KR100722941B1

KR100722941B1 - 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기

Info

Publication number: KR100722941B1
Application number: KR1020060003387A
Authority: KR
Inventors: 겐지 하야시
Original assignee: 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date: 2005-01-17
Filing date: 2006-01-12
Publication date: 2007-05-30
Also published as: US7642715B2; JP2006222070A; JP4631683B2; TWI336210B; US20060158111A1; KR20060083868A; TW200637417A

Abstract

본 발명은 가스 배리어층의 박리나 크랙에 기인하는 수분의 침입을 억제한 발광 장치 및 그 제조 방법과, 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명의 발광 장치(1)는 기체(200) 위에, 복수의 제 1 전극(23)과, 제 1 전극(23)의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부(221a)를 갖는 격벽(221)과, 개구부(221a) 각각에 배치되는 유기 기능층(60)과, 격벽(221) 및 유기 기능층(60)을 덮는 제 2 전극(50)과, 제 2 전극(50)을 덮는 동시에 평탄한 상면(上面)이 형성된 유기 완충층(210)과, 유기 완충층(210)을 덮는 가스 배리어층(30)과, 유기 완충층(210)과 가스 배리어층(30) 사이에, 탄성률이 유기 완충층(210)보다 크고 또한 가스 배리어층(30)보다 작은 중간 보호층(212)을 구비한다.

발광 장치, 전자 기기, 전극, 격벽, 유기 기능층, 유기 완충층, 가스 배리어층, 중간 보호층

Description

발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기{LIGHT-EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC EQUIPMENT}

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EL 표시 장치(1)의 배선 구조를 나타낸 도면.

도 2는 EL 표시 장치(2)의 구성을 나타낸 모식도.

도 3은 도 2의 A-B선을 따르는 단면도.

도 4는 도 2의 C-D선을 따르는 단면도.

도 5는 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도.

도 6은 EL 표시 장치(1)의 제조 방법을 공정 순서대로 나타낸 도면.

도 7은 도 6에 계속되는 공정을 나타낸 도면.

도 8은 스크린 인쇄법을 공정 순서대로 나타낸 도면.

도 9는 EL 표시 장치(1)의 변형예를 나타낸 단면도.

도 10은 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도.

도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 표시 장치(2)의 단면 구조를 나타낸 모식도.

도 12는 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도.

도 13은 중간 보호층(212)을 설치한 경우에서의 결함 발생 유무를 나타낸 도 면.

도 14는 중간 보호층(212)의 변형예를 나타낸 단면도.

도 15는 중간 보호층(212)의 변형예를 나타낸 단면도.

도 16은 본 발명의 실시예에 따른 전자 기기를 나타낸 도면.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1, 2…EL 표시 장치(발광 장치)

23…화소 전극(제 1 전극)

30…가스 배리어층

31…제 1 가스 배리어층

32…제 2 가스 배리어층

50…음극(제 2 전극)

55…음극 보호층(전극 보호층)

60…발광층(유기 기능층)

200…기체

210…유기 완충층

212…중간 보호층

221…유기 격벽층(격벽)

221a…개구부

1000…휴대 전화(전자 기기)

1100…시계(전자 기기)

1200…정보 처리 장치(전자 기기)

1300…박형 대화면 텔레비전(전자 기기)

1001, 1101, 1206, 1306…표시부(발광 장치)

본 발명은 발광 장치 및 그 제조 방법과 이 발광 장치를 구비한 전자 기기에 관한 것이다.

최근, 정보 기기의 다양화 등에 따라, 소비 전력이 작고 경량화된 평면 표시 장치의 요구가 높아지고 있다. 이와 같은 평면 표시 장치의 하나로서, 발광층을 구비한 유기 EL 장치가 알려져 있다. 이와 같은 유기 EL 장치는 양극과 음극 사이에 발광층을 구비한 구성이 일반적이다. 또한, 정공 주입성이나 전자 주입성을 향상시키기 위해서, 양극과 발광층 사이에 정공 주입층을 배치한 구성이나, 발광층과 음극 사이에 전자 주입층을 배치한 구성이 제안되고 있다.

유기 EL 장치의 발광층, 정공 주입층, 전자 주입층에 사용할 수 있는 재료는 대기중의 수분과 반응하여 열화되기 쉬운 것이 많다. 이 층들이 열화되면, 유기 EL 장치에 다크 스폿이라고 불리는 비발광 영역이 형성되게 되고, 발광 소자로서의 수명이 짧아지게 된다. 따라서, 이와 같은 유기 EL 장치에서는 수분이나 산소 등의 영향을 억제하는 것이 과제가 되고 있다.

이와 같은 과제를 해결하기 위해서, 유기 EL 장치의 기판에 글래스나 금속으 로 이루어진 밀봉부재를 접착하여, 수분이나 산소의 침입을 방지하는 방법이 일반적으로 채용되었다. 그러나, 디스플레이의 대형화 및 박형화/경량화에 따라, 접착한 밀봉부재만으로 수분이나 산소의 침입을 막는 것이 어려워지고 있다. 또한, 대형화됨에 따라 구동 소자나 배선을 형성하는 면적을 충분하게 확보하기 위해서, 밀봉부재측으로부터 광을 취출하는 탑 에미션 구조를 사용할 필요성도 제안되고 있다. 이와 같은 요구를 달성하기 위해서, 투명성, 경량성, 내강도성이 우수한 박막을 사용한 밀봉 구조가 요구되고 있다.

그래서, 최근에는 표시 장치의 대형화 및 경박화에 대응하기 위해서, 발광 소자 위에 투명하고 가스 배리어성이 우수한 규소 질화물, 규소 산화물, 세라믹스 등의 박막을 고밀도 플라즈마 성막법(예를 들면, 이온도금, ECR플라스마 스퍼터, ECR플라스마 CVD, 표면파 플라즈마 CVD, ICP-CVD 등)에 의해 가스 배리어층으로서 성막시키는 박막 밀봉이라 불리는 기술이 사용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 내지 4). 이와 같은 기술에 의하면, 발광 소자로의 수분의 침입을 방지하는 것이 가능해지고 있다.

[특허문헌 1] 일본국 공개특허 평9-185994호 공보

[특허문헌 2] 일본국 공개특허 제2001-284041호 공보

[특허문헌 3] 일본국 공개특허 제2000-223264호 공보

[특허문헌 4] 일본국 공개특허 제2003-17244호 공보

그러나, 이와 같은 기술을 채용한 경우라도, 외부로부터의 수분의 침입을 완 전히 방지할 수 없고, 충분한 발광 특성이나 발광 수명을 얻을 수 없다. 특히, 가스 배리어층의 외주부 혹은 화소를 분리하는 격벽에 의한 단차부에서, 박리나 크랙이 발생하여, 여기로부터의 수분의 침입이 인지되고 있다.

이 때문에, 가스 배리어층의 하층측에, 대략 평탄한 상면(上面)을 갖는 유기 완충층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서의 크랙 발생을 방지하는 것이 생각되고 있다. 즉, 기판의 휘어짐이나 부피 팽창에 의해 발생하는 응력을 이 유기 완충층에 의해 완화할 수 있다. 또한, 유기 완충층의 상면을 대략 평탄화함으로써, 유기 완충층의 상면에 배치되는 가스 배리어층도 평탄화되기 때문에, 가스 배리어층에 응력이 집중하는 부위가 없어지고, 크랙 발생을 방지할 수 있다.

그러나, 유기 완충층이 열변형(팽창 및 수축)했을 때에는 가스 배리어층에 크랙이 발생되어버리기 때문에, 외부로부터의 수분의 침입을 완전히 막을 수 없다는 문제가 있다.

본 발명은 상술한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 가스 배리어층의 박리나 크랙에 기인하는 수분의 침입을 억제한 발광 장치 및 그 제조 방법과, 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기에서는 상기과제를 해결하기 위해서 이하의 수단을 채용했다.

발광 장치가, 기체 위에, 복수의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 격벽과, 상기 개구부 각각에 배치되는 유기 기능 층과, 상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극과, 상기 제 2 전극을 덮는 유기 완충층과, 상기 유기 완충층을 덮는 가스 배리어층과, 상기 유기 완충층과 가스 배리어층 사이에 배치되며, 탄성률이 상기 유기 완충층보다 크고 또한 상기 가스 배리어층보다 작은 중간 보호층을 가지게 했다.

본 발명에 의하면, 유기 완충층이 열변형(팽창 및 수축)한다고 해도, 가스 배리어층 사이에, 중간 보호층이 배치되어 있기 때문에, 가스 배리어층에 유기 완충층의 변형의 영향이 직접 미치지 않고, 가스 배리어층에서 크랙 등의 결함 발생을 방지할 수 있다. 특히, 유기 완충층의 패턴 단면 주변을 덮는 가스 배리어층에 크랙 등의 결함이 발생하기 쉽기 때문에, 이 영역에 중간 보호층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서 크랙 등의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 상기 중간 보호층이 적어도 상기 유기 완충층의 외주 영역을 덮도록 유기 완충층의 패턴 단면 주변을 덮는 가스 배리어층에 크랙 등의 결함이 발생하기 쉽기 때문에, 이 영역에 중간 보호층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 상기 중간 보호층이 상기 유기 완충층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어 있는 것에서는, 유기 완충층의 패턴 단면 근방으로부터 유기 완충층으로의 수분의 침입을 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 상기 제 2 전극을 덮는 전극 보호층을 갖는 것에서는, 제조 프로세스시에 있어서의 제 2 전극의 부식이나 손상을 방지할 수 있다.

또한, 상기 가스 배리어층이 상기 중간 보호층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어 있는 것에서는, 중간 보호층 및 유기 완충층을 외부의 수분으로부터 보호할 수 있다.

또한, 상기 가스 배리어층을 덮는 보호층을 갖는 것에서는, 가스 배리어층을 외부로부터의 기계적 충격에 대하여 보호할 수 있다.

또한, 상기 유기 완충층의 단부에서의 접촉 각도가 45°이하로 형성되어 있는 것에서는, 유기 완충층의 열변형(팽창 및 수축)의 가스 배리어층에의 영향이 완화되기 때문에, 가스 배리어층에 크랙 등의 결함이 발생할 가능성을 대폭 저감할 수 있다.

예를 들면, 상기 중간 보호층으로서는, 금속 불화물에 의해 형성할 수 있다. 특히, 불화 리튬 또는 불화 나트륨에 의해 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 중간 보호층으로서는, 알루미늄으로 대표되는 금속에 의해 형성할 수 있다.

또한, 상기 중간 보호층이 탄성률이 10G㎩ 내지 100G㎩인 재료로 이루어진 것에서는, 유기 완충층의 변형의 영향을 양호하게 완화할 수 있다.

또한, 상기 유기 완충층이 에폭시 수지로 이루어진 것에서는, 양호한 완충층을 형성할 수 있다.

발광 장치가, 기체 위에, 복수의 제 1 전극과, 상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 격벽과, 상기 개구부 각각에 배치되는 유기 기능층과, 상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극과, 상기 제 2 전극을 덮는 동시에 평탄한 상면이 형성된 유기 완충층과, 상기 유기 완충층을 덮는 제 1 가스 배리어층 및 제 2 가스 배리어층과, 상기 제 1 가스 배리어층과 상기 제 2 가스 배리어층 사이에, 탄성률이 상기 유기 완충층보다 크고 또한 상기 가스 배리어층보다 작은 중간 보호층을 가지게 했다.

본 발명에 의하면, 유기 완충층이 열변형(팽창 및 수축)한다고 해도, 가스 배리어층 사이에, 중간 보호층이 배치되어 있기 때문에, 가스 배리어층에 유기 완충층의 변형의 영향이 직접 미치지 않고, 가스 배리어층에서 크랙 등의 결함 발생을 방지할 수 있다. 특히, 유기 완충층의 패턴 단면 주변을 덮는 가스 배리어층에 크랙 등의 결함이 발생하기 쉽기 때문에, 이 영역에 중간 보호층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 상기 중간 보호층이 상기 유기 완충층의 외주 영역에 대응하여 배치되는 것에서는, 유기 완충층의 패턴 단면 주변을 덮는 가스 배리어층에 크랙 등의 결함이 발생하기 쉽기 때문에, 이 영역에 중간 보호층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

또한, 상기 제 1 가스 배리어층이 상기 유기 완충층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어, 상기 중간 보호층이 상기 유기 완충층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어 있는 것에서는, 중간 보호층 및 제 1 가스 배리어층에 의해 유기 완충층으로의 수분의 침입을 방지할 수 있다.

또한, 상기 제 2 가스 배리어층이 상기 중간 보호층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어 있는 것에서는, 유기 완충층에서의 수분의 침입을 더욱 확실하게 방지할 수 있다.

또한, 상기 제 1 가스 배리어층과 상기 제 2 가스 배리어층이 상기 기체 외주부에서 접촉하게 배치되는 것에서는, 중간 보호층으로의 수분의 침입을 확실하게 방지할 수 있다.

또한, 상기 유기 완충층의 단부에서의 접촉 각도가 45°이하로 형성되어 있는 것에서는, 유기 완충층의 열변형(팽창 및 수축)의 가스 배리어층으로의 영향이 완화되기 때문에, 가스 배리어층에 크랙 등의 결함이 발생할 가능성을 대폭 저감할 수 있다.

발광 장치의 제조 방법이, 기체 위에, 복수의 제 1 전극을 형성하는 공정과, 상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 격벽을 형성하는 공정과, 상기 개구부 각각에 배치되는 유기 기능층을 형성하는 공정과, 상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극을 형성하는 공정과, 상기 제 2 전극을 덮는 동시에 평탄한 상면이 형성된 유기 완충층을 형성하는 공정과, 상기 유기 완충층이 적어도 외주 영역을 덮는 동시에, 탄성률이 상기 유기 완충층보다 크고 또한 상기 가스 배리어층보다 작은 중간 보호층을 형성하는 공정과, 상기 중간 보호층 및/또는 상기 유기 완충층을 덮는 가스 배리어층을 형성하는 공정을 가지게 했다.

본 발명에 의하면, 유기 완충층이 열변형(팽창 및 수축)한다고 해도, 가스 배리어층 사이에 중간 보호층이 배치되어 있기 때문에, 가스 배리어층에 직접 유기 완충층의 변형의 영향이 미치지 않고, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 결함 발생을 방지할 수 있다. 특히, 유기 완충층의 패턴 단면 주변을 덮는 가스 배리어층에 크랙 등의 결함이 발생하기 쉽기 때문에, 이 영역에 중간 보호층을 배치함으로써, 가스 배리어층에서의 크랙 등의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.

발광 장치의 제조 방법이, 기체 위에, 복수의 제 1 전극을 형성하는 공정과, 상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 격벽을 형성하는 공정과, 상기 개구부 각각에 배치되는 유기 기능층을 형성하는 공정과, 상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극을 형성하는 공정과, 상기 제 2 전극을 덮는 동시에 평탄한 상면이 형성된 유기 완충층을 형성하는 공정과, 상기 유기 완충층을 덮는 제 1 가스 배리어층을 형성하는 공정과, 상기 제 1 가스 배리어층에서의 상기 유기 완충층의 적어도 외주 영역에 대응한 영역을 덮는 동시에, 탄성률이 상기 유기 완충층보다 크고 또한 상기 제 1 가스 배리어층보다 작은 중간 보호층을 형성하는 공정과, 상기 중간 보호층 및/또는 제 1 가스 배리어층을 덮는 제 2 가스 배리어층을 형성하는 공정을 가지게 했다.

또한, 상기 중간 보호층의 탄성률이 10G㎩ 내지 100G㎩인 재료로 이루어진 것에서는, 유기 완충층의 변형의 영향을 양호하게 완화할 수 있다.

상기 유기 완충층이 감압 분위기하에서의 스크린 인쇄법에 의해 배치되는 것에서는, 유기 완충층으로부터 수분을 배제할 수 있고, 또한 기포의 혼입을 방지할 수 있다.

전자 기기가 상기 발광 장치를 구비하게 했다. 이 발명에 의하면, 유기 기능층으로의 수분의 침입이 거의 없기 때문에, 유기 기능층의 열화를 억제할 수 있어, 수명이 긴 표시부를 구비한 전자 기기를 얻을 수 있다.

이하, 본 발명의 발광 장치, 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기의 실시예에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 발광 장치로서, 유기 기능 재료의 일례인 유기 일렉트로루미네선스(EL) 재료를 사용한 EL 표시 장치에 대해서 설명한다.

[제 1 실시예]

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 EL 표시 장치(1)의 배선 구조를 나타낸 도면이다.

EL 표시 장치(1)는 스위칭 소자로서 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, 이하 TFT로 약기한다)를 사용한 액티브 매트릭스형의 EL 표시 장치이다.

또한, 이하의 설명에서는 EL 표시 장치(1)를 구성하는 각 부위나 각 층 막을 인식 가능하게 하기 위해서, 각각의 축척을 다르게 했다.

EL 표시 장치(발광 장치)(1)는 도 1 에 나타낸 바와 같이, 복수의 주사선(101)과, 각 주사선(101)에 대하여 직각으로 교차하는 방향으로 연장하는 복수의 신호선(102)과, 각 신호선(102)에 병렬로 연장되는 복수의 전원선(103)이 각각 배선된 구성을 갖는 동시에, 주사선(101)과 신호선(102)의 각 교점 부근에 화소 영역(X)이 설치된다.

신호선(102)에는 시프트 레지스터, 레벨 시프터, 비디오 라인 및 아날로그 스위치를 구비하는 데이터선 구동 회로(100)가 접속된다. 또한, 주사선(101)에는 시프트 레지스터 및 레벨 시프터를 구비하는 주사선 구동 회로(80)가 접속된다.

또한, 화소 영역(X) 각각에는 주사선(101)을 통하여 주사 신호가 게이트 전극에 공급되는 스위칭용 TFT(112)와, 이 스위칭용 TFT(112)를 통해서 신호선(102)으로부터 공급되는 화소 신호를 유지하는 저장 용량(113)과, 상기 저장 용량(113)에 의해 유지된 화소 신호가 게이트 전극에 공급되는 구동용 TFT(123)와, 이 구동용 TFT(123)를 통하여 전원선(103)에 전기적으로 접속했을 때에 상기 전원선(103)으로부터 구동 전류가 유입하는 화소 전극(제 1 전극)(23)과, 이 화소 전극(23)과 음극(제 2 전극)(50) 사이에 삽입된 기능층(110)이 설치된다. 화소 전극(23), 음극(50), 기능층(110)에 의해, 발광 소자(유기 EL 소자)가 구성된다.

이 EL 표시 장치(1)에 의하면, 주사선(101)이 구동되어 스위칭용 TFT(112)가 온 상태로 되면, 그 때의 신호선(102)의 전위가 저장 용량(113)에 유지되어, 상기 저장 용량(113)의 상태에 따라, 구동용 TFT(123)의 온·오프 상태가 결정된다. 그리고, 구동용 TFT(123)의 채널을 통하여, 전원선(103)으로부터 화소 전극(23)에 전류가 흐르고, 또한 기능층(110)을 통하여 음극(50)에 전류가 흐른다. 기능층(110)은 이를 흐르는 전류량에 따라 발광한다.

다음에, EL 표시 장치(1)의 구체적인 구성에 대해서 도 2 내지 도 5를 참조하여 설명한다.

EL 표시 장치(1)는 도 2에 나타낸 바와 같이 전기 절연성을 구비한 기판(20)과, 스위칭용 TFT(도시 생략)에 접속된 화소 전극이 기판(20) 위에 매트릭스 형상으로 배치되어 이루어진 화소 전극 영역(도시 생략)과, 화소 전극 영역 주위에 배치되는 동시에 각 화소 전극에 접속되는 전원선(도시 생략)과, 화소 전극 영역 위에 위치하고 평면에서 봤을 때 거의 사각형인 화소부(3)(도 2 중 일점 쇄선 범위내)를 적어도 구비하여 구성된 액티브 매트릭스형이다.

또한, 본 발명에서는, 기판(20)과 후술하는 바와 같이 이 위에 형성되는 스위칭용 TFT나 각종 회로 및 층간 절연막 등을 포함하여, 기체(200)라고 칭하고 있다.(도 3, 4 참조)

화소부(3)는 중앙 부분의 실제 표시 영역(4)(도 2 중 이점 쇄선 틀내)과, 실 제 표시 영역(4)의 주위에 배치된 더미(dummy) 영역(5)(일점 쇄선 및 이점 쇄선의 사이의 영역)으로 구획된다.

실제 표시 영역(4)에는 각각 화소 전극을 갖는 표시 영역(R, G, B)이 A-B 방향 및 C-D 방향으로 각각 이간하여 매트릭스 형상으로 배치된다.

또한, 실제 표시 영역(4)의 도 2 중 양측에는 주사선 구동 회로(80)가 배치된다. 이들 주사선 구동 회로(80)는 더미 영역(5)의 하측에 배치된다.

또한, 실제 표시 영역(4)의 도 2 중 상측에는 검사 회로(90)가 배치된다. 이 검사 회로(90)는 EL 표시 장치(1)의 작동 상황을 검사하기 위한 회로로서, 예를 들면 검사 결과를 외부에 출력하는 검사 정보 출력 수단(도시 생략)을 구비하고, 제조 도중이나 출하시의 표시 장치의 품질, 결함 검사를 행할 수 있게 구성된다. 또한, 이 검사 회로(90)도, 더미 영역(5)의 하측에 배치된 것이다.

주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)는 그 구동 전압이 소정 전원부로부터 구동 전압 도통부(310)(도 3 참조) 및 구동 전압 도통부(340)(도 4 참조)를 통하여, 인가되도록 구성된다. 또한, 이들 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)로의 구동 제어 신호 및 구동 전압은 이 EL 표시 장치(1)의 작동 제어를 행하는 소정 메인 드라이버 등으로부터 구동 제어 신호 도통부(320)(도 3 참조) 및 구동 전압 도통부(350)(도 4 참조)를 통하여, 송신 및 인가된다. 또한, 이 경우의 구동 제어 신호는 주사선 구동 회로(80) 및 검사 회로(90)가 신호를 출력할 때의 제어에 관련되는 메인 드라이버 등으로부터의 지령 신호이다.

또한, EL 표시 장치(1)는 도 3, 도 4에 나타낸 바와 같이 기체(200) 위에 화 소 전극(23), 발광층(60) 및 음극(50)을 구비한 발광 소자(유기 EL 소자)를 다수 형성하고, 또한 이들을 덮는 유기 완충층(210), 중간 보호층(212), 가스 배리어층(30) 등을 형성시킨 것이다.

또한, 발광층(60)으로서는 대표적으로 발광층(일렉트로루미네선스층)이고, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 주입층, 전자 수송층 등의 캐리어 주입층 또는 캐리어 수송층을 구비하는 것이다. 또한, 정공 저지층(홀블록킹층), 전자 저지층(일렉트론 저지층)을 구비한 것일 수도 있다.

기체(200)를 구성하는 기판(20)으로서는 소위 탑 에미션형 EL 표시 장치의 경우, 이 기판(20)의 대향측인 가스 배리어층(30)측으로부터 발광광을 취출하는 구성이기 때문에, 투명 기판 및 불투명 기판의 어느 쪽이라도 사용할 수 있다. 불투명 기판으로서는 예를 들면 알루미나 등의 세라믹스, 스테인리스스틸 등의 금속 시트에 표면 산화 등의 절연 처리를 실시한 것, 또는 열경화성 수지나 열가소성 수지, 또한 그 필름(플라스틱필름) 등을 들 수 있다.

또한, 소위 바텀 에미션형의 EL 표시 장치의 경우에는 기판(20)측으로부터 발광광을 취출하는 구성이기 때문에, 기판(20)으로서는 투명 혹은 반투명인 것이 채용된다. 예를 들면, 글래스, 석영, 수지(플라스틱, 플라스틱필름) 등을 들 수 있고, 특히 글래스 기판이 적절하게 사용된다. 또한, 본 실시예에서는 가스 배리어층(30)측으로부터 발광광을 취출하는 탑 에미션형으로 하고, 따라서 기판(20)으로서는 상기한 불투명 기판, 예를 들면 불투명 플라스틱필름 등이 사용된다.

또한, 기판(20) 위에는 화소 전극(23)을 구동하기 위한 구동용 TFT(123) 등 을 포함하는 회로부(11)가 형성되어 있고, 그 위에 발광 소자(유기 EL 소자)가 다수 설치된다. 발광 소자는 양극으로서 기능하는 화소 전극(23)과, 이 화소 전극(23)으로부터의 정공을 주입/수송하는 정공 수송층(70)과, 유기 EL 재료를 구비하는 발광층(60)과, 음극(50)이 순차적으로 형성됨으로써 구성된 것이다.

이와 같은 구성하에, 발광 소자는 그 발광층(60)에서, 정공 수송층(70)으로부터 주입된 정공과 음극(50)으로부터 전자가 결합함으로써 발광한다.

화소 전극(23)은 본 실시예에서는 탑 에미션형이기 때문에 투명일 필요가 없고, 따라서 적절한 도전 재료에 의해 형성된다.

정공 수송층(70)의 형성 재료로서는, 예를 들면 폴리티오펜 유도체, 폴리피롤 유도체 등, 또는 그들의 도핑체 등이 사용된다. 구체적으로는 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술폰산(PEDOT/PSS)의 분산액, 즉, 분산매로서의 폴리스티렌술폰산에 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜을 분산시키고, 또한 이것을 물에 분산시킨 분산액 등을 이용하여 정공 수송층(70)을 형성할 수 있다.

발광층(60)을 형성하기 위한 재료로서는, 형광 혹은 인광을 발광할 수 있는 공지된 발광 재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는, (폴리)플루오렌 유도체(PF), (폴리)파라페닐렌비닐렌 유도체(PPV), 폴리페닐렌 유도체(PP), 폴리파라페닐렌 유도체(PPP), 폴리비닐카르바졸(PVK), 폴리티오펜 유도체, 폴리메틸페닐실란(PMPS) 등의 폴리실란계 등이 적절하게 사용된다.

또한, 이 고분자 재료에, 페릴렌계 색소, 쿠마린계 색소, 로다민계 색소 등의 고분자계 재료나, 루브렌, 페릴렌, 9,10-디페닐 안트라센, 테트라페닐부타디엔, 나일레드, 쿠마린6, 키나크리돈 등의 저분자 재료를 도핑하여 사용할 수도 있다.

또한, 상술한 고분자 재료 대신에, 종래 공지된 저분자 재료를 사용할 수도 있다.

또한, 필요에 따라, 이와 같은 발광층(60) 위에 전자 주입층을 형성할 수도 있다.

또한, 본 실시예에서 정공 수송층(70)과 발광층(60)은 도 3, 도 4에 나타낸 바와 같이 기체(200) 위에서 격자 형상으로 형성된 친액성 제어층(25)(도시 생략)과 유기 격벽층(격벽)(221)에 의해 둘러싸여 배치되고, 이에 의해 둘러싸인 정공 수송층(70) 및 발광층(60)은 단일한 발광 소자(유기 EL 소자)를 구성하는 소자층으로 된다.

또한, 유기 격벽층(221)의 개구부(221a)의 각 벽면의 기체(200) 표면에 대한 각도가 110°이상으로부터 170°이하로 되어 있다. 이러한 각도로 한 것은, 발광층(60)을 습식 프로세스에 의해 형성할 때에, 개구부(221a) 내에 배치되기 쉽게 하기 위해서이다.

음극(50)은 도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 실제 표시 영역(4) 및 더미 영역(5)의 총면적보다 넓은 면적을 구비하여, 각각을 덮도록 형성된 것으로, 발광층(60)과 유기 격벽층(221)의 상면, 또한 유기 격벽층(221)의 외측부를 형성하는 벽면을 덮은 상태에서 기체(200) 위에 형성된 것이다. 또한, 이 음극(50)은 도 4 에 나타낸 바와 같이 유기 격벽층(221)여 외측에서 기체(200)의 외주부에 형성된 음극용 배선(202)에 접속된다. 이 음극용 배선(202)에는 플렉시블 기판(203)이 접 속되어 있고, 이에 의해 음극(50)은 음극용 배선(202)을 통하여 플렉시블 기판(203) 위의 도시하지 않은 구동 IC(구동 회로)에 접속된다.

음극(50)을 형성하기 위한 재료로서는, 본 실시예는 탑 에미션형이기 때문에 광 투과성일 필요가 있으며, 따라서 투명 도전 재료가 사용된다. 투명 도전 재료로서는, ITO(Indium Tin Oxide: 인듐 주석 산화물)가 적절하지만, 이 외에도, 예를 들면 산화인듐·산화아연계 비정질 투명 도전막(Indium Zinc Oxide: IZO/아이·제트·오(등록상표)) 등을 사용할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 ITO를 사용하는 것으로 한다.

또한, 음극(50)은 전자 주입 효과가 큰 재료가 적절하게 사용된다. 예를 들면, 칼슘이나 마그네슘, 나트륨, 리튬 금속, 또는 이들의 금속 화합물이다. 금속 화합물로서는, 불화 칼슘 등의 금속 불화물이나 산화 리튬 등의 금속 산화물, 아세틸아세트나트칼슘 등의 유기금속 착체(錯體)가 해당한다. 또한, 이 재료만으로는, 전기 저항이 커서 전극으로서 기능하지 않기 때문에, 알루미늄이나 금, 은, 구리 등의 금속층을 격벽 위의 비화소 영역에 패턴 형성하거나, ITO, 산화 주석 등의 투명한 금속 산화물 도전층의 적층체와 조합시켜 사용할 수도 있다. 또한, 본 실시예에서는 불화 리튬과 마그네슘-은 합금, ITO의 적층체를, 투명성을 얻을 수 있는 막두께로 조정하여 사용한다.

음극(50)의 상층부에는, 도 3, 도 4에 나타낸 바와 같이, 음극 보호층(전극 보호층)(55)이 형성되어 있다. 이 음극 보호층(55)은 유기 완충층(210)의 형성시 유기용제나 잔류 수분 등에 기인하는, 제조 프로세스시에 있어서의 음극(50)의 부 식이나 손상을 방지하기 위해서 설치된 것이다.

음극 보호층(55)은 투명성, 치밀성, 내수성, 가스 배리어성을 고려하여, 치밀하면서 탄성률이 높은 규소 산질화물 등의 질소를 포함하는 규소 화합물이나, 산화티탄 등의 금속 화합물 등의 무기 화합물에 의해 형성된 것이 바람직하다. 음극 보호층(55)을 형성하는 재료의 탄성률로서는 100G㎩ 이상이 바람직하다.

또한, 음극 보호층(55)의 형성 방법으로서는, ECR 스퍼터링법이나 이온 도금법 등의 고밀도 플라즈마 성막법을 사용할 수 있다. 또한, 음극 보호층(55)의 막두께는 크랙 발생을 방지하기 위해서, 200㎚ 이하가 바람직하고, 특히 30㎚ 내지 100㎚가 더 바람직하다.

또한, 음극 보호층(55)은 기체(200) 외주부의 절연층(284)에 접촉하도록 음극을 피복하여, 30㎚ 내지 100㎚ 정도의 두께로 형성된다.

음극 보호층(55)의 상층부에는 도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 유기 격벽층(221)보다 넓은 범위에서, 또한 음극(50)을 덮은 상태에서 유기 완충층(210)이 설치된다. 또한, 유기 완충층(210)은 화소부(3) 위에 형성된 음극(50)을 덮는 경우와 기체(200) 외주부의 음극용 배선(202) 위에 형성된 음극(50)도 덮는 경우 중 어느 쪽이어도 된다.

유기 완충층(210)은 유기 격벽층(221)의 형상의 영향에 의해, 요철 형상으로 형성된 음극(50)의 요철 부분을 메우도록 배치되고, 또한 그 상면은 대략 평탄하게 형성된다. 유기 완충층(210)은 기체(200)의 휘어짐이나 부피 팽창에 의해 발생하는 응력을 완화하고, 불안정한 유기 격벽층(221)으로부터의 음극(50)의 박리를 방 지하는 기능을 갖는다. 또한, 유기 완충층(210)의 상면이 대략 평탄화되므로, 유기 완충층(210) 위에 형성되는 견고한 피막으로 이루어진 가스 배리어층(30)도 평탄화되기 때문에, 응력이 집중하는 부위가 없어지고, 이에 의해, 가스 배리어층(30)에서의 크랙 발생을 방지한다.

유기 완충층(210)은 경화전의 원료 주성분으로서는, 감압 진공하에서 인쇄 형성하기 때문에, 유동성이 우수하면서 용매 성분이 없고, 전체가 고분자 골격의 원료로 이루어진 유기 화합물 재료일 필요가 있으며, 바람직하게는 에폭시기를 갖는 분자량 3,000 이하의 에폭시 모노머/올리고머가 사용된다(모노머의 정의: 분자량 1,000 이하, 올리고머의 정의: 분자량 1,000 내지 3,000). 예를 들면, 비스 페놀 A형 에폭시 올리고머나 비스 페놀 F형 에폭시 올리고머, 페놀 노볼락형 에폭시 올리고머, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 알킬글리시딜에테르, 3,4-에폭시시클로헥세닐메틸-3',4'-에폭시시클로헥센카르복시레이트, ε-카프로락톤 변성3,4-에폭시시클로헥실메틸3',4'-에폭시시클로헥산카르복시레이트 등이 있고, 이것이 단독 혹은 복수 조합되어 사용된다.

또한, 에폭시 모노머/올리고머와 반응하는 경화제로서는, 전기 절연성이나 접착성이 우수하면서 경도가 높고 강인하여 내열성이 우수한 경화 피막을 형성하는 것이 좋고, 투명성이 우수하면서 경화의 편차가 적은 부가 중합형이 좋다. 예를 들면, 3-메틸-1,2,3,6-테트라히드로 무수프탈산, 메틸-3,6-엔드메틸렌-1,2,3,6-테트라히드로 무수프탈산, 1,2,4,5-벤젠 테트라 카르본산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라 카르본산 이무수물 등의 산무수물계 경화제가 바람직하다. 또한, 산무 수물의 반응(개환(開環))을 촉진하는 반응 촉진제로서 1,6-헥산디올 등의 분자량이 크게 휘발하기 어려운 알코올류를 첨가함으로써 저온 경화하기 쉬워진다. 이들 경화는 60 내지 100℃ 범위의 가열로 행해지고, 그 경화 피막은 에스테르 결합을 갖는 고분자로 된다.

또한, 산무수의 개환을 촉진하는 경화 촉진제로서, 방향속 아민이나 알코올류, 아미노 페놀 등의 비교적 분자량이 높은 것을 첨가함으로써, 저온이면서 단시간으로 경화가 가능해진다.

경화 시간을 단축하기 위해서 자주 사용되는 카티온 방출 타입의 광중합 개시제를 사용하면, 막이 착색되거나 급격한 경화 수축에 의해 발광층(60)에 응력이 가해져 박리 등이 발생하기 때문에 바람직하지 않지만, 촉매로서의 광반응제나 음극(50), 가스 배리어층(30)의 밀착성을 향상시키는 실란 커플링제, 이소시아네이트 화합물 등의 보수제(補水劑), 경화시에 수축을 방지하는 미립자 등의 첨가제가 혼입되어 있을 수도 있다.

이들 원료마다 점도는 1,000m㎩·s(실온: 25℃) 이상이 바람직하다. 도포 직후에 발광층(60)으로 침투하여, 다크 스폿이라고 불리는 비발광 영역을 발생시키지 않기 위해서이다. 또한, 이들 원료를 혼합한 완충층 형성 재료의 점도로서는 500m㎩·s 내지 20,000m㎩·s, 특히 2,000m㎩·s 내지 10,000m㎩·s(실온)이 바람직하다.

또한, 유기 완충층(210)의 막두께로서는 3㎛ 내지 10㎛이 바람직하다. 유기 완충층(210)의 막두께가 3㎛ 이상이면, 클린룸에서도 제거가 어려운 1㎛ 이하의 이물이 혼입했을 경우라도 가스 배리어층(30)의 결함 발생을 방지할 수 있기 때문이 다.

또한, 경화 후의 특성으로서는 유기 완충층(210)의 탄성률이 1G㎩ 내지 10G㎩인 것이 바람직하다. 10G㎩ 이상에서는 유기 격벽층(221) 위를 평탄화했을 때의 응력을 흡수할 수 없고, 1G㎩ 이하에서는 내마모성이나 내열성 등이 부족하기 때문이다.

유기 완충층(210)의 형성은 감압 진공 상태에서의 스크린 인쇄법을 이용하여, 음극 보호층(55) 위에 도포하는 것이 바람직하다. 스크린 메시에 유제(乳劑) 경화물로 비도포 영역을 패턴 형성한 마스크를 기체(200)에 접촉시켜, 스퀴지로 가압함으로써, 유기 완충층 형성 재료를 기체(200) 위(음극 보호층(55) 위)에 전사한다. 감압 분위기에서 도포(전사)가 행해지기 때문에, 수분이 적은 환경을 유지하면서, 전사시에 도포면에 발생하는 기포을 제거할 수 있다.

또한, 유기 완충층(210)을 형성하는 재료로서는, 친유성으로 저흡수성을 갖는 고분자 재료, 예를 들면, 폴리올레핀계 또는 폴리에테르계를 이용할 수도 있다. 또한, 메틸트리메톡시실란이나 테트라에톡시실란 등의 알콕시실란을 가수 분해시켜 축합(縮合)시킨 유기규소폴리머를 이용할 수도 있다. 또한, 아크릴폴리올이나 메타크리폴리올, 폴리에스테르폴리올, 폴리에테르폴리올, 폴리우레탄폴리올을 주성분으로 하여, 트리렌디이소시아네이트나 키실렌디이소시아네트 등의 이소시아네이트 화합물을 중합한 고분자 유도체나, 비스페놀계 에폭시 화합물에 디카르본산무수화합물이나 아민 화합물 등을 중합한 고분자 유도체 등을 채용할 수도 있다.

또한, 3-아미노프로필트리메톡시실란이나 3-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란커플링제 등의 규소 화합물을 포함한 고분자를 사용함으로써, 음극(50)이나 가스 배리어층(30) 등의 무기 재료와의 계면 접착성을 향상시킬 수 있다.

또한, 유기 완충층(210)을 형성하는 재료로서 바텀 에미션형 등 투명성이 필요한 경우에는 자외선 등에 반응하는 광 개시제를 사용한 재료도 선택할 수 있다. 특히, 자외선과 열경화를 사용함으로써, 경화 수축을 억제하면서, 그 후의 가열 경화 시간 단축에 의한 생산 효율의 향상을 얻을 수 있다. 이 경우에는 음극 보호층(55)이 자외선 흡수 재료에 의해 형성되게 하는 것이 바람직하고, 예를 들면 산화티탄이나 산화아연, 인듐주석산화물(ITO) 등의 에너지 밴드갭이 2 내지 4eV의 산화물 반도체 재료로 된 음극 보호층의 적어도 일부분에 사용됨으로써, 유기 완충층(210)을 투과한 자외선을 음극 보호층(55)으로 흡수시킴으로써, 유기 완충층(210)에 조사한 자외선이 발광층(60)에 악영향을 미치는 것을 방지한다. 또한, 경화 수축을 방지하는 미립자 등의 첨가제를 혼입할 수도 있다.

또한, 유기 완충층(210)의 상층부에는 도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 중간 보호층(212)이 형성되어 있다.

중간 보호층(212)을 형성하는 재료로서는, 탄성률이 가스 배리어층(30)보다 낮고 유기 완충층(210)보다 높은 것이다. 구체적으로는 탄성률이 10 내지 100G㎩(1 내지 10(×10¹⁰Nm^-2))의 재료를 적절하게 사용할 수 있다.

예를 들면, 질화물이나 산화물에 비교하여 탄성률이 낮은 금속, 또는 불화화합물 등이 바람직하다. 특히, LiF, MgF₂ 등의 알칼리할라이드(탄성률 15 내지 68G ㎩), Mg(탄성률 41G㎩), Zn(탄성률 43G㎩), Al(탄성률 69G㎩), Ag(탄성률 76G㎩), SiO₂(탄성률 94G㎩), NaF(탄성률 50G㎩), Sn(탄성률 55G㎩) 등의 무기 재료를 사용할 수 있다.

또한, 유기 완충층(210)의 탄성률은 10G㎩ 이하이다. 예를 들면, 유기 완충층(210)을 에폭시 수지에 의해 형성했을 경우에는 탄성률은 3G㎩ 내지 5G㎩(0.3 내지 0.5×10¹⁰Nm²)이다. 또한, 가스 배리어층(30)의 탄성률은 100G㎩ 이상이다. 예를 들면, 가스 배리어층(30)을 질화규소, 산질화규소에 의해 형성했을 경우에는 탄성률은 200 내지 400G㎩(20 내지 40(×10¹⁰Nm^-2))이다.

또한, 중간 보호층(212)을 형성하는 재료로서는, 금속에 한하지 않고, 수지로 할 수도 있다. 이 경우에는 수지 중에 필러 등의 미립자(213)를 첨가(함유)하여, 탄성률을 조정하는 것이 바람직하다(도 5 참조). 미립자(213)를 함유시킴으로써, 피막 형성시나 온도 변화에 대하여 부피 변화를 일으키기 어려워, 가스 배리어층(30)에의 부담을 더 경감시킬 수 있다. 또한, 미립자(213)로서는 유기 고분자 재료 또는 무기 산화물 재료, 예를 들면 폴리에스테르나 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트), 실리카나 알루미나가 바람직하다.

또한, 중간 보호층(212)을 형성하는 재료로서는 유기 완충층(210)과 가스 배리어층(30)에 대하여, 밀착성이 양호하게 얻어지는 것을 채용하는 것이 바람직하다.

또한, 중간 보호층(212)은 적어도 유기 완충층(210)의 외주 영역을 덮고, 또 한 유기 완충층(210)의 외측 영역까지 형성되는 것이 바람직하다. 유기 완충층(210)에서의 평탄 영역은 발광층(60)으로부터 광이 투과하는 동시에, 이 영역을 덮는 가스 배리어층(30)에는 크랙 등이 발생하기 어렵기 때문이다. 즉, 중간 보호층(212)은 유기 완충층(210)의 평탄 영역에는 개구를 가지고, 유기 완충층(210)의 외주 영역만을 덮도록 형성된다. 즉, 크랙 등이 발생하기 쉬운 가스 배리어층(30)의 외주 영역 하층에 중간 보호층(212)을 배치한다.

또한, 중간 보호층(212)의 상층부에는 도 2 내지 도 4에 나타낸 바와 같이, 가스 배리어층(30)이 형성되어 있다.

가스 배리어층(30)은 산소나 수분이 침입하는 것을 방지하기 위한 것으로, 이에 의해 산소나 수분에 의한 음극(50)이나 발광층(60)의 열화 등을 억제할 수 있다.

또한, 가스 배리어층(30)은 예를 들면 무기 화합물로 이루어진 것으로, 바람직하게는 규소 화합물, 특히 내수성이 우수한 질소를 함유하는 규소질화물이나 규소산질화물 등에 의해 형성된다. 또한, 수증기 등의 가스를 차단하기 위해서 치밀하고 결함이 없는 피막으로 할 필요가 있으며, 적절하게는 저온에서 치밀한 막을 형성할 수 있는 고밀도 플라즈마 성막법을 사용하여 형성한다. 또한, 규소 화합물이외에도, 예를 들면 알루미늄 산화물이나 산화탄탈, 산화티탄, 또한 다른 세라믹스 등으로 이루어질 수도 있다.

가스 배리어층(30)의 탄성률은 100G㎩ 이상, 구체적으로는 200㎩ 내지 250㎩ 정도가 바람직하다.

또한, 가스 배리어층(30)으로서는, 적층 구조로 할 수도 있고, 그 조성을 불균일하게 하여 특히 그 산소 농도가 연속적으로, 혹은 비연속적으로 변화하는 구성으로 할 수도 있다.

또한, 이와 같은 가스 배리어층(30)의 두께로서는, 30㎚ 이상 1,000㎚ 이하인 것이 바람직하다. 특히, 가스 배리어층(30)의 막두께는 200㎚ 내지 600㎚ 정도가 더 바람직하다.

30㎚ 미만이면, 막의 결함이나 막두께의 편차 등에 의해 부분적으로 관통 홀이 형성되어버려, 가스 배리어성이 손상될 위험이 있기 때문이고, 1,000㎚를 초과하면, 응력에 의한 균열이 생길 우려가 있기 때문이다.

또한, 동일한 문제로부터, 중간 보호층(212)과 가스 배리어층(30)의 막두께의 합계는 1,000㎚ 이하로 하는 것이 바람직하다.

또한, 본 실시예에서는 탑 에미션형으로 하고 있기 때문에, 가스 배리어층(30)은 투광성을 가질 필요가 있고, 따라서 그 재질이나 막두께를 적당하게 조정 함으로써, 본 실시예에서는 가시광선 영역에서의 광선 투과율을 예를 들면 80% 이상으로 하고 있다.

여기에서, 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)의 구조에 대해서, 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도이다.

유기 완충층(210)은 음극 보호층(55) 위에 형성되게 되어 있고, 그 단부에서는 음극 보호층(55)의 표면과 접촉각 α로 접촉하고 있다. 여기에서, 접촉각 α는 45°이하이며, 보다 바람직하게는 1°내지 20°정도인 것이 바람직하다. 이와 같이 유기 완충층(210)이 형성됨으로써, 이 유기 완충층(210)의 상층에 형성되는 중간 보호층(212)이나 가스 배리어층(30)은 유기 완충층(210)의 형상을 모방하여, 형성된다. 이에 의해, 가스 배리어층(30)의 단부에 급격한 형상 변화가 없어지고, 완만하게 형상이 변화하기 때문에, 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생을 방지할 수 있다.

특히, 가스 배리어층(30)이 크랙이 가장 발생하기 쉬운 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)에서, 중간 보호층(212)을 통하여 유기 완충층(210) 위에 배치된다. 즉, 중간 보호층(212)이 유기 완충층(210)보다 외측의 영역까지 배치되어, 가스 배리어층(30)이 중간 보호층(212)보다 더욱 외측의 영역까지 배치된다. 이와 같이, 중간 보호층(212) 및 가스 배리어층(30)을 유기 완충층(210) 위에 배치함으로써, 가스 배리어층(30)에서의 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생을 더 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 가스 배리어층(30)이 중간 보호층(212)의 외측의 영역까지 배치됨으로써, 중간 보호층(212)이 수분이나 산소 등에 접촉하여 열화하는 것도 방지할 수 있다. 따라서, 장기간에 걸쳐, 밀봉 능력을 유지하는 것이 가능해진다.

도 3, 도 4로 되돌아와서, 가스 배리어층(30)의 상층부에는 가스 배리어층(30)을 덮는 보호층(204)이 설치된다. 이 보호층(204)은 가스 배리어층(30)측에 설치된 접착층(수지접착층)(205)과 표면 보호 기판(보호 기체)(206)으로 이루어진다.

접착층(205)은 가스 배리어층(30) 위에 표면 보호 기판(206)을 고정시켜, 또한 외부로부터의 기계적 충격에 대하여 완충 기능을 가지고, 발광층(60)이나 가스 배리어층(30)의 보호를 하는 것이다. 상기 접착층(205)에 표면 보호 기판(206)이 접합됨으로써, 보호층(204)이 형성되어 있다. 접착층(205)은 예를 들면 우레탄계, 아크릴계, 에폭시계, 폴리올레핀계 등의 수지이며, 표면 보호 기판(206)보다 유연하고 글래스 전이점이 낮은 재료로 이루어진 접착제에 의해 형성된 것이다. 또한, 투명 수지 재료가 바람직하다. 또한, 저온에서 경화시키기 위한 경화제를 첨가하는 2액 혼합형 재료에 의해 형성된 것일 수도 있다.

또한, 이와 같은 접착층(205)에는 실란커플링제 또는 알콕시 실란을 첨가해 두는 것이 바람직하고, 이와 같이 하면, 형성되는 접착층(205)과 가스 배리어층(30)의 밀착성이 더 양호해지고, 따라서 기계적 충격에 대한 완충 기능이 높아진다.

또한, 특히 가스 배리어층(30)이 규소 화합물로 형성되어 있을 경우 등에서는 실란커플링제나 알콕시실란에 의해 이 가스 배리어층(30)의 밀착성을 향상시킬 수 있고, 따라서 가스 배리어층(30)의 가스 배리어성을 높일 수 있다.

표면 보호 기판(206)은 접착층(205) 위에 설치되어, 보호층(204)의 표면측을 구성하는 것이며, 내압성이나 내마모성, 외부 광반사 방지성, 가스 배리어성, 자외선 차단성 등의 기능을 적어도 하나는 지니고 있는 층이다.

표면 보호 기판(206)의 재질은 글래스, DLC(다이아몬드라이크 카본)층, 투명 플라스틱, 투명 플라스틱 필름이 채용된다. 여기에서, 플라스틱 재료로서는 예를 들면, PET, 아크릴, 폴리카보네이트, 폴리올레핀 등이 채용된다.

또한, 상기 표면 보호 기판(206)에는 자외선 차단/흡수층이나 광반사 방지층, 방열층, 렌즈, 색파장 변환층이나 미러 등의 광학 구조가 설치되어 있을 수도있다. 또한, 컬러 필터 기능을 설치할 수도 있다.

또한, 본 예의 EL 표시 장치에서는 탑 에미션형으로 할 경우에 표면 보호 기판(206), 접착층(205)을 모두 투광성인 것으로 할 필요가 있지만, 바텀 에미션형으로 할 경우에는 그럴 필요는 없다.

다음에, 본 실시예에 따른 EL 표시 장치(1)의 제조 방법의 일례를, 도 6 및 도 7을 참조하여 설명한다. 도 6 및 도 7에 나타낸 각 단면도는 도 2 중의 A-B선의 단면도에 대응한 도면이다.

또한, 본 실시예에서는 발광 장치로서의 EL 표시 장치(1)가 탑 에미션형인 경우이며, 또한, 기판(20)의 표면에 회로부(11)를 형성시키는 공정에 대해서는 종래 기술과 다르지 않기 때문에 설명을 생략한다.

우선, 도 6의 (a)에 나타낸 바와 같이, 표면에 회로부(11)가 형성된 기판(20)의 전면을 덮도록, 화소 전극(23)으로 이루어진 도전막이 형성되고, 또한, 이 투명 도전막을 패터닝함으로써, 제 2 층간절연층(284)의 컨택트홀(23a)을 통하여 드레인 전극(244)과 도통하는 화소 전극(23)을 형성하는 동시에, 더미 영역의 더미 패턴(26)도 형성한다.

또한, 도 3 및 도 4에서는 이들 화소 전극(23), 더미 패턴(26)을 총칭하여 화소 전극(23)으로 하고 있다. 더미 패턴(26)은 제 2 층간절연층(284)을 통하여 하층의 메탈 배선에 접속하지 않는 구성이 된다. 즉, 더미 패턴(26)은 섬 형상으로 배치되어, 실제 표시 영역에 형성되어 있는 화소 전극(23)의 형상과 거의 동일한 형상을 갖는다. 물론, 표시 영역에 형성되어 있는 화소 전극(23)의 형상과 다른 구조일 수도 있다. 또한, 이 경우, 더미 패턴(26)은 적어도 구동 전압 도통부(310(340))의 상방에 위치하는 것도 포함시킨다.

다음에, 도 6의 (b)에 나타낸 바와 같이, 화소 전극(23), 더미 패턴(26) 위,및 제 2 층간절연막 위에 절연층인 친액성 제어층(25)을 형성한다. 또한, 화소 전극(23)에서는 일부가 개구하는 형태로 친액성 제어층(25)을 형성하여, 개구부 (25a)(도 3도 참조)에서 화소 전극(23)으로부터의 정공 이동이 가능하게 되어 있다. 반대로, 개구부(25a)를 설치하지 않는 더미 패턴(26)에서는 절연층(친액성 제어층)(25)이 정공 이동 차폐층으로 되어 정공 이동이 생기지 않는 것으로 되어 있다. 계속하여, 친액성 제어층(25)에서, 다른 2개의 화소 전극(23) 사이에 위치하여 형성된 오목 형상부에 도시 생략의 BM(블랙 매트릭스)을 형성한다. 구체적으로는 친액성 제어층(25)의 오목 형상부에 대하여, 금속 크롬을 사용하여 스퍼터링법으로 성막한다.

그리고, 도 6의 (c)에 나타낸 바와 같이, 친액성 제어층(25)의 소정 위치, 상세하게는 상술한 BM을 덮도록 유기 격벽층(221)을 형성한다. 구체적인 유기 격벽층의 형성 방법으로서는 예를 들면 아크릴수지, 폴리이미드 수지 등의 레지스트를 용매에 용해한 것을, 스핀 코팅법, 딥 코팅법 등의 각종 도포법에 의해 도포하여 유기질층을 형성한다. 또한, 유기질층의 구성 재료는 후술하는 잉크의 용매에 용해하지 않고, 또한 에칭 등에 의해 패터닝하기 쉬운 것이면 어떤 것이라도 좋다.

또한, 유기질층을 포토리소그래피 기술, 에칭 기술을 이용하여 패터닝하고, 유기질층에 개구부(221a)를 형성함으로써, 개구부(221a)에 벽면을 갖는 유기 격벽층(221)을 형성한다. 여기에서, 개구부(221a)를 형성하는 벽면에 대해서, 기체(200) 표면에 대한 각도를 110°이상 170°이하가 되도록 형성한다.

또한, 이 경우, 유기 격벽층(221)은 적어도 구동 제어 신호 도통부(320)의 상방에 위치하는 것을 포함시킨다.

다음에, 유기 격벽층(221)의 표면에, 친액성을 나타낸 영역과, 발액성을 나타낸 영역을 형성한다. 본 실시예에서는 플라즈마 처리에 의해 각 영역을 형성한다. 구체적으로는 플라즈마 처리를, 예비 가열 공정과, 유기 격벽층(221)의 상면 및 개구부(221a)의 벽면 및 화소 전극(23)의 전극면(23c), 친액성 제어층(25)의 상면을 각각 친액성으로 하는 친잉크화 공정과, 유기 격벽층(221)의 상면 및 개구부(221a)의 벽면을 발액성으로 하는 발잉크화 공정과, 냉각 공정으로 구성한다.

다음에, 정공 수송층 형성 공정에 의해 정공 수송층(70)의 형성을 행한다. 이 정공 수송층 형성 공정에서는, 예를 들면 잉크젯법 등의 액적 토출법이나, 스핀 코팅법 등에 의해, 정공 수송층 재료를 전극면(23c) 위에 도포하고, 그 후, 건조 처리 및 열처리를 행하고, 전극(23) 위에 정공 수송층(70)을 형성한다.

다음에, 발광층 형성 공정에 의해 발광층(60)의 형성을 행한다. 이 발광층 형성 공정에서는, 예를 들면 잉크젯법에 의해, 발광층 형성 재료를 정공 수송층(70) 위에 토출하고, 그 후, 건조 처리 및 열처리를 행함으로써, 유기 격벽층(221) 에 형성된 개구부(221a) 내에 발광층(60)을 형성한다. 이 발광층 형성 공정에서는 정공 수송층(70)의 재용해를 방지하기 위해, 발광층 형성 재료로 사용하는 용매로서, 정공 수송층(70)에 대하여 불용성인 무극성 용매를 사용한다.

다음에, 도 7의 (a)에 나타낸 바와 같이, 음극층 형성 공정에 의해 음극(50)의 형성을 행한다. 이 음극층 형성 공정에서는, 예를 들면 이온 플레이팅법 등의 물리 기상 성장법에 의해 ITO를 성막하고, 음극(50)으로 한다. 이 때, 이 음극(50)에 대해서는 발광층(60)과 유기 격벽층(221)의 상면을 덮는 것은 물론, 유기 격벽층(221)의 외측부를 형성하는 벽면에 대해서도 이것을 덮는 상태로 되도록 형성한다.

다음에, 음극(50) 위에 규소 화합물로 이루어진 음극 보호층(55)을 형성한다. 상기 음극 보호층(55)을 형성하는 방법으로서는 이온 플레이팅법 등의 물리 기상 성장법을 사용하는 것이 바람직하다.

다음에, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 유기 완충층(210)은 액상법, 즉 습식 프로세스에 의해 형성한다.

유기 완충층(210)을 형성하는 방법으로서는, 잉크젯법, 슬릿 코팅법, 커튼 코팅법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법 등의 방법을 채용할 수 있다. 또한, 이들 도포 분위기는 기포를 원인으로 하는 막결함를 발생시키지 않도록 100㎩ 내지 10,000㎩ 범위의 감압 분위기하에서 도포하는 것이 바람직하다.

또한, 유기 완충층(210)이 평탄성과 패터닝성을 양립시키기 위해서, 도포시의 점도는 100m㎩·s 내지 10,000m㎩·s가 바람직하다. 희석 용매는 적시에 사용할 수도 있지만, 감압 분위기하에서도 휘발하기 어렵고, 경화 후에는 주성분과 가교하여 고분자화하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 점도의 재료를 잉크젯법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법 등으로 조합시켜 패턴 형성을 행함으로써, 유기 완충층(210) 패턴의 단부에서 음극 보호층(55)의 접촉각 α를 작게 하는 것이 가능하다.

유기 완충층의 막두께는 평탄화와 요철에 의해 생기는 응력 완화를 목적으로 하고 있기 때문에, 격벽층이나 화소 격벽의 높이보다 두껍게 할 필요가 있고, 예를 들면, 2㎛ 내지 10㎛ 정도가 바람직하다. 응력은 없는 것이 바람직하지만, 약간 인장 응력이 생겨도 된다. 막밀도는 응력을 매우 적게 하기 위해서 탄성률이 낮고 비교적 다공질의 막인 것이 바람직하고, 0.8g/㎤ 내지 1.8g/㎤이 바람직하다.

유기 완충층(210)의 도포 후의 건조는 막 중의 잔존 수분을 완전히 제거하기 위해서, 감압 분위기하 또는 건조 질소 분위기하에서 50℃ 내지 80℃의 경화 온도로 건조한다. 가열은 경화뿐만 아니라, 일시적으로 점도가 내려감으로써 유동성을 얻을 수 있고, 표면의 평탄성이 향상되고, 패턴 주위의 테이퍼 각도가 크게 되어 목적으로 하는 형상을 얻을 수 있다. 즉, 유기 완충층(210)의 패턴 단부에서, 음극 보호층(55)의 접촉각 α를 1° 내지 20°로 하는 것이 가능해진다. 그 후의 흡습을 막기 위해서, 대기압으로 되돌리지 않고, 다음의 중간 보호층(212)의 형성 프로세스로 이동하는 것이 바람직하다.

여기에서, 유기 완충층(210)을 감압 분위기하에 두고 스크린 인쇄하는 순서를 상세하게 설명한다.

도 8은 스크린 인쇄법을 공정 순서대로 도시한 도면이다.

스크린 인쇄법은 감압 분위기하에서 도포가 가능한 방법이기 때문에, 비교적 중점도 내지 고점도의 도포액을 사용하는 방식이다. 특히, 스크린 인쇄법은 스퀴지 가압 이동에 의해 도출 제어가 간편하고, 스크린 메시의 사용에 의해 막두께 균일성 및 패터닝성이 우수하다는 이점을 가지고 있다.

처음에, 도 8의 (a)에 나타낸 바와 같이, 음극 보호층(55)까지 형성한 기체(200)를 제 1 기판 반송실(도시 생략)에 반입하여, 제 1 기판 반송실내 및 인쇄실(도시 생략) 내를 소정 압력으로 가압한 후에, 기체(200)를 인쇄실내에 반입한다.

그리고, 도 8의 (b)에 나타낸 바와 같이, 스크린 메시(551)에 대하여 위치 맞춤을 한다. 여기에서, 스크린 메시(551)의 비도포부에는 재료를 도포하지 않는 부분을 피복하는 발액성의 유제 경화물층(551n)이 형성되어 있다.

또한, 스크린 메시(551)의 패턴 형상은 유기 완충층(210)의 외주부를 소정 형상(예를 들면, 파형 형상)으로 형성하기 위한 형태가 형성된 것이다.

다음에, 기체(200)를 위치 맞춤한 후, 스테이지(도시 생략) 위에 유지한다. 기체(200)를 스테이지에 유지하는 방법으로서는, 예를 들면 진공 흡착을 사용할 수 있다.

그리고, 도 8의 (c)에 나타낸 바와 같이, 제 1회째의 압력 조정 공정으로서, 스크린 메시(551) 위에 완충층 재료를 적하(滴下)하기 전에, 인쇄실내를 10㎩ 내지 1,000㎩의 압력으로 조정한다.

다음에, 도 8의 (d)에 나타낸 바와 같이, 스크린 메시(551)의 한쪽 끝(유제 경화물층(551n)의 위)에 경화전의 완충층 재료 K를 디스펜서 노즐 등에 의해 소정량 적하한다.

완충층 재료 K에는 상술한 바와 같이 에폭시 모노머/올리고머 재료에 경화제, 반응 촉진제를 혼합한 재료를 사용한다. 이들 재료는 도포전에 혼합되고 나서 사용되지만, 혼합 후의 점도로서는 실온(25℃)에서 500m㎩·s 내지 20,000m㎩·s의 점도 범위인 것이 좋다. 이보다 점도가 낮을 경우에는 스크린 메시(551)로부터의 액누수나 유제 경화물층(551n) 위에서 돌출이 발생하고, 막두께 안정성이나 패터닝성이 떨어진다. 또한, 이보다 점도가 높을 경우에는 평탄성이 떨어지기 때문에 메시 흔적이 잔류하고, 또한 메시 이탈시에 휩쓸려 들어가는 기포가 크게 성장하기 때문에, 크레이터(crater) 형상의 도포 누락이 발생하기 쉽고, 소포 공정 후에도 기포가 잔류하기 쉬워진다.

또한, 완충층 재료 K의 점도로서는, 특히 2,000m㎩·s 내지 10,000m㎩·s의 범위인 것이 바람직하다. 점도를 10,000m㎩·s보다 낮게 함으로써, 기포의 잔류를 더 억제할 수 있다. 또한, 1,000m㎩·s보다 높게 함으로써 스크린 인쇄 공정에서 기포가 터지기 어렵고, 크레이터 형상의 결함이 생기기 어려워진다. 이에 의해, 균일한 막을 얻는 것이 가능해진다. 또한, 후술하는 바와 같이, 다크 스폿의 발생을 확실하게 억제할 수 있다. 따라서, 재료의 실온 점도를 상기한 바와 같이 설정함으로써, 완충층의 형상 유지, 표면의 평탄화, 기포의 극미소화, 측면 단부의 저각도화를 확실하게 실현할 수 있고, 다크 스폿의 발생을 억제할 수 있다.

또한, 유기 완충층(210)의 막두께는 평탄화와, 요철에 의해 생기는 응력 완 화를 실현할 수 있게 유기 격벽층(221)의 높이(2㎛ 내지 5㎛)보다 두껍게 할 필요가 있고, 상술한 바와 같이, 3㎛ 내지 10㎛ 정도가 바람직하다. 이 점도와 막두께 제어는 접촉각의 형성에도 영향을 주고, 30°이하를 달성하기 위해서도 중요하다. 응력은 없는 것이 바람직하지만, 인장 응력이 약간 생겨도 된다. 막밀도는 응력을 매우 적게 하기 위해 비교적 밀도가 낮은 다공질의 막인 것이 바람직하고, 상기한 바와 같이 1G㎩ 내지 10G㎩이 바람직하다.

다음에, 도 8의 (e)에 나타낸 바와 같이, 스퀴지(553)를 스크린 메시(551) 위의 한 모서리쪽에서 다른 모서리쪽으로 이동시키고, 완충층 재료 K를 스크린 메시(551) 위에 확장하면서, 기체(200) 위에 압입하여, 패턴을 전사한다. 또한, 스크린 메시(551)를 기체(200) 위에 배치했을 때, 스크린 메시(551)가 기체(200)에 완전히 접촉하고 있을 수도 있고, 간격을 1mm 정도 둘 수도 있다. 간격을 두고 있는 경우라도 스퀴지(553)로 재료를 압입한 후는 재료을 통하여 스크린 메시(551)와 기체(200)는 실질적으로 접촉하게 되어, 컨택트 방식의 스크린 인쇄가 된다. 따라서, 후술하는 스크린 메시의 박리 공정이 필요해진다.

또한, 이 때, 완충층 재료 K가 롤링하면서 도포되기 때문에, 재료 중에 기포가 혼입한다. 그 때문에, 도 8의 (f)에 나타낸 바와 같이, 제 2회째의 압력 조정 공정으로서, 인쇄실내를 2,000㎩ 내지 5,000㎩의 압력으로 조정한 후에 소정 시간 유지하여 기포를 제거한다. 즉, 인쇄실내에서의 질소 가스의 퍼지(purge)에 의해 제 1회째의 조정 압력인 10㎩ 내지 1,000㎩으로부터 2,000㎩ 내지 5,000㎩으로 압력을 높인다. 이 기포는 진공 기포이기 때문에, 압력을 높임으로써 기포를 터뜨려, 소멸시킬 수 있다.

다음에, 도 8의 (g)에 나타낸 바와 같이, 기체(200)로부터 스크린 메시(551)를 박리한다. 이 때, 도시하지 않지만, 예를 들면 기체(200)의 한쪽 모서리측에서 스퀴지(553)를 스테이지에 가압한 상태에서 스테이지를 하강시켜, 스크린 메시(551)로부터 스테이지를 이간시키면, 스퀴지(553)를 가압한 부분이 지지점이 되어 반대측의 모서리로부터 스크린 메시(551)의 박리가 시작된다. 실제로 스크린 메시(551)의 박리 동작을 행할 때에는 특히 인쇄실내의 압력을 3,000㎩ 내지 4,000㎩로 조정하는 것이 바람직하다. 그 이유는 박리시에는 기체(200)가 스크린 메시(551)에 끌어당겨져, 스테이지로부터 기체(200)를 떼내려고 하는 큰 힘이 가해지지만, 이 시점에서 인쇄실내의 압력이 3,000㎩ 내지 4,000㎩ 이상이면, 진공 흡착에 의해 기체(200)가 스테이지 위에 확실하게 고정되어, 스크린 메시(551)의 박리를 지장없이 행할 수 있기 때문이다.

그 후, 도 8의 (h)에 나타낸 바와 같이, 스테이지의 하강을 계속하여, 스크린 메시(551)가 기체(200)로부터 완전히 떨어진 곳에서 박리가 종료된다.

다음에, 도 8의 (i)에 나타낸 바와 같이, 완충층 재료 K의 인쇄가 종료된 기체(200)를 제 2 기판 반송실에 반입한 후, 도 8의 (j)에 나타낸 바와 같이, 기체(200)를 제 2 기판 반송실내에 유지한 상태에서, 제 3회째의 조정 압력으로서 제 2기판 반송실내를 대기압으로 한 후에 소정 시간 유지하고, 기포를 제거한다. 즉, 제 2 기판 반송실내에의 질소 가스의 퍼지에 의해 제 2 기판 반송실내를 대기압으로 하여, 기판 주위의 분위기를 제 2회째의 조정 압력인 2,000㎩ 내지 5,000㎩에서부터 대기압으로까지 상승시킨다.

다음에, 도 8의 (k) 에 나타낸 바와 같이, 기체(200)를 제 2 기판 반송실로부터 가열실에 반입한 후, 질소 가스 분위기하에 두고 완충층 재료 K에 60℃ 내지 100℃의 가열 처리를 실시한다. 이에 의해 완충층 재료 K가 경화한다. 이와 같은 경화 공정을 실시함으로써, 경화전의 완충층 재료 K에 포함되는 에폭시 모노머/올리고머 재료와 경화제, 반응 촉진제가 반응하고, 에폭시 모노머/올리고머가 3차원 가교하여, 폴리머의 에폭시 수지가 형성된다.

또한, 가열 처리를 실시함으로써, 이와 같은 경화 현상이 생길뿐만아니라, 완충층 재료 K의 측면 단부의 형상이 풀려 모서리의 각도가 20°이하 (도 5 참조)로 되어, 최종적인 유기 완충층(210)의 형상으로 된다.

도 7의 (b)로 되돌아와서, 유기 완충층(210)의 외주 영역(또는 전면)을 덮어, 중간 보호층(212)을 형성한다. 중간 보호층(212)을 형성하는 방법으로서는, 진공 증착법 또는 스퍼터링법 등의 물리 기상 성장법(PVD)이 바람직하다.

특히, 중간 보호층(212)을 형성하는 재료로서, 알루미늄, 불화 리튬 또는 불화 나트륨을 사용한 경우에는 비교적 저온에서 기화하기 쉽고, 화학적으로 안정한 재료이며, 원료도 저렴하여 대량 생산에 적합하다는 이점이 있다.

다음에, 도 7의 (c)에 나타낸 바와 같이, 중간 보호층(212)을 덮어, 가스 배리어층(30)을 형성한다. 가스 배리어층(30)은 감압하의 고밀도 플라즈마 성막법 등에 의해 형성되는, 주로 규소질화물 또는 규소산질화물로 이루어진 투명한 박막이 바람직하다. 또한, 작은 분자의 수증기를 완전히 차단하기 위해서 치밀성을 갖게 하고, 약간의 압축 응력을 갖는 것이 바람직하다. 바람직한 막밀도는 2.3g/㎤ 이상, 막두께는 무기 완충층과 합하여 1,000㎚ 이하로 하는 것이 바람직하고, 50㎚ 내지 500㎚이 적절하다.

중간 보호층(212) 및 가스 배리어층(30)의 구체적인 형성 방법으로서는, 먼저 스퍼터링법이나 이온 플레이팅법 등의 물리 기상 성장법으로 성막을 행하고, 다음에, 플라즈마 CVD법 등의 화학 기상 성장법으로 성막을 행해도 된다. 스퍼터링법이나 이온 플레이팅법 등의 물리 기상 성장법은 일반적으로 이질적인 기판 표면에 대하여도 비교적 밀착성이 좋은 막을 얻을 수 있기 때문에, 중간 보호층(212) 및 가스 배리어층(30)의 형성에 적합하고, 한편, 화학 기상 성장법에서는 응력이 적고 스텝 커버리지성이 우수한, 결함이 적고 치밀하여 양호한 막질인 것을 얻을 수 있기 때문에, 가스 배리어층(30)에 적합하다. 이 방법들은 양산성을 고려하여 적시 선택할 수 있다.

또한, 가스 배리어층(30)은 중간 보호층(212)을 형성한 후에, 대기 분위기로 되돌아오지 않고, 진공 분위기에서 연속적으로 형성된다. 또한, 가스 배리어층(30) 및 중간 보호층(212)은 동일한 프로세스 챔버내에서, 마스크를 전환함으로써 성막 영역을 변화시키고, 성막 가스 종류나 혼합비를 연속적으로 변화시켜서 성막할 수도 있다. 이와 같이 하면, 가스 배리어층(30) 및 중간 보호층(212)은 계면을 가지지 않고, 구성 원자 종류나 조성비, 탄성률이 다른 막질을 형성할 수 있다. 이에 의해, 가스 배리어층(30)의 기능과, 중간 보호층(212)의 기능을 겸비한 막을 형성하는 것이 가능해진다.

또한, 가스 배리어층(30)의 형성에 대해서는 상술한 바와 같이 동일한 재료에 의해 단층으로 형성할 수도 있고, 또한 다른 재료로 복수층으로 적층하여 형성할 수도 있고, 또한, 단층으로 형성하지만, 그 조성을 막두께 방향에서 연속적 혹은 비연속적으로 변화시켜 형성할 수도 있다.

다음에, 가스 배리어층(30) 위가 접착층(205)과 표면 보호 기판(206)으로 이루어진 보호층(204)을 설치한다(도 3 및 도 4 참조). 접착층(205)은 스크린 인쇄법이나 슬릿 코팅법 등에 의해 가스 배리어층(30) 위에 대략 균일하게 도포되고, 그 위에 표면 보호 기판(206)이 접합된다.

이와 같이 가스 배리어층(30) 위에 보호층(204)을 설치하면, 표면 보호 기판(206)이 내압성이나 내마모성, 광반사방지성, 가스 배리어성, 자외선 차단성 등의 기능을 가지게 됨으로써, 발광층(60)이나 음극(50), 또한 가스 배리어층도 이 표면 보호 기판(206)에 의해 보호할 수 있고, 따라서 발광 소자의 장기 수명화를 도모할 수 있다.

또한, 접착층(205)이 기계적 충격에 대하여 완충 기능을 발휘하기 때문에, 외부로부터 기계적 충격이 가해진 경우에, 가스 배리어층(30)이나 이 내측의 발광 소자로의 기계적 충격을 완화하고, 이 기계적 충격에 의한 발광 소자의 기능 열화를 방지할 수 있다.

이상과 같이 하여, EL 표시 장치(1)가 형성된다.

도 9, 도 10은 EL 표시 장치(1)의 변형예를 도시한 도면이다.

도 9에 나타낸 바와 같이, 가스 배리어층(30)을 제 1 가스 배리어층(31)과 제 2 가스 배리어층(32)의 복수층으로 하여, 제 1 및 제 2 가스 배리어층(31, 32)의 층간에 중간 보호층(212)을 배치할 수도 있다. 즉, 가스 배리어층(30)에 의해, 중간 보호층(212)을 삽입할 수도 있다.

이 경우에는 도 10의 (a)에 나타낸 바와 같이, 중간 보호층(212)을 기체(200)의 음극 보호층(55) 위에 접촉시키도록 할 수도 있고, 도 10의 (b)에 나타낸 바와 같이 접촉시키지 않고, 완전히 가스 배리어층(30)(제 1 가스 배리어층(31), 제 2 가스 배리어층(32))으로 덮을 수도 있다. 어떻게 해도, 중간 보호층(212)을 노출시키지 않고, 수분 또는 산소로부터 밀봉함으로써, 중간 보호층(212)의 열화를 방지한다.

또한, 유기 완충층(210)은 그 단부에서는 음극 보호층(55)의 표면과 접촉각 α로 접촉하고 있다. 여기에서, 접촉각 α는 45°이하이며, 더 바람직하게는 1° 내지 20°정도인 것이 바람직하다.

이와 같이 유기 완충층(210)이 형성됨으로써, 이 유기 완충층(210)의 상층에 형성되는 중간 보호층(212)이나 가스 배리어층(30)은 유기 완충층(210)의 형상을 모방하여 형성된다. 이에 의해, 가스 배리어층(30)의 단부에 급격한 형상 변화가 없어지고, 완만하게 형상이 변화하기 때문에, 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생을 방지할 수 있다.

특히, 가스 배리어층(30)이 크랙이 가장 발생하기 쉬운 단부(외주 영역)에서, 중간 보호층(212)을 통하여 유기 완충층(210) 위에 배치되어 있기 때문에, 가스 배리어층(30)에서의 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생을 더 효과적으로 방 지할 수 있다. 따라서, 장기간에 걸쳐, 밀봉 능력을 유지하는 것이 가능해진다.

[제 2 실시예]

이하, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 표시 장치(2)에 관하여 설명한다. 또한, 본 실시예에서는 제 1 실시예와 동일한 구성에는 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다.

도 11은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 EL 표시 장치(2)의 단면 구조를 나타낸 모식 단면도이다. 도 12는 EL 표시 장치(2)에서의 유기 완충층(210)의 단부(외주 영역)를 나타낸 확대도이다.

EL 표시 장치(2)는 발광층으로서 백색으로 발광하는 백색 발광층(60W)을 채용한 것, 및 표면 보호 기판으로서 컬러 필터 기판(207)을 채용한 것이 제 1 실시예의 EL 표시 장치(1)와 다르다.

백색 유기 발광 재료로서는, 스티릴 아민계 발광 재료, 안트라센계 도퍼민트(청색), 혹은 스티릴아민계 발광 재료, 루프렌계 도퍼민트(황색)를 사용할 수 있다.

또한, 백색 발광층(60W)의 하층 혹은 상층에, 트리아릴아민(ATP) 다량체 정공 주입층, TDP(트리페닐디아민)계 정공 수송층, 알루미늄퀴놀리놀(Alq3)층(전자 수송층), LiF(전자 주입 버퍼층)를 성막하는 것이 바람직하다.

또한, 제 1 실시예의 EL 표시 장치(1)와 같이 , 발광층(60)을 R, G, B 마다 구분할 필요가 없기 때문에, 백색 발광층(60W)이 유기 격벽층(221)을 걸치도록 각 화소 전극(23) 위에 형성될 수도 있다.

또한, 유기 격벽층(221)의 상면에 보조 전극(64)을 배치할 수도 있다. 보조 전극(64)은 음극(50)보다 낮은 저항값을 가지고, 음극(50)의 도중 부위를 전기적으로 접속함으로써, 저항값이 높은 음극(50)의 전압 강하를 방지하는 것이다.

또한, 컬러 필터 기판(207)은 기판 본체(207A) 위에 적색 착색층(208R), 녹색 착색층(208G), 청색 착색층(208B), 및 블랙 매트릭스(209)가 형성된 것이다. 그리고, 착색층(208R, 208G, 208B), 및 블랙 매트릭스(209)의 형성면이 접착층(205)을 통하여 기체(200)를 향하여 대향 배치되어 있다. 또한, 기판 본체(207A)의 재질은 제 1 실시예의 표면 보호 기판(206)과 동일한 것을 채용할 수 있다.

또한, 착색층(208R, 208G, 208B) 각각은 화소 전극(23) 위의 백색 발광층(60W)에 대향하여 배치되어 있다. 이에 의해, 백색 발광층(60W)의 발광광이 착색층(208R, 208G, 208B) 각각을 투과하여, 적색광, 녹색광, 청색광의 각 색의 광으로서 관찰자측에 출사하게 되어 있다.

이와 같이, EL 표시 장치(2)에서는 백색 발광층(60W)의 발광광을 이용하고, 또한, 복수 색의 착색층(208)을 갖는 컬러 필터 기판(207)에 의해 컬러 표시를 행하게 되어 있다.

또한, 착색층(208R, 208G, 208B)과 백색 발광층(60W)의 거리는 백색 발광층(60W)의 발광광이 대향하는 착색층에만 출사하도록, 가능한한 짧은 거리로 하는 것이 요구된다. 이것은 그 거리가 긴 경우에는 백색 발광층(60W)의 발광광이 인접하는 착색층에 대하여 출사될 가능성이 높아지기 때문이며, 이를 억제하기 위해서 그 거리를 짧게 하는 것이 바람직하다.

구체적으로는 절연층(284)의 표면으로부터 컬러 필터 기판(207)까지의 간격을 15㎛ 정도로 하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 백색 발광층(60W)의 발광광은 대향하는 착색층에만 출사하게 되고, 인접하는 착색층에 발광광이 누락되게 되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해 혼색을 억제할 수 있다.

또한, 단색의 백색 발광층(60W)을 이용하고 있기 때문에, R, G, B 마다 발광층을 형성하여 나눌 필요가 없다. 구체적으로는 저분자계의 백색 발광층을 형성하는 마스크 증착 공정이나, 고분자계 백색 발광층을 형성하는 액적 토출 공정 등에서, 1종류의 백색 발광층을 1공정만으로 형성해도 되기 때문에, R, G, B 마다 발광층을 형성하여 나누는 경우와 비교하여 제조 공정이 용이해진다. 또한, 각 발광층(60)의 수명의 편차를 억제할 수 있다.

또한, EL 표시 장치(2)에서도, 도 12에 나타낸 바와 같이, 유기 완충층(210)과 가스 배리어층(30) 사이에, 중간 보호층(212)이 배치된다.

그리고, 음극 보호층(55) 위에 형성된 유기 완충층(210)은 그 단부에서 음극 보호층(55)의 표면과 접촉각 α로 접촉하고 있다. 여기에서, 접촉각 α는 45°이하이며, 더 바람직하게는 1°내지 20°정도이다.

이에 의해, 유기 완충층(210)의 상층에 형성되는 가스 배리어층(30)은 그 단부에 급격한 형상 변화가 없고, 완만하게 형상이 변화하기 때문에, 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생이 방지된다. 따라서, 장기간에 걸쳐, 밀봉 능력을 유지하는 것이 가능해진다.

또한, 층간 절연막(292) 위에 배치된 평탄화 절연막(294)의 단부도 접촉각 β가 45°이하로 되어 있고, 평탄화 절연막(294) 위에 형성되는 음극 보호층(55)의 형상이 완만하게 변화하도록 형성되어 있다.

이에 의해, 평탄화 절연막(294)의 상층에 형성되는 음극 보호층(55)은 응력 집중에 의한 크랙 등의 결함 발생이 방지된다.

[실시예]

다음에, 유기 완충층(210)과 가스 배리어층(30) 사이에, 중간 보호층(212)을 설치한 경우에서의 결함 발생 유무에 관하여 설명한다.

도 13은 중간 보호층(212)을 설치한 경우에서의 불량 발생 유무를 도시한 도면이다.

구체적으로는, 중간 보호층(212)을 각종 재료에 의해 형성한 EL 표시 장치(1, 2)를 열 사이클 시험과 고습(高濕) 시험을 거쳐, 가스 배리어층(30)의 단부(외주 영역)에 수분 침식의 발생 여부를 관찰했다.

또한, EL 표시 장치(1, 2)의 구성으로서는, 화소 전극(23)이 막두께 100㎚, 백색 발광층(60W)이 막두께 150㎚, 음극(50)이 막두께 15㎚, SiON으로 이루어진 음극 보호층(55)이 100㎚, 유기 완충층(210)이 막두께 5㎛, SiON으로 이루어진 가스 배리어층(30)이 막두께 400㎚, 보호층(204)이 막두께 100㎛이다.

또한, 열 사이클 시험 조건은 -40℃ 30분/85℃ 30분을 300 사이클로 하고, 고습 시험의 조건은 85℃ 85% RH500시간이다.

도 13에 나타낸 바와 같이, 중간 보호층(212)으로서, LiF나 MgF 등의 알칼리 할라이드, 또는 Mg, Zn, Al, Ag, SiO₂ 등의 무기 재료를 사용한 경우에는 가스 배리어층(30)의 단부(외주 영역)에 수분의 침식은 볼 수 없었다. 이 재료들은 어느 것이나 탄성률이 10G㎩ 내지 100G㎩이다.

한편, 중간 보호층(212)을 설치하지 않았을 경우, 혹은 중간 보호층(212)으로서 Ti, Pt, MgO, Si₃N₄, Al₂O₃등의 무기 재료를 사용한 경우에는 가스 배리어층(30)의 단부(외주 영역)에 수분 침식이 발견되었다. 이 재료들은 어느 것이나 탄성률이 100G㎩ 이상이다.

이와 같이, 유기 완충층(210)과 가스 배리어층(30) 사이에, 중간 보호층(212)을 설치함으로써, 유기 완충층(210)이 열변형(팽창 및 수축)한다고 해도, 가스 배리어층(30)에 유기 완충층(210)의 변형의 영향이 직접 미치지 않고, 가스 배리어층(30)에서의 크랙 발생 등을 방지할 수 있었다. 특히, 가스 배리어층(30)의 단부(외주 영역)에 크랙 등의 결함이 발생하기 쉽기 때문에, 이 영역에 중간 보호층(212)을 배치함으로써, 가스 배리어층(30)에서의 크랙 등의 결함 발생을 효과적으로 방지할 수 있었다.

또한, 상술한 EL 표시 장치(1, 2)의 실시예에서는 탑 에미션형을 예로서 설명했지만, 본 발명은 이것에 한정되는 않고, 바텀 에미션형에도, 또한, 양측으로 발광광을 출사하는 타입의 것에도 적용 가능하다.

바텀 에미션형의 경우에는 중간 보호층(212)의 중앙 영역에 개구를 설치하지 않고, 도 14및 도 15에 나타낸 바와 같이, 유기 완충층(210)의 전면을 덮을 수도 있다.

또한, 중간 보호층(212)을 불화 리튬에 의해 형성할 경우에는 층이 투명해지기 때문에, 유기 완충층(210)의 전면을 덮어도, 바텀 에미션형 및 탑 에미션형에 적용할 수 있다.

또한, 바텀 에미션형, 혹은 양측으로 발광광을 출사하는 타입의 것으로 했을 경우, 기체(200)에 형성하는 스위칭용 TFT(112)나 구동용 TFT(123)에 대해서는 발광 소자의 바로 아래가 아니라, 친액성 제어층(25) 및 유기 격벽층(221)의 바로 아래에 형성하도록 하고, 개구율을 높이는 것이 바람직하다.

또한, EL 표시 장치(1, 2)에서는 제 1 전극을 양극으로서 기능시키고, 제 2 전극을 음극으로서 기능시켰지만, 이를 반대로 하여 제 1 전극을 음극, 제 2 전극을 양극으로서 각각 기능하게 구성할 수도 있다. 단, 그 경우에는 발광층(60)과 정공 수송층(70)의 형성 위치를 교체하도록 할 필요가 있다.

또한, 본 실시예에서는 발광 장치에 EL 표시 장치(1, 2)를 적용한 예를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 기본적으로 제 2 전극이 기체의 외측에 설치되는 것이면, 어떤 형태의 발광 장치에도 적용 가능하다.

또한, EL 표시 장치(1, 2)에서의 유기 완충층(210), 중간 보호층(212), 가스 배리어층(30) 등의 탄성률을 측정하는 방법으로서는 예를 들면 나노인덴테이션법을 사용할 수 있다.

나노인덴테이션법은 압자(壓子)를 고정밀도로 제어하면서 시료에 압입하여, 하중-변위 곡선의 해석으로부터, 경도나 탄성률 등의 역학적 성질을 정량적으로 측 정하는 방법이다. 특히, 종래 곤란했던 박막 시료의 측정이 가능하며, 또한 간편하고 높은 재현성을 가지기 때문에, 중간 보호층(212) 등의 탄성률의 측정에 적절하게 사용할 수 있다.

다음에, 본 발명의 전자 기기에 관하여 설명한다.

전자 기기는 상기한 EL 표시 장치(1, 2)를 표시부로서 갖는 것이며, 구체적으로는 도 16에 나타낸 것을 들 수 있다.

도 16의 (a)는 휴대 전화의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 16의 (a)에서, 휴대 전화(1000)는 상술한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1001)를 구비한다.

도 16의 (b)는 손목 시계형 전자 기기의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 16의 (b)에서, 시계(1100)는 상기한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1101)를 구비한다.

도 16의 (c)는 워드프로세서, 퍼스널 컴퓨터 등의 휴대형 정보 처리 장치의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 16의 (c)에서, 정보 처리 장치(1200)는 키보드 등의 입력부(1202), 상기한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1206), 정보 처리 장치본체(하우징)(1204)를 구비한다.

도 16의 (d)는 박형 대화면 텔레비전의 일례를 나타낸 사시도이다. 도 16의 (d)에서, 박형 대화면 텔레비전(1300)은 박형 대화면 텔레비전 본체(하우징)(1302), 스피커 등의 음성 출력부(1304), 상술한 EL 표시 장치(1)를 사용한 표시부(1306)를 구비한다.

이와 같이, 도 16의 (a) 내지 (d)에 나타낸 각각의 전자 기기는 상술한 EL 표시 장치(1, 2)를 갖는 표시부(1001, 1101, 1206, 1306)를 구비하고 있기 때문에, 표시부의 장기 수명화가 도모된다.

또한, 도 16의 (d)에 나타낸 박형 대화면 텔레비전(1300)은 면적에 관계없이 표시부를 밀봉할 수 있는 본 발명을 적용했기 때문에, 종래와 비교하여 대면적(예를 들면, 대각선 20인치 이상)의 표시부(1306)를 구비하게 된다.

또한, EL 표시 장치(1, 2)를 표시부로서 구비하는 경우에 한하지 않고, 발광부로서 구비하는 전자 기기일 수도 있다. 예를 들면, EL 표시 장치(1, 2)를 노광 헤드(라인 헤드)로서 구비하는 페이지 프린터(화상 형성 장치)일 수도 있다.

본 발명의 발광 장치 및 그 제조 방법과, 전자 기기에 의하면, 가스 배리어층의 박리나 크랙에 기인하는 수분의 침입을 억제할 수 있다.

Claims

기체(基體) 위에,

복수의 제 1 전극과,

상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 격벽과,

상기 개구부 각각에 배치되는 유기 기능층과,

상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극과,

상기 제 2 전극을 덮는 유기 완충층과,

상기 유기 완충층을 덮는 가스 배리어층과,

상기 유기 완충층과 가스 배리어층 사이에 배치되며, 상기 유기 완충층의 외주 영역을 덮고, 또한 상기 유기 완충층의 외측의 영역까지 형성된 중간 보호층을 갖고,

적어도 상기 복수의 개구부와 평면에서 보았을 때 중첩되는 영역에는, 상기 중간 보호층은 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 중간 보호층은 탄성률이 상기 유기 완충층보다도 크고 또한 상기 가스 배리어층보다도 작은 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 중간 보호층은 상기 유기 완충층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 제 2 전극을 덮는 전극 보호층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 가스 배리어층은 상기 중간 보호층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 가스 배리어층을 덮는 보호층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 유기 완충층의 단부(端部)에서의 접촉 각도는 45°이하로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 중간 보호층은 금속 불화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 8 항에 있어서,

상기 금속 불화물은 불화 리튬 또는 불화 나트륨인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 중간 보호층은 알루미늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 중간 보호층은 탄성률이 10 내지 100G㎩인 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 1 항에 있어서,

상기 유기 완충층은 에폭시 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
기체 위에,

복수의 제 1 전극과,

상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 격벽과,

상기 개구부 각각에 배치되는 유기 기능층과,

상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극과,

상기 제 2 전극을 덮는 동시에 평탄한 상면(上面)이 형성된 유기 완충층과,

상기 유기 완충층을 덮는 제 1 가스 배리어층 및 제 2 가스 배리어층과,

상기 제 1 가스 배리어층과 상기 제 2 가스 배리어층 사이에, 탄성률이 상기 유기 완충층보다 크고 또한 상기 가스 배리어층보다 작은 중간 보호층을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 중간 보호층은 상기 유기 완충층의 외주 영역에 대응하여 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,

상기 제 1 가스 배리어층은 상기 유기 완충층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되고, 상기 중간 보호층은 상기 유기 완충층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 제 2 가스 배리어층은 상기 중간 보호층의 패턴 및 그 주위를 덮도록 연장하여 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 제 1 가스 배리어층과 상기 제 2 가스 배리어층은 상기 기체의 외주부에서 접촉하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 유기 완충층의 단부에서의 접촉 각도는 45°이하로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 중간 보호층은 금속 불화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 19 항에 있어서,

상기 금속 불화물은 불화 리튬 또는 불화 나트륨인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 중간 보호층은 알루미늄으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 중간 보호층은 탄성률이 10 내지 100G㎩인 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
제 13 항에 있어서,

상기 유기 완충층은 에폭시 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
기체 위에,

복수의 제 1 전극을 형성하는 공정과,

상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 격벽을 형성하는 공정과,

상기 개구부 각각에 배치되는 유기 기능층을 형성하는 공정과,

상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극을 형성하는 공정과,

상기 제 2 전극을 덮는 동시에 평탄한 상면이 형성된 유기 완충층을 형성하는 공정과,

상기 유기 완충층의 적어도 외주 영역을 덮는 동시에, 상기 유기 완충층의 외측의 영역까지 형성된 중간 보호층을 형성하는 공정과,

상기 중간 보호층 및 상기 유기 완충층이나 상기 중간 보호층 또는 상기 유기 완충층을 덮는 가스 배리어층을 형성하는 공정을 갖고,

적어도 상기 복수의 개구부와 평면에서 보았을 때 중첩되는 영역에는, 상기 중간 보호층은 형성되어 있지 않은 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
기체 위에,

복수의 제 1 전극을 형성하는 공정과,

상기 제 1 전극의 형성 위치에 대응한 복수의 개구부를 갖는 격벽을 형성하는 공정과,

상기 개구부 각각에 배치되는 유기 기능층을 형성하는 공정과,

상기 격벽 및 상기 유기 기능층을 덮는 제 2 전극을 형성하는 공정과,

상기 제 2 전극을 덮는 동시에 평탄한 상면이 형성된 유기 완충층을 형성하는 공정과,

상기 유기 완충층을 덮는 제 1 가스 배리어층을 형성하는 공정과,

상기 제 1 가스 배리어층에서의 상기 유기 완충층의 적어도 외주 영역에 대응한 영역을 덮는 동시에, 탄성률이 상기 유기 완충층보다 크고 또한 상기 제 1 가스 배리어층보다 작은 중간 보호층을 형성하는 공정과,

상기 중간 보호층 및 제 1 가스 배리어층이나 상기 중간 보호층 또는 제 1 가스 배리어층을 덮는 제 2 가스 배리어층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 24 항 또는 제 25 항에 있어서,

상기 중간 보호층은 탄성률이 10 내지 100G㎩인 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 24 항 또는 제 25 항에 있어서,

상기 유기 완충층은 에폭시 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 24 항 또는 제 25 항에 있어서,

상기 유기 완충층은 감압(減壓) 분위기하에서의 스크린 인쇄법에 의해 배치되는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.
제 1 항 또는 제 13 항에 기재된 발광 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 전자 기기.