KR101138474B1 - 리튬 이온 커패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 커패시터 - Google Patents

리튬 이온 커패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 커패시터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 리튬 이온 커패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 커패시터에 관한 것으로, 세퍼레이터의 일면에 리튬 박막을 형성하는 단계; 상기 리튬 박막과 음극을 서로 접촉시키고, 세퍼레이터를 사이에 두며 서로 교대로 상기 음극 및 양극을 배치시켜 전극셀을 형성하는 단계; 및 상기 전극셀 및 전해액을 하우징에 수용하여, 상기 음극에 상기 리튬 박막으로부터 리튬 이온을 프리도핑하는 단계;를 포함하는 리튬 이온 커패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 커패시터를 개시한다.

Description

리튬 이온 커패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 커패시터{Method of manufacturing lithium ion capaciotor and lithium ion capaciotor manufactured using the same}
본 발명은 리튬 이온 커패시터에 관한 것으로, 일면에 배치된 리튬 박막을 구비한 세퍼레이터를 이용하여 음극의 리튬 이온 프리 도핑공정을 수행하는 리튬 이온 커패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 커패시터의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 전기화학적 에너지 저장장치는 모든 휴대용 정보통신기기, 전자기기에 필수적으로 사용되는 완제품 기기의 핵심부품이다. 또한, 전기화학적 에너지 저장장치는 미래형 전기자동차 및 휴대용 전자장치등에 적용될 수 있는 신재생 에너지 분야의 고품질 에너지원으로써 확실하게 사용될 것이다.
전기화학적 에너지 저장장치 중 전기화학 커패시터는 전기이중층 원리를 이용하는 전기이중층 커패시터(Electrical double layer)와 전기화학적 산환-환원 반응을 이용하는 하이브리드 슈퍼 커패시터(Hybrid supercapacitor)로 구분될 수 있다.
여기서, 전기이중층 커패시터는 고출력 에너지 특성을 필요로 하는 분야에서 많이 사용되고 있으나, 전기이중층 커패시터는 작은 용량과 같은 문제점을 가지고 있다. 이에 비하여, 하이브리드 슈퍼 커패시터는 전기이중층 커패시터의 용량 특성을 개선할 새로운 대안으로 많은 연구가 이루어지고 있다.
특히, 하이브리드 슈퍼 커패시터 중 리튬 이온 커패시터(Lithium ion capacitor; LIC)는 음극에 리튬 이온을 도핑함으로써, 전기이중층 커패시터에 비해 3 내지 4배 정도의 충전용량을 가질 수 있어, 큰 에너지 밀도를 가질 수 있다.
여기서, 음극에 리튬이온을 프리 도핑하기 위한 공정은 전극셀의 최상단층과 최하단층에 각각 리튬 금속막을 구비시킨 후, 전해질 용액에 침지시킴으로써 이뤄질 수 있다. 이때, 리튬 금속막은 전극셀의 양단에 각각 구비되므로, 적층된 음극 전체에 리튬이온이 불균일하게 도핑될 뿐만 아니라, 프리 도핑 공정 완료후에 리튬 금속막이 잔존할 수 있어, 리튬 이온 커패시터의 작동시에 리튬 금속이 석출되어, 리튬 이온 커패시터의 신뢰성이 저하될 수 있다.
또한, 리튬 이온이 전극셀의 내부에 구비된 음극에 균일하게 도핑되기 까지의 시간이 20일 정도가 소요되어, 양산 적용에 어려움이 있었다. 즉, 리튬 이온 커패시터는 용량 특성을 향상시키기 위해 음극에 프리도핑공정을 필수적으로 수행해야 하지만, 음극의 프리도핑공정으로 인해 리튬 이온 커패시터의 신뢰성이 저하되거나 양산에 적용하는데 한계가 있었다.
따라서, 고용량의 리튬 이온 커패시터를 양산에 적용하기 위해, 음극에 리튬이온을 균일하게 그리고 빠르게 도핑할 수 있는 새로운 음극 프리 도핑 공정이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명은 리튬 이온 커패시터에서 발생될 수 있는 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 구체적으로 일면에 배치된 리튬 박막을 구비한 세퍼레이터를 이용하여 음극의 리튬 이온 프리 도핑공정을 수행하는 리튬 이온 커패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 커패시터의 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명에 따른 제 1 해결수단으로 리튬 이온 커패시터의 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 제조 방법은 세퍼레이터의 일면에 리튬 박막을 형성하는 단계; 상기 리튬 박막과 음극을 서로 접촉시키고, 세퍼레이터를 사이에 두며 서로 교대로 상기 음극 및 양극을 배치시켜 전극셀을 형성하는 단계; 및 상기 전극셀 및 전해액을 하우징에 수용하여, 상기 음극에 상기 리튬 박막으로부터 리튬 이온을 프리도핑하는 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 음극은 음극집전체와 상기 음극 집전체의 일면에 음극 활물질층을 구비할 수 있다.
또한, 상기 리튬 박막과 음극을 서로 접촉시키고, 세퍼레이터를 사이에 두며 서로 교대로 상기 음극 및 양극을 배치시켜 전극셀을 형성하는 단계에서, 상기 음극 집전체와 상기 리튬 박막은 서로 접촉할 수 있다.
또한, 상기 음극 집전체는 다수의 관통홀을 구비하는 메쉬 타입으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 양극은 양극 집전체와 상기 양극 집전체의 양면에 각각 배치된 양극 활물질층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 양극 집전체는 무공(無孔)의 시트형태를 가질 수 있다.
또한, 상기 리튬 박막은 1 내지 10㎛의 두께 범위를 가질 수 있다.
또한, 상기 세퍼레이터의 일면에 리튬 박막을 형성하는 단계에서, 상기 리튬 박막의 형성은 진공증착법을 통해 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 제 2 해결수단으로 리튬 이온 커패시터를 제공하는 것이다. 상기 리튬 이온 커패시터는 세퍼레이터를 사이에 두고 서로 교대로 배치된 양극 및 음극을 포함하는 리튬 이온 커패시터에 있어서,
상기 양극은 무공(無孔)의 양극 집전체와 상기 양극 집전체의 양면에 각각 배치된 양극 활물질층을 포함하고, 상기 음극은 메쉬 타입의 음극 집전체와 상기 음극 집전체의 일면에 배치된 음극 활물질층을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 음극 활물질층은 리튬이온을 도핑하고 있을 수 있다.
또한, 상기 음극 활물질층은 천연 흑연, 인조 흑연, 흑연화 탄소섬유, 난흑연성 카본, 및 카본나노튜브 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 양극 활물질층은 활성탄을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 리튬 이온 커패시터는 세퍼레이터에 형성된 리튬박막을 이용하여 음극에 직접적으로 리튬 이온을 프리도핑함으로써, 프리 도핑 공정 시간을 단축시킬 수 있으며, 이와 동시에 음극에 균일하게 리튬 이온을 도핑시킬 수 있다.
또한, 음극에 균일하게 그리고 빠르게 리튬 이온을 도핑할 수 있어, 고용량의 리튬 이온 커패시터의 제조가 가능하며, 이와 더불어 신뢰성 및 양산성을 확보할 수 있다.
또한, 전극의 프리 도핑 공정은 전극 셀을 수용하는 하우징 내부에서 수행될 수 있어, 전극의 프리 도핑 공정을 진행하기 위해 별도로 글로브 박스를 구비하지 않아도 되므로, 리튬 이온 커패시터의 공정 단가를 줄일 수 있다.
또한, 양극은 무공의 형태를 갖는 집전체를 구비하여, 리튬 이온 커패시터의 내부 저항을 줄일 수 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 리튬 이온 커패시터의 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 사시도들이다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 리튬 이온 커패시터의 단면도이다.
본 발명의 실시예들은 리튬 이온 커패시터의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다.
따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 리튬 이온 커패시터의 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 사시도들이다.
도 1을 참조하면, 리튬 이온 커패시터(100)를 제조하기 위해, 먼저, 세퍼레이터(113)의 일면에 리튬 박막(114)을 형성한다.
여기서, 세퍼레이터(113)는 후술될 음극(112)과 양극(111)을 서로 전기적으로 분리하는 역할을 할 수 있다. 세퍼레이터(113)는 이온들의 이동을 위해 다공성을 가질 수 있다. 세퍼레이터(113)를 형성하는 재질의 예로서는 종이, 부직포 및 셀룰로오스계 수지등일 수 있으나, 본 발명의 실시예에서 세퍼레이터(113)의 종류에 대해서 한정하는 것은 아니다.
리튬 박막(114)은 후술될 음극(112)으로 리튬 이온을 공급하기 위한 공급원의 역할을 할 수 있다. 여기서, 리튬 박막(114)은 진공증착법을 통해 형성될 수 있다. 이때, 리튬 박막(114)은 1 내지 10㎛의 두께 범위를 가질 수 있다. 여기서, 리튬 박막이 1㎛미만일 경우, 음극(112)에 도핑되기 위한 리튬의 양이 너무 적을 뿐만 아니라 음극 활물질층(112b)과 리튬 박막(114)간의 접촉저항이 증대될 수 있어 프리도핑공정이 잘 이루어지지 않을 수 있다. 반면 10㎛를 초과할 경우, 음극(112)에 프리 도핑공정을 진행한 후 세퍼레이터(113)상에 남겨질 수 있다. 여기서, 리튬 박막(114)의 두께에 대해서 한정하는 것은 아니며, 음극 재료의 재질이나 두께에 따라 변경될 수 있다.
도 2를 참조하면, 한편, 세퍼레이터(113)상에 리튬 박막(114)을 형성하는 것과 별도로 음극(112)을 제공한다. 음극(112)은 음극 집전체(112a)와 음극 집전체(112a)의 일면에 배치된 음극 활물질층(112b)을 포함할 수 있다.
음극 집전체(112a)는 금속, 예컨대 구리, 니켈 및 스테인레스 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 음극 집전체(112a)는 이온의 이동을 효율적으로 수행하며 균일한 도핑 공정을 위해 다수의 관통홀을 구비한 메쉬 형태를 가질 수 있다.
음극 활물질층(112b)은 리튬 이온을 가역적으로 도핑 및 탈도핑할 수 있는 탄소재질, 예컨대 음극 활물질층(112b)은 천연 흑연, 인조 흑연, MCF(Mesophase pitch based carbon fiber), MCMB(MesoCarbon MicroBead, 흑연 휘스커(whisker), 흑연화 탄소섬유, 난흑연성 카본, 폴리아센(polyacene)계 유기반도체, 카본나노튜브, 탄소재질 재료와 흑연재질의 복합 탄소재료, 퍼프릴 알코올(furfuryl alcohol)수지의 열분해물, 노볼락(novolac) 수지의 열분해물, 피치(pitch) 및 코크스등의 축합 다환 탄화수소화물의 열분해물 중 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
이에 더하여, 음극 활물질층(112b)은 바인더를 더 포함할 수 있다. 여기서, 바인더를 형성하는 재질의 예로서는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 및 폴리불화비닐리덴(PVdF)등의 불소계 수지, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에틸렌(PE) 및 폴리프로필렌(PP)등의 열가소성 수지, 카르복시메틸셀룰로오스(CMC)등의 셀룰로오스계 수지, 스틸렌부타디엔고무(SBR)등의 고무계 수지, 에틸렌프로필렌디엔 공중합체(EPDM), 폴리디메틸실록산(PDMS) 및 폴리비닐 피롤리돈(PVP)등에서 하나 또는 둘 이상일 수 있다.
또한, 음극 활물질층(112b)은 카본 블랙과 같은 도전재와 용매를 더 포함할 수 있다.
음극(112)은 외부 전원과 연결되기 위한 음극 단자(130)를 구비할 수 있다. 음극 단자(130)는 음극 집전체(112a)로부터 연장되어 있을 수 있다. 여기서, 음극 단자(130)는 각각의 음극 집전체(112a)로부터 연장되어 다수개로 적층되어 있을 수 있으므로, 외부전원과 용이하게 접촉되기 위해 적층된 음극 단자(130)는 초음파 융착에 의해 일체화될 수 있다. 이에 더하여, 음극 단자(130)는 별도의 외부단자를 구비하여, 음극 단자(130)는 외부단자와 융착 또는 용접에 의해 연결될 수도 있다.
도 3을 참조하면, 음극을 제공하는 것과 별도로 양극(111)을 제공한다.
여기서, 양극(111)은 양극 집전체(111a)와 양극 집전체(111a)의 양면에 각각 배치된 양극 활물질층(111b)을 포함할 수 있다.
양극 집전체(111a)는 알루미늄, 스텐레스, 동, 니켈, 티탄, 탄탈 및 니오브 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 양극 집전체(111a)는 무공(無孔)의 시트형태를 가질 수 있다. 이는, 후속 공정에서 음극에 리튬박막을 직접 접촉하여 프리도핑공정을 진행하므로, 양극 집전체(111a)에 리튬 이온의 이동을 위해 관통홀을 구비할 필요가 없다. 이에 따라, 양극 집전체(111a)는 무공(無孔)의 시트형태를 가짐에 따라, 리튬 이온 커패시터의 내부 저항을 줄일 수 있다.
양극 활물질층(111b)은 이온을 가역적으로 도핑 및 탈도핑할 수 있는 탄소재료, 즉 활성탄을 포함할 수 있다. 이에 더하여, 양극 활물질층(111b)은 바인더를 더 포함할 수 있다. 여기서, 바인더를 형성하는 재질의 예로서는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 및 폴리불화비닐리덴(PVdF)등의 불소계 수지, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에틸렌(PE) 및 폴리프로필렌(PP)등의 열가소성 수지, 카르복시메틸셀룰로오스(CMC)등의 셀룰로오스계 수지, 스틸렌부타디엔고무(SBR)등의 고무계 수지, 에틸렌프로필렌디엔 공중합체(EPDM), 폴리디메틸실록산(PDMS) 및 폴리비닐 피롤리돈(PVP)등에서 하나 또는 둘 이상일 수 있다. 또한, 양극 활물질층(222)은 도전재, 예컨대 카본 블랙 및 용매등을 더 포함할 수 있다.
여기서, 양극(111)은 외부전원과 연결되기 위한 양극 단자(120)를 구비할 수 있다. 양극 단자(120)는 별도의 단자를 융착하여 형성되거나, 양극(111)의 양극 집전체(111a)로부터 연장되어 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 리튬 박막(114)이 형성된 세퍼레이터(113), 양극(111) 및 음극(112)을 제공한 후, 세퍼레이터(113)를 사이에 두고 양극(111) 및 음극(112)을 순차적으로 배치시켜 전극셀(110)을 형성한다. 여기서, 음극(112)으로 리튬이온을 프리도핑시키기 위해, 세퍼레이터(113)의 리튬 박막(114)과 음극(112)의 음극 집전체(112a)를 서로 접촉시킨다. 이는, 음극 활물질층(112b)은 탄소 소재로 이루어졌기 때문에 리튬 박막(114)과 직접 접촉할 경우, 저항의 발생으로 음극 활물질층(112b)으로 리튬 이온을 도핑하기 쉽지 않기 때문이다. 이때, 도체로 이루어진 음극 집전체(112a)와 리튬 박막(114)을 서로 접촉시켜, 음극 활물질층(112b)로 리튬 이온을 도핑시킴에 따라, 도핑시의 저항을 낮출 수 있어 음극 활물질층(112b)으로 리튬 이온이 균일하게 도핑시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 전극셀(110)은 파우치 타입인 것으로 도시 및 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 전극셀(110)은 양극(111), 음극(112) 및 세퍼레이터(113)가 롤 형태로 권취된 권취 타입일 수도 있다.
도 5를 참조하면, 다수로 적층된 음극 단자(130)들 및 다수로 적층된 양극 단자(120)들을 융착하여 각각 일체화시킨다. 여기서, 융착공정 방법의 예로서는 초음파 용접, 레이저 용접 및 스폿 용접등일 수 있으며, 본 발명의 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 이에 더하여, 융착된 음극 단자(130)와 양극단자(120) 각각에 별도로 외부단자와 연결시킬 수도 있다.
전극셀(110)을 형성한 후, 전극셀(110) 및 전해액을 하우징(150)으로 밀봉함으로써, 리튬 이온 커패시터(100)를 형성할 수 있다.
구체적으로, 전극셀(110)의 밀봉 공정을 구체적으로 설명하면, 먼저, 전극셀(110)을 사이에 두고 두장의 라미네이트 필름을 제공한다. 이후, 두 라미네이트 필름을 열융착함으로써, 전극셀(110)은 하우징(150)에 수용될 수 있다. 이때, 융착된 양극 단자(120)들 및 음극 단자(130)들은 외부 전원과 전기적으로 연결되기 위해 하우징(150)으로부터 노출되어 있다.
여기서, 열 융착 공정은 두 라미네이트 필름의 에지를 따라 진행하되, 두 라미네이트 필름사이에 개재된 전극셀(110)에 전해액을 투입하기 위한 틈새를 남겨두도록 진행된다. 틈새를 통해, 하우징(150) 내부로 전해액을 충진할 경우, 전해액을 하우징 내부로 충진할 경우, 전해액은 전극셀(110), 즉 세퍼레이터(113), 음극 활물질층(112b) 및 양극 활물질층(111b)에 함침될 수 있다.
또한, 서로 전기적으로 단락된 리튬 박막(114)과 음극 활물질층(112b)의 전위차이로 인해 리튬이온은 리튬 박막(114)으로부터 음극 집전체(112a)의 관통홀을 통과하여 음극 활물질층(112b)에 프리도핑될 수 있다.
여기서, 전해액은 전해질 및 용매를 포함할 수 있다. 전해질은 염의 상태로, 예컨대 리튬염 또는 암모늄염등일 수 있다. 용매는 비프로톤성 유기용매를 이용할 수 있다. 용매는 전해질의 용해성, 전극과의 반응성, 점성 및 사용온도범위를 고려하여 선택할 수 있다. 용매의 예로서는 프로필렌카보네이트, 디에틸카보네이트, 에틸렌카보네이트, 술포란, 아세톤니트릴, 디메톡시에탄 및 테트라하이드로푸란, 및 에틸메틸카보네이트등일 수 있다. 여기서, 용매는 하나 또는 둘 이상을 혼합하여 사용될 수 있다. 예컨대, 용매는 에틸렌 카본과 에틸메틸카보네이트를 혼합하여 사용할 수 있다. 이때 에틸렌 카본과 에틸메틸카보네이트의 혼합비는 1:1 내지 1:2일 수 있다.
전해액의 충진을 완료한 후, 틈새를 진공 밀봉시킴으로써, 리튬 이온 커패시터(100)를 형성할 수 있다.
여기서, 하우징(150)은 라미네이트 필름을 이용하여 형성하는 것으로 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니며, 금속캔을 이용할 수도 있다.
본 발명의 실시예에서와 같이, 세퍼레이터를 통해 적층된 음극(112)들에 각각 리튬 박막을 직접적으로 접촉시켜 리튬 이온을 프리 도핑시킴으로써, 프리 도핑공정 시간을 단축할 수 있다. 이에 따라, 리튬 이온 캐패시터의 양산성을 높일 수 있다.
또한, 음극(112)의 프리 도핑 공정은 하우징(150) 내부에서 수행될 수 있어, 음극(112)의 프리 도핑 공정을 위한 글로브 박스를 구비하지 않아도 되므로, 생산설비 투자를 축소할 수 있어, 결국 리튬 이온 커패시터의 생산 비용을 줄일 수 있다.
또한, 음극(112)에 리튬 박막(114)을 직접적으로 접촉시켜 리튬 이온을 프리 도핑시킴으로써, 리튬 이온이 양극 집전체(111a)를 이동하지 않아도 되므로, 양극 집전체(111a)는 무공의 시트 형태를 가질 수 있어, 리튬 이온 커패시터의 저항을 줄일 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 리튬 이온 커패시터는 3.8V부터 2.0까지 높은 전압 범위에서 60℃ 사이클에 우수하며 큰 용량을 얻을 수 있었다. 이에 따라, 2차의 프리 도핑 공정으로 음극에 리튬 이온을 프리 도핑함으로써, 에너지 밀도를 향상시키며, 신뢰성을 확보할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.
이하, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 리튬 이온 커패시터의 제조 방법을 통해 제조된 리튬 이온 커패시터에 대해 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 리튬 이온 커패시터의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 리튬 이온 커패시터는 전극 셀(110) 및 전해액에 함침된 전극셀(110)을 밀봉하는 하우징(도 6의 150)을 포함할 수 있다.
여기서, 전극셀(110)은 세퍼레이터(110)를 사이에 두고 교대로 배치된 양극(111)과 음극(112)을 구비할 수 있다.
양극(111)은 양극 집전체(111a)와 양극 집전체(111a)의 양면에 각각 배치된 양극 활물질층(111b)을 포함할 수 있다. 여기서, 음극(112)의 프리 도핑공정이 음극(112)에 리튬 박막(114)을 직접적으로 접촉시켜 수행되므로, 리튬 이온이 양극 집전체(111a)를 통과할 필요가 없으므로, 양극 집전체(111a)는 무공(無孔)의 시트형태를 가질 수 있다. 이에 따라, 리튬 이온 캐패시터(100)의 내부 저항을 낮출 수 있다.
양극 활물질층(111b)은 리튬 이온을 가역적으로 도핑 및 탈도핑할 수 있는 탄소재질, 예컨대 활성탄을 포함할 수 있다.
양극(111)은 양극 집전체(111a)의 일측에 배치된 양극 단자(120)를 구비할 수 있다.
음극(112)은 음극 집전체(112a)와 음극 집전체(112a)의 일면에 배치된 음극 활물질층(112b)을 포함할 수 있다. 이는 음극의 프리도핑공정에서 음극 활물질층(112b)과 리튬 박막간의 저항을 낮추기 위해, 음극 집전체(112a)와 리튬 박막을 서로 접촉시키기 위함이다.
여기서, 음극 집전체(112a)로 사용되는 재질의 예로서는 구리 및 니켈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일일 수 있다. 음극 집전체(112a)는 음극 활물질층(112b)으로 리튬 이온을 이동시키기 위해 다수의 관통홀을 갖는 메쉬 형태를 가질 수 있다.
음극 활물질층은 리튬 이온을 가역적으로 도핑 및 탈도핑할 수 있는 탄소재질, 예컨대 천연 흑연, 인조 흑연, 흑연화 탄소섬유, 난흑연성 카본, 및 카본나노튜브 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 이때, 음극 활물질층(112b)에 리튬이온이 프리도핑되어 있어, 음극 활물질층(112b)의 전위는 리튬을 기준으로 OV에 근접할 수 있으므로, 리튬 이온 커패시터의 에너지 밀도를 증대시키며 충방전 사이클 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 이때, 음극 활물질층(112b)의 전위는 리튬 이온의 프리도핑공정의 제어를 통해 적용 제품에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
음극(112)은 음극 집전체(112a)의 일측에 배치된 음극 단자(130)를 구비할 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에서와 같이, 음극은 음극 집전체의 일면에만 음극 활물질층을 구비함에 따라, 종래 두께를 유지하며 리튬 이온 커패시터에 적층되는 전극수를 증대시킬 수 있으므로 리튬 이온 커패시터의 내부 저항을 낮출 수 있다.
100 : 리튬 이온 커패시터 110 : 전극셀
111 : 양극 112 : 음극
113 : 세퍼레이터 114 : 리튬 박막
120 : 양극 단자 130 : 음극 단자
150 : 하우징

Claims (12)

  1. 세퍼레이터의 일면에 리튬 박막을 형성하는 단계;
    상기 리튬 박막과 음극을 서로 접촉시키고, 세퍼레이터를 사이에 두며 서로 교대로 상기 음극 및 양극을 배치시켜 전극셀을 형성하는 단계; 및
    상기 전극셀을 하우징에 수용하고 상기 하우징 내부에 전해액을 충진하여, 상기 리튬 박막으로부터 상기 음극으로 리튬 이온을 프리도핑하는 단계;
    를 포함하는 리튬 이온 커패시터의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 음극은 음극집전체와 상기 음극 집전체의 일면에 음극 활물질층을 구비하는 리튬 이온 커패시터의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 리튬 박막과 음극을 서로 접촉시키고, 세퍼레이터를 사이에 두며 서로 교대로 상기 음극 및 양극을 배치시켜 전극셀을 형성하는 단계에서,
    상기 음극 집전체와 상기 리튬 박막은 서로 접촉하는 리튬 이온 커패시터의 제조 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 음극 집전체는 다수의 관통홀을 구비하는 메쉬 타입으로 형성된 리튬 이온 커패시터의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 양극은 양극 집전체와 상기 양극 집전체의 양면에 각각 배치된 양극 활물질층을 포함하는 리튬 이온 커패시터의 제조 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 양극 집전체는 무공(無孔)의 시트형태를 갖는 리튬 이온 커패시터의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 리튬 박막은 1 내지 10㎛의 두께 범위를 갖는 리튬 이온 커패시터의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 세퍼레이터의 일면에 리튬 박막을 형성하는 단계에서,
    상기 리튬 박막의 형성은 진공증착법을 통해 형성하는 리튬 이온 커패시터의 제조 방법.
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