KR100699208B1 - 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조방법 그리고 이를이용한 액정표시장치 - Google Patents
박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조방법 그리고 이를이용한 액정표시장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100699208B1 KR100699208B1 KR1020030016891A KR20030016891A KR100699208B1 KR 100699208 B1 KR100699208 B1 KR 100699208B1 KR 1020030016891 A KR1020030016891 A KR 1020030016891A KR 20030016891 A KR20030016891 A KR 20030016891A KR 100699208 B1 KR100699208 B1 KR 100699208B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching
- active layer
- semiconductor active
- resist
- metal film
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 161
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 116
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 84
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 140
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 19
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/942—Masking
- Y10S438/945—Special, e.g. metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(과제) 광조사에 기인하는 TFT 특성의 열화가 억제된 TFT 어레이 기판 및 그 제조방법 그리고 이를 이용한 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
(해결수단) 본 발명과 관련된 TFT 어레이 기판의 제조방법은, 게이트 배선 (1) 이 형성된 기판 위에 게이트 절연막 (3), 반도체층 (4a) 과 오믹층 (4b) 및 금속막 (16) 을 형성하는 공정과, 사진 제판에 의하여 금속막 (16) 위의 레지스트 패턴 (17) 을 반도체 활성층 (8) 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아지도록 형성하는 공정과, 금속막 (16) 을 에칭하여 소스 배선 (6), 소스 전극 (5) 및 드레인 전극 (7) 을 형성하는 공정과, 반도체 활성층 (8) 해당부 위의 레지스트를 제거한 후에 오믹층 (4b) 및 반도체층 (4a) 을 제거하는 공정과, 금속막 (16) 을 제거하는 공정과, 오믹층 (4b) 을 제거하는 공정을 구비한 TFT 어레이 기판의 제조방법이다.
박막 트랜지스터 어레이
Description
도 1 은 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 평면도.
도 2a 는 도 1 의 A-A 단면도.
도 2b 는 도 1 의 B-B 단면도.
도 2c 는 도 1 의 C-C 단면도.
도 3 은 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에서의 평면도.
도 4 는 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에서의 평면도.
도 5 는 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에서의 평면도.
도 6 은 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에서의 평면도.
도 7 은 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에서의 평면도.
도 8 은 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에 있어서의 도 1 의 A-A 단면도.
도 9 는 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에 있어서의 도 1 의 A-A 단면도.
도 10 은 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에 있어서의 도 1 의 A-A 단면도.
도 11 은 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에 있어서의 도 1 의 A-A 단면도.
도 12 는 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에 있어서의 도 1 의 A-A 단면도.
도 13 은 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에 있어서의 도 1 의 A-A 단면도.
도 14 는 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에 있어서의 도 1 의 A-A 단면도.
도 15 는 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정을 설명하는 공정도(a∼e).
도 16 은 종래기술에 의한 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정을 설명하는 공정도(a∼e).
도 17 는 본 발명과 관련된 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에 있어서의 TFT 부의 확대도(b).
도 18 는 종래기술에 의한 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조과정에 있어서의 TFT 부의 확대도(c).
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 게이트 배선
1a : 게이트 단자부 금속패드 2 : 보조용량 배선
3 : 게이트 절연막 4 : 반도체 패턴
4a : 반도체층 4b : 오믹층
5 : 소스 전극 5a : 소스 단자부 금속패드
6 : 소스 배선 7 : 드레인 전극
8 : 반도체 활성층 9 : 층간절연막
10 : 드레인 전극 컨택트홀 11 : 게이트 단자부 컨택트홀
12 : 소스 단자부 컨택트홀 13 : 화소 전극
14 : 게이트 단자부 접속패드 15 : 소스 단자부 접속패드
16 : 금속막 17 : 레지스트 패턴
17a : 통상 막두께 레지스트 패턴 17b : 박막 레지스트 패턴
18 : 레지스트 패턴 개구부 19 : 투명도전막
본 발명은 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다. 예를 들면, 액정표시장치에 사용되는 박막 트랜지스터 기판에 관한 것이다.
액정을 사용한 전기광학소자는 디스플레이에 활발히 응용되고 있다. 그 중에서도, 박막 트랜지스터 (이하, TFT 라 함) 를 스위칭 소자로서 사용하는 TFT-LCD 는 휴대성, 저소비 전력, 표시품위면에서 우수하여 폭넓게 이용되고 있다. 보다 광범위한 보급을 위해서는, 더욱 저가격화가 요구되고 있으며, 그 수단의 하나로서 생산성 향상을 위한 TFT 어레이 제조공정수의 삭감이 검토되어 왔다.
그 중, 사진 제판 공정 즉, 마스크를 삭감하는 시도가 일본 공개특허공보 2000-111958 호에 나타나 있다. 도 2a 에 4 회의 사진 제판 공정에 의하여 제조되는 TFT 어레이 기판의 화소부의 단면도를 나타내고, 이를 이용하여 설명한다.
본 종래기술에서는, 투명기판 위에 100㎚ 정도의 두께로 도전막을 형성한 후, 제 1 사진 제판 공정에서는, 제 1 마스크를 사용하여 레지스트 패턴을 형성하고, 에칭에 의하여 게이트 배선 (1) 을 형성한다. 다음으로, 게이트 배선 (1) 이 형성된 투명기판 위에 게이트 절연막 (3), 반도체층 (4a) 및 오믹층 (4b) (일본 공개특허공보 2000-111958 호에서는 접촉층이라 기재) 을 각각 150∼500㎚, 50∼150㎚, 30∼60㎚ 의 두께로 성막한다. 다음으로, 금속막 (16) 을 150∼300㎚ 의 두께로 성막한다.
제 2 사진 제판 공정에서는, 제 2 마스크를 사용하여 레지스트 패턴 (17) (일본 공개특허공보 2000-111958 호에서는 감광막이라 기재) 을 소스 전극 (5), 소스 배선 (6) (일본 공개특허공보 2000-111958 호에서는 데이터선이라 기재), 드레인 전극 (7) 위에는 두껍게, 반도체 활성층 (8) 해당부 (일본 공개특허공보 2000- 111958 호에서는 채널부라 기재) 에는 얇게 형성한다. 이하, 상기 소스 전극 (5), 소스 배선 (6) 및 드레인 전극 (7) 위의 두꺼운 레지스트 패턴을 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 이라 칭하고, 반도체 활성층 (8) 해당부의 얇은 레지스트 패턴을 박막 레지스트 패턴 (17b) 이라 칭한다. 그 후, 금속막을 습식 에칭 등에 의하여 제거한다. 그 후, 박막 레지스트 패턴 (17b), 오믹층 (4b) 및 오믹층 (4b) 의 하층인 반도체층 (4a) 을 건식 에칭에 의하여 동시에 제거한다. 이들 처리에 의하여, 반도체 활성층 (8) 해당부에 있어서 금속막 (16) 이 노출된다. 그리고, 습식 에칭에 의하여 반도체 활성층 (8) 해당부의 금속막 (16) 을 제거하여 하층인 오믹층 (4b) 을 노출시킨다. 다시 반도체 활성층 (8) 해당부의 오믹층 (4b) 과 반도체층 (4a) 의 일부를 건식 에칭으로 제거하고, 그 후 레지스트를 박리한다. 다음으로, 층간절연막 (9) 인 SiNx 를 300㎚ 이상 적층한다. 제 3 사진 제판 공정에서는 제 3 마스크를 사용하여 패터닝하고, 층간절연막 (9) 및 게이트 절연막을 에칭한다. 다시 40∼50㎚ 의 도전층을 적층한다. 마지막으로, 제 4 사진 제판 공정에서 제 4 마스크를 사용하여 패터닝하고, 도전막을 에칭하여 TFT 를 완성한다. 상기 제조방법에 있어서는, 제 2 마스크에 있어서의 레지스트의 두께를 장소에 따라 변경함으로써, 마스크 매수의 저감을 달성하고 있다.
도 16a∼16e 에 종래기술에 의하여 형성되는 TFT 어레이 기판의 제조과정 중, 제 2 사진 제판 공정에 있어서의 상세한 공정을 나타낸다. 일본 공개특허공보 2000-111958 호에 나타내는 종래기술에서는 박막 레지스트 패턴 (17b), 오믹 층 (4b) 및 오믹층 (4b) 의 하층인 반도체층 (4a) 을 건식 에칭에 의하여 동시에 제거하고 있다. 또한, 일본 공개특허공보 2001-339072 호에 나타내는 종래기술에서는 오믹층 (4b) 및 반도체층 (4a) 을 건식 에칭에 의하여 제거한 후, 박막 레지스트 패턴 (17b) 을 애싱에 의하여 제거하고 있다.
도 16a 는 소스 전극 (5), 소스 배선 (6), 드레인 전극 (7) 위에는 두꺼운 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 을, 반도체 활성층 (8) 해당부에는 얇은 박막 레지스트 패턴 (17b) 으로 이루어지는 레지스트 패턴 (17) 을 형성하고 금속막 (16) 을 습식 에칭 등에 의하여 제거한 단계인 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 도면이다. 여기서 금속막 (16) 은 사이드 에칭에 의하여 레지스트 패턴 (17) 단부보다 내측으로 들어간 구조가 된다. 도 16b 는 그 다음 공정인 오믹층 (4b) 및 반도체층 (4a) 을 건식 에칭에 의하여 제거한 단계인 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 도면이다. 도 16c 는 다시 그 다음 공정인 박막 레지스트 패턴을 애싱에 의하여 제거한 단계인 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 도면이다. 도 16d 는 반도체 활성층 (8) 해당부의 금속막 (16) 을 제거하여, 하층인 오믹층 (4b) 을 노출시킨 단계인 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 도면이며, 도 16e 는 반도체 활성층 (8) 해당부의 오믹층 (4b) 과 반도체층 (4a) 의 일부를 건식 에칭으로 제거하고, 그 후 레지스트를 박리한 단계인 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 도면이다. 이 단계에서 소스 전극 (5), 드레인 전극 (7) 및 반도체 활성층 (8) 이 노출된다.
전술한 일본 공개특허공보 2000-111958 호의 제 8 실시예에서는 제 2 사진 제판 공정에서의 레지스트 패턴 형성후, 금속막의 에칭을 실시하고, 그 후 채널 상부의 얇은 레지스트, 오믹층 및 반도체층을 동시에 제거하고 있다. 또한, 일본 공개특허공보 2001-339072 호에서는 오믹층 및 반도체층을 에칭에 의하여 제거한 후, 박막 레지스트 패턴을 애싱에 의하여 제거하고 있다. 이러한 종래기술에서는 이하와 같은 문제가 발생한다.
제 2 마스크에서 사용한 레지스트용 감광제는 점성 및 유동성을 가지므로 레지스트 패턴의 단부는 테이퍼각을 갖는 형상이 된다. 금속막의 에칭전에 레지스트와 금속막의 밀착력을 향상시키기 위하여 베이킹을 실시한 경우, 그 경향이 현저해진다. 이로 인하여, 채널 상부의 얇은 레지스트를 제거할 때, 다른 장소의 두꺼운 레지스트 부분도 테이퍼 형상을 가지므로, 레지스트 패턴 단부는 후퇴하여 레지스트 패턴 면적이 감소하게 된다. 그 후퇴의 정도는 레지스트 패턴의 테이퍼 각도가 작을수록 커진다.
한편, 반도체층은 박막 레지스트 패턴을 제거하기 전 또는 동시에 제거하므로, 레지스트 패턴 면적 즉 테이퍼 각도에 그다지 영향을 받지 않는다. 따라서, 박막 레지스트 패턴의 제거후에 있어서 반도체층의 패턴 단부는 레지스트 패턴 단부로부터 삐져나오게 된다. 반도체층과 박막 레지스트 패턴을 동시에 제거하는 경우에도 반도체층의 단부는 테이퍼 형상을 이루지만, 레지스트 패턴 단부로부터 삐져나오는 것은 동일하다. 이 삐져나오는 폭은 레지스트의 두께를 얇게 한 채널 상부의 레지스트의 두께와 패턴 단부의 테이퍼 각도에 따라 결정된다.
그 후, 반도체 활성층 해당부의 금속막을 에칭으로 제거할 때, 금속막의 단부는 사이드 에칭에 의하여 레지스트 단부의 내측에 내포되는 구조가 된다. 따라서, 반도체층은 금속막으로부터 현저히 삐져나온 구조가 된다(예를 들면, 도 16e 에 있어서의 반도체층의 삐져나온 양 (W) 이 큰 구조가 된다).
이러한 구조를 갖는 TFT 트랜지스터 어레이 기판은 삐져나온 반도체층의 광전도 효과에 의하여 광휘도의 변동에 매우 민감한 특성을 보일 가능성이 있다. 그로 인하여, 광조사에 기인하여 TFT 특성이 열화되는 문제점이 발생하였다. 예를 들면, 이 TFT 어레이 기판을 액정표시장치에 사용한 경우, 화질 향상을 위하여 광휘도를 변동시킨 경우, 화질의 안정성에 현저한 악영향을 미치는 경우가 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 광조사에 기인하는 TFT 특성의 열화가 억제된 TFT 어레이 기판 및 그 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명과 관련된 TFT 어레이 기판의 제조방법은,
절연성 기판 위에 게이트 배선을 형성하는 공정과,
상기 게이트 배선이 형성된 절연성 기판 위에 게이트 절연막, 반도체층과 오믹층 및 금속막을 형성하는 공정과,
사진 제판에 의하여 상기 금속막 위의 레지스트 패턴을, 적어도 후공정에서 상기 오믹층 위에 형성되는 박막 트랜지스터의 소스 배선, 소스 전극, 드레인 전극과 반도체 활성층 해당부가 덮이고, 또한 해당 반도체 활성층 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아지도록 형성하는 공정과,
상기 금속막을 에칭하여 상기 소스 배선, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 공정과,
상기 레지스트를 박막화함으로써 상기 반도체 활성층 해당부 위의 레지스트를 제거하는 공정과,
상기 반도체 활성층 해당부 위의 레지스트를 제거한 후에, 상기 소스 전극, 상기 소스 배선, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체 활성층 해당부 이외의 오믹층 및 반도체층을 에칭에 의하여 제거하는 공정과,
상기 반도체 활성층 해당부 위의 금속막을 에칭에 의하여 제거하는 공정과,
상기 반도체 활성층 해당부 위의 상기 오믹층을 에칭에 의하여 제거하는 공정을 구비한 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법이다. 이러한 제조방법에 의하여 광조사에 기인하는 TFT 특성의 열화가 억제된 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명과 관련된 TFT 어레이 기판의 제조방법은,
절연성 기판 위에 게이트 배선을 형성하는 공정과,
상기 게이트 배선이 형성된 절연성 기판 위에 게이트 절연막, 반도체층과 오믹층 및 금속막을 형성하는 공정과,
사진 제판에 의하여 상기 금속막 위의 레지스트 패턴을, 적어도 후공정에서 상기 오믹층 위에 형성되는 박막 트랜지스터의 소스 배선, 소스 전극, 드레인 전극과 반도체 활성층 해당부가 덮이고, 또한 해당 반도체 활성층 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아지도록 형성하는 공정과,
상기 금속막을 에칭하여 상기 소스 배선, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 공정과,
상기 레지스트를 박막화함으로써 상기 반도체 활성층 해당부 위의 레지스트를 제거하는 공정과,
상기 반도체 활성층 해당부 위의 레지스트를 제거한 후에, 상기 소스 전극, 상기 소스 배선, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체 활성층 해당부 이외의 오믹층 및 반도체층을 에칭에 의하여 제거하는 공정과,
상기 반도체 활성층 해당부 위의 금속막을 에칭에 의하여 제거하는 공정과,
상기 반도체 활성층 해당부 위의 상기 오믹층을 에칭에 의하여 제거하는 공정과,
층간절연막을 성막하는 공정과,
제 3 사진 제판 및 에칭으로 상기 게이트 절연막 및 층간절연막에 상기 드레인 전극에 도달하는 드레인 전극 컨택트홀, 상기 소스 전극에 도달하는 소스 단자부 컨택트홀 및 게이트 배선에 도달하는 게이트 단자부 컨택트홀을 형성하는 공정과,
도전막을 형성하는 공정과,
제 4 사진 제판 및 에칭으로 상기 드레인 전극 컨택트홀, 상기 소스 단자부 컨택트홀 및 상기 게이트 단자부 컨택트홀을 덮는 화소 전극을 형성하는 공정을 구비한 TFT 어레이 기판의 제조방법이다. 이러한 제조방법에 의하여 4 회의 사진 제판 공정으로 광조사에 기인하는 TFT 특성의 열화가 억제된 TFT 어레이기판을 제조할 수 있다.
전술한 상기 금속막을 에칭하여 상기 소스 배선, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 공정에서는, 사이드 에칭되는 것이 바람직하다. TFT 특성의 열화가 억제된 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
또한, 전술한 상기 사이드 에칭에 의하여, 금속막은 0.5㎛ 내지 1.3㎛ 정도 제거하는 것이 바람직하다. 이로써, TFT 특성의 열화가 더욱 억제된 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
전술한 상기 반도체 활성층 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아진 레지스트 패턴은 하프톤 마스크를 사용하는 사진 제판에 의하여 형성하는 것이 바람직하다. 이로써, 4 회의 사진 제판으로 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
또한, 전술한 상기 반도체 활성층 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아진 레지스트 패턴은 복수의 마스크를 사용하는 사진 제판에 의하여 형성할 수도 있다. 이로써, 4 회의 사진 제판으로 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
전술한 상기 반도체 활성층 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아진 레지스트 패턴은 해당 레지스트 패턴의 단부가 상기 금속막의 단부와 거의 동등해지도록 해당 레지스트를 제거하는 것이 바람직하다. 이로써, TFT 특성의 열화가 더욱 억제된 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
상기 소스 배선, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극은 Cr, Mo, Ti, W, Al 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금을 이용하여 형성할 수 있다.
상기 반도체 활성층 해당부 위에서의 레지스트를 제거하는 애싱을 RIE 모드에서 실시하는 것이 바람직하다. 이로써, 더욱 생산성을 향상시킬 수 있다.
전술한 TFT 어레이 기판의 제조방법에 의하여 TFT 특성의 열화가 억제된 TFT 어레이 기판을 제공할 수 있다.
전술한 TFT 어레이 기판은 액정표시장치에 사용되는 것이 바람직하다. 이로써, 광휘도의 변동에 대하여 화질이 안정된 액정표시장치를 제공할 수 있다.
발명의 실시형태
도 1, 도 2 는 본 발명의 실시형태에 의하여 제조된 TFT 어레이 기판을 나타내는 도면으로, 도 1 은 그 평면도, 도 2a 는 도 1 에 있어서의 A-A 에서의 단면도, 도 2b 는 도 1 에 있어서의 B-B 에서의 단면도, 도 2c 는 도 1 에 있어서의 C-C 에서의 단면도이다. 도 1, 2 에 있어서, 1 은 게이트 배선, 1a 는 게이트 단자부 금속패드, 2 는 보조용량 배선, 3 은 게이트 절연막, 4 는 반도체 패턴, 4a 는 반도체층 (반도체 능동막), 4b 는 오믹층 (오믹 컨택트막), 5 는 소스 전극, 5a 는 소스 단자부 금속패드, 6 은 소스 배선, 7 은 드레인 전극, 8 은 박막 트랜지스터의 반도체 활성층, 9 는 층간절연막, 10 은 드레인 전극 컨택트홀, 11 은 게이트 단자부 컨택트홀, 12 는 소스 단자부 컨택트홀, 13 은 화소 전극, 14 는 게이트 단자부 접속패드, 15 는 소스 단자부 접속패드이다.
다음으로 구체적인 제조방법에 대하여 설명한다. 도 3 에서 도 7 까지가 각 공정에서의 평면도이며, 도 8 에서 도 14 까지가 각 공정에서의 도 1 에 있어서의 A-A 단면에 상당하는 지점의 단면을 나타내고 있다. 먼저, 투명한 절연성 기판 위에 400㎚ 정도의 두께로 Cr, Mo, Ti, W, Al 등의 도전막이 형성된다. 다음으로 제 1 사진 제판 공정에서 도전막을 패터닝하여, 도 3, 도 8 과 같이 게이트 배선 (1), 게이트 단자부 금속패드 (1a), 보조용량 배선 (2) 을 형성한다. 이 때, 도전막이 Cr 인 경우에는 예를 들면, (NH4)2[Ce(NO3)6]+HNO
3+H2O 액을 이용하여 습식 에칭 처리된다. 다음으로 도 9 에 나타내는 바와 같이, 도전막이 패터닝된 절연성 기판 위에 게이트 절연막 (3) 으로서 SiNx 막, 반도체 능동막 (4a) 으로서 a-Si 막, 오믹 컨택트막 (4b) 으로서 n+a-Si 막, 금속막 (16) 으로서 Cr 을 각각 400㎚, 150㎚, 30㎚, 400㎚ 정도의 막두께로 적층한다. SiNx, a-Si, n+a-Si 막은 플라스마 CVD 장치를 사용하여 형성한다. 오믹층 성막시에는 PH3 를 도프하여 n+a-Si 를 형성한다. Cr 성막에 대해서는 DC 마그네트론형 스퍼터 장치를 사용하여 성막한다.
다음으로 제 2 사진 제판 공정에서 도 4 에 나타내는 바와 같이 소스 전극 (5), 소스 단자부 금속패드 (5a), 소스 배선 (6), 드레인 전극 (7) 을 형성하기 위한 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 및 박막 트랜지스터의 반도체 활성층 (8) 을 형성하기 위한 박막 레지스트 패턴 (17b) 을 형성한다. 여기서 레지스트는 노볼락 수지계의 포지티브형 레지스트를 사용하고, 레지스트 도포는 스핀코터에 의하 여 1.5㎛ 로 한다. 레지스트 도포후에는 120℃ 에서 90초 프리베이크를 실시하고, 그 후 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 및 박막 레지스트 패턴 (17b) 이 노광되지 않은 마스크 패턴으로 1000msec 노광을 실시하고, 그 후 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 이외의 부분을 노광할 수 있는 마스크 패턴을 사용하여 400msec 추가 노광을 실시하였다. 이 2 단계의 노광을 실시함으로써, 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 과 박막 레지스트 패턴 (17b) 의 막두께를 다르게 하고 있다. 노광기는 스테퍼 또는 미러 프로젝션 타입의 노광기이고, 광원에는 고압 수은램프의 g 선, h 선을 이용하였다. 이어서, 유기 알칼리계 현상액을 이용하여 현상한 후, 100℃ 내지 120℃ 에서 포스트베이크를 180 초 실시하고, 레지스트 중의 용매를 휘발시키는 동시에 레지스트와 Cr 의 밀착력을 높인다. 이들 프로세스에 의하여, TFT 부의 레지스트 형상은 도 10 에 나타내는 바와 같이 다른 막두께를 갖는 형상이 된다. 여기서 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 의 레지스트 막두께는 1.4㎛ 정도, 박막 레지스트 패턴 (17b) 의 레지스트 막두께는 0.4㎛ 정도가 된다.
그 후, 다시 120℃ 내지 130℃ 에서 오븐 베이크를 실시하여 더욱 레지스트-Cr 간의 밀착력을 높인다. 이 때, 베이크 온도가 너무 높은 경우에는 레지스트 단면이 늘어지므로 주의를 요한다. 그 후, 금속막 (16) 의 에칭을 실시하여, 소스 전극 (5), 소스 배선 (6), 소스 단자부 금속패드 (5a), 드레인 전극 (7) 에 해당하는 이외의 부분을 제거한다. 금속막 (16) 이 Cr 막인 경우에는, 예를 들 면 (NH4)2[Ce(NO3)6]+HNO3+H2O 액을 이용하여 습식 에칭 처리된다. 이 때, 사이드 에칭에 의하여 금속막 (16) 은 레지스트 패턴 (17) 보다 내측으로 들어간 형상이 된다.
그 후, 산소 플라스마를 이용한 애싱에 의하여 박막 레지스트 패턴 (17b) 을 제거하여, 박막 레지스트 패턴 (17b) 하부의 금속막 (16) 이 노출되도록 한다. 본 실시형태에서는, 애싱은 압력이 40Pa 에서 60초 실시하였다. 또한, 애싱할 때에는 RIE 모드 쪽이 PE 모드에 비하여, 도 11 의 18 에 나타내는 레지스트 개구부의 크기를 제어하기 쉽다. 이것은 RIE 모드 쪽이 이방성, 균일성 모두 양호하기 때문이다. 그 밖에도, RIE 모드에는 PE 모드에 비하여, 레지스트의 제거 속도를 빠르게 할 수 있다는 이점이 있다. 이 애싱 공정에서는 레지스트 패턴 (17) 의 단부와 금속막 (16) 단부는 거의 동등하게 하는 것이 바람직하다. 다음으로, 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 및 박막 레지스트 패턴 (17b) 이외의 부분인 오믹층 (4b) 및 반도체층 (4a) 을 건식 에칭에 의하여 제거하고, 반도체 패턴 (4) 을 형성한다. 이 에칭을 SE 에칭이라 한다. 이러한 제조공정에 의하여 도 11 에 나타내는 구조가 된다.
다시 130℃ 내지 140℃ 에서 오븐 베이크를 실시한 후, 그 노출된 반도체 활성층 (8) 해당부의 금속막 (16) 을 에칭에 의하여 제거한다. 오버 에칭의 양은 50% 정도가 바람직하다. 그 후, 레지스트 패턴 개구부 (18) 의 오믹층 (4b) 및 반도체층 (4a) 의 일부를 에칭에 의하여 제거한다. 본 실시형태에서는 HCl+SF6+He 가스를 이용한 에칭에 의하여 오믹층 (4b) 및 반도체층 (4a) 의 일부를 합계 100㎚ 정도 제거하였다. 이 에칭을 백채널 에칭이라 한다. 이러한 제조공정에 의하여 도 12 에 나타내는 형상이 된다. 그 후, 레지스트를 박리하면 반도체 패턴 (4), 소스 전극 (5), 소스 배선 (6), 드레인 전극 (7), 소스 단자부 금속패드 (5a) 및 반도체 활성층 (8) 이 노출되어, 도 5 에 나타내는 구조가 된다.
도 15a∼15e 에 제 2 사진 제판 공정후에 있어서의 제조과정의 상세한 공정을 나타낸다. 도 15a 는 소스 전극 (5), 소스 배선 (6), 드레인 전극 (7) 위에는 두꺼운 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 을, 반도체 활성층 (8) 해당부에는 얇은 박막 레지스트 패턴 (17b) 을 형성한 후, 금속막 (16) 을 에칭에 의하여 제거한 단계인 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 도면이다. 여기서, 금속막 (16) 은 사이드 에칭에 의하여 레지스트 단부보다 내측으로 들어간 형상이 된다. 도 15b 는 그 다음의 박막 레지스트 패턴 (17b) 을 애싱에 의하여 제거한 단계인 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 도면이다. 여기서, 애싱에 의하여 반도체 활성층 (8) 해당부 위의 레지스트가 제거되는 동시에, 레지스트 패턴 단부에서 가로방향으로도 삭제되어 레지스트 패턴 면적이 감소한다. 도 15c 는 그 다음의 SE 에칭을 실시한 단계인 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 도면이다. SE 에칭에 의하여 반도체 패턴 (4) 과 금속막 (16) 의 단부가 거의 동등해진다. 도 15d 는 그 다음의 반도체 활성층 해당부의 금속막 (16) 에칭을 실시한 단계인 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 도면이다. 이 에칭에 의하여 소스 전극 (5), 드레인 전극 (7) 이 형성된다. 여기서 사이드 에칭에 의하여 금속막 (16) 은 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 보다 내측으로 들어간 형상이 된다. 도 15e 는 그 다음의 백채널 에칭과 레지스트 박리를 실시한 단계인 TFT 어레이 기판의 구조를 나타내는 도면이다. 레지스트 박리에 의하여, 소스 전극 (5) 및 드레인 전극 (7) 이 노출되는 동시에, 반도체 패턴 (4) 의 일부가 에칭되어 반도체 활성층 (8) 이 노출된다.
본 실시형태에서는 반도체 패턴 (4) 보다 박막 레지스트 패턴이 먼저 제거되므로, 종래기술보다 에칭되는 반도체 패턴 (4) 의 영역이 넓어져, 도 15e 에 나타내는 삐져나오는 양 (W) 이 적어진다. 이 제조방법에 의하여, 광조사에 기인하는 TFT 특성의 열화가 억제된 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
이 후, 다시 PCVD 장치를 사용하여 층간절연막 (9) 인 SiNX 를 300㎚ 형성하고, 이 층간절연막 (9) 을 제 3 사진 제판 공정에서 패터닝한다. 그리고, 층간절연막 (9) 및 게이트 절연막 (3) 을 에칭함으로써, 도 2a, 도 6 및 도 13 에 나타내는 드레인 전극 (7) 으로 통하는 드레인 전극 컨택트홀 (10) 을 형성한다. 또한, 도 2b 및 도 6 에 나타내는 게이트 단자부 금속패드 (1a) 로 통하는 게이트 단자부 컨택트홀 (11) 도 형성한다. 또한, 도 2c 및 도 6 에 소스 단자부 금속패드 (5a) 로 통하는 소스 단자부 컨택트홀 (12) 도 형성한다. 본 실시형태에서는, CF4+O2 를 이용한 건식 에칭으로 층간절연막 (9) 및 게이트 절연막 (3) 인 SiNx 를 제거하였다. 또한, 투명도전막 (19) 을 형성하고, 드레인 전극 컨택트 홀 (10), 게이트 단자부 컨택트홀 (11) 및 소스 단자부 컨택트홀 (12) 에 매몰하여, 각각 드레인 전극 (7), 게이트 단자부 금속패드 (1a), 소스 단자부 금속패드 (5a) 에 접촉된다. 본 실시형태에서는, 투명도전막 (19) 을 두께가 약 100㎚ 인 ITO 막으로 하고, DC 마그네트론형 스퍼터장치를 사용하여 성막하였다. 다음으로, 제 4 사진 제판 공정에서 투명도전막 (19) 을 패터닝한다. 그리고 에칭에 의하여 투명 화소 전극 (13), 게이트 단자부 접속패드 (14) 및 소스 단자부 접속패드 (15) 를 형성한다. 본 실시형태에서는 HCl+HNO3+H2O 액을 이용한 습식 에칭에 의하여 ITO 막을 제거하였다. 이렇게 하여 도 7 에 나타내는 바와 같은 구조가 된다.
전술한 제조방법에서는 TFT 어레이 기판을 4 회의 사진 제판 공정으로 제조할 수 있다. 또한, 이렇게 제조된 구조에서는 소스 배선 (6) 하에 반도체층 (4a) 과의 단차가 존재하지 않으므로, 소스 배선 (6) 의 단선이 잘 발생하지 않는다. 또한, 소스 전극 (5), 드레인 전극 (7) 의 패턴이 반도체층 (4a) 의 내측에 내포되어 교차되지 않으므로, TFT 의 리크 전류도 낮게 억제된다. 또한, 반도체층 (4a) 이 금속막 (16) 으로부터 삐져나와 있는 양 (W) 이 적기 때문에 광조사에 기인하는 TFT 특성의 열화를 방지할 수 있다. 또한, 금속막 (16) 을 Cr 로 함으로써, 투명도전막 (19) 의 에칭액에 의한 소스 배선 등의 부식을 방지할 수 있다. 이로써 수율을 향상시킬 수 있다.
전술한 제 2 사진 제판 공정에서 막두께가 다른 통상 막두께 레지스트 패턴 및 박막 레지스트 패턴을 형성하는 공정에서는 하프톤 마스크를 사용하여 사진 제판할 수 있다. 예를 들면, 네거티브형 레지스트를 사용한 경우, 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 에 해당하는 부분에 투광부를, 박막 레지스트 패턴 (17b) 에 해당하는 부분에는 반투과부를, 그 이외의 부분에는 차광부를 구비하는 포토마스크 (하프톤 마스크라 함) 를 사용하여 노광함으로써 사진 제판할 수 있다. 또한, 포지티브형 레지스트를 사용한 경우에는, 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 에 해당하는 부분에 차광부를, 박막 레지스트 패턴 (17b) 에 해당하는 부분에는 반투과부를, 그 이외의 부분에는 투광부를 구비하는 하프톤 마스크를 사용하여 노광한다. 이로써 막두께가 다른 레지스트 패턴을 1 회의 사진 제판으로 형성할 수 있으며, 4 회의 사진 제판 공정으로 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
또한, 제 2 사진 제판 공정에서 막두께가 다른 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 및 박막 레지스트 패턴 (17b) 을 형성하는 공정에서는 2 장의 마스크를 사용하여 사진 제판할 수 있다. 예를 들면, 네거티브형 레지스트를 사용한 경우, 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 에 해당하는 부분에 투광부를, 박막 레지스트 패턴 (17b) 에 해당하는 부분을 포함한 그 이외의 부분에는 차광부를 갖는 제 1 포토마스크와, 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 및 박막 레지스트 패턴 (17b) 에 해당하는 부분에 투광부, 그 이외의 부분에는 차광부를 구비하는 제 2 포토마스크의 2 장의 마스크를 사용하여 노광함으로써 사진 제판할 수 있다. 또한, 포지티브형 레지스트를 사용한 경우, 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 에 해당하는 부분에 차광부를, 박막 레지스트 패턴 (17b) 에 해당하는 부분을 포함한 그 이외의 부분에는 투광부를 구비하는 제 1 포토마스크와, 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 및 박막 레지스트 패턴 (17b) 에 해당하는 부분에 차광부, 그 이외의 부분에는 투광부를 구비하는 제 2 포토마스크의 2 장의 마스크를 사용하여 노광한다. 이로써, 막두께가 다른 레지스트 패턴을 1 회의 사진 제판으로 형성할 수 있고, 4 회의 사진 제판 공정으로 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
전술한 금속막 (16) 을 에칭하여 소스 전극 (5), 소스 배선 (6), 드레인 전극 (7) 및 반도체 활성층 (8) 해당부 이외를 에칭하는 공정에서는 사이드 에칭되는 것이 바람직하다. 즉, 도 15a 와 같이 금속막 (16) 이 레지스트 패턴 (17) 단부의 내측으로 들어가는 구조가 된다. 이로써 소스 배선 (6) 하에 반도체층 (4a) 과의 단차가 존재하지 않으므로, 소스 배선 (6) 의 단선이 잘 발생하지 않게 된다. 또한, 소스 전극 (5), 드레인 전극 (7) 의 패턴이 반도체 패턴 (4) 의 내측에 내포되어 교차되지 않으므로, TFT 의 리크 전류도 낮게 억제된다. 또한, 사이드 에칭량은 레지스트 패턴 (17) 단부로부터 금속막 (16) 단부의 거리가 0.5㎛∼1.3㎛ 인 것이 바람직하다. 이 구조에서는 삐져나오는 양 (W) 이 적으므로, TFT 특성이 더욱 양호한 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
또한, 전술한 박막 레지스트 패턴 (17b) 을 애싱에 의하여 제거하는 공정에서는, 통상 막두께 레지스트 패턴 (17a) 의 단부가 사이드 에칭되어 내측으로 들어간 금속막 (16) 단부와 거의 동등해지도록 형성되는 것이 바람직하다. 이로써, 반도체층이 삐져나오는 양 (W) 이 적어져 TFT 특성이 더욱 양호한 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
본 실시형태에서는 금속막에 Cr 을 사용하였는데, Al, Ti, Mo, W, Ta 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금이어도 된다. 또한, 금속막이 이들 금속과 그 금속의 질화막과의 다층구조, 예를 들면 AlN/Al/AlN 과 같은 3 층 구조로 되어 있어도 된다. 이 구조로 함으로써, 소스 전극 (5), 소스 배선 (6) 및 드레인 전극 (7) 의 형성과 반도체 활성층 (8) 의 형성이 각각 1 회의 에칭으로 가능하며, 합계 2 회의 에칭 공정으로 금속막 (16) 의 에칭이 가능하다. 이로써 제조공정을 간략화할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있다. 나아가서는, 이 중 2 종류 이상의 금속으로 다층구조로 되어 있어도 된다. 예를 들면, Al/Mo 와 같은 2 층 구조나 Cr/Al/Cr 과 같은 3 층 구조로 되어 있어도 된다. 또한, 애싱시에 산소 플라스마를 사용하는 것으로 되어 있는데, CF4 나 SF6 등의 불소를 포함한 가스를 산소가스에 첨가해도 된다. 이 경우, 애싱시의 레지스트 제거속도를 빠르게 할 수 있어, 생산성이 향상된다는 이점을 갖는다.
본 실시형태 및 종래기술에 의한 구체적인 반도체층 (4a) 은 삐져나오는 양을 표 1 에 나타낸다. Case 1 은 본 실시형태에서 소스 전극 (5), 소스 배선 (6), 드레인 전극 (7) 및 반도체 활성층 (8) 해당부 이외를 에칭하는 단계 (도 15a 의 단계) 에서의 사이드 에칭량을 200㎚ 로 하였다. Case 2 는 본 실시형태에서 오버 에칭시켜, 동일한 단계 (도 15a 의 단계) 에서의 금속막 (16) 의 사이드 에칭량을 1000㎚ 로 하였다. Case 3 은 종래기술에서 동일한 단계 (도 16a 의 단계) 에서의 금속막 (16) 의 사이드 에칭량을 200㎚ 로 하였다. 여기서 금속막 (16) 을 Cr, 막두께 200㎚ 로 하였다. 또한, Cr 을 에칭하여 반도체 활성층 (8) 을 형성하는 단계 (도 15d 또는 도 16d 의 단계) 에서의 사이드 에칭량은 200㎚, 애싱에 의한 레지스트 패턴 (17) 의 가로방향의 후퇴량은 1000㎚, 수직방향 제거량은 800㎚ 였다.
| 삐져나오는 양 (W) | |
| Case 1 본 실시형태 사이드 에칭량 200㎚ | 1000㎚ |
| Case 2 본 실시형태 사이드 에칭량 1000㎚ | 200㎚ |
| Case 3 종래기술 사이드 에칭량 200㎚ | 1200㎚ |
Case 1 에서는 도 15a 의 단계에서 Cr 의 사이드 에칭량이 200㎚ 이다. 다음의 애싱으로 가로방향으로 레지스트 패턴 (17) 이 1000㎚ 후퇴하므로, 도 17b 와 같이 Cr 의 단부는 레지스트 패턴의 단부의 800㎚ 외측으로 삐져나와 있다. 그 후, Se 에칭이 있어, Cr 막과 반도체 패턴 (4) 의 단부는 거의 동등해진다. 그 다음으로 반도체 활성층 (8) 해당부의 Cr 의 에칭이 있어, Cr 의 가로방향의 후퇴량은 레지스트 패턴 (17) 으로부터 삐져나와 있는 800㎚ 와 사이드 에칭에 의한 200㎚ 로 합계 1000㎚ 가 된다. 이 삐져나와 있는 부분은 상부에 레지스트가 있으므로 백채널 에칭으로는 에칭되지 않는다. 따라서, 이 삐져나오는 양 1000㎚ 가 반도체층 (4a) 의 삐져나오는 양 (W) 이 된다.
Case 2 에서는 도 15a 의 단계에서 Cr 의 사이드 에칭량이 1000㎚ 이다. 다음의 애싱으로 가로방향으로 레지스트 패턴 (17) 이 1000㎚ 후퇴하므로, 도 15b 와 같이 Cr 의 단부와 레지스트 패턴의 단부는 거의 동등해진다. 그 다음으로 반도체 활성층 (8) 해당부의 Cr 의 에칭이 있어, 이 사이드 에칭량 200㎚ 가 반도체층 (4a) 의 삐져나오는 양 (W) 이 된다. 매우 양호한 결과가 얻어진다.
Case 3 에서는 도 16a 의 단계에서 Cr 에칭량이 200㎚ 이다. 다음의 도 16b 의 Se 에칭으로 반도체 패턴 (4) 이 레지스트 패턴 (17) 단부와 동등해진다. 다음으로 애싱을 실시하므로 레지스트 패턴 (17) 단부는 1000㎚ 가로방향으로 제거되어, 도 18c 와 같이 Cr 단부로부터 800㎚, 반도체 패턴 (4a) 으로부터 1000㎚ 내측으로 들어가 있다. 그 후, 반도체 활성층 (8) 해당부의 Cr 의 에칭이 있어, 다시 Cr 이 200㎚ 사이드 에칭되므로, 삐져나오는 양 (W) 의 합계는 1000+200=1200㎚ 가 된다.
본 실시형태의 표 1 에서 나타낸 조건은 대표적인 조건으로 Cr 의 막두께, 사이드 에칭량, 에칭 조건, 레지스트 막두께, 레지스트의 테이퍼 각도, 애싱 조건 등의 조건이 변경되어도, 본 발명의 효과를 얻을 수 있다. 또한, 레지스트 패턴 (17) 의 가로방향의 삭제량과 반도체 활성층 (8) 을 에칭할 때, 금속막 (16) 의 사이드 에칭량을 조정하여, 금속막 (16) 단부와 레지스트 패턴 (17) 단부를 거의 동등하게 함으로써, 반도체층 (4a) 의 삐져나오는 양 (W) 을 적게 할 수 있어, TFT 특성의 열화가 억제된 TFT 어레이 기판을 제조할 수 있다.
본 발명에 의하면, 광조사에 기인하는 TFT 특성의 열화가 억제된 TFT 어레이 기판 및 그 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치를 제공할 수 있다.
Claims (11)
- 절연성 기판 위에 게이트 배선을 형성하는 공정과,상기 게이트 배선이 형성된 절연성 기판 위에 게이트 절연막, 반도체층과 오믹층 및 금속막을 형성하는 공정과,사진 제판에 의하여 상기 금속막 위의 레지스트 패턴을, 적어도 후공정에서 상기 오믹층 위에 형성되는 박막 트랜지스터의 소스 배선, 소스 전극, 드레인 전극과 반도체 활성층 해당부가 덮이고, 또한 해당 반도체 활성층 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아지도록 형성하는 공정과,상기 금속막을 에칭하여 상기 소스 배선, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 공정과,상기 금속막을 에칭한 후에, 상기 레지스트를 박막화함으로써 상기 반도체 활성층 해당부 위의 레지스트를 제거하는 공정과,상기 반도체 활성층 해당부 위의 레지스트를 제거한 후에, 상기 소스 배선, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체 활성층 해당부 이외의 오믹층 및 반도체층을 에칭에 의하여 제거하는 공정과,상기 반도체 활성층 해당부 위의 금속막을 에칭에 의하여 제거하는 공정과,상기 반도체 활성층 해당부 위의 상기 오믹층을 에칭에 의하여 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 절연성 기판 위에 게이트 배선을 형성하는 공정과,상기 게이트 배선이 형성된 절연성 기판 위에 게이트 절연막, 반도체층과 오믹층 및 금속막을 형성하는 공정과,사진 제판에 의하여 상기 금속막 위의 레지스트 패턴을, 적어도 후공정에서 상기 오믹층 위에 형성되는 박막 트랜지스터의 소스 배선, 소스 전극, 드레인 전극과 반도체 활성층 해당부가 덮이고, 또한 해당 반도체 활성층 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아지도록 형성하는 공정과,상기 금속막을 에칭하여 상기 소스 배선, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 형성하는 공정과,상기 금속막을 에칭한 후에, 상기 레지스트를 박막화함으로써 상기 반도체 활성층 해당부 위의 레지스트를 제거하는 공정과,상기 반도체 활성층 해당부 위의 레지스트를 제거한 후에, 상기 소스 배선, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체 활성층 해당부 이외의 오믹층 및 반도체층을 에칭에 의하여 제거하는 공정과,상기 반도체 활성층 해당부 위의 금속막을 에칭에 의하여 제거하는 공정과,상기 반도체 활성층 해당부 위의 상기 오믹층을 에칭에 의하여 제거하는 공정과,층간절연막을 성막하는 공정과,제 3 사진 제판 및 에칭으로 상기 게이트 절연막 및 층간절연막에 상기 드레인 전극에 도달하는 드레인 전극 컨택트홀, 상기 소스 전극에 도달하는 소스 단자부 컨택트홀 및 게이트 배선에 도달하는 게이트 단자부 컨택트홀을 형성하는 공정과,도전막을 형성하는 공정과,제 4 사진 제판 및 에칭으로 상기 드레인 전극 컨택트홀, 상기 소스 단자부 컨택트홀 및 상기 게이트 단자부 컨택트홀을 덮는 화소 전극을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 금속막을 에칭하여 상기 소스 배선, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 공정에서는, 사이드 에칭을 실시하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 사이드 에칭에 의하여, 금속막은 0.5㎛ 내지 1.3㎛ 정도 제거되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반도체 활성층 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아지도록 레지스트 패턴을 형성하는 공정에서는, 하프톤 마스크를 사용하여 사진 제판하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반도체 활성층 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아지도록 레지스트 패턴을 형성하는 공정에서는, 복수의 마스크를 사용하여 사진 제판하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반도체 활성층 해당부 위에서의 막두께가 다른 부분보다 얇아지도록 레지스트 패턴을 형성하는 공정에서는, 해당 레지스트 패턴의 단부가 상기 금속막의 단부와 거의 동등해지도록 해당 레지스트를 제거하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 소스 배선, 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극이 Cr, Mo, Ti, W, Al 또는 이들 중 하나 이상을 포함하는 금속을 주성분으로 하는 합금임을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반도체 활성층 해당부 위에서의 레지스트를 제거하는 애싱을 RIE 모드에서 실시하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 제조방법을 이용하여 제조된 박막 트랜지스터 어레이 기판.
- 제 10 항에 기재된 박막 트랜지스터 어레이 기판을 구비하는 액정표시장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2002-00099990 | 2002-04-02 | ||
| JP2002099990A JP4004835B2 (ja) | 2002-04-02 | 2002-04-02 | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030079683A KR20030079683A (ko) | 2003-10-10 |
| KR100699208B1 true KR100699208B1 (ko) | 2007-03-27 |
Family
ID=28449859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030016891A KR100699208B1 (ko) | 2002-04-02 | 2003-03-18 | 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조방법 그리고 이를이용한 액정표시장치 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6750087B2 (ko) |
| JP (1) | JP4004835B2 (ko) |
| KR (1) | KR100699208B1 (ko) |
| TW (1) | TWI232556B (ko) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100825907B1 (ko) * | 2000-05-13 | 2008-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제작방법 |
| US6909592B2 (en) * | 2003-01-30 | 2005-06-21 | Dongbuanam Semiconductor Inc. | Thin film capacitor and fabrication method thereof |
| KR100527187B1 (ko) * | 2003-05-01 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고효율 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
| TW200530717A (en) * | 2004-03-05 | 2005-09-16 | Innolux Display Corp | Thin film transistor and method for manufacturing it |
| US20060001914A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Mesmer Ralph M | Color scanner display |
| KR101085141B1 (ko) * | 2004-12-17 | 2011-11-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 단차가 있는 패턴 형성방법, 그를 이용한 박막트랜지스터형성방법 및 액정표시소자 제조방법 |
| TWI255363B (en) | 2005-02-04 | 2006-05-21 | Quanta Display Inc | Liquid crystal display |
| JP4926063B2 (ja) | 2005-08-03 | 2012-05-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置およびそれを備えた電子機器 |
| CN101395525B (zh) | 2006-03-23 | 2010-11-10 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
| JP2008010440A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | アクティブマトリクス型ｔｆｔアレイ基板およびその製造方法 |
| WO2008001595A1 (fr) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'affichage à cristaux liquides et procédé de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides |
| CN101517462B (zh) | 2006-09-12 | 2011-09-14 | 夏普株式会社 | 带有微透镜阵列的液晶显示面板、其制造方法和液晶显示装置 |
| WO2008047517A1 (fr) | 2006-10-18 | 2008-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'affichage à cristaux liquides et procédé de fabrication de celui-ci |
| US7995167B2 (en) | 2006-10-18 | 2011-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device |
| US8421967B2 (en) | 2006-12-14 | 2013-04-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and process for producing liquid crystal display device |
| EP2128690B1 (en) | 2007-01-24 | 2013-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| EP2124094A4 (en) * | 2007-01-31 | 2011-09-07 | Sharp Kk | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE |
| US8659726B2 (en) | 2007-04-13 | 2014-02-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display |
| WO2009001508A1 (ja) | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法 |
| US8921858B2 (en) * | 2007-06-29 | 2014-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9176353B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US7738050B2 (en) * | 2007-07-06 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Liquid crystal display device |
| US7998800B2 (en) * | 2007-07-06 | 2011-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8334537B2 (en) * | 2007-07-06 | 2012-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8330887B2 (en) * | 2007-07-27 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| US7968885B2 (en) * | 2007-08-07 | 2011-06-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| JP5480480B2 (ja) * | 2007-09-03 | 2014-04-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP5371341B2 (ja) * | 2007-09-21 | 2013-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気泳動方式の表示装置 |
| JP2009105390A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-05-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP5377940B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| EP2073255B1 (en) * | 2007-12-21 | 2016-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Diode and display device comprising the diode |
| US7749820B2 (en) * | 2008-03-07 | 2010-07-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor, manufacturing method thereof, display device, and manufacturing method thereof |
| US8314765B2 (en) | 2008-06-17 | 2012-11-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, display device, and electronic device |
| US11600667B1 (en) * | 2010-10-11 | 2023-03-07 | Monolithic 3D Inc. | Method to produce 3D semiconductor devices and structures with memory |
| US9568794B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP6278633B2 (ja) | 2013-07-26 | 2018-02-14 | 三菱電機株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ基板およびその製造方法、並びに、液晶表示装置およびその製造方法 |
| US9927658B2 (en) * | 2014-08-07 | 2018-03-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, liquid crystal panel, and method for manufacturing active matrix substrate |
| WO2016021320A1 (ja) * | 2014-08-07 | 2016-02-11 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
| CN113341624A (zh) | 2015-02-12 | 2021-09-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
| CN104637806A (zh) * | 2015-03-02 | 2015-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种刻蚀方法 |
| CN107104077B (zh) * | 2017-04-14 | 2019-04-02 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Tft阵列基板的制作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990066664A (ko) * | 1998-01-30 | 1999-08-16 | 윤종용 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| KR20020089810A (ko) * | 2001-05-24 | 2002-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시소자 제조방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100204071B1 (ko) * | 1995-08-29 | 1999-06-15 | 구자홍 | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법 |
| US5866919A (en) * | 1996-04-16 | 1999-02-02 | Lg Electronics, Inc. | TFT array having planarized light shielding element |
| JP3410617B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2003-05-26 | シャープ株式会社 | 薄膜のパターニング方法 |
| JP2000011958A (ja) | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | 平板型光源およびその液晶表示装置 |
| US6287899B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
| US6317174B1 (en) * | 1999-11-09 | 2001-11-13 | Kabushiki Kaisha Advanced Display | TFT array substrate, liquid crystal display using TFT array substrate, and manufacturing method thereof |
| KR100629174B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2006-09-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터 기판 및 그의 제조방법 |
| KR100686228B1 (ko) * | 2000-03-13 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 사진 식각용 장치 및 방법, 그리고 이를 이용한 액정 표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 |
| JP2001339072A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-12-07 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置 |
| JP2001324725A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-04-02 JP JP2002099990A patent/JP4004835B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-03-18 KR KR1020030016891A patent/KR100699208B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-03-21 TW TW092106281A patent/TWI232556B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-04-01 US US10/403,121 patent/US6750087B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990066664A (ko) * | 1998-01-30 | 1999-08-16 | 윤종용 | 박막 트랜지스터의 제조 방법 |
| KR20020089810A (ko) * | 2001-05-24 | 2002-11-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시소자 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4004835B2 (ja) | 2007-11-07 |
| US20030186478A1 (en) | 2003-10-02 |
| US6750087B2 (en) | 2004-06-15 |
| TW200401454A (en) | 2004-01-16 |
| JP2003297850A (ja) | 2003-10-17 |
| KR20030079683A (ko) | 2003-10-10 |
| TWI232556B (en) | 2005-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100699208B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조방법 그리고 이를이용한 액정표시장치 | |
| KR100482735B1 (ko) | 패턴형성방법 및 액정표시장치 제조방법 | |
| USRE41632E1 (en) | Liquid crystal display device and method of manufacturing the same | |
| US8349631B2 (en) | Method for fabricating thin film transistor array substrate | |
| US20060154397A1 (en) | Method for manufacturing a display device and method for forming a pattern | |
| KR100420547B1 (ko) | 프로세스 윈도우를 개선하여 완전하게 셀프 얼라인된 ｔｆｔ를 형성하는 방법 | |
| US6998640B2 (en) | Thin film transistor structure | |
| US20040191968A1 (en) | [method of fabricating a thin film transistor array panelsubstrate] | |
| US6391499B1 (en) | Light exposure mask and method of manufacturing the same | |
| US20050148123A1 (en) | Method for fabricating self-aligned thin-film transistor | |
| KR100744404B1 (ko) | 액정표시장치의 어레이 기판 제조방법 | |
| KR20070072371A (ko) | 액정 디스플레이 장치의 바닥 기판을 제조하는 방법 | |
| KR100663294B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법 | |
| KR20010011855A (ko) | 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100219480B1 (ko) | 박막트랜지스터 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR100663288B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100277184B1 (ko) | 액정 표시 장치의 제조방법 | |
| KR100705616B1 (ko) | 박막트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
| JP2000208397A (ja) | アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置とその製造方法 | |
| KR100619160B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 제조방법 | |
| KR100341129B1 (ko) | 박막 트랜지스터-액정 표시 장치의 제조방법 | |
| US7015508B2 (en) | Thin film transistor structure | |
| KR100527079B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 | |
| TWI387826B (zh) | 主動元件陣列基板的製造方法 | |
| KR19980060019A (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130227 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140220 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150224 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160219 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170221 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |