TW201544198A - 塗布膜除去裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之課題在於以提供可以不浪費塗布液而均勻地塗布於基板上之後，除去晶圓端部的塗布膜的塗布膜除去裝置為目的。 本發明之解決手段，係除去被塗布於基板(W)的塗布膜的端部之塗布膜除去裝置(41)，具備：保持前述基板(W)的基板保持機構(440)，檢測出前述基板(W)的端面之端面檢測機構(450)，除去被塗布於前述基板(W)的塗布膜的端部之端部除去機構(460)，以及使前述基板保持機構(440)或端部除去機構(460)移動的移動機構(445)；因應於以前述端面檢測機構(450)檢測出的基板(W)的端面，藉由前述移動機構(445)使前述基板保持機構(440)與前述端部除去機構(460)相對移動，同時以前述端部除去機構(460)除去被塗布於基板(W)的塗布膜的端部。

Description

塗布膜除去裝置

本發明係關於除去被形成於基板上的塗布膜之中，被形成於其端部的塗布膜的塗布膜除去裝置。

近年來，於例如半導體裝置之製造製程，進行著半導體晶圓(以下簡稱「晶圓」)的大口徑化。此外，於實裝等特定的步驟，要求晶圓的薄型化。例如把大口徑且薄的晶圓直接搬送，或是進行研磨處理，會有晶圓發生翹曲或破裂之虞。因此，例如為了要補強晶圓，進行把晶圓貼附到支撐基板之晶圓或玻璃基板。

相關的晶圓與支撐基板之貼合，例如使用貼合裝置，使在晶圓與支撐基板之間中介著接著劑而進行。貼合裝置，例如具有保持晶圓的第一保持構件、保持支撐基板的第二保持構件、加熱被配置在晶圓與支撐基板之間的接著劑的加熱機構，以及至少使第一保持構件或第二保持構件移動於上下方向的移動機構。接著，在此貼合裝置，對晶圓與支撐基板之間供給接著劑，加熱該接著劑後，按壓晶圓與支撐基板而貼合(專利文獻1)。

使用專利文獻1的裝置按壓晶圓與支撐基板進行貼合的話，接著劑會由該晶圓與支撐基板之間突出。因此，被要求除去晶圓端面部之接著劑。作為接著劑等被塗布於晶圓上的塗布液所形成的塗布膜之端面部的除去方法，已知有在往晶圓塗布塗布液後，使晶圓旋轉同時對晶圓端面部吐出溶劑(除去液)來進行晶圓端面部的塗布膜(處理膜)除去之手法(專利文獻2)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008-182016號公報

[專利文獻2]日本特開2003-100704號公報

然而，隨著塗布於晶圓的塗布液的種類或是膜厚等的影響，根據專利文獻2所記載的手法要進行細微的加工會是困難的。此外，還會有吐出至晶圓端面部的溶劑彈回晶圓中心部而附著等不良情形，或者是因為把塗布液塗布於晶圓之後，不移動晶圓而直接進行晶圓端面部的塗布膜除去，亦即以相同裝置進行塗布液的塗布與端面除去的緣故，會有處理耗時的不便。

本發明，係除去被塗布於基板的塗布膜的端部之塗布膜除去裝置，其特徵為具備：保持前述基板的基板保持機構，檢測出前述基板的端面之端面檢測機構，除去被塗布於前述基板的塗布膜的端部之端部除去機構，以及使前述基板保持機構或端部除去機構移動的移動機構，因應於以前述端面檢測機構檢測出的基板的端面，藉由前述移動機構使前述基板保持機構與前述端部除去機構相對移動，同時以前述端部除去機構除去被塗布於基板的塗布膜的端部。

前述移動機構，亦可設為使前述基板保持機構直線狀地移動至以前述基板保持機構進行基板的收授的收授位置，以前述端面檢測機構檢測出基板的端面之檢測位置，以前述端部除去機構除去塗布膜的端部的除去位置的構成。

於前述端部除去機構之基板旋轉方向下游側，亦可被配置進行前述基板的端部的乾燥之端部乾燥機構。

前述端部除去機構，亦可具有朝向基板端部的上面及下面吐出除去液的藥液吐出部，朝向前述基板端部的上面及下面吐出乾燥氣體的第1氣體吐出部，及供吸引吐出的前述除去液與乾燥氣體之用的第1吸引部；前述第1氣體吐出部被配置於比前述藥液吐出部更靠基板中心方向側。

前述第1氣體吐出部，亦可具有狹縫狀的吐出口。

前述端部乾燥機構，亦可具有朝向前述基板端部的上面及下面吐出乾燥氣體的第2氣體吐出部，及供吸引吐出的乾燥氣體之用的第2吸引部；前述第2氣體吐出部，為狹縫狀的吐出口。

根據本發明，可以良好地除去被塗布於基板的塗布膜的端部。

1‧‧‧接合系統

30~33‧‧‧接合裝置

40‧‧‧塗布裝置

41‧‧‧塗布膜除去裝置

42~46‧‧‧熱處理裝置

280‧‧‧旋轉夾盤

292‧‧‧接著劑噴嘴

302‧‧‧溶劑噴嘴

370‧‧‧控制部

450‧‧‧端面檢測機構

460‧‧‧端部除去機構

480‧‧‧端部乾燥機構

G‧‧‧接著劑

GE‧‧‧外側接著劑

P1‧‧‧收授位置

P2‧‧‧檢測位置

P3‧‧‧除去位置

P4‧‧‧等待位置

S‧‧‧支撐晶圓

T‧‧‧重合晶圓

W‧‧‧被處理晶圓

圖1係顯示相關於本實施型態的接合系統的構成的概略平面圖。

圖2係顯示相關於本實施型態的接合系統的內部構成的概略側面圖。

圖3為被處理晶圓與支撐晶圓之側面圖。

圖4係顯示相關於本實施型態的塗布膜除去裝置的構成的概略俯視圖。

圖5係顯示相關於本實施型態的塗布膜除去裝置的構成的概略立體圖。

圖6係顯示基板端面檢測時的概略的立體圖。

圖7係顯示基板端面檢測時的狀態的俯視圖。

圖8係顯示基板端面檢測時的狀態的側視圖。

圖9係顯示塗布膜端部除去時的概略之立體圖。

圖10係顯示塗布膜端部除去時的狀態之俯視圖。

圖11係顯示塗布膜端部除去時的狀態之側視圖。

圖12係顯示除去被處理晶圓的外周部上的接著劑的模樣之說明圖。

圖13係顯示塗布膜端部除去之處理方法之流程圖。

圖14係顯示其他實施型態之基板端部乾燥時的概略之立體圖。

圖15係顯示其他實施型態之基板端部乾燥時的狀態之俯視圖。

圖16係顯示其他實施型態之基板端部乾燥時的狀態之側視圖。

圖17係顯示接著劑由重合晶圓的外側面往外側壓出的模樣之說明圖。

以下，說明本發明之實施型態。圖1係顯示相關於本實施型態的接合系統1的構成的概略之平面圖。圖2係顯示接合系統1的內部構成的概略之側面圖。

在接合系統1，如圖3所示例如中介著接著劑G，接合作為被處理基板之被處理晶圓W與作為支撐基板之支撐晶圓S。在接合系統1，接合被處理晶圓W與支撐晶圓S，形成作為重合基板之重合晶圓T。又，被處理晶 圓W，係成為製品的晶圓，例如於接合面被形成有複數電子電路，非接合面被研磨處理。此外，支撐晶圓S，具有與被處理晶圓W的直徑相同的直徑，係支撐該被處理晶圓W的晶圓。又，在本實施型態，說明了作為支撐基板使用晶圓的場合，但例如使用玻璃基板等其他基板亦可。

接合系統1，如圖1所示例如在與外部之間具有將可以分別收容複數被處理晶圓W、複數支撐晶圓S、複數重合晶圓T的卡匣CW、CS、CT被搬出搬入的搬出搬入站2，以及具備對被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T施以特定的處理之各種處理裝置的處理站3連接為一體的構成。

於搬出搬入站2，設有卡匣載置台10。於卡匣載置台10，設有複數例如4個卡匣載置板11。卡匣載置板11，於X方向(圖1中的上下方向)排成一列地配置。於這些卡匣載置板11，可以在把卡匣CW、CS、CT對接合系統1的外部搬出搬入時，載置卡匣CW、CS、CT。如此般，搬出搬入站2，被構成為可以保有複數的被處理晶圓W、複數的支撐晶圓S、複數的重合晶圓T。又，卡匣載置板11的個數，不限定於本實施型態的數目，可以任意決定。此外，把卡匣之一作為不良晶圓的回收用亦可。亦即，係可以把因為種種原因而在被處理晶圓W與支撐晶圓S之接合產生不良情形的晶圓，與其他正常的重合晶圓T分離的卡匣。於本實施型態，複數卡匣CT之中，把1個卡匣CT作為不良晶圓的回收用，把另一方 卡匣CT作為正常重合晶圓T的收容用來使用。

在搬出搬入站2，鄰接於卡匣載置台10設有晶圓搬送部20。於晶圓搬送部20，設有可在延伸於X方向的搬送路徑21上自由移動的晶圓搬送裝置22。晶圓搬送裝置22，在鉛直方向及鉛直繞軸(θ方向)也可自由移動，在各卡匣載置板11上的卡匣CW、CS、CT、與後述的處理站3的第3處理區塊G3之轉移裝置50，51之間可以搬送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T。

處理站3，設有具備各種處理裝置的複數個例如3個處理區塊G1、G2、G3。例如於處理站3的正面側(圖1中的X方向負方向側)，設有第1處理塊G1，處理站3的背面側(圖1中的X方向正方向側)，設有第2處理區塊G2。此外，處理站3的搬出搬入站2側(圖1中的Y方向負方向側)設有第3處理區塊G3。

例如，於第1處理區塊G1，中介著接著劑G按壓接合被處理晶圓W與支撐晶圓S的接合裝置30~33，由搬入搬出站2側起依序排列配置於Y方向。

例如，於第2處理區塊G2，如圖2所示在被處理晶圓W塗布接著劑G的塗布裝置40與除去塗布的接著劑G的塗布膜除去裝置41，與把被塗布接著劑G的被處理晶圓W加熱至特定的溫度的熱處理裝置42~43，以及同樣的熱處理裝置44~46，在朝向搬出搬入站2側的方向(圖2中的Y方向負方向)依序排列配置。熱處理裝置42~43與熱處理裝置44~46，分別由下方起依序設置 為3層。又，熱處理裝置42~46的裝置數或是鉛直方向及水平方向之配置可以任意設定。

例如，於第3處理區塊G3，被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之轉移裝置50，51由下方起依序設置為2層。

如圖1所示，在第1處理區塊G1~第3處理區塊G3所包圍的區域，被形成晶圓搬送區域60。在晶圓搬送區域60，例如被配置著晶圓搬送裝置61。又，晶圓搬送區域60內的壓力為大氣壓以上，於該晶圓搬送區域60，進行被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之所謂的大氣系的搬送。

晶圓搬送裝置61，具有可以在例如鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及鉛直繞軸自由移動的搬送臂。晶圓搬送裝置61，移動於晶圓搬送區域60內，可以對周圍的第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3內的特定裝置搬送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T。

其次，說明成為本發明的重要部位的塗布膜除去裝置41的構成。塗布膜除去裝置41，如圖4及圖5所示，具有保持被處理晶圓W的基板保持機構440。基板保持機構440，具有保持被處理晶圓W使其迴轉的迴轉晶圓座(chuck)443。迴轉晶圓座443，具有水平的上面，於該上面，例如設有吸引被處理晶圓W的吸引口(未圖示)。藉由使用真空泵(未圖示)等，從此吸引口吸引， 可以把被處理晶圓W吸附保持於迴轉晶圓座443上。

迴轉晶圓座443，具有例如具備馬達等的迴轉機構(未圖示)，可以使迴轉晶圓座443於特定的速度旋轉。

此外，迴轉晶圓座443，被固定於晶圓座保持基座442。晶圓座保持基座442，構成為能夠以移動機構445移動，可以在水平方向(X方向)上直線狀地移動於導軌441上。此外，導軌441，被固定於底板444上。又，迴轉晶圓座443的水平方向(X方向)移動，亦可使用正時皮帶驅動或者滾珠螺桿驅動。

以圖6說明被處理晶圓W的端面檢測機構450。迴轉晶圓座443的X軸正方向側(圖6之靠自己側)，被配置被處理晶圓W的端面檢測機構450。被處理晶圓W之端面檢測機構450，被固定於端面檢測基座455之上。此外，端面檢測基座455，被固定於底板444。

於被處理晶圓W的端面檢測機構450，如圖7及圖8所示，係供檢測被處理晶圓W的端面之用的攝影元件即發光元件451與受光元件452被內藏於ㄈ字形的感測器固定部453。例如，發光元件451被配置於被處理晶圓W表面端部的上部，受光元件452被配置於被處理晶圓W背面端部的下部，伴隨著被處理晶圓W的迴轉，進行被處理晶圓W的迴轉位置之被處理晶圓W端面部的位置檢測，把該資訊送往控制部370。

由發光元件451對被處理晶圓W端面部照射 光，藉著在被處理晶圓W端面部未被遮光的光射入受光元件452，可以正確檢測出被處理晶圓W的端面位置。

其次，以圖9說明被處理晶圓W的端部除去機構460。迴轉晶圓座443的X軸正方向側(圖9之靠自己側)，被配置被處理晶圓W的端部除去機構460。被處理晶圓W之端部除去機構460，被固定於端部除去基座461之上。此外，端部除去基座461，被固定於底板444。被處理晶圓W的端部除去機構460，為了除去被處理晶圓W端部的塗布膜而可以吐出溶劑，或者為了使除去了塗布膜的被處理晶圓W端部乾燥而可以吐出惰性氣體。

以圖10及圖11說明被處理晶圓W的端部除去機構460的詳細內容。被處理晶圓W的端部除去機構460，呈ㄈ字形的形狀，夾著被處理晶圓W，於被處理晶圓W表面的上部被配置上部藥液吐出部464，或者在被處理晶圓W背面的下部被配置下部藥液吐出部471。此外，為了使被處理晶圓W的端部乾燥，夾著被處理晶圓W，於被處理晶圓W表面的上部被配置第1上部氣體吐出部465，以及在被處理晶圓W背面的下部被配置第1下部氣體吐出部470。

上部藥液吐出部464及下部藥液吐出部471，藉著朝向被處理晶圓W的表面及背面吐出藥液即溶劑，可以溶解被處理晶圓W上的端部之接著劑G。此外，上部藥液吐出部464及下部藥液吐出部471之被處理晶圓W 中心方向側，被配置朝向被處理晶圓W的表面及背面吐出氣體即惰性氣體的第1上部氣體吐出部465及第1下部氣體吐出部470，可以使吐出至被處理晶圓W上的溶劑乾燥。

上部藥液吐出部464及下部藥液吐出部471，分別被連接著上部藥液配管467及下部藥液配管473，這些進而被連接著藥液供給機器474及藥液供給源476。此外，第1上部氣體吐出部465及第1下部氣體吐出部470，也分別被連接著第1上部氣體配管466及第1下部氣體配管472，這些進而被連接著第1氣體供給機器475及第1氣體供給源477。

如圖11所記載的，上部藥液吐出部464及下部藥液吐出部471的吐出口，例如為注射針那樣的細微圓形的噴嘴形狀，於被處理晶圓W的周緣部上能夠以針點的大小吐出溶劑。此外，第1上部氣體吐出部465及第1下部氣體吐出部470的吐出口，例如為狹縫狀的形狀，發揮防止由上部藥液吐出部464及下部藥液吐出部467吐出的溶劑往被處理晶圓W中心部飛散的障壁的作用，而且有促進被處理晶圓W端部的乾燥的作用。

進行前述溶劑及氣體的吐出時，藉由被配置於ㄈ字形的端部除去機構460的背面部之第1吸引管463進行溶劑或氣體的吸引，可以防止這些的飛散。此外，第1吸引管463經過第1吸引配管468被連接於第1射出器478，進而在其後段進行吸引的廢液的處理。

於以上的接合系統1，如圖1所示設有控制部370。控制部370，例如電腦，具有程式收容部(未圖示)。於程式收容部，被收容著控制接合系統1之被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的處理之程式。此外，於程式收容部，也收容著控制前述各種處理裝置或搬送裝置等的驅動系的動作，實現接合系統1之後述的接合處理之用的程式。又，前述程式，係被記錄於例如電腦可讀取的硬碟(HD)、磁碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等可於電腦讀取的記憶媒體H者，亦可為從該記憶媒體H安裝於控制部370者。

其次，說明使用如以上所述構成的接合系統1所進行的被處理晶圓W與支撐晶圓S之接合處理方法。

首先，收容複數枚被處理晶圓W的卡匣CW、收容複數枚支撐晶圓S的卡匣CS、及空的卡匣CT，被載置於搬出搬入站2的特定的卡匣載置板11。其後，藉由晶圓搬送裝置22取出卡匣CW內的被處理晶圓W，搬送至處理站3的第3處理區塊G3之轉移裝置50。

其次，被處理晶圓W，藉由晶圓搬送裝置61搬送至塗布裝置40。

在塗布裝置40，使被處理晶圓W迴轉同時對被處理晶圓W的接合面供給接著劑G。被供給的接著劑G藉由離心力擴散到被處理晶圓W的接合面的全面，在該被處理晶圓W的接合面被塗布接著劑G。

其次，被處理晶圓W，藉由晶圓搬送裝置61 搬送至塗布膜除去裝置41。在塗布膜除去裝置41，被塗布於被處理晶圓W的接合面的接著劑G的端部被除去。又，以塗布膜除去裝置41進行的接著劑G的端部除去製程將於稍後詳述。

其次，被處理晶圓W，藉由晶圓搬送裝置61搬送至熱處理裝置42。

在熱處理裝置42，藉由進行加熱來加熱被處理晶圓W上的接著劑G，使該接著劑G硬化。

以熱處理裝置41熱處理的被處理晶圓W，藉由晶圓搬送裝置61搬送至接合裝置30。

在對被處理晶圓W進行前述步驟的處理時，緊接在該被處理晶圓W之後進行支撐晶圓S的處理。支撐晶圓S，藉由晶圓搬送裝置61搬送至接合裝置30。又，針對支撐晶圓S被搬送至接合裝置30的步驟，與前述實施型態相同所以省略說明。

在接合裝置30，被處理晶圓W與支撐晶圓S藉由接著劑G接著。

其後，被處理晶圓W與支撐晶圓S被接合的重合晶圓T，從接合裝置30遞送至晶圓搬送裝置61。

其次，重合晶圓T，藉由晶圓搬送裝置61搬送至熱處理裝置42。接著，於熱處理裝置42，重合晶圓T被調節溫度至特定的溫度，例如常溫(23℃)。其後，重合晶圓T，藉由晶圓搬送裝置61搬送至轉移裝置51，其後藉由搬出搬入站2的晶圓搬送裝置22被搬送至特定 卡匣載置板11的卡匣CT。如此進行，結束一連串的被處理晶圓W與支撐晶圓S的接合處理。

被處理晶圓W，如以上所說明地進行與支撐晶圓S接合。此時，以接合裝置30加熱被處理晶圓W與支撐晶圓S同時按壓的話，如圖17所示接著劑G由被處理晶圓W與支撐晶圓S之間突出。接著，被形成由重合晶圓T的外側面突出的外側接著劑GE。又，對從重合晶圓T的外側面突出的接著劑G，為了說明上的方便，賦予外側接著劑GE之個別稱呼，但接著劑G與外側接著劑GE為同一物。

此處，於接合系統1結束接合處理之後，被處理晶圓W被薄化。被處理晶圓W被薄化時，外側接著劑GE比薄化後的被處理晶圓W的端部(圖17之單點虛線)的位置大太多時，會在薄化被處理晶圓W的裝置附著外側接著劑GE。如此一來，無法適切薄化被處理晶圓W。另一方面，外側接著劑GE比薄化後的被處理晶圓W的端部位置小太多時，被處理晶圓W的外周部會有遭到損傷的場合。亦即，有必要藉由外側接著劑GE保護被處理晶圓W的外周部。因此，於前述之步驟，由重合晶圓T的外側面突出的外側接著劑GE的大小，最好是除去表面後的外側接著劑GE的下端部的位置，與薄化後的被處理晶圓W的端部位置一致的大小。

因此，以前述之塗布膜除去裝置41除去塗布膜的端部的步驟中，被除去之接著劑G的除去寬幅係以除 去被處理晶圓W的表面後的外側接著劑GE的下端部的位置，與薄化後的被處理晶圓W的端部位置一致的方式來決定。此處，被處理晶圓W的端面部的接著劑G未如設定的除去寬幅那樣被除去的場合，會變成由重合晶圓T的外側突出。但是，在本實施例的型態，如以下所說明的藉由如同被指定的除去寬幅那樣正確地進行端面除去，可以消除此不良情形。

又，被處理晶圓W上的接著劑G被除去的寬幅，藉由控制部370，至少根據接著劑G的種類、被塗布於被處理晶圓W上的接著劑G的目標膜厚、加熱被處理晶圓W的熱處理溫度、或者按壓被處理晶圓W與支撐基板的壓力來決定。

以下，使用圖13之流程圖來說明以塗布膜除去裝置41進行的接著劑G的端部除去製程。被搬入塗布膜除去裝置41的被處理晶圓W，如圖5所示被遞送至迴轉晶圓座443上而被吸附保持(收授位置P1)(圖13的步驟S1)。

<第1實施型態>

其次，使用圖6~圖8說明基板的端面檢測製程。迴轉晶圓座443，吸附保持被處理晶圓W，同時直到被處理晶圓W端面部被***ㄈ字形的端面檢測機構450之中的位置為止，水平方向(X正方向)移動於導軌441上(圖13之步驟S2)。端面檢測機構450之中被***被 處理晶圓W的端面部時，停止迴轉晶圓座443的水平移動(檢測位置P2)。

其後，以低速使迴轉晶圓座443迴轉，同時對於被處理晶圓W的端面部藉由受光元件452接受由發光元件451所發出的光，檢測出被處理晶圓W之各迴轉位置之端面位置，使檢測出的資訊記憶於記憶媒體(圖13之步驟S3)。此時之被處理晶圓W的轉速為3~10rpm。

此處，說明迴轉晶圓座443與被處理晶圓W之位置關係。藉由晶圓搬送裝置61搬送到迴轉晶圓座443上的被處理晶圓W，不一定會以迴轉晶圓座443的中心與被處理晶圓W的中心配合剛好之真圓狀態被載置於迴轉晶圓座443上。因此，不進行在非真圓的狀態被載置的被處理晶圓W的端面檢測而進行被塗布於被處理晶圓W的接著劑G的端部除去的場合，接著劑G之在被處理晶圓W端面位置之除去寬幅，隨著被處理晶圓W的迴轉位置而不同。例如，相對於從被處理晶圓W的端面除去開始位置起90度的位置之端面除去寬幅為5mm，從被處理晶圓W的端面除去開始位置起180度的位置之端面除去寬幅可能為3mm。如本實施例，藉由進行被處理晶圓W的端面檢測，可以正確把握被處理晶圓W之各迴轉位置之端面位置。以檢測出的資料為根據，在端部除去機構460的位置，使迴轉晶圓座443適當移動於水平方向(X方向)之正方向或負方向同時使被處理晶圓W迴轉，可 以使被處理晶圓W上之接著劑G的端部除去寬幅為一定。

在被***端面檢測機構450的位置(檢測位置P2)被處理晶圓W360度旋轉1圈的話，被處理晶圓W的端面位置全部被檢測，其資料被送至控制部370而被記憶。其後，停止被處理晶圓W的迴轉(圖13之步驟S4)。

其次，使用圖9~圖11說明基板的端部除去製程。迴轉晶圓座443，在被處理晶圓W端面位置直到進入ㄈ字形的端部除去機構460之前方的位置(等待位置P4)為止，在導軌441上往水平方向(X正方向)移動之後使移動暫時停止，其後，直到被處理晶圓W端面位置進入ㄈ字形的端部除去機構460的位置(除去位置)為止，在導軌441上再移動於水平方向(X正方向)(圖13之步驟S5)。端部除去機構460之中被***被處理晶圓W的端部時，停止迴轉晶圓座443的水平移動(除去位置P3)。此時之被處理晶圓W***位置，由希望的除去寬幅來決定。又，被處理晶圓W，在等待位置P4不暫時停止，由檢測位置P2直接往除去位置P3移動亦可。

被處理晶圓W的端部進入ㄈ字形的端部除去機構460的話，朝向被處理晶圓W端部的表面及背面，由上部藥液吐出部464及下部藥液吐出部471吐出溶劑。同時，朝向被處理晶圓W端部的表面及背面，由第1上部氣體吐出部465及第1下部氣體吐出部470吐出惰性氣 體。進而，同時透過第1吸引管463進行被吐出至被處理晶圓W的表面與背面的溶劑與惰性氣體的吸引動作(圖13之步驟S6)。又，被處理晶圓W移動到等待位置後吐出溶劑與惰性氣體，其後被處理晶圓W移動到除去位置亦可。藉由如此，可以發揮防止溶劑往被處理晶圓W中心部飛散的效果。

以第1吸引管463吸引被吐出的溶劑與惰性氣體，同時開始被處理晶圓W的迴轉(圖13之步驟S7)。此時之迴轉晶圓座443的迴轉速度例如為5rpm。以溶劑溶解接著劑G，使溶解的接著劑G及溶劑以惰性氣體乾燥，進而藉由把溶解的接著劑G、溶劑及惰性氣體以第1吸引管463吸引，能夠使溶劑或接著劑G不會往被處理晶圓W中心部飛散，使被處理晶圓W端部的接著劑G以一定的寬幅除去(圖13之步驟S7)。藉由這些動作，以根據指定的轉速之處理時間實施被處理晶圓W端部的接著劑除去處理(圖13之步驟S8)。

上部藥液吐出部464及下部藥液吐出部471，為細微圓形的噴嘴形狀，所以在被處理晶圓W的端部上能夠以針點的大小吐出溶劑。藉此，能夠以微小的寬幅單位除去被處理晶圓W端部之接著劑G的塗布膜。進而被處理晶圓W之往端部除去機構460的***，係以迴轉晶圓座443水平移動而進行，針對其水平移動也藉由使用馬達驅動而能夠以微小的單位來控制。

對於ㄈ字形的端部除去機構460要把被處理 晶圓W***多少，是由希望的除去寬幅之值來決定。希望的除去寬幅越大，往端部除去機構460之被處理晶圓W的***位置就越深。除去寬幅可以任意設定，藉著由端面檢測機構460得到的被處理晶圓W的端面位置，可以自動控制***位置，可以跨被處理晶圓W端部全區域得到一定且細微的除去寬幅。

此外，第1上部氣體吐出部465及第1下部氣體吐出部470之吐出口形狀，例如為狹縫狀，能夠使由上部藥液吐出部464及下部藥液吐出部471吐出的溶液以在寬廣範圍包入的方式往第1吸引管463方向形成氣流。因此，被吐出的溶劑，不會往基板中央部飛散，可以通過第1吸引管463排出。

使被處理晶圓W迴轉，端部除去處理結束時，停止被處理晶圓W的迴轉。其後，停止溶劑與惰性氣體的吐出，也停止吸引動作(圖13之步驟S9)。又，被處理晶圓W的迴轉速度與迴轉次數，可以隨著使用的接著劑G或溶劑而任意設定。此外，針對吐出的溶劑或惰性氣體的流量，也可以隨著接著劑G或溶劑的種類、接著劑G的厚度而任意設定。

其次，吸附被處理晶圓W的迴轉晶圓座443，在導軌441上往水平方向(X負方向)移動，移動到被處理晶圓W收授位置(收授位置P1)為止後停止移動(圖13之步驟S10)，解除被處理晶圓W的吸附。

根據以上之實施型態，藉著由端面檢測機構 550得到的被處理晶圓W的端面位置，因為可以使在端部除去機構460之被處理晶圓W的迴轉以真圓狀態迴轉，此外，因為可以自動控制往端部除去機構460之被處理晶圓W的***位置，所以可如圖12所示跨被處理晶圓W端部全區域得到細微且一定的除去寬幅。此外，藉由以第1吸引管563吸引吐出的溶劑或惰性氣體，可以防止溶劑或惰性氣體往被處理晶圓W表面或背面飛散。

<第2實施型態>

如圖14所示，端部除去機構460的基板迴轉方向下游側，配置端部乾燥機構480亦可。被處理晶圓W之端部乾燥機構480，被固定於端部乾燥基座481之上。此外，端部乾燥基座481，被固定於底板444。能夠對以端部除去機構460除去接著劑G的端部進而吐出惰性氣體以進行被處理晶圓W端部的追加乾燥。

以圖15及圖16說明端部乾燥機構480之詳細內容。端部乾燥機構480，與端部除去機構460同樣為ㄈ字形的形狀，夾著被處理晶圓W，於其表面上部，配置具有狹縫狀的吐出口的第2上部氣體吐出部482，以及在被處理晶圓W背面的下部也配置具有狹縫狀吐出口的第2下部氣體吐出部491。

第2上部氣體吐出部482及第2下部氣體吐出部491，分別被連接著第2上部氣體配管484及第2下部氣體配管492，這些進而被連接著第2氣體供給機器 493及第2氣體供給源495。

由第2上部氣體吐出部及第2下部氣體吐出部，吐出惰性氣體，藉由被配置於ㄈ字形的端部乾燥機構480的背面部之第2吸引管483進行惰性氣體的吸引。第2吸引管483經過第2吸引配管485被連接於第2射出器494，進而在其後段進行吸引的惰性氣體及溶劑的處理。

端部乾燥機構480之第2上部氣體吐出部482及第2下部氣體吐出部491，以與端部除去機構460之第1上部氣體吐出部465及第1下部氣體吐出部470同樣的時機進行惰性氣體的吐出動作。此外，以第2吸引管483進行的惰性氣體的吸引動作也與第1吸引管463在同樣的時機進行惰性氣體的吸引動作。進而，針對端部乾燥機構480的第2上部氣體吐出部482及第2下部氣體吐出部491的惰性氣體的吐出停止動作與第2吸引管483之吸引動作，比第1上部氣體吐出部465及第1下部氣體吐出部470與第1吸引管463的動作稍微延遲才停止亦可。這是因為停止了端部除去機構460的動作之被處理晶圓W的迴轉位置，在位於端部乾燥機構480的時間點停止惰性氣體的動作的緣故。

此外，第2上部氣體吐出部482及第2下部氣體吐出部491之吐出口形狀，例如成為狹縫狀，能夠使被處理晶圓W端面部以在寬廣範圍包入的方式往第1吸引管463方向形成氣流。因此，可以進而促進在端部除去機構460被除去接著劑G的被處理晶圓W端面部的乾 燥。

根據以上的實施型態，可以對以端部除去機構460除去的被處理晶圓W周緣部，藉由使端部乾燥機構480設在晶圓迴轉方向下游側，而更為促進被處理晶圓W周緣部的乾燥。

此外，以塗布裝置40對被處理晶圓W塗布接著劑G後，以塗布膜除去裝置41除去被處理晶圓W的外周部WE上的接著劑G。於該場合，以接合裝置30按壓接合被塗布接著劑G的被處理晶圓W與未被塗布接著劑G的支撐晶圓S時，可以抑制由被處理晶圓W與支撐晶圓S間突出的外側接著劑GE。藉由如此進行，例如在對晶圓搬送裝置61、被處理晶圓W、支撐晶圓S及重合晶圓T進行特定處理的處理裝置不會附著外側接著劑GE。因此，可以適切地接合被處理晶圓W與支撐晶圓S。

此外，在塗布裝置40內進行往被處理晶圓W上之接著劑G的塗布，因為在塗布膜除去裝置41內進行塗布於被處理晶圓W上的接著劑的端面除去，所以在各個裝置的處理時間很少即可，也提高了生產率。

此外，藉由使在塗布膜除去裝置41內的基板位置直線狀地配置於P1~P4，可以使迴轉晶圓座443的移動距離為最小限度，因此，移動時間也可以很短就足夠。進而，端面檢測機構或端部除去機構460的配置，在被處理晶圓W的藉由晶圓搬送裝置61遞送時也不會產生干涉。

在以上之實施型態，以移動機構445僅移動基板保持機構440，但效果能使基板保持機構440與端面檢測機構450及端部除去機構460之位置相對移動即可，固定基板保持機構440而使端面檢測機構450或端部除去機構460移動亦可。

以上，參照附圖同時說明了本發明之適切的實施型態，但是本發明並不以該些之例為限定。只要是熟悉該項技藝者，於申請專利範圍所記載的思想的範疇內，明顯會想到的各種變更例或修正例，也都當然屬於本發明的技術範圍。本發明不限於此例可以採用種種的態樣。本發明的塗布劑不限於接著劑，也可以適用在光阻或其他塗布劑的場合。

41‧‧‧塗布膜除去裝置

440‧‧‧基板保持機構

441‧‧‧導軌

442‧‧‧晶圓座保持基座

443‧‧‧迴轉晶圓座

444‧‧‧底板

445‧‧‧移動機構

450‧‧‧端面檢測機構

460‧‧‧端部除去機構

P1‧‧‧收授位置

P2‧‧‧檢測位置

P3‧‧‧除去位置

P4‧‧‧等待位置

W‧‧‧被處理晶圓

Claims (6)

1. 一種塗布膜除去裝置，係除去被塗布於基板的塗布膜的端部之塗布膜除去裝置，其特徵為具備：保持前述基板的基板保持機構，檢測出前述基板的端面之端面檢測機構，除去被塗布於前述基板的塗布膜的端部之端部除去機構，以及使前述基板保持機構或端部除去機構移動的移動機構，因應於以前述端面檢測機構檢測出的基板的端面，藉由前述移動機構使前述基板保持機構與前述端部除去機構相對移動，同時以前述端部除去機構除去被塗布於基板的塗布膜的端部。
2. 如申請專利範圍第1項之塗布膜除去裝置，其中前述移動機構，係設為使前述基板保持機構直線狀地移動至以前述基板保持機構進行基板的收授的收授位置，以前述端面檢測機構檢測出基板的端面之檢測位置，以前述端部除去機構除去塗布膜的端部的除去位置的構成。
3. 如申請專利範圍第1或2項之塗布膜除去裝置，其中於前述端部除去機構之基板旋轉方向下游側，被配置進行前述基板的端部的乾燥之端部乾燥機構。
4. 如申請專利範圍第1或2項之塗布膜除去裝置，其中前述端部除去機構，具有朝向基板端部的上面及下面吐出除去液的藥液吐出部，朝向前述基板端部的上面及下面吐出乾燥氣體的第1氣體吐出部，及供吸引吐出的前述除去液與乾燥氣體之用的第1吸引部；前述第1氣體吐出部被配置於比前述藥液吐出部更靠基板中心方向側。
5. 如申請專利範圍第4項之塗布膜除去裝置，其中前述第1氣體吐出部，具有狹縫狀的吐出口。
6. 如申請專利範圍第3項之塗布膜除去裝置，其中前述端部乾燥機構，具有朝向前述基板端部的上面及下面吐出乾燥氣體的第2氣體吐出部，及供吸引吐出的乾燥氣體之用的第2吸引部；前述第2氣體吐出部，為狹縫狀的吐出口。