KR100873181B1

KR100873181B1 - 전압 측정 방법, 전기적 검사 방법 및 장치, 반도체장치 제조방법, 및 장치 기판 제조방법

Info

Publication number: KR100873181B1
Application number: KR1020020026675A
Authority: KR
Inventors: 히로키마사아키
Original assignee: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date: 2001-05-15
Filing date: 2002-05-15
Publication date: 2008-12-10
Also published as: CN1274014C; TW573128B; SG132529A1; MY132660A; SG105545A1; KR20020087376A; CN1387246A

Abstract

배선 상에 프로브를 사용하는 않는 간편한 검사 방법과, 이 검사 방법을 사용하는 검사 장치가 제공된다. 검사 기판에 포함된 1차 코일과 OLED 패널에 포함된 2차 코일을 일정한 간격을 두고 중첩시키고, 1차 코일에 교류 신호를 입력하여 전자(電磁) 유도에 의해 2차 코일에 기전력을 발생시킨다. 이 기전력을 사용하여, OLED 패널에 포함된 화소를 동작시킨다. 화소 전극과 검사용 전극을 일정한 간격을 두고 중첩시키고, 검사용 전극에 발생되는 교류 전압을 모니터함으로써, 결함 지점을 검출한다. 또한, 검사용 전극의 위치를 변화시키면서 검사용 전극에 발생되는 교류 전압을 모니터함으로써, 각 화소의 동작 상태를 확인힐 수 있다.

검사 방법, 검사 장치, OLED 패널, 검사용 전극

Description

전압 측정 방법, 전기적 검사 방법 및 장치, 반도체장치 제조방법, 및 장치 기판 제조방법{Voltage measuring method, electrical test method and apparatus, semiconductor device manufacturing method and device substrate manufacturing method}

도 1은 본 발명의 검사 기판의 상면도.

도 2는 본 발명의 장치 기판의 상면도.

도 3은 본 발명의 검사 기판과 장치 기판의 블록도.

도 4(A) 및 도 4(B)는 본 발명에 따른 코일의 확대도.

도 5는 검사 시에 있어서의 검사 기판과 장치 기판의 사시도.

도 6(A) 및 도 6(B)는 본 발명에 따른 중첩된 코일들의 확대도와 중첩된 화소 전극과 검사용 전극의 확대도.

도 7은 검사 시에 있어서의 검사 기판과 장치 기판의 회로도.

도 8(A) 및 도 8(B)는 본 발명의 검사 기판의 상면도.

도 9는 본 발명의 검사 기판과 장치 기판의 블록도.

도 10은 검사 시에 있어서의 검사 기판과 장치 기판의 사시도.

도 11(A) 및 도 11(B)는 본 발명의 검사용 전극을 회전시킨 때의 검사용 전극과 화소 전극의 중첩을 나타내는 도면.

도 12는 본 발명의 검사용 전극과 결함 화소가 포함된 화소 전극의 중첩을 나타내는 도면.

도 13은 실시예 1에 따른 검사 장치의 구성을 나타내는 블록도.

도 14는 실시예 2에 따른 검사 장치의 구성을 나타내는 블록도.

도 15는 실시예 3에 따른 신호 처리 회로의 회로도.

도 16은 실시예 4에 따른 신호 처리 회로의 회로도.

도 17은 실시예 5에 따른 파형 정형 회로의 회로도.

도 18은 실시예 6에 따른 정류 회로의 회로도.

도 19(A) 및 도 19(B)는 실시예 6에 따른, 교류로부터 정류된 펄스 신호의 경시(經時) 변화를 나타내는 도면.

도 20(A)∼도 20(C)는 실시예 6에 따른, 펄스들을 함께 더함으로써 발생된 직류 신호의 경시 변화를 나타내는 도면.

도 21(A) 및 도 21(B)는 실시예 6에 따른 정류 회로의 회로도.

도 22는 실시예 7에 따른 발광장치의 OLED 패널의 블록도.

도 23은 실시예 8의 대형 기판의 상면도.

도 24는 실시예 8의 대형 기판의 상면도.

도 25는 실시예 9의 감사 공정의 흐름을 나타내는 도면.

도 26(A)∼도 26(D)는 실시예 10에 따른 코일의 상면도 및 단면도.

도 27은 실시예 11의 각 함수에 따른 화소의 동작 상태를 나타내는 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

301: 검사 기판 302: 장치 기판

303: 검사용 전극 304: 1차 코일 형성부

305,307: I/F 306: 측정 제어기

308: 측정 시퀀서 309: 패널 표시 시퀀서

310: 코일 구동기 311: RF 캐리어

311: 외부 입력 버퍼 312: 신호 처리 회로

313: 선택회로 314: 신호 분석기

본 발명은, 반도체장치에 포함된 각 화소를 동작시킴으로써 화소 전극에 인가되는 전압 값을 판독하기 위한 전압 측정 방법과, 그 전압 측정 방법을 사용하여 화소부가 정상으로 동작하는지의 여부에 대한 검사를 행하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 비접촉형 전압 측정 방법 및 전기적 검사 방법과, 이들 방법을 사용하는 비접촉형 전기적 검사 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 검사 방법을 사용하는 검사 공정을 포함하는 반도체장치 제조방법과, 그 반도체장치 제조방법을 사용하여 제조되는 반도체장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 검사 방법을 사용하는 검사 공정을 포함하는 장치 기판 제조방법에 관한 것이다.

또한, 본 발명은 기판과 커버재 사이에 봉입(封入)된 유기 발광장치(OLED)를 가지는 OLED 패널에서, OLED 패널을 형성하기에 앞서 화소를 동작시킴으로써 화소 전극에 인가되는 전압 값을 판독하기 위한 전압 측정 방법과, 이 전압 측정 방법을 사용하여 화소부가 정상으로 동작하는지의 여부를 검사하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 비접촉형 전기적 검사 방법과 이 방법을 이용한 비접촉형 전기적 검사 장치에 관한 것이다.

본 명세서에서, 제어기를 포함하는 IC 등이 실장된 OLED 패널을 OLED 모듈이라 부르고, OLED 패널과 OLED 모듈을 함께 발광장치라 총칭한다.

최근, 기판 상에 TFT를 형성하는 기술이 현저하게 진보하고 있다. 액티브 매트릭스형 전자 디스플레이에의 응용 개발이 진행하고 있다. 특히, 폴리실리콘 막을 사용하는 TFT는 비정질 규소막을 사용하는 TFT에 비해 높은 전계효과 이동도를 가지므로, 고속 동작이 가능하다. 따라서, 종래 기판 외측에 제공된 구동회로에 의해 행해져 왔던 화소의 제어가 화소와 동일 기판 상에 형성된 구동회로에서 행해질 수 있다.

이러한 액티브 매트릭스형 전자 디스플레이는, 다양한 회로 및 소자를 동일 기판 상에 제조함으로써 제조비용 절감, 전자 디스플레이의 소형화, 생산수율 향상 및 스루풋 향상을 포함한 각종 이점(利點)이 얻어질 수 있다.

전자 디스플레이 중에서도, OLED의 발광소자를 가지는 액티브 매트릭스형 발광장치에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.

OLED는 자기발광형이므로 시인성(視認性)이 높고, 액정 표시장치(LCD)에서 필요한 백라이트를 필요로 하지 않으므로 박형화에 최적이고, 시야각에도 제한이 없다. 따라서, OLED를 사용한 발광소자는 CRT 및 LCD를 대체하는 표시장치로서 주목받고 있다.

OLED는, 전계를 인가함으로써 발생하는 일렉트로루미네슨스(전계발광)가 얻어지는 유기 화합물(유기 발광 재료)을 함유하는 층(이하, 유기 발광층이라 함), 양극층, 및 음극층을 가지고 있다. 본 명세서에서, OLED의 양극과 음극 사이에 제공되는 모든 층을 유기 발광층이라 정의한다. 유기 발광층에는, 구체적으로, 발광층, 정공 주입층, 전자 주입층, 정공 수송층, 및 전자 수송층이 포함된다. 유기 화합물에서의 전계발광에는, 1중항 여기 상태로부터 기저 상태로 복귀할 때의 발광(형광)과, 삼중항 여기 상태로부터 기저 상태로 복귀할 때의 발광(인광)이 있다.

유기 발광층은 열, 광, 수분, 산소 등에 의해 열화가 촉진된다. 일반적으로 액티브 매트릭스형 발광장치의 제조에 있어서는, 제조 공정 중 비교적 높은 처리 온도에서 화소부에 배선과 TFT를 형성한 후에 OLED가 형성된다.

OLED를 형성한 후, OLED를 가진 기판(OLED 패널)과 커버재가 OLED를 외기에 노출시키지 않도록 함께 접합된 다음, 시일(seal)재 등에 의해 봉지(封止)(패키징)된다.

패키징 등의 처리에 의해 기밀성을 높인 후에, 기판 상에 형성된 소자 또는 회로로부터 연장된 단자와 외부 신호 단자 사이의 접속을 위해 커넥터(FPC, TAB 등)가 부착된다. 그리하여, 액티브 매트릭스형 발광장치가 완성된다.

액티브 매트릭스형 발광장치에서, OLED의 한 쌍의 전극으로부터 유기 발광층에 인가되는 전압은 각 화소에 제공된 TFT에 의해 제어된다. 따라서, 예를 들어, 화소부에 포함된 TFT가 스위치 소자로서 기능하지 않거나 또는 배선이 단선 또는 단락되는 것과 같은 어떤 문제가 발생한 지점(결함 지점)이 있으면, OLED에 포함된 유기 발광층에 소정의 전압이 인가될 수 없다. 그러한 경우, 화소가 소망의 계조를 표시할 수 없다.

액티브 매트릭스형 발광장치보다 먼저 양산화되어 있는 액티브 매트릭스형 액정 표시장치에서는, 화소부를 가진 패널(액정 패널)과 대향 전극을 가진 기판 사이에 액정을 채워 넣음으로써 액정 표시장치를 완성하기 전에 배선과 TFT가 화소부에 형성된다. 그 후, 각 화소에 포함된 커패시터에 전하가 저장된다. 각 화소마다 그 전하량을 측정함으로써, 화소부에 결함이 존재하는지의 여부에 대한 검사가 행해진다.

그러나, 많은 경우, 발광장치는 각 화소에 2개 이상의 TFT를 가지고 있다. OLED의 전극들 중 하나(화소 전극)와 커패시터가 TFT를 통해 서로 접속되는 경우가 있다. 이 경우, 커패시터에 저장된 전하량을 측정하더라도, 커패시터와 화소 전극 사이의 배선과 모든 TFT에 결함이 존재하는지의 여부를 검사하는 것은 어렵다.

또한, 커넥터가 부착되기 전에 OLED 패널의 전기적 동작을 검사하는 경우, 전류를 흘리거나 전압을 인가하기 위해 OLED 패널의 단자 또는 배선에 미세한 핀(프로브(probe))을 사용할 필요가 있다. 그러나, 배선 또는 단자에 프로브를 직접 사용하면 배선 또는 단자에 흠이 생겨 미세한 먼지가 발생한다. 검사 공정 중에 발생된 먼지는 후의 공정에서 수율을 저하시키는 원인이 되므로 바람직하지 않다.

발광장치를 완성시켜 실제로 표시를 행함으로써, 결함의 존재 여부를 확인하는 것이 가능하지만, 실제로는 제품으로 되지 않는 OLED 패널에 대해서도, 정상 제품과 구별하기 위해, OLED를 형성하고 패키징하고 커넥터를 부착함으로써 발광장치로서 완성시킬 필요가 있다. OLED 패널에 결함이 존재하는 경우, OLED 형성 공정, 패키징 공정 및 커넥터 부착 공정이 헛된 것으로 되므로 시간과 비용을 억제하는 것이 불가능하다. 한편, 다면취(多面取) 기판을 사용하여 OLED 패널을 형성하는 경우에도, 패키징 및 커넥터 부착 공정이 헛된 것으로 되어, 마찬가지로 시간과 비용을 억제하는 것이 불가능하다.

상기한 문제를 감안하여, 본 발명은, 액티브 매트릭스형 발광장치의 양산화를 위해, 발광장치를 완성하기 전에 화소부에서 배선 또는 TFT에 문제가 발생했는지의 여부를 확인할 수 있는 전기적 검사 방법(이하, 간단히 검사 방법이라 함)을 확립하고, 이 검사 방법을 사용하는 전기적 검사 장치(이하, 간단히 검사 장치라 함)를 제공하는 것을 과제로 한다. 또한, 배선 또는 단자에 프로브를 사용할 필요 없는, 발광장치의 제조 공정에서의 보다 간편한 검사 방법을 확립하고, 이 검사 방법을 사용하는 검사 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 또한, 이러한 전기적 검사 방법을 사용하는 반도체장치 제조방법과 이 제조방법을 사용하여 제조되는 반도체장치를 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명자는, 프로브를 사용하지 않고도, 전자(電磁) 유도를 사용하여 비접촉으로, TFT와 화소 전극을 형성하는 기판(이하, 장치 기판이라 함)의 화소부에 포함된 배선에 전압을 인가하는 것을 착안하였다. 배선에 전압을 인가함으로써, 각 화소를 동작시켜 화소 전극에 전압을 인가한다.

본 명세서에서, 화소를 동작시키는 것이란, 화소에 포함된 소자 또는 배선에 전압을 인가하는 것, 즉, 화소 전극의 전압을 제어하는 것을 의미한다.

화소 전극에 인가된 전압의 값이 정전(靜電) 유도를 사용하여 비접촉으로 판독된다. 판독된 값으로부터, 각 화소의 동작 상태, 또한 정상/비정상, 다시 말해서 각 화소가 정상으로 동작하는지의 여부를 판단할 수 있다. 본 명세서에서, 화소 전극에 소망의 전압을 인가할 수 있는 화소를 정상이라 판단한다. 역으로, 화소 전극에 소망의 전압을 인가할 수 없는 화소를 비정상이라 판단한다.

구체적으로는, 하기의 2가지 방안을 포함하며, 그 중 하나가 사용될 수도 있다.

첫번째 방안에서는, 장치 기판을 검사하기 위한 검사 기판(검사용 기판)을 별도로 준비한다. 이 검사 기판은 1차 코일을 가지고, 검사 대상인 장치 기판은 2차 코일을 가진다.

1차 코일 및 2차 코일 각각은 기판 상에 형성된 도전막을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 본 발명에서, 1차 코일 및 2차 코일은 자로(磁路)를 제공하기 위해 중심에 자성체를 가지는 코일이 아니라, 중심에 자성체를 가지지 않는 코일을 사용한다.

검사 기판에 포함된 1차 코일과 장치 기판에 포함된 2차 코일은 일정한 간격을 두고 중첩된다. 1차 코일이 가지는 2개의 단자 사이에 교류 전압을 인가함으로써, 2차 코일이 가지는 2개의 단자 사이에 기전력이 생성된다.

상기 간격은 작을 수록 바람직하다. 1차 코일과 2차 코일은 그들 사이의 간격이 제어될 수 있는 한 가능한 한 가까운 것이 좋다.

본 명세서에서, 코일에 전압이 인가되는 것이란, 코일의 단자들 사이에 전압이 인가되는 것을 의미한다. 또한, 본 명세서에서, 코일에 신호가 인가되는 것이란, 그 신호의 전압이 코일의 2개 단자 사이에 인가되는 것을 의미한다.

2차 코일에 생긴 기전력인 교류 전압은 장치 기판에서 정류된 다음, 평활화된다. 이것은 장치 기판에 포함된 구동회로 또는 화소를 동작시키는 직류 전압(이하, 전원 전압이라 칭함)으로서 사용된다. 한편, 2차 코일에 생긴 기전력인 교류 전압의 파형은 파형 정형 회로 등에 의해 소망의 형상으로 정형된다. 이것은 장치 기판에 포함된 구동회로 또는 화소를 동작시키는 전압을 가진 신호(이하, 구동 신호라 칭함)로서 사용된다. 2차 코일에 발생된 교류 전압은 파형 정형 회로에서 그의 파형을 정형함이 없이 그대로 구동 신호로서 사용될 수도 있다.

발생된 구동 신호의 전압 또는 전원 전압은 장치 기판 상에 형성된 구동회로 또는 화소에 공급된다. 구동 신호의 전압 또는 전원 전압을 공급함으로써, 구동회로 또는 화소가 어떤 동작을 행한다.

구동 신호의 전압 또는 전원 전압은, 구동회로 또는 화소가 정상인 경우, 화소에 포함된 화소 전극에 인가되는 전압이 교류 전압이 되도록 그의 값이 결정된다.

구동 신호의 전압 또는 전원 전압을 공급함으로써, 화소 전극에 인가되는 전압은 구동회로 또는 화소의 동작 상태에 따라 그의 값이 좌우된다.

구동 신호의 전압 또는 전원 전압은 장치 기판 상에 형성된 화소에만 인가될 수도 있다. 이 경우, 구동 신호의 전압 또는 전원 전압을 공급함으로써, 화소 전극에 인가되는 전압은 화소의 동작 상태에 따라 그의 값이 좌우된다.

화소 전극에 발생된 전압을 비접촉으로 판독하기 위한 전극(검사용 전극)은 일정한 간격을 두고 화소 전극과 중첩된다. 이 간격은 작을 수록 바람직하다. 화소 전극과 검사용 전극은 그들 사이의 간격이 제어될 수 있는 한 가능한 한 가까운 것이 좋다. 검사 기판은 검사용 전극을 가질 수도 있다.

정전 유도에 의해 검사용 전극에 발생된 전압은 화소 전극에 인가되는 전압 값에 좌우된다. 따라서, 화소 전극에 인가되는 전압은 검사용 전극에 발생된 전압으로부터 계산될 수 있다. 그 결과, 화소 전극에 인가되는 전압 값은 비접촉으로 판독될 수 있다. 또한, 검사용 전극에 발생된 전압을 사용함으로써, 화소의 동작 상태가 파악될 수 있다. 화소의 동작 상태를 확인하고 그의 정상/비정상을 판정하는 것이 가능하다.

두번째 방안에서는, 장치 기판의 화소부에 포함된 배선에 비접촉으로 전압을 인가하기 위한 검사 기판(제1 검사 기판)과, 화소 전극에 인가되는 전압 값을 정전 유도를 사용하여 비접촉으로 판독하기 위한 검사 기판(제2 검사 기판)을 별도로 준비한다.

제1 검사 기판은 1차 코일을 가지고, 검사 대상인 장치 기판은 2차 코일을 가진다.

1차 코일 및 2차 코일 각각은 절연막 상에 형성된 도전막을 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 본 발명에서, 1차 코일 및 2차 코일은 자로를 제공하도록 중심에 자성체를 가진 코일이 아니고, 중심에 자성체를 가지지 않은 코일을 사용한다.

제1 검사 기판에 포함된 1차 코일과 장치 기판에 포함된 2차 코일은 일정한 간격을 두고 중첩된다. 1차 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 교류 전압을 인가함으로써, 2차 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 기전력이 발생한다.

본 명세서에서, 코일에 전압이 인가되는 것이란, 코일의 단자들 사이에 전압이 인가되는 것을 의미한다. 또한, 본 명세서에서, 코일에 신호가 인가되는 것이란, 그 신호의 전압이 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 인가되는 것을 의미한다.

2차 코일에 발생된 기전력인 교류 전압은 장치 기판에서 정류된 다음, 평활화된다. 이것은 장치 기판에 포함된 구동 회로 또는 화소를 동작시키는 전원 전압으로서 사용된다. 한편, 2차 코일에 발생된 기전력인 교류 전압의 파형은 파형 정형 회로 등에 의해 소망의 형상으로 정형된다. 이것은 장치 기판에 포함된 화소 또는 구동회로를 동작시키는 전압을 가진 구동신호로서 사용된다. 2차 코일에 발생된 교류 전압은 파형 정형 회로에서 파형을 정형함이 없이 그 대로 구동신호로서 사용될 수도 있다.

발생된 구동신호의 전압 또는 전원 전압은 장치 기판 상에 형성된 구동회로 또는 화소에 공급된다. 구동신호의 전압 또는 전원 전압을 공급함으로써, 구동회로 또는 화소가 어떤 동작을 행한다.

구동신호의 전압 또는 전원 전압의 값은, 구동회로 또는 화소가 정상인 경우, 화소에 포함된 화소 전극에 인가되는 전압이 교류 전압이도록 결정된다.

구동신호의 전압 또는 전원 전압을 인가함으로서, 화소 전극에 인가되는 전압은 구동회로 또는 화소의 동작 상태에 따라 그의 값에 좌우된다.

구동신호의 전압 또는 전원 전압은 장치 기판에 포함된 화소에만 공급될 수도 있다. 이 경우, 구동신호의 전압 또는 전원 전압을 인가함으로써, 화소 전극에 인가되는 전압은 화소의 동작 상태에 따라 그의 값이 좌우된다.

한편, 제2 검사 기판은 화소 전극에 발생된 전압을 비접촉으로 판독하기 위한 전극(검사용 전극)을 가진다. 이 검사용 전극은 화소 전극과 일정한 간격을 두고 중첩된다. 이 간격은 작을 수록 바람직하다. 화소 전극과 검사용 전극은 그들 사이의 간격이 제어될 수 있는 한 가능한 한 가까운 것이 좋다.

액티브 매트릭스형 반도체장치는 화소부에 매트릭스 형태로 배치된 다수의 화소 전극을 가지고 있다. 본 발명에서, 장치 기판에 대한 제2 검사 기판의 위치를 변경함으로써, 하나의 검사용 전극과 중첩되는 하나 또는 다수의 화소 전극의 위치가 다수 회 바뀐다. 구체적으로는, 장치 기판과 평행인 면에서 검사용 전극을 회전시킴으로써, 검사용 전극과 중첩되는 화소 전극의 위치를 변경시킬 수 있다. 그리고, 그 때마다 검사용 전극에 발생되는 전압의 값을 모니터한다.

정전 유도에 의해 검사 기판에 발생된 전압은 화소의 동작 상태에 대한 정보를 가지며, 검사용 전극과 중첩되는 화소 전극에 인가되는 전압의 값에 좌우된다.

그리고, 다수 회의 모니터를 통해 얻어진 검사용 전극에 발생된 전압의 값과, 모니터 시에 검사용 전극과 중첩되는 하나 또는 다수의 화소 전극의 위치 데이터가 저장된다. CT(계산 단층상법: Computed Tomography)에서 사용되는 1차원 데이터로부터 2차원 분포를 재현하는 복원 알고리즘(예를 들어, 퓨리에(Fourier) 변환법)을 사용함으로써, 저장된 데이터로부터 화소에 인가되어 있는 전압의 상대적 값을 얻을 수 있다. 즉, 결과적으로, 화소 전극에 인가되어 있는 전압 값을 비접촉으로 판독할 수 있는 것으로 고려될 수 있다. 화소에 인가되어 있는 전압의 상대적 값으로부터, 각 화소의 동작 상태를 판단하는 것이 가능하다. 그 동작 상태로부터, 정상/비정상이 판정될 수 있다.

복원 알고리즘으로서는, 축차(逐次) 근사법(successive approximation)과, 투영 절단면 정리(projection section theorem)를 이용하는 퓨리에 변환법과, 중첩 적분법 등을 대표적으로 들 수 있다. 본 발명은 이들 외의 다른 복원 알고리즘을 사용할 수도 있다.

첫번째 및 두번째 방안에서, 화소 동작 상태는 항상 정상과 비정상의 2가지로 선택되는 것이 아니고, 동작 상태에 따라 다수의 등급으로 분류될 수도 있다.

한편, 첫번째 및 두번째 방안에서, 구동회로가 결함을 갖지만 화소가 결함을 갖지 않는 경우에도, 화소 전극에 인가되는 전압의 값이 변화한다. 따라서, 구동회로의 정상/비정상도 판정될 수 있다.

본 발명의 검사 방법을 사용하는 반도체장치에서, 화소에 사용되는 트랜지스터는 단결정 실리콘을 사용하여 형성된 트랜지스터, 또는 폴리실리콘 또는 비정질 실리콘을 사용한 박막트랜지스터일 수도 있다. 또는, 유기 반도체를 사용한 트랜지스터일 수도 있다.

화소의 동작 상태가 정상 화소의 동작 상태와 어느 정도 다르면 화소가 정상으로 동작하는 것으로 간주되는지의 기준은 실시자가 적절히 설정하는 것이 가능하다.

상기 구성에 의해, 본 발명은 배선에 직접 프로브를 사용하지 않고도 결함 지점을 검출하고 화소의 정상/비정상을 판정할 수 있으므로, 프로브의 사용시에 발생되는 미세 먼지에 의해 후의 공정에서 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 모든 패턴 형성 공정에서의 정상/비정상이 하나의 검사 공정에 의해 판단될 수 있기 때문에, 검사 공정이 간략화될 수 있다.

본 발명은 발광장치 뿐만 아니라 액정 표시장치 또는 다른 반도체장치에도 적용 가능하다.

이하, 본 발명의 구성에 대하여 설명한다.

본 발명은, 화소에 포함된 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하여, 화소에 포함된 화소 전극에 전압을 인가하고; 화소 전극에 인가된 전압을 비접촉으로 판독하는 것을 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 다수의 화소 각각에 포함된 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하여, 다수의 화소 각각에 포함된 화소 전극에 전압을 인가하고; 다수의 화소 각각에 포함된 화소 전극에 인가된 전압의 합을 비접촉으로 판독하는 것을 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을 사용하여 화소에 포함된 화소 전극에 제3 교류 전압을 인가하고; 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키고; 검사용 전극에 발생된 제4 교류 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하여 화소에 포함된 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써, 화소에 포함된 화소 전극에 제3 교류 전압을 인가하고; 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키고; 검사용 전극에 발생된 제4 교류 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 발생되는 제2 교류 전압을 사용하여 다수의 화소 각각에 포함된 화소 전극에 제3 교류 전압을 인가하고; 다수의 화소에 포함된 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키고; 검사용 전극에 발생된 제4 교류 전압으로부터 다수의 화소 각각에 포함된 화소 전극에 인가되는 전압의 합을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하여 다수의 화소 각각에 포함된 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써, 다수의 화소 각각에 포함된 화소 전극에 제3 교류 전압을 인가하고; 다수의 화소 각각에 포함된 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키고; 검사용 전극에 발생된 제4 교류 전압으로부터 다수의 화소 각각에 포함된 화소 전극에 인가되는 전압의 합을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.

본 발명에서, 제1 코일 및 제2 코일은 동일 평면 상에 형성된 배선을 가질 수 있고, 각 배선은 소용돌이 형태일 수 있다.

본 발명에서, 제1 코일과 검사용 전극은 제1 절연 표면 상에 형성될 수 있고, 제2 코일과 화소 전극은 제2 절연 표면 상에 형성될 수 있다.

본 발명에서, 제1 절연 표면과 제2 절연 표면 사이의 간격은 제1 절연 표면과 제2 절연 표면 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어될 수도 있다.

본 발명에서, 화소는 전압 측정 방법을 사용하여 얻어진 화소 전극에 인가된 전압 또는 그 전압들의 합을 사용하여 정상/비정상이 판정될 수 있다.

본 발명은, 반도체장치에 포함된 화소들을 전기적으로 검사하는 장치로서, 1차 코일; 그 1차 코일과 반도체장치에 포함된 2차 코일을 간격을 두고 중첩시키는 수단; 화소에 포함된 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키는 수단; 1차 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 교류 전압을 인가하는 수단; 및 검사용 전극에 발생된 교류 전압으로부터 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하는 전기적 검사 장치에 관한 것이다.

본 발명은, 반도체장치에 포함된 화소들을 전기적으로 검사하기 위한 장치로서, 1차 코일; 그 1차 코일과 반도체장치에 포함된 2차 코일을 간격을 두고 중첩시키는 수단; 화소에 포함된 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키는 수단; 1차 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 교류 전압을 인가하는 수단; 및 검사용 전극에 발생된 교류 전압으로부터 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하고, 상기 검사용 전극에 발생된 교류 전압은 화소의 동작 상태를 정보로서 가지는 전기적 검사 장치에 관한 것이다.

본 발명에서, 1차 코일과 2차 코일 사이의 간격은 1차 코일과 2차 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어될 수 있다.

본 발명에서, 제1 코일은 동일 평면 상에 형성된 배선을 가질 수 있고, 이 배선은 소용돌이 형태일 수 있다.

본 발명은, 화소 전극과 배선 또는 회로 소자를 형성하고; 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하여, 화소 전극에 전압을 인가하고; 화소 전극에 인가된 전압을 비접촉으로 판독하는 것을 포함하는 반도체장치 제조방법에 관한 것이다.

본 발명은, 화소 전극, 배선 또는 회로 소자, 제1 코일 및 제2 코일을 형성하고; 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에서 발생된 제2 교류 전압을 사용하여 화소 전극에 제3 교류 전압을 인가하고; 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키고; 검사용 전극에 발생된 제4 교류 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 반도체장치 제조방법에 관한 것이다.

본 발명은, 화소 전극, 배선 또는 회로 소자, 제1 코일 및 제2 코일을 형성하고; 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에서 발생된 제2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하여 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써, 화소 전극에 제3 교류 전압을 인가하고; 화소 전극과 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키고; 검사용 전극에 발생된 제4 교류 전압으로부터 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 반도체장치 제조방법에 관한 것이다.

본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 각 화소 전극에 인가된 전압을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 각 화소 전극에 인가된 전압을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극에 발생된 제3 교류 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 각 화소 전극에 인가된 전압을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하여, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극에 발생되는 제3 교류 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 각 화소 전극에 인가된 전압을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법에 관한 것이다.

본 발명에서, 제1 코일과 제2 코일은 동일 평면상에 형성된 배선을 가질 수 있고, 이 배선은 소용돌이 형태일 수 있다.

본 발명에서, 제1 코일과 제2 코일 사이의 간격은 제1 코일과 제2 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어될 수 있다.

본 발명에서, 각 화소 전극 상의 전압은 축차 근사법과 투영 절단면 정리를 이용하는 퓨리에 변환법 또는 중첩 적분법을 사용하여 계산될 수 있다.

본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 소정의 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 소정의 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 화소 전극에 인가되는 전압의 분포를 결정하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 화소 전극에 인가되는 전압의 분포를 결정하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 화소 전극에 인가되는 전압의 분포를 결정하고; 그 전압 분포로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 화소 전극에 인가되는 전압의 분포를 결정하고; 그 전압 분포로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에서 발생된 제2 교류 전압을, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상에 발생된 제3 교류 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에서 발생된 제2 교류 전압을, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상에 발생된 제3 교류 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 화소 전극에 인가되는 전압 의 분포를 결정하고; 그 전압 분포로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하여, 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극에 발생된 제3 교류 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.

본 발명은, 제1 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고; 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고; 제2 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하여, 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극에 발생된 제3 교류 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터 화소 전극에 인가되는 전압의 분포를 결정하고; 그 전압 분포로부터 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법에 관한 것이다.

본 발명에서, 제1 코일과 제2 코일은 동일 평면 상에 형성된 배선을 가질 수 있고, 이 배선은 소용돌이 형태를 가질 수 있다.

본 발명에서, 제1 코일과 제2 코일 사이의 간격은 1차 코일과 2차 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어될 수 있다.

본 발명은, 장치 기판에 포함된 다수의 화소를 전기적으로 검사하는 장치로서, 1차 코일; 그 1차 코일과 장치 기판에 포함된 2차 코일을 간격을 두고 중첩시키는 수단; 화소들 각각에 포함된 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키는 수단; 화소에 포함된 화소 전극에 대해 검사용 전극의 위치를 변경시키는 수단; 1차 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 교류 전압을 인가하는 수단; 및 검사용 전극에 발생된 교류 전압으로부터 각 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하는 전기적 검사 장치에 관한 것이다.

본 발명은, 장치 기판에 포함된 다수의 화소를 전기적으로 검사하는 장치로서, 1차 코일; 그 1차 코일과 장치 기판에 포함된 2차 코일을 간격을 두고 중첩시키는 수단; 화소들 각각에 포함된 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 검사용 전극을 중첩시킨 채 화소에 포함된 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치를 변경시키는 수단; 1차 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 교류 전압을 인가하는 수단; 및 검사용 전극에 발생된 교류 전압으로부터 각 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하는 전기적 검사 장치에 관한 것이다.

본 발명은, 배선 또는 회로 소자와 이 배선 또는 회로 소자를 통해 전압이 공급되는 화소 전극을 형성하고; 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터, 각 화소 전극에 인가되는 전압으로 인해 화소들 각각에 포함된 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 반도체장치 제조방법에 관한 것이다.

본 발명은, 배선 또는 회로 소자와 이 배선 또는 회로 소자를 통해 전압이 공급되는 화소 전극을 형성하고; 배선 또는 회로 소자에 전압을 비접촉으로 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터, 각 화소 전극에 인가되는 전압으로 인해 화소들 각각에 포함된 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 반도체장치 제조방법에 관한 것이다.

본 발명은, 배선 또는 회로 소자와 이 배선 또는 회로 소자를 통해 전압이 공급되는 화소 전극을 형성하고; 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터, 각 화소 전극에 인가되는 전압으로 인해 화소들 각각에 포함된 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 장치 기판 제조방법에 관한 것이다.

본 발명은, 배선 또는 회로 소자와 이 배선 또는 회로 소자를 통해 전압이 공급되는 화소 전극을 형성하고; 배선 또는 회로 소자에 전압을 비접촉으로 인가하고; 화소 전극의 임의의 부분 또는 모두와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고; 검사용 전극 상의 전압과 화소 전극에 대한 검사용 전극의 위치로부터, 각 화소 전극에 인가되는 전압으로 인해 화소들 각각에 포함된 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 장치 기판 제조방법에 관한 것이다.

[실시형태 1]

도 1은 제1 구성을 사용하여 본 발명에 따라 검사를 행하기 위한 검사 기판의 상면도를 나타내고, 도 2는 검사될 장치 기판의 상면도를 나타낸다.

도 1에 도시된 검사 기판은 기판(100) 상에 1차 코일 형성부(101), 외부 입력 버퍼(102), 커넥터 접속부(103), 및 검사용 전극(104)을 가진다. 본 명세서에서, 검사 기판은 기판(100), 1차 코일 형성부(101), 및 기판(100) 상에 형성된 다른 회로 또는 모든 회로 소자를 포함한다.

검사 기판에 포함된 1차 코일 형성부(101)는 그의 수와 배치가 도 1에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. 설계자는 1차 코일 형성부(101)의 수와 배치를 임의적으로 결정할 수 있다.

도 1에 도시된 검사 기판이 검사용 전극(104)과 1차 코일 형성부(101)을 가지고 있지만, 본 발명이 그러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 검사용 전극은 1차 코일 형성부를 가진 검사 기판과 별개로 준비될 수도 있다. 1차 코일 형성부를 가진 검사 기판과 검사용 전극을 별도로 제공함으로써, 검사 기판과 검사용 전극 사이의 간격은 1차 코일과 2차 코일 사이의 간격과 무관하게 결정될 수 있다. 한편, 검사 공정 중에, 검사용 전극의 배치는 장치 기판에 대하여 자유롭게 변경될 수 있다.

도 2에 도시된 장치 기판은 기판(110) 상에 신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112), 화소부(113), 연장된 배선(114), 커넥터 접속부(115), 파형 정형 회로 또는 정류 회로(116), 및 2차 코일 형성부(117)를 가진다. 본 명세서에서, 장치 기판은 기판(110)과 이 기판(110) 상에 형성된 모든 회로 또는 회로 소자를 포함한다. 연장된 배선(114)은 장치 기판에 포함된 화소부와 구동회로에 구동신호와 전원 전압을 공급하는 배선이다.

장치 기판의 2차 코일 형성부(117)의 수와 배치는 도 2에 도시된 구성에 한정되지는 않는다. 설계자는 2차 코일 형성부(117)의 수와 배치를 임의적으로 결정할 수 있다.

검사 공정 후의 공정에서 커넥터 접속부(115)에 FPC, TAB 등이 접속된다. 검사 공정을 완료한 후의 장치 기판은, 2차 코일 형성부(117)에 형성된 2차 코일이 커넥터 접속부(115)로부터 물리적 및 전기적으로 분리되도록 A-A'선을 따라 절단된다.

다음에, 검사 공정에서의 장치 기판과 검사 기판의 동작에 대하여 설명한다. 검사 공정에서의 신호 흐름의 이해를 쉽게 하기 위해, 도 1 및 도 2에 도시된 장치 기판과 검사 기판의 구성을 도 3에 블록도로 나타내고, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.

검사 기판(203) 상에서, 신호원(201) 또는 교류 전원(202)으로부터 커넥터 접속부(103)에 접속된 커넥터를 통해 외부 입력 버퍼(102)에 검사용 교류 신호가 입력된다. 검사용 교류 신호는 외부 입력 버퍼(102)에서 완충 증폭되어 1차 코일 형성부(101)에 입력된다.

도 1, 도 2 및 도 3에서는, 외부 입력 버퍼(102)에서 완충 증폭된 후의 입력 교류 신호가 1차 코일 형성부(101)에 입력되지만, 본 발명이 그러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 외부 입력 버퍼(102)를 제공함이 없이 교류 신호가 직접 1차 코일 형성부(101)에 입력될 수도 있다.

1차 코일 형성부(101)에는 다수의 1차 코일이 형성되어 있다. 1차 코일의 2개 단자에 교류 신호가 입력된다.

한편, 장치 기판(204)에 포함된 2차 코일 형성부(117)에서는, 1차 코일 형성부(101)에 포함된 1차 코일에 대응하여 다수의 2차 코일이 형성되어 있다. 1차 코일에 교류 신호가 입력되면, 전자(電磁) 유도에 의해 2차 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 기전력인 교류 전압이 생긴다.

2차 코일에 발생된 교류 전압은 파형 정형 회로(116a) 또는 정류 회로(116b)에 공급된다. 파형 정형 회로(116a) 또는 정류 회로(116b)는 교류 전압을 정형 또는 정류하여 구동신호 또는 전원 전압을 생성한다.

생성된 구동신호 전압 또는 전원 전압은 연장된 배선(114)에 공급된다. 제공된 구동신호 전압 또는 전원 전압은 연장된 배선(114)을 통해 신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112) 및 화소부(113)에 공급된다.

2차 코일에 생성된 교류 전압은 파형 정형 회로(116a) 또는 정류 회로(116b)를 통과하지 않고 직접 화소부(113)에 구동신호로서 입력될 수도 있다.

화소부(113)에는 다수의 화소가 형성되어 있고, 각 화소에는 화소 전극이 형성되어 있다. 신호선 구동회로와 주사선 구동회로의 수는 도 1 및 도 2에 도시된 것에 한정되는 것은 아니다.

신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112) 및 화소부(113)가 동작하여 각 화소의 화소 전극에 전압이 인가된다.

검사 대상인 장치 기판은 반드시 신호선 구동회로(111)와 주사선 구동회로(112) 등의 구동회로를 가질 필요는 없다. 구동신호 전압 또는 전원 전압은 화소부(113)에만 인가될 수도 있다.

그러나, 화소 전극에 인가되는 전압이 교류 전압으로 되도록 하는 값으로 구동신호 전압 또는 전원 전압을 설정하는 것이 필수이다.

화소의 화소 전극은 일정한 간격을 두고 검사용 전극(104)과 중첩된다. 화소가 정상으로 동작하여 화소 전극에 교류 전압을 인가하면, 검사용 전극(104)에 기전력이 발생한다. 검사용 전극(104)에 발생된 교류 전압 또는 기전력은 화소 동작 상태를 정보로서 가진다. 검사용 전극(104)에 발생된 교류 전압으로부터, 화소부에 포함된 화소의 동작 상태가 확인되어, 화소의 정상/비정상을 판단하거나 또는 결함 지점을 특정할 수 있다.

다음에, 1차 코일과 2차 코일(이하 이들 코일을 '코일'이라 총칭함)의 상세한 구성에 대하여 설명한다.

도 4는 코일의 확대도를 나타낸다. 도 4(A)에 도시된 코일은 배선이 나선 곡선을 나타내는 형태로 되어 있고, 도 4(B)에 도시된 코일은 배선이 사각형 나선을 나타내는 형태로 되어 있다.

본 발명에서 사용되는 코일에 관해서는, 이 코일에 포함된 배선 전체가 동일 평면 상에 형성되는 것이 바람직하고, 이 코일에 포함된 배선은 나선 형태이다. 따라서, 코일에 포함된 배선은 코일이 형성된 평면에 대햐여 수직 방향에서 본 때 곡선 또는 사각형 형태를 나타낼 수 있다.

설계자는 코일의 감김 수, 선 폭 및 기판에서 차지하는 면적을 적절히 결정할 수 있다. 그러나, 코일의 감김 수와 디자인을 반도체장치의 규격에 맞추어 적절히 설정하는 것이 필요하다. 또한, 1차 코일 형성부에 입력되는 검사용 교류 신호의 파형, 주파수 및 진폭도 반도체장치의 규격에 맞추어 적절히 설정할 필요가 있다.

도 5는 장치 기판(204)과 검사 기판(203)이 중첩되어 있을 때의 사시도를 나타낸다. 도 1에 도시된 검사 기판(203)이 1차 코일로서 도 4(A)에 도시된 바와 같은 코일을 가지고, 도 2에 도시된 장치 기판이 2차 코일로서 도 4(A)에 도시된 바와 같은 코일을 가지는 경우가 도시되어 있다. 커넥터(205)는 커넥터 접속부(103)에 접속된다.

도 5에 도시된 바와 같이, 검사 기판(203)에 포함된 1차 코일 형성부(101)는 장치 기판(204)에 포함된 2차 코일 형성부(117)와 일정한 간격을 두고 중첩되어 있다. 이 간격은 작을 수록 바람직하다. 1차 코일 형성부(101)와 장치 기판(204)에 포함된 2차 코일 형성부(117)는 그들 사이의 간격이 제어될 수 있는 한 가능한 한 가까이 있는 것이 바람직하다.

한편, 검사용 전극(104)과 화소부(113)에 포함된 화소 전극은 일정한 간격을 두고 중첩되어 있다. 이 간격은 작을 수록 바람직하다. 화소부(113)에 포함된 화소 전극과 검사용 전극(104)은 그들 사이의 간격이 제어될 수 있는 한 가능한 한 가까이 있는 것이 바람직하다.

검사 기판(203)과 장치 기판(204) 사이의 간격은 양 기판을 고정시킴으로써 유지될 수 있다. 또는, 이 간격은 장치 기판(204)과 검사 기판(203) 중 어느 하나를 고정시키고, 검사 기판(203)과 장치 기판(204) 사이에 일정한 유량 또는 압력의 유체를 사용함으로써 유지될 수도 있다. 이 유체로서는, 대표적으로는 기체 또는 액체를 사용할 수 있다. 그 외에, 점성 겔(gel)과 같은 유체를 사용할 수도 있다.

도 6(A)는 1차 코일 형성부(101)와 2차 코일 형성부(117)가 중첩되어 있는 부분의 확대도를 나타낸다. 부호 206은 1차 코일을 나타내고, 부호 207은 2차 코일을 나타낸다.

도 6(A)에서는 1차 코일(206)과 2차 코일(207)이 배선의 나선형 감김 방향이 동일하게 되어 있지만, 본 발명은 그러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 1차 코일과 2차 코일은 나선형 감김 방향이 역으로 될 수도 있다. 한편, 1차 코일과 2차 코일 사이의 간격(L_gap)은 설계자가 적절히 설정할 수 있다.

도 6(B)는 화소에 포함된 화소 전극(208)과 검사용 전극(104)이 중첩되어 있는 부분의 확대도를 나타낸다. 도 6(B)에서, 하나의 검사용 전극(104)이 다수의 화소 전극과 동시에 중첩되어 있다. 검사용 전극은 하나의 도전막으로 형성되거나 또는 다수의 전기적으로 접속된 도전막으로 형성될 수도 있다.

검사용 전극(104)과 화소 전극(208)을 중첨시킴으로써 용량(capacitance)이 형성된다. 도 6(B)에 도시된 상태에서 화소 전극(208)에 교류 전압이 인가되면, 검사용 전극(104)에 기전력이 발생한다.

도 7은 검사 기판(104)의 검사용 전극(104)과 장치 기판의 화소 전극(208)을 중첩시킨 때의 회로도를 나타낸다. 도 7에 도시된 화소 구성은 단지 일 예이므로, 화소에 포함된 배선 및 소자의 수와 종류 및 그들의 접속은 도 7에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. 한편, 도 7은 발광장치의 화소 구성을 나타내지만, 본 발명은 다른 반도체장치에도 적용될 수 있다. 구체적으로는, 배선 또는 소자에의 인가 전압을 제어함으로써 화소 전극에 교류 전압이 인가될 수 있는 반도체장치이면 이 반도체장치에 본 발명의 검사 방법이 사용될 수 있다.

도 7에 도시된 발광장치는 x개의 신호선(S1∼Sx), x개의 전원선(V1∼Vx), 및 y개의 주사선(G1∼Gy)을 가지고 있다. 각 화소(802)는 하나의 신호선, 하나의 전원선, 및 하나의 주사선을 가지고 있다. 또한, 화소(802)는 스위칭용 TFT(803), 구동용 TFT(804), 및 보유 용량(805)을 가지고 있다.

부호 806은 검사용 전극(104)과 화소 전극(208)을 중첩시킴으로써 형성된 용량을 나타낸다.

스위칭용 TFT(803)는 주사선(G1∼Gy)들 중 어느 하나에 접속된 게이트 전극을 가지고 있다. 스위칭용 TFT(803)는 소스 및 드레인 영역을 가지고 있고, 그 영역들 중 하나는 신호선(S1∼Sx)들 중 어느 하나에 접속되고, 다른 하나는 구동용 TFT(804)의 게이트 전극에 접속되어 있다. 구동용 TFT(804)는 소스 및 드레인 영역을 가지고 있고, 그 영역들 중 하나는 전원선(V1∼Vx)들 중 어느 하나에 접속되고, 다른 하나는 화소 전극에 접속되어 있다.

보유 용량(805)은 구동용 TFT(804)의 게이트 전극과 전원선에 각각 접속된 2개의 전극을 가지고 있다.

도 7에 도시된 화소에서, 교류 구동신호 전압이 전원선(V1∼Vx)에 인가되어 있다. 따라서, 화소가 정상인 경우, 스위칭용 TFT(803)는 주사선에 인가되는 전압을 제어함으로써 온(ON)으로 될 수 있고, 구동용 TFT(804)는 신호선에 인가되는 전압을 제어함으로써 온으로 될 수 있다. 그 결과, 화소 전극에 교류 구동신호 전압이 인가된다.

교류 구동신호 전압을 화소 전극에 인가함으로써, 화소 전극과 겹쳐진 검사용 전극(104)에 교류 전압이 발생한다. 발생된 교류 전압은 후단의 회로에 출력(807)으로서 공급된다.

도 7에 도시된 화소에서는, 동일한 주사선을 가진 화소들의 화소 전극이 동일한 검사용 전극과 중첩되어 있으나, 검사용 전극이 도 7에 도시된 배치에 한정되는 것은 아니다. 검사용 전극과 겹쳐 있는 화소 전극을 가진 화소는 임의적으로 선택될 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 화소와 관련하여, 동일한 신호선을 가진 화소들의 화소 전극이 동일한 검사용 전극에 접속될 수도 있다.

출력(807)을 받은 후단의 회로는 검사용 전극에 발생된 교류 전압으로부터 화소의 정상/비정상을 판정한다.

반도체장치 구동방법 또는 검사용 전극 배치에 따라, 전압을 하나의 검사용 전극과 중첩된 다수의 화소 전극에 동시에 인가하는 경우와, 순차적으로 인가하는 경우 및 임의적으로 인가하는 경우가 있다.

교류 전압을 다수의 화소 전극에 동시에 인가하는 경우, 검사용 전극에 발생되는 교류 전압은 모든 화소가 정상으로 동작할 때와 화소들 중 적어도 하나가 정상으로 동작하지 않을 때에서 파형이 다르다. 즉, 검사용 전극에 발생되는 교류 전압은 이들 화소 전극을 가진 모든 화소의 동작 상태를 정보로서 가지고 있다.

한편, 교류 전압이 다수의 화소 전극에 순차적으로 인가되는 경우, 검사용 전극에는 각 화소의 동작 상태를 정보로서 가지는 교류 전압이 순차적으로 가산되어 생긴다. 따라서, 모든 화소가 정상인 경우, 다수의 화소를 순차적으로 동작시키면, 검사용 전극에 발생되는 교류 전압은 단조롭게 변화한다. 역으로, 화소들 중 어느 하나가 비정상일 때, 다수의 화소를 순차적으로 동작시키면, 검사용 전극에 발생되는 교류 전압의 변화는 단조롭게 되지 않는다. 따라서, 모든 화소가 정상으로 동작할 때와 화소들 중 적어도 하나가 정상으로 동작하지 않할 때에는, 검사용 전극에 발생되는 교류 전압의 파형에 차이가 있다.

또한, 실제로 검사용 전극에 발생된 교류 전압과, 이미 정상인 것이 확인된 화소의 경우에 검사용 전극에 발생되는 교류 전압을 비교함으로써, 화소의 동작 상태를 확인하고, 그 화소의 정상/비정상을 판정할 수 있다. 그러나, 비교의 기준이 되는 교류 전압이 반드시 이미 정상인 것이 확인된 화소에 의한 것일 필요는 없다. 다수의 검사용 전극에 발생되는 교류 전압들을 서로 비교함으로써, 화소의 동작 상태와 정상/비정상을 판정할 수도 있다. 또한, 시뮬레이션에 의해 계산된 교류 전압의 값과 비교하여 화소의 동작 상태를 확인하고 정상/비정상을 판정할 수도 있다.

도 7에서는, 화소부에 포함된 모든 화소에서 검사용 전극과 화소 전극을 중첩시키고 있지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 임의로 선택된 화소에서만 검사용 전극과 화소 전극을 중첩시켜, 임의로 선택된 화소에서만 동작 상태를 검사할 수도 있다.

본 실시형태에서는, 장치 기판이 구동회로로서 신호선 구동회로와 주사선 구동회로를 가지는 예를 설명하였지만, 본 발명에서 검사되는 장치 기판은 이것에 한정되지 않는다. 장치 기판이 화소부만을 가지더라도, 본 발명의 검사 방법을 사용하여 검사를 행할 수 있다. 한편, TEG로 불리는 단일 소자 또는 그러한 단일 소자를 복합화한 평가 회로에 있어서도, 본 발명의 검사 방법 또는 검사 장치를 사용하여 동작 상태를 확인할 수 있다.

상기 구성에 의해, 본 발명은 배선에 직접 프로브를 사용하지 않고도 정상/비정상을 판정할 수 있기 때문에, 프로브를 사용할 때 발생되는 미세 먼지로 인해 후의 공정의 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 1회의 검사 공정으로 모든 패턴 형성 공정에서의 정상/비정상을 판단할 수 있기 때문에, 검사 공정이 보다 간편화될 수 있다.

[실시형태 2]

도 8은 본 발명에 따른 제2 구성을 사용하여 검사를 행하기 위한 제1 및 제2 검사 기판의 상면도를 나타낸다. 본 실시예에서 사용되는 장치 기판에 관해서는, 실시형태 1의 도 2를 참조할 수 있다.

도 8(A)에 도시된 제1 검사 기판은 기판(6100) 상에 1차 코일 형성부(6101), 외부 입력 버퍼(6102), 및 제1 검사 기판용의 커넥터 접속부(6103)를 가지고 있다. 본 명세서에서, 제1 검사 기판은 기판(6100), 1차 코일 형성부(6101), 및 기판(6100) 상에 형성된 모든 다른 회로 또는 회로 소자를 포함한다. 외부 입력 버퍼(6102)는 반드시 제공될 필요는 없다.

제1 검사 기판에 포함된 1차 코일 형성부(6101)의 수와 배치는 도 8(A)에 도시된 구성에 한정되지 않는다. 1차 코일 형성부(6101)의 수와 배치는 설계자가 임의적으로 결정할 수 있다.

도 8(B)에 도시된 제2 검사 기판은 기판(6120) 상에 다수의 검사용 전극(6121)과 제2 검사 기판용의 커넥터 접속부(6122)를 가지고 있다. 본 명세서에서, 제2 검사 기판은 기판(6120), 검사용 전극(6121), 제2 검사 기판용의 커넥터 접속부(6122), 및 기판(6100) 상에 형성된 모든 다른 회로 또는 회로 소자를 포함한다.

제2 검사 기판에 포함된 검사용 전극(6121)의 수와 배치는 도 8(B)에 도시된 구성에 한정되지 않는다. 검사용 전극(6121)의 수와 배치는 설계자가 임의적으로 결정할 수 있다.

다음에, 검사 공정에서의 장치 기판과 검사 기판의 동작에 대하여 설명한다. 검사 공정에서의 신호 흐름의 이해를 쉽게 하기 위해, 도 8 및 도 2에 도시된 장치 기판과 제1 및 제2 검사 기판의 구성을 도 9에 블록도로 나타내고, 도 8 및 도 2을 참조하여 설명한다.

제1 검사 기판(6203) 상에서, 신호원(201) 또는 교류 전원(202)으로부터 커넥터 접속부(6103)에 접속된 커넥터를 통해 외부 입력 버퍼(6102)에 검사용 교류 신호가 입력된다. 이 검사용 교류 신호는 외부 입력 버퍼(6102)에서 완충 증폭되어 1차 코일 형성부(6101)에 입력된다.

또한, 도 2, 도 8 및 도 9에서, 외부 입력 버퍼(6102)에서 완충 증폭된 후의 입력 교류 신호는 1차 코일 형성부(6101)에 입력된다. 그러나, 본 발명이 이러한 구성에 한정되는 것은 아니다. 교류 신호는 외부 입력 버퍼(6102)를 제공함이 없이 직접 1차 코일 형성부(6101)에 입력될 수도 있다.

1차 코일 형성부(6101)에는 다수의 1차 코일이 형성되어 있다. 1차 코일의 2개의 단자에 교류 신호가 입력된다.

한편, 장치 기판(204)에 포함된 2차 코일 형성부(117)에서는, 1차 코일 형성부(6101)에 포함된 1차 코일에 대응하여 다수의 2차 코일이 형성되어 있다. 1차 코일에 교류 신호가 입력되면, 전자 유도에 의해 2차 코일에 포함된 2개의 단자 사이에 기전력인 교류 전압이 발생한다.

2차 코일에 발생된 교류 전압은 파형 정형 회로(116a) 또는 정류 회로(116b)에 공급된다. 파형 정형 회로(116a) 또는 정류 회로(116b)는 교류 전압을 정형 또는 정류하여 구동신호 또는 전원 전압을 발생한다.

발생된 구동신호 전압 또는 전원 전압은 연장된 배선(114)에 공급된다. 제공된 구동신호 전압 또는 전원 전압은 연장된 배선(114)을 통해 신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112), 및 화소부(113)에 공급된다.

2차 코일에 발생된 교류 전압은 파형 정형 회로(116a) 또는 정류 회로(116b)를 통과하지 않고 직접 화소부(113)에 구동신호로서 입력될 수도 있다.

화소부(113)에는 다수의 화소가 형성되어 있고, 화소에는 화소 전극이 형성되어 있다. 신호선 구동회로 및 주사선 구동회로의 수는 도 2 및 도 9에 도시된 것에 한정되지 않는다.

신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112), 및 화소부(113)가 동작하여 각 화소의 화소 전극에 전압이 인가된다.

검사 대상인 장치 기판은 신호선 구동회로(111) 및 주사선 구동회로(112)와 같은 구동회로를 반드시 필요로 하는 것은 아니다. 구동신호 전압 또는 전원 전압이 화소부(113)에만 인가될 수도 있다.

화소의 화소 전극은 검사용 전극(6121)과 일정한 간격을 두고 중첩된다. 화소가 정상으로 동작하여 교류 전압을 화소 전극에 인가하면, 검사용 전극(6121)에 기전력이 발생한다. 검사용 전극(6121)에 발생된 교류 전압 또는 기전력은 화소 동작 상태를 정보로서 가진다. 검사용 전극(6121)에 발생된 교류 전압으로부터, 화소부에 포함된 화소의 동작 상태가 확인될 수 있고, 그의 정상/비정상이 판정되거나 결함 위치가 특정될 수 있다.

또한, 본 발명에서 사용되는 제1 및 제2 코일은 실시형태 1에서와 것과 동일하고, 도 4(A) 및 도 4(B)에 도시된 코일을 사용할 수 있다.

도 10은 장치 기판(204)이 제1 검사 기판(6203) 및 제2 검사 기판(6205)과 중첩되어 있을 때의 사시도를 나타낸다. 도 8(A)에 도시된 제1 검사 기판(6203)이 1차 코일로서 도 4(A)에 도시된 바와 같은 코일을 가지고, 도 2에 도시된 장치 기판이 2차 코일로서 도 4(A)에 도시된 바와 같은 코일을 가지는 경우가 도시되어 있다. 커넥터(6209)는 제1 검사 기판용의 커넥터 접속부(6103)에 접속되고, 커넥터(6210)는 제2 검사 기판용의 커넥터 접속부(6122)에 접속되어 있다.

도 10에 도시된 바와 같이, 제1 검사 기판(6203)에 포함된 1차 코일 형성부(6101)와 장치 기판(204)에 포함된 2차 코일 형성부(117)는 일정한 간격을 두고 중첩된다. 이 간격은 작을 수록 바람직하다. 1차 코일 형성부(6101)와 장치 기판(204)에 포함된 2차 코일 형성부(117)는 그들 사이의 간격이 제어될 수 있는 한 가능한 한 가까이 있는 것이 바람직하다.

한편, 제2 검사 기판(6205)에 포함된 검사용 전극(6121)과 화소부(113)의 화소에 포함된 화소 전극은 일정한 간격을 두고 중첩된다. 이 간격은 작을 수록 바람직하다. 화소부(113)의 화소에 포함된 화소 전극과 검사용 전극(6121)은 그들 사이의 간격이 제어될 수 있는 한 가능한 한 가까이 있는 것이 바람직하다.

제1 검사 기판(6203)과 장치 기판(204) 사이의 간격은 양 기판을 고정시킴으로써 유지될 수 있다. 또는, 그 간격은, 장치 기판(204)과 제1 검사 기판(6203) 중 어느 하나를 고정시키고 제1 검사 기판(6203)과 장치 기판(204) 사이에 일정한 유량 또는 압력의 유체를 사용함으로써 유지될 수도 있다. 그러한 유체로서는, 대표적으로는 기체 또는 액체를 사용할 수 있다. 또한, 점성 겔과 같은 유체도 사용될 수 있다.

실시형태 1과 마찬가지로, 1차 코일과 2차 코일은 배선의 나선 감김 방향이 동일하거나 반대일 수 있다. 한편, 설계자가 1차 코일과 2차 코일 사이의 간격(L_gap)을 적절히 설정할 수 있다. 1차 코일과 2차 코일과의 중첩 방식에 대해서는, 실시형태 1의 도 6(A)를 참조할 수 있다.

한편, 실시형태 1과 마찬가지로, 하나의 검사용 전극(6121)이 다수의 화소 전극과 동시에 중첩된다. 검사용 전극은 하나의 도전막으로 형성되거나 또는 다수의 전기적으로 접속된 도전막으로 형성될 수도 있다. 검사용 전극과 화소 전극과의 중첩 방식에 대해서는, 실시형태 1의 도 6(B)를 참조할 수 있다. 검사용 전극(6121)과 화소 전극(208)의 중첩에 의해 용량이 형성된다. 화소 전극(208)에 교류 전압이 인가되면, 정전(靜電) 유도에 의해 검사용 전극(6121)에 기전력이 발생한다.

또한, 본 실시형태에서는, 검사용 전극(6121)과 중첩되는 화소 전극(208)의 위치는 임의적이다. 또한, 검사용 전극(6121)과 화소 전극(208)의 위치 관계는 모니터 시마다 다르다.

장치 기판의 화소 전극(208)과 제2 검사 기판의 검사용 전극(6121)을 중첩시킨 때의 회로도에 관해서는, 실시형태 1의 도 7을 참조할 수 있다. 도 7에 도시된 화소에서는, 동일한 주사선을 가진 화소들의 화소 전극이 동일한 검사용 전극과 중첩되지만, 검사용 전극이 도 7에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다. 검사용 전극과 중첩되는 화소 전극을 가진 화소를 임의적으로 선택할 수 있다.

모니터 중의 검사용 전극(6121)과 화소 전극(208)의 위치 관계에 대하여 설명한다.

설계자는 검사용 전극(6121)에 발생된 교류 전압을 모니터하는 횟수를 임의적으로 설정할 수 있다. 설계자는 또한, 각 모니터 중에 검사용 전극(6121)과 화소 전극(208)의 위치 관계를 임의적으로 설정할 수 있다. 그러나, 모니터 전체를 통해 얻어진 검사용 전극(6121)의 교류 전압의 값으로부터 각 화소의 동작 상태가 판단될 수 있도록, 각 모니터 시의 검사용 전극들(6121)과 화소 전극(208)의 위치 관계를 정하고, 모니터 횟수를 설정하는 것이 필수이다.

도 11(A) 및 도 11(B)는 화소 전극(208)을 형성하는 평면에 평행한 평면에서 화소부의 중심을 중심 축선으로 하여 검사용 전극(6121)을 회전시킨 때의 화소 전극(208)과 검사용 전극(6121)의 위치 관계를 나타낸다. 여기서는, 설명을 알기 쉽게 하기 위해, 화소부에 5×5개의 화소 전극을 가지는 경우를 예로 들어 설명한다.

도 11(A)는 화소 전극(208)이 5개마다 검사용 전극(6121)과 중첩되어 있는, 회전 전의 상태(0°)를 나타낸다.

도 11(B)는 검사용 전극(6121)이 도 11(A)의 상태로부터 화소부의 중심을 축으로 하여 시계반대 방향으로 45도 회전되어 있는 상태를 나타낸다. 이 경우, 검사용 전극(6121)은 도 11(A)의 화소 전극과 다른 화소 전극(208)과 중첩된다.

각 검사용 전극(6121)에서 발생되는 교류 전압은, 검사용 전극(6121)과 중첩되는 화소 전극의 수, 화소 전극과의 중첩 면적, 및 화소 전극에 인가되는 교류 전압의 값에 따라 그의 진폭 및 파형이 다르다.

검사용 전극(6121)과 중첩되는 화소 전극의 수와 화소 전극과의 중첩 면적은 미리 계산할 수 있다. 또한, 모든 화소가 정상으로 동작할 때 화소 전극에 인가되는 교류 전압의 진폭과 파형을 계산 또는 실제의 측정에 의해 미리 얻을 수 있다.

따라서, 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이, 불량 화소의 화소 전극(208a)이 검사용 전극(6121)과 중첩된 화소 전극(208)에 포함된 경우, 검사용 전극(6121)에 발생되는 교류 전압의 진폭과 파형은 모든 화소가 정상 동작인 경우와 다른다.

검사용 전극(6121)과 중첩된 화소 전극(208)에 대한 불량 화소의 화소 전극의 점유 비율이 높을 수록, 검사용 전극(6121)에 발생되는 교류 전압의 진폭과 파형은 모든 화소가 정상 동작인 경우와 다르게 된다. 따라서, 화소 전극들이 하나의 검사용 전극(6121)과 중첩되는 화소들 중 정상으로 동작하는 화소의 점유 비율을 계산할 수 있다.

또한, 검사용 전극(6121)이 화소 전극(208)에 대한 그의 위치가 수 회 변경되기 때문에, 화소 전극이 하나의 검사용 전극(6121)과 중첩되는 화소들 중 정상으로 동작하는 화소의 점유 비율을 얻는 것이 가능하다. 검사용 전극(6121)의 각 위치에서 얻어진 정상으로 동작하는 화소의 점유 비율로부터, 화소 하나하나의 동작 상태를 판단할 수 있다. 이 동작 상태로부터, 정상/비정상이 판정될 수 있다.

또한, 반도체장치 구동 방법과 검사용 전극 배치에 따라, 하나의 검사용 전극과 중첩되는 다수의 화소 전극에 전압이 동시에 인가되는 경우와, 순차적으로 인가되는 경우, 및 임의적으로 인가되는 경우가 있다.

다수의 화소를 동시에 선택하고 동작시키는 경우, 모든 화소가 정상 동작을 할 때와, 화소들 중의 적어도 하나가 정상 동작을 하지 않을 때에서는, 검사용 전극에 발생되는 교류 전압의 파형이 다르다. 즉, 검사용 전극에 발생되는 교류 전압은 모든 화소의 동작 상태를 정보로서 가지고 있다.

한편, 다수의 화소를 순차적으로 선택하고 동작시키는 경우에는, 검사용 전극에는 각 화소의 동작 상태를 정보로서 가지는 교류 전압이 순차적으로 가산되어 생긴다. 따라서, 모두 정상인 다수의 화소를 순차적으로 동작시키는 경우, 동작하는 화소의 화소 전극과 검사용 전극과의 중첩 면적에 대한 검사용 전극에 발생되는 교류 전압의 변화의 비율은 단조롭다.

역으로, 비정상 화소를 포함하는 다수의 화소를 순차적으로 동작시키는 경우에는, 동작하는 화소의 화소 전극과 검사용 전극과의 중첩 면적에 대한 검사용 전극에 발생되는 교류 전압의 변화의 비율은 단조롭지 않게 된다. 따라서, 모든 화소가 정상 동작할 때와, 화소들 중 적어도 하나가 정상 동작을 하지 않을 때에서는, 검사용 전극에 발생되는 교류 전압의 파형이 다르다.

또한, 이미 정상이라고 확인된 화소를 사용한 경우에 검사용 전극에 발생되는 교류 전압과, 실제로 검사용 전극에 발생되는 교류 전압을 비교함으로써, 화소의 동작 상태를 확인하고, 그의 정상/비정상을 판정할 수 있다. 그러나, 비교의 기준이 되는 교류 전압이, 이미 정상이라고 확인된 화소에 의한 것일 필요는 없다. 다수의 검사용 전극에서 발생되는 교류 전압들을 서로 비교함으로써, 화소의 동작 상태를 확인하고, 그의 정상/비정상을 판정할 수도 있다. 이 경우, 각 검사용 전극과 중첩되는 화소 전극의 면적도 고려하여 비교하는 것은 필수이다. 한편, 시뮬레이션에 의해 계산된 교류 전압 값과 비교하여, 화소의 동작 상태를 확인하고, 그의 정상/비정상을 판정할 수도 있다.

또한, 도 7, 도 11(A) 및 도 11(B)에서는, 화소부에 포함된 모든 화소에서 검사용 전극과 화소 전극이 중첩되지만, 본 발명이 이것에 한정되는 것은 아니다. 검사용 전극과 화소 전극은 임의으로 선택된 화소에서만 중첩되어, 임의으로 선택된 화소에서만 동작 상태를 검사하도록 할 수도 있다.

본 실시형태에서는, 장치 기판이 구동회로로서 신호선 구동회로와 주사선 구동회로를 가지는 예를 설명하였지만, 본 발명에서 검사되는 장치 회로는 이것에 한정되지 않는다. 장치 기판이 화소부만을 가진 경우에도, 본 발명의 검사 방법을 사용하여 검사를 행할 수 있다. 또한, TEG로 불리는 단일 소자 또는 이 단일 소자를 복합화한 평가 회로에서도 본 발명의 검사 방법 또는 검사 장치를 사용하여 동작 상태를 확인할 수 있다.

검사용 전극을 기판 상에 고정시키지 않고, 검사용 전극을 직접 제어하여 이동시킬 수도 있다.

상기 구성에 의해, 본 발명은 프로브를 배선에 직접 사용하지 않고도 장치 기판의 정상/비정상을 판정할 수 있기 때문에, 프로브를 사용할 때 발생하는 미세 먼지로 인해 후의 공정에서 수율이 저하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 1회의 검사 공정에서 모든 패턴 형성 공정에서의 정상/비정상을 판단될 수 있기 때문에, 검사 공정이 보다 간편화될 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예를 설명한다.

[실시예 1]

본 실시예에서는, 다수의 검사용 전극에서 발생된 교류 전압들을 서로 비교함으로써 화소의 동작 상태를 확인하고 그의 정상/비정상을 판정하는 검사 장치의 구성에 대하여 설명한다.

도 13은 본 실시예의 검사 장치의 구성을 블록도로 나타낸다.

맨 머신(man machine) I/F(305)로부터 측정 제어기(306)에 측정 개시 지시가 정보로서 입력된다. 측정 제어기(306)는 측정을 개시하기 위해 검사 기판(301)과 검사 대상인 장치 기판(302)의 위치를 제어하기 위한 지시를 정보로서 취급기(handler) I/F(307)에 입력한다. 취급기 I/F(307)는 장치 기판(302)에 포함된 화소 전극(도시되지 않음)과 검사 기판(301)에 포함된 검사용 전극(303)을 일정한 간격을 두고 중첩시킨다.

측정 제어기(306)는 측정 개시 지시를 정보로서 측정 시퀀서(sequencer)(308)에 입력한다. 그러면, 이 측정 시퀀서(308)는 패널 표시 시퀀서(309)를 제어하여 검사 대상의 화소의 위치를 선택하고 그 위치를 정보로서 패널 표시 시퀀서(309)로부터 코일 구동기(310)에 입력한다. 신호원과 교류 전원을 가진 RF 캐리어(311)는 교류 전압을 후단의 회로에 공급할 수 있다. 측정 시퀀서(308)는 RF 캐리어(311)를 제어하여 코일 구동기(310)에 교류 전압을 입력한다.

코일 구동기(310)는 입력된 교류 전압을 사용하여 검사 대상의 화소를 동작시키기 위한 교류 전압을 외부 입력 버퍼(311)에 공급한다. 외부 입력 버퍼(311)는 공급된 교류 전압을 완충 증폭하여 1차 코일 형성부(304)에 제공한다.

1차 코일 형성부(304)에 교류 전압을 제공함으로써, 장치 기판(302)에 포함된 검사 대상의 화소가 동작한다. 교류 전압은 이 화소의 화소 전극에 인가된다. 또한, 교류 전압을 1차 코일 형성부에 제공할 때의 장치 기판의 동작에 대해서는 상기한 실시형태들에서 구체적으로 설명되었으므로 여기서는 생략한다.

교류 전압이 화소 전극에 인가되면, 화소 전극과 중첩된 검사용 전극(303)에 교류 전압이 발생한다. 검사용 전극(303)에 발생된 교류 전압은 동일 화소의 동작 상태를 정보로서 포함하고 있다.

검사용 전극(303)에 발생된 교류 전압은 신호 처리 회로(312)에 제공된다. 신호 처리 회로(312)는 각 검사용 전극에 발생되는 교류 전압의 값을 연산처리한다. 구체적으로는, 각 검사용 전극의 교류 전압들 사이의 차이가 계산된다. 검사용 전극(303)에 발생되는 교류 전압은 화소의 동작 상태에 따라 파형이 다르다. 이 때문에, 교류 전압의 계산된 차는 화소의 동작 상태를 정보로서 포함한다. 따라서, 교류 전압의 계산된 차를 정보로서 가진 신호(동작 정보 신호)는 화소의 동작 상태를 정보로서 포함한다. 이 동작 정보 신호는 선택 회로(313)에 입력된다.

검사용 전극에 발생된 교류 전압에는 여러 잡음(noise)이 포함되어 있는 일이 있다. 비교적 가까운 주파수와 전압을 가지는, 검사용 전극에 발생된 잡음은 검사용 전극들에 발생된 교류 전압들 사이의 값의 차를 계산함으로써 어느 정도 제거될 수 있다. 잡음의 주파수와 전압은 검사용 전극들의 위치가 서로 가까울 수록 가까워진다. 따라서, 위치가 서로 더 가까운 검사용 전극들 사이의 교류 전압의 차를 계산하는 것이 바람직하다.

선택 회로(313)에는 패널 표시 시퀀서(309)에 의해 선택된 화소의 위치 정보가 측정 시퀀서(308)를 통해 공급된다. 선택 회로(313)는 다수의 입력 동작 정보 신호들 중의 선택된 화소에 대응하는 동작 정보 신호를 신호 분석기(314)에 입력한다.

신호 분석기(314)는 입력 동작 정보 신호를 증폭한 다음, 이 신호를 디지털 형태로 A/D 변환하고, 이어서 연산 처리한다. A/D 변환은 반드시 필요한 것은 아니고, 연산 처리는 아날로그로 행해질 수도 있다. 연산 처리는 화소의 동작 상태를 분석하기 위해 행해진다. 따라서, 설계자가 연산 처리의 내용을 적절히 선택할 수 있다.

연산 처리 후의 동작 정보 신호는 측정 제어기(306)에 입력된다. 측정 제어기(306)는 연산 처리된 동작 정보 신호로부터 화소 상태를 특정하고, 또한 화소의 정상/비정상을 판정한다.

또한, 본 발명의 검사 장치는 도 13에 도시된 구성에 한정되지 않는다. 본 발명의 검사 장치는 교류 전압을 발생시키는 수단과, 장치 기판의 배선과 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하는 수단과, 장치 기판의 화소 전극에 인가된 전압을 비접촉으로 판독하는 수단, 및 장치 기판의 위치를 제어하는 수단을 가지고 있으면 된다. 또한, 비접촉으로 판독된 교류 전압으로부터 화소 상태를 특정하고, 화소의 정상/비정상을 정단하는 것이면 된다.

[실시예 2]

본 실시예에서는, 다수의 검사용 전극에 발생된 교류 전압을 사용하여 화소의 동작 상태를 확인하고 화소의 정상/비정상을 판정하는 검사 장치의 구성에 대하여 설명한다.

도 14는 본 실시예의 검사 장치의 구성을 블록도로 나타낸다.

맨 머신 I/F(6305)로부터 측정 제어기(6306)에 측정 개시 지시가 정보로서 입력된다. 측정 제어기(6306)는 측정을 개시하기 위해 검사 대상인 장치 기판(6302), 제1 검사 기판(6301) 및 제2 검사 기판(6315)의 위치를 제어하기 위한 지시를 정보로서 취급기 I/F(6307)에 입력한다.

취급기 I/F(6307)는 장치 기판(6302)에 포함된 2차 코일 형성부(도시되지 않음)와 제1 검사 기판(6301)에 포함된 1차 코일 형성부(6304)를 일정한 간격을 두고 중첩시킨다. 한편, 취급기 I/F(6307)는 장치 기판(6302)에 포함된 화소 전극(도시되지 않음)과 제2 검사 기판(6315)에 포함된 검사용 전극(6303)을 일정한 간격을 두고 중첩시킨다.

측정 제어기(6306)는 측정 개시 지시를 정보로서 측정 시퀀서(6308)에 입력한다. 그러면, 측정 시퀀서(6308)는 패널 표시 시퀀서(6309)를 제어하여 검사 대상의 화소의 위치를 선택하고 그 위치를 패널 표시 시퀀서(6309)로부터 코일 구동기(6310)에 정보로서 입력한다. 신호원과 교류 전원을 가진 RF 캐리어(6311)가 교류 전압을 후단의 회로에 인가할 수 있다. 측정 시퀀서(6308)는 RF 캐리어(6311)를 제어하여 교류 전압을 코일 구동기(6310)에 입력한다.

코일 구동기(6310)는 입력된 교류 전압을 사용하여 검사 대상의 화소를 동작시키기 위한 교류 전압을 외부 입력 버퍼(6311)에 공급한다. 외부 입력 버퍼(6311)는 공급된 교류 전압을 완충 증폭하여 1차 코일 형성부(6304)에 제공한다.

1차 코일 형성부(6304)에 교류 전압을 제공함으로써, 장치 기판(6302)에 포함된 검사 대상의 화소가 동작한다. 이 교류 전압은 동일 화소의 화소 전극에 인가된다.

교류 전압이 화소 전극에 인가되면, 화소 전극과 중첩되어 있는 검사용 전극(6303)에 교류 전압이 발생한다. 검사용 전극(6303)에 발생된 교류 전압은 동일 화소의 동작 상태를 정보로서 포함하고 있다.

검사용 전극(6303)에 발생된 교류 전압은 신호 처리 회로(6312)에 제공된다. 신호 처리 회로(6312)는 각 검사용 전극에 발생된 교류 전압의 값을 연산 처리한다. 구체적으로는, 검사용 전극들 사이에 발생된 교류 전압의 차가 계산된다. 검사용 전극에 발생된 교류 전압에는 여러 잡음이 포함되어 있는 일이 있다. 비교적 가까운 주파수 및 전압을 가지는, 검사용 전극에 발생된 잡음은 검사용 전극에 발생된 교류 전압들 사이의 차를 계산함으로써 어느 정도 제거될 수 있다. 잡음의 주파수와 전압은 검사용 전극들의 위치가 서로 가까울 수록 더 가까워진다. 따라서, 위치가 서로 더 가까운 검사용 전극들 사이의 교류 전압의 차를 계산하는 것이 바람직하다.

또한, 검사용 전극(6303)에 발생된 교류 전압은 화소의 동작 상태에 따라 파형이 다르다. 이 때문에, 교류 전압의 계산된 차는 화소의 동작 상태를 정보로서 포함한다. 따라서, 교류 전압의 계산된 차를 정보로서 가지는 신호(동작 정보 신호)는 화소 동작 상태를 정보로서 포함한다. 이 동작 정보 신호는 선택 회로(6313)에 입력된다.

선택 회로(6313)에는 패널 표시 시퀀서(6309)에 의해 선택된 화소의 위치, 각 검사용 전극(6303)과 중첩되어 있는 화소 전극의 위치, 및 중첩 면적의 비율 등의 정보가 측정 시퀀서(6308)를 통해 공급된다. 선택 회로(6313)는 다수의 입력 동작 정보 신호 중에 선택된 화소에 대응하는 동작 정보 신호를 신호 분석기(6314)에 입력한다.

신호 분석기(6314)는 입력 동작 정보 신호를 증폭하고 이 신호를 디지털 형태로 A/D 변환하고, 이어서 연산 처리한다. 또한, A/D 변환은 반드시 필요한 것은 아니고, 연산 처리는 아날로그로 행해질 수도 있다. 연산 처리는 모니터 시에 검사용 전극과 중첩되어 있는 화소의 동작 상태를 분석하기 위해 행해진다. 따라서, 설계자가 연산 처리의 내용을 적절히 선택할 수 있다.

연산 처리 후의 동작 정보 신호는 측정 제어기(6306)에 입력된다.

그 다음, 취급기 I/F(6307)는 장치 기판(6302)에 대한 제2 검사 기판(6315)의 위치를 변화시킨다. 상기한 동작을 다수 회 반복하여, 다수의 연산 처리된 동작 정보 신호를 측정 제어기(6306)에 입력한다. 측정 제어기(6306)는 모니터 시에 각 검사용 전극과 중첩된 화소 전극의 위치 및 면적 비율과, 연산 처리된 입력 동작 정보 신호로부터 각 화소의 상태를 특정하고, 화소의 정상/비정상을 판정한다.

본 발명의 검사 장치는 도 14에 도시된 구성에 한정되지 않는다. 본 발명의 검사 장치는 교류 전압을 발생시키는 수단과, 장치 기판의 배선 및 회로 소자에 비접촉으로 전압을 인가하는 수단과, 장치 기판의 화소 전극에 인가되는 전압을 비접촉으로 판독하는 수단, 및 장치 기판의 위치를 제어하는 수단을 가지고 있으면 된다. 또한, 비접촉으로 판독된 교류 전압으로부터 화소 상태를 특정하고 또한 화소의 정상/비정상을 판정하는 것이면 된다.

[실시예 3]

본 실시예에서는, 도 13에 도시된 검사 장치의 신호 처리 회로의 상세한 구성에 대하여 설명한다. 도 14에 도시된 검사 장치의 신호 처리 회로도 본 실시예에서 나타낸 구성을 가질 수 있다.

도 15는 본 실시예의 신호 처리 회로의 회로도를 나타낸다. 도 15에 도시된 신호 처리 회로(312)는 y개의 검사용 전극(303)(E1∼Ey)에 대응하는 다수의 차동 증폭기(350_1∼350_y-1)를 가지고 있다.

검사용 전극에 발생된 교류 전압은 차동 증폭기의 비반전 입력(+)에 각각 입력된다. 각 차동 증폭기의 반전 입력(-)에는, 비반전 입력(+)에 대응하는 검사용 전극과는 다른 검사용 전극에 발생된 교류가 인가된다.

본 실시예에서는, 검사용 전극(Ei)(i = 1∼y-1 중 어느 하나)에 발생된 교류의 전압은 차동 증폭기(350_i)의 비반전 입력(+)에 제공된다. 검사용 전극(Ei+1)(i = 1∼y-1 중 어느 하나)에 발생된 교류의 전압은 차동 증폭기(350_i+1)의 제2 단자에 제공된다.

각 차동 증폭기는 후단의 선택 회로(313)에 동작 정보 신호를 출력으로 입력한다. 각 검사용 전극과 중첩된 화소의 동작 상태는 차동 증폭기로부터 출력된 동작 정보 신호로부터 확인될 수 있다. 구체적으로는, 화소의 동작 상태는 동작 정보 신호에 포함된 전압의 값 또는 파형으로부터 확인될 수 있다. 그러나, 검사용 전극(Ey)과 중첩된 화소는 차동 증폭기(350_y-1)로부터 출력된 동작 정보 신호로부터 그의 동작 상태가 확인될 수 있다. 한편, 더미(dummy) 검사용 전극을 준비하여, 검사용 전극(Ey)에 발생된 교류 전압을 별도로 제공된 차동 증폭기의 비반전 입력(+)에 제공하고 더미 검사용 전극의 전압을 제2 단자에 제공할 수도 있다. 또한, 실제의 표시에는 사용하지 않고 검사의 목적으로 사용되는 더미 화소가 더미 검사용 전극과 중첩될 수 있도록 화소부에 제공될 수도 있다.

검사용 전극(E1)과 중첩된 화소의 동작 상태는 차동 증폭기(350_1)로부터 출력된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다. 검사용 전극(Ej)(j = 2∼y-1)과 중첩된 화소의 동작 상태는 차동 증폭기(350_j-1, 350_j)로부터 출력된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다. 검사용 전극(Ey)과 중첩된 화소의 동작 상태는 차동 증폭기(350_y-1)로부터 출력된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다.

또한, 화소의 동작 상태가 정상 화소의 정상 동작 상태와 어느 정도 다르면 화소가 정상으로 동작하지 않는 것으로 간주되는지의 기준은 설계자가 적절히 설정할 수 있다.

본 발명에서 사용되는 신호 처리 회로는 도 15에 도시된 구성에 한정되는 것은 아니다.

본 실시예는 실시예 1 또는 2와 자유롭게 조합하여 실시될 수 있다.

[실시예 4]

도 16은 본 실시예의 신호 처리 회로의 회로도를 나타낸다. 도 16에 도시된 신호 처리 회로(312)는 y개의 검사용 전극(303)(E1∼Ey)에 대응하여 다수의 1차 유도 코일(360_1∼360_y-1)과, 다수의 2차 유도 코일(361_1∼361_y-1), 및 다수의 용량(362_1∼362_y-1)을 가지고 있다.

본 실시예의 1차 및 2차 유도 코일(이하, '유도 코일'이라 총칭한다) 각각은 중심에 자성체를 구비할 수도 있고 구비하지 않을 수도 있다. 한편, 유도 코일에 포함된 배선은 동일 평면에 있어도 좋고 그렇지 않아도 좋다.

검사용 전극들에 발생된 교류 전압은 1차 유도 코일들의 제1 단자에 각각 입력된다. 각 1차 유도 코일의 제2 단자에는 제1 단자에 대응하는 검사용 전극과 다른 검사용 전극에 발생된 교류가 인가된다.

본 실시예에서는, 검사용 전극(Ei)(i = 1∼y-1 중의 어느 하나)에 발생된 교류의 전압은 1차 유도 코일(360_i)의 제1 단자에 제공된다. 검사용 전극(Ei+1)(i = 1∼y-1 중의 어느 하나)에 발생된 교류의 전압은 1차 유도 코일(360_i+1)의 제2 단자에 제공된다.

1차 유도 코일(360_1∼360_y-1)과 2차 유도 코일(361_1∼361_y-1)은 각각 함께 중첩된다. 용량(362_1∼362_y-1)은 제2 유도 코일(361_1∼361_y-1)의 제1 단자와 제2 단자 사이에 각각 형성된다.

2차 유도 코일(361_1∼361_y-1)의 제1 단자에 발생된 전압은 모두 동작 정보 신호 전압으로서 선택 회로(313)에 인가된다. 일정한 전압(도 16에서 접지 전압)이 2차 유도 코일(361_1∼361_y-1)의 모든 제2 단자에 제공된다.

각 검사용 전극과 중첩된 화소의 동작 상태가 2차 유도 코일의 제1 단자에 발생된 동작 정보 신호로부터 확인될 수 있다. 그러나, 검사용 전극(Ey)과 중첩된 화소는 2차 유도 코일(361_y-1)의 단자에 발생된 동작 정보 신호로부터 그의 동작 상태가 확인될 수 있다.

한편, 더미 검사용 전극을 준비하여, 검사용 전극(Ey)에 발생된 교류 전압을 별도로 제공된 1차 유도 코일의 제1 단자에 제공하고, 더미 검사용 전극의 전압을 1차 유도 코일의 제2 단자에 제공하도록 할 수도 있다. 별도로 제공된 2차 유도 코일의 제1 단자에 발생된 동작 상태 신호로부터 그의 동작 상태를 확인할 수 있다. 또한, 실제의 표시에는 사용하지 않고 검사 목적을 위한 더미 화소가 더미 검사용 전극과 중첩될 수 있도록 화소부에 제공될 수도 있다.

검사용 전극(E1)과 중첩된 화소의 동작 상태는 2차 유도 코일(361_1)의 제1 단자에 발생된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다. 검사용 전극(Ej)(j = 2∼y-1)과 중첩된 화소의 동작 상태는 2차 유도 코일(361_j-1)의 제1 단자와 2차 유도 코일(361_j)의 제1 단자에 발생된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다. 검사용 전극(Ey)과 중첩된 화소의 동작 상태는 2차 유도 코일(361_y-1)의 제1 단자에 발생된 동작 정보 신호에 정보로서 포함된다.

화소의 동작 상태가 정상 화소의 정상 동작 상태와 어느 정도 다르면 화소가 정상으로 동작하지 않는 것으로 간주되는가의 기준은 설계자가 적절히 설정할 수 있다.

본 발명에서 사용되는 신호 처리 회로는 도 16에 도시된 구성에 한정되는 것이 아니다.

[실시예 5]

본 실시예에서는, 실시형태 1의 파형 정형 회로의 상세한 구성을 도 17을 사용하여 설명한다. 실시형태 2의 파형 정형 회로도 본 실시예에서 나타낸 구성을 가질 수 있다.

도 17은 도 3에 도시된 신호원(201), 1차 코일 형성부(101), 2차 코일 형성부(117), 및 파형 정형 회로(116a) 사이의 접속 형태를 나타낸다. 1차 코일 형성부(101)에는 다수의 1차 코일(206)이 제공되고, 2차 코일 형성부(117)에는 다수의 2차 코일(207)이 제공되어 있다.

각 1차 코일(206)에는 신호원(201)으로부터 검사용 교류 신호가 입력된다. 구체적으로는, 검사용 교류 신호 전압이 신호원(201)으로부터 1차 코일(206)에 포함된 2개의 단자 사이에 인가된다. 1차 코일(206)에 교류 신호가 입력되면, 대응하는 2차 코일(207)에 교류 전압 또는 기전력이 발생된다. 이 교류 전압은 파형 정형 회로(116a)에 인가된다.

파형 정형 회로(116a)는 시간적으로 변화하는 양, 즉, 전압 또는 전류의 파형을 형성하거나 정형하기 위해 사용되는 전자 회로이다. 도 17은 저항(501, 502)과 커패시터(503, 504)를 가지고, 회로 소자들의 조합에 의해 적분형 파형 정형 회로(116a)를 구성하고 있다. 물론, 파형 정형 회로는 도 17에 도시된 구성에 한정되지 않는다. 한편, 전원 회로와 마찬가지로, 다이오드를 사용하는 검파(檢波) 회로를 사용하여 파형 정형을 행할 수도 있다.

본 발명에서 사용되는 파형 정형 회로(116a)는 입력된 교류 기전력으로부터, 구체적으로는 클록 신호(CLK), 스타트 펄스 신호(SP) 또는 비디오 신호를 발생시켜 출력한다.

파형 정형 회로(116a)는 상기 신호들에 한정되지 않고 임의의 형태의 신호를 발생할 수 있다. 파형 정형 회로(116a)에 의해 발생되는 신호는 화소의 동작 상태를 확인하기 위한 신호인 것이 바람직하다.

파형 정형 회로(116a)로부터 출력된 신호는 후단의 회로, 예를 들어, 신호선 구동회로(111), 주사선 구동회로(112) 및 화소부(113)에 입력된다.

본 실시예는 실시예 1∼4와 자유롭게 조합하여 실시될 수 있다.

[실시예 6]

본 실시예에서는, 실시형태 2의 정류 회로(116b)의 상세한 구성을 도 18을 참조로 설명한다. 실시형태 2의 정류 회로도 본 실시예에서 나타낸 구성을 가질 수 있다.

도 18은 도 3에 도시된 교류 전원(202), 1차 코일 형성부(101), 2차 코일 형성부(117) 및 정류 회로(116b) 사이의 접속 형태를 나타낸다. 1차 코일 형성부(101)에는 다수의 1차 코일(206)이 제공되고, 2차 코일 형성부(117)에는 다수의 2차 코일(207)이 제공되어 있다.

각 1차 코일(206)에는 교류 전원(202)으로부터 검사용 교류 신호가 입력된다. 1차 코일(206)에 교류 신호가 입력되면, 대응하는 2차 코일(207)에 교류 전압 또는 기전력이 발생된다. 이 교류 전압은 정류 회로(116b)에 인가된다.

본 발명의 정류 회로는 인가된 교류 전압으로부터 직류 전원 전압을 발생시키기 위한 회로를 의미한다. 직류 전원 전압은 회로, 회로 소자 또는 화소에 제공되는 일정한 높이로 유지되는 전압을 의미한다.

도 18에 도시된 정류 회로(116b)는 다이오드(601), 커패시터(602) 및 저항(603)을 가진다. 다이오드(601)는 입력된 교류 전압을 정류하여 직류 전압으로 변환하는 것이다.

도 19(A)는 다이오드(601)에서 정류되기 전의 교류 전압의 시간 변화를 나타내고, 도 19(B)는 정류 후의 그 전압의 시간 변화를 나타낸다. 도 19(A) 및 도 19(B)의 그래프들의 비교로부터 알 수 있는 바와 같이, 정류된 후에는 전압이 반주기의 간격으로 0 또는 일 극성을 가지는 값을 취하는, 소위 펄스 전압으로 되어 있다.

도 19(B)에 도시된 펄스 전압은 전원 전압으로 사용하기 어렵다. 따라서, 통상, 이 펄스는 커패시터에 저장됨으로써 평활화되고 직류 전압으로 변환된다. 그러나, 박막 반도체를 사용하여 펄스를 평활화하기에 충분한 큰 용량을 가진 커패시터를 형성하기 위해, 커패시터의 면적을 매우 크게 증가시킬 필요가 있다. 따라서, 본 발명은 정류 후에 위상이 다른 펄스 전압들을 합성하여(가산하여), 전압을 평활화한다. 상기 구성은 커패시터의 용량이 작을 때에도 펄스를 충분히 평활화할 수 있다. 또한, 이 펄스는 커패시터를 적극적으로 제공하지 않고도 충분히 평활화될 수 있다.

도 18에서, 위상이 상이한 교류 신호는 4개의 1차 코일에 각각 입력되어, 4개의 다이오드(601)로부터 위상이 상이한 4개의 펄스 전압을 출력한다. 이 4개의 펄스 전압이 가산되어, 후단의 회로에 출력되는 거의 일정하게 유지되는 높이를 가진 직류 전원 전압을 형성한다.

도 18에서는, 4개의 다이오드(601)로부터 출력된 위상이 상이한 4개의 펄스 신호들을 가산함으로써 전원 전압을 형성하였지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되지 않는다. 위상 분할의 수는 이것에 한정되지 않는다. 정류 회로로부터의 출력을 전원 전압으로서 사용할 수 있을 정도까지 평활화할 수 있으면 위상 분할의 수는 한정되지 않는다.

도 20(A)∼도 20(C)는 다수의 정류된 신호를 가산함으로써 얻어지는 전원 전압의 시간 변화를 나타낸다. 도 20(A)는 위상이 상이한 4개의 펄스 전압을 가산함으로써 하나의 전원 전압이 발생되는 예를 나타낸다.

본 발명의 정류 회로는 다수의 펄스를 가산하여 전압을 발생시키기 때문에, 이 전압은 직류 이외의 성분으로서 리플을 가진다. 리플은 최고 전압과 최저 전압 사이의 차에 대응한다. 리플이 작을 수록, 정류 회로에서 발생되는 전압은 직류에 가깝고, 전원 전압으로서 사용하기 쉬워진다.

도 20(B)는 위상이 상이한 8개의 펄스 전압을 가산함으로써 얻어지는 전원 전압의 시간 변화를 나타낸다. 도 20(A)에 도시된 전원 전압의 시간 변화와 비교하여 리플이 더 작게 되어 있는 것을 알 수 있다.

도 20(C)는 위상이 다른 16개의 펄스 전압을 가산함으로써 얻어지는 전원 전압의 시간 변화를 나타낸다. 도 20(B)에 도시된 전원 전압의 시간 변화와 비교하여 리플이 훨씬 더 작게 되어 있는 것을 알 수 있다.

이와 같이, 위상이 상이한 다수의 펄스를 가산함으로써 전원 전압은 리플이 작게 되어 직류화된다는 것을 알 수 있다. 따라서, 위상 분할의 수가 증가할 수록, 정류 회로로부터 출력된 전원 전압은 평활화되기 쉽다. 또한, 커패시터(602)의 용량이 증가할 수록, 정류 회로로부터 출력된 전원 전압은 평활화되기 쉽다.

정류 회로(116b)에서 발생된 전원 전압은 단자(610, 611)를 통해 출력된다. 구체적으로는, 접지에 가까운 전압이 단자(610)를 통해 출력되고, 정(正)의 극성을 가진 전원 전압이 단자(611)를 통해 출력된다. 다이오드의 음극과 양극을 역으로 접속함으로써, 출력되는 전원 전압의 극성이 역으로 될 수 있다. 단자(610, 611)에 접속된 다이오드(602)는 단자(612, 613)에 접속된 다이오드(601)에 대하여 음극과 양극이 역으로 접속된다. 따라서, 접지에 가까운 전압이 단자(612)를 통해 출력되고, 부(負)의 극성을 가진 전원 전압이 단자(613)를 통해 출력된다.

또한, 장치 기판 상에는 각종 회로 또는 회로 소자가 형성되어 있고, 각 회로 또는 회로 소자의 종류 또는 용도에 따라, 회로 또는 회로 소자에 공급되는 전원 전압의 높이가 다르다. 도 18에 도시된 정류 회로에서는, 입력되는 교류 신호의 진폭을 조정함으로써, 각 단자에 입력되는 전압의 높이를 조정할 수 있다. 또한, 접속되는 단자를 변경함으로써, 전원 전압의 높이를 바꿀 수 있다.

본 발명에서 사용되는 정류 회로는 도 18에 도시된 반파 정류 회로에 한정되지 않는다. 본 발명에서 사용되는 정류 회로는 입력된 교류 신호로부터 직류 전원 전압을 발생시킬 수 있는 회로이면 좋다.

도 21(A) 및 도 21(B)는 도 18에 도시된 것 이외의 구성을 가진 정류 회로의 회로도를 나타낸다. 도 21(A)에 도시된 정류 회로는 2개의 다이오드(902, 903)를 가진 배(倍)전압 전파(全波) 정류 회로(901)이다. 또한, 도 21(A)에 도시된 배전압 전파 정류 회로는 커패시터(904, 905)를 가진다. 커패시터들의 위치와 수는 도 21(A)에 도시된 것에 한정되지 않는다.

다이오드(902)의 캐소드와 다이오드(903)의 애노드는 모두 2차 코일의 하나의 단자에 접속되어 있다. 다수의 배전압 전파 정류 회로(901)를 제공하여 그의 출력들을 가산함으로써, 도 18에 도시된 반파 정류 회로의 것과 비교하여 2배의 직류 전압을 얻을 수 있다.

도 21(B)에 도시된 정류 회로는 4개의 다이오드(912, 913, 914, 915)를 가진 브리지 정류 회로(911)이다. 이 4개의 다이오드(912, 913, 914, 915)가 브리지를 형성하고 있다. 한편, 도 21(B)에 도시된 브리지 정류 회로는 커패시터(916)를 가지고 있다. 커패시터의 위치와 수는 도 21(B)에 도시된 것에 한정되지 않는다.

본 실시예는 실시예 1∼5와 자유롭게 조합하여 실시될 수 있다.

[실시예 7]

본 실시예에서는, 일반적인 발광장치를 가진 경우를 예로 들어 검사용 구동신호와 전원 전압에 대하여 보다 상세히 설명한다.

도 22는 일반적인 발광장치의 OLED 패널의 구성을 나타낸다. 도 22는 디지털 비디오 신호를 사용하여 화상을 표시하는 발광장치의 구동회로의 일 예를 설명한다. 도 22에 도시된 OLED 패널은 신호선 구동회로(700), 주사선 구동회로(701), 및 화소부(702)를 가지고 있다.

화소부(702)에는 다수의 신호선, 다수의 주사선, 및 다수의 전원선이 형성되어 있다. 신호선, 주사선, 및 전원선으로 둘러싸인 영역이 화소에 대응한다. 도 22는 다수의 화소 중에서 하나의 신호선(707), 하나의 주사선(709), 및 하나의 전원선(708)을 가진 하나의 화소만을 대표적으로 나타내고 있다. 각 화소는 스위치 소자로서의 스위칭용 TFT(703), 구동용 TFT(704), 보유 용량(705), 및 OLED 화소 전극(706)을 가지고 있다.

스위칭용 TFT(703)의 게이트 전극이 주사선(709)에 접속되어 있고, 스위칭용 TFT(703)의 소스 영역과 드레인 영역 중 하나는 신호선(707)에 접속되고, 다른 하나는 구동용 TFT(704)의 게이트 전극에 접속되어 있다.

구동용 TFT(704)의 소스 영역과 드레인 영역 중 하나는 전원선(708)에 접속되고, 다른 하나는 화소 전극(706)에 접속되어 있다. 구동용 TFT(704)의 게이트 전극과 전원선(704)으로 보유 용량(705)이 형성되어 있다. 이 보유 용량(705)이 반드시 형성될 필요는 없다.

신호선 구동회로(700)는 시프트 레지스터(710), 제1 래치(711), 및 제2 래치(712)를 가지고 있다. 시프트 레지스터(710), 제1 래치(711), 및 제2 래치(712)에는 각각 전원 전압이 부여되어 있다. 한편, 시프트 레지스터(710)에는 신호선 구동회로용의 스타트 펄스 신호(S-SP)와 클록 신호(S-CLK)가 부여되어 있다. 제1 래치(711)에는 래치의 타이밍을 결정하는 래치 신호와 비디오 신호가 부여되어 있다.

시프트 레지스터(710)에 클록 신호(S-CLK)와 스타트 펄스 신호(S-SP)가 입력되면, 비디오 신호의 샘플링 타이밍을 결정하는 샘플링 신호가 발생되어 제1 래치(711)에 입력된다.

시프트 레지스터(710)로부터의 샘플링 신호는 버퍼 등에 의해 완충 증폭된 후에 제1 래치(711)에 입력될 수도 있다. 샘플링 신호가 입력되는 배선에는 많은 회로 또는 회로 소자가 접속되어 있기 때문에 부하 용량(기생 용량)이 크다. 이 부하 용량이 크기 때문에 생기는 타이밍 신호의 상승 또는 하강의 "둔함(blunt)"을 방지하기 위해 버퍼는 효과적이다.

제1 래치(711)는 다수의 단(段)의 래치를 가진다. 제1 래치(711)는 입력된 비디오 신호를 입력된 샘플링 신호와 동기하여 샘플링하여 각 단의 래치에 차례로 저장한다.

제1 래치(711)의 모든 단의 래치에 비디오 신호를 기입하는데 필요한 시간을 라인 기간이라 부른다. 실제로는, 이 라인 기간에 수평 귀선(歸線) 기간이 더해진 기간을 라인 기간에 포함시키는 경우가 있다.

1 라인 기간이 종료하면, 래치 신호가 제2 래치(712)에 입력된다. 이 순간, 제1 래치(71)에 기입되어 보유된 비디오 신호는 제2 래치(712)로 한꺼번에 송출되고, 제2 래치(712)의 모든 단의 래치에 기입되어 보유된다.

비디오 신호를 제2 래치(712)로 보낸 제1 래치(711)에는, 시프트 레지스터(710)로부터의 샘플링 신호에 의거하여 비디오 신호의 기입이 순차적으로 행해진다.

이 두번째의 1 라인 기간 중에는, 제2 래치(712)에 기입되어 보유된 비디오 신호가 소스 신호선에 입력된다.

한편, 주사선 구동회로(701)는 시프트 레지스터(721)와 버퍼(722)를 가지고 있다. 시프트 레지스터(721)와 버퍼(722)에는 전원 전압이 부여되어 있다. 한편, 시프트 레지스터(721)에는 주사선 구동회로의 클록 신호(G-CLK)와 스타트 펄스 신호(G-SP)가 부여되어 있다.

또한, 전원선(708)에는 교류 전압이 인가되어 있다.

시프트 레지스터(721)에 클록 신호(G-CLK)와 스타트 펄스 신호(G-SP)가 입력되면, 주사선 선택 타이밍을 결정하는 선택 신호가 발생되고, 버퍼(722)에 입력된다. 버퍼(722)에 입력된 선택 신호는 완충 증폭되어 주사선(709)에 입력된다.

주사선(709)이 선택되면, 선택된 주사선(709)에 게이트 전극이 접속된 스위칭용 TFT(703)가 온(ON)으로 된다. 그리고, 신호선에 입력된 비디오 신호가, 온으로 된 스위칭용 TFT(703)를 통해 구동용 TFT(704)의 게이트 전극에 입력된다.

구동용 TFT(704)는 게이트 전극에 입력된 비디오 신호가 가지는 1 또는 0의 정보에 의거하여 그의 스위칭이 제어된다. 구동용 TFT(704)가 온일 때, 전원선의 교류 전압이 화소 전극에 제공된다. 구동용 TFT(704)가 오프일 때, 전원선의 교류 전압이 화소 전극에 제공되지 않는다.

이와 같이, 신호선 구동회로(700)와, 주사선 구동회로(701), 및 화소부(702)가 동작한 때, 화소 전극에 교류 전압이 인가됨으로써, 화소의 동작 정보를 포함하는 교류 전압이 검사용 전극(730)에 발생한다. 그리고, 검사용 전극(730)에 발생된 교류 전압에 의거하여, 화소 동작 정보가 확인되고 화소의 정상/비정상이 판정된다.

또한, 구동회로상에 결함이 발생하고 화소에는 결함이 없는 경우에도, 화소 전극에 인가되는 전압의 값은 변화한다. 따라서, 구동회로의 정상/비정상도 판정할 수 있다.

도 22에 도시된 OLED 패널의 경우, S-CLK, S-SP, G-CLK, G-SP, 래치 신호 및 비디오 신호는 검사용 구동신호로서 각 회로에 입력된다. 검사용 구동신호는 상기한 신호들에 한정되지 않는다. 구동과 관련된 신호이면 검사용 구동신호로서 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기한 신호들 외에, 주사선의 주사 방향을 스위칭하는 타이밍을 결정하는 신호 또는 주사선에의 선택 신호의 입력 방향을 스위칭하는 신호가 입력될 수도 있다. 그러나, 검사되는 화소의 동작 상태를 확인할 수 있고 그의 정상/비정상을 판정할 수 있는 신호를 입력하는 것이 필수이다.

OLED 패널에 포함된 화소를 모두 검사하는 것이 아니고 그 중 일부 화소를 검사 대상으로 하는 경우, 그 일부 화소만을 동작시키는 구동신호만을 입력하는 것이 바람직하다. 항상 상기한 구동신호를 모두 입력할 필요는 없다.

위상이 다른 다수의 펄스 신호를 가산하여 전원 전압을 생성하는 경우, 가산하는 펄스 신호의 수에 따라서도 1차 코일의 수가 다르다.

본 발명의 검사 장치 및 검사 방법이 도 22에 도시된 구성을 가진 OLED 패널에 한정되는 것은 아니다.

본 실시예는 실시예 1∼6과 자유롭게 조합하여 실시될 수 있다.

[실시예 8]

본 실시예에서는, 대형 기판을 사용하여 다수의 표시용 기판을 형성하는 경우에 있어서 검사 후의 기판의 절단에 대하여 설명한다.

도 23은 본 실시예에서의 절단 전의 대형 기판의 상면도를 나타낸다. 부호 1001은 화소부이고, 부호 1002는 주사선 구동회로이며, 부호 1003은 신호선 구동회로이다. 또한, 부호 1004로 도시된 영역에는 검사 공정에서만 사용되고 검사 완료 후에는 사용되지 않는 회로 또는 회로 소자, 즉, 다수의 2차 코일, 파형 정형 회로, 정류 회로, 및 검사 전용(專用) 회로 등이 형성되어 있다.

도 23에서, 점선으로 표시된 선을 따라 기판을 절단함으로써, 하나의 기판으로부터 9개의 표시 기판이 형성된다. 또한, 본 실시예가 하나의 기판으로부터 9개의 표시 기판을 형성하는 예를 나타내지만, 본 실시예는 이 개수에 한정되지 않는다.

절단 중에 2차 코일과 커넥터를 물리적 및 전기적으로 분리시키는 절단이 행해진다. 도 23에서는, 절단 후에 표시에 사용되지 않는 기판의 측부에 영역(1004)이 제공되어 있다.

대형 기판을 절단하는 방법에 대하여 도 23과 다른 예에 따라 설명한다. 도 24에서, 부호 1101은 화소부이고, 부호 1102는 주사선 구동회로이며, 부호 1103은 신호선 구동회로이다. 부호 1104에 도시된 영역은 검사 공정에서만 사용되고 검사 완료 후에는 사용되지 않는 회로 또는 회로 소자, 즉, 다수의 2차 코일, 파형 정형 회로, 정류 회로, 검사 전용 회로 등이 형성되어 있다.

도 24에서, 점선으로 표시된 선을 따라 기판을 절단함으로써, 하나의 기판으로부터 9개의 표시 기판이 형성된다. 또한, 이 예는 하나의 기판으로부터 9개의 표시 기판을 형성하는 예를 나타내지만, 본 실시예는 이 개수에 한정되지 않는다.

절단 중에 2차 코일과 커넥터를 물리적 및 전기적으로 분리시키기 위해 절단 및 파괴가 행해진다. 도 24에서는, 영역(1104)이 기판의 절단선에 제공되고, 검사 후에 절단 및 파괴된다. 영역(1104) 내에 형성된 회로 또는 회로 소자는 검사 후에는 불필요하기 때문에, 완성된 반도체장치를 동작시키는 것에 문제는 발생하지 않는다.

절단 후에 파형 정형 회로 또는 정류 회로는 반도체장치로서 사용되는 기판 또는 반도체장치로서 사용되지 않는 기판에 남겨져 있을 수도 있다. 또는, 절단 후에 이 회로가 파괴될 수도 있다.

본 실시예는 실시예 1∼7의 구성과 자유롭게 조합하여 실시될 수 있다.

[실시예 9]

본 실시예에서는, 본 발명의 검사 공정의 동작 순서를 플로차트를 사용하여 설명한다.

도 25는 본 발명의 검사 공정의 플로차트를 나타낸다. 먼저, 검사에 앞서 제조 공정을 완료한 후에, 검사 전원 전압 또는 구동신호 전압을 비접촉으로 장치 기판의 회로 소자 또는 배선에 인가한다.

그 결과, 검사 대상인 화소가 어떤 동작을 행하여, 이 화소와 중첩된 검사용 전극에 화소 동작 상태 정보를 가진 교류 전압을 발생시킨다. 이 교류 전압은 검사용 전극의 위치를 변경하면서 다수 회 모니터된다.

검사용 전극에 발생된 교류 전압에 의거하여, 화소 동작 상태가 확인되고, 화소의 정상/비정상이 판정된다. 또한, 화소 동작 상태는 반드시 정상과 비정상의 2가지로 구분될 필요는 없고, 동작 상태에 의거한 다수의 등급으로 구분될 수도 있다.

한편, 화소의 정상/비정상에 대한 판정 기준을 실시자가 적절히 설정할 수 있다. 비정상으로 판단된 화소가 몇개인 경우에 장치 기판을 불량품으로 판단하는지의 여부도 실시자가 적절히 설정할 수 있다. 비정상 화소가 1개라도 존재한 경우에 비정상으로 판단하는 것도 가능하고, 어떤 일정 수의 비정상 화소가 존재한 경우에 비정상으로 판단할 수도 있다.

정상으로 판단된 경우에는, 이 시점에서 검사가 끝난 것으로 간주되고, 검사 공정 후의 제조 공정이 개시된다.

비정상으로 판단된 경우에는, 공정으로부터 제거하여 제품으로서 완성시키지 않거나(로트 아웃(lot out)) 또는 비정상의 원인을 특정하기 위해 선택이 행해진다. 하나의 대형 기판으로부터 다수의 제품이 제조되는 경우, 기판 절단 후에 로트 아웃이 행해진다.

비정상의 원인을 특정하고 수리가 가능하다고 판단된 경우, 수리 후에 다시 본 발명의 검사 공정을 행하여, 상기한 동작을 반복할 수 있다.

본 실시예는 실시예 1∼8의 구성과 자유롭게 조합하여 실시될 수 있다.

[실시예 10]

본 실시예에서는, 본 발명에서 사용되는 코일과, 이 코일에 포함된 단자와, 배선(코일 배선)과의 접속에 대하여 상세히 설명한다.

도 26(A)에서는, 절연 표면 상에 코일(1601)이 형성되고, 이 코일(1601)을 덮도록 상기 절연 표면 상에 층간절연막(1603)을 형성하고 있다. 그리고, 이 층간절연막에 콘택트 홀을 형성하여, 이 콘택트 홀을 통해 코일(1601)에 접속하는 코일 배선(1602)을 상기 층간절연막 상에 형성한다.

도 26(B)는 도 26(A)의 점선 C-C'을 따라 취한 단면도이다.

도 26(C)에서는, 절연 표면 상에 코일 배선(1612)이 형성되고, 이 코일 배선(1612)을 덮도록 상기 절연 표면 상에 층간절연막(1613)을 형성하고 있다. 그리고, 이 층간절연막에 콘택트 홀을 형성하여, 이 콘택트 홀을 통해 코일 배선(1612)에 접속하는 코일(1611)을 상기 층간절연막 상에 형성한다.

도 26(D)는 도 26(C)의 점선 D-D'를 따라 취한 단면도이다.

본 발명에서 사용되는 코일의 제조방법은 상기 방법에 한정되지 않는다. 절연막을 패터닝함으로써, 소용돌이 형상의 홈을 형성하고, 그 홈을 덮도록 도전막을 상기 절연막 상에 형성한다. 그 후, 이 도전막을, 상기 절연막이 노출될 때까지 에칭 또는 CMP법에 의해 연마하여, 상기 홈 내에만 도전막이 남도록 한다. 이 홈 내에 남겨진 도전막이 코일로서 사용될 수 있다.

[실시예 11]

본 실시예에서는, 실시형태 1에서 왈쉬(Walsh) 함수를 사용하여 각 화소가 정상적으로 동작하는지의 여부를 검사하는 방법에 대하여 설명한다.

본 실시예에서는, 4×4개의 화소를 가진 발광장치의 경우를 예로 들어 설명한다. 4×4개의 화소를 가진 발광장치에서는, W₀₀(4,4)∼W₃₃(4,4)(이하, W₀₀∼W₃₃이라 약칭함)의 16개의 함수 그룹이 구해진다.

도 27은 W₀₀∼W₃₃의 함수 그룹을 사용하여 동작시킨 화소들의 위치를 구체적으로 나타낸다. 흰색으로 나타낸 화소와 빗금으로 나타낸 화소는 그의 화소 전극에 인가되는 전압의 값이 다르다.

W₀₀∼W₃₃의 함수 그룹을 그 순서로 사용하여 화소들을 순서대로 동작시키는 경우, 4×4개의 화소의 동작이 서로 다르다. 따라서, 동일 주사선을 가진 화소마다 검사용 전극이 화소 전극과 중첩되어 있어도, 각 화소가 정상으로 동작하는지의 여부를 검사할 수 있다.

예를 들어, 첫번째 라인의 화소에 대하여 고찰한다. 화소(1,1)에서는, 화소가 흰색으로 나타내어진 경우를 O, 화소가 빗금으로 나타내어진 경우를 X로 표시하면, 모든 경우 O으로 표시된다. 또한, 예를 들어, 화소(2,1)에서는, OOXXOOXXOOXXOOXX의 순으로 표시되고, 화소(3,1)에서는, 0XXOOXXOOXXOOXXO의 순으로 표시되고, 화소(4,1)에서는, OXOXOXOXOXOXOXOX의 순으로 표시된다.

모든 화소가 정상으로 동작한 경우, 각 함수마다의 첫번째 라인의 화소에서의 O의 수는 4,2,2,2,4,2,2,2,4,2,2,2,4,2,2,2의 순으로 표시된다. 예를 들어, 화소(2,1)가 정상으로 동작하지 않아서 항상 빗금으로 나타내어진 표시를 행하는 경우, 각 함수마다의 첫번째 라인의 화소에서의 O의 수는 3,1,2,2,3,1,2,2,3,1,2,2,3,1,2,2의 순으로 표시된다. 따라서, 모든 화소가 정상으로 동작하는 경우와 비교하면, 화소(2,1)가 정상으로 동작하지 않는 것으로 추측될 수 있다.

본 실시예에서는 왈쉬 함수를 2차원으로 사용하였지만, 왈쉬 함수를 1차원으로 사용하여 화소를 동작시키도록 하여도 좋다. 이 경우, 4×4개의 화소를 가진 상기한 발광장치에서, 4개의 함수 그룹을 사용하여 동작 상태를 검사할 수 있다.

본 실시예는 실시예 1∼9의 구성과 자유롭게 조합하여 실시될 수 있다.

상기 구성에 의해, 본 발명은 배선 또는 프로브용 단자에 직접 프로브를 사용하지 않고도 검사 대상인 화소의 정상/비정상을 판정할 수 있으므로, 프로브의 사용 시에 생기는 미세 먼지에 의해 후의 공정에서 수율이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 1회의 검사 공정에서 모든 패턴 형성 공정에서의 정상/비정상이 판단될 수 있기 때문에, 검사 공정이 간편화될 수 있다.

Claims

1차 코일에 검사용 교류 신호를 인가하고;

1차 코일과 2차 코일 사이의 접촉 없이 1차 코일에의 상기 검사용 교류 신호의 인가에 응답하여 2차 코일의 2개 단자 사이에 교류 전압을 유도하고;

상기 교류 전압을 제1 전극에 인가하고;

제1 전극과 제2 전극 사이의 접촉 없이 간격을 두고 제1 전극에 인접하여 제2 전극을 배치함으로써 유도되는, 제2 전극의 제2 전압을 측정하는 것을 포함하고,

상기 1차 코일과 상기 제2 전극은 동일 기판 위에 형성되어 있는, 전압 측정 방법.

삭제

제 1 항에 있어서, 상기 2차 코일과 상기 제1 전극이 동일 기판 위에 형성된 전압 측정 방법.

제 1 항에 있어서, 상기 제1 전극이 표시장치의 화소 전극인 전압 측정 방법.

외부 입력 버퍼를 통해 1차 코일에 검사용 교류 신호를 인가하고;

상기 교류 전압을 제1 전극에 인가하고;

상기 1차 코일, 상기 제2 전극, 및 상기 외부 입력 버퍼는 동일 기판 위에 형성되어 있는, 전압 측정 방법.

삭제

제 5 항에 있어서, 상기 2차 코일과 상기 제1 전극이 동일 기판 위에 형성된 전압 측정 방법.

제 5 항에 있어서, 상기 제1 전극이 표시장치의 화소 전극인 전압 측정 방법.

1차 코일에 검사용 교류 신호를 인가하고;

상기 교류 전압을 파형 정형 회로에 입력하여 제2 교류 전압을 생성하고;

상기 제2 교류 전압을 제1 전극에 인가하고;

간격을 사이에 두고 상기 제1 전극에 인접하여 제2 전극을 배치함으로써 유도되는, 제2 전극의 제3 전압을 측정하는 것을 포함하는 전압 측정 방법.

제 9 항에 있어서, 상기 1차 코일과 상기 제2 전극이 동일 기판 위에 형성된 전압 측정 방법.

제 9 항에 있어서, 상기 2차 코일, 상기 파형 정형 회로, 및 상기 제1 전극이 동일 기판 위에 형성된 전압 측정 방법.

제 9 항에 있어서, 상기 제1 전극이 표시장치의 화소 전극인 전압 측정 방법.

1차 코일에 검사용 교류 신호를 인가하고;

상기 교류 전압을 정류 회로에 입력하여 제2 전압을 생성하고;

상기 제2 전압을 제1 전극에 인가하고;

제 13 항에 있어서, 상기 1차 코일과 상기 제2 전극이 동일 기판 위에 형성된 전압 측정 방법.

제 13 항에 있어서, 상기 2차 코일, 상기 정류 회로, 및 상기 제1 전극이 동일 기판 위에 형성된 전압 측정 방법.

제 13 항에 있어서, 상기 제1 전극이 표시장치의 화소 전극인 전압 측정 방법.

제1 코일의 2개 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고;

상기 제1 코일과 제2 코일을 일정한 간격을 두고 중첩시키고;

상기 제2 코일의 2개 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을 사용하여 화소의 화소 전극에 제3 교류 전압을 인가하고;

상기 화소 전극과 검사용 전극을 일정한 간격을 두고 중첩시키고;

상기 검사용 전극에 발생된 제4 교류 전압으로부터 상기 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법.

제 17 항에 있어서, 상기 제3 교루 전압이, 상기 제2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하여 화소의 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써 화소의 화소 전극에 인가되는 전압 측정 방법.

제1 코일의 2개 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고;

상기 제2 코일의 2개 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을 사용하여 다수의 화소 각각의 화소 전극들에 제3 교류 전압을 인가하고;

상기 다수의 화소의 화소 전극들과 검사용 전극을 일정한 간격을 두고 중첩시키고;

상기 검사용 전극에 발생된 제4 교류 전압으로부터 상기 다수의 화소 각각의 화소 전극들에 인가되는 전압의 합을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법.

제 19 항에 있어서, 상기 제3 교류 전압이, 상기 제2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하여 다수의 화소 각각의 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써 다수의 화소 각각의 화소 전극들에 인가되는 전압 측정 방법.

제 17 항 또는 제 19 항에 있어서, 상기 제1 코일과 상기 제2 코일이 동일 평면 상에 형성된 배선을 가지고,

상기 배선들 각각이 소용돌이 형태를 가지는 전압 측정 방법.

제 17 항 또는 제 19 항에 있어서, 상기 제1 코일과 상기 검사용 전극이 제1 절연 표면 상에 형성되고,

상기 제2 코일과 상기 화소 전극이 제2 절연 표면 상에 형성된 전압 측정 방법.

제 22 항에 있어서, 상기 제1 절연 표면과 상기 제2 절연 표면 사이의 간격이, 상기 제1 절연 표면과 상기 제2 절연 표면 사이에 유체를 흐르게 함으로서 제어되는 전압 측정 방법.

제 17 항 또는 제 19 항에 있어서, 상기 화소 또는 상기 다수의 화소 각각이, 화소 전극에 인가되는 전압 또는 상기 전압 측정 방법을 사용하여 얻어진 그 전압의 합을 사용하여 정상/비정상에 대하여 판정되는 전압 측정 방법.

반도체장치의 화소들을 전기적으로 검사하는 장치로서,

1차 코일;

상기 1차 코일과 상기 반도체장치 내의 2차 코일을 일정한 간격을 두고 중첩시키는 수단;

상기 화소의 화소 전극과 검사용 전극을 일정한 간격을 두고 중첩시키는 수단;

상기 1차 코일의 2개 단자 사이에 교류 전압을 인가하는 수단; 및

상기 검사용 전극에 발생된 교류 전압으로부터 상기 화소의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하는 전기적 검사 장치.

제 25 항에 있어서, 상기 검사용 전극에 발생된 상기 교류 전압이 상기 화소의 동작 상태를 정보로서 포함하는 전기적 검사 장치.

제 25 항에 있어서, 상기 1차 코일과 상기 2차 코일 사이의 간격이 상기 1차 코일과 상기 2차 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로서 제어되는 전기적 검사 장치.

제 25 항에 있어서, 상기 1차 코일이 동일 평면 상에 형성된 배선을 가지고,

상기 배선이 소용돌이 형태로 형성된 전기적 검사 장치.

화소 전극과 배선 또는 회로 소자를 형성하고;

비접촉으로 상기 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하여 상기 화소 전극에 전압을 인가하고;

상기 화소 전극에 인가된 상기 전압을 비접촉으로 판독하는 것을 포함하는 반도체장치 제조방법.

화소 전극, 배선 또는 회로 소자, 제1 코일, 및 제2 코일을 형성하고;

상기 제1 코일의 2개 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고;

상기 제1 코일과 상기 제2 코일을 일정한 간격을 두고 중첩시키고;

상기 제2 코일의 2개 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을 사용하여 상기 화소 전극에 제3 교류 전압을 인가하고;

상기 검사용 전극에 발생된 제4 교류 전압으로부터 상기 화소 전극에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 반도체장치 제조방법.

제 30 항에 있어서, 상기 제3 교류 전압이, 상기 제2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하여 상기 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써 상기 화소 전극에 인가되는 반도체장치 제조방법.

다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하고;

상기 다수의 화소 전극의 적어도 일부와 간격을 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고;

상기 검사용 전극의 전압과 상기 다수의 화소 전극에 대한 상기 검사용 전극의 위치로부터 상기 화소 전극 각각에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법.

제 32 항에 있어서, 상기 전압이 비접촉으로 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 전압 측정 방법.

제1 코일의 2개 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고;

상기 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고;

상기 제2 코일의 2개 단자 사이에 발생된 제2 교류 전압을, 다수의 화소 전극에 인가되는 전압을 제어하기 위한 배선 또는 회로 소자에 인가하고;

상기 검사용 전극에 발생된 제3 교류 전압과 상기 다수의 화소 전극에 대한 상기 검사용 전극의 위치로부터 상기 화소 전극 각각에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 전압 측정 방법.

제 34 항에 있어서, 상기 제2 교류 전압이, 상기 제2 교류 전압을 정류 또는 파형 정형하여 상기 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 전압 측정 방법.

제 34 항에 있어서, 상기 제1 코일과 상기 제2 코일이 동일 평면 상에 형성된 배선을 가지고,

상기 배선들 각각이 소용돌이 형태로 형성된 전압 측정 방법.

제 34 항에 있어서, 상기 제1 코일과 상기 제2 코일 사이의 간격이 상기 제1 코일과 상기 제2 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어되는 전압 측정 방법.

제 32 항 또는 제 34 항에 있어서, 상기 화소 전극 각각의 전압이, 축차(逐次) 근사법(successive approximation)과 투영 절단면 정리(projection section theorem)를 사용한 퓨리에(Fourier) 변환법 또는 중첩 적분법을 이용하여 계산되는 전압 측정 방법.

상기 검사용 전극의 전압과 상기 다수의 화소 전극에 대한 상기 검사용 전극의 위치로부터 상기 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법.

제 39 항에 있어서, 상기 전압이 비접촉으로 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 전기적 검사 방법.

상기 다수의 화소 전극의 적어도 일부와 간격의 두고 중첩시킨 채 검사용 전극을 이동시키고;

상기 검사용 전극의 전압과 상기 다수의 화소 전극에 대한 상기 검사용 전극의 위치로부터 상기 화소 전극들에 인가되는 전압의 분포를 결정하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법.

제 41 항에 있어서, 상기 전압이 비접촉으로 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 전기적 검사 방법.

제 41 항에 있어서, 상기 전압 분포로부터 상기 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 더 포함하는 전기적 검사 방법.

제1 코일의 2개 단자 사이에 제1 교류 전압을 인가하고;

상기 제1 코일과 제2 코일을 간격을 두고 중첩시키고;

상기 검사용 전극에 발생된 제3 교류 전압과 상기 다수의 화소 전극에 대한 상기 검사용 전극의 위치로부터 상기 배선 또는 회로 소자의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 전기적 검사 방법.

제 44 항에 있어서, 상기 검사 방법이, 상기 제3 교류 전압으로부터 상기 다수의 화소 전극에 인가되는 전압의 분포를 결정하는 것을 더 포함하고,

상기 전압 분포로부터 상기 배선 또는 회로 소자의 동작 상태가 확인되는 전기적 검사 방법.

제 44 항에 있어서, 상기 제2 교류 전압이, 정류 또는 파형 정형하여 상기 배선 또는 회로 소자에 인가함으로써 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 전기적 검사 방법.

제 44 항에 있어서, 상기 제1 코일 및 제2 코일이 동일 평면 상에 형성된 배선을 가지고,

상기 배선들 각각이 소용돌이 형태로 형성된 전기적 검사 방법.

제 44 항에 있어서, 상기 제1 코일과 상기 제2 코일 사이의 간격이, 상기 제1 코일과 상기 제2 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어되는 전기적 검사 방법.

장치 기판의 다수의 화소를 전기적으로 검사하는 장치로서,

1차 코일;

상기 1차 코일과 상기 장치 기판 내의 2차 코일을 간격을 두고 중첩시키는 수단;

상기 다수의 화소 각각의 화소 전극들의 적어도 일부와 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시키는 수단;

상기 다수의 화소의 화소 전극들에 대한 상기 검사용 전극의 위치를 변경시키는 수단;

상기 검사용 전극에 발생된 교류 전압으로부터 상기 다수의 화소 각각의 동작 상태를 확인하는 수단을 포함하는 전기적 검사 장치.

제 49 항에 있어서, 상기 다수의 화소 각각의 화소 전극들의 일부와 상기 검사용 전극을 간격을 두고 중첩시킨 채, 상기 다수의 화소의 화소 전극들에 대한 상기 검사용 전극의 위치가 변경되는 전기적 검사 장치.

제 49 항에 있어서, 상기 1차 코일과 상기 2차 코일 사이의 간격이 상기 1차 코일과 상기 2차 코일 사이에 유체를 흐르게 함으로써 제어되는 전기적 검사 장치.

제 49 항에 있어서, 상기 1차 코일이 동일 평면 상에 형성된 배선을 가지고,

상기 배선이 소용돌이 형태로 형성된 전기적 검사 장치.

배선 또는 회로 소자와, 그 배선 또는 회로 소자를 통해 전압이 공급되는 화소 전극을 형성하고;

상기 배선 또는 회로 소자에 전압을 인가하고;

상기 검사용 전극의 전압과 상기 다수의 화소 전극에 대한 상기 검사용 전극의 위치로부터, 상기 다수의 화소 전극 각각에 인가되는 전압에 의해 다수의 화소 각각의 화소 전극들에 인가되는 전압을 계산하는 것을 포함하는 반도체장치 제조방법.

제 53 항에 있어서, 상기 전압이 비접촉으로 상기 배선 또는 회로 소자에 인가되는 반도체장치 제조방법.

제 53 항에 있어서, 상기 반도체장치가 장치 기판을 포함하는 반도체장치 제조방법.

기판 위에, 적어도 하나의 박막트랜지스터를 포함하는 회로와, 그 회로에 전기적으로 접속된 제1의 2차 코일을 형성하고;

제1의 1차 코일에 검사용 교류 신호를 인가하고;

상기 제1의 1차 코일에의 상기 검사용 교류 신호의 인가에 응답하여 상기 제1의 2차 코일에 제1 신호를 유도하고;

상기 제1 신호에 따라 상기 회로에 제2 신호를 입력하고;

상기 회로에의 상기 제2 신호의 입력의 결과로서 만들어지고 상기 회로의 동작 상태에 대한 정보를 포함하는 제3 신호를 제2의 1차 코일에 입력하고;

상기 제2의 1차 코일에의 상기 제3 신호의 인가에 응답하여 제2의 2차 코일에 제4 신호를 유도하고;

상기 제4 신호로부터 상기 회로의 동작 상태를 확인하는 것을 포함하는 반도체장치 제조방법.

제 56 항에 있어서, 상기 제2의 1차 코일 및 상기 제2의 2차 코일이 신호 처리 회로 내에 포함되어 있는 반도체장치 제조방법.

제 57 항에 있어서, 상기 신호 처리 회로가 선택 회로에 전기적으로 접속되어 있는 반도체장치 제조방법.