JPH11351943A - バッファードフッ酸用液面検知装置 - Google Patents
バッファードフッ酸用液面検知装置Info
- Publication number
- JPH11351943A JPH11351943A JP10150090A JP15009098A JPH11351943A JP H11351943 A JPH11351943 A JP H11351943A JP 10150090 A JP10150090 A JP 10150090A JP 15009098 A JP15009098 A JP 15009098A JP H11351943 A JPH11351943 A JP H11351943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- liquid level
- liquid
- liquid surface
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/14—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measurement of pressure
- G01F23/16—Indicating, recording, or alarm devices being actuated by mechanical or fluid means, e.g. using gas, mercury, or a diaphragm as transmitting element, or by a column of liquid
- G01F23/165—Indicating, recording, or alarm devices being actuated by mechanical or fluid means, e.g. using gas, mercury, or a diaphragm as transmitting element, or by a column of liquid of bubbler type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 液面センサーにおいて、被使用液としてバッ
ファードフッ酸等を使用した場合、バッファードフッ酸
中のフッ化アンモニウムの析出による液面センサーの誤
動作を防止する。 【解決手段】 バッファードフッ酸を含む薬液１を入れ
る薬液槽３と、該薬液１の液面を検知するための検知ガ
スを該薬液内に導入するためのガス導入管６と、該ガス
圧力の変化を検知し電気信号に変換して液面レベルの変
化を知らせる検知手段５とを有する液面検知装置であっ
て、前記ガス導入管６の先端に設けられたガス排出孔の
径が前記ガス導入管の内径より小さいことを特徴とす
る。
ファードフッ酸等を使用した場合、バッファードフッ酸
中のフッ化アンモニウムの析出による液面センサーの誤
動作を防止する。 【解決手段】 バッファードフッ酸を含む薬液１を入れ
る薬液槽３と、該薬液１の液面を検知するための検知ガ
スを該薬液内に導入するためのガス導入管６と、該ガス
圧力の変化を検知し電気信号に変換して液面レベルの変
化を知らせる検知手段５とを有する液面検知装置であっ
て、前記ガス導入管６の先端に設けられたガス排出孔の
径が前記ガス導入管の内径より小さいことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や液晶製造
工程等におけるウェット処理プロセスに用いられる薬液
処理槽の液面レベルを検知する液面検知装置に関するも
のである。
工程等におけるウェット処理プロセスに用いられる薬液
処理槽の液面レベルを検知する液面検知装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体や液晶製造工程においては、ウェ
ハー洗浄、ウェットエッチング等のウェット処理プロセ
スが必要とされている。ウェットプロセス装置の薬液槽
には、各種のセンサーを装備させてその液面高さを検知
することが行われている。
ハー洗浄、ウェットエッチング等のウェット処理プロセ
スが必要とされている。ウェットプロセス装置の薬液槽
には、各種のセンサーを装備させてその液面高さを検知
することが行われている。
【０００３】例えば、特開平６−２０４２０６号公報に
記載されている液面センサーにおいては、図１に示すよ
うに、半導体ウェハー２を薬液処理する薬液槽３中に、
ガス導入管６を介して、空気又はＮ2ガスを一定流量で
流し込む。
記載されている液面センサーにおいては、図１に示すよ
うに、半導体ウェハー２を薬液処理する薬液槽３中に、
ガス導入管６を介して、空気又はＮ2ガスを一定流量で
流し込む。
【０００４】このガス導入管６の先端部分を薬液１中に
埋没させた場合、Ｎ2または空気の圧力は液面の高さに
より変動するため、この圧力差を利用し液面高さの測定
を行う。
埋没させた場合、Ｎ2または空気の圧力は液面の高さに
より変動するため、この圧力差を利用し液面高さの測定
を行う。
【０００５】圧力差はエアーセンサー５によって検知さ
れ、このエアーセンサー５からの電気信号に従い、制御
手段４により薬液槽３の液面高さ等の制御を行ってい
る。
れ、このエアーセンサー５からの電気信号に従い、制御
手段４により薬液槽３の液面高さ等の制御を行ってい
る。
【０００６】このように、ウェット処理プロセス用液面
センサーでは、空気又はＮ2ガスを一定流量で流し、エ
アーセンサー５によってその圧力を検知し電気信号に変
換して薬液槽３への薬液供給時の定量レベル、もしくは
廃液時の下限レベルを検知する等の装置稼働を制御する
必要がある。
センサーでは、空気又はＮ2ガスを一定流量で流し、エ
アーセンサー５によってその圧力を検知し電気信号に変
換して薬液槽３への薬液供給時の定量レベル、もしくは
廃液時の下限レベルを検知する等の装置稼働を制御する
必要がある。
【０００７】また、薬液の蒸発による液面低下を検知し
て薬液追加信号を出すようなプロセスの安定化を担う場
合も有り、ウェット処理プロセス装置においては液面セ
ンサーが正確に動作することが必須となる。
て薬液追加信号を出すようなプロセスの安定化を担う場
合も有り、ウェット処理プロセス装置においては液面セ
ンサーが正確に動作することが必須となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記に
示すような液面センサーにおいて、被使用液としてバッ
ファードフッ酸（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ＝１：５〜１：５０
０）または界面活性剤入りバッファードフッ酸、純水添
加バッファードフッ酸（以下、総称してバッファードフ
ッ酸と呼ぶ）等を使用した場合、図２に示すように、ガ
ス導入管６の先端部分の内壁に、バッファードフッ酸に
溶解しているフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）の析出物
８が発生してしまい、液面センサーが誤作動する場合が
有った。
示すような液面センサーにおいて、被使用液としてバッ
ファードフッ酸（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ＝１：５〜１：５０
０）または界面活性剤入りバッファードフッ酸、純水添
加バッファードフッ酸（以下、総称してバッファードフ
ッ酸と呼ぶ）等を使用した場合、図２に示すように、ガ
ス導入管６の先端部分の内壁に、バッファードフッ酸に
溶解しているフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）の析出物
８が発生してしまい、液面センサーが誤作動する場合が
有った。
【０００９】これは、ガスとしてＮ2を用いた場合、常
にガス導入管６先端からＮ2ガス９が薬液１中に気泡と
なって流れ出ているが、Ｎ2ガス９がガス導入管６の先
端から開放される際、ガス導入管６の内壁に微量のバッ
ファードフッ酸が付着し、これが水分を含まない高純度
のＮ2ガスにより乾燥され、バッファードフッ酸中に溶
解していたフッ化アンモニウムが析出する。このように
して徐々にフッ化アンモニウム粒子が成長し、最終的に
ガス導入管６を閉塞するためである。
にガス導入管６先端からＮ2ガス９が薬液１中に気泡と
なって流れ出ているが、Ｎ2ガス９がガス導入管６の先
端から開放される際、ガス導入管６の内壁に微量のバッ
ファードフッ酸が付着し、これが水分を含まない高純度
のＮ2ガスにより乾燥され、バッファードフッ酸中に溶
解していたフッ化アンモニウムが析出する。このように
して徐々にフッ化アンモニウム粒子が成長し、最終的に
ガス導入管６を閉塞するためである。
【００１０】このようにフッ化アンモニウムの析出によ
りガス導入管６が閉塞されると、Ｎ2ガス圧力が上昇
し、液面高さが正常であるにもかかわらずセンサー５が
誤動作し、液面上昇の信号をウェット装置に送るため装
置がアラームを発報してしまうことがあった。
りガス導入管６が閉塞されると、Ｎ2ガス圧力が上昇
し、液面高さが正常であるにもかかわらずセンサー５が
誤動作し、液面上昇の信号をウェット装置に送るため装
置がアラームを発報してしまうことがあった。
【００１１】ウェット装置を再作動させるためには、ガ
ス導入管６内に析出したフッ化アンモニウムを取り除か
なければならない。しかし、薬液１を薬液槽３内に保持
したままでの取り除き作業は危険性が伴うため、これま
ではまだ十分使用できるバッファードフッ酸を排液して
から作業を行わなければならなかった。
ス導入管６内に析出したフッ化アンモニウムを取り除か
なければならない。しかし、薬液１を薬液槽３内に保持
したままでの取り除き作業は危険性が伴うため、これま
ではまだ十分使用できるバッファードフッ酸を排液して
から作業を行わなければならなかった。
【００１２】本発明は、前記課題に鑑みてなされたもの
であり、フッ化アンモニウム等の析出を防止して前記の
ような誤動作を起こさない液面検知装置を提供すること
を目的とする。
であり、フッ化アンモニウム等の析出を防止して前記の
ような誤動作を起こさない液面検知装置を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく、液面センサーのチューブ先端の形状を数
種試作し実験した。具体的には、チューブの先端に逆
Ｖ字の切り込みを入れる、チューブ先端部分を広げ
る、の２種の形状について試してみたがいずれもチュー
ブ内壁へのフッ化アンモニウムの生成を抑制できなかっ
た。しかし、チューブ先端部分を細くした場合、フッ
化アンモニウムの析出が効果的に抑えられることを見出
し、本発明を完成させた。
を解決すべく、液面センサーのチューブ先端の形状を数
種試作し実験した。具体的には、チューブの先端に逆
Ｖ字の切り込みを入れる、チューブ先端部分を広げ
る、の２種の形状について試してみたがいずれもチュー
ブ内壁へのフッ化アンモニウムの生成を抑制できなかっ
た。しかし、チューブ先端部分を細くした場合、フッ
化アンモニウムの析出が効果的に抑えられることを見出
し、本発明を完成させた。
【００１４】すなわち、本発明のバッファードフッ酸用
液面検知装置は、バッファードフッ酸を含む薬液を入れ
る薬液槽と、該薬液の液面の変動を検知するためのガス
を該薬液内に導入するためのガス導入管と、該ガス圧の
変化を検知し電気信号に変換して液面レベルの変化を知
らせる検知手段とを有する液面検知装置であって、前記
ガス導入管の先端に設けられたガス排出孔の径が前記ガ
ス導入管の内径より小さいことを特徴とする。
液面検知装置は、バッファードフッ酸を含む薬液を入れ
る薬液槽と、該薬液の液面の変動を検知するためのガス
を該薬液内に導入するためのガス導入管と、該ガス圧の
変化を検知し電気信号に変換して液面レベルの変化を知
らせる検知手段とを有する液面検知装置であって、前記
ガス導入管の先端に設けられたガス排出孔の径が前記ガ
ス導入管の内径より小さいことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明のバッファードフッ酸用液
面検知装置は、バッファードフッ酸（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ＝
１：５〜１：５００）、界面活性剤入りバッファードフ
ッ酸、純水添加バッファードフッ酸）等を含む薬液の液
面検知に好適に用いることができる。
面検知装置は、バッファードフッ酸（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ＝
１：５〜１：５００）、界面活性剤入りバッファードフ
ッ酸、純水添加バッファードフッ酸）等を含む薬液の液
面検知に好適に用いることができる。
【００１６】また、液面の変動を検知するためのガスと
しては、Ｎ2ガス、空気、又はＡｒ等の不活性ガス等を
用いることができる。
しては、Ｎ2ガス、空気、又はＡｒ等の不活性ガス等を
用いることができる。
【００１７】本発明の液面検知装置においては、ガス導
入管の先端に設けられたガス排出孔の径がガス導入管の
内径より小さければ、ガス導入管の先端部分の形状は特
に問わない。
入管の先端に設けられたガス排出孔の径がガス導入管の
内径より小さければ、ガス導入管の先端部分の形状は特
に問わない。
【００１８】例えば、ガス導入管の先端部分の形状とし
て図３に示すようにテーパー状とすることができる。こ
の例では、ガス導入管６の先端部分がテーパー状に細く
形成されている。
て図３に示すようにテーパー状とすることができる。こ
の例では、ガス導入管６の先端部分がテーパー状に細く
形成されている。
【００１９】この場合、導入管６の内径ａに対して導入
管６先端のガス排出孔１０の直径は０．０５ａ〜０．９
ａの範囲、好ましくは０．１ａ〜０．８ａの範囲、最も
好ましくは０．４ａ〜０．７ａの範囲に規定することが
できる。前記範囲に規定したのは、前記下限未満では排
出孔の径の減少によりガス圧力が増加するため液面高さ
分の圧力が正確に測定できなくなり、前記上限を越える
と管の内径とほぼ同等となってフッ化アンモニウムの析
出を防止することができなくなるからである。
管６先端のガス排出孔１０の直径は０．０５ａ〜０．９
ａの範囲、好ましくは０．１ａ〜０．８ａの範囲、最も
好ましくは０．４ａ〜０．７ａの範囲に規定することが
できる。前記範囲に規定したのは、前記下限未満では排
出孔の径の減少によりガス圧力が増加するため液面高さ
分の圧力が正確に測定できなくなり、前記上限を越える
と管の内径とほぼ同等となってフッ化アンモニウムの析
出を防止することができなくなるからである。
【００２０】又、導入管６先端のテーパー部分は導入管
６の直線部分ｂに対して、０．２ｂ以下の範囲とするこ
とができる。前記上限を越えると、テーパー部分が長く
なり過ぎこの部分の抵抗増加による圧力損失が発生し、
液面高さ分の圧力が正確に測定できなくなるためであ
る。
６の直線部分ｂに対して、０．２ｂ以下の範囲とするこ
とができる。前記上限を越えると、テーパー部分が長く
なり過ぎこの部分の抵抗増加による圧力損失が発生し、
液面高さ分の圧力が正確に測定できなくなるためであ
る。
【００２１】また、ガス導入管６の先端部分の形状の他
の例として、図４のように、一端が閉じたガス導入管６
の端面１２に管６の内径より小さくかつ同心円状の排出
孔１４を設けることもできる。なお、これは、前記テー
パーの例において、テーパー部分が０の場合に該当す
る。
の例として、図４のように、一端が閉じたガス導入管６
の端面１２に管６の内径より小さくかつ同心円状の排出
孔１４を設けることもできる。なお、これは、前記テー
パーの例において、テーパー部分が０の場合に該当す
る。
【００２２】さらに、別の例として、図５に示すよう
に、ガス導入管６の先端部分に、その管の直径より小さ
い直径を有するガス排出管１６を取付治具１８を用いて
接続しても良い。
に、ガス導入管６の先端部分に、その管の直径より小さ
い直径を有するガス排出管１６を取付治具１８を用いて
接続しても良い。
【００２３】同様に、図６、図７にそれぞれ示すよう
に、ガス導入管６の先端に、テーパー形状で排出孔２２
を有する先端治具２０、端面２５に排出孔２６を設けた
先端治具２４等を所定の手段で装着しても良い。
に、ガス導入管６の先端に、テーパー形状で排出孔２２
を有する先端治具２０、端面２５に排出孔２６を設けた
先端治具２４等を所定の手段で装着しても良い。
【００２４】これらのガス導入管６、ガス排出管１６、
先端治具２０、２４は、テフロン、塩化ビニール、ＳＵ
Ｓ又はポリプロピレン等を用いて形成することができ
る。
先端治具２０、２４は、テフロン、塩化ビニール、ＳＵ
Ｓ又はポリプロピレン等を用いて形成することができ
る。
【００２５】本発明の液面検知装置においては、ガス導
入管の先端に設けられたガス排出孔の径をガス導入管の
内径より小さく形成しているので、管内壁に液はね等に
よるバッファードフッ酸の付着を抑制し、フッ化アンモ
ニウムの析出によるセンサーの誤動作を防止することが
できる。
入管の先端に設けられたガス排出孔の径をガス導入管の
内径より小さく形成しているので、管内壁に液はね等に
よるバッファードフッ酸の付着を抑制し、フッ化アンモ
ニウムの析出によるセンサーの誤動作を防止することが
できる。
【００２６】
【実施例】図８に、本発明のバッファードフッ酸用液面
検知装置の一実施例を示す。この例の液面検知装置にお
いては、バッファードフッ酸を含む薬液１を入れるため
の四方外槽７付き薬液槽３と、該薬液の液面を検知する
ためのＮ2ガスを該薬液１内に導入するためのガス導入
管６と、該ガス圧力の変化を検知し電気信号に変換して
液面レベルの変化を知らせるセンサー５とを有してお
り、前記ガス導入管６の先端部分は図３に示した如くテ
ーパー状に形成されている。
検知装置の一実施例を示す。この例の液面検知装置にお
いては、バッファードフッ酸を含む薬液１を入れるため
の四方外槽７付き薬液槽３と、該薬液の液面を検知する
ためのＮ2ガスを該薬液１内に導入するためのガス導入
管６と、該ガス圧力の変化を検知し電気信号に変換して
液面レベルの変化を知らせるセンサー５とを有してお
り、前記ガス導入管６の先端部分は図３に示した如くテ
ーパー状に形成されている。
【００２７】この液面検知装置を用いて実験を行った。
実験条件を下記に示す。
実験条件を下記に示す。
【００２８】ガス導入管６の内径５ｍｍ、ガス排出孔１
０の直径３ｍｍ、チューブ長ｂ＝２５ｃｍ、テーパー部
分の長さ３ｃｍ、管の材質：テフロン 薬液：界面活性剤入りバッファードフッ酸（ＨＦ：ＮＨ
4Ｆ＝１：１００ ２４℃） ガス：高純度Ｎ2（Ｎ2流量；５０±５ｃｃ／ｍｉｎ，Ｎ
2圧力；０．２０ｋｇ／ｃｍ2）
０の直径３ｍｍ、チューブ長ｂ＝２５ｃｍ、テーパー部
分の長さ３ｃｍ、管の材質：テフロン 薬液：界面活性剤入りバッファードフッ酸（ＨＦ：ＮＨ
4Ｆ＝１：１００ ２４℃） ガス：高純度Ｎ2（Ｎ2流量；５０±５ｃｃ／ｍｉｎ，Ｎ
2圧力；０．２０ｋｇ／ｃｍ2）
【００２９】一方、比較例としてガス導入管全体の径が
一律に等しく、ガス導入管の直径とガス排出孔の直径と
が等しいものでも同様の実験を行った。
一律に等しく、ガス導入管の直径とガス排出孔の直径と
が等しいものでも同様の実験を行った。
【００３０】この結果、比較例の液面検知装置では、３
０００ｍｉｎ程度でフッ化アンモニウム析出による液面
上昇アラームが誤発報したが、本実施例の装置では、９
９９９ｍｉｎ経過してもアラームが発報しなかった。こ
の実験を数十回繰り返したが、毎回９９９９ｍｉｎ以上
バッファードフッ酸を使用することができた。
０００ｍｉｎ程度でフッ化アンモニウム析出による液面
上昇アラームが誤発報したが、本実施例の装置では、９
９９９ｍｉｎ経過してもアラームが発報しなかった。こ
の実験を数十回繰り返したが、毎回９９９９ｍｉｎ以上
バッファードフッ酸を使用することができた。
【００３１】本実験より、ガス導入管６の先端形状を細
くするとフッ化アンモニウムの析出によるセンサー誤動
作が全く無くなることが解った。
くするとフッ化アンモニウムの析出によるセンサー誤動
作が全く無くなることが解った。
【００３２】
【発明の効果】本発明のバッファードフッ酸用液面検知
装置では、ガス導入管の先端に設けられたガス排出孔の
径が前記ガス導入管の内径より小さいため、センサーチ
ューブ内壁に液はね等によるバッファードフッ酸の付着
が抑制され、フッ化アンモニウムの析出による誤動作を
防止することができる。従って、誤作動による装置停止
が無いため、生産ラインのスループットを向上させるこ
とができる。さらに、誤作動後の薬液槽からの排液作業
が不要となるため、薬液コストを削減することができ
る。
装置では、ガス導入管の先端に設けられたガス排出孔の
径が前記ガス導入管の内径より小さいため、センサーチ
ューブ内壁に液はね等によるバッファードフッ酸の付着
が抑制され、フッ化アンモニウムの析出による誤動作を
防止することができる。従って、誤作動による装置停止
が無いため、生産ラインのスループットを向上させるこ
とができる。さらに、誤作動後の薬液槽からの排液作業
が不要となるため、薬液コストを削減することができ
る。
【図１】従来の薬液処理装置を示す構成図である。
【図２】従来の薬液処理装置を示す概略図である。
【図３】本発明の液面検知装置のガス導入管の先端部分
の一例を示す側面図である。
の一例を示す側面図である。
【図４】本発明の液面検知装置のガス導入管の先端部分
の他の例を示す斜面図である。
の他の例を示す斜面図である。
【図５】本発明の液面検知装置のガス導入管の先端部分
の他の例を示す斜面図である。
の他の例を示す斜面図である。
【図６】本発明の液面検知装置のガス導入管の先端部分
に装着される先端治具の一例を示す斜面図である。
に装着される先端治具の一例を示す斜面図である。
【図７】本発明の液面検知装置のガス導入管の先端部分
に装着される先端治具の他の例を示す斜面図である。
に装着される先端治具の他の例を示す斜面図である。
【図８】本実施例の液面検知装置を示す概略図である。
１ 薬液 ３ 薬液槽 ５ 検知手段（センサー） ６ ガス導入管 １０ ガス排出孔 １４ ガス排出孔 １６ ガス排出管 ２０ 先端治具 ２２ ガス排出孔 ２４ 先端治具 ２６ ガス排出孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀬戸 秀晶 茨城県つくば市並木３−20−11 (72)発明者 山本 治彦 茨城県つくば市春日２−36−３−306 (72)発明者 佐藤 伸良 茨城県つくば市天久保２−24−２
Claims (1)
- 【請求項１】 バッファードフッ酸を含む薬液を入れる
薬液槽と、該薬液の液面の変動を検知するためのガスを
該薬液内に導入するためのガス導入管と、該ガス圧力の
変化を検知し電気信号に変換して液面レベルの変化を知
らせる検知手段とを有する液面検知装置であって、前記
ガス導入管の先端に設けられたガス排出孔の径が前記ガ
ス導入管の内径より小さいことを特徴とする、バッファ
ードフッ酸用液面検知装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10150090A JPH11351943A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | バッファードフッ酸用液面検知装置 |
| US09/322,191 US6032529A (en) | 1998-05-29 | 1999-05-28 | Liquid level sensor for buffered hydrofluoric acid |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10150090A JPH11351943A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | バッファードフッ酸用液面検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11351943A true JPH11351943A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15489302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10150090A Withdrawn JPH11351943A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | バッファードフッ酸用液面検知装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6032529A (ja) |
| JP (1) | JPH11351943A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005274147A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Fujitsu Ltd | 液面検知装置と薬液処理装置 |
| JP2014190710A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 液位測定システムおよび液位測定方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4494405B2 (ja) * | 2003-09-09 | 2010-06-30 | バイオジェネックス ラボラトリーズ | 試料処理システム |
| US9551635B2 (en) | 2006-03-09 | 2017-01-24 | Biogenex Laboratories Inc. | Sample processing system |
| CN101221064B (zh) * | 2007-01-11 | 2010-09-29 | 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司 | 低液位检测装置 |
| TWI441272B (zh) * | 2011-09-26 | 2014-06-11 | Lextar Electronics Croportion | 監測蝕刻製程的方法 |
| JP6383254B2 (ja) * | 2014-11-04 | 2018-08-29 | 株式会社東芝 | 処理装置および処理方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2956581A (en) * | 1958-03-07 | 1960-10-18 | Riegel Paper Corp | Liquid discharge measuring means |
| US4625548A (en) * | 1985-04-12 | 1986-12-02 | Dresser Industries, Inc. | Hydrostatic head pressure sensors for a system to determine fluid level and weight |
| US5005408A (en) * | 1989-09-25 | 1991-04-09 | Fluid Data Systems | Gas weights compensation method for liquid depth gauging system |
| GB9411160D0 (en) * | 1994-06-03 | 1994-07-27 | Land Infrared Ltd | Improvements relating to radiation thermometers |
| US5636547A (en) * | 1994-11-29 | 1997-06-10 | Ferrofluidics Corporation | Liquid level monitoring system having ferrofluid pressure sensor |
| DE19514201C2 (de) * | 1995-04-15 | 1997-04-17 | Heinrich Krahn | Vorrichtung zum Messen der Flüssigkeitspegelstände und Flüssigkeitsvolumen in mehreren Behältern |
| US5661228A (en) * | 1996-02-13 | 1997-08-26 | Young; Wen S. | Liquid pressure and level sensing instruments |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10150090A patent/JPH11351943A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-05-28 US US09/322,191 patent/US6032529A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005274147A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Fujitsu Ltd | 液面検知装置と薬液処理装置 |
| JP4571422B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2010-10-27 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 液面検知装置と薬液処理装置 |
| JP2014190710A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 液位測定システムおよび液位測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6032529A (en) | 2000-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101542020B (zh) | 硫酸的电解装置、电解方法和基板的处理装置 | |
| JPH11351943A (ja) | バッファードフッ酸用液面検知装置 | |
| US6199564B1 (en) | Substrate processing method and apparatus | |
| US6896743B2 (en) | Wafer drying methods of Marangoni type and apparatus suitable therefor | |
| JP3343033B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20200023220A (ko) | 기판 반송 모듈 및 기판 반송 방법 | |
| US20040035449A1 (en) | Wet cleaning facility having bubble-detecting device | |
| US20220344177A1 (en) | Wafer processing apparatus and wafer processing method | |
| JPH11221532A (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
| KR100752653B1 (ko) | 약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법 | |
| JP6407764B2 (ja) | 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、及び記憶媒体 | |
| JP3074089B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR100598914B1 (ko) | 약액 재생 시스템 및 약액 재생 방법, 그리고 상기시스템을 가지는 기판 처리 설비 | |
| US20080053485A1 (en) | Method for cleaning and drying substrate | |
| JPH11188374A (ja) | オゾン水製造装置 | |
| JPH11131211A (ja) | 真空処理装置 | |
| KR102616125B1 (ko) | 반도체 제조용 튜브 세정 장치 | |
| JP5194044B2 (ja) | 処理液供給装置および処理液供給方法 | |
| JPH10284456A (ja) | 半導体基板の洗浄装置 | |
| JPH11186211A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2751930B2 (ja) | 半導体ウエハー洗滌水の制御装置 | |
| JP3013909B2 (ja) | 洗浄装置 | |
| JP2003133282A (ja) | 液面検出センサー | |
| JPH10172947A (ja) | 単槽式洗浄方法およびその装置 | |
| JPH04291921A (ja) | ウエハ表面処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |