JP6612670B2 - 基板処理装置、及び、基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、及び、基板処理方法 Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置、及び、基板処理方法に関する。
近年、ＩＣカード、携帯電話等の電子機器の薄型化、小型化、軽量化等が要求されている。これらの要求を満たすためには、組み込まれる半導体チップについても薄型の半導体チップを使用しなければならない。このため、半導体チップの基となるウエハ基板の厚さ（膜厚）は現状では１２５μｍ〜１５０μｍであるが、次世代のチップ用には２５μｍ〜５０μｍにしなければならないといわれている。したがって、上記の膜厚のウエハ基板を得るためには、ウエハ基板の薄板化工程が必要不可欠である。
ウエハ基板は、薄板化により強度が低下するので、薄板化したウエハ基板の破損を防ぐために、製造プロセス中は、ウエハ基板にサポートプレートを接着層により貼り合わされた状態で自動搬送しながら、ウエハ基板上に回路等の構造物を実装する。
特許文献１には、基板を水平姿勢で載置する水平載置面を有する基板保持部と、基板を水平姿勢に支持して基板保持部の水平載置面上へ静置させる基板移載手段と、基板保持部の水平載置面上に載置された基板の周辺端面に当接して基板を水平方向へ微小移動させ基板を所定位置に位置決めする基板案内手段と、を備えた基板の位置決め装置において、基板保持部の水平載置面が鏡面仕上げされている、基板の位置決め装置が記載されている。
特開２００５−００５５５０号公報（２００５年１月６日公開）
特許文献１に記載の基板の位置決め装置では、基板を所定位置に位置決めした後、当該基板を搬送するときにおいて基板に加わる振動や、基板を基板保持部に載置した後の振動等によって、基板の位置がずれるという問題がある。また、特許文献１には、基板を水平方向へ微小移動させる基板案内手段に関する記載はあるものの、基板移載手段によって基板を水平載置面上に搬送した後に、載置した基板の位置を高い精度で調整することについては何ら開示していない。
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、載置台に載置した基板の位置を高い精度で調整することができる基板処理装置、及びその関連技術を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、基板を処理する基板処理装置であって、上記基板の大きさを特定する特定部と、上記基板の大きさに基づき、上記基板の中心点を特定する位置特定部と、上記基板を載置する載置台と、上記載置台上に載置された上記基板を平面方向から挟持する少なくとも一組の挟持部とを備えており、上記挟持部は、上記位置特定部が特定した上記基板の中心点を、上記載置台の中心点上に移動させるようになっていることを特徴としている。
また、本発明に係る基板処理方法は、基板を処理する基板処理方法であって、上記基板の中心点を特定する位置特定工程と、上記基板を載置台上に載置する載置工程と、少なくとも一組の挟持部によって、上記載置台上に載置された上記基板を平面方向から挟持する挟持工程と、上記位置特定工程において特定した上記基板の中心点を、上記一組の挟持部によって上記載置台の中心点上に移動させる移動工程とを包含していることを特徴としている。
本発明によれば、載置台に対する基板の位置を高い精度で調整することができる基板処理装置、及びその関連技術を提供することができるという効果を奏する。
本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００の概略の構成を説明する図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００が備えている位置特定装置６１の概略の構成を説明する図である。 本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００が備えている洗浄装置６６の概略の構成を説明する図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置が備えている洗浄装置６６’の概略の構成を説明する図である。 本発明の実施形態３に係る基板処理装置が備えている洗浄装置６６”の概略の構成を説明する図である。
＜基板処理装置１００＞
図１〜３を用いて、本発明の一実施形態（実施形態１）に係る基板処理装置１００について詳細に説明する。
図１は、本実施形態に係る基板処理装置１００の概略の構成を説明する図である。図２は、本実施形態に係る基板処理装置１００が備えている位置特定装置６１の概略の構成を説明する図である。図３は、本実施形態に係る基板処理装置１００が備えている洗浄装置６６の概略の構成を説明する図である。
図１に示すように、基板処理装置１００は、位置特定装置６１、搬送ロボット（搬送部）６２、及び、洗浄装置６６を備えている。また、基板処理装置１００は、搬送ロボット６２が移動するための搬送部走行路６３、スピンナー６４、及びベークプレート６５を備えている。また、基板処理装置１００は、各装置の動作を制御する制御部（不図示）を備えている。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置１００は、限定されるものではないが、典型的には、基板１０の周縁部分に形成された接着層１１を除去するための処理である、いわゆるＥＢＲ（Edge Bead Removal）処理を行なうために好適に用いることができる（図３の（ａ）〜（ｃ））。また、本実施形態に係る基板処理装置１００は、基板１０と、当該基板１０を支持する支持体とを、接着層１１を介して貼り付ける貼付システム（不図示）の一部を構成し得る。
〔位置特定装置６１〕
図２の（ａ）に示すように、位置特定装置６１は、基板１０を載置するステージ２１、及び、第一アーム２２と第二アーム２３とを備えてなる挟持部２０（別の一組の挟持部）を備えている。ここで、第一アーム２２は、基板１０の大きさを特定する特定部２４を備えている。
（基板１０）
図２の（ａ）に示すように、基板１０は、限定されるものではないが、典型的には、シリコンウエハ基板を用いることができる。また、基板１０は、セラミックス基板、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の材質からなる基板であってもよい。また、基板１０には、例えば、集積回路や金属バンプ等の構造物が実装されていてもよい。なお、限定されるものではないが、本実施形態に係る基板処理装置１００において、処理を行なう基板の上面視における形状は、円形である。
（ステージ２１）
ステージ２１は、位置特定装置６１の外部から搬入されてきた基板１０の底面部における内周部分を支持するようにして、当該基板１０を載置する台である。ステージ２１は駆動部（不図示）によって、図２の（ａ）に示すＺ方向において、上下に移動させることができる。これにより、ステージ２１は、第一アーム２２と第二アーム２３との間に、基板１０を搬送することができる。なお、基板１０は、その中心点が概ねステージ２１の中心点の近くに配置されるように、ステージ２１上に載置される。
〔挟持部２０〕
挟持部２０は、基板１０を挟持するための第一アーム２２及び第二アーム２３と、基板１０の中心点を求める位置特定部２８とを備えている。
図２の（ａ）に示すように、第一アーム２２は、特定部２４と、駆動部（不図示）とを備えており、基板１０の外周端部に当接することができる当接面２２ａを有している。
特定部２４は、挟持部２０が基板１０を挟持したときに、第一アーム２２に加えられる力を検知するようになっている。また、特定部（距離特定部）２４は、力を検知するまでに第一アーム２２がＸ方向において移動した距離を特定することができるようになっている。
第二アーム２３は、駆動部２５を備えており、Ｘ方向に沿って移動することができるが、基板１０を挟持する前においては、位置特定装置６１内における所定の位置に固定されている。また、第二アーム２３は、カムフォロア（第一回動部）２６及び２７を備えており、カムフォロア２６及び２７は、Ｘ−Ｙ平面に垂直な軸を中心として回動することができる。なお、カムフォロアは、例えば、ステンレス等の金属により形成されていることが好ましい。
挟持部２０の動作について説明する。図２の（ａ）に示すように、第一アーム２２によって移動する基板１０の外周端部が、カムフォロア２６のみに当接した場合、カムフォロア２６は、基板１０との摩擦によって、Ｘ−Ｙ平面において時計回りに回動する。これによって、図２の（ｂ）に示すように、第二アーム２３は、基板１０の外周端部がカムフォロア２７に当接するように当該基板１０を誘導する。また、図示していないが、基板１０の外周端部が、カムフォロア２７のみに当接した場合、カムフォロア２７は、基板１０との摩擦によって、Ｘ−Ｙ平面において反時計回りに回動する。これによって、第二アーム２３は、基板１０の外周端部がカムフォロア２６に当接するように基板１０を誘導する。
つまり、カムフォロア２６及び２７は、挟持部２０が基板１０を挟持したときにおいて、基板１０の外周端部をカムフォロア２６とカムフォロア２７との両方に当接するように当該基板１０を誘導する。これにより、Ｘ−Ｙ平面において、カムフォロア２６とカムフォロア２７とを結ぶ線分Ａの中間点Ａ１を垂直に通る線分Ｃの上に、基板１０の中心点Ｏ１を配置することができる（図２の（ｂ））。よって、基板処理装置１００は、挟持部２０によって基板１０を挟持するという動作のみにより、基板１０の中心点Ｏ１を所定の軸線上に配置することができる。つまり、Ｙ軸方向における所定の座標に基板１０の中心点Ｏ１を配置することができる。
ここで、特定部２４は、基準となる大きさを備えた基板１０Ｓ（図２の（ｂ）において二点鎖線で示されている）の中心点がステージ２１の中心点Ｏ２上に配置され、第一アーム２２がＸ方向において移動したときに、基板１０Ｓに加わる力を検知するべき位置を特定する機構が設けられている。このため、特定部２４は、第一アーム２２がＸ方向において移動したときに、基板１０Ｓに加わる力を検知するべき位置と、実際の基板１０に力を加えたことを検知した位置との差である距離Ｒを特定することができるようになっている。この距離Ｒが、特定部２４が検知した実際の基板１０の直径と、基準となる基板１０Ｓの直径との差に該当する。位置特定部２８は、距離Ｒに基づき、基板１０の実際の直径を求め、線分Ｃ上に配置されている基板１０の中心点Ｏ１の、Ｘ軸方向における座標を求める。これにより、位置特定装置６１において、基板１０の大きさ、及びＸ−Ｙ平面上における中心点Ｏ１の位置を特定する。
なお、挟持部２０は、カムフォロア２６及び２７、並びに第一アーム２２と、基板１０の外周端部との接点の座標から、基板１０の大きさと、中心点Ｏ１とを特定する構成であってもよい。
その後、図２の（ｃ）に示すように、挟持部２０は、基板１０を挟持した状態において、Ｘ方向において移動することにより、ステージ２１の中心点Ｏ２上に、基板１０の中心点Ｏ１が配置されるように基板１０を移動させる。その後、図２の（ｃ）に示す状態において、ステージ２１は、例えば、減圧部を介して基板１０を吸着保持する吸着部（不図示）によって基板１０の内周部を吸着保持する。続いて、第一アーム２２と第二アーム２３とは、Ｘ方向において互いに離れるように移動し、これにより、基板１０の挟持を解除する。続いて、ステージ２１は、基板１０の内周部を吸着保持した状態で、当該基板１０を挟持部２０の間から、Ｚ方向において持ち上げ、搬送ロボット６２のハンド部６２ａに手渡す。
〔搬送ロボット６２〕
搬送ロボット（搬送部）６２は、位置特定部２８によって、中心点Ｏ１を特定した基板１０を、処理に応じて所定の装置に搬送する。基板処理装置１００では、搬送ロボット６２は、当該基板１０を位置特定装置６１からスピンナー６４へと搬送する。次いで、スピンナー６４からベークプレート６５へと基板１０を搬送する。その後、ベークプレート６５から洗浄装置６６へと基板１０を搬送する。搬送ロボット６２は、各搬送工程において、ハンド部６２ａによって基板１０の周縁部分を支持して、当該基板１０を搬送する。
なお、基板処理装置１００は、搬送ロボット６２が、位置特定装置６１から基板１０を搬出した段階において、位置特定装置６１に別の基板を搬入し、当該別の基板の大きさ及び中心点を特定する構成になっていてもよい。これにより、連続的な基板の処理に要する時間を短縮することができる。
〔スピンナー６４〕
スピンナー（塗布装置）６４は、基板１０上に接着剤を塗布する装置である。スピンナー６４は、その中心点上に基板１０の中心点Ｏ１が配置されるように、搬送ロボット６２によって基板１０が載置されるようになっている。スピンナー６４は、載置された基板１０を、例えば３０００ｒｐｍで回転させながら当該基板１０上に接着剤をスピン塗布する。なお、基板１０の回転速度は特に限定されるものではなく、接着剤の種類、当該基板の大きさ等に応じて適宜設定すればよい。また、基板への接着剤の塗布方法は、スピン塗布（スピンコート）に限定されるものではなく、例えば、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法によって塗布してもよい。
また、スピンナー６４は、基板１０上に接着剤を塗布するときに、基板１０の端面又は裏面に付着した接着剤を洗浄するための洗浄液を当該基板にさらに塗布する洗浄部を備えていてもよい。これにより、接着剤を洗浄する洗浄装置を別途設けることなく、基板１０上に接着剤を塗布しながら当該基板の端面又は裏面を洗浄することができる。よって、本実施形態に係る基板処理装置１００においては、省スペース化することができ、また、積層体の形成時間を短縮することができる。
なお、基板１０に塗布する接着剤は、限定されず、例えば、熱可塑性接着剤、硬化性接着剤等を挙げることができる。例えば、熱可塑性接着剤には、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、炭化水素系樹脂、及び、熱可塑性エラストマー等の熱可塑性樹脂を含んでなる接着剤を挙げることができる。また、硬化性接着剤には、例えば、不飽和二重結合を有する化合物、及び、エポキシ樹脂等を含んでなる接着剤であって、熱重合開始剤を含んでいる熱硬化性接着剤を挙げることができる。ここで、不飽和二重結合を有する化合物には、例えば、多官能アクリレート等の低分子化合物、不飽和二重結合を有するホモポリマー及びコポリマー等を挙げることができる。また、硬化性接着剤は、熱重合開始剤に替えて光重合開始剤を含んでいる光硬化性接着剤であってもよい。
（ベークプレート６５）
ベークプレート（加熱装置）６５は、スピンナー６４により接着剤が塗布された基板１０を搬送ロボット６２から受け取り、加熱することによって基板１０上に接着層１１を形成する装置である。ベークプレート６５は、熱源を取り付けることにより、又は天板に熱源を取り付けることにより、接着剤をベークするとよい。熱源の例としては、例えば、温水ヒータ、温風ヒータ、赤外線ヒータ、及び電熱ヒータ等を挙げることができる。
〔洗浄装置６６〕
図３の（ａ）に示すように、洗浄装置６６は、回転ステージ（載置台）３１、挟持部２０’、ＥＢＲノズル（液体供給部）３２及び洗浄カップ（カップ）３３を備えている。
洗浄装置６６には、接着層１１が形成された基板１０が搬入されるようになっている。ここで、基板１０は、搬送ロボット６２によって各装置への搬入、及び搬出が繰り返されてきたため、洗浄装置６６に搬入されるまでに、搬送ロボット６２が支持している基板１０における中心点Ｏ１の位置が、実際に配置されるべき位置からずれを生じていることがある。しかしながら、洗浄装置６６は、挟持部２０’を備えていることによって、ベークプレート６５から搬送ロボット６２によって搬送されてきた基板１０の中心点Ｏ１の位置を、適切な位置に再度調整することができる。
（回転ステージ３１）
回転ステージ３１は、駆動軸３４によってＸ−Ｙ平面において回転することができる。回転ステージ３１は、例えば、減圧部（不図示）に連通することにより、基板１０の底面部を吸着保持することができる吸着部（不図示）を備えている。より具体的には、回転ステージは、例えば、真空チャック及びモータを備えたスピンチャックであり得る。
回転ステージ３１は、Ｚ方向において上下に移動することができる。これによって、回転ステージ３１は、洗浄カップ３３に対してＺ方向に向かって上側に配置されている挟持部２０’の間において基板１０を載置することができる（図３の（ｂ））。
（挟持部２０’）
挟持部２０’は、第一アーム２２及び第二アーム２３を備えている点において、挟持部２０と同じである。また、挟持部２０’は、例えば、有線又は無線等の通信部（不図示）を備えており、位置特定部２８が特定した基板１０の大きさ及び中心点Ｏ１の座標のデータを、当該通信部から受信する。よって、挟持部２０’は、特定部２４のように、標準となる基板１０’の直径と基板１０の直径との差を特定する機構を備えずとも、位置特定部２８によって特定されたデータに基づき、第一アーム２２及び第二アーム２３をＸ方向に移動させ、基板１０を挟持するという簡易な動作によって、基板１０の中心点Ｏ１を回転ステージ３１の中心点Ｏ３の上に配置することができる（図３の（ａ））。
なお、挟持部２０’の第一アーム２２は、特定部２４に替えて、駆動部２５ａを備えている。また、挟持部２０’の第一アーム２２は、駆動部２５に替えて、駆動部２５ｂを備えている。駆動部２５ａは、基板１０の直径と、基準となる基板１０Ｓの直径との差である距離Ｒを検知しない点において特定部２４とは異なる。駆動部２５ａは、位置特定装置６１における特定部２４が特定した距離Ｒに基づき、挟持部２０’における第一アーム２２を、Ｘ方向において第二アーム２３側に向かって移動させる。これにより、挟持部２０’は、基板１０を挟持し、当該基板１０の中心点Ｏ１を回転ステージの中心点Ｏ３の上に配置するようになっている。また、挟持部２０’は、第一アーム２２が備えている駆動部２５ａと第二アーム２３が備えている駆動部２５ｂとによって、位置特定装置６１における挟持部２０よりも広い範囲に移動することができる。このため、挟持部２０’は、回転ステージ３１において基板１０の中心点Ｏ１の位置合わせを行なった後、洗浄カップ３３上において、ＥＢＲノズル３２の動作を妨げない位置まで移動することができる（図３の（ｃ））。
なお、挟持部２０’が移動することに伴い、回転ステージ３１は、Ｚ方向において下側に移動する。これによって、回転ステージ３１は、洗浄カップ３３の内側まで基板１０を搬送し、回転を開始する。回転ステージ３１の回転速度は、基板の大きさ、及び材質等により、適宜設定すればよいが、例えば、好ましくは５００ｒｐｍ以上であり、より好ましくは５００ｒｐｍ以上、３０００ｒｐｍ以下とすることができる。
（ＥＢＲノズル３２）
ＥＢＲノズル（液体供給部）３２は、回転ステージ３１上で回転している基板１０に対して、洗浄液（液体）を噴射することによって、基板１０の周縁部分に形成された接着層１１を溶解して除去するようになっている。洗浄液をＥＢＲノズル３２から供給するときの流量、及び洗浄液の供給時間は、除去対象の組成、除去対象の厚さ、使用する溶剤の種類、及び除去の程度に応じて異なり得るが、当業者であれば、その最適条件を困難なく検討及び決定することができる。
ＥＢＲノズル３２から基板１０に噴射する洗浄液は、接着層１１を溶解することができればよく、特に限定されるものではないが、例えば、直鎖状の炭化水素、炭素数４から１５の分岐状の炭化水素、テルペン系溶剤、ラクトン類、ケトン類、多価アルコール類、多価アルコール類の誘導体、環式エーテル類、エステル類、芳香族系有機溶剤等を用いることができる。
なお、洗浄カップ３３は、ＥＢＲノズル３２から噴射された洗浄液が、洗浄装置６６内において飛散することを防止し、これにより、洗浄装置６６が汚染されることを防止するようになっている。
本実施形態に係る基板処理装置１００は、基板１０の中心点Ｏ１を回転ステージ３１の中心点Ｏ３の上に好適に配置することができるため、基板１０を偏心させることなく中心点Ｏ１を中心にして好適に回転させることができる。よって、ＥＢＲ処理によって、接着層１１が除去された露出面１０ａの幅を、例えば、５０〜１００μｍという範囲内において均一な幅になるように好適に制御することができる。
また、処理の対象である基板は、例えば、直径の基準値が３００ｍｍである基板を用いる場合、±０．２ｍｍ程度の誤差で直径に個体差があり得る。しかしながら、基板処理装置１００は、基板の個体ごとに大きさを特定し、中心点を特定することができる。このため、基板の個体差によらず、ＥＢＲ処理による基板１０の露出面１０ａの幅を調整することができる。よって、基板処理装置１００は、高い精度が求められる積層体の製造において、好適に用いることができる。
＜実施形態２に係る基板処理装置＞
本発明に係る基板処理装置は、上記実施形態（実施形態１）に限定されない。例えば、図４に示すように、一実施形態（実施形態２）に係る基板処理装置が備えている洗浄装置６６’は、第一アーム４２において、カムフォロア（第二回動部）４３及び４４を備えている構成である。なお、駆動部２５ａ及び駆動部２５ｂについては、実施形態１の構成と同じであるため、その説明を省略する。
（挟持部４０）
挟持部４０は、第一アーム４２及び第二アーム２３を備えている。第一アーム４２は、第一アーム２２における当接面２２ａに替えて、カムフォロア（第二回動部）４３及び４４を備えている構成である。
挟持部４０は、第一アーム４２が備えているカムフォロア４３及び４４の少なくとも一方によって、基板１０をＸ方向において第二アーム２３側に向かって移動させる。例えば、第一アーム４２のカムフォロア４３に基板１０の外周端部が当接されて、当該基板１０の外周端部がカムフォロア２６のみに押し当てられた場合、カムフォロア２６は、基板１０との摩擦によって、Ｘ−Ｙ平面において時計回りに回動し、同時に、カムフォロア４３が反時計回りに回動する。これによって、図４に示すように、挟持部４０は、カムフォロア２６及びカムフォロア４３によって、基板１０の外周端部がカムフォロア２７及び４４に当接するように当該基板１０を誘導する。なお、例えば、第一アーム４２のカムフォロア４４に当接されることによって、基板１０の外周端部がカムフォロア２７のみに押し当てられた場合も同様に、挟持部４０は、基板１０の外周端部がカムフォロア２６及び４３に当接するように当該基板１０を誘導する。このように、挟持部４０は、カムフォロア２６及び２７のみならず、カムフォロア４３及び４４を回動させることによって、第一アーム２２を備えた挟持部２０の場合よりも、より円滑に挟持できるように基板１０を誘導することができる。
また、図４に示すように、カムフォロア２６及び２７を結ぶ線分Ａ、及び、カムフォロア４３及び４４を結ぶ線分Ｂは、互いに平行であり、且つ、線分Ａの中間点Ａ１と線分Ｂの中間点Ｂ１とを結ぶ線分Ｃが上記線分Ａ及び線分Ｂに対して垂直である。このように、カムフォロア２６及び２７、並びにカムフォロア４３及び４４を配置することにより、線分Ｃ上に基板１０の中心点Ｏ１を配置することができる。よって、挟持部４０は、挟持部２０及び２０’と同様に、基板１０を挟持することによって、当該基板１０のＹ方向における座標を線分Ｃ上に配置することができる。また、挟持部４０は、位置特定部２８によって求められた基板１０の大きさと中心点の座標に基づき、基板１０の中心点を回転ステージ３１の中心点上に配置することができる。
ここで、カムフォロア２６及び２７の間の距離は、カムフォロア４３及び４４の間の距離よりも離れていることがより好ましい。より具体的には、カムフォロア２６と基板１０の中心点Ｏ１とを結ぶ線分Ｄと、カムフォロア２７と基板１０の中心点Ｏ１とを結ぶ線分Ｄ’との間に挟まれた角度θ１は、６０°〜１２０°であることが好ましく、カムフォロア４３と基板１０の中心点Ｏ１とを結ぶ線分Ｅと、カムフォロア４４と基板１０の中心点Ｏ１とを結ぶ線分Ｅ’との間に挟まれた角度θ２は、１５°〜４０°程度であることが好ましい。これにより、第一アーム４２によって基板１０を第二アーム２３側に移動させつつ、カムフォロア２６及び２７と、カムフォロア４３及び４４とによって、基板１０を挟持することができる。
なお、挟持部４０に位置特定部を設け、当該挟持部４０を位置特定装置において用いることで、当該位置特定装置を基板の大きさ及び中心点を特定するために好適に使用することができることは言うまでもない。
＜実施形態３に係る基板処理装置＞
本発明に係る基板処理装置は、上記実施形態（実施形態１及び２）に限定されない。例えば、図５に示すように、一実施形態（実施形態３）に係る基板処理装置が備えている洗浄装置６６”では、挟持部５０は、第一アーム２２と第二アーム５１とを備えており、第二アーム５１には、カムフォロア２６及び２７以外の第一回動部として、カムフォロア５２及び５３が設けられている構成である。ここで、カムフォロア５２とカムフォロア５３とを結ぶ線分Ａ’の中間点Ａ’１が、基板１０及び基板１０’の中心点を通る線分Ｃ上に位置することは、カムフォロア２６及びカムフォロア２７を結ぶ線分Ａの中間点Ａ１と同じである。なお、上述の実施形態において同じ機能を有する部材には、同じ符号を付し、その説明を省略する。
上記の構成によれば、第一アーム２２と第二アーム５１とによって基板１０を挟持することにより、当該基板１０の大きさ、及び中心点を特定することができるのみならず、図５において破線で示しているような、基板１０とは異なる直径を有する基板１０’を好適に挟持することができる。つまり、一つの挟持部５０によって、直径が互いに異なる二種類の基板の大きさ及び中心点の位置を特定することができる。
なお、本実施形態においても、挟持部５０に位置特定部を設け、当該挟持部５０を位置特定装置において用いることで、当該位置特定装置を基板の大きさ及び中心点を特定するために好適に使用することができることは言うまでもない。
＜別の実施形態に係る基板処理装置＞
本発明に係る基板処理装置は、上記実施形態（実施形態１、２、及び３）に限定されない。例えば、別の実施形態に係る基板処理装置は、ＥＢＲノズル３２を用いる形態に限定されない。基板処理装置は、例えば、カッター又はブレード等を用いて基板１０上に形成された除去対象を物理的に切断又は剥離して除去する方法、及び、大気圧下でのアッシングにより除去対象を除去する方法等によってＥＢＲ処理を行なってもよい。
また、例えば、さらに別の実施形態に係る基板処理装置では、処理の対象である基板は、例えば、サポートプレート（支持体）であってもよい。サポートプレートは、基板１０の薄化、搬送、実装等のプロセス時に、基板１０の破損又は変形を防ぐために当該基板１０を支持するようになっている。サポートプレートの材質としては、例えば、ガラス、シリコン、アクリル系樹脂等を挙げることができる。なお、サポートプレートは、上面視における形状が、円形である。なお、サポートプレートは、厚さ方向において設けられた複数の貫通孔から、剥離液を供給することで接着層１１を膨潤させることができる構成であってもよい。
また、サポートプレートは、支持すべき基板に対向する側の面において光を吸収することによって変質することができる分離層が形成されている構成であってもよい。分離層とは、サポートプレートを介して照射される光を吸収することによって変質する層であり、サポートプレートと基板とを好適に分離する層である。分離層は、例えば、プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）法によって成膜されるフルオロカーボンを挙げることができる。また、例えば、分離層には、光吸収性を有している構造をその繰り返し単位に含んでいる重合体、無機物、赤外線吸収性の構造を有する化合物、及び、反応性ポリシルセスキオキサン等を用いて形成された分離層を挙げることができる。
一実施形態に係る基板処理装置によれば、このようなサポートプレートにおいても、基板の中心点を好適に特定し、洗浄装置に基板を高い精度で配置することができる。よって、サポートプレート上の外周端部に形成された接着層、及び／又は、分離層を、ＥＢＲ処理により除去するために、好適に使用することができる。なお、サポートプレート上に分離層が形成されている場合、洗浄液として、例えば、モノイソプロパノールアミン（ＭＩＰＡ）等の第一級脂肪族アミン、２−（メチルアミノ）エタノール（ＭＭＡ）等の第二級脂肪族アミン、トリエタノールアミン等の第三級脂肪族アミン、シクロヘキシルアミン等の複素環式アミンからなる群より選択される少なくとも１種のアミン類、又は、それらを含む溶剤等を用いるとよい。
また、例えば、さらに別の実施形態に係る基板処理装置は、図２に示す、位置特定装置６１に替えて図３〜５に示す、洗浄装置６６、６６’及び６６”の何れかにおいて、挟持部２０’、３０、５０に位置特定部が設けられている構成である。これによって、洗浄装置において、基板１０の中心点Ｏ１を好適に特定することができる。なお、本実施形態に係る基板処理装置は、中心点を予め特定していない基板に形成されている接着層や分離層にＥＢＲ処理を行なうために好適に用いることができる。
＜基板処理方法＞
本発明に係る基板処理方法は、一態様において、基板１０を処理する基板処理方法であって、基板１０の中心点Ｏ１を特定する位置特定工程と、基板１０を回転ステージ（載置台）３１上に載置する載置工程と、少なくとも一組の挟持部２０’によって、回転ステージ３１上に載置された基板１０を平面方向から挟持する挟持工程と、位置特定工程において特定した上記基板１０の中心点Ｏ１を、一組の挟持部２０’によって回転ステージ３１の中心点Ｏ３上に移動させる移動工程とを包含している。
また、本発明に係る基板処理方法は、一態様において、位置特定工程は、載置工程前において、一組の挟持部２０’とは別の一組の挟持部２０が基板１０を挟持したときにおける別の一組の挟持部２０の互いの距離に基づいて、上記基板の中心点を特定する位置特定工程であり、移動工程では、当該位置特定工程において特定した上記基板の中心点Ｏ１に基づき、一組の挟持部２０’によって回転ステージ３１の中心点Ｏ３上に移動させるとよい。
また、本発明に係る基板処理方法は、一態様において、位置特定工程は、回転ステージ３１上に載置された基板１０の中心点Ｏ１を特定する位置特定工程であり、挟持工程において、基板１０を挟持したときにおける一組の挟持部２０’の互いの距離に基づき、基板１０の中心点Ｏ１を特定してもよい。
また、本発明に係る基板処理方法は、一態様において、移動工程後、基板１０に洗浄液（液体）を供給する液体供給工程を包含していることが好ましい。
また、本発明に係る基板処理方法は、一態様において、基板１０の上面視における形状は、円形であり、位置特定工程では、一組の挟持部２０’のうちの第二アーム２３において基板１０の外周端部に対向するように設けられた、上記基板の外周端部に当接したときに回動する二つのカムフォロア（第一回動部）を介して、基板１０を挟持するとよい。
本発明に係る基板処理方法は、一態様において、挟持工程では、二つのカムフォロア（第一回動部）２６及び２７と、一組の挟持部のうちの第一アーム２２において基板１０の外周端部に対向するように設けられた、基板１０の外周端部に当接したときに回動する二つのカムフォロア（第二回動部）４３及び４４とを介して、基板１０を挟持するとよい。
また、本発明に係る基板処理方法は、一態様において、二つのカムフォロア２６及び２７を結ぶ線分Ａ、及び、二つのカムフォロア４３及び４４を結ぶ線分Ｂが互いに平行であり、且つ、上記線分Ａの中間点と上記線分Ｂの中間点とを結ぶ線分Ｃが上記線分Ａ及び線分Ｂに対して垂直であるように、上記二つのカムフォロア２６及び２７と、二つのカムフォロア４３及び４４とが配置されており、上記二つのカムフォロア２６及び２７の間の距離は、二つのカムフォロア４３及び４４の間の距離よりも離間しているとよい。
すなわち、上述した基板処理装置１００の各実施形態であって本発明に係る基板処理方法は、上述の実施形態及び図１〜５の説明に準ずる。
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態に夫々開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
本発明は、載置台に対する基板の位置を高い精度で調整することができるため、工業製品の製造分野に幅広く利用することができ、特に半導体装置を製造するときにおけるＥＢＲ処理に好適に利用することができる。
１００ 基板処理装置
１０ 基板
２０、２０’、４０、５０ 挟持部
２２、４２ 第一アーム（挟持部）
２３、５１ 第二アーム（挟持部）
２６、２７、５２、５３ カムフォロア（第一回動部、挟持部）
４３、４４ カムフォロア（第二回動部、挟持部）
２４ 特定部
２５、２５ａ、２５ｂ 駆動部（挟持部）
２８ 位置特定部
３１ 回転ステージ（載置台）
３２ ＥＢＲノズル（液体供給部）
３３ 洗浄カップ（カップ）
６２ 搬送ロボット（搬送部）

Claims (16)

  1. 基板を処理する基板処理装置であって、
    上記基板の大きさを特定する特定部と、
    上記基板の大きさに基づき、上記基板の中心点を特定する位置特定部と、
    上記基板を載置する載置台と、
    上記載置台上に載置された上記基板を平面方向から挟持する少なくとも一組の挟持部とを備えており、
    上記一組の挟持部は、上記位置特定部が特定した上記基板の中心点を、上記載置台の中心点上に移動させるようになっており、
    上記基板処理装置は、上記一組の挟持部とは別の一組の挟持部をさらに備えており、
    上記特定部は、上記載置台上に上記基板を載置する前において、上記別の一組の挟持部が、上記基板を挟持したときにおける上記別の一組の挟持部の互いの距離に基づき上記基板の大きさを特定することを特徴とする基板処理装置。
  2. 上記基板処理装置は、上記基板を上記載置台上に載置する搬送部をさらに備えており、
    上記搬送部は、上記位置特定部が特定した上記基板の中心点に基づいて、上記基板を上記載置台上に載置することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 基板を処理する基板処理装置であって、
    上記基板の大きさを特定する特定部と、
    上記基板の大きさに基づき、上記基板の中心点を特定する位置特定部と、
    上記基板を載置する載置台と、
    上記載置台上に載置された上記基板を平面方向から挟持する少なくとも一組の挟持部とを備えており、
    上記挟持部は、上記位置特定部が特定した上記基板の中心点を、上記載置台の中心点上に移動させるようになっており、
    上記位置特定部は、上記載置台上に載置された上記基板の中心点を特定する位置特定部であり、上記特定部は、上記基板を挟持したときにおける上記一組の挟持部の互いの距離に基づき、上記基板の大きさを特定することを特徴とする基板処理装置。
  4. 上記載置台の中心点上に中心点を移動させた上記基板に、液体を供給する液体供給部を備えていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の基板処理装置。
  5. 基板を処理する基板処理装置であって、
    上記基板の大きさを特定する特定部と、
    上記基板の大きさに基づき、上記基板の中心点を特定する位置特定部と、
    上記基板を載置する載置台と、
    上記載置台上に載置された上記基板を平面方向から挟持する少なくとも一組の挟持部とを備えており、
    上記挟持部は、上記位置特定部が特定した上記基板の中心点を、上記載置台の中心点上に移動させるようになっており、
    上記基板の上面視における形状は、円形であり、
    上記一組の挟持部のうちの一つにおいて上記基板の外周端部に対向するように設けられた、上記基板の外周端部に当接したときに回動する二つの第一回動部を有していることを特徴とする基板処理装置。
  6. 上記基板の外周端部に当接したときに回動する二つの第二回動部が、上記一組の挟持部のうちの別の一つにおいて上記基板の外周端部に対向するように設けられていることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 上記二つの第一回動部を結ぶ線分Ａ、及び、上記二つの第二回動部を結ぶ線分Ｂが互いに平行であり、且つ、上記線分Ａの中間点と上記線分Ｂの中間点とを結ぶ線分Ｃが上記線分Ａ及び線分Ｂに対して垂直であるように、上記二つの第一回動部及び上記二つの第二回動部が配置されており、
    上記二つの第一回動部の間の距離は、上記二つの第二回動部の間の距離よりも離間していることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 上記載置台における上記基板を載置する面には、上記基板を吸着する吸着部が設けられていることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の基板処理装置。
  9. 上記載置台上に載置された上記基板の外周を囲う、カップを備えており、
    上記位置特定部が特定した上記基板の中心点を、上記載置台の中心点上に移動させるようになっている方の上記一組の挟持部は、当該カップの上において、上記基板を挟持することを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の基板処理装置。
  10. 基板を処理する基板処理方法であって、
    上記基板の中心点を特定する位置特定工程と、
    上記基板を載置台上に載置する載置工程と、
    少なくとも一組の挟持部によって、上記載置台上に載置された上記基板を平面方向から挟持する挟持工程と、
    上記位置特定工程において特定した上記基板の中心点を、上記一組の挟持部によって上記載置台の中心点上に移動させる移動工程とを包含しており、
    上記位置特定工程では、上記載置工程前において、上記一組の挟持部とは別の一組の挟持部が上記基板を挟持したときにおける上記別の一組の挟持部の互いの距離に基づいて、上記基板の中心点を特定することを特徴とする基板処理方法。
  11. 上記移動工程では、当該位置特定工程において特定した上記基板の中心点に基づき、上記一組の挟持部によって上記載置台の中心点上に移動させることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 基板を処理する基板処理方法であって、
    上記基板の中心点を特定する位置特定工程と、
    上記基板を載置台上に載置する載置工程と、
    少なくとも一組の挟持部によって、上記載置台上に載置された上記基板を平面方向から挟持する挟持工程と、
    上記位置特定工程において特定した上記基板の中心点を、上記一組の挟持部によって上記載置台の中心点上に移動させる移動工程とを包含しており、
    上記位置特定工程では、上記載置台上に載置された上記基板の中心点を特定する位置特定工程であり、上記挟持工程において、上記基板を挟持したときにおける上記一組の挟持部の互いの距離に基づき、上記基板の中心点を特定することを特徴とする基板処理方法。
  13. 上記移動工程後、上記基板に液体を供給する液体供給工程を包含していることを特徴とする請求項１０〜１２の何れか１項に記載の基板処理方法。
  14. 基板を処理する基板処理方法であって、
    上記基板の中心点を特定する位置特定工程と、
    上記基板を載置台上に載置する載置工程と、
    少なくとも一組の挟持部によって、上記載置台上に載置された上記基板を平面方向から挟持する挟持工程と、
    上記位置特定工程において特定した上記基板の中心点を、上記一組の挟持部によって上記載置台の中心点上に移動させる移動工程とを包含しており、
    上記基板の上面視における形状は、円形であり、
    上記位置特定工程では、上記一組の挟持部のうちの一つにおいて上記基板の外周端部に対向するように設けられた、上記基板の外周端部に当接したときに回動する二つの第一回動部を介して、上記基板を挟持することを特徴とする基板処理方法。
  15. 上記挟持工程では、上記二つの第一回動部と、上記一組の挟持部のうちの別の一つにおいて上記基板の外周端部に対向するように設けられた、上記基板の外周端部に当接したときに回動する二つの第二回動部とを介して、上記基板を挟持することを特徴とする請求項１４に記載の基板処理方法。
  16. 上記二つの第一回動部を結ぶ線分Ａ、及び、上記二つの第二回動部を結ぶ線分Ｂが互いに平行であり、且つ、上記線分Ａの中間点と上記線分Ｂの中間点とを結ぶ線分Ｃが上記線分Ａ及び線分Ｂに対して垂直であるように、上記二つの第一回動部及び上記二つの第二回動部が配置されており、
    上記二つの第一回動部の間の距離は、上記二つの第二回動部の間の距離よりも離間していることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
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