KR101469574B1 - 안정한 락티드 입자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 안정한 락티드 입자의 제조 방법, 더 명확하게는 실온에서 저장하고 수송하기에 충분히 안정한 락티드 입자에 관한 것이며, 폴리락트산의 출발 물질로서 사용되기에 충분한 고품질을 갖는다. 락티드 입자는 플레이킹(flaking) 공정을 통해 수득되고, 상기 공정은 락티드가 응고된 후 제거될 표면과 용융된 락티드의 지속적인 유동을 접촉시키고 후속적으로 락티드를 상기 표면으로부터 제거하는 것을 포함한다.

락티드 입자, 폴리락트산, 플레이킹 공정

Description

안정한 락티드 입자{Stable lactide particles}

본 발명은 락티드 입자에 관한 것이며, 보다 구체적으로는, 실온에서 저장되고 운반되기에 충분히 안정하고 폴리락트산에 대한 출발 물질로서 사용하기에 충분한 고품질의 락티드 입자에 관한 것이다.

매립 공간의 계속된 고갈, 화석 에너지, 특히 오일 매장량의 고갈, 다양한 온실 가스 관련 문제와 관련한 사용에 대한 이후의 요구, 신규한 탄소 형태의 재생 자원 및 폐기물의 소각과 관련된 문제로 인해, 포장, 종이 피복 및 다른 비의료 산업 분야(하기에서는 벌크 분야(bulk application)로서 언급됨)에서 비생분해성 또는 부분 생분해성 석유화학계 중합체에 대한 대체물로서 이용하려는 진정한 생분해성 중합체의 개발에 대한 필요성이 대두되었다. 생분해성 중합체를 제조하기 위한 락트산 및 락티드의 사용은 의료 산업에 널리 공지되어 있다. 니우벤후이스(Nieuwenhuis) 등의 미국 특허 제5,053,485호에 기술되어 있는 바와 같이, 이러한 중합체는 생분해성 봉합사, 클램프, 본 플레이트(bone plate) 및 생물학적 활성 제어 방출 장치를 제조하기 위해 사용되어 왔다. 의료 산업에 이용하려는 중합체의 제조를 위해 개발된 방법들은 최종 중합체 생성물에서 고순도 및 생체적합성에 대한 필요성에 대응하는 기술을 포함시켰음을 인지할 것이다. 또한, 상기 방법들은 제조 비용 및 수율에 대해서는 중요성을 덜 두면서 달러 가치가 높은 제품을 소량으로 생성시키기 위해 구상되었다.

락트산은 탈수시에 축합 반응을 일으켜서 폴리락트산을 생성시키는 것으로 공지되어 있다. 도로우(Dorough)는 생성되는 폴리락트산이, 락트산의 사이클릭 이량체인 락티드를 생성시키는 경쟁적 해중합 반응으로 인해, 물리적 성질에 기초하여, 제한된 값의 저분자량 중합체로 제한되는 것으로 미국 특허 제1,995,970호에서 널리 인식하고 기술하고 있다. 폴리락트산 쇄가 길어짐에 따라, 생성되는 중축합 중합체의 분자량을 효과적으로 제한하는 해중합 반응 속도에 도달할 때까지, 중합 반응 속도가 감속된다.

따라서, 대부분의 공보에서는, 락트산으로부터 먼저 예비중합체를 제조하고, 상기 예비중합체를 촉매의 존재하에 해중합시켜서 폐환 반응에 의해 조 락티드를 생성시키고, 상기 조 락티드를 후속적으로 정제하고, 락티드를 개환 중합에 의한 폴리락트산의 제조를 위한 출발 물질로서 사용하는 폴리락트산의 제조 방법이 기술되어 있다. 이러한 설명을 위해, 용어 폴리락트산 및 폴리락티드는 상호교환적으로 사용된다. 락트산이 D-락트산 및 L-락트산으로서 표현되는 2가지 형태의 광학적 에난티오머로 존재하는 것은 널리 공지되어 있다. D-락트산, L-락트산 또는 이들의 혼합물은 중합되어 중간 분자량 폴리락트산을 생성시킬 수 있으며, 이는 폐환 반응 후에 상기 기술된 바와 같은 락티드를 생성시킨다. 락티드(종종 디락티드로서 또한 언급됨) 또는 락트산의 사이클릭 이량체는 2개의 L-락트산 분자, 2개의 D-락트산 분자 또는 L-락트산 분자와 D-락트산 분자 중 어느 것으로부터 유도되는지에 따라 3가지 유형의 입체화학 배열 중 하나를 가질 수 있다. 상기 3가지의 이량체는 각각 L-락티드, D-락티드 및 메소-락티드로서 표현된다. 또한, 약 126℃의 융점을 갖는 L-락티드와 D-락티드의 50/50 혼합물이 관련문헌에서 D,L-락티드로서 종종 언급된다. 락트산 또는 락티드의 광학적 활성은 등량의 D 및 L 에난티오머가 존재하는 경우에 광학적 비활성에서 평형화되려는 경향과 함께 특정 조건하에 변하는 것으로 공지되어 있다. 출발 물질 중의 D 및 L 에난티오머의 상대 농도, 불순물 또는 촉매의 존재 및 변동 온도, 체류 시간 및 압력은 이러한 라세미화의 속도에 영향을 주는 것으로 공지되어 있다. 락트산 또는 락티드의 광학적 순도는 락티드의 개환 중합시에 수득되는 폴리락트산의 입체화학에 대해 결정적이다. 폴리락트산과 관련하여, 입체화학 및 분자량은 중합체 품질에 대한 주요 파라미터이다.

의료 산업용 폴리락트산을 제조하는 경우에, 종종 결정성 분말 락티드가 출발 물질로서 사용된다. 현재 30년 이상에 걸쳐 상용화되고 있는 이들 결정은 고흡습성이며, 비활성 대기 하에 방습 및 기밀 포장으로 포장되고 냉동고(12℃ 미만의 온도)에서 저장된다. 폴리락트산을 벌크 분야에 사용하는 경우에는 상기 사전 조치가 제품에 지나친 비용을 들이게 할 것이기 때문에 이들 사전 조치가 취해질 수 없음은 자명할 것이다.

벌크 분야용 폴리락트산의 제조 방법을 기술하고 있는 공보에서는, 생성되고 정제된 락티드를 용융된 액체 형태로 중합 반응기에 직접 공급하여 폴리락티드를 생성시킨다(EP 0,623,153 및 US 6,875,839 참조]. 새롭게 제조된 락티드를 폴리락트산으로 직접 전환시킴으로써, 반응기 내의 락티드의 체류 시간을 최소화하여 락티드의 상대적 불안정성으로 인한 부정적 효과를 조절할 수 있다. 그러나, 이러한 방법은 락티드 생성과 폴리락트산 생성의 조합을 필요로 한다. 이는 많은 설비 투자를 필요로 하기 때문에, 상기 방법을 오히려 유연하지 못하게 만들고, 새로운 폴리락트산 생산자에 대한 진입 장벽을 형성시킨다. 두번째로, 락티드의 품질이 폴리락트산에서 수득될 수 있는 분자량 및 입체화학에 대해 결정적이며, 폐환 공정 및 정제가 온도, 압력 및 체류 시간의 엄격한 조절을 필요로 하기 때문에, 이는 또한 폴리락트산 생성 공정의 가장 정밀한 부분이다. 공정의 이러한 부분에서의 실패 위험은 진입 장벽을 훨씬 더 확대시킨다. 벌크 분야에 대한 새로운 폴리락트산 생산자에게 안정한 고품질 락티드를 간단히 제공할 수 있다면, 이들은 이러한 부담을 덜게 되고, 락트산계 (공)중합체에 의한 석유화학계 중합체의 대체는 실제로 일어날 수 있다. 락티드를 용융된 형태(D-락티드 및 L-락티드의 융점은 97℃임)로 운반하는 것이 제안되었다. 이러한 유형의 운반이 고비용이라는 사실 이외에, 라세미화, 가수분해 및 중합 반응이 상기 온도에서 가속화되기 때문에, 용융된 락티드의 운반 및 저장도 또한 락티드의 품질에 유해하다. 락티드의 체류 시간이 정밀하게 조절되지 않는 경우에 동일한 문제가 직접 전환 공정에서 발생한다.

이로 인해, 본 발명은 안정한, 고품질 락티드 입자의 제조 방법에 관한 것이며, 상기 방법은 용융된 락티드를 플레이킹(flaking) 공정에 제공하여 액체 락티드 용융물을 조악한 고체 과립으로 효과적으로 전환시키는 것을 포함한다. 본 발명자들은 본 발명에 따르는 플레이킹 공정을 통해 제조된 락티드 입자(또한 플레이크로서 지칭됨)가 주위 온도에서의 저장 및 운반 동안 라세미화, 산화 및 가수분해의 발생에 대한 화학적 안정성의 관점에서 충분히 안정하고, 벌크 분야용 폴리락트산의 제조를 위한 출발 물질로서 용이하게 사용될 수 있음을 밝혀냈다. 안정한 락티드 입자는, 공기 중 20℃에서 5meq/kg 이하의 초기 유리산 함량을 갖는 락티드 입자를 저장하는 경우, 상기 유리산 함량이 10주 저장 후에 여전히 2000meq/kg 미만임을 의미한다.

또한, 본 발명에 따르는 플레이킹 방법 또는 공정은 안정한 락티드 입자를 제조함에 있어 신속하고 저가이며 놀라울 정도로 효율적인 방법이다. 의료 산업에서 사용되는 분말 결정성 락티드는 의료 분야에서 요구되는 화학적 고순도를 달성할 수 있는 기술인 용매 결정화를 통해 제조되는 것으로 알려져 있다. 그러나, 용매 결정화는 사용되는 용매로 인해 매우 고가이고 환경친화적이 아니며 복잡한 방법이다. 본 발명에 따르는 플레이킹 공정은 이러한 단점을 갖지 않는다.

상기 플레이킹 공정은 또한, 예를 들면, 락티드 입자를 제조하기 위해 프릴링 공정(prilling process)을 사용하는 경우와 같이, 긴 가공 시간 및 추가의 광범위한 건조 단계를 포함하지 않는다. 또한, 라세미화, 가수분해 및 산화와 같은 문제들은 본 발명에 따르는 플레이킹 공정을 사용하여 방지되고, 예를 들면, 프릴링을 통해 제조된 락티드 입자보다 두드러지게 훨씬 더 높은 고품질의 락티드 입자가 생성된다.

본 발명에 따르는 플레이킹 공정의 경우, 예를 들면, 생성 속도는 냉각 온도 및 드럼 회전 속도에 따라 산출될 수 있으며, 이는 락티드 향정을 제조하는데 사용된 대체 공정과 비교하여 적어도 2배 내지 3배 더 높다.

더욱이, 생성된 락티드 플레이크는 추가의 가공에 매우 적합한 바람직한 특성을 나타낸다. 본 발명자들은, 예를 들면, 본 발명의 락티드 플레이크가 후속의 용융 단계에서 비교적 신속하고 용이하게 추가로 가공될 수 있기 때문에 상기 용융 단계에서 체류 시간이 짧아짐을 밝혀냈다. 이렇게 짧은 체류 시간은, 예를 들면, 락트산, 락토일락트산 및 물의 형성을 유발하는 등의 일어날 부반응의 위험을 현저히 감소시켜 고품질 락티드의 순도를 보존한다. 요구되는 짧은 체류 시간과 함께, 용융 공정의 온도가 낮추어질 수 있는데, 이는 또한 상기 언급된 부반응이 덜 일어날 수 있다는 점에서 바람직하다. 또한, 본 발명의 플레이킹 공정을 통해 제조된 락티드 입자는 분산시키기 쉽고, 따라서 더 적은 기계적 입력이 상기 균질화 공정에 요구된다. 이는 또한 임의의 부반응 발생의 위험을 감소시킨다.

본 발명에 따르는 플레이킹 공정에 사용되는 락티드는 용융된 형태이고, 이는 응고 공정에 도입되는 모든 락티드가 락티드의 용융점을 초과하는 온도로 존재함을 의미한다. 플레이킹 공정은 용융된 락티드의 지속적인 유동을 락티드의 용융점 미만의 온도를 갖는 표면과 접촉시켜, 락티드 용융물을 상기 표면에서 응고시키고, 상기 표면으로부터 고체 락티드를 제거하는 것을 포함한다. 상기 표면은 내부적 또는 외부적으로 냉각될 수 있고, 이는 당업자에게 공지된 다양한 수단을 사용하여 수행될 수 있다.

바람직한 양태에서, 응고된 락티드는 중력의 영향 하에 상기 표면으로부터 떨어지고, 이로써 상기 표면으로부터 제거된다.

본 발명의 또 다른 바람직한 양태에서, 상기 표면에 응고된 락티드는, 생성물 수거를 위해 상기 표면으로부터 응고된 락티드를 제거하거나 스크레이핑하는 수단과 접촉시킨다.

플레이킹 공정에 사용되거나 적어도 락티드와 접촉될 부분에 사용되는 장치는 바람직하게는 스테인레스 강과 같은 부식 방지용 물질로부터 제조된다. 또한, 락티드 입자의 수분 흡수를 방지하기 위해, 플레이킹 공정은 바람직하게는 불활성 기체 또는 질소 또는 건조 공기와 같은 건조 대기 하에서 수행된다.

본 발명에 따르는 플레이킹 공정은 화학 산업 및 식품 산업에서 다양한 열 공정에 사용되는 통상적인 드럼 플레이커(drum flaker) 장치로 수행될 수 있다. 상기 드럼 플레이커를 사용하여, 용융된 락티드를 드럼의 표면에서 응고시킨 후, 중력을 사용하거나 몇몇 종류의 스크레이핑 장치(scraping device)를 사용하여 상기 표면으로부터 제거한다.

다양한 종류의 드럼 플레이커가 가능하다. 이의 몇몇 예들은, 회전 드럼이 드럼 아래 딥팬(dip pan) 중의 락티드 용융물을 통해 회전하는 회전 드럼 플레이커, 또는 락티드 용융물이, 예를 들면, 오버헤드 어플리케이터 롤(overhead applicator roll)을 사용하여 회전 드럼 상에 "퍼지는" 회전 드럼 플레이커이다. 당해 기술분야의 당업자에게 익히 공지된 기타 방법에 의해 상기 회전 드럼 상에 락티드 용융물을 적용하는 것도 또한 가능하다. 한 예는 드럼의 표면상에 락티드 용융물을 분무 또는 적하할 수 있다.

플레이킹 공정에서 사용되는 적합한 방법의 또 다른 예는 벨트 플레이커(belt flaker)이다. 락티드 용융물을 회전 드럼 대신, 냉각된 이동 벨트 상에 적용할 수 있다. 락티드는 응고된 후 중력을 사용하거나 몇몇 종류의 스크레이핑 장치를 사용하여 상기 표면으로부터 제거된다.

임의로, 체질 단계는 운반중 또는 폴리락티드의 형성을 위한 추가의 가공중에 분진 발생을 피하기 위해 플레이킹 공정 후에 수행될 수 있다.

다양한 단위 용적당 표면적을 갖는 안정한 락티드 입자가 제조될 수 있다. 단위 용적당 표면적이 1000 내지 3000m^-1이거나 10000m^-1 이하인 입자가 수득될 수 있다. 단위 용적당 표면적이 3000 내지 10000m^-1인 락티드 입자는 운반과 저장 및 후속의 용융 단계 또는 기타 가공 단계에서 추가의 가공을 위한 가장 이상적인 화학적 안정성을 나타내는 것으로 밝혀졌다.

상기 기술된 바와 같이, 락티드의 광학적 순도는 수득되는 폴리락트산의 입체화학에 매우 중요하다. 따라서, 본 발명에 따르는 입자에 존재하는 락티드는 95중량% 초과, 바람직하게는 98.5중량% 초과, 가장 바람직하게는 99.5중량% 초과의 D-락티드 또는 L-락티드를 함유한다.

락티드의 수분 함량도 또한 락티드 입자의 안정성에 중요한 인자이다. 물에 의한 오염은 결국 락티드를 락트산으로 가수분해한다. 수분 함량이 200ppm 미만일 경우, 대기 온도에서 공기 차단 및 증기 차단 포장재에 저장된 경우에 락티드 입자의 안정성은 수개월 동안 유지되는 것으로 밝혀졌다. 바람직하게는, 수분 함량은 100ppm 미만인데, 이는 락티드의 안정성 및 저장 수명을 추가로 증가시키기 때문이다. 락티드의 수분 함량은 당업자에 의해 공지될 칼-피셔 적정(Karl-Fisher titration)을 사용하여 측정될 수 있다.

또한, 락티드(락트산 또는 락토일 락트산)의 유리산 함량도 락티드의 안정성 및 품질에 중요하다. 락티드 단량체에서 락트산 및/또는 락토일 락트산의 존재는 폴리락트산의 추가의 제조 과정 및 제한된 분자량의 폴리락트산 중합체에서 중합률을 감소시킬 것이다. 유리산 함량이 락티드 1kg당 50밀리당량(meq.Kg^-1) 미만일 경우, 대기 온도에서 공기 차단 및 증기 차단 포장재에 저장된 경우에 락티드 입자의 안정성은 수개월 동안 유지되는 것으로 밝혀졌다. 바람직하게는, 유리산 함량은 20meq.Kg^-1 미만인데, 이는 락티드의 안정성을 추가로 증가시키기 때문이다. 더 바람직하게는, 유리산 함량은 0 내지 10meq.Kg^-1, 가장 바람직하게는, 유리산 함량은 5meq.Kg^-1 미만이다. 유리산 함량은 당업자에게 명백한, 예를 들면, 무수 메탄올 중의 나트륨 메틸레이트 또는 칼륨 메틸레이트를 사용하는 적정 방법에 의해 측정될 수 있다. 성형 공정을 위한 출발 물질로서 사용되는 락티드는 통상적인 락티드 공정, 예를 들면, 락트산 용액으로부터 수분 제거 또는 락테이트 에스테르의 축합반응 후에 촉매 하에 락티드 반응기에서 폐환 반응에 의해 제조될 수 있다. 임의로, 정제되지 않은 락티드는, 예를 들면, 성형 공정 전에 증류 및/또는 결정화에 의해 추가로 정제된다.

락티드 반응기는 열 민감성 물질을 위해 고안된 임의의 적합한 유형일 수 있다. 균일한 필름 두께를 유지할 수 있는 반응기, 예를 들면, 강하 경막 증발기(falling film evaporator) 또는 박막 증발기(thin-film evaporator)가 가장 바람직하고, 이로부터의 필름 형성은 물질 이동 속도를 증가시킨다. 물질 이동 속도가 증가할 경우, 락티드가 신속히 형성되고 증발될 수 있고, 락티드가 증발함에 따라 폴리락트산/락티드 평형 반응에 의해 지시된 바와 같이 더 많은 락티드가 생성된다. 임의로, 이들 락티드 반응기는 약 1mmHg 내지 100mmHg와 같은 감압하에 작용한다. 락티드 형성의 온도는 150℃ 내지 250℃로 유지된다. 다수의 적합한 촉매는 공지되어 있고, 예를 들면, 산화 금속, 할로겐화 금속, 금속 분말, 음이온 점토 및 카복실산 등으로부터 유도된 유기 금속 화합물이다. 통상적으로, 주석(II) 촉매가 락티드 형성에 사용된다.

락티드 형성을 촉진시키기고 변성 락트산 및 락티드 반응을 방해하도록, 락티드 반응기에 안정제가 또한 첨가될 수 있다. 제조되거나 천연적으로 발생하는 산화방지제와 같은 안정제가 폴리락트산 및 락티드 생성 공정 동안 일어나는 분해 반응의 수를 감소시키기 위해 사용될 수 있다. 안정제는 또한 상기 공정 동안 락티드 생성의 속도를 감소시킬 수 있다. 따라서, 락티드의 효율적인 제조는 최소의 열적 구속도(thermal severity)를 위한 적절한 반응기 설계 및 촉매와 공정 안정제의 임의의 사용의 적절한 균형을 필요로 한다.

다양한 안정제가 사용될 수 있다. 안정제는 일차 산화방지제 및/또는 이차 산화방지제를 포함할 수 있다. 일차 산화방지제는 이들에 제한되지 않는 알킬리덴 비스페놀, 알킬 페놀, 방향족 아민, 방향족 니트로 및 니트로소 화합물 및 퀴논과 같은 자유 라디칼 전파 반응을 억제하는 산화방지제이다. 자유 라디칼의 생성을 방지하기 위해, 이차 (또는 예방적) 산화방지제는 하이드로퍼옥사이드를 분해시킨다. 이차 산화방지제의 일부 비제한적 예는 아인산염, 유기 황화물, 티오에테르, 디티오카바메이트 및 디티오포스페이트를 포함한다. 산화방지제는 트리알킬 아인산염, 혼합된 알킬/아릴 아인산염, 알킬화된 아릴 아인산염, 입체 장애 아릴 아인산염, 지방족 스피로사이클릭 아인산염, 입체 장애 페닐 스피로사이클릭, 입체 장애 비스포스포나이트, 히드록시페닐 프로피오네이트, 히드록시 벤질, 알킬리덴 비스페놀, 알킬 페놀, 방향족 아민, 티오에테르, 장애 아민, 히드록시퀴논 및 이들의 혼합물과 같은 화합물을 포함한다. 바람직하게는, 아인산염 함유 화합물, 입체 장애 페놀계 화합물 또는 다른 페놀계 화합물이 공정 안정 산화방지제로서 사용된다. 가장 바람직하게는, 아인산염 함유 화합물이 사용된다. 사용되는 공정 안정제의 양은 생성되는 락티드의 바람직한 광학적 순도, 사용되는 촉매의 양 및 유형 및 락티드 반응기 내부의 조건에 따라 변할 수 있다. 통상적으로, 0.01 내지 0.3 중량%의 공정 안정제가 사용될 수 있다.

안정제에 이어, 탈수제 또는 가수분해방지제도 또한 첨가될 수 있다. 이들 탈수제는 락티드의 생성을 촉진시킨다. 또한, 이들은 폴리락트산에 대한 제조 공정의 나중 단계에서 그리고 물에 의한 쇄 절단을 방지하기 위해 사용될 수 있다. 이를 위해 과산화물에 기초한 화합물이 사용될 수 있지만, 카보디이미드 작용기를 함유하는 화합물이 바람직하다. 카보디이미드 화합물은 분자 중에 하나 이상의 카보디이미드기를 갖는 화합물이며, 폴리카보디이미드 화합물도 또한 포함한다. 카보디이미드 화합물에 포함되는 모노카보디이미드 화합물로서는 디사이클로헥실 카보디이미드, 디이소프로필 카보디이미드, 디메틸 카보디이미드, 디이소부틸 카보디이미드, 디옥틸 카보디이미드, 디페틸 카보디이미드, 나프틸 카보디이미드 등이 예시될 수 있다. 특히, 디사이클로헥실 카보디이미드, 디이소프로필 카보디이미드, 또는 라인케미(Rheinchemie)의 제품인 스타박솔(Stabaxol®)과 같은 생성물과 같은 산업상 쉽게 구입할 수 있는 화합물이 사용된다.

상기 언급된 공정 안정제 및 탈수제를, 예를 들면, 플레이킹 단계 전 및/또는 플레이킹 단계 후와 같은 나중 단계에 락티드에 첨가하는 것도 또한 가능하다. 안정제가 플레이킹 후에 락티드에 첨가되는 경우, 안정제는 락티드 플레이크 상에 분무되거나 피복될 수 있다.

상기 언급된 공정 안정제 및 탈수제의 존재는 또한 저장시 락티드 입자의 안정성을 증가시키는 것으로 추가로 밝혀졌다.

물론, 락티드 이외의 락티드 입자 중에 존재하는 공정 안정제 및 탈수제와 같은 물질을 가능한 한 적게 갖는 것이 바람직하다. 따라서, 락티드 입자는 일반적으로 95 중량% 초과의 락티드, 바람직하게는 98.5 중량% 초과의 락티드, 가장 바람직하게는 99.5 중량%의 초과의 락티드를 포함한다.

락티드 제조 및/또는 정제 방법에 따라, 본 발명에 따르는 플레이킹 공정을 제조 및/또는 정제와 조합하거나, 조합하지 않을 수 있다. 예를 들어, 락티드가 증류에 의해 수득되는 경우, 락티드가 이미 용융된 형태로 존재하기 때문에, 플레이킹 기계를 증류 칼럼에 직접 커플링시킬 수 있다. 락티드의 최종 정제 단계가 용융 결정화를 포함하는 경우, 플레이킹 기계를 용융 결정화기에 직접 커플링시킬 수 있다.

본 발명은 하기의 비제한적 실시예에 의해 추가로 설명된다.

실험실 규모 회전 드럼 플레이커를 사용한 L-락티드의 플레이킹

새로운 L-락티드, 예를 들면, 푸락(Purac®, < 5meq/Kg 유리 락트산)을 교반되는 오일 가열된 용기를 사용하여 용융시켰다. 이후, 105 내지 120℃ 온도의 액체를, 플레이킹 동안에, 표면적 0.75m²의 회전 드럼 플레이커 아래의 딥 팬에 계량 도입했다. 액체 락티드를 액체의 수준이 딥 팬에서 일정하게 유지되는 속도로 투입했다. 드럼의 내부 냉각으로 인해, 락티드는 드럼 표면에 응고된다. 회전 드럼을 위한 냉각수는 10 내지 35℃의 온도로 유지되고 회전 속도는 5 내지 15rpm으로 유지되었다. 또한, 용융된 락티드로의 드럼의 침지 깊이(dipping depth)는 다양하고, 시험은 20mm 내지 50mm의 침지 깊이에서 수행되었다. 생성된 플레이크는 평균 높이 0.3 내지 0.7mm, 폭 1 내지 3mm 및 길이 3 내지 10mm를 갖는다. 단위 용적당 표면적은 4000 내지 10000m^-1로 다양했다. 벌크 밀도는 500 내지 600kg/m^-3이었다.

Claims (15)

1. 안정한 락티드 입자의 제조 방법으로서,

   상기 방법이, 용융된 락티드의 지속적인 유동을 락티드의 용융점 미만의 온도를 갖는 표면과 접촉시켜 락티드 용융물을 상기 표면에서 응고시키고, 락티드 입자로서의 고체 락티드를 상기 표면으로부터 제거하는 것을 포함하며,

   상기 안정한 락티드 입자의 단위 용적당 표면적이 1000 내지 10000m^-1인, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 표면을 외부적 수단 또는 내부적 수단에 의해 냉각시키는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제거가, 응고된 락티드를 갖는 표면과 스크레이핑 장치(scraping device)를 접촉시킴에 의해 수행되는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제거가, 중력의 영향 하에 상기 표면으로부터 락티드가 떨어지는 것에 의해 일어나는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 방법이 드럼 플레이커(drum flaker) 또는 벨트 플레이커(belt flaker)를 사용하여 수행되는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 방법이, 적어도 상기 락티드와 접촉되는 부분이 부식 방지용 물질로부터 제조되는 장치에서 수행되는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 방법이 불활성 기체 또는 건조 대기 하에서 수행되는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 수득된 락티드 입자가 체질되는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 단위 용적당 표면적이 1000 내지 3000m^-1인 안정한 락티드 입자를 수득하며, "안정한"이란 용어가, 상기 락티드 입자가 공기 중 20℃에서 5meq/kg 이하의 초기 유리산 함량을 가지며, 상기 유리산 함량이 10주 저장 후에 여전히 2000meq/kg 미만임을 의미하는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 단위 용적당 표면적이 3000 내지 10000m^-1인 락티드 입자를 수득하는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 락티드 입자가 95중량% 초과의 락티드를 포함하는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 락티드 입자에 존재하는 락티드가 95중량% 초과의 D-락티드를 함유하는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 락티드 입자에 존재하는 락티드가 95중량% 초과의 L-락티드를 함유하는, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 락티드 입자의 수분 함량이 200ppm 미만인, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.
15. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 락티드 입자의 유리 락트산 함량이 락티드 1kg당 50밀리당량(meq.Kg^-1) 미만인, 안정한 락티드 입자의 제조 방법.