KR101115659B1 - 기판 탑재대, 기판 처리 장치 및 피처리 기판의 온도 제어 방법 - Google Patents

기판 탑재대, 기판 처리 장치 및 피처리 기판의 온도 제어 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101115659B1
KR101115659B1 KR1020090009726A KR20090009726A KR101115659B1 KR 101115659 B1 KR101115659 B1 KR 101115659B1 KR 1020090009726 A KR1020090009726 A KR 1020090009726A KR 20090009726 A KR20090009726 A KR 20090009726A KR 101115659 B1 KR101115659 B1 KR 101115659B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
mounting table
cooling gas
convex portion
board
Prior art date
Application number
KR1020090009726A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090086171A (ko
Inventor
야스하루 사사키
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20090086171A publication Critical patent/KR20090086171A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101115659B1 publication Critical patent/KR101115659B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

정전 척을 구비한 기판 탑재대에 있어서는 정전 척 전극으로의 급전선의 주위를 절연재료로 둘러싸기 때문에, 전열이 나쁜 부분이 생긴다. 그래서, 이 부분의 전열을 보상하여, 기판 전체의 온도를 균일하게 하는 수단을 제공한다. 급전선 주위의 기판 탑재대 표면에 환상 볼록부를 형성하여, 기판과 탑재대의 간극의 공간을 내측 영역과 외측 영역으로 구획하고, 각 영역에 냉각 가스의 공급관과 배출관을 배치하여, 각각의 영역의 냉각 가스 압력을 독립적으로 제어할 수 있게 한다.

Description

기판 탑재대, 기판 처리 장치 및 피처리 기판의 온도 제어 방법{SUBSTRATE MOUNTING TABLE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL METHOD}
본 발명은 정전 척을 구비한 반도체 웨이퍼 등의 기판의 탑재대에 관한 것으로서, 정전 척에 있어서의 급전선 주위의 열전도의 특이성에 의한 기판온도의 불균일을 해소할 수 있는 기판 탑재대, 이 탑재대를 구비한 기판 처리 장치 및 피처리 기판의 온도 제어 방법에 관한 것이다．
반도체 웨이퍼 등의 기판의 처리 장치에 있어서는 기판을 유지?고정시키기 위해 정전 척이 이용되는 경우가 많다. 정전 척은 기판의 탑재대 표면을 유전체로 구성하고, 그 바로 아래에 금속성의 전극판을 매립하며, 이 전극판에 직류 고전압을 인가하고, 쿨롱력 또는 죤슨?라벡력에 의해, 기판을 흡착 유지하는 것이다.
또한, 플라즈마 처리 장치에 있어서는 피처리 기판인 웨이퍼가 위쪽으로부터 열을 받기 때문에, 기판의 탑재대를 열전도율이 높은 재료 예를 들면 금속으로 구성하고, 그 내부에 냉매유로를 마련해서 탑재대를 냉각하는 동시에, 탑재대와 웨이 퍼 이면의 간극에 He 가스 등의 열전달용 가스를 도입하여, 웨이퍼의 냉각을 촉진시키고 있다.
정전 척의 전극판에는 전원으로부터 인가 전압을 공급하기 위해 급전선이 부착되어 있다. 이 급전선은 예를 들면 하기 특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이 탑재대 중앙부에 마련되는 경우와, 예를 들면 하기 특허문헌 2와 같이 탑재대 주연부에 마련되는 경우가 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허공개공보 제 2000-317761 호
[특허문헌 2] 일본 특허공개공보 제 2001-274228 호
정전 척의 전극판에 인가되는 전압이 고전압이기 때문에, 급전선의 주위는 절연재료로 구성하지 않으면 안 된다. 일반적으로 절연재료는 열전도율도 낮기 때문에, 급전선 주위의 절연재의 부분과, 그 이외의 고열전도율 재료의 부분에서, 기판으로부터 탑재대에 열전도량이 다르다고 하는 문제가 생긴다. 즉, 급전선의 주위는 냉매로의 전열량이 적고, 탑재대 표면 온도가 높아진다. 그 때문에, 기판으로부터 탑재대로의 발열량이 작아지고, 기판 온도가 다른 부분보다 높게 되어 버린다. 이것에 의해 플라즈마 에칭 등의 처리를 했을 때에, 급전선의 주위와 그 밖의 부분에서 에칭 등의 처리 특성에 차가 생길 우려가 있어, 바람직하지 못하다.
그래서, 본 발명은 플라즈마 처리를 실행하는 감압 챔버내에 있어서, 정전 척에 의해 피처리 기판을 흡착?유지하는 기판 탑재대로서, 정전 척의 급전선 주위와 그 밖의 부분에서, 기판으로부터의 발열량을 원하는 값으로 제어해서, 기판 전체의 온도를 대략 균일하게 할 수 있는 기판 탑재대와 온도 제어 방법을 제공하는 것을 과제로 하고 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 기판 탑재대는 기판을 플라즈마 처리하는 처리 챔버내에 마련되고, 급전선 주위가 절연재료로 구성된 급전부와 내부에 냉각 매체 유로를 구비한 기판 탑재대로서, 상기 탑재대의 기판 탑재면측을 복수의 영역으로 칸막이하는 볼록부와, 상기 볼록부에 의해 칸막이된 영역에 냉각 가스를 도입하는 도입구와, 상기 냉각 가스의 압력 또는 유량을 조절하는 조절 수단을 마련한 것을 특징으로 한다.
이 탑재대는 상기 볼록부에 의해 칸막이된 복수의 영역의 각각에, 상기 냉각 가스의 도입구와 배출구를 포함하는 가스 유로가 형성되어 있는 것이어도 좋다.
또한, 이 탑재대에 있어서는 상기 영역의 면적은 상기 급전선의 중심에 가까운 영역일수록 작게 되는 것이 바람직하다.
상기 급전부는 상기 기판 탑재대의 중심부에 있어도 좋다. 이 경우에 있어서, 상기 급전부의 주위를 소정의 반경으로 동심원 형상으로 복수의 영역으로 칸막이하는 볼록부가 형성되어 있어도 좋다.
또한, 이 경우에 있어서, 상기 볼록부는 상기 급전부의 중심을 중심축으로 해서 동심원 형상으로 형성되어 있는 것이어도 좋다.
상기 급전부가 적어도 1개 이상, 기판 탑재대의 둘레 가장자리부에 있어도 좋다. 이 경우에 있어서, 상기 급전부의 주위를 소정의 반경으로 동심원 형상으로 적어도 1개 이상의 영역으로 칸막이하는 볼록부가 형성되어 있어도 좋다. 또한, 상기 볼록부는 상기 급전부의 중심을 중심축으로 해서 동심원 형상으로 형성되어 있는 것이어도 좋다.
본 발명의 피처리 기판의 온도 제어 방법은 기판을 플라즈마 처리하는 처리 챔버내에 마련되고, 급전선 주위가 절연재료로 구성된 급전부와 내부에 냉각 매체 유로를 구비한 기판 탑재대에 탑재되는 피처리 기판의 온도 제어 방법으로서, 상기 탑재대의 기판 탑재면측에 상기 급전선의 주위를 복수의 영역으로 칸막이하는 볼록부를 형성하고, 상기 볼록부에 의해 칸막이된 복수의 영역의 각각에 냉각 가스를 도입하고, 상기 영역에 공급하는 상기 냉각 가스의 압력 또는 유량을 조절하는 것에 의해, 피처리 기판의 온도를 조정하는 것을 특징으로 하는 것이다.
이 온도 제어 방법에 있어서는 상기 영역의 면적을 그 외측 영역의 면적보다 작게 해서 피처리 기판의 온도를 조정하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 급전부를 중심으로 해서 그 주위를 소정의 반경으로 동심원 형상으로 복수의 영역으로 칸막이하는 볼록부를 형성하고, 피처리 기판의 온도를 조정하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기의 기판 탑재대를 구비한 기판 처리 장치를 포함한다.
본 발명에 따르면, 탑재대에 마련된 정전 척의 급전선 주위에 있어서의 전열의 특이 상태가 해소되고, 탑재대상의 기판온도를 균일하게 할 수 있으며, 피처리 기판의 품질을 향상시킬 수 있게 되었다.
이하, 실시예의 도면을 참조해서 본 발명을 상세하게 설명한다. 도 1에, 본 발명의 실시에 이용되는 플라즈마 처리 장치(플라즈마 에칭 장치)의 전체의 개략 구성을 나타낸다. 도 1에 있어서, 챔버(1)는 예를 들면 알루미늄, 스테인리스강 등 의 재질로 이루어지고, 내부를 기밀하게 밀폐 가능한 원통형의 것이다. 이 챔버(1)는 어스에 접지되어 있다.
챔버(1)의 내부에는 피처리 기판으로서 예를 들면 반도체 웨이퍼(기판)(W)가 탑재되는 탑재대(이하, 서셉터)(2)가 마련된다. 도 1에 나타내는 서셉터(2)는 반도체 웨이퍼(W)와 접촉해서 열교환을 실행하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(W)의 온도를 조절하는 열교환 플레이트로서 이용된다. 서셉터(2)는 알루미늄 등의 도전성 및 열전도성이 우수한 재질로 이루어지고, 하부 전극을 겸하고 있다.
서셉터(2)는 세라믹스 등의 절연성의 통형상 유지부(3)에 지지된다. 통형상 유지부(3)는 챔버(1)의 통형상 지지부(4)에 지지된다. 통형상 유지부(3)의 상면에는 서셉터(2)의 상면을 환상으로 둘러싸는 석영 등으로 이루어지는 포커스 링(5)이 배치된다.
챔버(1)의 측벽과 통형상 지지부(4)의 사이에는 환상의 배기로(6)가 형성되어 있다. 이 배기로(6)의 입구 또는 도중에 환상의 배플판(7)이 부착된다. 배기로(6)의 바닥부는 배기관(8)을 거쳐서 배기 장치(9)에 접속된다. 배기 장치(9)는 진공 펌프를 갖고 있으며, 챔버(1)내의 공간을 소정의 진공도까지 감압한다. 챔버(1)의 측벽에는 반도체 웨이퍼(W)의 반입출구(10)를 개폐하는 게이트밸브(11)가 부착된다.
서셉터(2)에는 플라즈마 생성용의 고주파 전원이 정합기 및 급전봉(모두 도시하고 있지 않음)을 거쳐서 전기적으로 접속된다. 고주파 전원은 예를 들면 40 ㎒의 높은 주파수의 고주파 전력을 서셉터(2)가 겸하는 하부 전극에 공급한다. 챔 버(1)의 천장부에는 샤워헤드(15)가 상부 전극으로서 마련된다. 고주파 전원으로부터의 고주파 전력에 의해, 서셉터(2)와 샤워헤드(15)의 사이에 플라즈마가 생성된다.
또, 서셉터(2)에는 플라즈마중의 이온을 반도체 웨이퍼(W)에 인입하는 바이어스용의 고주파 전원이 정합기 및 급전봉(모두 도시하고 있지 않음)을 거쳐서 접속된다. 바이어스용의 고주파 전원은 예를 들면 12.88 ㎒, 3.2 ㎒ 등의 약간 낮은 주파수의 고주파 전력을 서셉터(2)에 공급한다.
서셉터(2)의 상면에는 반도체 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 유지하기 위해, 세라믹스 등의 유전체로 이루어지는 정전 척(16)이 마련된다. 정전 척(16)의 내부에는 도전체, 예를 들면 구리, 텅스텐 등의 도전막으로 이루어지는 내부 전극(17)이 매립되어 있다. 내부 전극(17)에는 고전압, 예를 들면 2500 V, 3000 V 등의 직류 고압 전원(12)이 급전선(13)을 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다. 직류 고압 전원(12)으로부터 내부 전극(17)에 직류 고전압을 인가하면, 쿨롱력 또는 죤슨?라벡력에 의해 반도체 웨이퍼(W)가 정전 척(16)에 흡착 유지된다.
서셉터(2)의 내부에는 냉매유로(18)가 마련된다. 이 냉매유로(18)에는 냉매유닛(19)으로부터 배관(20)을 거쳐서 예를 들면 냉수가 순환 공급된다.
정전 척(16)의 가장자리에는 둘레가장자리 환상 볼록부(21)가 마련되어 있고, 정전 척(16)의 표면과 반도체 웨이퍼(W)의 이면의 사이에는 간극이 형성되어 있다. 이 간극은 급전선(13)의 주위에 소정 반경으로 마련된 내부 환상 볼록부(31)에 의해 내측 영역(32)과 외측 영역(33)으로 구획되어 있다. 냉각 가스 공급부(22) 로부터의 냉각 가스 예를 들면 He 가스가 가스 공급관(23a)을 거쳐서 내측 영역(32)에, 가스 공급관(23b)을 거쳐서 외측 영역(33)에 따로따로 공급된다. 이 냉각 가스는 그 압력을 바꾸는 것에 의해, 정전 척(16), 즉 서셉터(2)와 반도체 웨이퍼(W)의 사이의 열전도의 정도를 임의로 제어하는 효과를 갖는다. 이것이 본 발명의 포인트이지만, 상세한 것은 후술한다.
샤워헤드(15)는 다수의 가스 통기 구멍을 갖는 하면의 전극판(24)과,이 전극판(24)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(25)를 갖는다. 전극 지지체(25)의 내부에는 버퍼실(26)이 마련되고, 이 버퍼실(26)의 가스 도입구(27)에는 처리 가스 공급부(28)로부터의 가스 도입관(29)이 접속된다.
샤워헤드(15)와 서셉터(2)는 평행하게 대향해서 설치되고, 한쌍의 전극 즉 상부 전극과 하부 전극으로서 기능한다. 샤워헤드(15)와, 반도체 웨이퍼(W)가 탑재된 서셉터(2)와의 사이의 공간에는 고주파 전력에 의해서 연직 방향의 고주파 전계가 형성되고, 고주파의 방전에 의해서 반도체 웨이퍼(W)의 표면 근방에 고밀도의 플라즈마가 생성된다. 또한, 챔버(1)의 주위에는 챔버(1)와 동심원 형상으로 환상의 링 자석(30)이 배치되고, 샤워헤드(15)와 서셉터(2)의 사이의 처리공간에 자장을 형성한다.
도 2a 및 2b는 본 실시예에 있어서의 서셉터 상부의 구조를 나타내는 도면으로서, 도 2a는 단면도, 도 2b는 도 2a의 A-A 화살표 단면의 평면도이다. 서셉터(2)의 상부에는 유전체층(34)이 형성되고, 그 바로 아래에는 도전 막으로 이루어지는 내부 전극(17)이 매립되어 있다. 내부 전극(17)에는 급전선(13)에 의해 직류 고전 압이 인가된다. 급전선(13)의 주위에는 원통형상의 절연 부재(14)가 배치되어 누전을 방지한다. 서셉터(2)는 열전도율이 높은 재료 예를 들면 금속으로 구성되고, 그 내부에 냉매유로(18)가 마련되어 있다. 냉매유로(18)에는 배관(20a)으로부터 냉매가 공급되고, 배관(20b)으로부터 배출되어, 냉매가 순환한다.
서셉터(2)의 상단 바깥가장자리 전체 둘레에는 둘레가장자리 환상 볼록부(21)가 마련되고, 기판(W)은 이 둘레가장자리 환상 볼록부(21)의 위에 탑재된다. 이 때문에, 기판(W)과 유전체층(34)의 사이에는 약간의 공간이 형성된다. 또한, 절연 부재(14)를 둘러싸도록, 내부 환상 볼록부(31)가 마련되어 있고, 상기의 공간은 내측 영역(32)과 외측 영역(33)으로 구획되어 있다.
내측 영역(32)에는 가스 공급관(23a)을 거쳐서 냉각 가스가 공급되고, 가스 배출관(35a)으로부터 배출된다. 외측 영역(33)에는 가스 공급관(23b)을 거쳐서 냉각 가스가 공급되고, 가스 배출관(35b)으로부터 배출된다. 가스 공급관(23a, 23b) 및 가스 배출관(35a, 35b)에는 유량 조절 밸브(36)가 배치되고, 또한 가스 공급관(23a, 23b)에는 각각 압력계(37)가 설치되어 있다. 유량 조절 밸브(36)를 조절하는 것에 의해, 내측 영역(32) 및 외측 영역(33)의 압력을 원하는 값으로 제어할 수 있다.
또, 본 실시예에 있어서는 냉각 가스의 공급관과 배출관이 마련되어 있지만, 배출관은 반드시 필요하지는 않다. 둘레가장자리 환상 볼록부(21)나 내부 환상 볼록부(31)와 기판(W)의 사이의 시일의 방법(밀착성의 정도)을 조정하는 것에 의해, 냉각 가스를 챔버내에 누출시킴으로써 가스류를 발생시킬 수 있기 때문이다.
본 발명에 있어서, 서셉터(2)와 기판(W)의 간극을 내측 영역(32)과 외측 영역(33)으로 구획하고, 각각 독립적으로 냉각 가스를 흘리는 이유는 기판(W)로부터의 발열량을 조절하여, 기판 전체에서 그 온도를 균일하게 유지하기 위해서이다. 급전선(13)의 주위의 절연 부재(14)는 열전도도가 작기 때문에 냉매에 전열하기 어렵다. 그 때문에, 내측 영역(32)에서는 외측 영역(33)보다도 서셉터(2)의 표면온도가 높아지고, 기판(W)로부터 서셉터(2)에의 발열량이 낮아진다. 그래서, 서셉터(2) 표면과 기판(W)의 간극에 흘리는 냉각 가스의 압력을, 내측 영역(32)과 외측 영역(33)에서 따로따로 제어하여, 내측 영역(32)에서의 냉각 가스를 거친 전열을 촉진시키는 것이 본 발명의 포인트이다.
즉, 플라즈마 처리 장치내에 있어서는 공간의 유지 압력에 대해 공간의 대표길이가 짧기 때문에, 장치내에 도입된 냉각 가스는 분자류 영역에 있다. 분자류 영역에서는 가스의 열전도도가 그 압력에 비례하므로, 내측 영역(32)의 압력을 외측 영역(33)보다도 높게 하는 것에 의해, 기판(W)로부터 서셉터(2)에 전열을 촉진할 수 있고, 이것에 의해 기판(W)의 전체의 온도를 균일하게 할 수 있다. 이것이 가능하게 되는 근거에 대해서는 후에 상세하게 설명한다.
도 3a 및 3b은 본 발명의 제２ 실시예에 있어서의 서셉터 상부의 구조를 나타내는 도면(중앙부근만 확대해서 나타냄)으로서, 도 3a는 단면도, 도 3b는 평면도이다. 이 예에 있어서는 급전선(13)의 주위의 절연 부재(14)의 주변에 이중의 내부 환상 볼록부, 즉 내측의 제 １ 환상 볼록부(31a)와 외측의 제 ２ 환상 볼록부(31b)가 마련되어 있다. 이것에 의해, 서셉터(2)와 기판(W)의 간극은 제 １ 내측 영 역(32a), 제 ２ 내측 영역(32b)과 외측 영역(33)으로 3분할되어 있다. 각 영역에는 각각 독립적으로 냉각 가스가 취입되고, 독립적으로 영역 내부의 압력을 제어할 수 있도록 되어 있다.
즉, 제 １ 내측 영역(32a)에는 가스 공급관(23a)을 거쳐서 냉각 가스가 공급되고, 가스 배출관(35a)으로부터 배출된다. 제 ２ 내측 영역(32b)에는 가스 공급관(23c)을 거쳐서 냉각 가스가 공급되고, 가스 배출관(35c)으로부터 배출된다. 또한, 외측 영역(33)에는 가스 공급관(23b)을 거쳐서 냉각 가스가 공급되고, 가스 배출관(35b)으로부터 배출된다. 가스 공급관(23a, 23b, 23c) 및 가스 배출관(35a, 35b, 35c)에는 각각 유량 조절 밸브(도시하지 않음)가 배치되어, 각 영역의 압력을 독립적으로 제어할 수 있다. 이와 같이 3개의 영역으로 분할하는 이유는 기판 온도의 제어 정밀도를 높이기 위함이지만, 상세한 것은 후술한다.
또, 본 실시예에서는 제 １ 환상 볼록부(31a)와 제 ２ 환상 볼록부(31b)는 급전선(13)의 중심을 중심축으로 해서 동심원 형상으로 형성되어 있지만, 동심원의 중심이 급전선(13)의 중심과 일치하고 있지 않아도, 대략 그 부근에 있으면 좋다.
도 4a 및 4b는 본 발명의 제 ３ 실시예에 있어서의 서셉터 상부의 구조를 나타내는 도면으로서, 도 4a는 단면도, 도 4b는 도 4a의 B-B 화살표 단면의 평면도이다. 이 예에 있어서는 급전선(13)은 서셉터(2)의 중앙이 아니라, 둘레 가장자리 부근에 한쌍, 대략 대상의 위치에 마련되어 있다. 급전선(13)의 주위가 절연 부재(14)에 의해 절연되는 것은 도 2a 및 2b와 마찬가지이다. 따라서, 각각의 절연 부재(14)의 주위에 내부 환상 볼록부(31)가 마련되고, 서셉터(2)와 기판(W)의 간극 은 2개의 내측 영역(32)과 외측 영역(33)으로 분할되어 있다. 이와 같은 구조로 하는 것에 의해서, 내부 전극(17)에의 급전선(13)이 서셉터(2)의 둘레 가장자리에 있는 경우에도, 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.
다음에 본 발명의 근거로 되는 열해석의 결과에 대해 설명한다. 도 5는 서셉터 상부의 전열 해석의 조건 및 결과의 설명도이다. 계산을 간단히 하기 위해, 높이 방향으로만 열이 흐르는 것을 상정한 일차원의 열전도 모델에서 고려한다. 열류속(熱流束)은 어느 위치에서도 2 W/㎠의 일정값으로 하고, 냉매온도 즉 냉매유로의 표면온도는 T1(일정값), 전열층의 두께는 15 ㎜로 한다. 또한, 급전선 주위의 절연재료(AL2O3)의 열전도율은 16 W/m?K로 하고, 그 이외의 구조재료(Al)의 열전도율은 160 W/m?K로 한다.
이 조건에서 서셉터 표면의 온도를 계산한 결과, 절연재와 구조재의 표면온도의 차 △T = T2(절연재) - T2(구조재)는 16.9 ℃로 되는 것이 명백하게 되었다. 서셉터 표면 온도에 이만큼의 차가 생기면, 기판도 이것에 가까운 온도차가 생겨, 플라즈마 처리의 품질의 균일성에 악영향을 미칠 가능성이 크다.
실제의 열류는 일차원이 아니라, 횡방향으로도 열이 확산하므로, 축 대상의 이차원 전열 모델에서 고려할 필요가 있다. 도 6a 및 6b는 실제의 서셉터 표면 온도 분포의 개념도와, 이것에 대응한 존 분할의 사고방식의 설명도이다. 도 6a에 나타내는 바와 같이, 표면온도 T2가 피크 형상으로 높게 되어 있는 존 1과, T2가 완만하게 경사지고 점차 감소하는 존 2와, T2가 일정값으로 되는 존 3으로 나누어진다. 따라서, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 기판(W)와 서셉터(2)의 사이의 공간을, 제 １ 환상 볼록부(31a)와 제 ２ 환상 볼록부(31b)로 이중으로 칸막이를 마련하여, 제 １ 내측 영역(존 1)과 제 ２ 내측 영역(존 2)과 외측 영역(존 3)으로 분할하고, 그 압력 P가 (존 1) > (존 2) > (존 3)으로 되도록 제어하면 좋다.
이와 같이 해서, 존 1～3의 압력을 적절하게 제어하는 것에 의해, 기판(W)의 온도의 균일성을 더욱 높일 수 있다. 전술한 제 ２ 실시예는 이러한 사고방식에 의거하여, 제 1 실시예보다도 정밀한 기판 온도의 제어를 실행하는 것을 의도한 것이다. 또, 존의 분할수를 더욱 많게 해도 좋다.
또한, 제 3 실시예와 같은 급전선(13)이 서셉터(2)의 둘레 가장자리부에 마련되어 있는 경우에도, 각 급전선(13)의 절연부(14)에 이중 또는 그 이상의 환상 볼록부(31)를 마련하여, 각 3존 이상으로 분할해도 좋다. 이것에 의해, 기판 온도 제어의 정밀도를 높일 수 있다.
다음에, 냉각 가스 압력의 전열에 미치는 영향에 대해 설명한다. 플라즈마 처리 등의 진공 처리 장치에 있어서는 기판(W)과 서셉터(2)의 사이의 공간에 도입된 냉각 가스는 분자류 영역에 있고, 그 열전도도는 절대압력에 비례한다. 그 때문에, 냉각 가스를 거쳐서 기판(W)으로부터 서셉터(2)에 전도되는 열량은 냉각 가스의 압력에 비례적으로 증대한다. 그래서, 열류속과 서셉터 표면 온도가 일정으로 해서, 냉각 가스(He)의 압력과 기판온도의 관계를 시산(試算)한 결과의 예를 도 7 에 나타낸다. 동일 도면에 있어서는 He 압력 50 Torr의 경우를 기준으로 하고, 이 때에 기판온도가 0 ℃가 되도록 조건을 설정하여, He 압력이 변경되었을 때의 기판온도를 계산하였다.
도 7에 보이는 바와 같이, 기판온도는 He 압력 50 Torr의 경우를 0 ℃로 해서, He 압력의 저하와 함께 상승하고, 압력 20 Torr에서 약 10 ℃, 10 Torr에서 약 20 ℃로 된다. 앞의 도 5에서 나타낸 절연재와 구조재의 표면온도의 차 16.9 ℃에 상당하는 바와 같이, 기판(W)으로부터 서셉터(2)에의 전열량을 증가시키기 위해서는 절연재의 부분(내측 영역(32))의 He 압력을 50 Torr로 하고, 구조재의 부분(외측 영역(33))의 압력을 13.5 Torr 정도로 하면 좋은 것이 이해된다. 이상은 대략의 추정이지만, 본 발명의 방법에서 He 압력을 상기와 같이 제어하는 것에 곤란은 없고, 본 발명에 의해 급전선 부분의 기판온도의 특이성을 회피할 수 있는 것이 명백하게 되었다.
도 1은 발명의 실시에 이용되는 플라즈마 처리 장치(플라즈마 에칭 장치)의 전체의 개략 구성을 나타내는 도면.
도 2a 및 2b는 본 발명의 일실시예에 있어서의 서셉터 상부의 구조를 나타내는 도면.
도 3a 및 3b는 본 발명의 제 ２ 실시예에 있어서의 서셉터 상부의 구조를 나타내는 도면.
도 4a 및 4b는 본 발명의 제 ３ 실시예에 있어서의 서셉터 상부의 구조를 나타내는 도면.
도 5는 서셉터 상부의 전열 해석의 조건 및 결과의 설명도.
도 6a 및 6b은 실제의 서셉터 표면 온도 분포와, 이것에 대응한 존 분할의 사고방식을 나타내는 설명도.
도 7은 냉각 가스의 압력과 기판온도의 관계를 시산한 결과의 예를 나타내는 도면.
도면의 주요부분에 관한 부호의 설명
1: 챔버 2: 서셉터(탑재대)
3: 통형상 유지부 4: 통형상 지지부
5: 포커스 링 6: 배기로
7: 배플판 8: 배기관
9: 배기장치 10: 반입출구
11: 게이트 밸브 12: 직류 고압 전원
13: 급전선 14: 절연 부재
15: 샤워헤드 16: 정전 척
17: 내부 전극 18: 냉매 유로
19: 냉매 유닛 20, 20a, 20b: 배관
21: 둘레가장자리 환상 볼록부 22: 냉각 가스 공급부
23a, 23b, 23c: 가스 공급관 24: 전극판
25: 전극 지지체 26: 버퍼실
27: 가스 도입구 28: 처리 가스 공급부
29: 가스 도입관 30: 링 자석
31, 31a, 31b: 내부 환상 볼록부 32, 32a, 32b: 내측 영역
33: 외측 영역 34: 유전체층
35a, 35b, 35c: 가스 배출관 36: 유량 조절 밸브
37: 압력계 W: 기판(반도체 웨이퍼)

Claims (13)

  1. 기판을 플라즈마 처리하는 처리 챔버내에 마련되고, 급전선 주위가 절연재료로 구성된 적어도 1개의 급전부와 내부에 냉각 매체 유로를 구비한 기판 탑재대에 있어서,
    상기 탑재대의 기판 탑재면측을 복수의 영역으로 칸막이하는 볼록부와,
    상기 볼록부에 의해 칸막이된 영역에 냉각 가스를 도입하는 도입구와,
    상기 냉각 가스의 압력 또는 유량을 조절하는 조절 수단을 마련하고,
    상기 급전부가 기판 탑재대의 중심부에 있으며,
    상기 볼록부는, 상기 급전부의 주위에 소정의 반경으로 형성되는 동시에, 상기 급전부의 중심을 중심축으로 해서 동심원 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 탑재대.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 볼록부에 의해 칸막이된 복수의 영역의 각각에 상기 냉각 가스의 배출구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 탑재대.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 영역의 면적은 상기 급전선의 중심에 가까운 영역일수록 작게 되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 탑재대.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 기판을 플라즈마 처리하는 처리 챔버내에 마련되고, 급전선 주위가 절연재료로 구성된 적어도 1개의 급전부와 내부에 냉각 매체 유로를 구비한 기판 탑재대에 있어서,
    상기 탑재대의 기판 탑재면측을 복수의 영역으로 칸막이하는 볼록부와,
    상기 볼록부에 의해 칸막이된 영역에 냉각 가스를 도입하는 도입구와,
    상기 냉각 가스의 압력 또는 유량을 조절하는 조절 수단을 마련하고,
    상기 급전부가 기판 탑재대의 주연부에 있으며,
    상기 볼록부는 상기 급전부의 주위에 소정의 반경으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 탑재대.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 볼록부에 의해 칸막이된 복수의 영역의 각각에 상기 냉각 가스의 배출구가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 탑재대.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 볼록부가 상기 급전부의 중심을 중심축으로 해서 동심원 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    기판 탑재대.
  10. 제 1 항, 제 2 항, 제 7 항 및 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 탑재대를 구비한
    기판 처리 장치.
  11. 기판을 플라즈마 처리하는 처리 챔버내에 마련되고, 급전선 주위가 절연재료로 구성된 급전부와 내부에 냉각 매체 유로를 구비한 기판 탑재대에 탑재되는 피처리 기판의 온도 제어 방법에 있어서,
    상기 탑재대의 기판 탑재면측에, 상기 급전부를 중심으로 해서 그 주위를 소정의 반경으로 동심원 형상으로 복수의 영역으로 칸막이하는 볼록부를 형성하고,
    상기 볼록부에 의해 칸막이된 복수의 영역의 각각에 냉각 가스를 도입하고,
    상기 영역에 공급하는 상기 냉각 가스의 압력 또는 유량을 조절하는 것에 의해 피처리 기판의 온도를 조정하는 것을 특징으로 하는
    피처리 기판의 온도 제어 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 영역의 면적을 내측으로 갈수록 작게 해서 피처리 기판의 온도를 조정하는 것을 특징으로 하는
    피처리 기판의 온도 제어 방법.
  13. 삭제
KR1020090009726A 2008-02-06 2009-02-06 기판 탑재대, 기판 처리 장치 및 피처리 기판의 온도 제어 방법 KR101115659B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008026235A JP5222442B2 (ja) 2008-02-06 2008-02-06 基板載置台、基板処理装置及び被処理基板の温度制御方法
JPJP-P-2008-026235 2008-02-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090086171A KR20090086171A (ko) 2009-08-11
KR101115659B1 true KR101115659B1 (ko) 2012-03-14

Family

ID=40404297

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090009726A KR101115659B1 (ko) 2008-02-06 2009-02-06 기판 탑재대, 기판 처리 장치 및 피처리 기판의 온도 제어 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8696862B2 (ko)
EP (1) EP2088616A3 (ko)
JP (1) JP5222442B2 (ko)
KR (1) KR101115659B1 (ko)
CN (1) CN101504928B (ko)
TW (1) TWI445124B (ko)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5418300B2 (ja) * 2010-02-26 2014-02-19 株式会社Ｉｈｉ 炉内搬送用ロール
CN101866826B (zh) * 2010-04-29 2012-04-11 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于真空处理***的流体传输装置
JP5101665B2 (ja) * 2010-06-30 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置および基板処理システム
TWI646869B (zh) 2011-10-05 2019-01-01 美商應用材料股份有限公司 對稱電漿處理腔室
JP5993568B2 (ja) * 2011-11-09 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板載置システム、基板処理装置、静電チャック及び基板冷却方法
DE102012101923B4 (de) * 2012-03-07 2019-11-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Substratträgeranordnung, Beschichtungsanlage mit Substratträgeranordnung und Verfahren zur Durchführung eines Beschichtungsverfahrens
JP5946365B2 (ja) * 2012-08-22 2016-07-06 株式会社アルバック 静電吸着装置、残留吸着除去方法
JP6010433B2 (ja) * 2012-11-15 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 基板載置台および基板処理装置
CN105190862B (zh) * 2013-03-06 2018-09-11 等离子瑟姆有限公司 用于对半导体晶圆进行等离子切片的方法和设备
US20150060013A1 (en) * 2013-09-05 2015-03-05 Applied Materials, Inc. Tunable temperature controlled electrostatic chuck assembly
CN104465450B (zh) * 2013-09-22 2017-05-10 中微半导体设备(上海)有限公司 一种用于冷却静电吸盘的供气装置及供气方法
CN104752301B (zh) * 2013-12-31 2018-05-25 北京北方华创微电子装备有限公司 一种静电卡盘以及腔室
CN103792974B (zh) * 2014-01-22 2015-12-02 清华大学 一种可快速精细调节温度场空间分布的加热盘及控制方法
WO2015145663A1 (ja) 2014-03-27 2015-10-01 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法および基板処理装置
CN103972013B (zh) * 2014-05-14 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种真空设备
JP6469985B2 (ja) * 2014-07-28 2019-02-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US9613839B2 (en) * 2014-11-19 2017-04-04 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Control of workpiece temperature via backside gas flow
KR101670457B1 (ko) * 2014-11-28 2016-10-31 세메스 주식회사 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2016136554A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US10515786B2 (en) * 2015-09-25 2019-12-24 Tokyo Electron Limited Mounting table and plasma processing apparatus
WO2017126534A1 (ja) * 2016-01-19 2017-07-27 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
JP6847610B2 (ja) * 2016-09-14 2021-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置
DE102017200588A1 (de) * 2017-01-16 2018-07-19 Ers Electronic Gmbh Vorrichtung zum Temperieren eines Substrats und entsprechendes Herstellungsverfahren
WO2018183557A1 (en) * 2017-03-31 2018-10-04 Lam Research Corporation Electrostatic chuck with flexible wafer temperature control
JP7030557B2 (ja) * 2018-02-27 2022-03-07 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP7145625B2 (ja) * 2018-03-07 2022-10-03 東京エレクトロン株式会社 基板載置構造体およびプラズマ処理装置
CN110767568B (zh) * 2018-07-26 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 压力调节组件、下电极装置、工艺腔室和半导体处理设备
JP2020043171A (ja) * 2018-09-07 2020-03-19 東京エレクトロン株式会社 温調方法
JP7209515B2 (ja) * 2018-11-27 2023-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板保持機構および成膜装置
KR102244438B1 (ko) 2018-12-17 2021-04-27 어드밴스드 마이크로 패브리케이션 이큅먼트 인코퍼레이티드. 차이나 플라즈마 처리 장치에 사용되는 rf 전극 조립품 및 플라즈마 처리 장치
CN111326390B (zh) * 2018-12-17 2023-09-12 中微半导体设备(上海)股份有限公司 射频电极组件和等离子体处理设备
JP7186096B2 (ja) * 2019-01-09 2022-12-08 東京エレクトロン株式会社 熱板の冷却方法及び加熱処理装置
JP7254542B2 (ja) * 2019-02-01 2023-04-10 東京エレクトロン株式会社 載置台及び基板処理装置
JP7407529B2 (ja) * 2019-07-10 2024-01-04 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置及び温度制御方法
CN114514336B (zh) * 2019-09-27 2024-03-26 慧理示先进技术公司 用于闪烁体沉积的基板固定装置、包括其的基板沉积装置以及使用其的闪烁体沉积方法
JP7402037B2 (ja) 2019-12-23 2023-12-20 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
CN113053715B (zh) * 2019-12-27 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法
CN113130279B (zh) * 2019-12-30 2023-09-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 下电极组件、等离子体处理装置及其工作方法
JP7442347B2 (ja) * 2020-03-06 2024-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102654628B1 (ko) * 2020-05-25 2024-04-03 엔지케이 인슐레이터 엘티디 정전 척

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282692A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板搬送用トレーおよびこれを用いた基板処理装置
JP2004172202A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Anelva Corp 静電チャック装置
JP2005079415A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
KR20060001172A (ko) * 2004-06-30 2006-01-06 주성엔지니어링(주) 정전척

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3086970B2 (ja) * 1991-07-03 2000-09-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPH0567551A (ja) 1991-09-05 1993-03-19 Canon Inc ウエハチヤツク
US5738165A (en) * 1993-05-07 1998-04-14 Nikon Corporation Substrate holding apparatus
TW277139B (ko) * 1993-09-16 1996-06-01 Hitachi Seisakusyo Kk
US5609720A (en) * 1995-09-29 1997-03-11 Lam Research Corporation Thermal control of semiconductor wafer during reactive ion etching
JPH09213777A (ja) * 1996-01-31 1997-08-15 Kyocera Corp 静電チャック
JP2000317761A (ja) 1999-03-01 2000-11-21 Toto Ltd 静電チャックおよび吸着方法
US6740853B1 (en) * 1999-09-29 2004-05-25 Tokyo Electron Limited Multi-zone resistance heater
JP4317329B2 (ja) 2000-01-20 2009-08-19 日本碍子株式会社 静電チャック
US20050211385A1 (en) * 2001-04-30 2005-09-29 Lam Research Corporation, A Delaware Corporation Method and apparatus for controlling spatial temperature distribution
US7161121B1 (en) * 2001-04-30 2007-01-09 Lam Research Corporation Electrostatic chuck having radial temperature control capability
JP3810300B2 (ja) * 2001-10-30 2006-08-16 京セラ株式会社 静電チャック
US7156951B1 (en) * 2002-06-21 2007-01-02 Lam Research Corporation Multiple zone gas distribution apparatus for thermal control of semiconductor wafer
JP4540407B2 (ja) * 2004-06-28 2010-09-08 京セラ株式会社 静電チャック
US20070091541A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-26 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece in a plasma reactor using feed forward thermal control
US8226769B2 (en) * 2006-04-27 2012-07-24 Applied Materials, Inc. Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003282692A (ja) * 2002-03-27 2003-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板搬送用トレーおよびこれを用いた基板処理装置
JP2004172202A (ja) * 2002-11-18 2004-06-17 Anelva Corp 静電チャック装置
JP2005079415A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
KR20060001172A (ko) * 2004-06-30 2006-01-06 주성엔지니어링(주) 정전척

Also Published As

Publication number Publication date
CN101504928A (zh) 2009-08-12
TWI445124B (zh) 2014-07-11
EP2088616A2 (en) 2009-08-12
EP2088616A3 (en) 2013-01-02
JP2009188162A (ja) 2009-08-20
TW201001612A (en) 2010-01-01
JP5222442B2 (ja) 2013-06-26
KR20090086171A (ko) 2009-08-11
US8696862B2 (en) 2014-04-15
CN101504928B (zh) 2011-08-03
US20090194264A1 (en) 2009-08-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101115659B1 (ko) 기판 탑재대, 기판 처리 장치 및 피처리 기판의 온도 제어 방법
US11004716B2 (en) Electrostatic chuck assembly and semiconductor manufacturing apparatus including the same
US7815740B2 (en) Substrate mounting table, substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6453240B2 (ja) 取り外し可能なガス分配プレートを有するシャワーヘッド
KR100270207B1 (ko) 플라즈마 처리장치
US20080053958A1 (en) Plasma processing apparatus
US20080260966A1 (en) Plasma processing method
US11152196B2 (en) Substrate processing apparatus
US11955314B2 (en) Plasma processing apparatus
US20230326724A1 (en) Plasma processing apparatus
JP2006351887A (ja) プラズマ処理装置
US11862436B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US10847348B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
US11342165B2 (en) Plasma processing method
KR102664176B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
CN110581051B (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR20210089787A (ko) 온도에 민감한 프로세스들을 위해 열적 커플링이 개선된 정전 척
KR100999588B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP7090149B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマエッチング方法
CN115938896A (zh) 用于处理基板的支撑单元和装置
JP2005203426A (ja) ウエハ載置用電極
KR20200075750A (ko) 기판 처리 장치용 구조물 및 기판 처리 장치
KR20160145865A (ko) 정전 척 및 기판 처리 장치
JP2006060073A (ja) プラズマ処理装置
KR20110083979A (ko) 플라즈마 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150105

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160105

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170103

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180119

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190117

Year of fee payment: 8