다.
도 11은 도포막 단부 제거 시의 상태를 도시하는 측면도이다.
도 12는 피처리 웨이퍼의 외주부 상의 접착제를 제거한 모습을 도시하는 설명도이다.
도 13은 도포막 단부 제거의 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 14는 다른 실시 형태에 있어서의 기판 단부 건조 시의 개략을 도시하는 사시도이다.
도 15는 다른 실시 형태에 있어서의 기판 단부 건조 시의 상태를 도시하는 상면도이다.
도 16은 다른 실시 형태에 있어서의 기판 단부 건조 시의 상태를 도시하는 측면도이다.
도 17은 중합 웨이퍼의 외측면으로부터 외측 접착제가 밀려나온 모습을 도시하는 설명도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 접합 시스템(1)의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다. 도 2는 접합 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시하는 측면도이다.
접합 시스템(1)에서는, 도 3에 도시하는 바와 같이 예를 들어 접착제(G)를 통하여, 피처리 기판으로서의 피처리 웨이퍼(W)와 지지 기판으로서의 지지 웨이퍼(S)를 접합한다. 접합 시스템(1)에서는 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 접합하여, 중합 기판으로서의 중합 웨이퍼(T)를 형성한다. 또한, 피처리 웨이퍼(W)는 제품이 되는 웨이퍼이며, 예를 들어 접합면에 복수의 전자 회로가 형성되어 있고, 비접합면이 연마 처리된다. 또한, 지지 웨이퍼(S)는 피처리 웨이퍼(W)의 직경과 동일한 직경을 갖고, 당해 피처리 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 지지 기판으로서 웨이퍼를 사용한 경우에 대해 설명하지만, 예를 들어 유리 기판 등의 다른 기판을 사용해도 좋다.
접합 시스템(1)은, 도 1에 도시하는 바와 같이 예를 들어 외부와의 사이에서 복수의 피처리 웨이퍼(W), 복수의 지지 웨이퍼(S), 복수의 중합 웨이퍼(T)를 각각 수용 가능한 카세트(CW, CS, CT)가 반출입되는 반출입 스테이션(2)과, 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)에 대해 소정의 처리를 실시하는 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
반출입 스테이션(2)에는 카세트 적재대(10)가 설치되어 있다. 카세트 적재대(10)에는, 복수, 예를 들어 4개의 카세트 적재판(11)이 설치되어 있다. 카세트 적재판(11)은 X 방향(도 1 중의 상하 방향)으로 일렬로 배열되어 배치되어 있다. 이들 카세트 적재판(11)에는 접합 시스템(1)의 외부에 대해 카세트(CW, CS, CT)를 반출입할 때에, 카세트(CW, CS, CT)를 적재할 수 있다. 이와 같이 반출입 스테이션(2)은, 복수의 피처리 웨이퍼(W), 복수의 지지 웨이퍼(S), 복수의 중합 웨이퍼(T)를 보유 가능하게 구성되어 있다. 또한, 카세트 적재판(11)의 개수는, 본 실시 형태로 한정되지 않고, 임의로 결정할 수 있다. 또한, 카세트의 1개를 문제 웨이퍼의 회수용으로서 사용해도 좋다. 즉, 다양한 요인으로 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 접합에 문제가 생긴 웨이퍼를, 다른 정상적인 중합 웨이퍼(T)로 분리할 수 있는 카세트이다. 본 실시 형태에 있어서는, 복수의 카세트(CT) 중, 1개의 카세트(CT)를 문제 웨이퍼의 회수용으로서 사용하고, 다른 쪽의 카세트(CT)를 정상적인 중합 웨이퍼(T)의 수용용으로서 사용하고 있다.
반출입 스테이션(2)에는 카세트 적재대(10)에 인접해서 웨이퍼 반송부(20)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송부(20)에는, X 방향으로 연신하는 반송로(21) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(22)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(22)는 연직 방향 및 연직축 주위(θ 방향)에도 이동 가능하며, 각 카세트 적재판(11) 상의 카세트(CW, CS, CT)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제3 처리 블록(G3)의 트랜지션 장치(50, 51) 사이에서 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(3)에는, 각종 처리 장치를 구비한 복수 예를 들어 3개의 처리 블록(G1, G2, G3)이 설치되어 있다. 예를 들어 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1 중의 X 방향 마이너스 방향측)에는, 제1 처리 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1 중의 X 방향 플러스 방향측)에는, 제2 처리 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 반출입 스테이션(2)측(도 1 중의 Y 방향 마이너스 방향측)에는, 제3 처리 블록(G3)이 설치되어 있다.
예를 들어 제1 처리 블록(G1)에는, 접착제(G)를 통하여 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 가압하여 접합하는 접합 장치(30 내지 33)가, 반출입 스테이션(2)측으로부터 이 순서로 Y 방향으로 배열되어 배치되어 있다.
예를 들어 제2 처리 블록(G2)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이 피처리 웨이퍼(W)에 접착제(G)를 도포하는 도포 장치(40)와 도포한 접착제(G)를 제거하는 도포막 제거 장치(41)와, 접착제(G)가 도포된 피처리 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열하는 열처리 장치(42 내지 43)와, 마찬가지의 열처리 장치(44 내지 46)가, 반출입 스테이션(2)측을 향하는 방향(도 2 중의 Y 방향 마이너스 방향)으로 이 순서로 배열되어 배치되어 있다. 열처리 장치(42 내지 43)와 열처리 장치(44 내지 46)는, 각각 밑에서부터 이 순서로 3단으로 설치되어 있다. 또한, 열처리 장치(42 내지 46)의 장치수나 연직 방향 및 수평 방향의 배치는 임의로 설정할 수 있다.
예를 들어 제3 처리 블록(G3)에는, 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)의 트랜지션 장치(50, 51)가 밑에서부터 이 순서로 2단으로 설치되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 제1 처리 블록(G1) 내지 제3 처리 블록(G3)에 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(60)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(60)에는, 예를 들어 웨이퍼 반송 장치(61)가 배치되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 영역(60) 내의 압력은 대기압 이상이며, 당해 웨이퍼 반송 영역(60)에 있어서, 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)의 소위 대기계의 반송이 행해진다.
웨이퍼 반송 장치(61)는, 예를 들어 연직 방향, 수평 방향(Y 방향, X 방향) 및 연직축 주위로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(61)는 웨이퍼 반송 영역(60) 내를 이동하고, 주위의 제1 처리 블록(G1), 제2 처리 블록(G2) 및 제3 처리 블록(G3) 내의 소정의 장치에 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)를 반송할 수 있다.
다음에, 본 발명의 주요부가 되는 도포막 제거 장치(41)의 구성에 대해 설명한다. 도포막 제거 장치(41)는, 도 4 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 피처리 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 기판 보유 지지 기구(440)를 갖고 있다. 기판 보유 지지 기구(440)는, 피처리 웨이퍼(W)를 보유 지지해서 회전시키는 회전 척(443)을 갖고 있다. 회전 척(443)은 수평한 상면을 갖고, 당해 상면에는, 예를 들어 피처리 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 설치되어 있다. 진공 펌프(도시하지 않음) 등을 사용해서, 이 흡인구로부터 흡인함으로써, 피처리 웨이퍼(W)를 회전 척(443) 상에 흡착 보유 지지할 수 있다.
회전 척(443)은, 예를 들어 모터 등을 구비한 회전 기구(도시하지 않음)를 갖고, 회전 척(443)을 소정의 속도로 회전할 수 있다.
또한, 회전 척(443)은 척 보유 지지 베이스(442)에 고정되어 있다. 척 보유 지지 베이스(442)는 이동 기구(445)로 이동 가능하게 되어 있고, 가이드 레일(441) 상을 수평 방향(X 방향)으로 직선 형상으로 이동하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 가이드 레일(441)은 베이스 플레이트(444) 상에 고정되어 있다. 또한, 회전 척(443)의 수평 방향(X 방향) 이동에 대해서는, 타이밍 벨트 구동이나 볼 스크류 구동을 사용해도 좋다.
도 6에서 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 검출 기구(450)에 대해 설명한다. 회전 척(443)의 X축 플러스 방향측(도 6의 전방측)에는, 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 검출 기구(450)가 배치되어 있다. 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 검출 기구(450)는 단부면 검출 베이스(455) 상에 고정되어 있다. 또한, 단부면 검출 베이스(455)는 베이스 플레이트(444)에 고정되어 있다.
피처리 웨이퍼(W)의 단부면 검출 기구(450)에는, 도 7 및 도 8에 도시하는 바와 같이, 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 검출을 위한 촬상 소자인 발광 소자(451)와 수광 소자(452)가 역ㄷ자형의 센서 고정부(453)에 내장되어 있다. 예를 들어 발광 소자(451)는 피처리 웨이퍼(W) 표면 단부의 상부에, 수광 소자(452)는 피처리 웨이퍼(W) 이면 단부의 하부에 배치되어 있고, 피처리 웨이퍼(W)의 회전에 수반하여, 피처리 웨이퍼(W)의 회전 위치에서의 피처리 웨이퍼(W) 단부면부의 위치 검출을 행하고, 그 정보를 제어부(370)에 송신한다.
발광 소자(451)로부터 피처리 웨이퍼(W) 단부면부에 광이 조사되고, 피처리 웨이퍼(W) 단부면부에 차광되지 않는 광이 수광 소자(452)에 들어감으로써, 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 위치를 정확하게 검출하는 것이 가능하게 되어 있다.
다음에, 도 9에서 피처리 웨이퍼(W)의 단부 제거 기구(460)에 대해 설명한다. 회전 척(443)의 X축 플러스 방향측(도 9의 전방측)에는, 피처리 웨이퍼(W)의 단부 제거 기구(460)가 배치되어 있다. 피처리 웨이퍼(W)의 단부 제거 기구(460)는 단부 제거 베이스(461) 상에 고정되어 있다. 또한, 단부 제거 베이스(461)는 베이스 플레이트(444)에 고정되어 있다. 피처리 웨이퍼(W)의 단부 제거 기구(460)는 피처리 웨이퍼(W) 단부의 도포막을 제거하기 위해 용제를 토출시키거나, 도포막을 제거한 피처리 웨이퍼(W) 단부를 건조시키기 위해 불활성 가스를 토출할 수 있게 되어 있다.
도 10 및 도 11에서 피처리 웨이퍼(W)의 단부 제거 기구(460)의 상세에 대해 설명한다. 피처리 웨이퍼(W)의 단부 제거 기구(460)는 역ㄷ자형의 형상을 하고 있고, 피처리 웨이퍼(W)를 사이에 두고, 피처리 웨이퍼(W) 표면의 상부에는 상부 약액 토출부(464)가, 또한 피처리 웨이퍼(W) 이면의 하부에는 하부 약액 토출부(471)가 배치되어 있다. 또한, 피처리 웨이퍼(W)의 단부를 건조시키기 위해, 피처리 웨이퍼(W)를 사이에 두고, 피처리 웨이퍼(W) 표면의 상부에는, 제1 상부 기체 토출부(465)가, 또한 피처리 웨이퍼(W) 이면의 하부에는 제1 하부 기체 토출부(470)가 배치되어 있다.
상부 약액 토출부(464) 및 하부 약액 토출부(471)는 피처리 웨이퍼(W)의 표면 및 이면을 향해서 약액인 용제를 토출함으로써, 피처리 웨이퍼(W) 상의 단부에 있어서의 접착제(G)를 용해하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 상부 약액 토출부(464) 및 하부 약액 토출부(471)의 피처리 웨이퍼(W) 중심 방향측에는, 피처리 웨이퍼(W)의 표면 및 이면을 향해서 기체인 불활성 가스를 토출하는 제1 상부 기체 토출부(465) 및 제1 하부 기체 토출부(470)가 배치되어 있고, 피처리 웨이퍼(W) 상에 토출한 용제를 건조시키는 것이 가능하게 되어 있다.
상부 약액 토출부(464) 및 하부 약액 토출부(471)는, 각각 상부 약액 배관(467) 및 하부 약액 배관(473)에 접속되어 있고, 그들은 또한, 약액 공급 기기(474) 및 약액 공급원(476)에 접속되어 있다. 또한, 제1 상부 기체 토출부(465) 및 제1 하부 기체 토출부(470)도, 각각 제1 상부 기체 배관(466) 및 제1 하부 기체 배관(472)에 접속되어 있고, 그들은 또한, 제1 기체 공급 기기(475) 및 제1 기체 공급원(477)에 접속되어 있다.
도 11에 기재한 바와 같이, 상부 약액 토출부(464) 및 하부 약액 토출부(471)의 토출구는, 예를 들어 주사 바늘과 같은 미세한 원형의 노즐 형상으로 되어 있고, 피처리 웨이퍼(W)의 주연부 상에 핀 포인트로 용제를 토출할 수 있다. 또한, 제1 상부 기체 토출부(465) 및 제1 하부 기체 토출부(470)의 토출구는, 예를 들어 슬릿 형상의 형상으로 되어 있고, 상부 약액 토출부(464) 및 하부 약액 토출부(467)로부터 토출된 용제가 피처리 웨이퍼(W) 중심부에 비산되는 것을 방지하는 배리어의 책임을 다하고, 또한 피처리 웨이퍼(W) 단부의 건조를 촉진하는 역할을 담당하고 있다.
상기 용제 및 기체의 토출을 행할 때는, 역ㄷ자형의 단부 제거 기구(460)의 배면부에 배치된 제1 흡인관(463)에 의해 용제나 기체의 흡인을 행함으로써, 그들의 비산을 방지하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한, 제1 흡인관(463)은 제1 흡인 배관(468)을 경유해서 제1 이젝터(478)에 접속되고, 또한 그 후단에서는 흡인한 폐액의 처리가 이루어진다.
이상의 접합 시스템(1)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 제어부(370)가 설치되어 있다. 제어부(370)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는 접합 시스템(1)에 있어서의 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S), 중합 웨이퍼(T)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계 동작을 제어하고, 접합 시스템(1)에 있어서의 후술하는 접합 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 데스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있었던 것이며, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(370)에 인스톨된 것이어도 좋다.
다음에, 이상과 같이 구성된 접합 시스템(1)을 사용해서 행해지는 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 접합 처리 방법에 대해 설명한다.
우선, 복수매의 피처리 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(CW), 복수매의 지지 웨이퍼(S)를 수용한 카세트(CS) 및 빈 카세트(CT)가, 반출입 스테이션(2)의 소정의 카세트 적재판(11)에 적재된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 카세트(CW) 내의 피처리 웨이퍼(W)가 취출되고, 처리 스테이션(3)의 제3 처리 블록(G3)의 트랜지션 장치(50)에 반송된다.
다음에 피처리 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 도포 장치(40)에 반송된다.
도포 장치(40)에서는 피처리 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 피처리 웨이퍼(W)의 접합면에 접착제(G)를 공급한다. 공급된 접착제(G)는 원심력에 의해 피처리 웨이퍼(W)의 접합면의 전체면에 확산되어, 당해 피처리 웨이퍼(W)의 접합면에 접착제(G)가 도포된다.
다음에 피처리 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 도포막 제거 장치(41)에 반송된다. 도포막 제거 장치(41)에서는 피처리 웨이퍼(W)의 접합면에 도포된 접착제(G)의 단부가 제거된다. 또한, 도포막 제거 장치(41)에서 행해지는 접착제(G)의 단부 제거 프로세스의 상세에 대해서는, 후술한다.
다음에 피처리 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 열처리 장치(42)에 반송된다.
열처리 장치(42)에서는 가열을 행함으로써 피처리 웨이퍼(W) 상의 접착제(G)가 가열되어, 당해 접착제(G)가 경화된다.
열처리 장치(41)에서 열처리된 피처리 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 접합 장치(30)에 반송된다.
피처리 웨이퍼(W)에 상술한 공정의 처리가 행해지고 있는 사이, 당해 피처리 웨이퍼(W)에 이어서 지지 웨이퍼(S)의 처리가 행해진다. 지지 웨이퍼(S)는 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 접합 장치(30)에 반송된다. 또한, 지지 웨이퍼(S)가 접합 장치(30)에 반송되는 공정에 대해서는, 상기 실시 형태와 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
접합 장치(30)에서는 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)가 접착제(G)에 의해 접착된다.
그 후, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)가 접합된 중합 웨이퍼(T)는 접합 장치(30)로부터 웨이퍼 반송 장치(61)에 전달된다.
다음에 중합 웨이퍼(T)는 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 열처리 장치(42)에 반송된다. 그리고, 열처리 장치(42)에서, 중합 웨이퍼(T)는 소정의 온도, 예를 들어 상온(23℃)에 온도 조절된다. 그 후, 중합 웨이퍼(T)는 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 트랜지션 장치(51)에 반송되고, 그 후 반출입 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(22)에 의해 소정의 카세트 적재판(11)의 카세트(CT)에 반송된다. 이렇게 해서, 일련의 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)의 접합 처리가 종료된다.
피처리 웨이퍼(W)는, 이상에서 설명한 바와 같이 하여 지지 웨이퍼(S)와 접합된다. 그 때에, 접합 장치(30)에서 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 가열하면서 가압하면, 도 17에 도시하는 바와 같이 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S) 사이에서 접착제(G)가 밀려나온다. 그리고, 중합 웨이퍼(T)의 외측면으로부터 밀려나온 외측 접착제(GE)가 형성된다. 또한, 중합 웨이퍼(T)의 외측면으로부터 밀려나온 접착제(G)에는, 설명의 편의상, 외측 접착제(GE)라고 하는 개별의 호칭을 부여하고 있지만, 접착제(G)와 외측 접착제(GE)는 동일한 것이다.
여기서, 접합 시스템(1)에 있어서 접합 처리를 종료한 후, 피처리 웨이퍼(W)는 박화된다. 피처리 웨이퍼(W)가 박화될 때, 외측 접착제(GE)가 박화 후의 피처리 웨이퍼(W)의 단부(도 17의 일점 쇄선)의 위치보다 지나치게 크면, 피처리 웨이퍼(W)를 박화하는 장치에 외측 접착제(GE)가 부착되어 버린다. 그렇다면, 피처리 웨이퍼(W)를 적절하게 박화할 수 없다. 한편, 외측 접착제(GE)가 박화 후의 피처리 웨이퍼(W)의 단부 위치보다 지나치게 작으면, 피처리 웨이퍼(W)의 외주부가 손상을 입을 경우가 있다. 즉, 외측 접착제(GE)에 의해 피처리 웨이퍼(W)의 외주부를 보호할 필요가 있다. 따라서, 상술한 공정에 있어서 중합 웨이퍼(T)의 외측면으로부터 밀려나온 외측 접착제(GE)의 크기는, 표면을 제거 후의 외측 접착제(GE)의 하단부의 위치와, 박화 후의 피처리 웨이퍼(W)의 단부 위치가 일치하는 크기가 좋다.
따라서, 상술한 도포막 제거 장치(41)에 의해 도포막의 단부를 제거하는 공정에 있어서 접착제(G)가 제거되는 제거 폭은 피처리 웨이퍼(W)의 표면을 제거 후의 외측 접착제(GE)의 하단부의 위치와, 박화 후의 피처리 웨이퍼(W)의 단부 위치가 일치하도록 결정된다. 여기서, 피처리 웨이퍼(W)의 단부면부의 접착제(G)가 설정한 제거 폭대로 제거되지 않는 경우, 중합 웨이퍼(T)의 외측으로부터 밀려나오는 것이 된다. 그러나, 본 실시예의 형태에서는, 이하에 설명하는 바와 같이 지정된 제거 폭대로 정확하게 단부면 제거를 행함으로써, 이 문제를 해소할 수 있다.
또한, 피처리 웨이퍼(W) 상의 접착제(G)가 제거되는 폭은, 제어부(370)에 의해, 적어도 접착제(G)의 종류, 피처리 웨이퍼(W) 상에 도포되는 접착제(G)의 목표 막 두께, 피처리 웨이퍼(W)를 가열하는 열 처리 온도, 또는 피처리 웨이퍼(W)와 지지 기판을 가압하는 압력에 기초하여 결정된다.
이하에, 도포막 제거 장치(41)에서 행해지는 접착제(G)의 단부 제거 프로세스에 대해, 도 13의 흐름도를 사용해서 설명한다. 도포막 제거 장치(41)에 반입된 피처리 웨이퍼(W)는, 도 5와 같이 회전 척(443) 상에 전달되어 흡착 보유 지지된다[전달 위치(P1)](도 13의 공정 S1).
<제1 실시 형태>
계속해서, 도 6 내지 도 8을 사용해서 기판의 단부면 검출 프로세스에 대해 설명한다. 회전 척(443)은 피처리 웨이퍼(W)를 흡착 보유 지지하면서, 피처리 웨이퍼(W) 단부면부가 역ㄷ자형의 단부면 검출 기구(450) 내에 삽입되는 위치까지, 가이드 레일(441) 상을 수평 방향(X 플러스 방향)으로 이동한다(도 13의 공정 S2). 단부면 검출 기구(450) 중에 피처리 웨이퍼(W)의 단부면부가 삽입되면 회전 척(443)의 수평 이동을 정지한다[검출 위치(P2)].
그 후, 회전 척(443)을 저속으로 회전시키면서, 피처리 웨이퍼(W)의 단부면부에 대해 발광 소자(451)에 의해 발광한 광을 수광 소자(452)에 의해 수광함으로써, 피처리 웨이퍼(W)의 각 회전 위치에서의 단부면 위치를 검출하고, 검출한 정보를 기억 매체에 기억시킨다(도 13의 공정 S3). 이때의 피처리 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 3 내지 10rpm이다.
여기서, 회전 척(443)과 피처리 웨이퍼(W)의 위치 관계에 대해 설명한다. 웨이퍼 반송 장치(61)에 의해 회전 척(443) 상에 반송된 피처리 웨이퍼(W)는, 반드시 회전 척(443)의 중심과 피처리 웨이퍼(W)의 중심이 맞은 진원의 상태에서 회전 척(443) 상에 대치되는 것은 아니다. 그 때문에, 진원이 아닌 상태에서 대치된 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 검출을 행하지 않고 피처리 웨이퍼(W)에 도포된 접착제(G)의 단부 제거를 행한 경우, 접착제(G)의 피처리 웨이퍼(W) 단부면 위치에서의 제거 폭이, 피처리 웨이퍼(W)의 회전 위치에 의해 다르게 된다. 예를 들어 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 제거 개시 위치로부터 90도의 위치에 의한 단부면 제거 폭이 5㎜인 것에 반해, 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 제거의 개시 위치로부터 180도의 위치에 의한 단부면 제거 폭이 3㎜가 되어 버리는 경우가 있다. 본 실시예와 같이, 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 검출을 행함으로써, 피처리 웨이퍼(W)의 각 회전 위치에서의 단부면 위치를 정확하게 파악할 수 있다. 검출한 데이터를 바탕으로, 단부 제거 기구(460)의 위치에서, 회전 척(443)을 수평 방향(X 방향)의 플러스 방향이나 마이너스 방향으로 적절히 이동시키면서 피처리 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 피처리 웨이퍼(W) 상의 접착제(G)의 단부 제거 폭을 일정하게 하는 것이 가능하게 된다.
단부면 검출 기구(450)에 삽입된 위치[검출 위치(P2)]에서 피처리 웨이퍼(W)가 360도 1회전하면, 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 위치가 모두 검출되어, 그 데이터가 제어부(370)에 보내져서 기억된다. 그 후, 피처리 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다(도 13의 공정 S4).
다음에, 도 9 내지 도 11을 사용해서 단부 제거 프로세스에 대해 설명한다. 회전 척(443)은 피처리 웨이퍼(W) 단부면 위치가 역ㄷ자형의 단부 제거 기구(460)에 인입되는 전방 위치[대기 위치(P4)]까지 가이드 레일(441) 상을 수평 방향(X 플러스 방향)으로 이동한 후에 이동을 일시 정지하고, 그 후, 피처리 웨이퍼(W) 단부면 위치가 역ㄷ자형의 단부 제거 기구(460)에 인입되는 위치(제거 위치)까지, 가이드 레일(441) 상을 수평 방향(X 플러스 방향)으로 재이동시킨다(도 13의 공정 S5). 단부 제거 기구(460) 중에 피처리 웨이퍼(W)의 단부가 삽입되면 회전 척(443)의 수평 이동을 정지한다[제거 위치(P3)]. 이때의 피처리 웨이퍼(W) 삽입 위치는, 희망하는 제거 폭에 의해 결정된다. 또한, 피처리 웨이퍼(W)는 대기 위치(P4)에서 일시 정지하지 않고, 검출 위치(P2)로부터 직접 제거 위치(P3)로 이동해도 좋다.
피처리 웨이퍼(W)의 단부가 역ㄷ자형의 단부 제거 기구(460)에 인입되면, 피처리 웨이퍼(W) 단부의 표면 및 이면을 향해서, 상부 약액 토출부(464) 및 하부 약액 토출부(471)로부터 용제를 토출시킨다. 동시에, 피처리 웨이퍼(W) 단부의 표면 및 이면을 향해서, 제1 상부 기체 토출부(465) 및 제1 하부 기체 토출부(470)로부터 불활성 가스를 토출시킨다. 또한 동시에, 제1 흡인관(463)을 통하여 피처리 웨이퍼(W)의 표면과 이면에 토출된 용제와 불활성 가스의 흡인 동작을 행한다(도 13의 공정 S6). 또한, 피처리 웨이퍼(W)가 대기 위치로 이동 후에 용제와 불활성 가스를 토출하고, 그 후에 피처리 웨이퍼(W)가 제거 위치로 이동해도 좋다. 그렇게 함으로써, 피처리 웨이퍼(W) 중심부에의 용제의 비산 방지에 효과를 발휘한다.
토출된 용제와 불활성 가스를 제1 흡인관(463)에서 흡인하면서, 피처리 웨이퍼(W)의 회전을 개시한다(도 13의 공정 S7). 이때의 회전 척(443)의 회전 속도는 예를 들어 5rpm이다. 용제에 의해 접착제(G)를 녹이고, 녹인 접착제(G) 및 용제를 불활성 가스로 건조시키고, 또한 녹인 접착제(G), 용제 및 불활성 가스를 제1 흡인관(463)에서 흡인함으로써, 용제나 접착제(G)를 피처리 웨이퍼(W) 중심부에 비산시키지 않고, 피처리 웨이퍼(W) 단부의 접착제(G)를 일정한 폭으로 제거하는 것이 가능하게 된다(도 13의 공정 S7). 이들 동작에 의해, 지정한 회전수에 의한 처리 시간에 피처리 웨이퍼(W) 단부의 접착제 제거 처리를 실시한다(도 13의 공정 S8)
상부 약액 토출부(464) 및 하부 약액 토출부(471)는, 미세한 원형의 노즐 형상으로 되어 있으므로, 피처리 웨이퍼(W)의 단부에 핀 포인트로 용제를 토출할 수 있다. 그에 의해, 피처리 웨이퍼(W) 단부에 있어서의 접착제(G)의 도포막을 미소한 폭 단위로 제거하는 것이 가능하게 되어 있다. 또한 피처리 웨이퍼(W)의 단부 제거 기구(460)에의 삽입은 회전 척(443)이 수평 이동함으로써 행해지고, 그 수평 이동에 대해서도 모터 구동을 사용함으로써 미소한 단위로 제어 가능하게 되어 있다.
역ㄷ자형의 단부 제거 기구(460)에 대해 피처리 웨이퍼(W)를 어느 정도 삽입하는지는, 희망하는 제거 폭의 값에 의해 결정된다. 희망하는 제거 폭이 크면 클수록, 단부 제거 기구(460)에의 피처리 웨이퍼(W)의 삽입 위치는 깊어진다. 제거 폭은 임의로 설정이 가능하고, 단부면 검출 기구(460)에 의해 얻어진 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 위치에 의해, 삽입 위치를 자동으로 제어하는 것이 가능하고, 피처리 웨이퍼(W) 단부 전역에 걸쳐서 일정하고 미세한 제거 폭을 얻을 수 있다.
또한, 제1 상부 기체 토출부(465) 및 제1 하부 기체 토출부(470)의 토출구 형상은, 예를 들어 슬릿 형상으로 되어 있고, 상부 약액 토출부(464) 및 하부 약액 토출부(471)로부터 토출된 용제를 넓은 범위에서 감싸도록 제1 흡인관(463)의 방향으로 기류를 형성할 수 있다. 그로 인해, 토출된 용제는 기판 중앙부에 비산되는 일 없이, 제1 흡인관(463)을 통해서 배출할 수 있다.
피처리 웨이퍼(W)를 회전시키고, 단부 제거 처리가 종료되면 피처리 웨이퍼(W)의 회전을 정지시킨다. 그 후, 용제와 불활성 가스의 토출을 정지하고, 흡인 동작도 정지한다(도 13의 공정 S9). 또한, 피처리 웨이퍼(W)의 회전 속도나 회전 횟수는, 사용하는 접착제(G)나 용제에 의해 임의로 설정할 수 있다. 또한, 토출하는 용제나 불활성 가스의 유량에 대해서도, 접착제(G)나 용제의 종류, 접착제(G)의 두께에 의해 임의로 설정할 수 있다.
다음에, 피처리 웨이퍼(W)를 흡착한 회전 척(443)은 가이드 레일(441) 상을 수평 방향(X 마이너스 방향)으로 이동하고, 피처리 웨이퍼(W) 전달 위치[전달 위치(P1)]까지 이동한 후에 이동을 정지(도 13의 공정 S10)하고, 피처리 웨이퍼(W)의 흡착을 해제한다.
이상의 실시 형태에 의하면, 단부면 검출 기구(550)에 의해 얻어진 피처리 웨이퍼(W)의 단부면 위치에 의해, 단부 제거 기구(460)에서의 피처리 웨이퍼(W)의 회전을 진원 상태에서 회전시키는 것이 가능하고, 또한, 단부 제거 기구(460)에의 피처리 웨이퍼(W)의 삽입 위치를 자동으로 제어할 수 있으므로, 도 12와 같이 피처리 웨이퍼(W) 단부 전역에 걸쳐서 미세하고 일정한 제거 폭이 얻어진다. 또한, 토출한 용제나 불활성 가스를 제1 흡인관(563)에 의해 흡인함으로써, 용제나 불활성 가스가 피처리 웨이퍼(W) 표면이나 이면에 비산되는 것을 방지할 수 있다.
<제2 실시 형태>
도 14에 도시하는 바와 같이, 단부 제거 기구(460)의 기판 회전 방향 하류측에는, 단부 건조 기구(480)를 배치해도 좋다. 피처리 웨이퍼(W)의 단부 건조 기구(480)는 단부 건조 베이스(481) 상에 고정되어 있다. 또한, 단부 건조 베이스(481)는 베이스 플레이트(444)에 고정되어 있다. 단부 제거 기구(460)에 의해 접착제(G)를 제거한 단부에 또한 불활성 가스를 토출함으로써 피처리 웨이퍼(W) 단부의 추가 건조가 가능하게 되어 있다.
도 15 및 도 16에서 단부 건조 기구(480)의 상세를 설명한다. 단부 건조 기구(480)는 단부 제거 기구(460)와 마찬가지로 역ㄷ자형의 형상을 하고 있고, 피처리 웨이퍼(W)를 사이에 두고, 그 표면 상부에는 슬릿 형상의 토출구를 갖는 제2 상부 기체 토출부(482)가, 또한 피처리 웨이퍼(W) 이면의 하부에도 슬릿 형상의 토출구를 갖는 제2 하부 기체 토출부(491)가 배치되어 있다.
제2 상부 기체 토출부(482) 및 제2 하부 기체 토출부(491)는, 각각 제2 상부 기체 배관(484) 및 제2 하부 기체 배관(492)에 접속되어 있고, 그들은 또한, 제2 기체 공급 기기(493) 및 제2 기체 공급원(495)에 접속되어 있다.
제2 상부 기체 토출부 및 제2 하부 기체 토출부로부터는, 불활성 가스를 토출하고, 역ㄷ자형의 단부 건조 기구(480)의 배면부에 배치된 제2 흡인관(483)에 의해 불활성 가스의 흡인을 행한다. 제2 흡인관(483)은 제2 흡인 배관(485)을 경유해서 제2 이젝터(494)에 접속되고, 또한 그 후단에서 흡인한 불활성 가스 및 용제의 처리가 이루어진다.
단부 건조 기구(480)의 제2 상부 기체 토출부(482) 및 제2 하부 기체 토출부(491)는, 단부 제거 기구(460)의 제1 상부 기체 토출부(465) 및 제1 하부 기체 토출부(470)와 마찬가지의 타이밍에 의해 불활성 가스의 토출 동작을 행한다. 또한, 제2 흡인관(483)에 의한 불활성 가스의 흡인 동작도 제1 흡인관(463)과 마찬가지의 타이밍에 의해 불활성 가스의 흡인 동작을 행한다. 또한, 단부 건조 기구(480)의 제2 상부 기체 토출부(482) 및 제2 하부 기체 토출부(491)의 불활성 가스의 토출 정지 동작과 제2 흡인관(483)의 흡인 동작에 대해서는, 제1 상부 기체 토출부(465) 및 제1 하부 기체 토출부(470)와 제1 흡인관(463)의 동작에 조금 지연되어 정지해도 좋다. 이것은, 단부 제거 기구(460)의 동작을 정지한 피처리 웨이퍼(W)의 회전 위치가, 단부 건조 기구(480)에 위치한 시점에서 불활성 가스의 동작을 멈추기 위해서이다.
또한, 제2 상부 기체 토출부(482) 및 제2 하부 기체 토출부(491)의 토출구 형상은, 예를 들어 슬릿 형상으로 되어 있고, 피처리 웨이퍼(W) 단부면부를 넓은 범위에서 감싸도록 제1 흡인관(463)의 방향으로 기류를 형성할 수 있다. 그로 인해, 단부 제거 기구(460)에서 접착제(G)가 제거된 피처리 웨이퍼(W) 단부면부의 건조를 더 촉진시킬 수 있다.
이상의 실시 형태에 의하면, 단부 제거 기구(460)에서 제거한 피처리 웨이퍼(W) 주연부에 대해, 단부 건조 기구(480)를 웨이퍼 회전 방향 하류측에 설치함으로써, 피처리 웨이퍼(W) 주연부 건조를 보다 촉진시키는 것이 가능하게 된다.
또한, 도포 장치(40)에서 피처리 웨이퍼(W)에 접착제(G)를 도포한 후, 도포막 제거 장치(41)에서 피처리 웨이퍼(W)의 외주부(WE) 상의 접착제(G)를 제거하고 있다. 이러한 경우, 접합 장치(30)에서 접착제(G)가 도포된 피처리 웨이퍼(W)와 접착제(G)가 도포되어 있지 않은 지지 웨이퍼(S)를 가압하여 접합할 때에 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S) 사이에서 밀려나오는 외측 접착제(GE)를 억제할 수 있다. 그렇게 함으로써, 예를 들어 웨이퍼 반송 장치(61)나, 피처리 웨이퍼(W), 지지 웨이퍼(S) 및 중합 웨이퍼(T)에 소정의 처리를 행하는 처리 장치에 외측 접착제(GE)가 부착되는 일이 없다. 따라서, 피처리 웨이퍼(W)와 지지 웨이퍼(S)를 적절하게 접합할 수 있다.
또한, 도포 장치(40) 내에서 피처리 웨이퍼(W) 상으로의 접착제(G)의 도포를 행하고, 도포막 제거 장치(41) 내에서 피처리 웨이퍼(W) 상에 도포한 접착제의 단부면 제거를 행하므로, 각각의 장치에서의 처리 시간이 줄어들어, 스루풋도 향상된다.
또한, 도포막 제거 장치(41) 내에서의 기판 위치를 P1 내지 P4에 직선 형상으로 배치함으로써, 회전 척(443)의 이동 거리를 최소한으로 하는 것이 가능하고, 그로 인해, 이동 시간도 줄어든다. 또한, 단부면 검출 기구나 단부 제거 기구(460)의 배치는 피처리 웨이퍼(W)의 웨이퍼 반송 장치(61)에 의한 전달 시에 간섭하는 일도 없다.
이상의 실시 형태에서는, 이동 기구(445)에서 기판 보유 지지 기구(440)만을 이동시키고 있지만, 기판 보유 지지 기구(440)와 단부면 검출 기구(450) 및 단부 제거 기구(460)의 위치를 상대적으로 이동시킬 수 있으면 좋고, 기판 보유 지지 기구(440)를 고정해서 단부면 검출 기구(450)나 단부 제거 기구(460)를 이동시키도록 해도 좋다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예로 한정되지 않는다. 당업자이면 특허 청구 범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명확하며, 그들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것이라고 이해된다. 본 발명은 이 예로 한정되지 않고 다양한 형태를 채용할 수 있는 것이다. 본 발명은, 도포제가 접착제에 한정되지 않고, 레지스트나 다른 도포제인 경우에도 적용 가능하다.
1 : 접합 시스템
30 내지 33 : 접합 장치
40 : 도포 장치
41 : 도포막 제거 장치
42 내지 46 : 열처리 장치
280 : 스핀 척
292 : 접착제 노즐
302 : 용제 노즐
370 : 제어부
450 : 단부면 검출 기구
460 : 단부 제거 기구
480 : 단부 건조 기구
G : 접착제
GE : 외측 접착제
P1 : 전달 위치
P2 : 검출 위치
P3 : 제거 위치
P4 : 대기 위치
S : 지지 웨이퍼
T : 중합 웨이퍼
W : 피처리 웨이퍼

Claims (6)

  1. 기판에 도포된 도포막의 단부를 제거하는 도포막 제거 장치에 있어서,
    상기 기판을 보유 지지하는 기판 보유 지지 기구와,
    상기 기판의 단부면을 검출하는 단부면 검출 기구와,
    상기 기판에 도포된 도포막의 단부를 제거하는 단부 제거 기구와,
    상기 기판 보유 지지 기구 또는 단부 제거 기구를 이동시키는 이동 기구
    를 구비하고,
    검출 위치에서는 상기 단부면 검출 기구에서 기판의 단부면을 검출하고, 상기 이동기구로 기판을 상기 검출 위치로부터 제거 위치로 이동시킨 후, 상기 단부면 검출 기구에서 검출한 기판의 단부면에 따라서 상기 이동 기구에 의해 상기 기판 보유 지지 기구와 상기 단부 제거 기구를 상대적으로 이동시키면서, 상기 단부 제거 기구에서 기판에 도포된 도포막의 단부를 제거하는 것을 특징으로 하는 도포막 제거 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이동 기구는,
    상기 기판 보유 지지 기구에서 기판의 전달을 행하는 전달 위치와,
    상기 단부면 검출 기구에서 기판의 단부면을 검출하는 검출 위치와,
    상기 단부 제거 기구에서 도포막의 단부를 제거하는 제거 위치
    에 상기 기판 보유 지지 기구를 직선 형상으로 이동시키는 구성으로 하는 것을 특징으로 하는 도포막 제거 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단부 제거 기구의 기판 회전 방향 하류측에는, 상기 기판의 단부 건조를 행하는 단부 건조 기구가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포막 제거 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 단부 제거 기구는,
    기판 단부의 상면 및 하면을 향해서 제거액을 토출하는 노즐 형상의 약액 토출부와,
    상기 기판 단부의 상면 및 하면을 향해서 건조 가스를 토출하는 제1 기체 토출부와,
    토출된 상기 제거액과 건조 가스를 흡인하기 위한 제1 흡인부를 갖고,
    상기 약액 토출부보다도 기판 중심 방향측에 상기 제1 기체 토출부가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포막 제거 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 기체 토출부는, 슬릿 형상의 토출구를 갖는 것을 특징으로 하는 도포막 제거 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 단부 건조 기구는,
    상기 기판 단부의 상면 및 하면을 향해서 건조 가스를 토출하는 제2 기체 토출부와,
    토출된 건조 가스를 흡인하기 위한 제2 흡인부를 갖고,
    상기 제2 기체 토출부는 슬릿 형상의 토출구인 것을 특징으로 하는 도포막 제거 장치.
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