KR101370101B1 - 와이어쏘잉용 절삭유 조성물 - Google Patents

와이어쏘잉용 절삭유 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR101370101B1
KR101370101B1 KR1020117016869A KR20117016869A KR101370101B1 KR 101370101 B1 KR101370101 B1 KR 101370101B1 KR 1020117016869 A KR1020117016869 A KR 1020117016869A KR 20117016869 A KR20117016869 A KR 20117016869A KR 101370101 B1 KR101370101 B1 KR 101370101B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hydrogen
composition
weight
abrasive
wire saw
Prior art date
Application number
KR1020117016869A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110099748A (ko
Inventor
스티븐 그럼빈
네빈 나깁
Original Assignee
캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 filed Critical 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
Publication of KR20110099748A publication Critical patent/KR20110099748A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101370101B1 publication Critical patent/KR101370101B1/ko

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Lubricants (AREA)
  • Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 와이어쏘 절삭 공정 동안에 생성되는 수소의 양을 감소시키는 수성 와이어쏘 절삭유 조성물을 제공한다. 상기 조성물은 수성 담체, 미립자 연마제, 증점제 및 수소 억제제로 구성된다.

Description

와이어쏘잉용 절삭유 조성물{CUTTING FLUID COMPOSITION FOR WIRESAWING}
본 발명은 와이어쏘(wiresaw) 절삭 공정 동안 사용되는 슬러리 조성물에 관한 것이다. 보다 특히, 본 발명은 와이어쏘 절삭 공정 동안 수소 기체의 생성을 최소화하는 수성 와이어쏘 절삭유 조성물에 관한 것이다.
와이어쏘 절삭은 집적 회로 및 광전지(PV) 산업에서 사용되는 박형 웨이퍼를 제조하는 주요 방법이다. 또한, 이 방법은 다른 물질의 기판, 예컨대 사파이어, 탄화규소 또는 세라믹 기판을 웨이퍼화하는데 통상 사용된다. 와이어쏘는 전형적으로 미세 금속 와이어의 웹(web) 또는 와이어웹(wireweb)을 가지며, 여기서 개별 와이어는 약 0.15mm의 직경을 갖고, 일련의 스풀, 풀리 및 와이어 가이드를 통해 0.1 내지 1.0mm의 거리에서 서로 평행하게 배열된다. 슬라이싱 또는 절삭은 워크피스(workpiece)(예컨대, 기판)를 연마제 슬러리가 적용된 이동 와이어와 접촉시킴으로써 달성된다.
통상적인 와이어쏘 절삭유 조성물 또는 슬러리는 전형적으로 1:1 중량 비율로 혼합하여 조합된 담체 및 연마제 입자를 포함한다. 연마제는 전형적으로 탄화규소 입자와 같은 경질 물질로 이루어진다. 담체는 윤활 및 냉각을 제공하고, 연마제를 와이어에 유지함으로써 연마제가 절삭되는 워크피스와 접촉할 수 있는 액체이다.
담체는 비수성 물질, 예컨대 미네랄 오일, 등유, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜 또는 다른 폴리알킬렌 글리콜일 수 있다. 그러나, 비수성 담체는 몇몇 단점을 가질 수 있다. 예를 들면, 비수성 담체는 콜로이드성 불안정성으로 인하여 제한된 보관-수명을 가질 수 있고, 또한 열등한 열 전달 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 수계 담체가 그 자체로 와이어쏘 절삭 공정에 사용될 수 있다.
또한, 수성 담체는 공지된 특정 단점을 갖는다. 예를 들면, 와이어쏘 절삭 공정 동안 절삭되는 물질의 일부가 제거된다. 커프(kerf)로 불리는 이러한 물질은 절삭유 슬러리 중에 점차적으로 축적된다. 규소 또는 다른 수 산화성 기판의 와이어쏘잉 공정에서, 커프는 산소 또는 물에 의해 산화될 수 있다. 수성 슬러리에서, 물에 의한 수 산화성 워크피스의 산화는 수소를 생성한다. 절삭유 조성물 중 수소의 존재는 와이어 웹 상에서 슬러리 분포를 붕괴시키고(예를 들면, 기포 형성에 기인함), 와이어쏘의 절삭 성능을 감소시킬 수 있다. 수소의 생성은 또한 제조 환경에 위험할 수 있다(예컨대, 폭발 위험).
따라서, 와이어쏘 절삭 공정 동안에 생성되는 수소의 양을 제한하는 수성 와이어쏘 절삭유 조성물을 배합하는 것이 유리할 것이다. 본 발명의 조성물은 이러한 요건을 만족한다.
본 발명은 와이어쏘 절삭 공정 동안 규소와 같은 수-반응성 워크피스를 절삭하는 경우 생성되는 수소의 양을 감소시키는 수성 와이어쏘 절삭유 조성물을 제공한다. 상기 조성물은 수성 담체, 미립자 연마제, 증점제 및 수소 억제제를 포함한다. 연마제, 증점제 및 수소 억제제는 수성 담체와 마찬가지로 각각 본 발명의 절삭유 조성물의 별도의 구별되는 성분들이지만, 이들 성분 각각은 하나 이상의 기능을 갖고 조성물의 와이어쏘 절삭 성능에 하나 이상의 이점을 제공할 수 있다.
이론에 얽매이지 않으면서, 수소 억제제가 분자 수소와 반응하여 기체를 트랩하거나, 화학적으로 수소 기체와 반응함으로써 조성물에 존재하는 유리 수소 기체의 양을 감소시키는 것으로 여겨진다. 적합한 수소 억제제는 친수성 중합체, 계면활성제, 실리콘 및 수소 소거제를 포함한다.
본 발명의 한 실시양태는 수성 와이어쏘 절삭유 조성물이다. 이 조성물에는 증점제를 함유하는 수성 담체, 미립자 연마제 및 수소 억제제가 포함된다. 수소 억제제는 친수성 중합체, 쇄 안에 6개 이상의 탄소 원자를 포함하는 소수성 부분을 갖는 계면활성제, 실리콘 및 수소 소거제로 이루어진 군 중에서 선택된다.
본 발명의 다른 실시양태는 미립자 연마제, 수성 담체, 증점제, 및 계면활성제, 수소 반응성 금속 화합물, 규소 반응성 금속 화합물, 하이드로실릴화 촉매 및 유기 전자 전달제로 이루어진 군 중에서 선택된 하나 이상의 수소 억제제를 포함하는 수성 와이어쏘 절삭유 조성물이다. 계면활성제는 소수성 부분 및 친수성 부분을 포함한다. 계면활성제의 소수성 부분은 치환된 탄화수소기, 비치환된 탄화수소 기 및 실리콘 기 중 하나 이상을 포함한다. 계면활성제의 친수성 부분은 폴리옥시알킬렌 기, 에터 기, 알콜 기, 아미노 기, 아미노 기의 염, 산성 기 및 산성 기의 염 중 하나 이상을 포함한다.
본 발명의 다른 실시양태는 증점제를 함유하는 수성 담체, 미립자 연마제, 및 18 이하의 HLB를 갖는 비이온성 계면활성제 및 18 이하의 HLB를 갖는 친수성 중합체로부터 선택된 수소 억제제를 포함하는 수성 와이어쏘 절삭유 조성물이다.
본 발명의 추가의 교시에 따라, 와이어쏘 절삭 공정에서 수소 생성은 워크피스를 와이어쏘로 절삭하는 동안 본원에 교시된 유형의 수성 와이어쏘 절삭유를 사용함으로써 개선된다.
본 발명의 특정한 바람직한 실시양태에서, 조성물은 산성 pH를 갖는다. 이론에 얽매이지 않으면서, 조성물의 pH가 감소함에 따라 와이어쏘 공정 동안 절삭되는 물질과 물 사이에 발생할 수 있는 임의의 산화 반응 속도가 감소하는 것으로 여겨진다. 산화 반응 속도의 감소는 이러한 반응에 의해 생성되는 수소의 양을 감소시킨다. 다른 특정 바람직한 실시양태에서, 절삭유 조성물은 수소억제제로서 계면활성제와 친수성 중합체의 조합물, 계면활성제와 실리콘의 조합물, 또는 계면활성제, 친수성 중합체 및 실리콘의 조합물을 포함한다.
본 발명의 조성물은 각각 수성 담체, 예컨대 물, 수성 글리콜 및/또는 수성 알콜을 함유한다. 바람직하게는, 수성 담체는 주로 물을 포함한다. 수성 담체는 바람직하게는 조성물의 1 내지 99중량%, 보다 바람직하게는 50 내지 99중량%를 차지한다. 물은 바람직하게는 담체의 54 내지 99중량%, 보다 바람직하게는 80 내지 98중량%를 차지한다.
또한, 본 발명의 조성물은 각각 미립자 연마제, 예컨대 탄화규소, 다이아몬드 또는 탄화붕소를 함유한다. 미립자 연마제는 전형적으로 조성물의 1 내지 60중량%를 차지한다. 몇몇 실시양태에서, 미립자 연마제는 1 내지 10중량%의 농도로 존재하는 미립자 다이아몬드를 포함한다. 다른 실시양태에서, 연마제가 다이아몬드가 아닌 경우, 미립자 연마제가 조성물의 30 내지 60중량%를 차지하는 것이 바람직하다. 와이어쏘 절삭유에 사용하기 적합한 연마제는 당해 분야에 공지되어 있다.
와이어쏘 절삭 공정에서 단지 물만을 함유하는 조성물을 사용하여 수-산화성 물질(예컨대, 규소)을 절삭하는 경우 비교적 다량의 수소가 형성된다. 예를 들면, 절삭유로서 오직 물을 사용하여 규소 웨이퍼의 와이어쏘 절삭을 시뮬레이트하는 실시예 1에 기재된 방법을 사용하면, 와이어쏘 절삭 공정 동안 1.79mL/분의 속도로 수소가 생성된다. 실시예 2는 수성 담체의 물 함량이 증가함에 따라, 수소 생성 속도 또한 100% 물에서 최고점으로 증가한다는 것을 보여준다. 와이어쏘 절삭 공정 동안 수소 생성 속도를 감소시키기 위해, 본 발명의 조성물은 각각 조성물의 수소 생성 가능성을 감소시키는 추가의 성분을 함유한다.
본 발명의 조성물은 각각 증점제, 예컨대 점토, 검, 셀룰로오스 화합물(하이드록시프로필셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 하이드록시에틸셀룰로오스 포함), 폴리카복실레이트, 폴리(알킬렌 옥사이드) 등을 함유한다. 증점제는 수용성, 수팽윤성 또는 수분상성인 임의의 물질을 포함할 수 있고, 이는 25℃의 온도에서 40센티포이즈(cP) 이상의 범위에서 담체에 브룩필드(Brookfield) 점도를 제공한다. 증점제가 담체에 40 내지 120cps의 브룩필드 점도를 제공하는 것이 가장 바람직하다. 증점제는 약 0.2 내지 10중량% 범위의 농도에서 조성물에 존재한다. 증점제는 조성물의 별도의 구별되는 성분이다. 본원에서 사용되는 용어 "증점제"는 단일 물질 또는 둘 이상의 물질의 조합물을 포함하고, 연마제에 의해 제공되는 임의의 점도를 제외하고, 조성물의 대부분의 점도를 제공하는 조성물의 성분을 지칭한다.
바람직한 증점제는 비이온성 중합체성 증점제, 예컨대 셀룰로오스 화합물(예컨대, 하이드록시프로필셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 하이드록시에틸셀룰로오스), 또는 폴리(알킬렌 옥사이드) 물질(예컨대, 폴리(에틸렌 글리콜), 에틸렌 옥사이드-프로필렌 옥사이드 공중합체 등)이 있다. 바람직하게는, 증점제는 20,000달톤(Da) 초과, 보다 바람직하게는 50,000Da 이상(예컨대, 50,000 내지 150,000Da)의 중량 평균 분자량을 가지며, 낮은 분자량 물질은 증점제로서 덜 효율적인 경향이 있기 때문이다.
이론에 얽매이지 않으면서, 본원에 기재된 유형의 증점제는 워크피스 및 커프의 표면와 결합하여, 이에 따라 이들 표면과 접촉할 수 있는 물의 양을 감소시키는 것으로 여겨진다. 이러한 물에 의해 접촉되는 워크피스 표면의 양의 감소는 물에 의한 워크피스 표면의 산화를 감소시켜, 결국 수소 생성 속도를 감소시킨다.
본 발명의 조성물은 각각 하나 이상의 수소 억제제를 함유한다. 적합한 수소 억제제는 친수성 중합체, 계면활성제, 실리콘 및 다양한 수소 소거제, 예컨대 수소 반응성 금속 화합물, 규소 반응성 금속 화합물, 하이드로실릴화 촉매 및 유기 전자 전달제를 포함한다. 본 발명의 조성물은 열거된 수소 억제제 유형 중 하나, 또는 이들 수소 억제제 유형 중 하나 이상의 조합물을 함유할 수 있다. 조성물의 증점제 성분이 그 자체가 일부 수소 억제 활성을 제공할 수 있지만, 조성물은 또한 증점제와 구분되는 별도의 수소 억제제를 포함한다.
본 발명에서 사용되는 계면활성제는 적어도 소수성 부분 및 친수성 부분을 갖는다. 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있는 적합한 계면활성제 유형은 아릴 알콕실레이트, 알킬 알콕실레이트, 알콕실화된 실리콘, 아세틸렌계 알콜, 에톡실화된 아세틸렌계 다이올, C8 내지 C22 알킬 설페이트 에스터, C8 내지 C22 알킬 포스페이트 에스터, C8 내지 C22 알콜, 알킬 에스터, 알킬아릴 에톡실레이트, 에톡실화된 실리콘(예컨대, 다이메티콘 코폴리올), 아세틸렌계 화합물(예컨대, 아세틸렌계 알콜, 에톡실화된 아세틸렌계 다이올), 지방 알콜 알콕실레이트, C6 이상의 플루오르화된 화합물, C6 내지 C22 알킬 설페이트 에스터 염, C6 내지 C22 알킬 포스페이트 에스터 염 및 C8 내지 C22 알콜을 포함한다. 이들 계면활성제 유형 중 하나 이상의 조합물이 본 발명의 조성물에 첨가되어 수소 생성을 감소시킬 수 있다.
적합한 계면활성제의 비제한적인 예는 알킬 설페이트, 예컨대 나트륨 도데실 설페이트; 에톡실화된 알킬 페놀, 예컨대 노닐페놀 에톡실레이트; 에톡실화된 아세틸렌계 다이올, 예컨대 서핀올(SURFYNOL, 등록상표명) 420(에어 프로덕츠 앤드 케미칼스 인코포레이티드(Air Products and Chemicals Inc.)로부터 입수가능); 에톡실화된 실리콘, 예컨대 실웨트(SILWET, 등록상표명) 명칭의 계면활성제(모멘티브 퍼포먼스 머테리얼스(Momentive Performance Materials)로부터 입수가능); 알킬 포스페이트 계면활성제, 예컨대 데포스(DEPHOS, 등록상표명) 명칭의 계면활성제(데포레스트 엔터프라이즈(DeFOREST Enterprises)로부터 입수가능); C8 내지 C22 알콜, 예컨대 옥탄올 및 2-헥실-1-데칸올 등을 포함한다. 계면활성제는 액체 담체의 중량을 기준으로 약 0.01중량% 이상(예컨대, 약 0.1중량% 이상, 약 0.5중량% 이상, 1중량% 이상 또는 2중량% 이상의 계면활성제)의 범위의 농도로 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있다. 다르게는, 또는 또한, 액체 담체는 20중량% 이하의 계면활성제(예컨대, 10중량% 이하, 5중량% 이하, 3중량% 이하의 계면활성제)를 포함할 수 있다. 따라서, 액체 담체는 상기 말단 수치중 어느 두 개에 의해 결합된 계면활성제 양을 포함할 수 있다. 예를 들면, 액체 담체는 약 0.01중량% 내지 20중량%의 계면활성제(예컨대, 약 0.1중량% 내지 10중량%, 약 0.5중량% 내지 3중량%의 계면활성제)를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 계면활성제의 소수성 부분은 치환된 탄화수소 기, 비치환된 탄화수소 기 및 규소 함유 기 중 하나 이상을 포함한다. 바람직하게는, 계면활성제의 소수성 부분은 쇄 안에 6개 이상의 탄소 원자를 함유하는 하나 이상의 탄화수소 기를 포함하고, 가장 바람직하게는, 계면활성제의 소수성 부분은 쇄 안에 8개 이상의 비방향족 탄소 원자를 함유하는 하나 이상의 탄화수소 기를 포함한다. 계면활성제의 친수성 부분은 폴리옥시알킬렌 기, 에터 기, 알콜 기, 아미노 기, 및 아미노 기의 염, 산성 기 및 산성 기의 염 중 하나 이상을 포함한다.
20 이하, 바람직하게는 18 이하의 친수성-친유성 균형(HLB) 값을 갖는 비이온성 계면활성제는 본 발명의 조성물에서 수소 생성 속도를 감소시키는데 특히 적합하다. 일부 바람직한 실시양태에서, 비이온성 계면활성제는 15 이하, 바람직하게는 10 이하의 HLB를 갖는다. 비이온성 계면활성제는 조성물의 약 0.01 내지 4중량%의 범위의 농도로 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있다.
본 발명의 조성물에 사용하기 적합한 친수성 중합체는 폴리에터, 예컨대 폴리(에틸렌 글리콜), 폴리(프로필렌 글리콜), 에틸렌 글리콜-프로필렌 글리콜 공중합체 등을 포함한다. 바람직한 친수성 중합체는 폴리프로필렌 글리콜 또는 폴리에터를 포함하는 공중합체이다. 바람직하게는, 친수성 중합체는 18 이하의 HLB, 가장 바람직하게는 12 이하의 HLB를 갖는다.
친수성 중합체는 액체 담체의 중량을 기준으로 약 0.01중량%의 범위(예컨대, 약 0.1중량% 이상, 약 0.5중량% 이상, 1중량% 이상 또는 2중량% 이상의 계면활성제)의 농도로 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있다. 다르게는, 또는 또한, 액체 담체는 20중량% 이하의 친수성 중합체(예컨대, 10중량% 이하, 5중량% 이하, 3중량% 이하의 친수성 중합체)를 포함할 수 있다. 따라서, 액체 담체는 상기 말단 수치중 어느 두 개에 의해 결합된 친수성 중합체의 양을 포함할 수 있다. 예를 들면, 액체 담체는 약 0.01중량% 내지 20중량%의 친수성 중합체(예컨대, 약 0.1중량% 내지 10중량%, 약 0.5중량% 내지 3중량%의 친수성 중합체)를 포함할 수 있다.
이론에 얽매이지 않으면서, 계면활성제는 워크피스 및/또는 커프의 표면와 결합하여, 이에 따라 이들 표면과 접촉할 수 있는 물의 양을 감소시키는 것으로 여겨진다.
또한, 실리콘이 본 발명의 조성물에 첨가되어 수소 생성을 감소시킬 수 있다. 적합한 실리콘은 옴노바 솔루션스 인코포레이티드(Omnova Solutions, Inc.)로부터 시판되는 폴리다이메티콘(즉, 다이메틸실록산 중합체), 예컨대 세드게킬(SEDGEKIL, 등록상표명) MF-3 및 세드게킬(등록상표명) GGD를 포함한다. 이 실리콘은 조성물의 약 0.01 내지 4중량%의 범위의 농도로 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있다.
또한, 조성물의 pH를 저하시키는데 적합한 산성 물질을 첨가하여 수소 생성을 감소시킬 수 있다. 당해 분야에 일반적으로 공지된 바와 같이(예컨대, 문헌["Oxidation of Silicon by Water," J. European Ceramic Soc. 1989; 5: 219-222 (1989)]을 참고한다), 조성물의 pH를 저하시킴으로써 절삭되는 물질의 산화 속도를 지연시킨다. 결국, 산화 반응의 지연은 와이어쏘 절삭 공정 동안에 생성되는 수소의 양을 감소시킨다. 적합한 산성 물질은 미네랄 산(예컨대, 염산, 황산, 인산, 질산 등) 및 유기 산(예컨대, 카복실산, 예컨대 아세트산, 시트르산 및 석신산, 유기포스폰산, 유기 설폰산 등)을 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시양태에서, 산화제가 조성물에 첨가되어 수소 생성을 감소시킬 수 있다. 산화제는 약 0.01 내지 4중량%의 양으로 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있다. 산화제는 물과 경쟁하여 절삭되는 물질(예컨대, 규소)을 산화시킬 수 있다. 또한 또는 다르게는, 산화제는 워크피스의 절삭 동안 생성된 임의의 수소를 산화시켜 물을 형성할 수 있다.
이와 같이, 수소 소거제, 예컨대 수소 반응성 금속 화합물 또는 규소 반응성 금속 화합물(예컨대, Pt, Pd, Rh, Ru 또는 Cu 금속, 예컨대 탄소 또는 규조토-지지된 금속, 이들 금속의 무기 염, 또는 이들 금속의 유기금속 염), 하이드로실릴화 촉매(예컨대, 무기 또는 유기금속성 Pt, Pd, Rh, Ru 또는 Cu 염), 유기 전자 전달제(예컨대, 퀴논, TEMPO, 또는 다른 라디칼 형성 화합물)가 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있다. 본 발명의 조성물은 열거된 수소 소거제의 유형 중 하나, 또는 이들 수소 소거제 유형 중 하나 이상의 조합물을 함유할 수 있다. 수소 소거제는 조성물의 약 0.01 내지 4중량%의 범위의 농도로 본 발명의 조성물에 첨가될 수 있다. 이론에 얽매이지 않으면서, 수소 소거제는 수소와 결합하거나, 다르게는 수소와 반응하여 와이어쏘 절삭 공정 동안 방출된 유리 수소의 양을 감소시키는 것으로 여겨진다.
수소 억제제가 사용되는 동안 과량의 발포를 유발하지 않은 것이 바람직하다. 발포 가능성은 담체를 통해 공기의 기포를 발생시키고, 소정 시간 후 발포체의 높이를 결정함으로써 평가될 수 있다. 수소 억제제의 존재하에 관찰되는 발포는 증점제 단독에 의한 발포와 거의 동일하거나 그 보다 낮은 것이 바람직하다. 수소 억제제에 의한 발포는 증점제 단독에 의해 관찰되는 발포보다 낮은 것이 보다 바람직하다(예컨대, 적어도 10% 미만, 적어도 50% 미만, 적어도 80% 미만, 적어도 95% 미만). 수소 억제제가 증점제 단독보다 더 많은 어떠한 발포체도 유발하지 않고, 수소 억제제가 규소를 함유하지 않는 것이 가장 바람직하다.
살생물제(예컨대, 아이소티아졸린 살생물제), 소포제, 분산제 등을 비롯한 다른 통상적으로 사용되는 첨가제가 필요한 경우 본 발명의 조성물에 첨가되어 조성물의 특정한 특성 또는 특징을 제공할 수 있다. 이러한 첨가제는 당해 분야에 공지되어 있다.
본 발명의 조성물은 규소와 같은 수 산화성 물질의 와이어쏘 절삭 동안에 생성되는 수소의 양을 감소시킨다. 본 발명의 몇몇 바람직한 실시양태에서, 수소 생성 속도는 일반적인 수성 와이어쏘 절삭유 조성물의 경우 1.8mL/분으로부터 약 0.75mL/분 이하의 속도로 감소된다. 하기 논의되는 몇몇 특정한 바람직한 실시양태에서, 수소 생성 속도는 약 0.01 내지 0.3mL/분의 범위로 감소된다. 바람직하게는, 본 발명의 조성물은 어떠한 수소 억제제도 사용되지 않는 경우 생성되는 수소의 양에 비해 수소 생성 속도를 40% 이상(예컨대, 60% 이상, 80% 이상, 95% 이상) 감소시킨다. 하기 실시예는 본 발명을 더욱 설명하고, 본 발명의 범위를 어떠한 방식으로든 제한하는 것으로 간주해서는 안된다.
실시예 1
일반적인 절차를 사용하여 와이어 절삭 공정의 화학 환경을 시뮬레이트하고, 본 발명의 조성물의 수소 생성 속도를 측정하였다. 이 일반적인 절차에 사용되는 조성물은 물 및 다양한 첨가제를 함유하고, 연마제는 별도의 성분으로서 공급된다(즉, 지르코니아 밀링 비드).
이 실시예에서, 분말 Si를 기체 수집기에 부착된 플라스크에서 다양한 조성물과 반응시켰다. 공정 동안 생성된 수소를 모으고, 부피를 측정하였다.
구체적으로, 튜빙 어댑터(tubing adapter), 자성 교반 막대 및 격막 입구를 갖춘 둥근 바닥 플라스크를 자성 교반 핫 플레이트 상의 수욕에 배치시켰다. 수욕의 온도를 55℃로 조절하였다. 토레이 인더스트리즈 인코포레이티드(Toray Industries, Inc.)로부터 입수한 0.65mm 직경의 지르코니아 밀링 비드 25g 및 시험되는 조성물 25g을 플라스크에 첨가하고, 플라스크를 질소로 퍼징하였다. 별도로, 0.65mm 직경의 지르코니아 밀링 비드 100g 및 1 내지 5㎛의 입자 직경을 갖는 순수한 규소 분말 6.2g을 고속 혼합기(플락테크 인코포레이티드(Flacktek Inc.)로부터 입수한 스피드믹서(SPEEDMIXER, 등록상표명) 모델 번호 DAC150 FVZ-K)를 사용하여 질소 대기하에 5분 동안 1600rpm으로 혼합한 후 규소를 더욱 밀링하였다. 새롭게 밀링된 규소를 시험되는 조성물을 함유하는 플라스크로 신속하게 옮기고, 플라스크를 300rpm에서 교반하면서 질소로 퍼징하였다. 조성물 중의 규소와 물의 반응에 의해 형성된 수소를 모으고 부피를 측정하였다. 생성된 수소의 부피를 밀링된 규소가 교반되는 시간으로 나눔으로써 수소 생성 속도를 계산하였다. 밀링된 규소는 수소 생성 속도 계산 전에 60 내지 180분으로 교반하였다.
실시예 2
실시예 1의 일반적인 절차를 사용하여, 다양한 물 농도를 갖는 7개의 조성물의 수소 생성 속도를 측정하였다. 조성물은 다양한 비율의 탈이온수 및 폴리(에틸렌 글리콜)을 함유하였다. 각 조성물의 수소 생성 속도를 하기 표 1에 나타내었다. 이 실시예는 조성물 중 물의 농도가 증가함에 따라, 수소 생성 속도 또한 증가함을 증명하였고, 따라서 통상적으로 비교적 높은 물 함량의 절삭유가 수소 생성 문제를 갖는 경향이 있다는 관찰이 확인되었다.
조성물의 물 함량 및 수소 생성 속도
탈이온수(%) 폴리에틸렌 글리콜(%) 수소 생성 속도(mL/분)
100 0 1.79
75 25 1.25
65 35 1.19
58 42 0.94
50 50 0.28
25 75 0.05
5 95 0.011
실시예 3
실시예 1의 일반적인 절차를 사용하여, 4중량%의 하이드록시에틸셀룰로오스 증점제 및 500ppm의 아이소티아졸린온 살생물제를 함유하는 수성 조성물의 수소 생성 속도를 측정하였다. 이 조성물의 수소 생성 속도는 0.71mL/분이었다.
실시예 4
실시예 1의 일반적인 절차를 사용하여, 4중량%의 하이드록시에틸셀룰로오스, 500ppm의 아이소티아졸린온 살생물제, 및 서핀올(등록상표명) 420(부분적으로 에톡실화되고, 평균하여 아세틸렌계 다이올 1 몰 당 에틸렌 옥사이드 1.3몰인 4,7-다이하이드록시-2,4,7,9-테트라메틸데크-5-인)으로서 시판되는 다양한 양의 에톡실화된 아세틸렌계 다이올 계면활성제(즉, 수소 억제제로서)를 함유하는 실시예 3에 기재된 것과 유사한 수성 조성물의 수소 생성 속도를 측정하였다. 각 조성물에서 서핀올(등록상표명) 420의 양 및 이에 의해 수득된 관찰된 수소 생성 속도를 표 2에 나타내었다. 조성물의 pH는 달리 명시하지 않는 한 상대적으로 중성이었다. 표 2에 나타난 데이가 명백히 가리키는 바와 같이, 계면활성제 및 산성 pH의 존재는 수소 생성 속도를 유리하게 놀랍도록 저하시키는 경향이 있다.
서핀올 420을 함유하는 조성물의 수소 생성 속도
계면활성제(중량%) 다른 첨가제(중량%) 추가의 조성물 특성 수소 생성 속도(mL/분)
0.3% 서핀올 420 0.13
0.3% 서핀올 420 pH 4 0.11
0.3% 서핀올 420 0.5% 알루미늄 나이트레이트 pH 4 0.07
0.5% 서핀올 420 4% 폴리(에틸렌 글리콜) 0.05
실시예 5
실시예 1의 일반적인 절차를 사용하여, 4중량%의 하이드록시에틸셀룰로오스, 500ppm의 아이소티아졸린온 살생물제 및 다양한 수소 억제 첨가제를 함유하는 실시예 3에 기재된 것과 유사한 수성 조성물에 대해 수소 생성 속도를 측정하였다. 조성물 중의 첨가제의 확인 및 양, 및 상응하는 관찰된 수소 생성 속도는 표 3에 나타내었다. 이 실시예에서 사용되는 계면활성제 실웨트(등록상표명) 1-7210은 모멘티브 퍼포먼스 머테리얼스로부터 시판되는 에톡실화된 폴리다이메틸실록산(즉, 다이메티콘 코폴리올)이다. 사그텍스(SAGTEX, 등록상표명) 명칭의 실리콘은 모멘티브 퍼포먼스 머테리얼스로부터 시판되는 폴리다이메틸실록산(즉, 폴리다이메티콘) 에멀젼이다. 세드게킬(등록상표명) 명칭의 실리콘은 옴노바 솔루션스 인코포레이티드로부터 시판되는 소포제이다. 데포스(등록상표명) 8028은 데포레스트 엔터프라이즈로부터 시판되는 알킬 포스페이트 에스터의 활성 칼륨 염이다. 표 3에 데이터로부터 자명한 바와 같이, 계면활성제, 예컨대 비이온성 알킬아릴 에톡실레이트, 에톡실화된 실리콘, C8 내지 C22 알콜, 알킬 설페이트 에스터 또는 알킬 포스페이트 에스터의 존재는 놀랍게도 수소 생성 속도 감소에 효과적이다. 실리콘과 계면활성제의 조합은 훨씬 더 효과적이다.
다양한 첨가제를 함유하는 조성물의 수소 생성 속도
첨가제(양) 첨가제 유형 추가 조성물 특성 수소 생성 속도(mL/분)
세드게킬(등록상표명)(70ppm) 실리콘 0.75
세드게킬 1(등록상표명)(70 ppm)
폴리(에틸렌 글리콜)(4%)		 실리콘; 친수성 중합체 0.77
세드게킬(등록상표명)(70ppm) 실리콘 pH 3 0.29
세드게킬(등록상표명)(0.3%), 실웨트 1-7210(등록상표명)(0.3%) 실리콘; 비이온성 실리콘 계면활성제 HLB 값 = 7 0.19
사그텍스(등록상표명)(0.5%) 실리콘 0.48
사그텍스(등록상표명)(0.3%), 실웨트 1-7602(등록상표명)(0.3%) 실리콘; 비이온성 실리콘 계면활성제 HLB 값 = 7 0.19
사그텍스(등록상표명)(0.5%), 실웨트 1-7604(등록상표명)(0.3%) 실리콘; 비이온성 실리콘 계면활성제 HLB 값 = 15 0.15
세드게킬(등록상표명)(70ppm), 폴리(에틸렌 글리콜)(4%), 데포스(등록상표명)8028(0.1%) 실리콘; 친수성 중합체
음이온성 포스페이트 계면활성제		 0.19
사그텍스(등록상표명)(0.5%), 나트륨 도데실 설페이트 (0.5%) 실리콘; 음이온성 설페이트 계면활성제 0.11
2-헥실-1-데칸올(0.5%) 고분자량 알콜 0.45
옥탄올(0.3%) 고분자량 알콜 HLB 값 = 5 0.57
노닐페놀 에톡실레이트(0.3%) 알킬아릴 에톡실레이트 계면활성제 HLB 값 = 18 0.29
실시예 6
대규모 절삭 실험을 수행하여 상기 실시예 1 내지 5에 기재된 실험 동안 수득된 결과를 추가로 증명하였다. 특히, 125mm×125mm×300mm 치수를 갖는 규소 잉곳을 마이어-버거(Myer-Burger) 261 와이어쏘를 사용하여 절삭하였다. 와이어쏘는 120㎛의 직경 및 315km의 길이를 갖는 와이어를 장착하였다. 8m/s의 와이어 속도, 23N의 와이어 장력, 400㎛의 와이어 가이드 피치, 약 0.2mm/분의 공급 속도, 5000kg/hr의 슬러리 유속 및 25℃의 슬러리 온도를 사용하여 절삭 공정을 수행하였다.
와이어쏘 절삭 공정 동안 사용된 하나의 수성 조성물은 2% 하이드록시에틸셀룰로오스 증점제(다우 케미칼 컴파니(Dow Chemical Co.)로부터의 제품 번호 WP09H), 300의 분자량을 갖는 6% 폴리(에틸렌 글리콜)(친수성 중합체), 0.2% 서핀올(등록상표명) 420 계면활성제, 약 0.01% 살생물제(로 앤 하스(Rohm and Hass)로부터 카톤(KATHON, 등록상표명) LX로서 시판) 및 50% 탄화규소 연마제(JIS 1200)를 포함한다. 와이어쏘 절삭 공정 동안 및 그 후에 슬러리 탱크의 표면에 형성된 수소 기포의 양을 관찰함으로써 수소 생성의 양을 시각적으로 측정하였다. 이 조성물을 사용하는 와이어 절삭 공정 동안 슬러리 탱크 표면에는 하나의 단층보다 적게 수소 기포가 형성되었다.
와이어쏘 절삭 공정 동안 사용된 또 다른 조성물은 2% 하이드록시에틸셀룰로오스 증점제(다우 케미칼 컴파니로부터의 제품 번호 WP09H), 300의 분자량을 갖는 4% 폴리에틸렌 글리콜 및 50% 탄화규소 연마제(JIS 1200)(계면활성제는 존재하지 않음)를 포함한다. 이 조성물을 사용하는 와이어쏘 절삭 공정 동안 슬러리 탱크 상단에는 상당량의 수소 기포가 형성되었다. 이 조성물을 사용하여 형성된 큰 부피의 수소 기포는 슬러리 관의 측면을 유동하였다. 이러한 부피의 수소 기포는 상술한 조성물을 사용하여 형성된 수소 부피보다 상당히 더 크다. 따라서, 이러한 데이터는 명백하게 친수성 중합체와 계면활성제의 조합물을 포함하는 수소 억제제가 놀랍게도 뛰어난 성능을 제공한다는 것을 가리킨다.

Claims (20)

  1. 미립자 연마제,
    증점제를 함유하는 수성 담체, 및
    수소 소거제
    를 포함하고,
    상기 연마제, 증점제 및 수소 소거제가 조성물의 별도의 구별되는 성분들이고, 수소 소거제가 0.01 내지 4중량%의 양으로 조성물에 함유되는
    수성 와이어쏘 절삭유 조성물.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    증점제가 셀룰로오스 화합물을 포함하는 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    증점제가 담체에 40cP 이상의 점도를 제공하는 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    증점제가 약 0.2 내지 10중량%의 범위의 농도로 존재하는 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서,
    연마제가 탄화규소, 다이아몬드 또는 탄화붕소를 포함하는 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서,
    둘 이상의 수소 소거제를 포함하는 조성물.
  9. 제 1 항에 있어서,
    연마제가 30 내지 60중량%의 범위의 농도로 존재하는 조성물.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 1 항에 있어서,
    약 0.01 내지 4중량%의 산화제를 추가로 포함하는 조성물.
  13. 삭제
  14. 제 1 항에 있어서,
    수소 소거제가 수소 반응성 금속 화합물, 하이드로실릴화 촉매, 유기 전자 전달제 및 규소 반응성 금속 화합물로 이루어진 군 중에서 선택되는 조성물.
  15. 미립자 연마제,
    수성 담체,
    증점제, 및
    수소 반응성 금속 화합물, 규소 반응성 금속 화합물, 하이드로실릴화 촉매 및 유기 전자 전달제로 이루어진 군 중에서 선택되는 하나 이상의 수소 소거제
    를 포함하고,
    상기 연마제, 증점제 및 수소 소거제가 조성물의 별도의 구별되는 성분들이고, 수소 소거제가 0.01 내지 4중량%의 양으로 조성물에 함유되는
    수성 와이어쏘 절삭유 조성물.
  16. 제 15 항에 있어서,
    연마제가 탄화규소, 다이아몬드 또는 탄화붕소를 포함하는 조성물.
  17. 삭제
  18. 제 15 항에 있어서,
    연마제가 30 내지 60중량%의 범위의 농도로 존재하는 조성물.
  19. 제 1 항에 따른 수성 절삭유 조성물 및 와이어쏘를 사용하여 워크피스를 절삭함을 포함하는, 수성 와이어쏘 절삭유를 사용하는 와이어쏘 절삭 공정에서 수소 생성을 경감시키는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    워크피스가 규소를 포함하는 방법.
KR1020117016869A 2008-12-20 2009-12-21 와이어쏘잉용 절삭유 조성물 KR101370101B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US20314308P 2008-12-20 2008-12-20
US61/203,143 2008-12-20
PCT/US2009/068934 WO2010071875A2 (en) 2008-12-20 2009-12-21 Cutting fluid composition for wiresawing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110099748A KR20110099748A (ko) 2011-09-08
KR101370101B1 true KR101370101B1 (ko) 2014-03-04

Family

ID=42269296

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117016869A KR101370101B1 (ko) 2008-12-20 2009-12-21 와이어쏘잉용 절삭유 조성물

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20110240002A1 (ko)
EP (1) EP2376586A4 (ko)
JP (1) JP5698147B2 (ko)
KR (1) KR101370101B1 (ko)
CN (1) CN102257091B (ko)
IL (1) IL213228A (ko)
MY (1) MY158213A (ko)
SG (1) SG172281A1 (ko)
TW (1) TWI486429B (ko)
WO (1) WO2010071875A2 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5464055B2 (ja) * 2009-06-02 2014-04-09 日信化学工業株式会社 水性切削液及び水性切削剤
CN102230282B (zh) * 2010-12-29 2013-10-09 蒙特集团（香港）有限公司 太阳能硅片线切割耐磨钢线的制作方法
JP6204029B2 (ja) * 2013-03-06 2017-09-27 出光興産株式会社 水性加工液
WO2014162945A1 (ja) * 2013-04-05 2014-10-09 パレス化学株式会社 固定砥粒ワイヤーソー用水溶性切断液、それを用いたインゴットの切断方法及びそれによって得られた電子材料用基板
CN104194647B (zh) * 2014-09-02 2016-04-06 蓝思科技股份有限公司 一种加工蓝宝石专用钻石研磨液和研磨膏及它们的制备方法
CN105834840A (zh) * 2015-01-15 2016-08-10 深圳市网印巨星机电设备有限公司 蓝宝石孔加工方法及加工设备
TWI632041B (zh) * 2017-09-11 2018-08-11 環球晶圓股份有限公司 晶棒切割方法及切削磨料套組
JP7330668B2 (ja) * 2018-03-08 2023-08-22 株式会社フジミインコーポレーテッド 表面処理組成物、表面処理組成物の製造方法、表面処理方法および半導体基板の製造方法
CN109161432A (zh) * 2018-07-11 2019-01-08 三峡大学 一种金刚砂线硅片切割液及制备方法
CN111518603B (zh) * 2020-04-07 2023-02-10 广东剑鑫科技股份有限公司 一种水性全合成蓝宝石玻璃切割液及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07157792A (ja) * 1993-11-01 1995-06-20 Xerox Corp 水性ベース切削油剤
JPH10259396A (ja) * 1997-03-21 1998-09-29 Neos Co Ltd ワイヤソー用水溶性切削液
JP2003082380A (ja) 2001-09-07 2003-03-19 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 非引火性水系切削液組成物及び非引火性水系切削液
JP2006088455A (ja) 2004-09-22 2006-04-06 Haruo Okahara シリコン加工用水溶性切削剤組成物及び加工方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54129596A (en) * 1978-03-31 1979-10-08 Caterpillar Mitsubishi Ltd Lapping working method
GB8826857D0 (en) * 1988-11-17 1988-12-21 Bp Chem Int Ltd Water based functional fluids
US5266088A (en) * 1992-09-23 1993-11-30 Nicsand Water-based polish
US5669942A (en) * 1994-03-16 1997-09-23 Mccullough; David Keith Abrasive sanding paste
JP2816940B2 (ja) * 1994-08-25 1998-10-27 信越半導体株式会社 切削液、その製造方法およびインゴットの切断方法
US5693596A (en) * 1994-10-25 1997-12-02 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Cutting fluid, method for production thereof, and method for cutting ingot
JPH1053789A (ja) * 1996-08-12 1998-02-24 Nippei Toyama Corp ワイヤー切断加工機用水性加工液組成物
JP3508970B2 (ja) * 1996-09-05 2004-03-22 東芝セラミックス株式会社 砥粒の水性分散媒組成物及びその切削液を用いるインゴットの切断方法
JP3790314B2 (ja) * 1997-01-16 2006-06-28 三洋化成工業株式会社 ラップ液組成物
JP3869514B2 (ja) * 1997-02-25 2007-01-17 株式会社ネオス ワイヤソー用水溶性切削液
JPH10259395A (ja) * 1997-03-18 1998-09-29 Fujimi Inkooporeetetsudo:Kk 切断用加工液および切断用組成物、ならびにそれを用いた固体材料の切断方法
JP3572180B2 (ja) * 1997-09-29 2004-09-29 ユシロ化学工業株式会社 インゴット切断用砥粒分散媒組成物及びインゴット切断用切削液
JP2000282077A (ja) * 1999-03-31 2000-10-10 Neos Co Ltd シリコンインゴット切断用水溶性加工油剤
JP2001164240A (ja) * 1999-12-06 2001-06-19 Ishii Hyoki Corp 水性切削液
US6602834B1 (en) * 2000-08-10 2003-08-05 Ppt Resaerch, Inc. Cutting and lubricating composition for use with a wire cutting apparatus
JP3768401B2 (ja) * 2000-11-24 2006-04-19 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
US20040025442A1 (en) * 2000-12-15 2004-02-12 Katsura Ito Composition for texturing process
TW575660B (en) * 2001-09-07 2004-02-11 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd Nonflammable water-based cutting fluid composition and nonflammable water-based cutting fluid
JP2003292983A (ja) * 2002-03-29 2003-10-15 Kyodo Yushi Co Ltd 脆性材料用加工油、加工用組成物及び加工方法
US7690968B2 (en) * 2006-08-30 2010-04-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Aqueous fluid compositions for abrasive slurries, methods of production, and methods of use thereof
CA2661780A1 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Concentrated abrasive slurry compositions, methods of production, and methods of use thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07157792A (ja) * 1993-11-01 1995-06-20 Xerox Corp 水性ベース切削油剤
JPH10259396A (ja) * 1997-03-21 1998-09-29 Neos Co Ltd ワイヤソー用水溶性切削液
JP2003082380A (ja) 2001-09-07 2003-03-19 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 非引火性水系切削液組成物及び非引火性水系切削液
JP2006088455A (ja) 2004-09-22 2006-04-06 Haruo Okahara シリコン加工用水溶性切削剤組成物及び加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
MY158213A (en) 2016-09-15
IL213228A0 (en) 2011-07-31
KR20110099748A (ko) 2011-09-08
EP2376586A2 (en) 2011-10-19
CN102257091B (zh) 2014-01-22
US20110240002A1 (en) 2011-10-06
EP2376586A4 (en) 2014-08-20
TW201033343A (en) 2010-09-16
WO2010071875A2 (en) 2010-06-24
JP2012512954A (ja) 2012-06-07
WO2010071875A3 (en) 2010-09-16
JP5698147B2 (ja) 2015-04-08
TWI486429B (zh) 2015-06-01
IL213228A (en) 2015-11-30
SG172281A1 (en) 2011-07-28
CN102257091A (zh) 2011-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101370101B1 (ko) 와이어쏘잉용 절삭유 조성물
EP2488616B1 (en) Cutting fluids with improved performance
JP5464055B2 (ja) 水性切削液及び水性切削剤
JP2015536379A (ja) 水溶性切削流体組成物
JP6204029B2 (ja) 水性加工液
KR20060051695A (ko) 수용성 절단 가공용 오일제, 슬러리 및 절단 가공 방법
KR20120061821A (ko) 실리콘 잉곳 슬라이스용 수용성 절삭액
KR20140018265A (ko) 고정 지립 와이어소용 수용성 가공액
KR20120049216A (ko) 고정 지립 와이어 소용 수용성 가공액
JP5408251B2 (ja) 水性切削剤
KR101505334B1 (ko) 연마제용 캐리어 유체
US8597538B2 (en) Composition for improving dryness during wire sawing
JP5755479B2 (ja) 含水切削液組成物およびその製造方法
KR20120056196A (ko) 웨이퍼 절삭용 환경 친화적 수용성 절삭유 및 이를 포함한 수용성 웨이퍼 절삭액 조성물
JP2015505574A (ja) ウェハ製造のための冷却および／または潤滑液
TW202115232A (zh) 水溶性切削加工液
KR20120035891A (ko) 웨이퍼 절삭용 환경 친화적 수용성 절삭유 및 이를 포함한 수용성 웨이퍼 절삭액 조성물
TW202248406A (zh) 加工液、加工液用組成物及脆性材料加工液組成物
TW201335537A (zh) 用於晶圓製造之冷卻及／或潤滑流體

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee