CN111326390B - 射频电极组件和等离子体处理设备 - Google Patents

射频电极组件和等离子体处理设备 Download PDF

Info

Publication number
CN111326390B
CN111326390B CN201910600861.6A CN201910600861A CN111326390B CN 111326390 B CN111326390 B CN 111326390B CN 201910600861 A CN201910600861 A CN 201910600861A CN 111326390 B CN111326390 B CN 111326390B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ring
fluid channel
fluid
region
thermally conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910600861.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111326390A (zh
Inventor
陈龙保
梁洁
王伟娜
涂乐义
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Original Assignee
Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai filed Critical Advanced Micro Fabrication Equipment Inc Shanghai
Priority to TW108145949A priority Critical patent/TWI809233B/zh
Priority to KR1020190168603A priority patent/KR102244438B1/ko
Priority to US16/718,056 priority patent/US11875970B2/en
Publication of CN111326390A publication Critical patent/CN111326390A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111326390B publication Critical patent/CN111326390B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458Vessel
    • H01J37/32522Temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • H01J37/32568Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642Focus rings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Treatment Of Fiber Materials (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备,其中,用于等离子体处理设备的射频电极组件包括:基座,基座内设置有第一流体通道,第一流体通道连接第一流体源;位于基座上的静电夹盘;位于静电夹盘***的聚焦环;位于基座周围的热传导环,热传导环至少部分包围基座,热传导环位于聚焦环下方,热传导环内设置有第二流体通道,第二流体通道连接第二流体源,热传导环与聚焦环之间能够进行热传导。所述等离子体处理设备能够对待处理基片边缘区域聚合物的分布进行调节。

Description

射频电极组件和等离子体处理设备
本申请要求于2018年12月17日提交中国专利局、申请号为201811543565.9、发明名称为“射频电极组件、等离子体处理装置”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备。
背景技术
在半导体制造技术领域,经常需要对待处理基片进行等离子体处理。所述对待处理基片进行等离子体处理的过程需要在等离子体处理设备内进行。
等离子体处理设备包括真空反应腔,所述真空反应腔内设置有用于承载待处理基片的承载台,所述承载台通常包括基座以及设置在基座上方用于固定基片的静电夹盘。
然而,现有的等离子体处理设备难以调节待处理基片边缘区域的聚合物分布。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备,所述等离子体处理设备能够对待处理基片边缘区域聚合物分布进行调节。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种用于等离子体处理设备的射频电极组件,包括:基座,所述基座内设置有第一流体通道,所述第一流体通道连接第一流体源;位于所述基座上的静电夹盘,所述静电夹盘上用于放置待处理基片;位于所述静电夹盘***的聚焦环;位于所述基座周围的热传导环,且所述热传导环至少部分包围基座,所述热传导环位于所述聚焦环下方,所述热传导环内设置有第二流体通道,所述第二流体通道连接第二流体源,所述热传导环与所述聚焦环之间能够进行热传导。
可选地,所述热传导环与基座之间具有间隙。
可选地,所述间隙的宽度大于或者等于0.5毫米。
可选地,所述间隙内填充有隔热材料层;所述隔热材料层的材料包括:特氟龙或聚醚酰亚胺或聚醚醚酮或聚酰亚胺。
可选地,还包括:位于所述聚焦环与所述热传导环之间的导热耦合环;位于所述导热耦合环与所述热传导环之间的导热结构;包围所述热传导环的底部接地环;位于所述底部接地环与所述热传导环之间的绝缘环,所述绝缘环围绕所述热传导环。
可选地,所述导热耦合环的材料包括:氧化铝或者石英。
可选地,还包括:位于基座下方的底部平板。
可选地,所述底部平板与热传导环之间相互连接,或者,所述底部平板与热传导环之间相互分立。
可选地,所述第二流体通道沿周向依次包括N个区,N是大于等于1的自然数,第二流体通道的第一区连接流体输入口,第二流体通道的第N区连接流体输出口,所述第二流体源由流体输入口进入第二流体通道,从流体输出口流出第二流体通道;所述静电夹盘包括第一承载面,所述第一承载面用于承载待处理基片。
可选地,沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道每个区的尺寸相等;第二流体通道每个区顶部到聚焦环底部的距离均相等。
可选地,沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道的每个区尺寸相等,第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小。
可选地,沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道的每个区尺寸相等,第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小,所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离。
可选地,沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道第一区至第二流体通道第N区的尺寸依次增加;所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N区底部至聚焦环底部的距离相等;第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小。
可选地,沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区的尺寸依次增加,所述第二流体通道第N区的尺寸小于第二流体通道第N-1区的尺寸;所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N区底部至聚焦环底部的距离相等;第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小,所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离。
可选地,所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部呈圆滑式上升或者阶梯式上升。
可选地,所述第二流体通道的圈数为1圈或者大于1圈。
可选地,还包括:测量单元,所述测量单元用于测量在待处理基片边缘区域所形成的沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸;当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸大于目标尺寸时,使第二流体源的温度升高,当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸小于目标尺寸时,使第二流体源的温度降低。
相应的,本发明还提供一种等离子体处理设备包括:真空反应腔;位于所述真空反应腔下游的基座,所述基座内设置有第一流体通道,所述第一流体通道连接第一流体源;位于所述基座上的静电夹盘,所述静电夹盘上用于放置待处理基片;位于所述静电夹盘***的聚焦环;位于所述基座周围的热传导环,所述热传导环位于聚焦环的下方,且所述热传导环至少部分包围基座,所述热传导环内设置有第二流体通道,所述第二流体通道连接第二流体源,所述热传导环与所述聚焦环之间能够进行热传导;位于所述真空反应腔顶部的进气装置,所述进气装置用于向所述真空反应腔内提供反应气体。
可选地,所述第二流体通道沿周向依次包括N个区,N是大于等于1的自然数,第二流体的第一区通道连接流体输入口,第二流体通道的第N区连接流体输出口,所述第二流体源由流体输入口进入第二流体通道,从流体输出口流出第二流体通道;所述静电夹盘包括第一承载面,所述第一承载面用于承载待处理基片。
可选地,沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道每个区的尺寸相等;第二流体通道每个区顶部到聚焦环底部的距离均相等。
可选地,沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道的每个区尺寸相等,第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小。
可选地,沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道的每个区尺寸相等,第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小,所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离。
可选地,沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道第一区至第二流体通道第N区的尺寸度依次增加;所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N区底部至聚焦环底部的距离相等;第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小。
可选地,沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区的尺寸依次增加,所述第二流体通道第N区的尺寸小于第二流体通道第N-1区的尺寸;所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N区底部至聚焦环底部的距离相等;第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小,所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离。
可选地,所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部呈圆滑式上升或者阶梯式上升。
可选地,所述第二流体通道的圈数为1圈或者大于1圈。
可选地,还包括:位于基座下方的底部平板。
可选地,所述底部平板与热传导环之间相互连接;或者,所述底部平板与热传导环之间相互分立。
可选地,所述进气装置包括设置于真空反应腔绝缘窗口下方的安装基板和设置于安装基板下方的气体喷淋头;所述等离子体处理设备还包括:射频功率源,所述射频功率源连接所述基座;偏置功率源,所述偏置功率源连接所述基座。
可选地,所述真空反应腔的侧壁包括第二承载面;所述等离子体处理设备还包括:环形内衬,所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述第二承载面上的承载环;位于所述真空反应腔上的绝缘窗口;位于所述绝缘窗口上的电感耦合线圈;连接所述电感耦合线圈的射频功率源;连接所述基座的偏置功率源。
可选地,还包括:位于所述热传导环上下表面内的密封槽和位于所述密封槽内的密封垫圈,使基座和静电夹盘处于真空环境。
可选地,还包括:测量单元,所述测量单元用于测量在待处理基片边缘区域所形成的沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸;当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸大于目标尺寸时,使第二流体源的温度升高,当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸小于目标尺寸时,使第二流体源的温度降低。
相较于现有技术,本发明具有以下有益效果:
本发明提供的用于等离子体处理设备的射频电极组件中,所述基座周围具有热传导环,所述热传导环内设置有第二流体通道,所述第二流体通道连接第二流体源,因此,可通过调节所述第二流体源的温度来调整热传导环的温度。而所述热传导环与聚焦环之间能够进行热传导,因此,通过调节第二流体源的温度能够实现对聚焦环的温度控制,则聚焦环与待处理基片边缘的温度差可调,因此,能够调节所述待处理基片边缘聚合物的分布,有利于在待处理基片边缘区域形成满足工艺要求的沟槽。
进一步,还包括:测量单元,所述测量单元用于测量在待处理基片边缘区域所形成的沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸;当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸大于目标尺寸时,使第二流体源的温度升高,当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸小于目标尺寸时,使第二流体源的温度降低,因此,有利于在所述待处理基片边缘区域形成的沟槽沿平行于待处理基片表面的方向上的尺寸与目标尺寸一致。
进一步,所述第二流体通道沿周向依次包括N个区,N是大于等于1的自然数,第二流体通道第一区连接流体输入口,第二流体通道第N区连接流体输出口,所述第二流体源由流体输入口进入第二流体通道,从流体输出口流出第二流体通道。所述第二流体源流经第二流体通道需要一定的时间,使得所述流体输入口与流体输出口的第二流体源存在温度差。为了缩小不同区域第二流体通道内第二流体源的控温能力差,使第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小,所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离,有利于提高聚焦环不同区域温度的均匀性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种包含射频电极组件的等离子体处理设备的结构示意图;
图2是本发明实施例提供的另一种用于等离子体处理设备的射频电极组件的结构示意图;
图3是本发明实施例提供的又一种用于等离子体处理设备的射频电极组件的结构示意图;
图4是本发明实施例提供的一种热传导环的结构示意图;
图5是本发明实施例提供的一种热传导环内第二流体通道画为实体的结构示意图;
图6是本发明实施例提供的另一种热传导环内第二流体通道画为实体的结构示意图;
图7是本发明实施例提供的又一种热传导环内第二流体通道画为实体的结构示意图。
具体实施方式
为了解决背景技术中现有等离子体处理设备难以调节待处理基片边缘区域聚合物分布的问题,本发明提供了一种用于等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备,其中,用于等离子体处理设备的射频电极组件包括:基座,所述基座内设置有第一流体通道,所述第一流体通道连接第一流体源;位于所述基座上的静电夹盘;位于所述静电夹盘***的聚焦环;位于所述基座周围的热传导环,所述热传导环包围部分基座,所述热传导环位于所述聚焦环下方,所述热传导环内设置有第二流体通道,所述第二流体通道连接第二流体源,所述热传导环与所述聚焦环之间能够进行热传导。所述等离子体处理设备能够调节待处理基片边缘区域聚合物的分布。
为使本发明解决的技术问题,技术方案和技术效果更加清楚、完整,下面将结合附图对本发明的具体实施方式进行详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种包含射频电极组件的等离子体处理设备的结构示意图。
请参见图1,等离子体处理设备21包括:真空反应腔24;位于所述真空反应腔24底部的基座11,所述基座11内设置有第一流体通道A、B、C,所述第一流体通道A、B、C连接第一流体源(图中未示出),所述基座11位于真空反应腔24内;位于所述基座11上的静电夹盘12,所述静电夹盘12用于承载待处理基片W;位于所述静电夹盘12***的聚焦环13;位于所述基座11周围的热传导环142,所述热传导环142至少部分包围基座11,所述热传导环142位于聚焦环13的下方,所述热传导环142内设置有第二流体通道15,所述第二流体通道15连接第二流体源(图中未示出),所述热传导环142与所述聚焦环13之间能够进行热传导;位于所述真空反应腔24顶部的进气装置22,所述进气装置22用于向所述真空反应腔24内提供反应气体。
在本实施例中,所述等离子体处理设备21为电容耦合等离子体处理设备(CCP),所述进气装置22包括:设置于真空反应腔24顶部的安装基板221和设置于安装基板221下方的气体喷淋头222。所述气体喷淋头222作为上电极,所述基座11作为下电极,射频功率源连接所述上电极或下电极。所述射频功率源产生的射频信号通过上电极与下电极形成的电容将反应气体转化为等离子体。偏置功率源连接于基座11上,使得所述等离子体向基座11表面均匀。所述基座11用于承载待处理基片,因此,有利于所述等离子体向待处理基片W的表面运动,对所述待处理基片W进行处理。
在其他实施例中,所述等离子体处理设备包括:电感耦合等离子体处理设备(ICP);所述真空反应腔侧壁包括第二承载面,所述电感耦合等离子体处理设备还包括:环形内衬,所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述第二承载面上的承载环;位于所述真空反应腔上的绝缘窗口;位于绝缘窗口上的电感线圈;所述电感线圈与射频功率源连接,使得所述反应气体转化为等离子体,所述基座连接偏置功率源,使得所述等离子体向基座表面运动,有利于所述等离子体对待处理基片进行处理。
所述聚焦环13位于静电夹盘12的***,所述聚焦环13能够控制待处理基片W边缘的温度、气流以及电场分布,进而控制待处理基片W边缘的处理效果。
作为示例,由于待处理基片W一般为硅基片,聚焦环13的材料包括硅或碳化硅,如此,可以减少聚焦环13对待处理基片W的污染。
所述静电夹盘12包括第一承载面D,所述第一承载面D用于承载待处理基片,所述静电夹盘12位于基座11上,而所述基座11内设置有第一流体通道A、B、C,所述第一流体通道A、B、C连接第一流体源,因此,可通过调节所述第一流体源的温度来调节待处理基片温度。然而,通过第一液体源难以调节待处理基片边缘区域的温度。所述热传导环142内部设置有第二流体通道15,第二流体通道15连接第二流体源。通过调节第二流体源的温度可实现对热传导环142的温度控制,而所述热传导环142与聚焦环13之间能够进行热传导,因此,通过调节第二流体源的温度能够实现对聚焦环13的温度控制,则聚焦环13与待处理基片W边缘的温度差可调,因此,能够调节所述待处理基片W边缘聚合物的分布,有利于在待处理基片W边缘区域形成满足工艺要求的沟槽。
还包括:测量单元,所述测量单元用于测量在待处理基片W边缘区域所形成的沟槽沿平行于待处理基片W表面的尺寸;当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片W表面的尺寸大于目标尺寸时,使第二流体源的温度升高,当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片W表面的尺寸小于目标尺寸时,使第二流体源的温度降低,因此,有利于在所述待处理基片W边缘区域形成的沟槽沿平行于待处理基片W表面的方向上的尺寸与目标尺寸一致。
在本实施例中,所述第一流体源为第一冷却液,所述第二流体源为第二冷却液。
在本实施例中,所述第二流体通道15沿周向依次包括N个区,N是大于等于1的自然数,第二流体通道15第一区连接流体输入口,第二流体通道15第N区连接流体输出口,所述第二流体源由流体输入口进入第二流体通道15,从流体输出口流出第二流体通道15。
在本实施例中,沿垂直于所述第一承载面D的方向上,第二流体通道15每个区的尺寸相等,且第二流体通道15每个区顶部到聚焦环13底部的距离距离相等。所述所述第二流体通道的加工方法包括;提供第一板材;在所述第一板材内形成第二流体通道15,且沿垂直于所述第一承载面D的方向上,第二流体通道15每个区的尺寸相等;提供第二板材,使所述第二板材与第一板材焊接在一起,且所述第二板材密封所有的第二流体通道15。由于第二流体通道15每个区沿垂直于所述第一承载面D的方向上的尺寸相等,且第二流体通道15每个区顶部到聚焦环13底部的距离距离相等,使得所述第二流体通道15每个区能够同时加工形成,因此,有利于降低形成第二流体通道15的复杂度和难度。
在本实施例中,所述热传导环142与基座11之间存在间隙,使得所述热传导环142对基座11的热影响较小,所述基座11用于承载待处理基片,因此,有利于减小对待处理基片W中心区域的温度影响。
在其他实施例中,所述热传导环与基座接触。
在本实施例中,所述间隙的宽度大于或者等于0.5毫米,如此,减少热传导环142与基座11之间的导热能力。
在其他实施例中,所述间隙的宽度小于0.5毫米。
在本实施例中,在所述间隙内填充有隔热材料层16,所述隔热材料层16隔离热传导环142与基座11之间的热传导能力较强,使得热传导环142对基座11的热影响更小,有利于进一步减小对待处理基片W中心区域的温度影响。
所述隔热材料层16的材料包括:特氟龙或聚醚酰亚胺或聚醚醚酮或聚酰亚胺。
在本实施例中,还包括:底部平板141,所述底部平板141两端与热传导环142连接,且所述底部平板141与热传导环142一体成型。所述底部平板141和热传导环142构成附件极板14。
在本实施例中,还包括:位于所述聚焦环13与热传导环142之间的导热耦合环17。所述导热耦合环17能够促进热传导环142与聚焦环13之间的热传导,进而通过导热耦合环17能够快速地调控聚焦环13的温度。作为一示例,所述导热耦合环17一般由导热性良好但电绝缘的材料制成,例如,所述导热耦合环17的材料包括:氧化铝或者石英。
在其他实施例中,不包括所述导热耦合环。
在本实施例中,还包括:在导热耦合环17与热传导环142之间设置导热结构(图1中未示出)。利用所述导热结构进一步提高热传导环142与聚焦环13之间的热传导能力。
在其他实施例中,不包括所述导热结构。
在本实施例中,所述用于等离子体处理设备的射频电极组件还可以包括:底部接地环18,所述底部接地环18包围热传导环142,所述底部接地环18能够将真空反应腔内的耦合射频电流导入地。
在本实施例中,所述用于等离子体处理设备的射频电极组件还可以包括:设置在底部接地环18与热传导环142之间的绝缘环19。其中,绝缘环19和底部接地环18围绕热传导环142。为了能够容纳所述热传导环142,使所述绝缘环19和底部接地环18向远离基座11的方向移动。
在本实施例中,所述用于等离子体处理设备的射频电极组件还包括:设置在聚焦环13***的边缘环110。所述边缘环110用于团结真空反应腔24边缘区域的电磁场分布。
在其他实施例中,不包括所述边缘环。
在本实施例中,所述等离子体处理设备包括用于等离子体处理设备的射频电极组件,所述用于等离子体处理设备的射频电极组件包括:基座11,所述基座11内设置有第一流体通道A、B、C,所述第一流体通道A、B、C连接第一流体源;位于所述基座11上的静电夹盘12,所述静电夹盘12用于承载待处理基片;位于所述静电夹盘12***的聚焦环13;位于所述基座11周围的热传导环142,所述热传导环142包围部分基座11,所述热传导环142位于所述聚焦环13下方,所述热传导环142内设置有第二流体通道15,所述第二流体通道15连接第二流体源,所述热传导环142与所述聚焦环13之间能够进行热传导。
图2是本发明实施例提供的另一种用于等离子体处理设备的射频电极组件结构示意图。
本实施例所述的射频电极组件与图1所示实施例所述的射频电极组件的不同点仅在于:第二流体通道15第一区至第二流体通道15第N-1区顶部至聚焦环13底部的距离依次减小,所述第二流体通道15第N区顶部至聚焦环13底部的距离大于第二流体通道15第N-1区顶部至聚焦环13底部的距离,意义在于:第二流体通道15第一区连接流体输入口,第二流体通道15第N区连接流体输出口,第二流体源由流体输入口流进第二流体通道15,流经第二流体通道15的每一个区之后,从流体输出口流出。所述第二流体源流经第二流体通道15需要一定的时间,使得所述流体输入口与流体出口的第二流体源存在温度差。为了缩小不同区域第二流体通道15内第二流体源的控温能力差,使第一区至第N-1区第二流体通道15顶部至聚焦环13底部的距离依次减小。但是,由于流体输出口距离流体输入口较近,使得流体输入口的第二流体源影响流体输出口的第二流体源的温度,使得流体输入口的第二流体源与流体输出口的第二流体源的温差不至于过大,则所述第N区第N区顶部至聚焦环13底部的距离大于第N区第N-1区顶部至聚焦环13底部的距离,有利于提高聚焦环13不同区域温度的均匀性。
另外,尽管利用所述第一流体源难以调节待处理基片W边缘区域的温度,但是,所述热传导环142内具有第二流体通道15,所述第二流体通道15内的第二液体源能够调节聚焦环13的温度,则聚焦环13与待处理基片W边缘的温度差可调,因此,能够调节所述待处理基片W边缘聚合物的分布,有利于在待处理基片W边缘区域形成满足工艺要求的沟槽。
在本实施例中,沿垂直于所述第一承载面D的方向上,第二流体通道15每个区的尺寸相等。
在其他实施例中,沿垂直于所述第一承载面的方向上,所述第二流体通道每个区的尺寸相等,第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小。
在本实施例中,所述等离子体处理设备包括:电容耦合等离子体处理设备(CCP)或者电感耦合等离子体处理设备(ICP)。
图3是本发明实施例提供的又一种用于等离子体处理设备的射频电极组件结构示意图。
本实施例与图2所示实施例的不同点在于:沿垂直于所述第一承载面D的方向上,第二流体通道20第一区至第二流体通道20第N-1区的尺寸依次增加,所述第二流体通道20第N区的尺寸小于第二流体通道20第N-1区的尺寸;本实施例与图2所示实施例的相同点在于:第二流体通道20第一区至第二流体通道20第N-1区顶部至聚焦环13底部的距离依次减小,所述第二流体通道20第N区顶部至聚焦环13底部的距离大于第二流体通道20第N-1区顶部至聚焦环13底部的距离。所述第二流体通道20顶部至聚焦环13底部距离设置的意义与图2所述实施例相同,在此不作赘述。
尽管利用所述第一流体源难以调节待处理基片W边缘区域的温度,但是,所述热传导环142内具有第二流体通道20,所述第二流体通道20内的第二液体源能够调节聚焦环13的温度,则聚焦环13与待处理基片W边缘的温度差可调,因此,能够调节所述待处理基片W边缘聚合物的分布,有利于在待处理基片W边缘区域形成满足工艺要求的沟槽。
在本实施例中,所述第二流体通道20每个区底部到聚焦环13底部的距离相等。
在本实施例中,所述底部平板21与热传导环142相互分立。由于所述底部平板21位于所述基座11底部,而所述热传导环142与底部平板21之间相互分立,使得热传导环142与基座11之间的影响较小,有利于减少热传导环142对待处理基片中心区域的温度影响。
在其他实施例中,所述底部平板21与热传导环142之间相互连接。
在本实施例中,还包括:在所述底部平板21与热传导环142之间设置隔热层(图中未示出),所述隔热层用于隔离底部平板21与热传导环142。所述隔热层用于进一步减少热传导环142与底部平板21之间的热传导,有利于进一步减少热传导环142对待处理基片中心区域的温度影响。
在其他实施例中,不形成所述隔热层。
在本实施例中,所述等离子体处理设备包括:电容耦合等离子体处理设备(CCP)或者电感耦合等离子体处理设备(ICP)。
以下对所述热传导环142进行详细说明,请参考图4。
图4是本发明实施例提供的一种热传导环的结构示意图。
在本实施例中,所述热传导环142包括位于基座11(见图3)与绝缘环19(见图3)之间的第一环部142a和由第一环部142a延伸至部分底部平板21(见图3)下方的第二环部142b,使得所述热传导环142便于安装。
在其他实施例中,所述热传导环仅为所述第一环部。
在本实施例中,第二流体通道20第一区至第二流体通道20第N-1区顶部依次上升,而所述第二流体通道20第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道20第N-1区顶部至聚焦环底部的距离,这是由于:所述第二流体通道20第一区连接流体输入口,所述第二流体通道20第N区连接流体输出口,即:所述第二流体通道20第N区靠近第二流体通道20第一区,而所述第二流体通道20第一区内第二流体源的温度较低,所述第一区的第二流体源将影响第N区第二流体源的温度,使得第N区的第二流体源的温度不至于过高,使得第N区的第二流体源对对应聚焦环13的控温能力较强,使得第N区第二流体通道20顶部至聚焦环底部的距离不必设计的过小。
在本实施例中,所述第二流体通道20为一圈。
以下对图4中所述第二流体通道20的形貌进行详细描述,具体请参考图5至图7。
图5为本发明实施例提供的一种热传导环内第二流体通道画为实体的结构示意图。
所述第二流体通道20沿周向Y依次包括N个区,N是大于等于1的自然数。
在本实施例中,以所述第二流体通道20包括7个区为例进行说明,所述第二流体通道20第一区C1至第二流体通道20第六区C6顶部呈阶梯式上升,第二流体通道20第七区C7顶部至聚焦环13底部的距离大于第二流体通道20第六区C6顶部至聚焦环底部的距离。所述第二流体通道20的7个区深度设置的意义与图4实施例第二流体通道N个区深度设置的意义相同,在此不作赘述。
第二流体通道20第一区C1连接流体输入口20a,第二流体通道20第N区连接流体输出口20b。
尽管利用所述第一流体源难以调节待处理基片边缘区域的温度,但是,所述热传导环142内具有第二流体通道20,所述第二流体通道20内的第二液体源能够调节聚焦环13的温度,则聚焦环13与待处理基片W边缘的温度差可调,因此,能够调节所述待处理基片W边缘聚合物的分布,有利于在待处理基片W边缘区域形成满足工艺要求的沟槽。
在本实施例中,相邻两个区之间通过连接区D连接,所述连接区D与水平面之间具有夹角,而第一区C1、第二区C2、第三区C3、第四区C4、第五区C5、第六区C6和第七区C7的顶部平行于水平面。如此设计所述第二流体通道30,有利于降低加工第二流体通道30的难度。
在其他实施例中,第二流体通道部分区的顶部与水平面之间具有夹角。
在本实施例中,所述第二流体通道30为一圈。
图6为本发明实施例提供的另一种热传导环内第二流体通道画为实体的结构示意图。
本实施例与图5所述实施例的不同点在于:所述第二流体通道30第一区C1至第二流体通道第六区C6顶部呈圆滑式上升,使得第二流体源在第二流体通道30内的流动较顺畅。
第二流体通道30第一区C1连接流体输入口30a,第二流体通道30第N区连接流体输出口30b。
尽管利用所述第一流体源难以调节待处理基片边缘区域的温度,但是,所述热传导环142内具有第二流体通道30,所述第二流体通道30内的第二液体源能够调节聚焦环13的温度,则聚焦环13与待处理基片W边缘的温度差可调,因此,能够调节所述待处理基片W边缘聚合物的分布,有利于在待处理基片W边缘区域形成满足工艺要求的沟槽。
在本实施例中,所述第二流体通道30为一圈。
图7是本发明实施例提供的又一种热传导环内第二流体通道画为实体的结构示意图。
在本实施例中,所述第二流体通道40为两圈,使得第二流体通道40与聚焦环13的接触面积较大,则所述第二流体通道40对聚焦环13的控温能力较强。
尽管利用所述第一流体源难以调节待处理基片边缘区域的温度,但是,所述热传导环142内具有第二流体通道40,所述第二流体通道40内的第二液体源能够调节聚焦环13的温度,则聚焦环13与待处理基片W边缘的温度差可调,因此,能够调节所述待处理基片W边缘聚合物的分布,有利于在待处理基片W边缘区域形成满足工艺要求的沟槽。
在其他实施例中,所述第二流体通道的圈数大于两圈。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (18)

1.一种用于等离子体处理设备的射频电极组件,其特征在于,包括:
基座,所述基座内设置有第一流体通道,所述第一流体通道连接第一流体源;
位于所述基座上的静电夹盘,所述静电夹盘上用于放置待处理基片;
位于所述静电夹盘***的聚焦环;
位于所述基座周围的热传导环,所述热传导环位于所述聚焦环下方,且所述热传导环至少部分包围基座,所述热传导环内设置有第二流体通道,所述第二流体通道连接第二流体源,所述热传导环与所述聚焦环之间能够进行热传导;
所述热传导环包括位于所述聚焦环下方的第一环部和由所述第一环部延伸至所述基座下方的第二环部;
所述热传导环与基座之间具有间隙;所述间隙内填充有隔热材料层;
位于所述聚焦环与所述热传导环之间的导热耦合环;位于所述导热耦合环与所述热传导环之间的导热结构;包围所述热传导环的底部接地环;位于所述底部接地环与所述热传导环之间的绝缘环,所述绝缘环围绕所述热传导环;
所述第二流体通道沿周向依次包括N个区,N是大于等于1的自然数,所述第二流体通道的第一区连接流体输入口,所述第二流体通道的第N区连接流体输出口,所述第二流体源由流体输入口进入第二流体通道,从流体输出口流出第二流体通道;所述静电夹盘包括第一承载面,所述第一承载面用于承载待处理基片;
沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道的每个区尺寸相等,第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小;
或;
沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道的每个区尺寸相等,第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小,所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离
或;
沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道第一区至第二流体通道第N区的尺寸依次增加;所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N区底部至聚焦环底部的距离相等;第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小;
或;
沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区的尺寸依次增加,所述第二流体通道第N区的尺寸小于第二流体通道第N-1区的尺寸;所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N区底部至聚焦环底部的距离相等;第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小,所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离。
2.根据权利要求1所述的射频电极组件,其特征在于,所述间隙的宽度大于或者等于0.5毫米。
3.根据权利要求1所述的射频电极组件,其特征在于,所述隔热材料层的材料包括:特氟龙或聚醚酰亚胺或聚醚醚酮或聚酰亚胺。
4.根据权利要求1所述的射频电极组件,其特征在于,所述导热耦合环的材料包括:氧化铝或者石英。
5.根据权利要求1所述的射频电极组件,其特征在于,还包括:位于基座下方的底部平板。
6.根据权利要求5所述的射频电极组件,其特征在于,所述底部平板与热传导环之间相互连接;或者,所述底部平板与热传导环之间相互分立。
7.根据权利要求1所述的射频电极组件,其特征在于,所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部呈圆滑式上升或者阶梯式上升。
8.根据权利要求1所述的射频电极组件,其特征在于,所述第二流体通道的圈数为1圈或者大于1圈。
9.根据权利要求1所述的射频电极组件,其特征在于,还包括:测量单元,所述测量单元用于测量在待处理基片边缘区域所形成的沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸;当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸大于目标尺寸时,使第二流体源的温度升高,当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸小于目标尺寸时,使第二流体源的温度降低。
10.一种等离子体处理设备,其特征在于,包括:
真空反应腔;
位于所述真空反应腔下游的基座,所述基座内设置有第一流体通道,所述第一流体通道连接第一流体源;
位于所述基座上的静电夹盘,所述静电夹盘上用于放置待处理基片;
位于所述静电夹盘***的聚焦环;
位于所述基座周围的热传导环,所述热传导环位于所述聚焦环的下方,且所述热传导环至少部分包围基座,所述热传导环内设置有第二流体通道,所述第二流体通道连接第二流体源,所述热传导环与所述聚焦环之间能够进行热传导;
所述热传导环包括位于所述聚焦环下方的第一环部和由所述第一环部延伸至所述基座下方的第二环部;
所述热传导环与基座之间具有间隙;所述间隙内填充有隔热材料层;
位于所述真空反应腔顶部的进气装置,所述进气装置用于向所述真空反应腔内提供反应气体;
位于所述聚焦环与所述热传导环之间的导热耦合环;位于所述导热耦合环与所述热传导环之间的导热结构;包围所述热传导环的底部接地环;位于所述底部接地环与所述热传导环之间的绝缘环,所述绝缘环围绕所述热传导环;
所述第二流体通道沿周向依次包括N个区,N是大于等于1的自然数,第二流体通道的第一区通道连接流体输入口,第二流体通道的第N区连接流体输出口,所述第二流体源由流体输入口进入第二流体通道,从流体输出口流出第二流体通道;所述静电夹盘包括第一承载面,所述第一承载面用于承载待处理基片;沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道的每个区尺寸相等,第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小;
或;
沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道的每个区尺寸相等,第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小,所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离;
或;
沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道第一区至第二流体通道第N区的尺寸依次增加;所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N区底部至聚焦环底部的距离相等;第二流体通道第一区至第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离依次减小;
或;
沿垂直于所述第一承载面的方向上,第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区的尺寸依次增加,所述第二流体通道第N区的尺寸小于第二流体通道第N-1区的尺寸;所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N区底部至聚焦环底部的距离相等;第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离依次减小,所述第二流体通道第N区顶部至聚焦环底部的距离大于第二流体通道第N-1区顶部至聚焦环底部的距离。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理设备,其特征在于,所述第二流体通道第一区至第二流体通道第N-1区顶部呈圆滑式上升或者阶梯式上升。
12.根据权利要求10所述的等离子体处理设备,其特征在于,所述第二流体通道的圈数为1圈或者大于1圈。
13.根据权利要求10所述的等离子体处理设备,其特征在于,还包括:位于基座下方的底部平板。
14.根据权利要求13所述的等离子体处理设备,其特征在于,所述底部平板与热传导环之间相互连接;或者,所述底部平板与热传导环之间相互分立。
15.根据权利要求10所述的等离子体处理设备,其特征在于,所述进气装置包括设置于真空反应腔顶部的安装基板和设置于安装基板下方的气体喷淋头;所述等离子体处理设备还包括:射频功率源,所述射频功率源连接所述基座;偏置功率源,所述偏置功率源连接所述基座。
16.根据权利要求10所述的等离子体处理设备,其特征在于,所述真空反应腔侧壁包括第二承载面;所述等离子体处理设备还包括:环形内衬,所述环形内衬包括侧壁保护环及将所述侧壁保护环固定在所述第二承载面上的承载环;位于所述真空反应腔上的绝缘窗口;位于所述绝缘窗口上的电感耦合线圈;连接所述电感耦合线圈的射频功率源;连接所述基座的偏置功率源。
17.根据权利要求10所述的等离子体处理设备,其特征在于,还包括:位于所述热传导环上下表面内的密封槽和位于所述密封槽内的密封垫圈,使基座和静电夹盘处于真空环境。
18.根据权利要求10所述的等离子体处理设备,其特征在于,还包括:测量单元,所述测量单元用于测量在待处理基片边缘区域所形成的沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸;当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸大于目标尺寸时,使第二流体源的温度升高,当所述测量单元测量沟槽沿平行于待处理基片表面的尺寸小于目标尺寸时,使第二流体源的温度降低。
CN201910600861.6A 2018-12-17 2019-07-04 射频电极组件和等离子体处理设备 Active CN111326390B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108145949A TWI809233B (zh) 2018-12-17 2019-12-16 用於電漿處理設備的射頻電極組件及電漿處理設備
KR1020190168603A KR102244438B1 (ko) 2018-12-17 2019-12-17 플라즈마 처리 장치에 사용되는 rf 전극 조립품 및 플라즈마 처리 장치
US16/718,056 US11875970B2 (en) 2018-12-17 2019-12-17 Radio frequency electrode assembly for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2018115435659 2018-12-17
CN201811543565 2018-12-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111326390A CN111326390A (zh) 2020-06-23
CN111326390B true CN111326390B (zh) 2023-09-12

Family

ID=71171121

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910600861.6A Active CN111326390B (zh) 2018-12-17 2019-07-04 射频电极组件和等离子体处理设备

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN111326390B (zh)
TW (1) TWI809233B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011192661A (ja) * 2009-03-03 2011-09-29 Tokyo Electron Ltd 載置台構造、成膜装置及び原料回収方法
CN102804931A (zh) * 2009-06-19 2012-11-28 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及等离子体处理装置用冷却装置
TW201724159A (zh) * 2015-09-25 2017-07-01 東京威力科創股份有限公司 載置台及電漿處理裝置
CN108242382A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 三星电子株式会社 等离子体处理装置
CN108878247A (zh) * 2017-05-12 2018-11-23 细美事有限公司 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100842947B1 (ko) * 2000-12-26 2008-07-01 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치
US6767844B2 (en) * 2002-07-03 2004-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Plasma chamber equipped with temperature-controlled focus ring and method of operating
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
KR100674922B1 (ko) * 2004-12-02 2007-01-26 삼성전자주식회사 포커스 링을 냉각하는 냉각 유로를 가지는 웨이퍼지지장치
JP5317424B2 (ja) * 2007-03-28 2013-10-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5222442B2 (ja) * 2008-02-06 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置及び被処理基板の温度制御方法
JP6689020B2 (ja) * 2013-08-21 2020-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011192661A (ja) * 2009-03-03 2011-09-29 Tokyo Electron Ltd 載置台構造、成膜装置及び原料回収方法
CN102804931A (zh) * 2009-06-19 2012-11-28 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及等离子体处理装置用冷却装置
TW201724159A (zh) * 2015-09-25 2017-07-01 東京威力科創股份有限公司 載置台及電漿處理裝置
CN108242382A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 三星电子株式会社 等离子体处理装置
CN108878247A (zh) * 2017-05-12 2018-11-23 细美事有限公司 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理设备

Also Published As

Publication number Publication date
TWI809233B (zh) 2023-07-21
CN111326390A (zh) 2020-06-23
TW202029404A (zh) 2020-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI791027B (zh) 具有低頻射頻功率分佈調節功能的電漿反應器
CN102106191B (zh) 具有可控制分配rf功率至制程套组环的等离子体反应器的工件支撑件
US9443753B2 (en) Apparatus for controlling the flow of a gas in a process chamber
US8840725B2 (en) Chamber with uniform flow and plasma distribution
US7824519B2 (en) Variable volume plasma processing chamber and associated methods
CN105742146B (zh) 载置台和等离子体处理装置
CN108206143B (zh) 一种等离子处理器、刻蚀均匀性调节***及方法
US20200411355A1 (en) Apparatus for reduction or prevention of arcing in a substrate support
KR102332189B1 (ko) 플라즈마 처리 장치를 위한 냉각된 포커스 링
US20200286717A1 (en) Electrostatic chuck for high bias radio frequency (rf) power application in a plasma processing chamber
CN111326390B (zh) 射频电极组件和等离子体处理设备
US11908663B2 (en) Plasma processing apparatus
KR102244438B1 (ko) 플라즈마 처리 장치에 사용되는 rf 전극 조립품 및 플라즈마 처리 장치
CN112185787B (zh) 等离子体处理设备的射频电极组件和等离子体处理设备
US20220068615A1 (en) Stage and plasma processing apparatus
TWI717934B (zh) 電漿處理設備
US11929234B2 (en) Plasma processing apparatus and lower stage
US20230071494A1 (en) Conductive Member for Cleaning Focus Ring of a Plasma Processing Apparatus
EP4148774A1 (en) Conductive member for cleaning focus ring of a plasma processing apparatus
US20230197495A1 (en) Substrate support gap pumping to prevent glow discharge and light-up
US20220028720A1 (en) Lift pin interface in a substrate support
WO2023034436A1 (en) Replaceable electrostatic chuck outer ring for edge arcing mitigation
CN117253770A (zh) 等离子体处理装置、聚焦环温度调整装置及方法
JP2023080674A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の使用方法
CN117457463A (zh) 一种电感耦合等离子处理设备及电感耦合线圈组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant