TWI381569B - 有機發光二極體裝置及其封裝方法 - Google Patents
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- TWI381569B TWI381569B TW097151409A TW97151409A TWI381569B TW I381569 B TWI381569 B TW I381569B TW 097151409 A TW097151409 A TW 097151409A TW 97151409 A TW97151409 A TW 97151409A TW I381569 B TWI381569 B TW I381569B
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- emitting diode
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 108
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 204
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 135
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 135
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 97
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 96
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 58
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 53
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 49
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 25
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 21
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 11
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical group [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical group [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009459 flexible packaging Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
本發明是有關於一種有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)裝置及其封裝方法，且特別是有關於一種阻水氧能力佳的有機發光二極體裝置及其封裝方法。
隨著科技的進步，平面顯示器是近年來最受矚目的顯示技術。其中，有機電致發光顯示器因其自發光、無視角依存、省電、製程簡易、低成本、低溫度操作範圍、高應答速度以及全彩化等優點而具有極大的應用潛力，可望成為下一代的平面顯示器之主流。有機電致發光顯示器主要是利用有機發光二極體中有機官能性材料(organic functional materials)的自發光特性來達到顯示效果。有機發光二極體主要是由一對電極以及有機官能層所構成。當電流通過透明陽極與金屬陰極間，使電子和電洞在有機官能層內結合而產生激子(exciton)時，進而使有機官能層依照材料之特性而產生不同顏色之放光機制，進而達到發光顯示的效果。
有機發光二極體中的有機官能性材料與陰極容易與空氣中的水分及氧氣反應，導致元件衰退。因此，將水分徹底的去除以提升有機發光面板的耐久性(durability)是相當重要。一般在製造有機發光二極體時，通常會於真空狀態下進行鍍膜，再以封裝方式將有機發光二極體加以密封。在有機發光二極體元件於製造過程中均處於高真空環境，但要進行上蓋封裝製程時則必須由高真空轉至低水氧環境，此一階段有機會讓少許水氣附著於有機發光二極體中，減低元件壽命。
目前在業界所使用的玻璃等硬板封裝技術是透過使用乾燥劑(getter)的方式去降低水氧對元件的影響。然而，在軟性的有機發光二極體元件結構內並沒有放置乾燥劑的空間，且這樣的方式仍然無法完全確保有機發光二極體不會受到水分及氧氣的影響，因而發展出另一種使用薄膜封裝技術去取代乾燥劑的技術。
一般而言，要取代乾燥劑的薄膜封裝必須要直接接續在蒸鍍有機發光二極體的陰極之後，因此在製程上會受到低溫、低功率等限制，而造成一般常用的化學氣相沉積法或濺鍍法無法適用於薄膜封裝。
先前曾有美國專利(US 7121912)提出有機發光二極體陰極的處理方法，其利用將製備完成的有機發光二極體元件放入臭氧環境中，並且加熱至100℃內，放置30分鐘進行封裝製程。
由上述可得知，封裝技術對於有機發光二極體的元件壽命及元件效能都有極大影響，因此如何利用薄膜封裝使有機發光二極體與外界環境隔絕以提高元件壽命，已成為目前亟力發展的課題之一。
有鑑於此，本發明提供一種有機發光二極體的封裝方法，利用簡易薄膜封裝技術保護有機發光二極體元件，進而增加元件壽命。
本發明另提供一種有機發光二極體裝置，可以降低水氣與氧氣對有機發光二極體元件的影響。
本發明提出一種有機發光二極體的封裝方法。首先，提供一基板，且基板上已形成有有機發光二極體元件。接著，於基板上形成至少一個保護層，以使有機發光二極體元件的周圍側壁被完全包覆。形成保護層的方法包括先於基板上形成有機層，再於有機層上形成金屬層，其中金屬層至少覆蓋有機發光二極體元件的一側壁。之後，進行氧化處理，以使部分金屬層氧化。
在本發明之一實施例中，上述進行氧化處理包括進行至少一次紫外線臭氧(UV ozone)製程。紫外線臭氧製程所使用的氣體源為選自臭氧、氧氣及氮氣所組成之群組。每次進行紫外線臭氧製程的時間為小於等於20分鐘。在進行紫外線臭氧製程時，基板的溫度為小於等於65℃。
在本發明之一實施例中，上述之氧化處理包括進行至少一次電漿製程。電漿製程所使用的氣體源為選自氧氣、氮氣及氦氣所組成之群組。電漿製程所使用的電源功率為小於等於200W。每次進行電漿製程的時間為小於等於5分鐘。在進行電漿製程時，基板的溫度為小於等於70℃。
在本發明之一實施例中，上述形成保護層的方法包括先以遮罩為罩幕，於基板上形成有機層，接著再偏移遮罩並以此遮罩為罩幕，而於有機層上形成金屬層，以使金屬層覆蓋有機發光二極體元件的一側壁。此外，還可以進行多次形成保護層的步驟，並使遮罩往不同方向偏移，以使金屬層全面性地覆蓋有機發光二極體元件的周圍側壁。
在本發明之一實施例中，上述形成保護層的方法包括先以第一遮罩為罩幕，於基板上形成有機層，接著以第二遮罩為罩幕，於有機層上形成金屬層，使金屬層全面性地覆蓋有機發光二極體元件的周圍側壁。第二遮罩所暴露之面積大於第一遮罩所暴露之面積。
在本發明之一實施例中，上述形成保護層的方法更包括在形成有機層之前，於基板上形成無機層。無機層為氧化物層或氮化物層。氧化物層的材料例如是氧化矽(SiOx
)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或氧化鋁(AlOx
)。氮化物層的材料例如是氮化矽(SiNx
)或氮化鋁(AlNx
)。無機層的厚度介於1nm至500nm之間。
在本發明之一實施例中，上述之有機層的材料為稠五苯(pentacene)或稠四苯(tetracene)。有機層的厚度介於1nm至500nm之間。
在本發明之一實施例中，上述之金屬層的材料為鋁(Al)、鈦(Ti)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鎳(Ni)、鉻(Cr)或合金。金屬層的厚度介於1nm至500nm之間。
在本發明之一實施例中，上述之基板為可撓性基板或硬質基板。
本發明另提出一種有機發光二極體裝置，其包括基板、有機發光二極體元件以及至少一個保護層。有機發光二極體元件配置於基板上。保護層配置於基板上，以使有機發光二極體元件的周圍側壁被完全包覆。保護層包括有機層、金屬層與金屬氧化物。有機層配置於基板上。金屬層配置於有機層上，且金屬層至少覆蓋有機發光二極體元件的一側壁。金屬氧化物配置於金屬層的表面上。
在本發明之一實施例中，上述之金屬氧化物的材料為金屬層進行氧化處理後所得之氧化物。氧化處理包括紫外線臭氧製程或電漿製程。
在本發明之一實施例中，上述之有機層對應有機發光二極體元件的位置而配置於基板上。
在本發明之一實施例中，上述之有機層與金屬層實質上具有相同的覆蓋面積。金屬層偏移有機發光二極體元件的位置而覆蓋有機發光二極體元件的側壁。
在本發明之一實施例中，上述之金屬層的覆蓋面積大於有機層的覆蓋面積。金屬層全面性地覆蓋有機發光二極體元件的周圍側壁。
在本發明之一實施例中，上述之保護層更包括無機層，配置於基板與有機層之間。無機層的覆蓋面積大於有機層的覆蓋面積。無機層為氧化物層或氮化物層，氧化物層的材料例如是氧化矽(SiOx
)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或氧化鋁(AlOx
)。氮化物層的材料例如是氮化矽(SiNx
)或氮化鋁(AlNx
)。無機層的厚度介於1nm至500nm之間。
在本發明之一實施例中，上述之有機層的材料為稠五苯(pentacene)或稠四苯(tetracene)。有機層的厚度介於1nm至500nm之間。
在本發明之一實施例中，上述之金屬層的材料為鋁(Al)、鈦(Ti)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鎳(Ni)、鉻(Cr)或合金。金屬層的厚度介於1nm至500nm之間。
在本發明之一實施例中，上述之基板為可撓性基板或硬質基板。
基於上述，本發明之有機發光二極體的封裝方法藉由在有機發光二極體元件上堆疊有機層與金屬層，並利用氧化處理的方式在金屬層表面形成一層緻密的金屬氧化物以強化薄膜封裝能力。因此，本發明之封裝方法利用簡單的手段而有效隔絕有機發光二極體元件與外界環境接觸，並具有較佳的防側漏效果，而可增長元件壽命。
此外，本發明之有機發光二極體裝置具有由有機材料與無機材料堆疊的結構作為有機發光二極體元件的保護層，並在元件側面配置有堆疊的無機結構以加強側邊的阻隔效果。因此，可以有效防止外界的水氣與氧氣影響有機發光二極體元件，以提高元件壽命。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
下列各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施之特定實施例。本發明之實施例中所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「内」、「外」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，下列使用的方向用語僅是用來說明，以使熟習此項技術者能夠據以實施，但並非用以限定本發明之範圍。
圖1A至圖1F是依照本發明之第一實施例之有機發光二極體的封裝流程剖面示意圖。
請參照圖1A，提供基板100。基板100上已形成有有機發光二極體元件102。基板100例如是可撓性基板或硬質基板，其中可撓性基板可以是材料為聚醚碸(polyethersulfone,PES)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、聚醯亞胺(polyimide,PI)等塑膠基板，而硬質基板可以是玻璃基板。須注意的是，以下所述之流程主要是為了詳細說明本發明之方法在封裝有機發光二極體的流程，以使熟習此項技術者能夠據以實施，但並非用以限定本發明之範圍。至於有機發光二極體元件102的配置及形成方式，均可依所屬技術領域中具有通常知識者所知的技術製作，而不限於下述實施例所述。
請繼續參照圖1A，以遮罩104為罩幕，於基板100上形成有機層110。在一實施例中，有機層110是對應有機發光二極體元件102的位置而形成在有機發光二極體元件102上，也就是說遮罩104是位於對準有機發光二極體元件102的中央區域。遮罩104例如是全開式金屬遮罩，且遮罩104所暴露出的範圍例如是實質上相等於有機發光二極體元件102的陰極(未繪示)區域。有機層110的材料可以是阻水特性較佳的有機材料或是用於有機發光二極體製程的有機材料等，例如是稠五苯(pentacene)或稠四苯(tetracene)。有機層110的厚度約介於1nm至500nm之間。
請參照圖1B，偏移遮罩104並以遮罩104為罩幕，於基板100上形成金屬層112。在一實施例中，將遮罩104向左偏移，以使形成的金屬層112可以覆蓋有機發光二極體元件102的一邊側壁。遮罩104例如是從對應有機發光二極體元件102的位置而向左偏移1-500μm。金屬層112的材料例如是鋁(Al)、鈦(Ti)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鎳(Ni)、鉻(Cr)或合金。金屬層112的厚度約介於1nm至500nm之間。
請參照圖1C，進行氧化處理106a，以使部分金屬層112氧化，而形成金屬氧化物114。氧化處理106a例如是在不離開真空的環境下，將基板100送至一個製程腔體內進行至少一次紫外線臭氧(UV ozone)製程或是進行至少一次電漿製程，以強化薄膜封裝能力。在一實施例中，紫外線臭氧製程所使用的氣體源為選自臭氧、氧氣及氮氣所組成之群組，每次的製程時間為小於等於20分鐘，且進行時的基板100溫度為小於等於65℃。在一實施例中，電漿製程所使用的氣體源為選自氧氣、氮氣及氦氣所組成之群組，電源功率為小於等於200W，每次的製程時間為小於等於5分鐘，且進行時的基板100溫度為小於等於70℃。此外，在進行氧化處理106a時，可以使用遮罩保護較敏感的區域，也可以不使用遮罩而進行全面性地處理。
在此說明的是，有機層110、金屬層112與金屬氧化物114組成有機發光二極體元件102封裝結構中具側向保護的一組保護層130。藉由對金屬層112進行氧化處理，可以在金屬層112的表面形成一層緻密的金屬氧化物114，因此由金屬層112與金屬氧化物114所組成的無機層具有優異的阻水氧能力，而能夠增長元件壽命。此外，由於金屬層112具有較佳的延展性而不易斷裂，且有機層110的材料本身具有彈性還能夠補償金屬層112的應力，因此保護層130可有效應用於軟性封裝技術。
接下來重複如圖1A至圖1C所示之步驟於保護層130上形成另一組具側向保護的保護層，以覆蓋有機發光二極體元件102另一邊側壁。請參照圖1D，將遮罩104移回對準有機發光二極體元件102的中央區域，並以遮罩104為罩幕在基板100上形成有機層116。有機層116例如是對應有機發光二極體元件102的位置，而形成在金屬氧化物114與有機層110上。
請參照圖1E，向右偏移遮罩104並以遮罩104為罩幕，於基板100上形成金屬層118。金屬層118例如是覆蓋金屬層112所覆蓋的有機發光二極體元件102側壁的對向側。換言之，金屬層112與金屬層118分別會覆蓋在有機發光二極體元件102的不同側壁上，以使有機發光二極體元件102的四周側壁都能受到保護。遮罩104例如是從對應有機發光二極體元件102的位置而向右偏移1-500μm。
請參照圖1F，進行氧化處理106b，以使部分金屬層118氧化，以於金屬層118表面形成緻密的金屬氧化物120。有機層116、金屬層118與金屬氧化物120組成有機發光二極體元件102封裝結構中具側向保護的另一組保護層132。
之後，還可以進一步將遮罩104沿著垂直於圖面的方向偏移並重複上述步驟，以使有機發光二極體元件102的四周都形成有具側向保護的保護層。藉由在有機發光二極體元件102的每一側壁都形成由金屬層與金屬氧化物所組成的無機層，可以使有機發光二極體元件102的四周與外界環境有效隔絕，因此能夠利用簡易薄膜封裝技術來達到保護有機發光二極體元件102的功效。此外，在第一實施例中，藉由偏移遮罩的位置而使金屬層可以覆蓋在元件的側壁，因此利用同一張遮罩來形成有機層及金屬層可有助於簡化製程並降低製程成本。
圖2A至圖2F是依照本發明之第二實施例之有機發光二極體的封裝流程剖面示意圖。
請參照圖2A，提供基板200。基板200上已形成有有機發光二極體元件202。基板200例如是可撓性基板或硬質基板，其中可撓性基板可以是材料為PES、PET、PI等塑膠基板，而硬質基板可以是玻璃基板。有機發光二極體元件202的配置及形成方式均可依所屬技術領域中具有通常知識者所知的技術製作，故於此不再贅述。接著，以遮罩204為罩幕，於基板200上形成有機層210。在一實施例中，有機層210是對應有機發光二極體元件202的位置而形成在有機發光二極體元件202上。遮罩204例如是全開式金屬遮罩，且遮罩204所暴露出的範圍例如是實質上相等於有機發光二極體元件202的區域。有機層210的材料可以是阻水特性較佳的有機材料或是用於有機發光二極體製程的有機材料等，例如是稠五苯或稠四苯。有機層210的厚度約介於1nm至500nm之間。
請參照圖2B，以遮罩206為罩幕，於基板200上形成金屬層212。金屬層212全面性地覆蓋有機層210及有機發光二極體元件202的周圍側壁。在一實施例中，遮罩206所暴露之面積大於遮罩204所暴露之面積。遮罩206例如是全開式金屬遮罩，且遮罩206所暴露出的範圍大於有機發光二極體元件202的區域。金屬層212的材料例如是鋁、鈦、銅、金、銀、鎂、鎳、鉻或合金。金屬層212的厚度約介於1nm至500nm之間。
請參照圖2C，進行氧化處理208a，以使暴露出的部分金屬層212氧化，形成金屬氧化物214。氧化處理208a例如是在不離開真空的環境下，將基板200送至一個製程腔體內進行至少一次紫外線臭氧製程或是進行至少一次電漿製程，以強化薄膜封裝能力。在一實施例中，紫外線臭氧製程所使用的氣體源為選自臭氧、氧氣及氮氣所組成之群組，每次的製程時間為小於等於20分鐘，且進行時的基板200溫度為小於等於65℃。在一實施例中，電漿製程所使用的氣體源為選自氧氣、氮氣及氦氣所組成之群組，電源功率為小於等於200W，每次的製程時間為小於等於5分鐘，且進行時的基板100溫度為小於等於70℃。此外，在進行氧化處理208a時，可以使用遮罩保護較敏感的區域，也可以不使用遮罩而進行全面性地處理。
在圖2C中，有機層210、金屬層212與金屬氧化物214作為有機發光二極體元件202封裝結構中具側向保護的一組保護層230。由於金屬層212為全面性地覆蓋有機發光二極體元件202的周圍側壁，且經氧化處理後的金屬層212會在表面形成一層緻密的金屬氧化物214，因此由金屬層212與金屬氧化物214所組成的無機層具有優異的阻水氧能力，而具有較佳的防側漏效果。同樣地，由於金屬層212具有較佳的延展性而不易斷裂，且有機層210具有彈性並能夠補償金屬層212的應力，因此保護層230可有效應用於軟性封裝技術。
之後，繼續重複上述步驟而於基板200上形成另一組保護層。請參照圖2D，使用遮罩204作為罩幕，於基板200上形成有機層216。有機層216例如是對應有機發光二極體元件202的位置而形成在金屬氧化物214上。
請參照圖2E，接著使用面積較大的遮罩206作為罩幕，於基板200上形成金屬層218。金屬層218例如是全面性地覆蓋有機層216與位於有機發光二極體元件202側壁的金屬氧化物214上。
請參照圖2F，進行氧化處理208b，以使暴露出的部分金屬層218氧化，以於金屬層218表面形成緻密的金屬氧化物220。有機層216、金屬層218與金屬氧化物220組成具側向保護的另一組保護層232。
如圖2F所示，在有機發光二極體元件202的側壁上依序有堆疊金屬層212、金屬氧化物214、金屬層218與金屬氧化物220，因此在側面堆疊的無機結構可以加強側邊的阻隔效果。在一實施例中，還可進一步視需求而重複上述步驟，於有機發光二極體元件202上方形成多層保護層，以提高阻水阻氧效果。此外，在第二實施例中，藉由較大的遮罩來形成金屬層，以使有機發光二極體元件202的周圍側壁完全被金屬層覆蓋，因此可利用簡單手段強化側邊的封裝能力。
圖3A至圖3C是依照本發明之第三實施例之有機發光二極體的封裝流程剖面示意圖。須注意的是，在圖3A至圖3C中，與圖2A至圖2F相同的構件則使用相同的標號並省略其說明。
第三實施例所述之有機發光二極體的封裝方法與第二實施例所述之方法類似，然而兩者之間的差異主要是在於：在第三實施例中，在形成有機層之前，會先於基板上形成一層無機層，也就是保護層包括無機層、有機層、金屬層與金屬氧化物。
請參照圖3A，提供基板200。基板200上已形成有有機發光二極體元件202。接著，使用暴露範圍大於有機發光二極體元件202區域的遮罩作為罩幕，例如是使用遮罩206作為罩幕，於基板200上形成無機層302。無機層302會全面性地覆蓋在有機發光二極體元件202及其周圍側壁上。無機層302例如是氧化物層或氮化物層。氧化物層的材料可以是氧化矽(SiOx
)、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或氧化鋁(AlOx
)。氮化物層的材料可以是氮化矽(SiNx
)或氮化鋁(AlNx
)。無機層302的厚度約介於1nm至500nm之間。
請參照圖3B，使用較小的遮罩為罩幕，於基板200上形成有機層210。有機層210是對應有機發光二極體元件202的位置而形成在無機層302上。也就是說，有機層210並不會形成在有機發光二極體元件202的側壁上。之後，再使用暴露面積較大的遮罩作為罩幕，於有機層210上形成金屬層212。金屬層212例如是覆蓋有機層210與位於有機發光二極體元件202側壁上的無機層302。接著，進行氧化處理，以使暴露出的部分金屬層212氧化，形成金屬氧化物214。
無機層302、有機層210、金屬層212與金屬氧化物214例如是作為有機發光二極體元件202封裝結構中具側向保護的一組保護層230’。由於在有機發光二極體元件202的側壁上依序有堆疊無機層302、金屬層212與金屬氧化物214，因此在側面堆疊的無機結構可以加強側邊的阻隔效果，而使封裝結構具有較佳的防側漏能力。
請參照圖3C，繼續重複上述步驟而於基板200上依序形成無機層304、有機層216、金屬層218與金屬氧化物220，以作為另一組保護層232’。在一實施例中，還可視需求而調整形成的保護層數量，以提高阻水阻氧效果，本發明於此不作特別之限定。
特別說明的是，在上述實施例中是以對每層金屬層的表面都進行氧化處理而形成金屬氧化物為例來進行說明，然本發明並不限於此。在其他實施例中，也可以只對最外層的金屬層進行氧化處理，或是僅針對部分金屬層進行氧化處理，於此技術領域具有通常知識者當可視其需求逕行調整。
以下將分別以圖1F、圖2F與圖3C為例，一一對本發明之一實施例之有機發光二極體裝置的結構加以說明。
請參照圖1F，有機發光二極體裝置包括基板100、有機發光二極體元件102以及保護層130、132。有機發光二極體元件102配置於基板100上。保護層130、132配置於基板100上。保護層130、132例如是具側向保護的結構，以使有機發光二極體元件102的周圍側壁被完全包覆。
保護層130包括有機層110、金屬層112與金屬氧化物114。有機層110例如是對應有機發光二極體元件102的位置，而配置在有機發光二極體元件102上。金屬層112配置於有機層110上。在一實施例中，有機層110與金屬層112實質上具有相同的覆蓋面積。金屬層112例如是偏移有機發光二極體元件102的位置，而覆蓋有機發光二極體元件102的側壁。金屬氧化物114例如是配置於金屬層112的表面上，以作為較緻密的外層結構來阻隔外界的水氣與氧氣。在一實施例中，金屬氧化物114的材料為金屬層112進行氧化處理後所得之氧化物，其中氧化處理例如是紫外線臭氧製程或電漿製程。
保護層132例如是配置於保護層130上方。保護層132包括有機層116、金屬層118與金屬氧化物120。有機層116例如是對應有機發光二極體元件102的位置，而配置在金屬氧化物114與有機層110上。在一實施例中，有機層110與金屬層118實質上具有相同的覆蓋面積。金屬層118例如是偏移有機發光二極體元件102的位置，而覆蓋在金屬層112所覆蓋的有機發光二極體元件102側壁的對向側。也就是說，金屬層112與金屬層118分別覆蓋有機發光二極體元件102的不同邊側壁。金屬氧化物120例如是配置於金屬層118的表面上，以阻隔外界的水氣與氧氣。
請參照圖2F，有機發光二極體裝置包括基板200、有機發光二極體元件202以及保護層230、232。有機發光二極體元件202配置於基板200上。保護層230、232配置於基板100上。保護層230、232例如是具全面性保護的結構，以使有機發光二極體元件202的周圍側壁被完全包覆。
保護層230包括有機層210、金屬層212與金屬氧化物214。有機層210例如是對應有機發光二極體元件202的位置，而配置在有機發光二極體元件202上。金屬層212配置於有機層210上。在一實施例中，金屬層212的覆蓋面積大於有機層210的覆蓋面積。金屬層212例如是全面性地覆蓋有機發光二極體元件202的周圍側壁。金屬氧化物214例如是配置於金屬層212的表面上，以作為較緻密的外層結構來阻隔外界的水氣與氧氣。在一實施例中，金屬氧化物214的材料為金屬層212進行氧化處理後所得之氧化物，其中氧化處理例如是紫外線臭氧製程或電漿製程。
保護層232例如是配置於保護層230上方。保護層232包括有機層216、金屬層218與金屬氧化物220。有機層216例如是對應有機發光二極體元件202的位置，而配置在金屬氧化物214上。在一實施例中，金屬層218的覆蓋面積大於有機層210的覆蓋面積。金屬層218例如是全面性地覆蓋有機層216與位於有機發光二極體元件202側壁上的金屬氧化物214。金屬氧化物220例如是配置於金屬層218的表面上，以阻隔外界的水氣與氧氣。
請參照圖3C，組成圖3C所示之有機發光二極體裝置的主要構件與組成圖2F所示之有機發光二極體裝置的主要構件大致相同，然而兩者之間的差異主要是在於：圖3C所示之有機發光二極體裝置的保護層230’、232’分別更包括一層無機層302、304。無機層302、304可以是氧化物層或氮化物層。
無機層302配置於基板200與有機層210之間。在一實施例中，無機層302的覆蓋面積大於有機層210的覆蓋面積。無機層302例如是全面性地覆蓋在有機發光二極體元件202及其周圍側壁上。因此，金屬層212例如是覆蓋有機層210與位於有機發光二極體元件202側壁上的無機層302。
無機層304配置在金屬氧化物214與有機層216之間。在一實施例中，無機層304的覆蓋面積大於有機層210的覆蓋面積。無機層304例如是全面性地覆蓋在金屬氧化物214上。而金屬層218例如是覆蓋有機層216與位於有機發光二極體元件202側壁上的無機層304。
為證實本發明之有機發光二極體的封裝結構確實能夠提升隔絕效果，接下來將以實驗例說明其特性。以下實驗例之說明僅是用來說明配置金屬層並進行紫外線臭氧製程對於水蒸氣穿透率(water vapor transmission rate,WVTR)的影響，但並非用以限定本發明之範圍。
圖4A為根據本發明之實驗例1之膜層配置的剖面示意圖。
如圖4A所示，提供聚醯亞胺(polyimide,PI)基板400a，並在基板400a上依序形成一層有機層402a與一層金屬層404a。有機層402a的材料為稠五苯(pentacene)，且其厚度為150nm。金屬層404a的材料為鋁，且其厚度為150nm。接著，使用MOCON Permatran W3/60 Water Vaper Permeability量測此堆疊結構的水蒸氣穿透率，並同時量測基板400a的溫度。
圖4B為根據本發明之實驗例2之膜層配置的剖面示意圖。
如圖4B所示，對相同於實驗例1的結構，進行紫外線臭氧製程408b，而於金屬層404b的表面形成金屬氧化物406b。紫外線臭氧製程406b所使用的氣體源包括臭氧、氧氣及氮氣，且進行的時間為5分鐘。之後，依照實驗例1所述之量測步驟完成對實驗例2的測試。
圖4C為根據本發明之實驗例3之膜層配置的剖面示意圖。
如圖4C所示，對相同於實驗例1的結構，進行紫外線臭氧製程408c，而於金屬層404c的表面形成金屬氧化物406c。紫外線臭氧製程406c所使用的氣體源包括臭氧、氧氣及氮氣，且進行的時間為15分鐘。之後，依照實驗例1所述之量測步驟完成對實驗例3的測試。
提供其上未形成任何膜層的聚醯亞胺基板，並對聚醯亞胺基板進行如實驗例1所述之測試。
表1是記載上述實驗例1至實驗例3以及對照例的水蒸氣穿透率與基板溫度。
由表1可知，實驗例1至實驗例3的水蒸氣穿透率顯著地低於對照例的水蒸氣穿透率，且實驗例1至實驗例3的水蒸氣穿透率依序遞減。換言之，就算只有一層有機層與一層金屬層所組成的結構(實驗例1)就可以降低水蒸氣穿透率，且進行紫外線臭氧製程使金屬層的表面氧化(實驗例2、實驗例3)更可以進一步有效地降低水蒸氣穿透率。隨著進行紫外線臭氧製程時間的增加，水蒸氣穿透率會更加減少。此外，在形成有機層及金屬層或是進行紫外線臭氧製程時，都可以使基板溫度維持在低溫，進而可有助於避免有機發光二極體元件的損傷。
綜上所述，本發明之有機發光二極體的封裝方法藉由在有機發光二極體元件上堆疊有機層與金屬層，並利用氧化處理的方式在金屬層表面形成一層緻密的金屬氧化物以強化薄膜封裝能力。因此，可以有效隔絕有機發光二極體元件與外界環境接觸，進而提升元件的壽命及效能。再者，本發明之方法利用蒸鍍機台本身具有的功能以簡易手段完成薄膜封裝技術，並具有短時間以及低溫的優點，可有助於簡化封裝製程且減少製程方法造成有機發光二極體元件內部的損壞。
此外，本發明之有機發光二極體裝置具有由有機材料與無機材料堆疊的結構作為有機發光二極體元件的保護層，並具有強化的側面封裝，因而可以有效降低外界的水氣與氧氣對有機發光二極體元件的影響，提高元件壽命。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、400．．．基板
102、202．．．有機發光二極體元件
104、204、206．．．遮罩
106a、106b、208a、208b．．．氧化處理
110、116、210、216、402．．．有機層
112、118、212、218、404a、404b、404c．．．金屬層
114、120、214、406b、406c．．．金屬氧化物
130、132、230、230’、232、232’．．．保護層
302、304．．．無機層
408b、408c．．．紫外線臭氧製程
圖1A至圖1F是依照本發明之第一實施例之有機發光二極體的封裝流程剖面示意圖。
圖2A至圖2F是依照本發明之第二實施例之有機發光二極體的封裝流程剖面示意圖。
圖3A至圖3C是依照本發明之第三實施例之有機發光二極體的封裝流程剖面示意圖。
圖4A為根據本發明之實驗例1之膜層配置的剖面示意圖。
圖4B為根據本發明之實驗例2之膜層配置的剖面示意圖。
圖4C為根據本發明之實驗例3之膜層配置的剖面示意圖。
100．．．基板
102．．．有機發光二極體元件
110、116．．．有機層
112、118．．．金屬層
114、120．．．金屬氧化物
130、132．．．保護層
Claims (41)
- 一種有機發光二極體的封裝方法，包括：提供一基板，該基板上已形成有一有機發光二極體元件；以及於該基板上形成至少一保護層，以使該有機發光二極體元件的周圍側壁被完全包覆，形成該保護層的方法包括：以一遮罩為罩幕，於該基板上形成一有機層；偏移該遮罩並以該遮罩為罩幕，於該有機層上形成一金屬層，其中該金屬層覆蓋該有機發光二極體元件的一側壁；以及進行一氧化處理，以使部分該金屬層氧化。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中進行該氧化處理包括進行至少一紫外線臭氧(UV ozone)製程。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該紫外線臭氧製程所使用的氣體源為選自臭氧、氧氣及氮氣所組成之群組。
- 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中進行各該紫外線臭氧製程的時間為小於等於20分鐘。
- 如申請專利範圍第3項所述之有機發光二極體的封裝方法，在進行該紫外線臭氧製程時，該基板的溫度為小於等於65℃。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體的 封裝方法，其中進行該氧化處理包括進行至少一電漿製程。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該電漿製程所使用的氣體源為選自氧氣、氮氣及氦氣所組成之群組。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該電漿製程所使用的電源功率為小於等於200 W。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中進行各該電漿製程的時間為小於等於5分鐘。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體的封裝方法，在進行該電漿製程時，該基板的溫度為小於等於70℃。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體的封裝方法，更包括進行多次形成該保護層的步驟，並使該遮罩往不同方向偏移，以使該金屬層全面性地覆蓋該有機發光二極體元件的周圍側壁。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該有機層的材料為稠五苯(pentacene)或稠四苯(tetracene)。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該有機層的厚度介於1 nm至500 nm之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該金屬層的材料為鋁(Al)、鈦(Ti)、銅(Cu)、 金(Au)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鎳(Ni)、鉻(Cr)或合金。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該金屬層的厚度介於1 nm至500 nm之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該基板為可撓性基板或硬質基板。
- 一種有機發光二極體裝置，包括：一基板；一有機發光二極體元件，配置於該基板上；以及至少一保護層，配置於該基板上，以使該有機發光二極體元件的周圍側壁被完全包覆，該保護層包括：一有機層，配置於基板上；一金屬層，配置於該有機層上，該金屬層至少覆蓋該有機發光二極體元件的一側壁；以及一金屬氧化物，配置於該金屬層的表面上。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體裝置，其中該金屬氧化物的材料為該金屬層進行一氧化處理後所得之氧化物。
- 如申請專利範圍第18項所述之有機發光二極體裝置，其中該氧化處理包括紫外線臭氧製程或電漿製程。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體裝置，其中該有機層對應該有機發光二極體元件的位置而配置於該基板上。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體裝置，其中該有機層與該金屬層實質上具有相同的覆蓋面 積。
- 如申請專利範圍第21項所述之有機發光二極體裝置，其中該金屬層偏移該有機發光二極體元件的位置而覆蓋該有機發光二極體元件的側壁。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體裝置，其中該金屬層的覆蓋面積大於該有機層的覆蓋面積。
- 如申請專利範圍第23項所述之有機發光二極體裝置，其中該金屬層全面性地覆蓋該有機發光二極體元件的周圍側壁。
- 如申請專利範圍第23項所述之有機發光二極體裝置，其中該保護層更包括一無機層，配置於該基板與該有機層之間。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光二極體裝置，其中該無機層的覆蓋面積大於該有機層的覆蓋面積。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光二極體裝置，其中該無機層為一氧化物層或一氮化物層。
- 如申請專利範圍第27項所述之有機發光二極體裝置，其中該氧化物層的材料為氧化矽(SiOx )、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或氧化鋁(AlOx )。
- 如申請專利範圍第27項所述之有機發光二極體裝置，其中該氮化物層的材料為氮化矽(SiNx )或氮化鋁(AlNx )。
- 如申請專利範圍第25項所述之有機發光二極體裝置，其中該無機層的厚度介於1 nm至500 nm之間。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體裝置，其中該有機層的材料為稠五苯(pentacene)或稠四苯(tetracene)。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體裝置，其中該有機層的厚度介於1 nm至500 nm之間。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體裝置，其中該金屬層的材料為鋁(Al)、鈦(Ti)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鎳(Ni)、鉻(Cr)或合金。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體裝置，其中該金屬層的厚度介於1 nm至500 nm之間。
- 如申請專利範圍第17項所述之有機發光二極體裝置，其中該基板為可撓性基板或硬質基板。
- 一種有機發光二極體的封裝方法，包括：提供一基板，該基板上已形成有一有機發光二極體元件；以及於該基板上形成至少一保護層，以使該有機發光二極體元件的周圍側壁被完全包覆，形成該保護層的方法包括：以一第一遮罩為罩幕，於該基板上形成一有機層；以一第二遮罩為罩幕，於該有機層上形成一金屬層，該金屬層全面性地覆蓋該有機發光二極體元件的周圍側壁，其中該第二遮罩所暴露之面積大於該第一遮罩所暴露之面積；以及 進行一氧化處理，以使部分該金屬層氧化。
- 如申請專利範圍第36項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中形成該保護層的方法更包括：在形成該有機層之前，於該基板上形成一無機層。
- 如申請專利範圍第37項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該無機層為一氧化物層或一氮化物層。
- 如申請專利範圍第38項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該氧化物層的材料為氧化矽(SiOx )、銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或氧化鋁(AlOx )。
- 如申請專利範圍第38項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該氮化物層的材料為氮化矽(SiNx )或氮化鋁(AlNx )。
- 如申請專利範圍第37項所述之有機發光二極體的封裝方法，其中該無機層的厚度介於1 nm至500 nm之間。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW097151409A TWI381569B (zh) | 2008-12-30 | 2008-12-30 | 有機發光二極體裝置及其封裝方法 |
| US12/487,660 US8366505B2 (en) | 2008-12-30 | 2009-06-19 | Apparatus of organic light emitting diode and packaging method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW097151409A TWI381569B (zh) | 2008-12-30 | 2008-12-30 | 有機發光二極體裝置及其封裝方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201025695A TW201025695A (en) | 2010-07-01 |
| TWI381569B true TWI381569B (zh) | 2013-01-01 |
Family
ID=42284001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW097151409A TWI381569B (zh) | 2008-12-30 | 2008-12-30 | 有機發光二極體裝置及其封裝方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8366505B2 (zh) |
| TW (1) | TWI381569B (zh) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9101005B2 (en) * | 2009-09-15 | 2015-08-04 | Industrial Technology Research Institute | Package of environmental sensitive element |
| TWI531276B (zh) * | 2010-10-21 | 2016-04-21 | 行政院原子能委員會核能研究所 | 有機電激發光元件之封裝方法及其結構 |
| WO2012151744A1 (en) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | Linde Aktiengesellschaft | Thin film encapsulation of organic light emitting diodes |
| US9853245B2 (en) * | 2011-10-14 | 2017-12-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
| DE102012024599B4 (de) * | 2011-12-20 | 2020-07-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anordnung mit optisch transparenten und funktionalen Bauelementen |
| CN103367389A (zh) * | 2012-04-06 | 2013-10-23 | 联胜（中国）科技有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| RU2594958C2 (ru) * | 2013-08-07 | 2016-08-20 | Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН" | Способ герметизации oled и микродисплея oled на кремниевой подложке с помощью стеклообразной пасты |
| KR102079256B1 (ko) | 2013-09-13 | 2020-02-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 이의 제조방법 |
| US20160365537A1 (en) * | 2015-06-15 | 2016-12-15 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Packaging structure of oled device and packaging method thereof |
| CN105514298B (zh) * | 2015-12-31 | 2018-12-18 | 固安翌光科技有限公司 | 一种薄膜封装结构及薄膜封装方法 |
| CN105742525A (zh) * | 2016-03-02 | 2016-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件的封装结构及显示装置 |
| CN107768534A (zh) * | 2016-08-19 | 2018-03-06 | 上海和辉光电有限公司 | 一种柔性oled的薄膜封装结构及其制备方法 |
| WO2018061236A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| JPWO2018061237A1 (ja) * | 2016-09-30 | 2019-07-11 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| CN106784372A (zh) | 2016-12-26 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种oled薄膜封装结构及方法 |
| DE102017100929A1 (de) * | 2017-01-18 | 2018-07-19 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements |
| CN107785501B (zh) | 2017-10-17 | 2019-12-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled面板的封装方法及封装结构 |
| CN108448006B (zh) * | 2018-03-29 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装结构、电子装置以及封装方法 |
| CN111987238B (zh) * | 2020-08-05 | 2022-09-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN112599696B (zh) * | 2020-12-11 | 2022-12-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板的封装结构及显示装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050248270A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Eastman Kodak Company | Encapsulating OLED devices |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10044841B4 (de) | 2000-09-11 | 2006-11-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Plasmaverkapselung für elektronische und mikroelektronische Bauelemente wie OLEDs sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR100413450B1 (ko) * | 2001-07-20 | 2003-12-31 | 엘지전자 주식회사 | 표시소자의 보호막 구조 |
| US6765351B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-07-20 | The Trustees Of Princeton University | Organic optoelectronic device structures |
| US7365442B2 (en) | 2003-03-31 | 2008-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of thin-film electronic devices |
| US7227306B2 (en) * | 2003-08-28 | 2007-06-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescence display having recessed electrode structure |
| US7329986B2 (en) | 2003-09-15 | 2008-02-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent displays and method of fabrication |
| KR100993827B1 (ko) * | 2003-12-01 | 2010-11-12 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 및 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| US7121912B2 (en) | 2004-01-26 | 2006-10-17 | Eastman Kodak Company | Method of improving stability in OLED devices |
| JP4631683B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2011-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、及び電子機器 |
| US20070172971A1 (en) | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Eastman Kodak Company | Desiccant sealing arrangement for OLED devices |
-
2008
- 2008-12-30 TW TW097151409A patent/TWI381569B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-06-19 US US12/487,660 patent/US8366505B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050248270A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Eastman Kodak Company | Encapsulating OLED devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100164369A1 (en) | 2010-07-01 |
| TW201025695A (en) | 2010-07-01 |
| US8366505B2 (en) | 2013-02-05 |
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