KR100963775B1 - 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치 및 방법 - Google Patents
비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치 및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (13)
- 입출력 라인의 전압 강하 시점을 지연 시키기 위한 신호 지연부;시스템의 전원 차단을 감지하는 전원 차단 감지부; 및상기 시스템의 전원 차단 여부에 대응하여 상기 신호 지연부를 제어하는 제어부를 포함하고,상기 신호 지연부는,상기 시스템의 전원 차단이 발생하면, 비휘발성 메모리에 데이터 기록을 수행하는 신호와 관련된 상기 입출력 라인의 전압 강하 시점을 비휘발성 메모리에 제공되는 전압이 상기 비휘발성 메모리의 동작 가능 전압 이하로 변경되는 시점 이후로 지연시키기 위한 지연회로, 버퍼, 및 커패시터 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치.
- 제1항에 있어서,상기 입출력 라인은,메인보드와 비휘발성 메모리를 연결하는 명령어 라인, 주소 라인, 및 데이터 라인 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 전원 차단 감지부는,전원 차단 시 발생하는 디지털 신호를 이용하여 전원의 차단을 감지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치.
- 제4항에 있어서,상기 디지털 신호는,CKE(Clock Enable) 및 power down exit mode 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치.
- 제1항에 있어서,상기 제어부는,상기 시스템의 전원이 차단되는 경우,상기 신호 지연부를 동작시키고,상기 시스템의 전원이 차단되지 않는 경우,상기 신호 지연부가 동작하지 않도록 제어하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치.
- 시스템의 전원 차단을 감지하는 단계; 및상기 시스템의 전원 차단이 발생하면, 비휘발성 메모리에 데이터 기록을 수행하는 신호와 관련된 입출력 라인의 전압 강하 시점을 상기 비휘발성 메모리에 제공되는 전압이 상기 비휘발성 메모리의 동작 가능 전압 이하로 변경되는 시점 이후로 지연하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 방법.
- 제7항에 있어서,시스템의 전원 차단을 감지하는 단계는,전원 차단 시 발생하는 디지털 신호를 이용하여 전원의 차단을 감지하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 방법.
- 제8항에 있어서,상기 디지털 신호는,CKE(Clock Enable) 및 power down exit mode 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 방법.
- 제7항에 있어서,상기 입출력 라인은,메인보드와 비휘발성 메모리를 연결하는 명령어 라인, 주소 라인, 및 데이터 라인 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 방법.
- 제7항에 있어서,상기 전압 강하 시간을 지연하는 단계는,지연회로, 버퍼, 및 커패시터 중 적어도 하나를 이용하여,상기 시스템의 전원이 차단되는 경우, 상기 전압 강하 시간을 기 설정된 시간지연하고,상기 시스템의 전원이 차단되지 않는 경우, 상기 전압 강하 시간을 지연하지 않는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 데이터 보호 방법.
- 삭제
- 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항의 방법을 실행하기 위한 프로그램이 기록되어 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터에서 판독 가능한 기록 매체.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080075519A KR100963775B1 (ko) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치 및 방법 |
PCT/KR2009/004304 WO2010013979A1 (en) | 2008-08-01 | 2009-07-31 | Device and method for protecting data in non-volatile memory |
US13/057,034 US8446795B2 (en) | 2008-08-01 | 2009-07-31 | Device and method for protecting data in non-volatile memory |
US13/867,233 US8811106B2 (en) | 2008-08-01 | 2013-04-22 | Device and method for protecting data in non-volatile memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080075519A KR100963775B1 (ko) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치 및 방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020100038670A Division KR20100059762A (ko) | 2010-04-26 | 2010-04-26 | 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100013819A KR20100013819A (ko) | 2010-02-10 |
KR100963775B1 true KR100963775B1 (ko) | 2010-06-14 |
Family
ID=41610564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080075519A KR100963775B1 (ko) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | 비휘발성 메모리의 데이터 보호 장치 및 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8446795B2 (ko) |
KR (1) | KR100963775B1 (ko) |
WO (1) | WO2010013979A1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8593752B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-11-26 | HGST Netherlands B.V. | Pulse power during a shut down in a hard disk drive |
ITMI20111201A1 (it) * | 2011-06-29 | 2012-12-30 | St Microelectronics Srl | Sistema di controllo per dispositivo di memoria |
WO2017023270A1 (en) * | 2015-07-31 | 2017-02-09 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Data copy to non-volatile memory |
CN110196678B (zh) * | 2018-02-23 | 2022-09-30 | 环达电脑(上海)有限公司 | 资料储存决定装置 |
WO2019240751A1 (en) * | 2018-06-11 | 2019-12-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory power termination delays |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9113924D0 (en) * | 1991-06-27 | 1991-08-14 | Thomson Consumer Electronics | Fault protection using microprocessor power up reset |
US6105140A (en) | 1998-02-10 | 2000-08-15 | Compaq Computer Corporation | Secure power supply |
JP3692313B2 (ja) | 2001-06-28 | 2005-09-07 | 松下電器産業株式会社 | 不揮発性メモリの制御方法 |
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-
2008
- 2008-08-01 KR KR1020080075519A patent/KR100963775B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-07-31 US US13/057,034 patent/US8446795B2/en active Active
- 2009-07-31 WO PCT/KR2009/004304 patent/WO2010013979A1/en active Application Filing
-
2013
- 2013-04-22 US US13/867,233 patent/US8811106B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100013819A (ko) | 2010-02-10 |
US8446795B2 (en) | 2013-05-21 |
US8811106B2 (en) | 2014-08-19 |
US20110141839A1 (en) | 2011-06-16 |
US20130235690A1 (en) | 2013-09-12 |
WO2010013979A1 (en) | 2010-02-04 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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