JP2006351887A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
処理を高精度に行うことができるプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】
真空容器内に配置されプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下部に配置されその上面に処理対象の試料が載置される試料台と、この試料台の内側に配置され前記試料の表面の電位を調節するための第1の高周波電力が印加される電極と、前記試料台の内側に配置され内部を熱交換媒体が通流する通路と、この通路内を通流する前記冷媒の温度を調節する制御装置とを備え、前記第1の高周波電力を印加しつつ前記処理室内に形成されたプラズマを用いて前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、前記制御装置が前記第1の高周波電力の印加前にこの高周波電力の情報に基づいて予め定められた値となるように前記熱交換媒体の温度の調節を開始する。
【選択図】図2
Description
(バイアス電位)を試料表面に形成することが行われている。
22およびこれに接続された導波管28が処理容器23aの上方に配置され、処理容器
23aとこの下方に接続された23bの内部の処理室27内にマイクロ波が導入される。さらに、処理容器23aおよびその上方の導波管28の一部の周囲に配置されたソレノイドコイル26により生成された磁界が処理室27内に供給される。
105の一端が冷媒の温度を調節する温度調節器107の供給端側に連通されるとともに、他端が流路を介して温度調節器107の回収端側に連通され、温度調節器107からの冷媒が冷媒流路105内を循環する。
105を流れて熱交換することにより基材101の温度を所望の値となるように調整する。冷媒流路105を出た冷媒は、温度調節器107の回収側から戻り温度調節器107によって所定の温度に加温または冷却されて再び冷媒流路105に導入される。
103との間で熱伝達を促進し試料103の温度が所望の温度となるように調節されている。つまり、略円板形状の試料103の半径方向に配置される内外2つの空間104,
104′は、熱伝達のための領域となっている。
また、試料台100の外周上には、試料台100或いはアルミ等の導電性部材である基材101の保護のため、試料103が載置される試料載置面である誘電体膜102の外周側に、絶縁材により構成されたサセプタ114,その内周側に試料外周部の電界コントロール用の抵抗の大きい導電性部材から構成された導体リング121と導体リング121の円周方向に均一に電圧を与えるための抵抗の少ない導体リング120が配置されている。
113は閉じて、スイッチ130,116は閉じた状態として、高周波電源110の出力端を基材101に電気的に連結しつつアース131とは絶縁する一方、バリアブルコンデンサ119を介した導体リング120をアース131と連結しつつ高周波電源110とは絶縁する場合である。
Heを供給する経路には、これらから分岐して、これら経路と処理容器23b内の処理室27内とを連通するパージ通路とこれら経路上に配置されたパージバルブ106,127とが配置されている。これらのパージバルブ106,127は試料103の処理の際には通常は閉じられており、試料103を試料台100上から取り出す際や、異常の発生時に空間104,104′や熱伝達ガスの供給経路内のガスを排出する必要が有る場合に開放され、この際にガスが処理室27内に導入されて排気口54を介して処理室27内のガス,プラズマ粒子等と共に処理容器外に排気される。
107に発信する。その信号に応じて、温度調節器107は内部を流れて循環する冷媒の温度を変化させる。
103あるいは誘電体膜102の上面と上部電極201のギャップGが示されている。
31…収納容器、100…試料台、101…基材、102…誘電体膜、103…試料、
104,104′…空間、105…冷媒流路、106,127…パージバルブ、107…温度調節器、108,109…ガスボンベ、110…高周波電源、111,112…調節バルブ、113,115,116,130…スイッチ、114…サセプタ、117,128…信号、118…プログラマブルコントローラ、119…バリアブルコンデンサ、120,121…導体リング、122…センサ。
Claims (9)
- 真空容器内に配置されプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下部に配置されその上面に処理対象の試料が載置される試料台と、この試料台の内側に配置され前記試料の表面の電位を調節するための第1の高周波電力が印加される電極と、前記試料台の内側に配置され内部を熱交換媒体が通流する通路と、この通路内を通流する前記冷媒の温度を調節する制御装置とを備え、前記第1の高周波電力を印加しつつ前記処理室内に形成されたプラズマを用いて前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記制御装置が前記第1の高周波電力の印加前にこの高周波電力の情報に基づいて予め定められた値となるように前記熱交換媒体の温度の調節を開始するプラズマ処理装置。 - 真空容器内に配置されプラズマが形成される処理室と、この処理室内の下部に配置されその上面に処理対象の試料が載置される試料台と、この試料台の内側に配置され前記試料の表面の電位を調節するための第1の高周波電力が印加される電極と、前記試料台の内側に配置され内部を熱交換媒体が通流する通路と、この通路内を通流する前記冷媒の温度を調節する制御装置とを備え、前記第1の高周波電力を印加しつつ前記処理室内に形成されたプラズマを用いて前記試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記制御装置が前記プラズマの点火前にこの第1の高周波電力の情報に基づいて予め定められた値となるように前記熱交換媒体の温度の調節を開始するプラズマ処理装置。 - 請求項1または2に記載のプラズマ処理装置であって、
前記試料台の前記試料が載置される面の外周側であって前記試料台上に配置され第2の高周波電力が印加されるリング状の導電性部材を有し、
前記第1および第2の高周波電力を所定の値に調節しつつ前記プラズマを用いて前記試料を処理するプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマ処理装置であって、電源から分配された前記第1および第2の高周波電力が前記電極および前記導電性部材の各々に印加されるプラズマ処理装置。
- 請求項3また4に記載のプラズマ処理装置であって、前記導電性部材が前記電極との間を絶縁する部材を介して前記試料台上に載置されたプラズマ処理装置。
- 真空容器内に配置された処理室内の下部に配置された試料台の上面に処理対象の試料を載置して、この試料台の内側に配置され前記試料の表面の電位を調節するための第1の高周波電力を印加しつつ前記処理室内に形成されたプラズマを用いて前記試料を処理するプラズマ処理方法であって、
前記第1の高周波電力の印加前にこの高周波電力の情報に基づいて予め定められた値となるように前記試料台の内側に配置された通路内部を通流する熱交換媒体の温度の調節を開始するプラズマ処理方法。 - 真空容器内に配置された処理室内の下部に配置された試料台の上面に処理対象の試料を載置して、この試料台の内側に配置され前記試料の表面の電位を調節するための第1の高周波電力を印加しつつ前記処理室内に形成されたプラズマを用いて前記試料を処理するプラズマ処理方法であって、
前記プラズマの点火前にこの高周波電力の情報に基づいて予め定められた値となるように前記試料台の内側に配置された通路内部を通流する熱交換媒体の温度の調節を開始するプラズマ処理方法。 - 請求項6または7に記載のプラズマ処理方法であって、
前記試料台の前記試料が載置される面の外周側であって前記試料台上に配置され第2の高周波電力が印加されるリング状の導電性部材を有し、
前記第1および第2の高周波電力を所定の値に調節しつつ前記プラズマを用いて前記試料を処理するプラズマ処理方法。 - 請求項8に記載のプラズマ処理方法であって、電源から分配して前記第1および第2の高周波電力を前記電極および前記導電性部材の各々に印加するプラズマ処理方法。
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