KR100845725B1 - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 배선 기판에 플립-칩 본딩 방식(flip-chip bonding manner)으로 본딩되는 제 1 반도체 소자, 제 1 반도체 소자를 둘러싸도록 배선 기판 상에 제공된 수지 주변 벽, 수지 주변 벽에 의해 둘러싸인 공간을 충전하여 경화되는 밀봉 수지, 및 밀봉 수지의 상측면에 그 배면이 고착되어 그 표면에 제공된 전극이 배선 기판상의 배선에 본딩 와이어에 의해 접속되도록 제공되는 제 2 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치, 및 상기 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 이러한 구성에 의해서, 반도체 소자들의 외형 사이즈들에 의한 어떠한 제약도 없이 임의의 외형 사이즈들의 반도체 소자들이 서로에 대해 적층될 수 있기 때문에, 서로에 대해 수직으로 적층된 반도체 소자들의 어떠한 외형들의 조합에 있어서도, 반도체 소자들이 고밀도로 실장될 수 있다.
반도체 소자, 외형 사이즈, 밀봉 수지, 본딩 와이어, 배선 기판
Description
도 1은 본 발명의 반도체 장치의 단면도.
도 2a 및 도 2b는 각각 반도체 소자들의 외형 사이즈들의 조합 예를 도시하는 도면.
도 3은 도 1에 도시된 반도체 장치의 변형예의 요부의 확대 단면도.
도 4는 본딩 와이어들이 상층 반도체 소자에 접속되는 종래의 고밀도 실장형 반도체 장치의 단면도.
도 5는 본딩 와이어들이 하층 반도체 소자에 접속되는 종래의 다른 고밀도 실장형 반도체 장치의 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
41 : 반도체 장치 43 : 배선 기판
45 : 제 1 반도체 소자 47 : 수지 주변 벽
49 : 밀봉 수지 50 : 본딩 와이어
본 발명은 서로에 대해 적층된 다수의 반도체 소자들을 포함하는 반도체 장치 및 그 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 반도체 소자들의 외형 사이즈들에 의한 어떠한 제약도 없이 서로에 대해 반도체 소자들을 적층할 수 있는 기술에 관한 것이다.
하나의 반도체 소자가 배선 기판 상에 실장되면, 배선 기판의 면적이 반도체 장치에 점유되어, 다른 반도체 소자가 배선 기판 상에 더 이상 실장되지 않는다. 한편, 최근에, 비디오 카메라들, CD들, 및 휴대 전화기들과 같은 전자 장치들은 크기 면에서 더 축소되고 성능면에서 더 향상될 것이 요구되고 있다. 이와 같은 요구사항을 만족하기 위해서, 반도체 장치가 종래의 반도체 장치에 사용된 것과 동일한 배선 기판을 사용하더라도, 반도체 소자의 실장 면적은 종래의 반도체 장치의 2배가 되는 반도체 장치가 제안되었다.
예를 들어, 도 4에 도시된 종래의 반도체 장치(1)는 2개의 반도체 소자들(3, 5)을 포함하며, 반도체 소자(3)의 전기 접속면(7)의 반대 면(배면(back surface))(9)은 다른 반도체 소자(5)의 전기 접속면(11)의 반대 면(배면)(13)과 포개져 접착제(15)로 본딩되고, 상부 반도체 소자(5)의 전기 접속면(11)은 본딩 와이어들(17)에 의해 배선 기판(19) 상의 배선들에 전기적으로 접속되고, 하부 반도체 소자(3)의 전기 접속면(7)은 범프들(23)에 의해 배선 기판(19) 상의 배선들에 전기 접속된다.
도 5에 도시된 다른 종래의 반도체 장치(25)는 2개의 반도체 소자들(27, 29)을 포함하며, 반도체 소자(27)의 전기 접속면(31)의 반대면(배면)(33)은 접착제(15)에 의해 배선 기판(19)에 다이-본딩되고, 반도체 소자(27)의 전극들은 본딩 배선들(17)에 의해 배선 기판(19) 상의 배선들에 전기적으로 접속되며, 다른 반도체 소자(29)는 범프들(35)에 의해 반도체 소자(27)의 표면(front surface)에 플립-칩 본딩 방식(flip-chip bonding manner)으로 본딩되어 있다.
각각의 반도체 장치들(1, 25)에 있어서, 반도체 장치의 실장 밀도는, 실장 면적이 하나의 반도체 소자에 의해 점유되는 종래의 반도체 장치의 2배가 된다. 따라서, 반도체 장치를 사용하는 전자 장치를 소형화하는 것이 가능하다.
그러나, 도 4에 도시된 종래의 반도체 장치(1)는 상층 반도체 소자의 전극들이 배치되어 있는 전극 영역보다 하층 반도체 소자의 외형 사이즈가 더 커야 한다는 불편함을 가지고 있었다. 그 이유는, 본딩 와이어들이 상층 반도체 소자의 각 전극들에 접속될 때, 상층 반도체 소자의 각 전극들 바로 아래에 어떤 지지체(support)가 배치될 필요가 있기 때문이다. 이와 같은 지지체가 제공되지 않으면(즉, 오버행 상태(overhang state)), 본딩 배선이 상층 반도체 소자의 각 전극에 접속될 때, 상층 반도체 소자에 부분적으로 기계적 부하가 걸려 상층 반도체 소자에 파손을 발생시키게 된다.
도 5에 도시된 종래의 반도체 장치(25)는 또한, 본딩 배선들이 하층 반도체 소자에 접속되어야 하기 때문에, 하층 반도체 소자의 전극들이 배치되어 있는 전극 영역보다 상층 반도체 소자의 외형 사이즈가 작을 필요가 있다는 불편함을 가지고 있었다.
따라서, 상기 기술된 종래의 반도체 장치들 각각에 있어서, 하층 반도체 소자와 상층 반도체 소자의 외형 사이즈들간의 관계에 제약이 존재한다. 결과적으로, 반도체 소자들의 외형 사이즈들의 조합에 따라, 반도체 장치들이 서로 적층될 수 없기 때문에 반도체 소자들의 고밀도 실장을 실현할 수 없게 된다.
본 발명의 목적은 반도체 소자들의 외형 사이즈들에 의한 어떠한 제약도 없이 서로에 대해 임의의 외형 사이즈들의 반도체 소자들을 실장할 수 있는 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법을 제공하여, 서로에 대해 수직으로 적층된 반도체 소자들의 어떠한 외형들의 조합에 있어서도, 반도체 소자들의 고밀도 실장을 실현하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 제 1 양상에 따르면, 플립-칩 본딩 방식으로 배선 기판에 본딩되는 제 1 반도체 소자, 제 1 반도체 소자를 둘러싸도록 배선 기판 상에 형성된 수지 주변 벽(resin peripheral wall), 수지 주벽 벽에 의해 둘러싸인 공간을 충전하여 경화되는 밀봉 수지, 및 밀봉 수지의 상측면에 그 배면이 고정되어 그 표면 상에 제공된 전극이 본딩 와이어에 의해 배선 기판 상의 배선에 접속되도록 제공되는 제 2 반도체 소자를 포함하는 반도체 장치가 제공된다.
이러한 구성에 있어서, 제 2 반도체 소자의 외형 사이즈가 제 1 반도체 소자보다 큰 경우에도, 제 2 반도체 소자는 밀봉 수지에 배치될 수 있다. 따라서, 본딩 단계에서, 제 2 반도체 소자에 인가된 기계적 부하가 밀봉 수지에 의해 부담되도록 하여, 제 2 반도체 소자의 파손 발생이 방지될 수 있다. 결과적으로, 제 1 반도체 소자의 외형 사이즈에 의한 어떠한 제약도 없이 임의의 외형 사이즈의 제 2 반도체 소자가 제 1 반도체 소자 상에 적층될 수 있다. 이에 의해, 서로에 대해 수직으로 적층된 반도체 소자들의 임의의 외형들의 조합에 있어서도, 반도체 소자들은 고밀도로 실장될 수 있다.
이 반도체 장치에 있어서, 바람직하게, 제 2 반도체 소자의 두께 방향의 일부분이 밀봉 수지에 매립되고, 제 2 반도체 소자의 배면이 밀봉 수지를 통해 제 1 반도체 소자의 배면에 지지되며, 제 2 반도체 소자의 표면은 밀봉 수지의 상측면으로부터 돌출되어 있다.
이러한 구성에 있어서, 제 2 반도체 소자의 두께 방향의 일부분이 밀봉 수지에 매립되기 때문에, 밀봉 수지에 대한 제 2 반도체 소자의 접착 강도가 향상될 수 있다. 또한, 제 2 반도체 소자의 배면이 밀봉 수지를 통해 제 1 반도체 소자의 배면에 지지되기 때문에, 제 2 반도체 소자가 밀봉 수지에 과도하게 매립되는 것을 방지할 수 있으며, 따라서, 높이 방향으로 제 2 반도체 소자의 정밀한 위치 결정을 실현할 수 있다. 또한, 제 2 반도체 소자의 표면이 밀봉 수지의 표면으로부터 돌출되어 있기 때문에, 제 2 반도체 소자의 표면에 제공된 전극들이 밀봉 수지로 덮여지는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 제 2 양상에 따르면, 플립-칩 본딩 방식으로 배선 기판 상에 제 1 반도체 소자를 본딩하는 단계, 제 1 반도체 소자가 수지 주변 벽에 의해 둘러싸이도록 배선 기판 상에 수지 주변 벽을 형성하는 단계, 수지 주변 벽에 의해 둘러싸인 공간을 액상 밀봉 수지로 충전하는 단계, 밀봉 수지의 상측면 상에 제 2 반도체 소자의 배면을 고착하는 단계, 및 제 2 반도체 소자가 밀봉 수지에 고착된 후에 본딩 와이어에 의해 배선 기판 상의 배선에 제 2 반도체 소자의 표면에 제공된 전극을 접속하는 단계를 포함하는 반도체 장치 제조 방법이 제공된다.
이러한 구성에 있어서, 제 1 반도체 소자를 둘러싸도록 배선 기판 상에 수지 주변 벽이 형성된 후에, 수지 주변 벽에 의해 둘러싸인 공간이 밀봉 수지로 충전된다. 따라서, 제 1 반도체 소자를 포함하고 수지 주변 벽에 의해 정해진 외형을 갖는 밀봉 수지가 배선 기판 상에 합판형(bed plate shape)으로 형성되며, 밀봉 수지의 상측면이 제 2 반도체 소자를 지지하기 위한 배치면(mounting surface)으로서 취해지고, 제 2 반도체 소자가 밀봉 수지의 상측면에 고착된다. 결과적으로, 제 2 반도체 소자는 제 1 반도체 소자의 외형 사이즈에 관계없이 밀봉 수지에 의해 지지될 수 있다. 이에 의해, 어떠한 형상의 반도체 소자들도 서로에 대해 수직 방향으로 적층될 수 있는 반도체 장치를 제조하는 것이 가능하다.
밀봉 수지의 상측면에 제 2 반도체 소자를 고착하는 상기 단계는, 바람직하게, 밀봉 수지의 완전 경화 전에 그리고 밀봉 수지가 미리 정해진 레벨로 경화된 후에 제 2 반도체 소자의 배면을 밀봉 수지의 상측면에 배치시킴으로써 수행된다.
이러한 구성에 있어서, 밀봉 수지의 완전 경화 전에 그리고 밀봉 수지가 미리 정해진 레벨로 경화된 후에, 제 2 반도체 소자는 밀봉 수지의 상측면에 배치되어 그에 고착된다. 즉, 밀봉 수지가 완전 경화되는 것과 동시에, 제 2 반도체 소자는 밀봉 수지에 고착된다. 따라서, 완전 경화 후의 밀봉 수지에 제 2 반도체 소자를 고착하는 경우에 고착을 위한 전용 접착제의 필요성을 제거할 수 있다.
밀봉 수지로서 충전된 수지의 점도는 수지 주변 벽을 형성하기 위해 사용된 수지의 점도보다 낮은 것이 바람직하다.
이러한 구성에 있어서, 밀봉 수지의 점도는 수지 주변 벽을 형성하기 위해 사용된 수지의 점도보다 낮기 때문에, 수지 주변 벽의 공간에서 밀봉 수지의 충전율을 증가시키는 것이 가능하다. 반대로, 수지 주변 벽을 형성하기 위해 사용된 수지의 경화 전 점도는 밀봉 수지의 경화 전 점도보다 높기 때문에, 수지 주변 벽으로부터의 밀봉 수지의 유출(flow-out)을 방지할 수 있다.
이하, 반도체 장치 및 반도체 장치 구조의 바람직한 실시예들이 도면을 참조하여 상세히 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 반도체 장치의 단면도이고, 도 2a 및 도 2b는 각각 반도체 소자들의 외형 사이즈들의 조합 예를 도시하는 도면이며, 도 3은 도 1에 도시된 반도체 장치의 변형예의 요부의 확대 단면도이다.
이 실시예에 따른 반도체 장치(41)에 있어서, 제 1 반도체 소자(하층 반도체 소자)(45)가 범프들(46)에 의해 배선 기판(43)에 플립-칩 본딩 방식으로 본딩된다. 제 1 반도체 소자(45)를 둘러싸도록 수지 주변 벽(47)이 배선 기판(43) 상에 형성된다. 수지 주변 벽(47)의 형상은 (이하 기술될) 제 2 반도체 소자의 전극 영역에 의해 결정된다. 즉, 수지 주변 벽(47)은 제 2 반도체 소자의 전극 영역이 수지 주변 벽(47) 내에 배치되는 것과 같은 형상으로 형성된다. 따라서, 제 2 반도체 소자의 외형은 수지 주변 벽(47) 내에 모두 배치될 필요는 없다. 이에 의해, 제 2 반도체 소자의 전극 영역 이외의 부분은 수지 주변 벽(47)으로부터 떨어져 오버행 상태가 될 수도 있다.
수지 주변 벽(47) 내에는 밀봉 수지(49)가 충전되어 경화되어 있다. 제 2 반도체 소자(상층 반도체 소자)(51)의 배면은 밀봉 수지(49)의 상측면에 고착된다. 밀봉 수지(49)가 경화되기 전에 제 2 반도체 소자(51)가 밀봉 수지(49)에 배치되기 때문에, 밀봉 수지(49)는 제 2 반도체 소자(51)를 고착하기 위한 접착제로서 기능한다. 제 2 반도체 소자(51)의 표면에 제공된 전극들은 본딩 와이어들(50)에 의해 배선 기판(43) 상의 배선들에 접속된다.
또한, 제 2 반도체 소자(51)는 밀봉 수지(49)가 완전 경화된 후에 밀봉 수지(49)에 접착 본딩될 수도 있다. 이 경우에, 전용 접착제가 밀봉 수지(49)와 제 2 반도체 소자(51) 사이에 도포된다. 이와 같은 밀봉 수지(49)의 완전 경화 후에 제 2 반도체 소자(51)가 고착되는 구성에 있어서, 제 2 반도체 소자(51)의 높이 치수 및 평행도를 고정밀도로 확보하는 것이 가능하다.
이 반도체 장치(41)에 있어서, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제 2 반도체 소자(51)의 외형 사이즈가 제 1 반도체 소자(45)보다 크더라도, 제 2 반도체 소자(51)는 밀봉 수지(49)에 배치될 수 있다. 따라서, 본딩 단계에서, 제 2 반도체 소자(51)에 인가된 기계적 부하를 밀봉 수지(49)에 부담시킬 수 있어, 제 2 반도체 소자(51)의 파손을 방지할 수 있다. 결과적으로, 임의의 외형 사이즈의 제 2 반도체 소자(51)가 제 1 반도체 소자(45)의 외형 사이즈에 의한 어떠한 제약도 없이 제 1 반도체 소자(45) 상에 적층될 수 있다. 이에 의해, 서로에 대해 수직으로 적층된 반도체 소자들의 어떠한 외형들의 조합에 있어서도, 반도체 소자들은 고밀 도로 실장될 수 있다.
도 2b에 도시된 바와 같이, 반도체 장치(41)는 물론, 제 1 반도체 소자(45)보다 작은 외형 사이즈를 갖는 제 2 반도체 소자(51)가 제 1 반도체 소자(45) 상에 적층되도록 구성될 수도 있다.
본 발명에 따른 반도체 장치의 상기 기술된 실시예의 변형예가 도 3에 도시되어 있다. 도 3에 도시된 반도체 장치에 있어서, 제 2 반도체 소자(51)의 두께 방향의 일부분이 밀봉 수지(49)에 매립되고, 제 2 반도체 소자(51)의 배면이 밀봉 수지(49)를 통해 제 1 반도체 소자(45)의 배면에 지지되며, 제 2 반도체 소자(51)가 밀봉 수지(49)의 표면으로부터 돌출되어 있다.
이 변형예에 따르면, 제 2 반도체 소자(51)의 두께 방향의 일부분이 밀봉 수지(49)에 매립되어 있기 때문에, 밀봉 수지(49)에 대한 제 2 반도체 소자(51)의 접착 강도를 증가시킬 수 있다. 또한, 제 2 반도체 소자(51)의 배면은 밀봉 수지(49)를 통해 제 1 반도체 소자(45)의 배면에 지지되기 때문에, 제 2 반도체 소자(51)가 밀봉 수지(49)에 과도하게 매립되는 것을 방지할 수 있으며, 따라서, 높이 방향으로 제 2 반도체 소자(51)의 정밀한 위치 결정을 실현할 수 있다. 또한, 제 2 반도체 소자(51)의 표면은 밀봉 수지(49)의 표면으로부터 돌출하기 때문에, 제 2 반도체 소자(51)의 표면에 제공된 수광부들과 전극들이 밀봉 수지(49)로 덮여지는 것을 방지할 수 있다.
이 실시예에 따른 반도체 장치(41)의 제조 절차가 이하 설명될 것이다. 제 1 반도체 소자(45)가 플립-칩 본딩 방식으로 배선 기판(43) 상에 본딩된다.
제 1 반도체 소자(45)를 둘러싸도록 수지 주변 벽(47)이 배선 기판(43) 상에 형성된다.
수지 주변 벽(47) 내의 공간은 액상 밀봉 수지(49)로 충전된다.
제 2 반도체 소자(51)는 밀봉 수지(49)의 상측면에 고착된다.
제 2 반도체 소자(51)가 밀봉 수지(49)에 고착된 후에, 제 2 반도체 소자(51)의 표면에 제공된 전극들이 본딩 와이어들(50)에 의해 배선 기판(43) 상의 배선들에 접속된다.
그에 의해 반도체 장치(41)가 제조된다.
상기 기술된 반도체 장치(41) 제조 방법에 따르면, 제 1 반도체 소자(45)를 둘러싸도록 수지 주변 벽(47)이 배선 기판(43) 상에 형성된 후에, 수지 주변 벽(47) 내의 공간이 밀봉 수지(49)로 충전된다. 따라서, 제 1 반도체 소자(45)를 포함하고 수지 주변 벽(47)에 의해 정해진 외형을 갖는 밀봉 수지(49)가 배선 기판(43) 상에 합판형으로 형성되며, 밀봉 수지(49)의 상측면은 제 2 반도체 소자(51)를 지지하기 위한 배치면으로서 취해지고, 제 2 반도체 소자(51)는 밀봉 수지(49)의 상측면에 고착된다. 결과적으로, 제 2 반도체 소자(51)는 제 1 반도체 소자(45)의 외형 사이즈에 상관없이 밀봉 수지(49)에 의해 지지될 수 있다. 이에 의해, 모든 형상의 반도체 소자들이 서로에 대해 수직 방향으로 적층될 수 있는 반도체 장치(41)를 제조하는 것이 가능하다.
상기 설명된 제조 방법에 있어서, 밀봉 수지(49)의 상측면에 제 2 반도체 소자(51)를 고착하는 단계는, 밀봉 수지(49)의 완전 경화 전에 및 밀봉 수지(49)의 소정의 경도(specific hardness)의 발현 후에, 밀봉 수지(49)의 상측면에 제 2 반도체 소자(51)의 배면을 배치시킴으로써 수행될 수도 있다.
이러한 구성에 따르면, 밀봉 수지(49)가 완전 경화되는 것과 동시에, 제 2 반도체 소자(51)가 밀봉 수지(49)에 고착된다. 결과적으로, 완전 경화 후의 밀봉 수지(49)에 제 2 반도체 소자(51)를 고착하는 경우에 고착을 위한 전용 접착제의 필요성을 제거할 수 있다. 본 명세서에 사용된 밀봉 수지(49)의 "완전 경화 전(before perfect hardening)"이라는 용어는 밀봉 수지(49)의 접착력을 소실하기 전의 상태를 의미하고, "소정의 경도(specific hardness)"라는 용어는 제 2 반도체 소자(51)가 부상된(floated up) 상태로 제 2 반도체 소자(51)를 지지할 수 있는 경도를 의미한다.
상기 제조 방법에 따르면, 밀봉 수지(49)의 경화 전의 점도는 수지 주변 벽(47)을 형성하기 위해 사용된 수지의 경화 전의 점도보다 낮은 것이 바람직하다. 이와 같은 점도 조건하에서, 수지 주변 벽(47)의 공간 내의 밀봉 수지(49)의 충전율을 증가시키는 것이 가능하며, 또한 수지 주변 벽(47)으로부터 밀봉 수지(49)의 유출을 방지할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예가 특정 용어들을 사용하여 설명되었지만, 이와 같은 설명은 단지 예시적인 것이며, 다음 청구범위의 정신 또는 범위를 벗어나지 않고 변경들 및 변형들이 이루어질 수도 있다는 것이 이해될 것이다.
본 발명을 통해, 반도체 소자들의 외형 사이즈들에 의한 어떠한 제약도 없이 임의의 외형 사이즈들의 반도체 소자들이 서로에 대해 적층될 수 있는 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공하여, 서로에 대해 수직으로 적층된 반도체 소자들의 어떠한 외형들의 조합에 있어서도, 반도체 소자들이 고밀도로 실장될 수 있도록 할 수 있다.
Claims (5)
- 반도체 장치에 있어서:배선 기판에 플립-칩 본딩 방식(flip-chip bonding manner)으로 본딩되는 제 1 반도체 소자;상기 제 1 반도체 소자를 둘러싸도록 상기 배선 기판 상에 형성된 수지 주변 벽;상기 수지 주변 벽에 의해 둘러싸인 공간을 충전하여 경화되는 밀봉 수지; 및상기 밀봉 수지의 상측면에 그 배면이 고착되어, 그 표면(front surface)에 제공된 전극이 상기 배선 기판상의 배선에 본딩 와이어에 의해 접속되도록 제공되는 제 2 반도체 소자를 포함하는, 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 반도체 소자의 두께 방향의 일부분이 상기 밀봉 수지에 매립되고, 상기 제 2 반도체 소자의 배면이 상기 밀봉 수지를 통해 상기 제 1 반도체 소자의 배면에 지지되고,상기 제 2 반도체 소자의 표면이 상기 밀봉 수지의 상측면으로부터 돌출되는, 반도체 장치.
- 반도체 장치 제조 방법에 있어서:배선 기판 상에 플립-칩 본딩 방식으로 제 1 반도체 소자를 본딩하는 단계;상기 제 1 반도체 소자가 수지 주변 벽에 의해 둘러싸이도록 상기 배선 기판 상에 상기 수지 주변 벽을 형성하는 단계;상기 수지 주변 벽에 의해 둘러싸인 공간을 액상 밀봉 수지로 충전하는 단계;제 2 반도체 소자의 배면을 상기 밀봉 수지의 상측면에 고착하는 단계; 및상기 밀봉 수지에 상기 제 2 반도체 소자를 고착한 후에, 상기 제 2 반도체 소자의 표면에 제공된 전극을 본딩 와이어에 의해 상기 배선 기판상의 배선에 접속하는 단계를 포함하는, 반도체 장치 제조 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 2 반도체 소자의 배면을 상기 밀봉 수지의 상측면에 고착하는 단계는, 상기 밀봉 수지의 완전 경화 전에 그리고 상기 밀봉 수지가 미리 정해진 레벨로 경화된 후에, 상기 제 2 반도체 소자의 배면을 상기 밀봉 수지의 상측면에 배치시킴으로써 수행되는, 반도체 장치 제조 방법
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 밀봉 수지로서 충전된 수지의 점도는 상기 수지 주변 벽을 형성하기 위해 사용된 수지의 점도보다 낮은, 반도체 장치 제조 방법.
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