KR101108811B1 - 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 캐패시터 - Google Patents

리튬 이온 캐패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 캐패시터 Download PDF

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Abstract

본 발명은 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 캐패시터에 관한 것으로, 세퍼레이터, 양극단자를 구비한 양극, 세퍼레이터, 리튬포일, 음극단자를 구비한 음극 및 리튬포일을 순차적으로 적층하여 예비 전극 적층체를 형성하는 단계; 상기 예비 전극 적층체의 양극단자와 음극단자를 각각 용접하여 전극 적층체를 형성하는 단계; 상기 전극 적층체를 전해질 용액에 침지시켜, 상기 리튬 포일로부터 상기 음극에 리튬이온을 프리 도핑하는 단계; 및 상기 프리도핑된 상기 음극을 포함한 상기 전극 적층체를 실링하는 단계;를 포함할 수 있다.

Description

리튬 이온 캐패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 캐패시터{Method of manufacturing lithium ion capacitor and lithium ion capacitor obtained by the method}
본 발명은 리튬 이온 캐패시터에 관한 것으로, 음극에 리튬 포일을 직접적으로 접촉시켜 음극에 리튬이온을 프리 도핑하는 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 캐패시터에 관한 것이다.
일반적으로, 전기화학적 에너지 저장장치는 모든 휴대용 정보통신기기, 전자기기에 필수적으로 사용되는 완제품 기기의 핵심부품이다. 또한, 전기화학적 에너지 저장장치는 미래형 전기자동차 및 휴대용 전자장치등에 적용될 수 있는 신재생 에너지 분야의 고품질 에너지원으로써 확실하게 사용될 것이다.
전기화학적 에너지 저장장치 중 전기화학 캐패시터는 전기이중층 원리를 이용하는 전기이중층 커패시터(Electrical double layer)와 전기화학적 산환-환원 반응을 이용하는 하이브리드 슈퍼 캐패시터(Hybrid supercapacitor)로 구분될 수 있다.
여기서, 전기이중층 커패시터는 고출력 에너지 특성을 필요로 하는 분야에서 많이 사용되고 있으나, 전기이중층 커패시터는 작은 용량과 같은 문제점을 가지고 있다. 이에 비하여, 하이브리드 슈퍼 캐패시터는 전기이중층 커패시터의 용량 특성을 개선할 새로운 대안으로 많은 연구가 이루어지고 있다. 특히, 하이브리드 슈퍼 캐패시터 중 리튬 이온 캐패시터(Lithium ion capacitor; LIC)는 전기이중층 캐패시터에 비해 3 내지 4배 정도의 축적용량을 가질 수 있다.
리튬 이온 캐패시터를 형성하기 위한 공정은 시트형태를 갖는 양극, 분리막 및 음극을 순차적으로 적층하여 전극 적층체를 형성하는 적층공정, 양극의 단자들과 음극의 단자들을 각각 용접하는 용접공정, 음극에 리튬이온을 프리 도핑하기 위한 전처리 도핑공정 및 전극 적층체를 알루미늄으로 실링하는 실링공정을 포함할 수 있다.
여기서, 음극에 리튬이온을 프리 도핑하기 위한 공정은 전극 적층체의 최상단층과 최하단층에 각각 리튬 금속막을 구비시킨 후, 전해질 용액에 침지시킴으로써 이뤄질 수 있다.
이때, 프리 도핑 공정에서 리튬 이온이 음극에 원활하게 공급되기 위해, 양극 및 음극에 구비된 집전체는 메쉬형태로 가질 수 밖에 없어, 리튬 이온 캐패시터의 내부 저항이 높아지는 문제점이 있었다.
또한, 리튬 금속막은 전극 적층체의 양단에 각각 구비되므로, 적층된 음극 전체에 리튬이온이 균일하게 도핑되는데 어려움이 있었다.
또한, 리튬이온이 전극 적층체의 내부에 구비된 음극에 균일하게 도핑되기 까지의 시간이 20일 정도가 소요되어, 양산 적용에 어려움이 있었다.
따라서, 본 발명은 리튬 이온 캐패시터에서 발생될 수 있는 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 구체적으로 음극에 리튬 포일을 직접적으로 접촉시켜 음극에 리튬이온을 프리 도핑하는 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법 및 이로부터 제조된 리튬 이온 캐패시터를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 목적은 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 제조 방법은 세퍼레이터, 양극단자를 구비한 양극, 세퍼레이터, 리튬포일, 음극단자를 구비한 음극 및 리튬포일을 순차적으로 적층하여 예비 전극 적층체를 형성하는 단계; 상기 예비 전극 적층체의 양극단자와 음극단자를 각각 용접하여 전극 적층체를 형성하는 단계; 상기 전극 적층체를 전해질 용액에 침지시켜, 상기 리튬 포일로부터 상기 음극에 리튬이온을 프리 도핑하는 단계; 및 상기 프리도핑된 상기 음극을 포함한 상기 전극 적층체를 실링하는 단계;를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 음극은 음극 집전체와 상기 음극 집전체의 양면에 각각 구비된 음극 활물질층을 구비하며, 상기 음극 활물질층은 상기 집전체의 적어도 일부를 노출하도록 형성할 수 있다.
또한, 상기 리튬 포일은 상기 음극 활물질층상에 배치되며 상기 음극 활물질층으로부터 노출된 상기 음극 집전체와 적어도 일부와 접촉할 수 있다.
또한, 상기 음극 집전체는 무공(無孔)의 시트형태를 가질 수 있다.
또한, 상기 음극 집전체는 구리 및 니켈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일로 형성할 수 있다.
또한, 상기 리튬 포일은 상기 음극 집전체에 대해 1/10의 두께를 가질 수 있다.
또한, 상기 양극은 양극 집전체와 상기 양극 집전체의 양면에 각각 구비된 양극 활물질층을 구비할 수 있다.
또한, 상기 양극 집전체는 무공(無孔)의 시트형태를 가질 수 있다.
또한, 상기 양극 집전체는 알루미늄, 티탄, 니오브 및 탄탈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일로 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 제조 방법으로부터 제조된 리튬 이온 캐패시터를 제공하는 것이다. 상기 리튬 이온 캐패시터는 세퍼레이터, 양극단자를 구비한 양극, 세퍼레이터, 음극단자를 구비한 음극을 순차적으로 적층한 전극 적층체; 및 상기 전극 적층체를 밀봉하는 외장 라미네이트 필름;을 포함하며,
상기 음극은 음극 집전체와 상기 음극 집전체의 양면에 각각 구비된 음극 활물질층을 구비하며, 상기 음극 활물질층은 상기 집전체의 적어도 일부를 노출하도록 형성될 수 있다.
여기서, 상기 음극 집전체는 무공(無孔)의 시트형태를 가질 수 있다.
또한, 상기 음극 집전체는 구리 및 니켈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일로 형성할 수 있다.
또한, 상기 양극은 양극 집전체와 상기 양극 집전체의 양면에 각각 구비된 양극 활물질층을 구비할 수 있다.
또한, 상기 양극 집전체는 무공(無孔)의 시트형태를 가질 수 있다.
또한, 상기 양극 집전체는 알루미늄, 티탄, 니오브 및 탄탈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일로 형성할 수 있다.
본 발명의 리튬 이온 캐패시터는 음극에 리튬 포일을 직접적으로 접촉시켜 리튬 이온을 프리 도핑시킴으로써, 프리도핑공정 시간을 단축할 수 있어, 양산적용이 가능해질 수 있다.
또한, 본 발명의 리튬 이온 캐패시터는 음극에 리튬 포일을 직접적으로 접촉시켜 집전체를 무공의 형태로 가져갈 수 있으므로, 리튬 이온 캐패시터의 내부 저항을 낮출 수 있다.
또한, 본 발명의 리튬 이온 캐패시터는 음극에 리튬 포일을 직접적으로 접촉시켜 각 음극에 균일하게 리튬 이온을 프리 도핑시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 리튬 이온 캐패시터는 음극에 리튬 포일을 직접적으로 접촉시켜 리튬 이온을 프리 도핑시킴으로써, 리튬 이온이 집전체나 세퍼레이터를 이동하지 않아도 되므로, 집전체나 세퍼레이터에 대한 선택 자유도를 높일 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 리튬 이온 캐패시터의 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 공정도들이다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 리튬 이온 캐패시터를 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
본 발명의 실시예들은 리튬 이온 캐패시터의 제조를 위한 지그의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다.
따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 리튬 이온 캐패시터의 제조 공정을 설명하기 위해 도시한 공정도들이다. 여기서, 도 1은 예비 전극 적층체의 분해사시도이며, 도 2는 도 1 에 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 리튬 이온 캐패시터(100)를 제조하기 위해, 먼저, 세퍼레이터(110), 양극(120), 세퍼레이터(110), 리튬 포일(130), 음극(140), 리튬 포일(130)을 순차적으로 적층하여, 예비 전극 적층체(150a)를 형성한다.
여기서, 세퍼레이터(110)는 음극(140)과 양극(120)을 분리하는 역할을 할 수 있다. 세퍼레이터(110)는 종이 또는 부직포일 수 있으나, 본 발명의 실시예에서 세퍼레이터(110)의 종류에 대해서 한정하는 것은 아니다.
양극(120)은 양극 집전체(120a)와 양극 집전체(120a)의 양면에 각각 배치된 양극 활물질층(120b)을 포함할 수 있다. 여기서, 양극(120)은 양극 집전체(120a)와 전기적으로 연결된 양극 단자(120c)를 구비할 수 있다. 이때, 양극 집전체(120a)와 양극 단자(120c)는 일체로 이루어질 수 있다.
또한, 양극 집전체(120a)는 알루미늄, 티탄, 니오브 및 탄탈 중 적어도 어느 하나 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일로 이루어질 수 있다. 이때, 양극 집전체(120a)는 리튬 이온 캐패시터(100)의 내저항을 낮추기 위해 메쉬형태가 아닌, 즉 무공(無孔)의 시트 형태를 가질 수 있다.
또한, 양극 활물질층(120b)은 리튬 이온을 가역적으로 도핑 및 탈도핑할 수 있는 탄소재료, 즉 활성탄을 포함할 수 있다. 이에 더하여, 양극 활물질층(120b)은 바인더를 더 포함할 수 있다.
음극(140)은 음극 집전체(140a)와 음극 집전체(140a)의 양면에 각각 배치된 음극 활물질층(140b)을 포함할 수 있다.
여기서, 음극(140)은 음극 집전체(140a)와 전기적으로 연결된 음극 단자(140c)를 구비할 수 있다. 이때, 음극 집전체(140a)와 음극 단자(140c)는 일체로 이루어질 수 있다.
또한, 음극 집전체(140a)는 구리 및 니켈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일로 이루어질 수 있다. 이때, 음극 집전체(140a)는 리튬 이온 캐패시터의 내저항을 낮추기 위해 메쉬형태가 아닌, 즉 무공(無孔)의 시트 형태를 가질 수 있다.
또한, 음극 활물질층(140b)은 리튬 이온을 가역적으로 도핑 및 탈도핑할 수 있는 탄소재질, 예컨대 그라파이터(graphite)로 이루어질 수 있다. 이에 더하여, 음극 활물질층(140b)은 바인더를 더 포함할 수도 있다.
이때, 음극 활물질층(140b)은 음극 집전체(140a)의 적어도 일부를 노출하도록 형성할 수 있다. 이는, 음극 집전체(140a)와 리튬 포일(130)을 직접적으로 접촉시키기 위함이다.
리튬 포일(130)은 음극(140)에 리튬 이온을 공급하기 위한 공급원의 역할을 할 수 있다. 여기서, 리튬 포일(130)은 적층된 음극(140)들에 각각 직접적으로 접촉하게 된다. 즉, 리튬 포일(130)은 음극(140)의 양면에 각각 배치될 수 있다.
리튬 포일(130)은 음극(140), 즉 음극 활물질층(140b)에 대해 1/5이하의 두께를 가질 수 있다. 예컨대, 리튬 포일(130)은 100nm 이하의 두께를 가질 수 있다. 이는, 리튬 포일(130)이 프리 도핑공정에서 모두 소멸되어, 음극(140)에 도핑시키기 위함이다.
리튬 포일(130)은 음극 활물질층(140b)에 직접적으로 접촉함과 동시에 리튬 포일(130)의 일부는 음극 활물질층(140b)으로부터 노출된 음극 집전체(140a)와 접촉시킬 수 있다. 이는, 음극 활물질층(140b)은 탄소 소재로 리튬 포일과 접촉할 때 저항의 발생으로 음극 활물질층(140b)으로 리튬 이온을 도핑하기 쉽지 않기 때문이다. 즉, 도체로 이루어진 음극 집전체(140a)와 리튬 포일(130) 사이에 음극 활물질층(140b)이 개재되므로, 음극 활물질층(140b)에 리튬 이온이 용이하게 도핑될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 양극(120)과 음극(140)은 적어도 2 회로 적층된 것으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3을 참조하면, 예비 전극 적층체(150a)의 양극 단자(120c)와 음극 단자(140c)를 각각 용접하여, 전극 적층체(150)를 형성할 수 있다. 여기서, 용접공정은 초음파 용접을 통해 수행될 수 있으나, 본 발명의 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다.
이후, 외장 라미네이트 필름160)을 이용하여 전극 적층체(150)를 포장한다. 여기서, 외장 라미네이트 필름160)은 알루미늄으로 이루어질 수 있으며, 본 발명의 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다.
전극 적층체(150)의 포장을 하기 위해, 먼저, 전극 적층체(150)를 사이에 두고 상, 하부에 각각 외장 라미네이트 필름160)을 제공한다. 이후, 두 외장 라미네이트 필름160)을 열융착함으로써, 전극 적층체(150)는 외장 라미네이트 필름160)에 의해 포장될 수 있다. 이때, 열 융착 공정은 전극 적층체(150)로 전해액을 공급하기 위한 투입구(160a)를 남겨두도록 한다.
여기서, 전해액은 리튬 이온을 이동시킬 수 있는 매질의 역할을 하는 것으로, 고전압에서 전기분해를 일으키지 않아 리튬 이온을 안정하게 존재할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 전해액은 리튬염이 용해된 용매를 포함할 수 있다. 리튬염의 예로서는 LiPF6, LiBF4 및 LiClO4등일 수 있다. 또한, 용매의 예로서는 비프로톤성 유기용매일 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에서, 전해액의 재질에 대해서 한정하는 것은 아니다.
도 4를 참조하면, 투입구(160a)로 전해액을 투입함으로써, 전극 적층체(150)는 전해액에 함침될 수 있다. 이때, 전해액에 리튬 포일(130)이 용해되어 음극(140)으로 도핑될 수 있다.
이와 같이, 음극(140)에 리튬 이온을 프리 도핑시켜, 음극(140)의 전위를 0V근방까지 낮출 수 있어, 충전 전압을 높일 수 있다.
도 5를 참조하면, 전해액을 투입한 후, 투입구(160a)를 진공 밀봉시킴으로써, 리튬 이온 캐패시터를 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 음극(140)의 프리도핑은 전극 적층체(150)를 외장 라미네이터 필름(160)을 이용하여 일부를 실링한 후, 내부로 전해액을 투입하여 수행하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 음극(140)의 프리도핑은 전극 적층체(150)를 전해액에 함침한 후, 전해액으로붜 전극 적층체(150)를 꺼낸 후 밀봉할 수도 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에서와 같이, 적층된 음극(140)들에 각각 리튬 포일(130)을 직접적으로 접촉시켜 리튬 이온을 프리 도핑시킴으로써, 프리 도핑공정 시간을 단축할 수 있다. 이에 따라, 리튬 이온 캐패시터의 양산성을 높일 수 있다.
또한, 음극(140)에 리튬 포일(130)을 직접적으로 접촉시켜 음극 집전체(140a) 및 양극 집전체(120a)를 무공의 형태로 가져갈 수 있으므로, 리튬 이온 캐패시터의 내부 저항을 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 각 음극(140)에 균일하게 리튬 이온을 프리 도핑시킬 수 있다.
또한, 음극(140)에 리튬 포일(130)을 직접적으로 접촉시켜 리튬 이온을 프리 도핑시킴으로써, 리튬 이온이 음극 집전체(140a), 양극 집전체(120a)나 세퍼레이터(110)를 이동하지 않아도 되므로, 음극 집전체(140a), 양극 집전체(120a) 및 세퍼레이터(110)의 형태에 대한 선택 자유도를 높일 수 있다.
이하, 본 발명의 제 1 실시예에 따라 제조된 리튬 이온 캐패시터의 구조를 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 리튬 이온 캐패시터를 설명하기 위해 도시한 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 리튬 이온 캐패시터(100)는 전극 적층체(150) 및 전해액에 함침된 전극 적층체(150)를 밀봉하는 외장 라미네이트 필름160)을 포함할 수 있다.
여기서, 전극 적층체(150)는 순차적으로 적층된 세퍼레이터(110), 양극(120), 세퍼레이터(110), 및 음극(140)을 구비할 수 있다.
양극(120)은 양극 집전체(120a)와 양극 집전체(120a)의 양면에 각각 배치된 양극 활물질층(120b)을 포함할 수 있다. 양극(120)은 양극 집전체(120a)로부터 돌출된 양극 단자(120c)를 구비할 수 있다. 여기서, 음극(140)의 프리 도핑공정이 음극(140)에 리튬 포일(130)을 직접적으로 접촉시켜 수행되므로, 리튬 이온이 양극 집전체(120a)를 통과할 필요가 없으므로, 양극 집전체(120a)는 무공(無孔)의 시트형태를 가질 수 있다. 이에 따라, 리튬 이온 캐패시터(100)의 내부 저항을 낮출 수 있다. 양극 집전체(120a)로 사용되는 재질의 예로서는 알루미늄, 티탄, 니오브 및 탄탈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일일 수 있다.
음극(140)은 음극 집전체(140a)와 음극 집전체(140a)의 양면에 각각 배치된 음극 활물질층(140b)을 포함할 수 있다. 음극(140)은 음극 집전체(140a)로부터 돌출된 음극 단자(140c)를 구비할 수 있다. 이때, 음극 집전체(140a)의 일부는 음극 활물질층(140b)으로부터 노출될 수 있다. 이는, 제조공정에서 설명한 것과 같이, 리튬 포일(130)과 음극 집전체(140a)를 접촉시켜, 리튬 포일(130)로부터 음극 활물질층(140b)으로 용이하게 도핑하기 위함이다.
여기서, 음극(140)의 프리 도핑공정이 음극(140)에 리튬 포일(130)을 직접적으로 접촉시켜 수행되므로, 리튬 이온이 음극 집전체(140a)를 통과할 필요가 없으므로, 음극 집전체(140a)는 무공(無孔)의 시트형태를 가질 수 있다. 이에 따라, 리튬 이온 캐패시터(100)의 내부 저항을 낮출 수 있다. 여기서, 음극 집전체(140a)로 사용되는 재질의 예로서는 구리 및 니켈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일일 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에서와 같이, 음극에 리튬 이온을 균일하게 프리 도핑시킴으로써, 리튬 이온 캐패시터의 충전 전압을 높일 수 있다.
100 : 리튬 이온 캐패시터
110 : 세퍼레이터
120 : 양극
130 : 리튬 포일
140 : 음극
150 : 전극 적층체
160 : 외장 라미네이트 필름

Claims (15)

  1. 세퍼레이터, 양극단자를 구비한 양극, 세퍼레이터, 리튬포일, 음극단자를 구비한 음극 및 리튬포일을 순차적으로 적층하여 예비 전극 적층체를 형성하는 단계;
    상기 예비 전극 적층체의 양극단자와 음극단자를 각각 용접하여 전극 적층체를 형성하는 단계;
    상기 전극 적층체를 전해질 용액에 침지시켜, 상기 리튬 포일로부터 상기 음극에 리튬이온을 프리 도핑하는 단계; 및
    상기 프리도핑된 상기 음극을 포함한 상기 전극 적층체를 실링하는 단계;
    를 포함하며,
    상기 음극은 무공(無孔)의 시트 형태를 갖는 음극 집전체와 상기 음극 집전체의 양면에 각각 음극 활물질층을 구비하는 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 음극 활물질층은 상기 집전체의 적어도 일부를 노출하도록 형성하는 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 리튬 포일은 상기 음극 활물질층상에 배치되며 상기 음극 활물질층으로부터 노출된 상기 음극 집전체와 적어도 일부와 접촉하는 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 음극 집전체는 구리 및 니켈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일로 형성하는 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 리튬 포일은 상기 음극 집전체에 대해 1/10의 두께를 갖는 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 양극은 양극 집전체와 상기 양극 집전체의 양면에 각각 구비된 양극 활물질층을 구비하는 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 양극 집전체는 무공(無孔)의 시트형태를 갖는 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 양극 집전체는 알루미늄, 티탄, 니오브 및 탄탈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일로 형성하는 리튬 이온 캐패시터의 제조 방법.
  10. 세퍼레이터, 양극단자를 구비한 양극, 세퍼레이터, 음극단자를 구비한 음극을 순차적으로 적층한 전극 적층체; 및
    상기 전극 적층체를 밀봉하는 외장 라미네이트 필름;
    을 포함하며,
    상기 음극은 무공(無孔)의 시트형태를 갖는 음극 집전체와 상기 음극 집전체의 양면에 각각 구비된 음극 활물질층을 구비하며, 상기 음극 활물질층은 상기 집전체의 적어도 일부를 노출하도록 형성된 리튬 이온 캐패시터.
  11. 삭제
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 음극 집전체는 구리 및 니켈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일로 형성하는 리튬 이온 캐패시터.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 양극은 양극 집전체와 상기 양극 집전체의 양면에 각각 구비된 양극 활물질층을 구비하는 리튬 이온 캐패시터.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 양극 집전체는 무공(無孔)의 시트형태를 갖는 리튬 이온 캐패시터.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 양극 집전체는 알루미늄, 티탄, 니오브 및 탄탈 중 적어도 어느 하나로 이루어진 포일로 형성하는 리튬 이온 캐패시터.
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